JP2014067950A - 表面加工装置、表面加工方法および流量制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】少量の流量でも反応ガスを安定して制御できる表面加工装置を提供する。
【解決手段】表面加工装置１は、表面加工がなされる基板８を載置するための載置部７と、反応ガスＧ（主ガスｇ１）を供給するガス供給部２と、ガス供給部２からの主ガスｇ１を誘導する流路３と、流路３に設けられ主ガスｇ１の流量を調整して調整ガスｇ２としてノズル群５へ供給する流量調整機構４と、ノズル群５を構成し複数に分岐して導入される調整ガスｇ２を供給ガスｇ３として載置部７へ供給する複数のノズルｎ１〜ｎ１０と、載置部７とノズルｎ１〜ｎ１０とを相対的に移動させる移動部９と、を備え、流量調整機構４は、開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう、ことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、反応ガス等を用いてエッチング等の表面加工を行なう表面加工装置、この装置を用いた表面加工方法、および当該反応ガス等の流量を制御するための流量制御装置に関する。

従来、エッチング等の表面加工の方法としては、例えば、特許文献１に示すように、振動子チップの製造に用いる水晶ウエハへ、吹出しノズルから反応ガスを吹き付けて、水晶ウエハを局部的にエッチングする方法が開示されている。この方法によれば、吹出しノズルから吹出した反応ガスを、吹出しノズルの周囲において吸引していて、吸引する量によって吹出しノズルから吹出された反応ガスの広がり具合を調整することが可能である。このような表面加工方法は、反応ガスの吸引量を多くすると反応ガスの広がりが抑制されて振動子チップへのエッチング面積を狭くでき、反応ガスの吸引量を少なくすると反応ガスが広がって水晶ウエハへのエッチング面積を広くすることができ、エッチング面積を容易に制御することが可能である。これにより、高価で大型の真空装置を用いることや、真空プラズマによるエッチングのように、エッチングをしない部分のマスク処理をすること等の必要がなく、簡便且つ簡素な工程によって水晶ウエハへのエッチング加工が行なえる。

また、反応ガスの制御については、特許文献１に示す以外に、例えば、流れてくる反応ガス流量をセンサー管へ分流して測定し、その結果に基づくデジタル信号によってバルブの開閉を行い、流量を調整する装置であるマスフローコントローラーが特許文献２に開示されている。そして、特許文献３には、混合ガスを生成するための複数のガス供給源にバルブが設けられていて、これらバルブをデジタル的に開閉して所定の混合比の混合ガスを反応ガスとして生成する制御装置が、気相成長装置に搭載された形態として開示されている。

特開平１１−３０８０６５号公報 特開平７−３８５４７号公報 特開２０１１−１９２７２７号公報

しかし、近年の小型化された振動子チップのように、より微細な加工が必要となる場合では、反応ガスを極めて少量の流量となるよう正確に制御してエッチング加工をする必要がある。ここで、特許文献１の方法における吸引量の調整では、そのような微量の流量調整が難しい、という課題があった。また、特許文献２，３の装置におけるようなバルブの単なる開閉では、極めて少量の流量となるように反応ガスを制御することが困難である、という課題があった。さらに、特許文献２におけるマスフローコントローラーは、バルブに加えセンサー管等が必要なため装置の小型化に限界があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る表面加工装置は、表面加工がなされる被加工物を載置する載置部と、反応ガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部からの前記反応ガスを誘導する流路と、前記流路に設けられ前記反応ガスの流量を調整する流量調整機構と、前記流量調整機構で流量調整された前記反応ガスを前記載置部または前記被加工物へ供給する複数のノズルと、前記載置部と前記ノズルとを相対的に移動させる移動部と、を備え、前記流量調整機構は、開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう、ことを特徴とする。

本適用例の表面加工装置によれば、ガス供給部から流路を介して誘導された反応ガスは、複数のノズルに分岐し、分岐したそれぞれのノズルから載置部へ吹き出す形態等で供給される。表面加工時には、載置部に被加工物が載置されていて、当該被加工物が反応ガスにより表面加工される。この表面加工装置は、流路に流量調整機構を有していて、流量調整機構により流量調整がなされた反応ガスは、複数のノズルから載置部へそれぞれ供給される。つまり、表面加工装置は、被加工物とノズルとが等距離であれば載置部に載置される被加工物に対し、各ノズルからの反応ガスによる表面加工が均一となり、被加工物とノズルとが相対移動することにより被加工物の全面を均一に表面加工すること等が可能である。ここで、流量調整機構は開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なうが、「開状態と閉状態とを交互に繰り返して」とは、開閉弁を開状態または閉状態の二値の状態に設定して、所定時間の開状態と所定時間の閉状態とを交互に繰り返すことである。この場合、開状態と閉状態との組み合わせは、全開と全閉の他、全開と半開、半開と全閉等のように多様な組合せが可能である。また、開閉弁における二値それぞれの所定時間を短時間にすれば、反応ガスを極めて少量の流量となるように制御することが可能であると共に、ガス流の脈動等を抑制して安定した流量調整が行なえる。さらに、表面加工装置は、反応ガスがガス供給部から一定量供給される方式であり、従来のように、供給量を測定しその結果に基づいて流量調整を行なう方式ではないため、反応ガスを分流して供給量を測定するセンサー管等が不要となり、複数のノズルを有するマルチノズル構成でありながらも小型化に対応することが可能である。

［適用例２］本適用例の表面加工装置は、表面加工がなされる被加工物を載置する載置部と、反応ガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部からの前記反応ガスを誘導する流路と、前記流路から分岐し前記反応ガスを前記載置部または前記被加工物へ供給する複数のノズルと、前記ノズル毎に設けられ前記反応ガスの流量を個別に調整する流量調整機構と、前記載置部と前記ノズルとを相対的に移動させる移動部と、を備え、前記流量調整機構は、それぞれの開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう、ことを特徴とする。

