JP2014064393A - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】負荷の電圧が変動しても、負荷の電流が一定になるようにすること。
【解決手段】補正手段(ボトム検出回路30)により、負荷(LED21、22)の電圧変動が検出され、該検出された負荷(LED21、22)の電圧変動に応じて制御手段(制御回路1)によるスイッチング素子(Q1)をオンするタイミングが補正されることで、負荷(LED21、22)の電圧が変動しても、負荷(LED21、22)の平均電流(平均順方向電流ILEDavg))が一定にされるようにした。
【選択図】図1

Description

本発明は、たとえばLED(発光ダイオード)等の光源を点灯させるスイッチング電源装置に関する。
従来より、LED(発光ダイオード)等の光源を点灯させる場合、高効率化のために定電流型のスイッチング電源装置が用いられている場合が多い。
このようなスイッチング電源装置として、たとえば特許文献1では、商用交流電源からの電流を全波整流器により全波整流し、容量の小さい第1のコンデンサからスイッチング電源回路部にほぼ全波整流波形となる脈流電圧を印加し、スイッチング電源回路部のスイッチングによるパルス電圧を第2のコンデンサで平滑し、LED発光部に印加するようにしたLED点灯装置を提案している。
特開2009−134945号公報
上述した特許文献1では、商用交流電源からの入力電流が全波の谷部を除いたほぼ全域で流れる波形となり、第2のコンデンサで平滑した電圧がLED発光部に印加されることで、入力電流の高調波成分を低減しながら、直流平滑電圧で点灯させた場合と同等の光出力が得られるようになっている。
ところで、このようなLED点灯装置では、負荷であるLEDの電圧が変動すると、LEDの明るさも変動してしまうことがある。
このような現象について、図9及び図10を参照しながら説明する。ここで、図9はLEDを点灯させるためのスイッチング電源装置の一例を示す図であり、図10はその動作波形を示す図である。
なお、図10において、(a)に示すILEDは図9のLEDに流れる電流である。同図(b)に示すVREFは図9の基準電圧VREFである。同図(c)に示すVSENは図9のSEN端子での検知電圧である。同図(d)に示すVOUTは図9のOUT端子での電圧変動を示している。同図(e)は図9のスイッチング素子Qのオン/オフを示している。
まず、図9において、制御回路1からのオン信号によりスイッチング素子(MOSFET)Q1がターンオンすると、電源電圧(直流)V1→LED→インダクタL1→スイッチング素子Q1→電流検出抵抗R1の経路で電流Ionが流れる。
電流Ionが電流検出抵抗R1に流れることで、電流Ionに比例した検知電圧VSENがSEN端子に生じる。検知電圧VSENはコンパレータ2によって外部の基準電圧VREFと比較されており、電圧がVSEN>VREFとなった時点で制御回路1がスイッチング素子Q1をターンオフする。
このとき、インダクタL1に蓄えられたエネルギにより、LEDにはインダクタL1→ダイオードD1→LEDの経路で電流Ioffが流れる。そして、制御回路1とコンデンサC1の容量で設定される一定のオフ時間toffが経過すると、再び制御回路1がスイッチング素子Q1をターンオンさせる。
このようなスイッチング電源装置では、簡素な回路構成での制御が可能であり、部品点数が少ないため、狭い実装面積が要求される用途に適している。
ところが、このようなスイッチング電源装置では、LEDの電圧VLEDが変動すると、LEDの明るさも変動してしまう。
この現象について、図11を参照しながら説明する。すなわち、スイッチング素子Q1がオン時の電流IonのピークIpeakは、基準電圧VREFと電流検出抵抗R1によって決まるため、LED電圧の変動にほとんど影響を受けない。また、スイッチング素子Q1がオフ時の電流Ioffの傾斜di/dtは、LED電圧とインダクタL1のインダクタンスによって決まり、オフ時間toffは制御回路1とコンデンサC1の容量で一定に設定される。また、オフ時の電流Ioffの傾斜di/dtが変化すると、電流Ioffが0になるまでの時間が変化する。
このため、同図に示すように、LED電圧が変動するとオフ期間の電流波形の変化によりLEDの平均順方向電流ILEDavg)が変化する。この場合、LEDの光束は順方向電流に比例するため、平均順方向電流ILEDavg)が変化すると、LEDの明るさも変化してしまうことになる。
