JP2013501347A - エピタキシャル積層体を備えたブロードエリアレーザ及びブロードエリアレーザの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−個別エミッタの密度、特にウェブのそれぞれの間隔を介して調整可能である密度、
−レーザ閾値電流、例えば屈折率導波及び/又は個々のウェブの異なる幅を介して電流拡散を制御することによって調整可能であるレーザ閾値電流、及び、
−勾配、例えば損失を制御することによって調整可能である勾配、
−又はそれらの組み合わせ。
a)成長基板上に積層体をエピタキシャルに成長させるステップ。ここで積層体は上面及び下面を有している。
b)ブロードエリアレーザ構造が形成されるように、積層体の対向する二つの縁部において積層体の上面をエッチングするステップ。
ウェブが形成されるように、ブロードエリアレーザ構造の領域において積層体の上面をエッチングして溝を形成するステップ。ウェブはそれぞれ最大で20μm、有利には最大で10μmの幅を有しており、また、隣接するウェブは最大で20μm、有利には最大で10μmの間隔を相互に有している。
Claims (15)
- ビーム生成活性層(21)を含んでおり、且つ、上面(22)及び下面(23)を有しているエピタキシャルな積層体(2)を備えているブロードエリアレーザ(1)において、
前記積層体(2)は前記上面(22)から前記下面(23)の方向に案内されている複数の溝(3)を有しており、該溝(3)においては前記積層体(2)の少なくとも一つの層が少なくとも部分的に除去されており、
前記積層体(2)の上面は複数のウェブ(4)を有しており、該ウェブ(4)はそれぞれ前記溝(3)と接していて、前記積層体(2)の上面側はストライプ状に構成されており、
前記ウェブ(4)及び前記溝(3)はそれぞれ最大で20μmの幅(d1,d2)を有していることを特徴とする、ブロードエリアレーザ。 - 前記ビーム生成活性層(21)の前記下面(23)と対向する側では、前記積層体(2)の少なくとも一つの層がn型にドーピングされており、
前記ビーム生成活性層(21)の前記上面(22)と対向する側では、前記積層体(2)の少なくとも一つの層がp型にドーピングされており、
前記溝(3)は前記積層体(2)のp型にドーピングされている一つ又は複数の層に形成されている、請求項1記載のブロードエリアレーザ。 - 前記積層体はInGaAlN材料系を基礎としている、請求項1又は2に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記溝(3)は前記活性層を貫通している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記溝(3)はそれぞれ同じ深さを有している、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記溝(3)は少なくとも部分的に異なる深さを有している、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 隣接するウェブ(4)はそれぞれ相互に同じ間隔を空けて配置されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 隣接するウェブ(4)は少なくとも部分的に相互に異なる間隔を空けて配置されており、隣接する内側のウェブ(4a)は隣接する外側のウェブ(4b)よりも相互に大きい間隔を有している、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記ウェブ(4)は少なくとも部分的に異なる幅(b1,b2)を有している、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記溝(3)はそれぞれ湾曲部を備えている底面(31)をそれぞれ有している、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記ウェブ(4)の上には少なくとも部分的に端子層(5)が配置されている、請求項1乃至10のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記端子層(5)は前記ウェブ(4)の上において、前記積層体(2)の相互に対向する二つの縁部(5a,5b)から距離を置いて終端している端子層(5)としてそれぞれ構成されている、請求項11に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記端子層(5)は前記ウェブ(4)の上において、一つ又は複数の開口部(5c)が設けられている端子層(5)としてそれぞれ構成されている、請求項11又は12に記載のブロードエリアレーザ。
- 前記ウェブ(4)と前記端子層(5)との間に部分的にパッシベーション層が配置されている、請求項11乃至13のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
- ブロードエリアレーザ(1)を製造するための方法において、
成長基板上に積層体(2)をエピタキシャルに成長させるステップであって、前記積層体(2)は上面(22)及び下面(23)を有しているステップと、
前記積層体(2)の対向する二つの縁部(24a,24b)において前記積層体(2)の上面をエッチングし、ブロードエリアレーザ構造を形成するステップと、
ウェブ(4)が形成されるように、前記ブロードエリアレーザ構造の領域において前記積層体(2)の上面をエッチングして溝(3)を形成するステップであって、前記ウェブ(4)はそれぞれ最大で20μmの幅(d1)を有しており、且つ、隣接するウェブ(4)は最大で20μmの間隔(d2)を相互に有しているステップとを備えていることを特徴とする、ブロードエリアレーザ(1)を製造するための方法。
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