JP2014019717A - Semiconductor sealing epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体封止用エポキシ樹脂組成物と、これにより封止されている半導体装置に関するものである。 The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device encapsulated thereby.
従来より、半導体封止用エポキシ樹脂組成物として、流動性や硬化性等の観点を考慮した様々な配合成分を含有したものが知られている。例えば、エポキシ樹脂とともに、フェノール樹脂系硬化剤、イミダゾール系硬化触媒、並び無機充填材を含むものが知られている（たとえば特許文献１〜３）。 2. Description of the Related Art Conventionally, as epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation, those containing various compounding components considering viewpoints such as fluidity and curability are known. For example, what contains a phenol resin hardening | curing agent, an imidazole hardening catalyst, and an inorganic filler with an epoxy resin is known (for example, patent documents 1-3).
封止材としての諸特性が改善されてきている半導体封止用エポキシ樹脂組成物ではあるが、従来の場合には、流動性や硬化性等を維持するためには、約０〜５℃程度の低温での保管が必須であるという制約があった。すなわち、従来では、室温で使用を開始した時点からその流動性や硬化性は徐々に低下していく。このため、長期間保管するには冷蔵庫などの設備を必要としていた。 Although it is an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation whose various properties as a sealing material have been improved, in the conventional case, in order to maintain fluidity and curability, about 0 to 5 ° C. There is a restriction that storage at a low temperature is essential. That is, conventionally, the fluidity and curability gradually decrease from the point of use at room temperature. For this reason, equipment such as a refrigerator is required for long-term storage.
そこで、本発明は、従来のように低温での保管を必要とせずに、室温に設置したままでも長期間、良好な流動性や硬化性等の特性を維持し、従来の特性の変化も懸念されることのない半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを課題としている。 Therefore, the present invention does not require storage at a low temperature as in the prior art, and maintains good fluidity and curability characteristics for a long period of time even when installed at room temperature. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor that is not removed.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）、イミダゾール系硬化触媒（Ｃ）並びに無機充填材（Ｄ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）は、その２５〜１００質量％が融点１４０℃以上の結晶性エポキシ樹脂であり、イミダゾール系硬化触媒（Ｃ）は、融点が２３０℃以上のものであることを特徴としている。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is an epoxy resin composition containing an epoxy resin (A), a phenol resin curing agent (B), an imidazole curing catalyst (C) and an inorganic filler (D). The epoxy resin (A) is a crystalline epoxy resin having a melting point of 140 to 100 ° C. in an amount of 25 to 100% by mass, and the imidazole curing catalyst (C) has a melting point of 230 ° C. or more. It is said.
この半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、前記エポキシ樹脂（Ａ）と無機充填材（Ｄ）の各々の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体量に対して、３〜２８質量％及び７０〜９５質量％の範囲内であることが好ましい。 In this epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, the content of each of the epoxy resin (A) and the inorganic filler (D) is 3 to 28% by mass and 70 to 70% with respect to the total amount of the epoxy resin composition. It is preferably within the range of 95% by mass.
また、ＥＭＭＩ−１−６６の規格に準じて１７５℃×７０ｋｇ／ｃｍ2で測定したスパイラルフローが１５０ｃｍ以上であることも好ましい。 It is also preferable that the spiral flow measured at 175 ° C. × 70 kg / cm 2 in accordance with the standard of EMMI-1-66 is 150 cm or more.
そして、本発明は、以上の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止されている半導体装置を提供する。 And this invention provides the semiconductor device sealed with the above epoxy resin composition for semiconductor sealing.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によれば、従来のように低温での保管を必要とせず、室温に放置したままでも長期間、良好な流動性や硬化性等の特性を維持し、従来との特性の変化も懸念されない。 According to the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, it does not require storage at a low temperature as in the prior art, and maintains good fluidity and curability characteristics for a long time even when left at room temperature. Also, there is no concern about changes in characteristics from the conventional one.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物をその組成において構成するエポキシ樹脂（Ａ）としては、一分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば各種のものが考慮されてよい。例えば、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノール型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、ナフタレン型、ブロム含有型等のエポキシ樹脂が挙げられる。ただ、前記エポキシ樹脂（Ａ）においては、その質量の２５〜１００質量％が、融点１４０℃以上の結晶性エポキシ樹脂であることが欠かせない。ここでの融点１４０℃以上の結晶性エポキシ樹脂については、市販品であってもよいし、合成したものであってもよい。例えば、ベンゼン環にかさ高いターシャルブチル基等を結合したエポキシ樹脂等として知られているものを１種または２種以上を用いることができる。 As the epoxy resin (A) constituting the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention in its composition, various types may be considered as long as it has two or more epoxy groups in one molecule. Examples thereof include epoxy resins such as cresol novolac type, phenol novolac type, bisphenol type, biphenyl type, triphenylmethane type, dicyclopentadiene type, naphthalene type, and bromine-containing type. However, in the said epoxy resin (A), it is indispensable that 25-100 mass% of the mass is a crystalline epoxy resin whose melting | fusing point is 140 degreeC or more. The crystalline epoxy resin having a melting point of 140 ° C. or higher may be a commercially available product or a synthesized product. For example, what is known as an epoxy resin etc. which couple | bonded the bulky butyl group etc. with the benzene ring can use 1 type (s) or 2 or more types.
