JP2014093099A - Glass hard disk substrate polishing liquid composition - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass hard disk substrate polishing liquid composition that can attain both of a high polishing rate and low surface roughness, and can maintain the high polishing rate for a long time in a recycle polishing.SOLUTION: The glass hard disk substrate polishing liquid composition contains a silica grain that satisfies conditions 1 to 3 described below: 1) an average first-order grain diameter measured by a transmission type electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm or less; 2) an average degree of association of second-order aggregation measured by the transmission type electron microscope is 2.5 or more and 5.0 or less; 3) second-order aggregation in which a degree of constriction (envelope failure rate) expressed by a below-described expression (I) is 5.0% or more and 10.0% or less occupies 30% or more of grains as a whole, the degree of constriction=(envelope area-projection area)/envelope area×100 (I), where the projection area denotes an actual area of a transmission image of the grain captured by the transmission type electron microscope, and the envelope area denotes an area of a protrusion closure connecting a protrusion part so as to surround the grain photographed by the transmission type electron microscope.

Description

本発明は、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物、ガラスハードディスク基板の研磨方法及びガラスハードディスク基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a polishing liquid composition for a glass hard disk substrate, a method for polishing a glass hard disk substrate, and a method for producing a glass hard disk substrate.

メモリーハードディスクドライブに搭載されるハードディスクは高速で回転するため消費電力が高く、近年では環境への配慮からも大きな問題になっており、低消費電力化が求められている。消費電力を低減するためには、ハードディスク1枚あたりの記録容量を増大させ、ドライブに搭載されるハードディスクの枚数を減らし、軽量化する方法がある。基板1枚の重量を軽量化するためには、基板の厚さを薄くする必要があり、この観点から、アルミ基板に比べて機械的強度が高いガラス基板の需要が高まり、近年の伸張は著しい。また、基板1枚あたりの記録容量を向上させるためには、単位記録面積を縮小する必要がある。しかし、記録面積を縮小すると磁気信号が弱くなる問題が発生する。そこで磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。ガラスハードディスク基板の研磨においては、この磁気ヘッドの低浮上化に対応するため、表面粗さや残留物の低減に対する要求が厳しくなっている。   A hard disk mounted on a memory hard disk drive has high power consumption because it rotates at a high speed. In recent years, it has become a big problem from the environmental consideration, and low power consumption is required. In order to reduce power consumption, there is a method of increasing the recording capacity per hard disk, reducing the number of hard disks installed in the drive, and reducing the weight. In order to reduce the weight of one substrate, it is necessary to reduce the thickness of the substrate. From this point of view, the demand for a glass substrate having a higher mechanical strength than that of an aluminum substrate has increased, and the recent growth has been remarkable. . In order to improve the recording capacity per substrate, it is necessary to reduce the unit recording area. However, when the recording area is reduced, the magnetic signal becomes weak. Therefore, in order to improve the detection sensitivity of the magnetic signal, technological development for lowering the flying height of the magnetic head has been advanced. In polishing a glass hard disk substrate, in order to cope with the low flying height of the magnetic head, there are strict requirements for reducing the surface roughness and residues.

このような要求に対し、例えば特許文献1には、一次粒子の平均粒径が5〜50nmであるシリカと重量平均分子量が1,000〜5,000であるアクリル酸/スルホン酸共重合体とを含有する、pHが0.5〜5のガラス基板用研磨液組成物が提案されている。   In response to such a request, for example, Patent Document 1 discloses silica having an average primary particle diameter of 5 to 50 nm and an acrylic acid / sulfonic acid copolymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 5,000. A polishing composition for glass substrates having a pH of 0.5 to 5 containing

特許文献2には、平均粒子径が10〜50nmで表面に突起を持つ凹凸状コロイダルシリカ粒子が連結してなり、かつ、動的光散乱法によるメディアン径(D1)が30〜150nmで、透過型電子顕微鏡により測定した平均粒子径(D2)との比(D1/D2)が2〜5であるコロイダルシリカ粒子凝集体が水中に分散しているガラス基板用研磨液を使用することで、高速研磨と基板表面の高平坦性の両立が満足できることが開示されている。   In Patent Document 2, irregular colloidal silica particles having an average particle diameter of 10 to 50 nm and having protrusions on the surface are connected, and the median diameter (D1) by the dynamic light scattering method is 30 to 150 nm. By using a glass substrate polishing liquid in which colloidal silica particle aggregates having a ratio (D1 / D2) to an average particle diameter (D2) measured by a scanning electron microscope of 2 to 5 are dispersed in water. It is disclosed that both the polishing and the high flatness of the substrate surface can be satisfied.

このようなコロイダルシリカの一次粒子からなる二次凝集体(連結体)の製造方法は他にも数多く提案されている。例えば特許文献3には、水ガラス法の活性珪酸水溶液をシリカ源とし、水酸化テトラエチルアンモニウムをアルカリ剤に使用して得られ、かつコロイド粒子の成長工程では、常法の水酸化アルカリ金属は使用せず、水酸化テトラエチルアンモニウムを使用することを特徴とする、シリカ粒子の長径/短径比が1.5〜15で、かつシリカ当たりのアルカリ金属含有量が50ppm以下であって、かつシリカ濃度が10〜60質量%である非球状コロイダルシリカの異形粒子群の製造方法が開示されている。   Many other methods for producing such secondary agglomerates (linked bodies) composed of primary particles of colloidal silica have been proposed. For example, Patent Document 3 discloses a water glass method using an active silicic acid aqueous solution as a silica source, tetraethylammonium hydroxide used as an alkali agent, and a conventional alkali metal hydroxide used in the colloidal particle growth process. The ratio of major axis / minor axis of silica particles is 1.5 to 15, the alkali metal content per silica is 50 ppm or less, and the silica concentration is characterized in that tetraethylammonium hydroxide is used. Discloses a method for producing a deformed particle group of non-spherical colloidal silica having a content of 10 to 60% by mass.

また、基板製造時のコストを削減するために、ガラスハードディスク基板の仕上げ研磨工程において、使用した研磨液を再度研磨機に投入し、継続的に研磨液を循環させて再利用する、循環研磨という手法が知られている(特許文献4参照)。   Also, in order to reduce the cost of manufacturing the substrate, in the final polishing process of the glass hard disk substrate, the used polishing liquid is put into the polishing machine again, and the polishing liquid is continuously circulated and reused. A technique is known (see Patent Document 4).

特開2007−191696号公報JP 2007-191696 A 特開2010−250915号公報JP 2010-250915 A 特開2008−266080号公報JP 2008-266080 A 特開2007−245265号公報JP 2007-245265 A

しかしながら、特許文献1及び2に開示の組成物では、表面粗さの低減は可能であるが、一方で研磨速度の低下が起こり、生産性を著しく低下させてしまう。また、特許文献4の研磨方法を用いても研磨速度や生産性の向上は不充分である。磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、高い生産性を維持したまま、研磨後の基板の表面粗さをさらに低減できるガラス基板の製造方法の開発が求められている。   However, with the compositions disclosed in Patent Documents 1 and 2, the surface roughness can be reduced, but on the other hand, the polishing rate is lowered and the productivity is remarkably lowered. Further, even if the polishing method of Patent Document 4 is used, the improvement in polishing rate and productivity is insufficient. With the increase in capacity of magnetic disk drives, the required characteristics for substrate surface quality are becoming stricter, and the glass substrate manufacturing method can further reduce the surface roughness of the substrate after polishing while maintaining high productivity. Development is required.

また、特許文献2や3に記載のコロイダルシリカ二次凝集体は、従来法に基づき、一次粒子径を短径、かつ二次粒子径を長径としたとき、長径/短径比を会合度とし、研磨速度と表面粗さを両立できるこれらの適切な範囲を規定しているが、実際に特許文献の実施例に記載の範囲に含まれる粒子においても十分な研磨速度及び表面粗さを得られないという問題がある。   Further, the colloidal silica secondary aggregates described in Patent Documents 2 and 3 are based on the conventional method, and when the primary particle diameter is the short diameter and the secondary particle diameter is the long diameter, the long diameter / short diameter ratio is the degree of association. Although these appropriate ranges that can achieve both a polishing rate and a surface roughness are specified, a sufficient polishing rate and surface roughness can be obtained even for particles that are actually included in the ranges described in the examples of the patent literature. There is no problem.

さらに、特許文献4で提案されているような従来の研磨液を用いた方法では、研磨液を循環使用(リサイクル)するガラスハードディスク基板の研磨において、研磨液の循環耐久性が低いため、循環研磨できる回数が少なく、生産性に課題がある。   Furthermore, in the method using the conventional polishing liquid as proposed in Patent Document 4, the polishing durability of the glass hard disk substrate in which the polishing liquid is circulated and used (recycled) is low. There are few things that can be done and there is a problem with productivity.

したがって本発明は、従来とは異なるコロイダルシリカ二次凝集体の規定方法を用いて定義した、低表面粗さと高研磨速度を両立でき、かつ循環研磨において長時間研磨速度を維持しながら研磨することが可能なガラスハードディスク基板用研磨液組成物、該研磨液組成物を用いたガラスハードディスク基板の製造方法、及びガラスハードディスク基板の研磨方法を提供する。   Therefore, the present invention can achieve both a low surface roughness and a high polishing rate defined by using a different method for defining colloidal silica secondary agglomerates, and polishing while maintaining a polishing rate for a long time in cyclic polishing. A polishing composition for a glass hard disk substrate that can be used, a method for producing a glass hard disk substrate using the polishing composition, and a method for polishing a glass hard disk substrate are provided.

本発明は、一態様において、シリカ粒子を含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、シリカ粒子が下記条件1〜3を満たすガラスハードディスク基板用研磨液組成物に関する。
1)透過型電子顕微鏡により測定した平均一次粒子径が10.0nm以上20.0nm以下。
2)透過型電子顕微鏡により測定した二次凝集体の平均会合度が2.50以上5.00以下。
3)下記式(I)で表されるくびれ度(包絡面積欠損率)が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が、研磨液組成物に含有されるシリカ粒子全体の30%以上の個数を占める。
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
[式(I)中、投影面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子の透過像の実面積を示し、包絡面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子を囲むように凸部を結んだ凸閉包の面積を示す。]
In one aspect, the present invention relates to a polishing liquid composition for glass hard disk substrates containing silica particles, wherein the silica particles satisfy the following conditions 1 to 3.
1) The average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm or less.
2) The average degree of association of secondary aggregates measured with a transmission electron microscope is 2.50 or more and 5.00 or less.
3) A secondary aggregate having a squeezing degree (envelope area defect rate) represented by the following formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less of the entire silica particles contained in the polishing composition. It occupies 30% or more.
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)
[In the formula (I), the projected area indicates the actual area of the transmission image of the particles photographed by the transmission electron microscope, and the envelope area is the convex hull formed by connecting the convex portions so as to surround the particles photographed by the transmission electron microscope. Indicates area. ]

本発明は、一態様において、シリカ粒子を含有する被研磨ガラスハードディスク基板の研磨対象面にシリカ粒子を含有する研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含むガラスハードディスク基板の研磨方法であって、シリカ粒子が下記条件1〜3を満たす、ガラスハードディスク基板の研磨方法に関する。
1)透過型電子顕微鏡により測定した平均一次粒子径が10.0nm以上20.0nm以下。
2)透過型電子顕微鏡により測定した二次凝集体の平均会合度が2.50以上5.00以下。
3)上記式(I)で表されるくびれ度(包絡面積欠損率)が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が粒子全体の30%以上の個数を占める。
In one aspect, the present invention provides a polishing liquid composition containing silica particles to a surface to be polished of a glass hard disk substrate to be polished containing silica particles, and a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished. And / or a method for polishing a glass hard disk substrate comprising moving and polishing the substrate to be polished, wherein the silica particles satisfy the following conditions 1 to 3.
1) The average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm or less.
2) The average degree of association of secondary aggregates measured with a transmission electron microscope is 2.50 or more and 5.00 or less.
3) Secondary aggregates having a squeezing degree (envelope area defect rate) represented by the above formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less occupy 30% or more of the whole particles.

本発明によれば、従来よりもさらなる高研磨速度と低表面粗さの両立が可能であり、かつ循環研磨において高い研磨速度を維持することが可能なガラスハードディスク基板用研磨液組成物、これを用いたガラスハードディスク基板の製造方法、及びガラスハードディスク基板の研磨方法を提供できる。   According to the present invention, a polishing liquid composition for a glass hard disk substrate capable of achieving both a higher polishing rate and a lower surface roughness than conventional ones and maintaining a high polishing rate in cyclic polishing, The manufacturing method of the used glass hard disk substrate and the polishing method of the glass hard disk substrate can be provided.

図1は、二次凝集体の投影面積(点線)及び包絡面積(実線)を説明する一例である。FIG. 1 is an example illustrating a projected area (dotted line) and an envelope area (solid line) of a secondary aggregate. 図2は、シリカ粒子A−Jの電子顕微鏡(TEM)観察写真の一例である。該写真内の黒抜きはシリカ粒子の透過像(投影面積)の一例を示す。FIG. 2 is an example of an electron microscope (TEM) observation photograph of silica particles AJ. Black dots in the photograph show an example of a transmission image (projected area) of silica particles.

本発明の研磨液組成物は、研磨材として、シリカ粒子を含有する。前記シリカ粒子は、コロイダルシリカ単量体の二次凝集体を含有する。本明細書では、二次凝集体とは粒子同士が珪酸により架橋した連結状態をいう。   The polishing composition of the present invention contains silica particles as an abrasive. The silica particles contain secondary aggregates of colloidal silica monomers. In this specification, the secondary aggregate means a connected state in which particles are cross-linked by silicic acid.