なお、LED電圧の変動は、温度や製造バラツキによって生じることが知られている。よって、これらの要因により、負荷であるLEDの電圧が変動しても、LEDの順方向電流、すなわちLEDの平均順方向電流ILEDavg)が一定になるようにすることができる装置の開発が望まれていた。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、負荷の電圧が変動しても、負荷の平均電流が一定になるようにすることができるスイッチング電源装置を提供することを目的とする。
本発明のスイッチング電源装置は、負荷に対して定電流を供給するスイッチング電源装置であって、電源からの電力を前記負荷に供給する電力供給回路と、該電力供給回路からの電力の供給をスイッチング動作により制御するスイッチング制御回路と、該スイッチング制御回路によるスイッチング動作を補正する補正手段とを備え、前記スイッチング制御回路は、前記スイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記負荷に流れる電流から電圧を検知する電圧検知手段と、該電圧検知手段によって検知された電圧が基準電圧を超えると前記スイッチング素子をオフし、一定のオフ時間が経過すると前記スイッチング素子をオンする制御手段とを有し、前記補正手段は、前記負荷の電圧変動を検出し、該検出した前記負荷の電圧変動に応じて前記制御手段による前記スイッチング素子をオンするタイミングを補正することを特徴とする。
また、前記電力供給回路は、前記負荷に対して直列接続されたインダクタと、該インダクタの他端側に対してアノード側が接続され、更にカソード側が直流電源に接続されたダイオードとを有し、前記補正手段は、前記インダクタに流れる電流が0になった後の前記ダイオードと前記インダクタとの間の電圧の振動のボトム点を検出し、該検出したボトム点で前記スイッチング素子がオンするように補正するボトム検出回路であることを特徴とする。
また、前記制御手段は、前記スイッチング素子をオンさせるためのタイミングを示す電圧を取り込む電圧取込端子を有し、前記ボトム検出回路は、前記電圧をクランプするクランプ素子と、前記振動の立ち下がりによりクランプ素子にかかる電圧が立ち下がるとオンし、前記電圧取込端子を前記スイッチング素子をオンさせるための電圧になるようにプルアップするプルアップ素子とを有することを特徴とする。
本発明のスイッチング制御回路では、補正手段により、負荷の電圧変動が検出され、該検出された負荷の電圧変動に応じて制御手段によるスイッチング素子をオンするタイミングが補正される。
本発明のスイッチング電源装置によれば、補正手段により、負荷の電圧変動が検出され、該検出された負荷の電圧変動に応じて制御手段によるスイッチング素子をオンするタイミングが補正されることから、負荷の電圧が変動しても、負荷の平均電流が一定になるようにすることができる。
本発明のスイッチング電源装置の一実施形態を示す図である。 図1のスイッチング電源装置の動作を説明するための図である。 図1のスイッチング電源装置のボトム検出回路による動作を説明するための図である。 図1のスイッチング電源装置のボトム検出回路による動作を説明するための図であって、同図(a)はボトム検出回路により、スイッチング素子のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこんだ場合を示す動作波形図であり、同図(b)は同図4(a)の時間スケールを10倍に引き延ばした動作波形図である(ただし、矢印eに示す時点以後の電圧波形が正弦波状に変化している部分は、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこまない場合を示す動作波形図である。)。 図1のスイッチング電源装置のボトム検出回路による動作を説明するためのものであって、LED電圧に対するLED電流の実験結果(ロードレギュレーション)を示す図である。 図1のボトム検出回路の構成を変えた場合の他の例を示す図である。 図1のボトム検出回路の構成を変えた場合の他の例を示す図である。 図1のボトム検出回路の構成を変えた場合の他の例を示す図である。 従来のLEDを点灯させるためのスイッチング電源装置の一例を示す図である。 図9のスイッチング電源装置での動作波形を示す図である。 図9のスイッチング電源装置での動作波形を示す図である。
以下、本発明のスイッチング電源装置の一実施形態について説明する。なお、以下に示す図において、図9と共通する部分には同一符号を付し、重複する説明については適宜行うものとする。
