TW201308321A - 遮罩系統以及圖案化磁性媒體的方法 - Google Patents

Abstract

一種圖案化基板的方法，包括使用壓印微影法將配置在基板上的光阻層圖案化，以及蝕刻配置在圖案化光阻層與基板間的硬遮罩層的曝露部分。當被蝕刻的硬遮罩層配置在基板上時，所述方法也可包括將離子植入基板中的磁性層。

Description

光罩系統以及圖案化磁性媒體的方法

實施例是有關於磁性儲存器(magnetic storage)的領域。本發明特別是有關於一種使用離子植入法來圖案化磁性基板的方法、系統及結構。

習知的磁性儲存媒體可用以磁性裝置讀寫的毯覆式磁性層(blanket magnetic layer)來製造，以建立及/或讀取層中的小磁域。儲存密度到達Tbit/in²的範圍時，毯覆式磁性膜中的微結構限制(例如晶粒尺寸效應)可能限制對尺寸為達成儲存密度目標所需尺寸的特徵的磁性寫入能力。近年來，位元圖案化磁性媒體(bit patterned magnetic media)被研究，作為習知磁性儲存塗層的替代物。

在位元圖案化磁性記錄媒體中，各個磁性材料島狀物可彼此隔離，使得每一島狀物可代表一磁性位元。這使位元邊界得以藉由圖案化磁性島狀物的實體邊緣精確定義。

圖案化磁性記錄媒體的一種建議候選製造法是所謂的奈米壓印微影製程(nano-imprint lithography process)。圖1a到圖1e繪示以奈米壓印微影法來圖案化磁性層的例子。如圖1a所繪示，在奈米壓印微影法中，壓印模具12置於與可壓印媒體14相接觸處，可壓印媒體14沉積在磁性層16上，而磁性層16又可配置在基板18上。可壓印媒體可為在模具12施壓時會流動的光阻。在某些情況中，可加熱光阻以促進壓印製程。在脫模後(圖1b)，光阻層的 剩餘形狀可與模具12的負模(negative relief)相似。任何殘留在凹槽中的剩餘光阻可被移除(圖1c)，接著進行習知的蝕刻步驟(圖1d)，藉由移除曝露凹槽中的磁性材料來圖案化磁性層16。接著可移除光阻(圖1e)，留下結構各自獨立的圖案化磁性媒體結構，如果希望的話，可將各結構平面化。除上述奈米壓印微影製程外，也發展了自組裝崁段共聚物(self assembling block copolymer)與奈米壓印微影法結合使用的技術。例如，奈米壓印微影法可用來將特徵矩陣寫入作為島狀物模板的表面上，自組裝崁段共聚物於所述表面上對準。據悉，此製程可更完整地產生大面積的小特徵圖案。應注意的是，上述製程通常是在基板平面中以二維進行，造成隔離島狀物的二維陣列。

雖然原則上，奈米壓印微影法與相關製程可製造小的隔離結構(在橫向尺寸上大小為數十奈米)，但要將其成功實施依然存在幾個挑戰。上述製程步驟涉及移除磁性材料，磁性材料可能在基板的其他區域再沈積，這可能降低平面性，且在蝕刻移除期間，可能造成位元的側壁損壞。此外，在建立磁性材料的隔離島狀物後，可能希望或必須將基板平面化，這增加了製程的複雜度。

製造位元圖案化磁性結構的其他作法包括使用離子植入法以植入磁性材料區域，以改變植入區中的性質，並建立隔離磁性區。藉由使用模版遮罩或圖案化光阻，可在磁性層中引入具有遮罩或光阻圖案的離子植入區。離子植入區可使其原有磁性受到擾亂。此植入圖案可將一未植入 區與其他未植入區分離，藉此形成隔離磁性區。然而，模版遮罩的作法涉及較大的位元圖案，其橫向特徵尺寸是在一微米的層級，不適於未來的儲存密度需求。使用植入進行位元圖案化時，將光阻做為遮罩使用也受到研究。然而，光阻材料接受離子植入法時，其展現的穩定性通常低於最佳穩定性。此不穩定性可限制使用光阻做為植入遮罩以圖案化極小尺寸的能力。

