JP2014092727A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画像表示装置製造用位相シフトマスクの製造方法は、位相シフト材料膜及び遮光材料膜がこの順で積層されてなる透明基板上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをエッチングマスクとして、同一エッチング液により遮光材料膜及び位相シフト材料膜をエッチングして、遮光部、透光部及び位相シフト部を形成する工程と、遮光材料膜及び位相シフト材料膜がエッチングされた後に、レジストパターンを剥離する工程とを含み、遮光材料のエッチング液に対するエッチングレートは、位相シフト材料のそれよりも、位相シフト機能を発揮し得る位相シフト部を形成可能な程度に大きい。
【選択図】図2
Description
上述のような構成を有する位相シフトマスク1を製造する方法を説明する。
図2は、第1の実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を部分切断端面により示すフロー図であり、図3は、図2に示す製造方法のうちのエッチング工程を詳細に示す部分拡大切断端面図である。
まず、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、合成石英板等の可撓性を有しない透明なリジット材からなる透明基板2上に、位相シフト材料膜31を形成する(図2(a)参照)。
次に、位相シフト材料膜31上に遮光材料膜41を形成する(図2(b)参照)。遮光材料膜41を構成する遮光材料としては、後述するエッチング工程において用いられるエッチング液によって位相シフト材料とともにエッチングされ得るものであって、当該位相シフト材料との間において上記エッチングレートの関係を満足し得るものであればよい。当該遮光材料としては、例えば、クロム、アルミニウム、チタン、ケイ素、ニッケル、若しくはニッケル合金、又はこれらの酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは炭化物を含む材料等が挙げられるが、位相シフト材料としてクロムの酸化窒化物を用いる場合、遮光材料としてクロムを用いるのが好ましい。この場合において、位相シフト材料としてのクロムの酸化窒化物の組成比を変更することで、遮光材料と位相シフト材料とのエッチングレートの比を調整することができる。
続いて、遮光材料膜41上にフォトレジスト膜71を形成し(図2(c)参照)、当該フォトレジスト膜71を所定のフォトマスクを介して露光・現像して、レジストパターン72を形成する(図2(d)参照)。
次に、上述のようにして形成したレジストパターン72をエッチングマスクとして、所定のエッチング液を用いて遮光材料膜41及び位相シフト材料膜31をエッチングし、遮光部4及び透光部3を形成する(図2(e))。このとき、位相シフト材料よりも遮光材料の方が、上述した程度に当該エッチング液によるエッチングレートの大きいものであるとともに、等方性ウェットエッチングにより遮光材料膜41及び位相シフト材料膜31がエッチングされるため、遮光材料膜41の方が、位相シフト材料膜31よりも大幅にサイドエッチングされることになる。その結果、位相シフト材料膜31がエッチングされて形成される透光部3上に、当該透光部3を完全に被覆することのない遮光部4を設けることができるとともに、当該遮光部4の周囲に所定寸法の位相シフト部5を配置することができる。
最後に、レジストパターン72を剥離する(図2(f))。これにより、図1に示す構成を有する位相シフトマスク1を製造することができる。
図4は、第2の実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を部分切断端面により示すフロー図であり、図5は、図4に示す製造方法のうちの第1〜第3エッチング工程の詳細を示す部分拡大切断端面図である。
まず、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、合成石英板等の可撓性を有しない透明なリジット材からなる透明基板2上に、位相シフト材料膜32を形成する(図4(a)参照)。
次に、位相シフト材料膜32上に遮光材料膜42を形成する(図4(b)参照)。遮光材料膜42を構成する遮光材料としては、後述する第2エッチング工程(図4(f))において位相シフト材料膜32をエッチングするための第2エッチング液によりエッチングされ難い、又はエッチングされないものを用いることができる。例えば、クロム、アルミニウム、チタン、ケイ素、ニッケル、若しくはニッケル合金、又はこれらの酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは炭化物を含む材料等が挙げられる。
続いて、遮光材料膜42上にフォトレジスト膜71を形成し(図4(c)参照)、当該フォトレジスト膜71を所定のフォトマスクを介して露光・現像して、レジストパターン72を形成する(図4(d)参照)。
続いて、上述のようにして形成したレジストパターン72をエッチングマスクとして、所定の第1エッチング液を用いて遮光材料膜42をエッチングし、遮光部パターン44を形成する(図4(e))。上述したように、遮光材料膜42の下層に位置する位相シフト材料膜32を構成する位相シフト材料は、遮光材料膜42をエッチングするための第1エッチング液によってエッチングされ難い、又はエッチングされないものであるため、遮光材料膜42のみがエッチングされることになる。
次に、レジストパターン72を剥離することなく、遮光部パターン44をエッチングマスクとして、所定の第2エッチング液を用いて位相シフト材料膜32をエッチングし、透光部3を形成する(図4(f))。上述したように、遮光材料膜42を構成する遮光材料は、位相シフト材料膜32をエッチングするための第2エッチング液によってエッチングされ難い、又はエッチングされないものであるため、位相シフト材料膜32のみがエッチングされ、第1エッチング工程(図4(e))により形成された遮光部パターン44はエッチングされることはない。
続いて、レジストパターン72を剥離することなく、第1エッチング液を用いて遮光部パターン44をエッチングし、遮光部4を形成する(図4(g))。上述したように、位相シフト材料膜32(透光部3)を構成する位相シフト材料は、遮光材料膜42(遮光パターン44)をエッチングするための第1エッチング液によってエッチングされ難い、又はエッチングされないものであるため、第2エッチング工程(図4(f)参照)により形成された透光部3がエッチングされることなく、遮光部パターン44のみがエッチングされる。また、遮光部パターン44上面はレジストパターン72により被覆されているため、遮光部パターン44は側面のみからエッチング(サイドエッチング)され、遮光部パターン44の厚さが薄くなることがない。これにより、所定寸法の遮光部4を形成することができる。なお、第3エッチング工程におけるエッチング条件(エッチング時間等)は、所定寸法の遮光部4を形成可能な範囲で適宜設定され得る。
