JP2013537348A - ビット・パターン化媒体を製造する技術 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- データ記憶媒体を形成する方法であって、
互いに隣接する改変領域及び第1の領域を含む中間層を形成するステップであって、前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、ステップと、
活性領域を形成するために、前記中間層の前記第1の領域に磁性種を蒸着する、ステップと、
セパレータを形成するために、前記中間層の前記改変領域に非強磁性種を蒸着する、ステップと、
を有する、データ記憶媒体を形成する方法。 - 前記第1の領域及び前記改変領域は異なる構造を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の領域は1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の領域は望ましい方位の1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の領域はアモルファスであり、前記改変領域は1つ以上の結晶を有する、請求項2に記載の方法。
- 前記中間層は、Mg、Ta及びTiのうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記セパレータはSiO2を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる種を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記改変領域及び前記セパレータは少なくとも1つの共通の種を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの共通の種はSiである、請求項9に記載の方法。
- 前記活性領域及び前記セパレータを形成する前に、前記中間層の表面をエッチングするステップを、さらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記中間層の前記改変領域は、イオン注入により形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン注入は15keV以下のエネルギーで行われる、請求項12に記載の方法。
- データ記憶媒体を形成する方法であって、
互いに隣接する改変領域及び第1の領域を含む中間層を形成するステップであって、前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、ステップと、
活性領域を形成するために、前記中間層の前記第1の領域に磁性種を蒸着する、ステップと、
セパレータを形成するために、前記中間層の前記改変領域に非強磁性種を蒸着する、ステップと、を有し、
前記活性領域及び前記セパレータは同時に形成される、データ記憶媒体を形成する方法。 - 前記第1の領域は1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の領域は望ましい方位の1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項14に記載の方法。
- 前記改変領域は、イオン注入により形成される、請求項14に記載の方法。
- 前記イオン注入は15keV以下のエネルギーで行われる、請求項17に記載の方法。
- 前記改変領域及び前記セパレータはSiを含む、請求項14に記載の方法。
- データ記憶媒体であって、
改変領域及び複数の第1の領域を有する中間層であって、前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、中間層と、
前記中間層の前記第1の領域に形成され、磁性材料を含む、活性領域と、
前記中間層の前記改変領域に形成され、非強磁性材料を含む、セパレータと、
を有する、データ記憶媒体。 - 前記中間層は、Mg、Ta及びTiのうちの少なくとも1つを有する、請求項20に記載のデータ記憶媒体。
- 前記活性領域は、Co、Ni、Cr及びPtのうちの少なくとも1つを有する、請求項21に記載のデータ記憶媒体。
- 前記セパレータはSiO2を含む、請求項21に記載のデータ記憶媒体。
- 前記第1の領域は1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項20に記載のデータ記憶媒体。
- 前記改変領域及び前記第1の領域は異なる種を有する、請求項20に記載のデータ記憶媒体。
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