JP2013527982A - コントラストパターンの挿入によるライン端部の補正を有する電子ビームリソグラフィ法 - Google Patents
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Abstract
Description
−2つのライン端部の間に位置したゾーン内に進入した部分が存在しないタイプ310及び320のパターン:一般的な規則として、これらのタイプのパターンは、このゾーン360の特性寸法が約10nm未満である際に選択され、更に詳しくは、経験的には、タイプ310のパターンは、寸法360が5nm以下である際に選択され、且つ、タイプ320のパターンは、寸法360が5nm超であるが10nm以下である際に選択される。
−ラインに対して垂直であると共に2つのライン端部の間のゾーン内に位置した少なくとも1つの要素が存在しているタイプ330、340、又は350のパターン
−単一のパターンが間隙内に挿入されているタイプ370のパターン
−それぞれのパターンの最大寸法がネットワークのラインに対して平行であるタイプ380のパターン
−ネットワークのラインに垂直にアライメントされた2つの列を構成するいくつかの領域が間隙内に挿入されているタイプ390のパターン
−L(メインライン)は、エッチング対象のメインラインの幅であり、
−I(メインライン)は、エッチング対象のメインラインの長さであり、
−L(CIF)は、埋め込み対象のそれぞれのCIFの共通幅であり、
−Ii(CIF)は、埋め込み対象のそれぞれのCIFの特徴を示す長さであり、
−S1は、2つの対向したメインラインの間の間隙の寸法であり、
−S2は、メインラインの方向に沿った2つのCIFの間の間隙の寸法であり、
−S3は、メインラインに垂直の方向に沿ったCIFとメインラインの間の間隙の寸法であり、
−S4は、メインラインの方向に沿ったCIFとメインラインの間の間隙の寸法であり、
−S5は、メインラインに垂直の方向に沿った2つのCIFの間の間隙の寸法である。
−パラメータL(メインライン)及びI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRM(Design Rule Manual)の最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びIi(CIF)は、約5〜20nmであり、
−S2及びS3は、約5〜20nmの値において固定される。
−パラメータL(メインライン)は、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、
−パラメータI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びIi(CIF)は、約5〜50nmであり、
−S2は、メインラインの収縮に基づいて約5〜100nmの値において固定され、
−S4は、約5〜50nmの値において固定される。
−パラメータL(メインライン)は、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、
−パラメータI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びI(CIF)は、約5〜50nmであり、
−S2は、メインラインの収縮に基づいて約5〜100nmの値において固定され、
−S3は、約5〜50nmの値において固定される。
−パラメータL(メインライン)は、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、
−パラメータI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びI(CIF)は、約5〜50nmであり、
−S2は、メインラインの収縮に基づいて約5〜100nmの値において固定され、
−S3、S4、及びS5は、約5〜50nmの値において固定される。
−2つのライン端部の間に位置したゾーン内に進入した部分が存在しないタイプ310及び320のパターン:一般的な規則として、これらのタイプのパターンは、このゾーン360の特性寸法が約10nm未満である際に選択され、更に詳しくは、経験的には、タイプ310のパターンは、寸法360が5nm以下である際に選択され、且つ、タイプ320のパターンは、寸法360が5nm超であるが10nm以下である際に選択される。
−ラインに対して垂直であると共に2つのライン端部の間のゾーン内に位置した少なくとも1つの要素が存在しているタイプ330、340、又は350のパターン
−単一のパターンが間隙内に挿入されているタイプ370のパターン
−それぞれのパターンの最大寸法がネットワークのラインに対して平行であるタイプ380のパターン
−ネットワークのラインに垂直にアライメントされた2つの列を構成するいくつかの領域が間隙内に挿入されているタイプ390のパターン
−L(メインライン)は、エッチング対象のメインラインの幅であり、
−I(メインライン)は、エッチング対象のメインラインの長さであり、
−L(CIF)は、埋め込み対象のそれぞれのCIFの共通幅であり、
−Ii(CIF)は、埋め込み対象のそれぞれのCIFの特徴を示す長さであり、
−S1は、2つの対向したメインラインの間の間隙の寸法であり、
−S2は、メインラインの方向に沿った2つのCIFの間の間隙の寸法であり、
−S3は、メインラインに垂直の方向に沿ったCIFとメインラインの間の間隙の寸法であり、
−S4は、メインラインの方向に沿ったCIFとメインラインの間の間隙の寸法であり、
−S5は、メインラインに垂直の方向に沿った2つのCIFの間の間隙の寸法である。
−パラメータL(メインライン)及びI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRM(Design Rule Manual)の最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びIi(CIF)は、約5〜20nmであり、
−S2及びS3は、約5〜20nmの値において固定される。
−パラメータL(メインライン)は、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、
−パラメータI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びIi(CIF)は、約5〜50nmであり、
−S2は、メインラインの収縮に基づいて約5〜100nmの値において固定され、
−S4は、約5〜50nmの値において固定される。
