JP2014063958A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハサイズが変化するとウエハサイズに合わせた構造の変更が必要となり、コストアップと設計変更に時間がかかるという課題があった。
【解決手段】複数の基板を保持するホルダと、前記ホルダを複数の支持部で支持する保持体と、前記保持体で支持されたホルダが保持する複数の基板を処理する処理室と、を有し、前記ホルダは支持部に支持される外周部と、該外周部の内側で複数の基板を保持する内周部とで構成され、該内周部は少なくとも保持される複数の基板の内、前記外周部近傍側に配置される基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置されるように構成する。
【選択図】図7
【解決手段】複数の基板を保持するホルダと、前記ホルダを複数の支持部で支持する保持体と、前記保持体で支持されたホルダが保持する複数の基板を処理する処理室と、を有し、前記ホルダは支持部に支持される外周部と、該外周部の内側で複数の基板を保持する内周部とで構成され、該内周部は少なくとも保持される複数の基板の内、前記外周部近傍側に配置される基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置されるように構成する。
【選択図】図7
Description
本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板若しくは半導体デバイスの製造方法に関するものである。
炭化ケイ素(SiC、シリコンカーバイド)は、ケイ素(Si、シリコン)に比して、絶縁耐圧や熱伝導性が高いこと等から、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。その一方でSiCは、不純物拡散係数が小さいこと等から、Siに比して結晶基板や半導体装置(半導体デバイス)の製造が難しいことが知られている。例えば、Siのエピタキシャル成膜温度が900℃〜1200℃程度であるのに対し、SiCのエピタキシャル成膜温度は1500℃〜1800℃程度となっており、装置の耐熱構造や材料の分解抑制等に技術的な工夫が必要となる。また、SiとCの2元素の反応で成膜が進むため、膜厚や組成均一性の確保、ドーピングレベルの制御技術にもシリコン系の成膜装置に無い工夫が必要となる。
量産用のSiCエピタキシャル成長装置として市場に供されている装置としては、「パンケーキ型」や「プラネタリ型」と称される形態の、所謂枚葉型の基板処理装置が主流である。パンケーキ型やプラネタリ型のSiCエピタキシャル成長装置では高周波等で成膜温度まで加熱したサセプタ上に数枚〜十数枚程度のSiC基板を平面的に並べ、原料ガスやキャリアガスを供給する方法でSiCエピタキシャル膜を成膜している。原料ガスとしてはC原料としてC3H8(プロパン)やC2H4(エチレン)、Si原料としてSiH4(モノシラン)が多く採用されており、キャリアとしてはH2(水素)が使用される。気相中でのシリコン核形成の抑制や結晶の品質向上を狙って塩化水素(HCl)を添加したり、塩素(Cl)を構造中に含むトリクロルシラン(SiHCl3)、テトラクロルシラン(SiCl4、四塩化珪素)などの原料を使う場合もある。
図9にパンケーキ型装置と図10に図9におけるA−A断面概略図を示す。このような反応室構造では平面的に配置された基板701に対しシリコン成膜材料、カーボン成膜材料が中心部に設置されたガス供給経路702を経てガス供給口704から反応室内部へ供給される。反応室内へ供給されたガスはサセプタ705と反応容器壁706との間の排気経路703から排気部707を経由して排気されるのが一般的であり、ガス供給口704から排気経路703にかけてガスの濃度分布は大きく変化する。これに伴う膜厚の不均一性を回避するために、成膜時に基板701およびサセプタ705を回転さることが一般的に行われている。このようなパンケーキ型やプラネタリ型のSiCエピタキシャル成長装置では、一度に処理できる基板枚数を増やすにはサセプタ705の直径を大きくすれば良いが、サセプタ705の直径を大きくすると装置サイズも大きくなりコストが増大する問題があった。この問題は基板径が大きくなるほど、より深刻となる。また、ガス供給口704方向からガス排気経路703方向(半径方向)に2枚以上の基板を並べると前述のガス濃度差の問題により処理基板間に膜厚差が発生するため、一度に処理できる実用的なウエハ枚数が制限されるという問題があった。
図9にパンケーキ型装置と図10に図9におけるA−A断面概略図を示す。このような反応室構造では平面的に配置された基板701に対しシリコン成膜材料、カーボン成膜材料が中心部に設置されたガス供給経路702を経てガス供給口704から反応室内部へ供給される。反応室内へ供給されたガスはサセプタ705と反応容器壁706との間の排気経路703から排気部707を経由して排気されるのが一般的であり、ガス供給口704から排気経路703にかけてガスの濃度分布は大きく変化する。これに伴う膜厚の不均一性を回避するために、成膜時に基板701およびサセプタ705を回転さることが一般的に行われている。このようなパンケーキ型やプラネタリ型のSiCエピタキシャル成長装置では、一度に処理できる基板枚数を増やすにはサセプタ705の直径を大きくすれば良いが、サセプタ705の直径を大きくすると装置サイズも大きくなりコストが増大する問題があった。この問題は基板径が大きくなるほど、より深刻となる。また、ガス供給口704方向からガス排気経路703方向(半径方向)に2枚以上の基板を並べると前述のガス濃度差の問題により処理基板間に膜厚差が発生するため、一度に処理できる実用的なウエハ枚数が制限されるという問題があった。
一方、複数の基板を効率的に処理し得るバッチ式の基板処理装置として、例えば、縦方向に複数の基板を積層するよう保持するボートを備えたバッチ式縦型基板処理装置が知られている。このバッチ式縦型基板処理装置は、複数の基板を積層するよう保持したボートを処理炉内に搬送し、その後、処理炉内を所定温度に昇温させ、処理炉内に設けたガスノズルから各基板に向けて反応ガスを供給する。これにより、各基板の成膜面が反応ガスに曝されて、各基板を一度に効率良く成膜処理することができる。
