JP2014016182A - Physical quantity sensor and electronic equipment - Google Patents

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Atsunori Naruse
敦紀 成瀬
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a physical quantity sensor which achieves high measurement accuracy.SOLUTION: A physical quantity sensor 100 includes: a substrate 10; a movable part 86 provided on the substrate 10; a movable electrode part 87 which extends from the movable part 86; fixed electrode parts 88, 89 which at least have a portion fixed to the substrate 10 and extend so as to face the movable electrode part 87; and wires 20, 22 which are provided on the substrate 10 and extend in a direction that intersects a direction in which the fixed electrode parts 88, 89 extend. Further, the wires 20, 22 are electrically connected to the fixed electrode parts 88, 89. As seen in planar view, the fixed electrode parts 88, 89 have portions that intersect the wires 20, 22. In these portions, recesses 8a, 8b are provided through which the wires 20, 22 are passed.

Description

本発明は、物理量センサーおよび電子機器に関する。   The present invention relates to a physical quantity sensor and an electronic device.

近年、例えばシリコンMEMS(Micro Electro Mechanical
System)技術を用いて、小型で高感度の物理量センサーを実現する技術が注目されている。
In recent years, for example, silicon MEMS (Micro Electro Mechanical)
A technology that realizes a small and highly sensitive physical quantity sensor by using the (System) technology has attracted attention.

例えば、特許文献1には、MEMS技術を用いて半導体基板を加工することで、物理量に応じて動作する可動電極、および可動電極と間隙を介して対向配置された固定電極を形成し、この可動電極と固定電極との間の静電容量に基づいて、加速度や角速度等の種々の物理量を検出できるようにした物理量センサーが開示されている。   For example, Patent Document 1 forms a movable electrode that operates in accordance with a physical quantity and a fixed electrode that is arranged to face the movable electrode with a gap by processing a semiconductor substrate using MEMS technology. A physical quantity sensor that can detect various physical quantities such as acceleration and angular velocity based on the capacitance between the electrode and the fixed electrode is disclosed.

特開2008−292428号公報JP 2008-292428 A

ここで、特許文献1の物理量センサーでは、固定電極は、一方の端部のみが固定され、大部分が基板から離間している片持ち支持構造となっている。このような物理量センサーでは、固定電極の基板から離間した部分が、自重や静電引力で曲がったり、加速度が印加された場合に変位したりする場合がある。これにより、可動電極と固定電極との間の静電容量が変動してしまい、センサーの測定精度が低下してしまうという問題がある。   Here, in the physical quantity sensor of Patent Document 1, the fixed electrode has a cantilever support structure in which only one end is fixed and most of the fixed electrode is separated from the substrate. In such a physical quantity sensor, a portion of the fixed electrode that is separated from the substrate may be bent by its own weight or electrostatic attraction, or may be displaced when acceleration is applied. As a result, there is a problem that the capacitance between the movable electrode and the fixed electrode fluctuates and the measurement accuracy of the sensor decreases.

本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、高い測定精度を有することができる物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記の物理量センサーを含む電子機器を提供することにある。   An object of some aspects of the present invention is to provide a physical quantity sensor that can have high measurement accuracy. Another object of some embodiments of the present invention is to provide an electronic device including the physical quantity sensor.

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following aspects or application examples.

[適用例1]
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
前記基板上に配置されている可動部と、
前記可動部から延出している可動電極部と、
前記基板に少なくとも一部が固定され、前記可動電極部に対向して延出している固定電極部と、
前記基板に設けられ、前記固定電極部の前記延出の方向と交差する方向に延出し、前記固定電極部と電気的に接続されている配線と、
を含み、
前記固定電極部には、平面視で前記配線と交差する部分に前記配線が通る凹部が設けられている。
[Application Example 1]
The physical quantity sensor according to this application example is
A substrate,
A movable part disposed on the substrate;
A movable electrode portion extending from the movable portion;
A fixed electrode portion that is at least partially fixed to the substrate and extends to face the movable electrode portion;
Wiring provided on the substrate, extending in a direction intersecting with the extending direction of the fixed electrode portion, and electrically connected to the fixed electrode portion;
Including
The fixed electrode portion is provided with a recess through which the wiring passes at a portion intersecting with the wiring in a plan view.

このような物理量センサーによれば、固定電極部には、平面視で配線と交差する部分に
配線が通る凹部が設けられている。そのため、固定電極部の延出の方向において、固定電極部の基板に固定されている部分の長さを、固定電極部の全長の1/2以上とすることができる。したがって、固定電極部が変位することによって可動電極部と固定電極部との間の静電容量が変動することを抑制することができる。これにより、高い測定精度を有することができる。
According to such a physical quantity sensor, the fixed electrode portion is provided with a recess through which the wiring passes at a portion intersecting with the wiring in a plan view. Therefore, in the extending direction of the fixed electrode portion, the length of the portion fixed to the substrate of the fixed electrode portion can be set to ½ or more of the total length of the fixed electrode portion. Therefore, it is possible to suppress a change in capacitance between the movable electrode portion and the fixed electrode portion due to the displacement of the fixed electrode portion. Thereby, it is possible to have high measurement accuracy.

[適用例2]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記固定電極部の前記延出の方向において、前記固定電極部の前記基板に固定されている部分の長さが、前記固定電極部の全長の1/2以上であってもよい。
[Application Example 2]
In the physical quantity sensor according to this application example,
In the extending direction of the fixed electrode portion, a length of a portion of the fixed electrode portion fixed to the substrate may be ½ or more of an entire length of the fixed electrode portion.

このような物理量センサーによれば、固定電極部が変位することによって可動電極部と固定電極部との間の静電容量が変動することを抑制することができる。これにより、高い測定精度を有することができる。   According to such a physical quantity sensor, the capacitance between the movable electrode portion and the fixed electrode portion can be prevented from changing due to the displacement of the fixed electrode portion. Thereby, it is possible to have high measurement accuracy.

[適用例3]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記可動電極部の厚さは、前記固定電極部の厚さよりも小さくてもよい。
[Application Example 3]
In the physical quantity sensor according to this application example,
The thickness of the movable electrode part may be smaller than the thickness of the fixed electrode part.

このような物理量センサーによれば、可動電極部が厚さ方向に変位することによる誤検出を防ぐことができ、より検出精度を高めることができる。   According to such a physical quantity sensor, erroneous detection due to displacement of the movable electrode portion in the thickness direction can be prevented, and detection accuracy can be further improved.

[適用例4]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記固定電極部の一面が前記基板に固定されていてもよい。
[Application Example 4]
In the physical quantity sensor according to this application example,
One surface of the fixed electrode portion may be fixed to the substrate.

このような物理量センサーによれば、固定電極部が変位することによって可動電極部と固定電極部との間の静電容量が変動することを、より抑制することができる。   According to such a physical quantity sensor, it is possible to further suppress a change in the capacitance between the movable electrode portion and the fixed electrode portion due to the displacement of the fixed electrode portion.

[適用例5]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記固定電極部の接合面および前記配線の形成面は、同一平面上にあってもよい。
[Application Example 5]
In the physical quantity sensor according to this application example,
The joint surface of the fixed electrode portion and the formation surface of the wiring may be on the same plane.

このような物理量センサーによれば、製造工程を簡略化することができる。   According to such a physical quantity sensor, the manufacturing process can be simplified.

[適用例6]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記配線は、前記凹部内において、前記固定電極部と接続されていてもよい。
[Application Example 6]
In the physical quantity sensor according to this application example,
The wiring may be connected to the fixed electrode portion in the recess.

このような物理量センサーによれば、基板に配線を配置するための溝部や凹部等を形成しなくてもよいため、製造が容易である。   According to such a physical quantity sensor, since it is not necessary to form a groove or a recess for arranging the wiring on the substrate, it is easy to manufacture.

[適用例7]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板と前記可動部との間の距離は、前記凹部の深さと同じ大きさであってもよい。
[Application Example 7]
In the physical quantity sensor according to this application example,
The distance between the substrate and the movable part may be the same as the depth of the recess.

このような物理量センサーによれば、例えば、製造工程において、可動部と凹部とを同じエッチング工程で形成することができる。したがって、製造工程を簡略化することができる。   According to such a physical quantity sensor, for example, in the manufacturing process, the movable part and the recessed part can be formed in the same etching process. Therefore, the manufacturing process can be simplified.

