JP2013542537A - 多数の接触点の真の座標を判定するタッチ装置、及びその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多数の接触点の真の座標を判定するためのタッチ装置が提供される。
【解決手段】多数の接触点の真の座標を判定するためのタッチ装置は、複数の電極と、前記電極に接続されており、前記未処理の座標から前記多数の接触点のゴースト座標を除外して、前記多数の接触点の前記真の座標を出力するための、通常走査回路及び分割走査回路を有する走査回路と、を含む。タッチ装置上の多数の接触点の真の座標を判定する方法も提供されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、タッチ装置に関し、特に、多数の接触点の真の座標を判定するためのタッチ装置及びその方法に関する。

最近、２０年間、タッチ技術は、現金自動預払出機（ＡＴＭｓ）のタッチスクリーン、ラップトップコンピュータのトラックパッド、メディアプレーヤーのスクロールウィールのような、多様なコンシューマアプリケーションに応用されている。これらのコンシューマアプリケーションにおいて、タッチ装置の表面に沿って指やスタイラスのような物体がタッチ装置に内蔵されたタッチセンサにより検出され、次の処理に対して電気信号が生成される。

抵抗検出型、容量検出型、音波検出型、光検出型などの多くの接触検出型が存在する。容量検出型では、タッチセンサが金属や人体などの導電性物体の接近による容量変化を検出することで位置を検知する。容量性タッチセンサは、投影容量性センサと表面容量性センサとに分類される。投影容量性センサは、格子状の電極パターンを含み、一方、表面容量性センサは連続する導電性シートの周辺に形成された電極を含む。

図１ａ及び図１ｂは、従来の投影型静電容量式タッチ装置を示している。この投影型静電容量式タッチ装置は、第１方向に配置された複数の第１電極２と、第２方向に配置された複数の第２電極３と、絶縁体４と、基板５と、複数の配線６と、プロセッサ７と、を有している。複数の第１電極２及び複数の第２電極３は、互いに交差し、基板５上に配置された格子パターンを形成している。絶縁体４は、複数の第１電極２と複数の第２電極３との間に挟まれている。プロセッサ７は、配線６により複数の第１電極２及び複数の第２電極３に接続されている。指やスタイラスのような導電性物体が投影型静電容量式タッチ装置１の表面上に接触あるいは移動すると、第１電極２及び第２電極３の自己容量の変動がプロセッサ７に伝達され、そして、プロセッサ７により処理される。自己容量の変動の中心は、投影型静電容量式タッチ装置１における第１方向及び第２方向の接触点の位置を示している。接触点の座標は、第１方向及び第２方向における中心を交差させることで算出される。換言すると、従来の接触点の検出方法においては、（ａ）第１電極２及び第２電極３を走査し、（ｂ）第１方向及び第２方向における自己容量の変動の中心を算出し、（ｃ）その中心に基づいて接触点の座標を算出する。

図２は、２つ接触点Ｇ、Ｈが投影型静電容量式タッチ検出装置１の表面に生じたとき、２つの中心軌跡８ａ、８ｂが第１電極２上で算出され、一方、２つの中心軌跡９ａ、９ｂが第２電極３上で算出されることを示している。このように、４つの未処理の座標Ｇ（８ａ、９ａ）、Ｇ'（８ａ、９ｂ）、Ｈ'（８ｂ、９ａ）、Ｈ（８ｂ、９ｂ）が４つの中心軌跡８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂに基づいて生成される。しかし、これら４つの未処理座標のうち、２つの未処理座標のみが２つの接触点Ｇ、Ｈを示す真の座標である。他の２つの未処理座標は、"ゴースト座標"として定義され、それは所謂"ゴースト点"の座標である。

結果として、従来の投影型静電容量式タッチ装置１が多数点を判定する際に、ゴースト座標は、従来の投影型静電容量式タッチ検出装置のその判定処理において不可避的に発生し、そのことが、多数の接触点を判定する従来の投影型静電容量式タッチ装置の適用及び動作を制限している。したがって、上述したタッチ装置上で多数の接触点を判定する処理過程でゴースト座標を排除する必要がある。