従来の研磨液組成物に研磨材として使用されるコロイダルシリカニ次凝集体は、一次粒子径(以下、「短径」ともいう。)、二次粒子径(以下、「長径」ともいう。)、及び会合度(=長径/短径)の3つのパラメータで定義されている。しかし、実際には不純物として未反応のコロイダルシリカ単量体を含み、かつ二次凝集体の形状、大きさに分布が生じる。本発明は、一態様において、前記3つのパラメータのみの定義では高研磨速度と低表面粗さを両立するコロイダルシリカ二次凝集体の適切な範囲を完全に規定することはできないとの知見に基づく。また、本発明は、一態様において、平均一次粒子径(短径)及び平均会合度に加え、くびれ度(包絡面積欠損率)というパラメータを使用することにより、従来から産業分野で供給されているシリカ粒子分散体と区別される二次凝集形態を有するシリカ粒子分散体を用いることによって、従来よりもさらなる高研磨速度と低表面粗さの両立が可能であり、かつ循環研磨において高い研磨速度を維持することが可能な、すなわち、循環研磨における耐久性向上が可能な研磨液組成物を規定できるという知見に基づく。なお、前記シリカ粒子の使用形態としては、スラリー状であることが好ましい。   Colloidal silica secondary aggregates used as abrasives in conventional polishing liquid compositions have a primary particle diameter (hereinafter also referred to as “short diameter”) and a secondary particle diameter (hereinafter also referred to as “long diameter”). , And the degree of association (= major axis / minor axis). However, in actuality, unreacted colloidal silica monomer is contained as an impurity, and distribution occurs in the shape and size of the secondary aggregate. In one aspect, the present invention is based on the knowledge that the definition of only the above three parameters cannot completely define an appropriate range of a colloidal silica secondary aggregate that achieves both a high polishing rate and a low surface roughness. . In addition, in one aspect, the present invention has been conventionally supplied in the industrial field by using a parameter called a degree of constriction (envelope area defect rate) in addition to an average primary particle diameter (short diameter) and an average degree of association. By using a silica particle dispersion having a secondary agglomeration form that is distinguished from the silica particle dispersion, it is possible to achieve both higher polishing speed and lower surface roughness than before, and a higher polishing speed in cyclic polishing. This is based on the knowledge that it is possible to define a polishing composition that can be maintained, that is, can improve durability in cyclic polishing. In addition, as a usage form of the said silica particle, it is preferable that it is a slurry form.

すなわち、本発明はガラスハードディスク基板用研磨液組成物(以下、「本発明の研磨液組成物」ともいう。)であって、一態様において、シリカ粒子を含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子が、下記条件1〜3を満たすガラスハードディスク基板用研磨液組成物に関する。
1)透過型電子顕微鏡により測定した平均一次粒子径が10.0nm以上20.0nmである。
2)透過型電子顕微鏡により測定した二次凝集体の平均会合度が2.50以上5.00以下である。
3)下記式(I)で表されるくびれ度(包絡面積欠損率)が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が、研磨液組成物に含有されるシリカ粒子全体の30%以上の個数を占める。
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
本発明の研磨液組成物によれば、研磨後の基板表面の低い表面粗さを実現し、高い研磨速度で研磨でき、かつ循環研磨において研磨速度を維持することができる。
That is, the present invention is a polishing composition for a glass hard disk substrate (hereinafter also referred to as “the polishing composition of the present invention”), and in one aspect, a polishing composition for a glass hard disk substrate containing silica particles. And the said silica particle is related with the polishing liquid composition for glass hard disk substrates which satisfy | fills the following conditions 1-3.
1) The average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm.
2) The average degree of association of secondary aggregates measured with a transmission electron microscope is 2.50 or more and 5.00 or less.
3) A secondary aggregate having a squeezing degree (envelope area defect rate) represented by the following formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less of the entire silica particles contained in the polishing composition. It occupies 30% or more.
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)
According to the polishing liquid composition of the present invention, low surface roughness of the substrate surface after polishing can be realized, polishing can be performed at a high polishing rate, and the polishing rate can be maintained in cyclic polishing.

本発明の研磨液組成物により、高い研磨速度を維持しながら、ガラス基板の表面粗さを低減できる理由は、以下のように推定される。研磨後の基板表面粗さは、ガラス基板表面に接触するシリカ粒子の接点の数に依存するものと考えられる。ガラス基板の研磨時において、ガラス基板と砥粒であるシリカ粒子の接する部分は点に近い極小部分で接していると考えられる。従来知られている球状シリカ粒子の場合、小さな粒径のシリカ粒子を用いる程、ガラス表面へのシリカ粒子の接触点間距離が短くなり研磨される部位が近くなるため研磨ムラが起こりにくい。大きな粒径の球状シリカ粒子を用いる程、ガラス表面へのシリカ粒子の接触点間距離が長くなり研磨される部位が離れ研磨ムラが起こり易くなり、基板表面粗さを充分に低減することができない。一方、研磨パッドによってガラス基板に押し付けられるひとつひとつのシリカ粒子が基板上を長く移動する方が、効率的に研磨が進み研磨速度が向上するものと考えられる。研磨機によるガラス基板の回転等の動きの中でシリカ粒子は基板表面に近づいたり離れたり移動しながら研磨が行われる。シリカ粒子が小さい場合には、シリカ粒子の移動が頻繁であり、ひとつひとつのシリカ粒子の基板上での移動は短く速度が充分に上がらない。シリカ粒子が大きい場合には、シリカ粒子の移動は遅く、ひとつひとつのシリカ粒子の基板上での移動は長く速度が上がるものと考えられる。   The reason why the surface roughness of the glass substrate can be reduced while maintaining a high polishing rate by the polishing composition of the present invention is estimated as follows. The substrate surface roughness after polishing is considered to depend on the number of contact points of silica particles that are in contact with the glass substrate surface. At the time of polishing the glass substrate, it is considered that the portion where the glass substrate and the silica particles, which are abrasive grains, are in contact with each other at a minimal portion close to a point. In the case of the conventionally known spherical silica particles, the smaller the silica particles are used, the shorter the distance between the contact points of the silica particles on the glass surface and the closer the parts to be polished. The larger the spherical silica particles with a larger particle size, the longer the distance between the contact points of the silica particles to the glass surface, the more the portion to be polished is separated, and the more uneven polishing occurs, and the substrate surface roughness cannot be sufficiently reduced. . On the other hand, it is considered that when each silica particle pressed against the glass substrate by the polishing pad moves longer on the substrate, the polishing progresses more efficiently and the polishing rate is improved. During the movement of the glass substrate such as rotation of the glass substrate by the polishing machine, the silica particles are polished while moving toward or away from the substrate surface. When the silica particles are small, the movement of the silica particles is frequent, and the movement of each silica particle on the substrate is short and the speed is not sufficiently increased. When the silica particles are large, the movement of the silica particles is slow, and the movement of each silica particle on the substrate is considered to be long and increase in speed.

本発明の研磨液組成物は、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度、及びくびれ度を満たす、凝集したシリカ粒子が平面的に並ぶ構造部分を有するシリカ二次凝集体を含有する。平均一次粒子径は会合した後の二次粒子の大きさを決め、前述のようにガラス基板表面への滞留時間を決定するが、本発明に規定する一次粒子径と二次凝集体の平均会合度で決まる二次凝集体の大きさが最も研磨効率がよい大きさとなり、また、本発明の平均会合度及びくびれ度の範囲であれば、ガラス平面へ接点となる数個の一次粒子が平面上に並ぶ構造となる。すなわち、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度、及びくびれ度を満たすコロイダルシリカ二次凝集体は、ガラス表面との接点を複数個、非常に近い間隔で作ることができることから、研磨ムラが起こりにくく基板表面粗さを向上させる。また、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度及びくびれ度を満たすコロイダルシリカ二次凝集体は、二次凝集することにより粒径が大きくなるため、基板表面上に長く滞留することが可能となり、研磨速度を向上するものと考えられる。   The polishing composition of the present invention is a silica secondary having a structure portion in which agglomerated silica particles are arranged in a plane satisfying the average primary particle size, the average degree of association, and the degree of constriction disclosed in the above conditions 1 to 3. Contains aggregates. The average primary particle size determines the size of the secondary particles after associating and determines the residence time on the glass substrate surface as described above. The primary particle size and the average aggregation of secondary aggregates defined in the present invention are determined. The size of the secondary aggregate determined by the degree is the size with the best polishing efficiency, and within the range of the average degree of association and the degree of constriction of the present invention, several primary particles serving as contacts to the glass plane are planar. It becomes a structure lined up. That is, the colloidal silica secondary aggregate satisfying the average primary particle size, the average degree of association, and the degree of constriction disclosed in the above conditions 1 to 3 should be formed with a plurality of contacts with the glass surface at very close intervals. Therefore, polishing unevenness hardly occurs and the substrate surface roughness is improved. In addition, since the colloidal silica secondary aggregate satisfying the average primary particle diameter, average association degree and squeezing degree disclosed in the above conditions 1 to 3 has a larger particle size due to secondary aggregation, It is possible to stay for a long time, which is considered to improve the polishing rate.

従来、凝集シリカ粒子や異形シリカ粒子として、例えば、金平糖形状や数珠状等が知られるが、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度及びくびれ度の領域にない。金平糖形状のような場合には、粒径は大きくなり研磨速度は向上するが、ガラス基板との接点はおおむねひとつであり基板表面粗さを向上させることはできない。また、数珠状の異形シリカ粒子のような場合には、ガラス表面との接点は複数個作ることはできるが、異方性があることから、ガラス基板表面での滞留時間は不均一となり研磨速度は充分ではなく、スクラッチの原因となる可能性もある。以上のように、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度及びくびれ度を満たすコロイダルシリカ二次凝集体は、近接した複数個の接点を被研磨ガラス基板との間に持つことができる塊状粒子であることにより、研磨速度を向上させ、基板表面粗さを低減することができるものと推定している。但し、本発明は、これらの推定に限定して解釈されない。   Conventionally, as agglomerated silica particles and irregular-shaped silica particles, for example, a confetti shape or a bead shape is known, but it is not in the range of the average primary particle size, the average degree of association and the degree of constriction disclosed in the above conditions 1 to 3. In the case of a confetti shape, the particle size is increased and the polishing rate is improved, but the contact with the glass substrate is generally one and the substrate surface roughness cannot be improved. In addition, in the case of beaded irregular shaped silica particles, a plurality of contacts with the glass surface can be made, but since there is anisotropy, the residence time on the glass substrate surface becomes non-uniform and the polishing rate Is not sufficient and may cause scratches. As described above, the colloidal silica secondary aggregate satisfying the average primary particle diameter, the average degree of association and the degree of constriction disclosed in the above conditions 1 to 3 is provided with a plurality of adjacent contacts between the glass substrate to be polished. It is presumed that the aggregated particles that can be held in the substrate can improve the polishing rate and reduce the surface roughness of the substrate. However, the present invention is not construed as being limited to these estimations.

[シリカ粒子]
本発明の研磨液組成物は、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度及びくびれ度を満たすコロイダルシリカ二次凝集体を含有する。以下、上記1〜3の条件に開示される平均一次粒子径、平均会合度及びくびれ度を満たすコロイダルシリカ二次凝集体を「本発明にかかる二次凝集体」ともいう。本発明の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、本発明にかかる二次凝集体に加え、該二次凝集体を形成するコロイダルシリカ単量体を、上記条件1〜3を満たす範囲で含有してもよい。本発明の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、本発明にかかる二次凝集体の水分散体である。
[Silica particles]
The polishing liquid composition of the present invention contains a colloidal silica secondary aggregate that satisfies the average primary particle size, the average degree of association and the degree of constriction disclosed in the above conditions 1 to 3. Hereinafter, the colloidal silica secondary aggregate satisfying the average primary particle diameter, the average degree of association, and the degree of constriction disclosed in the above conditions 1 to 3 is also referred to as “secondary aggregate according to the present invention”. In one or a plurality of embodiments, the polishing liquid composition of the present invention satisfies the above conditions 1 to 3 with the colloidal silica monomer that forms the secondary aggregate in addition to the secondary aggregate according to the present invention. You may contain in the range. In one or a plurality of embodiments, the polishing composition of the present invention is an aqueous dispersion of secondary aggregates according to the present invention.

[シリカ粒子の製造方法]
コロイダルシリカ単量体は、珪酸ナトリウム等の珪酸アルカリ金属塩を原料とし、水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法で得られうる。あるいは、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、アルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水中で縮合反応させて成長させるアルコキシシラン法で得られうる。アルコキシシラン法により得られるコロイダルシリカ粒子は、金属不純物の含有量が少ない点に優れるため、主に半導体研磨用の研磨材として用いられているが、シリカ原料コストが高い点が問題として挙げられる。そのため、基板製造時のコストを削減する観点から、ガラスハードディスク基板の研磨においては、水ガラス法で得られうるコロイダルシリカ粒子のほうが、安価で原料コストを抑えられるために好ましい。水ガラス法としては、例えば、珪酸アルカリ水溶液を出発原料とするビルドアップ法が挙げられる。
[Method for producing silica particles]
The colloidal silica monomer can be obtained by a water glass method in which particles are grown by a condensation reaction in an aqueous solution using an alkali metal silicate such as sodium silicate as a raw material. Alternatively, it can be obtained by an alkoxysilane method in which an alkoxysilane such as tetraethoxysilane is used as a raw material and grown by condensation reaction in water containing a water-soluble organic solvent such as alcohol. Colloidal silica particles obtained by the alkoxysilane method are excellent in that the content of metal impurities is low, and are therefore mainly used as abrasives for polishing semiconductors. However, the high cost of silica raw materials is a problem. Therefore, from the viewpoint of reducing the cost at the time of manufacturing the substrate, colloidal silica particles that can be obtained by the water glass method are preferable in polishing a glass hard disk substrate because they are inexpensive and can suppress raw material costs. Examples of the water glass method include a build-up method using an alkali silicate aqueous solution as a starting material.

