JP2013541170A - シンクロサイクロトロン - Google Patents
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Abstract
シンクロサイクロトロンは、半径Rの略円形の断面を有し、正中面(2)の両側に配置され、中心軸(1)上に中心のある一対のポール(5、5’)を有する強磁性構造体(4)を備える。これらポール(5、5’)は、正中面(2)に対して実質的に対称なプロファイルを有するキャビティ(9)を形成するギャップによって離隔される。このギャップの高さは半径方向において変化して、ギャップのプロファイルは、中心軸(1)から順に、中心軸(1)上に中心のある半径R2の円形断面の第一の部分(6、7)であって、その中心におけるギャップの高さがHcenterに等しく、ギャップの高さが半径R2における最大値Hmaxに向けて徐々に増大する、第一の部分(6,7)と、第一の部分(6、7)を取り囲み、そのギャップの高さがポール(5、5’)の縁における高さHedgeに向けて徐々に減少する環状断面の第二の部分(8)とを備える。
Description
本発明は、シンクロサイクロトロンに関する。
シンクロサイクロトロンは、サイクロトロンと同様に、二本のポールの間に設けられて、粒子を加速させるように設計されたキャビティを半径方向に取り囲む放射状の二つの磁気誘導コイルを備えた磁石構造を有し、そのキャビティは、中心軸を備え、その中心軸に垂直に正中面が広がっている。粒子は、中心軸付近でキャビティ内に配置された粒子源において生成され、高周波交流電圧源によって電力供給される加速電極によって、螺旋軌跡に沿って正中面において粒子源から抽出されて加速される。このようなシンクロサイクロトロンは、ハドロン治療において益々用いられてきている。
同じ周波数で粒子が加速されるサイクロトロンとは異なり、シンクロサイクロトロンでは、加速電極によって印加される電場の周波数は、粒子の速度が増大した際に相対質量の増大を補償するように変調される。
サイクロトロンのサイズを減少させるためには、加速中にイオンを誘導する磁場を増大させる必要がある。ビームの垂直方向集束が空隙内に配置された磁気セクタによって達成されるアイソクロナスサイクロトロンでは、垂直方向集束が不十分になるので、5テスラ以上に平均磁場を増大させることが難しい。逆に、シンクロサイクロトロンでは、原理的には、制限なく、磁場レベルを増大させることができる。また、シンクロサイクロトロンは、サイクロトロンよりも小型であり、シンクロサイクロトロンのサイズは、二本のポールの間に発生する磁場に比例して小さくなる。
特許文献1及び特許文献2には、誘導コイルが4.5Kに冷却されて5T〜11Tの間の磁場を発生させることができる超伝導体製であるシンクロサイクロトロンが記載されている。Nb3Sn製の誘導コイルに対しては、温度を2Kに下げることによって、14Tの磁場を発生させることができる。軟鉄製のシリンダーヘッドは略2テスラの追加磁場を提供する。シンクロサイクロトロンのサイズを減少させるため、上記文献では、ポールの空隙内に高磁場を発生させることが提案されている。しかしながら、磁場が6T以上に増大すると、上記文献で示唆されているように、望ましくない効果が表れる。従って、非常に高い磁場が、粒子によって仮定される第一軌道の半径を減少させて、粒子が第一回転でイオン源を迂回することができないので、サイクロトロンの中心領域を引き出すことが不可能又は非常に難しくなる。6T以上の磁場の第二の欠点は、抽出デバイスの製造が非常に複雑になる点である。サイクロトロンの中心における6T以上の磁場の第三の欠点は、このような磁場に対して、コイル内の磁場が、ニオブチタン合金をコイルに使用することができる磁場を超えてしまう点である。従って、はるかに高価なNb3Sn合金を使用する必要がある。
上述のシンクロサイクロトロンは、二本のポールを備え、そのプロファイルは、正中面における加速粒子の弱い集束及び位相安定性を許容して、荷電粒子が、ポールの空隙における加速を維持するのに十分なエネルギーを獲得するようにする。シンクロサイクロトロンの空隙に発生する磁場において、荷電加速粒子は、平衡軌道周りで半径方向及び軸方向に振動する。半径方向の振動数νrは以下のように与えられる:
