JP2013247069A - Substrate static elimination system - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently and reliably eliminate a static current from a substrate to be conveyed.SOLUTION: A substrate static elimination system 1 comprises: a conveying mechanism 11 for conveying a located substrate; a charging sensor 12 for measuring a charging amount in a region of opposed substrates 10; a static eliminator 13 arranged nearer a downstream side in a conveying direction of the substrate 10 than the charging sensor 12 and emitting ions to the region of the opposed substrates 10; and a conveying speed controlling section 15 for controlling a conveying speed of the substrates 10 by the conveying mechanism 11 according to the charging amount measured by the charging sensor 12.

Description

本発明は、搬送する基板を除電する基板除電システムに関するものである。   The present invention relates to a substrate neutralization system that neutralizes a substrate to be transported.

液晶表示装置に用いられるガラス基板や半導体のウェハ等の基板は、ベルトコンベア等によって搬送されると共に、例えば成膜や洗浄等を行う基板処理装置へ搬入及び搬出される。しかし、上記ベルトコンベアや基板処理装置から搬出される際の剥離帯電や摩擦帯電などによって、基板には徐々に静電気が蓄積されてしまう。そして、基板の帯電量がある臨界値を超えてしまうと、近接する金属部材との間でスパークが発生し易くなる。その結果、基板に形成された素子等が損傷してしまう問題がある。   A substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer used in a liquid crystal display device is conveyed by a belt conveyor or the like, and is carried into and out of a substrate processing apparatus that performs film formation, cleaning, and the like. However, static electricity is gradually accumulated on the substrate due to peeling charging or frictional charging when the belt conveyor or the substrate processing apparatus is carried out. When the charge amount of the substrate exceeds a certain critical value, sparks are likely to occur between adjacent metal members. As a result, there is a problem that an element formed on the substrate is damaged.

これに対し、特許文献1には、ベルトコンベアのベルトの表面電位を静電センサにより計測し、その計測結果に基づいてベルトを除電する除電装置の除電電圧をコントローラにより制御することが開示されている。そのことにより、ベルトの電位上昇が抑えられるので、搬送する基板におけるスパークの発生が抑制される。   On the other hand, Patent Document 1 discloses that a surface potential of a belt of a belt conveyor is measured by an electrostatic sensor, and a static elimination voltage of a static elimination device that neutralizes the belt is controlled by a controller based on the measurement result. Yes. As a result, an increase in the potential of the belt is suppressed, so that the occurrence of sparks on the substrate to be transported is suppressed.

特開2001−199586号公報JP 2001-199586 A

しかし、通常、除電効果を高めるために、除電装置(イオナイザ)における除電電圧は最大値に設定されている。よって、ベルト又は基板の表面電位が大きくなったときに、除電電圧をさらに高めることはできない。すなわち、上記従来の基板搬送装置には、基板を確実に除電することが難しいという問題がある。   However, in order to enhance the neutralization effect, the neutralization voltage in the neutralization device (ionizer) is normally set to a maximum value. Therefore, the static elimination voltage cannot be further increased when the surface potential of the belt or the substrate increases. In other words, the conventional substrate transfer apparatus has a problem that it is difficult to reliably remove static electricity from the substrate.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、搬送する基板を効率良く且つ確実に除電しようとすることにある。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to efficiently and reliably remove static electricity from a substrate to be transported.

上記の目的を達成するために、この発明では、計測された帯電量に基づいて基板の搬送速度を制御するようにした。   In order to achieve the above object, in the present invention, the transport speed of the substrate is controlled based on the measured charge amount.

具体的に、第1の発明に係る基板除電システムは、載置された基板を搬送する搬送機構と、対向している上記基板の領域における帯電量を計測する帯電センサと、上記帯電センサよりも上記基板の搬送方向下流側に配置され、対向している上記基板の領域にイオンを放出する除電器と、上記帯電センサにより計測された帯電量に基づいて、上記搬送機構による上記基板の搬送速度を制御する搬送速度制御部とを備えている。   Specifically, the substrate static eliminator system according to the first aspect of the present invention includes a transport mechanism that transports a placed substrate, a charge sensor that measures the amount of charge in the region of the substrate that is facing, and a charge sensor that is higher than the charge sensor. The substrate transport speed of the substrate by the transport mechanism based on the charge eliminator disposed on the downstream side of the substrate transport direction and discharging ions to the facing region of the substrate and the charge amount measured by the charge sensor And a conveyance speed control unit for controlling.

この発明によると、搬送機構により搬送される基板は、帯電センサにより計測された帯電量に基づいて、搬送速度制御部により搬送速度が制御される。よって、帯電量が比較的多い基板については、比較的低い速度で搬送することにより、基板を確実に除電することが可能になる。一方、帯電量が比較的少ない基板については、比較的高い速度で搬送することにより、基板を効率良く除電しつつ搬送することが可能になる。   According to the present invention, the transport speed of the substrate transported by the transport mechanism is controlled by the transport speed control unit based on the charge amount measured by the charge sensor. Therefore, for a substrate having a relatively large amount of charge, the substrate can be reliably discharged by being transported at a relatively low speed. On the other hand, a substrate with a relatively small charge amount can be transported while discharging the substrate efficiently by transporting the substrate at a relatively high speed.

第2の発明は、上記第1の発明において、上記搬送速度制御部は、上記帯電センサにより計測された上記基板の帯電量が多いほど、当該基板が上記除電器に対向している間の搬送速度を低く設定することを特徴とする。   In a second aspect based on the first aspect, the transport speed control unit transports the substrate while the substrate is facing the static eliminator as the amount of charge of the substrate measured by the charge sensor increases. The speed is set low.