本開示の目的は、多数の接触点を判定するためのタッチ装置を提供することであり、当該装置は接触点の未処理の座標からゴースト座標を除外し真の座標を判定できる。

多数の接触点の真の座標を決定するためのタッチ装置は、複数の電極と、前記電極に接続された通常走査回路及び分割走査回路を有する走査回路と、を含む。通常走査回路は、多数の接触点の未処理の座標を検出するための電極を走査するために使用されている（ここで、"通常走査回路"として述べられている）。一方、分割走査回路は、前記多数の接触点の前記未処理の座標から前記多数の接触点のゴースト座標を除外し前記多数の接触点の前記真の座標を判定するために、電極を、第１Ａ電極、第１Ｂ電極、第２Ａ電極、及び第２Ｂ電極から選択された２つの分離した部分に分割することにより、電極部分を走査することに用いられている（ここで、"分割走査回路"として述べられている）。

本開示の他の目的は、多数の接触点の真の座標を判定する方法を提供することである。

多数の接触点の真の座標を判定する方法は、（ａ）通常走査回路により、第１方向及び第２方向の両方で複数の電極を走査して前記接触点の未処理の座標を検出し、（ｂ）分割走査回路により、前記電極を走査して前記未処理の座標における前記接触点の真の座標を判定する、ことを含む。

本開示により、タッチ装置は、多数の接触点を判定する処理中に、ゴースト座標を除外し真の座標を出力することができ、従来のタッチ装置の障害を克服することができる。

当業者は下記図面が説明目的のみであることを理解するであろう。図面はいずれにしても本教示の範囲を制限する意図はない。同様に、符号がいくつかの概観に渡って、部分に対応させて明示されている。
従来の投影型静電容量式タッチ装置の概略的な上視である。 図１ａの線Ａ−Ａに沿った概略的な断面視である。 図１ａ及び図１ｂの従来の投影型静電容量式タッチ装置の上に現れる２つの接触点の概略視である。 本開示の第１実施形態に従ったタッチ装置の概略的な回路図である。 図３ａのタッチ装置の概略的な断面視である。 本開示の第２実施形態に従ったタッチ装置の概略的な回路図である。 図４ａのタッチ装置の概略的な断面視である。 本開示の第１実施形態に従った多数の接触点の真の座標を判定する方法を示すフローチャートである。 ２つの隣接する電極領域に生じる２つの接触点の概略視である。 ２つの隣接する電極領域に生じる２つの接触点の概略視である。 ２つの隣接する電極領域に生じる２つの接触点の概略視である。 ２つの対角の電極領域に生じる２つの接触点の概略視である。 ２つの対角の電極領域に生じる２つの接触点の概略視である。 同一の電極上に生じる２つの接触点の概略視である。 本開示の第２実施形態に従った多数の接触点の真の座標を判定する方法を示すフローチャートである。。

図３ａ及び３ｂは、本開示の第１実施形態に従った多数の接触点の真の座標を判定するためのタッチ装置１００を示している。タッチ装置１００は、基板１１０と、第１方向Ｘに配置された複数の第１電極１２０と、第２方向Ｙに配置された複数の第２電極１３０と、絶縁層１４０と、プロセッサ１５０と、複数の配線１７０と、複数のスイッチ１６１、１６２、１６３、１６４と、を有している。第１電極１２０は、基板１１０上に設けられている。第１方向Ｘは第２方向Ｙと相違している。第１電極１２０及び第２電極１３０は、絶縁層１４０に向かい合って配置されている。これにより、第１電極１２０は第２電極１３０と絶縁される。第１電極１２０は第２電極１３０と交差し、複数の交差点を画定している。絶縁層１４０は、実質的に平面である。さらに、各第１電極１２０は、第１方向Ｘに互いに間隔を空けて離れた２つの分離した電極部に分割されており、それらは第１Ａ電極１２１と第１Ｂ電極１２２である。各第２電極１３０は、第２方向Ｙに互いに間隔を空けて離れた２つの分離した電極部に分割されており、それらは第２Ａ電極１３１と第２Ｂ電極１３２である。したがって、第１Ａ電極１２１は第２Ａ電極１３１と交差し、第１電極領域Ｑ１を画定する。同様に、第１Ｂ電極１２２は第２Ａ電極１３１と交差し、第１電極領域Ｑ２を画定する。第１Ａ電極１２１は第２Ｂ電極１３２と交差し、第１電極領域Ｑ３を画定する。第１Ｂ電極１２２は第２Ｂ電極１３２と交差し、第１電極領域Ｑ４を画定する。スイッチ１６１は、第１Ａ電極１２１とプロセッサ１５０とを相互に接続する。スイッチ１６２は、第１Ｂ電極１２２とプロセッサ１５０とを相互に接続する。スイッチ１６３は、第２Ａ電極１３１とプロセッサ１５０とを相互に接続する。スイッチ１６４は、第２Ｂ電極１３２とプロセッサ１５０とを相互に接続する。タッチ装置１００は、更に、通常走査回路と分割走査回路とを有する走査回路（不図示）を備えている。これら２つの走査回路は、両方とも、多数の接触点がタッチ装置１００上に生じたときに、第１電極１２０及び第２電極１３０を走査するために用いられる。

