JP2013545276A - サブサンプリング方式を使用して装置起因の誤差を提供する方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、以下に挙げる出願(複数可)(「関連出願」)から最先の有効な出願日(複数可)の利益に関連し、かつ当該利益を主張するものである(たとえば、当該関連出願(複数可)の任意およびすべての親出願、祖父出願、曾祖父出願などの、仮特許出願以外の最先の優先日、または仮特許出願のための米国特許法第35条119(e)項に基づいて利益を主張するものである)。
Claims (23)
- 半導体表面を跨いで装置起因の誤差値を提供する方法であって、
ウエハのロットの少なくとも1つのウエハ上の装置起因の誤差(TIS)を、全知サンプリング・プロセスを介して測定することであって、前記全知サンプリング・プロセスは、前記少なくとも1つのウエハの各フィールドの各測定場所においてTISを測定することを含む、測定することと、
複数のサブサンプリング方式をランダムに生成することであって、それぞれの前記サブサンプリング方式でサンプリングされるフィールドの数は事前に選択され、ランダムに生成されたサブサンプリング方式の組のそれぞれは、サンプリングされたフィールドと同じ数を有し、サブサンプリング方式の前記数は事前に選択される、生成することと、
TISをそれぞれの前記ランダムに生成されたサブサンプリング方式のそれぞれの場所で測定することと、
前記ランダムに生成されたサブサンプリング方式のそれぞれから、前記TIS測定を利用して前記ランダムに生成されたサブサンプリング方式のそれぞれに対して、1組のTIS値を近似することであって、前記ランダムに生成されたサブサンプリング方式のそれぞれに対する、TIS値の各組は、ランダムに生成されたサブサンプリング方式の各場所で測定された前記TISを利用して、前記ランダムに生成されたサブサンプリング方式に含まれない各場所に対して、TIS値を近似するように構成された補間プロセスを利用して計算される、近似することと、
TIS値の前記計算された組のそれぞれを、前記全知サンプリング・プロセスの前記測定されたTISと比較することにより、選択されたサブサンプリング方式を決定することであって、前記サブサンプリング方式は、前記少なくとも1つのウエハの1組の測定場所を含む、決定することと、を含む方法。 - ウエハの後続のロットの少なくとも1つのウエハ上で後続のTIS測定を、前記生成された選択されたサブサンプリング方式の測定場所の前記組のそれぞれにおいて実行することと、
1つまたは複数の補間プロセスを利用して、ウエハの前記後続のロットの前記少なくとも1つのウエハの前記生成された選択されたサブサンプリング方式に含まれない1組の測定場所のそれぞれに対するTIS値を近似することと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 1つまたは複数の補間プロセスを利用して、ウエハの前記後続のロットの前記少なくとも1つのウエハの前記生成された選択されたサブサンプリング方式に含まれない1組の測定場所のそれぞれに対するTIS値を前記近似することは、
1つまたは複数の補間プロセスを利用して、ウエハの前記後続のロットの前記少なくとも1つのウエハの前記生成された選択されたサブサンプリング方式に含まれない1組の測定場所のそれぞれに対するTIS値を近似することであって、前記補間プロセスの一部は、以前の補間プロセスからの情報を組み込むように構成された、訓練可能なヒストリー・アルゴリズムを利用する、近似することを含む、請求項2に記載の方法。 - ウエハの後続のロットの少なくとも1つのウエハ上で後続のTIS測定を、前記生成された選択されたサブサンプリング方式の測定場所の前記組の1つまたは複数の測定場所において実行することと、
前記生成されたサブサンプリング方式の測定場所の前記組の前記1つまたは複数の測定場所から獲得された2つ以上のTIS値の平均を計算することと、
前記平均された2つ以上のTIS値を、前記生成された選択されたサブサンプリング方式の測定場所の前記組の1つまたは複数の測定場所のすべてに割り当てることと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - TIS値の前記計算された組のそれぞれを、前記全知サンプリング・プロセスの前記測定されたTISと比較することにより、選択されたサブサンプリング方式を前記生成することであって、前記サブサンプリング方式は、前記少なくとも1つのウエハの1組の測定場所を含む、前記生成することは、
TIS値の前記計算された組のそれぞれと、前記全知サンプリング・プロセスの前記測定されたTISとの差を計算することにより、選択されたサブサンプリング方式を生成することを含む、請求項1に記載の方法。 - TIS値の前記計算された組のそれぞれを、前記全知サンプリング・プロセスの前記測定されたTISと比較することにより、選択されたサブサンプリング方式を前記生成することであって、前記サブサンプリング方式は、前記少なくとも1つのウエハの1組のフィールド場所、および前記少なくとも1つのウエハの各フィールド内の1組の測定場所を含む、前記生成することは、