コロイダルシリカ二次凝集体は、コロイダルシリカ単量体同士を、珪酸を介して連結させ、凝集させて調製されうる。加熱温度は、コロイダルシリカ単量体同士が架橋して連結し易くする点から95℃以上が好ましく、130℃以上がより好ましく、150℃以上がさらに好ましい。また、加熱温度は、昇温時のゲル化を低減する点から250℃以下が好ましく、230℃以下がより好ましい。加熱には還流条件下で行うこともできるが、マイクロ波加熱装置又はオートクレーブ装置を用いてもよい。加熱時間を短縮できることからより後者が好ましい。   The colloidal silica secondary aggregate can be prepared by connecting colloidal silica monomers via silicic acid and aggregating them. The heating temperature is preferably 95 ° C. or higher, more preferably 130 ° C. or higher, and even more preferably 150 ° C. or higher from the viewpoint that the colloidal silica monomers are easily cross-linked and linked. In addition, the heating temperature is preferably 250 ° C. or less, more preferably 230 ° C. or less from the viewpoint of reducing gelation at the time of temperature increase. Although heating can be performed under reflux conditions, a microwave heating apparatus or an autoclave apparatus may be used. The latter is more preferable because the heating time can be shortened.

[平均一次粒子径/平均短径]
本発明の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子の平均一次粒子径は、研磨速度の向上及び循環研磨における耐久性向上の観点から、10.0nm以上が好ましく、より好ましくは12.0nm以上であり、表面粗さ低減の観点から、20.0nm以下が好ましく、より好ましくは18.0nm以下である。したがって、10.0〜20.0nmが好ましく、より好ましくは12.0〜18.0nmである。本明細書において、シリカ粒子の平均一次粒子径は、コロイダルシリカ単量体の一次粒子径及び二次凝集体の短径の平均値をいう。本明細書において、二次凝集体の短径は、電子顕微鏡を用いて測定される値であって、電子顕微鏡で撮影された二次凝集体1個から得られる平均一次粒子径が10.0〜20.0nm又は12.0〜18.0nmの範囲に該当する一次粒子の数を任意で見積もり、一次粒子同士の連結部位と推測される二次凝集体の凹部同士で二次凝集体を切り取った際にできる一次粒子の投影面を内部に含む最小の円である外接円の円相当径をいう。
[Average primary particle diameter / average minor diameter]
The average primary particle size of the silica particles contained in the polishing liquid composition of the present invention is preferably 10.0 nm or more, more preferably 12.0 nm or more, from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the durability in cyclic polishing. From the viewpoint of reducing the surface roughness, it is preferably 20.0 nm or less, more preferably 18.0 nm or less. Therefore, 10.0-20.0 nm is preferable, More preferably, it is 12.0-18.0 nm. In this specification, the average primary particle diameter of the silica particles refers to the average value of the primary particle diameter of the colloidal silica monomer and the short diameter of the secondary aggregate. In this specification, the minor axis of the secondary aggregate is a value measured using an electron microscope, and the average primary particle diameter obtained from one secondary aggregate photographed with an electron microscope is 10.0. The number of primary particles corresponding to the range of ˜20.0 nm or 12.0 to 18.0 nm is arbitrarily estimated, and the secondary aggregates are cut off at the concave portions of the secondary aggregates that are assumed to be the connection sites of the primary particles. This is the equivalent circle diameter of the circumscribed circle, which is the smallest circle that contains the projection surface of the primary particles that can be produced.

[平均長径]
コロイダルシリカ二次凝集体の平均長径は、研磨速度の向上及び循環研磨における耐久性向上の観点から、20.0nm以上が好ましく、より好ましくは30.0nm以上であり、また、表面粗さ低減の観点から、100.0nm以下が好ましく、より好ましくは80.0nm以下である。本明細書において、二次凝集体の長径は、電子顕微鏡を用いて測定される値であって、二次凝集体の投影面を内部に含む最小の円である外接円の円相当径をいう。なお、コロイダルシリカが二次凝集体であるか一次粒子であるかは、電子顕微鏡観察により容易に判断できる。
[Average major axis]
The average major axis of the colloidal silica secondary aggregate is preferably 20.0 nm or more, more preferably 30.0 nm or more from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the durability in the circular polishing, and also reduces the surface roughness. From the viewpoint, it is preferably 100.0 nm or less, more preferably 80.0 nm or less. In this specification, the major axis of the secondary aggregate is a value measured using an electron microscope, and refers to the equivalent circle diameter of a circumscribed circle that is the smallest circle including the projection surface of the secondary aggregate inside. . Whether colloidal silica is a secondary aggregate or a primary particle can be easily determined by observation with an electron microscope.

前記研磨材における一次粒子径又は短径、及び二次粒子径又は長径のすべての粒子径は、透過型電子顕微鏡(TEM)商品名「JEM−2000FX」(80kV、1〜5万倍、日本電子社製)により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEM像を写真撮影し、この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「WinROOF ver.3.6」(販売元:三谷商事)を用いて個々のシリカ粒子の円相当径を求め、それを粒子径とし、1000個以上2000個以下のシリカ粒子の粒子径を求めた後、その平均値を算出して求めることができる。   The primary particle diameter or short diameter, and the secondary particle diameter or long particle diameter in the abrasive are all the transmission electron microscope (TEM) trade name “JEM-2000FX” (80 kV, 1 to 50,000 times, JEOL According to the instructions attached by the manufacturer, the TEM image is photographed, the photograph is taken into a personal computer as image data with a scanner, and analysis software “WinROOF ver. 3.6” (sales source) : The equivalent circle diameter of each silica particle is determined using Mitani Corporation), and the average particle diameter is calculated by calculating the average value after obtaining the particle diameter of 1000 or more and 2000 or less silica particles. Can do.

[平均会合度]
本発明にかかる二次凝集体の平均会合度は、平均長径を平均一次粒子径又は平均短径で除した値を示し、研磨速度の向上及び表面粗さ低減並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、2.50以上が好ましく、2.70以上がより好ましく、2.80以上がさらに好ましく、同様の観点から、5.00以下が好ましく、4.00以下がより好ましく、3.50以下がさらに好ましい。
[Average degree of meeting]
The average degree of association of the secondary agglomerates according to the present invention indicates a value obtained by dividing the average major axis by the average primary particle size or the average minor axis. From the viewpoint of improving the polishing rate, reducing the surface roughness, and improving the durability in cyclic polishing. Therefore, 2.50 or more is preferable, 2.70 or more is more preferable, 2.80 or more is more preferable, and 5.00 or less is preferable, 4.00 or less is more preferable, and 3.50 or less is preferable from the same viewpoint. Further preferred.

[くびれ度]
本明細書において、シリカ粒子のくびれ度とは、下記式(I)で表される包絡面積欠損率(%)をいう。
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
[Necking degree]
In the present specification, the degree of squeezing of silica particles refers to an envelope area defect rate (%) represented by the following formula (I).
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)

式(I)において、投影面積とは、透過電子顕微鏡により撮影した粒子の透過像の実面積をいう。また、包絡面積とは、透過電子顕微鏡により撮影した粒子を囲むように凸部を結んだ凸閉包の面積をいう。くびれ度は、透過型電子顕微鏡を用いて測定でき、具体的には実施例に記載の方法で測定できる。   In formula (I), the projected area refers to the actual area of a transmission image of particles taken with a transmission electron microscope. The envelope area refers to the area of a convex hull in which convex portions are connected so as to surround particles photographed by a transmission electron microscope. The degree of squeezing can be measured using a transmission electron microscope, and specifically can be measured by the method described in Examples.

本発明の研磨液組成物中のシリカ粒子において、くびれ度が5.0%以上10.0%以下であるコロイダルシリカ二次凝集体が、研磨速度の向上及び表面粗さ低減並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、シリカ粒子全体の30%以上の個数割合で存在し、33%以上の個数割合で存在するのが好ましく、また、同様の観点から、好ましくは60%以下の個数割合で存在し、50%以下の個数割合で存在するのがより好ましい。   In the silica particles in the polishing liquid composition of the present invention, colloidal silica secondary aggregates having a squeezing degree of 5.0% or more and 10.0% or less are improved in polishing rate, reduced in surface roughness, and durable in cyclic polishing. From the viewpoint of improving the properties, it is present at a number ratio of 30% or more of the entire silica particles, preferably at a number ratio of 33% or more, and from the same viewpoint, it is preferably present at a number ratio of 60% or less. However, it is more preferable that it is present at a number ratio of 50% or less.

[コロイダルシリカ二次凝集体]
本発明にかかる二次凝集体は、コロイダルシリカ単量体よりも研磨速度への寄与が大きくなる観点から、平均くびれ度が5.00%以上であることが好ましい。本発明にかかる二次凝集体は、表面粗さを低減する観点から、平均くびれ度は10.00%以下であることが好ましい。
[Colloidal silica secondary aggregate]
The secondary aggregate according to the present invention preferably has an average squeezing degree of 5.00% or more from the viewpoint of greater contribution to the polishing rate than the colloidal silica monomer. The secondary aggregate according to the present invention preferably has an average squeezing degree of 10.00% or less from the viewpoint of reducing the surface roughness.

[シリカ粒子の含有量]
研磨液組成物中のシリカ粒子の含有量は、研磨速度の向上及び表面粗さ低減の観点から、好ましくは1質量%以上、より好ましくは2質量%以上、さらに好ましくは4質量%以上、さらにより好ましくは6質量%以上であり、また、同様の観点から、好ましくは20質量%以下、より好ましくは18質量%以下、さらに好ましくは16質量%以下、さらにより好ましくは10質量%以下である。
[Content of silica particles]
The content of the silica particles in the polishing composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, still more preferably 4% by mass or more, from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness. More preferably, it is 6% by mass or more, and from the same viewpoint, it is preferably 20% by mass or less, more preferably 18% by mass or less, still more preferably 16% by mass or less, and even more preferably 10% by mass or less. .

[酸]
本発明の研磨液組成物は酸を含有することが好ましい。本発明において、酸は塩の形態であってもよい。本発明の研磨液組成物に使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸; メタンジスルホン酸、エタンジスルホン酸、フェノールジスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の含硫黄有機酸; 2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1,−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸; マロン酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、フタル酸、ニトロトリ酢酸、ニトロ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、オキサロ酢酸等の多価カルボン酸; 酢酸、プロピオン酸、安息香酸、乳酸、グリコール酸、等の1価カルボン酸; グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸等が挙げられる。これらの化合物は単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。中でも、循環研磨における耐久性向上の観点、並びに、研磨速度向上、表面粗さの低減、及び研磨廃液の汚染低減の観点から、含硫黄有機酸、多価カルボン酸、1価カルボン酸、有機ホスホン酸、及び含リン無機酸が好ましい。これらの中でも循環研磨における耐久性向上の観点から多価カルボン酸、1価カルボン酸、有機ホスホン酸及び含リン無機酸からなる群から選択される酸が好ましく、より好ましくは多価カルボン酸、1価カルボン酸、及び含リン無機酸からなる群から選択される酸であり、さらにより好ましくは多価カルボン酸、及び1価カルボン酸からなる群から選択される酸であり、さらにより好ましくはコハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、含リン無機酸であり、クエン酸、リン酸、グリコール酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸がさらにより好ましく、クエン酸、グリコール酸がさらにより好ましい。
[acid]
The polishing composition of the present invention preferably contains an acid. In the present invention, the acid may be in the form of a salt. Examples of the acid used in the polishing liquid composition of the present invention include nitric acid, sulfuric acid, sulfurous acid, persulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid, and amidosulfuric acid. Acids; sulfur-containing organic acids such as methanedisulfonic acid, ethanedisulfonic acid, phenoldisulfonic acid, naphthalenedisulfonic acid; 2-aminoethylphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), Ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), ethane-1,1, -diphosphonic acid, ethane-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic Acid, ethane-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonic acid, methanehydride Organic phosphonic acids such as xyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonobutane-2,3,4-tricarboxylic acid, α-methylphosphonosuccinic acid; malonic acid, oxalic acid, succinic acid, glutar Acid, adipic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, isocitric acid, phthalic acid, nitrotriacetic acid, nitroacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, oxaloacetic acid and other polyvalent carboxylic acids; acetic acid, propion Monovalent carboxylic acids such as acid, benzoic acid, lactic acid and glycolic acid; and aminocarboxylic acids such as glutamic acid, picolinic acid and aspartic acid. These compounds may be used alone or in combination. Among these, sulfur-containing organic acids, polyvalent carboxylic acids, monovalent carboxylic acids, and organic phosphones from the viewpoint of improving durability in cyclic polishing, as well as improving polishing speed, reducing surface roughness, and reducing contamination of polishing waste liquid. Acids and phosphorus-containing inorganic acids are preferred. Among these, an acid selected from the group consisting of a polyvalent carboxylic acid, a monovalent carboxylic acid, an organic phosphonic acid, and a phosphorus-containing inorganic acid is preferable, more preferably a polyvalent carboxylic acid, 1 An acid selected from the group consisting of monovalent carboxylic acids and phosphorus-containing inorganic acids, even more preferably an acid selected from the group consisting of polyvalent carboxylic acids and monovalent carboxylic acids, and even more preferably Acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, glycolic acid, phosphorus-containing inorganic acid, citric acid, phosphoric acid, glycolic acid, phosphonic acid, phosphinic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid are more preferred, citric acid, glycolic acid Is even more preferred.

