JP2014074698A - Optical defect detection classification method and optical defect detection classification apparatus - Google Patents

Optical defect detection classification method and optical defect detection classification apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical defect detection classification method capable of excluding a defect repaired in a previous step from defects detected in a present step and capable of improving defect detection/classification accuracy.SOLUTION: In the optical defect detection classification method, repaired data of a defect (205) concerned with first processing which is repaired in a previous step A-2 are excluded from defect data of defects (205, 206, 207) detected by optically inspecting an inspection target (L) applied to second processing (B-1) and the defect data left after the exclusion are extracted as defect data of the defects generated in a present step. Consequently second detection of the repaired defect (205) as a defect can be avoided, useless increases in a detection frequency of defects and defect sorts can be suppressed and detection accuracy and classification accuracy of defects can be improved.

Description

この発明は、光学式欠陥検出分類方法および光学式欠陥検出分類装置に関する。   The present invention relates to an optical defect detection and classification method and an optical defect detection and classification apparatus.

従来、液晶表示装置やTFT(薄膜トランジスタ)素子の製造工程において、光学的欠陥検出分類装置が用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an optical defect detection and classification device is used in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a TFT (thin film transistor) element.

この光学的欠陥検出分類装置では、検査対象物としての基板に光を照射して、上記基板からの反射光や透過光を測定し、正常状態における反射光や透過光とのコントラスト比較を行うことによって上記基板上の欠陥を検出し、さらに、上記欠陥のCCD撮像画像の画像特徴量と装置内に格納された各種欠陥の代表画像の画像特徴量とを比較,評価することにより検出した欠陥を自動的に分類している。   In this optical defect detection and classification apparatus, the substrate as the inspection object is irradiated with light, the reflected light or transmitted light from the substrate is measured, and the contrast comparison with the reflected light or transmitted light in a normal state is performed. The defect detected on the substrate is detected by comparing the image feature quantity of the CCD image of the defect with the image feature quantity of the representative image of various defects stored in the apparatus. It is automatically classified.

実際の工場では、上記分類結果を用いて、欠陥の修正および異常工程の早期発見に繋げて、工程歩留り(直行率)の改善に役立てている。   In actual factories, the above classification results are used to correct defects and detect abnormal processes at an early stage, thereby helping to improve process yield (direct rate).

上記光学的欠陥検出分類装置では、正常部と「光学的」に差があるところを欠陥として認識している。   The optical defect detection / classification apparatus recognizes a difference between the normal part and “optical” as a defect.

しかし、前工程において検出した欠陥を修正する場合、レーザ描画/レーザ切断などの手法を用いて、断線部を接続、あるいはリーク部(短絡部)を切断することで電気回路的に修正を行っているが、正常部と同等の外観に仕上げることは困難である。一般的に、上記の光学的欠陥検出分類装置では、正常部と「光学的」に差があるところを欠陥として認識,検出し、検出された欠陥の撮像画像から抽出された画像特徴量により欠陥を分類しているため、上記修正済みの欠陥部は次工程の検査においても欠陥として認識,検出されてしまう。   However, when correcting a defect detected in the previous process, use a technique such as laser drawing / laser cutting to correct the electrical circuit by connecting the disconnected part or cutting the leaked part (short-circuited part). However, it is difficult to achieve the same appearance as the normal part. In general, the optical defect detection and classification apparatus described above recognizes and detects a difference between the "normal" part and the "optical" as a defect, and detects the defect based on the image feature amount extracted from the captured image of the detected defect. Therefore, the corrected defect portion is recognized and detected as a defect in the next process inspection.

つまり、後工程に行けば行くほど、前工程で修正した欠陥の影響を受けて検出欠陥数や欠陥種が増える傾向があり、欠陥の検出精度が低下する可能性があるという問題がある。   That is, there is a problem that, as the process goes to the subsequent process, the number of detected defects and the defect type tend to increase due to the influence of the defect corrected in the previous process, and the defect detection accuracy may decrease.

特開2008−32929号公報JP 2008-32929 A 特開2010−127748号公報JP 2010-127748 A 特開2010−14436号公報JP 2010-14436 A

そこで、この発明の課題は、前工程で修復した欠陥を、後工程で検出した欠陥から除外することができ、欠陥の検出,分類精度を向上できる光学式欠陥検出分類方法および光学式欠陥検出分類装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical defect detection and classification method and an optical defect detection and classification method that can exclude defects repaired in the previous process from defects detected in the subsequent process, and improve defect detection and classification accuracy. To provide an apparatus.

上記課題を解決するため、この発明の光学式欠陥検出分類方法は、現工程において予め定められた処理が行なわれた検査対象物に光を照射し、上記検査対象物での反射光や透過光から上記検査対象物の光学情報を求め、この検査対象物の光学情報と上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報とを比較して、上記検査対象物の欠陥を検出し、
前工程において検出された欠陥を欠陥種別毎に分類した結果に基づいて、上記検出した欠陥の欠陥データから前工程で上記検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出し、
上記現工程で発生した欠陥の欠陥データを、欠陥分類種別毎に分類することを特徴としている。
In order to solve the above problems, an optical defect detection and classification method according to the present invention irradiates light on an inspection object that has been subjected to a predetermined process in the current process, and reflects or transmits light on the inspection object. The optical information of the inspection object is obtained from the optical information of the inspection object, and the optical information of the inspection object is compared with the optical information of the inspection object when the processing is normally performed to detect the defect of the inspection object. ,
Based on the results of classifying the defects detected in the previous process for each defect type, excluding defect data for defects resulting from the processing performed on the inspection object in the previous process from the defect data of the detected defects, The defect data remaining after the exclusion is extracted as defect data for defects that occurred in the current process,
The defect data of defects generated in the current process is classified for each defect classification type.