軸方向の振動数νzは以下のように与えられる:
ここで、nは磁場集束指標であって、以下のように与えられる:
n=−(r/B)×(dB/dr) (III)
ここで、rは、粒子の軌道半径であり、その半径の原点は中心軸上の点を通過し、Bはその半径における磁場である。
n=−(r/B)×(dB/dr) (III)
ここで、rは、粒子の軌道半径であり、その半径の原点は中心軸上の点を通過し、Bはその半径における磁場である。
理論的には、n>0、つまりdB/drが負である場合に、軸方向の集束力が存在することを示すことができる。そうすると、シンクロサイクロトロンは、磁場集束指標によって設定される条件に合致するように半径の関数として減少する発展磁場プロファイルを有さなければならない。一般的に、粒子の加速用のキャビティにおいて、磁場集束指標が0.2以下であるポールプロファイルを有するようにする措置がとられる。ポールの最大半径に近づくと、磁場が半径の関数として急速に減少し、磁場指標が増大し、半径方向の振動数νrが減少し、軸方向の振動数νzが増大する。n=0.2の場合、νr=2νzの特定の条件となる。この特定の条件では、ウォーキンショー共鳴として知られているように、半径方向の振動のエネルギーを軸方向の振動に移すことができる。これは、ビームの軸方向サイズを増大させて、一般的には、加速イオンの大部分の損失をもたらす。この現象を回避するため、シンクロサイクロトロンは、ポールの縁に配置されたポールウイングを備え、磁場指標が0.2に等しくなる前に空隙を減少させて、磁場を局所的に増大させて、粒子損失を防止する。
上述の二つの特許文献で説明されているように、高磁場のシンクロサイクロトロンの場合、磁場集束指標nによって設定される条件に合致して、正中面において粒子を集束することができるようにするためには、ポールのプロファイルが、空隙が十分な磁場を発生させるのに十分狭い中心軸に隣接した領域から、空隙が最大であり高さが中心軸に隣接する空隙の領域の高さよりも少なくとも2倍であるポールウイング近くの領域に向けて展開するものでなければならない。ポールは、ポールの空隙を徐々に広げるように傾斜した表面を備え、空隙が最大であるポールの領域が、互いに鋭角を成す二つの表面の間に設けられる。特許文献2の図2では、ウイング134と表面130との間の接合が鋭角を成す。このように深くて細い領域を備えたポールプロファイルは正確に機械加工するのが比較的難しい。
非特許文献1には、5.5Tの磁場を発生させる空隙を備えたシンクロサイクロトロンが記載されている。粒子源の出力における粒子損失は、このような磁場ではあまり顕著ではない。しかしながら、シンクロサイクロトロンのポール間の空隙は、上述のシンクロサイクロトロンのように、比較的狭く、中心領域内に粒子源を導入するのにシリンダーヘッドの中心軸に沿ってシリンダーヘッドに孔を開ける必要がある。シリンダーヘッドに孔を開けることは、加速器キャビティの中心における磁場を局所的に変更して、粒子源近傍の磁場が初めは半径と共に最大値へと増大し、その後、半径と共に僅かに減少する。従って、磁場集束指標は、初めは負であり、短い半径にわたる粒子の軌跡のデフォーカスを生じさせる。この効果は、粒子源の半径と共に増大して、シリンダーヘッド内の孔の直径及び粒子源の直径を最少化する必要があり、粒子生成性能を低下させる。結果として、磁場を補償する円形金属ピース(一般的にシムと称される)を挿入する必要がある。
上述のシンクロサイクロトロンの他の欠点は、加速電極及び伝送線を備えた高周波振動回路を挿入するのに利用可能な空間の小ささである。この空間の欠如は、加速電極と伝送線との間の距離を短くすることを要して、これら二つの素子間の容量を増大させる。容量の増大は、加速電極において所望のAC周波数を発生させるのにより多くの電力を電圧源において必要とする。
X.Wu、"Conceptual Design and Order Dynamics in a 250 MeV Superconducting Synchrocyclotron"、博士課程学位論文、ミシガン州立大学、1990年