[適用例8]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板の材質は、ガラスであり、
前記固定電極部の材質は、シリコンであってもよい。
[Application Example 8]
In the physical quantity sensor according to this application example,
The material of the substrate is glass,
The material of the fixed electrode part may be silicon.

このような物理量センサーによれば、例えば基板と固定電極部とを陽極接合によって接合することができるため、基板と固定電極部とを強固に接合することができる。   According to such a physical quantity sensor, for example, the substrate and the fixed electrode portion can be bonded by anodic bonding, so that the substrate and the fixed electrode portion can be firmly bonded.

[適用例9]
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
[Application Example 9]
The electronic device according to this application example is
The physical quantity sensor according to this application example is included.

このような電子機器によれば、本適用例に係る物理量センサーを含むため、高い測定精度を有することができる。   According to such an electronic apparatus, since the physical quantity sensor according to this application example is included, it is possible to have high measurement accuracy.

第1実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。The top view which shows typically the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the physical quantity sensor which concerns on the modification of 1st Embodiment. 第2実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。The top view which shows typically the physical quantity sensor which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the physical quantity sensor which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the physical quantity sensor which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on 3rd Embodiment.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. In addition, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

1.第1実施形態
1.1. 物理量センサー
まず、第1実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す断面図であり、図1のII−II線断面図である。図3は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す断面図であり、図1のIII−III線断面図である。なお、便宜上、図1では、蓋体50を透視して図示している。また、図1〜図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。
1. 1. First embodiment 1.1. Physical Quantity Sensor First, the physical quantity sensor according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view schematically showing a physical quantity sensor 100 according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the physical quantity sensor 100 according to the present embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the physical quantity sensor 100 according to this embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. For convenience, in FIG. 1, the lid 50 is shown through. 1 to 3 show the X axis, the Y axis, and the Z axis as three axes orthogonal to each other.

物理量センサー100は、例えば、水平方向(X軸方向)の加速度を検出する加速度センサー(静電容量型MEMS加速度センサー)である。物理量センサー100は、図1〜図3に示すように、基板10と、基板10上に設けられている配線20,22,24と、
可動部86、可動電極部87、および固定電極部88,89を含んで構成されている素子片80と、を含む。さらに、物理量センサー100は、例えば、接続端子30,32,34と、蓋体50と、を含む。
The physical quantity sensor 100 is, for example, an acceleration sensor (capacitive MEMS acceleration sensor) that detects acceleration in the horizontal direction (X-axis direction). As shown in FIGS. 1 to 3, the physical quantity sensor 100 includes a substrate 10, wirings 20, 22, and 24 provided on the substrate 10,
A movable piece 86, a movable electrode section 87, and an element piece 80 including a fixed electrode section 88 and 89. Further, the physical quantity sensor 100 includes, for example, connection terminals 30, 32, and 34 and a lid body 50.

基板10の材質は、例えば、ガラスである。基板10は、例えば、平板状である。基板10の形状は、図示の例では、直方体である。基板10は、上面11と、上面11と反対側の下面12と、を有している。基板10の上面11および下面12は、平坦である。   The material of the substrate 10 is, for example, glass. The substrate 10 has a flat plate shape, for example. The shape of the substrate 10 is a rectangular parallelepiped in the illustrated example. The substrate 10 has an upper surface 11 and a lower surface 12 opposite to the upper surface 11. The upper surface 11 and the lower surface 12 of the substrate 10 are flat.

配線20は、基板10の上面11に設けられている。配線20は、固定電極部88,89の延出方向(Y軸方向)と交差する方向(X軸方向)に延出している部分を有する。配線20は、第1固定電極部88と電気的に接続されている。図示の例では、配線20は、第1固定電極部88の凹部8a内において、コンタクト部40を介して、第1固定電極部88と電気的に接続されている。配線20は、接続端子30と複数の第1固定電極部88とを電気的に接続している。配線20は、第2固定電極部89の凹部8b内を通っている。これにより、配線20は、第2固定電極部89と電気的に絶縁された状態で、第2固定電極部89と交差することができる。   The wiring 20 is provided on the upper surface 11 of the substrate 10. The wiring 20 has a portion extending in a direction (X-axis direction) intersecting with the extending direction (Y-axis direction) of the fixed electrode portions 88 and 89. The wiring 20 is electrically connected to the first fixed electrode portion 88. In the illustrated example, the wiring 20 is electrically connected to the first fixed electrode portion 88 via the contact portion 40 in the recess 8 a of the first fixed electrode portion 88. The wiring 20 electrically connects the connection terminal 30 and the plurality of first fixed electrode portions 88. The wiring 20 passes through the recess 8 b of the second fixed electrode portion 89. Thereby, the wiring 20 can intersect with the second fixed electrode portion 89 in a state of being electrically insulated from the second fixed electrode portion 89.

配線22は、基板10の上面11に設けられている。配線22は、固定電極部88,89の延出方向(Y軸方向)と交差する方向(X軸方向)に延出している部分を有する。配線22は、第2固定電極部89と電気的に接続されている。図示の例では、配線22は、第2固定電極部89の凹部8b内において、コンタクト部42を介して、第2固定電極部89と電気的に接続されている。配線22は、接続端子32と複数の第2固定電極部89とを電気的に接続している。配線22は、第1固定電極部88の凹部8b内を通っている。これにより、配線22は、第1固定電極部88と電気的に絶縁された状態で、第1固定電極部88と交差することができる。   The wiring 22 is provided on the upper surface 11 of the substrate 10. The wiring 22 has a portion extending in a direction (X-axis direction) intersecting with the extending direction (Y-axis direction) of the fixed electrode portions 88 and 89. The wiring 22 is electrically connected to the second fixed electrode portion 89. In the illustrated example, the wiring 22 is electrically connected to the second fixed electrode portion 89 via the contact portion 42 in the recess 8 b of the second fixed electrode portion 89. The wiring 22 electrically connects the connection terminal 32 and the plurality of second fixed electrode portions 89. The wiring 22 passes through the recess 8 b of the first fixed electrode portion 88. As a result, the wiring 22 can intersect the first fixed electrode portion 88 in a state of being electrically insulated from the first fixed electrode portion 88.

配線24は、基板10の上面11に設けられている。配線24は、第1固定部81と電気的に接続されている。図示の例では、配線24は、コンタクト部44を介して、第1固定部81と電気的に接続されている。配線24は、接続端子34と第1固定部81とを電気的に接続している。   The wiring 24 is provided on the upper surface 11 of the substrate 10. The wiring 24 is electrically connected to the first fixing portion 81. In the illustrated example, the wiring 24 is electrically connected to the first fixing portion 81 via the contact portion 44. The wiring 24 electrically connects the connection terminal 34 and the first fixing portion 81.

配線20,22,24の厚さ(Z軸方向の大きさ)は、例えば、10nm以上1μm以下である。配線20,22,24の材質は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、FTO(Fluorine−doped Tin Oxide)、ガリウムがドープされた酸化亜鉛、アルミニウム、金、白金、チタン、タングステン、クロム等である。配線20,22,24として、ITO等の透明電極材料を用いた場合、基板10が透明である場合に、例えば、配線20,22,24上の異物の検査を、基板10の下面12側から観察することで、簡便に行うことができる。   The thickness (size in the Z-axis direction) of the wirings 20, 22, and 24 is, for example, 10 nm or more and 1 μm or less. The materials of the wirings 20, 22, and 24 are, for example, ITO (Indium Tin Oxide), FTO (Fluorine-doped Tin Oxide), zinc oxide doped with gallium, aluminum, gold, platinum, titanium, tungsten, chromium, and the like. . When a transparent electrode material such as ITO is used as the wirings 20, 22, 24, when the substrate 10 is transparent, for example, inspection of foreign matter on the wirings 20, 22, 24 is performed from the lower surface 12 side of the substrate 10. By observing, it can carry out simply.

接続端子30,32,34は、基板10の上面11上に設けられている。接続端子30,32,34は、それぞれ配線20,22,24と接続されている。したがって、接続端子30は、配線20を介して第1固定電極部88と電気的に接続され、接続端子32は、配線22を介して第2固定電極部89と電気的に接続され、接続端子34は、配線24を介して第1固定部81と電気的に接続されている。接続端子30,32,34は、平面視において蓋体50と重ならない位置に(キャビティー52の外側に)設けられている。接続端子30,32,34の材質は、例えば、配線20,22,24の材質と同じである。   The connection terminals 30, 32, and 34 are provided on the upper surface 11 of the substrate 10. The connection terminals 30, 32, and 34 are connected to the wirings 20, 22, and 24, respectively. Therefore, the connection terminal 30 is electrically connected to the first fixed electrode portion 88 via the wiring 20, and the connection terminal 32 is electrically connected to the second fixed electrode portion 89 via the wiring 22. 34 is electrically connected to the first fixing portion 81 via the wiring 24. The connection terminals 30, 32, and 34 are provided at positions that do not overlap the lid body 50 in plan view (outside the cavity 52). The material of the connection terminals 30, 32, and 34 is the same as the material of the wirings 20, 22, and 24, for example.

