JP2014011123A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
本発明は、応答性が高く、厚膜均一性を実現できる蒸発源を、当該蒸発源を用い、厚膜均一性の高い成膜装置又は成膜方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸発材料を収納する坩堝と、該坩堝から発生した蒸着材料の蒸気を外部に放出するノズルと、該坩堝、該ノズルを格納するケーシングを備え、放出された前記蒸着材料を基板に成膜する蒸発源と、該蒸発源を内部に収納する真空蒸着装置と、を備える成膜装置おいて、前記蒸発源は、前記坩堝から発生した蒸着材料の蒸気を前記ケーシング外に所定量放出することで前記坩堝内の蒸気圧を調整する蒸気圧調整弁を備える。
【選択図】 図３

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ELディスプレイ）などの薄膜微細デバイスを基板に形成する際に、特に大型基板に対して材料蒸気を放出し成膜する蒸発源を用いる成膜装置及び成膜方法に関する。また、本発明は有機ＥＬに限らず、他のＦＰＤ、半導体、太陽電池等の分野に適用可能である。

ディスプレイ装置のうち、有機ELディスプレイ装置は、視野角が広いだけでなく、応答性も良いため、次世代のディスプレイとして注目されている。有機ELディスプレイを構成する発光素子は、アノードとカソードの両電極に挟まれた有機膜の発光層からなる。発光効率を高めるため、さらに電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層ならびに正孔注入層などの中間層を、選択的に挿入している。これらの電極、発光層ならびに中間層は、数ｎｍから数百ｎｍの薄膜である。この薄膜を形成する技術の一つが真空蒸着（以下、蒸着とする）である。

有機EL素子を形成する基板は、年々大型化している。特にリニアソースと呼ばれる一方向に長く、基板の対向面に該長手方向に線状にノズルを配する蒸発源では、蒸発源の中に設置する坩堝も長手方向に１〜２ｍの長さを持つものも必要とされている。リニアソースを初め蒸発源では、膜厚を均一に成膜する為には、蒸発量を所定の量に制御するレート制御を実施している。

従来の蒸発源では、クリスタルセンサなどの厚膜センサにより蒸発量を検出し、蒸発源へのパワー電流を制御し、パワー制御の応答性の悪さを補うために、蒸着源と被蒸着物との間にシャッタを設ける技術が開示されている(特許文献１)。

特開昭６２−８６１６０号公報

しかしながら前記特許文献１では、シャッタの役目をする２枚のフィルタにより開口率を制御するために、被蒸着物である基板の所定の位置に微細に蒸着することができなく、膜厚均一性の悪化をもたらす。

本発明の課題は、従来例の技術を踏まえ、応答性が高く、厚膜均一性を実現できる蒸発源を提供し、厚膜均一性の高い成膜装置又は成膜方法を提供することにある。

本発明は、上記課題を解決するものであり、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、蒸発材料を収納する坩堝と、該坩堝から発生した蒸着材料の蒸気を外部に放出するノズルと、該坩堝、該ノズルを格納するケーシングを備え、前記ノズルから放出された前記蒸着材料を基板に成膜する蒸発源と、該基板と該蒸発源を内部に収納する真空蒸着装置と、を備える成膜装置において、前記蒸発源は、前記坩堝から発生した蒸着材料の蒸気を前記ケーシング外に所定量放出し、前記坩堝内の蒸気圧を調整する蒸気圧調整弁を備える。

また、本発明は、坩堝内の温度一定にし、坩堝内の蒸着材料を蒸発させるステップと、前記蒸発した蒸気を、前記坩堝を囲むケーシング外に導き、前記導かれた前記蒸気の量を制御し、蒸発レート制御する蒸発レート制御ステップと、前記蒸気をノズルから基板に向けて蒸発させる蒸発ステップとを備える。

本発明によれば、応答性が高く、厚膜均一性を実現できる蒸発源を提供できる。
また、本発明によれば、上記蒸発源を用い、厚膜均一性の高い成膜装置又は成膜方法を提供できる。