粒子源からの粒子の抽出の問題を最少化して、シンクロサイクロトロンの製造コストを低下させるため、シンクロサイクロトロンの二本のポール間に設けられた空隙内の磁場を最少化する一方で、シンクロサイクロトロンのサイズを最少化する必要がある。
また、ポールのプロファイルが磁場集束指標によって設定される条件に合致して、機械加工の簡単なシンクロサイクロトロンを製造することも望まれている。
また、二本のポール間の空隙が粒子源及び高周波振動回路の簡単な挿入を可能にして、従来技術のシンクロサイクロトロンにおける問題を回避することができるシンクロサイクロトロンを製造することも望まれている。
本発明は、強磁性構造体、冷質量構造体及び粒子源を備えたシンクロサイクロトロンに関する。強磁性構造体は一般的に、中心軸に対して同軸上に配置され、正中面に対して平行で実質的に対称なディスク状の二つのシリンダーヘッドプレートと、半径Rの略円形の断面を有し、正中面の両側に配置され、中心軸上に中心があり、キャビティを形成する空隙によって離隔された一対のポールと、ポールを取り囲み、二つのシリンダーヘッドプレートを接続するフローリターン部とを備える。冷質量構造体は一般的に、少なくとも二つの磁気誘導コイルを含み、フローリターン部によって取り囲まれ、ポールを取り囲む。粒子源は一般的に、キャビティの半径Rよりも小さな半径R1の第一の円形領域内においてキャビティ内に配置され、その半径R1の原点は中心軸上の点である。キャビティの空隙は通常、正中面に対して実質的に対称なプロファイルを有し、その高さは半径方向において変化する。空隙のプロファイルは、中心軸から順に、中心軸上に中心のある半径R2の円形断面を有し、その中心における空隙の高さがHcenterに等しく、その高さが半径R2における最大高さHmaxに向けて徐々に増大する第一の部分と、第一の部分を取り囲み、その空隙の高さがポールの縁における高さHedgeに向けて徐々に減少する環状断面の第二の部分(第二の環状領域とも称される)とを含む。本発明の第一の側面によると、空隙の高さHcenterは10cmよりも大きく、最大高さHmax対高さHcenterの比は1.1から1.5の間であり、有利には1.2から1.5の間であり、好ましくは1.2から1.4の間である。エアギャップのこのプロファイルでは、コイル及び強磁性構造体によってキャビティ内に生成される平均磁場が4Tから7Tの間となり得る点に留意されたい。
好ましくは、第一の部分は、中心軸上に中心のあるR2よりも小さな半径R1を有し、その空隙の高さが一定で高さHcenterである中心サブ部分(領域6とも称される)を備える。
ポールは、有利には、中心軸上に中心のある一組の傾斜環状表面を備え、その各表面は、それに隣接する表面と、厳密に90°よりも大きい、好ましくは120°よりも大きい、更に好ましくは140°よりも大きい角度αを成す。
好ましくは、中心サブ部分(中心領域)は、キャビティの半径Rの20%よりも小さな直径R1にわたって延伸し、環状サブ部分(第一の環状領域)は、半径R1と、キャビティ9の半径Rの95%よりも小さな半径R2との間で延伸する。
好ましい一実施形態では、中心サブ部分(中心領域)は、キャビティの半径Rの略10%の半径R1にわたって延伸し、第一の環状サブ部分は、その半径R1と、キャビティの半径Rの略70%の半径R2との間で延伸する。
粒子源は有利には、中心サブ部分内に配置されて、正中面に実質的に平行にキャビティ内に挿入された支持体によって保持される。
空隙の比較的大きな高さHcenterのため、粒子源が空隙の中心領域内に半径方向に導入可能であるので、ポールは有利には中実であり得る点に留意されたい。
また、比較的弱い磁場のため、磁気誘導コイルがNbTi製となり得る点にも留意されたい。
他の側面によると、本発明は、以下のステップを備えたシンクロサイクロトロンの製造方法に関する:
‐ 中心軸の近傍におけるポール間の空隙の高さHcenterを10cmよりも大きくなるように設定するステップと、
‐ 空隙の最大高さHmaxを、高さHcenterの少なくとも1.1倍よりも大きくて、且つ高さHcenterの1.5倍よりも小さくなるように設定するステップと、