このようなバッチ式縦型基板処理装置をSiCエピタキシャル成長装置に応用したものとしては、例えば、特許文献1に記載された技術が知られている。
複数枚のSiC基板を一括処理できるバッチ式の成膜装置では、基板サイズが変化すると基板サイズに合わせた構造の変更が必要となり、コストアップと設計変更に時間がかかるという問題があった。
本発明の目的は、基板処理装置の自動処理を可能とし、SiC基板を積載処理可能で、異径のSiC基板でも同一装置で処理可能な基板処理装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、複数の基板を保持するホルダと、ホルダを複数の支持部で支持する保持体と、保持体で支持されたホルダが保持する複数の基板を処理する処理室と、を有し、ホルダは支持部に支持される外周部と、外周部の内側で複数の基板を保持する内周部とで構成され、内周部には少なくとも保持される複数の基板の内、外周部近傍側に配置される基板の中心位置がホルダの重心と支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置されるように構成している基板処理装置である。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
すなわち、処理する基板サイズが変わっても、基板処理装置で処理可能な基板サイズの外形と同じ外形の基板ホルダに処理する基板を設置することで、反応室内の構造を変更することなく、基板処理を行うことができる。
[第1実施の形態]
以下、本発明の第1実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施の形態では、基板処理装置の一例であるSiCエピタキシャル成長装置において、高さ方向(縦方向)にSiCウェーハを積層する、所謂バッチ式縦型SiCエピタキシャル成長装置を挙げている。これにより、一度に処理できるSiCウエハの数を増やしてスループット(製造効率)を向上させている。
以下、本発明の第1実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施の形態では、基板処理装置の一例であるSiCエピタキシャル成長装置において、高さ方向(縦方向)にSiCウェーハを積層する、所謂バッチ式縦型SiCエピタキシャル成長装置を挙げている。これにより、一度に処理できるSiCウエハの数を増やしてスループット(製造効率)を向上させている。
<全体の構成>
図1は本発明に係る基板処理装置の概要を示す斜視図であり、まず、図1を用いて、本発明の一実施の形態におけるSiCエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置、および、半導体デバイスの製造工程の一つであるSiCエピタキシャル膜を成膜する基板の製造方法について説明する。
図1は本発明に係る基板処理装置の概要を示す斜視図であり、まず、図1を用いて、本発明の一実施の形態におけるSiCエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置、および、半導体デバイスの製造工程の一つであるSiCエピタキシャル膜を成膜する基板の製造方法について説明する。
基板処理装置(成膜装置)としての半導体製造装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、種々の機能を備えた複数の装置を収容する筐体12を有している。この半導体製造装置10では、例えば、SiC等で構成された基板としてのウエハ14を収納する基板収容器として、ポッド(フープ)16をウエハキャリアとして使用している。
筐体12の正面側(図中向かって右側)には、ポッドステージ18が設けられ、当該ポッドステージ18上にポッド16が搬送されるようになっている。ポッド16には、例えば、25枚のウエハ14が収納され、蓋16aが閉じられた状態(密閉状態)のもとで、ポッドステージ18上にセットされる。
筐体12の正面側で、かつポッドステージ18の背面側には、当該ポッドステージ18と対向するようにしてポッド搬送装置20が設けられている。また、ポッド搬送装置20の近傍でかつ背面側には、複数段(図示では3段)のポッド収納棚22,ポッドオープナ24および基板枚数検知器26が設けられている。各ポッド収納棚22は、ポッドオープナ24および基板枚数検知器26の上方側に設けられ、ポッド16を複数個搭載(図示では5個)し、その状態を保持するよう構成されている。ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18,各ポッド収納棚22およびポッドオープナ24間で、次々とポッド16を搬送するようになっている。ポッドオープナ24は、ポッド16の蓋16aを開けるもので、基板枚数検知器26は、ポッドオープナ24に隣接して設けられ、蓋16aが開けられた状態のもとでポッド16内のウエハ14の枚数を検知するものである。
筐体12の内部には、その他に、基板移載機28,基板保持具としてのボート30が設けられている。基板移載機28は、例えば、5本のアーム(ツイーザ)32を備え、各アーム32は、図示しない駆動手段により昇降可能かつ回転可能な構造となっており、ポッド16から5枚のウエハ14を一度に取り出せるようになっている。そして、各アーム32を正面側から背面側に反転移動させることで、ポッドオープナ24の位置にあるポッド16からボート30に向けて、ウエハ14を5枚ずつ搬送することができる。
筐体12内の背面側でかつ上方側には、処理炉40が設けられている。処理炉40の内部には、複数枚のウエハ14を装填したボート30が搬入され、これにより、複数積層したウエハ14を一度に熱処理(バッチ処理)できるようになっている。
<処理炉の構成>
