JP2014027081A - Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、リングフレームと当該リングフレームの中央に載置された半導体ウエハ(以下、適宜「ウエハ」という)の裏面とに亘って支持用の粘着テープを貼り付け、粘着テープを介してウエハをリングフレームに一体化するための半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置に関する。 The present invention attaches a supporting adhesive tape across the ring frame and the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer” as appropriate) placed on the center of the ring frame, and the wafer is attached via the adhesive tape. The present invention relates to a semiconductor wafer mounting method and a semiconductor wafer mounting apparatus for integration into a ring frame.
近年、アプリケーションの急速な進歩に伴ってウエハの薄型化が求められている。その厚さは、100μm〜50μm、時には、25μm程度にまで薄くすることが要望されている。そこで、バックグラインド処理によって薄型化されたウエハに剛性を持たせて取り扱いを容易にするとともに、ダイシング処理を行うために、支持用の粘着テープ(ダイシングテープ)を介してリングフレームの中央にウエハをマウントし、接着保持している(特許文献1を参照)。 In recent years, there has been a demand for thinner wafers with rapid progress in applications. The thickness is required to be as thin as 100 μm to 50 μm, and sometimes as low as 25 μm. Therefore, the wafer thinned by the back grinding process is given rigidity to facilitate handling, and in order to perform the dicing process, the wafer is placed in the center of the ring frame via a supporting adhesive tape (dicing tape). It is mounted and adhered and held (see Patent Document 1).
また、粘着テープの接着力を高めるために、粘着テープを加熱しながらウエハの裏面に貼り付けている。 Moreover, in order to raise the adhesive force of an adhesive tape, it sticks on the back surface of a wafer, heating an adhesive tape.
従来のウエハのマウント方法では、次のような問題が生じている。すなわち、粘着テープをウエハ裏面に貼り付けるとき、皺の発生を防止するために所定のテンションを付与している。従来の8インチ程度の小形のウエハを粘着テープにマウントするときには粘着テープへの皺の発生率は低かった。しかしながら、例えば12インチなどの大形のウエハに粘着テープを貼り付ける過程では、皺の発生率が増加する傾向にあるといった問題が生じている。 The conventional wafer mounting method has the following problems. That is, when the adhesive tape is attached to the back surface of the wafer, a predetermined tension is applied to prevent wrinkles. When a conventional small wafer of about 8 inches is mounted on an adhesive tape, the generation rate of wrinkles on the adhesive tape is low. However, in the process of attaching an adhesive tape to a large wafer such as 12 inches, for example, there is a problem that the generation rate of wrinkles tends to increase.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、マウントフレームを作成する過程で、皺の発生を防止しながら半導体ウエハの裏面に粘着テープを精度よく密着させることのできる半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置を提供することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and in the process of creating a mount frame, a semiconductor wafer capable of accurately attaching an adhesive tape to the back surface of a semiconductor wafer while preventing wrinkles. It is a main object to provide a mounting method and a semiconductor wafer mounting apparatus.
本発明者等は、上記問題の発生の原因を突き止めるべく粘着テープ(ダイシングテープ)をウエハの裏面に貼り付ける実験を繰り返して鋭意検討した結果、次のような知見を得ることができた。 The inventors of the present invention have repeatedly conducted an experiment of attaching an adhesive tape (dicing tape) to the back surface of the wafer in order to find out the cause of the above problem, and as a result, have obtained the following knowledge.
すなわち、支持用の粘着テープを構成する基材の組成変形が生じる上限近くまでテンションを付与した状態で当該粘着テープをウエハの裏面に貼り付ける場合であっても、粘着テープの面積が従来よりも大きくなっているので、熱の影響による単位面積当たりの基材の伸び率が小さくても、テープ全体で伸びた長さが顕著に増大することが分かった。つまり、当該粘着テープの伸びによって粘着テープを貼り付ける後半側で当該粘着テープが波打ってローラが通過する前にウエハの裏面に粘着テープが不要に接着することが分かった。なお、粘着テープを加熱したとき程ではないが、大形の粘着テープを加熱しない場合であっても粘着テープに伸びが生じて同様の現象が生じていた。 That is, even when the adhesive tape is applied to the back surface of the wafer in a state where tension is applied to near the upper limit where the composition of the base material constituting the supporting adhesive tape is deformed, the area of the adhesive tape is larger than before. Since it is large, it was found that even when the elongation percentage of the base material per unit area due to the influence of heat is small, the length of the whole tape is remarkably increased. That is, it was found that the adhesive tape unnecessarily adheres to the back surface of the wafer before the roller passes through the wave of the adhesive tape on the second half side where the adhesive tape is applied due to the elongation of the adhesive tape. Although not as much as when the adhesive tape was heated, even when the large adhesive tape was not heated, the adhesive tape was stretched and the same phenomenon occurred.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、支持用の粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハを保持する半導体ウエハのマウント方法であって、
前記リングフレームの内縁と前記半導体ウエハの外縁の間のスペースから気体供給部によって気体を供給し、当該半導体ウエハの裏面と前記粘着テープの間に気体を流通させる気体供給過程と、
前記気体によって半導体ウエハの裏面から離間されている前記粘着テープに貼付けローラを転動させて半導体ウエハの裏面に当該粘着テープを貼り付ける貼付け過程と
を備えたことを特徴とする。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, a semiconductor wafer mounting method for holding a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
A gas supply step of supplying gas by a gas supply unit from a space between an inner edge of the ring frame and an outer edge of the semiconductor wafer, and circulating the gas between the back surface of the semiconductor wafer and the adhesive tape;
And a sticking process of rolling a sticking roller on the adhesive tape separated from the back surface of the semiconductor wafer by the gas and sticking the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer.
(作用・効果) この方法によれば、半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼り付ける過程で、ウエハの裏面と粘着テープの間を気体が流通しているので、半導体ウエハの裏面から離間する方向に風圧が粘着テープに作用する。すなわち、粘着テープの伸びよる不要な波の発生が風圧によって抑えられ、半導体ウエハの裏面から距離が一定に保たれる。したがって、貼付けローラの進路前方で粘着テープが先だって半導体ウエハの裏面に接着することがない。換言すれば、粘着テープに皺を発生させることなく半導体ウエハの裏面全体に当該粘着テープを密着させることができる。 (Function / Effect) According to this method, in the process of attaching the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer, gas is flowing between the back surface of the wafer and the adhesive tape, so that the gas is separated from the back surface of the semiconductor wafer. Wind pressure acts on the adhesive tape. That is, generation of unnecessary waves due to the elongation of the adhesive tape is suppressed by the wind pressure, and the distance from the back surface of the semiconductor wafer is kept constant. Therefore, the adhesive tape does not adhere to the back surface of the semiconductor wafer ahead of the path of the sticking roller. In other words, the adhesive tape can be brought into close contact with the entire back surface of the semiconductor wafer without generating wrinkles on the adhesive tape.