−パラメータL(メインライン)は、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、
−パラメータI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びI(CIF)は、約5〜50nmであり、
−S2は、メインラインの収縮に基づいて約5〜100nmの値において固定され、
−S3は、約5〜50nmの値において固定される。
−パラメータL(メインライン)は、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、
−パラメータI(メインライン)は、変更されず、
−パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、
−L(CIF)及びI(CIF)は、約5〜50nmであり、
−S2は、メインラインの収縮に基づいて約5〜100nmの値において固定され、
−S3、S4、及びS5は、約5〜50nmの値において固定される。
Claims (11)
- 樹脂被覆された基板上におけるラインのネットワークの電子ビームリソグラフィ法であって、
対向する状態において限界ライン端部をそれぞれが有する前記ネットワークの少なくとも2つの対向したラインを選択するステップと、
前記ラインの端部の形状に適用する補正を判定するステップと、
を有する方法であって、
いくつかのもの(330、340、350)のうちから選択された少なくとも1つのコントラスト強化構造のタイプを判定するステップと、
前記コントラスト強化構造の、前記2つの対向した限界ライン端部の間の間隙内における特性寸法及び場所(S1、S2、S3、S4)を算出するステップと、
前記構造を生成するステップと、
前記判定されたパラメータに基づいて前記対向した限界ライン端部の端部との関係において前記構造を配置するステップと、
を更に有することを特徴とするリソグラフィ法。 - 前記コントラスト強化構造(330)は、H字様の構造であり、そのブランチは、それぞれ、約5〜50nmの固有寸法を有し、前記限界ラインの方向に垂直であるそのブランチは、約5〜50nmの前記限界ラインに平行な方向に沿って前記限界ラインの端部から距離S2において間隙の中央に配置されており、且つ、前記限界ラインの方向に平行であるそのブランチは、約5〜50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインの両側に対称的な方式で配置されていることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。
- 前記コントラスト強化構造(340、350)は、前記限界ラインに垂直の方向に沿って前記間隙内に対称的な方式で配置された2つの平行なバーから構成されており、前記バーのそれぞれは、約5〜50nmの固有寸法を有し、約5〜100nmの距離S2だけ、離隔しており、且つ、それぞれ、約5〜50nmの前記限界ラインに平行な距離S4だけ前記限界ラインの端部から離隔していることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。
- 前記2つの平行なバーは、その端部のそれぞれに、約5〜50nmの固有寸法の4つの領域を更に有することを特徴とする請求項3に記載のリソグラフィ法。
- 前記コントラスト強化構造(370)は、前記ラインの幅Lに実質的に等しい幅の領域から構成され、前記領域は、前記領域が前記限界ラインに平行な距離S4に位置するように算出された高さを有し、前記距離は、実質的に5〜50nmであることを特徴とする請求項1に記載のリソフグラフィ法。
- 前記コントラスト強化構造(380)は、実質的に5〜50nmの固有寸法(Li、Ii)を有する少なくとも2つのCIF(CIF1、...CIFi...)から構成され、前記パターンは、実質的に5〜20nmの前記限界ラインに垂直の距離S5だけ相互に分離されており、前記パターンの数は、外部領域が、約5〜50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインのエッジの両側に対称的な方式で配置されるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。
- 前記コントラスト強化構造(390)は、実質的に5〜20nmの固有の寸法の、前記間隙の内部を通過する実質的に正方形の領域の2つの列から構成され、前記2つの列は、実質的に5〜50nmの前記限界ラインの方向における距離S5だけ分離され、前記領域の数は、外部領域が、約5〜50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインのエッジの両側に対称的な方式で配置されるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。
- 前記コントラスト強化構造のタイプ、その寸法、及びその場所は、前記限界ライン及び前記最適なコントラスト強化構造を有するターゲット設計を自動的に判定するためのモデルによって判定されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。
- 前記限界ラインの少なくとも1つの寸法及びコントラスト強化構造の少なくとも1つの寸法を算出する少なくとも1つのステップと、
前記限界ライン及びコントラスト強化構造上における被放射量の調節を算出するステップと、
を更に有し、
前記計算は、プロセスエネルギー許容度、前記コントラスト強化構造の形状、前記コントラスト強化構造の位置、及びこれらと前記プロセスエネルギー許容度の組合せを有する群から選択された最適化基準と関連していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。 - プログラムコード命令を有するコンピュータプログラムであって、前記プログラムコード命令は、前記プログラムがコンピュータ上において実行された際に請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電子ビームリソグラフィ法を実行するように構成されており、対向する状態において限界ライン端部をそれぞれが有する前記ネットワークの少なくとも2つの対向したラインを選択するためのモジュールと、前記ラインの端部の形状に適用する補正を判定するためのモジュールと、を有するコンピュータプログラムであって、
いくつかのもの(330、340、350)のうちから選択された少なくとも1つのコントラスト強化構造のタイプを判定するためのモジュールと、
前記コントラスト強化構造の、前記2つの対向した限界ライン端部の間の間隙内における特性寸法及び場所(S1、S2、S3、S4)を算出するためのモジュールと、