‐ 粒子加速キャビティを形成するポールを取り囲む磁気誘導コイル内の磁場を設定するステップと、
‐ ポール間の空隙が磁場集束指標−(r/B)×(dB/dr)によって設定される条件に合致するようにポール間に粒子加速キャビティが得られるように、Hcenter及びHmax並びに磁場コイルを考慮して、ポールのプロファイル並びに磁気誘導コイル3の寸法及び位置を最適化するステップとを備え、ここで、rは、粒子の軌道半径であり、その半径の中心は中心軸上の点を通過して、Bはその半径における磁場であり、nは厳密に0から0.2の間である必要がある。
‐ 中心軸の近傍におけるポール間の空隙の高さHcenterを10cmよりも大きくなるように設定するステップと、
‐ 空隙の最大高さHmaxを、高さHcenterの少なくとも1.1倍よりも大きくて、且つ高さHcenterの1.5倍よりも小さくなるように設定するステップと、
‐ 粒子加速キャビティを形成するポールを取り囲む磁気誘導コイル内の磁場を設定するステップと、
‐ ポール間の空隙が磁場集束指標−(r/B)×(dB/dr)によって設定される条件に合致するようにポール間に粒子加速キャビティが得られるように、Hcenter及びHmax並びに磁場コイルを考慮して、ポールのプロファイル並びに磁気誘導コイル3の寸法及び位置を最適化するステップとを備え、ここで、rは、粒子の軌道半径であり、その半径の中心は中心軸上の点を通過して、Bはその半径における磁場であり、nは厳密に0から0.2の間である必要がある。
以下、添付図面を参照して、一例として本発明の実施形態を説明する。
図1及び図2は、本発明に係るシンクロサイクロトロンを概略的に示す。シンクロサイクロトロンの一部が図面を煩雑にしないために図示されていない点に留意されたい。
本発明を非限定的に例示するために図面に示されるシンクロサイクロトロンは、
‐ 強磁性構造体4であって、
○ シンクロサイクロトロンの中心軸1に対して同軸上に且つ正中面2に対して平行で実質的に対称に配置されたディスク状のシリンダーヘッドプレート16、16’と称される二枚のベースプレート、
○ 半径Rの略円形の断面を有し、シンクロサイクロトロンの正中面2の両側に配置され、中心軸1上に中心が置かれて、且つキャビティ9を形成する空隙で離隔されている一対のポール5、5’、及び
○ ポール5、5’を取り囲み且つ二つのシリンダーヘッド16、16’を接続するフローリターン部17を備えた強磁性構造体4と、
‐ フローリターン部17によって取り囲まれ且つポール5、5’を取り囲む少なくとも二つの磁気誘導コイル3を含む冷質量構造体と、
‐ キャビティ9の半径Rよりも小さい半径R1を有し、その半径の原点が中心軸1上の点である円形断面を有する第一の領域6内においてキャビティ9内に配置された粒子源11(図2を参照)と、
‐ フローリターン部17の外側に配置された高周波電圧源14(図2を参照)と、
‐ 高周波電圧源14に結合された加速電極(図2を参照)であって、実質的に半円形であり、ギャップによって互いに離隔されていて、キャビティ9内に配置されていて、正中面2の両側に対して平行で対称的に延伸していて、且つ、粒子源に向き合っている一対の平行プレート12を備えた加速電極と、
‐ 加速電極12を取り囲み且つ電極12から特定の距離に配置された伝送線13とを備える。
‐ 強磁性構造体4であって、
○ シンクロサイクロトロンの中心軸1に対して同軸上に且つ正中面2に対して平行で実質的に対称に配置されたディスク状のシリンダーヘッドプレート16、16’と称される二枚のベースプレート、
○ 半径Rの略円形の断面を有し、シンクロサイクロトロンの正中面2の両側に配置され、中心軸1上に中心が置かれて、且つキャビティ9を形成する空隙で離隔されている一対のポール5、5’、及び
○ ポール5、5’を取り囲み且つ二つのシリンダーヘッド16、16’を接続するフローリターン部17を備えた強磁性構造体4と、
‐ フローリターン部17によって取り囲まれ且つポール5、5’を取り囲む少なくとも二つの磁気誘導コイル3を含む冷質量構造体と、