まず、図1に示すように、スイッチング電源装置は、スイッチング制御回路10と、電力供給回路20と、ボトム検出回路30とを備えている。
スイッチング制御回路10は、制御回路1、コンパレータ2、スイッチング素子(MOSFET)Qを備えている。制御回路1は、LEDを点灯させるためのPWM(pulse width modulation)制御を行う。
ここで、制御回路1には、スイッチング素子(MOSFET)Q1のゲート、コンパレータ2の出力側、PWM端子6が接続されている。
スイッチング素子Q1のドレインは、OUT端子3に接続されている。スイッチング素子Q1のソースは、電流検出抵抗R1が接続されているSEN端子4と、コンパレータ2の−端子との間に接続されている。
コンパレータ2の+端子は、基準電圧VREFが接続されているREF端子5に接続されている。PWM端子6には、コンデンサC1とボトム検出回路30とが接続されている。
電力供給回路20は、電源電圧(直流)V1、ダイオードD1、インダクタL1を備えている。ここで、ダイオードD1のカソード側及びLED21のアノード側には電源電圧V1が接続されている。負荷としてのLED21、22は順方向接続され、LED22のカソード側にはインダクタL1の一端側が接続されている。インダクタL1の他端側は、ダイオードD1のアノード側と上述したOUT端子3に接続されている。したがって、直列接続されているLED21、22は、ダイオードD1とインダクタL1を介して並列に接続されている。
本発明のスイッチング制御回路の補正手段としてのボトム検出回路30は、スイッチング素子(トランジスタ)Q2を有している。スイッチング素子Q2のベース側には、抵抗R4、R5、コンデンサC2が直列接続されている。なお、コンデンサC2の一端は、上述したインダクタL1の他端側とOUT端子3との接続点に接続されている。また、抵抗R4と抵抗R5との接続点には、ツェナーダイオードZD2が接続されている。
スイッチング素子Q2のエミッタ側には、ツェナーダイオードZD1のアノード側が接続され、ツェナーダイオードZD1を介して電源電圧V3に接続されている。また、ツェナーダイオードZD1のカソード側と電源電圧V3の接続点はスイッチング素子Q2のベース側に抵抗R3を介して接続されている。スイッチング素子Q2のコレクタ側には、抵抗R2の一端側が接続されている。なお、抵抗R2の他端側は、上述したPWM端子6とコンデンサC1の一端側が接続され、コンデンサC1の他端側は接地されている。
次に、図2及び図3を参照しながら動作について説明する。なお、図2(a)に示すILEDは図1のLEDに流れる電流である。図2(b)に示すVREFは図1の基準電圧VREFである。図2(c)に示すVSENは図1のSEN端子4での検知電圧である。図2(d)に示すVOUTは図1のOUT端子3での電圧変動を示している。図2(e)は図1のスイッチング素子Q1のオン/オフを示している。
まず、図2(e)に示すように、制御回路1からのオン信号によりスイッチング素子(MOSFET)Q1がターンオンすると、電源電圧V1→LED21、22→インダクタL1→スイッチング素子Q1→電流検出抵抗R1の経路で図2(a)に示す順方向電流ILED(電流Ion)が流れる。
電流Ionが電流検出抵抗R1に流れることで、電流Ionに比例した図2(c)に示す検知電圧VSENがSEN端子4に生じる。検知電圧VSENはコンパレータ2によって図2(b)に示す外部の基準電圧VREFと比較されており、電圧がVSEN>VREFとなった時点で図2(e)に示すように、制御回路1がスイッチング素子Q1をターンオフする。
このとき、インダクタL1に蓄えられたエネルギにより、LED21、22にはインダクタL1→ダイオードD1の経路で図2(a)に示す順方向電流ILED(電流Ioff)が流れる。そして、制御回路1とコンデンサC1の容量で設定される一定のオフ時間toffが経過すると、図2(e)に示すように、再び制御回路1がスイッチング素子Q1をターンオンさせる。
ここで、インダクタL1に電流が流れている状態では、図2(d)に示すOUT端子3の電圧VOUTは電源電圧V1とほぼ等しい。また、制御回路1とコンデンサC1の容量で設定される一定のオフ時間toffが経過する以前に、インダクタL1のエネルギが回生し終わると、図2(d)の矢印aで示すように、インダクタL1のインダクタンスとスイッチング素子Q1等の浮遊容量によってOUT端子3の電圧VOUTは振動する。