本適用例の表面加工装置によれば、ガス供給部から流路を介して誘導された反応ガスは、複数のノズルに分岐し、分岐したそれぞれのノズルから載置部へ吹き出す形態等で供給される。表面加工時には、載置部に被加工物が載置されていて、当該被加工物が反応ガスにより表面加工される。この表面加工装置は、流路から分岐した複数のノズルの全部または一部が流量調整機構を有していて、流量調整機構により流量調整がなされた反応ガスをノズル毎に個別の流量で載置部へ供給すること等が可能である。ここで、流量調整機構は開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なうが、「開状態と閉状態とを交互に繰り返して」とは、例えば、流量調整機構を開状態または閉状態の二値の状態に設定して、所定時間の開状態と所定時間の閉状態とを交互に繰り返すことである。この場合、開状態と閉状態との組み合わせは、全開と全閉の他、全開と半開、半開と全閉等のように多様な組合せが可能である。また、流量調整機構における二値それぞれの所定時間を短時間にすれば、反応ガスを極めて少量の流量となるように制御することが可能であると共に、ガス流の脈動等を抑制して安定した流量調整が行なえる。また、一例としての表面加工装置であるエッチング装置では、ノズル毎に反応ガスの流量を変えれば、載置部に載置される被加工物に対し、各ノズルからの反応ガスによるエッチング量が異なることになり、被加工物とノズルとが相対移動することにより被加工物の表面を凹凸状となるようにエッチング加工すること等が可能である。逆に、表面が凹凸状の被加工物を、均一な平面状にすることも可能である。さらに、エッチング装置は、反応ガスがガス供給部から一定量供給される方式であり、従来のように、供給量を測定しその結果に基づいて流量調整を行なう方式ではないため、反応ガスを分留して供給量を測定するセンサー管等が不要となり、複数のノズルを有するマルチノズル構成でありながらも小型化に対応することが可能である。

［適用例３］上記適用例に記載の表面加工装置において、前記ノズルは、前記載置部と前記ノズルとの相対的な移動方向と直交する方向に対して傾きをなして設けられている、ことが好ましい。

この構成によれば、ノズルから載置部へ供給される反応ガスは、載置部に対して斜めに傾いた方向から吹き付ける状態等で供給される。このように載置部に対して傾きをなして供給された反応ガスは、表面加工時に載置部に載置されている被加工物と反応して表面を加工をした後、反応生成物とともに加工部位からスムーズに排除される。これにより、反応後の反応ガスや反応生成物等が表面加工部位に滞留して、表面加工の妨げになること等がなくなり、確実な表面加工が行なえる。

［適用例４］本適用例に係る表面加工方法は、被加工物を載置部へ載置する載置手段と、ガス供給部からの反応ガスを流路および前記流路から分岐する複数のノズルを介して前記載置部または前記被加工物へ誘導するガス誘導手段と、前記流路に設けられた流量調整機構が開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう流量調整手段と、前記載置部と前記ノズルとを相対的に移動させる移動手段と、を備えていることを特徴とする。

本適用例の表面加工方法によれば、まず、載置手段で表面加工装置の載置部に表面加工される被加工物が載置され、ガス誘導手段でガス供給部から流路を介して誘導された反応ガスが複数のノズルに分岐される。そして、流量調整手段では、流量調整機構が流路に設けられている形態または複数のノズルのそれぞれに設けられている形態のいずれかであって、いずれかに設けられた流量調整機構によって流量調整された反応ガスが、被加工物へ吹き出す形態等で供給され、被加工物の表面加工が行われる。この表面加工時には、移動手段として載置部の被加工物とノズルとが相対的に移動するようになっている。ここで、流量調整手段における流量調整機構は、開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なうが、「開状態と閉状態とを交互に繰り返して」とは、例えば、開閉弁を開状態または閉状態の二値の状態に設定して、所定時間の開状態と所定時間の閉状態とを交互に繰り返すことである。この場合、二値は、全開と全閉との組み合わせの他、全開と半開、半開と全閉等のように多様な組合せが可能である。また、流量調整機構における二値それぞれの所定時間を短時間にすれば、反応ガスを極めて少量の流量となるように制御することが可能であると共に、ガス流の脈動等を抑制して安定した流量調整が行なえる。このような表面加工方法において、流量調整機構が流路に設けられている場合、流量調整機構により流量調整がなされた反応ガスは、複数のノズルから載置部へそれぞれ供給される。つまり、被加工物とノズルとが等距離であれば、載置部に載置されている被加工物に対し、各ノズルからの反応ガスによるエッチング等の表面加工が均一となり、被加工物とノズルとが相対移動することにより被加工物の全面を均一にエッチング等の表面加工すること等が可能である。あるいは、流量調整機構がノズルの全部または一部に設けられている場合、各ノズル毎に流量調整機構による反応ガスの流量を変えれば、載置部に載置されている被加工物に対し、各ノズルからの反応ガスによるエッチング等の表面加工量が異なることになり、被加工物とノズルとが相対移動することにより被加工物の表面を凹凸状となるようにエッチング等の表面加工すること等が可能である。逆に、表面が凹凸状の被加工物を、均一な平面状にすることも可能である。さらに、このエッチング等の表面加工方法によれば、反応ガスがガス供給部から一定量供給される方法であり、従来のように、供給量を測定しその結果に基づいて流量調整を行なう方式ではないため、反応ガスを分留して供給量を測定するセンサー管等が不要となり、複数のノズルを有するマルチノズル構成でありながらも表面加工装置の小型化に対応することが可能である。

［適用例５］上記適用例に記載の表面加工方法において、前記流量調整手段は、前記ノズル毎に設けられた流量調整機構がそれぞれの開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量を調整する、ことが好ましい。

この方法によれば、流量調整機構は、ガス供給部から流路を介して供給される反応ガスを複数の分流部に一旦分けて流す構成を有していて、流量調整手段において、各分流部における流量調整操作により、分流されて流量の少なくなっている反応ガスの流量をさらに調整するようになっている。このような分流部を有する流量調整機構を制御する流量調整手段では、分流部のない場合に比べ、より一層の極少量の流量調整を確実に行なうことが可能な方法であり、これによりガス流の脈動等をより確実に抑制して安定した流量調整が行える。