図2は処理炉の内部構造を示す断面図を、図3は処理炉周辺の構造を示す断面図を、図4は基板処理装置の制御系統を説明するブロック図を、図5はボートの詳細構造を示す斜視図を、図6は2枚のウエハをウエハホルダに保持させた状態を示す断面図を、図7は5枚のウエハをウエハホルダに保持させた状態を示す断面図を、図8はウエハホルダ外周部に貫通孔を構成した説明図をそれぞれ表している。次に、これらの図2〜図8を用いて、SiCエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10の処理炉40について説明する。
図2は処理炉の内部構造を示す断面図を、図3は処理炉周辺の構造を示す断面図を、図4は基板処理装置の制御系統を説明するブロック図を、図5はボートの詳細構造を示す斜視図を、図6は2枚のウエハをウエハホルダに保持させた状態を示す断面図を、図7は5枚のウエハをウエハホルダに保持させた状態を示す断面図を、図8はウエハホルダ外周部に貫通孔を構成した説明図をそれぞれ表している。次に、これらの図2〜図8を用いて、SiCエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10の処理炉40について説明する。
処理炉40は、円筒形状の反応室44を形成する反応管42を備えている。反応管42は、石英またはSiC等の耐熱性材料からなり、上方側が閉塞され下方側が開口した有底筒状に形成されている。反応管42内の反応室44には、ボート30が収納されるようになっている。ここで、ボート30は、ウエハホルダ100(図6〜図8参照)に搭載されたウエハ14を、水平姿勢でかつ互いに中心を揃えて整列させ、縦方向に複数積層した状態で保持するようになっている。なお、ボート30の下方側には、例えば、石英やSiC等の耐熱性材料により円柱形状に形成された断熱部材としてのボート断熱部34が設けられ、加熱体48からの熱が、処理炉40の下方側に伝達し難くなっている。
反応管42の開口側(図2中下方側)には、反応管42と同心円状にマニホールド36が配設されている。マニホールド36は、例えば、ステンレス材料等からなり、上方側および下方側が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド36は反応管42を支持し、マニホールド36と反応管42との間には、シール部材としてのOリング(図示せず)が設けられている。これにより、反応管42およびマニホールド36の内部に充填された反応ガスが外部に漏洩するのを防止している。
マニホールド36は、その下方側に設けられた保持体(図示せず)に支持されており、これにより反応管42は、地面(図示せず)に対して垂直に据え付けられた状態となっている。ここで、反応管42およびマニホールド36により、反応容器を形成している。
処理炉40は、加熱体48と誘導コイル50とを備えている。加熱体48は反応室44内に設けられ、上方側が閉塞されて下方側が開口された有底筒状に形成されている。これにより、加熱体48内に供給される反応ガスを封止でき、かつ反応室44の上方側への放熱を抑制できる。加熱体48は、少なくとも複数積層されたウエハ14の積層領域を囲むように設けられ、磁場発生部として機能する誘導コイル50により誘導加熱されるようになっている。
誘導コイル50は、円筒形状の支持部材51の内周側に螺旋状に固定され、当該誘導コイル50は外部電源(図示せず)により通電される。そして、誘導コイル50を通電することで当該誘導コイル50は磁場を発生し、ひいては加熱体48が誘導加熱される。このように加熱体48を誘導加熱により発熱させることで、反応室44内が所望の処理温度(1500〜1800℃)に加熱されるようになっている。
加熱体48の近傍には、反応室44内の温度を検出する温度検出体としての温度センサ(図示せず)が設けられており、当該温度センサおよび誘導コイル50は、コントローラ152の温度制御部52(図4参照)と電気的に接続されている。温度制御部52は、温度センサにより検出された温度情報に基づいて、反応室44内の温度が所望の温度分布となるよう、誘導コイル50への通電具合を所定のタイミングで調節(制御)するようになっている。
反応管42と加熱体48との間には、例えば、誘導加熱され難いカーボンフェルト等で形成された断熱材54が設けられている。断熱材54は、側壁部54aと蓋部54bとを備え、反応管42および加熱体48と同様に、上方側が閉塞され下方側が開口された有底筒状に形成されている。このように、断熱材54を設けることで加熱体48からの輻射熱の伝達を遮断し、反応管42あるいは反応管42の外部が加熱されるのを抑制している。
なお、側壁部54aおよび蓋部54bは、一体成形または別部材で構成することができる。
なお、側壁部54aおよび蓋部54bは、一体成形または別部材で構成することができる。
誘導コイル50の外周側には、反応室44内の熱が外部に伝達されるのを抑制するために、例えば、水冷構造の外側断熱壁55が設けられている。外側断熱壁55は円筒形状に形成され、反応室44(支持部材51)を包囲するよう配置されている。さらに、外側断熱壁55の外周側には、誘導コイル50を通電することで発生する磁場が、外部に漏洩するのを防止するための磁気シール58が設けられている。磁気シール58においても、上方側が閉塞され下方側が開口された有底筒状に形成されている。
加熱体48と各ウエハ14との間には、少なくともSi(シリコン)原子含有ガス,Cl(塩素)原子含有ガス,C(炭素)原子含有ガスおよび還元ガスを供給する複数の第1ガス供給口60を備えた第1ガス供給ノズル(ガスノズル)61が設けられている。また、加熱体48と各ウエハ14との間で、第1ガス供給ノズル61の対向位置には、第1ガス供給ノズル61から供給された反応ガスを外部に排気する第1ガス排気口62が設けられている。さらに、反応管42と断熱材54の間には、第2ガス供給口64を備えた第2ガス供給ノズル65と、その対向位置には、第2ガス排気口66が設けられている。
以下、それぞれのノズルについて説明する。
以下、それぞれのノズルについて説明する。
