JP2014092623A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下を抑えた液晶表示素子を提供する。
【解決手段】液晶表示素子１０１は、短冊状のコモン電極１０６と、それに直交する短冊状のセグメント電極１０７と、それら電極間に挟持され、セグメント電極１０７の伸びる方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有する。そして、コモン電極１０６とセグメント電極１０７との重なり部分が画素１１４を構成し、画素１１４の液晶のプレチルト角の形成方向と垂直なエッジ近傍のセグメント電極１０７に、液晶のプレチルト角の形成方向と直交する直線状に配列された１列の開口部を設ける。
【選択図】図９

Description

本発明は、液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、透過型および反射型等があるが、例えば、透過型の場合、観察者の側に配置される透明な第１の基板と、この第１の基板に対向して観察者とは反対側に配置される透明な第２の基板とを有し、これら第１の基板と第２の基板との間に、液晶層を挟持して構成される。液晶層は、例えば、ネマチック相の液晶（以下、ネマチック液晶とも言う）等を用いて形成することができる。そして、第１の基板および／または第２の基板の液晶層側となる内面には、必要なパターニングがなされた、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム錫）等の透明導電材料からなる電極を設けることができる。各基板上の電極上の液晶層と接する面には、液晶層において液晶の均一な初期配向を実現する液晶配向膜を設けることができる。液晶層を挟持する第１の基板と第２の基板の両方を挟んで、観察者の側とその反対側に一対の偏光板を配置することができる。このような構成を備えた液晶表示素子は、電極を用いて液晶層に印加される電界に応じて、液晶層の液晶が初期の配向状態から配向変化し、液晶層を透過する光の制御がなされる。

液晶表示素子は、液晶層の液晶の初期の配向状態並びに電界を印加した時の動作等から、いくつかのモード(型）に分類される。例えば、電界の印加されない初期配向時の液晶層の液晶が、基板面に対して垂直または略垂直な、垂直配向をする液晶表示素子がある。このような液晶表示素子は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型の液晶表示素子と称されている。

ＶＡ型の液晶表示素子では、誘電異方性が負である液晶が液晶層の形成に用いられる。第１および第２の２枚の基板上には、液晶層を挟んで、通常はクロスニコルを構成するように一対の偏光板が配置される。第１および第２の基板の液晶層側となる内面にはそれぞれ電極が設けられる。そして、その電極を用いて液晶層に電圧を印加すると、液晶層の液晶の配向が変化し、液晶が形成される電界に対して垂直、すなわち、液晶の配向方向が基板と平行になろうとする（例えば、特許文献１参照。）。これにより、電圧を印加した部分では、初期の液晶の配向状態に比べ、液晶の屈折率異方性（Δｎ）と液晶層の厚み（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）によって定まる光の透過特性が変化する。ＶＡ型の液晶表示素子では、電圧の印加部分で光の透過特性が変化する性質を利用して、所望とする表示が行われる。

ＶＡ型の液晶表示素子は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶表示素子やＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶表示素子と比較すると、応答特性に優れ、高コントラストの表示を実現することができる（例えば、特許文献２参照。）。そして、ＶＡ型の液晶表示素子は、例えば、液晶テレビや携帯用情報機器の表示装置、さらには、自動車等車両のインストルメントパネル等のいわゆる車載用にも盛んに用いられている。

このようなＶＡ型の液晶表示素子は、上述したように、初期配向時の液晶層の液晶が、基板面に対して垂直または略垂直な垂直配向をする。しかし、液晶が完全に垂直配向することは好ましくない場合がある。電圧の印加されないときの液晶の配向が基板に対して完全に垂直である場合、基板面に完全に垂直な方向の電圧が印加されると液晶が傾く方向を規定することができない。その結果、電圧印加時における液晶の配向が一様にならず表示品位が低下する。よって、ＶＡ型の液晶表示素子では、何らかの方法で、液晶層の液晶にプレチルト角を付与するようにするか、電極形状を工夫する等して、垂直に配向する液晶が電圧印加によって傾く方向を規定する必要がある。

液晶層において液晶のプレチルト角を形成する方法としては、酸化珪素（ＳｉＯ_２）を基板に対して斜めに蒸着する斜め蒸着法等がある。また、より簡便な方法として、液晶層を挟持する基板それぞれの液晶層側の面に液晶配向膜を設け、その液晶配向膜に配向処理を施す方法がある。例えば、垂直配向性の液晶配向膜を用い、ラビング処理を施すことによって垂直配向する液晶にプレチルト角を付与することができる。そして、略垂直配向する液晶の配向方向、すなわち、液晶のプレチルト角の形成方向を規定することができる。

特開２００３−２０７７８２号公報 特開２００６−１１３６２号公報

液晶テレビや携帯用情報機器の表示装置等、高精細な表示が必要となる用途においては、画素を上下方向と左右方向のマトリクス状に配置して行うフルドット表示が求められる。ＶＡ型の液晶表示素子を用いてフルドット表示を行う場合、液晶表示素子を次のようにして構成することができる。すなわち、液晶表示素子は、横方向（左右方向）に伸びる短冊状に形成された複数の第１の電極を有する第１の基板と、第１の電極と直交する上下方向に伸びる短冊状に形成された複数の第２の電極を有する第２の基板と、第１の基板の第１の電極形成面と第２の基板の第２の電極形成面とにより挟持され、それら電極間で所定方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有して構成することができる。

そして、上述の構造の液晶表示素子では、第１の電極と第２の電極の各重なり部分がそれぞれ画素を形成し、フルドット表示を可能とし、所望とする高精細な画像表示を可能とする。

しかしながら、上述した構造のＶＡ型の液晶表示素子では、フルドット表示を行う場合、画素のエッジ近傍の周辺部分で液晶の配向乱れが生じることがあった。

上述の構造の液晶表示素子の場合、各画素は、第１の電極と第２の電極の重なり部分であって、第１の電極のエッジと第２の電極のエッジとにより囲まれた領域となる。
そのため、第１の電極のエッジまたは第２の電極のエッジ近傍の各画素の周辺部分では、それらエッジからの斜め電界の影響を受け、液晶の配向乱れを生じることがある。このような液晶の配向乱れは、表示を行う画素内にドメインを発生させ、それが表示のムラとなって、液晶表示素子の表示品位を低下させることがあった。

そのため、フルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子において、ドメイン発生による表示のムラを低減し、液晶表示素子の表示品位の低下を抑える技術が求められている。

本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ＶＡ型の液晶表示素子において、画素内のドメインによる表示のムラを低減することである。そして、本発明の目的は、表示品位の低下を抑えた液晶表示素子を提供することである。

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。

本発明の第１の態様は、第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、第１の電極と直交するように第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、
第１の電極と第２の電極とに挟持され、第３の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有し、
第１の電極と第２の電極の重なり部分が画素をなす液晶表示素子であって、
第３の方向は、第１の方向および第２の方向のうちの一方と一致する方向であり、
画素の第３の方向と垂直なエッジ近傍の、第３の方向と平行に伸びる第１の電極および第２の電極のうちの一方に、第３の方向と直交する直線状に配列された１列の７μｍ〜２０μｍ幅の開口部を有することを特徴とする液晶表示素子に関する。

本発明の第１の態様において、画素は、第１の電極と第２の電極との間の電圧印加によって第３の方向に液晶が傾斜する第１の領域を有するとともに、第３の方向と垂直なエッジの近傍に、第３の方向と異なる方向に液晶が傾斜する第２の領域が形成され、
１列の開口部は、第２の領域に配置されることが好ましい。

本発明の第１の態様において、開口部は、円形状、１つの辺がそのエッジと平行な正方形状、および、７μｍ〜２０μｍ幅の短辺がそのエッジと平行な長方形状のうちのいずれかの形状であることが好ましい。

本発明の第２の態様は、第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、第１の電極と直交するように第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、
第１の電極と第２の電極とに挟持され、第３の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有し、
第１の電極と第２の電極の重なり部分が画素をなす液晶表示素子であって、
第３の方向は、第１の方向および第２の方向のうちの一方と一致する方向であり、
画素の第３の方向と垂直なエッジ近傍の、第３の方向と平行に伸びる第１の電極および第２の電極のうちの一方に、第３の方向と直交する直線状に配列された１列のＴ字形状の開口部を有することを特徴とする液晶表示素子に関する。

本発明の第３の態様は、第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、その第１の電極と直交するように第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、
第１の電極と第２の電極とに挟持され、第３の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有し、
第１の電極と第２の電極の重なり部分が画素をなす液晶表示素子であって、
第３の方向は、第１の方向および第２の方向のうちの一方と一致する方向であり、
画素の第３の方向と垂直なエッジ近傍の、第３の方向と平行に伸びる第１の電極および第２の電極のうちの一方に、第３の方向と直交する直線状に配列された２列の開口部を有し、
その２列の開口部は、互いの開口部を対向させないように、列方向に開口部がずれて配置されることを特徴とする液晶表示素子に関する。

本発明の第３の態様において、画素は、第１の電極と第２の電極との間の電圧印加によって第３の方向に液晶が傾斜する第１の領域を有するとともに、第３の方向と垂直なエッジの近傍に、第３の方向と異なる方向に液晶が傾斜する第２の領域が形成され、
２列の開口部はそれぞれ、第２の領域に配置されることが好ましい。

本発明の第３の態様において、開口部は、円形状、１つの辺が第３の方向と垂直なエッジと平行な正方形状、および、長辺が第３の方向と垂直なエッジと垂直な長方形状のうちのいずれかの形状であることが好ましい。

本発明の第３の態様において、開口部は、長方形状の側部に凸部を設けてなるＴ字形状を有し、
２列の開口部は、Ｔ字形状の開口部の凸部が交互に相対向するように列方向に開口部がずれて配置されることが好ましい。