この発明の欠陥検出分類方法によれば、現工程で検出した欠陥の欠陥データから前工程で検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出するので、前工程で修復済みの欠陥を現工程で再び欠陥として検出することを回避して、欠陥の検出,分類精度を向上できる。   According to the defect detection classification method of the present invention, defect data resulting from the processing performed on the inspection object in the previous process is excluded from the defect data detected in the current process, and the defect data remaining after the exclusion is excluded. Since it is extracted as defect data of a defect that has occurred in the current process, it is possible to avoid detecting a defect that has been repaired in the previous process as a defect again in the current process, and to improve the accuracy of defect detection and classification.

この発明の実施形態の欠陥検出分類装置100の概略的な構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a defect detection and classification apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. 上記欠陥検出分類装置100のブロック図である。2 is a block diagram of the defect detection and classification apparatus 100. FIG. 上記欠陥検出分類装置100でTFT素子の製造工程で発生する欠陥を検出する過程を説明する模式的な工程図である。It is a typical process drawing explaining the process in which the defect which generate | occur | produces in the manufacturing process of a TFT element with the said defect detection classification device 100 is detected. 上記欠陥検出分類装置100でTFT素子の製造工程で発生する欠陥を検出する過程を説明する模式的な工程図である。It is a typical process drawing explaining the process in which the defect which generate | occur | produces in the manufacturing process of a TFT element with the said defect detection classification device 100 is detected. 上記欠陥検出分類装置100でTFT素子の製造工程で発生する欠陥を検出する過程を説明するフローチャートである。5 is a flowchart for explaining a process of detecting defects generated in the TFT element manufacturing process by the defect detection and classification apparatus 100. 図5のフローチャートに続くフローチャートである。It is a flowchart following the flowchart of FIG. 図6のフローチャートに続くフローチャートである。It is a flowchart following the flowchart of FIG.

以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

図1は、この発明の実施形態に係る欠陥検出分類装置100の概略的な構成を示す模式図である。この欠陥検出分類装置100は、バックライト10と、検査台20と、CCDエリアセンサ(以下、「エリアセンサ」と記す)30およびアクチュエータ40を搭載する撮像装置31と、コンピュータ50とを含んで構成される。   FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a defect detection and classification apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. The defect detection and classification apparatus 100 includes a backlight 10, an inspection table 20, an imaging device 31 equipped with a CCD area sensor (hereinafter referred to as “area sensor”) 30 and an actuator 40, and a computer 50. Is done.

上記欠陥検出分類装置100は、TFT(薄膜トランジスタ)素子を作製する基板Lをエリアセンサ30によって複数の撮像位置から撮像し、各撮像位置で撮像された画像データを用いて画素ずらしにより高解像度化画像を生成し、この高解像度化画像に基づいて、基板Lにおける電気的な断線または短絡による欠陥、異物混入による微小な欠陥等を検出するように構成されている。   The defect detection and classification apparatus 100 captures a substrate L on which a TFT (Thin Film Transistor) element is imaged from a plurality of imaging positions by an area sensor 30, and uses a pixel shift using image data captured at each imaging position to increase the resolution. And a defect due to an electrical disconnection or short circuit in the substrate L, a minute defect due to contamination, etc. are detected on the basis of the high resolution image.

上記バックライト10は、光を出射可能な光源を備え、この実施形態では、上方に向かって平面的に光を出射する面光源として構成されている。検査台20は、処理対象物である基板Lが載置される平坦な載置面Sを有する。上記検査台20は、この実施形態では、載置面Sが水平または略水平となるように、上記バックライト10上に取り付けられている。したがって、上記バックライト10を駆動することによって、検査台20に載置された基板Lに対して、下方から光を照射することができる。   The backlight 10 includes a light source that can emit light. In this embodiment, the backlight 10 is configured as a surface light source that emits light in a planar manner upward. The inspection table 20 has a flat placement surface S on which a substrate L as a processing object is placed. In this embodiment, the inspection table 20 is mounted on the backlight 10 so that the placement surface S is horizontal or substantially horizontal. Therefore, by driving the backlight 10, the substrate L placed on the inspection table 20 can be irradiated with light from below.

撮像素子であるエリアセンサ30は、検査台20の上方に、検査台20の載置面Sに対向して配設され、検査台20に載置された基板Lを撮像可能に構成されている。このエリアセンサ30は、コンピュータ50から送信される撮像タイミング制御信号に従って、撮像動作を開始または停止する。また、このエリアセンサ30は、撮像した画像の画像データをコンピュータ50へ出力するように構成されている。   The area sensor 30 serving as an imaging element is disposed above the inspection table 20 so as to face the mounting surface S of the inspection table 20 and is configured to be able to image the substrate L mounted on the inspection table 20. . The area sensor 30 starts or stops the imaging operation according to the imaging timing control signal transmitted from the computer 50. The area sensor 30 is configured to output image data of a captured image to the computer 50.