第1ガス供給ノズル61は、例えば、カーボングラファイト等で中空パイプ状に形成され、その先端側は加熱体48の上方側に延在しており、第1ガス供給ノズル61の各第1ガス供給口60は各ウエハ14の側面に向けられている。第1ガス供給ノズル61の基端側は、マニホールド36を貫通しつつ、当該マニホールド36に溶接等により固定されている。第1ガス供給ノズル61は、少なくとも、Si原子含有ガスとして例えばモノシラン(SiH4)ガス、Cl原子含有ガスとして例えば塩化水素(HCl)ガス、C原子含有ガスとして例えばプロパン(C3H8)ガス、還元ガスとして例えば水素(H2)ガスとをそれぞれ混合した状態とし、この反応ガスを各ウエハ14に向けて供給するようになっている。
第1ガス供給ノズル61は、第1ガスライン68に接続されている。第1ガスライン68は、流量制御器(流量制御手段)としての各MFC(マスフローコントローラ)72a,72b,72c,72dおよび各バルブ74a,74b,74c,74dを介して、第1ガス源70a,第2ガス源70b,第3ガス源70c,第4ガス源70dに接続されている。なお、各ガス源70a〜70dには、例えば、SiH4ガス,HClガス,C3H8ガス,H2ガスがそれぞれ充填されている。
この構成により、例えば、SiH4ガス,HClガス,C3H8ガス,H2ガスのそれぞれの供給流量,濃度,分圧等を制御することができる。各バルブ74a〜74dおよび各MFC72a〜72dは、コントローラ152のガス流量制御部78(図4参照)に電気的に接続されている。ガス流量制御部78は、供給すべきそれぞれの反応ガスの流量を所定流量とするよう、所定のタイミングで制御するようになっている。ここで、SiH4ガス(成膜ガス),HClガス(エッチングガス),C3H8ガス(成膜ガス),H2ガス(還元ガス)をそれぞれ供給する各ガス源70a〜70d,各バルブ74a〜74d,各MFC72a〜72d,第1ガスライン68,第1ガス供給ノズル61および各第1ガス供給口60によって、第1ガス供給系を構成している。
なお、上述においては、第1ガス供給ノズル61の各第1ガス供給口60から、少なくとも、Si原子含有ガス,Cl原子含有ガス,C原子含有ガスおよび還元ガスを供給するようにしたが、これに限らず、それぞれの反応ガスに対応させて個別にガス供給ノズルを設けても良い。この場合、各反応ガスは反応室44内で混合されることになる。また、例えば2つのガス供給ノズルを設けて、上記4種類の反応ガスのうちの2種類を任意の組み合わせで混合させておき、各ウエハ14に向けて供給するようにしても良い。
また、上述した原料ガス以外にキャリアガスとして希ガスなどの不活性ガスを原料ガスとともに供給するようにしても良い。
また、上述した原料ガス以外にキャリアガスとして希ガスなどの不活性ガスを原料ガスとともに供給するようにしても良い。
また、上述においては、Cl原子含有ガスとしてHClガスを用いた場合を例示したが、これに限らず、塩素(Cl2)ガス等を用いても良い。
さらに、上述においては、Si原子含有ガスとCl原子含有ガスとを第1ガスライン68内で混合しておき、この混合した反応ガスを各第1ガス供給口60からウエハ14に供給するようにしたが、これに限らず、Si原子とCl原子とを含有するガスである、例えばテトラクロロシラン(SiCl4)ガス,トリクロロシラン(SiHCl3)ガス,ジクロロシラン(SiH2Cl2)ガス等を供給するようにしても良い。
また、上述においては、C原子含有ガスとしてC3H8ガスを用いた場合を例示したが、これに限らず、エチレン(C2H4)ガス,アセチレン(C2H2)ガス等を用いても良い。
さらには、第1ガス供給ノズル61内でドーパントガスを混合させておき、各第1ガス供給口60からドーパントガスを含有する反応ガスを供給するようにしても良い。また、当該ドーパントガスを供給するための専用のガス供給ノズルを別途設け、当該ガス供給ノズルからドーパントガスを反応室44内に供給するようにしても良い。
加熱体48と各ウエハ14との間で第1ガス供給ノズル61と対向する第1ガス排気口62には、マニホールド36を貫通して当該マニホールド36に溶接等により固定されたガス排気管76が接続されている。これにより、反応室44内に供給された反応ガスは、第1ガス排気口62およびガス排気管76を介して、半導体製造装置10の外部に排出される。
このように、各第1ガス供給口60から反応室44内に、少なくとも、Si原子含有ガス,Cl原子含有ガス,C原子含有ガスおよび還元ガスを供給するようにし、各第1ガス供給口60から供給された反応ガスを、ボート30に積層された各ウエハ14に対して側面方向から平行に流し、その後、反応ガスは第1ガス排気口62に向かう。これにより、各ウエハ14の下面である成膜面全体を、効率的かつ均一に反応ガスに曝すことができる。
ここで、好ましくは、反応室44の内部における加熱体48と各ウエハ14との間で、かつ第1ガス供給ノズル61と第1ガス排気口62との間に、反応ガスの流れ方向を各ウエハ14に向けるための構造物(図示せず)を設けると良い。この構造物の材料としては、好ましくは断熱材またはカーボングラファイト等を用いることで、耐熱性の向上やパーティクル発生の抑制を図ることができる。これにより、各第1ガス供給口60から供給される反応ガスを、より各ウエハ14の成膜面全体に行き渡るようにすることができ、各ウエハ14を効率的かつ均一に反応ガスに曝すことができる。ひいては各ウエハ14上に成膜されるSiCエピタキシャル膜の膜厚均一性(成膜精度)を向上させることができる。
反応管42と断熱材54との間に配置された第2ガス供給ノズル65の基端側は、マニホールド36を貫通して当該マニホールド36に溶接等により固定されている。第2ガス供給ノズル65は、第2ガスライン69に接続され、当該第2ガスライン69は、MFC72eおよびバルブ74eを介して、第5ガス源70eに接続されている。なお、第5ガス源70eには、例えば不活性ガスとして、希ガスのAr(アルゴン)ガスが充填されている。これにより、SiCエピタキシャル膜の成長に寄与する反応ガスが、反応管42と断熱材54との間に進入するのを防止し、反応管42の内壁や断熱材54の外壁に不要な生成物が付着するのを抑制できる。なお、バルブ74eおよびMFC72eにおいても、コントローラ152のガス流量制御部78(図4参照)に電気的に接続されている。