なお、上記方法において、気体供給部は、環状部材に所定間隔をおいて複数個の噴出孔が形成されており、各噴出孔から前記半導体ウエハの裏面中心に向けて気体を供給することが好ましい。 In the above method, the gas supply unit preferably has a plurality of ejection holes formed at predetermined intervals in the annular member, and preferably supplies gas from each ejection hole toward the center of the back surface of the semiconductor wafer. .
この方法によれば、気体が抜けてゆく半導体ウエハの周縁側で生じがちなばたつきを抑えられる。したがって、粘着テープ全体の波打ちを効率よく抑えることができる。 According to this method, fluttering that tends to occur on the peripheral side of the semiconductor wafer through which gas escapes can be suppressed. Therefore, it is possible to efficiently suppress the undulation of the entire adhesive tape.
また、上記方法によれば、貼付けローラの転動に追従して進路後方から前方に向けて噴出孔からの気体の供給を順番に停止してゆくことが好ましい。 Moreover, according to the said method, it is preferable to stop supply of the gas from an ejection hole in order from the back of a course toward the front following the rolling of a sticking roller.
この方法によれば、半導体ウエハの裏面に接着済みの粘着テープの周りで粘着面の露出している部分に風圧が作用しない。したがって、半導体ウエハ裏面に接着している粘着テープに剥離する力が作用せず、半導体ウエハの裏面への密着状態を維持することができる。 According to this method, the wind pressure does not act on the exposed part of the adhesive surface around the adhesive tape already adhered to the back surface of the semiconductor wafer. Therefore, the peeling force does not act on the pressure-sensitive adhesive tape adhered to the back surface of the semiconductor wafer, and the close contact state with the back surface of the semiconductor wafer can be maintained.
また、上記方法によれば、粘着テープの貼付け終端位置に前記貼付けローラが近づくにつれて、気体の流量を減少させてゆくことが好ましい。 Moreover, according to the said method, it is preferable to reduce the flow volume of gas as the said sticking roller approaches the sticking termination position of an adhesive tape.
この方法によれば、同じ流量で気体を供給し続けると、半導体ウエハの裏面への未接着部分の粘着テープの長さが短くなるにつれて、半導体ウエハの終端側に位置する粘着テープ部分で振動が起こり易くなる。しかしながら、流量を減少させることにより、粘着テープが振動するのを抑えることができる。 According to this method, if the gas is continuously supplied at the same flow rate, vibration is generated in the adhesive tape portion located on the terminal end side of the semiconductor wafer as the length of the adhesive tape on the back surface of the semiconductor wafer becomes shorter. It tends to happen. However, by reducing the flow rate, vibration of the adhesive tape can be suppressed.
なお、上記方法で半導体ウエハの裏面に貼り付ける粘着テープは、例えば帯状の粘着テープであってもよいし、リングフレームに予め貼り付けられていてもよい。 In addition, the adhesive tape affixed on the back surface of a semiconductor wafer by the said method may be a strip | belt-shaped adhesive tape, for example, and may be affixed previously to the ring frame.
帯状の粘着テープの場合、貼付け過程ではリングフレームと半導体ウエハに同時に当該粘着テープを貼り付けることになる。 In the case of a strip-shaped adhesive tape, the adhesive tape is applied to the ring frame and the semiconductor wafer at the same time in the attaching process.
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 The present invention has the following configuration in order to achieve such an object.
すなわち、支持用の粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハを保持する半導体ウエハのマウント装置であって、
前記リングフレームを保持するフレーム保持部と、
前記半導体ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記リングフレームと前記半導体ウエハの裏面に向けて帯状の前記粘着テープを供給するテープ供給部と、
前記フレーム保持部により保持されたリングフレームの内縁と前記ウエハ保持部により保持された半導体ウエハの外縁の間のスペースから当該半導体ウエハの裏面側に気体を供給する気体供給部と、
前記気体によって半導体ウエハの裏面から離間されている前記粘着テープに貼付けローラを転動させてリングフレームと半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼り付ける貼付け機構と、
前記リングフレーム上で切断部材を移動させて粘着テープを切断する切断機構と、
切り抜かれた前記粘着テープを回収するテープ回収部と、
を備えたことを特徴とする。
That is, a semiconductor wafer mounting device for holding a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
A frame holding unit for holding the ring frame;
A wafer holder for holding the semiconductor wafer;
A tape supply unit that supplies the ring-shaped adhesive tape toward the ring frame and the back surface of the semiconductor wafer;
A gas supply unit configured to supply gas from a space between an inner edge of the ring frame held by the frame holding unit and an outer edge of the semiconductor wafer held by the wafer holding unit to the back side of the semiconductor wafer;
An affixing mechanism for affixing the adhesive tape to the ring frame and the back surface of the semiconductor wafer by rolling an affixing roller to the adhesive tape separated from the back surface of the semiconductor wafer by the gas;
A cutting mechanism for moving the cutting member on the ring frame to cut the adhesive tape;
A tape recovery unit for recovering the cut-out adhesive tape;
It is provided with.
(作用・効果) この構成によれば、フレーム保持部により保持されたリングフレームの内縁とウエハ保持部により保持された半導体ウエハの外縁の間のスペースから気体供給部により気体を供給することにより、当該リングフレームと半導体ウエハの裏面に対向して供給される粘着テープの間を気体が流通する。それ故に、貼付けローラの進路前方にある粘着テープを気体の風圧によって半導体ウエハの裏面から離間させた状態を保ちつつ、粘着テープを半導体ウエハの裏面に貼り付けてゆくことができる。したがって、貼付けローラが通過する前に粘着テープが半導体ウエハの裏面に接着することがないので、粘着テープに皺を発生させることなく半導体ウエハの裏面に帯状の粘着テープを密着させることができる。 (Operation / Effect) According to this configuration, by supplying gas from the space between the inner edge of the ring frame held by the frame holding unit and the outer edge of the semiconductor wafer held by the wafer holding unit, by the gas supply unit, Gas flows between the ring frame and the adhesive tape supplied to face the back surface of the semiconductor wafer. Therefore, the adhesive tape can be attached to the back surface of the semiconductor wafer while maintaining the state where the adhesive tape in front of the path of the application roller is separated from the back surface of the semiconductor wafer by the wind pressure of the gas. Therefore, since the adhesive tape does not adhere to the back surface of the semiconductor wafer before the pasting roller passes, the belt-like adhesive tape can be adhered to the back surface of the semiconductor wafer without generating wrinkles on the adhesive tape.
なお、上記構成において、リングフレームを挟んで上流側と下流から前記粘着テープにテンションを付与するローラと、
前記リングフレームを挟んで粘着テープを幅方向からテンションを付与する引張機構を備えることが好ましい。
In the above configuration, a roller for applying tension to the adhesive tape from the upstream side and the downstream side across the ring frame;
It is preferable to provide a tension mechanism that applies tension to the adhesive tape from the width direction with the ring frame interposed therebetween.