なお、ここでは、3つの配線20,22,24および3つの接続端子30,32,34を備える物理量センサー100について説明したが、配線および接続端子の数は、適宜変更することができる。   Although the physical quantity sensor 100 including the three wirings 20, 22, 24 and the three connection terminals 30, 32, 34 has been described here, the number of wirings and connection terminals can be changed as appropriate.

コンタクト部40は、第1固定電極部88の凹部8a内に設けられている。コンタクト部40は、図2に示すように、配線20上に設けられ、配線20と第1固定電極部88とを接続している。コンタクト部42は、第2固定電極部89の凹部8b内に設けられている。コンタクト部42は、図3に示すように、配線22上に設けられ、配線22と第2固定電極部89とを接続している。コンタクト部44は、配線24上に設けられ、配線24と第1固定部81とを接続している。コンタクト部40,42,44の材質は、導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Al等の金属単体、またはこれらを含む合金等の金属である。   The contact portion 40 is provided in the recess 8 a of the first fixed electrode portion 88. As shown in FIG. 2, the contact part 40 is provided on the wiring 20 and connects the wiring 20 and the first fixed electrode part 88. The contact part 42 is provided in the recess 8 b of the second fixed electrode part 89. As shown in FIG. 3, the contact portion 42 is provided on the wiring 22 and connects the wiring 22 and the second fixed electrode portion 89. The contact portion 44 is provided on the wiring 24 and connects the wiring 24 and the first fixing portion 81. The material of the contact portions 40, 42, and 44 is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, the contact portions 40, 42, and 44 are metals such as Au, Pt, Ag, Cu, and Al, or metals such as alloys containing these metals. .

蓋体50は、基板10の上面11に載置(接合)されている。蓋体50は、容器状の形状を有しており、基板10と接合されることにより、キャビティー52を形成することができる。キャビティー52は、密閉されており、例えば、不活性ガス(例えば窒素ガス)雰囲気、または減圧状態である。   The lid 50 is placed (joined) on the upper surface 11 of the substrate 10. The lid 50 has a container shape, and can be formed with the cavity 52 by being joined to the substrate 10. The cavity 52 is sealed, for example, in an inert gas (for example, nitrogen gas) atmosphere or in a reduced pressure state.

蓋体50の材質は、例えば、シリコン、ガラスなどである。蓋体50と基板10との接合方法は、特に限定されないが、例えば、基板10の材質がガラスであり、蓋体50の材質がシリコンである場合は、基板10と蓋体50とを陽極接合によって接合することができる。   The material of the lid 50 is, for example, silicon or glass. The bonding method of the lid 50 and the substrate 10 is not particularly limited. For example, when the material of the substrate 10 is glass and the material of the lid 50 is silicon, the substrate 10 and the lid 50 are anodic bonded. Can be joined.

素子片80は、固定部81,82と、連結部84,85と、可動部86と、可動電極部87と、固定電極部88,89と、を有している。素子片80は、基板10および蓋体50によって囲まれるキャビティー52に収容されている。素子片80の材質は、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。   The element piece 80 includes fixed portions 81 and 82, connecting portions 84 and 85, a movable portion 86, a movable electrode portion 87, and fixed electrode portions 88 and 89. The element piece 80 is accommodated in a cavity 52 surrounded by the substrate 10 and the lid 50. The material of the element piece 80 is silicon imparted with conductivity by doping impurities such as phosphorus and boron.

素子片80では、可動部86および可動電極部87が、加速度、角速度等の物理量に応じて、連結部84,85を弾性変形させながら、X軸方向に変位する。この可動部86および可動電極部87の変位に伴って、可動電極部87と第1固定電極部88との間の隙間の大きさ、および可動電極部87と第2固定電極部89との間の隙間の大きさが変化する。すなわち、この可動部86および可動電極部87の変位に伴って、可動電極部87と第1固定電極部88との間の静電容量、および可動電極部87と第2固定電極部89との間の静電容量が変化する。したがって、これらの静電容量に基づいて、加速度、角速度等の物理量を検出することができる。   In the element piece 80, the movable portion 86 and the movable electrode portion 87 are displaced in the X-axis direction while elastically deforming the connecting portions 84 and 85 according to physical quantities such as acceleration and angular velocity. Along with the displacement of the movable portion 86 and the movable electrode portion 87, the size of the gap between the movable electrode portion 87 and the first fixed electrode portion 88, and the distance between the movable electrode portion 87 and the second fixed electrode portion 89. The size of the gap changes. That is, in accordance with the displacement of the movable portion 86 and the movable electrode portion 87, the capacitance between the movable electrode portion 87 and the first fixed electrode portion 88, and between the movable electrode portion 87 and the second fixed electrode portion 89, The capacitance between them changes. Therefore, physical quantities such as acceleration and angular velocity can be detected based on these capacitances.

第1固定部81および第2固定部82は、基板10の上面11に接合されている。固定部81,82の平面形状は、例えば、矩形である。第1固定部81には、配線24が接続されている。   The first fixing portion 81 and the second fixing portion 82 are joined to the upper surface 11 of the substrate 10. The planar shape of the fixing portions 81 and 82 is, for example, a rectangle. The first fixing portion 81 is connected to the wiring 24.

可動部86は、第1固定部81と第2固定部82との間に設けられている。図1に示す例では、可動部86の平面形状は、X軸に平行な長辺を有する長方形である。図2および図3に示すように、可動部86と基板10との間には、間隙2が設けられている。すなわち、可動部86は、基板10上に、間隙2を介して、設けられている。可動部86と基板10との間の距離(間隙2のZ軸方向の大きさ)は、例えば、固定電極部88,89の凹部8a,8bの深さ(Z軸方向の大きさ)と同じ大きさである。間隙2は、連結部84,85と基板10との間、および可動電極部87と基板10との間にも設けられている。間隙2によって、可動部86、可動電極部87、および連結部84,85を、基板10から離間させることができる。   The movable portion 86 is provided between the first fixed portion 81 and the second fixed portion 82. In the example illustrated in FIG. 1, the planar shape of the movable portion 86 is a rectangle having a long side parallel to the X axis. As shown in FIGS. 2 and 3, a gap 2 is provided between the movable portion 86 and the substrate 10. That is, the movable portion 86 is provided on the substrate 10 with the gap 2 interposed therebetween. The distance between the movable portion 86 and the substrate 10 (the size of the gap 2 in the Z-axis direction) is, for example, the same as the depth (the size in the Z-axis direction) of the concave portions 8a and 8b of the fixed electrode portions 88 and 89. It is a size. The gap 2 is also provided between the connecting portions 84 and 85 and the substrate 10 and between the movable electrode portion 87 and the substrate 10. With the gap 2, the movable portion 86, the movable electrode portion 87, and the connecting portions 84 and 85 can be separated from the substrate 10.

連結部84,85は、可動部86と固定部81,82とを連結している。具体的には、第1連結部84は、可動部86と第1固定部81とを連結し、第2連結部85は、可動部
86と第2固定部82とを連結している。連結部84,85は、所望のばね定数を持ち、X軸方向に可動部86を変位できるように構成されている。図1に示す例では、第1連結部84は、Y軸方向に往復しながらX軸方向に延びる形状をなす2つの梁84a,84bによって構成されている。同様に、第2連結部85は、Y軸方向に往復しながらX軸方向に延びる形状をなす2つの梁85a,85bによって構成されている。
The connecting portions 84 and 85 connect the movable portion 86 and the fixed portions 81 and 82. Specifically, the first connecting portion 84 connects the movable portion 86 and the first fixed portion 81, and the second connecting portion 85 connects the movable portion 86 and the second fixed portion 82. The connecting portions 84 and 85 have a desired spring constant and are configured to displace the movable portion 86 in the X-axis direction. In the example shown in FIG. 1, the first connecting portion 84 is configured by two beams 84 a and 84 b having a shape extending in the X-axis direction while reciprocating in the Y-axis direction. Similarly, the 2nd connection part 85 is comprised by two beams 85a and 85b which make the shape extended in a X-axis direction, reciprocating in a Y-axis direction.