スイッチ１６１、１６２、１６３、１６４は、走査回路により制御される。全スイッチ１６１、１６２、１６３、１６４がオフ状態となり、走査信号が電極に伝達されると、走査信号は、第１Ａ電極１２１及び第１Ｂ電極１２２の両方に伝達され、その結果、第１Ａ電極１２１及び第Ｂ電極１２２は一体で全体の構成である第１電極１２０として機能する。同様に、走査信号が第２Ａ電極１３１及び第２Ｂ電極１３２の両方に伝達されると、その結果、第２Ａ電極１３１及び第２Ｂ電極１３２は一体で全体の構成である第２電極１３０として、機能する。このとき、通常走査回路は、第１電極１２０及び第２電極１３０の走査を開始する。

第１Ａ電極１２１に接続されたスイッチ１６１がオフ状態となり、スイッチ１６２、１６３、１６４がオン状態になると、分割走査回路は第１Ａ電極１２１の走査を開始する。第１Ｂ電極１２２に接続されたスイッチ１６２がオフ状態となり、スイッチ１６１、１６３、１６４がオン状態になると、分割走査回路は第１Ｂ電極１２２の走査を開始する。第１Ａ電極１３１に接続されたスイッチ１６３がオフ状態となり、スイッチ１６１、１６２、１６４がオン状態になると、分割走査回路は第２Ａ電極１３１の走査を開始する。第２Ｂ電極１３２に接続されたスイッチ１６４がオフ状態となり、スイッチ１６１、１６２、１６３がオン状態になると、分割走査回路は第２Ｂ電極１３２の走査を開始する。

多様な設計要求を満たすために、第１Ａ電極１２１、第１Ｂ電極１２２、第２Ａ電極１３１及び第２Ｂ電極１３２は、異なる形態を有しいる。例えば、第１Ａ電極１２１は、第１Ｂ電極１２２に対して対称となっており、一方、第２Ａ電極１３１は、第２Ｂ電極１３２に対して対称となっている。このように、電極領域Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、相互に対称となっている。別の例では、第１Ａ電極１２１は第１Ｂ電極１２２に対して対称でなく、また、第２Ａ電極１３１は第１Ｂ電極１３２に対して対称でない。このように、４つの電極領域Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は相互に対称となっていない。

図４ａ及び４ｂは本開示の第２実施形態に従った多数の接触点の真の座標を判定するためのタッチ装置２００を示している。本開示の第１実施形態に従ったタッチ装置１００と同様に、タッチ装置２００は、基板２１０と、第１方向Ｘに配置された複数の第１電極２２０と、第２方向Ｙに配置された複数の第２電極２３０と、複数の絶縁要素２４０と、プロセッサ２５０と、複数の配線２７０と、複数のスイッチ２６１、２６２、２６３、２６４とを有している。相違点は、第１電極２２０及び第２電極２３０が両方とも基板２１０の同一表面に配置されていることである。第１電極２２０を第２電極２３０から絶縁するために、絶縁要素２４０は、２つの第１及び第２電極２２０、２３０の交差点で、第１電極２２０及び第２電極２３０の間に位置している。さらに、各第１電極２２０は、第１方向Ｘにおける第１Ａ電極２２１及び第１Ｂ電極２２２である、２つの別の電極部分に分割される。一方、各第２電極２３０は、第２方向Ｙにおける第２Ａ電極２３１及び第２Ｂ電極２３２である、２つの別の電極部分に分割される。本開示の第２実施形態に従ったタッチ装置２００の他の構成要素は、上述したタッチ装置１００の構成要素と同一である。