この構成によれば、粘着テープの弛みが抑えられるので、ひいては粘着テープの生じる波打ちを確実に抑えることができる。 According to this configuration, since the slack of the adhesive tape can be suppressed, it is possible to reliably suppress the undulation that occurs in the adhesive tape.
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 The present invention has the following configuration in order to achieve such an object.
すなわち、支持用の粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハを保持する半導体ウエハのマウント装置であって、
円形の前記粘着テープが予め貼り付けられている前記リングフレームを保持するフレーム保持部と、
前記半導体ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記フレーム保持部と前記ウエハ保持部を相対的に上下移動させる昇降機構と、
前記半導体ウエハと粘着テープを近接対向させた状態で、前記リングフレームの内縁と前記半導体ウエハの外縁の間のスペースから当該半導体ウエハの裏面側に気体を供給する気体供給部と、
前記気体によって前記半導体ウエハの裏面から離間されている前記粘着テープに貼付けローラを転動させて当該半導体ウエハの裏面に当該粘着テープを貼り付ける貼付け機構と、
を備えたことを特徴とする。
That is, a semiconductor wafer mounting device for holding a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
A frame holding part for holding the ring frame to which the circular adhesive tape is attached in advance;
A wafer holder for holding the semiconductor wafer;
An elevating mechanism for moving the frame holding part and the wafer holding part relatively up and down;
With the semiconductor wafer and the adhesive tape in close proximity to each other, a gas supply unit that supplies gas from the space between the inner edge of the ring frame and the outer edge of the semiconductor wafer to the back side of the semiconductor wafer;
An affixing mechanism for affixing the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer by rolling an affixing roller to the adhesive tape that is separated from the back surface of the semiconductor wafer by the gas;
It is provided with.
この構成によれば、リングフレームに予め貼り付けられている粘着テープを半導体ウエハの裏面に密着させることができる。 According to this structure, the adhesive tape previously affixed on the ring frame can be stuck on the back surface of the semiconductor wafer.
なお、上記各構成を有する半導体ウエハのマウント装置において、気体供給部は、所定間隔をおいて複数個の噴出孔が形成されており、各噴出孔から前記半導体ウエハの裏面中心向きに気体を供給する環状部材から構成されており、
前記貼付けローラの転動に追従して進路後方から前方に向けて噴出孔からの気体の供給を順番に停止してゆく制御部を備えることが好ましい。
In the semiconductor wafer mounting apparatus having the above-described configurations, the gas supply unit has a plurality of ejection holes formed at predetermined intervals, and supplies gas from the ejection holes toward the center of the back surface of the semiconductor wafer. An annular member that
It is preferable to provide a control unit that sequentially stops the supply of gas from the ejection holes from the rear to the front following the rolling of the sticking roller.
また、当該制御部は、粘着テープの貼付け終端位置に前記貼付けローラが近づくにつれて、気体の流量を減少させることがさらに好ましい。 Moreover, it is further preferable that the control unit decreases the gas flow rate as the application roller approaches the application end position of the adhesive tape.
この構成によれば、半導体ウエハの外周部分あるいはテープ貼付け終了端側で粘着テープに生じがちな振動を確実に抑えることができる。したがって、貼付けローラの進路前方で先だって粘着テープが半導体ウエハの裏面に貼り付くことがない。 According to this configuration, it is possible to reliably suppress vibration that tends to occur in the adhesive tape at the outer peripheral portion of the semiconductor wafer or at the tape application end side. Therefore, the adhesive tape does not stick to the back surface of the semiconductor wafer ahead of the path of the sticking roller.
なお、上記各構成を有する半導体ウエハのマウント装置において、粘着テープを加熱するヒータをウエハ保持部に備えることが好まし。 In the semiconductor wafer mounting apparatus having the above-described configurations, it is preferable that a heater for heating the adhesive tape is provided in the wafer holding unit.
この構成によれば、ヒータにより加熱される半導体ウエハを通じて粘着テープの粘着剤を加熱させる。したがって、当該加熱により軟化した粘着テープを半導体ウエハの裏面に確実に貼り付けることができる。 According to this configuration, the adhesive of the adhesive tape is heated through the semiconductor wafer heated by the heater. Therefore, the adhesive tape softened by the heating can be securely attached to the back surface of the semiconductor wafer.
本発明の半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置によれば、支持用の粘着テープに皺を発生させることなく半導体ウエハの裏面に密着させることができる。 According to the semiconductor wafer mounting method and the semiconductor wafer mounting apparatus of the present invention, the supporting adhesive tape can be closely attached to the back surface of the semiconductor wafer without generating wrinkles.
以下、図面を参照して本発明の一実施例説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、この発明の一実施例に係り、半導体ウエハのマウント装置の全体構成を示した部分破断斜視図である。 FIG. 1 is a partially broken perspective view showing an overall configuration of a semiconductor wafer mounting apparatus according to an embodiment of the present invention.