可動電極部87は、可動部86からY軸方向に延出している。図示の例では、可動電極部87は、複数設けられている。可動電極部87は、可動部86から+Y軸方向および−Y軸方向に突出し、櫛歯状をなすようにX軸方向に並んでいる。可動電極部87の平面形状は、図示の例では、Y軸に平行な長辺を有する長方形である。   The movable electrode part 87 extends from the movable part 86 in the Y-axis direction. In the illustrated example, a plurality of movable electrode portions 87 are provided. The movable electrode portion 87 protrudes from the movable portion 86 in the + Y axis direction and the −Y axis direction, and is arranged in the X axis direction so as to form a comb shape. The planar shape of the movable electrode portion 87 is a rectangle having a long side parallel to the Y axis in the illustrated example.

固定電極部88,89は、可動電極部87に対向して、Y軸方向に延出している。固定電極部88.89の平面形状は、図示の例では、Y軸に平行な長辺を有する長方形である。固定電極部88,89は、基板10に固定されている。図示の例では、固定電極部88,89の一面が基板10に固定されている。すなわち、固定電極部88,89の下面の全体が、基板10の上面11に固定(接合)されている。固定電極部88,89の下面(接合面)および配線20,22,24の下面(形成面)は、ともに基板10の上面11に接しており、同一平面上にある。第1固定電極部88および第2固定電極部89は、複数設けられている。固定電極部88,89は、櫛歯状をなすようにX軸方向に交互に並んでいる。固定電極部88,89は、可動電極部87に対して間隔を隔てて対向して設けられている。図1に示す例では、第1固定電極部88は、可動電極部87の一方側(−X軸方向側)に配置され、第2固定電極部89は、他方側(+X軸方向側)に配置されている。例えば、第1固定電極部88の可動電極部87と対向する面積と、第2固定電極部89の可動電極部87と対向する面積とは、同じである。   The fixed electrode portions 88 and 89 face the movable electrode portion 87 and extend in the Y-axis direction. The planar shape of the fixed electrode portion 88.89 is a rectangle having a long side parallel to the Y axis in the illustrated example. The fixed electrode portions 88 and 89 are fixed to the substrate 10. In the illustrated example, one surface of the fixed electrode portions 88 and 89 is fixed to the substrate 10. That is, the entire lower surfaces of the fixed electrode portions 88 and 89 are fixed (bonded) to the upper surface 11 of the substrate 10. The lower surfaces (bonding surfaces) of the fixed electrode portions 88 and 89 and the lower surfaces (formation surfaces) of the wirings 20, 22, and 24 are both in contact with the upper surface 11 of the substrate 10 and are on the same plane. A plurality of first fixed electrode portions 88 and second fixed electrode portions 89 are provided. The fixed electrode portions 88 and 89 are alternately arranged in the X-axis direction so as to form a comb shape. The fixed electrode portions 88 and 89 are provided to face the movable electrode portion 87 with a space therebetween. In the example shown in FIG. 1, the first fixed electrode portion 88 is disposed on one side (−X axis direction side) of the movable electrode portion 87, and the second fixed electrode portion 89 is disposed on the other side (+ X axis direction side). Has been placed. For example, the area of the first fixed electrode portion 88 facing the movable electrode portion 87 is the same as the area of the second fixed electrode portion 89 facing the movable electrode portion 87.

第1固定電極部88には、配線20を通すための凹部8aと、配線22を通すための凹部8bが設けられている。凹部8a,8bは、第1固定電極部88の下面に設けられている。第1固定電極部88の凹部8aは、平面視で配線20と交差する部分に設けられている。配線20は、この凹部8a内において、コンタクト部40を介して、第1固定電極部88と電気的に接続されている。第1固定電極部88の凹部8bは、平面視で配線22と交差する部分に設けられている。配線22は、この凹部8b内を通っている。これにより、第1固定電極部88と配線22とは、交差する部分において、電気的に絶縁されている。   The first fixed electrode portion 88 is provided with a recess 8 a for passing the wiring 20 and a recess 8 b for passing the wiring 22. The recesses 8 a and 8 b are provided on the lower surface of the first fixed electrode portion 88. The concave portion 8a of the first fixed electrode portion 88 is provided at a portion that intersects the wiring 20 in plan view. The wiring 20 is electrically connected to the first fixed electrode portion 88 through the contact portion 40 in the concave portion 8a. The concave portion 8b of the first fixed electrode portion 88 is provided at a portion that intersects the wiring 22 in plan view. The wiring 22 passes through the recess 8b. Thereby, the first fixed electrode portion 88 and the wiring 22 are electrically insulated at the intersecting portion.

第2固定電極部89には、配線20を通すための凹部8aと、配線22を通すための凹部8bが設けられている。凹部8a,8bは、第2固定電極部89の下面に設けられている。第2固定電極部89の凹部8aは、平面視で配線20と交差する部分に設けられている。配線20は、この凹部8a内を通っている。これにより、第2固定電極部89と配線20とは、交差する部分において、電気的に絶縁されている。第2固定電極部89の凹部8bは、平面視で配線22と交差する部分に設けられている。配線22は、この凹部8b内において、コンタクト部42を介して、第2固定電極部89と電気的に接続されている。   The second fixed electrode portion 89 is provided with a concave portion 8a for allowing the wiring 20 to pass therethrough and a concave portion 8b for allowing the wiring 22 to pass therethrough. The recesses 8 a and 8 b are provided on the lower surface of the second fixed electrode portion 89. The concave portion 8a of the second fixed electrode portion 89 is provided at a portion that intersects the wiring 20 in plan view. The wiring 20 passes through the recess 8a. Thereby, the second fixed electrode portion 89 and the wiring 20 are electrically insulated at the intersecting portion. The concave portion 8b of the second fixed electrode portion 89 is provided at a portion that intersects the wiring 22 in plan view. The wiring 22 is electrically connected to the second fixed electrode portion 89 through the contact portion 42 in the recess 8b.

固定部81,82、連結部84,85、可動部86、および可動電極部87は、一体に設けられている。固定部81,82および固定電極部88,89と、基板10と、の接合方法は、特に限定されない。例えば基板10の材質がガラスであり、固定部81,82および固定電極部88,89の材質がシリコンである場合、固定部81,82および固定電極部88,89と、基板10とを、陽極接合によって接合することができる。   The fixed portions 81 and 82, the connecting portions 84 and 85, the movable portion 86, and the movable electrode portion 87 are integrally provided. A method for joining the fixed portions 81 and 82 and the fixed electrode portions 88 and 89 to the substrate 10 is not particularly limited. For example, when the material of the substrate 10 is glass and the material of the fixed portions 81 and 82 and the fixed electrode portions 88 and 89 is silicon, the fixed portions 81 and 82 and the fixed electrode portions 88 and 89 and the substrate 10 are connected to the anode. It can be joined by joining.

素子片80では、可動電極部87の厚さ(Z軸方向の大きさ)は、図2および図3に示
すように、固定電極部88,89の厚さ(Z軸方向の大きさ)よりも小さい。同様に、可動部86の厚さ(Z軸方向の大きさ)および連結部84,85の厚さ(Z軸方向の大きさ)は、固定電極部88,89の厚さよりも小さい。これにより、可動部86、可動電極部87、および連結部84,85と、基板10と、の間に間隙2を設けることができ、可動部86、可動電極部87、および連結部84,85を、基板10から離間させることができる。可動部86の厚さ、可動電極部87の厚さ、および連結部84,85の厚さは、例えば、同じ大きさである。また、固定電極部88,89の厚さと固定部81,82の厚さは、例えば、同じ大きさである。可動部86の上面、可動電極部87の上面、連結部84,85の上面、固定電極部88,89の上面、および固定部81,82の上面は、同一平面内(図示の例では、XY平面に平行な面内)に位置している。
In the element piece 80, the thickness of the movable electrode portion 87 (size in the Z-axis direction) is larger than the thickness of the fixed electrode portions 88 and 89 (size in the Z-axis direction), as shown in FIGS. Is also small. Similarly, the thickness of the movable portion 86 (size in the Z-axis direction) and the thickness of the connecting portions 84 and 85 (size in the Z-axis direction) are smaller than the thickness of the fixed electrode portions 88 and 89. Accordingly, the gap 2 can be provided between the movable portion 86, the movable electrode portion 87, the connecting portions 84 and 85, and the substrate 10, and the movable portion 86, the movable electrode portion 87, and the connecting portions 84 and 85 can be provided. Can be separated from the substrate 10. The thickness of the movable portion 86, the thickness of the movable electrode portion 87, and the thickness of the connecting portions 84 and 85 are, for example, the same size. Further, the thickness of the fixed electrode portions 88 and 89 and the thickness of the fixed portions 81 and 82 are, for example, the same size. The upper surface of the movable portion 86, the upper surface of the movable electrode portion 87, the upper surfaces of the connecting portions 84 and 85, the upper surfaces of the fixed electrode portions 88 and 89, and the upper surfaces of the fixed portions 81 and 82 are within the same plane (in the illustrated example, XY Located in a plane parallel to the plane).