‐ キャビティ9の半径Rよりも小さい半径R1を有し、その半径の原点が中心軸1上の点である円形断面を有する第一の領域6内においてキャビティ9内に配置された粒子源11(図2を参照)と、
‐ フローリターン部17の外側に配置された高周波電圧源14(図2を参照)と、
‐ 高周波電圧源14に結合された加速電極(図2を参照)であって、実質的に半円形であり、ギャップによって互いに離隔されていて、キャビティ9内に配置されていて、正中面2の両側に対して平行で対称的に延伸していて、且つ、粒子源に向き合っている一対の平行プレート12を備えた加速電極と、
‐ 加速電極12を取り囲み且つ電極12から特定の距離に配置された伝送線13とを備える。
好ましい一側面によると、シンクロトロンのポール5,5’間の空隙内に発生させる磁場は以下のように選択される:
‐ 200MeVから250MeVの間のエネルギーで粒子を加速させるのに十分高いように;
‐ 過度に高い磁場の作用の下で粒子源から出て行く粒子が粒子源上に戻るのを防止するように;且つ
‐ シンクロトロンのサイズを最少化するように。
‐ 200MeVから250MeVの間のエネルギーで粒子を加速させるのに十分高いように;
‐ 過度に高い磁場の作用の下で粒子源から出て行く粒子が粒子源上に戻るのを防止するように;且つ
‐ シンクロトロンのサイズを最少化するように。
ポール間の空隙内に発生させる磁場は、有利には、4Tから7Tの間、好ましくは4Tから6Tの間である。このような磁場の発生には、Nb3Sn超電導コイルを使用する必要がない点に留意されたい。実際、NbTi超伝導コイルが、3Tから5Tの間の磁場を生成するように適合されて、これが、一般的には略2Tである強磁性構造体4によって発生させられる磁場と組み合わされる。NbTi製の超電導コイルは、Nb3Sn製のコイルよりも安価であり実施が容易である。
好ましい一側面によると、ポール5によって形成されたキャビティ9は、半径Rを有し、その半径Rの原点は中心軸1上の点を通り、その半径の端はポール5の縁10と一致する。空隙の高さは、磁場集束指標nによって設定される条件に合致するように半径の関数として変化する。好ましくは、空隙は、中心軸から始まってポールの縁に向かう以下の三つの領域6、7及び8を備える:
‐ 有利には平坦であり(これは本発明にとって必須の限定ではない)、キャビティの半径Rよりも小さい半径R1の円形であり、その半径R1の原点が中心軸1上の点と一致し、中心軸1近くに配置され、ポール5間の空隙が高さHcenterを有する、中心領域6;
‐ 半径R1の円とキャビティの半径よりも小さい半径R2の第二の円との間に設けられた第一の環状領域7であって、その原点が半径R1の原点と一致し、ポール5間の空隙の高さが、最大高さHmaxまで徐々に増大して、正中面2における粒子の集束を保証するように磁場を徐々に減少させる、第一の環状領域7;
‐ 半径R2の円とポールの縁10との間に設けられた第二の環状領域8であって、ポール間の空隙がポールの縁10において最小高さHminになるように徐々に減少して、磁場を再び増大させて、平衡軌道の周りを軸方向に振動する粒子が同じ平衡軌道の周りで半径方向に振動する粒子と共鳴し始める限界値に磁場集束指標nが達する前に、磁場集束指標nを減少させる、第二の環状領域8。
‐ 有利には平坦であり(これは本発明にとって必須の限定ではない)、キャビティの半径Rよりも小さい半径R1の円形であり、その半径R1の原点が中心軸1上の点と一致し、中心軸1近くに配置され、ポール5間の空隙が高さHcenterを有する、中心領域6;
‐ 半径R1の円とキャビティの半径よりも小さい半径R2の第二の円との間に設けられた第一の環状領域7であって、その原点が半径R1の原点と一致し、ポール5間の空隙の高さが、最大高さHmaxまで徐々に増大して、正中面2における粒子の集束を保証するように磁場を徐々に減少させる、第一の環状領域7;
‐ 半径R2の円とポールの縁10との間に設けられた第二の環状領域8であって、ポール間の空隙がポールの縁10において最小高さHminになるように徐々に減少して、磁場を再び増大させて、平衡軌道の周りを軸方向に振動する粒子が同じ平衡軌道の周りで半径方向に振動する粒子と共鳴し始める限界値に磁場集束指標nが達する前に、磁場集束指標nを減少させる、第二の環状領域8。