本発明の第１の態様によれば、表示品位の低下を抑えた液晶表示素子が提供される。

本発明の第２の態様によれば、表示品位の低下を抑えた液晶表示素子が提供される。

本発明の第３の態様によれば、表示品位の低下を抑えた液晶表示素子が提供される。

フルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子の電極構造の一部を模式的に示す平面図である。 図１の液晶表示素子の画素の左右方向の断面を模式的に示す図である。 図１の液晶表示素子の画素の上下方向の断面を模式的に示す図である。 液晶表示素子の画素の液晶の配向状態を模式的に示す平面図である。 液晶表示素子の画素の液晶の配向状態の別の例を模式的に示す平面図である。 液晶表示素子の画素の液晶の配向状態のさらに別の例を模式的に示す平面図である。 本発明の第１実施形態の液晶表示素子の構成を模式的に説明する断面図である。 本発明の第１実施形態の液晶表示素子における液晶配向膜の配向処理の方向と偏光板の吸収軸との関係を説明する図である。 本発明の第１実施形態の液晶表示素子の電極構造の一部を模式的に示す平面図である。 本発明の第１実施形態の液晶表示素子の画素の液晶の配向状態を模式的に示す平面図である。 本発明の第１実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。 本発明の第２実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。 本発明の第３実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。 本発明の第４実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。 本発明の第５実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。 本発明の第２比較例となる液晶表示素子のコモン電極の構造を模式的に示す図である。

上述したように、フルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子においては、画素に生じるドメインによって表示品位が低下するのを抑える技術が求められている。
本発明者は、こうした要求に応えるべく、鋭意検討を行った。

図１は、フルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子の電極構造の一部を模式的に示す平面図である。

従来知られた、フルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子１は、観察者側となる前面側に配置され、横方向に伸びる短冊状に形成された複数の第１の電極であるコモン電極２を有する第１の基板（図示されない）と、第１の基板の背面側に配置され、コモン電極２と直交する上下方向に伸びる短冊状に形成された複数の第２の電極であるセグメント電極３を有する第２の基板（図示されない）とを備える。そして、液晶表示素子１は、第１の基板のコモン電極２の形成面と第２の基板のセグメント電極３の形成面とにより挟持され、それら電極間で所定方向にプレチルト角を形成して液晶（図示されない）が略垂直配向する液晶層（図示されない）を有して構成される。液晶層の液晶は、負の誘電異方性（Δε）を有する液晶である。

液晶表示素子１では、第１の基板上のコモン電極２と液晶層との間に垂直配向性の液晶配向膜（図示されない）を配置することが可能である。液晶配向膜は、図１の液晶表示素子１に設けられた状態で、例えば、図の上方から下方に向かって配向処理を施すことができる。同様に、液晶表示素子１では、第２の基板上のセグメント電極３と液晶層との間に垂直配向性の液晶配向膜（図示されない）を配置することができ、図の下方から上方に向かって配向処理を施すことができる。図１の液晶表示素子１では、このような液晶配向膜を設け、所望とする所定の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する構造を実現することができる。

尚、図１では、液晶配向膜の配向処理の方向のみを矢印で示しており、下方を向く実線の矢印がコモン電極２側の液晶配向膜の配向処理の方向を示し、上方を向く破線の矢印がセグメント電極３側の液晶配向膜の配向処理の方向を示している。

そして、液晶表示素子１は、第１の基板のコモン電極２側と反対の側なる前面側にＦ偏光板（図示されない）が配置され、第２の基板のセグメント電極３側の反対側となる背面側にＲ偏光板（図示されない）が配置される。これら一対の偏光板は、上述の液晶層を挟持して、それぞれの吸収軸が互いに直交するように配置される。また、液晶表示素子１において、Ｒ偏光板のさらに背面側には、バックライト（図示されない）を設けることが好ましい。

液晶表示素子１では、所定の線幅Ｌ１の複数のコモン電極２が、隣接するもの同士で所定の線間距離Ｌ２を有して離間するように配列され、同様に、所定の線幅Ｌ３の複数のセグメント電極３が、隣接するもの同士で所定の線間距離Ｌ４を有して離間するように配列されている。その結果、液晶表示素子１は、図１のように平面視した状態で、コモン電極２とセグメント電極３の各重なり部分がそれぞれ１つの画素４を構成する。そして、液晶表示素子１は、上下左右のマトリクス状に配置された画素４を用いて、フルドット表示を可能とし、所望とする高精細な画像表示を可能とする。

このとき、液晶表示素子１の各画素４は、図１に示すように、コモン電極２とセグメント電極３との重なり部分であり、コモン電極２のエッジとセグメント電極３のエッジとにより囲まれた領域として形成される。したがって、コモン電極２とセグメント電極３との間にＯＮ（オン）電圧を印加して明表示を行うに際し（以下、単に、ＯＮ時とも言う。）、コモン電極２のエッジおよびセグメント電極３のエッジからの影響を受ける。すなわち、ＯＮ時の液晶の配向が、コモン電極２のエッジおよびセグメント電極３のエッジからの斜め電界の影響を受けることになる。

図２は、図１の液晶表示素子の画素の左右方向の断面を模式的に示す図である。

図２に示すように、画素４は、液晶層５を挟んで上層側となるコモン電極２と下層側となるセグメント電極３とが重畳する部分として形成される。その画素４において、その中央付近の領域では、上述した配向処理の効果によって、ＯＮ時に液晶６が図面（紙面）の奥側（裏側）に向かって配向するようになる。

一方、液晶表示素子１の画素４の周辺部分では、ＯＮ時において、液晶６が上述したのと異なる配向をすることがある。それは、図２に示すように、液晶表示素子１の画素４を含む領域の左右方向の断面において、液晶層５を挟んで下層側に位置するセグメント電極３の幅が、上層側に位置するコモン電極２の幅より小さくなることに起因する。すなわち、その幅の違いにより、図２に示すように、セグメント電極３のエッジとコモン電極２との間に意図しない斜め電界７が形成されることになる。液晶層５の液晶６は、上述したように、負の誘電異方性を有している。そのため、画素４のセグメント電極３のエッジの近傍に位置し、そこから発生する斜め電界７の影響を受ける液晶６は、斜め電界７に対し、直交する方向に倒れて配向しようとする。

その結果、液晶表示素子１の画素４の左右の端部近傍では、セグメント電極３のエッジによる斜め電界７の影響を受けて、ＯＮ時において、図面の左右方向と平行に配向するようになる。
尚、図２では、斜め電界７による液晶６の倒れる方向を、傾斜方向と表示して湾曲する矢印によって示している。この表示方法は、後述する図３においても同様である。

図３は、図１の液晶表示素子の画素の上下方向の断面を模式的に示す図である。

同様に、図３に示すように、液晶表示素子１の画素４を含む領域の上下方向の断面において、液晶層５を挟んで上層側に位置するコモン電極２の幅が、下層側に位置するセグメント電極３の幅より小さくなる。そのため、その幅の違いにより、図３に示すように、コモン電極２のエッジとセグメント電極３との間に意図しない斜め電界８が形成される。その結果、画素４のコモン電極２のエッジの近傍に位置し、そこから発生する斜め電界８の影響を受ける液晶６は、斜め電界８に対し、直交する方向に配向しようとする。すなわち、画素４の周辺部分において、図３の右側に位置する周辺部分では、コモン電極２のエッジによる斜め電界８の影響を受けて、ＯＮ時において、図３の右方向に傾斜する配向変化をして、電極面に水平に配向しようとする。

また、このようなＯＮ時のコモン電極２のエッジの近傍での液晶６の配向変化は、上述した配向処理の効果による配向変化と同様のものとなる。すなわち、画素４の中央付近のプレチルト角の形成方向に倒れる配向変化と同様のものとなる。したがって、上述した画素４のコモン電極２のエッジの近傍において液晶６の配向乱れの発生はなく、液晶表示素子１において問題となることはない。その場合、問題となるのは、画素４の周辺分において、図３の左側に位置する端部近傍での液晶６の配向変化である。すなわち、画素４の周辺部分において、図３の左側端部の近傍では、コモン電極２のエッジによる斜め電界８の影響を受けて、ＯＮ時において、図３の左方向に傾斜する配向変化をして、電極面に水平に配向しようとする。このようなＯＮ時の液晶６の配向変化の方向は、上述した配向処理の効果による配向変化の方向と１８０°異なるものとなる。

尚、画素４において、図３の右側端部のコモン電極２のエッジは、コモン電極２上の液晶配向膜の配向処理がラビング手段によるラビング処理である場合の、ラビング手段の進入側（入口側）となる端部となる。そして、画素４の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶６が倒れる側にある端部となる。一方、図３の画素４において、左側端部のコモン電極２のエッジは、そのラビング処理において、ラビング手段が出て行く出口側となる。そして、画素４の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶６が倒れる側とは反対側にある端部となる。

また、図３では、配向処理の方向を矢印で示しており、左側を向く実線の矢印がコモン電極２側の液晶配向膜の配向処理の方向を示し、右側を向く破線の矢印がセグメント電極３側の液晶配向膜の配向処理の方向を示している。

図４は、液晶表示素子の画素の液晶の配向状態を模式的に示す平面図である。

以上のように、液晶表示素子１の画素４では、図２および図３のＯＮ時の斜め電界７、８（図４には図示されない。）の影響によって、ＯＮ時の液晶層５（図４中には図示されない。）の液晶６の配向方向が一様ではなく、多様な配向状態を含むことがある。図４は、液晶表示素子１のＯＮ時において、画素４内で生じることがある多様な液晶６の配向状態を模式的に説明している。図４では、矢印を用い、液晶６およびその傾斜方向を模式的に示している。

尚、図４では、画素４の液晶配向膜（図示されない）の配向処理の方向のみを矢印で示しており、下方に向かう実線の矢印が、液晶層５を挟んで上層側となるコモン電極２（図４中、図示されない。）側の液晶配向膜の配向処理の方向を示す。そして、上方に向かう破線の矢印が、液晶層５を挟んで下層側となるセグメント電極３（図４中、図示されない。）側の液晶配向膜の配向処理の方向を示している。

図４に示すように、ＯＮ時の液晶表示素子１の画素４では、その中央近傍の部分において、上述した配向処理の効果により、液晶６が図の上方に向かって配向する領域９が形成される。ＯＮ時に液晶６が配向処理の効果によって配向する領域９は、図３および図４のコモン電極２とセグメント電極３との間の電圧印加によってプレチルト角の形成方向に液晶６が傾斜する領域である。そして、液晶表示素子１の画素４において、ＯＮ時に、液晶の配向状態が所望の状態を示す、正常な領域となる。