第１電極及び第２電極の形状は、ストライプや多角形などの、いずれかの幾何学的な外形、あるいは、異なる幾何学的な外形の組み合わせであってもよい。

本開示において、第１方向Ｘにおける少なくとも２つの第１電極、及び第２方向Ｙにおける少なくとも２つの第２電極が存在することが理解できる。本開示において、タッチ装置の分解能及びサイズは電極の数に影響する主要な要素である。一般に、分解能が高く、サイズが大きいとより多くの電極を必要とする。

本開示のタッチ装置は多様な装置に適用され、例えば、ラップトップコンピュータのタッチパッド、それが透明の場合、例えば、セルホンのタッチスクリーン、本開示のタッチ装置は不透明かもしれない。第１電極及び第２電極は導電性材料から形成され、一方、絶縁層及び絶縁要素は絶縁材料から形成される。不透明な導電性材料は銅、アルミナ、金及び他の金属から選択することができる。一方、透明な導電性材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウムドープ亜鉛酸化物、等である可能性がある。絶縁材料は、プラスチック、ガラスなどである可能性がある。

少なくとも２つの接触点が本開示の多数の接触点の真の座標を判定するタッチ装置の表面上に出現したとき、タッチ装置の真の座標を、図５に示す多数の接触点の真の座標を判定する方法を用いることで、判定することができる。投影型静電容量式タッチ装置の表面上に現れた２つの接触点の状態は、図６ａから６ｃを参照して、一例が挙げられている。その処理は、タッチ装置が待機状態であるステップ１０で開始する。２つの接触点Ａ及びＢがタッチ装置の表面上の２つの隣接する電極領域で生じると、その処理はステップ１１に移行する。

ステップ１１において、全スイッチは、オフ状態となり、そして、プロセッサは夫々走査信号を配線を介して第１電極及び第２電極に供給する。通常走査回路は、第１方向Ｘの第１電極及び第２方向Ｙの第２電極を走査する。２つの接触点Ａ、Ｂに起因する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙ両方の自己容量における変動を表す信号は、プロセッサ１５０に伝達される（図３ａに図示）。

ステップ１２が実行され、このステップでは、ステップ１１で生成された自己容量における変動を表す信号に基づいて、第１方向Ｘにおける２つの接触点Ａ、Ｂに対応する自己容量の変動の中心（セントロイド）ｘ１、ｘ２、及び、第２方向Ｙにおける２つの接触点Ａ、Ｂに対応する自己容量の変動の中心ｙ１、ｙ２が、プロセッサ１５０により算出される。第２Ａ電極１３１及び第２Ｂ電極１３２の位置に従って、プロセッサ１５０は、中心ｙ１が第２Ａ電極１３１上にあり、かつ、中心ｙ２が第２Ｂ電極１３２上にあることを判定する。図６ａを参照して、中心ｘ１、ｘ２、ｙ１、ｙ２を交差させることで、４つの未処理の座標ａ（ｘ１、ｙ１）、ｂ（ｘ２、ｙ２）、ａ'（ｘ１、ｙ２）、及びｂ'（ｘ２、ｙ１）は算出される。

ステップ１３において、１つの中心だけを第１方向Ｘ又は第２方向Ｙの一方で算出するかを判定する。仮に算出しない場合、処理はステップ１４に移行し、このステップでは、１つのグループに属するものとして、これら４つの未処理座標の２つの対角にある座標を画定する。このようにして、未処理の座標の２つのグループ、例えば、一方のグループにａ（ｘ１、ｙ１）、ｂ（ｘ２、ｙ２）、もう一方のグループにａ'（ｘ１、ｙ２）、ｂ'（ｘ２、ｙ１）、を導き出す。ゴースト座標が存在することから、２つのグループのうちの一方における未処理座標は真の座標であり、他方のグループにおける未処理座標はゴースト座標である。