［適用例６］本適用例に係る流量制御装置は、反応ガスを誘導する流路と、前記流路から分岐した複数のノズルと、前記流路または前記ノズルに設けられ、前記反応ガスの流量を調整する流量調整機構と、を備え、前記流量調整機構は、開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう、ことを特徴とする。

本適用例の流量制御装置によれば、流量調整機構は、流路に設けられている形態または複数のノズルのそれぞれに設けられている形態のいずれかであって、いずれかに設けられた流量調整機構によって流量調整された反応ガスは、流路からノズルへ誘導される。ここで、流量調整機構は、開状態と閉状態とを交互に選択して開閉制御を行なうが、「開状態と閉状態とを交互に選択する」とは、例えば、流量調整機構を開状態または閉状態の二値の状態に設定して、所定時間の開状態と所定時間の閉状態とを交互に繰り返すことである。この場合、二値は、全開と全閉との組み合わせの他、全開と半開、半開と全閉等のように多様な組合せが可能である。また、流量調整機構における二値それぞれの所定時間を短時間にすれば、反応ガスを極めて少量の流量となるように制御することが可能であると共に、ガス流の脈動等を抑制して安定した流量調整が行なえる。このような流量制御装置において、流量調整機構が流路に設けられている場合、流量調整機構により流量調整がなされた反応ガスは、複数のノズルへそれぞれ均一に分岐して供給される。あるいは、流量調整機構がノズルの全部または一部に設けられている場合、ノズル毎に反応ガスの流量を変える等の制御ができ、これにより、各ノズルを流れる反応ガスの量を異ならせることが可能である。さらに、流量制御装置によれば、反応ガスが流路から一定量供給される方式であり、従来のように、供給量を測定しその結果に基づいて流量調整を行なう方式ではないため、反応ガスを分流して供給量を測定するセンサー管等が不要となり、複数のノズルを有するマルチノズル構成でありながらも流量制御装置を備えている装置の小型化に貢献することが可能である。

［適用例７］上記適用例に記載の流量制御装置において、供給される前記反応ガスを複数の分流に分ける分流部を有し、前記分流部毎にそれぞれ前記流量調整機構を備える、ことが好ましい。

この構成によれば、流量制御装置の流量調整機構は、流路を介して供給される反応ガスを複数の分流部に一旦分けて流す構成であり、各分流部における流量調整操作により、分流されて流量の少なくなっている反応ガスの流量をさらに調整している。このような分流部を有する流量調整機構は、分流部のない場合に比べ、より一層の極少量の流量調整を確実に行なうことができ、これによりガス流の脈動等をより確実に抑制して安定した流量調整を行なうことが可能である。

本発明の実施形態１に係る表面加工装置を示す模式図。 （ａ）実施形態１における基板へのエッチング加工例を示す断面図、（ｂ）ノズル構成の例を示す斜視図。 （ａ）流量調整機構による流量調整の一例を示すタイムチャートを含む模式図、（ｂ）流量調整機構による流量調整の他の例を示すタイムチャートを含む模式図。 分流部を有する流量調整機構における流量調整を示すタイムチャートを含む模式図。 （ａ）ノズルと基板との位置関係を示す側面図、（ｂ）エッチング加工用の反応ガスを供給する場合におけるノズルの形態を示す模式図、（ｃ）反応ガスをプラズマ化して供給する場合におけるノズルの形態を示す模式図。 複数のノズルの配置例を示す模式図。 本発明の実施形態２に係るエッチング装置を示す模式図。 （ａ）実施形態２における基板へのエッチング加工例を示す断面図、（ｂ）実施形態２における基板へのエッチング加工の他の例を示す断面図。 （ａ）平面状にエッチング加工する前の凸状をなす基板表面を示す模式図、（ｂ）基板の凸状に応じて走査速度を変えてエッチング加工する場合の速度分布を示すグラフ図、（ｃ）基板の凸状に応じて反応ガス量を変えてエッチング加工する場合の流量分布を示すグラフ図。 エッチング装置による基板のエッチング方法を示すフローチャート。

以下、本発明の表面加工装置、表面加工方法および流量制御装置について、エッチング装置およびエッチング方法を例示して、その好適な例を添付図面に基づいて説明する。なお、表面加工にはエッチングおよび成膜等が含まれ、本発明を成膜装置および成膜方法に適用しても良い。
（実施形態１）

図１は、本発明の実施形態１に係る表面加工装置を示す模式図である。また、図２（ａ）は、実施形態１における基板への表面加工例を示す断面図である。そして、図２（ｂ）は、ノズル構成の例を示す斜視図であり、図１および図２（ａ）に示すノズル構成と異なっているが、機能は同一である例を示している。

図１に示すように、表面加工装置１は、一定量の反応ガスＧを供給するガス供給部２と、ガス供給部２から反応ガスＧを誘導する流路３と、流路３に設けられ誘導されてきた反応ガスＧの流量を調整する流量調整機構４と、流量調整機構４を経て流量調整された反応ガスＧを誘導するノズル群５と、を備えている。ノズル群５は、１０本のノズルｎ１〜ｎ１０で構成されていて、流量調整された反応ガスＧが流路３からそれぞれのノズルｎ１〜ｎ１０へ分岐するようになっている。さらに、表面加工装置１は、ノズル群５と対向して配置され被加工物である基板８を載置するための載置部７と、載置部７を移動させる機構である移動部９と、ガス供給部２、流量調整機構４および移動部９を制御する装置制御部１１と、を備えている。

この表面加工装置１において、載置部７は、互いに直交するｘ−ｙ軸で規定される水平面をなしていて、移動部９によりｘ軸に沿って移動し、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０は、ｙ軸に沿って配列されている。ノズルｎ１〜ｎ１０は、x軸およびy軸と直交するｚ軸に沿って延在し、載置部７に載置される基板８に対して垂直に反応ガスＧを吹き出して供給する。また、ここでは、流路３、流量調整機構４およびノズル群５が流量制御装置１０として機能している。

ここで、表面加工装置１における流量制御装置１０の詳細、および基板８への表面加工について説明する。図２（ａ）に示すように、流量制御装置１０の流路３には、ガス供給部２（図１）から流量調整機構４までの間に、反応ガスＧである主ガスｇ１が一定の流量で供給されている。この主ガスｇ１は、流量調整機構４の作用により所定の流量に調整された調整ガスｇ２としてノズル群５側へ供給される。なお、流量調整機構４の流量調整については、図３および図４を参照して後述する。