鑒於上述，應理解有需要改進圖案化技術，以建立高密度儲存用的圖案化磁性媒體。

本發明的實施例針對的是改進圖案化基板的方法與系統，且特別是藉由圖案化磁性媒體來改進。在一實施例中，一種圖案化基板的方法包括使用壓印微影法將配置在基板上的光阻層圖案化，以及蝕刻配置在圖案化光阻層與基板間的硬遮罩層的曝露部分。當被蝕刻的硬遮罩層配置在基板上時，所述方法更包括將離子植入基板中的磁性層。

在一些實施例中，奈米壓印微影法可與自組裝崁段共聚物結合使用。

在另一實施例中，製造磁性位元圖案化媒體的方法包括提供基板，所述基板包括基區與配置於其上的磁性層。所述方法也包括在基板上形成圖案化堆疊組，所述圖案化堆疊組包括配置在硬遮罩層上的光阻層；以及使用微影製程形成光阻特徵的圖案。當圖案化的硬遮罩層配置在磁性層上時，所述方法也包括使用光阻特徵來圖案化硬遮罩， 以及將離子植入磁性層中。

以下將參照隨附圖式，更為詳細地描述本發明，圖式中繪示本發明的較佳實施例。然而，本發明可以許多不同形式實施，且不應理解為限於本文所載之實施例。相反地，提供這些實施例意在使本揭露周詳而完整，並向本領域技術人員完整傳達本發明的範圍。在圖式中，相同元件符號意指文中類似的元件。

為解決與上述方法相關的不足之處，本文介紹新穎及具創造性的圖案化基板的技術與系統。本揭露特別著重在涉及圖案化磁性媒體用的離子植入製程的技術。本文所揭露的方法可與包括奈米壓印圖案化的微影製程結合使用。然而，本領域中具通常知識者應理解，本文所揭露的技術不限於與任何特定微影法或任何範圍的圖案化特徵尺寸結合使用。

實施例也被描述為使用離子類(ion based)基板處理系統的技術。然而，本領域中具通常知識者應理解，其他類型的基板處理系統(次原子類、原子類或分子粒子類的基板處理系統(包括電漿處理系統))以及用來產生此等粒子的射束線離子植入系統，皆在本揭露的範圍內。

在各種實施例中，圖案化磁性媒體的製程涉及使用高能粒子(例如離子)來植入毯覆式磁性層。毯覆式磁性層可用圖案化硬遮罩層(例如高原子量層)來圖案化。在各種實施例中，圖案化硬遮罩層可包括配置在待圖案化磁性 層上的陣列，例如島狀物的二維陣列。離子的質量、能量及劑量可調整，以改變位於遮罩島狀物之間的磁性層曝露區的磁性。在各種實施例中，圖案化遮罩特徵被配置以保留遮罩特徵下方的磁性層的區域的磁性。如此一來，包括彼此隔離的磁性特徵的陣列可在連續層中形成，不需移除磁性材料或將圖案化磁性陣列平面化。

在各種實施例中，磁性媒體的離子植入可用圖案化硬遮罩進行，所述圖案化硬遮罩是用習知的奈米壓印微影法或用奈米壓印微影法結合自組裝崁段共聚物而形成。圖2繪示離子植入機的方塊圖，其繪示本發明實施例中可使用的射束線離子植入機的一般特徵。系統100包括離子源室102。電源供應器101將所需能量供應至用來產生特定物種的離子的源102。所產生的離子透過一系列的電極104(萃取電極)從源中萃取出來，並被形成為通過質量分析器磁體106的射束95。質量分析器具有特定磁場，使得只有具有期望質荷比的離子可通過分析器。期望物種的離子通過減速段108到達磁校正器110。將磁校正器110通電，根據施加磁場的強度與方向來偏折離子子射束(beamlet)，以提供朝向工件或基板150的射束。當離子與基板中的電子及原子核碰撞時，離子失去能量，並根據加速能量停止於基板中的期望深度。在其他效應中，在基板經離子植入的區域中，或在植入造成其性質改變的鄰近區域中，離子可改變微結構、組成、以及原子局部鍵結。

圖3a到圖3f根據本揭露的實施例，繪示形成位元圖 案化媒體的例示性結構與方法。在圖3a中，基板堆疊組330包括配置在基板基區304上的磁性層302。磁性層302可包括任何磁性材料，例如適合高密度磁性記錄的鐵磁層。例如，在一些實施例中，層302可為鈷合金材料。在各種實施例中，層302的厚度可為約5 nm到20 nm。雖未明確繪示，但層302可包括子層，例如(如本領域所習知)配置在頂磁性子層與基區304間的晶種子層(seed sub-layer)。晶種層本身可包括或可不包括磁性材料。