TIS値の前記計算された組のそれぞれと、前記全知サンプリング・プロセスの前記測定されたTISとの差を計算することにより、選択されたサブサンプリング方式を生成することであって、好ましいサブサンプリング方式は、前記全知サンプリング・プロセスの前記測定されたTISと事前に選択されたレベルより下の前記近似されたTISとの差を提供するように構成された、生成することを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記補間プロセスは、スプライン補間プロセス、多項式補間プロセス、またはニューラルネットワーク補間プロセスの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 複数のサブサンプリング方式を前記ランダムに生成することは、
モンテカルロ分析プロセスを含む、請求項1に記載の方法。 - 半導体表面を跨いで装置起因の誤差値を提供する方法であって、
装置起因の誤差(TIS)サブサンプリング方式を生成することであって、前記TISサブサンプリング方式は、1つまたは複数の統計的基準、サンプリング場所の選択された数、および半導体ウエハの表面を跨ぐTIS依存に対して、選択されたモデルタイプを利用することを定義され、前記TISサブサンプリング方式は、前記半導体ウエハの1組の測定場所を含む、生成することと、
前記生成されたTISサブサンプリング方式の前記測定場所のそれぞれでTISを測定することにより、TIS値の第1の組を決定することと、
補間プロセスを利用して、前記生成されたTISサブサンプリング方式に含まれない1組の場所のそれぞれに対して、TISを近似することにより、TIS値の第2の組を決定することであって、前記補間プロセスは、前記生成されたTISサブサンプリング方式に含まれない場所の前記組のそれぞれに対して、近似されたTIS値を計算するために、TIS値の前記第1の組を利用する、決定することと、を含む方法。 - 前記生成されたTISサブサンプリング方式は、ウエハのロットの半導体ウエハの利用可能なフィールドのサブセットを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記生成されたTISサブサンプリング方式は、ウエハのロットの半導体ウエハの各フィールド内の利用可能な測定場所の測定場所のサブセットを含む、請求項9に記載の方法。
- サンプリング場所の数は、ユーザによって選択可能である、請求項9に記載の方法。
- 半導体ウエハの表面を跨ぐTIS依存に対する前記モデルタイプは、ユーザによって選択可能である、請求項9に記載の方法。
- 前記生成されたTISサブサンプリング方式は、最適なサンプリング方式、向上されたサンプリング方式、または低減されたサンプリング方式の少なくとも1つを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記補間プロセスは、スプライン補間プロセス、多項式補間プロセス、またはニューラルネットワーク補間プロセス、またはウェーブレットベース補間プロセスの少なくとも1つを含む、請求項9に記載の方法。
- 半導体表面を跨いで装置起因の誤差値を提供する方法であって、
ウエハのロットの少なくとも1つのウエハ上のオーバーレイを、第1のウエハ方向で全知サンプリング・プロセスを介して測定することであって、前記全知サンプリング・プロセスは、前記少なくとも1つのウエハの各フィールドの各測定場所においてオーバーレイを測定することを含む、測定することと、
第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を同定することにより、サブサンプリング方式を生成することであって、前記サブサンプリング方式は、前記少なくとも1つのウエハの1組の測定場所を含む、生成することと、
前記サブサンプリング方式の前記測定場所のそれぞれにおける前記第1のウエハ方向に対して、180度回転された第2のウエハ方向において、前記少なくとも1つのウエハ上のオーバーレイを測定することと、
前記第1のウエハ方向で測定された前記オーバーレイ、および前記第1のウエハ方向に対して180度回転された前記第2のウエハ方向で測定された前記オーバーレイを利用して、前記サブサンプリング方式の測定場所の前記組に対して装置起因の誤差(TIS)値の第1の組を決定することと、
補間プロセスを利用して、前記生成されたサブサンプリング方式に含まれない、前記少なくとも1つのウエハの1組の測定場所のそれぞれに対して、TISを近似することによりTIS値の第2の組を決定することであって、前記補間プロセスは、前記生成されたTISサブサンプリング方式に含まれない場所の前記組のそれぞれに対して、近似されたTIS値を計算するために、TIS値の前記第1の組を利用する、決定することと、を含む方法。 - 前記補間プロセスは、スプライン補間プロセス、多項式補間プロセス、またはニューラルネットワーク補間プロセスの少なくとも1つを含む、請求項16に記載の方法。
- 第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を前記同定することは、
第1のオーバーレイ値と最大オーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を同定することであって、前記最大オーバーレイ値は、前記少なくとも1つのウエハに対して測定された前記最大オーバーレイ値である、同定することを含む、請求項16に記載の方法。 - 第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を前記同定することは、