ステップ１５において、第１Ａ電極１２１に接続されたスイッチのみがオフ状態となり、他のスイッチがオン状態になり、そして、プロセッサ１５０は配線を介して走査信号を第１Ａ電極１２１に送信する。図６ｂを参照して、分割走査回路は、第１Ａ電極１２１を走査する。接触点に起因した自己容量における変動を表す信号は、プロセッサ１５０に送信される。プロセッサ１５０は、プロセッサ１５０に送信される信号に基づいて、自己容量における変動の中心を算出する。

ステップ１６において、ステップ１５において算出された中心が１つの中心だけであるかを判定し、そうでない場合は処理をステップ１７に移行する。

ステップ１７において、第２Ａ電極１３１に接続されたスイッチのみがオン状態となり、他のスイッチはオフ状態となり、そして、プロセッサは配線を介して走査信号を第２Ａ電極１３１に送信する。図６ｃを参照して、分割走査回路は第２Ａ電極１３１を走査する。接触点に起因した自己容量における変動を表す信号は、プロセッサに送信される。プロセッサ１５０は、プロセッサ１５０に送信される信号に基づいて、自己容量における変動の中心を算出する。

ステップ１７の後、１つの中心ｘ１のみが算出される。さらに、ステップ１２において算出された中心ｙ１のみが第２Ａ電極１３１上に存在する。このように、未処理座標ａ（ｘ１、ｙ１）は真の座標であり、かつ、その対角の座標ｂ（ｘ２、ｙ２）と同一のグループに属する。したがって、真の座標ａ（ｘ１、ｙ１）を含むステップ１４における未処理座標ａ（ｘ１、ｙ１）及びｂ（ｘ２、ｙ２）のグループは、２つの接触点Ａ、Ｂの真の座標である。プロセッサ１５０は、ステップ１８において、真の座標ａ（ｘ１、ｙ１）及びｂ（ｘ２、ｙ２）を出力する。

図７ａ及び７ｂは、２つの接触点Ｃ、Ｄが２つの対角の電極領域に生じていることを示している。ステップ１２において、第１Ａ電極１２１及び第１Ｂ電極１２２の位置及び定義にしてがって、プロセッサ１５０は、中心ｘ３が第１Ａ電極１２１上にあり、かつ中心ｘ４が第１Ｂ電極１２２上にあることを判定することができる。この状態で、図５の処理のステップ１６における判定結果は、ステップ１５において１つの中心ｙ３のみが算出されることである。未処理の座標ｃ（ｘ３、ｙ３）、ｄ（ｘ４、ｙ４）及びｃ'（ｘ３、ｙ４）、ｄ'（ｘ４、ｙ３）の２つのグループにおいて、真の座標ｃ（ｘ３、ｙ３）を含む未処理の座標ｃ（ｘ３、ｙ３）及びｄ（ｘ４、ｙ４）のグループは、２つの接触点Ｃ、Ｄの真の座標である。ステップ１６の後、処理は直接的にステップ１８に移行する。そのステップにおいて、プロセッサ１５０は、真の座標ｃ（ｘ３、ｙ３）及びｄ（ｘ４、ｙ４）を出力する。

図８は、２つの接触点Ｅ、Ｆが同一の電極に生じることを示している。この状態で、図５における処理のステップ１３の判定結果、１つの中心ｙ５のみが算出され、それは、ステップ１２において２つの未処理座標ｅ（ｘ５、ｙ５）及びｆ（ｘ６、ｙ６）のみが算出されることを示している。このように、これら２つの未処理座標は、２つの接触点Ｅ、Ｆの真の座標である。ステップ１３の後、処理は直接的にステップ１８に移行する。そのステップでは、プロセッサは真の座標ｅ（ｘ５、ｙ５）及びｆ（ｘ６、ｙ６）を出力する。

