JP2013246610A - Electrostatic capacitance type touch panel substrate, display device and method of manufacturing electrostatic capacitance type touch panel substrate - Google Patents

Electrostatic capacitance type touch panel substrate, display device and method of manufacturing electrostatic capacitance type touch panel substrate Download PDF

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由佳 山内
Genki Harada
元気 原田
Hitomi Tanaka
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic capacitance type touch panel substrate having an anti-reflection film on a transparent base material to thereby prevent an exterior appearance from being reflected onto a display surface and having excellent visibility, the electrostatic capacitance type touch panel substrate applying a cover glass integrated type and employing a coated metal material for a connection part or wiring to reduce a cost.SOLUTION: An electrostatic capacitance type touch panel substrate includes a transparent base material as a cover glass located on an outermost surface of a touch panel. One surface of the transparent base material includes: first transparent electrodes 1; second transparent electrodes 2; first connection portions 3 connecting between the first electrodes 1; second connection portions 4 connecting between the second electrodes 2; an insulation layer 5 formed between the first connection portions 3 and the second connection portions 4 at intersection portions therebetween; and extraction wiring 20 connected to the first transparent electrodes 1 and the second transparent electrodes 2. The other surface of the transparent base material includes an anti-reflection film.

Description

本発明は、静電容量式タッチパネル基板、表示装置及び静電容量式タッチパネル基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a capacitive touch panel substrate, a display device, and a method for manufacturing a capacitive touch panel substrate.

タッチパネルは、表示画面上の透明な面を操作者が指またはペンでタッチすることにより、接触した位置を検出してデータ入力できる入力装置の構成要素となるものであって、キー入力より直接的、かつ直感的な入力を可能とすることから、近年、多用されるようになってきた。特に前記タッチパネルを液晶等の表示パネルと組み合わせて、情報の入出力を一体で行うことが多い。   The touch panel is a component of an input device that allows the operator to touch a transparent surface on the display screen with a finger or a pen to detect a touched position and input data. In recent years, it has become widely used because it enables intuitive input. In particular, the touch panel is often combined with a display panel such as a liquid crystal to input and output information in an integrated manner.

タッチパネルの検出方式には、抵抗膜式、静電容量式、超音波式、光学式等があり、これまでは、製造コストの点で比較的優れていた抵抗膜式が主流であった。しかし、2枚の透明導電膜の間に空気層を設ける構造を有する抵抗膜式タッチパネルは、光学特性(例えば、透過率)が低く、耐久性や動作温度特性においても充分とは言えないため、改良が求められてきた。   The touch panel detection method includes a resistance film type, a capacitance type, an ultrasonic type, an optical type, and the like. Until now, the resistance film type, which was relatively excellent in terms of manufacturing cost, has been the mainstream. However, a resistive touch panel having a structure in which an air layer is provided between two transparent conductive films has low optical characteristics (for example, transmittance), and it cannot be said that durability and operating temperature characteristics are sufficient. Improvements have been sought.

一方、可動部分を有しない静電容量式タッチパネルは、光学特性(例えば、透過率)が高く、耐久性や動作温度特性においても抵抗膜式より優れているため、特に車載用等の高信頼性用途に向けて開発が進んでいる(例えば、特許文献1、2を参照)。
前記静電容量式タッチパネルは、表面型(surface capacitive type)と投影型(projected capacitive type)に大別でき、10型(25.4cmサイズ)以上の大型品には表面型が、携帯機器向けの6型以下の小型品には投影型が使われる場合が多い。電極板の構造が単純な表面型は、大型化し易いが、2点以上の接触点を同時に検知することは困難である。一方、電極板の構造が複雑な投影型は、大型化には不利であるが、2点以上の接触点を同時に検知することが可能である。
On the other hand, capacitive touch panels that do not have moving parts have high optical characteristics (for example, transmittance), and are superior in resistance and operating temperature characteristics in terms of durability and operating temperature characteristics. Development is progressing toward the application (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
The capacitive touch panel can be roughly classified into a surface type and a projected type, and a surface type is used for a large product of 10 type (25.4 cm size) or more. In many cases, a projection type is used for a small product of type 6 or less. A surface type with a simple electrode plate structure is likely to be large, but it is difficult to detect two or more contact points simultaneously. On the other hand, a projection type with a complicated electrode plate structure is disadvantageous for an increase in size, but two or more contact points can be detected simultaneously.

投影型静電容量式タッチパネル基板は、一般的に、透明基材上に、x方向に配列された第一の透明電極と、y方向に配列された第二の透明電極と、第一の透明電極同士を結合する第一の接続部と、第二の透明電極同士を結合する第二の接続部と、第一の接続部と第二の接続部が交差する部位に、第一の接続部と第二の接続部を電気的に絶縁するための絶縁層と、を備えている。また、透明基材上には、これらの透明電極と制御回路を繋ぐ取出配線が形成され、透明電極、接続部および取出配線を腐食や接触による傷から守るために、制御回路と繋がる、取出配線の接続部位以外のほぼ全面を覆うように、保護層が形成されて用いられることが多くなっている(例えば、特許文献3を参照)。   In general, a projected capacitive touch panel substrate includes a first transparent electrode arranged in the x direction, a second transparent electrode arranged in the y direction, and a first transparent on a transparent substrate. The first connection part that joins the first connection part, the second connection part that joins the second transparent electrodes, and the first connection part and the second connection part intersect with each other. And an insulating layer for electrically insulating the second connection portion. In addition, on the transparent base material, extraction wiring connecting these transparent electrodes and control circuit is formed, and extraction wiring connecting to the control circuit to protect the transparent electrodes, connection parts and extraction wiring from corrosion and contact scratches. In many cases, a protective layer is formed and used so as to cover almost the entire surface other than the connection portion (see, for example, Patent Document 3).