前記全知サンプリング・プロセス内で測定された前記測定場所の最も大きいオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を同定することであって、前記最も大きいオーバーレイ値を有する測定場所の前記組は、測定場所の選択された数を含む、同定することを含む、請求項16に記載の方法。 - 第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を前記同定することは、
第1のオーバーレイ値と最小のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を同定することであって、前記最小のオーバーレイ値は、前記少なくとも1つのウエハに対して測定された前記最小のオーバーレイ値である、同定することを含む、請求項16に記載の方法。 - 第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を前記同定することは、
前記全知サンプリング・プロセス内で測定された前記測定場所の最も小さいオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を同定することであって、前記最も小さいオーバーレイ値を有する測定場所の前記組は、測定場所の選択された数を含む、同定することを含む、請求項16に記載の方法。 - 第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を前記同定することは、
第1のオーバーレイ値と第2のオーバーレイ値との間にオーバーレイ値を有する、1組の測定場所を同定することであって、前記第1のオーバーレイ値および前記第2のオーバーレイ値は、オーバーレイ値の範囲を画定し、オーバーレイ値の前記範囲は、中間のオーバーレイ値を含む、同定することを含む、請求項16に記載の方法。 - 半導体表面を跨いで装置起因の誤差値を提供する方法であって、
ウエハのロットの少なくとも1つのウエハ上のオーバーレイを、第1のウエハ方向で全知サンプリング・プロセスを介して測定することであって、前記全知サンプリング・プロセスは、前記少なくとも1つのウエハの各フィールドの各測定場所においてオーバーレイを測定することを含む、測定することと、
プロセスツール修正値の第1の組を、前記全知サンプリング・プロセスを介して測定された、前記オーバーレイの1つまたは複数の結果を利用して生成することであって、プロセスツール修正値の前記第1の組は、前記少なくとも1つのウエハの各フィールドの各測定場所に対して、計算されたプロセスツール修正値を含み、前記少なくとも1つのウエハの分析された測定場所に関連した、プロセスツール修正値の前記第1の組のプロセスツール修正値は、前記少なくとも1つのウエハのすべての測定場所の前記測定されたオーバーレイを使用して計算される、生成することと、
プロセスツール修正値の第2の組を、前記全知サンプリング・プロセスを介して測定された、前記オーバーレイの1つまたは複数の結果を利用して生成することであって、プロセスツール修正値の前記第2の組は、前記少なくとも1つのウエハの各フィールドの各測定場所に対して、計算されたプロセスツール修正値を含み、前記少なくとも1つのウエハの分析された測定場所に関連した、プロセスツール修正値の前記第2の組のプロセスツール修正値は、前記分析された測定場所を除いて、前記少なくとも1つのウエハのすべての測定場所の前記測定されたオーバーレイを使用して計算される、生成することと、
プロセスツール修正値の前記第1の生成された組を、プロセスツール修正値の前記第2の生成された組と比較することにより、サブサンプリング方式を生成することであって、前記サブサンプリング方式は、1組の測定場所を含み、前記サブサンプリング方式の測定場所の前記組は、選択された数のサブサンプリング測定場所を含み、プロセスツール修正値の前記第1の生成された組と、プロセスツール修正値の前記第2の生成された組との間の最も大きい差を有する、前記少なくとも1つのウエハの前記選択された数の測定場所は、前記サブサンプリング方式の測定場所の前記組を形成する、生成することと、
前記生成されたサブサンプリング方式の前記測定場所のそれぞれにおいて、前記第1のウエハ方向に対して180度回転された第2のウエハ方向において、前記少なくとも1つのウエハ上のオーバーレイを測定することと、
前記第1のウエハ方向で測定された前記オーバーレイ、および前記第1のウエハ方向に対して180度回転された前記第2のウエハ方向で測定された前記オーバーレイを利用して、前記サブサンプリング方式のサブサンプリング測定場所の前記組に対して、装置起因の誤差(TIS)値の第1の組を決定することと、
補間プロセスを利用して、前記生成されたサブサンプリング方式に含まれない、前記少なくとも1つのウエハの1組の測定場所のそれぞれに対して、TISを近似することにより、TIS値の第2の組を決定することであって、前記補間プロセスは、前記生成されたTISサブサンプリング方式に含まれない場所の前記組のそれぞれに対して、近似されたTIS値を計算するために、TIS値の前記第1の組を利用する、決定することと、を含む方法。
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