これらの酸の塩を用いる場合、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度向上及び粗さ低減の観点から1A族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。   When these acid salts are used, there is no particular limitation, and specific examples include salts with metals, ammonium, alkylammonium and the like. Specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8. Among these, a salt with a metal belonging to Group 1A or ammonium is preferable from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the roughness.

本発明の研磨液組成物中における酸の含有量は、研磨速度向上の観点及び循環研磨における耐久性向上の観点から、0.05質量%以上が好ましく、より好ましくは0.1質量%以上、さらに好ましくは0.15質量%以上である。また、前記酸の含有量は、研磨装置の腐食抑制の観点から、10質量%以下が好ましく、より好ましくは7.5質量%以下、さらに好ましくは5質量%以下である。なお、上述の酸の含有量は、研磨液組成物中の酸が複数種類の場合、それぞれの酸の含有量の合計を示す。   The content of the acid in the polishing composition of the present invention is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, from the viewpoint of improving the polishing rate and from the viewpoint of improving durability in cyclic polishing. More preferably, it is 0.15 mass% or more. Further, the content of the acid is preferably 10% by mass or less, more preferably 7.5% by mass or less, and further preferably 5% by mass or less from the viewpoint of suppressing corrosion of the polishing apparatus. In addition, content of the above-mentioned acid shows the sum total of content of each acid, when there are two or more types of acids in polishing liquid composition.

[水]
研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。本発明の研磨液組成物中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いがさらに容易になるため、55質量%以上が好ましく、より好ましくは70質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上、特に好ましくは85質量%以上である。また、前記水の含有量は、研磨速度向上の観点から、99質量%以下が好ましく、より好ましくは98質量%以下、さらに好ましくは97質量%以下である。
[water]
The water in the polishing composition is used as a medium, and distilled water, ion exchange water, pure water, ultrapure water, or the like can be used. The water content in the polishing liquid composition of the present invention is preferably 55% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and still more preferably 80% by mass or more because the handling of the polishing liquid composition becomes easier. Especially preferably, it is 85 mass% or more. In addition, the water content is preferably 99% by mass or less, more preferably 98% by mass or less, and still more preferably 97% by mass or less, from the viewpoint of improving the polishing rate.

[研磨液組成物のpH]
本発明の研磨液組成物のpHは、前記酸の含有量を調整することにより適宜調整することができる。本発明の研磨液組成物のpHは、研磨機の腐食防止及び作業者の安全性向上の観点から、0.5以上が好ましく、より好ましくは1.0以上、さらに好ましくは1.5以上、さらにより好ましくは2.0以上である。また、研磨速度向上の観点から、4.0以下が好ましく、より好ましくは3.5以下である。
[PH of polishing composition]
The pH of the polishing composition of the present invention can be adjusted as appropriate by adjusting the acid content. The pH of the polishing composition of the present invention is preferably 0.5 or more, more preferably 1.0 or more, still more preferably 1.5 or more, from the viewpoint of preventing corrosion of the polishing machine and improving worker safety. Even more preferably, it is 2.0 or more. Moreover, 4.0 or less is preferable from a viewpoint of a polishing rate improvement, More preferably, it is 3.5 or less.

[アミン化合物]
本発明の研磨液組成物は、さらに、表面粗さの低減、並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、アミン化合物を含んでもよい。アミン化合物としては、表面粗さの低減、並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、アミノアルコール並びにピペラジン及びその誘導体からなる群から選択されるアミン化合物であり、その分子内に窒素原子を2又は3個有するものが好ましい。窒素原子は、1級アミン、2級アミン及び3級アミンのいずれの状態でも構わないが、表面粗さの低減、並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、そのうち少なくとも1個は1級アミンもしくは2級アミンであることが好ましい。本発明においてアミン化合物は、一種類でもよく、二種類以上でもよい。また、本発明において、アミン化合物は、塩の形態であってもよく、例えば、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸、有機酸等との塩が挙げられる。
[Amine compound]
The polishing liquid composition of the present invention may further contain an amine compound from the viewpoint of reducing the surface roughness and improving the durability in cyclic polishing. The amine compound is an amine compound selected from the group consisting of amino alcohol and piperazine and derivatives thereof from the viewpoint of reducing surface roughness and improving durability in cyclic polishing, and contains 2 or 2 nitrogen atoms in the molecule. Those having three are preferred. The nitrogen atom may be in any state of primary amine, secondary amine and tertiary amine, but at least one of them is primary amine or from the viewpoint of reducing surface roughness and improving durability in cyclic polishing. A secondary amine is preferred. In the present invention, the amine compound may be one kind or two or more kinds. In the present invention, the amine compound may be in the form of a salt, and examples thereof include salts with inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid and phosphoric acid, and organic acids.

アミン化合物はガラスハードディスク基板に吸着し、保護膜効果が発現するために表面粗さを低減できると考えられる。しかし、アミンの分子量は、研磨速度の低下が生じない程度の保護膜層を形成する程度が好ましい。つまり表面粗さの低減と研磨速度の向上を両立するためには、最適なアミンの個数を含有する化合物を添加する必要がある。さらに、アミン化合物が存在することで、研磨時にガラスハードディスク基板からアルカリ金属イオン(特にナトリウムイオン)が溶出することによるpHの変化を抑制することができ、循環研磨における研磨速度の維持、すなわち、研磨液組成物の循環研磨における耐久性を向上することができる。ただし、これらの推測は本発明を限定するものではない。   It is considered that the amine compound is adsorbed on the glass hard disk substrate and the surface roughness can be reduced because the protective film effect is exhibited. However, the molecular weight of the amine is preferably such that a protective film layer that does not cause a decrease in the polishing rate is formed. That is, in order to achieve both reduction in surface roughness and improvement in polishing rate, it is necessary to add a compound containing an optimal number of amines. Furthermore, the presence of the amine compound can suppress changes in pH due to the elution of alkali metal ions (especially sodium ions) from the glass hard disk substrate during polishing, maintaining the polishing rate in cyclic polishing, that is, polishing. The durability of the liquid composition in cyclic polishing can be improved. However, these assumptions do not limit the present invention.

本発明で使用されるアミン化合物としては、例えば、2‐[(2‐アミノエチル)アミノ]エタノール、2,2′‐(エチレンビスイミノ)ビスエタノール、N‐(2‐ヒドロキシエチル)‐N′‐(2‐アミノエチル)エチレンジアミン、2,2′‐(2‐アミノエチルイミノ)ジエタノール、N1,N4‐ビス(ヒドロキシエチル)ジエチレントリアミン、N1,N7‐ビス(ヒドロキシエチル)ジエチレントリアミン、1,3‐ジアミノ‐2‐プロパノール等のアミノアルコール;ピペラジン、1‐メチルピペラジン、3‐(1‐ピペラジニル)‐1‐プロパンアミン、1‐(2‐アミノエチル)ピペラジン、4‐メチルピペラジン‐1‐アミン、1‐ピペラジンメタンアミン、4‐エチル‐1‐ピペラジンアミン、1‐メチル‐4‐(2‐アミノエチル)ピペラジン、1‐(2‐ヒドロキシエチル)ピペラジン等のピペラジン誘導体が挙げられるが、研磨速度及び表面粗さの低減の両立の観点並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、1‐(2‐ヒドロキシエチル)ピペラジン、1‐(2‐アミノエチル)ピペラジン、2‐[(2‐アミノエチル)アミノ]エタノール、ピペラジンであり、より好ましくは、1‐(2‐アミノエチル)ピペラジン、2‐[(2‐アミノエチル)アミノ]エタノール、さらに好ましくは、1‐(2‐アミノエチル)ピペラジン、2‐[(2‐アミノエチル)アミノ]エタノールである。   Examples of the amine compound used in the present invention include 2-[(2-aminoethyl) amino] ethanol, 2,2 '-(ethylenebisimino) bisethanol, N- (2-hydroxyethyl) -N'. -(2-aminoethyl) ethylenediamine, 2,2 '-(2-aminoethylimino) diethanol, N1, N4-bis (hydroxyethyl) diethylenetriamine, N1, N7-bis (hydroxyethyl) diethylenetriamine, 1,3-diamino Amino alcohols such as -2-propanol; piperazine, 1-methylpiperazine, 3- (1-piperazinyl) -1-propanamine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 4-methylpiperazine-1-amine, 1- Piperazine methanamine, 4-ethyl-1-piperazineamine, 1-methyl-4- 2-aminoethyl) piperazine, piperazine derivatives such as 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, and the like. From the viewpoint of coexistence of reduction of polishing speed and surface roughness, and improvement of durability in cyclic polishing, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 2-[(2-aminoethyl) amino] ethanol, piperazine, more preferably 1- (2-aminoethyl) piperazine, 2 -[(2-aminoethyl) amino] ethanol, more preferably 1- (2-aminoethyl) piperazine, 2-[(2-aminoethyl) amino] ethanol.

また、前記アミン化合物は、アミンの揮発等による異臭発生防止及び作業者の安全性向上の観点から、25℃における蒸気圧が0.2mmHg以下であることが好ましく、より好ましくは0.1mmHg以下である。このようなアミン化合物としては、例えば、2‐[(2‐アミノエチル)アミノ]エタノール、1‐(2‐ヒドロキシエチル)ピペラジン、1‐(2‐アミノエチル)ピペラジンが好ましい。ここで、25℃における蒸気圧とは一定の温度において液相又は固相と平衡にある蒸気相の圧力のことを指し、具体的には、Handbook of Chemical Compound Data for Process Safty(著:Carl L.Yaws、出版:Gulf Publishing Company)、もしくは CRC Handbook of Chemistry and Physics 88th Edition (著:Lide, D.R,(ed))に記載されている。   In addition, the amine compound preferably has a vapor pressure at 25 ° C. of 0.2 mmHg or less, more preferably 0.1 mmHg or less, from the viewpoint of preventing off-flavor generation due to amine volatilization and the like and improving worker safety. is there. As such an amine compound, for example, 2-[(2-aminoethyl) amino] ethanol, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, and 1- (2-aminoethyl) piperazine are preferable. Here, the vapor pressure at 25 ° C. refers to the pressure of the vapor phase in equilibrium with the liquid phase or the solid phase at a constant temperature, and specifically, the Handbook of Chemical Compound Data Process Safety (Author: Carl L Yaws, published by Gulf Publishing Company), or CRC Handbook of Chemistry and Physics 88th Edition (Author: Lide, DR, (ed)).

研磨液組成物中における、アミン化合物の含有量は、清浄性向上の観点及び循環研磨における耐久性向上の観点から、0.001質量%以上が好ましく、0.01質量%以上がより好ましく、0.05質量%以上がさらに好ましい。また研磨速度向上の観点から、5質量%以下が好ましく、4質量%以下がより好ましく、3質量%以下がさらに好ましく、0.5質量%以下がさらにより好ましく、0.2質量%以下がさらにより好ましい。なお、上述のアミン化合物の含有量は、研磨液組成物中のアミン化合物が複数種類の場合、それぞれのアミン化合物の含有量を示す。   The content of the amine compound in the polishing composition is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, from the viewpoint of improving the cleanliness and improving the durability in circulating polishing. More preferable is 0.05% by mass or more. From the viewpoint of improving the polishing rate, it is preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, further preferably 3% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less, and further more preferably 0.2% by mass or less. More preferred. In addition, content of the above-mentioned amine compound shows content of each amine compound, when the amine compound in polishing liquid composition has multiple types.

[その他の成分]
本発明の研磨液組成物は、さらに、殺菌剤、抗菌剤、増粘剤、分散剤、防錆剤等を含んでもよい。これらの成分の研磨液組成物中の含有量は、研磨特性の観点から、5質量%以下が好ましく、より好ましくは3質量%以下、さらに好ましくは1質量%以下である。
[Other ingredients]
The polishing composition of the present invention may further contain a bactericidal agent, an antibacterial agent, a thickener, a dispersant, a rust inhibitor, and the like. The content of these components in the polishing liquid composition is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and still more preferably 1% by mass or less from the viewpoint of polishing characteristics.

[研磨液組成物の調製方法]
本発明の研磨液組成物は、各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。研磨液組成物は、経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。前記研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度(シリカ粒子の含有量等)や研磨条件等に応じて適宜決定できる。
[Method for preparing polishing liquid composition]
The polishing liquid composition of this invention can be prepared by mixing each component by a well-known method. The polishing composition is usually produced as a concentrated solution from the viewpoint of economy, and it is often diluted at the time of use. The polishing composition may be used as it is, or diluted if it is a concentrated solution. When diluting the concentrate, the dilution factor is not particularly limited, and can be appropriately determined according to the concentration of each component (silica particle content and the like) in the concentrate and the polishing conditions.

研磨液組成物のpHは、前記成分の混合後、所定のpHに調整してもよいし、混合前にそれぞれ調整していてもよい。前記pHの調整は、pH調整剤により行うことができる。   The pH of the polishing composition may be adjusted to a predetermined pH after mixing the components, or may be adjusted before mixing. The pH can be adjusted with a pH adjusting agent.