そして、流量調整機構４で調整された調整ガスｇ２は、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０にそれぞれほぼ均等に分岐して供給され、ノズルｎ１〜ｎ１０から基板８へ向けて供給ガスｇ３として吹き出している。この場合、供給ガスｇ３がノズルｎ１〜ｎ１０のそれぞれからほぼ均等に吹き出しているため、ノズルｎ１〜ｎ１０に対向している基板８の面は、ほぼ均一に表面加工されることになる。図２（ａ）の例では、基板８に深さがほぼ均一な溝がｙ軸に沿って形成されている。ここで、基板８の全面に供給ガスｇ３を吹き出すようにすれば、基板８全体の厚みを薄くすることができる。

なお、表面加工装置１のノズル群５は、流路３から分岐してそれぞれ個別のパイプ状をなしている形態であるが、この形態の他に、図２（ｂ）に示すようなノズル体５０であっても良い。ノズル体５０は、直方体形状の基体５０ａの内部にノズル孔ｈ１〜ｈ１０を形成した構成である。このノズル体５０は、ノズル群５に比べ、全体的な強度があり且つノズル孔ｈ１〜ｈ１０から吹き出す供給ガスｇ３（図２（ａ））の方向を均一に揃えやすい構成となっている。

また、実施形態１におけるエッチング装置（表面加工装置１、以降エッチング装置１と称する）は、載置部７に載置される基板８は水晶基板であり、基板８へ吹き出して供給される反応ガスＧはフッ化カルボニル（ＣｏＦ₂）やフッ化水素（ＨＦ）・フッ素ガス（Ｆ₂）等のフッ素系ガスが好ましく、ここではフッ化カルボニル（ＣｏＦ₂）を用いている。そして、流量制御装置１０は、反応ガスＧに対し耐食性の良好な酸化クロム（Ｃｒ₂Ｏ₃）や酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）等で構成されていることが好ましく、ここでは酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）を用いて構成されている。

次に、流量制御装置１０を構成する流量調整機構４において、反応ガスＧの流量を調整する方式について説明する。図３（ａ）は、流量調整機構による流量調整の一例を示すタイムチャートを含む模式図、図３（ｂ）は、流量調整機構による流量調整の他の例を示すタイムチャートを含む模式図である。

図３（ａ）および図３（ｂ）は、流路３を介して流量調整機構４に供給される主ガスｇ１が単位処理時間ｔ毎に一定量であって、流量調整機構４において、単位処理時間ｔの内の所定時間だけ全開状態となって主ガスｇ１を通し残りの時間は全閉状態となって主ガスｇ１を遮断することを繰り返す、方式を表している。即ち、この場合流量調整機構４は、全開と全閉との二値を交互に選択して開閉制御を行っている。まず、図３（ａ）では、流量調整機構４は、単位処理時間ｔの内の時間ｔ１だけ主ガスｇ１を通し、残りの時間（ｔ−ｔ１）では主ガスｇ１を遮断している。つまり、単位処理時間ｔの間では、流量調整機構４が主ガスｇ１より少ない流量の調整ガスｇ２をノズル群５側へ供給している。流量調整機構４がこのような作用をすることにより、ノズル群５へは調整ガスｇ２が主ガスｇ１より少ない一定量で供給されることになる。

具体的には、例えば主ガスｇ１が単位処理時間ｔあたり１０ｃｃの一定量で供給され、時間ｔ１がｔ／４であれば、調整ガスｇ２は２．５ｃｃの一定量でノズル群５側へ供給される。ノズル群５では、単位時間ｔあたり２．５ｃｃ供給される調整ガスｇ２がノズルｎ１〜ｎ１０へそれぞれ均等分岐して、各ノズルｎ１〜ｎ１０から一定量の供給ガスｇ３として基板８へ吹き出す。これにより、ノズルｎ１〜ｎ１０からの供給ガスｇ３により、基板８へのエッチング加工が均一となり、基板８がノズル群５に対して移動すれば基板８のより広い面を均一にエッチング加工すること等が可能である。なお、実施形態１では、流量調整機構４における全開常態である時間ｔ１がｔ／４の設定であるが、この時間ｔ１を変えることにより、調整ガスｇ２の流量を調整できる。また、流量調整機構４は、時間（ｔ−ｔ１）の間で主ガスｇ１を遮断しているが、遮断するのではなく多少の開状態にしても良く、時間ｔ１の間が全開状態以外の多少の閉状態でも良い。

しかし、単位処理時間ｔが長くなって、主ガスｇ１を遮断している時間（ｔ−ｔ１）が長くなるにつれて、ノズル群５へ供給される調整ガスｇ２がより断続的になることにより、いわゆる脈動状態になってしまうことがある。これを抑止するために、図３（ｂ）に示すように、単位処理時間ｔを１０等分し、各等分毎の時間ｔ／１０において、流量調整機構４が時間ｔ２だけ主ガスｇ１を通し、残りの時間（ｔ／１０−ｔ２）には主ガスｇ１を遮断している。つまり、流量調整機構４は、時間ｔ／１０の間では調整ガスｇ２’をノズル群５側へ供給し、単位処理時間ｔの間では調整ガスｇ２’を１０回供給する。調整ガスｇ２’が図３（ａ）における場合の調整ガスｇ２の１／１０の流量であれば、流量調整機構４は、単位処理時間ｔの間に、調整ガスｇ２と同量だけノズル群５側へ供給する。

具体的には、例えば主ガスｇ１が単位処理時間ｔあたり１０ｃｃの一定量で供給され、時間ｔ２がｔ／４０であれば、調整ガスｇ２’は０．２５ｃｃの一定量でノズル群５側へ供給される。これにより、単位処理時間ｔでは、時間ｔ２による調整ガスｇ２’の供給が１０回行われ、合計２．５ｃｃが調整ガスｇ２として流量調整機構４からノズル群５へ供給される。流量調整機構４がこのような作用をすることにより、ノズル群５へは脈動等のない調整ガスｇ２が一定量で供給されることになる。この場合、主ガスｇ１を通す時間ｔ２および遮断時間は、流量調整機構４の最小開閉時間に設定するほど脈動等を抑制できて好ましい。