その一方で、図２の左右方向の断面図を用いて説明したように、左右の端部では、ＯＮ時において、液晶６は、セグメント電極３のエッジの影響によって、左右方向に配向するようになる。すなわち、画素４の左右の端部近傍には、上述の正常な領域９と比較して配向乱れが生じ、液晶６の配向方向が０°〜４５°程度の大きさ、そしてさらに大きく、４５°〜９０°程度の大きさまでずれた異常領域１０ａ、１０ｂが形成される。形成された画素の左右の異常領域１０ａ、１０ｂは、ＯＮ時において透過率の低下や、また再び上昇するような変化が生じる領域となる。

さらに、図３の上下方向の断面図を用いて説明したように、画素４の下方側の端部近傍では、ＯＮ時において、コモン電極２のエッジの影響によって、液晶６が、図の下方に向かって配向変化するようになる。すなわち、上述した配向処理の効果によって、上述のＯＮ時に図の上方に向かって液晶６が配向変化する正常な領域９と比べて、配向変化の方向が１８０°異なるものとなる。したがって、画素４の下方側の端部では、上述の正常な領域９と比較して、大きな配向乱れが発生することになり、異常領域１０ｃが形成される。この異常領域１０ｃでは、正常な領域９と比べてＯＮ時の液晶６の配向変化の方向が１８０°異なる部分でドメインが発生する。このドメインは、液晶表示素子１の画素４毎に形状が異なって一様ではなく、液晶表示素子１においてざらつき状の表示ムラとして観察される。

以上の例のように、図１に示す電極構造のフルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子１では、画素４のエッジ近傍にドメインを発生させることがある。このドメインは、上述したように、液晶の配向変化の方向が正常な領域と比べて、１８０°異なる領域である。ＶＡ型の液晶表示素子１においてそのようなドメインは、コモン電極２のエッジまたはセグメント電極３のエッジによる斜め電界の影響と、配向処理の効果によってＯＮ時に液晶が配向する方向、すなわち、液晶のプレチルト角の形成方向との関係によって、画素４内の所定の領域に発生する。例えば、図１に示した液晶表示素子１において、配向処理の方向が異なるものであった場合、上述したドメインは、図４に示したのと異なる位置に発生する。

図５は、液晶表示素子の画素の液晶の配向状態の別の例を模式的に示す平面図である。

図５では、画素４を示し、それを構成するコモン電極２とセグメント電極３を区別して示していないが、コモン電極２上の液晶配向膜が、図の右から左に向かって配向処理され、セグメント電極３の液晶配向膜が、図の左から右方に向かって配向処理されている。そして、図５では、図１の液晶表示素子１の配向処理の方向がそのような方向である場合のドメインの形成を説明する。

尚、図５では、図４と同様、画素４の液晶配向膜（図示されない）の配向処理の方向のみを矢印で示しており、実線の矢印が、液晶層５（図示されない）を挟んで上層側となるコモン電極２側の液晶配向膜の配向処理の方向を示す。そして、破線の矢印が、液晶層５を挟んで下層側となるセグメント電極３側の液晶配向膜の配向処理の方向を示している。後述する図６においても同様である。

図１に示す液晶表示素子１において、上述した方法の液晶配向膜の配向処理が行われた場合、ドメインの現れる異常領域１０ｃ’は、図５に示すように、画素４の右側端部のセグメント電極３のエッジ近傍に形成される。すなわち、上述した、正常な領域９と比べてＯＮ時の液晶６の配向変化の方向が１８０°異なるドメインが現れる異常領域１０ｃ’は、ＯＮ時に液晶６の傾斜方向の側であって、配向処理の方向と直交する、画素４の右側端部のセグメント電極３のエッジ近傍に形成される。

図６は、液晶表示素子の画素の液晶の配向状態のさらに別の例を模式的に示す平面図である。

図６では、画素４を示し、それを構成するコモン電極２とセグメント電極３を区別して示していないが、コモン電極２上の液晶配向膜が、図の下方から上方に向かって配向処理され、セグメント電極３の液晶配向膜が、図の上方から下方向かって配向処理されている。そして、図６では、図１の液晶表示素子１の配向処理の方向がそのような方向である場合のドメインの形成を説明する。

図１に示す液晶表示素子１において、上述した方法の液晶配向膜の配向処理が行われた場合、ドメインの現れる異常領域１０ｃ’’は、図６に示すように、画素４の上側端部のコモン電極２のエッジ近傍に形成される。すなわち、上述した、正常な領域９と比べてＯＮ時の液晶６の配向変化の方向が１８０°異なるドメインが現れる異常領域１０ｃ’’は、ＯＮ時に液晶６の傾斜方向と反対側にあって、配向処理の方向と直交する、画素４の上側端部のコモン電極２のエッジ近傍に形成される。

このように、画素４のエッジ近傍に発生するドメインは、形状が画素４毎の形状が一定ではない。そのため、ドメインの発生領域の異なる上述のいずれの場合においても、液晶表示素子１の表示品位を著しく低下させる原因となる。

こうしたドメインの問題点に対し、従来から、それを改善するための方法が提案されている。

例えば、特開２００８−１６４９８３号公報には、電極の線間部分にスリットを配置し、スリットにより斜め電界に起因する配向乱れを低減して液晶の配向をより均一にさせることが提案されている。しかし、この方法では、スリットを電極中で設計通りの位置に正確に配置する必要があり、電極を有する基板の高精度での貼合せが必要となる。この貼合せがずれてしまうと、液晶層を挟持する電極間のずれによる意図しない斜め電界が発生してしまうためである。また、スリット幅もある程度大きさが必要となり、画素の開口率が低下して、液晶表示素子の輝度を低下させる懸念がある。

また、特開２０１０−２２４２３３号公報には、電極のエッジ部分に三角形状の切り込みを配置し、斜め電界に起因するブラッククロス（ドメイン）を固定化して、各画素間で一様な形状とし、表示の不均一性を解消する方法が提案されている。しかし、この方法では、三角形状の切り込みの斜面の長さを５０μｍ以上、好ましくは７０μｍ以上に設定し、三角形状の切り込み間の直線部分を７０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下に設定する必要がある。さらに、三角形状の切り込みは２つ以上の配置が必要となる、そうした大きな切り込みを大きな配置間隔で画素の電極に設ける構造は、高精細表示の形成には不向きであり、また、画素の開口率を大きく低下させることになる。

そこで、以上の検討結果も踏まえ、本発明者は、フルドット表示可能なＶＡ型の液晶表示素子のドメインの問題の低減について検討し、本発明に至った。すなわち、本発明は、ＶＡ型であってフルドット表示の可能な電極構造を有する液晶表示素子において、画素内のドメインの発生が懸念される領域の電極に、くり抜き部分となる開口部を配置し、発生するドメインの形状を制御し、表示のざらつき感を抑えて表示のムラ等を検知され難いものとする。
以下、図面を用いて、本発明の実施形態について、より詳しく説明する。

実施形態１．
本発明の第１実施形態の液晶表示素子は、ＶＡ型の液晶表示素子であり、フルドット表示方式の液晶表示素子である。

図７は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の構成を模式的に説明する断面図である。

図７に示すように、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１は、観察者の側となる前面側に配置される透明な第１の基板１０２とこの第１の基板１０２に対向して観察者とは反対側となる背面側に配置される透明な第２の基板１０３との間に液晶層１０４を挟持してなる液晶パネル１０５を有して構成される。

液晶パネル１０５の液晶層１０４は、誘電異方性（Δε）が負であるネマチック液晶を用いて形成することができる。第１の基板１０２の液晶層１０４側の面には、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる、パターニングされた第１の電極であるコモン電極１０６が設けられている。同様に、第２の基板１０３の液晶層１０４側の面には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる、パターニングされた第２の電極であるセグメント電極１０７が設けられている。コモン電極１０６とセグメント電極１０７の構造について後に詳述する。

液晶パネル１０５の第１の基板１０２上のコモン電極１０６と液晶層１０４との間および第２の基板１０３上のセグメント電極１０７と液晶層１０４との間にはそれぞれ、液晶層１０４の液晶（図示されない）の均一な垂直配向（初期配向）を実現する液晶配向膜（図示されない）が設けられている。そして、コモン電極１０６上の液晶配向膜およびセグメント電極１０７上の液晶配向膜は、それぞれ配向処理がなされ、配向処理の方向が互いに反平行となるようにされている。尚、液晶配向膜の配向処理は、公知のラビング処理によって行われることが好ましい。

液晶表示素子１０１は、液晶パネル１０５の第１の基板１０２の前面側にＦ偏光板１０８を配置して有し、第２の基板１０３の背面側にＲ偏光板１０９を配置して有する。

また、図７に示すように、液晶表示素子１０１は、液晶パネル１０５の背面側であって、Ｒ偏光板１０９のさらに背面側に、バックライト１１０を配置して有する。

図８は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子における液晶配向膜の配向処理の方向と偏光板の吸収軸との関係を説明する図である。

液晶表示素子１０１は、Ｆ偏光板１０８とＲ偏光板１０９の一対の偏光板を用い、液晶パネル１０５の液晶層１０４を挟持するとともに、互いの吸収軸１１７、１１８が、８５°〜９５°の角度をなすように、好ましくは、直交してクロスニコル配置となるように配置する。

そして、液晶表示素子１０１の液晶パネル１０５は、平面視の状態で、コモン電極１０６上の液晶配向膜の配向処理の方向が、液晶パネル１０５の長辺方向と垂直となるように、上方から下方に向かう方向となる。尚、図６中には、視認側の配向処理方向として実線の矢印で示される。また、セグメント電極１０７上の液晶配向膜の配向処理の方向が、液晶パネル１０５の長辺方向と垂直となるように、下方から上方に向かう方向となる。尚、図８中には、反視認側の配向処理方向として破線の矢印で示される。各液晶配向膜の配向処理の方向をこのように設定することで、上述したように、コモン電極１０６上の液晶配向膜と、セグメント電極１０７上の液晶配向膜とは、配向処理の方向が互いに反平行となる。