このとき、ボトム検出回路30においては、OUT端子3の電圧VOUTの振動の立ち下がりを、コンデンサC2で微分し、ツェナーダイオードZD2でクランプすると、VZD2から−Vに変化する波形がツェナーダイオードZD2のカソード側に生じる。なお、VZD2はツェナーダイオードZD2の逆方向電圧(ツェナー電圧)であり、VはツェナーダイオードZD2の順方向電圧である。
この波形の信号がスイッチング素子Q2のベースに入力されると、スイッチング素子Q2がこの波形の信号のボトム直前でターンオンする。このとき、スイッチング素子Q2のターンオンにより、PWM端子6がツェナーダイオードZD1と抵抗R2を介して電源電圧V3に接続されることで、PWM端子6の電圧がプルアップされ、制御回路1によりスイッチング素子Q1がターンオンする。
ここで、ターンオンのタイミング調整は抵抗Rの値を調整することで、図3に示すように、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこむことができる。なお、ここでのボトム点とは、図2(d)の矢印aで示したように、インダクタL1のエネルギ放出完了タイミングから共振周期の1/4周期経過した時点である。
このように、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこむことで、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングがLED電圧の変動に応じて補正される。言い換えれば、スイッチング素子Q1のオフ時間toffは、制御回路1とコンデンサC1の容量で一定に設定されているが、そのオフ時間toffが補正されることになる。
そして、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこむことで、LED21、22の電圧VLEDが変化した場合もオフ期間(図2(a)のIOFF)の平均電流はほぼ変わらなくなる。
これにより、図3(a)、(c)に示すように、LED21、22の電圧が低下したり、高くなったりして変動した場合であっても、図3(b)に示す標準の場合と比べても分かるとおり、平均順方向電流ILEDavg)がほぼ一定とされるため、LED21、22の明るさが変動してしまうことがなくなる。
すなわち、図3(a)のように、LED電圧が低下している場合は、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングが遅くなるように補正される。この場合、スイッチング素子Q1のオフ時間toffが長くなる。一方、図3(b)のように、LED電圧が上昇している場合は、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングが早くなるように補正される。この場合、スイッチング素子Q1のオフ時間toffが短くなる。
ここで、本実施形態でのボトム検出回路30により、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこむようにした場合の実験結果は次の通りである。
すなわち、図4(a)はボトム検出回路30により、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこんだ場合を示す動作波形図であり、図4(b)は、図4(a)の時間スケールを10倍に引き延ばした動作波形図である。ただし、矢印eに示す時点以後の電圧波形が正弦波状に変化している部分は、スイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこまない場合を示す動作波形図である。
まず、図4(a)の矢印aに示すように、LED電流が0になり、OUT端子3(スイッチング素子Q1のドレイン)の電圧がボトムになったところでPWM端子6の電圧が立ち上がり、スイッチング素子Q1がターンオンする疑似共振動作をしていることが分かる。また、図4(a)の矢印bに示すように、PWM端子6の電圧が立ち下がり、スイッチング素子Q1がターンオフすると、OUT端子3(スイッチング素子Q1のドレイン)の電圧が立ち上がることが分かる。また、矢印a−b間では、LED電流である上述した電流Ionが流れることが分かる。
また、矢印cに示すように、OUT端子3(スイッチング素子Q1のドレイン)の電圧がボトムになったところでPWM端子6の電圧が立ち上がり、上記同様の疑似共振動作をしていることが分かる。なお、矢印b−c間では、LED電流である上述した電流Ioffが流れることが分かる。つまり、図4(a)では、PWM端子6の電圧が立ち上がり時点と、LED電流である電流Ionの流れ始めとの間にズレが生じていないことが分かる。また、PWM端子6の電圧が立ち下がり時点と、LED電流である上述した電流Ioffの流れ始めとの間にズレが生じていないことが分かる。
