JP2014044984A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 平均粒子径が５０〜５，０００ｎｍの範囲にある表面処理シリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペーストであって、表面処理シリカ系微粒子の２９Ｓｉ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルにおいて、ケミカルシフトが−３０〜−８０ｐｐｍの範囲で検出される主ピークの半値幅が３〜１５ｐｐｍの範囲にあることを特徴とする半導体装置実装用ペースト。
- 前記表面処理シリカ系微粒子の含有量が固形分として３０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置実装用ペースト。
- 前記樹脂が、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ＢＴレジン、シアネート系樹脂から選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置実装用ペースト。
- Ｅ型粘度計の回転数０．５ｒｐｍの時の粘度（η１）が１〜８００Ｐa・ｓの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置実装用ペ−スト。
- Ｅ型粘度計の回転数２．５ｒｐｍの時の粘度（η２）が１〜８００Ｐa・ｓの範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置実装用ペ−スト。
- 前記粘度（η１）と前記粘度（η２）との粘度比（η１）／（η２）が０．００１〜８の範囲にあることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置実装用ペ−スト。
- 表面処理シリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペーストの製造方法であって、前記表面処理シリカ系微粒子が、下記の工程（ａ）〜（ｃ）を用いて製造された粉末である半導体装置実装用ペーストの製造方法。
（ａ）シリカ系微粒子の水および／または有機溶媒分散液を調製する工程
（ｂ）下記式(1)で表される有機珪素化合物を添加する工程
（ｃ）有機珪素化合物の加水分解触媒を加えることなく、または溶媒置換をすることなく、乾燥する工程
Ｒn-ＳiＸ4-n （１）
（但し、式中、Ｒは炭素数１〜１０の非置換または置換炭化水素基であって、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ：炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン、水素、ｎ：１〜３の整数） - 前記工程（ｃ）の乾燥温度が２００℃以下であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置実装用ペーストの製造方法。
- 前記工程（ｃ）を流動下で行うことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置実装用ペーストの製造方法。
- 前記工程（ｃ）を減圧下で行うことを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の半導体装置実装用ペーストの製造方法。
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