この半導体ウエハのマウント装置1は、ウエハ供給部2、ウエハ搬送機構3、アライメントステージ4、紫外線照射ユニット5、リングフレーム供給部6、リングフレーム搬送機構7、マウントフレーム作製部8、第1マウントフレーム搬送機構9、保護テープ剥離装置10、第2マウントフレーム搬送機構11、ターンテーブル12およびマウントフレーム回収部13から構成されている。以下、各構成について詳述する。
The semiconductor
ウエハ供給部2は、カセット台が備えられている。このカセット台は、保護テープPTがパターン面(以下、適宜に「表面」という)に貼り付けられたバックグラインド処理後の半導体ウエハW(以下、単に(ウエハW)という)を多段に収納したカセットCが載置される。このとき、ウエハWは、回路パターン面を上向きにした水平姿勢を保っている。
The
ウエハ搬送機構3は、ロボットアーム14と押圧機構15を備えている。また、ウエハ搬送機構3は、駆動機構によって旋回および昇降するように構成されている。つまり、後述するロボットアーム14の先端のウエハ保持部や、押圧機構15に備わった押圧プレート16の位置調整を行う。また、ウエハ搬送機構3は、ウエハWをカセットCからアライメントステージ4に搬送するようになっている。
The
ロボットアーム14は、その先端に図示しない馬蹄形をしたウエハ保持部を備えている。また、ロボットアーム14は、カセットCに多段に収納されたウエハW同士の間隙をウエハ保持部が進退可能に構成されている。なお、ロボットアーム14の先端のウエハ保持部には吸着孔が設けられており、ウエハWを裏面から真空吸着して保持するようになっている。
The
押圧機構15は、その先端にウエハWと略同形状をした円形の押圧プレート16を備えている。この押圧プレート16が、アライメントステージ4に載置されたウエハWの上方に移動するように、アーム部分が進退可能に構成されている。なお、押圧プレート16の形状は、円形に限定されるものではなく、ウエハWに発生している反りを矯正できる形状であればよい。例えば、ウエハWの反り部分に棒状物などの先端を押圧するようにしてもよい。
The
また、押圧機構15は、後述するアライメントステージ4の保持テーブルにウエハWが載置されたとき、吸着不良が発生した場合に作動するようになっている。具体的には、ウエハWに反りが発生してウエハWを吸着保持できないとき、押圧プレート16がウエハWの表面を押圧し、反りを矯正して平面状態にする。この状態で保持テーブルがウエハWを裏面から真空吸着するようになっている。
The
アライメントステージ4は、ロボットアーム14によって搬送されるウエハWを保持する吸着パッドを備えている。この吸着パッドは、載置面から出退する。また、アライメントステージ4は、載置されたウエハWをその周縁に備えられたオリエンテーションフラットやノッチなどに基づいて位置合わせを行うとともに、ウエハWの裏面全体を覆って真空吸着する保持テーブルを備えている。
The alignment stage 4 includes a suction pad that holds the wafer W transferred by the
また、アライメントステージ4は、ウエハWを真空吸着したときの圧力値を検出し、当該実測値と正常動作時(ウエハWが保持テーブルに正常に吸着されたとき)の圧力値に関連して予め定められた基準値を比較する。圧力値が基準値よりも高い(すなわち、吸気管内の圧力が十分に低下していない)場合は、ウエハWに反りがあって保持テーブルに吸着されていないものと判断する。そして、押圧プレート16を作動させてウエハWを押圧し、反りを矯正することによって、ウエハWが保持テーブルに吸着されるようになっている。
The alignment stage 4 detects a pressure value when the wafer W is vacuum-sucked, and relates in advance to the actually measured value and the pressure value during normal operation (when the wafer W is normally sucked by the holding table). Compare the established reference values. If the pressure value is higher than the reference value (that is, the pressure in the intake pipe is not sufficiently reduced), it is determined that the wafer W is warped and not attracted to the holding table. Then, the wafer W is attracted to the holding table by operating the
アライメントステージ4は、ウエハWを載置して位置合わせを行う初期位置と、後述するマウントフレーム作成部8に備わったチャックテーブル20の下方の位置とにわたってウエハWを吸着保持した状態で搬送移動できるように構成されている。つまり、アライメントステージ4は、ウエハWの反りを矯正して平面状態に保持したまま次の工程まで搬送する。
The alignment stage 4 can move and move in a state where the wafer W is sucked and held over an initial position where the wafer W is placed and aligned, and a position below the chuck table 20 provided in the mount
紫外線照射ユニット5は、初期位置にあるアライメントステージ4の上方に配備されている。紫外線照射ユニット5は、ウエハWの表面に貼付けられた紫外線硬化型の粘着テープである保護テープPTに向けて紫外線を照射する。つまり、紫外線の照射によって保護テープPTの接着層を硬化させて接着力を低下させる。
The
リングフレーム供給部6は、底部に滑車が設けられたワゴン状のものであって、装置本体内に装填される。また、その上部が開口して内部に多段に収納されているリングフレームfをスライド上昇させて送り出すようになっている。
The ring
リングフレーム搬送機構7は、リングフレーム供給部6に収納されているリングフレームfを上側から1枚ずつ順番に真空吸着し、図示しないアライメントステージと、粘着テープDTを貼付ける位置とにリングフレームfを順番に搬送する。
The ring frame transport mechanism 7 vacuum-sucks the ring frames f housed in the ring
マウントフレーム作成部8は、粘着テープDTをリングフレームfおよびウエハWの裏面から貼り付けてマウントフレームMFを作成する。このマウントフレーム作成部8は、チャックテーブル20、テープ供給部21、引張機構22、貼付けユニット23、切断機構24、剥離ユニット25およびテープ回収部26から構成されている。
The mount
チャックテーブル20は、図2に示すように、ウエハ保持部27、フレーム保持部28および気体供給部29から構成されている。また、チャックテーブル20は、粘着テープDTの貼付け位置と上方の待機位置とにわたって昇降可能にする昇降駆動機構30に備えてられている。
As shown in FIG. 2, the chuck table 20 includes a
ウエハ保持部27は、図3に示すように、保護テープPTの添設されたウエハWの表面を覆って真空吸着できるようにウエハWと略同一形状の円形をしている。
As shown in FIG. 3, the
フレーム保持部28は、リングフレームfの内縁に合わせて中央を円形に切り抜かれた吸着プレートによって構成されている。また、フレーム保持部28は、中央の切り抜き周りに沿って複数個の吸着パッドが裏面側に設けられている。つまり、フレーム保持部28は、リングフレームfを吸着保持する。
The
なお、ウエハ保持部27およびフレーム保持部28は、電磁バルブを備えた流路を通じて外部の真空源と連通接続されている。
The
気体供給部29は、ウエハ保持部27の外周に付設させた環状部材から構成されている。この環状部材の裏面に気体を噴出する複数個の噴出孔31が所定間隔をおいて形成されている。この噴出孔31は、図2に示すように、環状部材の内部からウエハ保持部27の中心向きに傾斜している。つまり、ウエハ保持部27がウエハWを吸着保持したとき、図9に示すように、ウエハWの中心寄りに気体を供給する。
The
また、気体供給部29は、例えば、貼付けローラ41の進行方向に沿ってA−Cの3つのエリアに分割されており、エリアA−Cごとに気体の供給と停止が可能になっている。さらに、気体供給部29は、図2に示すように、加圧ポンプ32に連通接続する1本の流路を各エリアに向けて分岐接続し、これら各流路33a−33cに電磁バルブ34a−34cを備えている。各電磁バルブ34a−34cの開閉動作を制御部55によってコントロールする。なお、本実施例では、気体にエアーを利用しているが、他の気体であってもよい。
Moreover, the
昇降駆動機構30は、モータなどによって縦壁36に配置されたレール37に沿って昇降可能な可動台38、この可動台38に高さ調節可能に支持された可動枠39、この可動枠39から前方に向けて延出されたアーム40を備えている。このアーム40の先端部にチャックテーブル20が装着されている。
The elevating
テープ供給部21は、チャックテーブル20に吸着保持されたウエハWとリングフレームfの裏面側に向けて粘着テープDTを供給する。
The