さらに、図４は、分流部を有する流量調整機構における流量調整を示すタイムチャートを含む模式図である。この流量調整機構４は、図３（ｂ）での時間ｔ２より長い時間ｔ３の全開状態であっても、時間ｔ２における０．２５ｃｃより少量のガス調整ができ、より緻密に流量を制御することができるものである。流量調整機構４は、図４に示すように分流部４０を有し、分流部４０は、内部で５つの分流部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅに分岐している。流量調整機構４は、流路３からの主ガスｇ１を５分割して、分流部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅのそれぞれへ分流ガスｇ４として取り入れる。これら分流部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅにおいて、分流部４０ａは、単位処理時間ｔの内の時間ｔ３だけ分流ガスｇ４を通して調整分流ガスｇ５を供給し、残りの時間（ｔ−ｔ３）には分流ガスｇ４を遮断している。そして、分流部４０ａが分流ガスｇ４を遮断してから時間ｔ４後には、分流部４０ｂが時間ｔ３だけ分流ガスｇ４を通して調整分流ガスｇ５を供給し、残りの時間（ｔ−ｔ３）には分流ガスｇ４を遮断している。同様に、分流部４０ｃは、分流部４０ｂが分流ガスｇ４を遮断してから時間ｔ４後には、時間ｔ３だけ分流ガスｇ４を通して調整分流ガスｇ５を供給し、残りの時間（ｔ−ｔ３）には分流ガスｇ４を遮断している。分流部４０ｄは、分流部４０ｃが分流ガスｇ４を遮断してから時間ｔ４後には、時間ｔ３だけ分流ガスｇ４を通して調整分流ガスｇ５を供給し、残りの時間（ｔ−ｔ３）には分流ガスｇ４を遮断している。分流部４０ｅは、分流部４０ｄが分流ガスｇ４を遮断してから時間ｔ４後には、時間ｔ３だけ分流ガスｇ４を通して調整分流ガスｇ５を供給し、残りの時間（ｔ−ｔ３）には分流ガスｇ４を遮断している。ここで、ｔ３とｔ４との合計時間は、５／ｔである。

具体的には、例えば主ガスｇ１が単位処理時間ｔあたり１０ｃｃの一定量で供給され、分流部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅそれぞれへの分流ガスｇ４は、２ｃｃとなる。分流部４０ａでは、図３（ｂ）でのｔ／４０である時間ｔ２より長い時間のｔ／２０である時間ｔ３で全開状態が制御され、単位処理時間ｔの間に０．１ｃｃが調整分流ガスｇ５として供給される。同様に分流部４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅのそれぞれからも単位処理時間ｔに０．１ｃｃが調整分流ガスｇ５として供給される。即ち、流量調整機構４は、０．１ｃｃ単位で流量を調整することが可能であり、この場合、合計０．５ｃｃの調整ガスｇ６を単位処理時間ｔにノズル群５へ供給している。流量調整機構４がこのような作用をすることにより、ノズル群５へは、０．１ｃｃの微量な流量調整がなされた調整ガスｇ６がより脈動等のない状態となって一定量供給されることになる。なお、分流部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅにおける時間ｔ３および時間ｔ４は、それぞれ異なる時間に設定することも可能である。

次に、調整ガスｇ２，ｇ６を供給ガスｇ３として基板８へ吹き出すノズル群５の形態例について説明する。図５（ａ）は、ノズルと基板との位置関係を示す側面図である。そして、図５（ｂ）は、エッチング加工用の反応ガスを供給する場合におけるノズルの形態を示す模式図、図５（ｃ）は、反応ガスをプラズマ化して供給する場合におけるノズルの形態を示す模式図である。

エッチング装置１は、図１に示すように、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０が基板８に対して直交して配置されているが、より効率的にエッチング加工を行なうための他の配置も考えられる。例えば、図５（ａ）に示すように、ノズル群５は、基板８と直交するｚ軸に対して角度θだけ斜めに配置されている。即ち、載置部７とノズル群５との相対的な移動方向と直交する方向に対して傾きをなして設けられている。

このように設けられているノズル群５は、基板８に対して斜めの方向から供給ガスｇ３を吹き出すようになっていて、基板８に当った供給ガスｇ３は、ノズル群５から離れる方向へ排気される。そのため、排気がノズル群５から吹き出される供給ガスｇ３の妨げになったり、基板８のエッチング加工による反応生成物等が除去され難いというような事態が確実に回避できる。これに対し、ノズル群５が基板８と直交して配置されている場合、基板８に当った供給ガスｇ３の一部がノズル群５の方向へも戻ることや、反応生成物が滞留する恐れがあること等により、微細なエッチング加工を行なう場合等に設定通りにエッチングされない、という支障が生じることがあった。図５（ａ）に示すエッチング装置１のノズル群５は、このような支障を確実に回避して効率的なエッチング加工が行える。

また、エッチング装置１で基板８のエッチング加工をする場合、基板８と反応するフッ化カルボニル（ＣｏＦ₂）等の供給ガスｇ３は、加熱されて基板８へ吹き出す形態であれば、より効率良くエッチング加工が行える。そのため、例えば図５（ｂ）に示すように、ノズル群５のノズルｎ１の外周にヒーター１５を設置して、ノズルｎ１の内部の供給ガスｇ３を加熱する構成が考えられる。他のノズルｎ２〜ｎ１０も同様に構成され、これにより、供給ガスｇ３は、基板８に対して、より活発に反応してエッチング加工が促進される。なお、ヒーター１５は、ノズルｎ１〜ｎ１０それぞれに巻きつけて個別設置する構成の他に、ノズル群５としての周囲に巻きつけて設置する構成等も可能である。