移動装置であるアクチュエータ40は、検査台20に載置された基板Lとエリアセンサ30との相対的な位置関係を、エリアセンサ30を移動させることによって変化させる。アクチュエータ40は、この実施形態では、エリアセンサ30を、エリアセンサ30における画素の配列方向である第1の方向および第2の方向と、上記第1方向および第2方向に垂直な第3方向に沿って、移動可能に構成されている。上記アクチュエータ40は、コンピュータ50から送信される撮像位置制御信号に従って、エリアセンサ30を所定の位置へ移動させる。   The actuator 40 that is a moving device changes the relative positional relationship between the substrate L placed on the inspection table 20 and the area sensor 30 by moving the area sensor 30. In this embodiment, the actuator 40 moves the area sensor 30 in a first direction and a second direction, which are pixel arrangement directions in the area sensor 30, and a third direction perpendicular to the first direction and the second direction. It is comprised so that movement is possible along. The actuator 40 moves the area sensor 30 to a predetermined position in accordance with an imaging position control signal transmitted from the computer 50.

コンピュータ50は、図2のブロック図に示すように、欠陥検出部61と欠陥抽出部62と欠陥分類部63とを備える。上記欠陥検出部61は記憶部51と検査部52と比較部53とで構成され、上記欠陥抽出部62は抽出部54で構成されている。また、上記欠陥分類部63は、分類部55と分類記憶部56とで構成されている。   As shown in the block diagram of FIG. 2, the computer 50 includes a defect detection unit 61, a defect extraction unit 62, and a defect classification unit 63. The defect detection unit 61 includes a storage unit 51, an inspection unit 52, and a comparison unit 53, and the defect extraction unit 62 includes an extraction unit 54. The defect classification unit 63 includes a classification unit 55 and a classification storage unit 56.

まず、エリアセンサ30により撮像された基板L上に形成されたゲート等のパターン画像データが検査部52に格納される。次に、比較部53において、上記検査部52に格納されたパターン画像データと、予め上記記憶部51に格納されている参照画像データとが比較され、比較結果が評価される。上記参照画像データは、上記基板L上にゲート等が正常に形成された場合の画像データである。   First, pattern image data such as a gate formed on the substrate L imaged by the area sensor 30 is stored in the inspection unit 52. Next, the comparison unit 53 compares the pattern image data stored in the inspection unit 52 with the reference image data stored in advance in the storage unit 51, and evaluates the comparison result. The reference image data is image data when a gate or the like is normally formed on the substrate L.

上記比較部53による画像データ比較の結果、上記比較部53により上記パターン画像データと参照画像データとが異なると判断された場合、上記パターン画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果として、上記比較部53から欠陥抽出部62へ出力される。   When the comparison unit 53 determines that the pattern image data and the reference image data are different from each other as a result of the image data comparison by the comparison unit 53, an image portion different from the reference image data in the pattern image data is defective. The detection result is output from the comparison unit 53 to the defect extraction unit 62.

この欠陥抽出部62の抽出部54は、前工程の修正工程57からの修正実績分類結果に基づき、後述された方法により、前工程の修正済み欠陥データおよび前工程の修正不可欠陥データを上記欠陥検出結果から除外し、現工程における欠陥データのみを抽出して欠陥分類部63に出力する。   The extraction unit 54 of the defect extraction unit 62 converts the defect data of the previous process and the non-correctable defect data of the previous process into the above-described defect based on the correction result classification result from the correction process 57 of the previous process by the method described later. Excluded from the detection result, only the defect data in the current process is extracted and output to the defect classification unit 63.

最後に、欠陥分類部63の分類部55は、抽出部54から入力された現工程における欠陥データと、分類記憶部56に欠陥分類毎に格納された代表画像データとを比較して、上記現工程における欠陥データを最も適した欠陥種に分類し、最終欠陥分類結果として出力する。   Finally, the classification unit 55 of the defect classification unit 63 compares the defect data in the current process input from the extraction unit 54 with the representative image data stored for each defect classification in the classification storage unit 56, and compares the current data. The defect data in the process is classified into the most suitable defect type and output as the final defect classification result.

以下、図3,図4の工程図および図5,図6,図7のフローチャートを参照して、実際に、上記基板L上に最下層としてゲートレイヤを形成,検査,修正する工程(工程A‐1,工程A‐2)、上記基板L上に第1のソースレイヤを形成,検査,修正する工程(工程B‐1,工程B‐2)、上記基板L上に第2のソースレイヤを形成,検査,修正する工程(工程C‐1,工程C‐2)を順に説明しながら、上記実施形態による欠陥検出,分類動作を説明する。なお、実際のTFT素子では、上記ゲートレイヤ,ソースレイヤ以外にも絶縁膜,半導体膜等の多数のレイヤが存在するが、図3では省略している。   Hereinafter, referring to the process diagrams of FIGS. 3 and 4 and the flowcharts of FIGS. 5, 6, and 7, the process of actually forming, inspecting, and correcting the gate layer as the lowest layer on the substrate L (process A) -1, step A-2), forming, inspecting and correcting the first source layer on the substrate L (step B-1, step B-2), and forming the second source layer on the substrate L The defect detection and classification operation according to the above embodiment will be described while sequentially explaining the formation, inspection, and correction processes (process C-1 and process C-2). In an actual TFT element, there are many layers such as an insulating film and a semiconductor film in addition to the gate layer and the source layer, which are omitted in FIG.

まず、ゲートレイヤを形成,検査,修正する工程について説明する。   First, a process for forming, inspecting, and correcting a gate layer will be described.

ステップS1では、上記基板L上に全面スパッタなどでゲートレイヤを成膜し、ステップS2で、フォトリソグラフィとエッチング(ドライエッチングもしくはウエットエッチング)を順に行って、ゲート電極201を形成する(工程A‐1)。   In step S1, a gate layer is formed on the substrate L by sputtering or the like, and in step S2, photolithography and etching (dry etching or wet etching) are sequentially performed to form the gate electrode 201 (step A-). 1).