一方、図4(a)を時間拡大した図4(b)をみると、矢印dに示すように、OUT端子3(スイッチング素子Q1のドレイン)の電圧が下がり始めると、図1のインダクタL1のインダクタンスとスイッチング素子Q1等の浮遊容量によってOUT端子3(スイッチング素子Q1のドレイン)の電圧VOUT(ドレイン電圧)は振動(共振波形)する。また、矢印eに示す時点で電圧VOUT(ドレイン電圧)がボトムになるが、矢印d−eの中間でPWM端子6の電圧が立ち上がり始め、矢印eに示す時点での共振波形のボトム(上述したインダクタL1のエネルギ放出完了タイミングから共振周期の1/4周期経過した時点)でスイッチング素子Q1がターンオンすることが分かる。また、矢印eに示す時点からLED電流である上述した電流Ionが流れることが分かる。
また、図5は、上述したLED電圧に対するLED電流の実験結果(ロードレギュレーション)を示す図である。
同図に示すように、ボトム検出回路30によりスイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこむようにした場合(疑似共振)、ボトム検出回路30によりスイッチング素子Q1のターンオンのタイミングをボトム点に合わせこむようにしなかった場合(通常回路)とを比較すると、LED電圧の変動に対してのLED電流の変動が大きく改善されていることが分かる。
このように、本実施形態では、電源(電源電圧V1)からの電力を負荷(LED21、22)に供給する電力供給回路(20)と、該電力供給回路(20)からの電力の供給をスイッチング動作により制御するスイッチング制御回路(10)と、該スイッチング制御回路(10)によるスイッチング動作を補正する補正手段(ボトム検出回路30)とを備え、スイッチング制御回路(10)は、スイッチング動作を行うスイッチング素子(Q1)と、負荷(LED21、22)に流れる電流から電圧を検知する電圧検知手段(SEN端子4及び抵抗R1)と、該電圧検知手段(SEN端子4及び抵抗R1)によって検知された電圧が基準電圧(VREF)を超えるとスイッチング素子(Q1)をオフし、一定のオフ時間が経過するとスイッチング素子(Q1)をオンする制御手段(制御回路1)とを有し、補正手段(ボトム検出回路30)は、負荷(LED21、22)の電圧変動を検出し、該検出した負荷(LED21、22)の電圧変動に応じて制御手段(制御回路1)によるスイッチング素子(Q1)をオンするタイミングを補正する構成を具備している。
具体的には、電力供給回路20は、LED21、22に対して直列接続されたインダクタL1と、該インダクタL1の他端側に対してアノード側が接続され、更にカソード側が直流電源(電源電圧V1)に接続されたダイオードD1とを有し、ボトム検出回路30は、スイッチング素子Q1がオフからオンに切り替わる際のダイオードD1とインダクタL1との間の電圧の振動のボトム点を検出し、該検出したボトム点でスイッチング素子Q1がオンするように補正する。
さらに具体的には、制御回路1がスイッチング素子Q1をオンさせるためのタイミングを示す電圧を取り込む電圧取込端子(PWM端子6)を有し、ボトム検出回路30は、電圧の振動のボトム点の電圧をクランプするクランプ素子(ツェナーダイオードZD2)と、該クランプ素子(ツェナーダイオードZD2)によってボトム点の電圧がクランプされるとオンし、電圧取込端子(PWM端子6)をスイッチング素子Q1をオンさせるための電圧になるようにプルアップするプルアップ素子(スイッチング素子Q2)とを有している。
このような構成により、補正手段(ボトム検出回路30)により、負荷(LED21、22)の電圧変動が検出され、該検出された負荷(LED21、22)の電圧変動に応じて制御手段(制御回路1)によるスイッチング素子(Q1)をオンするタイミングが補正されることから、負荷(LED21、22)の電圧が変動しても、負荷(LED21、22)の平均電流(平均順方向電流ILEDavg))が一定になるようにすることができる。
また、スイッチング素子Q1のオン/オフの切り替えがダイオードD1とインダクタL1との間の電圧の振動のボトム点に合わせられるため、スイッチング素子Q1のスイッチング動作が効率良く行われることから、ノイズ及びスイッチング損失の低減効果も期待することができる。
なお、ボトム検出回路30にあっては、図1に示した構成に限らず、次のような構成にすることも可能である。