引張機構22は、図4および図5に示すように、粘着テープDTを幅方向の両端から挟み込んで、テープ幅方向にテンションをかける。つまり、柔らかい粘着テープDTを用いると、テープ供給方向に加わるテンションによって、その供給方向に沿って粘着テープDTの表面に縦皺が発生してしまう。この縦皺を回避してリングフレームfに粘着テープDTを均一に貼付けるために、テープ幅方向側からテンションをかける。なお、粘着テープDTの長手方向には、貼付け位置を挟んで上流側と下流側に配備したローラによって適度のテンションをかけている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the pulling
貼付けユニット23は、図1に示すように、粘着テープDTの上方に保持されたリングフレームfの斜め下方(図1では左斜め下)の待機位置に配備されている。この貼付けユニット23には、周面が弾性変形可能な弾性体で被覆された貼付けローラ41が設けられている。なお、貼付けユニット23は、本発明の貼付け機構に相当する。
As shown in FIG. 1, the affixing
切断機構24は、カッタ24aの刃先を上向きにしたカッタホルダに装着されている。この切断機構24は、リングフレームfが載置された粘着テープDTの下方に配備されている。粘着テープDTが貼付けユニット23によってリングフレームfに貼り付けられると、引張機構22による粘着テープDTの保持が開放され、この切断機構24が上昇する。上昇した切断機構24は、リングフレームfに沿って粘着テープDTを円形に切断する。
The
剥離ユニット25は、切断機構24によって裁断された粘着テープDTの不要な部分をリングフレームfから剥離する。具体的には、リングフレームfへの粘着テープDTの貼り付けおよび裁断が終了すると、引張機構22による粘着テープDTの保持が開放される。次いで、剥離ユニット25が、リングフレームf上をテープ供給部21側に向かって移動し、裁断後の不要な支持用の粘着テープDTを剥離する。
The peeling
テープ回収部26は、剥離ユニット25によって剥離された不要な粘着テープDTをボビンに巻き取り回収する。
The
第1マウントフレーム搬送機構9は、リングフレームfとウエハWとが一体形成されたマウントフレームMFを真空吸着して保護テープ剥離装置10の剥離テーブル45に移載する。
The first mount
保護テープ剥離装置10は、図6に示すように、剥離テーブル45、テープ供給部46、剥離ユニット47およびテープ回収部48から構成されている。
As shown in FIG. 6, the protective
剥離テーブル45は、マウントフレームMFを裏面側から真空吸着するよう構成されており、前後水平に配備された左右一対のレール49に沿って前後にスライド可能に支持された可動台に支持されている。そして、可動台は、パルスモータ50で正逆駆動されるネジ軸51によってネジ送り駆動されるようになっている。
The peeling table 45 is configured to vacuum-suck the mount frame MF from the back surface side, and is supported by a movable base supported so as to be slidable back and forth along a pair of left and
テープ供給部46は、原反ロールから導出した剥離テープTsを剥離ユニット47の下端部に案内供給する。
The
剥離ユニット47は、基台に設けられた縦レールを介して昇降可能な昇降台に装着されている。この剥離ユニット47の下端部に剥離バー60が装着されている。
The peeling
テープ回収部48は、剥離ユニット47から送り出された剥離テープTsを巻取り回収する。
The
図1に戻り、第2マウントフレーム搬送機構11は、保護テープ剥離装置10から払い出されたマウントフレームMFを真空吸着してターンテーブル12に移載する。
Returning to FIG. 1, the second mount
ターンテーブル12は、マウントフレームMFの位置合わせおよびマウントフレーム回収部13へのマウントフレームMFの収納を行うように構成されている。つまり、第2マウントフレーム搬送機構11によってターンテーブル12上にマウントフレームMFが載置されると、ウエハWのオリエンテーションフラットや、リングフレームfの位置決め形状などに基づいて位置合わせを行う。またマウントフレーム回収部13へのマウントフレームMFの収納方向を変更するために、ターンテーブル12は旋回するようになっている。さらに、ターンテーブル12は、収納方向が定まるとマウントフレームMFを図示しないプッシャーによって押出してマウントフレーム回収部13にマウントフレームMFを収納する。
The turntable 12 is configured to align the mount frame MF and store the mount frame MF in the mount
マウントフレーム回収部13は、図示しない昇降可能な載置テーブルに載置されている。つまり、載置テーブルが昇降移動することによって、プッシャーによって押出されたマウントフレームMFをマウントフレーム回収部13の任意の段に収納できるようになっている。
The mount
次に、上述の実施例装置について一巡の動作を図7から14に基づいて説明する。 Next, a one-round operation of the above-described embodiment apparatus will be described with reference to FIGS.
ロボットアーム14のウエハ保持部がカセットCの隙間に挿入される。ウエハWは下方から吸着保持されて1枚ずつ取り出される。取り出されたウエハWは、アライメントステージ4に搬送される。
The wafer holding part of the
ロボットアーム14によってウエハWが保持テーブルに載置され、裏面から吸着保持される。このとき、図示しない圧力計によってウエハWの吸着レベルが検出され、この実測時と正常動作時の圧力値に関連して予め定められた基準値とが比較される。
The wafer W is placed on the holding table by the
吸着異常が検知された場合は、押圧プレート16によりウエハWが表面から押圧され、反りの矯正された平面状態でウエハWが吸着保持される。また、ウエハWは、オリエンテーションフラットやノッチに基づいて位置合わせが行なわれる。
When a suction abnormality is detected, the wafer W is pressed from the surface by the
アライメントステージ4上で位置合わせが終了すると、紫外線照射ユニット5によってウエハWの表面に紫外線が照射される。
When the alignment on the alignment stage 4 is completed, the
ウエハWは、紫外線の照射処理が施されると、保持テーブルに吸着保持されたままアライメントステージ4ごとマウントフレーム作製部8へと搬送される。つまり、アライメントステージ4は、チャックテーブル20の下方に移動する。
When the irradiation process of ultraviolet rays is performed, the wafer W is transferred to the mount
ウエハ供給部2からチャックテーブル20にウエハWを搬送している間に、リングフレームfがチャックテープ20の下方に搬送される。リングフレーム供給部6に多段に収納されたリングフレームfは、リングフレーム搬送機構7によって上方から1枚ずつ真空吸着されて取り出される。取り出されたリングフレームfは、図示しないアライメントステージで位置合わせが行われたのち、粘着テープDTの上方の粘着テープ貼付け位置に搬送される。
While the wafer W is being transferred from the
リングフレームfがリングフレーム搬送機構7によって粘着テープDTの貼付け位置に搬送されると、チャックテーブル20が下降し、フレーム保持部28によってリングフレームfを吸着保持する。
When the ring frame f is transported to the position where the adhesive tape DT is applied by the ring frame transport mechanism 7, the chuck table 20 is lowered and the ring frame f is sucked and held by the
同様に、アライメントステージ4がテープ貼付位置の上方の所定の位置で待機すると、上方に位置するチャックテーブル20が降下し、ウエハ保持部27の底面がウエハWに当接して真空吸着を開始する。ウエハ保持部27の真空吸着が開始すると、アライメントステージ4の保持テーブル側の吸着保持が開放され、ウエハWはチャックテーブル20に反りを矯正して平面保持した状態のまま受け取られる。ウエハWを受け渡したアライメントステージ4は初期位置へと戻る。
Similarly, when the alignment stage 4 stands by at a predetermined position above the tape application position, the chuck table 20 positioned above is lowered, the bottom surface of the
なお、リングフレームfとウエハWをチャックテーブル20によって吸着保持する順番は、適宜に変更することができる。 Note that the order in which the ring frame f and the wafer W are sucked and held by the chuck table 20 can be appropriately changed.