物理量センサー100では、接続端子30,34を用いることにより、可動電極部87と第1固定電極部88との間の静電容量を測定することができる。さらに、物理量センサー100では、接続端子32,34を用いることにより、可動電極部87と第2固定電極部89との間の静電容量を測定することができる。このように物理量センサー100では、可動電極部87と第1固定電極部88との間の静電容量、および可動電極部87と第2固定電極部89との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量(加速度等)を検出することができる。   In the physical quantity sensor 100, the capacitance between the movable electrode portion 87 and the first fixed electrode portion 88 can be measured by using the connection terminals 30 and 34. Furthermore, in the physical quantity sensor 100, the capacitance between the movable electrode portion 87 and the second fixed electrode portion 89 can be measured by using the connection terminals 32 and 34. Thus, in the physical quantity sensor 100, the electrostatic capacitance between the movable electrode portion 87 and the first fixed electrode portion 88 and the electrostatic capacitance between the movable electrode portion 87 and the second fixed electrode portion 89 are separately measured. And based on those measurement results, physical quantities (acceleration etc.) can be detected with high accuracy.

本実施形態に係る物理量センサーによれば、例えば、以下の特徴を有する。   The physical quantity sensor according to the present embodiment has, for example, the following characteristics.

物理量センサー100では、固定電極部88,89には、平面視で配線20,22と交差する部分に配線20,22が通る凹部8a,8bが設けられている。そのため、固定電極部88,89の一面(下面の全面)を、基板10に固定することができる。   In the physical quantity sensor 100, the fixed electrode portions 88 and 89 are provided with recesses 8a and 8b through which the wirings 20 and 22 pass at portions intersecting the wirings 20 and 22 in plan view. Therefore, one surface (the entire lower surface) of the fixed electrode portions 88 and 89 can be fixed to the substrate 10.

物理量センサー100では、固定電極部88,89の一面が、基板10に固定されている。図示の例では、固定電極部88,89の下面の全面が基板10に固定されている。これにより、固定電極部88,89が変位することによって、可動電極部87と固定電極部88,89との間の静電容量が変動することを抑制することができる。したがって、物理量センサー100は、高い測定精度を有することができる。   In the physical quantity sensor 100, one surface of the fixed electrode portions 88 and 89 is fixed to the substrate 10. In the illustrated example, the entire lower surface of the fixed electrode portions 88 and 89 is fixed to the substrate 10. Thereby, it can suppress that the electrostatic capacitance between the movable electrode part 87 and the fixed electrode parts 88 and 89 fluctuates because the fixed electrode parts 88 and 89 displace. Therefore, the physical quantity sensor 100 can have high measurement accuracy.

例えば、固定電極部が、一方の端部のみが固定され、大部分が基板から離間している片持ち支持構造である場合、固定電極部の基板から離間した部分が、自重や静電引力で曲がったり、加速度が印加された場合に変位したりする場合がある。これにより、可動電極部と固定電極部との間の静電容量が変動してしまい、センサーの測定精度が低下してしまう場合がある。物理量センサー100では、このような問題が生じないため、高い測定精度を有することができる。   For example, when the fixed electrode portion has a cantilever support structure in which only one end is fixed and most of the fixed electrode portion is separated from the substrate, the portion of the fixed electrode portion separated from the substrate is caused by its own weight or electrostatic attraction. It may bend or be displaced when acceleration is applied. As a result, the capacitance between the movable electrode portion and the fixed electrode portion varies, and the measurement accuracy of the sensor may be reduced. Since the physical quantity sensor 100 does not cause such a problem, it can have high measurement accuracy.

さらに、物理量センサー100では、固定電極部88,89の一面が基板10に固定されているため、例えば固定電極部88,89が片持ち支持構造の場合と比べて、可動電極部87と基板10との間の間隙2に気体(例えば窒素)を閉じ込めることができる。これにより、気体の粘性抵抗によるダンピング効果を高めることができ、可動電極部87が基板10に接触することを防ぐことができる。   Furthermore, in the physical quantity sensor 100, since one surface of the fixed electrode portions 88 and 89 is fixed to the substrate 10, for example, the movable electrode portion 87 and the substrate 10 are compared with the case where the fixed electrode portions 88 and 89 have a cantilever support structure. A gas (for example, nitrogen) can be confined in the gap 2 between the two. Thereby, the damping effect by gas viscous resistance can be heightened and it can prevent that the movable electrode part 87 contacts the board | substrate 10. FIG.

物理量センサー100では、可動電極部87の厚さが、固定電極部88,89の厚さよりも小さい。そのため、例えば可動電極部87が−Z軸方向に変位したとしても、可動電極部87と固定電極部88,89との間の静電容量を変化させないことができる。したがって、可動電極部87が−Z軸方向に変位することによる誤検出を防ぐことができ、より検出精度を高めることができる。   In the physical quantity sensor 100, the thickness of the movable electrode portion 87 is smaller than the thickness of the fixed electrode portions 88 and 89. Therefore, for example, even if the movable electrode portion 87 is displaced in the −Z-axis direction, the capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portions 88 and 89 cannot be changed. Therefore, erroneous detection due to the displacement of the movable electrode portion 87 in the −Z-axis direction can be prevented, and the detection accuracy can be further improved.

物理量センサー100では、固定電極部88,89の下面(接合面)および配線20,22,24の下面(形成面)が同一平面状にあるため、例えば、平板状の基板10を用いることができる。   In the physical quantity sensor 100, since the lower surfaces (bonding surfaces) of the fixed electrode portions 88 and 89 and the lower surfaces (formation surfaces) of the wirings 20, 22, and 24 are on the same plane, for example, a flat substrate 10 can be used. .

物理量センサー100では、基板10は平板状であるため、製造工程を簡略化することができる。このような物理量センサー100は、例えば、基板10の材質が加工の困難なガラス等である場合に、特に有効である。   In the physical quantity sensor 100, since the substrate 10 has a flat plate shape, the manufacturing process can be simplified. Such a physical quantity sensor 100 is particularly effective when the material of the substrate 10 is glass that is difficult to process, for example.

物理量センサー100では、配線20が、第1固定電極部88の凹部8a内において、第1固定電極部88と電気的に接続されている。また、配線22が、第2固定電極部89の凹部8b内において、第2固定電極部89と電気的に接続されている。したがって、例えば、基板10の材質が加工の困難なガラス等であり、素子片80の材質が加工の容易なシリコンである場合に、基板10に、配線20,22を配置するための溝部や凹部等を形成しなくてもよいため、製造が容易である。   In the physical quantity sensor 100, the wiring 20 is electrically connected to the first fixed electrode portion 88 in the recess 8 a of the first fixed electrode portion 88. The wiring 22 is electrically connected to the second fixed electrode portion 89 in the recess 8 b of the second fixed electrode portion 89. Therefore, for example, when the material of the substrate 10 is glass that is difficult to process and the material of the element piece 80 is silicon that is easy to process, grooves and recesses for arranging the wirings 20 and 22 on the substrate 10. And the like are not required to be formed, so that the manufacturing is easy.

物理量センサー100では、基板10と可動部86との間の距離が、固定電極部88,89の凹部8a、8bの深さと同じ大きさである。このため、例えば、製造工程において、可動部86を形成するためのエッチングと、固定電極部88,89の凹部8a,8bを形成するためのエッチングを、同じ工程で行うことができる。したがって、製造工程を簡略化することができる。   In the physical quantity sensor 100, the distance between the substrate 10 and the movable portion 86 is the same as the depth of the concave portions 8a and 8b of the fixed electrode portions 88 and 89. For this reason, for example, in the manufacturing process, etching for forming the movable portion 86 and etching for forming the concave portions 8a and 8b of the fixed electrode portions 88 and 89 can be performed in the same step. Therefore, the manufacturing process can be simplified.