投影型静電容量式タッチパネルには、透明基材に、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂製のフィルムを用いるフィルム式と、無アルカリガラスやソーダガラスを用いるガラス式があり、フィルム式は製造コストが安く割れにくい利点があるが、透明性が劣ることや、フィルム上の透明電極の抵抗値が高いために電極部を小さくできないこと等から、ガラス式が携帯端末等の小型品に多く使用されている。   There are two types of projected capacitive touch panels: a film type using a resin film such as polyethylene terephthalate (PET) as a transparent substrate, and a glass type using non-alkali glass or soda glass. However, the glass type is often used for small products such as portable terminals because the transparency is inferior and the resistance of the transparent electrode on the film is high, so the electrode part cannot be made small. ing.

従来のガラス式タッチパネルは、カバーガラスと、タッチパネルセンサーが形成されたガラスとの二種類のガラスを用いているために、材料コストが高いことが問題である。これに対して、カバー一体型タッチパネルが提案されている(例えば、特許文献4を参照)。しかしながら、カバー一体型タッチパネルには、その最表面に外観の映りこみが生じるという視認性の問題がある。   Since the conventional glass-type touch panel uses two types of glass, a cover glass and a glass on which a touch panel sensor is formed, there is a problem that the material cost is high. On the other hand, a cover integrated touch panel has been proposed (see, for example, Patent Document 4). However, the cover-integrated touch panel has a visibility problem that an external appearance is reflected on the outermost surface thereof.

また、前述の透明電極、接続部、絶縁層、および取出配線や保護層の形成には、成膜およびパターニング工程が複数回必要であり、多くの製造コストを要することが問題となっている。
取出配線としては導電性が高く微細加工が容易な点から、モリブデン(Mo)/アルミニウム(Al)/モリブデン膜(MAM)が一般的に用いられており、製造工程としてはMAMをスパッタ成膜した後、ポジレジストによるフォトリソグラフィ(以下“フォトリソ”と称する)工程を経た後、エッチング・レジスト剥離を行う方法が広く用いられている。
In addition, the formation of the transparent electrode, the connecting portion, the insulating layer, the lead-out wiring, and the protective layer described above requires a plurality of film forming and patterning steps, which requires a lot of manufacturing costs.
Molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum film (MAM) is generally used as the lead-out wiring because of its high conductivity and easy microfabrication, and MAM is formed by sputtering as the manufacturing process. Thereafter, a method of performing etching / resist peeling after a photolithography (hereinafter referred to as “photolitho”) process using a positive resist is widely used.

また、透明電極および接続部としては透明性が高く抵抗値に優れる点から、酸化インジウム錫(ITO)が一般的に用いられるが、取出配線と同様、真空容器内に投入した基材にITOをスパッタ成膜した後、保護膜形成・エッチング・保護膜剥離を行う方法が広く用いられている。
取出配線を安価に製造する方法として、銀等の導電性粉末を有機バインダーに分散させ、感光性を持たせた導電ペーストを用いたフォトリソ法が知られている(例えば、特許文献5、6を参照)。また、銀等の導電性粉末を分散させたインクの塗膜を用いたエッチング法も知られている。このフォトリソ法、エッチング法を用いることにより、上記取出配線および透明電極を蒸着法で作製するよりも安価に作製することができる。
また、他にもフォトリソ法、エッチング法のメリットとして、スクリーン印刷や、グラビアオフセット印刷で形成する印刷法に比べて高精細な導電部を得ることが可能であることがあげられる。
In addition, indium tin oxide (ITO) is generally used as the transparent electrode and the connecting portion because of its high transparency and excellent resistance value. Like the lead-out wiring, ITO is applied to the base material put into the vacuum vessel. A method of forming a protective film, etching, and removing a protective film after sputtering is widely used.
As a method for manufacturing the lead-out wiring at a low cost, a photolithography method using a conductive paste in which conductive powder such as silver is dispersed in an organic binder and has photosensitivity is known (for example, Patent Documents 5 and 6). reference). An etching method using an ink coating film in which conductive powder such as silver is dispersed is also known. By using the photolithographic method and the etching method, the extraction wiring and the transparent electrode can be produced at a lower cost than the vapor deposition method.
As another merit of the photolithographic method and the etching method, it is possible to obtain a conductive portion with high definition as compared with a printing method formed by screen printing or gravure offset printing.

特開昭63−174120号公報JP 63-174120 A 特開2006−23904号公報JP 2006-23904 A 特開2007−279819号公報JP 2007-279819 A 特表2011−526023号公報Special table 2011-526023 gazette 特許第4374653号公報Japanese Patent No. 4374653 特許第3239723号公報Japanese Patent No. 3329723 特許第4826007号公報Japanese Patent No. 4826007

本発明の目的は、安価且つ視認性にすぐれた静電容量式タッチパネル基板及びその基板を備えた表示装置を提供することである。さらには、安価且つ視認性にすぐれた静電容量式タッチパネル基板の製造方法及びその方法を用いて製造された静電容量式タッチパネル基板を提供することである。   An object of the present invention is to provide a capacitive touch panel substrate that is inexpensive and excellent in visibility, and a display device including the substrate. Furthermore, it is providing the manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel substrate which was cheap and excellent in visibility, and the electrostatic capacitance type touch panel substrate manufactured using the method.

請求項1に係る第1の発明の一態様は、タッチパネルの最表面に位置するカバーガラスを透明基材とした静電容量式タッチパネル基板において、前記透明基材の片面に少なくとも、(A)第一の透明電極と、(B)第二の透明電極と、(C)前記(A)第一の透明電極を結ぶ第一の接続部と、(D)前記(B)第二の透明電極を結ぶ第二の接続部と、(E)前記(C)第一の接続部と前記(D)第二の接続部の交差する間に形成された絶縁層と、(F)前記(A)第一の透明電極および前記(B)第二の透明電極に接続された取出配線と、を有し、前記透明基材のもう一方の面に(G)反射防止膜を有することを特徴とする静電容量式タッチパネル基板である。   One aspect of the first aspect of the invention according to claim 1 is the capacitive touch panel substrate using a cover glass positioned on the outermost surface of the touch panel as a transparent base material, and at least (A) the first side of the transparent base material. One transparent electrode, (B) the second transparent electrode, (C) the first connection portion connecting the (A) first transparent electrode, and (D) the (B) second transparent electrode. A second connecting portion to be connected; (E) the insulating layer formed between the (C) first connecting portion and the (D) second connecting portion; and (F) the (A) first connecting portion. And (B) a lead-out wiring connected to the second transparent electrode, and (G) an antireflection film on the other surface of the transparent substrate. This is a capacitive touch panel substrate.