[ガラスハードディスク基板の製造方法]
本発明のガラスハードディスク基板の製造方法(以下、「本発明の製造方法」ともいう。)は、本発明の研磨液組成物を用いてガラスハードディスク基板を研磨する工程を含む。
[Glass hard disk substrate manufacturing method]
The manufacturing method of the glass hard disk substrate of the present invention (hereinafter also referred to as “the manufacturing method of the present invention”) includes a step of polishing the glass hard disk substrate using the polishing composition of the present invention.

本発明の研磨液組成物の研磨対象であるガラスハードディスク基板(以下、被研磨基板ともいう。)としては、アルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、化学強化工程でナトリウムがカリウムに置換されたアルミノ珪酸ガラス等が挙げられるが、研磨速度向上の観点から、アルミノ珪酸ガラス基板、化学強化工程でナトリウムがカリウムに置換されたアルミノ珪酸ガラスが好ましく、アルミノ珪酸ガラス基板がより好ましい。アルミノ珪酸ガラス基板は、その構成元素としてO(酸素)以外ではSi(ケイ素)を最も多く含み、次いでAlを多く含む。通常、Siの含有量は20質量%以上40質量%以下であり、Alの含有量は3質量%以上25質量%以下で、他にもNaなどを含むことがあるが、ハードディスク用として用いられる場合には、研磨速度の向上及び基板の透明性維持の観点から、Alの含有量は、5質量%以上がより好ましく、7質量%以上がさらに好ましく、20質量%以下がより好ましく、15質量%以下。なお、アルミノ珪酸ガラス基板中に含まれるAlの含有量の測定条件の詳細は実施例に示すとおりである。   As a glass hard disk substrate (hereinafter also referred to as a substrate to be polished) which is a polishing target of the polishing liquid composition of the present invention, aluminosilicate glass, borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, and sodium are replaced with potassium in the chemical strengthening step. In view of improving the polishing rate, an aluminosilicate glass substrate and an aluminosilicate glass in which sodium is substituted with potassium in the chemical strengthening step are preferable, and an aluminosilicate glass substrate is more preferable. The aluminosilicate glass substrate contains the most Si (silicon) as a constituent element other than O (oxygen), and then contains a large amount of Al. Usually, the Si content is 20% by mass or more and 40% by mass or less, the Al content is 3% by mass or more and 25% by mass or less, and may contain other Na or the like, but it is used for hard disks. In this case, from the viewpoint of improving the polishing rate and maintaining the transparency of the substrate, the content of Al is more preferably 5% by mass or more, further preferably 7% by mass or more, more preferably 20% by mass or less, and 15% by mass. %Less than. In addition, the detail of the measurement conditions of content of Al contained in an aluminosilicate glass substrate is as showing in an Example.

ガラスハードディスク基板は、例えば、溶融ガラスの型枠プレス又はシートガラスから切り出す方法によってガラス基材を得る工程から、形状加工工程、端面研磨工程、粗研削工程、精研削工程、粗研磨工程、仕上げ研磨工程、化学強化工程を経て製造される。化学強化工程は仕上げ研磨工程の前に施しても良い。また各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。そして、ガラスハードディスク基板は、製造方法において、記録部形成工程を経ることで磁気ハードディスクとなる。前記記録部形成工程は、例えば、付着層、軟磁性層、下地層、中間層、磁性層、保護層、及び潤滑層を成膜する工程を含む。本発明の製造方法は、これらの工程を含みうる。   The glass hard disk substrate is, for example, from a process of obtaining a glass substrate by a mold press of molten glass or a method of cutting out from a sheet glass, a shape processing process, an end surface polishing process, a rough grinding process, a fine grinding process, a rough polishing process, and a finish polishing. It is manufactured through a process and a chemical strengthening process. The chemical strengthening step may be performed before the finish polishing step. In addition, a cleaning process may be included between the processes. And a glass hard disk substrate turns into a magnetic hard disk through a recording part formation process in a manufacturing method. The recording part forming step includes, for example, forming an adhesion layer, a soft magnetic layer, an underlayer, an intermediate layer, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer. The production method of the present invention may include these steps.

一実施形態において、例えば、前記粗研削工程では#400程度のアルミナ砥粒が、前記形状加工工程では円筒状の砥石が、前記端面研磨工程ではブラシが、前記精研削工程では#1000程度のアルミナ砥粒が、それぞれ、用いられる。但し、本発明はこれらに限定されない。   In one embodiment, for example, about # 400 alumina abrasive grains in the rough grinding step, cylindrical grindstones in the shape processing step, brushes in the end surface polishing step, and # 1000 alumina in the fine grinding step. Abrasive grains are each used. However, the present invention is not limited to these.

粗研磨工程では砥粒として酸化セリウム粒子が、仕上げ研磨工程では砥粒としてシリカ粒子が好適に用いられる。本発明の研磨液組成物は、仕上げ研磨工程及び/又は最終(仕上げ)研磨工程で使用されることが好ましい。   In the rough polishing process, cerium oxide particles are suitably used as abrasive grains, and in the final polishing process, silica particles are suitably used as abrasive grains. The polishing composition of the present invention is preferably used in a final polishing step and / or a final (finish) polishing step.

各工程後には、ガラスハードディスク基板表面の残留物を除去するために、アルカリ性洗浄剤、中性洗浄剤、酸性洗浄剤もしくは超純水を含む洗浄槽で超音波洗浄を行う。その後、超純水、IPA(イソプロピルアルコール)等で洗浄し、超純水やIPAから基板を引き上げながら乾燥する、もしくはスピンドライなどにより乾燥する工程が含まれることがある。洗浄工程中にスクラブ処理が入っても良い。   After each step, ultrasonic cleaning is performed in a cleaning tank containing an alkaline cleaning agent, a neutral cleaning agent, an acidic cleaning agent, or ultrapure water in order to remove residues on the surface of the glass hard disk substrate. Thereafter, it may include a step of washing with ultrapure water, IPA (isopropyl alcohol), etc., and drying while pulling up the substrate from ultrapure water or IPA, or drying by spin drying or the like. A scrub treatment may be included during the cleaning process.

ガラスハードディスク基板には、磁気ヘッドの読み書きエラーが発生しない平滑面が要求される。即ち、基板表面の平坦性(粗さ、うねり等)が良好で、欠陥(残留物等の凸欠陥、スクラッチやピット等の凹欠陥)が少ないことが求められ、基板の製造工程の中で研磨工程が基板表面の平坦性の向上と欠陥除去の役割を担う。故に、研磨工程において、仕上げ研磨工程が特に重要である。   The glass hard disk substrate is required to have a smooth surface that does not cause a read / write error of the magnetic head. That is, it is required that the substrate surface has good flatness (roughness, waviness, etc.) and that there are few defects (convex defects such as residues, concave defects such as scratches and pits) and is polished during the substrate manufacturing process. The process plays a role of improving the flatness of the substrate surface and removing defects. Therefore, the finish polishing step is particularly important in the polishing step.

研磨工程は、被研磨基板の研磨対象面に本発明の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力(荷重)をかけながら、研磨パッドや被研磨基板を動かすこと等によって行うことができる。研磨工程における具体的な研磨方法には、後述するガラスハードディスク基板の研磨方法を参照できる。なお、前記研磨は、従来公知の研磨装置により行うことができる。研磨工程における被研磨基板としては、例えば、前記精研削工程を経た直後のガラスハードディスク基板などが挙げられる。本発明の製造方法は、とりわけ、本発明の研磨液組成物を用いてガラスハードディスク基板を循環研磨する工程を含むことが好ましい。   In the polishing step, the polishing liquid composition of the present invention is supplied to the surface to be polished of the substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and a predetermined pressure (load) is applied to the polishing pad or the substrate to be polished. This can be done by moving. For a specific polishing method in the polishing step, a glass hard disk substrate polishing method described later can be referred to. In addition, the said grinding | polishing can be performed with a conventionally well-known grinding | polishing apparatus. Examples of the substrate to be polished in the polishing step include a glass hard disk substrate immediately after the fine grinding step. In particular, the production method of the present invention preferably includes a step of circulating and polishing a glass hard disk substrate using the polishing composition of the present invention.

[循環研磨]
本明細書において循環研磨とは、ガラスハードディスク基板の研磨工程において、使用した研磨液を再度研磨機に投入し、研磨液を研磨機内で循環させて再利用する手法である。研磨後の廃液を一度全量回収してから研磨機に再投入しても良いし、廃液を回収タンクに戻しながら連続的に研磨機に再投入しても良い。
[Circulating polishing]
In the present specification, the cyclic polishing is a method in which, in the polishing process of the glass hard disk substrate, the used polishing liquid is again put into the polishing machine, and the polishing liquid is circulated in the polishing machine and reused. The entire amount of the waste liquid after polishing may be recovered once and then re-entered into the polishing machine, or may be continuously re-introduced into the polishing machine while returning the waste liquid to the recovery tank.

研磨液組成物を研磨機内で循環させて再利用する際、その再利用回数は特に制限されないが、本発明の研磨液組成物は、ガラスハードディスク基板を好ましくは5〜30回、より好ましくは20〜30回研磨する場合の使用に適している。1回の研磨とは1バッチの研磨のことを指す。研磨材としてコロイダルシリカ単量体のみを用いると、循環研磨の1バッチ毎に研磨速度の低下は著しい。この原因は定かではないが、活性な表面を持つコロイダルシリカは消耗されていくことが考えられる。しかしながら、コロイダルシリカ二次凝集体が含有する研磨材を用いた際には、その形状が起因して1バッチに消耗される活性なコロイダルシリカの量を抑制することができるため、循環研磨の1バッチ毎に研磨速度が低下するのを抑制することができるものと本発明者は推定している。また、その際、前述の酸とアミン化合物を併用すると、pH緩衝能が増大して、さらに研磨速度の低下を抑制し、より長時間の循環研磨が可能となる。但し、本発明は、これらの推定に限定して解釈されない。   When the polishing composition is circulated and reused in the polishing machine, the number of times of reuse is not particularly limited, but the polishing composition of the present invention preferably uses a glass hard disk substrate 5 to 30 times, more preferably 20 times. Suitable for use when polishing up to 30 times. One polishing means one batch of polishing. When only a colloidal silica monomer is used as an abrasive, the polishing rate is remarkably reduced for each batch of circulating polishing. The cause of this is not clear, but it is considered that colloidal silica having an active surface is consumed. However, when an abrasive containing colloidal silica secondary aggregates is used, the amount of active colloidal silica consumed in one batch due to the shape of the abrasive can be suppressed. The present inventor estimates that the polishing rate can be prevented from decreasing for each batch. Further, at that time, when the acid and the amine compound are used in combination, the pH buffering ability is increased, the decrease in the polishing rate is further suppressed, and cyclic polishing for a longer time becomes possible. However, the present invention is not construed as being limited to these estimations.

[ガラスハードディスク基板の研磨方法]
本発明の研磨液組成物を用いてガラスハードディスク基板を研磨する方法(以下、「本発明の研磨方法」ともいう。)で用いる研磨装置としては、特に制限はなく、被研磨基板を保持する冶具(キャリア:アラミド製等)と研磨布(研磨パッド)とを備える研磨装置を用いることができる。中でも、両面研磨装置が好適に用いられる。
[Grinding method of glass hard disk substrate]
The polishing apparatus used in the method for polishing a glass hard disk substrate using the polishing liquid composition of the present invention (hereinafter also referred to as “the polishing method of the present invention”) is not particularly limited, and a jig for holding the substrate to be polished. A polishing apparatus including a carrier (made of aramid or the like) and a polishing cloth (polishing pad) can be used. Among these, a double-side polishing apparatus is preferably used.

研磨パッドの材質としては、有機高分子等が挙げられ、前記有機高分子としては、ポリウレタン等が挙げられる。前記研磨パッドの形状は、不織布状が好ましい。例えば、粗研磨工程ではスウェード調のウレタン製硬質パッド、仕上げ研磨工程ではスウェード調のウレタン製軟質パッドが好適に用いられる。   Examples of the material for the polishing pad include organic polymers, and examples of the organic polymer include polyurethane. The shape of the polishing pad is preferably a nonwoven fabric. For example, a suede-like urethane hard pad is suitably used in the rough polishing process, and a suede-like urethane soft pad is suitably used in the final polishing process.

該研磨装置を用いる研磨方法の具体例としては、被研磨基板をキャリアで保持し研磨パッドを貼り付けた1対の研磨定盤で挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板との間に供給し、所定の圧力の下で研磨定盤及び/又は被研磨基板を動かすことにより、本発明の研磨液組成物を被研磨基板に接触させながら被研磨基板を研磨する研磨方法が挙げられる。   As a specific example of the polishing method using the polishing apparatus, the substrate to be polished is held by a carrier and sandwiched between a pair of polishing surface plates attached with a polishing pad, and the polishing liquid composition of the present invention is applied to the polishing pad and the substrate to be polished. And polishing the polishing substrate by bringing the polishing composition of the present invention into contact with the substrate to be polished by moving the polishing platen and / or the substrate to be polished under a predetermined pressure. Is mentioned.