そして、液晶表示素子１０１のＦ偏光板１０８とＲ偏光板１０９の配置は、クロスニコル配置となるようにした。すなわち、液晶表示パネル１０５の長辺方向を基準軸とし、視認側から見たときの基準軸からＦ偏光板１０８の吸収軸１１７までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５゜になるように設定し、Ｒ偏光板１０９の吸収軸１１８までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５゜になるように設定した。このようなＦ偏光板１０８とＲ偏光板１０９の配置を行うことで、互いの吸収軸１１７、１１８が直交してクロスニコル配置となり、かつ、液晶パネル１０５の各液晶配向膜の配向処理の方向との間で４５°の角度をなすようになる。その結果、液晶表示素子１０１は、コモン電極１０６とセグメント電極１０７との間の電圧印加により、液晶層１０４の液晶がプレチルト角の形成方向に倒れる配向変化をし、明るい明表示を形成することができる。尚、ここでは、Ｆ偏光板１０８とＲ偏光板１０９の吸収軸１１７、１１８が直交するようにしたが、それらの偏光軸が互いに直交するようにしてもよい。

そして、液晶表示素子１０１は、フルドット表示を可能とする。そのため、上述した液晶パネル１０５のコモン電極１０６とセグメント電極１０７とは、フルドット表示に好適な電極構造を有する。
次に、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１の電極構造について、より詳しく説明する。

図９は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の電極構造の一部を模式的に示す平面図である。

フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子１０１は、上述したように、観察者側となる前面側に配置された第１の基板（図９中、図示されない。）と、第１の基板の背面側に配置された第２の基板（図示されない）とを有する。第１の基板の、第２の基板側の面には、第１の方向である横方向に伸びる短冊状に形成された複数の第１の電極であるコモン電極１０６が設けられている。また、第２の基板の、第１の基板側の面には、コモン電極１０６と直交する第２の方向である上下方向に伸びる短冊状に形成された複数の第２の電極であるセグメント電極１０７が設けられている。そして、液晶表示素子１０１は、対向する、第１の基板のコモン電極１０６形成面と第２の基板のセグメント電極１０７形成面とにより挟持され、それら電極間で所定の第３の方向にプレチルト角を形成して液晶（図９中、図示されない。）が略垂直配向する液晶層（図９中、図示されない。）を有して構成される。

液晶表示素子１０１では、上述したように、第１の基板上のコモン電極１０６と液晶層との間に垂直配向性の液晶配向膜（図示されない）を配置する。液晶配向膜は、図９の液晶表示素子１０１に設けられた状態で、上述したように、図の上方から下方に向かって配向処理が施されている。同様に、液晶表示素子１０１では、第２の基板上のセグメント電極１０７と液晶層との間に垂直配向性の液晶配向膜（図示されない）を配置し、その液晶配向膜は図の下方から上方に向かって配向処理が施されている。図９の液晶表示素子１０１は、このような液晶配向膜を設けることで、所望とする図の上下方向と平行な方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する構造を実現する。

液晶のプレチルト角は８５°〜８９．９°が好ましい。８５°より小さい場合には、ＯＦＦ（オフ）電圧印加時または電圧無印加時（以下、単に、ＯＦＦ時と言う。）の暗い表示が明るくなってコントラスト比が低下するたてめである。一方、８９．９°より大きい場合、特に、９０°となる場合、ＯＮ時に液晶の傾く方向の制御が困難となり、配向乱れやドメインを生じ、表示品位が低下するためである。

尚、図９では、液晶配向膜の配向処理の方向のみを矢印で示しており、下方を向く実線の矢印がコモン電極１０６側の液晶配向膜の配向処理の方向を示し、上方を向く破線の矢印がセグメント電極１０７側の液晶配向膜の配向処理の方向を示している。

液晶表示素子１０１では、所定の線幅Ｌ１１の複数のコモン電極１０６が、隣接するもの同士で所定の線間距離Ｌ１２を有して離間するようにストライプ状に配列される。同様に、所定の線幅Ｌ１３の複数のセグメント電極１０７が、隣接するもの同士で所定の線間距離Ｌ１４を有して離間するようにストライプ状に配列されている。その結果、液晶表示素子１０１は、図９のように平面視した状態で、コモン電極１０６とセグメント電極１０７の重なり部分がそれぞれ１つの画素１１４を構成する。尚、図９中、画素１１４は点線で模式的に表される。そして、液晶表示素子１０１は、上下左右のマトリクス状に配置された画素１１４を用いて、フルドット表示を可能とし、所望とする高精細な画像表示を可能とする。

このとき、液晶表示素子１０１の各画素１１４は、図９に示すように、コモン電極１０６のエッジとセグメント電極１０７のエッジとにより囲まれた領域として形成される。したがって、画素１１４では、ＯＮ時の明表示を行うに際し、コモン電極１０６のエッジおよびセグメント電極１０７のエッジからの影響を受ける。すなわち、画素１１４では、ＯＮ時の液晶の配向が、コモン電極１０６およびセグメント電極１０７のエッジからの斜め電界の影響を受けることになる。液晶表示素子１０１の各画素１１４において、この斜め電界の影響は、図２および図３を用いて説明した、フルドット表示を行うＶＡ型の液晶表示素子１のものと同様となる。その結果、液晶表示素子１０１の画素１１４は、図４を用いて説明した画素４と同様の液晶の配向状態を示すことになる。

図１０は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の画素の液晶の配向状態を模式的に示す平面図である。

すなわち、液晶表示素子１０１の画素１１４では、上述したＯＮ時の斜め電界の影響によって、液晶層（図１０中には図示されない。）の液晶１１６の配向方向が一様ではなく、図４の場合と同様の、多様な配向状態を含むことがある。図１０では、図４と同様、矢印を用い、液晶１１６およびその傾斜方向を模式的に示している。

尚、図１０では、画素１１４の液晶配向膜（図示されない）の配向処理の方向のみを矢印で示しており、下方を向く実線の矢印がコモン電極１０６（図１０中、図示されない。）側の液晶配向膜の配向処理の方向を示し、上方を向く破線の矢印がセグメント電極１０７（図１０中、図示されない。）側の液晶配向膜の配向処理の方向を示している。

図１０に示すように、ＯＮ時の液晶表示素子１０１の画素１１４では、その中央近傍において、上述した配向処理の効果によって、液晶１１６が図の上方に向かって配向する領域１１９が形成される。ＯＮ時に液晶１１６が配向処理の効果によって配向する領域１１９は、図９のコモン電極１０６とセグメント電極１０７との間の電圧印加によって、プレチルト角の形成方向に液晶１１６が傾斜する領域であり、液晶表示素子１０１の画素１１４において所望される、液晶の配向状態が正常である正常領域となる。

その一方で、左右の端部では、ＯＮ時において、セグメント電極１０７のエッジの影響によって、左右方向に配向するようになる。すなわち、画素１１４の左右の周辺部には、上述の正常領域と比較して配向乱れが発生し、液晶１１６の配向方向が０°より大きく９０°程度の大きさまでずれた異常領域１２０ａ、１２０ｂが形成される。形成された画素の左右の異常領域１２０ａ、１２０ｂは、ＯＮ時における透過率の大きな変動を引き起こす領域となる。

さらに、下方側の端部では、ＯＮ時において、コモン電極１０６のエッジの影響によって、図の下方に向かって配向変化するようになる。すなわち、上述した配向処理の効果によって、ＯＮ時に図の上方に向かって液晶１１６が配向変化する正常領域と比べて、配向変化の方向が１８０°異なるものとなる。したがって、画素１１４の下方の端部近傍では、上述の正常領域と比較して大きな配向乱れが発生することになり、異常領域１２０ｃが形成される。この異常領域１２０ｃでは、ＯＮ時において、上述の正常領域と比べて配向変化の方向が１８０°異なる部分にドメインが発生する。このドメインは、液晶表示素子１０１の画素１１４毎に形状が異なって一様ではない。液晶表示素子１０１においてこのドメインが視認可能である場合、ざらつき状の表示ムラとして観察される懸念がある。その場合、画素１１４のドメインは、液晶表示素子１０１の表示品位を著しく低下させる原因となって、特に大きな問題となる。

そのため、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１では、画素１１４内でドメインの発生が懸念される異常領域１２０ｃのセグメント電極１０７（図１０中、図示されない。）に、くり抜き部分となる開口部を直線状に並べた列を設ける。画素１１４のエッジ部分にある異常領域１２０ｃに、直線状に並べられた開口部が設けることで、ドメインの形状を、開口部の間を繋ぐ直線状に固定化できる。そして、各画素１１４間で、エッジ部分のドメインの状態を同じにすることができ、ドメインの形状が異なることによるざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えることができる。

図１１は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。

図１１に示すように、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１では、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と平行に伸びるセグメント電極１０７に、そのセグメント電極１０７の形成方向と直交する直線状に配列された１列の開口部１２１を配置して有する。この開口部１２１は、画素１１４をなすセグメント電極１０７にくり抜き部分として形成することができる。尚、図１１中、画素１１４は点線で模式的に表される。後述する図１２〜図１５においても同様である。

本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１において、開口部１２１の列は、セグメント電極１０７の画素１１４を形成する部分に設けられる。そして、図１１に示すように、セグメント電極１０７の各画素１１４をなす部分の下方側の端部近傍の領域にそれぞれ設けられることが好ましい。

その結果、開口部１２１の列の、画素１１４内の配置領域としては、各画素１１４の下方側の端部近傍となる。画素１１４の下方側の端部近傍は、画素１１４を構成するコモン電極１０６（図１１中、図示されない。）のエッジの近傍となり、そのエッジからの斜め電界の影響を受ける領域となる。すなわち、開口部１２１の列は、画素１１４を構成する電極エッジの近傍に、そのエッジに沿って直線状に配置される。

上述したように、液晶表示素子１０１において、画素１１４の下方側の端部近傍は、図１０に示した異常領域１２０ｃの位置とほぼ一致する。したがって、液晶表示素子１０１において、画素１１４の開口部１２１の列は、コモン電極１０６のエッジ近傍にある、図１０の異常領域１２０ｃのセグメント電極１０７に設けられることになる。