反応管42と断熱材54との間で、第2ガス供給ノズル65との対向部位には、第2ガス排気口66が設けられている。第2ガス排気口66においても、第1ガス排気口62と同様にガス排気管76に接続されている。ガス排気管76の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ(図示せず)および圧力調整器としてのAPC(Auto
Pressure Controller)バルブ79を介して、真空ポンプ等の真空排気装置80が接続されている。
Pressure Controller)バルブ79を介して、真空ポンプ等の真空排気装置80が接続されている。
圧力センサおよびAPCバルブ79には、コントローラ152の圧力制御部98(図4参照)が電気的に接続されている。圧力制御部98は、圧力センサにより検出された圧力に基づき、所定のタイミングでAPCバルブ79の開度を調節(制御)するようになっている。これにより、反応管42と断熱材54との間に供給されたArガスを、第2ガス排気口66,ガス排気管76およびAPCバルブ79を介して真空排気装置80から外部に所定量排気することで、処理炉40内の圧力が所定圧力に調整される。
ここで、Arガス(不活性ガス)を供給する第5ガス源70e,バルブ74e,MFC72e,第2ガスライン69,第2ガス供給ノズル65および第2ガス供給口64によって、第2ガス供給系を構成している。また、不活性ガスとして、Arガスを供給するようにした場合を例示したが、これに限らず、ヘリウム(He)ガス,ネオン(Ne)ガス,クリプトン(Kr)ガス,キセノン(Xe)ガス等の希ガスのうちの少なくとも1つのガス、または上述の希ガスのうちの少なくとも1つのガスとArガスとを組み合わせたガスを供給するようにしても良い。
<処理炉の周辺の構成>
図3に示すように、処理炉40の下方側には、当該処理炉40の開口部分である炉口144を気密に閉塞するシールキャップ(炉口蓋体)102が設けられている。シールキャップ102は、例えば、ステンレス等の金属材料により略円盤状に形成されている。シールキャップ102と処理炉40の天板126との間には、両者間をシールするシール部材としてのOリング(図示せず)が設けられ、これにより処理炉40内を気密に保持できるようにしている。
図3に示すように、処理炉40の下方側には、当該処理炉40の開口部分である炉口144を気密に閉塞するシールキャップ(炉口蓋体)102が設けられている。シールキャップ102は、例えば、ステンレス等の金属材料により略円盤状に形成されている。シールキャップ102と処理炉40の天板126との間には、両者間をシールするシール部材としてのOリング(図示せず)が設けられ、これにより処理炉40内を気密に保持できるようにしている。
シールキャップ102には回転機構104が設けられ、当該回転機構104の回転軸106は、シールキャップ102を貫通してボート断熱部34に連結されている。そして、回転機構104を回転駆動することにより、回転軸106およびボート断熱部34を介して処理炉40内でボート30が回転し、これに伴いウエハ14も回転するようになっている。
シールキャップ102は、処理炉40の外側に設けられた昇降モータ(昇降機構)Mによって垂直方向(上下方向)に昇降されるよう構成され、これによりボート30を処理炉40に対して搬入搬出できるようになっている。回転機構104および昇降モータMには、コントローラ152の駆動制御部108(図4参照)が電気的に接続されている。駆動制御部108は、回転機構104および昇降モータMを、所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するようになっている。
処理炉40の下方側には、予備室としてのロードロック室LRが設けられ、当該ロードロック室LRの外側には下基板LPが設けられている。下基板LPには、昇降台114を摺動自在に支持するガイドシャフト116の基端部が固定され、また、昇降台114と螺合するボール螺子118の基端部が回転自在に支持されている。また、ガイドシャフト116の先端部およびボール螺子118の先端部には、上基板UPが装着されている。ボール螺子118は上基板UPに搭載された昇降モータMにより回転駆動され、昇降台114はボール螺子118の回転駆動により昇降するようになっている。
昇降台114には、中空パイプ状の昇降シャフト124が垂下するよう固定され、昇降台114と昇降シャフト124との連結部分は気密となっている。これにより、昇降シャフト124は、昇降台114とともに昇降するようになっている。昇降シャフト124は、ロードロック室LRの上方側の天板126に設けられた貫通孔126aを、所定の隙間を持って貫通している。つまり、昇降シャフト124が昇降する際に、当該昇降シャフト124は天板126に接触することが無い。
ロードロック室LRと昇降台114との間には、昇降シャフト124の周囲を覆うよう伸縮性を有するベローズ(中空伸縮体)128が設けられ、当該ベローズ128によりロードロック室LRは気密に保持されている。なお、ベローズ128は、昇降台114の昇降量に対応し得る充分な伸縮量を備え、ベローズ128の内径は昇降シャフト124の外径に比べて充分に大きくなっている。これにより、ベローズ128は、その伸縮時において、昇降シャフト124と接触すること無くスムーズに伸縮することができる。
昇降シャフト124の下方側には、昇降基板130が水平に固定され、当該昇降基板130の下方側には、Oリング等のシール部材(図示せず)を介して駆動部カバー132が気密に取り付けられている。昇降基板130および駆動部カバー132は、駆動部収納ケース134を構成しており、これにより、駆動部収納ケース134内の雰囲気とロードロック室LR内の雰囲気とを隔離している。
駆動部収納ケース134の内部には、ボート30を回転駆動する回転機構104が設けられ、当該回転機構104の周辺は、水冷構造の冷却機構135により冷却されるようになっている。
回転機構104には電力ケーブル138が電気的に接続されており、当該電力ケーブル138は、昇降シャフト124の上方側から中空部を通って、回転機構104に導かれている。また、冷却機構135およびシールキャップ102には、冷却水流路140がそれぞれ形成されており、これらの冷却水流路140には、それぞれ冷却水配管142が接続されている。各冷却水配管142は、昇降シャフト124の上方側から中空部を通って、各冷却水流路140に導かれている。