本発明の実施形態であるアライメントと蒸着を同一の真空蒸着装置で実現する有機ＥＬデバイス製造装置を示す図である。 図１における真空搬送室と真空蒸着装置の構成の模式図と動作説明図である。 第１の実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源であって、本発明の第１の実施例の外観を示す模式図である。 図３に示す蒸発レート調整機構の蒸発レート調整方法を示す図である。 図３に示す蒸発部の概要を示す図である。 図５における主として蒸発部の断面を詳細に示す図である。 式(３)をグラフ化したものである。 第２の実施形態である２つの坩堝を有する蒸発源であって、本発明の第２の実施例を示す図である。 第１の実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源であって、実施例１に蒸発制御部から放出される蒸着材料の蒸気量を回収する蒸気量回収機構を設けた本発明の第３の実施例を示す図である。 第１の実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源であって、実施例１に蒸発制御部から放出される蒸着材料の蒸気量を回収する蒸気量回収機構の第２の実施例を設けた本発明の第４の実施例を示す図である。

以下本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施形態であるアライメントと蒸着を同一の真空蒸着装置１で実現する有機ＥＬデバイス製造装置１００を示す。有機ＥＬデバイス製造装置１００は中心部に真空搬送ロボット５を持った多角形の真空搬送室２と、その周辺部に放射状に基板ストッカ室３や成膜室である真空蒸着装置１を配置したクラスタ型の有機ＥＬデバイス製造装置の構成を有している。各真空蒸着装置１は基板６を保持する基板保持部９とマスク８とを有する。また、真空蒸着装置１及び基板ストッカ室３と真空搬送室２との間には互いの真空を隔離するゲート弁１０が設けられている。

図２は、図１における真空搬送室２と真空蒸着装置１の構成の模式図と動作説明図である。図２における真空搬送ロボット５は、全体を上下に移動可能(図示せず)で、左右に旋回可能な２リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を有する。

一方、真空蒸着装置１は、真空搬送ロボット５から搬入された基板６を保持する基板保持部９と、発光層を形成する蒸着材料を蒸発させ、基板６に成膜させる蒸発源７と、蒸発源を上下方向移動させる蒸発源走査手段４３、基板６への蒸着パターンを規定するマスク８とを有する。基板保持部９は、櫛歯状ハンド９１と基板保持部９を旋回させて直立しているマスク８に正対させる基板旋回手段９３とを有する。また真空蒸着装置１は、マスク８の上部にマスク８と基板６とにそれぞれ存在するアライメントマーク８５、８４(引出図参照)を撮像するアライメントカメラ８６と、その撮像結果に基づいてマスク８を移動させるアライメント駆動部(図示せず)とを有する。

このような構成によって、真空搬送ロボット５は基板ストッカ室３から基板を取出し、真空蒸着装置１の基板保持部９に搬入する。そして、真空蒸着装置１では、搬入された基板６を基板旋回手段９３でマスク８に正対させ、アライメントし、蒸発源７を上下に移動させて基板６に蒸着する。蒸着後、基板６を水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット２により基板６を真空蒸着装置１から搬出し、他の真空蒸着装置１に搬入又は基板ストッカ室３に戻す。このような処理における基板６の搬出入おいて、各真空蒸着装置１の処理に影響を与えないように関連するゲート弁１０が制御される。

以下、本発明の実施例を、図を用いて内容を詳細に説明する。なお、本実施例では、ガラス基板６を縦置きし、蒸発させた蒸着材料を横方向に噴射する真空蒸着装置に関して記述するが、基板の向き、蒸発源からの蒸気の吹き出し方向によらず同様な効果が得られる。なお、ガラス基板に限らず樹脂材料やシリコンウエハ等の基板を用いても有機EL発光素子は製作できる。以下、単に基板という。

(実施例１)
図３は、第１の実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源７であって、本発明の第１の実施例の外観を示す模式図である。図４は、図３に示す蒸発レート調整機構７２の蒸発レート調整方法を示す図である。図５は、図３に示す蒸発部７１の概要を示す図である。図６は、図５における主として蒸発部７１の断面を詳細に示す図である。