請求項2に係る第2の発明の一態様は、前記(D)第二の接続部と、前記(F)取出配線の少なくとも一方は、Au、Ag、Cu、Al、Mo、Pd、Pt、C、Feの群から選ばれる一つ以上の元素からなる金属材料で形成されていることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板である。
請求項3に係る第3の発明の一態様は、上記記載の静電容量式タッチパネル基板を有することを特徴とする表示装置である。
請求項4に係る第4の発明の一態様は、上記記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、前記(G)反射防止膜は、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパッタ法、CVD法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法である。
One aspect of the second invention according to claim 2 is that at least one of the (D) second connecting portion and the (F) extraction wiring is Au, Ag, Cu, Al, Mo, Pd, Pt, It is a capacitive touch panel substrate characterized by being formed of a metal material composed of one or more elements selected from the group of C and Fe.
One aspect of the third aspect of the present invention according to claim 3 is a display device including the above-described capacitance type touch panel substrate.
One aspect of the fourth invention according to claim 4 is the method of manufacturing a capacitive touch panel substrate as described above, wherein the (G) antireflection film is formed by a vacuum deposition method, an ion assist deposition method, an ion plate. A method of manufacturing a capacitive touch panel substrate, wherein the film is formed by at least one method selected from the group consisting of a deposition deposition method, a sputtering method, and a CVD method.

請求項5に係る第5の発明の一態様は、上記記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、前記(G)反射防止膜は、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法である。
請求項6に係る第6の発明の一態様は、上記記載の製造方法で製造されたことを特徴とする静電容量式タッチパネル基板である。
One aspect of the fifth invention according to claim 5 is the method of manufacturing a capacitive touch panel substrate as described above, wherein the antireflection film (G) is formed by a spin coating method, a roll coating method, or a spray coating method. And forming a film by one or more methods selected from the group consisting of a dip coating method, a bar coating method, a screen printing method, and a flexographic printing method.
One aspect of the sixth invention according to claim 6 is a capacitive touch panel substrate manufactured by the manufacturing method described above.

本発明によれば、透明基材上に反射防止膜を有することで表示面への外観の映りこみを防ぎ、視認性が良好な静電容量式タッチパネル基板を提供することができる。
さらに、カバーガラス一体型であることと、接続部や配線に塗布型の金属材料を用いることにより、安価な静電容量式タッチパネル基板を提供することができる。
また、上記静電容量式タッチパネル基板を備えることで、視認性が良好な表示装置を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a capacitive touch panel substrate having good visibility by preventing an appearance from being reflected on a display surface by having an antireflection film on a transparent substrate.
Furthermore, an inexpensive electrostatic capacitance type touch panel substrate can be provided by being a cover glass integrated type and using a coating-type metal material for a connection part and wiring.
In addition, a display device with favorable visibility can be provided by including the capacitance touch panel substrate.

第一の透明電極、第二の透明電極、および第一の透明電極を結ぶ第一の接続部が形成された後、絶縁層を介して第二の接続部と取出配線が同時に形成された、静電容量式タッチパネルの一例を示す平面模式図。After the first transparent electrode, the second transparent electrode, and the first connection portion connecting the first transparent electrode were formed, the second connection portion and the extraction wiring were simultaneously formed through the insulating layer, The plane schematic diagram which shows an example of an electrostatic capacitance type touch panel. 第二の接続部と取出配線が同時に形成された後、第一の透明電極、第二の透明電極、および絶縁層を介して第一の透明電極を結ぶ第一の接続部が形成された、静電容量式タッチパネルの一例を示す平面模式図。After the second connecting portion and the extraction wiring are formed at the same time, the first connecting portion connecting the first transparent electrode through the first transparent electrode, the second transparent electrode, and the insulating layer is formed, The plane schematic diagram which shows an example of an electrostatic capacitance type touch panel. カバーガラス一体型静電容量式タッチパネルの一例を示す投影模式図(a)及び反射防止膜を有する静電容量式タッチパネル基板の一例を示す断面模式図(b)。The projection schematic diagram (a) which shows an example of a cover glass integrated capacitive touch panel, and the cross-sectional schematic diagram (b) which show an example of the capacitive touch panel board | substrate which has an antireflection film.

本発明における投影型静電容量式タッチパネル基板の製造方法およびそれを用いて製造されるタッチパネル基板について、その実施の形態に基づいて詳細に説明する。なお、本発明のタッチパネル基板はその要旨を超えない限り、以下の構成に限定されるものではない。
≪投影型静電容量式タッチパネル基板≫
図1および図2は、保護膜6を透視した、タッチパネル基板平面図である。ここで、図1および図2は、第一の接続部3、第二の接続部4、および絶縁層5の位置関係が異なる例である。
本実施形態の投影型静電容量式タッチパネル基板は、図1に示すように、透明基材10上に第一の透明電極1、第二の透明電極2、第一の接続部3、第二の接続部4、絶縁層5および取出配線20を有する。絶縁層5は第一の接続部3と直交する第二の接続部4の導通を防止し、絶縁するために配設されている。なお、取出配線20を見えなくすることを目的として、透明基材10と取出配線20の間に黒色、白色などの額縁層7を設けてもよい。
A method for manufacturing a projected capacitive touch panel substrate according to the present invention and a touch panel substrate manufactured using the same will be described in detail based on the embodiments thereof. In addition, the touch panel board | substrate of this invention is not limited to the following structures, unless the summary is exceeded.
≪Projected capacitive touch panel substrate≫
1 and 2 are plan views of the touch panel substrate through the protective film 6. Here, FIG. 1 and FIG. 2 are examples in which the positional relationship among the first connection portion 3, the second connection portion 4, and the insulating layer 5 is different.
As shown in FIG. 1, the projected capacitive touch panel substrate of the present embodiment includes a first transparent electrode 1, a second transparent electrode 2, a first connection portion 3, and a second connection on a transparent substrate 10. Connecting portion 4, insulating layer 5, and lead-out wiring 20. The insulating layer 5 is disposed in order to prevent and insulate the second connecting portion 4 orthogonal to the first connecting portion 3. Note that a frame layer 7 such as black or white may be provided between the transparent substrate 10 and the extraction wiring 20 for the purpose of making the extraction wiring 20 invisible.