この発明によると、帯電量が多い基板ほど除電器に長い間対向することになるので、基板を効率良く且つ確実に除電することが可能になる。   According to the present invention, since the substrate with a larger amount of charge faces the static eliminator for a longer time, the substrate can be efficiently and reliably neutralized.

第3の発明は、上記第1の発明において、上記搬送速度制御部は、上記帯電センサにより計測された上記基板の帯電量が所定の閾値以上であるときに、当該基板が上記除電器に対向している間の搬送速度を上記基板の帯電量が上記閾値未満であるときの搬送速度よりも低く設定することを特徴とする。   In a third aspect based on the first aspect, the transport speed control unit is configured so that the substrate faces the static eliminator when the charge amount of the substrate measured by the charge sensor is equal to or greater than a predetermined threshold. In this case, the conveyance speed during the operation is set lower than the conveyance speed when the charge amount of the substrate is less than the threshold value.

この発明によると、帯電量が所定の閾値以上であるか否かによって基板の搬送速度が切り替えられるので、基板を効率良く除電しつつ搬送速度の制御を簡単にすることが可能になる。   According to the present invention, since the substrate conveyance speed is switched depending on whether or not the charge amount is equal to or greater than a predetermined threshold value, it is possible to simplify the control of the conveyance speed while efficiently discharging the substrate.

第4の発明は、上記第3の発明において、上記除電器は、上記基板の搬送方向に複数並んで設けられると共に、それぞれイオン放出状態又はイオン放出停止状態に切り替え可能に構成され、上記帯電センサにより計測された上記基板の帯電量が上記所定の閾値以上であるときに、イオン放出状態の上記除電器の数を、上記基板の帯電量が上記閾値未満であるときにおけるイオン放出状態の上記除電器の数よりも多くする除電器切替制御部をさらに有していることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the charge eliminator is provided in a plurality of rows in the substrate transport direction, and can be switched to an ion emission state or an ion emission stop state, respectively. When the charge amount of the substrate measured by the above is equal to or greater than the predetermined threshold value, the number of the static eliminators in the ion emission state is determined as the above-mentioned removal of the ion discharge state when the charge amount of the substrate is less than the threshold value. It further has a static eliminator switching control unit that increases the number of electric appliances.

この発明によると、帯電量が所定の閾値以上である場合には、基板の搬送速度が比較的低くなると共にイオンを放出する除電器の数が増えるため、より確実に基板を除電できることに加え、基板の搬送速度を大幅に低く設定する必要がないので、基板を効率よく搬送することも可能になる。   According to the present invention, when the charge amount is equal to or greater than a predetermined threshold, the substrate transport speed becomes relatively low and the number of ionizers that emit ions increases, so that the substrate can be discharged more reliably. Since it is not necessary to set the substrate conveyance speed to be significantly low, the substrate can be efficiently conveyed.

第5の発明は、上記第1の発明において、上記搬送速度制御部は、1枚の上記基板について、上記帯電センサにより計測された領域の帯電量が多いほど、当該計測された領域が上記除電器に対向している間の上記基板の搬送速度を低く設定することを特徴とする。   In a fifth aspect based on the first aspect, the transport speed control unit is configured to reduce the measured area as the removal amount increases as the amount of charge in the area measured by the charge sensor increases. The substrate conveyance speed while facing the electric appliance is set low.

この発明によると、1枚の基板のうち帯電量が多い領域については除電器に対向する時間を比較的長くして確実に除電を行う一方、当該基板のうち帯電量が少ない領域については除電器に対向する時間を比較的短くして効率良く除電を行うことが可能になる。つまり、1枚の基板を帯電量の分布に応じて効率良く除電できる。   According to the present invention, in a region with a large amount of charge in one substrate, the charge is surely removed by making the time facing the static eliminator relatively long, while in a region with a small amount of charge in the substrate, It is possible to carry out static elimination efficiently by relatively shortening the time facing the. That is, it is possible to efficiently remove electricity from one substrate according to the distribution of the charge amount.

第6の発明は、上記第1の発明において、上記搬送速度制御部は、1枚の上記基板について、上記帯電センサにより計測された領域の帯電量が所定の閾値以上であるときに、当該計測された領域が上記除電器に対向している間の上記基板の搬送速度を、上記帯電センサにより計測された領域の帯電量が上記所定の閾値未満であるときの搬送速度よりも低く設定することを特徴とする。   In a sixth aspect based on the first aspect, the conveyance speed control unit performs measurement when the amount of charge in a region measured by the charge sensor is equal to or greater than a predetermined threshold for one substrate. The substrate transport speed while the region is facing the static eliminator is set lower than the transport speed when the charge amount of the region measured by the charge sensor is less than the predetermined threshold. It is characterized by.

この発明によると、1枚の基板において各領域の帯電量が所定の閾値以上であるか否かによって基板の搬送速度が切り替えられるので、基板を効率良く除電しつつ搬送速度の制御を簡単にすることが可能になる。   According to the present invention, the transport speed of the substrate is switched depending on whether or not the charge amount of each region in a single substrate is equal to or greater than a predetermined threshold value, so that the transport speed can be easily controlled while discharging the substrate efficiently. It becomes possible.

本発明によれば、帯電量に応じて基板の搬送速度を制御するようにしたので、搬送する基板を効率良く且つ確実に除電することができる。   According to the present invention, since the conveyance speed of the substrate is controlled in accordance with the charge amount, the substrate to be conveyed can be discharged efficiently and reliably.