コントローラ152の駆動制御部108により昇降モータMを回転駆動させることで、ボール螺子118が回転し、これにより昇降台114および昇降シャフト124が昇降し、ひいては駆動部収納ケース134が昇降する。そして、駆動部収納ケース134を上昇させることで、昇降基板130に気密に設けたシールキャップ102が処理炉40の開口部である炉口144を密閉し、これによりウエハ14を熱処理できる状態となる。また、駆動部収納ケース134を下降させることで、シールキャップ102とともにボート30が降下して、ウエハ14を処理炉40の外部に搬出できる状態となる。
図4に示すように、SiCエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10を制御するコントローラ152は、温度制御部52,ガス流量制御部78,圧力制御部98および駆動制御部108を備えている。これらの温度制御部52,ガス流量制御部78,圧力制御部98および駆動制御部108は、操作部および入出力部を構成し、半導体製造装置10の全体を制御する主制御部150に電気的に接続されている。
<ウエハの積層構造>
図5に示すように、ボート30は、円盤状に形成された上板30aと、円環状に形成された下板30bと、上板30aと下板30bとの間に設けられ、両者を水平状態で支持する支柱としての第1ボート柱31a,第2ボート柱31bおよび第3ボート柱31cとを備えている。上板30a,下板30bおよび各ボート柱31a〜31cは、何れもSiC等の耐熱材料により形成され、これらは互いに嵌め込みやネジ止め等の接続手段により一体に組み付けられている。
図5に示すように、ボート30は、円盤状に形成された上板30aと、円環状に形成された下板30bと、上板30aと下板30bとの間に設けられ、両者を水平状態で支持する支柱としての第1ボート柱31a,第2ボート柱31bおよび第3ボート柱31cとを備えている。上板30a,下板30bおよび各ボート柱31a〜31cは、何れもSiC等の耐熱材料により形成され、これらは互いに嵌め込みやネジ止め等の接続手段により一体に組み付けられている。
各ボート柱31a〜31cは、何れも同じ形状に形成され、ボート30を組み立てた状態のもとで、各ボート柱31a〜31cが対向する側には、切り欠きよりなる複数のホルダ保持部HSが設けられている。各ホルダ保持部HSは、ウエハ14を搭載したウエハホルダ100(図6参照)の外周側を取り外し可能に保持するもので、各ボート柱31a〜31cの長手方向に沿って所定間隔で、例えば30段設けられている。つまり、ボート30は、少なくとも1枚以上30枚以下のウエハ14を、それぞれウエハホルダ100を介して水平状態でかつ互いに中心を揃えた状態のもとで、縦方向に積層保持することができるよう構成されている。
第1ボート柱31aおよび第2ボート柱31bは、上板30aおよび下板30bの周方向に沿って90度間隔となるよう配置されている。また、第2ボート柱31bおよび第3ボート柱31cは、上板30aおよび下板30bの周方向に沿って180度間隔となるよう配置されている。つまり、第1ボート柱31aと第2ボート柱31bとの間隔は、第2ボート柱31bと第3ボート柱31cとの間隔よりも狭くなっている。なお、第1ボート柱31aおよび第3ボート柱31cは、第1ボート柱31aおよび第2ボート柱31bの関係と同様に、上板30aおよび下板30bの周方向に沿って90度間隔となっている。各ボート柱31a〜31cの間隔のうちの最も広く開口した開口部分、つまり第2ボート柱31bと第3ボート柱31cとの間の開口部分は、ウエハ14を保持したウエハホルダ100を移載するための開口部(搬入搬出部)となっている。
ウエハ14を搭載するウエハホルダ100は、図6〜図8に示すように円盤状に形成されている。例えば、本実施の形態で処理するウエハが6インチである場合、ウエハホルダ100は6インチのウエハ14が1枚載置されるように構成される。図6には例えば6インチよりも小径となるウエハを2枚乗せた状態を示し、図7においては、ウエハを5枚乗せた状態を示す。更に、図6(a)、図7(a)においては、ホルダカバー120を被せていない状態を示し、図6(b)、図7(b)においては、ホルダカバー120を被せた状態を示している。当該ウエハホルダ100は、円環状のホルダベース110と円盤状のホルダカバー120とを備えている。ここで、ホルダベース110およびホルダカバー120においても、何れもSiC等の耐熱材料によりそれぞれ形成されている。なお、ホルダベース110は本発明におけるウエハホルダを、ホルダカバー120は本発明における蓋部材をそれぞれ構成している。このように、ホルダカバー120によりウエハ14の上面14bを覆う構成とすることにより、ウエハ14の上方側から落下してくるパーティクル(微細ゴミ)からウエハ14を保護することができ、ウエハ14の上面に成膜されないようにすることができる。また、SiCコートされたホルダカバー120とウエハ14を接触して加熱すると近接昇華が起こり、ウエハ14の接触表面に面荒れ(SiC付着)が発生してしまう。この面荒れを抑制する対策として、ホルダカバー120とウエハ14との間にTacプレート1000を挟んでいる。
ウエハホルダ100を構成するホルダベース110の外径寸法は、ウエハ14の外径寸法よりも大きい外径寸法に設定されている。ホルダベース110の中央部分には、ホルダベース110を軸方向に貫通する貫通穴110aが設けられ、当該貫通穴110aの内周縁部には環状段差部111が形成されている。この環状段差部111は、ウエハ14を保持するようになっている。環状段差部111のホルダベース110表面からウエハ14を保持する保持面までの高さはウエハ14の厚さと同一でも良いし、ホルダカバー120を設置するためにウエハ厚さ14より高くしても良い。