実施例１の蒸発源７は、大別して、後述するノズル２１と坩堝１１とを備える蒸発部７１と、前記坩堝１１内の蒸気圧を調整する蒸発レート調整機構７２と、前記蒸気圧に基づいてノズル２１から放出される蒸発量を検出する厚膜検出部７３とを有する。厚膜検出部７３は、厚膜センサ７３ｓと、厚膜センサを蒸発部７１に固定するセンサ固定部７３ｈとを有する
蒸発部７１は、図５、図６に示すように、長手方向に蒸発した材料を基板６の方向へと放出させる複数のノズル２１及び蒸着材料２３を保持する材料室２２及びを備える坩堝１１と、該坩堝を加熱する図５の長手方向に所定幅を備えるヒータ２４とを有する。また、蒸発部７１は、該ヒータに対する対向面を備え、前記ヒータからの輻射熱を吸収し、坩堝１１との接触部分２５ａに熱を伝える伝熱板２５と、坩堝１１、ヒータ２４、伝熱板２５を内蔵するハウジング２６とを有する。坩堝１１のノズル側にはノズル２１と対向するように基板６を設置する。

ハウジング２６とヒータ２４、坩堝１１との間には、坩堝１１を効率的に保温するため、断熱手段を配しても良い。例えば、断熱手段としては、冷却水を流して冷却機能を持たせたものでも良いし、図６に示すように複数の非接触の平行平板で作られたリフレクタ２８を設けても良い。後者の場合、反射率の高い板厚の薄い平板が良い。さらに、吸着ノズル２１から噴射した蒸着材料２３が、ハウジング２６とリフレクタ２８との間及びリフレクタ２８と坩堝１１との間に流入しないようにする防着板２９を設けてもよい。

蒸発レート調整機構７２は、図６に示すように、蒸発部７１内のノズル２１の反対側に設けられ、坩堝１１から外部へ蒸発した材料を放出可能な開口部を備える余剰蒸気排出部７２ｄを有する。また、蒸発レート調整機構７２は、図３、図４に示すように、余剰蒸気排出部７２ｄの開口部７２ｗの開口面積を変える蒸気圧調整弁である回転弁７２ｂを備える蒸気圧制御部７２ｓと、回転弁を回転駆動する開口率駆動部(例えば、サーボモータ)７２ｍとを有する。さらに、蒸発レート調整機構７２は、厚膜センサ７３ｓの出力に基づいて、開口率駆動部７２ｍを駆動し、当該開口率を制御する蒸発レート制御部４０ｒを、図１に示す制御装置４０に有する。図４に示すように、蒸発レート制御部４０ｒは、開口率駆動部７２ｍに内在するサーボモータで回転軸７２ｊ、回転弁７２ｂを回転させて、開口率を決め、蒸発レートＲ[Å／ｓ]を制御する。図４(ａ)は開口率０％である状態を、図４(ｂ)は略開口率１００％である状態を示す。なお、図３における７２ｈｉは、蒸発レート調整機構７２を保持する保持板であり、７２ｈｂは保持板を蒸発部に支持する支持部である。

なお、蒸発部７１は、ヒータ２４により高温に熱せられた高温熱源である。従って、開口部７２ｗの開口面積を正確に制御すサーボ機能を有する開口率駆動部７２ｍを蒸発部７１からできるだけ遠ざけた方がよい。そのために、回転軸７２ｊはできる限り長い方がよい。

本実施形態では、ヒータ２４の温度を一定に保ち、即ち、坩堝１１内の蒸気発生量を一定にして、上述したように、余剰蒸気排出部７２ｄの開口部７２ｗの開口率を調整し、蒸発レート調整を行う。勿論、諸条件によりドリフト等に大幅な変化が起きた場合には、ヒータ２４の温度を調整してもよい。

次に、蒸発レート調整機構７２の動作による、蒸発レートＲ[Å／ｓ]の変化について検討する。ここでは、蒸発源７が、開口面積ＮＡｍｍ^２のノズル２１をＮ個、開口面積ＭＡｍｍ^２の開口部７２ｗをＭ個有し、開口部７２ｗのそれぞれの開口率Ｋｓｍとする。

まず、最大蒸発レートＲmaxを基準とすれば、Ｎ個の開口面積ＮＡｍｍ^２を有するノズル２１の総蒸発レートＲmax×Ｎを、Ｎ個のノズル２１とＭ個の開口部７２ｗとで分担するから、１個のノズル２１からの蒸気レートＲ[Å／ｓ]は、式(１)となる。