図1は、本実施形態1における基板除電システムの構成を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a substrate charge removal system according to the first embodiment. 図2は、本実施形態1における基板除電システムを模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the substrate charge removal system in the first embodiment. 図3は、本実施形態3における基板除電システムの構成を示す概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a configuration of the substrate static eliminator system according to the third embodiment. 図4は、本実施形態3における基板除電システムを模式的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing the substrate charge removal system according to the third embodiment. 図5は、本実施形態4における基板除電システムを模式的に示す概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram schematically showing a substrate static eliminator system according to the fourth embodiment. 図6は、帯電センサにより計測された基板の帯電量分布を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the charge amount distribution of the substrate measured by the charge sensor.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiment.

《発明の実施形態1》
図1及び図2は、本発明の実施形態1を示している。
Embodiment 1 of the Invention
1 and 2 show Embodiment 1 of the present invention.

図1は、本実施形態1における基板除電システム1の構成を示す概念図である。図2は、本実施形態1における基板除電システム1を模式的に示す平面図である。   FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a substrate charge removal system 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view schematically showing the substrate charge removal system 1 according to the first embodiment.

基板除電システム1は、図1に示すように、載置された基板10を搬送する搬送機構11と、帯電センサ12と、除電器13とを備えている。搬送される基板10は、例えば、大判のマザーガラスであって、液晶表示パネルを構成するガラス基板が複数含まれている。   As shown in FIG. 1, the substrate neutralization system 1 includes a transport mechanism 11 that transports the placed substrate 10, a charging sensor 12, and a static eliminator 13. The substrate 10 to be conveyed is, for example, a large mother glass, and includes a plurality of glass substrates constituting a liquid crystal display panel.

搬送機構11は、互いに平行に延びると共に所定の間隔で配置された複数の軸21と、各軸21にそれぞれ複数設けられたローラ22とを有している。そうして、搬送機構11は、複数のローラ22に基板10が載置された状態で軸21を回転駆動することにより、基板10を軸21が並ぶ方向(図1に示す搬送方向A)に搬送するようになっている。搬送方向Aは、例えば水平方向となっている。   The transport mechanism 11 includes a plurality of shafts 21 that extend in parallel to each other and are arranged at a predetermined interval, and a plurality of rollers 22 that are provided on each shaft 21. Then, the transport mechanism 11 rotates the shaft 21 in a state where the substrate 10 is placed on the plurality of rollers 22, thereby bringing the substrate 10 into the direction in which the shafts 21 are aligned (transport direction A shown in FIG. 1). It is designed to be transported. The transport direction A is, for example, a horizontal direction.

帯電センサ12は、搬送機構11の上方及び下方にそれぞれ配置されている。各帯電センサ12は互いに対向するように設けられている。また、図2に示すように、帯電センサ12は、基板10の一部に対向するように配置されている。そして、帯電センサ12は、当該帯電センサ12に対向している基板10の領域における帯電量を計測するように構成されている。帯電センサ12の例としては、オムロン株式会社の製品ZJ−SD100を挙げることができる。   The charging sensors 12 are respectively disposed above and below the transport mechanism 11. Each charging sensor 12 is provided to face each other. Further, as shown in FIG. 2, the charging sensor 12 is disposed so as to face a part of the substrate 10. The charge sensor 12 is configured to measure the charge amount in the region of the substrate 10 facing the charge sensor 12. As an example of the charging sensor 12, a product ZJ-SD100 manufactured by OMRON Corporation can be given.

除電器13は、所謂イオナイザであって、帯電センサ12よりも基板10の搬送方向Aの下流側に配置されている。また、除電器13は、搬送機構11の上方及び下方にそれぞれ配置され、互いに対向するように設けられている。各除電器13は、対向している基板10の領域にイオンを放出することによって、その基板10の領域を電気的に中和させるようになっている。   The static eliminator 13 is a so-called ionizer, and is disposed downstream of the charging sensor 12 in the transport direction A of the substrate 10. The static eliminator 13 is disposed above and below the transport mechanism 11 and is provided to face each other. Each static eliminator 13 discharges ions to the area of the substrate 10 facing each other, thereby electrically neutralizing the area of the substrate 10.

除電器13は、軸21に沿って延びる長尺状のイオナイザにより構成されている。イオナイザの例としては、株式会社キーエンスの製品SJ−H300VSOを挙げることができる。イオナイザには、放電針に高電圧を印加しイオンを生成するコロナ放電式イオナイザや、軟X線によりイオンを生成する軟X線式イオナイザ等があり、いずれの方式のイオナイザも採用することができる。   The static eliminator 13 is constituted by a long ionizer extending along the shaft 21. As an example of an ionizer, product SJ-H300VSO of Keyence Corporation can be mentioned. The ionizer includes a corona discharge ionizer that generates ions by applying a high voltage to a discharge needle, a soft X-ray ionizer that generates ions by soft X-rays, and any type of ionizer can be employed. .

また、基板除電システム1は、基板10に記載されているID情報を例えばCCDイメージセンサ等によって読み取るカメラ14を有している。カメラ14は、搬送機構11の上方位置に配置されている。   Moreover, the board | substrate static elimination system 1 has the camera 14 which reads ID information described on the board | substrate 10 with a CCD image sensor etc., for example. The camera 14 is disposed above the transport mechanism 11.