続いて、ステップS3で、上記撮像装置31のエリアセンサ30によって上記基板Lの上方から基板Lを撮像した画像データを、撮像装置31からコンピュータ50内の検査部52に出力し格納する。さらに、比較部53は、検査部52に格納された上記撮像したパターン画像データと、予め記憶部51に格納されている参照画像データとを比較して、上記パターン画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果つまり欠陥データとして、上記比較部53から欠陥抽出部62へ出力する(工程A‐1)。ここで、上記参照画像データは、基板L上にゲート電極201が正常に形成された場合の参照画像データであり、上記欠陥検出結果である欠陥データは、欠陥部としての断線部203を表している。   Subsequently, in step S <b> 3, image data obtained by imaging the substrate L from above the substrate L by the area sensor 30 of the imaging device 31 is output from the imaging device 31 to the inspection unit 52 in the computer 50 and stored. Further, the comparison unit 53 compares the captured pattern image data stored in the inspection unit 52 with the reference image data stored in advance in the storage unit 51, and compares the reference image in the pattern image data. An image portion different from the data is output from the comparison unit 53 to the defect extraction unit 62 as a defect detection result, that is, defect data (step A-1). Here, the reference image data is reference image data when the gate electrode 201 is normally formed on the substrate L, and the defect data as the defect detection result represents a broken portion 203 as a defect portion. Yes.

上記断線部203を表わす欠陥データは、比較部53から抽出部54へ入力される。この実施形態の一例では、上記ゲートレイヤが最下層であり、ゲート電極201を形成する工程の前工程が存在しない。このため、ステップS4では、抽出部54へ前工程の修正工程57で欠陥を修正した修正実績の分類結果が入力されることはない。よって、ステップS4では、抽出部54は、比較部54からの欠陥データをそのまま欠陥分類部63の分類部55に出力する。   The defect data representing the disconnection unit 203 is input from the comparison unit 53 to the extraction unit 54. In an example of this embodiment, the gate layer is the lowermost layer, and there is no pre-process of the process of forming the gate electrode 201. For this reason, in step S4, the correction result classification result in which the defect is corrected in the correction process 57 of the previous process is not input to the extraction unit 54. Therefore, in step S4, the extraction unit 54 outputs the defect data from the comparison unit 54 to the classification unit 55 of the defect classification unit 63 as it is.

次に、ステップS5に進み、上記欠陥分類部63の分類部55は、上記抽出部54からの欠陥データと、分類記憶部56に格納されている欠陥分類毎の代表画像データとを比較して、上記欠陥データを最終欠陥分類結果として断線部203を表す欠陥種に分類し、この分類の結果、最終欠陥分類結果としてゲート電極201の断線を表す欠陥種データを出力する。
次に、修正工程A‐2では、上記欠陥分類部63が出力する上記欠陥種データに基づいて、レーザ装置(図示せず)等を用いて、上記断線部203に対してレーザ描画等を行い、接続部205を形成する。これにより、ゲート電極201の電気的接続を回復させる(ステップS6)。
In step S5, the classification unit 55 of the defect classification unit 63 compares the defect data from the extraction unit 54 with the representative image data for each defect classification stored in the classification storage unit 56. The defect data is classified into the defect type representing the disconnection portion 203 as the final defect classification result, and the defect type data representing the disconnection of the gate electrode 201 is output as the final defect classification result as a result of this classification.
Next, in the correction step A-2, laser drawing or the like is performed on the disconnected portion 203 using a laser device (not shown) or the like based on the defect type data output from the defect classification unit 63. The connecting portion 205 is formed. Thereby, the electrical connection of the gate electrode 201 is recovered (step S6).

このステップS6(修正工程A‐2)の段階で、個々の上記最終欠陥分類結果に対して、修正工程オペレーターにより、修正種別(修正済み,修正不可,修正不要)が付与され、欠陥修正データ(欠陥座標、修正種別(修正済み,修正不可,修正不要))として、記憶部51に保管される。具体的一例としては、上記ゲート電極201の接続部205に対して、修正種別として「修正済み」が付与される。   At the stage of this step S6 (correction process A-2), the correction type (corrected, uncorrectable, unnecessary correction) is given to each final defect classification result by the correction process operator, and defect correction data ( It is stored in the storage unit 51 as defect coordinates and correction type (corrected, uncorrectable, unneeded correction). As a specific example, “corrected” is assigned to the connection portion 205 of the gate electrode 201 as the correction type.

上記欠陥修正データは、次工程の検査工程B‐1において位置情報比較により重複検出を判断し、重複欠陥を除外するために利用される。   The defect correction data is used for determining duplicate detection by position information comparison and excluding duplicate defects in the next inspection step B-1.

なお、上述の検査工程A‐1において、比較部53が、撮像したパターン画像データと参照画像データとを比較して欠陥を検出する際に、図4の検査工程A−1に示されるように、上乗り異物等のように修正前の洗浄工程(ウェットあるいはドライ洗浄工程)で除去されるような擬欠陥a〜hが存在している場合がある。この場合、上記擬欠陥a〜hは、実際には、修正前の洗浄工程で除去されて、図4の修正工程A‐2での修正時点では上記擬欠陥a〜h自体が消失している。よって、上記擬欠陥a〜hには、修正工程オペレーターにより、修正種別として「修正不要」が付与される。   In the inspection step A-1, the comparison unit 53 compares the captured pattern image data with the reference image data to detect a defect, as shown in the inspection step A-1 in FIG. In some cases, there are pseudo-defects a to h that are removed in a cleaning process (wet or dry cleaning process) before correction, such as a foreign object. In this case, the pseudo defects a to h are actually removed in the cleaning process before the correction, and the pseudo defects a to h themselves disappear at the correction time in the correction process A-2 in FIG. . Therefore, “correction unnecessary” is given to the pseudo defects a to h as the correction type by the correction process operator.