一方、最小蒸発レートＲminを基準とすれば、Ｎ個のノズル２１とＭ個の開口部７２ｗで分担して得られた総蒸発レートＲmin×(ＮＡ×Ｎ＋ＭＡ×Ｍ)を、Ｎ個のノズル２１とｍ個の開口部７２ｗとで分担するから、１個のノズル２１からの蒸気レートＲ[Å／ｓ]は、式(２)となる。

式(１)、式(２)のどちらも用いてもよいが、簡単な例として、ＮＡ＝ＭＡ、Ｎ＝Ｍ＝４及びＲmax＝２[Å／ｓ]の場合を考えると、式(３)となる。

図７は、式(３)をグラフ化したものである。横軸は４個の開口部７２ｗの全開口率を示す。従って、１は開口部７２ｗの１個分を１００％開口したことを示す。同様に２は、開口部７２ｗの２個分を１００％開口したことを示す。３、４は、以下同様である。

以上の構成によって、図３に示す厚膜センサ７３ｓで蒸発量を検出し、応答の遅いヒータ２４を温度制御することなく、図７を用いて所定の蒸発レートになるように、応答の速い開口部７２ｗの開口率を制御する。この結果、応答性が速くなるので、それだけ厚膜を均一に蒸着できる。
開口率の制御は、例えば、各余剰蒸気排出部７２ｄの４つの開口部７２ｗを均等に制御していてもよいし、３つの開口部７２ｗの開口率を所定の値にし、残りの一つの開口部７２ｗの開口率でフィードバック制御してもよい。後者については、例えば、目標値を１．５Å／ｓである場合に、４つのうち１つの開口部７２ｗを１００％の開口状態に、２つの開口部７２ｗを０％の閉口状態にし、残り１つの開口部７２ｗの開口率をフィードバック制御してもよい。この場合は、フィードバック制御の応答を速くするために、中心側に制御する開口部７２ｗを配置し、その他の開口部７２ｗを左右対称に配置してもよい。

以上説明した実施例１によれば、厚膜均一性を実現できる蒸発源を提供でき、実施例１の蒸発源を用い、厚膜均一性の高い成膜装置又は成膜方法を提供できる。

(実施例２)
図８は、第２の実施形態である２つの坩堝１１を有する蒸発源７Ａであって、本発明の第２の実施例を示す図である。図８(ａ)は蒸発源７Ａの外観を示す模式図である。図８(ｂ)は、図８(ａ)のＡ−Ａ断面図を示す図である。図８において、第１の実施例と同様な機能を有する構成については、同符号を付している。

実施例２は、実施例１と異なる点は次の３点である。

第１に、蒸発源７Ａは、一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源７とは異なり、独立した坩堝１１Ａを２つ有する点である。なお、坩堝は一つでも同様である。
第２に、坩堝内の蒸気圧調整するために、実施例１では、ノズル２１の反対側に設けた余剰蒸気排出部７２ｄの開口部７２ｗの開口率を制御したが、実施例２では、ノズル２１自体が余剰蒸気排出部であり、その先端の開口部の開口率を制御する。

第３に、実施例１では、余剰蒸気排出部７２ｄの開口部７２ｗの開口率を制御するために、蒸気圧制御部７２ｓ内の回転(制御)弁７２ｂを回転させる蒸発レート調整する蒸発レート調整機構７２で行った。一方、実施例２では、ノズル２１自体が余剰蒸気排出部であり、ノズル２１の先端の開口率を制御するために、蒸気圧調整弁として上下移動する上下弁７４ｂを用いて、蒸発レート調整する蒸発レート調整機構７４で行う。
蒸発レート調整機構７４は、蒸発部７１Ａの長辺方向に長い上下弁７４ｂと、蒸発部７１Ａの両端側に設けられた上下弁７４ｂを上下させる開口率駆動部であるアクチュエータ７４ａと、アクチュエータ７４ａの動作を上下弁７４ｂに伝達する伝達軸７４ｊとを有する。

このような実施例２によって、図３で示した厚膜センサ７３ｓで蒸発量を検出し、応答の遅いヒータ２４を温度制御することなく、実施例１と同様に、所定の蒸発レートになるように、応答の速い蒸発レート調整機構７４でノズル２１の開口率を制御する。この結果、応答性が速くなるので、それだけ厚膜を均一に蒸着できる。