また、図1は、第一の接続部3が最下層に形成され、その上に絶縁層5を備え、第二の接続部4が絶縁層5の上に形成される構造を示すが、図2のように、第二の接続部4が最下層に形成され、その上に絶縁層5を備え、第一の接続部3が絶縁層5の上に形成される構造であってもよく、第一の接続部3と第二の接続部4が透明基材10に対して、x方向、y方向のいずれの向きであってもよい。
透明基材10としては、特に限定されるものではないが、例えば、ソーダ石灰ガラス、低アルカリ硼珪酸ガラス、無アルカリアルミノ硼珪酸ガラス等のガラス板、あるいはポリエチレンテレフタレート(PET)、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)等からなるプラスチック板、プラスチックフィルムが用いられる。
FIG. 1 shows a structure in which the first connecting portion 3 is formed in the lowermost layer, the insulating layer 5 is provided thereon, and the second connecting portion 4 is formed on the insulating layer 5. 2, the second connecting portion 4 may be formed in the lowermost layer, and the insulating layer 5 may be provided thereon, and the first connecting portion 3 may be formed on the insulating layer 5. The first connection portion 3 and the second connection portion 4 may be in either the x direction or the y direction with respect to the transparent substrate 10.
Although it does not specifically limit as the transparent base material 10, For example, glass plates, such as a soda lime glass, a low alkali borosilicate glass, an alkali free alumino borosilicate glass, or a polyethylene terephthalate (PET), a triacetyl cellulose ( A plastic plate or plastic film made of TAC), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or the like is used.

図3(a)は、カバーガラスを透明基材10として用いた、カバーガラス一体型投影型静電容量式タッチパネル基板の構造を示す図である。
図3(b)は、反射防止膜50を有する、本実施形態のカバーガラス一体型投射型静電容量式タッチパネル基板の構造を示す図である。透明基材10の表面に反射防止膜50を有することで、表示面への外観の映りこみを防ぐことができる。
FIG. 3A is a diagram showing the structure of a cover glass integrated projection type capacitive touch panel substrate using a cover glass as the transparent base material 10.
FIG. 3B is a view showing the structure of the cover glass integrated projection type capacitive touch panel substrate of this embodiment having the antireflection film 50. By having the antireflection film 50 on the surface of the transparent base material 10, it is possible to prevent the appearance from being reflected on the display surface.

透明基材10には、アルミノ珪酸ガラス(例えば、商品名「Gollira(コーニング社製)」、「Dragontrail(旭硝子社製)」)や化学的に強化されたソーダライムガラス等の特殊ガラス板を用いることができ、これらはカバーガラスと、タッチパネルセンサーが形成されたガラスの両方を兼ねるガラスとして用いることができる。一枚のガラス上に、額縁層7(図3では図示しない。図1、図2において透明基材10と取出配線20の間に位置している。)とタッチパネルセンサー40の両方を設けるために、ガラス一枚分の部品点数を減らすことができ、低コストでタッチパネルが製造可能になる。   As the transparent base material 10, a special glass plate such as aluminosilicate glass (for example, trade name “Gollira (manufactured by Corning)”, “Dragontrail (manufactured by Asahi Glass)”) or chemically strengthened soda lime glass is used. These can be used as glass that doubles as both a cover glass and a glass on which a touch panel sensor is formed. In order to provide both the frame layer 7 (not shown in FIG. 3 and located between the transparent base material 10 and the extraction wiring 20 in FIG. 1 and FIG. 2) and the touch panel sensor 40 on one glass. The number of parts for one glass can be reduced, and a touch panel can be manufactured at low cost.

第一の透明電極1および第二の透明電極2としては、透明基材10表面に配設することができるものであれば特に限定されるものではないが、ITO、酸化亜鉛(ZnO)等の無機導電材料、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)、ポリアニリン、ポリピロール等の有機導電材料を用いることができる。これら材料は1種のみで用いてもよく、2種以上を併用してもよい。中でも、透明性と抵抗値の点でITOを用いることが好ましい。   The first transparent electrode 1 and the second transparent electrode 2 are not particularly limited as long as the first transparent electrode 1 and the second transparent electrode 2 can be disposed on the surface of the transparent substrate 10, such as ITO and zinc oxide (ZnO). An organic conductive material such as an inorganic conductive material, polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS), polyaniline, polypyrrole, or the like can be used. These materials may be used alone or in combination of two or more. Among these, it is preferable to use ITO in terms of transparency and resistance value.

