JP2014065929A

JP2014065929A - Vapor deposition mask, and metal frame integrated vapor deposition mask

Info

Publication number: JP2014065929A
Application number: JP2012210177A
Authority: JP
Inventors: Hidesuke Kenmori; 英輔権守; Katsuya Obata; 勝也小幡; Toshihiko Takeda; 利彦武田; Sukeyuki Nishimura; 祐行西村
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2012-09-24
Filing date: 2012-09-24
Publication date: 2014-04-17
Anticipated expiration: 2032-09-24
Also published as: JP6163724B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition mask that can be made highly fine and light even when it is made large, and that can prevent electric influences on a processing object, and a metal frame integrated vapor deposition mask in which the vapor deposition mask and the metal frame are fixed.SOLUTION: In a vapor deposition mask, a resin mask having an opening corresponding to a pattern vapor deposition manufactured at a position overlaid on a slit is provided on a metallic mask with a slit. In the mask, (A) the resin mask contains a conductive material, or (B) a conductive layer is provided on the resin mask.

Description

本発明は、蒸着マスク、及び金属フレーム一体型蒸着マスクに関する。 The present invention relates to a vapor deposition mask and a metal frame integrated vapor deposition mask.

従来、有機ＥＬ素子の製造において、有機ＥＬ素子の有機層或いはカソード電極の形成には、例えば、蒸着すべき領域に多数の微細なスリットを微小間隔で平行に配列してなる金属から構成される蒸着マスクが使用されていた。この蒸着マスクを用いる場合、蒸着すべき基板表面に蒸着マスクを載置し、裏面から磁石を用いて保持させているが、スリットの剛性は極めて小さいことから、蒸着マスクを基板表面に保持する際にスリットにゆがみが生じやすく、高精細化或いはスリット長さが大となる製品の大型化の障害となっていた。 Conventionally, in the manufacture of an organic EL element, the organic layer or cathode electrode of the organic EL element is formed of, for example, a metal in which a large number of minute slits are arranged in parallel at minute intervals in a region to be deposited. A vapor deposition mask was used. When using this vapor deposition mask, the vapor deposition mask is placed on the surface of the substrate to be vapor-deposited and held by a magnet from the back side, but the rigidity of the slit is extremely small, so when holding the vapor deposition mask on the substrate surface In this case, the slits are easily distorted, which has been an obstacle to the increase in the size of products with high definition or a long slit length.

スリットのゆがみを防止するための蒸着マスクについては、種々の検討がなされており、例えば、特許文献１には、複数の開口部を備えた第一金属マスクを兼ねるベースプレートと、前記開口部を覆う領域に多数の微細なスリットを備えた第二金属マスクと、第二金属マスクをスリットの長手方向に引っ張った状態でベースプレート上に位置させるマスク引張保持手段を備えた蒸着マスクが提案されている。すなわち、２種の金属マスクを組合せた蒸着マスクが提案されている。この蒸着マスクによれば、スリットにゆがみを生じさせることなくスリット精度を確保できるとされている。 Various studies have been made on the vapor deposition mask for preventing the distortion of the slit. For example, Patent Document 1 covers a base plate that also serves as a first metal mask having a plurality of openings, and covers the openings. There has been proposed a vapor deposition mask having a second metal mask having a large number of fine slits in the region and a mask tension holding means for positioning the second metal mask on the base plate in a state where the second metal mask is pulled in the longitudinal direction of the slit. That is, a vapor deposition mask in which two kinds of metal masks are combined has been proposed. According to this vapor deposition mask, it is said that the slit accuracy can be ensured without causing distortion in the slit.

ところで近時、有機ＥＬ素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつあり、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板に、微細パターンを精度よく形成することは困難であり、たとえ上記特許文献１に提案されている方法などによってスリット部のゆがみを防止できたとしても、高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大しフレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。 Recently, with the increase in size of products using organic EL elements or the increase in substrate size, there is an increasing demand for deposition masks, which are used in the manufacture of deposition masks made of metal. Metal plates are also getting bigger. However, with the current metal processing technology, it is difficult to accurately form a fine pattern on a large metal plate, and it is possible to prevent distortion of the slit portion by the method proposed in Patent Document 1 above. However, it cannot cope with high definition. In addition, in the case of a vapor deposition mask made of only metal, the mass increases with the increase in size, and the total mass including the frame also increases, which hinders handling.

特開２００３−３３２０５７号公報JP 2003-332057 A

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、かつ、蒸着加工対象物に対する電気的な影響を防止することのできる蒸着マスクを提供すること、及びこの樹脂マスクと金属フレームとが固定された金属フレーム一体型蒸着マスクを提供することを主たる課題とする。 The present invention has been made in view of such a situation, and even when the size is increased, both high definition and light weight can be satisfied, and electrical influence on a vapor deposition object can be prevented. It is a main object to provide a vapor deposition mask that can be used, and to provide a metal frame integrated vapor deposition mask in which the resin mask and the metal frame are fixed.

上記課題を解決するための本発明は、スリットが設けられた金属マスク上に、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部を有する樹脂マスクが設けられた蒸着マスクであって、（Ａ）前記樹脂マスクに導電性を有する材料が含有されている、又は、（Ｂ）前記樹脂マスク上に導電層が設けられていることを特徴とする。 The present invention for solving the above-mentioned problems is a vapor deposition mask in which a resin mask having an opening corresponding to a pattern to be vapor-deposited at a position overlapping with the slit is provided on a metal mask provided with a slit, (A) The resin mask contains a conductive material, or (B) a conductive layer is provided on the resin mask.

また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクと、金属フレームとが固定された金属フレーム一体型蒸着マスクであって、前記蒸着マスクは、スリットが設けられた金属マスク上に、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部を有する樹脂マスクが設けられ、（Ａ）前記樹脂マスクに導電性を有する材料が含有されている構成をとる、又は、（Ｂ）前記樹脂マスク上に導電層が設けられた構成をとり、前記蒸着マスクの前記金属マスクは、前記金属フレームと固定されており、前記（Ｂ）の構成をとる場合には、前記金属フレームと前記導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする。 Further, the present invention for solving the above problems is a metal frame-integrated vapor deposition mask in which a vapor deposition mask and a metal frame are fixed, and the vapor deposition mask is formed on the metal mask provided with a slit. A resin mask having an opening corresponding to a pattern to be deposited is provided at a position overlapping with the slit, and (A) the resin mask contains a conductive material, or (B) the resin The conductive layer is provided on the mask, and the metal mask of the vapor deposition mask is fixed to the metal frame. In the case of the configuration (B), the metal frame and the conductive layer are used. Are electrically connected to each other.

本発明の蒸着マスクによれば、金属マスクと樹脂マスクとを組合せて用いることにより、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができる。さらに、蒸着マスクの帯電に起因して生じうる蒸着加工対象物の破損等を防止することができる。また、本発明の金属フレーム一体型蒸着マスクによれば、当該金属フレーム一体型蒸着マスクを構成する金属フレームがアースとしての役割を果たし、より効果的に、蒸着マスクの帯電に起因して生じうる蒸着加工対象物の破損等を防止することができる。 According to the vapor deposition mask of the present invention, by using a combination of a metal mask and a resin mask, both high definition and light weight can be satisfied even when the size is increased. Furthermore, it is possible to prevent damage or the like of a vapor deposition object that may be caused by charging of the vapor deposition mask. Moreover, according to the metal frame integrated vapor deposition mask of the present invention, the metal frame constituting the metal frame integrated vapor deposition mask serves as a ground, and can be more effectively caused by charging of the vapor deposition mask. It is possible to prevent damage or the like of the vapor deposition object.

本発明の第１実施形態の蒸着マスクの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the vapor deposition mask of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態の蒸着マスクの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the vapor deposition mask of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の蒸着マスクを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the vapor deposition mask of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の蒸着マスクの金属マスクと樹脂マスクを分解して示す概略斜視図であり、（ａ）は金属マスクの概略斜視図であり、（ｂ）は樹脂マスクの概略斜視図である。It is a schematic perspective view which decomposes | disassembles and shows the metal mask and resin mask of the vapor deposition mask of this invention, (a) is a schematic perspective view of a metal mask, (b) is a schematic perspective view of a resin mask. 本発明の蒸着マスクを、金属マスク側から見た正面図である。It is the front view which looked at the vapor deposition mask of this invention from the metal mask side. （ａ）は樹脂マスクの構成の一例を示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。(A) is a perspective view which shows an example of a structure of a resin mask, (b) is the sectional drawing. 樹脂マスクの開口部を設ける位置の一例を示すための正面図であり、本発明の蒸着マスクを、金属マスク側から見た正面図である。It is the front view for showing an example of the position which provides the opening part of a resin mask, and is the front view which looked at the vapor deposition mask of this invention from the metal mask side. 本発明の一実施形態の金属フレーム一体型蒸着マスクの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the metal frame integrated vapor deposition mask of one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態の金属フレーム一体型蒸着マスクの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the metal frame integrated vapor deposition mask of other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態の金属フレーム一体型蒸着マスクの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the metal frame integrated vapor deposition mask of other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態の金属フレーム一体型蒸着マスクの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the metal frame integrated vapor deposition mask of other embodiment of this invention. 本発明の金属フレーム一体型蒸着マスクの金属フレームと蒸着マスクを分解して示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which decomposes | disassembles and shows the metal frame and vapor deposition mask of the metal frame integrated vapor deposition mask of this invention. レーザーの照射方向と、樹脂マスクの開口部の断面形状との関係を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the relationship between the irradiation direction of a laser, and the cross-sectional shape of the opening part of a resin mask. シャドウと、金属マスクの厚みとの関係を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the relationship between a shadow and the thickness of a metal mask.

＜＜蒸着マスク＞＞
本発明の蒸着マスクは、図１〜図４に示すように、スリット１５が設けられた金属マスク１０上に、スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５を有する樹脂マスク２０が設けられている。 << Evaporation mask >>
As shown in FIGS. 1 to 4, the vapor deposition mask of the present invention has a resin mask 20 having an opening 25 corresponding to a pattern to be vapor-deposited at a position overlapping the slit 15 on the metal mask 10 provided with the slit 15. Is provided.