以上説明した実施例２によれば、厚膜均一性を実現できる蒸発源を提供でき、実施例２の蒸発源を用い、厚膜均一性の高い成膜装置又は成膜方法を提供できる。

なお、実施形態２の蒸発源７１Ａに実施例１の蒸発レート調整機構７２を用いてもよい。また、その逆に、実施形態１の蒸発源７１に、実施例２の蒸発レート調整機構７４を適用してもよい。

(実施例３)
図９は、第１の実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源７であって、実施例１の蒸気圧制御部７２ｓから放出される蒸着材料２３の蒸気量を回収する蒸気量回収機構８０を設けた本発明の第３の実施例を示す図である。

蒸気量回収機構８０は、実施例１の蒸発部７１と同じ構造を有する回収用の蒸発部７１Ｂと、蒸発部７１の蒸気圧制御部７２ｓと蒸発部７１Ｂの蒸気圧制御部７２ｓとを結ぶ連結部８１とを有する。回収用の蒸発部７１Ｂでは、ヒータ２４を加熱せず流入してきた蒸気量を冷却し、坩堝１１内に回収する。なお、蒸発部７１Ｂではなく、単なる連結部８１に連結可能な回収ボックスでもよい。
確実に、放出蒸気量を蒸発部７１Ｂの坩堝１１内に回収するために、連結部８１にヒータを入れる、回収用の蒸発部７１Ｂの坩堝１１を冷却水等で強制冷却してもよい。

回収用の蒸発部７１Ｂは、例えば、蒸発部７１の蒸着材料２３がなくなった場合に、蒸着材料２３を追加して、蒸発部７１と入れ替わって使用することは可能である。
なお、回収用の蒸発部７１Ｂは、図２に示す蒸発源走査手段４３によって、蒸発部７１と共に上下移動可能になっている。

以上説明した実施例３によれば、回収用の蒸発部７１Ｂに蒸気圧制御部７２ｓから放出される蒸着材料２３の蒸気量を回収することで、無駄なく蒸発材料を使用できる。
また、以上説明した実施例３によれば、真空蒸着装置１を放出蒸気で汚染することなく、真空蒸着装置の除染時間を短縮でき、稼働率の高い成膜装置及び成膜方法を提供できる。

(実施例４)
図１０は、第１の実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源７であって、実施例１に蒸気圧制御部７２ｓから放出される蒸着材料２３の蒸気量を回収する蒸気量回収機構の第２の実施例８０Ａを設けた本発明の第４の実施例を示す図である。

蒸気量回収機構８０Ａは、蒸気圧制御部７２ｓから放出される蒸着材料２３の蒸気量を受け止め、蒸気量が固着しない、例えば流体に温度に保持されている回収板８２と、回収板８２から流体を回収し固体に冷却する回収ボックス８３とを有する。
なお、実施例４において、実施例３に示した連結部８１の一端を開放し、その開放端を回収板８２に近づけて回収率をあげてもよいし、また、その開放端を回収ボックス８３に直接接続してもよい。

以上説明した実施例４においても、蒸気圧制御部７２ｓから放出される蒸着材料２３の蒸気量を回収ボックス８３に回収し、再利用することができる。
また、以上説明した実施例４においても、真空蒸着装置１を放出蒸気で汚染することなく、真空蒸着装置の除染時間を短縮でき、稼働率の高い成膜装置及び真空蒸着方法を提供できる。

以上のように本発明の実施態様について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。

１；真空蒸着装置 ２：真空搬送室
３：基板ストッカ室 ５：真空搬送ロボット
６：基板 ７、７Ａ，７Ｂ：蒸発源
８：マスク ９：基板保持部
１０：ゲート弁 １１：坩堝
２１：ノズル ２２：材料室
２３：蒸着材料 ２４：ヒータ
２５：伝熱板 ２６：ハウジング
２８：リフレクタ ２９：防着板
４０：制御装置 ４０ｒ：蒸発レート制御部
４３：蒸発源走査手段 ７１、７１Ａ、７１Ｂ：蒸発部
７２：蒸発レート調整機構 ７２ｂ：回転(蒸気圧調整)弁
７２ｄ：余剰蒸気排出部 ７２ｊ：回転軸
７２ｍ：開口率駆動部 ７２ｓ：蒸気圧制御部
７２ｗ：余剰蒸気排出部の開口部 ７４；蒸発レート調整機構
７４ａ：開口率駆動部(アクチュエータ) ７４ｂ：上下(蒸気圧調整)弁
７４ｊ：伝達軸 ８０、８０Ａ：蒸気量回収機構
８１：連結部 ８２：回収板
８３：回収ボックス ９３：基板旋回駆動手段
１００：有機ＥＬデバイス製造装置