好ましい一側面によると、空隙の最大高さHmaxと中心軸付近での空隙の高さHcenterとの間の比は、厳密に1よりも大きくて且つ1.5よりも小さくて、ポール内部の機械加工を容易にする一方で、磁場集束指標によって設定される条件に合致するようにする。より好ましくは、比Hmax/Hcenterは1.2から1.5の間である。
好ましい他の側面によると、ポール5の機械加工を容易にしつつ、第一の環状領域7及び第二の環状領域8を備えた領域が、中心軸1上に中心のある一組の二重環状表面によって特徴付けられて、その各表面が、その隣の表面と、厳密に90°よりも大きい、好ましくは120°よりも大きい、更に好ましくは140°よりも大きい角度αを成す。
好ましい更に他の側面によると、中心軸1近くの空隙の高さHcenterは10cmよりも大きく、より好ましくは15cmよりも大きく、より好ましくは18.4cmよりも大きい。従来技術のシンクロサイクロトロンと比較して高い中心軸近くの空隙の高さHcenterによって、粒子源と、加速電極及び伝送線を備えた高周波振動回路との挿入が簡単になる。
例えば、空隙を広げることは、加速電極の二枚のプレート12の間のギャップを増大させて、粒子とプレート12との衝突を回避することを可能にする。また、空隙を広げることは、加速電極と伝送線13との間の距離を増大させて、これらの部品間の容量を減少させることができ、電圧源14が少ない電力で加速電極に高周波交流電圧を提供することを可能にする。
好ましい追加的な一側面によると、中心軸1に隣接する空隙領域内の高い高さHcenterは、軸方向よりも横方向に粒子源11を挿入することを許容する(図2を参照)。粒子源11の挿入は、例えば、キャビティ9の外側から延伸し、粒子源内におけるガスの循環用の管と、粒子源を点火するための電気接続部とを備えた支持体15によって行われる。横から粒子源を挿入することによって、シリンダーヘッド16、16’及びポール5、5’に孔を開けることなく、中心軸1に隣接する空隙領域内の磁場集束指標を負の変化を回避して、従来技術のシンクロサイクロトロンよりも大きな直径の粒子源を使用することが可能になる。このようにして、粒子源がより高い粒子流を生成することができる。結果として、中心軸に隣接する空隙領域内における磁場指標の負の変化なしに、粒子源からの出口における粒子のデフォーカシングの問題が最少化されて、従来技術のシンクロサイクロトロンにおいて使用されているような磁場補償リングが任意のものになり、空隙領域を単純化する。
本発明に係るシンクロサイクロトロンの非限定的で例示的な一実施形態では、二本のポール間の空隙内の平均磁場は5.6Tである。中心軸に隣接する領域におけるポール間の空隙の高さHcenterは18.4cmであり、最大空隙の高さHmaxは25.3cmである。従って、このシンクロサイクロトロンでは、Hmax/Hcenter比は1.375に等しくなる。ポールの半径r(cm)の関数として正中面からポールを離隔する距離z(cm)が表1に与えられている。シンクロサイクロトロンの外半径と高さとはそれぞれ125cm、156cmである。比較可能な磁場に対して、本発明に係るこの実施形態の寸法は、非特許文献1に記載されるサイクロトロン(キャビティ内に発生する磁場:5.53T,シンクロサイクロトロンの高さ:173.4cm、シンクロサイクロトロンの外半径:132.3cm)よりも小さい。本発明に係る同じ実施形態において、加速電極のプレート間のギャップは2cmであり、これらプレートと伝送線との間のギャップは7.4cmである。
当業者であれば、第一の領域における二本のポール間の空隙の高さが10cmよりも大きく、又は最大空隙高さHmax対中心領域における最小空隙の高さHcenterの比が1.1から1.5の間、より好ましくは1.2から1.5の間であるという条件を達成しながら、正中面に対するコイルの位置の関数として、またそのコイルの寸法及び形状によって、ポールのプロファイルを最適化することができる点は留意されたい。上記例では、コイルは、中心軸1上に中心のある55.4cmの内半径、13cmの幅、及び28.1cmの高さを有し、互いに20cm離れている。