チャックテーブル20が、リングフレームfとウエハWを吸着保持したとき、図7に示すように、リングフレームfとウエハWの裏面の高さが同じ、あるいはウエハ裏面が僅かに高くになるよう調整されている。 When the chuck table 20 sucks and holds the ring frame f and the wafer W, the back surface of the ring frame f and the wafer W is adjusted to be the same or slightly higher as shown in FIG. ing.
次に、貼付けローラ41が貼付け開始位置に移動するとともに、引張機構22が粘着テープDTの幅方向の両端を把持し、テープ幅方向に移動して粘着テープDTにテンションをかける。
Next, the sticking
貼付けローラ41は上昇し、図8に示すように、粘着テープDTをリングフレームfの端部に押圧して貼り付ける。その後、貼付けローラ41は待機位置であるテープ供給部46側に向かって転動すし、リングフレームfとウエハWの両裏面に粘着テープDTを貼付けてゆく。
As shown in FIG. 8, the affixing
このとき、例えば、ロータリーエンコーダなどのセンサによって貼付けローラ41の位置を検出し、制御部55に検出信号を送信する。制御部55は、検出信号から算出される距離データに基づき、予め決めたリングフレームfとウエハWのマッピングデータから貼付けロータ41の位置を逐次に求める。貼付けローラ41の位置を検出せずに、貼付けローラ41の移動速度と時間から移動距離を算出して求めてよい。
At this time, for example, the position of the
貼付けローラ41の長手方向の中心がリングフレームfを超えるとき、制御部55は、
気体供給部29を作動するとともに、電磁バルブ34a−34cを開く。気体供給部29は、リングフレームfの内縁とウエハWの外縁の間から気体の供給を開始する。
When the longitudinal center of the sticking
While operating the
気体は、図9の矢印で示すように、ウエハWの中心に向かってウエハWと粘着テープDTの間を流通する。つまり、気体は、図11に示すように、貼付けロータ41の前方でウエハWに未接着の粘着テープDTを下方に押し下げ、ウエハWと粘着テープDTの距離を一定に保たせる。
The gas flows between the wafer W and the adhesive tape DT toward the center of the wafer W as indicated by arrows in FIG. That is, as shown in FIG. 11, the gas pushes down the adhesive tape DT not adhered to the wafer W in front of the
制御部55は、貼付けローラ41の位置をセンサで逐次にモニタしながら各エリアA−Cを貼付けローラ41が通過するのを確認し、エリアA−Cを通過するごとに、電磁バルブ34a−34cを順番に閉じて、図10に示すように、気体の供給を停止してゆく。
The
貼付けローラ41が貼付け位置の終端に到達すると、引張機構22による粘着テープDTの保持が開放される。
When the sticking
図12に示す下方の切断機構24が図13に示すように上昇し、リングフレームfに沿って粘着テープDTを円形に裁断する。このとき、カッタ24aの移動に追従して貼付けローラ41が転動し、粘着テープDTの切断部位を押圧して貼り付ける。粘着テープDTの切断が終了すると、剥離ユニット25がテープ供給部21側に向かって移動し、不要な粘着テープDTを剥離する。
The
次に、テープ供給部21が作動して粘着テープDTを繰り出すとともに、裁断された不要部分のテープは、テープ回収部25へと送り出される。このとき、貼付けローラ41は、貼付け開始位置に移動する。
Next, the
ウエハWとリングフレームfに粘着テープDTが貼り付けられて作成されたマウントフレームMFは、チャックテーブル20から第1マウントフレーム搬送機構9に受け渡される。
The mount frame MF created by attaching the adhesive tape DT to the wafer W and the ring frame f is delivered from the chuck table 20 to the first mount
第1マウントフレーム搬送機構9は,保護テープ剥離装置10の剥離テーブル45にマウントフレームMFを載置する。
The first mount
マウントフレームMFを保持した剥離テーブル45は、待機位置から剥離テープTsの貼付け開始位置へと移動する。図14に示すように、剥離バー60をウエハWの貼付け開始端に向けて下降させる。このとき、剥離バー60に巻き掛けられている剥離テープTsがウエハW上の保護テープPTに押圧されて貼り付けられる。
The peeling table 45 holding the mount frame MF moves from the standby position to the sticking start position of the peeling tape Ts. As shown in FIG. 14, the peeling
剥離テーブル45が、所定の距離だけ前進移動する。このとき、テープ幅剥離終了端まで保護テープPTに剥離テープTsが貼り付けられる。同時に、剥離バー60により剥離テープTsを折り返しながら保護テープPTを一体にしてウエハWの表面から剥離してゆく。
The peeling table 45 moves forward by a predetermined distance. At this time, the release tape Ts is affixed to the protective tape PT until the tape width peeling end. At the same time, the protective tape PT is integrally peeled off from the surface of the wafer W while the peeling tape Ts is folded back by the peeling
保護テープPTと一体になった剥離テープTsは、剥離テーブル45の移動速度と同調した速度でテープ回収部48の巻取軸によって巻き取られてゆく。
The peeling tape Ts integrated with the protective tape PT is wound up by the winding shaft of the
保護テープPTが完全にウエハWの表面から剥離されると、剥離ユニット47は初期状態に復帰して次の処理に備えられる。
When the protective tape PT is completely peeled from the surface of the wafer W, the peeling
保護テープPTの剥離処理が終了したマウントフレームMFは、剥離テーブル45によって第2マウントフレーム搬送機構11の待機位置まで移動する。
The mount frame MF that has been subjected to the peeling process of the protective tape PT is moved to the standby position of the second mount
保護テープ剥離装置10から払い出されたマウントフレームMFは、第2マウントフレーム搬送機構11によってターンテーブル12に移載される。移載されたマウントフレームMFは、オリエンテーションフラットやノッチなどによって位置合わせが行なわれるとともに、収納方向の調節が行なわれる。位置合わせおよび収納方向が定まるとマウントフレームMFは、プッシャーによって押出されてマウントフレーム回収部13に収納される。
The mount frame MF paid out from the protective
以上で実施例装置の一巡の動作が完了し、以後、所定枚数に達するまで同じ動作が繰り返される。 This completes one round of the operation of the embodiment device, and thereafter, the same operation is repeated until the predetermined number is reached.