物理量センサー100では、基板10の材質は、ガラスであり、固定電極部88,89の材質は、シリコンである。したがって、基板10と固定電極部88,89とを陽極接合によって接合することができるため、基板10と固定電極部88,89とを強固に接合することができる。   In the physical quantity sensor 100, the material of the substrate 10 is glass, and the material of the fixed electrode portions 88 and 89 is silicon. Accordingly, since the substrate 10 and the fixed electrode portions 88 and 89 can be bonded by anodic bonding, the substrate 10 and the fixed electrode portions 88 and 89 can be firmly bonded.

1.2. 物理量センサーの製造方法
次に、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4〜図7は、本実施形態に係る物理量センサー100の製造工程を模式的に示す断面図であって、図2に対応している。
1.2. Manufacturing Method of Physical Quantity Sensor Next, a manufacturing method of the physical quantity sensor according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. 4-7 is sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the physical quantity sensor 100 which concerns on this embodiment, Comprising: It respond | corresponds to FIG.

図4に示すように、基板10を準備する。図示の例では、基板10は、平板状のガラス基板である。次に、基板10上に配線20,22,24を形成する。配線20,22,24は、例えば、スパッタ法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法などによる成膜、およびフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成される。次に、基板10上に接続端子30,32,34を形成する(図1参照)。接続端子30,32,34は、配線20,22,24と同様の方法で形成される。次に、配線20上にコンタクト部40を形成し、配線22上にコンタクト部42を形成し、配線24上にコンタクト部44を形成する。コンタクト部40,42,44は、例えば、スパッタ法などによる成膜、およびフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成される。なお、ここでは、基板10の配線20,22,24上にコンタクト部40,42,44を形成しているが、コンタクト部40,42,44を後述する半導体基板80aに設けてもよい。   As shown in FIG. 4, a substrate 10 is prepared. In the illustrated example, the substrate 10 is a flat glass substrate. Next, wirings 20, 22 and 24 are formed on the substrate 10. The wirings 20, 22, and 24 are formed by, for example, film formation by a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, or the like, and patterning by a photolithography technique and an etching technique. Next, connection terminals 30, 32, and 34 are formed on the substrate 10 (see FIG. 1). The connection terminals 30, 32, and 34 are formed by the same method as the wirings 20, 22, and 24. Next, the contact part 40 is formed on the wiring 20, the contact part 42 is formed on the wiring 22, and the contact part 44 is formed on the wiring 24. The contact portions 40, 42, and 44 are formed by, for example, film formation by sputtering or the like, and patterning by photolithography technology and etching technology. Here, the contact portions 40, 42, 44 are formed on the wirings 20, 22, 24 of the substrate 10, but the contact portions 40, 42, 44 may be provided on a semiconductor substrate 80 a described later.

図5に示すように、半導体基板80aを準備する。半導体基板80aは、例えば、シリコン製の基板(シリコン基板)である。次に、半導体基板80aに凹部8a,8b、および凹部2aを形成する。凹部8a,8b、および凹部2aは、半導体基板80aの下面に形成される。凹部8a,8bは、図2に示す固定電極部88,89の凹部8a,8bに対応し、凹部2aは、図2に示す間隙2に対応している。凹部2aは、例えば、半導体基板80aの下面において、固定部81,82となる部分、および固定電極部88,89とな
る部分を除いた領域に形成される。凹部2aは、半導体基板80aの、少なくとも可動部86、可動電極部87、および連結部84,85となる部分の下に形成される。凹部8a,8b,2aは、例えば、ドライエッチングやウェットエッチング等のエッチングによって形成される。このとき、凹部8a,8b,2aの深さを同じにすることで、エッチングを容易に行うことができる。
As shown in FIG. 5, a semiconductor substrate 80a is prepared. The semiconductor substrate 80a is, for example, a silicon substrate (silicon substrate). Next, the recesses 8a and 8b and the recess 2a are formed in the semiconductor substrate 80a. The recesses 8a and 8b and the recess 2a are formed on the lower surface of the semiconductor substrate 80a. The recesses 8a and 8b correspond to the recesses 8a and 8b of the fixed electrode portions 88 and 89 shown in FIG. 2, and the recess 2a corresponds to the gap 2 shown in FIG. For example, the recess 2a is formed in the lower surface of the semiconductor substrate 80a in a region excluding the portions to be the fixed portions 81 and 82 and the portions to be the fixed electrode portions 88 and 89. The recess 2a is formed below the semiconductor substrate 80a at least at a portion that becomes the movable portion 86, the movable electrode portion 87, and the connecting portions 84 and 85. The recesses 8a, 8b, 2a are formed by etching such as dry etching or wet etching, for example. At this time, etching can be easily performed by making the depths of the recesses 8a, 8b, and 2a the same.

図6に示すように、基板10上に設けられた配線20が凹部8aを通り、基板10上に設けられた配線22が凹部8bを通るように、基板10上に半導体基板80aを載置する。このとき、コンタクト部40と半導体基板80aとを凹部8a内で接触させ、コンタクト部42と半導体基板80aとを凹部8b内で接触させ、コンタクト部44と半導体基板80aとを接触させる。次に、半導体基板80aを、例えば研削機によって研削して薄膜化する。   As shown in FIG. 6, the semiconductor substrate 80a is placed on the substrate 10 so that the wiring 20 provided on the substrate 10 passes through the recess 8a and the wiring 22 provided on the substrate 10 passes through the recess 8b. . At this time, the contact part 40 and the semiconductor substrate 80a are brought into contact in the recess 8a, the contact part 42 and the semiconductor substrate 80a are brought into contact in the recess 8b, and the contact part 44 and the semiconductor substrate 80a are brought into contact. Next, the semiconductor substrate 80a is ground and thinned by, for example, a grinding machine.

図7に示すように、薄膜化した半導体基板80aを所望の形状にパターニングして、素子片80を形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術(ドライエッチング)によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ(Bosch)法を用いることができる。本工程では、半導体基板80aをパターニング(エッチング)することにより、固定部81,82、連結部84,85、可動部86、および可動電極部87を一体的に形成することができる。   As shown in FIG. 7, the element piece 80 is formed by patterning the thinned semiconductor substrate 80 a into a desired shape. The patterning is performed by a photolithography technique and an etching technique (dry etching), and a Bosch method can be used as a more specific etching technique. In this step, the fixed portions 81 and 82, the connecting portions 84 and 85, the movable portion 86, and the movable electrode portion 87 can be integrally formed by patterning (etching) the semiconductor substrate 80a.

図2に示すように、基板10に蓋体50を接合して、基板10および蓋体50によって形成されるキャビティー52に素子片80を収容する。基板10と蓋体50との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、キャビティー52に不活性ガスを充填することができる。   As shown in FIG. 2, the lid 50 is bonded to the substrate 10, and the element piece 80 is accommodated in the cavity 52 formed by the substrate 10 and the lid 50. Bonding of the substrate 10 and the lid 50 is performed using, for example, anodic bonding or an adhesive. By performing this step in an inert gas atmosphere, the cavity 52 can be filled with an inert gas.

以上の工程により、物理量センサー100を製造することができる。   Through the above steps, the physical quantity sensor 100 can be manufactured.

本実施形態に係る物理量センサー100の製造方法によれば、ガラス等からなる基板10に配線20,22,24を配置するための凹部や溝部を形成せずに、半導体基板80aに配線20,22,24を配置するための凹部8a,8b,2aを形成している。このように、本実施形態によれば、加工が困難な基板10に、配線20,22を配置するための溝部や凹部等を形成しなくてよいため、容易に物理量センサー100を得ることができる。   According to the manufacturing method of the physical quantity sensor 100 according to the present embodiment, the wirings 20 and 22 are formed on the semiconductor substrate 80a without forming the recesses and the grooves for arranging the wirings 20, 22, and 24 on the substrate 10 made of glass or the like. , 24 for arranging the recesses 8a, 8b, 2a. Thus, according to this embodiment, since it is not necessary to form the groove part, the recessed part, etc. for arrange | positioning the wiring 20 and 22 in the board | substrate 10 which is difficult to process, the physical quantity sensor 100 can be obtained easily. .