本発明の研磨方法は、前記研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板の間に存在させ、所定の研磨荷重で研磨する工程を含むことが好ましい。本発明において、「研磨荷重」とは、研磨時に被研磨基板を挟み込む定盤から被研磨基板の研磨対象面に加えられる圧力を意味する。研磨荷重の調整は、通常の研磨装置であれば容易に調整可能であるが、例えば、定盤や被研磨基板等への空気圧や錘の負荷によって行うことができる。研磨荷重は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは3kPa以上、4kPa以上がより好ましく、5kPa以上がさらに好ましく、6kPa以上がさらにより好ましい。研磨中に研磨機に振動が発生しないように安定に研磨できるという観点から、好ましくは40kPa以下、30kPa以下がより好ましく、20kPa以下がさらに好ましく、15kPa以下がさらにより好ましく、10kPa以下がさらにより好ましい。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や錘の負荷によって行うことができる。   The polishing method of the present invention preferably includes a step of polishing with a predetermined polishing load by causing the polishing composition to exist between the polishing pad and the substrate to be polished. In the present invention, the “polishing load” means a pressure applied to a surface to be polished of a substrate to be polished from a surface plate that sandwiches the substrate to be polished at the time of polishing. The polishing load can be easily adjusted with a normal polishing apparatus. For example, the polishing load can be adjusted by air pressure or weight load on a surface plate or a substrate to be polished. From the viewpoint of improving the polishing rate, the polishing load is preferably 3 kPa or more, more preferably 4 kPa or more, further preferably 5 kPa or more, and further preferably 6 kPa or more. From the viewpoint that the polishing machine can be stably polished so as not to generate vibration during polishing, it is preferably 40 kPa or less, more preferably 30 kPa or less, further preferably 20 kPa or less, even more preferably 15 kPa or less, and even more preferably 10 kPa or less. . The polishing load can be adjusted by the air pressure on the surface plate or the substrate or the load of the weight.

本発明の研磨方法は、仕上げ研磨工程に用いられるのがより好ましい。また、本発明の研磨方法は、とりわけ、本発明の研磨液組成物を用いてガラスハードディスク基板を循環研磨する工程を含むことが好ましい。   The polishing method of the present invention is more preferably used in the final polishing step. The polishing method of the present invention preferably includes a step of circulating and polishing a glass hard disk substrate using the polishing composition of the present invention.

研磨液組成物の供給方法は、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で研磨パッドとガラスハードディスク基板の間にポンプ等で供給する方法、研磨の直前の供給ライン内等で構成成分を混合して供給する方法、シリカ粒子のスラリーとアミン化合物を含有する水溶液とを別々に研磨装置に供給する方法等を用いることができる。   The method of supplying the polishing liquid composition is a method of supplying the polishing liquid composition between the polishing pad and the glass hard disk substrate with a pump or the like in a state where the constituents of the polishing liquid composition are sufficiently mixed in advance, in a supply line immediately before polishing, etc. For example, a method in which constituent components are mixed and supplied, a method in which a slurry of silica particles and an aqueous solution containing an amine compound are separately supplied to a polishing apparatus can be used.

研磨液組成物の供給速度は、コスト低減の観点から、被研磨基板1cm2あたり1.0mL/分以下が好ましく、より好ましくは0.6mL/分以下、さらに好ましくは0.4mL/分以下である。また、前記供給速度は、研磨速度をさらに向上できることから、ガラスハードディスク基板1cm2あたり0.01mL/分以上が好ましく、より好ましくは0.025mL/分以上、さらに好ましくは0.05mL/分以上、さらにより好ましくは0.1mL/分以上である。また循環研磨をする場合であれば研磨液組成物を再利用できるので供給流量は上記記載の流量よりも多くなってもよい。 The supply rate of the polishing composition is preferably 1.0 mL / min or less per 1 cm 2 of the substrate to be polished, more preferably 0.6 mL / min or less, and even more preferably 0.4 mL / min or less from the viewpoint of cost reduction. is there. Moreover, since the said supply rate can further improve a grinding | polishing rate, 0.01 mL / min or more per 1 cm < 2 > of glass hard disk substrates is preferable, More preferably, it is 0.025 mL / min or more, More preferably, it is 0.05 mL / min or more, Even more preferably, it is 0.1 mL / min or more. In addition, since the polishing composition can be reused in the case of cyclic polishing, the supply flow rate may be higher than the flow rate described above.

本発明はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。   The present invention further relates to one or more of the following embodiments.

<1> シリカ粒子を含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子が下記条件1〜3を満たす、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
1)透過型電子顕微鏡により測定した平均一次粒子径が10.0nm以上20.0nm以下。
2)透過型電子顕微鏡により測定した二次凝集体の平均会合度が2.50以上5.00以下。
3)下記式(I)で表されるくびれ度(包絡面積欠損率)が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が、研磨液組成物に含有されるシリカ粒子全体の30%以上の個数を占める。
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
[式(I)中、投影面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子の透過像の実面積を示し、包絡面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子を囲むように凸部を結んだ凸閉包の面積を示す。]
<1> A polishing liquid composition for glass hard disk substrate containing silica particles, wherein the silica particles satisfy the following conditions 1 to 3.
1) The average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm or less.
2) The average degree of association of secondary aggregates measured with a transmission electron microscope is 2.50 or more and 5.00 or less.
3) A secondary aggregate having a squeezing degree (envelope area defect rate) represented by the following formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less of the entire silica particles contained in the polishing composition. It occupies 30% or more.
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)
[In the formula (I), the projected area indicates the actual area of the transmission image of the particles photographed by the transmission electron microscope, and the envelope area is the convex hull formed by connecting the convex portions so as to surround the particles photographed by the transmission electron microscope. Indicates area. ]

<2> 前記シリカ粒子が、珪酸アルカリ水溶液を出発原料とするビルドアップ法により製造されたシリカ粒子である、<1>記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<3> 前記平均一次粒子径が、12.0nm以上であり、及び/又は、20.0nm以下、好ましくは18.0nm以下であり、及び/又は、好ましくは12.0〜18.0nmである、<1>又は<2>記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<4> 前記シリカ粒子中のコロイダルシリカ二次凝集体の平均長径が、20.0nm以上、好ましくは30.0nm以上であり、及び/又は、100.0nm以下、好ましくは80.0nm以下である、<1>から<3>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<5> 前記シリカ粒子中のコロイダルシリカ二次凝集体の平均会合度が、2.70以上、好ましくは2.80以上であり、及び/又は、4.00以下、好ましくは3.50以下である、<1>から<4>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<6> 前記式(I)で表されるくびれ度が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が、前記研磨液組成物に含有されるシリカ粒子全体に対する個数割がいが、33%以上、及び/又は、60%以下、好ましくは50%以下である、<1>から<5>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<7>前記シリカ粒子中のコロイダルシリカ二次凝集体の平均くびれ度が5.00%以上、及び/又は、10.00%以下である、<1>から<6>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<8> 前記研磨液組成物中のシリカ粒子の含有量が、1質量%以上、好ましくは2質量%以上、より好ましくは4質量%以上、さらに好ましくは6質量%以上であり、及び/又は、20質量%以下、好ましくは18質量%以下、より好ましくは16質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である、<1>から<7>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<9> さらに、多価カルボン酸及びその塩、又は有機ホスホン酸及びその塩からなる群から選択される1種以上である酸を含有する、<1>から<8>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<10> 酸を含有し、前記酸の含有量が、0.05質量%以上、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.15質量%以上であり、及び/又は、10質量%以下、好ましくは7.5質量%以下、より好ましくは5質量%以下である、<1>から<9>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<11> pHが、0.5以上、好ましくは1.0以上、より好ましくは1.5以上、さらに好ましくは2.0以上であり、及び/又は、4.0以下好ましくは3.5以下である、<1>から<10>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<12> さらにアミン化合物を含有し、前記アミン化合物の含有量が、0.001質量%以上、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上であり、及び/又は、5質量%以下、好ましくは4質量%以下、より好ましくは3質量%以下、さらに好ましくは0.5質量%以下、さらにより好ましくは0.2質量%以下である、<1>から<11>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<13> 研磨対象である被研磨ガラスハードディスク基板が、アルミノ珪酸ガラス基板である、<1>から<12>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<14> 前記被研磨ガラスハードディスク基板のAlの含有量が、3質量%以上、好ましくは5質量%以上、より好ましくは7質量%以上であり、及び/又は、25質量%以下、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、及び/又は、3質量%以上25質量%以下である、<13>記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<15> 前記被研磨ガラスハードディスク基板のSiの含有量が、20質量%以上40質量%以下である、<13>又は<14>記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
<16> 被研磨ガラスハードディスク基板の研磨対象面にシリカ粒子を含有する研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の研磨方法であって、前記研磨液組成物が<1>から<15>のいずれかに記載の研磨液組成物である、ガラスハードディスク基板の製造方法。
<17> 前記研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程を含む、<16>記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<18> 前記研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程における研磨荷重が3kPa以上20kPa以下である、<17>記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<19> 前記研磨荷重が、3kPa以上、好ましくは4kPa以上、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは6kPa以上であり、及び/又は、40kPa以下、好ましくは30kPa以下、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらにより好ましくは10kPa以下である、<18>記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<20> 前記研磨液組成物の供給速度が、被研磨基板1cm2あたり1.0mL/分以下、好ましくは0.6mL/分以下、より好ましくは0.4mL/分以下であり、及び/又は、被研磨基板1cm2あたり0.01mL/分以上、好ましくは0.025mL/分以上、より好ましくは0.05mL/分以上、さらに好ましくは0.1mL/分以上である、<16>から<19>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<21> 被研磨ガラスハードディスク基板の研磨対象面にシリカ粒子を含有する研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含むガラスハードディスク基板の研磨方法であって、前記研磨液組成物が<1>から<15>のいずれかに記載の研磨液組成物である、ガラスハードディスク基板の研磨方法。
<22> 前記研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程を含む、<21>記載のガラスハードディスク基板の研磨方法。
<23> 前記研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程における研磨荷重が、3kPa以上、好ましくは4kPa以上、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは6kPa以上であり、及び/又は、40kPa以下、好ましくは30kPa以下、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらにより好ましくは10kPa以下である、<22>記載のガラスハードディスク基板の研磨方法。
<24> 前記研磨液組成物の供給速度が、被研磨基板1cm2あたり1.0mL/分以下、好ましくは0.6mL/分以下、より好ましくは0.4mL/分以下であり、及び/又は、被研磨基板1cm2あたり0.01mL/分以上、好ましくは0.025mL/分以上、より好ましくは0.05mL/分以上、さらに好ましくは0.1mL/分以上である、<21>から<23>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の研磨方法。
<2> The polishing liquid composition for a glass hard disk substrate according to <1>, wherein the silica particles are silica particles produced by a build-up method using an alkali silicate aqueous solution as a starting material.
<3> The average primary particle size is 12.0 nm or more and / or 20.0 nm or less, preferably 18.0 nm or less, and / or preferably 12.0 to 18.0 nm. <1> or <2> The polishing liquid composition for glass hard disk substrates as described.
<4> The average major axis of the colloidal silica secondary aggregate in the silica particles is 20.0 nm or more, preferably 30.0 nm or more, and / or 100.0 nm or less, preferably 80.0 nm or less. <1> to <3>, The polishing liquid composition for glass hard disk substrates in any one of.
<5> The average degree of association of the colloidal silica secondary aggregate in the silica particles is 2.70 or more, preferably 2.80 or more, and / or 4.00 or less, preferably 3.50 or less. The polishing composition for a glass hard disk substrate according to any one of <1> to <4>.
<6> The secondary aggregate having a squeezing degree represented by the formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less is divided by the number of silica particles contained in the polishing composition. 33% or more and / or 60% or less, preferably 50% or less, the polishing composition for glass hard disk substrates according to any one of <1> to <5>.
<7> The average necking degree of the colloidal silica secondary aggregate in the silica particles is 5.00% or more and / or 10.00% or less, according to any one of <1> to <6>. Polishing liquid composition for glass hard disk substrate.
<8> The content of silica particles in the polishing liquid composition is 1% by mass or more, preferably 2% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, further preferably 6% by mass or more, and / or. 20% by mass or less, preferably 18% by mass or less, more preferably 16% by mass or less, and further preferably 10% by mass or less, and the polishing liquid for glass hard disk substrates according to any one of <1> to <7> Composition.
<9> Furthermore, it contains at least one acid selected from the group consisting of polyvalent carboxylic acids and salts thereof, or organic phosphonic acids and salts thereof, according to any one of <1> to <8>. Polishing liquid composition for glass hard disk substrate.
<10> An acid is contained, and the acid content is 0.05% by mass or more, preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.15% by mass or more, and / or 10% by mass. The polishing composition for glass hard disk substrates according to any one of <1> to <9>, preferably 7.5% by mass or less, more preferably 5% by mass or less.
<11> The pH is 0.5 or more, preferably 1.0 or more, more preferably 1.5 or more, further preferably 2.0 or more, and / or 4.0 or less, preferably 3.5 or less. The polishing liquid composition for a glass hard disk substrate according to any one of <1> to <10>.
<12> Further containing an amine compound, the content of the amine compound is 0.001% by mass or more, preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and / or <1> to <11> 5% by mass or less, preferably 4% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, further preferably 0.5% by mass or less, and still more preferably 0.2% by mass or less. The polishing liquid composition for glass hard disk substrates in any one of these.
<13> The polishing liquid composition for a glass hard disk substrate according to any one of <1> to <12>, wherein the glass hard disk substrate to be polished is an aluminosilicate glass substrate.
<14> The glass hard disk substrate to be polished has an Al content of 3% by mass or more, preferably 5% by mass or more, more preferably 7% by mass or more, and / or 25% by mass or less, preferably 20%. <13> The polishing composition for a glass hard disk substrate according to <13>, wherein the polishing composition is not more than mass%, more preferably not more than 15 mass%, and / or not less than 3 mass% and not more than 25 mass%.
<15> The polishing liquid composition for a glass hard disk substrate according to <13> or <14>, wherein the glass hard disk substrate to be polished has a Si content of 20% by mass to 40% by mass.
<16> A polishing liquid composition containing silica particles is supplied to the surface to be polished of the glass hard disk substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved. A method for polishing a glass hard disk substrate, comprising a polishing step, wherein the polishing liquid composition is the polishing liquid composition according to any one of <1> to <15>.
<17> The method for producing a glass hard disk substrate according to <16>, comprising a step of polishing the glass hard disk substrate to be polished using the polishing composition in a circulating manner.
<18> The method for producing a glass hard disk substrate according to <17>, wherein a polishing load in the step of polishing the glass hard disk substrate to be polished using the polishing liquid composition is 3 kPa or more and 20 kPa or less.
<19> The polishing load is 3 kPa or more, preferably 4 kPa or more, more preferably 5 kPa or more, further preferably 6 kPa or more, and / or 40 kPa or less, preferably 30 kPa or less, more preferably 20 kPa or less, and further preferably. Is 15 kPa or less, More preferably, it is 10 kPa or less, The manufacturing method of the glass hard disk substrate as described in <18>.
<20> The polishing liquid composition is supplied at a rate of 1.0 mL / min or less per 1 cm 2 of the substrate to be polished, preferably 0.6 mL / min or less, more preferably 0.4 mL / min or less, and / or From <16> to <0.1 mL / min, preferably 0.025 mL / min or more, more preferably 0.05 mL / min or more, and even more preferably 0.1 mL / min or more per 1 cm 2 of the substrate to be polished. The manufacturing method of the glass hard disk substrate in any one of 19>.
<21> A polishing liquid composition containing silica particles is supplied to the surface to be polished of the glass hard disk substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved. A method for polishing a glass hard disk substrate, comprising polishing, wherein the polishing liquid composition is the polishing liquid composition according to any one of <1> to <15>.
<22> The method for polishing a glass hard disk substrate according to <21>, which comprises a step of polishing the glass hard disk substrate to be polished using the polishing composition in a circulating manner.
<23> The polishing load in the step of polishing the glass hard disk substrate to be polished using the polishing liquid composition is 3 kPa or more, preferably 4 kPa or more, more preferably 5 kPa or more, more preferably 6 kPa or more, and The method for polishing a glass hard disk substrate according to <22>, which is / or 40 kPa or less, preferably 30 kPa or less, more preferably 20 kPa or less, still more preferably 15 kPa or less, and even more preferably 10 kPa or less.
<24> The polishing liquid composition is supplied at a rate of 1.0 mL / min or less per 1 cm 2 of the substrate to be polished, preferably 0.6 mL / min or less, more preferably 0.4 mL / min or less, and / or From <21> to <0.1 mL / min per 1 cm 2 of the substrate to be polished, preferably 0.025 mL / min or more, more preferably 0.05 mL / min or more, and even more preferably 0.1 mL / min or more. 23> The method for polishing a glass hard disk substrate according to any one of the above.

