JP2013248841A - テンプレート洗浄方法、パターン形成方法、光洗浄装置およびナノインプリント装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のテンプレート洗浄方法は、ナノインプリントに用いられるテンプレートのパターン面を光洗浄するテンプレート洗浄方法であって、乾燥空気の雰囲気下において、真空紫外光をテンプレートのパターン面に照射する真空紫外光照射工程を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
このナノインプリント技術を利用したパターン形成方法においては、パターンを形成すべき基板例えばウエハ上に、液状の光硬化型または熱硬化型のレジストよりなるナノインプリント材料を塗布することによってナノインプリント材料層を形成し、このナノインプリント材料層に対して、形成すべきパターンのネガとなるパターンが形成されたテンプレート(モールド)を接触させ、この状態で、ナノインプリント材料層を硬化処理し、その後、得られた硬化樹脂層からテンプレートを離型する工程が行われる(特許文献1および特許文献2参照。)。
而して、テンプレートを洗浄する方法としては、テンプレートのパターン面を水等の洗浄剤に浸漬させた後、テンプレートのパターン面に紫外光を照射することにより、洗浄剤を光励起して酸素ラジカルやOHラジカル等のラジカルを生成させ、このラジカルによってレジスト残渣を分解除去する方法(特許文献3参照。)が知られている。
然るに、このような洗浄法においては、テンプレートのパターン面を洗浄剤に浸漬させたときに、洗浄剤中にレジスト残渣が分散されることにより、後続のテンプレート洗浄において、洗浄剤中に分散したレジスト残渣が再度テンプレートに付着することによって二次汚染が生じる、という問題がある。
また、テンプレートを洗浄するために、テンプレートをナノインプリント装置から取り外し、テンプレートの洗浄が終了した後、当該テンプレートをナノインプリント装置に取り付ける作業が必要となり、従って、パターン形成工程を長時間にわたって停止しなければならないため、生産効率が低下する、という問題がある。
この光洗浄方法においては、ガラス基板の表面に真空紫外光を照射することにより、当該真空紫外光のエネルギーによって異物が分解されると共に、空気中の酸素に真空紫外光が照射されることにより生じたラジカル酸素、オゾン等の活性酸素によって分解物が酸化してガス化される結果、ガラス基板の表面に存在する異物が除去される。
本発明者は、このような問題について鋭意検討重ねた結果、レジスト残渣中に含まれる硫黄元素やリン元素が空気中の水と反応することにより、硫酸、リン酸、その他の硫黄化合物またはリン化合物が生成され、この硫黄化合物やリン化合物がテンプレートのパターン面に残留すると推定し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
本発明の他の目的は、欠陥の少ないパターンを形成することができるパターン形成方法およびナノインプリント装置を提供することにある。
また、本発明のテンプレート洗浄方法においては、前記真空紫外光照射工程は、前記テンプレートをそのパターン面の温度が25〜150℃となるよう温度制御した状態で行われることが好ましい。
このようなテンプレート洗浄方法においては、前記テンプレートに接触または接近して配置された温度制御手段によって、当該テンプレートを温度制御してもよく、また、前記乾燥空気の温度を25〜150℃とすることによって、前記テンプレートを温度制御してもよい。
また、本発明における乾燥空気の露点計測器については、−80℃までをTesto社の6740型圧力露点変換器を使用し、−80℃を超えた低湿度についてはパナメトリックス社のナノトレース水分計DF750型を使用して計測した。後者では水分はppm〜pptで計測されるが、露点は計算で算出することができる。
当該インプリント材料層に、上記のテンプレート洗浄方法によって洗浄されたテンプレートを押圧し、この状態で、当該インプリント材料層を硬化処理することを特徴とする。
前記紫外光透過窓の周囲に、乾燥空気供給機構に接続される乾燥空気供給口を有することを特徴とする。
紫外光透過窓を有する筐体と、この筐体内に配置された、真空紫外光を放射する紫外光放射ランプとを有する、当該紫外光透過窓がテンプレートのパターン面に間隙を介して対向するよう配置される光出射機構を具え、
前記チャンバには、乾燥空気供給機構に接続される乾燥空気供給口が形成されていることを特徴とする。
上記の光洗浄装置が設けられていることを特徴とする。
本発明のパターン形成方法およびナノインプリント装置によれば、インプリント材料層に、上記のテンプレート洗浄方法によって洗浄されたテンプレートを押圧することにより、欠陥の少ないパターンを確実に形成することができる。
図1(a)は、本発明のテンプレート洗浄方法およびパターン形成方法を実行するためのナノインプリント装置の一例における内部の構成の概略を示す説明図であり、図1(b)は、図1(a)に示すナノインプリント装置をX−Xで切断して示す説明用断面図である。