本発明の蒸着マスクは、金属マスク１０と、樹脂マスク２０とが組合された構成をとる。ここで、本発明の蒸着マスク１００の質量と、従来公知の金属のみから構成される蒸着マスク材の質量とを、蒸着マスク全体の厚みが同一であると仮定して比較すると、従来公知の蒸着マスクの金属材料の一部を樹脂材料に置き換えた分だけ、本発明の蒸着マスク１００の質量は軽くなる。また、金属のみから構成される蒸着マスクを用いて、軽量化を図るためには、当該蒸着マスクの厚みを薄くする必要などがあるが、蒸着マスクの厚みを薄くした場合には、蒸着マスクを大型化した際に、蒸着マスクに歪みが発生する場合や、耐久性が低下する場合が起こる。一方、本発明の蒸着マスクによれば、大型化したときの歪みや、耐久性を満足させるべく、蒸着マスク全体の厚みを厚くしていった場合であっても、樹脂マスク２０の存在によって、金属のみから形成される蒸着マスクよりも軽量化を図ることができる。 The vapor deposition mask of the present invention has a configuration in which a metal mask 10 and a resin mask 20 are combined. Here, when comparing the mass of the vapor deposition mask 100 of the present invention with the mass of the vapor deposition mask material composed of only a conventionally known metal, assuming that the thickness of the entire vapor deposition mask is the same, the conventional vapor deposition is known. The mass of the vapor deposition mask 100 of the present invention is reduced by the amount that a part of the metal material of the mask is replaced with the resin material. In addition, in order to reduce the weight by using a vapor deposition mask made of only metal, it is necessary to reduce the thickness of the vapor deposition mask. However, if the vapor deposition mask is thin, When the size is increased, the vapor deposition mask may be distorted or the durability may be reduced. On the other hand, according to the vapor deposition mask of the present invention, even when the thickness of the entire vapor deposition mask is increased in order to satisfy distortion and durability when it is enlarged, due to the presence of the resin mask 20, The weight can be reduced as compared with a vapor deposition mask formed of only metal.

また、樹脂マスクを形成するための樹脂板や樹脂層を構成する樹脂材料は、金属材料と比較して高精細な加工を行うことができる性質を有する。したがって、本発明の蒸着マスクによれば、軽量化を図りつつも、樹脂マスク２０に蒸着作製するパターンに対応した高精細な開口部２５を設けることで、蒸着加工対象物（以下、単に加工対象物という場合がある。）に高精細な蒸着パターンを形成することができる。 Further, the resin material for forming the resin mask and the resin layer for forming the resin mask has the property that high-definition processing can be performed as compared with the metal material. Therefore, according to the vapor deposition mask of the present invention, while reducing the weight, by providing the resin mask 20 with a high-definition opening 25 corresponding to the pattern to be vapor-deposited, an object to be vapor-deposited (hereinafter simply referred to as a process target). A high-definition deposition pattern can be formed.

ところで、上記構成を有する蒸着マスクを用いた蒸着パターン形成時において、通常、開口部２５が設けられた樹脂マスクは加工対象物と対向する位置に存在している。一般的に、樹脂は電気絶縁体であることから、樹脂マスクは金属マスクと比較して非常に帯電しやすい状態となっており、樹脂マスクが帯電した状態で加工対象物に蒸着パターンを形成した場合には、帯電した状態の樹脂マスクは、当該樹脂マスクと対向する位置に存在する加工対象物に電気的な影響を及ぼす。例えば、加工対象物が、ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｅｒ）基板等である場合には、ＴＦＴ基板上に形成されている各種電極等を破壊してしまう等の重大な問題を引き起こす。 By the way, at the time of vapor deposition pattern formation using the vapor deposition mask which has the said structure, the resin mask provided with the opening part 25 exists in the position facing a process target object normally. In general, since the resin is an electrical insulator, the resin mask is much more easily charged than the metal mask, and a vapor deposition pattern was formed on the workpiece with the resin mask charged. In some cases, the charged resin mask has an electrical effect on the workpiece existing at a position facing the resin mask. For example, when the object to be processed is a TFT (Thin Film Transistor) substrate or the like, a serious problem such as destruction of various electrodes or the like formed on the TFT substrate is caused.

そこで、本発明では、スリット１５が設けられた金属マスク１０上に、スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５を有する樹脂マスク２０が設けられた蒸着マスク１００において、更に、（Ａ）樹脂マスク２０に導電性を有する材料が含有されている、又は（Ｂ）樹脂マスク２０上に導電層３０が設けられている点を特徴とする。 Therefore, in the present invention, in the vapor deposition mask 100 in which the resin mask 20 having the opening 25 corresponding to the pattern to be vapor deposited is provided on the metal mask 10 provided with the slit 15 so as to overlap with the slit 15, (A) The resin mask 20 contains a conductive material, or (B) the conductive layer 30 is provided on the resin mask 20.

上記（Ａ）、又は（Ｂ）の特徴を更に有する本発明の蒸着マスクによれば、樹脂マスク２０における帯電を防止することができ、加工対象物に電気的な影響を与えることなく、当該加工対象物に高精細な蒸着パターンを形成することができる。以下、本発明の蒸着マスクについて、本発明の蒸着マスクが、（Ａ）導電性を有する材料が含有された樹脂マスク２０ａを備える蒸着マスク１００（第１実施形態の蒸着マスク）である場合と、本発明の蒸着マスクが、（Ｂ）樹脂マスク２０ｂ上に導電層３０が設けられた蒸着マスク（第２実施形態の蒸着マスク）である場合についてそれぞれ説明を行う。なお、図１、図２は、第１実施形態の蒸着マスク１００の一例を示す概略断面図であり、図３は、第２実施形態の蒸着マスク１００の一例を示す概略断面図である。また、図４は、第１実施形態の蒸着マスクの金属マスク１０と、樹脂マスク２０ａを分解した分解斜視図である。 According to the vapor deposition mask of the present invention further having the above feature (A) or (B), the resin mask 20 can be prevented from being charged, and the processing can be performed without affecting the processing target. A high-definition vapor deposition pattern can be formed on the object. Hereinafter, regarding the vapor deposition mask of the present invention, the vapor deposition mask of the present invention is (A) a vapor deposition mask 100 (a vapor deposition mask of the first embodiment) including a resin mask 20a containing a conductive material. The case where the vapor deposition mask of this invention is a vapor deposition mask (vapor deposition mask of 2nd Embodiment) by which the conductive layer 30 was provided on the (B) resin mask 20b is each demonstrated. 1 and 2 are schematic cross-sectional views showing an example of the vapor deposition mask 100 of the first embodiment, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the vapor deposition mask 100 of the second embodiment. FIG. 4 is an exploded perspective view in which the metal mask 10 and the resin mask 20a of the vapor deposition mask of the first embodiment are disassembled.

＜第１実施形態の蒸着マスク＞
図１に示すように第１実施形態の蒸着マスク１００は、スリット１５が設けられた金属マスク１０上に、スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５を有する樹脂マスク２０ａが設けられ、樹脂マスク２０ａが、（Ａ）導電性を有する材料を含有している点を特徴とする。 <Deposition Mask of First Embodiment>
As shown in FIG. 1, the vapor deposition mask 100 of 1st Embodiment has the resin mask 20a which has the opening part 25 corresponding to the pattern vapor-deposited produced in the position which overlaps with the slit 15 on the metal mask 10 in which the slit 15 was provided. It is provided that the resin mask 20a contains (A) a material having conductivity.

（第１実施形態における樹脂マスク）
樹脂マスク２０ａは、樹脂材料から構成され、図４（ｂ）や、図７に示すように、スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５が設けられている。なお、本願明細書において蒸着作製するパターンとは、当該蒸着マスクを用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、本発明の蒸着マスクを有機ＥＬ素子の有機層の形成に用いる場合には、蒸着パターンは当該有機層の形状である。第２実施形態の蒸着マスクの樹脂マスク２０ｂについても同様である。 (Resin mask in the first embodiment)
The resin mask 20a is made of a resin material, and as shown in FIG. 4B and FIG. 7, an opening 25 corresponding to a pattern to be deposited is provided at a position overlapping the slit 15. In addition, the pattern which carries out vapor deposition preparation in this specification means the pattern which it is going to produce using the said vapor deposition mask, for example, when using the vapor deposition mask of this invention for formation of the organic layer of an organic EL element, The vapor deposition pattern is the shape of the organic layer. The same applies to the resin mask 20b of the vapor deposition mask of the second embodiment.

第１実施形態では、樹脂マスク２０ａが導電性を有する点を必須の要件とする。なお、本願明細書において導電性を有する材料を含む樹脂マスク２０ａという場合には、（ｉ）バインダーと導電性を有する材料とから構成される樹脂マスク２０ａ、及び（ｉｉ）導電性ポリマーから構成される樹脂マスク２０ａの双方が含まれる。 In the first embodiment, it is an essential requirement that the resin mask 20a has conductivity. In the present specification, the resin mask 20a containing a conductive material is composed of (i) a resin mask 20a composed of a binder and a conductive material, and (ii) a conductive polymer. Both resin masks 20a are included.

前者（ｉ）の樹脂マスクに含まれるバインダーとしては、各種の加工法、例えば、レーザー加工等によって高精細な開口部２５の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。 As the binder contained in the former (i) resin mask, the high-definition opening 25 can be formed by various processing methods, for example, laser processing, etc., and the dimensional change rate and moisture absorption rate with time and heat are high. It is preferable to use a small and lightweight material. Examples of such materials include polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyethylene resin, polyvinyl alcohol resin, polypropylene resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, ethylene vinyl acetate copolymer resin, ethylene- Examples thereof include vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, cellophane, and ionomer resin. Among the materials exemplified above, a resin material having a thermal expansion coefficient of 16 ppm / ° C. or less is preferable, a resin material having a moisture absorption rate of 1.0% or less is preferable, and a resin material having both conditions is particularly preferable. .

前者（ｉ）の樹脂マスクに含まれる導電性を有する材料としては、例えば、チタン、アルミニウム、鉄、ニッケル、鉄−ニッケル合金、銅、銅−ニッケル合金、ニオブ、タングステン、タンタル、クロム、ステンレス系合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等を挙げることができる。これら金属の材料以外にも、例えば、炭素系の導電性微粒子等も使用することができる。 Examples of the conductive material contained in the former (i) resin mask include titanium, aluminum, iron, nickel, iron-nickel alloy, copper, copper-nickel alloy, niobium, tungsten, tantalum, chromium, and stainless steel. An alloy, indium oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and the like can be given. In addition to these metal materials, for example, carbon-based conductive fine particles can also be used.