前記構造を生成するためのモジュールと、
前記判定されたパラメータに基づいて前記対向した限界ライン端部の端部との関係において前記構造を配置するためのモジュールと、
を更に有することを特徴とするコンピュータプログラム。 - 前記限界ラインの少なくとも1つの寸法及びコントラスト強化構造の少なくとも1つの寸法を算出するためのモジュールと、
前記限界ライン及びコントラスト強化構造上における非放射量の調節を算出するためのモジュールと、
を更に有し、
前記計算は、プロセスエネルギー許容度、前記コントラスト強化構造の形状、前記コントラスト強化構造の位置、及びこれらと前記プロセスエネルギー許容度の組合せを有する群から選択された最適化基準と関連していることを特徴とする請求項10に記載のコンピュータプログラム。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2020184582A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9885951B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-02-06 | International Business Machines Corporation | Structure design generation for fixing metal tip-to-tip across cell boundary |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07312341A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-11-28 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光マスク及びその製造方法及び電子ビーム露光方法 |
JPH08202018A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Fujitsu Ltd | マスク及びその作成方法並びに荷電粒子ビーム露光方法 |
JP2001326163A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Nec Corp | 電子線描画用マスク及びその作製方法 |
JP2003092250A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004071767A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Sony Corp | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 |
JP2009164364A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5849437A (en) | 1994-03-25 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
US6316164B1 (en) * | 1999-03-16 | 2001-11-13 | N. William Parker | Proximity effect correction method through uniform removal of fraction of interior pixels |
US6361911B1 (en) * | 2000-04-17 | 2002-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Using a dummy frame pattern to improve CD control of VSB E-beam exposure system and the proximity effect of laser beam exposure system and Gaussian E-beam exposure system |
US7494751B2 (en) | 2005-01-27 | 2009-02-24 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for improving depth of focus during optical lithography |
US7897308B2 (en) * | 2006-05-05 | 2011-03-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for transferring a predetermined pattern reducing proximity effects |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07312341A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-11-28 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光マスク及びその製造方法及び電子ビーム露光方法 |
JPH08202018A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Fujitsu Ltd | マスク及びその作成方法並びに荷電粒子ビーム露光方法 |
JP2001326163A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Nec Corp | 電子線描画用マスク及びその作製方法 |
JP2003092250A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004071767A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Sony Corp | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 |
JP2009164364A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020184582A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
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