最後に、レジストパターン72を剥離する(図4(h))。これにより、図1に示す構成を有する位相シフトマスク1を製造することができる。
図6は、第3の実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を部分切断端面により示すフロー図であり、図7は、図6に示す製造方法のうちの第1エッチング工程及び第2エッチング工程を詳細に示す部分拡大切断端面図である。
まず、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、合成石英板等の可撓性を有しない透明なリジット材からなる透明基板2上に、位相シフト材料膜33を形成する(図6(a)参照)。
次に、位相シフト材料膜33上に遮光材料膜43を形成する(図6(b)参照)。遮光材料膜46を構成する遮光材料としては、後述する第2エッチング工程(図6(f))において位相シフト材料膜33をエッチングするための第2エッチング液によりエッチングされ難い、又はエッチングされないものを用いることができる。例えば、クロム、アルミニウム、チタン、ケイ素、ニッケル、若しくはニッケル合金、又はこれらの酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは炭化物を含む材料等が挙げられる。
続いて、遮光材料膜43上にフォトレジスト膜71を形成し(図6(c)参照)、当該フォトレジスト膜71を所定のフォトマスクを介して露光・現像して、レジストパターン72を形成する(図6(d)参照)。
続いて、上述のようにして形成したレジストパターン72をエッチングマスクとして、所定の第1エッチング液を用いて遮光材料膜43をエッチングし、遮光部4を形成する(図6(e))。上述したように、遮光材料膜43の下層に位置する位相シフト材料膜33を構成する位相シフト材料は、遮光材料膜43をエッチングするための第1エッチング液によってエッチングされ難い、又はエッチングされないものであるため、遮光材料膜43のみがエッチングされることになる。
次に、レジストパターン72を剥離することなく、所定の第2エッチング液を用いて位相シフト材料膜33をエッチングし、透光部3を形成する(図6(f))。上述したように、遮光材料膜43を構成する遮光材料は、位相シフト材料膜33をエッチングするための第2エッチング液によってエッチングされ難い、又はエッチングされないものであるため、位相シフト材料膜33のみがエッチングされ、第1エッチング工程(図6(e))により形成された遮光部4はエッチングされない。
最後に、レジストパターン72を剥離する(図4(g))。これにより、図1に示す構成を有する位相シフトマスク1を製造することができる。
520mm×800mmの透明基板(石英基板)2上に酸化窒化クロムをスパッタリングにより成膜して位相シフト材料膜31を形成し、当該位相シフト材料膜31上に金属クロムをスパッタリングによりに成膜して遮光材料膜41を形成した。なお、位相シフト材料膜31を構成する酸化窒化クロムと遮光材料膜41を構成する金属クロムとの間のエッチングレート比(エッチング液:硝酸第2セリウムアンモニウム)が1:6となるように、スパッタリングにより形成する位相シフト材料膜31における酸化窒化クロムの組成比を調整した。
位相シフト材料膜31を構成する酸化窒化クロムと遮光材料膜41を構成する金属クロムとの間のエッチングレート比(エッチング液:硝酸第2セリウムアンモニウム)が1:4となるように、スパッタリングにより形成する位相シフト材料膜31における酸化窒化クロムの組成比を調整した以外は、実施例1と同様にして位相シフトマスク1を製造した。得られた位相シフトマスク1における位相シフト部5の寸法を、精密自動線幅測定装置(DR−8000,大日本スクリーン社製)を用いて測定したところ、当該寸法は0.48μmであった。
位相シフト材料膜31を構成する酸化窒化クロムと遮光材料膜41を構成する金属クロムとの間のエッチングレート比(エッチング液:硝酸第2セリウムアンモニウム)が1:2となるように、スパッタリングにより形成する位相シフト材料膜31における酸化窒化クロムの組成比を調整した以外は、実施例1と同様にして位相シフトマスク1を製造した。得られた位相シフトマスク1における位相シフト部5の寸法を、精密自動線幅測定装置(DR−8000,大日本スクリーン社製)を用いて測定したところ、当該寸法は0.24μmであった。
390mm×610mmの透明基板(石英基板)2上に酸化窒化クロムをスパッタリングにより成膜して位相シフト材料膜32を形成し、当該位相シフト材料膜32上に酸化窒化チタンをスパッタリングにより成膜して遮光材料膜42を形成した。
390mm×610mmの透明基板(石英基板)2上に酸化窒化クロムをスパッタリングにより成膜して位相シフト材料膜32を形成し、当該位相シフト材料膜32上にNiAl合金をスパッタリングにより成膜して遮光材料膜42を形成した。
第1エッチング液による第3ウェットエッチング処理を20秒行った以外は実施例3と同様にして位相シフトマスク1を製造した。得られた位相シフトマスク1における位相シフト部5の寸法を、精密自動線幅測定装置(DR−8000,大日本スクリーン社製)を用いて測定したところ、当該寸法は0.2μmであった。
2…透明基板
3…透光部
4…遮光部
5…位相シフト部
6…開口部
31,32,33…位相シフト材料膜
41,42,43…遮光材料膜
44…遮光部パターン
71…フォトレジスト膜
72…レジストパターン
Claims (4)
- 画像表示装置を製造するために用いられる位相シフトマスクであって、透明基板と、前記透明基板上に設けられてなる透光部と、前記透光部の寸法よりも小さい寸法を有し、前記透明基板の平面視において前記透光部を完全に被覆しないように前記透光部上に設けられてなる遮光部とを備え、前記透光部において前記遮光部により被覆されていない部分が位相シフト部として構成される位相シフトマスクを製造する方法において、
前記位相シフトマスクの製造方法は、
前記位相シフト部を構成する位相シフト材料膜及び前記遮光部を構成する遮光材料膜がこの順で積層されてなる透明基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして、所定のエッチング液を用いて前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜をエッチングするエッチング工程と、