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。   Hereinafter, the present disclosure will be described in more detail by way of examples. However, these examples are illustrative, and the present disclosure is not limited to these examples.

[実施例1〜2及び比較例1〜10]
1.被研磨ガラスハードディスク基板の調製
セリア砥粒を含有する研磨液組成物であらかじめ粗研磨したアルミノ珪酸ガラス基板(外径65mm、内径20mm、厚さ0.635mm)を被研磨ガラスハードディスク基板として用意した。基板中に含まれるSiの含有量は27.1質量%、Alの含有量は8.6質量%であり、ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)法を用い以下の測定条件で測定した。
[Examples 1-2 and Comparative Examples 1-10]
1. Preparation of glass hard disk substrate to be polished An aluminosilicate glass substrate (outer diameter 65 mm, inner diameter 20 mm, thickness 0.635 mm) coarsely polished in advance with a polishing composition containing ceria abrasive grains was prepared as a polished glass hard disk substrate. The content of Si contained in the substrate was 27.1% by mass, the content of Al was 8.6% by mass, and measurement was carried out using the ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) method under the following measurement conditions.

〔ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)測定条件〕
・試料作製
アルミノ珪酸ガラス基板を1cm×1cmに切断し、カーボン製両面テープ上に乗せ固定した。表面のゴミ等を除くためにArスパッタを加速電圧2kVで6分間かけ、構成元素の測定を実施した。
・測定
機器:アルバックファイ製 PHI Quantera SXM
X線源:単色化AlKα線、1486.6eV、25W、15kV
ビーム径:100μm
X線入射角:45°
測定範囲:500×500(μm2
Pass energy:280.0(survey)、140.0eV(narrow)
Step size:1.00(survey)、0.250eV(narrow)
測定元素:C,N,O,Na,Mg,Al,Si,S,K,Ti,Zr,Nb
帯電補正:Neutralizer及びAr+照射
[ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) measurement conditions]
-Sample preparation The aluminosilicate glass substrate was cut into 1 cm x 1 cm and placed on a carbon double-sided tape and fixed. In order to remove dust on the surface, Ar sputtering was performed at an acceleration voltage of 2 kV for 6 minutes, and the constituent elements were measured.
・ Measurement equipment: PHI Quantera SXM manufactured by ULVAC-PHI
X-ray source: Monochromatic AlKα ray, 1486.6 eV, 25 W, 15 kV
Beam diameter: 100 μm
X-ray incident angle: 45 °
Measurement range: 500 × 500 (μm 2 )
Pass energy: 280.0 (survey), 140.0 eV (narrow)
Step size: 1.00 (survey), 0.250 eV (narrow)
Measurement elements: C, N, O, Na, Mg, Al, Si, S, K, Ti, Zr, Nb
Charging correction: Neutralizer and Ar + irradiation

2.研磨液組成物の調製
イオン交換水に酸(クエン酸0.1〜3質量%)を添加した後、下記のコロイダルシリカ粒子(A−L)を研磨液総重量の8質量%になるよう添加し、pHを3.0に調整して実施例1〜2及び比較例1〜10の研磨液組成物を得た。なお、クエン酸の添加量は、配合後のpHが3.0になるように適宜調整した。実施例1〜2及び比較例1〜10の研磨液組成物におけるコロイダルシリカ粒子は表1に示すとおりである。なお、シリカ粒子A及びB、C、H〜Lは、珪酸アルカリ水溶液を出発原料とするビルドアップ法により製造されたコロイダルシリカであり、とくにシリカ粒子A、B、及びI〜Lは、シリカ濃度が4〜9質量%、SiO2/Na2O(モル比)が1.0〜6.5の範囲にある珪酸アルカリ水溶液と、珪酸アルカリ水溶液を陽イオン交換樹脂塔に通して調製したシリカ濃度が0.1〜10質量%、SiO2/Na2O(モル比)が100〜10000の範囲にある活性珪酸液とを用いて、2段階のビルドアップ工程と熟成工程を経て得られた。この際、2段階のビルドアップ工程それぞれにおける反応温度及び活性珪酸液の添加量、添加時間、熟成工程における熟成温度、熟成時間を適宜選択することにより目的とする形状のシリカ粒子を得ているが、二次凝集体を含むシリカ粒子の製造方法はこれらに限定されない。また、シリカ粒子D〜Gは、アルコキシシランを出発原料とするアルコキシシラン法により製造されたコロイダルシリカである。
2. Preparation of polishing liquid composition After adding acid (citric acid 0.1 to 3% by mass) to ion-exchanged water, the following colloidal silica particles (AL) are added so that the total weight of the polishing liquid is 8% by mass. And pH was adjusted to 3.0 and the polishing liquid composition of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-10 was obtained. The amount of citric acid added was appropriately adjusted so that the pH after blending was 3.0. The colloidal silica particles in the polishing liquid compositions of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-10 are as shown in Table 1. Silica particles A and B, C, and H to L are colloidal silica produced by a build-up method using an alkali silicate aqueous solution as a starting material. In particular, silica particles A, B, and I to L have a silica concentration. Concentration of silica prepared by passing an alkali silicate aqueous solution in which 4 to 9 mass% of SiO 2 / Na 2 O (molar ratio) is in the range of 1.0 to 6.5 and an aqueous silicate aqueous solution through a cation exchange resin tower Was obtained through a two-stage build-up process and an aging process using an active silicic acid solution in which 0.1 to 10% by mass and SiO 2 / Na 2 O (molar ratio) were in the range of 100 to 10,000. At this time, although the reaction temperature in each of the two stages of the build-up process, the addition amount of the active silicic acid solution, the addition time, the aging temperature in the aging process, and the aging time are appropriately selected, silica particles having a desired shape are obtained. The method for producing silica particles containing secondary aggregates is not limited to these. Silica particles D to G are colloidal silica produced by an alkoxysilane method using alkoxysilane as a starting material.

3.測定方法
コロイダルシリカ粒子の短径、長径、会合度、及びくびれ度の測定は、以下のように行った。
3. Measuring method The short diameter, the long diameter, the degree of association, and the degree of constriction of colloidal silica particles were measured as follows.

〔シリカ粒子の短径、長径及び会合度の測定方法〕
コロイダルシリカを含む試料を、透過型電子顕微鏡「JEM−2000FX」(80kV、1〜5万倍、日本電子社製)により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEM(Transmission Electron Microscope)像を写真撮影した。この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「WinROOF ver.3.6」(販売元:三谷商事)を用いて、個々のコロイダルシリカ粒子の単量体及び二次凝集体の円相当径を計測し、一次粒子径又は短径、及び長径を求めた。このようにして、1000個のシリカ粒子の粒子径を求めた後、これらの平均値を算出し、この平均値を実施例に記載の短径、及び長径とした。また、下記式から会合度を算出した。
平均会合度=平均短径(平均一次粒子径)/平均長径(平均二次粒子径)
[Measuring method of minor diameter, major diameter and degree of association of silica particles]
A sample containing colloidal silica was observed with a transmission electron microscope “JEM-2000FX” (80 kV, 1 to 50,000 times, manufactured by JEOL Ltd.) according to the instructions attached by the manufacturer, and TEM (Transmission Electron Microscope) was observed. ) Photographed the statue. This photograph is taken into a personal computer as image data by a scanner, and using the analysis software “WinROOF ver. 3.6” (distributor: Mitani Corp.), it is equivalent to the circle of each colloidal silica particle monomer and secondary aggregate. The diameter was measured, and the primary particle diameter or the short diameter and the long diameter were determined. Thus, after calculating | requiring the particle diameter of 1000 silica particles, the average value of these was computed, and this average value was made into the short axis and long axis as described in an Example. The degree of association was calculated from the following formula.
Average degree of association = average minor axis (average primary particle diameter) / average major axis (average secondary particle diameter)

〔シリカ二次凝集体のくびれ度の測定方法〕
前記同様に、撮影したTEM写真の画像データを解析ソフト「WinROOF ver.3.6」(販売元:三谷商事)を用いて、二次凝集体の投影面積と包絡面積を計測し、下記式(I)を用いてくびれ度を算出した。ここで、投影面積とは透過電子顕微鏡に
より撮影した粒子の透過像の実面積を示し、包絡面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子を囲むように凸部を結んだ凸閉包の面積を示す(図1参照)。図1において、実線で囲まれた面積が包絡面積と示し、点線で囲まれた面積が投影面積を示す。シリカ粒子A−Jの電子顕微鏡(TEM)観察写真の一例及びシリカ粒子の透過像(投影面積:黒抜き部分)の一例を図2に示す。このようにして、1000個のコロイダルシリカ二次凝集体のくびれ度を求めた後、これらの平均値D50を算出した。
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
[Method of measuring the degree of squeezing of the silica secondary aggregate]
In the same manner as described above, the projection data and the envelope area of the secondary aggregates were measured using the analysis software “WinROOF ver. 3.6” (seller: Mitani Corp.) for the image data of the taken TEM photograph, and the following formula ( The necking degree was calculated using I). Here, the projected area indicates the actual area of the transmission image of the particle photographed by the transmission electron microscope, and the envelope area indicates the area of the convex hull that connects the convex portions so as to surround the particle photographed by the transmission electron microscope ( (See FIG. 1). In FIG. 1, an area surrounded by a solid line indicates an envelope area, and an area surrounded by a dotted line indicates a projected area. An example of an electron microscope (TEM) observation photograph of silica particles A-J and an example of a transmission image (projected area: black portion) of silica particles are shown in FIG. Thus, after calculating | requiring the constriction degree of 1000 colloidal silica secondary aggregates, these average value D50 was computed.
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)

4.研磨方法
実施例1〜2、比較例1〜10の研磨液組成物を用いた研磨は、下記の標準研磨試験の条件で行った。
〔研磨条件〕
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」
研磨パッド:スウェードタイプ(厚さ0.9mm、平均開孔径30μm)
研磨液組成物供給量:100mL/分(被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.3mL/分)
下定盤回転数:32.5rpm
研磨荷重:8.4kPa
キャリア:アラミド製、厚さ0.45mm
研磨時間:20分
被研磨基板:アルミノ珪酸ガラス基板(外径65mm、内径20mm、厚さ0.635mm)
投入基板枚数:10枚
リンス条件:荷重=2.0kPa、時間=2分、イオン交換水供給量=約2L/分
4). Polishing Method Polishing using the polishing composition of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-10 was performed under the conditions of the following standard polishing test.
[Polishing conditions]
Polishing tester: "Fast double-sided 9B polishing machine" manufactured by Speedfam
Polishing pad: Suede type (thickness 0.9mm, average hole diameter 30μm)
Polishing liquid composition supply amount: 100 mL / min (supply rate per 1 cm 2 of polishing substrate: about 0.3 mL / min)
Lower platen rotation speed: 32.5 rpm
Polishing load: 8.4 kPa
Carrier: Aramid, thickness 0.45mm
Polishing time: 20 minutes Polished substrate: aluminosilicate glass substrate (outer diameter 65 mm, inner diameter 20 mm, thickness 0.635 mm)
Number of input substrates: 10 rinse conditions: load = 2.0 kPa, time = 2 minutes, ion-exchanged water supply amount = about 2 L / min