後者（ｉｉ）の導電性ポリマーとしては、例えば、ポリ（オキシエチレン）アルキルアミン、ポリ（オキシエチレン）アルキルアミド、ポリ（オキシエチレン）アルキルエーテル、ポリ（オキシエチレン）アルキルフェニルエーテル、グリセリン脂肪酸エステル、アルキルスルホネート、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルサルフェート、アルキルホスフェート、カチオン系では第４級アンモニウムクロライド、第４級アンモニウムサルフェート、第４級アンモニウムナイトシート、アルキルペタイン型、アルキルイミダゾリン型、アルキルアラニン型、導電性樹脂ではポリビニルベンジル型カチオン、ポリアクリル酸型カチオン等の導電性ポリマーなど挙げることができる。これ以外にも、例えば、特開２０１２−１０７２３１号公報に開示がされている導電性ポリイミド等も好適に使用することができる。 Examples of the latter (ii) conductive polymer include poly (oxyethylene) alkylamine, poly (oxyethylene) alkylamide, poly (oxyethylene) alkyl ether, poly (oxyethylene) alkylphenyl ether, glycerin fatty acid ester, Alkyl sulfonate, alkyl benzene sulfonate, alkyl sulfate, alkyl phosphate, quaternary ammonium chloride, quaternary ammonium sulfate, quaternary ammonium night sheet, alkyl petaine type, alkyl imidazoline type, alkyl alanine type, conductive resin Examples thereof include conductive polymers such as polyvinylbenzyl type cations and polyacrylic acid type cations. In addition to this, for example, conductive polyimide disclosed in JP 2012-107231 A can be suitably used.

また、本実施形態における樹脂マスク２０ａは、その表面抵抗率が１.０×１０³Ω／□以下であることが好ましい。本実施形態における樹脂マスクの表面抵抗率がこの範囲となるように設定することで、樹脂マスクの帯電を効果的に防止することができる。したがって、樹脂マスク２０ａに含まれる導電性材料の含有量等は、表面抵抗率がこの範囲となるような含有量とすることが好ましい。導電性ポリマーの材料についても同様である。 In addition, the resin mask 20a in this embodiment preferably has a surface resistivity of 1.0 × 10 ³ Ω / □ or less. By setting the surface resistivity of the resin mask in this embodiment to be in this range, charging of the resin mask can be effectively prevented. Therefore, the content of the conductive material included in the resin mask 20a is preferably set to such a content that the surface resistivity falls within this range. The same applies to the conductive polymer material.

本実施形態における樹脂マスク２０ａの厚みについても特に限定はないが、本発明の蒸着マスク１００を用いて蒸着を行ったときに、蒸着作成するパターンに不充分な蒸着部分、つまり目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク２０ａは可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク２０ａの厚みが３μｍ未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、金属マスク１０の厚みによっては、樹脂マスクの厚みが２５μｍを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると樹脂マスク２０ａの厚みは３μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。樹脂マスク２０ａの厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。なお、本発明の蒸着マスク１００において、後述する金属マスク１０と樹脂マスク２０ａとは、直接的に接合されていてもよく、粘着剤層を介して接合されていてもよいが、粘着剤層を介して金属マスク１０と樹脂マスク２０ａとが接合される場合には、上記シャドウの点を考慮して、樹脂マスク２０ａと粘着剤層との合計の厚みが３μｍ〜２５μｍの範囲内となるように設定することが好ましい。 The thickness of the resin mask 20a in the present embodiment is not particularly limited, but when vapor deposition is performed using the vapor deposition mask 100 of the present invention, a vapor deposition portion that is insufficient for a pattern to be vapor deposited, that is, a target vapor deposition film. The resin mask 20a is preferably as thin as possible in order to prevent the occurrence of a vapor deposition portion having a thickness smaller than the thickness, that is, a so-called shadow. However, when the thickness of the resin mask 20a is less than 3 μm, defects such as pinholes are likely to occur, and the risk of deformation and the like increases. On the other hand, depending on the thickness of the metal mask 10, shadows may occur when the thickness of the resin mask exceeds 25 μm. Considering this point, the thickness of the resin mask 20a is preferably 3 μm or more and 25 μm or less. By setting the thickness of the resin mask 20a within this range, it is possible to reduce the risk of defects such as pinholes and deformation, and to effectively prevent the generation of shadows. In addition, in the vapor deposition mask 100 of the present invention, the metal mask 10 and the resin mask 20a, which will be described later, may be directly joined or may be joined via an adhesive layer. When the metal mask 10 and the resin mask 20a are bonded to each other, the total thickness of the resin mask 20a and the pressure-sensitive adhesive layer is in the range of 3 μm to 25 μm in consideration of the shadow point. It is preferable to set.

本願明細書でいうシャドウとは、本発明の蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンの形成を行ったときに、蒸着対象物上に蒸着形成されるパターンに不十分な蒸着部分、つまり目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分が生ずる現象のことを言う。 The shadow referred to in the specification of the present application means that when a vapor deposition pattern is formed on a vapor deposition object using the vapor deposition mask of the present invention, a vapor deposition portion that is insufficient for the pattern formed on the vapor deposition object, that is, the purpose. The phenomenon which the vapor deposition part used as a film thickness thinner than the vapor deposition film thickness which produces is produced.

開口部２５の形状、大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに対応する形状、大きさであればよい。また、図５に示すように、隣接する開口部２５の横方向のピッチＰ１や、縦方向のピッチＰ２についても蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。このことは、第２実施形態の蒸着マスク１００の樹脂マスク２０ｂについても同様である。 There is no particular limitation on the shape and size of the opening 25, and any shape and size corresponding to the pattern to be deposited may be used. Further, as shown in FIG. 5, the horizontal pitch P1 and the vertical pitch P2 of the adjacent openings 25 can be set as appropriate according to the pattern to be deposited. The same applies to the resin mask 20b of the vapor deposition mask 100 of the second embodiment.

開口部２５の断面形状についても特に限定はなく、開口部２５を形成する樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行であってもよいが、図１、図１３（ａ）に示すように、開口部２５はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。より具体的には、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ、図２の符号θで示される角度が２５°〜６５°の範囲内であることが好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。開口部２５の断面形状を当該形状とすることにより、本発明の蒸着マスクを用いて蒸着を行ったときに、蒸着作成するパターンにシャドウが生じることを防止することができる。また、図示する形態では、開口部２５を形成する端面２５ａは直線形状を呈しているが、これに限定されることはなく、外に凸の湾曲形状となっている、つまり開口部２５の全体の形状がお椀形状となっていてもよい。このことは、第２実施形態の蒸着マスク１００の樹脂マスク２０ｂについても同様である。 The cross-sectional shape of the opening 25 is not particularly limited, and the end faces facing each other of the resin mask forming the opening 25 may be substantially parallel to each other. However, as shown in FIGS. 25 is preferably a shape whose cross-sectional shape has an extension toward the vapor deposition source. More specifically, the angle indicated by the symbol θ in FIG. 2, which connects the bottom end of the bottom of the opening of the resin mask and the top of the top of the opening of the resin mask, is in the range of 25 ° to 65 °. Preferably there is. In particular, within this range, an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable. By setting the cross-sectional shape of the opening 25 to the shape, it is possible to prevent a shadow from being generated in a pattern formed by vapor deposition when vapor deposition is performed using the vapor deposition mask of the present invention. In the illustrated embodiment, the end face 25a forming the opening 25 has a linear shape, but is not limited to this, and has an outwardly convex curved shape, that is, the entire opening 25. The shape may be a bowl shape. The same applies to the resin mask 20b of the vapor deposition mask 100 of the second embodiment.

樹脂マスク２０ａは、上述したように樹脂、或いは導電性ポリマーが用いられることから、従来の金属加工に用いられる加工法、例えば、エッチングや切削等の加工方法によらず、開口部２５の形成が可能である。つまり、開口部２５の形成方法について特に限定されることなく、各種の加工方法、例えば、高精細な開口部２５の形成が可能なレーザー加工法や、精密プレス加工、フォトリソ加工等を用いて開口部２５を形成することができる。中でも、レーザー加工法によれば、高精細な開口部２５を容易に形成することができる点で好ましい。以下、レーザー加工法によって開口部２５を形成する点を中心に説明する。レーザー加工法に用いられるレーザー装置について特に限定はなく、従来公知のレーザー装置を用いればよい。 Since the resin mask 20a is made of resin or conductive polymer as described above, the opening 25 can be formed regardless of a processing method used in conventional metal processing, for example, a processing method such as etching or cutting. Is possible. That is, the forming method of the opening 25 is not particularly limited, and the opening is made using various processing methods, for example, a laser processing method capable of forming the high-definition opening 25, precision press processing, photolithography processing, or the like. The portion 25 can be formed. Among these, the laser processing method is preferable in that the high-definition opening 25 can be easily formed. In the following, description will be made centering on the point where the opening 25 is formed by a laser processing method. There is no limitation in particular about the laser apparatus used for a laser processing method, What is necessary is just to use a conventionally well-known laser apparatus.

開口部の断面形状を図１に示す形状、すなわち蒸着源側に向かって広がりをもつ断面形状とするためには、各種条件、たとえば、レーザーの照射方向、レーザー出力や、レーザー照射領域を設定することが好ましい。好ましくは、レーザーの照射はスリット１５の樹脂板、或いは樹脂層が形成されていない側から行うことが好ましい。この方向からレーザーの照射を行うことで、レーザーのエネルギーの減衰を利用して、図１３（ａ）に示すように、蒸着源側に向かって広がりを持つ断面形状とすることができる。一方、スリット１５の樹脂板、或いは樹脂層が形成されている側からレーザー照射を行った場合には、図１３（ｂ）に示すように、蒸着源側に向かって狭くなる断面形状になりやすく、シャドウの発生を効果的に防止することが難くなる。なお、図１３（ｂ）に示す方向からレーザー照射を行う場合には、図１３（ａ）に示す形状となるよう、レーザーの照射位置や、レーザーの照射エネルギーを適宜調整する、或いは照射位置を段階的に変化させる多段階のレーザー照射を行うことが好ましい。 In order to make the cross-sectional shape of the opening into the shape shown in FIG. 1, that is, the cross-sectional shape spreading toward the deposition source side, various conditions such as the laser irradiation direction, laser output, and laser irradiation region are set. It is preferable. Preferably, the laser irradiation is preferably performed from the side of the slit 15 where the resin plate or resin layer is not formed. By performing laser irradiation from this direction, it is possible to obtain a cross-sectional shape having a spread toward the vapor deposition source side as shown in FIG. On the other hand, when laser irradiation is performed from the side of the slit 15 where the resin plate or the resin layer is formed, as shown in FIG. It is difficult to effectively prevent the occurrence of shadows. Note that when laser irradiation is performed from the direction shown in FIG. 13B, the laser irradiation position, the laser irradiation energy is appropriately adjusted, or the irradiation position is adjusted so that the shape shown in FIG. It is preferable to perform multistage laser irradiation that changes in stages.