次に、ゲートレイヤ(ゲート電極201)を形成,検査,修正した後に、第1のソースレイヤを形成,検査,修正する工程(工程B‐1,B‐2)について説明する。   Next, a process (process B-1 and B-2) for forming, inspecting, and correcting the first source layer after forming, inspecting, and correcting the gate layer (gate electrode 201) will be described.

まず、ステップS7では、上記基板L上に全面スパッタなどで第1のソースレイヤを成膜し、ステップS8に進んで、フォトリソグラフィとエッチング(ドライエッチングもしくはウエットエッチング)を順に行って、第1のソース電極204を形成する(工程B‐1)。   First, in step S7, a first source layer is formed on the substrate L by sputtering on the entire surface, and the process proceeds to step S8 where photolithography and etching (dry etching or wet etching) are performed in order, and the first source layer is formed. A source electrode 204 is formed (step B-1).

続いて、ステップS9に進み、上記撮像装置31のエリアセンサ30によって、上記基板Lの上方から基板Lを撮像した画像データをコンピュータ50内の検査部52に出力し格納する。さらに、比較部53は、検査部52に格納された上記撮像した画像データと、予め記憶部51に格納されている参照画像データとを比較して、上記画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果つまり欠陥データとして、上記比較部53から欠陥抽出部62へ出力する(工程B‐1)。ここで、上記参照画像データは、基板L上にゲート電極201と第1のソース電極204が正常に形成された場合の参照画像データである。   Subsequently, the process proceeds to step S <b> 9, and image data obtained by imaging the substrate L from above the substrate L is output to the inspection unit 52 in the computer 50 by the area sensor 30 of the imaging device 31 and stored. Further, the comparison unit 53 compares the captured image data stored in the inspection unit 52 with the reference image data stored in advance in the storage unit 51, and compares the reference image data in the image data with the reference image data. Different image portions are output as defect detection results, that is, defect data, from the comparison unit 53 to the defect extraction unit 62 (step B-1). Here, the reference image data is reference image data when the gate electrode 201 and the first source electrode 204 are normally formed on the substrate L.

この工程B‐1のステップS9の段階では、前工程A‐1,A‐2での修正実績の分類結果による重複欠陥の除外処理がまだ行われていない。このため、上記比較部53から欠陥抽出部62へ出力する欠陥データには、この工程B‐1で形成する第1のソースレイヤ(第1のソース電極204)の欠陥データだけでなく、ゲート電極201を形成する前工程A‐2での修正済み欠陥データ、および修正不可欠陥データが含まれている。この実施形態の一例では、この工程B‐1において本来検出すべき第1のソース電極204の欠陥部206,207だけでなく、前工程である工程A−2(ステップS6)で修正した接続部205の画像データをも含んでいることになる。   In step S9 of this process B-1, duplicate defect exclusion processing based on the correction results classification results in the previous processes A-1 and A-2 has not yet been performed. Therefore, the defect data output from the comparison unit 53 to the defect extraction unit 62 includes not only the defect data of the first source layer (first source electrode 204) formed in the step B-1, but also the gate electrode. The defect data corrected in the previous step A-2 and the defect data that cannot be corrected are included. In an example of this embodiment, not only the defective portions 206 and 207 of the first source electrode 204 to be originally detected in this step B-1, but also the connection portion corrected in the previous step A-2 (step S6). 205 image data is also included.

次に、ステップS10に進み、欠陥抽出部62の抽出部54は、前工程A‐2(ゲート電極修正工程)での修正実績の分類結果に基づき、上記比較部53からの欠陥データから前工程での修正済み欠陥データおよび修正不可欠陥データを除外し、現工程における欠陥データのみを抽出する。具体的には、上記抽出部54は、上述の第1のソース電極204の欠陥部206,207および前工程である工程A−2(ステップS6)で修正した接続部205のうち、前工程の修正済み欠陥である接続部205を除外し、第1のソース電極204の欠陥部206,207のみを欠陥分類部63に出力する(工程B‐1)。   Next, proceeding to step S10, the extraction unit 54 of the defect extraction unit 62 determines the previous process from the defect data from the comparison unit 53 based on the classification result of the correction results in the previous process A-2 (gate electrode correction process). The corrected defect data and the non-correctable defect data are excluded, and only defect data in the current process is extracted. Specifically, the extraction unit 54 includes the defective portions 206 and 207 of the first source electrode 204 and the connection portion 205 corrected in the previous step A-2 (step S6). The connection part 205 which is a corrected defect is excluded, and only the defect parts 206 and 207 of the first source electrode 204 are output to the defect classification part 63 (step B-1).

次に、ステップS11に進み、欠陥分類部63の分類部55は、上記抽出部54からの欠陥データと、上記分類記憶部56に格納されている欠陥分類毎の代表画像データとを比較して、上記欠陥データを最終欠陥分類結果として、断線部206とリーク部207を表す欠陥種データを出力する(工程B‐1)。   In step S11, the classification unit 55 of the defect classification unit 63 compares the defect data from the extraction unit 54 with the representative image data for each defect classification stored in the classification storage unit 56. Then, using the defect data as a final defect classification result, defect type data representing the disconnection portion 206 and the leak portion 207 is output (step B-1).

