JP2014053541A - 有機半導体材料、および、有機トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一般式(1)
【化1】
(式中、R1、R2は、各々独立して、炭素数2〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基、炭素数3〜20のアルコキシアルキル基、炭素数3〜20のアルキルスルファニルアルキル基、芳香環又は複素芳香環、炭素数2〜20のアルキル基または炭素数2〜20のアルケニル基を置換基として持つ芳香族環又は複素芳香環、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基またはアルケニル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環等である。)で表される有機半導体材料により課題を解決する。
【選択図】 なし
Description
そこで、本発明の課題は、高い電荷移動度を有するだけでなく、成膜時の移動度のバラツキを抑えることのできる有機半導体材料を提供することにある。
1.一般式(1)
2.R1が、炭素数2〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基、炭素数3〜20のアルコキシアルキル基、炭素数3〜20のアルキルスルファニルアルキル基である1に記載の有機半導体材料、
3.1または2のいずれか1項に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体デバイス、
4.1または2のいずれか1項に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタ。
一般式(1)で表される化合物は、R1、R2が、各々独立して炭素数2〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基、炭素数3〜20のアルコキシアルキル基、炭素数3〜20のアルキルスルファニルアルキル基、芳香環又は複素芳香環、炭素数2〜20のアルキル基または炭素数2〜20のアルケニル基を置換基として持つ芳香族環又は複素芳香環、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基またはアルケニル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環、炭素数3〜20のアルコキシアルキル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環、炭素数3〜20のアルキルスルファニルアルキル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環、炭素数3〜20のアルキルアミノアルキル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環であり、Xが、アルキル基を置換基として有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基であることに特徴を有する。
2分子のジベンゾチエノベンゾチオフェンが一定長の炭化水素鎖で連結されることにより、成膜後の分子の並びが制御され、高い移動度とともに安定した移動度を発現することができる。
炭素数3〜20のアルキルアミノアルキル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環としては、4−(3−オクチルアミノプロピル)フェニル基、4−(3−ドデシルアミノプロピル)フェニル基、4−(ジエチルアミノエチル)フェニル基、5−(3−オクチルアミノプロピル)チエニル基など、前記芳香環または複素芳香環が炭素数3〜20のアルキルアミノアルキル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環、などが挙げられる。
このようなアルキレン連結基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基、エイコシレン基など直鎖アルキレン基、3,3−ジメチルペンチレン基、2−エチルヘキシレン基、4,4−ジメチルオクチレン基など分岐アルキレン基などが挙げられる。また、上記基の中のメチレン基のうちの一つが、酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置換された連結基も使用することができる。
本発明化合物の合成は、公知慣用の方法を組み合わせて行うことができる。
合成経路の一例は、以下を挙げることができる。
上記反応は、特に限定されることなく、公知慣用の試薬が使用でき、反応温度も公知慣用の何れの温度も適用することができる。
上記反応は、特に限定されることなく、公知慣用の試薬が使用でき、反応温度も公知慣用何れの温度も適用することができる。
実施例に示すように、FETを作製し、その特性を評価することにより本発明の有機半導体材料が、有機トランジスタとして使用可能であることを確認可能である。
このような方法による半導体デバイス動作確認の詳細に関しては、例えば文献 S. F.Nelsona,Y.−Y.Lin,D.J.Gundlach,and T. N.Jackson、Temperature−independent transport in high−mobility pentacene transistors,Appl.Phys.Lett.,72,No.15 1854−1856(1998)を参照することができる。
熱酸化膜付シリコンウエハー(ヘビードープp型シリコン(P+−Si)、熱酸化膜(SiO2)厚さ:300nm)を20×25mmに切断後、この切断したシリコンウエハー(こののち基板と略す)を中性洗剤、超純水、イソプロピルアルコール(IPA)、アセトン、IPAの順に超音波洗浄を行った。
(実施例1)
Liquid Crystals 31,137−1380(2004)に記載の方法で得た2−デシル−BTBT 3.82g(10mmol)を200mLのジクロロメタンに溶解後−70℃に冷却し、塩化アルミニウム6.65g(50mmol)を加えた後、コハク酸クロライド0.62g(4.0mmol)をジクロロメタン10mLに溶解した溶液を滴下した。同温で1時間撹拌した後、徐々に室温まで温度を上げ、48時間反応した。この反応液を冷水に注ぎ、析出した結晶を濾集後、蒸留水、メタノールの順で洗浄した。得られた結晶をトルエンで再結晶し、1,4−ビス(7−デシルBTBT−2イル)ブタン−1,4−ジオン(化合物A)の淡黄色結晶、2.55g(収率61%)を得た。
実施例1で得た化合物を前記の手法で評価した結果、以下の通りであった。
・移動度:0.9cm2/Vs
・オンオフ比:4.0×106
Claims (4)
- 一般式(1)
- R1が、炭素数2〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基、炭素数3〜20のアルコキシアルキル基、炭素数3〜20のアルキルスルファニルアルキル基である請求項1に記載の有機半導体材料。
- 請求項1または2のいずれか1項に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体デバイス。
- 請求項1または2のいずれか1項に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタ。
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