また、エッチング装置１において、基板８へのエッチング加工が反応性のプラズマによって行われる場合、例えば図５（ｃ）に示すように、ノズル群５のノズルｎ１に四フッ化メタン（ＣＦ₄）等の供給ガスｇ３が供給される。ノズルｎ１の外周には板状の電極部１６が巻きつけられていて、この電極部１６と載置部７とに高周波電圧が印加されることにより、供給ガスｇ３がノズル群５と基板８との間でプラズマ化してプラズマＰが発生する。このプラズマＰにより基板８がエッチング加工される。なお、高周波電圧の印加は、図５（ｂ）に示すヒーター１５と同様構成でノズル群５へ巻きつけた電極に対して行い、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０内でプラズマ化がされても良い。このように、エッチング装置１は、図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すような多様な方式でも基板８をエッチング加工することができる、優れた装置である。

さらに、エッチング装置１において、基板８は、ｙ軸に沿って並んで配置されているノズルｎ１〜ｎ１０を有するノズル群５によってほぼ均一にエッチング加工がなされるが、厳密には、ノズル群５に対して基板８の中央位置と端部位置とにおける供給ガスｇ３の濃度が異なっていてエッチングレートに差が生じる場合がある。以下に、この差を解消して、より均一なエッチングレートにする補正について説明する。図６は、複数のノズルの配置例を示す模式図である。模式図には、ノズル群５と基板８との配置と、ノズル群５の各ノズルに対応した基板上のガス流速およびエッチングレートと、が示されている。図６に示すように、ノズル群５は、中央部のノズルが端部のノズルより基板８から離反して配置されている。この配置により、基板８の表面において、中央部のノズルから吹き出す供給ガスｇ３は、端部のノズルから吹き出す供給ガスｇ３に比べ、その流速が遅くなっている。この関係は、各ノズルに対応して示している基板上のガス流速線２０のように、ノズル群５の中央部で遅く端部にかけて順次早くなっている。

このように、中央部のノズルから吹き出す供給ガスｇ３は、基板８までの距離が長く、基板８の表面に達するまでに濃度が低くなっているが、隣接するノズルからの供給ガスｇ３と共に基板８の表面に滞留しやすい状態になっている。一方、端部のノズルからの供給ガスｇ３は、基板８までの距離が短く、基板８の表面に達するまでに濃度は低くなっていないが、基板８の表面に滞留しにくくなっている。この関係により、基板８の表面でのガス濃度は一定状態となり、エッチングレート線２１に示すように基板８に対して、一定のエッチングレートが確保されている。エッチング装置１は、図６に示す一例のように、ノズル群５と基板との配置を変えることにより、ノズルｎ１〜ｎ１０毎のエッチングレートを調整することも可能な優れた装置である。

以上説明したように、エッチング装置１は、流量調整機構４が二値を交互に選択して開閉制御を行なうことにより、反応ガスＧを極く少量の流量の供給ガスｇ３となるように制御することができることに加え、ガス流の脈動等を抑制して安定した流量調整が行なえる。さらに、エッチング装置１は、従来用いていたセンサー管等が不要なため、複数のノズルノズルｎ１〜ｎ１０を有するマルチノズル構成でありながらも小型化に対応できる。
（実施形態２）

次に、エッチング装置１および流量制御装置１０の他の好適な構成例について説明する。図７は、本発明の実施形態２に係るエッチング装置を示す模式図である。また、図８（ａ）は、実施形態２における基板へのエッチング加工例を示す断面図、図８（ｂ）は、実施形態２における基板へのエッチング加工の他の例を示す断面図である。実施形態２に係るエッチング装置１００は、実施形態１のエッチング装置１と流量調整機構４の配置が異なっている構成であるので、流量制御装置１０Ａ以外は、エッチング装置１と同様の符号を付して説明する。

図７に示すように、エッチング装置１００は、ガス供給部２と、反応ガスＧを誘導する流路３と、流路３から分岐したノズルｎ１〜ｎ１０を有するノズル群５と、ノズルｎ１〜ｎ１０のそれぞれに設けられ誘導されてきた反応ガスＧの流量を調整する流量調整機構４と、ノズル群５と対向して配置され被加工物である基板８を載置するための載置部７と、載置部７を移動させる機構である移動部９と、ガス供給部２、流量調整機構４および移動部９を制御する装置制御部１１と、を備えている。このエッチング装置１００において、流路３、流量調整機構４およびノズル群５は、流量制御装置１０Ａとして機能している。

このエッチング装置１００における流量制御装置１０Ａの詳細、および基板８へのエッチング加工については、まず、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、流量制御装置１０Ａの流路３から分岐したノズルｎ１〜ｎ１０には、反応ガスＧである主ガスｇ１が一定の流量で供給されている。これら主ガスｇ１は、ノズルｎ１〜ｎ１０のそれぞれに設けられている流量調整機構４の作用により所定の流量に調整された供給ガスｇ１０として基板８方向へ供給される。

そして、流量調整機構４で流量調整された供給ガスｇ１０は、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０から基板８へ向けて吹き出している。この場合、供給ガスｇ１０は、ノズルｎ１〜ｎ１０のそれぞれから異なる流量で吹き出しているため、ノズルｎ１〜ｎ１０に対向している基板８の面は、供給ガスｇ１０の流量に対応してエッチング加工される。例えば、図８（ａ）では、表面が平らであった基板８が、ノズルｎ１〜ｎ１０からの供給ガスｇ１０の流量に対応して凹凸状に形成される。つまり、流量が多く太実線で表してある供給ガスｇ１０に対応する基板８の表面は最も深くエッチングされ、並実線、太破線の順に供給ガスｇ１０によるエッチングが浅くなり、流量が少なく細破線で表してある供給ガスｇ１０に対応する基板８の表面は最も浅くエッチングされる。

また、エッチング装置１００は、図８（ｂ）に示すように、表面が凹凸状の基板８に対して、エッチング加工により平らな表面にすることもできる。それには、まず、予め基板８の表面の凹凸を測定しておき、その測定データーに基づいて、ノズルｎ１〜ｎ１０のそれぞれが行なうべきエッチング量を求める。そして、ノズルｎ１〜ｎ１０毎にエッチング量に応じた供給ガスｇ１０となるよう、それぞれの流量調整機構４が流量の調整を行なう。これにより、エッチング装置１００は、基板８の表面を凹凸状から平らにエッチング加工することができる。