本実施形態に係る物理量センサー100の製造方法では、半導体基板80aに形成される凹部8a,8b,2aが同じ深さである。これにより、凹部8a,8b,2aを同じ工程で形成することができる。したがって、製造工程を簡略化することができる。   In the manufacturing method of the physical quantity sensor 100 according to the present embodiment, the recesses 8a, 8b, and 2a formed in the semiconductor substrate 80a have the same depth. Thereby, recessed part 8a, 8b, 2a can be formed in the same process. Therefore, the manufacturing process can be simplified.

1.3. 物理量センサーの変形例
次に、本実施形態の変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図8は、本実施形態の変形例に係る物理量センサー200を模式的に示す断面図であって、図2に対応している。以下、物理量センサー200において、上述した物理量センサー100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
1.3. Next, a physical quantity sensor according to a modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a physical quantity sensor 200 according to a modification of the present embodiment, and corresponds to FIG. Hereinafter, in the physical quantity sensor 200, members having the same functions as the constituent members of the physical quantity sensor 100 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

物理量センサー100の例では、図2に示すように、可動電極部87の上面は、固定電極部88,89の上面と、同一平面内に位置していた。   In the example of the physical quantity sensor 100, as shown in FIG. 2, the upper surface of the movable electrode portion 87 is located in the same plane as the upper surfaces of the fixed electrode portions 88 and 89.

これに対して、物理量センサー200では、図8に示すように、可動電極部87の上面は、固定電極部88,89の上面と、同一平面内に位置していない。図示の例では、可動
電極部87の上面と基板10との間の距離は、固定電極部88,89の上面と基板10との間の距離よりも小さい。そのため、可動電極部87は、固定電極部88,89よりも厚さが小さく、かつ、厚さ方向(Z軸方向)において、固定電極部88,89の中間(固定電極部88,89の厚さの半分の位置)に位置することができる。これにより、可動電極部87がZ軸方向に変位したとしても、可動電極部87と固定電極部88,89との間の静電容量を変化させないことができる。したがって、可動電極部87がZ軸方向に変位することによる誤検出を防ぐことができ、より検出精度を高めることができる。
On the other hand, in the physical quantity sensor 200, as shown in FIG. 8, the upper surface of the movable electrode portion 87 is not located in the same plane as the upper surfaces of the fixed electrode portions 88 and 89. In the illustrated example, the distance between the upper surface of the movable electrode portion 87 and the substrate 10 is smaller than the distance between the upper surfaces of the fixed electrode portions 88 and 89 and the substrate 10. Therefore, the movable electrode portion 87 is thinner than the fixed electrode portions 88 and 89, and is intermediate between the fixed electrode portions 88 and 89 (thickness of the fixed electrode portions 88 and 89) in the thickness direction (Z-axis direction). Half of the height). Thereby, even if the movable electrode part 87 is displaced in the Z-axis direction, it is possible to prevent the capacitance between the movable electrode part 87 and the fixed electrode parts 88 and 89 from being changed. Therefore, erroneous detection due to displacement of the movable electrode portion 87 in the Z-axis direction can be prevented, and detection accuracy can be further improved.

物理量センサー200の製造方法は、上述した物理量センサー100の製造方法と比べて、図5に示す半導体基板80aの下面に凹部8a,8b,2aを形成する工程において、さらに、半導体基板80aの上面の、平面視で凹部2aと重なる領域に、凹部を形成する点を除いて同様であり、その詳細な説明を省略する。   Compared with the manufacturing method of the physical quantity sensor 100 described above, the manufacturing method of the physical quantity sensor 200 further includes the step of forming the recesses 8a, 8b, and 2a on the lower surface of the semiconductor substrate 80a shown in FIG. This is the same except that a recess is formed in a region overlapping the recess 2a in plan view, and detailed description thereof is omitted.

2.第2実施形態
次に、第2実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態に係る物理量センサー300を模式的に示す平面図である。図10は、本実施形態に係る物理量センサー300を模式的に示す断面図であり、図9のX−X線断面図である。図11は、本実施形態に係る物理量センサー300を模式的に示す断面図であり、図9のXI−XI線断面図である。なお、便宜上、図9では、蓋体50を透視して図示している。また、図9〜図11では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。以下、物理量センサー300において、上述した物理量センサー100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
2. Second Embodiment Next, a physical quantity sensor according to a second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a plan view schematically showing the physical quantity sensor 300 according to this embodiment. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the physical quantity sensor 300 according to this embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the physical quantity sensor 300 according to this embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line XI-XI in FIG. For convenience, in FIG. 9, the lid 50 is shown through. 9 to 11 illustrate the X axis, the Y axis, and the Z axis as three axes orthogonal to each other. Hereinafter, in the physical quantity sensor 300, members having the same functions as the constituent members of the physical quantity sensor 100 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

物理量センサー100の例では、図1〜図3に示すように、基板10は、平板状であり、基板10の上面11は平坦であった。   In the example of the physical quantity sensor 100, as illustrated in FIGS. 1 to 3, the substrate 10 has a flat plate shape, and the upper surface 11 of the substrate 10 is flat.

これに対して、物理量センサー300では、図9〜図11に示すように、基板10の上面11には、凹部310が設けられている。凹部310は、平面視において、素子片80の可動部86、可動電極部87、および連結部84,85を包含するように形成されている。凹部310によって、可動部86、可動電極部87、および連結部84,85が、基板10に接触することを防ぐことができる。   On the other hand, in the physical quantity sensor 300, as shown in FIGS. 9 to 11, a recess 310 is provided on the upper surface 11 of the substrate 10. The recess 310 is formed so as to include the movable portion 86, the movable electrode portion 87, and the connecting portions 84 and 85 of the element piece 80 in plan view. The concave portion 310 can prevent the movable portion 86, the movable electrode portion 87, and the connecting portions 84 and 85 from contacting the substrate 10.

固定電極部88,89は、可動電極部87に対向して、Y軸方向に延出している。固定電極部88,89は、図10および図11に示すように、一方側が凹部310上に延出して基板10から離間し、他方側が基板10に固定されている片持ち支持構造である。固定電極部88,89の延出方向(Y軸方向)において、固定電極部88,89の基板10に固定されている部分の長さL2は、固定電極部88,89の全体の長さ(全長)L1の1/2以上である。これにより、固定電極部88,89が変位することによって、可動電極部87と固定電極部88,89との間の静電容量が変動することを抑制することができる。したがって、物理量センサー100は、高い測定精度を有することができる。   The fixed electrode portions 88 and 89 face the movable electrode portion 87 and extend in the Y-axis direction. As shown in FIGS. 10 and 11, the fixed electrode portions 88 and 89 have a cantilever support structure in which one side extends onto the recess 310 and is separated from the substrate 10 and the other side is fixed to the substrate 10. In the extending direction (Y-axis direction) of the fixed electrode portions 88 and 89, the length L2 of the portion of the fixed electrode portions 88 and 89 fixed to the substrate 10 is the total length of the fixed electrode portions 88 and 89 ( Total length) 1/2 or more of L1. Thereby, it can suppress that the electrostatic capacitance between the movable electrode part 87 and the fixed electrode parts 88 and 89 fluctuates because the fixed electrode parts 88 and 89 displace. Therefore, the physical quantity sensor 100 can have high measurement accuracy.

ここで、固定電極部88,89の基板10に固定されている部分とは、図9に示すように、固定電極部88,89の平面視で基板10の上面11に重なる部分である。また、固定電極部88,89の基板10に固定されていない部分は、固定電極部88,89の平面視で基板10の凹部310に重なる部分である。   Here, the portion of the fixed electrode portions 88 and 89 fixed to the substrate 10 is a portion overlapping the upper surface 11 of the substrate 10 in plan view of the fixed electrode portions 88 and 89 as shown in FIG. Further, the portions of the fixed electrode portions 88 and 89 that are not fixed to the substrate 10 are portions that overlap the concave portion 310 of the substrate 10 in plan view of the fixed electrode portions 88 and 89.

物理量センサー300では、固定電極部88,89には、平面視で配線20,22と交差する部分に配線20,22が通る凹部8a,8bが設けられている。そのため、固定電極部88,89の延出方向において、固定電極部88,89の基板10に固定されている
部分の長さL2を、固定電極部の全体の長さL1の1/2以上とすることができる。
In the physical quantity sensor 300, the fixed electrode portions 88 and 89 are provided with recesses 8 a and 8 b through which the wirings 20 and 22 pass at portions that intersect the wirings 20 and 22 in plan view. Therefore, in the extending direction of the fixed electrode portions 88 and 89, the length L2 of the portion of the fixed electrode portions 88 and 89 fixed to the substrate 10 is set to ½ or more of the entire length L1 of the fixed electrode portion. can do.