本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１において、画素１１４の開口部１２１は、幅が７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、開口部１２１は、幅が７μｍ〜１４μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。７μｍ未満である場合、各開口部１２１により生じる斜め電界の影響が小さくなり、ドメインの形状を、直線状に固定化する効果が小さくなるためである。また、２０μｍよりも長いと、開口部１２１によって点灯しない部分が増えるために透過率が低下するからである。

また、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１において、開口部１２１の形状は正方形状であるが、その形状は正方形状に限られるわけではない。開口部１２１の形状は、多角形や円形や楕円形であってもよい。正方形状は好ましい形状の例となる。

そして、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１において、隣接する開口部１２１間の配置間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。配置間隔が５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、配置間隔が２５μｍよりも大きいと、ドメインの形状を、直線状に固定化する効果が小さくなり、また、開口部１２１による液晶の配向乱れが起こりやすくなるためである。

以上のように、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１は、画素１１４の下方側のコモン電極１０６のエッジ近傍において、セグメント電極１０７に、直線状に規則的に配置された開口部１２１の列を設ける。液晶表示素子１０１は、画素１１４のエッジ部分に、直線状に並べられた開口部１２１が設けることで、ドメインの形状を、開口部１２１の間を繋ぐ直線状に固定化できる。そして、各画素１１４間で、エッジ部分のドメインの状態を同じにすることができ、ドメインの形状が異なることによるざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えることができる。

実施形態２．
本発明の第２実施形態の液晶表示素子は、ＶＡ型の液晶表示素子であり、フルドット表示方式の液晶表示素子である。

本発明の第２実施形態の液晶表示素子は、各画素をなすセグメント電極に設けられた開口部の配置構造に特徴を有し、それ以外の構造は、上述した本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１と同様の構造を有する。したがって、第２実施形態の液晶表示素子については、第１実施形態の液晶表示素子１０１とは異なる、画素をなすセグメント電極の開口部の配置構造を中心に説明し、その他の基本となる構成の共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１２は、本発明の第２実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。

本発明の第２実施形態の液晶表示素子では、図１２に示すように、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と平行に伸びるセグメント電極２０７に、そのセグメント電極２０７の形成方向と直交する直線状に配列された開口部２２１の列を２列配置して有する。この開口部２２１は、画素１１４をなすセグメント電極２０７にくり抜き部分として形成することができる。

本発明の第２実施形態の液晶表示素子において、２列の開口部２２１はそれぞれ、セグメント電極２０７の画素１１４を形成する部分に離間して設けられる。２列の開口部２２１は、それらを構成する開口部２２１の形状と配置間隔が等しく構成されている。そして、２列の開口部２２１は、互いの開口部２２１が対向することがないように、セグメント電極２０７上で、それら列の方向と平行な方向に開口部２２１がずれて配置されている。すなわち、２列の開口部２２１は、一方の列の開口部２２１が、もう一方の列の隣接する開口部２２１の間の部分と対向するように、互いに開口部２２１をずらして配置されている。

そして、図１２に示すように、２列の開口部２２１は、セグメント電極２０７の各画素１１４をなす部分の下方側の端部およびその近傍にそれぞれ設けられることが好ましい。

その結果、２列の開口部２２１の、画素１１４内の配置領域としては、各画素１１４の下方側の端部およびその近傍となる。画素１１４の下方側の端部およびその近傍は、画素１１４を構成するコモン電極１０６（図１２中、図示されない。）のエッジの近傍となり、そのエッジからの斜め電界の影響を受ける領域となる。すなわち、２列の開口部２２１はそれぞれ、画素１１４を構成する電極エッジの近傍に、そのエッジに沿って直線状に配置される。

上述したように、第２実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の下方側の端部近傍は、図１０に示した、同様構造を有する第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１１４の異常領域１２０ｃの形成位置とほぼ一致する。したがって、第２実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の２列の開口部２２１は、コモン電極１０６のエッジ近傍にある、図１０の異常領域１２０ｃと同様の異常領域（図示されない）のセグメント電極２０７に設けられることになる。

本発明の第２実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のコモン電極１０６のエッジ近傍に発生するドメインを、２列の開口部２２１によって直線状またはジグザグ状に固定化する。さらに、開口部２２１を２列配置することにより、画素１１４のドメインの形成されたエッジ部分の明るさを、所望とする程度、低下させることができる。

本発明の第２実施形態の液晶表示素子において、開口部２２１は、幅が７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、開口部２２１は、幅が７μｍ〜１４μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。７μｍ未満である場合、各開口部２２１により生じる斜め電界の影響が小さくなり、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなるためである。また、２０μｍよりも長いと、開口部２２１によって点灯しない部分が増えるために透過率が低下するからである。

また、本発明の第２実施形態の液晶表示素子において、開口部２２１の形状は正方形状であるが、その形状は正方形状に限られるわけではない。開口部２２１の形状は、多角形や円形や楕円形であってもよい。正方形状は好ましい形状の例となる。

そして、本発明の第２実施形態の液晶表示素子において、上述の開口部２２１の列における隣接する開口部２２１間の配置間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。配置間隔が５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、配置間隔が２５μｍよりも大きいと、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなり、また、開口部２２１による液晶の配向乱れが起こりやすくなるためである。

２つの開口部２２１の列の間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、２５μｍよりも長いと、ドメインの形状を、直線状あるいはジグザク状に固定化する効果が小さくなるからである。

以上のように、本発明の第２実施形態の液晶表示素子は、画素１１４の下方側のコモン電極１０６のエッジ近傍において、セグメント電極２０７に、直線状に規則的に配置された開口部２２１の列を２列、互いに平行かつ離間するように設ける。第２実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のエッジ部分に、直線状に並べられた開口部２２１を離間して２列設けることで、ドメインの形状を、開口部２２１の間を繋ぐ直線状またはジグザグ状に固定化できる。そして、各画素１１４間で、エッジ部分のドメインの状態を同じにすることができる。さらに、画素１１４のエッジ近傍の明るさを所望とする程度に低下させることができる。その結果、本発明の第２実施形態の液晶表示素子は、ドメインの形状が各画素１１４間で異なることによるざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えることができる。

実施形態３．
本発明の第３実施形態の液晶表示素子は、ＶＡ型の液晶表示素子であり、フルドット表示方式の液晶表示素子である。

本発明の第３実施形態の液晶表示素子は、各画素をなすセグメント電極に設けられた開口部の配置構造に特徴を有し、それ以外の構造は、上述した本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１と同様の構造を有する。したがって、第３実施形態の液晶表示素子については、第１実施形態の液晶表示素子１０１とは異なる、画素をなすセグメント電極の開口部の配置構造を中心に説明し、その他の基本となる構成の共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１３は、本発明の第３実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。

本発明の第３実施形態の液晶表示素子では、図１３に示すように、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と平行に伸びるセグメント電極３０７に、そのセグメント電極３０７の形成方向と直交する直線状に配列された開口部３２１の列を配置して有する。この開口部３２１は、画素１１４をなすセグメント電極３０７にくり抜き部分として形成することができる。

本発明の第３実施形態の液晶表示素子において、直線状の開口部３２１の列は、セグメント電極３０７の画素１１４を形成する部分に設けられる。開口部３２１は、それぞれ同様の長方形状を有し、その長手方向がセグメント電極３０７の伸びる方向と一致するとともに、隣接する開口部３２１同士の配置間隔が等しくなるように、規則的に配列されている。

そして、図１３に示すように、直線状の開口部３２１の列は、セグメント電極３０７の各画素１１４をなす部分の下方側の端部およびその近傍の領域にそれぞれ設けられることが好ましい。

その結果、開口部３２１の列の、画素１１４内の配置領域としては、各画素１１４の下方側の端部およびその近傍となる。画素１１４の下方側の端部およびその近傍は、画素１１４を構成するコモン電極１０６（図１３中、図示されない。）のエッジの近傍となり、そのエッジからの斜め電界の影響を受ける領域となる。すなわち、開口部３２１の列は、画素１１４を構成する電極エッジの近傍に、そのエッジに沿って直線状に配置される。

上述したように、第３実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の下方側の端部近傍は、図１０に示した、同様構造を有する第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１１４の異常領域１２０ｃの形成位置とほぼ一致する。したがって、第３実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の開口部３２１の列は、コモン電極１０６のエッジ近傍にある、図１０の異常領域１２０ｃと同様の異常領域（図示されない）のセグメント電極３０７に設けられることになる。

本発明の第３実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のコモン電極１０６のエッジ近傍に発生するドメインを、長方形状の開口部３２１の列によって直線状またはジグザグ状に固定化する。

本発明の第３実施形態の液晶表示素子において、開口部３２１は、短手方向の幅が７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、開口部３２１は、短手方向の幅が７μｍ〜１４μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。その幅が７μｍ未満である場合、各開口部３２１により生じる斜め電界の影響が小さくなり、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなるためである。また、２０μｍよりも幅が広いと、開口部３２１によって点灯しない部分が増えるために透過率が低下するからである。

そして、本発明の第３実施形態の液晶表示素子において、上述の開口部３２１の列における隣接する開口部３２１間の配置間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。配置間隔が５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、配置間隔が２５μｍよりも大きいと、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなり、また、開口部３２１による液晶の配向乱れが起こりやすくなるためである。

以上のように、本発明の第３実施形態の液晶表示素子は、画素１１４の下方側のコモン電極１０６のエッジ近傍において、セグメント電極３０７に、直線状に規則的に配置された開口部３２１の列を設ける。第３実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のエッジ部分に、直線状に並べられた開口部３２１を設けることで、ドメインの形状を、開口部３２１の間を繋ぐ直線状またはジグザグ状に固定化できる。そして、各画素１１４間で、エッジ部分のドメインの状態を同じにすることができ、ドメインの形状が各画素１１４間で異なることによるざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えることができる。

実施形態４．
本発明の第４実施形態の液晶表示素子は、ＶＡ型の液晶表示素子であり、フルドット表示方式の液晶表示素子である。

本発明の第４実施形態の液晶表示素子は、各画素をなすセグメント電極に設けられた開口部の配置構造に特徴を有し、それ以外の構造は、上述した本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１と同様の構造を有する。したがって、第４実施形態の液晶表示素子については、第１実施形態の液晶表示素子１０１とは異なる、画素をなすセグメント電極の開口部の配置構造を中心に説明し、その他の基本となる構成の共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１４は、本発明の第４実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。