次に、ステップS12では、上記分類部55が出力する欠陥種データに基づいて、レーザ装置(図示せず)等を用いて、上記断線部206に対してレーザ描画等を行って接続部208を形成し、上記リーク部207に対してレーザ加工を行って短絡部分を切断してリーク修復部209を形成する。これにより、上記断線部206,リーク部207をそれぞれ電気的に修復する(工程B−2)。   Next, in step S12, based on the defect type data output from the classification unit 55, a laser device (not shown) or the like is used to perform laser drawing or the like on the disconnection unit 206 to connect the connection unit 208. Then, laser processing is performed on the leak portion 207 to cut the short-circuit portion, thereby forming the leak repair portion 209. Thereby, the disconnection part 206 and the leak part 207 are each electrically repaired (step B-2).

また、このステップS12(工程B‐2)において、上記接続部208,リーク修復部209に対して、修正工程オペレーターにより修正種別として「修正済み」が付与される。   In step S12 (process B-2), “corrected” is assigned as the correction type by the correction process operator to the connection unit 208 and the leak repair unit 209.

次に、ステップS13に進み、ゲート電極201,第1のソース電極204を形成,検査,修正した後に、第2のソース電極211を形成,検査,修正する工程(工程C‐1,C‐2)について説明する。   Next, the process proceeds to step S13, and after forming, inspecting, and correcting the gate electrode 201 and the first source electrode 204, a process of forming, inspecting, and correcting the second source electrode 211 (process C-1, C-2) ) Will be described.

まず、ステップS13では、上記基板L上に全面スパッタなどで第2のソースレイヤを成膜し、ステップS14に進んで、フォトリソグラフィとエッチング(ドライエッチングもしくはウエットエッチング)を順に行って、第2のソース電極211を形成する(工程C‐1)。   First, in step S13, a second source layer is formed on the substrate L by sputtering or the like, and the process proceeds to step S14, where photolithography and etching (dry etching or wet etching) are performed in order, and the second source layer is formed. A source electrode 211 is formed (step C-1).

続いて、ステップS15に進み、上記撮像装置31のエリアセンサ30によって、上記基板Lの上方から基板Lを撮像した画像データをコンピュータ50内の検査部52に出力し格納する。さらに、比較部53は、検査部52に格納された上記撮像した画像データと、予め記憶部51に格納されている参照画像データとを比較して、上記画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果つまり欠陥データとして、上記比較部53から欠陥抽出部62へ出力する(工程C‐1)。ここで、上記参照画像データは、基板L上にゲート電極201と第1のソース電極204と第2のソース電極211とが正常に形成された場合の参照画像データである。   In step S15, the area sensor 30 of the imaging device 31 outputs and stores image data obtained by imaging the substrate L from above the substrate L to the inspection unit 52 in the computer 50. Further, the comparison unit 53 compares the captured image data stored in the inspection unit 52 with the reference image data stored in advance in the storage unit 51, and compares the reference image data in the image data with the reference image data. Different image portions are output as defect detection results, that is, defect data, from the comparison unit 53 to the defect extraction unit 62 (step C-1). Here, the reference image data is reference image data when the gate electrode 201, the first source electrode 204, and the second source electrode 211 are normally formed on the substrate L.

この工程C‐1のステップS15の段階では、前工程A‐1,A‐2とB‐1,B‐2での修正実績の分類結果による重複欠陥の除外処理がまだ行われていない。このため、上記比較部53から欠陥抽出部62へ出力する欠陥データには、この工程C‐1で形成する第2のソースレイヤ(第2のソース電極211)の欠陥データだけでなく、ゲート電極201を形成する前工程A‐1と第1のソース電極204を形成する前工程B‐1での修正済み欠陥データ、および修正不可欠陥データが含まれている。この実施形態の一例では、この工程C‐1において本来検出すべき第2のソース電極211の欠陥部211だけでなく、前工程である工程A−2(ステップS6)で修正した接続部205と工程B‐2(ステップS12)で修正した接続部208,リーク修復部209の画像データをも含んでいることになる。   In step S15 of the process C-1, duplicate defect exclusion processing based on the correction result classification results in the previous processes A-1, A-2 and B-1, B-2 has not yet been performed. Therefore, the defect data output from the comparison unit 53 to the defect extraction unit 62 includes not only the defect data of the second source layer (second source electrode 211) formed in this step C-1, but also the gate electrode. The corrected defect data and the uncorrectable defect data in the pre-process A-1 for forming 201 and the pre-process B-1 for forming the first source electrode 204 are included. In an example of this embodiment, not only the defective portion 211 of the second source electrode 211 that should be originally detected in the step C-1, but also the connecting portion 205 corrected in the previous step A-2 (step S6) The image data of the connection unit 208 and the leak repair unit 209 corrected in the process B-2 (step S12) is also included.

次に、ステップS16に進み、欠陥抽出部62の抽出部54は、前工程A‐2(ゲート電極修正工程),B‐2(第1のソース電極修正工程)での修正実績の分類結果に基づき、上記比較部53からの欠陥データから前工程での修正済み欠陥および修正不可欠陥データを除外し、現工程における欠陥データのみを抽出する。具体的には、上記抽出部54は、上述の第2のソース電極211の欠陥部212および前工程である工程A−2(ステップS6)で修正した接続部205および工程B‐2(ステップS12)で修正した接続部208,リーク修復部209のうち、前工程の修正済み欠陥である接続部205,208,リーク修復部209を除外し、第2のソース電極211の欠陥部212のみを欠陥分類部63に出力する(工程C‐1)。   Next, proceeding to step S16, the extraction unit 54 of the defect extraction unit 62 determines the correction results in the previous process A-2 (gate electrode correction process) and B-2 (first source electrode correction process). Based on the defect data from the comparison unit 53, the corrected defect data and the non-correctable defect data in the previous process are excluded, and only the defect data in the current process is extracted. Specifically, the extraction unit 54 includes the defect part 212 of the second source electrode 211 and the connection part 205 and the process B-2 (step S12) corrected in the previous process A-2 (step S6). ), The connection parts 205 and 208 and the leak repair part 209 which are the corrected defects in the previous process are excluded from the connection part 208 and the leak repair part 209 corrected in step), and only the defect part 212 of the second source electrode 211 is defective. It outputs to the classification | category part 63 (process C-1).