上記実施例装置によれば、粘着テープDTをウエハWの裏面に貼り付けるとき、リングフレームfの内縁とウエハWの外縁の間から気体供給部29によってウエハWと粘着テープDTの間に気体を流通させる。このとき、気体の風圧によって粘着テープDTは下方に押し下げられる。したがって、貼付けローラ41の前方でウエハWの裏面に接着していない粘着テープDTは、ウエハWからの距離が一転に保たれる。換言すれば、貼付けローラ41が通過する前に、ウエハWに未接着の粘着テープDTが波打ってウエハWの裏面に不要に接着し、皺を発生させることがない。
According to the above-described embodiment apparatus, when the adhesive tape DT is attached to the back surface of the wafer W, gas is supplied between the wafer W and the adhesive tape DT by the
なお、本発明は以下のような形態で実施することもできる。 In addition, this invention can also be implemented with the following forms.
(1)リングフレームfに粘着テープDTを貼り付けた後に、ウエハWの裏面に粘着テープDTを貼り付けてもよい。すなわち、帯状の粘着テープDTを先にリングフレームfに貼り付けて切断してもよいし、円形のプリカットテープを先にリングフレームfに貼り付けてもよい。 (1) The adhesive tape DT may be attached to the back surface of the wafer W after the adhesive tape DT is attached to the ring frame f. That is, the belt-shaped adhesive tape DT may be first attached to the ring frame f and cut, or a circular pre-cut tape may be attached to the ring frame f first.
例えば、チャックテーブル20を構成するウエハ保持部27とフレーム保持部28を独立の駆動機構によって昇降可能に構成する。以下、リングフレームfに粘着テープDTが予め貼り付けられている当該粘着テープDTをウエハWの裏面に貼り付ける一巡の動作について説明する。
For example, the
図15に示すように、フレーム保持部28に吸着保持された粘着テープDTの貼り付けられたリングフレームfの中央にウエハWを吸着保持しているウエハ保持部27を移動させる。
As shown in FIG. 15, the
図16に示すように、粘着テープDTにウエハWを近接対向させた状態で、弾性体で被覆されている貼付けローラ41を上昇させて貼付け開始端側のリングフレームfに適度の押圧で接触させる。そのままの状態で、図17に示すように、貼付けローラ41を転動させて粘着テープDTをウエハWの裏面に押圧して貼り付けてゆく。
As shown in FIG. 16, with the wafer W in close proximity to the adhesive tape DT, the affixing
上記実施例と同様に、粘着テープDTの貼付け過程において、気体供給部29の分割されたエリアを貼付けローラ41が通過するごとに、気体の供給を停止させる。
As in the above embodiment, in the process of applying the adhesive tape DT, the supply of gas is stopped every time the
当該構成によれば、リリングフレームfに予め粘着テープが貼り付けられた状態であっても、ウエハWの裏面に粘着テープDTを貼り付けるとき、ウエハWの裏面と粘着テープDTとの間に気体が流通する。したがって貼付けローラ41の前方で未接着の粘着テープDTをウエハWの裏面から一定の距離に保たせることができるので、貼付けローラ41の通過前に粘着テープDTが波打ってウエハ裏面に先だって接着するのを回避することができる。
According to this configuration, even when the adhesive tape is attached to the rolling frame f in advance, when the adhesive tape DT is attached to the back surface of the wafer W, a gas is formed between the back surface of the wafer W and the adhesive tape DT. Circulate. Accordingly, the adhesive tape DT that has not been adhered can be kept at a certain distance from the back surface of the wafer W in front of the affixing
(2)上記実施例では、気体供給部29の分割されたエリアA−Cに供給する気体の流量を一定に設定してが、流量を適宜に変更してもよい。例えば、図18に示すように、貼付けローラ41が、エリアBを通過した時点で流量を徐々に減少させる。
(2) In the above embodiment, the flow rate of the gas supplied to the divided areas A-C of the
同じ流量で気体を供給し続けるとウエハWの裏面への未接着部分の粘着テープDTの距離が短くなるにつれて、ウエハWの終端側に位置する粘着テープDTの部分で振動が起こり易くなる。しかしながら、このように気体の流量を調整することにより、粘着テープDTが振動するのを抑えることができる。 If the gas is continuously supplied at the same flow rate, vibration is likely to occur in the portion of the adhesive tape DT located on the terminal side of the wafer W as the distance of the adhesive tape DT in the non-adhered portion to the back surface of the wafer W becomes shorter. However, it is possible to suppress the vibration of the adhesive tape DT by adjusting the gas flow rate in this way.
(3)上記各実施例装置において、貼付けローラ41の前方で粘着テープDTを下方から吸引してもよい。この場合、粘着テープDTを補助的に吸引させるので、気体供給部29から供給される気体によって粘着テープDTに作用する風圧と同じ程度の吸引力またはそれ以下に設定するのが好ましい。
(3) In each of the above embodiments, the adhesive tape DT may be sucked from below in front of the sticking
なお、粘着テープDTの吸引は、例えば、図19および図20に示すように、貼付けローラ41の前方に当該貼付けローラ41と同じ長さの吸引ノズル70を装着することにより実現することができる。
The suction of the adhesive tape DT can be realized, for example, by mounting a
(4)上記各実施例装置において、気体供給部29からの気体供給エリアを3つのエリアA−Cに分割していが、当該形態に限定されるものでなく、3以下または3以上にエリアに分割してもよい。
(4) In each of the above-described embodiments, the gas supply area from the
(5)上記各実施例装置では、ウエハ保持部27にヒータを埋設した構成であってもよい。この構成によれば、粘着テープDTの粘着剤がヒータによって加熱されて軟化する。したがって、粘着テープDTをウエハWの裏面に密着さえやすくなる。
(5) In each of the embodiments described above, a configuration in which a heater is embedded in the
(6)上記各実施例装置では、気体供給部29の供給エリアを分割して気体の供給パターンを設定していたが、エリアを分割せずにウエアWの裏面への粘着テープDTの亜貼り付けが完了するまで気体を供給し続けてもよい。
(6) In each of the above embodiments, the supply area of the
2 … ウエハ供給部
4 … アライメントステージ
6 … リングフレーム供給部
7 … リングフレーム搬送機構
8 … マウントフレーム作製部
20 … チャックテーブル
21 … テープ供給部
22 … 引張機構
23 … 貼付けユニット
24 … 切断機構
25 … 剥離ユニット
26 … テープ回収部
27 … ウエハ保持部
28 … フレーム保持部
29 … 気体供給部
41 … 貼付けローラ
55 … 制御部
f … リングフレーム
T … 粘着テープ
W … 半導体ウエハ
MF … マウントフレーム
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記リングフレームの内縁と前記半導体ウエハの外縁の間のスペースから気体供給部によって気体を供給し、当該半導体ウエハの裏面と前記粘着テープの間に気体を流通させる気体供給過程と、
前記気体によって半導体ウエハの裏面から離間されている前記粘着テープに貼付けローラを転動させて半導体ウエハの裏面に当該粘着テープを貼り付ける貼付け過程と
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 A semiconductor wafer mounting method for holding a semiconductor wafer on a ring frame via an adhesive tape for support,
A gas supply step of supplying gas by a gas supply unit from a space between an inner edge of the ring frame and an outer edge of the semiconductor wafer, and circulating the gas between the back surface of the semiconductor wafer and the adhesive tape;
A method of mounting a semiconductor wafer, comprising: a sticking step of rolling a sticking roller on the adhesive tape separated from the back surface of the semiconductor wafer by the gas, and sticking the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer. .