また、本発明は、空隙によって離隔された二本のポールを備えたシンクロサイクロトロンの製造方法にも関し、その方法は、
‐ 中心軸近くの空隙の高さHcenterを10cmよりも大きく、好ましくは15cmよりも大きく、好ましくは18.4cmよりも大きくて、37cmよりも小さいように設定するステップと、
‐ 空隙の最大高さHmaxを厳密に高さHcenterよりも大きくて、Hcenterの1.8倍よりも小さく設定するステップと、
‐ 粒子加速キャビティを形成するポールを取り囲む磁気誘導コイル内の磁場を設定するステップと、
‐ ポール間の空隙が磁場集束指標nによって設定される条件に合致するようにポール間に設けられる粒子加速キャビティが得られるように、Hcenter及びHmax並びにコイル内の磁場を考慮して、ポールのプロファイル並びに磁場誘導コイルの寸法及び位置を最適化するステップとを備える。
‐ 中心軸近くの空隙の高さHcenterを10cmよりも大きく、好ましくは15cmよりも大きく、好ましくは18.4cmよりも大きくて、37cmよりも小さいように設定するステップと、
‐ 空隙の最大高さHmaxを厳密に高さHcenterよりも大きくて、Hcenterの1.8倍よりも小さく設定するステップと、
‐ 粒子加速キャビティを形成するポールを取り囲む磁気誘導コイル内の磁場を設定するステップと、
‐ ポール間の空隙が磁場集束指標nによって設定される条件に合致するようにポール間に設けられる粒子加速キャビティが得られるように、Hcenter及びHmax並びにコイル内の磁場を考慮して、ポールのプロファイル並びに磁場誘導コイルの寸法及び位置を最適化するステップとを備える。
1 中心軸
2 正中面
3 磁気誘導コイル
4 強磁性構造体
5 ポール
6 中心領域
7 第一の環状領域
8 第二の環状領域
9 キャビティ
10 ポールの縁
11 粒子源
12 加速電極
13 伝送線
14 高周波電圧源
15 支持体
16 シリンダーヘッド
17 フローリターン部
2 正中面
3 磁気誘導コイル
4 強磁性構造体
5 ポール
6 中心領域
7 第一の環状領域
8 第二の環状領域
9 キャビティ
10 ポールの縁
11 粒子源
12 加速電極
13 伝送線
14 高周波電圧源
15 支持体
16 シリンダーヘッド
17 フローリターン部
Claims (12)
- 強磁性構造体(4)であって、
シンクロサイクロトロンの中心軸(1)に対して同軸上に配置され、正中面(2)に対して平行で実質的に対称なディスク状の二つのシリンダーヘッドプレート(16、16’)、
半径Rの略円形の断面を有し、前記正中面(2)の両側に配置され、前記中心軸(1)上に中心があり、キャビティ(9)を形成する空隙によって離隔されている一対のポール(5、5’)、及び
前記ポール(5、5’)を取り囲み、前記二つのシリンダーヘッドプレート(16、16’)を接続するフローリターン部(17)を備えた強磁性構造体(4)と、
少なくとも二つの磁気誘導コイル(3)を含む冷質量構造体であって、前記フローリターン部(17)によって取り囲まれ、前記ポール(5、5’)を取り囲む冷質量構造体と、
前記キャビティ(9)の半径Rよりも小さくて且つ前記中心軸(1)上に原点のある半径R1の円形の断面を有する第一の領域(6)内において前記キャビティ(9)内に配置された粒子源(11)とを備えたシンクロサイクロトロンであって、
前記キャビティ(9)を形成する空隙が、前記正中面(2)に対して実質的に対称なプロファイルを有し、前記空隙の高さが半径方向において変化して、前記空隙のプロファイルが、前記中心軸(1)から順に、
前記中心軸(1)上に中心のある半径R2の円形の断面を有し、中心における空隙の高さがHcenterに等しい第一の部分(6、7)であって、高さが半径R2における最大高さHmaxに向けて徐々に増大する環状サブ部分(7)を備えた第一の部分(6、7)と、
環状の断面を有し、前記第一の部分(6、7)を取り囲む第二の部分(8)であって、前記空隙の高さが前記ポール(5、5’)の縁における高さHedgeに向けて徐々に減少する第二の部分(8)とを含み、