さらに、基板除電システム1は、帯電センサ12により計測された帯電量に基づいて、搬送機構11による基板10の搬送速度を制御する搬送速度制御部15を備えている。搬送速度制御部15は、図1に示すように、速度選定部16と駆動制御部17とを有している。   Furthermore, the substrate charge removal system 1 includes a transport speed control unit 15 that controls the transport speed of the substrate 10 by the transport mechanism 11 based on the charge amount measured by the charge sensor 12. As shown in FIG. 1, the transport speed control unit 15 includes a speed selection unit 16 and a drive control unit 17.

速度選定部16は、帯電センサ12から入力された帯電量の値に対応する搬送速度を予め記憶されているデータベースのテーブルに基づいて選定する。テーブルには、入力された帯電量の値が大きくなるに連れて、低い搬送速度が出力されるようにデータが格納されている。そのことにより、速度選定部16は、帯電センサ12により計測された基板10の帯電量が多いほど、当該基板10が除電器13に対向している間の搬送速度を低く設定するようになっている。   The speed selection unit 16 selects a transport speed corresponding to the charge amount value input from the charge sensor 12 based on a database table stored in advance. Data is stored in the table so that the lower conveyance speed is output as the value of the input charge amount increases. As a result, the speed selection unit 16 sets a lower conveyance speed while the substrate 10 is facing the static eliminator 13 as the amount of charge of the substrate 10 measured by the charge sensor 12 increases. Yes.

駆動制御部17は、速度選定部16により選定された搬送速度で基板10を搬送するように、搬送機構11の軸21を駆動制御する。   The drive controller 17 drives and controls the shaft 21 of the transport mechanism 11 so that the substrate 10 is transported at the transport speed selected by the speed selector 16.

そうして、基板10は、搬送機構11により所定の搬送速度で搬送される。基板10が帯電センサ12に対向したときに、帯電センサ12は当該帯電センサ12に対向している領域における基板10の帯電量を計測する。この帯電量の値は、搬送速度制御部15における速度選定部16に入力される。   Thus, the substrate 10 is transported by the transport mechanism 11 at a predetermined transport speed. When the substrate 10 faces the charge sensor 12, the charge sensor 12 measures the charge amount of the substrate 10 in the region facing the charge sensor 12. The value of the charge amount is input to the speed selection unit 16 in the transport speed control unit 15.

速度選定部16は、入力された帯電量の値に対応する搬送速度の値をテーブルから読み取って駆動制御部17へ出力する。そして、駆動制御部17は、速度選定部16から入力された搬送速度によって基板10が搬送されるように、軸21の回転速度を制御する。その結果、基板10は、当該基板10に除電器13が対向している間に、所定の搬送速度で搬送されつつ除電器13により除電されることとなる。   The speed selection unit 16 reads a conveyance speed value corresponding to the input charge amount value from the table and outputs the read value to the drive control unit 17. Then, the drive control unit 17 controls the rotation speed of the shaft 21 so that the substrate 10 is transported at the transport speed input from the speed selection unit 16. As a result, the substrate 10 is neutralized by the static eliminator 13 while being conveyed at a predetermined conveyance speed while the static eliminator 13 faces the substrate 10.

−実施形態1の効果−
したがって、この実施形態1によると、搬送機構11により搬送される基板10の搬送速度を、帯電センサ12により計測された帯電量に基づいて、搬送速度制御部15により適切に制御できる。
-Effect of Embodiment 1-
Therefore, according to the first embodiment, the transport speed of the substrate 10 transported by the transport mechanism 11 can be appropriately controlled by the transport speed control unit 15 based on the charge amount measured by the charging sensor 12.

すなわち、速度選定部16によって、帯電センサ12により計測された基板10の帯電量が多いほど、当該基板10が除電器13に対向している間の搬送速度を低く設定するようにしたので、帯電量が多い基板10ほど除電器13に長い間対向することになるので、基板10を効率良く且つ確実に除電することできる。   That is, the speed selection unit 16 sets the transport speed while the substrate 10 is facing the static eliminator 13 as the charge amount of the substrate 10 measured by the charge sensor 12 is increased. Since the board 10 having a larger amount faces the static eliminator 13 for a longer time, the board 10 can be discharged efficiently and reliably.

よって、帯電量が比較的多い基板10については、比較的低い速度で搬送することにより、基板10を確実に除電できる一方、帯電量が比較的少ない基板10については、比較的高い速度で搬送することにより、基板10を効率良く除電しつつ搬送できることとなる。   Therefore, the substrate 10 having a relatively large charge amount can be reliably discharged by transporting it at a relatively low speed, while the substrate 10 having a relatively small charge amount is transported at a relatively high speed. As a result, the substrate 10 can be transported while removing electricity efficiently.

《発明の実施形態2》
次に、本発明の実施形態2について説明する。尚、以降の各実施形態では、図1及び図2と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
<< Embodiment 2 of the Invention >>
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described. In the following embodiments, the same portions as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

上記実施形態1では、速度選定部16によって、帯電センサ12により計測された基板10の帯電量が多いほど、当該基板10が除電器13に対向している間の搬送速度を低く設定するようにしたが、搬送速度の制御はこれに限られない。   In the first embodiment, as the charge amount of the substrate 10 measured by the charge sensor 12 is increased by the speed selection unit 16, the conveyance speed while the substrate 10 is facing the static eliminator 13 is set to be lower. However, the control of the conveyance speed is not limited to this.

本実施形態2の基板除電システム1は、上記実施形態1において搬送速度制御部15の構成が相違している。   The substrate static eliminator system 1 according to the second embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the transport speed control unit 15.