第一の接続部3は、図1に示す構造の場合、すなわち、透明基材10に対してx方向に配列された、隣接する第一の透明電極1を接続するための接続部である場合には、第一の透明電極1の材料と同一の透明導電材料を用いて第一の透明電極1と同時に形成される。言い換えれば、第一の透明電極1を形成する際に、第一の接続部3も同時に形成するので、x方向には途切れることなく連なった透明電極パターンを形成することを意味する。   In the case of the structure shown in FIG. 1, that is, the first connection portion 3 is a connection portion for connecting the adjacent first transparent electrodes 1 arranged in the x direction with respect to the transparent substrate 10. Are formed simultaneously with the first transparent electrode 1 using the same transparent conductive material as the material of the first transparent electrode 1. In other words, when the first transparent electrode 1 is formed, the first connecting portion 3 is also formed at the same time, which means that a continuous transparent electrode pattern is formed without interruption in the x direction.

さらに、透明基材10に対してy方向に配列された、第二の透明電極2も第一の透明電極1、および第一の接続部3と同時に形成されるが、第二の透明電極2は第二の接続部4と同時に形成されないので、この時点ではまだy方向には接続されていない状態となる。
第二の接続部4は、絶縁層5を間に積層することによって、第一の接続部3と直接接触しないように形成される。また、図1および図2に示す例では、透明基材10に対してx方向の接続部を第一の接続部3、y方向の接続部を第二の接続部4としているが、前述したとおり、x方向とy方向が逆であってもよい。
Furthermore, although the 2nd transparent electrode 2 arranged in the y direction with respect to the transparent base material 10 is also formed simultaneously with the 1st transparent electrode 1 and the 1st connection part 3, the 2nd transparent electrode 2 Is not formed at the same time as the second connection portion 4, the state is not yet connected in the y direction at this point.
The second connection portion 4 is formed so as not to be in direct contact with the first connection portion 3 by laminating the insulating layer 5 therebetween. Moreover, in the example shown in FIG. 1 and FIG. 2, the connection part of the x direction with respect to the transparent base material 10 is the first connection part 3, and the connection part of the y direction is the second connection part 4. As described above, the x direction and the y direction may be reversed.

第二の接続部4は、第一の透明電極1および第二の透明電極2の材料と同じように、ITO、酸化亜鉛(ZnO)等の無機導電材料、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)、ポリアニリン、ポリピロール等の有機導電材料を用いることができる。従来は透過性と抵抗値の観点からITOが好ましく用いられてきたが、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Mo(モリブデン)、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、C(炭素)、Fe(鉄)等の金属も、微細加工により視認性を妨げることがなければ用いることができる。これらの金属が含まれる導電性ペーストまたは導電性インクをウェット法により成膜することで、蒸着法に比べてより安価なプロセスで第二の接続部4を得ることができる。   As with the materials of the first transparent electrode 1 and the second transparent electrode 2, the second connection portion 4 is made of an inorganic conductive material such as ITO or zinc oxide (ZnO), polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonic acid ( Organic conductive materials such as PEDOT / PSS), polyaniline, and polypyrrole can be used. Conventionally, ITO has been preferably used from the viewpoint of permeability and resistance value, but Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Al (aluminum), Mo (molybdenum), Pd (palladium), Pt Metals such as (platinum), C (carbon), and Fe (iron) can be used as long as visibility is not hindered by fine processing. By forming a conductive paste or conductive ink containing these metals by a wet method, the second connection portion 4 can be obtained by a process that is cheaper than the vapor deposition method.

取出配線20は、従来は導電性が高く微細加工が容易な点から、MAMが一般的に用いられてきたが、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Mo(モリブデン)、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、C(炭素)、Fe(鉄)等の金属も好ましく用いることができる。これらの金属が含まれる導電性ペーストまたは導電性インクをウェット法により成膜することで、蒸着法に比べてより安価なプロセスで取出配線20を得ることができる。   Conventionally, MAM is generally used as the lead-out wiring 20 because it is highly conductive and easy to finely process. However, Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Al (aluminum), Metals such as Mo (molybdenum), Pd (palladium), Pt (platinum), C (carbon), and Fe (iron) can also be preferably used. By forming a conductive paste or conductive ink containing these metals by a wet method, the extraction wiring 20 can be obtained by a process that is cheaper than the vapor deposition method.

また、第二の接続部4と取出配線20を同じ材料とした場合には、これらを同時形成することができるため製造コストがより安価となる。
絶縁層5および保護膜6は、従来絶縁層や保護膜に用いられていた公知の材料を用いて形成でき、例えば、SiO、SiN等の無機系膜や透明樹脂等の有機系材料が挙げられる。無機系膜は、SiOやSiNをCVD法やスパッタリング法等により形成するために、エネルギー消費量が増加したり、工程数が増加したりする等、製造コストが高くなる課題があることから、有機系材料が好んで用いられる。有機系材料としては、重合性基含有オリゴマー、モノマー、光重合開始剤およびその他添加剤を含有するUV硬化型コーティング組成物を用いることができる。
Moreover, when the 2nd connection part 4 and the extraction wiring 20 are made from the same material, since these can be formed simultaneously, manufacturing cost becomes cheaper.
The insulating layer 5 and the protective film 6 can be formed using known materials conventionally used for insulating layers and protective films. For example, inorganic films such as SiO 2 and SiN x and organic materials such as transparent resins are used. Can be mentioned. Since inorganic films are formed of SiO 2 or SiN x by a CVD method, a sputtering method, or the like, there is a problem that the manufacturing cost becomes high, such as an increase in energy consumption and the number of processes. Organic materials are preferably used. As the organic material, a UV curable coating composition containing a polymerizable group-containing oligomer, monomer, photopolymerization initiator and other additives can be used.