次に、ステップS17に進み、欠陥分類部63の分類部55は、上記抽出部54からの欠陥データと、上記分類記憶部56に格納されている欠陥分類毎の代表画像データとを比較して、上記欠陥データを最終欠陥分類結果として、断線部212を表す欠陥種データを出力する(工程C‐1)。   In step S17, the classification unit 55 of the defect classification unit 63 compares the defect data from the extraction unit 54 with the representative image data for each defect classification stored in the classification storage unit 56. Then, using the defect data as a final defect classification result, defect type data representing the disconnection portion 212 is output (step C-1).

次に、ステップS18では、上記分類部55が出力する欠陥種データに基づいて、レーザ装置(図示せず)等を用いて、上記断線部212に対してレーザ描画等を行って接続部213を形成する。これにより、上記断線部212を修復する(工程C−2)。   Next, in step S18, based on the defect type data output from the classification unit 55, laser connection or the like is performed on the disconnection unit 212 using a laser device (not shown) or the like to connect the connection unit 213. Form. Thereby, the said disconnection part 212 is repaired (process C-2).

また、このステップS18(工程C‐2)において、上記接続部213に対して、修正工程オペレーターにより修正種別として「修正済み」が付与される。   In step S18 (process C-2), “corrected” is assigned to the connection unit 213 as the correction type by the correction process operator.

このように、この実施形態の欠陥検出装置100によれば、欠陥抽出部62によって、比較部53から入力される欠陥検出結果(欠陥データ)と前工程の修正実績の分類結果とを比較,参照する。これにより、欠陥抽出部62は、前工程において修復した修復部や修復不可と分類された欠陥に起因する欠陥データを除外して、現工程での欠陥データのみを出力できる。よって、欠陥検出数や欠陥種が無用に増大することを抑制して、欠陥の検出精度,分類精度を向上させることができる。   As described above, according to the defect detection apparatus 100 of this embodiment, the defect extraction unit 62 compares and refers to the defect detection result (defect data) input from the comparison unit 53 and the classification result of the correction results of the previous process. To do. As a result, the defect extraction unit 62 can output only defect data in the current process, excluding defect data caused by a repaired part repaired in the previous process or a defect classified as unrepairable. Therefore, it is possible to improve the defect detection accuracy and classification accuracy by suppressing the number of defect detections and defect types from increasing unnecessarily.

尚、上記実施形態では、バックライト10による透過光を用いて欠陥検出,撮像する構成としたが、TFT素子の製造工程のように複数のレイヤが積層されるデバイスの場合、必要に応じて反射光(落射光)と透過光を使い分けてもよく、主に反射光(落射光)を用いて欠陥検出,撮像する構成としてもよい。   In the above embodiment, the defect is detected and imaged using the light transmitted by the backlight 10, but in the case of a device in which a plurality of layers are stacked as in the TFT element manufacturing process, reflection is performed as necessary. Light (incident light) and transmitted light may be selectively used, and a configuration may be adopted in which defect detection and imaging are mainly performed using reflected light (epiped light).

また、上記実施形態では、ステップS3,S9,S15において、比較部53は、撮像した画像データと正常部の参照画像データとを比較することによって欠陥検出を行ったが、被検査物がTFT素子のように周期的繰返しパターンで構成される物の場合、基本的に基板上に形成されるパターンの大部分が正常部であることを考慮すると、次のようにして、欠陥を検出してもよい。すなわち、エリアセンサ30で基板Lの表面を撮像した画像データを内部処理して、検査の対象とする位置の画像データと、この位置から繰返し周期のn倍(nは自然数)分離れた周辺部分の画像データとを比較し、この周辺部分の画像データと異なる位置の画像データについて欠陥と判定することも可能である。この場合、上記参照画像(正常部)を事前に撮影して、記憶部51に事前に格納しておくことは必ずしも必要ではない。   In the above embodiment, in steps S3, S9, and S15, the comparison unit 53 performs defect detection by comparing the captured image data with the reference image data of the normal part. However, the inspection object is a TFT element. In the case of an object composed of a periodic repetitive pattern like this, even if a defect is detected as follows, considering that most of the pattern formed on the substrate is basically a normal part. Good. That is, the image data obtained by imaging the surface of the substrate L by the area sensor 30 is internally processed, and the image data at the position to be inspected and the peripheral portion separated from this position by n times the repetition period (n is a natural number) It is also possible to determine that the image data at a position different from the image data of the peripheral portion is a defect. In this case, it is not always necessary to capture the reference image (normal part) in advance and store it in the storage unit 51 in advance.