すなわち、搬送速度制御部15は、帯電センサ12により計測された基板10の帯電量が所定の閾値以上であるときに、当該基板10が除電器13に対向している間の搬送速度を基板10の帯電量が上記閾値未満であるときの搬送速度よりも低く設定するようにしてもよい。   That is, the transport speed control unit 15 determines the transport speed while the substrate 10 is facing the static eliminator 13 when the charge amount of the substrate 10 measured by the charging sensor 12 is equal to or greater than a predetermined threshold. The charging amount may be set lower than the conveyance speed when the charging amount is less than the threshold value.

この場合、図1に示す基板除電システム1において、速度選定部16は、帯電センサ12により計測された帯電量が例えば1kV以上であったときに例えば10m/分の搬送速度を選定する。そのことにより、帯電量が1kV以上であって比較的多い基板10は、比較的低速である10m/分の速度で搬送されるので、基板10を確実に除電することができる。   In this case, in the substrate static elimination system 1 shown in FIG. 1, the speed selection unit 16 selects a conveyance speed of, for example, 10 m / min when the charge amount measured by the charge sensor 12 is, for example, 1 kV or more. As a result, the substrate 10 having a charge amount of 1 kV or more and a relatively large amount is transported at a relatively low speed of 10 m / min, so that the substrate 10 can be reliably discharged.

一方、速度選定部16は、帯電センサ12により計測された帯電量が例えば1kV未満であったときに例えば15m/分の搬送速度を選定する。そのことにより、帯電量が1kV未満であって比較的少ない基板10は、比較的高速である15m/分の速度で搬送されるので、基板10を効率良く搬送しつつ十分に除電することができる。   On the other hand, the speed selection unit 16 selects, for example, a conveyance speed of 15 m / min when the charge amount measured by the charging sensor 12 is less than 1 kV, for example. As a result, the relatively small substrate 10 having a charge amount of less than 1 kV is transported at a relatively high speed of 15 m / min. Therefore, the substrate 10 can be sufficiently discharged while being efficiently transported. .

したがって、この実施形態2によると、帯電量が所定の閾値以上であるか否かによって基板10の搬送速度が切り替えられるので、基板10を効率良く除電しつつ搬送速度の制御を簡単にすることができる。   Therefore, according to the second embodiment, since the transport speed of the substrate 10 is switched depending on whether or not the charge amount is equal to or greater than a predetermined threshold value, it is possible to simplify the control of the transport speed while efficiently discharging the substrate 10. it can.

《発明の実施形態3》
図3及び図4は、本発明の実施形態3を示している。
<< Embodiment 3 of the Invention >>
3 and 4 show Embodiment 3 of the present invention.

図3は、本実施形態3における基板除電システム1の構成を示す概念図である。図4は、本実施形態3における基板除電システム1を模式的に示す平面図である。   FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a configuration of the substrate charge removal system 1 according to the third embodiment. FIG. 4 is a plan view schematically showing the substrate charge removal system 1 according to the third embodiment.

本実施形態3は、上記実施形態2の構成において、さらに除電器13のイオン発生状態を切替制御するようにしたものである。   In the third embodiment, the ion generation state of the static eliminator 13 is further switched and controlled in the configuration of the second embodiment.

図3及び図4に示すように、本実施形態の基板除電システム1では、除電器13が、基板10の搬送方向Aに複数並んで設けられると共に、それぞれイオン放出状態又はイオン放出停止状態に切り替え可能に構成されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, in the substrate static eliminator 1 of the present embodiment, a plurality of static eliminators 13 are provided side by side in the transport direction A of the substrate 10, and are switched to an ion emission state or an ion emission stop state, respectively. It is configured to be possible.

さらに、基板除電システム1は、除電器13のイオン発生状態を切替制御するための除電器切替制御部19をさらに有している。除電器切替制御部19は、帯電センサ12により計測された基板10の帯電量が所定の閾値以上であるときに、イオン放出状態の除電器13の数を、基板10の帯電量が上記閾値未満であるときにおけるイオン放出状態の除電器13の数よりも多くする。   Furthermore, the substrate static elimination system 1 further includes a static eliminator switching control unit 19 for switching and controlling the ion generation state of the static eliminator 13. When the charge amount of the substrate 10 measured by the charge sensor 12 is equal to or greater than a predetermined threshold, the static eliminator switching control unit 19 determines the number of ionizers 13 in the ion emission state and the charge amount of the substrate 10 is less than the threshold value. Is greater than the number of ionizers 13 in the ion emission state.

この場合、図3に示す基板除電システム1において、帯電センサ12により計測された帯電量が例えば1kV以上であったときは、除電器切替制御部19が例えば3本設けられている除電器13の全てをイオン発生状態に切り替えると共に、速度選定部16が例えば10m/分の搬送速度を選定する。   In this case, in the substrate neutralization system 1 shown in FIG. 3, when the charge amount measured by the charge sensor 12 is, for example, 1 kV or more, the neutralizer switch control unit 19 includes, for example, three neutralizers 13 provided. While switching all to an ion generation state, the speed selection part 16 selects the conveyance speed of 10 m / min, for example.

そのことにより、帯電量が1kV以上であって比較的多い基板10は、比較的多数である3本の除電器13により除電されると共に比較的低速である10m/分の速度で搬送されるので、基板10を確実に除電することができる。   As a result, a relatively large number of substrates 10 having a charge amount of 1 kV or more are discharged by a relatively large number of three charge eliminators 13 and are transported at a relatively low speed of 10 m / min. The substrate 10 can be reliably discharged.