ここで、それぞれの流量調整機構４による反応ガスＧの流量の調整は、図３（ａ）または図３（ｂ）を参照して既述した方式と同様に行われ、ノズルｎ１〜ｎ１０毎に供給ガスｇ１０の流量が調整される。このように調整された供給ガスｇ１０により、表面が凸状の基板８を平表面にする場合について、説明する。図９（ａ）は、平面状にエッチング加工する前の凸状をなす基板表面を示す模式図である。また、図９（ｂ）は、基板の凸状に応じて走査速度を変えてエッチング加工する場合の速度分布を示すグラフ図、図９（ｃ）は、基板の凸状に応じて反応ガス量を変えてエッチング加工する場合の流量分布を示すグラフ図である。

図９（ａ）に示すように、基板８の表面は、この場合中央部が高くなった凸状をなす略円錐状であり、エッチング加工は、ｘ軸に沿うエッチング走査方向で行われる。つまり、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０はｙ軸方向に並んでおり、基板８がｘ軸方向へ移動してエッチング加工の走査が行われる。そして、ノズルｎ１〜ｎ１０が図中のｘ３に位置するときに、基板８の凸状頂点にかかり、ｘ３からｘ２，ｘ１への方向およびｘ３からｘ４，ｘ５への方向に行くにしたがって順次低くなっている。

このような基板８を平らな表面にするには、図９（ｂ）の走査速度線２５に示すように、ノズル群５の走査速度（基板８の移動速度）を、ｘ３位置で最も遅くし、ｘ２およびｘ４ではｘ３位置での速度より速くし、ｘ１およびｘ５位置ではｘ２およびx４位置での速度より速くすることが望ましい。こうすれば、ｘ軸方向の凸状が形成できる。同時に、図９（ｃ）のガス流量線２６に示すように、ノズルｎ１〜ｎ１０毎のガス流量（供給ガスｇ１０の流量）は、中央部のノズルからの流量を最大として両側のノズルに行くにしたがって減らしている。さらに、ｘ３位置においてノズルｎ１〜ｎ１０毎のガス流量は他の位置における流量より多い最大とし、ｘ２およびｘ４ではｘ３位置での流量より少なくし、ｘ１およびｘ５位置ではｘ２およびｘ４位置での流量より少なくすることが望ましい。こうすれば、ｙ軸方向の凸状が形成できる。このように、図９（ｂ）に示す走査速度、および図９（ｃ）に示すノズル毎のガス流量を制御することにより、エッチング装置１００は、表面が凸状の基板８を平表面にすることができる。同様にして、エッチング装置１００は、表面が平らな基板８を凸状の表面にすることもできる。

以上説明したように、エッチング装置１００は、ノズルｎ１〜ｎ１０毎に設けられている流量調整機構４が二値を交互に選択して開閉制御を行なうことにより、載置部７に載置される基板８に対し、各ノズルｎ１〜ｎ１０からの供給ガスｇ１０の量を異ならせることができ、基板８の表面を凹凸状となるようにエッチング加工することができる。さらに、エッチング装置１００は、表面が凹凸状の被加工物を、均一な平面状にすることもできる。
（エッチング加工方法）

次に、エッチング装置１，１００によって基板８のエッチング加工をする手順について説明する。図１０は、エッチング装置による基板のエッチング方法を示すフローチャートである。

ステップＳ１において、基板を載置部へ載置する。エッチング装置１，１００では、載置部７へ被加工物としての水晶基板である基板８を載置し、移動部９により載置部７を移動してノズル群５に対向する位置に基板８を配置する。このステップＳ１は、載置手段に該当する。基板８の載置後ステップＳ２へ進む。

ステップＳ２において、ガス供給部から一定量の反応ガスをノズル側へ誘導する。エッチング装置１では、ガス供給部２から供給される一定量の反応ガスＧである主ガスｇ１（図２（ａ））を、流路３を介して、流路３に設けられている流量調整機構４まで誘導する。また、エッチング装置１００では、ガス供給部２から供給される一定量の主ガスｇ１（図８（ａ））を、流路３および流路３から分岐したノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０を介して、ノズルｎ１〜ｎ１０のそれぞれに設けられている流量調整機構４まで誘導する。このステップＳ２は、ガス誘導手段に該当する。反応ガスＧの誘導後ステップＳ３へ進む。

ステップＳ３において、流量調整機構により反応ガスの流量を調整する。エッチング装置１，１００は、図３または図４に示すいずれかの流量調整の方式により主ガスｇ１の流量を調整する。つまり、エッチング装置１では、流量調整機構４で流量調整された主ガスｇ１が調整ガスｇ２としてノズルｎ１〜ｎ１０へ分岐して供給され、エッチング装置１００では、流路３から分岐してノズルｎ１〜ｎ１０へ供給された主ガスｇ１のそれぞれが、流量調整機構４で流量調整される。このステップＳ３は、流量調整手段に該当する。流量の調整後ステップＳ４へ進む。

ステップＳ４において、流量調整した反応ガスを加熱またはプラズマ化する。エッチング装置１，１００は、例えば反応ガスＧとしてフッ化カルボニル（ＣｏＦ₂）を用い、フッ化カルボニル（ＣｏＦ₂）と基板８の水晶とを反応させてエッチング加工をする場合、図５（ｂ）に示すように、ノズル群５のノズルｎ１〜ｎ１０を加熱してノズルｎ１〜ｎ１０の内部の主ガスｇ１の温度を高めて、供給ガスｇ３とする。一方、エッチング装置１，１００は、例えば主ガスｇ１としての四フッ化メタン（ＣＦ₄）をプラズマ化してエッチング加工をする場合、図５（ｃ）に示すように、ノズルｎ１〜ｎ１０と載置部７との間に高周波電圧を印加して、四フッ化メタン（ＣＦ₄）のプラズマＰを形成する。ノズル群５における加熱またはプラズマ化後ステップＳ５へ進む。