前記空隙の高さHcenterが10cmよりも大きくて、前記最大高さHmax対前記高さHcenterの比が1.1から1.5の間であることを特徴とするシンクロサイクロトロン。 - 前記第一の部分(6、7)が、前記中心軸(1)上に中心のあるR2よりも小さな半径R1の中心サブ部分(6)であって、前記空隙の高さが一定であり高さHcenterである中心サブ部分(6)を備えることを特徴とする請求項1に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記最大高さHmax対前記高さHcenterの比が1.2から1.5の間であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記最大高さHmax対前記高さHcenterの比が1.2から1.4の間であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記ポール(5、5’)が、前記中心軸(1)上に中心のある一組の傾斜環状表面を備え、各表面が、隣接する表面と、厳密に90°よりも大きい、好ましくは120°よりも大きい、更に好ましくは140°よりも大きい角度を成していることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記中心サブ部分(6)が、前記キャビティの半径Rの20%よりも小さな半径R1にわたって延伸していて、前記第一の部分(6、7)の前記環状サブ部分(7)が、前記半径R1と、前記キャビティ(9)の半径Rの95%よりも小さな半径R2との間で延伸していることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記中心サブ部分(6)が、前記キャビティ(9)の半径Rの略10%の半径R1にわたって延伸していて、前記第一の部分(7)の前記環状サブ部分(7)が、前記半径R1と、前記キャビティ(9)の半径Rの略70%の半径R2との間で延伸していることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記粒子源(11)が、前記中心サブ部分(6)内に配置されていて、前記正中面(2)に実質的に平行に前記キャビティ(9)内に挿入された支持体によって保持されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記ポール(5)の各々が中実であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記磁気誘導コイル(3)がNbTi製であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 前記磁気誘導コイル(3)及び前記強磁性構造体(4)によって前記キャビティ(9)に発生する平均磁場が4Tから7Tの間であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。
- 請求項1に記載のシンクロサイクロトロンを製造するための方法であって、
前記中心軸の近傍における前記ポール間の空隙の高さHcenterを10cmより大きくなるように設定するステップと、
前記空隙の最大高さHmaxを、前記高さHcenterの少なくとも1.1倍よりも大きくて、且つ前記高さHcenterの1.5倍よりも小さくなるように設定するステップと、
粒子加速キャビティを形成する前記ポールを取り囲む磁気誘導コイル(3)内の磁場を設定するステップと、
前記ポール間の空隙が磁場集束指標−(r/B)×(dB/dr)によって設定される条件に合致するような前記ポール間の粒子加速キャビティが得られるように、前記Hceter及び前記Hmax並びに前記磁場コイルを考慮して、前記ポールのプロファイル並びに前記磁気誘導コイル(3)の寸法及び位置を最適化するステップとを備え、rが粒子の軌道半径であり、前記軌道半径の原点が前記中心軸上の点を通り、Bが前記軌道半径における磁場であり、nが厳密に0から0.2の間である、方法。
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