前述したように反応ガスはウエハの横方向からウエハ表面と平行に流れている。その際に、ボート柱の影響により、ガスの流れに乱れが生じ、ウエハ面内のボート柱近傍部分の膜厚が薄くなってしまい、ウエハの表面に成膜される膜の同一ウエハ面内における膜厚の均一性に影響を与えている。そこで、図7で示すように、ホルダの外周部130の内側である内周部140に配置される複数の基板のうち、外周部近傍に配置された基板の中心位置がホルダの重心とボート柱とを結ぶ線上の位置を避けたところに基板を配置している。
更に別の実施例として、内周部に配置される複数の基板がホルダの中心に対して、点対称に配置されている。
更に別の実施例として、内周部に配置される複数の基板がホルダの中心に対して、点対称に配置されている。
更に、ボート柱近傍の基板の膜厚均一性を向上させるために、図8に示すように、ホルダベース110の基板の配置されている内周部140より外側である外周部130にガス流れを良くするための開口部(貫通孔)150を設けるとなおよい。図8ではガス流れを良くするためにボート柱部とボート柱中間部とで開口部150の形状を変えているが、開口部150は同一の形状で複数設けてもよい。
更に、基板の上から、ホルダ100の内周部140の複数の基板14を覆うようにホルダカバー120を配置する。更に、ホルダ100の内周部140及び外周部130を覆うようにホルダカバー120を配置しても構わない。
また、ホルダベース110の環状段差部111にウエハ14を保持させることで、ホルダベース110の中央部分にウエハ14を精度良く位置決め(搭載)することができ、さらには図6に示すように、各ボート柱31a〜31cとウエハ14とを遠ざけることができる。また、ウエハ14を環状段差部111に保持させることで、ウエハ14の成膜面となる下面14aを反応室44内の雰囲気に曝すことができる。
更に、基板の上から、ホルダ100の内周部140の複数の基板14を覆うようにホルダカバー120を配置する。更に、ホルダ100の内周部140及び外周部130を覆うようにホルダカバー120を配置しても構わない。
また、ホルダベース110の環状段差部111にウエハ14を保持させることで、ホルダベース110の中央部分にウエハ14を精度良く位置決め(搭載)することができ、さらには図6に示すように、各ボート柱31a〜31cとウエハ14とを遠ざけることができる。また、ウエハ14を環状段差部111に保持させることで、ウエハ14の成膜面となる下面14aを反応室44内の雰囲気に曝すことができる。
以上の構成により、本発明は、以下に示す少なくとも1つの効果をもたらす。
基板処理装置で処理する基板サイズが変わっても、基板処理装置で処理可能な基板サイズの外形と同じ外形の基板ホルダに処理する基板を設置することで、装置を変更せずに対応可能となり、コストパフォーマンスが向上できる。また、同一ホルダ上に基板を複数枚載置する場合は、ボート柱の影響を回避するように配置することにより、膜の面内均一性が向上する。更にウエハホルダの外周部のボート柱近傍に貫通穴を設けることにより、更なる面内均一性の向上が期待できる。
基板処理装置で処理する基板サイズが変わっても、基板処理装置で処理可能な基板サイズの外形と同じ外形の基板ホルダに処理する基板を設置することで、装置を変更せずに対応可能となり、コストパフォーマンスが向上できる。また、同一ホルダ上に基板を複数枚載置する場合は、ボート柱の影響を回避するように配置することにより、膜の面内均一性が向上する。更にウエハホルダの外周部のボート柱近傍に貫通穴を設けることにより、更なる面内均一性の向上が期待できる。
<本発明の好ましい態様>
次に、本発明の好ましい態様を付記する。
次に、本発明の好ましい態様を付記する。
(付記1)
本発明の一態様によれば、複数の基板を保持するホルダと、前記ホルダを複数の支持部で支持する保持体と、前記保持体で支持されたホルダが保持する複数の基板を処理する処理室と、を有し、前記ホルダは支持部に支持される外周部と、該外周部の内側で複数の基板を保持する内周部とで構成され、該内周部は少なくとも保持される複数の基板の内、前記外周部近傍側に配置される基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置されるように構成している基板処理装置が提供される。
本発明の一態様によれば、複数の基板を保持するホルダと、前記ホルダを複数の支持部で支持する保持体と、前記保持体で支持されたホルダが保持する複数の基板を処理する処理室と、を有し、前記ホルダは支持部に支持される外周部と、該外周部の内側で複数の基板を保持する内周部とで構成され、該内周部は少なくとも保持される複数の基板の内、前記外周部近傍側に配置される基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置されるように構成している基板処理装置が提供される。
(付記2)
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を保持したホルダを、保持体の複数の支持部で支持するステップであって、前記ホルダの外周部を前記支持部で支持し、前記外周部の内周部で、少なくとも前記保持された複数の基板のうち、前記外周部近傍側に配置した基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置した前記ホルダを支持するステップと、前記処理室にて、前記保持体で支持された前記ホルダが保持する複数の基板を処理するステップと、を有する基板の製造方法。
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を保持したホルダを、保持体の複数の支持部で支持するステップであって、前記ホルダの外周部を前記支持部で支持し、前記外周部の内周部で、少なくとも前記保持された複数の基板のうち、前記外周部近傍側に配置した基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置した前記ホルダを支持するステップと、前記処理室にて、前記保持体で支持された前記ホルダが保持する複数の基板を処理するステップと、を有する基板の製造方法。
(付記3)
また好ましくは、
前記内周部は、前記保持される複数の基板が、前記ホルダの中心に対し点対称に配置されるように構成されている付記1の基板処理装置。
また好ましくは、