一方、帯電センサ12により計測された帯電量が例えば1kV未満であったときは、除電器切替制御部19が例えば3本設けられている除電器13のうち1本をイオン放出停止状態に切り替えると共に、速度選定部16が例えば15m/分の搬送速度を選定する。   On the other hand, when the charge amount measured by the charge sensor 12 is less than 1 kV, for example, the static eliminator switching control unit 19 switches one of the three static eliminators 13 to the ion emission stopped state. The speed selection unit 16 selects, for example, a conveyance speed of 15 m / min.

そのことにより、帯電量が1kV未満であって比較的少ない基板10は、比較的少数である2本の除電器13により除電されると共に比較的高速である15m/分の速度で搬送されるので、基板10を効率良く搬送しつつ十分に除電することができる。   As a result, the substrate 10 having a relatively small charge amount of less than 1 kV is neutralized by the relatively few two neutralizers 13 and is transported at a relatively high speed of 15 m / min. The substrate 10 can be sufficiently discharged while being efficiently transported.

したがって、この実施形態3によると、帯電量が所定の閾値以上である場合には、基板10の搬送速度が比較的低くなると共にイオンを放出する除電器13の数が増えるため、より確実に基板10を除電できる。さらに、基板10の搬送速度を大幅に低く設定する必要がないので、基板10を効率よく搬送することができる。   Therefore, according to the third embodiment, when the charge amount is equal to or greater than the predetermined threshold value, the transport speed of the substrate 10 becomes relatively low and the number of static eliminators 13 that emit ions increases. 10 can be neutralized. Furthermore, since it is not necessary to set the conveyance speed of the substrate 10 to be significantly low, the substrate 10 can be efficiently conveyed.

また、帯電量が所定の閾値未満である場合には、基板10の搬送速度が比較的高くなると共にイオンを放出する除電器13の数が減るため、基板10を十分に除電しながらも素早く搬送することができる。   In addition, when the charge amount is less than a predetermined threshold value, the transport speed of the substrate 10 becomes relatively high and the number of static eliminators 13 that emit ions decreases, so that the substrate 10 can be transported quickly while being sufficiently discharged. can do.

《発明の実施形態4》
図5は、本発明の実施形態4を示している。
<< Embodiment 4 of the Invention >>
FIG. 5 shows Embodiment 4 of the present invention.

図5は、本実施形態4における基板除電システム1を模式的に示す概念図である。   FIG. 5 is a conceptual diagram schematically showing the substrate charge removal system 1 according to the fourth embodiment.

上記各実施形態1〜3では、各基板10毎に、帯電センサ12により計測した基板10の一部における帯電量に基づいて、当該基板の搬送速度を変化させたのに対し、本実施形態4は、1枚の基板10における帯電量が異なる領域毎に搬送速度を変化させるようにしたものである。   In each of the first to third embodiments, the transport speed of the substrate is changed for each substrate 10 based on the charge amount in a part of the substrate 10 measured by the charge sensor 12, whereas the fourth embodiment is described. Is a method in which the conveyance speed is changed for each region where the charge amount on one substrate 10 is different.

すなわち、図5に示すように、基板除電システム1は、搬送機構11の軸21に沿って配置された複数の帯電センサ12と、搬送速度制御部15としての速度選定部16及び駆動制御部17とを有している。   That is, as shown in FIG. 5, the substrate neutralization system 1 includes a plurality of charging sensors 12 arranged along the axis 21 of the transport mechanism 11, a speed selection unit 16 as a transport speed control unit 15, and a drive control unit 17. And have.

そして、搬送速度制御部15は、1枚の基板10について、帯電センサ12により計測された領域の帯電量が多いほど、当該計測された領域が除電器13に対向している間の基板10の搬送速度を低く設定するように構成されている。   Then, the conveyance speed control unit 15 increases the amount of charge in the region measured by the charging sensor 12 for one substrate 10 while the measured region is facing the static eliminator 13. The conveyance speed is set to be low.

よって、搬送速度制御部15の速度選定部16は、基板10の所定領域について、複数の帯電センサ12により計測された帯電量が比較的多い場合には、当該所定領域が除電器13に対向して通過する際の搬送速度を比較的低く設定する。一方、上記速度選定部16は、基板10の所定領域について、複数の帯電センサ12により計測された帯電量が比較的少ない場合には、当該所定領域が除電器13に対向して通過する際の搬送速度を比較的高く設定する。   Therefore, when the charge amount measured by the plurality of charging sensors 12 is relatively large for a predetermined region of the substrate 10, the speed selection unit 16 of the transport speed control unit 15 faces the static eliminator 13. Set the transport speed when passing through relatively low. On the other hand, when the charge amount measured by the plurality of charging sensors 12 is relatively small for the predetermined area of the substrate 10, the speed selection unit 16 is configured to pass the predetermined area when facing the static eliminator 13. Set the transport speed relatively high.

したがって、この実施形態4によると、1枚の基板10をその帯電量の分布に応じて除電できるので、基板10を確実に除電しながらもその搬送速度を高めることができる。   Therefore, according to the fourth embodiment, the charge of one substrate 10 can be removed according to the distribution of the charge amount, so that the conveyance speed can be increased while the substrate 10 is reliably discharged.

《発明の実施形態5》
次に、本発明の実施形態5について説明する。
<< Embodiment 5 of the Invention >>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.

図6は、帯電センサ12により計測された基板10の帯電量分布を示すグラフである。   FIG. 6 is a graph showing the charge amount distribution of the substrate 10 measured by the charge sensor 12.