なお、実施例2並びに比較例1及び2の研磨液組成物を用いて下記の循環研磨試験を行い、研磨液組成物の循環耐久性を評価した[実施例3及び比較例11、12]。
〔循環研磨条件〕
研磨液量/1バッチを2Lに固定しタンクに貯めて、一定流量で研磨機に投入後、研磨機から排出される研磨廃液を再度回収しタンクに戻しながら連続的に20分研磨を行った。尚、研磨液組成物を初めて投入する初期バッチを循環研磨1回目と呼び、この工程を6回続けて行い、循環研磨1回目と3回目、6回目の基板を水洗浄し評価を実施した。
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」
研磨パッド:スウェードタイプ(厚さ0.9mm、平均開孔径30μm)
研磨液組成物供給量:100mL/分(被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.3mL/分)
下定盤回転数:32.5rpm
研磨荷重:8.4kPa
キャリア:アラミド製、厚さ0.45mm
研磨時間:20分/バッチ
被研磨基板:アルミノ珪酸ガラス基板(外径65mm、内径20mm、厚さ0.635mm)
投入基板枚数:10枚
リンス条件:荷重=2.0kPa、時間=2分、イオン交換水供給量=約2L/分
循環研磨回数:6回
研磨液量:2L
The following cyclic polishing test was performed using the polishing composition of Example 2 and Comparative Examples 1 and 2, and the circulating durability of the polishing composition was evaluated [Example 3 and Comparative Examples 11 and 12].
[Circulating polishing conditions]
Polishing liquid amount / batch was fixed at 2L, stored in a tank, put into the polishing machine at a constant flow rate, and then the polishing waste liquid discharged from the polishing machine was recovered again and polished continuously for 20 minutes while returning to the tank. . The initial batch in which the polishing composition was first introduced was called the first cyclic polishing, and this process was repeated 6 times. The first, third and sixth cyclic polishing substrates were washed with water and evaluated.
Polishing tester: "Fast double-sided 9B polishing machine" manufactured by Speedfam
Polishing pad: Suede type (thickness 0.9mm, average hole diameter 30μm)
Polishing liquid composition supply amount: 100 mL / min (supply rate per 1 cm 2 of polishing substrate: about 0.3 mL / min)
Lower platen rotation speed: 32.5 rpm
Polishing load: 8.4 kPa
Carrier: Aramid, thickness 0.45mm
Polishing time: 20 minutes / batch Polished substrate: aluminosilicate glass substrate (outer diameter 65 mm, inner diameter 20 mm, thickness 0.635 mm)
Number of input substrates: 10 rinse conditions: load = 2.0 kPa, time = 2 minutes, ion-exchanged water supply amount = about 2 L / min Circulating polishing number: 6 times polishing liquid amount: 2 L

5.評価方法
研磨速度、表面粗さ、循環耐久性の評価は、以下のように行った。
5. Evaluation Method The polishing rate, surface roughness, and circulation durability were evaluated as follows.

〔研磨速度の測定方法〕
研磨前後の基板の重量差(g)を該基板の密度(2.46g/cm3)、基板の表面積
(30.04cm2)、及び研磨時間(分)で除した単位時間当たりの研磨量を計算
し、研磨速度(μm/分)を算出した。その結果を、下記表1に、比較例1を100とした相対値として示す。
[Measurement method of polishing rate]
The polishing amount per unit time obtained by dividing the weight difference (g) of the substrate before and after polishing by the density of the substrate (2.46 g / cm 3 ), the surface area of the substrate (30.04 cm 2 ), and the polishing time (minutes). The polishing rate (μm / min) was calculated. The results are shown in Table 1 below as relative values with Comparative Example 1 taken as 100.

〔基板の表面粗さの測定方法〕
被研磨ガラス基板を研磨・洗浄・乾燥した後、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、下記に示す方法で基板表面の表面粗さを測定した。
測定機器:Veeco社製、DI Nano―Scope III
Mode:non−contact
Scan rate:1.0Hz
Scan area:1×1μm
Samples:512×512
Amplitude setpoint、integral gain、proportional gain:測定毎に最適化
評価:前述の研磨後基板10枚のうち、無作為に4枚を選択し、各々の基板の両面をAFMを用いて測定し、平均値を算出した。その結果を、下記表2において、比較例1を100とした相対値として示す。
[Measurement method of substrate surface roughness]
After polishing, cleaning and drying the glass substrate to be polished, the surface roughness of the substrate surface was measured by an atomic force microscope (AFM) by the method described below.
Measuring instrument: manufactured by Veeco, DI Nano-Scope III
Mode: non-contact
Scan rate: 1.0 Hz
Scan area: 1 × 1μm
Samples: 512 × 512
Amplitude setpoint, integral gain, proportional gain: optimization evaluation for each measurement: out of the 10 polished substrates described above, 4 were selected at random, and both sides of each substrate were measured using AFM and averaged Was calculated. The results are shown in Table 2 below as relative values with Comparative Example 1 taken as 100.

〔循環耐久性の評価:研磨速度の測定方法〕
前述の循環研磨試験により得られた1,3,6バッチの各基板における研磨速度を算出した。結果を下記表3に、比較例11の1バッチ目の研磨速度を100とした相対値として示す。なお、研磨速度の測定方法は、前述の測定方法と同様であり、相対研磨速度100は、0.63mg/分であった。
[Evaluation of circulation durability: Measuring method of polishing rate]
The polishing rate for each substrate of 1,3,6 batches obtained by the above-described cyclic polishing test was calculated. The results are shown in Table 3 below as relative values with the polishing rate of the first batch of Comparative Example 11 as 100. The method for measuring the polishing rate was the same as that described above, and the relative polishing rate 100 was 0.63 mg / min.

上記表2に示すとおり、実施例1〜2の研磨液組成物は、比較例1〜10に比べて優れた研磨速度及び表面粗さを示した。また、上記表3に示すとおり、実施例3の研磨液組成物は、比較例11、12に比べて研磨速度の低下が抑制され、優れた循環耐久性を示した。   As shown in the said Table 2, the polishing liquid composition of Examples 1-2 showed the grinding | polishing rate and surface roughness which were excellent compared with Comparative Examples 1-10. Moreover, as shown in the said Table 3, the polishing liquid composition of Example 3 suppressed the fall of the grinding | polishing rate compared with the comparative examples 11 and 12, and showed the outstanding circulation durability.

本発明の研磨液組成物によれば、ガラスハードディスク基板の研磨工程において、従来より更なる高研磨速度と低表面粗さの両立を実現でき、かつ循環研磨において長時間高い研磨速度を維持できるため、例えば、高記録密度化に適したガラスハードディスク基板などの基板品質が向上したガラス基板を効率よく製造することができる。したがって、本発明の研磨液組成物は、ガラスハードディスク基板の製造において有用である。   According to the polishing liquid composition of the present invention, in the polishing process of the glass hard disk substrate, it is possible to realize both higher polishing rate and lower surface roughness than in the past, and to maintain a high polishing rate for a long time in cyclic polishing. For example, a glass substrate with improved substrate quality such as a glass hard disk substrate suitable for increasing the recording density can be efficiently produced. Therefore, the polishing composition of the present invention is useful in the production of a glass hard disk substrate.

Claims (8)

シリカ粒子を含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子が下記条件1〜3を満たす、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
1)透過型電子顕微鏡により測定した平均一次粒子径が10.0nm以上20.0nm以下。
2)透過型電子顕微鏡により測定した二次凝集体の平均会合度が2.50以上5.00以下。
3)下記式(I)で表されるくびれ度(包絡面積欠損率)が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が、研磨液組成物に含有されるシリカ粒子全体の30%以上の個数を占める。
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
[式(I)中、投影面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子の透過像の実面積を示し、包絡面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子を囲むように凸部を結んだ凸閉包の面積を示す。]
A polishing composition for a glass hard disk substrate containing silica particles, wherein the silica particles satisfy the following conditions 1 to 3.
1) The average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm or less.
2) The average degree of association of secondary aggregates measured with a transmission electron microscope is 2.50 or more and 5.00 or less.
3) A secondary aggregate having a squeezing degree (envelope area defect rate) represented by the following formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less of the entire silica particles contained in the polishing composition. It occupies 30% or more.
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)
[In the formula (I), the projected area indicates the actual area of the transmission image of the particles photographed by the transmission electron microscope, and the envelope area is the convex hull formed by connecting the convex portions so as to surround the particles photographed by the transmission electron microscope. Indicates area. ]
前記シリカ粒子が、珪酸アルカリ水溶液を出発原料とするビルドアップ法により製造されたシリカ粒子である、請求項1に記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 The polishing composition for a glass hard disk substrate according to claim 1, wherein the silica particles are silica particles produced by a build-up method using an alkali silicate aqueous solution as a starting material. 研磨対象である被研磨ガラスハードディスク基板が、アルミノ珪酸ガラス基板である、請求項1又は2に記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 The polishing liquid composition for glass hard disk substrates according to claim 1, wherein the glass hard disk substrate to be polished is an aluminosilicate glass substrate. 前記研磨液組成物が、多価カルボン酸及びその塩、又は有機ホスホン酸及びその塩からなる群から選択される1種以上である酸を含有する、請求項1から3いずれかに記載のガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 The glass in any one of Claim 1 to 3 in which the said polishing liquid composition contains the acid which is 1 or more types selected from the group which consists of polyhydric carboxylic acid and its salt, or organic phosphonic acid and its salt. Polishing liquid composition for hard disk substrates. 請求項1から4のいずれかに記載の研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。 A method for producing a glass hard disk substrate, comprising a step of polishing and recycling a glass hard disk substrate to be polished using the polishing composition according to claim 1 in a circulating manner. 前記研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程における研磨荷重が3kPa以上20kPa以下である、請求項5記載のガラスハードディスク基板の製造方法。 The method for producing a glass hard disk substrate according to claim 5, wherein a polishing load in the step of polishing the glass hard disk substrate to be polished using the polishing liquid composition is 3 kPa or more and 20 kPa or less. 被研磨ガラスハードディスク基板の研磨対象面にシリカ粒子を含有する研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含むガラスハードディスク基板の研磨方法であって、前記研磨液組成物が下記条件1〜3を満たす、ガラスハードディスク基板の研磨方法。
1)透過型電子顕微鏡により測定した平均一次粒子径が10.0nm以上20.0nm以下。
2)透過型電子顕微鏡により測定した二次凝集体の平均会合度が2.50以上5.00以下。
3)下記式(I)で表されるくびれ度(包絡面積欠損率)が5.0%以上10.0%以下である二次凝集体が粒子全体の30%以上の個数を占める、
くびれ度=(包絡面積−投影面積)/包絡面積×100 (I)
[式(I)中、投影面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子の透過像の実面積を示し、包絡面積とは透過電子顕微鏡により撮影した粒子を囲むように凸部を結んだ凸閉包の面積を示す。]
A polishing liquid composition containing silica particles is supplied to the surface to be polished of the glass hard disk substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved for polishing. A method for polishing a glass hard disk substrate, comprising: a glass hard disk substrate, wherein the polishing composition satisfies the following conditions 1 to 3.
1) The average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope is 10.0 nm or more and 20.0 nm or less.
2) The average degree of association of secondary aggregates measured with a transmission electron microscope is 2.50 or more and 5.00 or less.
3) Secondary aggregates having a squeezing degree (envelope area defect rate) represented by the following formula (I) of 5.0% or more and 10.0% or less occupy 30% or more of the whole particles.
Necking degree = (envelope area−projected area) / envelope area × 100 (I)
[In the formula (I), the projected area indicates the actual area of the transmission image of the particles photographed by the transmission electron microscope, and the envelope area is the convex hull formed by connecting the convex portions so as to surround the particles photographed by the transmission electron microscope. Indicates area. ]
前記研磨液組成物を循環使用して被研磨ガラスハードディスク基板を研磨する工程を含む、請求項7記載のガラスハードディスク基板の研磨方法。 The method for polishing a glass hard disk substrate according to claim 7, comprising a step of polishing the glass hard disk substrate to be polished using the polishing composition in a circulating manner.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017117917A (en) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and silicon substrate polishing method
CN106996751A (en) * 2016-01-26 2017-08-01 中国科学院沈阳自动化研究所 A kind of grain-transporting vehicle cereal loading condition detection method and device of view-based access control model image
JP7490628B2 (en) 2020-11-16 2024-05-27 日揮触媒化成株式会社 Particle-linked ceria-based composite microparticle dispersion, its manufacturing method, and abrasive dispersion for polishing containing particle-linked ceria-based composite microparticle dispersion

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017117917A (en) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and silicon substrate polishing method
WO2017110315A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and method for polishing silicon substrate
CN106996751A (en) * 2016-01-26 2017-08-01 中国科学院沈阳自动化研究所 A kind of grain-transporting vehicle cereal loading condition detection method and device of view-based access control model image
CN106996751B (en) * 2016-01-26 2019-02-15 中国科学院沈阳自动化研究所 A kind of grain-transporting vehicle cereal loading condition detection method and device of view-based access control model image
JP7490628B2 (en) 2020-11-16 2024-05-27 日揮触媒化成株式会社 Particle-linked ceria-based composite microparticle dispersion, its manufacturing method, and abrasive dispersion for polishing containing particle-linked ceria-based composite microparticle dispersion

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