エポキシ樹脂（Ａ）に占めるこのような融点１４０℃以上の結晶性エポキシ樹脂の割合が２５質量％未満では、封止材としてのエポキシ樹脂組成物を室温で使用を開始した時点から流動性や硬化性が低下するため、低温での保管が必要となる。このため、本発明の目的、効果を実現することは難しい。より好ましくは、融点１４０℃以上の結晶性エポキシ樹脂の占める割合は４０質量％以上、さらには５０質量％以上であることが考慮される。 When the ratio of the crystalline epoxy resin having a melting point of 140 ° C. or higher in the epoxy resin (A) is less than 25% by mass, the flowability and curing are started from the time when the epoxy resin composition as the sealing material is used at room temperature. Therefore, storage at a low temperature is required. For this reason, it is difficult to realize the object and effect of the present invention. More preferably, the proportion of the crystalline epoxy resin having a melting point of 140 ° C. or higher is considered to be 40% by mass or more, and further 50% by mass or more.
また、本発明での必須の配合成分としてのフェノール樹脂系硬化材（Ｂ）については、これまでに知られているものをはじめとして各種のものであってよい。例えば、フェノール性水酸基を有する硬化剤として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これは１種単独で用いてよく、２種以上を併用してもよい。 Moreover, about the phenol resin type hardening | curing material (B) as an essential compounding component in this invention, you may be various things including what is known until now. Examples of the curing agent having a phenolic hydroxyl group include phenol novolak resin, cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, biphenyl aralkyl resin, naphthol resin, and naphthol aralkyl resin. These may be used alone or in combination of two or more.
このようなフェノール性水酸基を有する硬化剤の配合量は、好ましくは、フェノール性水酸基とエポキシ基との当量比（水酸基当量／エポキシ基当量）が０．５〜１．５となる量であり、より好ましくは当量比が０．８〜１．２となる量である。当量比が当該範囲外でると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化特性が低下し、あるいは半導体封止材としての特性が低下する場合がある。 The blending amount of such a curing agent having a phenolic hydroxyl group is preferably an amount such that the equivalent ratio of the phenolic hydroxyl group to the epoxy group (hydroxyl group equivalent / epoxy group equivalent) is 0.5 to 1.5, More preferably, the equivalent ratio is 0.8 to 1.2. If the equivalent ratio is outside the range, the curing characteristics of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation may be reduced, or the characteristics as a semiconductor sealing material may be reduced.
また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、イミダゾール系硬化触媒（Ｃ）として融点２３０℃以上のものを配合する。このようなイミダゾール系硬化触媒は、フェニルイミダゾール型、ベンズイミダゾール型、イミダゾリン型等の各種のものであってよい。また、市販品でもよいし、合成したものであってもよい。 Moreover, in the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention, a thing with melting | fusing point of 230 degreeC or more is mix | blended as an imidazole series curing catalyst (C). Such imidazole-based curing catalysts may be various types such as phenyl imidazole type, benzimidazole type, imidazoline type and the like. Moreover, a commercial item may be sufficient and what was synthesize | combined may be sufficient.
無機充填材（Ｄ）については、特に制限なく適宜のものを用いることができるが、その具体例としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。中でも、低粘度化や流動特性などの点からは、無機充填材として平均粒子径が５〜４０μｍの範囲のものを用いることが好ましい。なお、平均粒子径はレーザー回折・散乱法などにより測定することができる。 As the inorganic filler (D), any suitable one can be used without any particular limitation, and specific examples thereof include fused silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Especially, it is preferable to use a thing with the average particle diameter of the range of 5-40 micrometers as an inorganic filler from points, such as viscosity reduction and a flow characteristic. The average particle diameter can be measured by a laser diffraction / scattering method or the like.