上記実施形態4では、速度選定部16によって、1枚の基板10について、帯電センサ12により計測された領域の帯電量が多いほど、当該計測された領域が除電器13に対向している間の基板10の搬送速度を低く設定するようにしたが、搬送速度の制御はこれに限られない。   In Embodiment 4 described above, as the amount of charge in the area measured by the charge sensor 12 for one substrate 10 by the speed selection unit 16 increases, the measured area is opposed to the static eliminator 13. Although the conveyance speed of the board | substrate 10 was set low, control of conveyance speed is not restricted to this.

本実施形態5の基板除電システム1は、上記実施形態4において搬送速度制御部15の構成が相違している。   The substrate neutralizing system 1 of the fifth embodiment is different from the fourth embodiment in the configuration of the conveyance speed control unit 15.

すなわち、搬送速度制御部15は、1枚の基板10について、帯電センサ12により計測された領域の帯電量が所定の閾値以上であるときに、当該計測された領域が除電器13に対向している間の基板10の搬送速度を、帯電センサ12により計測された領域の帯電量が所定の閾値未満であるときの搬送速度よりも低く設定するようにしてもよい。   That is, when the charge amount of the area measured by the charging sensor 12 for one substrate 10 is equal to or greater than a predetermined threshold, the conveyance speed control unit 15 faces the static eliminator 13. The conveyance speed of the substrate 10 may be set lower than the conveyance speed when the charge amount in the region measured by the charging sensor 12 is less than a predetermined threshold.

例えば、基板10における帯電量が図6に示すように分布している場合、閾値を1kVとすると、同図で領域S1及び領域S2では閾値以上の帯電量となっている。   For example, when the charge amount on the substrate 10 is distributed as shown in FIG. 6, assuming that the threshold value is 1 kV, the charge amount is greater than or equal to the threshold value in the region S1 and the region S2 in FIG.

そして、基板除電システム1において、速度選定部16は、帯電センサ12により計測された領域S1,S2の帯電量が1kV以上であったときに、その領域S1,S2が除電器13に対応して通過する間、例えば10m/分の搬送速度を選定する。そのことにより、帯電量が比較的多い1kV以上である領域S1,S2は、比較的低速である10m/分の速度で搬送されながら除電器13により確実に除電される。   In the substrate static elimination system 1, the speed selection unit 16 corresponds to the static eliminator 13 when the charge amounts in the areas S 1 and S 2 measured by the charging sensor 12 are 1 kV or more. During the passage, for example, a conveyance speed of 10 m / min is selected. As a result, the regions S1 and S2 having a relatively large charge amount of 1 kV or more are reliably discharged by the static eliminator 13 while being transported at a relatively low speed of 10 m / min.

一方、速度選定部16は、帯電センサ12により計測された領域の帯電量が1kV未満であったときに、その領域(つまりS1,S2以外の領域)が除電器13に対応して通過する間、例えば15m/分の搬送速度を選定する。そのことにより、帯電量が比較的少ない1kV未満であるS1,S2以外の領域は、比較的高速である15m/分の速度で効率良く搬送されながら除電器13により十分に除電される。   On the other hand, when the charge amount of the area measured by the charging sensor 12 is less than 1 kV, the speed selection unit 16 passes the area (that is, the area other than S1 and S2) corresponding to the static eliminator 13. For example, a conveyance speed of 15 m / min is selected. As a result, areas other than S1 and S2 having a relatively small charge amount of less than 1 kV are sufficiently discharged by the charge remover 13 while being efficiently conveyed at a relatively high speed of 15 m / min.

したがって、この実施形態5によると、1枚の基板10において各領域の帯電量が所定の閾値以上であるか否かによって基板10の搬送速度が切り替えられるので、基板10を効率良く除電しつつ搬送速度の制御を簡単にすることできる。   Therefore, according to the fifth embodiment, since the transport speed of the substrate 10 is switched depending on whether or not the charge amount of each region in the single substrate 10 is equal to or more than a predetermined threshold value, the substrate 10 can be transported while discharging efficiently. Speed control can be simplified.

尚、本発明は上記実施形態1〜5に限定されるものでなく、本発明には、これらの実施形態1〜5を適宜組み合わせた構成が含まれる。   In addition, this invention is not limited to the said Embodiment 1-5, The structure which combined these Embodiments 1-5 suitably is contained in this invention.

以上説明したように、本発明は、搬送する基板を除電する基板除電システムについて有用である。   As described above, the present invention is useful for a substrate neutralization system that neutralizes a substrate to be transported.

A 搬送方向
1 基板除電システム
10 基板
11 搬送機構
12 帯電センサ
13 除電器
15 搬送速度制御部
16 速度選定部
17 駆動制御部
19 除電器切替制御部
A Transport direction
1 Substrate neutralization system
10 Substrate
11 Transport mechanism
12 Charging sensor
13 Static eliminator
15 Conveyance speed controller
16 Speed selection part
17 Drive controller
19 Static eliminator switching control unit

Claims (6)