本実施形態における反射防止膜50を構成する材料としては、有機材料でも無機材料であっても屈折率の関係を満足するものであれば特に限定されないが、セラミック薄膜が好ましく、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの材料が使用可能である。上記無機化合物からなる薄膜は、その材料により屈折率が異なり、その屈折率の異なるセラミック薄膜を特定の膜厚で複数層積層することにより、反射防止膜とすることが可能となる。
屈折率の低い材料としては、二酸化ケイ素(1.5)、フッ化マグネシウム(1.4)、フッ化カルシウム(1.3〜1.4)、フッ化アルミニウム(1.3)が挙げられる。
The material constituting the antireflection film 50 in this embodiment is not particularly limited as long as it satisfies the relationship of the refractive index, whether it is an organic material or an inorganic material, but is preferably a ceramic thin film, oxide, sulfide. , Fluorides, nitrides and other materials can be used. The thin film made of the above-mentioned inorganic compound has a different refractive index depending on the material, and a plurality of ceramic thin films having different refractive indexes can be laminated to have a specific film thickness to form an antireflection film.
Examples of the material having a low refractive index include silicon dioxide (1.5), magnesium fluoride (1.4), calcium fluoride (1.3 to 1.4), and aluminum fluoride (1.3).

また、屈折率の高い材料としては、二酸化チタン(2.4)、二酸化ジルコニウム(2.0)、硫化亜鉛(2.3)、酸化タンタル(2.1)、酸化亜鉛(2.1)、酸化インジウム(2.0)が挙げられる。(例えば、特許文献7を参照)
なお、これら低屈折率材料、高い屈折率材料の間の屈折率をもつ材料として酸化マグネシウム(1.6)、窒化ケイ素(1.7)フッ化セリウム(1.6)などが挙げられる。但し、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
Moreover, as a material with a high refractive index, titanium dioxide (2.4), zirconium dioxide (2.0), zinc sulfide (2.3), tantalum oxide (2.1), zinc oxide (2.1), Indium oxide (2.0) is mentioned. (For example, see Patent Document 7)
As materials having a refractive index between these low refractive index materials and high refractive index materials, magnesium oxide (1.6), silicon nitride (1.7) cerium fluoride (1.6), and the like can be given. However, the numerical value in the parenthesis represents the refractive index.

これらの材料は真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパッタ法、CVD法などの蒸着法や、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法などのウェット法により成膜される。また、これらの材料を単独で用いても2種類以上組み合わせて用いてもよい。組み合わせる材料の含有比率を変更すると、得られる膜の内部構造を変化させることができ、屈折率を調整することが可能である。   These materials include vacuum deposition methods, ion-assisted deposition methods, ion plating deposition methods, sputtering methods, CVD methods and other deposition methods, spin coating methods, roll coating methods, spray coating methods, dip coating methods, bar coating methods, The film is formed by a wet method such as a screen printing method or a flexographic printing method. These materials may be used alone or in combination of two or more. When the content ratio of the material to be combined is changed, the internal structure of the obtained film can be changed, and the refractive index can be adjusted.

<静電容量型タッチパネル基板の製造方法>
第一の透明電極1、第二の透明電極2、および第一の接続部3としては、一般的に多く使用されるITOが好適であるが限定されない。静電容量式タッチパネル機能の具体的な仕様により、ITOの特性、また、透明電極パターンとしての特性を選択する。例えば、ITO膜として、膜厚30nmでシート抵抗値100Ω/□程度の膜をスパッタリング装置の薄膜形成手段により成膜する。次いで、耐エッチング性の感光性樹脂を用いて、レジスト塗布、露光、現像の一連の工程を含むフォトリソ法によりレジストパターンを形成する。その後、ITOエッチング、レジスト剥離工程を経て、パターン形成される。例えば、第一の接続部3として、幅50μmから100μmで長さ200μmから500μmのパターンを多数形成する。
<Method of manufacturing capacitive touch panel substrate>
As the first transparent electrode 1, the second transparent electrode 2, and the first connection part 3, ITO that is generally used in many cases is suitable, but is not limited. Depending on the specific specifications of the capacitive touch panel function, the characteristics of ITO and the characteristics as a transparent electrode pattern are selected. For example, as an ITO film, a film having a film thickness of 30 nm and a sheet resistance value of about 100Ω / □ is formed by a thin film forming unit of a sputtering apparatus. Next, a resist pattern is formed by a photolithographic method including a series of steps of resist coating, exposure, and development using an etching-resistant photosensitive resin. Thereafter, a pattern is formed through ITO etching and a resist peeling process. For example, as the first connection portion 3, a large number of patterns having a width of 50 μm to 100 μm and a length of 200 μm to 500 μm are formed.

第二の接続部4としてはITO、取出配線20としてはMAMが一般的ではあるが、前述のAu(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Mo(モリブデン)、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、C(炭素)、Fe(鉄)等の金属も微細加工により視認性を妨げることがなければ用いることができる。   ITO is generally used as the second connection portion 4 and MAM is generally used as the lead-out wiring 20, but the aforementioned Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Al (aluminum), Mo (molybdenum), Metals such as Pd (palladium), Pt (platinum), C (carbon), and Fe (iron) can be used as long as visibility is not hindered by fine processing.