在圖3b中，圖案化堆疊組340形成於基板堆疊組330上。在各種實施例中，圖案化堆疊組340包括直接配置在磁性層302上的保護層(overcoat layer)306、植入硬遮罩層308，以及頂光阻層310。然而，在一些實施例中，圖案化堆疊組340中可省略保護層306。如下所詳述，圖案化堆疊組340可用來形成位元圖案化磁性媒體，所述位元圖案化磁性媒體包括連續材料(例如鈷合金)層，而連續材料層包含隔離的磁性位元。在各種實施例中，植入硬遮罩層308可提供各種功能，包括做為界限清楚的遮罩，其具有直側壁以提供準確圖案化；在濺鍍與植入製程期間，提供遮罩特徵的抗蝕性；提供離子屏蔽以保護下方的磁性位元；以及提供便於移除的介質，其中在移除硬遮罩層308期間，層302的磁性不被改變。

在各種實施例中，硬遮罩層308與光阻相比可為(但不必是)相對高原子量材料。在一些實施例中，硬遮罩層308可為單層結構，但在其他實施例中，硬遮罩層308可 為多層。例如，層308可為一層或多層，其中一層或多層為W、Mo、Ta或類似的耐高溫金屬，或可為其他的金屬、金屬氮化物、氮化矽、碳，或其他化合物。更廣泛來說，硬遮罩層308可包括平均比重大於光阻平均比重的一個或多個層結構。一般而言，比起比重較低的材料，此對入射離子具有較高的阻止能力。因此，舉例而言，比起典型的光阻(其比重範圍為1)，如氮化矽(其比重約為3.2)等材料或比重範圍為8到20的耐高溫金屬更能有效阻止許多不同的離子。

使用堆疊組340來圖案化層302可根據圖3c到圖3f所概述的步驟來完成。在圖3c的步驟中，光阻層310被圖案化，使得凸起特徵(relief feature)312被形成。根據各種實施例，圖案化可在基板304的平面中以二維進行，使特徵312為隔離的島狀物，如圖4所繪示。

在一些實施例中，奈米壓印微影法或奈米壓印微影法結合自組裝崁段共聚物可用來形成光阻凸起特徵312。奈米壓印模具可根據欲轉印至光阻層310的期望圖案來設計。使用奈米壓印微影法及/或自組裝崁段共聚物的優點是能夠輕易形成極小的特徵陣列，所述特徵的尺寸範圍對習知的光學微影法而言是棘手的。例如，奈米壓印微影模具可用例如電子束微影法等技術來形成，可結合或不結合自組裝崁段共聚物，所述自組裝崁段共聚物可將特徵寫入橫向尺寸為數奈米或數十奈米層級的模具中。奈米壓印模具可多次重複使用，以在單一壓印步驟中印刷整個基板或基 板的宏觀區域。在一些實施例中，可產生約20 nm到25 nm的陣列間距(陣列中相鄰特徵從中心到中心的距離)。據此，尺寸適合兆位元/in²(terabit/in²)儲存密度的光阻島狀物312的隔離陣列可在基板330上形成。

參照圖3d，在後續步驟中，光阻特徵312的圖案可被轉印至下方的植入硬遮罩層308，形成遮罩特徵314。在一些實施例中，層308的圖案化可用習知製程進行，例如反應性離子蝕刻法。如上所述，在一些實施例中，硬遮罩層308可包括金屬材料，而在其他實施例中，硬遮罩層308可為氧化物、氮化物，或其他材料，例如碳或材料的多層組合。

圖5繪示具有頂層308a與底層308b的雙層遮罩308的一實施例。在一些實施例中，頂層308a可為旋塗式玻璃材料，而底層308b可為碳。在一實施例中，層308a與層308b的層厚度可約為30 nm。此雙層硬遮罩層的配置可使較厚的硬遮罩層易於被圖案化，在需要較薄光阻的高密度的圖案化中，可採用較厚的硬遮罩層。因為光阻與下方的硬遮罩間的蝕刻選擇性可能不是很強，使用僅具單層的厚硬遮罩系統可能不可行，因為遮罩光阻特徵可能在硬遮罩層蝕刻完畢前就被蝕刻耗盡。此外，在蝕刻製程期間，使用雙層硬遮罩可提供更垂直的側壁。反之，使用旋塗式玻璃材料做為配置在碳層308b上的第一層308a可提供較佳的蝕刻選擇性，所述蝕刻選擇性使光阻層310中的圖案易於在光阻被蝕刻耗盡前轉印。