図1において、1はテンプレート、2はテンプレート1を保持する保持部材、3はチャンバであって、テンプレート1はチャンバー3の内部に位置する。4は、被処理物である基板Wをテンプレート1の下方位置に搬送する搬送機構であって、この搬送機構4には、基板Wを保持するチャック4aが設けられている。5は、基板Wの表面に液状の光硬化型レジストよりなるインプリント材料を塗布することによってインプリント材料層を形成するインクジェット方式による塗布手段、6はテンプレート1の上方に位置し、基板W上に形成されたインプリント材料層にテンプレートを介して紫外光を照射することによって当該インプリント材料層を硬化処理する硬化処理手段である。30は、テンプレート1のパターン面に真空紫外光を照射する光洗浄装置であり、この光洗浄装置30は、テンプレート1のパターン面に間隙を介して配置されるよう搬送する搬送アーム(図示省略)に固定されている。
また、チャンバ3における一側壁3aの下方位置には、乾燥空気供給機構(図示省略)に接続された、基板Wと光洗浄装置との間に乾燥空気を供給するための乾燥空気供給口K1が形成され、チャンバ3における一側壁3aに対向する他側壁3bの上方位置には、乾燥空気供給口K1からの乾燥空気を排出するための乾燥空気排出口Tが形成されている。 また、チャンバ3内には、当該チャンバ3内の空気の露点を測定する露点計測器(図示省略)が設けられている。
硬化処理手段6における紫外光光源としては、例えばメタルハライドランプ、高圧水銀灯、LEDなどを用いることができる。
この光洗浄装置30における筐体10は外形が略直方体状のものであり、この筐体10内には、ランプ収容室S1および回路室S2が隔壁12を介して並ぶよう形成されており、筐体10におけるランプ収容室S1を形成する部分の上面には、例えば石英ガラスよりなる紫外光透過窓11が、枠状の固定板13によって固定されて設けられている。
筐体10におけるランプ収容室S1内には、波長200nm以下の真空紫外光を放射するエキシマランプ20が配置され、回路室S2内には、昇圧トランス25などが配置されている。また、図2において、15は、ランプ収容室S1内に例えば窒素ガスなどのパージ用ガスを供給するためのパージ用ガス流通管である。
高電圧側電極22およびアース側電極23を構成する材料としては、アルミニウム、ニッケル、金などの金属材料を用いることができる。また、高電圧側電極22およびアース側電極23は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することもできる。
放電容器21の放電空間S内に封入されるエキシマ発光用ガスとしては、真空紫外光を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができる。エキシマ用発光ガスの具体的な例を、放射される真空紫外光の波長と共に示すと、キセノンガスでは172nm、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは191nm、アルゴンとフッ素との混合ガスでは193nmである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば10〜100kPaである。
具体的には、図6(c)に示すように、搬送機構4によって、基板Wが、テンプレート1の下方位置からその側方位置に移動されて退避されると共に、光洗浄装置30がテンプレート1の下方位置に搬送され、その紫外光透過窓11(図3参照)がテンプレート1のパターン面に間隙を介して対向するよう配置され、この状態で、真空紫外光照射工程が実行される。
ここで、紫外光透過窓11の外面とテンプレート1のパターン面との間の離間距離は、例えば0.3〜10.0mmである。
その後、光洗浄装置30が搬送されてテンプレート1の下方位置から退避され、後続の基板Wに対するパターン形成が実行される。
このような乾燥空気供給機構においては、コンプレッサによる圧縮空気の圧力および空気冷却器による圧縮空気の冷却温度を制御することにより、得られる乾燥空気の露点を調整することができる。
また、テンプレート1に対する真空紫外光の照射時間は、例えば3〜3600秒間である。
また、上記のパターン形成方法およびナノインプリント装置によれば、インプリント材料層P1に、上記のテンプレート洗浄方法によって洗浄されたテンプレート1を押圧することにより、欠陥の少ないパターンを確実に形成することができる。
この光洗浄装置30における筐体10には、その一側面(図において右側面)における上縁部に沿って、乾燥空気供給機構(図示省略)に接続されて乾燥空気が流通される矩形の筒状の一方のガス流路部材16が設けられていると共に、その他側面(図において左側面)における上縁部に沿って、ガス吸引機構(図示省略)に接続されて乾燥空気が流通される矩形の筒状の他方のガス流路部材17が設けられている。一方のガス流路部材16の上面には、乾燥空気供給口K1が形成され、これにより、筐体10における紫外光透過窓11の周囲に、乾燥空気供給口K1が位置されている。また、他方のガス流路部材17の上面には、乾燥空気吸引口K2が形成され、これにより、筐体10における紫外光透過窓11の周囲に、乾燥空気吸引口K2が位置されている。また、一方のガス流路部材16および他方のガス流路部材17の各々の側面には、乾燥空気が流れる方向を規制する仕切り板18が設けられている。仕切り板18は、仕切り板18と保持部材との間の間隙を紫外光透過窓11とテンプレート1との間の間隙より小さくなるように設けられている。その他の構成は、図3および図4に示す光洗浄装置と同様である。
真空紫外光照射工程においては、乾燥空気供給口K1に接続された乾燥空気供給機構を作動させると共に、乾燥空気吸引口K2に接続されたガス吸引機構を作動させ、これにより、乾燥空気供給口K1から供給された乾燥空気が、光洗浄装置30における紫外光透過窓11とテンプレート1との間の間隙に流通され、その結果、テンプレート1のパターン面が乾燥空気の雰囲気とされる。そして、この状態で、光洗浄装置30におけるエキシマランプ20を点灯させることにより、エキシマランプ20からの真空紫外光が紫外光透過窓11を介してテンプレート1のパターン面に照射され、以て、テンプレート1の光洗浄が達成される。