多数の接触点の真の座標を続く実行に対する制御装置あるいは表示装置へ出力することができ、それは本開示では制限されない。

走査回路の多様な設計により、分割走査回路は、走査された電極がオフ状態で、かつその他の電極に接続されたスイッチがオン状態である状態で、第１又は第２電極いずれも夫々走査してもよい。１つ以上の中心が算出された場合、分割走査回路は異なる方向の他の電極を走査することにより、その処理を繰り返す。例えば、ステップ１５において、第１Ｂ電極はオフ状態であり、分割走査回路は第１Ｂ電極を走査し、その他の電極はオン状態となっている。２つの中心が算出される場合、ステップ１７において、第２Ｂ電極に接続されたスイッチはオフ状態であり、かつ分割走査回路は第２Ｂ電極を走査し、その他の電極はオン状態となっている。多数の接触点の真の座標は、図９で説明した方向を用いることで判定することもできる。図５に示す方法と同様に、ステップ２０からステップ２３までの処理はステップ１０からステップ１３までの処理と同一である。それにもかかわらず、２つの中心が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方において算出されたとき、プロセッサは未処理の座標を分割しない。しかし、ステップ２４のように、分割走査回路は、全電極、第１Ａ電極、第１Ｂ電極、第２Ａ電極及び第２Ｂ電極を、いずれ順でも、電極に接続されたスイッチが走査されオフ状態であり、他のスイッチがオン状態で、走査し、真の座標を直接的に見つけ出す。ステップ２４の後、ステップ２５において、プロセッサは真の座標を出力する。

上述したプロセッサは、走査部、計算部、及び出力部を有している。走査部は走査信号を電極に供給し、電極の走査中に生成される電気信号を受信する。その信号は電極の自己容量における変動を表している。計算部は、中心を算出し投影を算出する機能を有している。接触点の真の座標のような、計算部により算出された結果は、出力部により出力される。

上述した２つの接触点の真の座標を判定する方法は、２つ以上の接触点の真の座標を判定るために利用することもできる。通常走査回路は、第１方向及び第２方向の両方における複数の電極を走査し、上記接触点の未処理の座標を検出する。そして、そのとき、分割走査回路は、上記電極を走査し、上記未処理の座標から上記接触点の真の座標を判定する。

上述した多数の接触点のうち１つは少なくとも第１電極及び第２電極の交差点上に位置する。

いくつかの実施形態が示され、説明されているが、本発明の精神及び範囲から逸脱しない範囲で変更及び代替えをおこなってもよい。したがって、本開示は実例により説明されており、限定されないということが理解できる。

Claims (20)

