JP2013534015A - モバイルデバイス内の組み込まれた不揮発性メモリとメイン揮発性メモリとの並列使用 - Google Patents
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Abstract
Description
110 プロセッサ
120 メモリコントローラ
130 電力管理集積回路(PMIC)
140 シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)
150 不揮発性メモリ
200 モバイルシステム
210 プロセッサ
220 メモリコントローラ
222 メモリコントローラ1
224 メモリコントローラ2
230 電力管理集積回路(PMIC)
240 揮発性メモリ
250 不揮発性メモリ
260 連続アドレッシングメモリマップ
264 揮発性メモリマップ
265 不揮発性メモリマップ
300 モバイルデバイス
310 プロセッサ
320 メモリコントローラ
340 揮発性メモリ
350 不揮発性メモリ
360 シャドーアドレッシングメモリマップ
364 揮発性メモリマップ
365 不揮発性メモリマップ
502 メモリダイ
504 揮発性メモリ
506 第1のスルーシリコンビア(TSV)インターフェース
508 論理ダイ
510 不揮発性メモリ
512 外部バスインターフェース(EBI
514 第2のスルーシリコンビア(TSV)
516 メモリダイ
518 揮発性メモリ
520 不揮発性メモリ
522 スルーシリコンビア(TSV)
524 スルーシリコンビア(TSV)
Claims (31)
- 揮発性メモリと、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリと前記揮発性メモリとに機能的に結合されたメモリコントローラと、
前記メモリコントローラに結合されたプロセッサであって、前記プロセッサが、連続メモリマップを利用して、前記不揮発性メモリと前記揮発性メモリの両方をアドレッシングする、プロセッサと
を備える、モバイルデバイス。 - 前記メモリコントローラが、
前記揮発性メモリに結合された第1のメモリコントローラと、
前記不揮発性メモリに結合された第2のメモリコントローラであって、前記第2のメモリコントローラは、前記プロセッサが、前記不揮発性メモリのために予約された前記連続メモリマップのセクションをアドレッシングすることを可能にする、第2のメモリコントローラと
をさらに備える、請求項1に記載のモバイルデバイス。 - 前記不揮発性メモリが、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)および/またはスピントランスファートルクMRAM(STT-MRAM)を備える、請求項1に記載のモバイルデバイス。
- 前記プロセッサが、前記不揮発性メモリに/からプロセッサ状態情報を書き込む/読み取る、請求項1に記載のモバイルデバイス。
- 前記プロセッサが、前記不揮発性メモリに/から瞬時オン情報を書き込む/読み取る、請求項4に記載のモバイルデバイス。
- 前記プロセッサが、前記不揮発性メモリに/からセキュリティ情報を書き込む/読み取る、請求項1に記載のモバイルデバイス。
- 前記プロセッサが、前記不揮発性メモリに/からデジタル著作権管理(DRM)情報を書き込む/読み取る、請求項1に記載のモバイルデバイス。
- 前記揮発性メモリと前記不揮発性メモリと前記メモリコントローラと前記プロセッサとが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項1に記載のモバイルデバイス。
- 揮発性メモリと、
不揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに結合されたメモリコントローラと、
前記メモリコントローラに結合されたプロセッサであって、前記プロセッサが通常動作中に前記揮発性メモリをアドレッシングする、プロセッサと、
前記不揮発性メモリと前記メモリコントローラとに結合されたシャドーコピーコントローラであって、前記シャドーコピーコントローラが、前記揮発性メモリの指定された部分に記憶された情報を前記不揮発性メモリにコピーする、シャドーコピーコントローラと
を備える、モバイルデバイス。 - 前記シャドーコピーコントローラは、通常動作中に前記メモリコントローラによって前記情報が前記揮発性メモリに書き込まれるのと実質的に同時に、前記揮発性メモリの前記指定された部分から前記情報をコピーする、請求項9に記載のモバイルデバイス。
- 前記モバイルデバイスの電力状態を判断する電力管理集積回路(PMIC)をさらに備え、
前記PMICが、電力停止に関する電力状態情報を前記プロセッサに与え、前記プロセッサが、前記電力状態情報に基づいて、どのメモリにアクセスすべきかを判断する、
請求項10に記載のモバイルデバイス。 - 前記プロセッサが、前記不揮発性メモリから情報を読み取ることによって、電力停止から再起動する、請求項11に記載のモバイルデバイス。