その後、光洗浄装置30が搬送されてテンプレート1の下方位置から退避され、後続の基板に対するパターン形成が実行される。
上記の光洗浄装置による真空紫外光照射工程における具体的な条件は、前述のナノインプリント装置による真空紫外光照射工程と同様である。
また、紫外光透過窓の周囲に乾燥空気吸引口K2が設けられているため、紫外光透過窓11とテンプレート1との間の間隙に流通する乾燥空気を乾燥空気吸引口K2によって吸引することにより、インプリント材料層中に含まれる水分が蒸発しても、テンプレート1の周辺の乾燥空気の露点が上昇すること、すなわちテンプレート1の乾燥空気中に含まれる水分量が増加することを抑制することができる。
また、一方のガス流路部材16および他方のガス流路部材17の各々の側面に、仕切り板18が設けられ、仕切り板18と保持部材との間の間隙を紫外光透過窓11とテンプレート1との間の間隙より小さくすることにより、光洗浄装置30における紫外光透過窓11とテンプレート1との間の間隙に、乾燥空気を確実に流通させることができる。
そして、このような光洗浄装置30により洗浄されたテンプレート1を、インプリント材料層に押圧することにより、欠陥の少ないパターンを確実に形成することができる。
例えば、光洗浄装置においては、真空紫外光放射ランプとして、エキシマランプの代わりに低圧水銀ランプを用いることができる。
また、図9に示す光洗浄装置においては、一方のガス流路部材16と乾燥空気供給機構との間に、適宜のガス温度制御手段が設けられていてもよく、これにより、ガス温度制御手段によって乾燥空気を25〜150℃に温度制御し、当該温度制御された乾燥空気を光洗浄装置30における紫外光透過窓とテンプレート1との間の間隙に流通させることにより、テンプレート1を温度制御することができる。
また、ナノインプリント方法およびナノインプリント装置においては、熱硬化型のレジストよりなるインプリント材料を用いたナノインプリントに適用することができる。この場合には、テンプレートを構成する材料としては、炭化ケイ素(SiC)を用いることができ、インプリント材料層の硬化処理手段として、ヒータランプを具えてなるものを用いることができる。
図2〜図4の構成に従い、下記の仕様の光洗浄装置を作製した。
[筐体]
ランプ収容室の寸法が250mm×100mm×80mmであり、紫外光透過窓は、合成石英ガラス製で、その縦横の寸法が60mm×60mm、厚みが5mmである。
[エキシマランプ]
放電容器の材質は合成石英ガラスで、その内部にキセノンガスが封入され、発光長が50mm、発光幅が40mm、入力が15Wのものである。
また、このエキシマランプは、筐体内において、放電容器における高電圧側電極が配置された一面が紫外光透過窓と対向するよう配置されており、紫外光透過窓の表面における真空紫外光の放射発散度が80mW/cm2 である。
基板上に、硫黄元素およびリン元素を含む物質が含有されてなる液状の光硬化型レジストよりなるインプリント材料を塗布することによって、当該基板上に厚みが70nmのインプリント材料層を形成し、このインプリント材料層に、上記のテンプレートを押圧し、この状態でインプリント材料層の硬化処理を行い、その後、得られた硬化層からテンプレートを離型した。このパターン形成操作を同一のテンプレートを用いて合計12回行った。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−20℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−30℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−50℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−80℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−90℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−110℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
紫外光透過窓とテンプレートとの間の間隙に乾燥空気を流通させず、大気下においてテンプレートの洗浄を行ったこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。ここで、大気の露点は15℃であった。結果を表1に示す。