1. 多数の接触点の真の座標を判定するためのタッチ装置であって、
   複数の電極と、
   前記電極に接続され、前記電極を走査して前記多数の接触点の未処理の座標を求める通常走査回路と、前記電極を走査して前記多数の接触点の前記未処理の座標から前記多数の接触点のゴースト座標を除外する分割走査回路とを有する走査回路と、
   を備える、タッチ装置。
2. 請求項１記載のタッチ装置であって、
   前記電極は、第１方向に配置された複数の第１電極と、第２方向に配置された複数の第２電極と、を備え、前記第１方向は前記第２方向と交差している、タッチ装置。
3. 請求項２記載のタッチ装置であって、
   各前記第１電極は、第１Ａ電極と、前記第１Ａ電極から間隔を空け離れている第１Ｂ電極と、を備え、
   各前記第２電極は、第２Ａ電極と、前記第２Ａ電極から間隔を空け離れている第２Ｂ電極と、を備えている、タッチ装置。
4. 請求項３記載のタッチ装置であって、
   前記第１Ａ電極及び前記第１Ｂ電極は、前記第２Ａ電極及び前記第２Ｂ電極と交差し、複数の交差点及び電極領域を画定する、タッチ装置。
5. 請求項３記載のタッチ装置であって、
   前記第１Ａ電極、前記第１Ｂ電極、前記第２Ａ電極および前記第２Ｂ電極に接続されたプロセッサを更に備える、タッチ装置。
6. 請求項５記載のタッチ装置であって、
   前記走査回路は、更に、前記第１Ａ電極、前記第１Ｂ電極、前記第２Ａ電極、及び前記第２Ｂ電極を前記プロセッサに夫々接続する複数のスイッチを備える、タッチ装置。
7. 請求項２記載のタッチ装置であって、
   前記第１電極は前記第２電極から絶縁されている、タッチ装置。
8. 請求項７記載のタッチ装置であって、
   前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれた絶縁層を更に備える、タッチ装置。
9. 請求項７記載のタッチ装置であって、
   前記第１電極及び前記第２電極の交差点に位置する複数の絶縁要素を更に備える、タッチ装置。
10. 請求項１記載のタッチ装置であって、
    前記電極は、透明な導電性材料で形成されている、タッチ装置。
11. 請求項１記載のタッチ装置であって、
    前記電極は金属で形成されている、タッチ装置。
12. 多数の接触点の真の座標を判定するための方法であって、
    （ａ）通常走査回路により、第１方向及び第２方向の両方で複数の電極を走査して、前記多数の接触点の未処理の座標を検出し、
    （ｂ）分割走査回路により、前記電極を走査して前記未処理の座標における前記多数の接触点の真の座標を判定する、方法。
13. 請求項１２記載の方法であって、
    前記電極は、第１方向に配置された複数の第１電極と、第２方向に配置された複数の第２電極と、を備え、
    前記ステップ（ａ）において、
    前記第１方向及び第２方向の両方で前記多数の接触点に対応する前記電極の自己容量における変動の中心を算出し、
    前記中心を交差させることにより前記多数の接触点の未処理の座標を算出する、タッチ装置。
14. 請求項１３記載の方法であって、
    各前記第１電極は、第１Ａ電極と、前記第１Ａ電極から間隔を空けて離れた第１Ｂ電極と、を備えており、
    各前記第２電極は、第２Ａ電極と、前記第２Ａ電極から間隔を空けて離れた第２Ｂ電極と、を備えており、
    前記ステップ（ａ）は、更に、第１方向Ｘ又は第２方向Ｙのいずれかで１つの中心のみが算出されたかを判定し、仮にその場合、未処理の座標は真の座標であり、仮にそうでない場合、前記ステップ（ａ）において、少なくとも２つの前記中心は前記第１方向及び前記第２方向の両方で算出されたとき、前記未処理の座標は２つのグループに分割され、前記ステップ（ｂ）に移行する、方法。
15. 請求項１４記載の方法であって、
    前記ステップ（ｂ）は、更に、
    （ｂ１）前記分割走査回路により、前記第１Ａ電極を走査し、前記第１Ａ電極上の自己容量における変動の中心を算出し、
    （ｂ２）前記分割走査回路により、前記第２Ａ電極を走査し、前記ステップ（ｂ１）で少なくとも２つの前記中心が算出されたとき前記第２Ａ電極上の自己容量における変動の中心を算出し、
    （ｂ３）前記ステップで前記中心を有する未処理の座標の前記グループを出力し、
    （ｂ２）前記多数の接触点の真の座標とする、
    ステップを備える、方法。
16. 請求項１５記載の方法であって、
    前記ステップ（ｂ１）は、前記分割走査回路により、複数の第１Ｂ電極を走査し、前記第１Ｂ電極の自己容量における変動の中心を算出することを備える、方法。
17. 請求項１５記載の方法であって、
    前記ステップ（ｂ２）は、前記分割走査回路により、複数の第２Ｂ電極を走査し、前記第２Ｂ電極の自己容量における変動の中心を算出することを備える、方法。
18. 請求項１４記載の方法であって、
    前記ステップ（ｂ）は、更に、
    （ｂ１）前記分割走査回路により、複数の第１Ａ電極を走査し、前記第１Ａ電極の自己容量における変動の中心を算出し、
    （ｂ２）前記ステップにおいて、前記中心を有する未処理の座標の前記グループを出力し、
    （ｂ１）前記ステップ（ｂ１）で１つの中心のみを算出したとき、前記多数の接触点の真の座標とする、
    ステップを備える方法。
19. 請求項１８記載の方法であって、
    前記ステップ（ｂ１）は、前記分割走査回路により、複数の第１Ｂ電極を走査し、前記第１Ｂ電極の自己容量における変動の中心を算出することを備える、方法。
20. 多数の接触点の真の座標を判定するための方法であって、
    （ａ）通常走査回路により、第１方向及び第２方向に配置された複数の電極を走査して、前記多数の接触点の未処理の座標を検出し、前記第１方向は前記第２方向に交差しており、
    （ｂ）前記第１方向及び前記第２方向の両方で前記多数の接触点に対応する前記電極の自己容量の変動の中心を算出し、前記中心を交差させることで前記多数の接触点の未処理の座標を算出し、
    （ｃ）前記ステップ（ｂ）において、前記第１方向又は前記第２方向のいずれかで１つの前記中心のみが算出されたとき、前記未処理の座標を前記多数の接触点の真の座標として出力する、方法。

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