- 前記電力停止が、セキュリティをくぐり抜けるための無制御電力停止および/または意図的電力中断を含む、請求項12に記載のモバイルデバイス。
- 前記プロセッサが、瞬時オンモード中に前記不揮発性メモリからの読取りを再開する、請求項11のモバイルデバイス。
- 前記不揮発性メモリが、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)および/またはスピントランスファートルクMRAM(STT-MRAM)を備える、請求項9に記載のモバイルデバイス。
- 前記シャドーコピーコントローラが、前記不揮発性メモリに/からプロセッサ状態情報を書き込む/読み取る、請求項9に記載のモバイルデバイス。
- 前記シャドーコピーコントローラが、前記不揮発性メモリに/から瞬時オン情報を書き込む/読み取る、請求項12に記載のモバイルデバイス。
- 前記シャドーコピーコントローラが、前記不揮発性メモリに/からセキュリティ情報を書き込む/読み取る、請求項9に記載のモバイルデバイス。
- 前記シャドーコピーコントローラが、前記不揮発性メモリに/からデジタル著作権管理(DRM)情報を書き込む/読み取る、請求項9に記載のモバイルデバイス。
- 前記揮発性メモリと前記不揮発性メモリと前記メモリコントローラと前記シャドーコピーコントローラと前記プロセッサとが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項9に記載のモバイルデバイス。
- モバイルデバイス中の不揮発性メモリを管理するための方法であって、
前記モバイルデバイスの電力モードを判断し、
前記電力モードに基づいて、電力中断が起こらなかったことを判断し、
動作を処理するために揮発性メモリにアクセスし、
揮発性メモリの所定の部分に記憶された情報を不揮発性メモリにコピーする、
ステップとを含む、方法。 - 前記電力モードに基づいて、電力中断が起こったことを判断し、
不揮発性メモリから情報にアクセスすることによって再起動する、
ステップとをさらに含む、請求項21に記載の方法。 - 前記電力停止が、セキュリティをくぐり抜けるための無制御電力停止および/または意図的電力中断を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリが、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)および/またはスピントランスファートルクMRAM(STT-MRAM)を備える、請求項21に記載の方法。
- モバイルデバイス中の不揮発性メモリを管理するための方法であって、
前記モバイルデバイスの電力モードを判断するためのステップと、
前記電力モードに基づいて、電力中断が起こらなかったことを判断するためのステップと、
動作を処理するために揮発性メモリにアクセスするためのステップと、
揮発性メモリの所定の部分に記憶された情報を不揮発性メモリにコピーするためのステップと
を含む、モバイルデバイス中の不揮発性メモリを管理するための方法。 - 前記電力モードに基づいて、電力中断が起こったことを判断するためのステップと、
前記不揮発性メモリから前記情報にアクセスすることによって再起動するためのステップと
をさらに備える、請求項25に記載の方法。 - プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに動作を実行させる命令を記録するコンピュータ可読記録媒体であって、前記命令が、
前記モバイルデバイスの電力モードを判断するための命令と、
前記電力モードに基づいて、電力中断が起こらなかったことを判断するための命令と、
動作を処理するために揮発性メモリにアクセスするための命令と、
揮発性メモリの所定の部分に記憶された情報を不揮発性メモリにコピーするための命令と
を記録する、コンピュータ可読記録媒体。 - 前記電力モードに基づいて、電力中断が起こったことを判断するための命令と、
不揮発性メモリから情報にアクセスすることによって再起動するための命令と
をさらに記録する、請求項27に記載のコンピュータ可読記録媒体。 - モバイルデバイス中の不揮発性メモリを管理する装置であって、
前記モバイルデバイスの電力モードを判断するための手段と、
前記電力モードに基づいて、電力中断が起こらなかったことを判断するための手段と、
動作を処理するために揮発性メモリにアクセスするための手段と、
揮発性メモリの所定の部分に記憶された情報を不揮発性メモリにコピーするための手段と
を備える、装置。 - 前記電力モードに基づいて、電力中断が起こったことを判断するための手段と、
前記不揮発性メモリから前記情報にアクセスすることによって再起動するための手段と
をさらに備える、請求項29に記載の装置。 - 前記電力停止が、セキュリティを回避するための無制御電力停止および/または意図的電力中断を含む、請求項29に記載の装置。
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