また、本発明では、蒸着マスク１００の構成として樹脂マスク２０ａが用いられることから、この蒸着マスク１００を用いて蒸着を行ったときに、樹脂マスク２０ａの開口部２５には非常に高い熱が加わり、樹脂マスク２０ａの開口部２５を形成する端面から、ガスが発生し、蒸着装置内の真空度を低下させる等のおそれが生じ得る。したがって、この点を考慮すると、図２に示すように、樹脂マスク２０ａの開口部２５を形成する端面２５ａには、バリア層２６が設けられていることが好ましい。バリア層２６を形成することで、樹脂マスク２０ａの開口部２５を形成する端面２５ａからガスが発生することを防止できる。このことは、第２実施形態の蒸着マスク１００の樹脂マスク２０ｂについても同様である。 In the present invention, since the resin mask 20a is used as the configuration of the vapor deposition mask 100, when the vapor deposition is performed using the vapor deposition mask 100, very high heat is applied to the opening 25 of the resin mask 20a. There is a possibility that gas is generated from the end face of the resin mask 20a where the opening 25 is formed, and the degree of vacuum in the vapor deposition apparatus is lowered. Therefore, considering this point, as shown in FIG. 2, it is preferable that a barrier layer 26 is provided on the end face 25a forming the opening 25 of the resin mask 20a. By forming the barrier layer 26, it is possible to prevent gas from being generated from the end face 25a that forms the opening 25 of the resin mask 20a. The same applies to the resin mask 20b of the vapor deposition mask 100 of the second embodiment.

バリア層２６は、無機酸化物や無機窒化物、金属の薄膜層または蒸着層を用いることができる。無機酸化物としては、アルミニウムやケイ素、インジウム、スズ、マグネシウムの酸化物を用いることができ、金属としてはアルミニウム等を用いることができる。バリア層２６の厚みは、０．０５μｍ〜１μｍ程度であることが好ましい。 As the barrier layer 26, an inorganic oxide, an inorganic nitride, a metal thin film layer, or a vapor deposition layer can be used. As the inorganic oxide, an oxide of aluminum, silicon, indium, tin, or magnesium can be used, and as the metal, aluminum or the like can be used. The thickness of the barrier layer 26 is preferably about 0.05 μm to 1 μm.

さらに、バリア層は、樹脂マスク２０ａの蒸着源側表面を覆っていることが好ましい。樹脂マスク２０ａの蒸着源側表面をバリア層２６で覆うことによりバリア性が更に向上する。バリア層は、無機酸化物、および無機窒化物の場合は各種ＰＶＤ法、ＣＶＤ法によって形成することが好ましい。金属の場合は、真空蒸着法によって形成することが好ましい。なお、ここでいうところの樹脂マスク２０ａの蒸着源側表面とは、樹脂マスク２０ａの蒸着源側の表面の全体であってもよく、樹脂マスク２０ａの蒸着源側の表面において金属マスクから露出している部分のみであってもよい。 Furthermore, the barrier layer preferably covers the deposition source side surface of the resin mask 20a. The barrier property is further improved by covering the deposition source side surface of the resin mask 20 a with the barrier layer 26. In the case of inorganic oxides and inorganic nitrides, the barrier layer is preferably formed by various PVD methods and CVD methods. In the case of a metal, it is preferably formed by a vacuum deposition method. The surface on the vapor deposition source side of the resin mask 20a mentioned here may be the entire surface on the vapor deposition source side of the resin mask 20a, and is exposed from the metal mask on the surface on the vapor deposition source side of the resin mask 20a. It may be only the part which is.

図６（ａ）は樹脂マスクの別の態様の斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。 FIG. 6A is a perspective view of another embodiment of the resin mask, and FIG. 6B is a cross-sectional view thereof.

図６に示すように、樹脂マスク２０上には、樹脂マスク２０の縦方向、或いは横方向にのびる溝２８が形成されていることが好ましい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク２０が熱膨張し、これにより開口部２５の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、当該溝２８を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク２０が全体として所定の方向に膨張して開口部２５の寸法や位置が変化することを防止することができる。 As shown in FIG. 6, it is preferable that a groove 28 extending in the vertical direction or the horizontal direction of the resin mask 20 is formed on the resin mask 20. When heat is applied at the time of vapor deposition, the resin mask 20 may thermally expand, which may cause a change in the size and position of the opening 25. However, by forming the groove 28, the expansion of the resin mask is absorbed. It is possible to prevent the resin mask 20 from expanding in a predetermined direction as a whole and accumulating the thermal expansion occurring at various portions of the resin mask and changing the size and position of the opening 25.

なお、図６では、開口部２５の間に縦方向に延びる溝２８が形成されているが、これに限定されることはなく、開口部２５の間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、開口部２５の間に限定されることはなく、開口部２５と重なる位置に溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。 In FIG. 6, the grooves 28 extending in the vertical direction are formed between the openings 25. However, the present invention is not limited to this, and a groove extending in the horizontal direction may be formed between the openings 25. Good. Furthermore, it is not limited between the opening parts 25, You may form a groove | channel in the position which overlaps with the opening part 25. FIG. Furthermore, it is possible to form the grooves in a combination of these.

溝２８の深さやその幅については特に限定はないが、溝２８の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク２０の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくＵ字形状やＶ字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。以上説明した樹脂マスクの溝２８については、後述する第２実施形態の蒸着マスクの樹脂マスク２０ｂについても適用可能である。 The depth and width of the groove 28 are not particularly limited. However, if the depth of the groove 28 is too deep or too wide, the rigidity of the resin mask 20 tends to decrease. It is necessary to set in consideration of Further, the cross-sectional shape of the groove is not particularly limited, and may be arbitrarily selected in consideration of a processing method such as a U shape or a V shape. About the resin mask groove | channel 28 demonstrated above, it can apply also to the resin mask 20b of the vapor deposition mask of 2nd Embodiment mentioned later.

また、図７（ａ）に示すように、蒸着マスク１００の金属マスク１０側から見た正面図において、金属マスクのスリット１５と重なる開口部２５を横方向に互い違いに設けてもよい。つまり、横方向に隣り合う開口部２５を縦方向にずらして設けてもよい。開口部２５を、このように設けることにより、樹脂マスク２０が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部２５によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。また、図７（ｂ）に示すようにスリット１５と重なる開口部２５は横方向に２つ以上設けられていてもよい。なお、図７に示す形態では、１つのスリット１５と重なる開口部２５として複数の開口部を有しているが、１つのスリットと重なる位置に設けられる開口部２５は、１つであってもよく、図７に示すように縦方向、或いは横方向に複数あってもよい。 Moreover, as shown to Fig.7 (a), in the front view seen from the metal mask 10 side of the vapor deposition mask 100, you may provide alternately the opening part 25 which overlaps with the slit 15 of a metal mask in a horizontal direction. In other words, the openings 25 adjacent in the horizontal direction may be provided while being shifted in the vertical direction. By providing the opening 25 in this manner, even when the resin mask 20 is thermally expanded, the expansion generated in various places can be absorbed by the opening 25, and the expansion is accumulated and large deformation occurs. Can be prevented. Moreover, as shown in FIG.7 (b), the opening part 25 which overlaps with the slit 15 may be provided two or more in the horizontal direction. In the form shown in FIG. 7, a plurality of openings are provided as openings 25 that overlap with one slit 15, but even if there is only one opening 25 provided at a position that overlaps with one slit. As shown in FIG. 7, there may be a plurality in the vertical direction or the horizontal direction.

また、図１〜図３に示すように、樹脂マスク２０ａ、２０ｂに設けられる開口部２５は、１画素に対応させる必要はなく、例えば２画素〜１０画素をまとめて一つの開口部２５としてもよい。以上説明した樹脂マスク２０ａにおける開口部２５を設ける位置の例については、後述する第２実施形態の蒸着マスクの樹脂マスクについても適用可能である。 As shown in FIGS. 1 to 3, the opening 25 provided in the resin masks 20 a and 20 b does not need to correspond to one pixel. For example, 2 to 10 pixels may be combined into one opening 25. Good. About the example of the position which provides the opening part 25 in the resin mask 20a demonstrated above, it is applicable also to the resin mask of the vapor deposition mask of 2nd Embodiment mentioned later.

（金属マスク）
金属マスク１０は、金属から構成され、該金属マスク１０の正面からみたときに、開口部２５と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク２０ａに設けられた全ての開口部２５がみえる位置に、縦方向或いは横方向に延びるスリット１５が設けられている。図４（ａ）では、金属マスク１０の縦方向に延びるスリット１５が横方向に連続して配置されている。なお、スリット１５は、図４に示すように複数列配置されていてもよく、１列のみ配置されていてもよい。 (Metal mask)
The metal mask 10 is made of metal, and when viewed from the front of the metal mask 10, the metal mask 10 is vertically positioned at a position where it overlaps with the opening 25, in other words, at a position where all the openings 25 provided in the resin mask 20a can be seen. A slit 15 extending in the horizontal direction or the horizontal direction is provided. In FIG. 4A, the slits 15 extending in the vertical direction of the metal mask 10 are continuously arranged in the horizontal direction. The slits 15 may be arranged in a plurality of rows as shown in FIG. 4, or only one row may be arranged.