Claims (13)

1. 蒸発材料を収納する坩堝と、該坩堝から発生した蒸着材料の蒸気を外部に放出するノズルと、該坩堝、該ノズルを格納するケーシングを備え、前記ノズルから放出された前記蒸着材料を基板に成膜する蒸発源と、該基板と該蒸発源を内部に収納する真空蒸着装置と、を備える成膜装置において、
   前記蒸発源は、前記坩堝から発生した蒸着材料の蒸気を前記ケーシング外に所定量放出し、前記坩堝内の蒸気圧を調整する蒸気圧調整弁を備えることを特徴とする成膜装置。
2. 請求項１記載の成膜装置において、
   更に、前記蒸発源から放出される蒸着材料の蒸発量を検出する膜厚センサと、該膜厚センサの検出値に基づき、前記蒸気圧調整弁の動作を制御する蒸発レート調整機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。
3. 請求項１又は２記載の成膜装置において、
   前記蒸発レート調整機構は、開口部と該開口部の開口率を変える前記蒸気圧調整弁と、該蒸気圧調整弁を駆動する開口率駆動部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置において、
   前記蒸気圧調整弁は、該蒸気圧調整弁から放出された蒸着材料が前記基板に直接あたらない位置に設けられていることを特徴とする成膜装置。
5. 請求項1記載の成膜装置において、
   前記蒸気圧調整弁は、前記ノズルに設けられていることを特徴とする成膜装置。
6. 請求項１記載の成膜装置において、
   前記坩堝は、一方向に長手方向を有し、前記長手方向にライン状に設けられた複数の前記ノズルを備えることを特徴とする成膜装置。
7. 請求項1又は２記載の成膜装置において、
   前記蒸気圧調整弁から放出された前記蒸着材料の蒸気を回収する蒸気量回収機構を備えることを特徴とする成膜装置。
8. 請求項７記載の成膜装置において、
   前記蒸気量回収機構は、回収ボックスと、前記蒸気圧調整弁から放出される前記蒸着材料の蒸気を前記坩堝から前記ケーシング外部へ導く余剰蒸気排出部と、該収回収ボックスと余剰蒸気排出部とを結ぶ連結部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
9. 請求項７記載の成膜装置において、
   前記回収ボックスは、前記余剰蒸気排出部を備える前記蒸発部とは別の蒸発部であることを特徴とする成膜装置。
10. 請求項７記載の成膜装置において、
    前記蒸気量回収機構は、前記蒸気圧調整弁から放出された前記蒸着材料の蒸気を受け止め、当該蒸気が固着しない温度に保持されている回収板と、当該回収板から前記蒸気を回収し固体に冷却する回収ボックスとを備えることを特徴とする成膜装置。
11. 請求項１乃至３記載の成膜装置において、
    前記蒸発源を前記基板に沿って移動させる移動機構と、前記基板に一定の蒸着パターンを備えるマスクと、前記基板と前記マスクをアライメントするアライメント手段とを備えることを特徴とする成膜装置。
12. 坩堝内の温度一定にし、坩堝内の蒸着材料を蒸発させるステップと、
    前記蒸発した蒸気を、前記坩堝を囲むケーシング外に導き、前記導かれた前記蒸気の量を制御し、蒸発レート制御する蒸発レート制御ステップと、
    前記蒸気をノズルから基板に向けて蒸発させる蒸発ステップと、
    を備えることを特徴とする成膜方法。
13. 請求項１２記載の成膜方法において、
    前記蒸発レート制御ステップは、前記蒸気を前記ノズルとは反対方向に導くことを特徴とする成膜方法。

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