前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜がエッチングされた後に、前記レジストパターンを剥離する剥離工程と
を含み、
前記エッチング工程において、同一の前記エッチング液により前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜をエッチングして、前記遮光部と、前記透光部と、前記透明基板の平面視において前記透光部のうちの前記遮光部により被覆されていない部分として構成される前記位相シフト部とを形成し、
前記遮光材料膜を構成する遮光材料の前記エッチング液によるエッチングレートは、前記位相シフト材料膜を構成する位相シフト材料の前記エッチング液によるエッチングレートよりも、位相シフト機能を発揮し得る前記位相シフト部を前記エッチング工程により形成可能な程度に大きい
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフト材料のエッチングレートと前記遮光材料のエッチングレートとの比が、1:3.0〜10.0であることを特徴とする請求項1に記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 前記遮光材料及び前記位相シフト材料のいずれも、クロム、アルミニウム、チタン、ケイ素、ニッケル、若しくはニッケル合金、又はこれらの酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは炭化物を含む材料であることを特徴とする請求項1又は2に記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 画像表示装置を製造するために用いられる位相シフトマスクであって、透明基板と、前記透明基板上に設けられてなる透光部と、前記透光部の寸法よりも小さい寸法を有し、前記透明基板の平面視において前記透光部を完全に被覆しないように前記透光部上に設けられてなる遮光部とを備え、前記透光部において前記遮光部により被覆されていない部分が位相シフト部として構成される位相シフトマスクを製造する方法において、
前記位相シフトマスクの製造方法は、
前記位相シフト部を構成する位相シフト材料膜及び前記遮光部を構成する遮光材料膜がこの順で積層されてなる透明基板上に、前記透光部の設計寸法よりも大きい寸法を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして、第1エッチング液を用いて前記遮光材料膜をエッチングする第1エッチング工程と、
前記第1エッチング工程後、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記第1エッチング液とは異なる種類の第2エッチング液を用いて前記位相シフト材料膜をエッチングする第2エッチング工程と、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記第1エッチング液を用いて前記遮光材料膜をサイドエッチングする第3エッチング工程と、
前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜がエッチングされた後に、前記レジストパターンを剥離する剥離工程と
を含み、
前記遮光材料及び前記位相シフト材料のいずれも、クロム、アルミニウム、チタン、ケイ素、ニッケル、若しくはニッケル合金、又はこれらの酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは炭化物を含む材料であって、
前記遮光材料は、前記第1エッチング液によりエッチングされるが前記第2エッチング液によりエッチングされ難い材料であり、
前記位相シフト材料は、前記第2エッチング液によりエッチングされるが前記第1エッチング液によりエッチングされ難い材料であることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017182052A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法 |
KR20200045413A (ko) | 2018-10-22 | 2020-05-04 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
KR20200045408A (ko) | 2018-10-22 | 2020-05-04 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08272071A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクとその製造方法、ならびにマスクブランク |
JPH08292550A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2013134435A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
JP2013235036A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08272071A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクとその製造方法、ならびにマスクブランク |
JPH08292550A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2013134435A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
JP2013235036A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017182052A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法 |
KR20200045413A (ko) | 2018-10-22 | 2020-05-04 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
KR20200045408A (ko) | 2018-10-22 | 2020-05-04 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
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