在將植入硬遮罩層308圖案化後，可對圖案化硬遮罩進行植入，如圖3e所示。在此步驟中，基板可置於如上所述的射束線植入機中，或可置於其他植入裝置中，例如置於電漿浸沒系統中。根據一些實施例，離子316可以一致的入射角提供。例如，離子316可垂直入射至基板的平面350，如圖3e所繪示。離子316可做為射束，所述射束同時撞擊至圖案化遮罩特徵314以及遮罩特徵之間的凹槽342。撞擊植入遮罩特徵314的離子316a可被遮罩特徵弱化，使得離子不會穿透至下方的區域306或302。反之，衝擊凹槽區342中的基板的離子316b可穿透進入磁性層302。

在後續步驟中，如圖3f所繪示，植入硬遮罩308可被移除，留下平面基板配置，其中保護層306可繼續存在，或可在移除硬遮罩時被移除。如圖3f所進一步繪示，層302可包括不變的磁性區322以及植入區320。在各種實施例中，植入區320受到離子轟擊的充分碰撞，而改變其磁性，藉此在層302中產生包括隔離磁性位元322的結構，所述隔離磁性位元322被磁性改變的區320分隔。在一些實施例中，離子可為惰性氣體、碳、氮、矽、磷、砷、鉻、Ge、As或其他物種。離子能量與離子通量可根據離子物種調整，以在植入區320中製造期望的改變。

藉由使用適當的植入硬遮罩材料，並結合奈米壓印微影法及/或自組裝崁段共聚物製程，奈米大小的磁性位元322可被精確圖案化為間距小至約10 nm的陣列中。在一 些實施例中，可選擇高原子量材料作為遮罩層308，使得植入硬遮罩特徵314的厚度可最小化。藉由在植入遮罩中使用相對高原子量的材料，足以在區314中阻止入射離子316a的層厚度可最小化。如此一來，因為在植入期間，來自特徵314的陰影效應及其他離子散射效應可因這些遮罩特徵的高度降低而最小化，所以植入區320的橫向尺寸W(以及區322的橫向尺寸因此)可被更精確地控制。

在一些實施例中，層302的整個厚度可被離子316b植入，但在其他實施例中，層302可被部分植入。在後者的情況中，可配置層322的植入厚度t，以提供具充分厚度的改變區320，以提供隔離的磁性位元322，所述隔離的磁性位元322不會透過植入區320下方的任何剩餘磁性層而耦合。

在各種實施例中，在植入步驟後，改變區320可為非磁性的。然而，在其他實施例中，改變區不需成為非磁性的。例如，區322可表現出強的磁晶異向性及寬的磁滯迴路，而區320可表現出低的磁晶異向性及窄的磁滯迴路，藉此有效產生隔離的磁性位元322的陣列，所述磁性位元322可被適當施加的磁場讀取及/或寫入。

應理解的是，植入硬遮罩的材料選擇與厚度可被修改調整，以符合待植入磁性層的厚度與成分。因此，就植入10 nm厚的CoCrPt合金而言，離子316可以適當能量、劑量及質量提供，以在凹槽區342中改變10 nm厚的合金層，所述合金層又對應足以在硬遮罩特徵314中阻止離子316a 的硬遮罩的厚度/材料組合。如果所選擇的硬遮罩材料314具有與CoCrPt合金相當的離子阻止能力，硬遮罩材料的有效厚度可約為10 nm或大於10 nm。如此一來，大多數或全部的植入離子316a可在硬遮罩特徵314中被弱化，而在無遮罩區342中(忽略選擇層306造成的弱化，選擇層306可為提供少量弱化的薄碳層)，植入離子316b及其造成的損壞可延伸遍布磁性膜302的整個厚度。

在簡化製程與易於調整至極小的尺寸上，本實施例的形成位元圖案化磁性媒體的方法與結構皆提供了勝過習知製程的優點。相較於使用光阻以直接圖案化磁性層的位元圖案化的習知方法，本實施例借重奈米壓印微影法的簡單性，並避免以光阻直接圖案化磁性層的缺點。如上所述，在有些前述方案中，使用光阻進行圖案化及蝕刻磁性層以形成隔離的磁性位元，本實施例與此情形不同，本實施例不需自磁性層移除材料。此外，相較於使用光阻做為植入遮罩的製程，本實施例展現出明顯的優點。首先，光阻通常包括低原子序原子(包括氫、碳、氧、氮)，對許多離子而言，這些低原子序原子阻止離子的能力很差，因此需要厚的層結構以對光阻下方的預期磁性位元區提供足夠的遮罩效果。然而，因為前文討論的幾何效應，較厚的圖案化植入遮罩特徵可能使磁性位元的清晰度較低。