スリット１５の幅Ｗについて特に限定はないが、少なくとも隣接する開口部２５間のピッチよりも短くなるように設計することが好ましい。具体的には、図５に示すように、スリット１５が縦方向に延びる場合には、スリット１５の横方向の幅Ｗは、横方向に隣接する開口部２５のピッチＰ１よりも短くすることが好ましい。同様に、図示はしないが、スリット１５が横方向に伸びている場合には、スリット１５の縦方向の幅は、縦方向に隣接する開口部２５のピッチＰ２よりも短くすることが好ましい。一方で、スリット１５が縦方向に延びる場合の縦方向の長さＬについては、特に限定されることはなく、金属マスク１０の縦の長さおよび樹脂マスク２０ａに設けられている開口部２５の位置に応じて適宜設計すればよい。 The width W of the slit 15 is not particularly limited, but is preferably designed to be at least shorter than the pitch between the adjacent openings 25. Specifically, as shown in FIG. 5, when the slit 15 extends in the vertical direction, the horizontal width W of the slit 15 may be shorter than the pitch P1 of the openings 25 adjacent in the horizontal direction. preferable. Similarly, although not illustrated, when the slit 15 extends in the horizontal direction, the width in the vertical direction of the slit 15 is preferably shorter than the pitch P2 of the openings 25 adjacent in the vertical direction. On the other hand, the vertical length L when the slit 15 extends in the vertical direction is not particularly limited, and the vertical length of the metal mask 10 and the opening 25 provided in the resin mask 20a. What is necessary is just to design suitably according to a position.

金属マスク１０に形成されるスリット１５の断面形状についても特に限定されることはないが、上記樹脂マスク２０ａにおける開口部２５と同様、図１に示すように、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。 The cross-sectional shape of the slit 15 formed in the metal mask 10 is not particularly limited, but as with the opening 25 in the resin mask 20a, as shown in FIG. It is preferable that it is a shape.

金属マスク１０の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。 The material of the metal mask 10 is not particularly limited, and any conventionally known material can be appropriately selected and used in the field of the evaporation mask, and examples thereof include metal materials such as stainless steel, iron-nickel alloy, and aluminum alloy. . Among them, an invar material that is an iron-nickel alloy can be suitably used because it is less deformed by heat.

また、本発明の蒸着マスク１００を用いて、基板上へ蒸着を行うにあたり、基板後方に磁石等を配置して基板前方の蒸着マスク１００を磁力によって引きつけることが必要な場合には、金属マスク１０を磁性体で形成することが好ましい。磁性体の金属マスク１０としては、純鉄、炭素鋼、Ｗ鋼、Ｃｒ鋼、Ｃｏ鋼、ＫＳ鋼、ＭＫ鋼、ＮＫＳ鋼、Ｃｕｎｉｃｏ鋼、Ａｌ−Ｆｅ合金等を挙げることができる。また、金属マスク１０を形成する材料そのものが磁性体でない場合には、当該材料に上記磁性体の粉末を分散させることにより金属マスク１０に磁性を付与してもよい。 Further, when vapor deposition is performed on the substrate using the vapor deposition mask 100 of the present invention, a metal mask 10 is used when it is necessary to place a magnet or the like behind the substrate and attract the vapor deposition mask 100 in front of the substrate by magnetic force. Is preferably made of a magnetic material. Examples of the magnetic metal mask 10 include pure iron, carbon steel, W steel, Cr steel, Co steel, KS steel, MK steel, NKS steel, Cunico steel, and Al-Fe alloy. When the material forming the metal mask 10 is not a magnetic material, the metal mask 10 may be magnetized by dispersing the magnetic powder in the material.

金属マスク１０の厚みについても特に限定はないが、５μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。蒸着時におけるシャドウの防止を考慮した場合、金属マスク１０の厚さは薄い方が好ましいが、５μｍより薄くした場合、破断や変形のリスクが高まるとともにハンドリングが困難となる可能性がある。ただし、本発明では、金属マスク１０は樹脂マスク２０ａと一体化されていることから、金属マスク１０の厚さが５μｍと非常に薄い場合であっても、破断や変形のリスクを低減させることができ、５μｍ以上であれば使用可能である。なお、１００μｍより厚くした場合には、シャドウの発生が生じ得るため好ましくない。以上説明した金属マスク１０は、後述する第２実施形態の蒸着マスク１００の金属マスクにそのまま適用することができる。 The thickness of the metal mask 10 is not particularly limited, but is preferably about 5 μm to 100 μm. Considering prevention of shadow during vapor deposition, the thickness of the metal mask 10 is preferably thin. However, when the thickness is smaller than 5 μm, the risk of breakage and deformation increases and handling may be difficult. However, in the present invention, since the metal mask 10 is integrated with the resin mask 20a, the risk of breakage and deformation can be reduced even when the thickness of the metal mask 10 is as thin as 5 μm. It can be used if it is 5 μm or more. When the thickness is greater than 100 μm, shadows may be generated, which is not preferable. The metal mask 10 described above can be applied as it is to the metal mask of the vapor deposition mask 100 of the second embodiment to be described later.

以下、図１４（ａ)〜図１４（ｃ）を用いてシャドウの発生と、金属マスク１０の厚みとの関係について具体的に説明する。図１４（ａ）に示すように、金属マスク１０の厚みが薄い場合には、蒸着源から蒸着対象物に向かって放出される蒸着材は、金属マスク１０のスリット１５の内壁面や、金属マスク１０の樹脂マスク２０が設けられていない側の表面に衝突することなく金属マスク１０のスリット１５、及び樹脂マスク２０の開口部２５を通過して蒸着対象物へ到達する。これにより、蒸着対象物上へ、均一な膜厚での蒸着パターンの形成が可能となる。つまりシャドウの発生を防止することができる。一方、図１４（ｂ）に示すように、金属マスク１０の厚みが厚い場合、例えば、金属マスク１０の厚みが１００μｍを超える厚みである場合には、蒸着源から放出された蒸着材の一部は、金属マスク１０のスリット１５の内壁面や、金属マスク１０の樹脂マスク２０が形成されていない側の表面に衝突し、蒸着対象物へ到達することができない。蒸着対象物へ到達することができない蒸着材が多くなるほど、蒸着対象物に目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる、シャドウが発生することとなる。 Hereinafter, the relationship between the occurrence of shadows and the thickness of the metal mask 10 will be described in detail with reference to FIGS. 14 (a) to 14 (c). As shown in FIG. 14A, when the metal mask 10 is thin, the vapor deposition material released from the vapor deposition source toward the vapor deposition target is the inner wall surface of the slit 15 of the metal mask 10 or the metal mask. 10 passes through the slit 15 of the metal mask 10 and the opening 25 of the resin mask 20 without colliding with the surface on the side where the resin mask 20 is not provided. Thereby, it becomes possible to form a vapor deposition pattern with a uniform film thickness on the vapor deposition object. That is, the occurrence of shadows can be prevented. On the other hand, as shown in FIG. 14B, when the thickness of the metal mask 10 is thick, for example, when the thickness of the metal mask 10 exceeds 100 μm, a part of the vapor deposition material released from the vapor deposition source. Cannot collide with the inner wall surface of the slit 15 of the metal mask 10 or the surface of the metal mask 10 where the resin mask 20 is not formed, and cannot reach the deposition target. As the amount of the vapor deposition material that cannot reach the vapor deposition target increases, an undeposited portion having a thickness smaller than the target vapor deposition thickness is generated on the vapor deposition target.

シャドウ発生を十分に防止するには、図１４（ｃ）に示すように、スリット１５の断面形状を、蒸着源に向かって広がりをもつような形状とすることが好ましい。このような断面形状とすることで、蒸着マスク１００に生じうる歪みの防止、或いは耐久性の向上を目的として、金属マスク１０の厚みを比較的厚くした場合であっても、蒸着源から放出された蒸着材が、スリット１５の当該表面や、スリット１５の内壁面に衝突等することなく、蒸着材を蒸着対象物へ到達させることができる。より好ましくは、金属マスク１０のスリット１５における下底先端と、同じく金属マスク１０のスリット１５における上底先端を結んだ直線と金属マスク１０の底面とのなす角度が２５°〜６５°の範囲内であることが好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。このような断面形状とすることで、金属マスク１０の厚みを比較的厚くした場合であっても、シャドウ発生をより効果的に防止することができる。なお、図１４は、シャドウの発生と金属マスク１０のスリット１５との関係を説明するための部分概略断面図である。 In order to sufficiently prevent the generation of shadows, it is preferable that the cross-sectional shape of the slit 15 is a shape that expands toward the vapor deposition source, as shown in FIG. With such a cross-sectional shape, even if the thickness of the metal mask 10 is relatively thick for the purpose of preventing distortion that may occur in the vapor deposition mask 100 or improving durability, it is released from the vapor deposition source. The deposited material can reach the deposition object without colliding with the surface of the slit 15 or the inner wall surface of the slit 15. More preferably, the angle formed by the straight line connecting the lower bottom tip of the slit 15 of the metal mask 10 and the upper bottom tip of the slit 15 of the metal mask 10 and the bottom surface of the metal mask 10 is in the range of 25 ° to 65 °. It is preferable that In particular, within this range, an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable. By setting it as such a cross-sectional shape, even if it is a case where the thickness of the metal mask 10 is comparatively thick, generation | occurrence | production of a shadow can be prevented more effectively. FIG. 14 is a partial schematic cross-sectional view for explaining the relationship between the generation of shadows and the slits 15 of the metal mask 10.

第１実施形態の蒸着マスクの製造方法について特に限定はなく、例えば、スリットが設けられた金属マスクと、導電性材料とバインダーとを含む樹脂板、或いは導電性ポリマーを含む樹脂板とを貼り合わせ、上記で説明したようにスリット１５の樹脂板が設けられていない側からレーザーを照射する、或いはスリット１５の樹脂板が設けられていない側からエッチング加工を行うことで、図１３（ａ）に示す断面形状の開口部２５が設けられた樹脂マスク２０を得ることができる。金属マスクと、導電性材料とバインダーとを含む樹脂板、或いは導電性ポリマーを含む樹脂板との貼り合わせは、例えば、粘着剤層等を介して行うことができる。 There is no limitation in particular about the manufacturing method of the vapor deposition mask of 1st Embodiment, For example, the metal mask provided with the slit, the resin plate containing a conductive material and a binder, or the resin plate containing a conductive polymer is bonded together. As described above, by irradiating the laser from the side where the resin plate of the slit 15 is not provided, or by performing the etching process from the side where the resin plate of the slit 15 is not provided, FIG. The resin mask 20 provided with the opening 25 having the cross-sectional shape shown can be obtained. The bonding of the metal mask, the resin plate containing the conductive material and the binder, or the resin plate containing the conductive polymer can be performed, for example, via an adhesive layer.