絶縁層5は、第一の接続部3または第二の接続部4の有効領域を含む範囲に被せて形成する。絶縁層5の製造方法としては、SiO膜を厚さ100nm以上形成して絶縁機能を得ることはできるが、さらに容易な製造方法として、有機絶縁膜をフォトリソ法で形成することもできる。例えば、屈折率1.53、体積固有抵抗値2×1015Ω・cm、の感光性有機絶縁膜材料を、スプレーコートやスピンコート、スリットダイコート、ロールコート、バーコート等の塗布方法により、乾燥膜厚が0.2〜10μm、より好ましくは0.5〜5μmとなるように塗布する。透明基材10への塗布後、有機溶剤を蒸発させるために必要に応じてプリベークを実施する。プリベークには、熱風循環式オーブンやホットプレート、IRオーブンを用いることができる。必要により乾燥された膜には、必要に応じてこの膜と接触あるいは非接触状態で設けられた所定のパターンを有するマスクを通して露光を行う。露光時の光線の種類は特に限定されるものではなく、可視光線、紫外線、遠赤外線、電子線、X線等が挙げられ、中でも紫外線が好ましい。光線の照度は特に限定されるものではないが、365nmにおいて5〜150mW/cmであることが好ましく、15〜35mW/cmであることが特に好ましい。 The insulating layer 5 is formed so as to cover a range including the effective area of the first connection portion 3 or the second connection portion 4. As a manufacturing method of the insulating layer 5, an insulating function can be obtained by forming a SiO 2 film with a thickness of 100 nm or more. However, as an easier manufacturing method, an organic insulating film can also be formed by a photolithography method. For example, a photosensitive organic insulating film material having a refractive index of 1.53 and a volume resistivity of 2 × 10 15 Ω · cm is dried by a coating method such as spray coating, spin coating, slit die coating, roll coating, or bar coating. It is applied so that the film thickness is 0.2 to 10 μm, more preferably 0.5 to 5 μm. After application to the transparent substrate 10, pre-baking is performed as necessary to evaporate the organic solvent. For pre-baking, a hot air circulation oven, a hot plate, or an IR oven can be used. If necessary, the dried film is exposed through a mask having a predetermined pattern provided in contact with or not in contact with the film. The kind of the light beam at the time of exposure is not particularly limited, and examples thereof include visible light, ultraviolet rays, far infrared rays, electron beams, X-rays, etc. Among them, ultraviolet rays are preferable. Is not particularly limited illuminance of the light beam is preferably 5~150mW / cm 2 at 365 nm, and particularly preferably 15~35mW / cm 2.

その後、必要に応じて炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム等の水性アルカリ現像液に浸漬するか、もしくはスプレー等により現像液を噴霧して未硬化部を除去し所望のパターンを形成する。さらに、感光性組成物の重合を促進して硬膜するため、それぞれ必要に応じて加熱(所謂ポストベーキング)を施す。これらの工程を経てパターン形成し、透過率97%を超えるパターン状の絶縁層5とすることができる。   Then, if necessary, the film is immersed in an aqueous alkaline developer such as sodium carbonate or sodium hydroxide, or sprayed with a developer or the like to remove uncured portions and form a desired pattern. Furthermore, in order to accelerate the polymerization of the photosensitive composition to form a film, heating (so-called post-baking) is performed as necessary. A pattern is formed through these steps, and a patterned insulating layer 5 having a transmittance exceeding 97% can be obtained.

また、必要に応じて保護膜6を第一の透明電極1、第二の透明電極2、第一の接続部3、第二の接続部4、絶縁層5、および取出配線20の有効領域を含む範囲に被せて形成する。保護膜6としては、絶縁層5の説明で述べた材料および方法を用いて乾燥膜厚が0.5〜20μm、より好ましくは1.0〜10μmとなるように形成することができる。なお、保護膜6は、静電容量式タッチパネル基板の最外層を形成するので、平坦化層を兼ねて、できるだけ広く配置することが望ましい。また、形成された端子電極となる金属層の一部に重なる構造も可能である。   If necessary, the protective film 6 is provided with an effective area of the first transparent electrode 1, the second transparent electrode 2, the first connection part 3, the second connection part 4, the insulating layer 5, and the extraction wiring 20. It is formed over the range to include. The protective film 6 can be formed using the materials and methods described in the description of the insulating layer 5 so that the dry film thickness is 0.5 to 20 μm, more preferably 1.0 to 10 μm. In addition, since the protective film 6 forms the outermost layer of the capacitive touch panel substrate, it is desirable that the protective film 6 be disposed as wide as possible to serve as a planarization layer. Moreover, the structure which overlaps with a part of metal layer used as the formed terminal electrode is also possible.

反射防止膜50は、透明基材10上に蒸着法または、ウェット法によって成膜する。
例えば、蒸着法の一例として、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、スパッタ蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、CVD法などがある。蒸着法は、ナノレベルの薄膜の多層成膜が可能な点で優れた方法であるが、基材の大きさが限定され、又、連続生産には適さなく、生産コストが高いという課題がある。
The antireflection film 50 is formed on the transparent substrate 10 by a vapor deposition method or a wet method.
For example, examples of the vapor deposition method include a vacuum vapor deposition method, an ion assist vapor deposition method, a sputter vapor deposition method, an ion plating vapor deposition method, and a CVD method. The vapor deposition method is an excellent method in that a multi-layered film of a nano-level thin film can be formed, but the size of the substrate is limited, and there is a problem that the production cost is high because it is not suitable for continuous production. .

また、ウェット法の一例として、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法などがある。これらの方法は蒸着法と比べると安価である一方、基材への塗布性を制御することが困難であることから、色ムラ、膜厚バラつきなどの不具合が発生しやすいという課題がある。
反射防止膜50に適応する屈折率は、以下の計算式で求められる。
=(N1/2 (N:反射防止膜50の屈折率、N:透明基材10の屈折率)……(式1)
Examples of the wet method include a spin coating method, a roll coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bar coating method, a screen printing method, and a flexographic printing method. While these methods are less expensive than vapor deposition methods, it is difficult to control the coating property to the substrate, and thus there is a problem that problems such as color unevenness and film thickness variations are likely to occur.
The refractive index suitable for the antireflection film 50 is obtained by the following calculation formula.
N 1 = (N 2 ) 1/2 (N 1 : refractive index of the antireflection film 50, N 2 : refractive index of the transparent substrate 10) (Equation 1)

式1は無反射条件を表すものである。例えば本実施形態の透明基材10であるアルミノ珪酸ガラスの屈折率N≒1.5を代入した場合、N≒1.2と求められる。
したがって、反射防止膜50としては低屈折材料が適している。具体的には、二酸化ケイ素(1.5)、フッ化マグネシウム(1.4)、フッ化カルシウム(1.3〜1.4)、フッ化アルミニウム(1.3)などを好ましく用いることができる。また、これらの材料を単独で用いても二種類以上組み合わせて用いてもよい。
Equation 1 represents a non-reflective condition. For example, when the refractive index N 2 ≈1.5 of the aluminosilicate glass that is the transparent substrate 10 of the present embodiment is substituted, N 1 ≈1.2 is obtained.
Therefore, a low refractive material is suitable for the antireflection film 50. Specifically, silicon dioxide (1.5), magnesium fluoride (1.4), calcium fluoride (1.3 to 1.4), aluminum fluoride (1.3) and the like can be preferably used. . These materials may be used alone or in combination of two or more.