以上の配合成分の組成物全体量に対しての配合割合については、まず、エポキシ樹脂（Ａ）は３〜２８質量％が、また無機充填材（Ｄ）は７０〜９５質量％が好ましく考慮される。 Regarding the blending ratio of the above blending components with respect to the total amount of the composition, first, 3 to 28% by weight of the epoxy resin (A) and 70 to 95% by weight of the inorganic filler (D) are preferably considered. The
無機充填材の配合量が過少であると、熱伝導性、熱膨張率などの特性が低下する場合がある。 一方、無機充填材の配合量が過剰であると、成形時の流動性と金型充填性が低下する場合がある。 If the amount of the inorganic filler is too small, characteristics such as thermal conductivity and coefficient of thermal expansion may be deteriorated. On the other hand, if the blending amount of the inorganic filler is excessive, the fluidity at the time of molding and the mold filling property may be lowered.
フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）とイミダゾール系硬化触媒（Ｃ）については、その合計量が、組成物全体量の１〜１０質量％の範囲内とすることが好ましい。過少であると硬化促進作用が不十分となる場合があり、過剰であると硬化特性が低下する場合がある。 About a phenol resin type hardening | curing agent (B) and an imidazole type hardening catalyst (C), it is preferable that the total amount shall be in the range of 1-10 mass% of the composition whole quantity. If it is too small, the curing accelerating action may be insufficient, and if it is excessive, the curing characteristics may be deteriorated.
そして、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、ＥＭＭＩ−１−６６の規格に準じて１７５℃×７０ｋｇ／ｃｍ2で測定したスパイラルフローが１５０ｃｍ以上であることが好ましい。 And in the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention, it is preferable that the spiral flow measured at 175 degreeC x 70 kg / cm < 2 > according to the specification of EMMI-1-66 is 150 cm or more.
また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、上記以外の添加成分を配合することができる。このような添加成分の具体例としては、カルナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、モンタン酸エステル、リン酸エステル等の離型剤、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン等のシランカップリング剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーン可とう剤などが挙げられる。さらには、イオン補足剤として、ハイドロタルサイト系イオン交換体を配合してもよい。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention can be blended with additives other than those described above within a range not impairing the effects of the present invention. Specific examples of such additive components include mold release agents such as carnauba wax, stearic acid, montanic acid, montanic acid ester, and phosphoric acid ester, silane coupling agents such as epoxysilane, mercaptosilane, and aminosilane, and antimony trioxide. And a flame retardant such as carbon black, a colorant such as carbon black, and a silicone flexible agent. Furthermore, a hydrotalcite-based ion exchanger may be blended as an ion scavenger.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、および必要に応じて他の添加成分を配合し、これらの各配合成分をミキサー、ブレンダーなどを用いて十分均一に混合し、次いでニーダーや熱ロールなどを用いて加熱混練し、室温に冷却した後、粉砕することにより製造することができる。なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、取り扱いを容易にするために、成形条件に合うような寸法と質量を有するタブレットとしてもよい。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains the above-mentioned epoxy resin, curing agent, curing accelerator, inorganic filler, and other additive components as necessary, and blends each of these compounding components. It can be manufactured by sufficiently uniformly mixing using a blender and the like, then heat-kneading using a kneader or a hot roll, cooling to room temperature, and then pulverizing. In addition, in order to make handling easy, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention may be a tablet having dimensions and mass that meet molding conditions.
本発明の半導体装置は、上記のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてＩＣチップ、ＬＳＩチップ、ダイオード、トランジスタなどの半導体部品を封止することにより製造することができる。この封止には、トランスファー成形、コンプレッション成形、インジェクション成形などの従来より用いられている成形方法を適用することができる。 The semiconductor device of the present invention can be manufactured by sealing semiconductor components such as an IC chip, an LSI chip, a diode, and a transistor using the epoxy resin composition for semiconductor sealing obtained as described above. . For this sealing, conventionally used molding methods such as transfer molding, compression molding and injection molding can be applied.