本発明の第４実施形態の液晶表示素子では、図１４に示すように、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と平行に伸びるセグメント電極４０７に、そのセグメント電極４０７の形成方向と直交する直線状に配列された開口部４２１ａ、４２１ｂの列を配置して有する。この開口部４２１ａ、４２１ｂは、画素１１４をなすセグメント電極４０７にくり抜き部分として形成することができる。

本発明の第４実施形態の液晶表示素子において、直線状の開口部４２１ａ、４２１ｂの列は、セグメント電極４０７の画素１１４を形成する部分に設けられる。開口部４２１ａ、４２１ｂの列は、Ｔ字形状の開口部４２１ａと逆Ｔ字形状の開口部４２１ｂとが交互に配置されて構成され、隣接する開口部４２１ａと開口部４２１ｂとの間の配置間隔が等しくなるように、規則的に形成されている。

尚、逆Ｔ字形状の開口部４２１ｂは、Ｔ字形状の開口部４２１ａを上下逆となるように配置した形状であり、それらは互いに同様のサイズを有する。したがって、開口部４２１ａ、４２１ｂの列は、長方形状に長辺側の側部に凸部を設けてなるＴ字形状の開口部４２１ａを複数用い、その凸部が下方を向くものと、上方を向くものとで交互に並べて構成された列となる。

そして、図１４に示すように、第４実施形態の液晶表示素子において、直線状の開口部４２１ａ、４２１ｂの列は、セグメント電極４０７の各画素１１４をなす部分の下方側の端部およびその近傍の領域にそれぞれ設けられることが好ましい。

その結果、開口部４２１ａ、４２１ｂの列の、画素１１４内の配置領域としては、各画素１１４の下方側の端部およびその近傍となる。画素１１４の下方側の端部およびその近傍は、画素１１４を構成するコモン電極１０６（図１４中、図示されない。）のエッジの近傍となり、そのエッジからの斜め電界の影響を受ける領域となる。すなわち、開口部４２１ａ、４２１ｂの列は、画素１１４を構成する電極エッジの近傍に、そのエッジに沿って直線状に配置される。

上述したように、第４実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の下方側の端部近傍は、図１０に示した、同様構造を有する第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１１４の異常領域１２０ｃの形成位置とほぼ一致する。したがって、第４実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の開口部４２１ａ、４２１ｂの列は、コモン電極１０６のエッジ近傍にある、図１０の異常領域１２０ｃと同様の異常領域（図示されない）のセグメント電極４０７に設けられることになる。

本発明の第４実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のコモン電極１０６のエッジ近傍に発生するドメインを、開口部４２１ａ、４２１ｂの列によって直線状またはジグザグ状に固定化する。

本発明の第４実施形態の液晶表示素子において、開口部４２１ａ、４２１ｂは、それを構成する長方形状および凸部の短手方向の幅（線幅）が７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、開口部４２１ａ、４２１ｂは、その短手方向の幅が７μｍ〜１４μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。その幅が７μｍ未満である場合、各開口部４２１ａ、４２１ｂにより生じる斜め電界の影響が小さくなり、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなるためである。また、２０μｍよりも幅が広いと、開口部４２１ａ、４２１ｂによって点灯しない部分が増えるために透過率が低下するからである。このとき、開口部４２１ａ、４２１ｂの幅は２０μｍ〜６０μｍ、高さは、２０μｍ〜６０μｍとすることが好ましい。このような範囲のサイズを有することで、開口部４２１ａ、４２１ｂは、ドメインの形状を効果的に直線状またはジグザグ状に固定化できる。

そして、本発明の第４実施形態の液晶表示素子において、上述の開口部４２１ａ、４２１ｂの列における隣接する開口部４２１ａと開口部４２１ｂと間の配置間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。配置間隔が５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、配置間隔が２５μｍよりも大きいと、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなり、また、開口部４２１ａ、４２１ｂによる液晶の配向乱れが起こりやすくなるためである。

以上のように、本発明の第４実施形態の液晶表示素子は、画素１１４の下方側のコモン電極１０６のエッジ近傍において、セグメント電極４０７に、直線状に規則的に配置された開口部４２１ａ、４２１ｂの列を設ける。第４実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のエッジ部分に、直線状に並べられた開口部４２１ａ、４２１ｂを設けることで、ドメインの形状を、開口部４２１ａ、４２１ｂの間を繋ぐ直線状またはジグザグ状に固定化できる。そして、各画素１１４間で、エッジ部分のドメインの状態を同じにすることができ、ドメインの形状が各画素１１４間で異なることによるざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えることができる。

実施形態５．
本発明の第５実施形態の液晶表示素子は、ＶＡ型の液晶表示素子であり、フルドット表示方式の液晶表示素子である。

本発明の第５実施形態の液晶表示素子は、各画素をなすセグメント電極に設けられた開口部の配置構造に特徴を有し、それ以外の構造は、上述した本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１と同様の構造を有する。したがって、第５実施形態の液晶表示素子については、第１実施形態の液晶表示素子１０１とは異なる、画素をなすセグメント電極の開口部の配置構造を中心に説明し、その他の基本となる構成の共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１５は、本発明の第５実施形態の液晶表示素子のセグメント電極の構造を模式的に示す図である。

本発明の第５実施形態の液晶表示素子では、図１５に示すように、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と平行に伸びるセグメント電極５０７に、そのセグメント電極５０７の形成方向と直交する直線状に配列された開口部５２１の列を２列配置して有する。この開口部５２１は、画素１１４をなすセグメント電極５０７にくり抜き部分として形成することができる。

本発明の第５実施形態の液晶表示素子において、２列の開口部５２１はそれぞれ、セグメント電極５０７の画素１１４を形成する部分に離間して設けられる。開口部５２１は、長方形状の側部に凸部を設けてなるＴ字形状を有する。２列の開口部５２１は、それらを構成する開口部５２１の形状と配置間隔とが互いに等しくなるように構成されている。

そして、２列の開口部５２１は、Ｔ字形状の開口部５２１の凸部が交互に相対向するように、その列と平行な方向に開口部５２１がずれて配置される。すなわち、２列の開口部５２１では、一方の列の開口部５２１の凸部が、もう一方の列の開口部５２１同士の間の部分と対向するように、互いに開口部５２１をずらして配置されている。

そして、図１５に示すように、２列の開口部５２１は、セグメント電極５０７の各画素１１４をなす部分の下方側の端部およびその近傍の領域にそれぞれ設けられることが好ましい。

その結果、２列の開口部５２１の、画素１１４内の配置領域としては、各画素１１４の下方側の端部およびその近傍となる。画素１１４の下方側の端部およびその近傍は、画素１１４を構成するコモン電極１０６（図１５中、図示されない。）のエッジの近傍となり、そのエッジからの斜め電界の影響を受ける領域となる。すなわち、２列の開口部５２１はそれぞれ、画素１１４を構成する電極エッジの近傍に、そのエッジに沿って直線状に配置される。

上述したように、第５実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の下方側の端部近傍は、図１０に示した、同様構造を有する第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１１４の異常領域１２０ｃの形成位置とほぼ一致する。したがって、第５実施形態の液晶表示素子において、画素１１４の２列の開口部５２１は、コモン電極１０６のエッジ近傍にある、図１０の異常領域１２０ｃと同様の異常領域（図示されない）のセグメント電極５０７に設けられることになる。

本発明の第５実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のコモン電極１０６のエッジ近傍に発生するドメインを、開口部５２１の２つの列によって直線状またはジグザグ状に固定化する。

本発明の第５実施形態の液晶表示素子において、開口部５２１は、幅が７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、開口部５２１は、幅が７μｍ〜１４μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。７μｍ未満である場合、各開口部５２１により生じる斜め電界の影響が小さくなり、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなるためである。また、２０μｍよりも長いと、開口部５２１によって点灯しない部分が増えるために透過率が低下するからである。

本発明の第５実施形態の液晶表示素子において、開口部５２１は、それを構成する長方形状および凸部の短手方向の幅（線幅）が７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、開口部５２１は、その短手方向の幅が７μｍ〜１４μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。その幅が７μｍ未満である場合、各開口部５２１により生じる斜め電界の影響が小さくなり、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなるためである。また、２０μｍよりも幅が広いと、開口部５２１によって点灯しない部分が増えるために透過率が低下するからである。このとき、開口部５２１の幅は２０μｍ〜６０μｍ、高さは、１０μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。このような範囲のサイズを有することで、開口部５２１は、ドメインの形状を効果的に直線状またはジグザグ状に固定化できる。

そして、本発明の第５実施形態の液晶表示素子において、２つの開口部５２１の列において、一方の列の開口部５２１とそれに隣接するもう一方の列の開口部との間の配置間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。配置間隔が５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、配置間隔が２５μｍよりも大きいと、ドメインの形状を、直線状またはジグザグ状に固定化する効果が小さくなり、また、開口部５２１による液晶の配向乱れが起こりやすくなるためである。

２つの開口部５２１の列の間隔は、５μｍ〜２５μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。特に、７μｍ〜２０μｍの範囲内に設定されていることが好ましい。５μｍ未満である場合、断線しやすくなるためである。また、２５μｍよりも長いと、ドメインの形状を、直線状あるいはジグザク状に固定化できる効果が小さくなるからである。

以上のように、本発明の第５実施形態の液晶表示素子は、画素１１４の下方側のコモン電極１０６のエッジ近傍において、セグメント電極５０７に、直線状に規則的に配置された開口部５２１の列を２列、互いに平行かつ離間するように設ける。第５実施形態の液晶表示素子は、画素１１４のエッジ部分に、直線状に並べられたＴ字形状の開口部５２１を、互いの凸部が交互に対向するように、離間して２列設けることで、ドメインの形状を、開口部５２１の間を繋ぐ直線状またはジグザグ状に固定化できる。そして、各画素１１４間で、エッジ部分のドメインの状態を同じにすることができ、ドメインの形状が各画素１１４間で異なることによるざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えることができる。