ステップＳ５において、加熱した反応ガスまたはプラズマをノズルから基板へ供給する。エッチング装置１，１００は、流量制御装置１０（図１）または流量制御装置１０Ａ（図７）の流量調整機構４により流量を調整して、供給ガスｇ３または供給ガスｇ１０を基板８へ吹き出して供給する。これにより、基板８と基板８へ供給された供給ガスｇ３，ｇ１０であるフッ化カルボニル（ＣｏＦ₂）とが反応して、図２に示すように基板８の表面を均一にエッチング加工してｙ軸に沿う溝等を形成すること、および図８に示すように基板８の表面を凹凸状にエッチングすること、等のエッチング加工が行える。なお、プラズマＰによりエッチング加工をする場合も同様なエッチング加工が可能である。ガス供給後ステップＳ６へ進む。

ステップＳ６において、載置部を移動する。エッチング装置１，１００は、移動部９により載置部７とノズルｎ１〜ｎ１０とを相対的に移動（走査）させることにより、ステップＳ５におけるエッチング加工を基板８の表面全体または表面の一部へさらに広げて施すことができる。つまり、エッチング装置１，１００は、図２に示すような溝等をｘ軸方向へ広げて形成することができ、また、基板８の表面全体をエッチング加工して基板８の厚みを薄くすること等も可能である。さらに、エッチング装置１，１００は、図８および図９に示すように、基板８の表面を自在に凹凸状にエッチング加工することが可能である。以上で、エッチング装置１，１００による基板８のエッチング加工が終了する。

以上説明した表面加工装置としてのエッチング装置１，１００、表面加工方法としてのエッチング加工方法および流量制御装置は、各実施形態における形態に限定されるものではなく、次に挙げる変形例のような形態であっても、実施形態と同様な効果が得られる。

（変形例１）エッチング装置１，１００の備える流量制御装置１０，１０Ａにおいて、ノズル群５はｙ軸方向に並んでいる１０本のノズルｎ１〜ｎ１０を有する構成であるが、１０本以外の構成であっても良く、ｙ軸方向以外の方向に並んでいても良い。

（変形例２）流量調整機構４が有する分流部４０は、図４に示すような５つの分流部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅではなく、５つ以外であっても良い。５つ以上であれば、より微細に流量を調整して、ガス流の脈動等を抑制することができる。

（変形例３）エッチング装置１００は、すべてのノズルｎ１〜ｎ１０に流量調整機構４が設けられているが、一部のノズルが流量調整機構４を有していない構成であっても良い。

（変形例４）エッチング装置１，１００におけるノズル群５と載置部７との相対移動は、載置部７が移動せずにノズル群５が移動する構成や、載置部７およびノズル群５の双方が移動する構成であっても良い。

（変形例５）エッチング装置１，１００は、載置部７に載置される基板８が水晶基板だけでなく、反応ガスＧを選択することにより金属材等にも適用することができる。

（変形例６）エッチング装置１，１００のように流量制御装置１０，１０Ａにより反応ガスＧの流量を確実に調整できる装置構成は、基板８をエッチングする装置としてだけではなく、基板８に各種の薄膜等を形成する成膜装置等に適用することができる。

１…表面加工装置としてのエッチング装置、２…ガス供給部、３…流路、４…流量調整機構、５…ノズル群、７…載置部、８…被加工物としての基板、９…移動部、１０，１０Ａ…流量制御装置、４０…流量調整機構、４０ａ〜４０ｅ…分流部、５０…ノズル体、１００…エッチング装置、G…反応ガス、ｇ１…主ガス、ｇ２…調整ガス、ｇ３…供給ガス、ｇ４…分流ガス、ｇ５…調整分流ガス、ｇ６…調整ガス、ｇ１０…供給ガス、ｐ…プラズマ。

Claims (7)

1. 表面加工がなされる被加工物を載置する載置部と、
   反応ガスを供給するガス供給部と、
   前記ガス供給部からの前記反応ガスを誘導する流路と、
   前記流路に設けられ前記反応ガスの流量を調整する流量調整機構と、
   前記流量調整機構で流量調整された前記反応ガスを前記載置部または前記被加工物へ供給する複数のノズルと、
   前記載置部と前記ノズルとを相対的に移動させる移動部と、
   を備え、
   前記流量調整機構は、開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう、ことを特徴とする表面加工装置。
2. 表面加工がなされる被加工物を載置する載置部と、
   反応ガスを供給するガス供給部と、
   前記ガス供給部からの前記反応ガスを誘導する流路と、
   前記流路から分岐し前記反応ガスを前記載置部または前記被加工物へ供給する複数のノズルと、
   前記ノズル毎に設けられ前記反応ガスの流量を個別に調整する流量調整機構と、
   前記載置部と前記ノズルとを相対的に移動させる移動部と、
   を備え、
   前記流量調整機構は、それぞれの開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なうことが可能である、ことを特徴とする表面加工装置。
3. 請求項１または２に記載の表面加工装置であって、
   前記ノズルは、前記載置部と前記ノズルとの相対的な移動方向と直交する方向に対して傾きをなして設けられている、ことを特徴とする表面加工装置。
4. 被加工物を載置部へ載置する載置手段と、
   ガス供給部からの反応ガスを流路および前記流路から分岐する複数のノズルを介して前記載置部または前記被加工物へ誘導するガス誘導手段と、
   前記流路に設けられた流量調整機構が開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう流量調整手段と、
   前記載置部と前記ノズルとを相対的に移動させる移動手段と、
   を備えていることを特徴とする表面加工方法。
5. 請求項４に記載の表面加工方法であって、
   前記流量調整手段は、前記ノズル毎に設けられた流量調整機構がそれぞれの開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量を調整する、ことを特徴とする表面加工方法。
6. 反応ガスを誘導する流路と、
   前記流路から分岐した複数のノズルと、
   前記流路または前記ノズルに設けられ、前記反応ガスの流量を調整する流量調整機構と、
   を備え、
   前記流量調整機構は、開閉弁の開状態と閉状態とを交互に繰り返して流量制御を行なう、ことを特徴とする流量制御装置。
7. 請求項６に記載の流量制御装置であって、
   供給される前記反応ガスを複数の分流に分ける分流部を有し、前記分流部毎にそれぞれ前記流量調整機構を備える、ことを特徴とする流量制御装置。

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