トランスファー成形を適用する場合、たとえば、ＩＣチップなどの半導体部品を搭載したリードフレームを成形金型のキャビティに配置した後、キャビティに半導体封止用エポキシ樹脂組成物を充填し、これを加熱下にて硬化させることで、半導体部品を半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止した半導体装置を製造することができる。 When applying transfer molding, for example, after placing a lead frame on which a semiconductor component such as an IC chip is placed in a cavity of a molding die, the cavity is filled with an epoxy resin composition for semiconductor sealing, and this is heated. Thus, a semiconductor device in which the semiconductor component is sealed with the epoxy resin composition for semiconductor sealing can be manufactured.
トランスファー成形を適用する場合、たとえば、金型温度１７０〜１８０、成形時間３０〜１２０秒に設定することができるが、金型温度、成形時間およびその他の成形条件は。半導体封止用エポキシ樹脂組成物の配合組成などに応じて適宜に変更すればよい。 When applying transfer molding, for example, the mold temperature can be set to 170 to 180, and the molding time can be set to 30 to 120 seconds. What is the mold temperature, the molding time, and other molding conditions. What is necessary is just to change suitably according to the compounding composition etc. of the epoxy resin composition for semiconductor sealing.
半導体装置を封止する際には一般に、成形後にたとえば１７０〜１８０℃の温度で４〜１２時間のアフターキュアを行っているが、本発明では成形後にアフターキュアを行わずに半導体装置を製造する。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いることにより、アフターキュアを行わずとも信頼性と成形性に優れた半導体装置を得ることができるので、低コスト化と省エネルギー化を図ることができる。 When sealing a semiconductor device, generally, after molding, for example, after curing is performed at a temperature of 170 to 180 ° C. for 4 to 12 hours. In the present invention, a semiconductor device is manufactured without performing after curing after molding. . By using the epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention, a semiconductor device having excellent reliability and moldability can be obtained without performing after-curing, so that cost reduction and energy saving can be achieved. .
本発明の半導体装置におけるパッケージ形態の具体例としては、リードフレーム上に半導体装置を固定し、ボンディングパッドなどの半導体部品の端子部と、リードフレームのリード部とをワイヤボンディングやパンプで接続した後、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Dual Inline Package)、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip Carrier）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-Lead Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＬＱＦＰ（Lowprofile Quad flat Package）などが挙げられる。その他の具体例としては。半導体封止用エポキシ樹脂組成物で半導体部品を封止したＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）などが挙げられる。 As a specific example of the package form in the semiconductor device of the present invention, after fixing the semiconductor device on the lead frame, the terminal part of the semiconductor component such as a bonding pad and the lead part of the lead frame are connected by wire bonding or bumping. DIP (Dual Inline Package), PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), QFP (Quad Flat Package), SOP (Small Outline Package), which is sealed by transfer molding using an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation SOJ (Small Outline J-Lead Package), TSOP (Thin Small Outline Package), TQFP (Thin Quad Flat Package), LQFP (Low Profile Quad Flat Package), and the like. As other specific examples. Examples thereof include BGA (Ball Grid Array) and CSP (Chip Size Package) in which semiconductor components are sealed with an epoxy resin composition for semiconductor sealing.
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されることはない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples at all.
表１に示す各配合成分を所定の割合（質量部）で配合し、ミキサーとブレンダーを用いて混合して均一化した後、ニーダーと熱ロールを用いて１００〜１４０℃で加熱混練し、冷却後、粉砕機で所定粒度に粉砕し、さらにタブレット状に打錠成形することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。 Each compounding component shown in Table 1 is blended at a predetermined ratio (part by mass), mixed and homogenized using a mixer and a blender, then heated and kneaded at 100 to 140 ° C. using a kneader and a heat roll, and cooled. Then, it grind | pulverized to the predetermined particle size with the grinder, and also obtained the tablet-form tablet-molding epoxy resin composition for semiconductor sealing.
表１に示す配合成分は以下のものとした。 The blending components shown in Table 1 were as follows.