上記ではレーザー加工法を用いて開口部２５を形成する例を説明したが、レーザー加工法にかえて、エッチング加工方法によって開口部２５を形成することもできる。樹脂板、或いは樹脂層に開口部２５を形成するためのエッチング加工法について特に限定はなく、例えば、エッチング材を噴射ノズルから所定の噴霧圧力で噴霧するスプレーエッチング法、エッチング材が充填されたエッチング液中に浸漬する浸漬エッチング法、エッチング材を滴下するスピンエッチング法等のウェットエッチング法や、ガス、プラズマ等を利用したドライエッチング法を用いることができる。樹脂板、或いは樹脂層を侵食除去することができるエッチング材についても特に限定はなく、例えば、樹脂層２０の樹脂材料としてポリイミド樹脂を用いる場合には、エッチング材として、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムを溶解させたアルカリ水溶液、ヒドラジン等を用いることができる。エッチング材は市販品をそのまま使用することもでき、ポリイミド樹脂のエッチング材としては、東レエンジニアリング（株）製のＴＰＥ３０００などが使用可能である。 Although the example which forms the opening part 25 using a laser processing method was demonstrated above, it can also form the opening part 25 with an etching method instead of a laser processing method. There is no particular limitation on the etching method for forming the opening 25 in the resin plate or the resin layer. For example, a spray etching method in which an etching material is sprayed from a spray nozzle at a predetermined spray pressure, an etching material filled A wet etching method such as an immersion etching method in which the substrate is immersed in a liquid, a spin etching method in which an etching material is dropped, or a dry etching method using gas, plasma, or the like can be used. There is no particular limitation on the etching material capable of eroding and removing the resin plate or the resin layer. For example, when a polyimide resin is used as the resin material of the resin layer 20, sodium hydroxide or potassium hydroxide is used as the etching material. An aqueous alkali solution, hydrazine or the like in which is dissolved can be used. Commercially available etching materials can be used as they are, and TPE3000 manufactured by Toray Engineering Co., Ltd. can be used as the polyimide resin etching material.

また、金属マスク１０のスリット１５の形成方法について特に限定はなく、例えば、１４（ｃ）に示す断面形状のスリット１５は、金属板の樹脂マスク２０が形成されない側から、エッチング加工、或いはレーザー加工を施すことが好ましい。エッチング加工法は、エッチング材の進行方向に向かって、換言すればエッチングの深さ方向に向かって、幅方向のエッチング量が減少していくといった性質を有する。したがって、金属板の樹脂マスク２０が形成されない側からエッチング加工を行うことで、スリット１５の断面形状を蒸着源側に向かって広がりをもつ形状とすることができる。また、当該方向からレーザー加工を施した場合には、レーザーのエネルギーの減衰を利用して、図１４（ｃ）に示すようにスリット１５の断面形状を蒸着源側に向かって広がりをもつ形状とすることができる。 Moreover, there is no limitation in particular about the formation method of the slit 15 of the metal mask 10, For example, the slit 15 of the cross-sectional shape shown to 14 (c) is an etching process or a laser process from the side in which the resin mask 20 of a metal plate is not formed. It is preferable to apply. The etching method has a property that the etching amount in the width direction decreases toward the traveling direction of the etching material, in other words, toward the etching depth direction. Therefore, by performing an etching process from the side of the metal plate where the resin mask 20 is not formed, the cross-sectional shape of the slit 15 can be expanded toward the vapor deposition source side. In addition, when laser processing is performed from this direction, the cross-sectional shape of the slit 15 has a shape that expands toward the deposition source side as shown in FIG. can do.

スリット１５を形成するためのエッチング加工法について特に限定はなく、上記樹脂板、或いは樹脂層に開口部２５形成するためのエッチング加工法と同様の方法を用いることができる。また、エッチング材についても特に限定はなく、エッチング材についても特に限定はなく、金属板１０の金属材料を侵食除去することができる従来公知のエッチング材を適宜選択して用いることができる。例えば、ウェットエッチングに用いられるエッチング材としては、弗酸等を挙げることができる。ドライエッチングに用いられるエッチング材としては、四フッ化炭素などのガスを挙げることができる。 The etching method for forming the slit 15 is not particularly limited, and the same method as the etching method for forming the opening 25 in the resin plate or the resin layer can be used. The etching material is not particularly limited, and the etching material is not particularly limited. A conventionally known etching material capable of eroding and removing the metal material of the metal plate 10 can be appropriately selected and used. For example, hydrofluoric acid or the like can be given as an etching material used for wet etching. As an etching material used for dry etching, a gas such as carbon tetrafluoride can be used.

また、上記樹脂板にかえて、適当な溶媒にバインダーと導電性材料、或いは導電性ポリマーを適当な溶媒に分散ないし溶解した樹脂マスク用塗工液を準備し、この塗工液を金属板上に、従来公知の塗工方法を用いて塗工し、乾燥することで樹脂層を形成し、金属板へスリットを形成した後に、樹脂層に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成することによっても第１実施形態の蒸着マスクを製造可能である。 Also, instead of the resin plate, a resin mask coating solution prepared by dispersing or dissolving a binder and a conductive material or a conductive polymer in a suitable solvent in a suitable solvent is prepared. In addition, a resin layer is formed by applying and drying using a conventionally known coating method, and after forming a slit in the metal plate, an opening corresponding to a pattern to be deposited on the resin layer is formed. Thus, the vapor deposition mask of the first embodiment can be manufactured.

＜第２実施形態の蒸着マスク＞
次に、第２実施形態の蒸着マスクについて説明する。第２実施形態の蒸着マスク１００は、図３に示すように、スリット１５が設けられた金属マスク１０上に、スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５を有する樹脂マスク２０ｂが設けられ、さらに、樹脂マスク２０ｂ上に導電層３０が設けられた構成をとる。 <Deposition Mask of Second Embodiment>
Next, the vapor deposition mask of 2nd Embodiment is demonstrated. As shown in FIG. 3, the vapor deposition mask 100 of the second embodiment has a resin mask 20 b having an opening 25 corresponding to a pattern to be vapor-deposited on the metal mask 10 provided with the slit 15 at a position overlapping the slit 15. Further, the conductive layer 30 is provided on the resin mask 20b.

（第２実施形態の樹脂マスク）
第２実施形態の蒸着マスク１００では、図３に示すように、樹脂マスク２０ｂ上に導電層３０が設けられ、この導電層３０によって帯電防止効果が図られている点を特徴とし、樹脂マスク２０ｂ自体が導電性を有していることを必須の要件としない点で、上記第１実施形態の蒸着マスクにおける樹脂マスク２０ａと相違する。この相違点以外は上記第１実施形態の樹脂マスク２０ａで説明した各種構成をそのまま採用することができ、相違点以外についてのここでの具体的な説明は省略する。 (Resin Mask of Second Embodiment)
As shown in FIG. 3, the vapor deposition mask 100 of the second embodiment is characterized in that a conductive layer 30 is provided on a resin mask 20b, and the conductive layer 30 provides an antistatic effect, and the resin mask 20b. It differs from the resin mask 20a in the vapor deposition mask of the said 1st Embodiment by the point which does not make it an essential requirement that itself has electroconductivity. Except for this difference, the various configurations described with respect to the resin mask 20a of the first embodiment can be employed as they are, and a specific description here except for the difference will be omitted.

導電性を有しない樹脂マスク２０ｂとしては、例えば、上記第１実施形態の樹脂マスク２０ａで説明したバインダーから構成される樹脂マスク２０ｂ等を挙げることができる。なお、本実施形態の樹脂マスク２０ｂは、導電性を有していることを除外するものではなく、当該実施形態における樹脂マスク２０ｂ自体が導電性を有していてもよい。導電性を有する樹脂マスク２０ｂとする場合には、上記第１実施形態の樹脂マスク２０ａと同様の構成とすればよい。 Examples of the resin mask 20b having no conductivity include the resin mask 20b composed of the binder described in the resin mask 20a of the first embodiment. In addition, the resin mask 20b of this embodiment does not exclude having electroconductivity, and the resin mask 20b itself in the embodiment may have electroconductivity. When the conductive resin mask 20b is used, the configuration may be the same as that of the resin mask 20a of the first embodiment.

（導電層）
図３に示すように、第２実施形態の蒸着マスクにおいては、樹脂マスク２０ｂ上に導電層３０が設けられている。 (Conductive layer)
As shown in FIG. 3, in the vapor deposition mask of the second embodiment, a conductive layer 30 is provided on the resin mask 20b.

導電層３０は、導電性を有する層であればよく、例えば、（Ａ）導電性を有する無機材料、これら無機材料の酸化物や窒化物等から構成される導電層３０や、（Ｂ）上述した第１実施形態の樹脂マスク２０ａと同様の構成を有する導電層３０等を挙げることができる。導電性を有する無機材料としては、アルミニウム、マグネシウム、銀、金、ケイ素、インジウム、スズ、マグネシウム等を挙げることができる。これらの無機材料、或いはこれらの酸化物や窒化物は、一種、又は二種以上を組合せて用いることができる。 The conductive layer 30 may be a layer having conductivity, for example, (A) a conductive inorganic material having conductivity, an oxide or nitride of these inorganic materials, or (B) the above-mentioned Examples thereof include the conductive layer 30 having the same configuration as the resin mask 20a of the first embodiment. Examples of the inorganic material having conductivity include aluminum, magnesium, silver, gold, silicon, indium, tin, and magnesium. These inorganic materials, or these oxides and nitrides can be used singly or in combination of two or more.

導電層３０の厚みについて特に限定はないが、導電層３０の厚みが厚くなるにしたがって、本実施形態の蒸着マスクにおける樹脂マスクと、加工対象物との間のギャップが大きくなりシャドウの発生が懸念される。したがって、導電層３０は、十分な導電性を有しつつも、その厚みは薄いことが好ましい。具体的には、導電層３０の表面抵抗率は、１.０×１０³Ω／□以下であり、かつその厚みが１μｍ以下であることが好ましい。なお、本実施形態における導電層３０は金属材料から構成されることから、上記で説明した第１実施形態の樹脂マスク、すなわち、導電性を有する材料が含まれた樹脂マスクよりも、より低い表面抵抗率が期待できる。 The thickness of the conductive layer 30 is not particularly limited, but as the thickness of the conductive layer 30 increases, the gap between the resin mask in the vapor deposition mask of this embodiment and the object to be processed increases, and there is a concern about the generation of shadows. Is done. Therefore, the conductive layer 30 preferably has a small thickness while having sufficient conductivity. Specifically, the surface resistivity of the conductive layer 30 is preferably 1.0 × 10 ³ Ω / □ or less, and the thickness thereof is preferably 1 μm or less. In addition, since the conductive layer 30 in the present embodiment is made of a metal material, the surface is lower than that of the resin mask of the first embodiment described above, that is, a resin mask containing a conductive material. The resistivity can be expected.