以下、実施例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

実施例１．
本発明の第１実施例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子であり、図７〜図１１に示した本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１の例である。すなわち、第１実施例の液晶表示素子は、図１１に示した構造のセグメント電極を備える。そして、第１実施例の液晶表示素子は、画素の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶が倒れる側と反対の側に位置する端部の近傍の、ドメインの形成が懸念される領域において、直線状の開口部の列を配置する。その結果、ドメインの形状を固定化し、ざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えるようにする。

本発明の第１実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図９に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１１)は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１２）は１０μｍとした。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ１３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１４）は１０μｍとした。このとき、図１１に示したのと同様の画素の電極構造を実現するため、セグメント電極の所定の部分に、図１１に示したのと同様の大きさ、形状および配置間隔で、電極のくり抜き部分である開口部を形成した。

より具体的には、それぞれがほぼ同じ形状と大きさとなる、一辺の長さが１０μｍの正方形状の複数の開口部を、１０μｍの配置間隔で、セグメント電極の画素形成部分の所定の領域に直線状に配列するように形成した。このとき、開口部の列は、画素形成部分のエッジ部分から２０μｍ離れた位置に、セグメント電極の伸びる方向と直交するように直線状に形成された。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各吸収軸が互いに直交するようにしたが、偏光軸が直交するようにしてもよい。

以上のように作製した第１実施例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。
さらに、後述する第１比較例の液晶表示素子と比べて、第１実施例の液晶表示素子は、各画素のドメイン形状を同じ形状とすることができ、ドメインの形状が各画素間で異なることによるざらつき状の表示ムラは観察されにくくなり、表示品位の低下を抑えることができた。

比較例１．
本発明の第１比較例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子であり、図１〜図４に示した液晶表示素子１の例となる。すなわち、比較例の液晶表示素子は、図１に示した電極構造を備えるとともに、画素に、上述の第１実施例が有するような、開口部の列は形成されていない。

第１比較例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図１に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ２）は１０μｍとした。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ４）は１０μｍとした。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各吸収軸が互いに直交するようにしたが、偏光軸が直交するようにしてもよい。

以上のように作製した第１実施例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。
しかし、第１比較例の液晶表示素子は、画素のエッジ部分に発生したドメインの形状が各画素間で異なっており、ドメインによるざらつき状の表示ムラが観察され、表示品位の著しい低下があった。

実施例２．
本発明の第２実施例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子であり、上述した本発明の第２実施形態の液晶表示素子の例である。すなわち、第２実施例の液晶表示素子は、図１２に示した構造のセグメント電極を備える。そして、第２実施例の液晶表示素子は、画素の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶が倒れる側と反対の側に位置する端部の近傍の、ドメインの形成が懸念される領域において、直線状の開口部の列を２列有する。その結果、ドメインの形状を直線状またはジグザグ状に固定化し、ざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えるようにする。

本発明の第２実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図９に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１１)は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１２）は１０μｍとした。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ１３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１４）は１０μｍとした。このとき、図１２に示したのと同様の画素の電極構造を実現するため、セグメント電極の所定の部分に、図１２に示したのと同様の大きさ、形状および配置間隔で、電極のくり抜き部分である開口部を形成した。

より具体的には、セグメント電極に、そのセグメント電極の伸びる方向と直交する直線状に配列された開口部の列を２列形成した。２列の開口部の列を構成する各開口部は、それぞれがほぼ同じ形状であり、一辺の長さが１０μｍの正方形状を有する。２列の開口部の列における開口部の配置間隔は、開口部の一辺の長さと等しい、１０μｍとした。

そして、２列の開口部の列は、互いの開口部が対向することがないように、セグメント電極上で、それら列の方向と平行な方向に１０μｍずらして配置した。すなわち、２列の開口部の列では、一方の列の開口部が、もう一方の列の開口部間の１０μｍ幅の電極部分と対向するように、互いに開口部をずらして配置した。

２つの開口部の列は一方を画素１１４の下方側のエッジ部分に配置し、もう一方との間の、セグメント電極の伸びる方向と平行な方向の間隔は、１０μｍとした。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各吸収軸が互いに直交するようにしたが、偏光軸が直交するようにしてもよい。

以上のように作製した第２実施例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。
さらに、第１比較例の液晶表示素子と比べて、第２実施例の液晶表示素子は、各画素のドメイン形状を同じ形状とすることができ、さらに、２列設けた開口部の列の効果によって、画素のエッジ部分の明るさを３０％低下させることができた。その結果、ドメインの形状が各画素間で異なることによるざらつき状の表示ムラは観察されにくくなり、表示品位の低下を抑えることができた。

実施例３．
本発明の第３実施例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子であり、上述した本発明の第３実施形態の液晶表示素子の例である。すなわち、第３実施例の液晶表示素子は、図１３に示した構造のセグメント電極を備える。そして、第３実施例の液晶表示素子は、画素の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶が倒れる側と反対の側に位置する端部の近傍の、ドメインの形成が懸念される領域において、直線状に配置された長方形状の開口部の列を有する。その結果、ドメインの形状を直線状またはジグザグ状に固定化し、ざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えるようにする。

本発明の第３実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図９に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１１)は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１２）は１０μｍとした。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ１３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１４）は１０μｍとした。このとき、図１３に示したのと同様の画素の電極構造を実現するため、セグメント電極の所定の部分に、図１３に示したのと同様の大きさ、形状および配置間隔で、電極のくり抜き部分である開口部を形成した。

より具体的には、セグメント電極に、そのセグメント電極の伸びる方向と直交する直線状に配列された、長方形状の開口部の列を形成した。この開口部の列を構成する各開口部は、それぞれがほぼ同じ形状であり、その長辺方向がセグメント電極の伸びる方向と平行に設定された長方形状を有する。各開口部は、長辺（長さ）が３０μｍ、短辺（幅）が１０μｍの長方形状であり、開口部の列における各開口部の配置間隔は１０μｍとした。そして、開口部の列は、画素形成部分のエッジ部分を含む領域に配置された。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各吸収軸が互いに直交するようにしたが、偏光軸が直交するようにしてもよい。

以上のように作製した第３実施例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。
さらに、第１比較例の液晶表示素子と比べて、第３実施例の液晶表示素子は、各画素のドメイン形状を同じ形状とすることができ、さらに、長方形状の開口部の列の効果によって、画素のエッジ部分の明るさを約４５％低下させることができた。その結果、ドメインの形状が各画素間で異なることによるざらつき状の表示ムラは観察されにくくなり、表示品位の低下を抑えることができた。

実施例４．
本発明の第４実施例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子であり、上述した本発明の第４実施形態の液晶表示素子の例である。すなわち、第４実施例の液晶表示素子は、図１４に示した構造のセグメント電極を備える。そして、第４実施例の液晶表示素子は、画素の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶が倒れる側と反対の側に位置する端部の近傍の、ドメインの形成が懸念される領域において、直線状に配置されたＴ字形状の開口部の列を有する。その結果、ドメインの形状を直線状またはジグザグ状に固定化し、ざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えるようにする。

本発明の第４実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図９に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１１)は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１２）は１０μｍとした。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ１３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１４）は１０μｍとした。このとき、図１４に示したのと同様の画素の電極構造を実現するため、セグメント電極の所定の部分に、図１４に示したのと同様の大きさ、形状および配置間隔で、電極のくり抜き部分である開口部を形成した。

より具体的には、セグメント電極に、そのセグメント電極の伸びる方向と直交する直線状に配列された、開口部の列を形成した。開口部は、長方形状に長辺側の側部に凸部を設けてなるＴ字形状を有する。そして、開口部の列を構成する各Ｔ字形状の開口部は、それぞれがほぼ同じ形状である。さらに、この開口部の列は、Ｔ字形状の開口部を上下逆となるように交互に配置して直線状となるように構成される。

各Ｔ字形状の開口部は、それを構成する長方形状および凸部の短手方向の幅（線幅）を１０μｍとした。そして、Ｔ字形状を構成する長方形状の長辺の長さである、開口部の幅を３０μｍとして。また、Ｔ字形状を構成する長方形状の幅に凸部の高さを加えた、開口部の高さは、３０μｍとした。開口部の列における各開口部の配置間隔は１０μｍとした。そして、開口部の列は、画素形成部分のエッジ部分を含む領域に配置された。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各吸収軸が互いに直交するようにしたが、偏光軸が直交するようにしてもよい。

以上のように作製した第４実施例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。
さらに、第１比較例の液晶表示素子と比べて、第４実施例の液晶表示素子は、各画素のドメイン形状を同じ形状とすることができ、さらに、長方形状の開口部の列の効果によって、画素のエッジ部分の明るさを約５０％低下させることができた。その結果、ドメインの形状が各画素間で異なることによるざらつき状の表示ムラは観察されにくくなり、表示品位の低下を抑えることができた。

実施例５．
本発明の第５実施例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子であり、上述した本発明の第５実施形態の液晶表示素子の例である。すなわち、第５実施例の液晶表示素子は、図１５に示した構造のセグメント電極を備える。そして、第５実施例の液晶表示素子は、画素の、液晶配向膜の配向処理の効果によってＯＮ時に液晶が倒れる側と反対の側に位置する端部の近傍の、ドメインの形成が懸念される領域において、直線状の開口部の列を２列有する。その結果、ドメインの形状を直線状またはジグザグ状に固定化し、ざらつき状の表示ムラを観察され難いものとし、表示品位の低下を抑えるようにする。

本発明の第５実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図９に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１１)は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１２）は１０μｍとした。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ１３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ１４）は１０μｍとした。このとき、図１５に示したのと同様の画素の電極構造を実現するため、セグメント電極の所定の部分に、図１５に示したのと同様の大きさ、形状および配置間隔で、電極のくり抜き部分である開口部を形成した。

より具体的には、セグメント電極に、そのセグメント電極の伸びる方向と直交する直線状に配列された開口部の列を２列、離間するように形成した。２列の開口部の列を構成する各開口部は、それぞれがほぼ同じ形状である、開口部は、Ｔ字形状を有し、図の左右方向に伸びる長方形状の長辺の上方側または下方側の一方に、凸部を突設させた形状を有する。そして、２つの開口部の列は、Ｔ字形状の開口部の凸部が交互に相対向するように、その列と平行な方向にずれて配置される。すなわち、２つの開口部の列では、一方の列の開口部の凸部が、もう一方の列の隣接する開口部の間の電極部分と対向するように、互いに開口部をずらして配置されている。