エポキシ樹脂（１）：
日本化薬(株)製 ＮＣ３０００（エポキシ当量２７６、融点６０℃）
エポキシ樹脂（２）：
東都化成（株）製 ＹＤＣ−１３１２（エポキシ当量１７５、融点１４５℃）
エポキシ樹脂（３）：
ジャパンエポキシレジン（株）製 ＹＸ４０００Ｈ（エポキシ当量１９６、融点１０５℃）
フェノールノボラック：
明和化成(株)製 Ｈ−３(エポキシ当量１０５、融点７０℃)
イミダゾール系硬化触媒：
四国化成 ２ＰＨＺ（融点２３０℃）
得られた組成物を以下により評価し、その結果を表２に示した。
＜スパイラルフロー：ＳＦ（ｃｍ）＞
スパイラルフロー測定用金型を用い、１７５℃、１２０秒、７０ｋｇ／ｃｍ2の条件でＥＭＭＩ−１−６６の方法に準じて、スパイラルフロー値を測定した。
＜ゲル化時間：ＧＴ（ｓｅｃ）＞
１７５℃の熱平板上に組成物を約２００〜５００ｍｇ載せ、１．５ｍｍ径のガラス棒で攪拌しながら、樹脂の糸引きが見られなくなるまでの時間をゲル化時間とした。
＜溶融粘度（Ｐａ・ｓ＞
スリット粘度測定金型を用いて、１７５℃における溶融粘度を測定した。
Epoxy resin (1):
NC3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (epoxy equivalent 276, melting point 60 ° C.)
Epoxy resin (2):
YDC-1312 (Epoxy equivalent 175, melting point 145 ° C.) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.
Epoxy resin (3):
YX4000H (epoxy equivalent 196, melting point 105 ° C.) manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.
Phenol novolac:
Meiwa Kasei Co., Ltd. H-3 (epoxy equivalent 105, melting point 70 ° C.)
Imidazole-based curing catalyst:
Shikoku Chemicals 2PHZ (melting point 230 ° C)
The resulting composition was evaluated by the following, and the results are shown in Table 2.
<Spiral flow: SF (cm)>
Using a spiral flow measurement mold, the spiral flow value was measured according to the method of EMMI-1-66 under the conditions of 175 ° C., 120 seconds, and 70 kg / cm 2 .
<Gelification time: GT (sec)>
About 200 to 500 mg of the composition was placed on a hot plate at 175 ° C., and stirring with a 1.5 mm diameter glass rod, the time until no stringing of the resin was observed was defined as the gel time.
<Melting viscosity (Pa · s)
The melt viscosity at 175 ° C. was measured using a slit viscosity measuring mold.
また、以上の評価を、室温（２５℃）一ヶ月保管後についても行った。 Moreover, the above evaluation was performed after room temperature (25 degreeC) one month storage.
表２の結果からは、本発明の実施例の場合には、一ヶ月保管後においても、スパイラルフロー値、ゲル化時間、溶融粘度がいずれも変化がないか、実質的に変化がないと認められる。一方、従来組成物としての比較例では、上記特性はいずれも大きく低下していることがわかる。 From the results of Table 2, in the case of the examples of the present invention, it is recognized that the spiral flow value, the gel time, and the melt viscosity are not changed or substantially unchanged even after storage for one month. It is done. On the other hand, in the comparative example as a conventional composition, it turns out that all the said characteristics are falling significantly.
また、実施例の組成物について以下の信頼性評価（耐湿リフロー評価）を行った。実施例のいずれの組成物についてもその評価は良好であった。
＜耐湿フロー評価＞
チップ８ｍｍ×９ｍｍ×０．３５ｍｍｔ、封止２９ｍｍ×２９ｍｍ×１．７ｍｍｔ、基板厚み０．５０ｍｍ
金型温度 １７５℃、成形圧力 １０ＭＰａ、注入時間 １３ｓ、キュア時間 ９０ｓ 後硬化(１７５℃×４ｈｒ)
ＪＥＤＥＣ ＬＥＶＥＬ３ にてチップ剥離なし。
Moreover, the following reliability evaluation (moisture-resistant reflow evaluation) was performed about the composition of the Example. The evaluation was favorable about any composition of the Example.
<Moisture resistance flow evaluation>
Chip 8mm x 9mm x 0.35mmt, sealing 29mm x 29mm x 1.7mmt, substrate thickness 0.50mm
Mold temperature: 175 ° C., molding pressure: 10 MPa, injection time: 13 s, curing time: 90 s Post-curing (175 ° C. × 4 hr)
No chip peeling with JEDEC LEVEL3.
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|---|---|---|---|---|
| WO2016009893A1 (en) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | 富士フイルム株式会社 | Photosensitive composition, cured-film production method, cured film, liquid crystal display, organic el display, touch panel, and touch panel display |
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