前記内周部は、前記保持される複数の基板が、前記ホルダの中心に対し点対称に配置されるように構成されている付記1の基板処理装置。
(付記4)
また好ましくは、
前記ホルダには、該外周部を貫通する貫通孔が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、該外周部を貫通する貫通孔が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
(付記5)
また好ましくは、
前記ホルダには、該外周部を貫通する貫通孔が複数構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、該外周部を貫通する貫通孔が複数構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
(付記6)
また好ましくは、
前記ホルダには、少なくとも前記内周部に保持される複数の基板を覆う蓋体が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、少なくとも前記内周部に保持される複数の基板を覆う蓋体が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
(付記7)
また好ましくは、
前記ホルダには、少なくとも前記内周部を覆う蓋体が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、少なくとも前記内周部を覆う蓋体が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
(付記8)
また好ましくは、
前記ホルダには、前記外周部および前記内周部を覆う蓋体が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、前記外周部および前記内周部を覆う蓋体が構成されている付記1または付記3の基板処理装置。
(付記9)
また好ましくは、
前記ホルダには、前記外周部および前記蓋体を貫通する貫通孔が構成されている付記8の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、前記外周部および前記蓋体を貫通する貫通孔が構成されている付記8の基板処理装置。
(付記10)
また好ましくは、
前記ホルダには、前記外周部および前記蓋体を貫通する貫通孔が複数構成されている付記8の基板処理装置。
また好ましくは、
前記ホルダには、前記外周部および前記蓋体を貫通する貫通孔が複数構成されている付記8の基板処理装置。
(付記11)
本発明のさらに他の態様によれば、
複数の基板を保持したホルダを、保持体の複数の支持部で支持するステップであって、前記ホルダの外周部を前記支持部で支持し、前記外周部の内周部で、少なくとも前記保持された複数の基板のうち、前記外周部近傍側に配置した基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置した前記ホルダを支持するステップと、前記保持体を処理室へ搬送するステップと、前記処理室にて、前記保持体で支持された前記ホルダが保持する複数の基板を処理するステップと、を有する半導体装置の製造方法。
本発明のさらに他の態様によれば、
複数の基板を保持したホルダを、保持体の複数の支持部で支持するステップであって、前記ホルダの外周部を前記支持部で支持し、前記外周部の内周部で、少なくとも前記保持された複数の基板のうち、前記外周部近傍側に配置した基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置した前記ホルダを支持するステップと、前記保持体を処理室へ搬送するステップと、前記処理室にて、前記保持体で支持された前記ホルダが保持する複数の基板を処理するステップと、を有する半導体装置の製造方法。
10・・・・基板処理装置
14・・・・ウエハ
14a・・・ウエハ裏面
30・・・・ボート
31a、31b、31c・・・・ボート柱
100・・・ホルダ
110・・・ホルダベース
110a・・貫通穴
111・・・環状段差部
120・・・ホルダカバー
130・・・ホルダ外周部
140・・・ホルダ内周部
150・・・貫通孔
14・・・・ウエハ
14a・・・ウエハ裏面
30・・・・ボート
31a、31b、31c・・・・ボート柱
100・・・ホルダ
110・・・ホルダベース
110a・・貫通穴
111・・・環状段差部
120・・・ホルダカバー
130・・・ホルダ外周部
140・・・ホルダ内周部
150・・・貫通孔
Claims (1)
- 複数の基板を保持するホルダと、
前記ホルダを複数の支持部で支持する保持体と、
前記保持体で支持されたホルダが保持する複数の基板を処理する処理室と、を有し、
前記ホルダは前記支持部に支持される外周部と、
該外周部の内側で複数の基板を保持する内周部とで構成され、該内周部は少なくとも保持される複数の基板のうち、前記外周部近傍側に配置される基板の中心位置が前記ホルダの重心と前記支持部とを結ぶ線上の位置を避けて配置される基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012209521A JP2014063958A (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2012209521A JP2014063958A (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 基板処理装置 |
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JP2012209521A Pending JP2014063958A (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 基板処理装置 |
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2012
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