3.第3実施形態
次に、第3実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー100を含む電子機器について、説明する。
3. Third Embodiment Next, an electronic apparatus according to a third embodiment will be described with reference to the drawings. The electronic device according to the present embodiment includes the physical quantity sensor according to the present invention. Hereinafter, an electronic apparatus including the physical quantity sensor 100 will be described as the physical quantity sensor according to the present invention.

図12は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。   FIG. 12 is a perspective view schematically showing a mobile (or notebook) personal computer 1100 as the electronic apparatus according to the present embodiment.

図12に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。   As shown in FIG. 12, the personal computer 1100 includes a main body portion 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display portion 1108. The display unit 1106 has a hinge structure portion with respect to the main body portion 1104. It is supported so that rotation is possible.

このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー100が内蔵されている。   Such a personal computer 1100 incorporates a physical quantity sensor 100.

図13は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機(PHSも含む)1200を模式的に示す斜視図である。   FIG. 13 is a perspective view schematically showing a mobile phone (including PHS) 1200 as the electronic apparatus according to the present embodiment.

図13に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。   As shown in FIG. 13, the cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display unit 1208 is disposed between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. .

このような携帯電話機1200には、物理量センサー100が内蔵されている。   Such a cellular phone 1200 incorporates a physical quantity sensor 100.

図14は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図14には、外部機器との接続についても簡易的に示している。   FIG. 14 is a perspective view schematically showing a digital still camera 1300 as the electronic apparatus according to the present embodiment. Note that FIG. 14 also shows a simple connection with an external device.

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。   Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。   A display unit 1310 is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD. The display unit 1310 displays an object as an electronic image. Functions as a viewfinder.

また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。   A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the back side in the drawing) of the case 1302.

撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。   When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308.

また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入
出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, if necessary. Further, the imaging signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

このようなデジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー100が内蔵されている。   Such a digital still camera 1300 incorporates a physical quantity sensor 100.

以上のような電子機器1100,1200,1300は、高い測定精度を有することができる物理量センサー100を含む。そのため、電子機器1100,1200,1300は、高い測定精度を有することができる。   The electronic devices 1100, 1200, and 1300 as described above include the physical quantity sensor 100 that can have high measurement accuracy. Therefore, the electronic devices 1100, 1200, and 1300 can have high measurement accuracy.

なお、上記物理量センサー100を備えた電子機器は、図12に示すパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図13に示す携帯電話機、図14に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ヘッドマウントディスプレイ、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類)、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。   The electronic device provided with the physical quantity sensor 100 is, for example, an ink jet type discharge in addition to the personal computer (mobile personal computer) shown in FIG. 12, the mobile phone shown in FIG. 13, and the digital still camera shown in FIG. Devices (for example, inkjet printers), laptop personal computers, televisions, video cameras, video tape recorders, various navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game machines, head-mounted displays , Word processor, workstation, video phone, security TV monitor, electronic binoculars, POS terminal, medical equipment (eg electronic thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish finder Machine, various measuring instruments, gages (e.g., vehicles, aircraft, rockets, instruments and a ship), attitude control such as a robot or a human body, can be applied to a flight simulator.

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。   The above-described embodiments and modifications are merely examples, and the present invention is not limited to these. For example, it is possible to appropriately combine each embodiment and each modification.

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

2…空隙、2a…凹部、8a,8b…凹部、10…基体、11…上面、12…下面、20,22,24…配線、30,32,34…接続端子、40,42,44…コンタクト部、50…蓋体、52…キャビティー、80…素子片、80a…半導体基板、81,82…固定部、84…連結部、84a,84b…梁、85…連結部、85a,85b…梁、86…可動部、87…可動電極部、88,89…固定電極部、100…物理量センサー、200…物理量センサー、300…物理量センサー、310…凹部、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチルカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター 2 ... Gap, 2a ... Recess, 8a, 8b ... Recess, 10 ... Base, 11 ... Upper surface, 12 ... Lower surface, 20, 22, 24 ... Wiring, 30, 32, 34 ... Connection terminal, 40, 42, 44 ... Contact 50, lid, 52 ... cavity, 80 ... element piece, 80a ... semiconductor substrate, 81, 82 ... fixed part, 84 ... connecting part, 84a, 84b ... beam, 85 ... connecting part, 85a, 85b ... beam , 86 ... movable part, 87 ... movable electrode part, 88, 89 ... fixed electrode part, 100 ... physical quantity sensor, 200 ... physical quantity sensor, 300 ... physical quantity sensor, 310 ... concave part, 1100 ... personal computer, 1102 ... keyboard, 1104 ... Main unit, 1106 ... display unit, 1108 ... display unit, 1200 ... mobile phone, 1202 ... operation button, 1204 ... earpiece, 1206 ... mouthpiece, 1208 ... table 1300 ... Digital still camera, 1302 ... Case, 1304 ... Light receiving unit, 1306 ... Shutter button, 1308 ... Memory, 1310 ... Display unit, 1312 ... Video signal output terminal, 1314 ... Input / output terminal, 1430 ... TV monitor, 1440 …personal computer

Claims (9)

基板と、
前記基板上に配置されている可動部と、
前記可動部から延出している可動電極部と、
前記基板に少なくとも一部が固定され、前記可動電極部に対向して延出している固定電極部と、
前記基板に設けられ、前記固定電極部の前記延出の方向と交差する方向に延出し、前記固定電極部と電気的に接続されている配線と、
を含み、
前記固定電極部には、平面視で前記配線と交差する部分に前記配線が通る凹部が設けられている、物理量センサー。
A substrate,
A movable part disposed on the substrate;
A movable electrode portion extending from the movable portion;
A fixed electrode portion that is at least partially fixed to the substrate and extends to face the movable electrode portion;
Wiring provided on the substrate, extending in a direction intersecting with the extending direction of the fixed electrode portion, and electrically connected to the fixed electrode portion;
Including
The physical quantity sensor, wherein the fixed electrode portion is provided with a recess through which the wiring passes at a portion intersecting with the wiring in a plan view.
請求項1において、
前記固定電極部の前記延出の方向において、前記固定電極部の前記基板に固定されている部分の長さが、前記固定電極部の全長の1/2以上である、物理量センサー。
In claim 1,
A physical quantity sensor, wherein a length of a portion of the fixed electrode portion fixed to the substrate in the extending direction of the fixed electrode portion is ½ or more of a total length of the fixed electrode portion.
請求項1または2において、
前記可動電極部の厚さは、前記固定電極部の厚さよりも小さい、物理量センサー。
In claim 1 or 2,
A physical quantity sensor in which the thickness of the movable electrode portion is smaller than the thickness of the fixed electrode portion.
請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記固定電極部の一面が前記基板に固定されている、物理量センサー。
In any one of Claims 1 thru | or 3,
A physical quantity sensor, wherein one surface of the fixed electrode portion is fixed to the substrate.
請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記固定電極部の接合面および前記配線の形成面は、同一平面上にある、物理量センサー。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
The physical quantity sensor, wherein a joint surface of the fixed electrode portion and a formation surface of the wiring are on the same plane.
請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記配線は、前記凹部内において、前記固定電極部と接続されている、物理量センサー。
In any one of Claims 1 thru | or 5,
The physical quantity sensor, wherein the wiring is connected to the fixed electrode portion in the recess.
請求項1ないし6のいずれか1項において、
前記基板と前記可動部との間の距離は、前記凹部の深さと同じ大きさである、物理量センサー。
In any one of Claims 1 thru | or 6,
The physical quantity sensor, wherein the distance between the substrate and the movable part is the same as the depth of the recess.
請求項1ないし7のいずれか1項において、
前記基板の材質は、ガラスであり、
前記固定電極部の材質は、シリコンである、物理量センサー。
In any one of Claims 1 thru | or 7,
The material of the substrate is glass,
The physical quantity sensor, wherein the material of the fixed electrode portion is silicon.
請求項1ないし8のいずれか1項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。   An electronic device comprising the physical quantity sensor according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105301283A (en) * 2014-06-17 2016-02-03 精工爱普生株式会社 Functional element, electronic device and mobile object

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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