なお、各種ＰＶＤ法、ＣＶＤ法や、各種真空蒸着法を用いることで、厚みが１μｍ以下であって、かつ表面抵抗率が１.０×１０³Ω／□以下の上記（Ａ)の導電層３０を容易に形成することができる。 In addition, by using various PVD methods, CVD methods, and various vacuum deposition methods, the conductive layer of the above (A) having a thickness of 1 μm or less and a surface resistivity of 1.0 × 10 ³ Ω / □ or less. 30 can be easily formed.

導電層３０は、樹脂マスク２０ｂ上の少なくとも一部に設けられていればよく、必ずしも樹脂マスク２０ｂの全面に設けられている必要はない。なお、樹脂マスク２０ｂ上に存在する導電層３０の割合が多くなるほど帯電防止効果は向上する傾向にあることから、導電層３０は、樹脂マスク２０ｂ上の全面に設けられていることが好ましい。 The conductive layer 30 only needs to be provided on at least part of the resin mask 20b, and is not necessarily provided on the entire surface of the resin mask 20b. In addition, since the antistatic effect tends to improve as the proportion of the conductive layer 30 present on the resin mask 20b increases, the conductive layer 30 is preferably provided on the entire surface of the resin mask 20b.

＜＜金属フレーム一体型蒸着マスク＞＞
次に、本発明の金属フレーム一体型蒸着マスクについて説明する。本発明の金属フレーム一体型蒸着マスクは、図８〜図１０に示すように蒸着マスク１００と、金属フレーム２００とが固定された金属フレーム一体型蒸着マスク３００であって、金属フレーム２００と一体をなす当該蒸着マスク１００は、スリットが設けられた金属マスク１０と、スリット１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部を有する樹脂マスク２０とを備える。 << Metal frame integrated deposition mask >>
Next, the metal frame integrated vapor deposition mask of the present invention will be described. The metal frame integrated vapor deposition mask of the present invention is a metal frame integrated vapor deposition mask 300 in which a vapor deposition mask 100 and a metal frame 200 are fixed as shown in FIGS. The vapor deposition mask 100 includes a metal mask 10 provided with slits, and a resin mask 20 having openings corresponding to patterns to be vapor deposited at positions overlapping the slits 15.

さらに本発明の金属フレーム一体型蒸着マスク３００を構成する蒸着マスク１００は、（Ａ）樹脂マスク２０に導電性を有する材料が含有されている構成をとる、又は、（Ｂ）樹脂マスク２０の金属マスク１０上に導電層３０が設けられた構成をとり、（Ｂ）の構成をとる場合には、金属フレーム２００と導電層３０とが電気的に接続されている。なお、図８は、（Ａ）の構成をとる蒸着マスク１００の金属マスク１０と、金属フレーム２００とが固定された金属フレーム一体型蒸着マスク３００の概略断面図であり、図１１は、（Ａ）の構成をとる蒸着マスク１００の金属マスク１０と、金属フレーム２００とが固定された金属フレーム一体型蒸着マスク３００の変形例を示す概略断面図である。図９、図１０は、（Ｂ）の構成をとる蒸着マスク１００の樹脂マスク２０が、金属フレーム２００と接続されている例を示す概略断面図である。なお、図８〜図１１に示す形態の金属フレーム一体型蒸着マスク３００では、金属マスク１０のスリット、及び樹脂マスク２０の開口部を省略している。以下、本発明の金属フレーム一体型蒸着マスク３００の各構成について説明する。 Furthermore, the vapor deposition mask 100 constituting the metal frame integrated vapor deposition mask 300 of the present invention has a configuration in which (A) the resin mask 20 contains a conductive material, or (B) the metal of the resin mask 20. In the case where the conductive layer 30 is provided on the mask 10 and the configuration (B) is adopted, the metal frame 200 and the conductive layer 30 are electrically connected. 8 is a schematic cross-sectional view of a metal frame integrated vapor deposition mask 300 to which the metal mask 10 of the vapor deposition mask 100 having the configuration of (A) and the metal frame 200 are fixed, and FIG. It is a schematic sectional drawing which shows the modification of the metal frame integrated vapor deposition mask 300 to which the metal mask 10 of the vapor deposition mask 100 which takes the structure of (4), and the metal frame 200 were fixed. 9 and 10 are schematic cross-sectional views showing an example in which the resin mask 20 of the vapor deposition mask 100 having the configuration of (B) is connected to the metal frame 200. FIG. In the metal frame integrated vapor deposition mask 300 shown in FIGS. 8 to 11, the slit of the metal mask 10 and the opening of the resin mask 20 are omitted. Hereinafter, each structure of the metal frame integrated vapor deposition mask 300 of this invention is demonstrated.

（蒸着マスク）
本発明の金属フレーム一体型蒸着マスク３００を構成する蒸着マスク１００は、上記で説明した本発明の蒸着マスクをそのまま用いることができ、（Ａ）樹脂マスク２０に導電性を有する材料が含有されている蒸着マスクは、上記で説明した本発明の蒸着マスクにおける第１実施形態の樹脂マスク２０ａに対応している。また、（Ｂ）樹脂マスク２０上に導電層３０が設けられた構成をとる蒸着マスクは、上記で説明した本発明の蒸着マスクにおける第２実施形態の樹脂マスク２０ｂに対応している。したがって、金属フレーム一体型蒸着マスク３００における蒸着マスク１００についてのここでの詳細な説明は省略する。 (Deposition mask)
As the vapor deposition mask 100 constituting the metal frame integrated vapor deposition mask 300 of the present invention, the vapor deposition mask of the present invention described above can be used as it is, and (A) the resin mask 20 contains a conductive material. The vapor deposition mask that corresponds to the resin mask 20a of the first embodiment in the vapor deposition mask of the present invention described above. Moreover, (B) the vapor deposition mask which takes the structure by which the conductive layer 30 was provided on the resin mask 20 respond | corresponds to the resin mask 20b of 2nd Embodiment in the vapor deposition mask of this invention demonstrated above. Therefore, the detailed description here about the vapor deposition mask 100 in the metal frame integrated vapor deposition mask 300 is abbreviate | omitted.

（金属フレーム）
金属フレーム２００は、図１２に示すような略矩形形状の枠部材であり、蒸着マスク１００の樹脂マスクに設けられた開口部２５を蒸着源側に露出させるための開口２０５を有する。 (Metal frame)
The metal frame 200 is a substantially rectangular frame member as shown in FIG. 12, and has an opening 205 for exposing the opening 25 provided in the resin mask of the vapor deposition mask 100 to the vapor deposition source side.

この金属フレーム２００は、上記で説明した（Ａ）の構成をとる蒸着マスク、又は（Ｂ）の構成をとる蒸着マスク１００の金属マスク１０の周縁部分とレーザー光等によるスポット溶接、接着剤、ねじ止め等により固定されている。これにより、金属フレーム２００と、蒸着マスク１００が一体化された金属フレーム一体型蒸着マスクが構成される。 The metal frame 200 includes the above-described vapor deposition mask having the configuration (A) or the peripheral portion of the metal mask 10 of the vapor deposition mask 100 having the configuration (B) and spot welding, an adhesive, and a screw using a laser beam or the like. It is fixed by a stop. Thus, a metal frame integrated vapor deposition mask in which the metal frame 200 and the vapor deposition mask 100 are integrated is configured.

金属フレーム２００の材料について特に限定はないが、剛性が大きい金属材料、例えば、ＳＵＳや、インバー材などが好適である。 The material of the metal frame 200 is not particularly limited, but a metal material having high rigidity, for example, SUS or Invar material is suitable.

金属フレーム２００の厚みについても特に限定はないが、剛性等の点から１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度であることが好ましい。金属フレーム２００の開口２０５の内周端面と、金属フレーム２００の外周端面間の幅（ｗ）は、当該金属フレーム２００と、蒸着マスク１００の金属マスク１０とを固定することができる幅であれば特に限定はなく、例えば、１０ｍｍ〜５０ｍｍ程度の幅を例示することができる。 The thickness of the metal frame 200 is not particularly limited, but is preferably about 10 mm to 30 mm from the viewpoint of rigidity and the like. The width (w) between the inner peripheral end face of the opening 205 of the metal frame 200 and the outer peripheral end face of the metal frame 200 is a width that can fix the metal frame 200 and the metal mask 10 of the vapor deposition mask 100. There is no limitation in particular, For example, the width of about 10 mm-50 mm can be illustrated.

金属フレーム２００の開口２０５の内周面間の幅、及び当該金属フレーム２００の外周端面間の幅についても特に限定はないが、図１２に示すように金属フレーム２００における開口２０５の内周面横方向間の幅（Ｗ２）は蒸着マスクの横方向の幅よりも小さい幅となっている。同様に、金属フレーム２００における開口２０５の内周面縦方向間の幅は蒸着マスクの縦方向の幅よりも小さい幅となっている。金属フレームの横方向端面間の幅（Ｗ１）について特に限定はない。なお、金属フレームの横方向端面間の幅（Ｗ１）が、蒸着マスクの横方向の幅よりも大きい幅となっている場合には、金属フレーム一体型蒸着マスクにおいて、金属フレーム２００の蒸着マスク１００と固定化される表面の一部は露出することとなる。金属フレームの開口２０５の縦方向端面間の幅についても同様である。 The width between the inner peripheral surfaces of the opening 205 of the metal frame 200 and the width between the outer peripheral end surfaces of the metal frame 200 are not particularly limited, but as shown in FIG. The width (W2) between the directions is smaller than the lateral width of the vapor deposition mask. Similarly, the width between the inner peripheral surface vertical direction of the opening 205 in the metal frame 200 is smaller than the vertical width of the vapor deposition mask. There is no particular limitation on the width (W1) between the lateral end faces of the metal frame. When the width (W1) between the lateral end faces of the metal frame is larger than the lateral width of the vapor deposition mask, the vapor deposition mask 100 of the metal frame 200 in the metal frame integrated vapor deposition mask. A part of the surface to be fixed is exposed. The same applies to the width between the vertical end faces of the opening 205 of the metal frame.