また、上記実施形態では、TFT素子の製造工程における欠陥を検出する欠陥検出装置について説明したが、本発明は、液晶パネル、カラーフィルタなどの製造工程等にも適用可能であり、一般的に複数の工程により製造され、或る工程で修復した欠陥修復部分が後工程での欠陥検出時に検出される可能性がある製造工程に適用することができる。   In the above embodiment, the defect detection apparatus for detecting defects in the TFT element manufacturing process has been described. However, the present invention can also be applied to a manufacturing process of a liquid crystal panel, a color filter, etc. The present invention can be applied to a manufacturing process in which a defect repaired part manufactured by the above process and repaired in a certain process may be detected when a defect is detected in a subsequent process.

10 バックライト
20 検査台
30 エリアセンサ
31 撮像装置
40 アクチュエータ
50 コンピュータ
51 記憶部
52 検査部
53 比較部
54 抽出部
55 分類部
56 分類記憶部
61 欠陥検出部
62 欠陥抽出部
63 欠陥分類部
100 欠陥検出分類装置
201 ゲート電極
203,206,212 断線部
204 第1のソース電極
205,208,213 接続部
207 リーク部
209 リーク修復部
211 第2のソース電極
L 基板
S 載置面
a〜h 異物(擬欠陥)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Backlight 20 Inspection stand 30 Area sensor 31 Imaging device 40 Actuator 50 Computer 51 Storage part 52 Inspection part 53 Comparison part 54 Extraction part 55 Classification part 56 Classification storage part 61 Defect detection part 62 Defect extraction part 63 Defect classification part 100 Defect detection Classification device 201 Gate electrodes 203, 206, 212 Disconnected portion 204 First source electrodes 205, 208, 213 Connection portion 207 Leak portion 209 Leak repair portion 211 Second source electrode L Substrate S Placement surface a to h Foreign matter (pseudo) defect)

Claims (4)

現工程において予め定められた処理が行なわれた検査対象物に光を照射し、上記検査対象物での反射光や透過光から上記検査対象物の光学情報を求め、この検査対象物の光学情報と上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報とを比較して、上記検査対象物の欠陥を検出し、
前工程において検出された欠陥を欠陥種別毎に分類した結果に基づいて、上記検出した欠陥の欠陥データから、前工程で上記検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出し、
上記現工程で発生した欠陥の欠陥データを、欠陥分類種別毎に分類することを特徴とする光学式欠陥検出分類方法。
The inspection object that has been subjected to a predetermined process in the current process is irradiated with light, optical information of the inspection object is obtained from reflected light or transmitted light from the inspection object, and optical information of the inspection object And the optical information of the inspection object when the above processing is normally performed, and the defect of the inspection object is detected,
Based on the result of classifying the defects detected in the previous process for each defect type, the defect data of the defects caused by the processing performed on the inspection object in the previous process is excluded from the defect data of the detected defects. , The defect data remaining after the exclusion is extracted as defect data of defects that occurred in the current process,
An optical defect detection and classification method, wherein defect data of defects generated in the current process is classified for each defect classification type.
請求項1に記載の光学式欠陥検出分類方法において、
上記前工程において検出された欠陥の欠陥データを、既に修正された欠陥の修正済み欠陥データと、修正不可であった欠陥の修正不可欠陥データと、修正不要であった修正不要欠陥データとに分類し、
上記現工程で検出した欠陥の欠陥データから、上記修正済み欠陥データと上記修正不可欠陥データとを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出することを特徴とする光学式欠陥検出分類方法。
The optical defect detection and classification method according to claim 1,
The defect data of the defects detected in the previous process are classified into corrected defect data of already corrected defects, uncorrectable defect data of defects that could not be corrected, and correction-unnecessary defect data that did not require correction. And
Excluding the corrected defect data and the non-correctable defect data from the defect data of the defect detected in the current process, and extracting the defect data remaining after the exclusion as the defect data of the defect generated in the current process A characteristic optical defect detection and classification method.
請求項1または2に記載の光学式欠陥検出分類方法において、
上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報は、予め記憶部に格納されていることを特徴とする光学式欠陥検出分類方法。
The optical defect detection and classification method according to claim 1 or 2,
An optical defect detection and classification method, wherein optical information of an inspection object when the above processing is normally performed is stored in a storage unit in advance.
現工程において予め定められた処理が行なわれた検査対象物に光を照射し、上記検査対象物での反射光や透過光から上記検査対象物の光学情報を求め、この検査対象物の光学情報と上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報とを比較して、上記検査対象物の欠陥を検出し、上記欠陥の欠陥データを出力する欠陥検出部と、
上記欠陥検出部から上記欠陥データが入力され、前工程において検出された欠陥を欠陥種別毎に分類した結果に基づいて、上記検出した欠陥の欠陥データから前工程で上記検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出して出力する欠陥抽出部と、
上記欠陥抽出部から上記現工程で発生した欠陥の欠陥データが入力され、この欠陥データを欠陥分類種別毎に分類して出力する欠陥分類部と
を備えたことを特徴とする光学式欠陥検出分類装置。
The inspection object that has been subjected to a predetermined process in the current process is irradiated with light, optical information of the inspection object is obtained from reflected light or transmitted light from the inspection object, and optical information of the inspection object And the optical information of the inspection object when the above processing is performed normally, detect the defect of the inspection object, and output the defect data of the defect,
The processing performed on the inspection object in the previous process from the defect data of the detected defect based on the result of classifying the defects detected in the previous process for each defect type when the defect data is input from the defect detection unit A defect extraction unit that excludes defect data due to defects, extracts defect data remaining after exclusion as defect data of defects generated in the current process, and outputs the defect data;
An optical defect detection classification comprising: a defect classification unit for inputting defect data of defects generated in the current process from the defect extraction unit, and classifying and outputting the defect data for each defect classification type apparatus.
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