此外，在製程期間(例如植入步驟期間)，光阻侵蝕率可能過高，無法保留預期的位元尺寸。例如，本發明人在可用於位元圖案化的例示性離子植入步驟中，檢視100 nm寬的光阻特徵的特性。雖然光阻島狀物初始為72 nm厚，但在植入步驟後，厚度減至34 nm。所觀察到的迅速光阻侵蝕顯示，即使光阻厚度一開始足以屏蔽離子，在植入期間，厚度可能迅速減少，以致允許離子穿越至下方的磁性層。此外，在離子轟擊後，觀察到平均光阻特徵寬度大幅縮小，且側壁呈現漸縮的(tapered)輪廓。此漸縮側壁結構可造成植入斜側壁下方的磁性區的離子產生橫向梯度，導致磁性位元的邊界清晰度低。

相反地，如前所述，藉由以高原子量材料作為植入硬遮罩，本實施例促進薄遮罩的使用，使用薄遮罩使得使用離子植入法的圖案清晰度較佳。此外，在使用此等較高原子序材料的植入期間，濺鍍蝕刻率可減低，使得遮罩特徵中的整體橫向特徵或島狀物寬度在植入期間維持不變。此外，與圖案化光阻特徵不同，在用以產生圖案化植入遮罩的蝕刻步驟期間，本實施例的硬遮罩材料(例如金屬、氮化物，或多層系統)可更適於形成垂直側壁。在一些實施例中，反應性離子蝕刻系統中的蝕刻化學性質可被調整，以符合實際的材料系統及特徵高度，以產生角度近零度的側壁。

除使位元圖案清晰度較佳外，本實施例提供形成平面化位元圖案結構的方便製程。因為不需移除磁性層材料，避免了金屬材料再沉積在基板上不理想的區域中。此外，藉由在植入遮罩層與磁性層間提供保護層，可使移除圖案化植入遮罩更為容易。例如，在金屬遮罩的情況中，可使 用在遮罩材料與保護層之間具高度選擇性的濕化學金屬蝕刻劑或反應性離子蝕刻製程，藉此保護金屬磁性層免受衝擊。在一特定範例中，保護層可包括碳材料，例如是可用於保護磁性層的永久保護材料，藉此為保護層提供雙重用途。

總而言之，本實施例提供新穎且具創造性的形成磁性位元圖案化媒體的方法。藉由適當選擇植入硬遮罩的材料、厚度、離子能量、劑量、物種、入射角度，以及側壁蝕刻化學性質，可獲得形成奈米大小的隔離磁性位元的方法。

本發明不限於本文描述的特定實施例的範圍。除本文所載者外，從以上描述與隨附圖式中，對本領域中具通常知識者而言，本揭露的其他各種實施例或修飾確實顯而易見。因此，此等其他實施例與修飾意在屬於本揭露的範圍中。此外，雖然本文在特定執行脈絡、特定環境中，為特定目的描述本揭露，本領域中具通常知識者將理解本揭露的效用不限於此，且本揭露可在任何環境中為各種目的有益地實施。因此，本揭露之標的應以本文所描述的本揭露之完整廣度與精神加以理解。