露点が10℃の乾燥空気の代わりに露点が−130℃の乾燥空気を用いたこと以外は実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いた12回のパターン形成操作、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表1に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が20℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が25℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が50℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が75℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が100℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が150℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が200℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が250℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例3と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
テンプレートの洗浄において、温度制御手段によって、テンプレートをそのパターン面の温度が10℃となるよう温度制御したこと以外は、実施例1と同様にして、上記テンプレートを用いたパターン形成操作を12回、テンプレートの洗浄、および洗浄されたテンプレートを用いたパターン形成操作を1回行い、得られた硬化層を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積(25μm2 )当たりのパターン欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
2 保持部材
3 チャンバ
3a 一側壁
3b 他側壁
4 搬送機構
4a チャック
5 塗布手段
6 硬化処理機構
7 温度制御手段
10 筐体
11 紫外光透過窓
12 隔壁
13 固定板
15 パージ用ガス流通管
16 一方のガス流路部材
17 他方のガス流路部材
18 仕切板
20 エキシマランプ
21 放電容器
22 高電圧側電極
23 アース側電極
24 口金
25 昇圧トランス
30 光洗浄装置
D1 温度制御実行位置
D2 退避位置
K1 乾燥空気供給口
K2 乾燥空気吸引口
P1 インプリント材料層
P2 硬化層
S 放電空間
S1 ランプ収容室
S2 回路室
T 乾燥空気排出口
W 基板
Claims (10)
- ナノインプリントに用いられるテンプレートのパターン面を光洗浄するテンプレート洗浄方法であって、乾燥空気の雰囲気下において、真空紫外光をテンプレートのパターン面に照射する真空紫外光照射工程を有することを特徴とするテンプレート洗浄方法。
- 前記乾燥空気の露点が−110〜10℃であることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート洗浄方法。
- 前記真空紫外光照射工程は、前記テンプレートをそのパターン面の温度が25〜150℃となるよう温度制御した状態で行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のテンプレート洗浄方法。
- 前記テンプレートに接触または接近して配置された温度制御手段によって、当該テンプレートを温度制御することを特徴とする請求項3に記載のテンプレート洗浄方法。
- 前記乾燥空気の温度を25〜150℃とすることによって、前記テンプレートを温度制御することを特徴とする請求項3に記載のテンプレート洗浄方法。
- パターンを形成すべき基板上にインプリント材料を塗布することによってインプリント材料層を形成し、
当該インプリント材料層に、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のテンプレート洗浄方法によって洗浄処理されたテンプレートを押圧し、この状態で、当該インプリント材料層を硬化処理することを特徴とするパターン形成方法。 - 紫外光透過窓を有する筐体と、この筐体内に配置された、真空紫外光を放射する紫外光放射ランプとを有する光出射機構を具えてなり、前記光出射機構における前記紫外光透過窓がナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に間隙を介して対向するよう配置される光洗浄装置であって、
前記紫外光透過窓の周囲に、乾燥空気供給機構に接続される乾燥空気供給口を有することを特徴とする光洗浄装置。 - 前記紫外光透過窓の周囲に、前記紫外光透過窓と前記テンプレートとの間の間隙に流通する乾燥空気を吸引する乾燥空気吸引口を有することを特徴とする請求項7に記載の光洗浄装置。
- チャンバ内に配置されたテンプレートと、このテンプレートの下方位置に、基板上にインプリント材料層が形成されてなる被処理物を搬送する搬送機構と、前記インプリント材料層を硬化処理する硬化処理手段とを具えてなるナノインプリント装置であって、
紫外光透過窓を有する筐体と、この筐体内に配置された、真空紫外光を放射する紫外光放射ランプとを有する、当該紫外光透過窓がテンプレートのパターン面に間隙を介して対向するよう配置される光洗浄装置を具え、
前記チャンバには、乾燥空気供給機構に接続される乾燥空気供給口が形成されていることを特徴とするナノインプリント装置。 - チャンバ内に配置されたテンプレートと、このテンプレートの下方位置に、基板上にインプリント材料層が形成されてなる被処理物を搬送する搬送機構と、前記インプリント材料層を硬化処理する硬化処理手段とを具えてなるナノインプリント装置であって、
請求項7または請求項8に記載の光洗浄装置が設けられていることを特徴とするナノインプリント装置。
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