また、樹脂マスク２０の開口部２５の露出を妨げない範囲で、金属フレーム２００の開口２０５に補強フレーム等が存在していてもよい。換言すれば、開口２０５が、補強フレーム等によって分割された構成を有していてもよい。 Further, a reinforcing frame or the like may exist in the opening 205 of the metal frame 200 as long as the exposure of the opening 25 of the resin mask 20 is not hindered. In other words, the opening 205 may have a configuration divided by a reinforcing frame or the like.

（電気的な接続）
本発明の金属フレーム一体型蒸着マスク３００は、当該金属フレーム一体型蒸着マスク３００が、上記で説明した（Ａ）の構成をとる蒸着マスク１００を有する場合には、当該蒸着マスク１００を構成する樹脂マスク２０は、同じく導電性を有する金属マスク１０を介して金属フレーム２００と電気的に接続されている。なお、上記で説明したように（Ａ）の構成をとる蒸着マスクの樹脂マスク２０には導電性を有する材料が含有されており、樹脂マスク２０は導電性を有している。 (Electrical connection)
The metal frame integrated vapor deposition mask 300 of the present invention is a resin constituting the vapor deposition mask 100 when the metal frame integrated vapor deposition mask 300 has the vapor deposition mask 100 having the configuration (A) described above. The mask 20 is electrically connected to the metal frame 200 through the metal mask 10 having the same conductivity. As described above, the resin mask 20 of the vapor deposition mask having the configuration (A) contains a conductive material, and the resin mask 20 has conductivity.

図８は、上記で説明した（Ａ）の構成をとる蒸着マスク１００の樹脂マスク２０と、金属フレーム２００とが、金属マスク１０を介して電気的に接続された例を示す概略断面図である。図示する形態では、金属フレーム２００の横方向の幅が、蒸着マスクの横方向の幅よりも大きくなっているが、この構成に限定されることはない。例えば、図示する構成にかえて、蒸着マスク１００の端面と、金属フレームの外周端面との面位置を一致させた構成とすることができる。また、金属フレーム２００の横方向の幅を、蒸着マスクの横方向の幅よりも小さくした構成とすることもできる。 FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example in which the resin mask 20 of the vapor deposition mask 100 having the configuration (A) described above and the metal frame 200 are electrically connected via the metal mask 10. . In the illustrated form, the width in the horizontal direction of the metal frame 200 is larger than the width in the horizontal direction of the vapor deposition mask, but the present invention is not limited to this configuration. For example, instead of the illustrated configuration, the surface positions of the end face of the vapor deposition mask 100 and the outer peripheral end face of the metal frame can be matched. Moreover, it can also be set as the structure which made the width | variety of the horizontal direction of the metal frame 200 smaller than the width | variety of the horizontal direction of a vapor deposition mask.

図８に示す形態によれば、導電性を有する樹脂層２０は、金属マスク１０を介して金属フレーム２００と電気的に接続されることから、金属フレーム２００をアースの役割として機能させることができ、加工対象物に対する電気的な影響が効果的に防止される。 According to the form shown in FIG. 8, since the conductive resin layer 20 is electrically connected to the metal frame 200 through the metal mask 10, the metal frame 200 can function as a role of ground. The electrical influence on the workpiece is effectively prevented.

図９は、上記で説明した（Ｂ）の構成をとる蒸着マスク１００の導電層３０と、金属フレーム２００とが接続部材２１０によって電気的に接続された例を示す概略断面図である。 FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an example in which the conductive layer 30 of the vapor deposition mask 100 having the configuration of (B) described above and the metal frame 200 are electrically connected by the connecting member 210.

導電層３０と、金属フレームとを電気的に接続する接続部材２１０について特に限定はなく、例えば、金、銅、アルミニウム等の導電性を有する材料を使用可能である。導電層３０と、金属フレーム２００に接続方法についても特に限定はないが、ワイヤボンディング法等を用いることで、容易に導電層３０と金属フレーム２００との電気的な接続を図ることができる。 There is no particular limitation on the connection member 210 that electrically connects the conductive layer 30 and the metal frame. For example, a conductive material such as gold, copper, or aluminum can be used. There is no particular limitation on the connection method between the conductive layer 30 and the metal frame 200, but electrical connection between the conductive layer 30 and the metal frame 200 can be easily achieved by using a wire bonding method or the like.

図１０は、上記で説明した（Ｂ）の構成をとる蒸着マスク１００の導電層３０と、金属フレーム２００とが接続部材２１０を用いることなく電気的に接続された例を示す概略断面図である。具体的には、当該形態の金属フレーム一体型蒸着マスク３００は、樹脂マスク２０上に設けられた導電層３０が、金属フレーム２００と接しており、これにより、導電層３０と金属フレーム２００とが電気的に接続されている。 FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an example in which the conductive layer 30 of the vapor deposition mask 100 having the configuration (B) described above and the metal frame 200 are electrically connected without using the connection member 210. . Specifically, in the metal frame integrated vapor deposition mask 300 of this form, the conductive layer 30 provided on the resin mask 20 is in contact with the metal frame 200, whereby the conductive layer 30 and the metal frame 200 are connected to each other. Electrically connected.

当該形態の金属フレーム一体型蒸着マスク３００は、スリット１５が設けられた金属マスク１０上に、開口部２５を有する樹脂マスクを積層した積層体を準備し、当該積層体の金属マスク１０と、金属フレーム２００とを固着させた後に、樹脂マスク側から、各種ＰＶＤ法、ＣＶＤ法や、各種真空蒸着法を用いて金属、或いは金属酸化物、金属窒化物の層を樹脂マスク２０及び、金属フレーム２００の露出した表面の一部に形成することで、得ることができる。 The metal frame-integrated vapor deposition mask 300 in this form is a laminate in which a resin mask having an opening 25 is laminated on the metal mask 10 provided with the slits 15. After the frame 200 is fixed, the resin mask 20 and the metal frame 200 are coated with a metal, metal oxide, or metal nitride layer from the resin mask side using various PVD methods, CVD methods, or various vacuum deposition methods. It can be obtained by forming on a part of the exposed surface.

また、上記（Ａ）の構成をとる蒸着マスク１００と金属フレーム２００とが固定された金属フレーム一体型蒸着マスク３００の変形例としては、例えば、図１１に示す構成を挙げることができる。図１２に示す構成の金属フレーム一体型蒸着マスク３００は、導電性を有する樹脂マスク２０が、金属マスク１０を介して金属フレーム２００と電気的に接続されるとともに、上記で接続した接続部材２１０によって、導電性を有する樹脂マスク２０と、金属フレーム２００との電気的な接続の補強がされている。また、接続部材２１０にかえて、上記で説明した導電層３０を用いて、電気的な接続の補強を行うこともできる。 Moreover, as a modified example of the metal frame integrated vapor deposition mask 300 to which the vapor deposition mask 100 and the metal frame 200 having the above configuration (A) are fixed, for example, the configuration shown in FIG. The metal frame-integrated vapor deposition mask 300 having the configuration shown in FIG. 12 has the conductive resin mask 20 electrically connected to the metal frame 200 through the metal mask 10 and the connection member 210 connected as described above. The electrical connection between the conductive resin mask 20 and the metal frame 200 is reinforced. In addition, the electrical connection can be reinforced by using the conductive layer 30 described above instead of the connection member 210.

以上説明した、本発明の金属フレーム一体型蒸着マスクによれば、蒸着マスク１００が有する導電性を有する層、つまり導電性を有する材料を含む樹脂マスク２０、或いは導電層３０と、金属フレーム２００とが電気的に接続されていることから、金属フレーム２００をアースとして機能させることができ、本発明の金属フレーム一体型蒸着マスクを用いて、加工対象物に蒸着を行う際に、加工対象物に対する電気的な影響を防止することができる。 According to the metal frame integrated vapor deposition mask of the present invention described above, the conductive layer of the vapor deposition mask 100, that is, the resin mask 20 or the conductive layer 30 containing a conductive material, the metal frame 200, Are electrically connected, the metal frame 200 can function as a ground, and when performing vapor deposition on the workpiece using the metal frame integrated vapor deposition mask of the present invention, Electrical influence can be prevented.

以上説明した本発明の蒸着マスク、及び金属フレーム一体型蒸着マスクの用途について限定されることはないが、高精細な蒸着膜の形成が要求される分野、例えば、有機ＥＬ素子の有機層や、カソード電極の形成、有機半導体の形成等の用途に用いられる蒸着マスクとして好適である。 Although it is not limited about the use of the vapor deposition mask of this invention demonstrated above, and a metal frame integrated vapor deposition mask, the field | area where formation of a high-definition vapor deposition film is requested | required, for example, the organic layer of an organic EL element, It is suitable as a vapor deposition mask used for applications such as formation of a cathode electrode and formation of an organic semiconductor.

１００…蒸着マスク
１０…金属マスク
１５…スリット
２０、２０ａ、２０ｂ…樹脂マスク
３０…導電層
２５…開口部
２００…金属フレーム
２０５…開口
２１０…接続部材
３００…金属フレーム一体型蒸着マスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Deposition mask 10 ... Metal mask 15 ... Slit 20, 20a, 20b ... Resin mask 30 ... Conductive layer 25 ... Opening part 200 ... Metal frame 205 ... Opening 210 ... Connection member 300 ... Metal frame integrated vapor deposition mask

Claims

On a metal mask provided with a slit, a vapor deposition mask provided with a resin mask having an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition at a position overlapping with the slit,
(A) The resin mask contains a conductive material, or
(B) A vapor deposition mask, wherein a conductive layer is provided on the resin mask.

A metal frame integrated vapor deposition mask in which a vapor deposition mask and a metal frame are fixed,
The vapor deposition mask is provided on a metal mask provided with a slit, a resin mask having an opening corresponding to a pattern to be vapor deposited at a position overlapping the slit,
(A) The resin mask is configured to contain a conductive material, or
(B) Take a configuration in which a conductive layer is provided on the resin mask,
The metal mask of the vapor deposition mask is fixed to the metal frame;
In the case of adopting the configuration of (B), the metal frame and the conductive layer are electrically connected to each other, and the metal frame integrated vapor deposition mask, wherein