12‧‧‧模具

14‧‧‧可壓印媒體

16、302‧‧‧磁性層

18、150‧‧‧基板

95‧‧‧射束

100‧‧‧系統

101‧‧‧電源供應器

102‧‧‧離子源室

104‧‧‧電極

106‧‧‧質量分析器磁體

108‧‧‧減速段

110‧‧‧磁校正器

304‧‧‧基區

306‧‧‧保護層

308‧‧‧硬遮罩層

308a‧‧‧頂層

308b‧‧‧底層

310‧‧‧光阻層

312‧‧‧特徵

314‧‧‧遮罩特徵

316、316a、316b‧‧‧離子

320‧‧‧植入區

322‧‧‧磁性區

330‧‧‧基板堆疊組

340‧‧‧圖案化堆疊組

342‧‧‧凹槽區

350‧‧‧平面

W‧‧‧橫向尺寸

t‧‧‧植入厚度

圖1a到圖1e繪示習知的奈米壓印微影製程的步驟。

圖2是習知的離子射束植入系統的示意圖。

圖3a到圖3f繪示基板圖案化的一實施例中涉及的例示性步驟的剖面側視圖。

圖4繪示例示性位元圖案化磁性媒體的平面圖。

圖5繪示包括雙層硬遮罩系統的圖案化堆疊組的一實施例。

302‧‧‧磁性層

304‧‧‧基區

306‧‧‧保護層

308‧‧‧硬遮罩層

316、316a、316b‧‧‧離子

342‧‧‧凹槽區

350‧‧‧平面

Claims (23)

1. 一種圖案化磁性媒體基板的方法，包括：以微影方法將配置在基板上的光阻層圖案化；蝕刻配置在所述圖案化光阻層與所述基板間的硬遮罩層的曝露部分；以及在被蝕刻的所述硬遮罩層配置在所述基板上時，將離子植入所述基板中的磁性層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，包括蝕刻所述硬遮罩層，以形成三維硬遮罩特徵，所述三維硬遮罩特徵屏蔽所述離子，使其不進入所述基板位於所述三維硬遮罩特徵下方的部份。
3. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，包括將所述離子植入所述基板中，以將所述磁性層的曝露區轉變為非磁性區。
4. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，包括將所述離子所述植入基板中，以改變所述磁性層的曝露區的磁性。
5. 如申請專利範圍第2項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中所述硬遮罩特徵下方的所述磁性層的區域在所述植入步驟後仍保有磁性。
6. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中所述硬遮罩層包括離子阻止能力比光阻高的材料。
7. 如申請專利範圍第4項所述之圖案化磁性媒體基 板的方法，其中所述曝露的磁性區的磁晶異向性被破壞。
8. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中所述三維硬遮罩特徵包括間距約為5 nm至100 nm的特徵陣列。
9. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中硬遮罩特徵的寬度約為5 nm至90 nm。
10. 如申請專利範圍第2項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，包括在所述硬遮罩層中形成特徵的二維陣列。
11. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，包括將所述離子植入所述磁性層的曝露區的整個厚度中。
12. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，包括在所述植入所述離子的步驟後，選擇性地移除所述被蝕刻的硬遮罩層。
13. 如申請專利範圍第12項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中所述基板包括配置在所述硬遮罩層與所述磁性層間的保護層，且其中所述保護層在所述選擇性地移除所述被蝕刻的硬遮罩層的步驟後，依然完整無損傷。
14. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中所述硬遮罩材料包括鎢、鉬、鉻、鉭、碳，以及氮化矽的其中一者或多者。
15. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基板的方法，其中所述硬遮罩層包括至少兩個不同的層。
16. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化磁性媒體基 板的方法，更包括結合奈米壓印製程使用自組裝崁段共聚物製程。
17. 一種製造磁性位元圖案化媒體的方法，包括：提供基板，所述基板包括基區與配置於所述基區上的磁性層；在所述基板上形成圖案化堆疊組，所述圖案化堆疊組包括配置在硬遮罩層上的光阻層；使用微影製程形成光阻特徵的圖案；使用所述光阻特徵來圖案化所述硬遮罩；以及在所述圖案化硬遮罩配置在所述磁性層上時，將離子植入所述磁性層中。
18. 如申請專利範圍第17項所述之製造磁性位元圖案化媒體的方法，其中所述微影製程包括奈米壓印微影製程。
19. 如申請專利範圍第17項所述之製造磁性位元圖案化媒體的方法，包括將所述離子植入所述基板中，以將所述磁性層的曝露區轉變為非磁性區。
20. 如申請專利範圍第17項所述之製造磁性位元圖案化媒體的方法，包括將所述離子植入所述基板中，以改變所述磁性層的曝露區的磁性。
21. 如申請專利範圍第17項所述之製造磁性位元圖案化媒體的方法，其中所述硬遮罩特徵下方的所述磁性層的區域在所述植入步驟後仍保有磁性。
22. 如申請專利範圍第17項所述之製造磁性位元圖 案化媒體的方法，其中所述硬遮罩層包括離子阻止能力比光阻高的材料。
23. 如申請專利範圍第18項所述之製造磁性位元圖案化媒體的方法，更包括結合所述奈米壓印製程使用自組裝崁段共聚物製程。