すなわち、たとえば図6に示すように、図1のスイッチング素子Q2の代わりに、シュミットインバータ11と、インバータ16と、スイッチング素子(P型MOS)Q3とを設け、シュミットインバータ11によりツェナーダイオードZD2のアノードが負になったことを検知し、スイッチング素子(MOSFET)Q3をオンするようにする。
この場合も、上記同様に、LED21、22の電圧が変動しても、LED21、22の平均順方向電流ILEDavg)が一定になるようにすることができる。
また、たとえば図7に示すように、図6のスイッチング素子(P型MOS)Q3の代わりに、NANDゲート12と、最小オフ時間を規定する最小オフ時間回路13とを設けた構成としてもよい。
この場合は、最小オフ時間回路13で規定される時間はオフに固定されるため、図1のOUT端子3にノイズが重畳した際にターンオンが異常に早くなるのを防ぐことができる。つまり、最小オフ時間回路13で規定される時間になると、最小オフ時間回路13からの出力がNANDゲート12に与えられる。
また、図8に示すように、図7のNANDゲート12の出力側に、ANDゲート14と、最大オフ時間を規定する最大オフ時間回路15とを設けた構成としてもよい。
この場合は、OUT端子3での共振の微分信号を検知できない場合、スイッチング素子Q1がオフのまま固定になってしまうが、一定時間toffmax)経過しても微分信号が検出できなかった場合、最大オフ時間回路15で規定される時間が経過すると、強制的にスイッチング素子Q1をオンにすることができる。つまり、最大オフ時間回路15で規定される時間になると、最大オフ時間回路15からの出力がANDゲート14に与えられる。
1 制御回路
2 コンパレータ
3 OUT端子
4 SEN端子
5 REF端子
6 PWM端子
10 スイッチング制御回路
11 シュミットインバータ
12 NANDゲート
13 最小オフ時間回路
14 ANDゲート
15 最大オフ時間回路
16 インバータ
20 電力供給回路
21、22 LED
30 ボトム検出回路
C1、C2 コンデンサ
D1 ダイオード
Q1 スイッチング素子(MOSFET)
Q2 スイッチング素子(トランジスタ)
Q3 スイッチング素子(P型MOS)
R1 電流検出抵抗
R2〜R5 抵抗
V1、V3 電源電圧
ZD1、ZD2 ツェナーダイオード

Claims (3)

  1. 負荷に対して定電流を供給するスイッチング電源装置であって、
    電源からの電力を前記負荷に供給する電力供給回路と、
    該電力供給回路からの電力の供給をスイッチング動作により制御するスイッチング制御回路と、
    該スイッチング制御回路によるスイッチング動作を補正する補正手段とを備え、
    前記スイッチング制御回路は、
    前記スイッチング動作を行うスイッチング素子と、
    前記負荷に流れる電流から電圧を検知する電圧検知手段と、
    該電圧検知手段によって検知された電圧が基準電圧を超えると前記スイッチング素子をオフし、一定のオフ時間が経過すると前記スイッチング素子をオンする制御手段とを有し、
    前記補正手段は、前記負荷の電圧変動を検出し、該検出した前記負荷の電圧変動に応じて前記制御手段による前記スイッチング素子をオンするタイミングを補正する
    ことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記電力供給回路は、
    前記負荷対して直列接続されたインダクタと、該インダクタの他端側に対してアノード側が接続され、更にカソード側が直流電源に接続されたダイオードとを有し、
    前記補正手段は、前記インダクタに流れる電流が0になった後の前記ダイオードと前記インダクタとの間の電圧の振動のボトム点を検出し、該検出したボトム点で前記スイッチング素子がオンするように補正するボトム検出回路である
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記制御手段は、前記スイッチング素子をオンさせるためのタイミングを示す電圧を取り込む電圧取込端子を有し、
    前記ボトム検出回路は、
    前記電圧の振動をクランプするクランプ素子と、
    前記振動の立ち下がりによりクランプ素子にかかる電圧が立ち下がるとオンし、前記電圧取込端子を前記スイッチング素子をオンさせるための電圧になるようにプルアップさせるプルアップ素子とを有することを特徴とする請求項2に記載のスイッチング電源装置。
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