載置された基板を搬送する搬送機構と、
対向している上記基板の領域における帯電量を計測する帯電センサと、
上記帯電センサよりも上記基板の搬送方向下流側に配置され、対向している上記基板の領域にイオンを放出する除電器と、
上記帯電センサにより計測された帯電量に基づいて、上記搬送機構による上記基板の搬送速度を制御する搬送速度制御部とを備えている
ことを特徴とする基板除電システム。
A transport mechanism for transporting the placed substrate;
A charge sensor that measures the amount of charge in the area of the substrate that is facing;
A static eliminator that is arranged downstream of the charging sensor in the transport direction of the substrate and emits ions to the region of the substrate that is facing;
A substrate static elimination system, comprising: a conveyance speed control unit that controls a conveyance speed of the substrate by the conveyance mechanism based on a charge amount measured by the charge sensor.
請求項1に記載された基板除電システムにおいて、
上記搬送速度制御部は、上記帯電センサにより計測された上記基板の帯電量が多いほど、当該基板が上記除電器に対向している間の搬送速度を低く設定する
ことを特徴とする基板除電システム。
In the board | substrate static elimination system described in Claim 1,
The board speed control unit sets the transport speed while the board is facing the static eliminator as the amount of charge of the board measured by the charging sensor increases. .
請求項1に記載された基板除電システムにおいて、
上記搬送速度制御部は、上記帯電センサにより計測された上記基板の帯電量が所定の閾値以上であるときに、当該基板が上記除電器に対向している間の搬送速度を上記基板の帯電量が上記閾値未満であるときの搬送速度よりも低く設定する
ことを特徴とする基板除電システム。
In the board | substrate static elimination system described in Claim 1,
The transport speed control unit determines the transport speed while the substrate is facing the static eliminator when the charge amount of the substrate measured by the charge sensor is equal to or greater than a predetermined threshold. A substrate static eliminator system, characterized in that it is set to be lower than the conveyance speed when is less than the threshold value.
請求項3に記載された基板除電システムにおいて、
上記除電器は、上記基板の搬送方向に複数並んで設けられると共に、それぞれイオン放出状態又はイオン放出停止状態に切り替え可能に構成され、
上記帯電センサにより計測された上記基板の帯電量が上記所定の閾値以上であるときに、イオン放出状態の上記除電器の数を、上記基板の帯電量が上記閾値未満であるときにおけるイオン放出状態の上記除電器の数よりも多くする除電器切替制御部をさらに有している
ことを特徴とする基板除電システム。
In the board | substrate static elimination system described in Claim 3,
The static eliminator is provided side by side in the transport direction of the substrate and is configured to be switchable to an ion emission state or an ion emission stop state, respectively.
When the charge amount of the substrate measured by the charge sensor is equal to or greater than the predetermined threshold value, the number of ionizers in the ion emission state is set as the ion release state when the charge amount of the substrate is less than the threshold value. A substrate static eliminator system further comprising a static eliminator switching control unit that increases the number of the static eliminators.
請求項1に記載された基板除電システムにおいて、
上記搬送速度制御部は、1枚の上記基板について、上記帯電センサにより計測された領域の帯電量が多いほど、当該計測された領域が上記除電器に対向している間の上記基板の搬送速度を低く設定する
ことを特徴とする基板除電システム。
In the board | substrate static elimination system described in Claim 1,
The transport speed control unit transports the substrate while the measured region is facing the static eliminator as the amount of charge in the region measured by the charging sensor increases for one substrate. Substrate neutralization system, characterized in that low is set.
請求項1に記載された基板除電システムにおいて、
上記搬送速度制御部は、1枚の上記基板について、上記帯電センサにより計測された領域の帯電量が所定の閾値以上であるときに、当該計測された領域が上記除電器に対向している間の上記基板の搬送速度を、上記帯電センサにより計測された領域の帯電量が上記所定の閾値未満であるときの搬送速度よりも低く設定する
ことを特徴とする基板除電システム。
In the board | substrate static elimination system described in Claim 1,
When the charge amount of the area measured by the charging sensor is greater than or equal to a predetermined threshold value for the one substrate, the conveyance speed control unit is in a state where the measured area faces the static eliminator. The substrate discharging speed is set to be lower than the conveying speed when the amount of charge in the region measured by the charging sensor is less than the predetermined threshold.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018006612A (en) * 2016-07-04 2018-01-11 富士機械製造株式会社 Base-plate conveyance device, electronic component mounting machine, and production line
JP2019004183A (en) * 2018-09-27 2019-01-10 大日本印刷株式会社 Imprint device
JP2019156603A (en) * 2018-03-15 2019-09-19 富士ゼロックス株式会社 Electrification treatment device and image forming system
WO2021117718A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-17 シシド静電気株式会社 Charged particle irradiation device, system, method, and program
JP7471583B2 (en) 2019-12-09 2024-04-22 シシド静電気株式会社 Charged particle irradiation device, system, method and program

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109987414A (en) * 2019-05-08 2019-07-09 广州林恩静电科学技术应用有限公司 A kind of flat panel display product roller transmissioning device with static safety technology scheme

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086338A (en) * 2004-09-16 2006-03-30 Juki Corp Apparatus for mounting electronic component

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086338A (en) * 2004-09-16 2006-03-30 Juki Corp Apparatus for mounting electronic component

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018006612A (en) * 2016-07-04 2018-01-11 富士機械製造株式会社 Base-plate conveyance device, electronic component mounting machine, and production line
JP2019156603A (en) * 2018-03-15 2019-09-19 富士ゼロックス株式会社 Electrification treatment device and image forming system
JP7069884B2 (en) 2018-03-15 2022-05-18 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 Charging processing device and image forming system
JP2019004183A (en) * 2018-09-27 2019-01-10 大日本印刷株式会社 Imprint device
WO2021117718A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-17 シシド静電気株式会社 Charged particle irradiation device, system, method, and program
JP7471583B2 (en) 2019-12-09 2024-04-22 シシド静電気株式会社 Charged particle irradiation device, system, method and program

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