JP2014086699A - 固体撮像装置および撮像システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層22には複数の光電変換部21が配列されており、層間絶縁膜33には、各々が光を反射する複数の反射部32が配列されており、固体撮像装置のレンズ部を経て前記光電変換部21へ入射した光束が、前記半導体層22の表面Cを通過し前記反射部32の反射面Rで反射されて、再び前記表面Cから前記光電変換部21へ入射する光束において、前記光束の前記反射面Rにおける断面積S3が、前記光電変換部21から前記反射部32へ向かう光束の、前記光電変換部21と前記反射部32との間の部分における断面積S2よりも小さく、前記反射部32から前記光電変換部21へ向かう光束の、前記光電変換部21と前記反射部32との間の部分における断面積S4よりも大きくなる構造を有する。
【選択図】図2
Description
第1例は、S1<S2<S3の関係を例示している。即ち、第1例は、集光点Xが光電変換部21の内部に形成される場合を模式的に示している。第2例は、S2<S1かつS2<S3の関係を例示しており、第2例は、集光点Xが光電変換部21と反射部32との間に形成される場合を模式的に示している。即ち、第2例は、中間部333の少なくとも一部においてS2<S1かつS2<S3が成立する場合を示す。第3例は、S1>S2>S3の関係が成り立つ場合のうち、集光点Xが反射部32の表面に形成されるものを模式的に示している。
Claims (10)
- 互いに反対側の面である第1面および第2面を有する半導体層と、前記半導体層の前記第1面の側に設けられた第1領域と、前記半導体層の前記第2面の側に設けられた第2領域と、を備える固体撮像装置であって、
前記半導体層には複数の光電変換部が配列されており、前記第1領域には、各々が光を集束する複数のレンズ部が前記第1面に沿って配列されており、前記第2領域には、各々が光を反射する複数の反射部が前記第1面に沿って配列されており、
前記固体撮像装置は、前記レンズ部を経て前記第1面の側から前記光電変換部へ入射した光束が、前記第2面を通過し前記反射部の反射面で反射されて、前記第2面の側から前記光電変換部へ入射する画素を含み、
前記画素において、前記光束の前記反射面における断面積が、前記光電変換部から前記反射部へ向かう光束の、前記光電変換部と前記反射部との間の部分における断面積よりも小さく、前記反射部から前記光電変換部へ向かう光束の、前記光電変換部と前記反射部との間の部分における断面積よりも大きくなる構造を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記反射部から前記光電変換部へ向かう光束の前記第2面における断面積が前記光電変換部から前記反射部へ向かう光束の前記第2面における断面積よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記反射部から前記光電変換部へ向かう光束の前記第2面における断面積が前記光束の前記反射面における断面積よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記第1領域には赤色光を選択的に透過する赤色光選択部、緑色光を選択的に透過する緑色光選択部、および青色光を選択的に透過する青色光選択部が設けられており、前記光束は、前記赤色光選択部または前記緑色光選択部を経ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記青色光選択部を経た光束が入射する光電変換部を含む画素では、前記半導体層からの距離が前記反射部と等しい金属パターンの面積が前記反射面の面積よりも小さい、または、前記半導体層からの距離が前記反射部と等しい位置に金属パターンが存在しないことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記第1領域は、光を遮光する遮光部を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1領域は、複数の光透過部と、前記光透過部よりも屈折率が低く前記光透過部同士の間に配された低屈折率部と、を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1領域は、波長選択部と、前記波長選択部と前記光電変換部との間に設けられたレンズ部と、をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記反射面は、凹面であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備えることを特徴とする撮像システム。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016163242A1 (ja) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
CN109983580A (zh) * | 2016-12-05 | 2019-07-05 | 凸版印刷株式会社 | 固体拍摄元件 |
JP2020068289A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体チップ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009029429A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatus,. system, and method providing backside illuminated imaging device |
JP2009088415A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
US20100171191A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-08 | Yun-Ki Lee | Image sensor and method of fabricating the same |
JP2010186818A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011054963A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | イメージ・センサ及びその製造方法 |
JP2011091128A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
JP2011146714A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素、該単位画素を備えるバックサイドイルミネーションcmosイメージセンサ及び該単位画素の形成方法 |
-
2012
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009029429A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatus,. system, and method providing backside illuminated imaging device |
JP2009088415A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
US20100171191A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-08 | Yun-Ki Lee | Image sensor and method of fabricating the same |
JP2010186818A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011054963A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | イメージ・センサ及びその製造方法 |
JP2011091128A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
JP2011146714A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素、該単位画素を備えるバックサイドイルミネーションcmosイメージセンサ及び該単位画素の形成方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016163242A1 (ja) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
US11004885B2 (en) | 2015-04-07 | 2021-05-11 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image capture element and electronic device enabled to eliminate asymmetry of a light reception amount |
CN109983580A (zh) * | 2016-12-05 | 2019-07-05 | 凸版印刷株式会社 | 固体拍摄元件 |
EP3550606A4 (en) * | 2016-12-05 | 2019-11-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | SOLID STATE IMAGING ELEMENT |
US10910425B2 (en) | 2016-12-05 | 2021-02-02 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state image sensor |
JP2020068289A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体チップ |
US11843014B2 (en) | 2018-10-24 | 2023-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus having metal portion, imaging system, movable body, and semiconductor chip for stacking |
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Publication number | Publication date |
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