前記気体供給部は、環状部材に所定間隔をおいて複数個の噴出孔が形成されており、各噴出孔から前記半導体ウエハの裏面中心に向けて気体を供給する
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 In the mounting method of the semiconductor wafer of Claim 1,
The gas supply unit has a plurality of ejection holes formed at predetermined intervals in the annular member, and supplies gas from each ejection hole toward the center of the back surface of the semiconductor wafer. Mounting method.
前記貼付けローラの転動に追従して進路後方から前方に向けて噴出孔からの気体の供給を順番に停止してゆく
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 The semiconductor wafer mounting method according to claim 2,
A method for mounting a semiconductor wafer, wherein the supply of gas from the ejection holes is stopped in order from the rear to the front following the rolling of the affixing roller.
前記粘着テープの貼付け終端位置に前記貼付けローラが近づくにつれて、気体の流量を減少させてゆく
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 The method for mounting a semiconductor wafer according to claim 3,
The method for mounting a semiconductor wafer, wherein the gas flow rate is decreased as the application roller approaches the application end position of the adhesive tape.
前記粘着テープは帯状であって、貼付け過程では前記リングフレームと前記半導体ウエハに同時に当該粘着テープを貼り付ける
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 In the mounting method of the semiconductor wafer in any one of Claims 1 thru | or 4,
The method for mounting a semiconductor wafer, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is band-shaped, and the pressure-sensitive adhesive tape is simultaneously bonded to the ring frame and the semiconductor wafer in a bonding process.
前記粘着テープは、前記リングフレームに予め貼り付けられている
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 In the mounting method of the semiconductor wafer in any one of Claims 1 thru | or 4,
The method for mounting a semiconductor wafer, wherein the adhesive tape is attached in advance to the ring frame.
前記リングフレームを保持するフレーム保持部と、
前記半導体ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記リングフレームと前記半導体ウエハの裏面に向けて帯状の前記粘着テープを供給するテープ供給部と、
前記フレーム保持部により保持されたリングフレームと前記ウエハ保持部により保持された半導体ウエハの間から当該半導体ウエハの裏面側に気体を供給する気体供給部と、
前記気体によって半導体ウエハの裏面から離間されている前記粘着テープに貼付けローラを転動させてリングフレームと半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼り付ける貼付け機構と、
前記リングフレーム上で切断部材を移動させて粘着テープを切断する切断機構と、
切り抜かれた前記粘着テープを回収するテープ回収部と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 A semiconductor wafer mounting device for holding a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
A frame holding unit for holding the ring frame;
A wafer holder for holding the semiconductor wafer;
A tape supply unit that supplies the ring-shaped adhesive tape toward the ring frame and the back surface of the semiconductor wafer;
A gas supply unit for supplying gas to the back side of the semiconductor wafer from between the ring frame held by the frame holding unit and the semiconductor wafer held by the wafer holding unit;
An affixing mechanism for affixing the adhesive tape to the ring frame and the back surface of the semiconductor wafer by rolling an affixing roller to the adhesive tape separated from the back surface of the semiconductor wafer by the gas;
A cutting mechanism for moving the cutting member on the ring frame to cut the adhesive tape;
A tape recovery unit for recovering the cut-out adhesive tape;
A semiconductor wafer mounting apparatus comprising:
前記リングフレームを挟んで上流側と下流から前記粘着テープにテンションを付与するローラと、
前記リングフレームを挟んで粘着テープを幅方向からテンションを付与する引張機構と、
を備えたことを特徴とする粘着テープ貼付け装置。 The semiconductor wafer mounting apparatus according to claim 7,
A roller that applies tension to the adhesive tape from upstream and downstream across the ring frame;
A tension mechanism that applies tension from the width direction of the adhesive tape across the ring frame;
An adhesive tape affixing device characterized by comprising:
円形の前記粘着テープが予め貼り付けられている前記リングフレームを保持するフレーム保持部と、
前記半導体ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記フレーム保持部と前記ウエハ保持部を相対的に上下移動させる昇降機構と、
前記半導体ウエハと粘着テープを近接対向させた状態で、前記リングフレームの内縁と前記半導体ウエハの外縁の間のスペースから当該半導体ウエハの裏面側に気体を供給する気体供給部と、
前記気体によって前記半導体ウエハの裏面から離間されている前記粘着テープに貼付けローラを転動させて当該半導体ウエハの裏面に当該粘着テープを貼り付ける貼付け機構と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 A semiconductor wafer mounting device for holding a semiconductor wafer on a ring frame via a supporting adhesive tape,
A frame holding part for holding the ring frame to which the circular adhesive tape is attached in advance;
A wafer holder for holding the semiconductor wafer;
An elevating mechanism for moving the frame holding part and the wafer holding part relatively up and down;
With the semiconductor wafer and the adhesive tape in close proximity to each other, a gas supply unit that supplies gas from the space between the inner edge of the ring frame and the outer edge of the semiconductor wafer to the back side of the semiconductor wafer;
An affixing mechanism for affixing the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer by rolling an affixing roller to the adhesive tape that is separated from the back surface of the semiconductor wafer by the gas;
A semiconductor wafer mounting apparatus comprising:
前記気体供給部は、所定間隔をおいて複数個の噴出孔が形成されており、各噴出孔から前記半導体ウエハの裏面中心向きに気体を供給する環状部材から構成されており、
前記貼付けローラの転動に追従して進路後方から前方に向けて噴出孔からの気体の供給を順番に停止してゆく制御部と
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 The semiconductor wafer mounting apparatus according to any one of claims 7 to 9,
The gas supply unit has a plurality of ejection holes formed at predetermined intervals, and is constituted by an annular member that supplies gas from each ejection hole toward the center of the back surface of the semiconductor wafer.
A semiconductor wafer mounting device comprising: a control unit that sequentially stops the supply of gas from the ejection holes from the rear to the front along the rolling of the sticking roller.
前記制御部は、前記粘着テープの貼付け終端位置に前記貼付けローラが近づくにつれて、気体の流量を減少させる
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 The semiconductor wafer mounting apparatus according to claim 10,
The said control part reduces the flow volume of gas as the said sticking roller approaches the sticking termination position of the said adhesive tape. The semiconductor wafer mounting apparatus characterized by the above-mentioned.
前記粘着テープを加熱するヒータを前記ウエハ保持部に備えた
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 The semiconductor wafer mounting apparatus according to any one of claims 7 to 11,
A semiconductor wafer mounting apparatus comprising a heater for heating the adhesive tape in the wafer holder.
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