各Ｔ字形状の開口部は、それを構成する長方形状および凸部の短手方向の幅（線幅）を等しく１０μｍとした。そして、Ｔ字形状を構成する長方形状の長辺の長さである、開口部の幅を３０μｍとした。また、Ｔ字形状を構成する長方形状の短辺の長さに凸部の高さを加えたものを開口部の高さとし、その開口部の高さを２０μｍとした。また、１つの開口部の列における、隣接する開口部間の配置間隔は、上述した開口部の幅と等しい３０μｍとした。

そして、一方の開口部の列における開口部と、それに隣接するもう一方の列の開口部との距離は、最も近くなるところで、１０μｍとした。また、２つの開口部の列は一方を画素の下方側のエッジ部分に配置し、もう一方との間で、開口部同士が触れることが無いように、互いに離間して配置した。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各吸収軸が互いに直交するようにしたが、偏光軸が直交するようにしてもよい。

以上のように作製した第５実施例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。

さらに、第１比較例の液晶表示素子と比べて、第２実施例の液晶表示素子は、各画素のドメイン形状を同じ形状とすることができ、さらに、２列設けた開口部の列の効果によって、画素のエッジ部分の明るさを４０％低下させることができた。その結果、ドメインの形状が各画素間で異なることによるざらつき状の表示ムラは観察されにくくなり、表示品位の低下を抑えることができた。

比較例２．
本発明の第２比較例の液晶表示素子は、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶表示素子である。そして、図１に示した液晶表示素子１と同様のコモン電極とセグメント電極の配置構造を有する。
さらに、上述した第１実施例〜第５実施例の液晶表示素子と異なり、コモン電極の画素形成部分に直線状の開口部の配列が形成され、各画素は、セグメント電極の伸びる方向と直交する直線状の開口部の列を有している。

第２比較例となる液晶表示素子は、各画素をなすコモン電極に設けられた開口部の配置構造に特徴を有し、それ以外の構造は、図１に示した液晶表示素子１と同様の構造を有する。したがって、第２比較例の液晶表示素子については、液晶表示素子１とは異なる、画素をなすコモン電極の開口部の配置構造を説明する一方、その他の基本となる構成の共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１６は、本発明の第２比較例となる液晶表示素子のコモン電極の構造を模式的に示す図である。

図１６に示すように、第２比較例の液晶表示素子では、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と垂直に伸びるコモン電極１００２に、そのコモン電極１００２の形成方向と平行な直線状に配列された開口部１０２１の列を配置して有する。この開口部１０２１の列は、配向処理の方向、すなわち、ＯＮ時の液晶の配向方向と垂直になる。そして、開口部１０２１は、画素４をなすコモン電極１００２にくり抜き部分として形成することができる。尚、図１６中、画素４は点線で模式的に表される。

図１６に示すように、開口部１０２１の列は、コモン電極１００２の各画素４をなす部分の下方側の端部近傍の領域に設けられる。
より具体的には、それぞれがほぼ同じ形状と大きさとなる、一辺の長さが１０μｍの正方形状の複数の開口部１０２１を、１０μｍの配置間隔で、コモン電極１００２の画素４の形成部分のエッジ近傍に直線状に配列して形成する。このとき、開口部１０２１の列は、画素４の形成部分のエッジから２０μｍ離れた位置に、コモン電極１００２の伸びる方向と平行となるように直線状に形成する。

そして、図４を用いて液晶表示素子１について説明したように、画素４の下方側の端部近傍は、コモン電極１００２のエッジからの斜め電界の影響を受ける領域となり、第２比較例の液晶表示素子において、ドメインを発生させる異常領域となる。すなわち、第２比較例の液晶表示素子において、画素４の開口部１０２１の列は、ドメインを発生させる異常領域のコモン電極１００２に設けられることになる。

以上のコモン電極１００２の構造を備えた、第２比較例の液晶表示素子は、以下のようにして製造した。

第２比較例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。準備したガラス基板の一方を用いてＩＴＯ膜付きの第１の基板とし、公知の方法でパターニングを行った。そして、図１に示したのと同様の、横方向に伸びる短冊状に形成された複数のコモン電極を有するコモン側基板を製造した。各コモン電極の幅（Ｌ１）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ２）は１０μｍとした。

このとき、図１６に示したコモン電極１００２の構造を実現するように、コモン電極の所定の部分に、上述した大きさ、形状および配置間隔で、開口部１０２１を形成した。

次いで、ガラス基板のもう一方をＩＴＯ膜付きの第２の基板として用い、公知の方法でパターニングして、上下方向に伸びる短冊状に形成された複数のセグメント電極を有するセグメント側基板を製造した。各セグメント電極の幅（Ｌ３）は、３５０μｍとし、線間距離（Ｌ４）は１０μｍとした。

次に、垂直性の液晶配向膜をコモン側基板とセグメント側基板の両方の電極形成面に成膜し、両基板に対し、アンチパラレル（反平行）ラビング処理を施して、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を製造した。そして、ラビング処理済みのコモン側基板とセグメント側基板を用い、液晶を挟持して、フルドット表示方式のＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−２．７のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は８１０ｎｍに設定した。液晶パネルの液晶のプレチルト角は、８９．８°であった。
製造された液晶パネルの各画素は、一辺が３５０μｍの正方形状を有し、線間距離は１０μｍとなる。

次に、製造された液晶パネルを、前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡモードの液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０４５Ｒ６６０Ｎ２−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ＝４５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６６０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、長方形状の液晶パネルの長辺方向を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝４５°になるようにし、Ｒ偏光板の吸収軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝１３５°になるようにした。このような設定をすることで、Ｆ偏光板およびＲ偏光板の吸収軸が、上述したコモン側基板およびセグメント側基板のラビング処理の方向と４５°の角度をなすようになる。

以上のように作製した第２比較例の液晶表示素子を用い、デューティ比１／４８で駆動させてフルドット表示をさせたところ、良好な視認性が得られた。すなわち、ＯＦＦ時には良好な黒色表示が得られ、ＯＮ時には、明るい白色表示が得られた。
しかし、第２比較例の液晶表示素子は、各画素のドメイン形状を同じ形状とする効果が得られず、また、画素のエッジ部分の配向乱れが大きくなり、表示品位の著しい低下があった。

尚、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。

１、１０１ 液晶表示装置
２、１０６、１００２ コモン電極
３、１０７、２０７、３０７、４０７、５０７ セグメント電極
４、１１４ 画素
５、１０４ 液晶層
６、１１６ 液晶
７、８ 斜め電界
９、１１９ 領域
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｃ’、１０ｃ’’、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ 異常領域
１０２ 第１の基板
１０３ 第２の基板
１０５ 液晶パネル
１０８ Ｆ偏光板
１０９ Ｒ偏光板
１１０ バックライト
１１７、１１８ 吸収軸
１２１、２２１、３２１、４２１ａ、４２１ｂ、５２１、１０２１ 開口部

Claims (8)

1. 第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、該第１の電極と直交するように第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極とに挟持され、第３の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極の重なり部分が画素をなす液晶表示素子であって、
   前記第３の方向は、前記第１の方向および前記第２の方向のうちの一方と一致する方向であり、
   前記画素の前記第３の方向と垂直なエッジ近傍の、前記第３の方向と平行に伸びる前記第１の電極および前記第２の電極のうちの一方に、前記第３の方向と直交する直線状に配列された１列の７μｍ〜２０μｍ幅の開口部を有することを特徴とする液晶表示素子。
2. 前記画素は、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧印加によって前記第３の方向に前記液晶が傾斜する第１の領域を有するとともに、前記エッジの近傍に、前記第３の方向と異なる方向に前記液晶が傾斜する第２の領域が形成され、
   前記１列の開口部は、前記第２の領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 前記開口部は、円形状、１つの辺が前記エッジと平行な正方形状、および、７μｍ〜２０μｍ幅の短辺が前記エッジと平行な長方形状のうちのいずれかの形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
4. 第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、該第１の電極と直交するように第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極とに挟持され、第３の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極の重なり部分が画素をなす液晶表示素子であって、
   前記第３の方向は、前記第１の方向および前記第２の方向のうちの一方と一致する方向であり、
   前記画素の前記第３の方向と垂直なエッジ近傍の、前記第３の方向と平行に伸びる前記第１の電極および前記第２の電極のうちの一方に、前記第３の方向と直交する直線状に配列された１列のＴ字形状の開口部を有することを特徴とする液晶表示素子。
5. 第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、該第１の電極と直交するように第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極とに挟持され、第３の方向にプレチルト角を形成して液晶が略垂直配向する液晶層とを有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極の重なり部分が画素をなす液晶表示素子であって、
   前記第３の方向は、前記第１の方向および前記第２の方向のうちの一方と一致する方向であり、
   前記画素の前記第３の方向と垂直なエッジ近傍の、前記第３の方向と平行に伸びる前記第１の電極および前記第２の電極のうちの一方に、前記第３の方向と直交する直線状に配列された２列の開口部を有し、
   前記２列の開口部は、互いの該開口部を対向させないように、該列方向に該開口部がずれて配置されることを特徴とする液晶表示素子。
6. 前記画素は、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧印加によって前記第３の方向に前記液晶が傾斜する第１の領域を有するとともに、前記エッジの近傍に、前記第３の方向と異なる方向に前記液晶が傾斜する第２の領域が形成され、
   前記２列の開口部はそれぞれ、前記第２の領域に配置されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示素子。
7. 前記開口部は、円形状、１つの辺が前記エッジと平行な正方形状、および、長辺が前記エッジと垂直な長方形状のうちのいずれかの形状であることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示素子。
8. 前記開口部は、長方形状の側部に凸部を設けてなるＴ字形状を有し、
   前記２列の開口部は、前記Ｔ字形状の前記開口部の前記凸部が交互に相対向するように該列方向に該開口部がずれて配置されることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示素子。

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