<金属ナノ粒子分散液>
本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液は、本実施形態の引出配線20および接続部3、4を形成できるものであれば公知のものを使用でき、特に限定されない。例えば、本金属ナノ粒子分散液の一例として(H)銀粉、(I)溶剤を含有する金属ナノ粒子分散液を使用することができ、必要に応じてその他の分散剤、添加剤を含むことができる。本実施形態の静電容量式タッチパネル基板を構成する引出配線20は金属ナノ粒子分散液を透明基材10上に塗布後、ポジレジストによるフォトリソ工程を経た後、エッチング・レジスト剥離により形成する。
<Metal nanoparticle dispersion>
The metal nanoparticle dispersion liquid used in the present embodiment is not particularly limited as long as it can form the lead-out wiring 20 and the connection portions 3 and 4 of the present embodiment. For example, (H) silver powder, (I) a metal nanoparticle dispersion containing a solvent can be used as an example of the present metal nanoparticle dispersion, and may contain other dispersants and additives as necessary. it can. The lead-out wiring 20 constituting the capacitive touch panel substrate of the present embodiment is formed by etching / resist peeling after applying a metal nanoparticle dispersion on the transparent base material 10, passing through a photolithography process using a positive resist.

本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液の(H)銀粉の平均粒子径は1〜500nmであることが好ましい。平均粒子径が500nm以上の場合、微細パターンにおける直線性やパターン精度が低下するため好ましくない。また粒子サイズが小さくなるほど、金属ナノ粒子の接触面積が増える。このため粒径が500nm以上であると、導電性が損なわれる。また、(H)銀粉の含有量としては、金属ナノ粒子分散液の全固形分量を基準として、10〜60重量%が好ましく、より好ましくは20〜50重量%である。(H)銀粉の添加量が10重量%以下であると銀濃度の低下により、微細パターンを形成することが困難である。60重量%以上であると銀の分散状態を維持することが困難である。   It is preferable that the average particle diameter of (H) silver powder of the metal nanoparticle dispersion liquid used for this embodiment is 1-500 nm. An average particle diameter of 500 nm or more is not preferable because linearity and pattern accuracy in a fine pattern are deteriorated. Moreover, the contact area of the metal nanoparticles increases as the particle size decreases. For this reason, electroconductivity is impaired as a particle size is 500 nm or more. Moreover, as content of (H) silver powder, 10-60 weight% is preferable on the basis of the total solid content of a metal nanoparticle dispersion liquid, More preferably, it is 20-50 weight%. (H) If the added amount of silver powder is 10% by weight or less, it is difficult to form a fine pattern due to a decrease in silver concentration. If it is 60% by weight or more, it is difficult to maintain the silver dispersion state.

本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液の(I)溶剤としては、水、エタノール、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール系などの多価アルコール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、これらを単独でもしくは混合して用いることができる。(I)溶剤の添加量として、金属ナノ粒子分散液全量を基準として、40〜90重量%の範囲で添加することが好ましい。
本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液を基材に塗布後、熱風循環式オーブンに加熱処理行うことで、ナノ粒子同士が溶融しかつ、分散剤、添加剤が分解することで導電性が発現する。高温で加熱処理を行う方が、短時間で金属ナノ粒子を融着させることができるが、絶縁膜の分解が生じないために、加熱温度は150℃〜250℃が好ましい。
Examples of the (I) solvent of the metal nanoparticle dispersion used in this embodiment include water, ethanol, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethylene glycol-based polyhydric alcohols, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate, and the like. These can be used alone or in combination. (I) The amount of the solvent added is preferably in the range of 40 to 90% by weight based on the total amount of the metal nanoparticle dispersion.
After applying the metal nanoparticle dispersion liquid used in the present embodiment to the base material, heat treatment is performed in a hot-air circulation oven, so that the nanoparticles are melted and the dispersant and additive are decomposed so that the conductivity is improved. To express. When the heat treatment is performed at a high temperature, the metal nanoparticles can be fused in a short time, but the heating temperature is preferably 150 ° C. to 250 ° C. in order not to cause decomposition of the insulating film.

<金属ナノ粒子分散液を用いた第二の接続部4および取出配線20の製造方法>
本実施形態における金属ナノ粒子分散液を用いた第二の接続部4および取出配線20の製造方法について、以下に説明をする。
金属ナノ粒子分散液の透明基材10への塗布方法としては、ピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、ダイコート法、バーコート法、およびスクリーン印刷法が挙げられる。透明基材10への塗布後、有機溶剤を蒸発させるために必要に応じてプリベークを実施する。プリベークには、熱風循環式オーブンやホットプレート、IRオーブンを用いることができる。
<The manufacturing method of the 2nd connection part 4 and the extraction wiring 20 using a metal nanoparticle dispersion liquid>
The manufacturing method of the 2nd connection part 4 and the extraction wiring 20 using the metal nanoparticle dispersion liquid in this embodiment is demonstrated below.
Examples of the method for applying the metal nanoparticle dispersion liquid to the transparent substrate 10 include a pin coating method, a slit coating method, a roll coating method, a die coating method, a bar coating method, and a screen printing method. After application to the transparent substrate 10, pre-baking is performed as necessary to evaporate the organic solvent. For pre-baking, a hot air circulation oven, a hot plate, or an IR oven can be used.

金属ナノ粒子分散液を透明基材10に塗布後、熱風循環式オーブンに加熱処理を行い、銀薄膜とする。得られた銀薄膜上にポジレジストを塗布し、所望する第二の接続部4および取出配線20に対応するフォトマスクを介して、パターン露光を行う。露光光源として、通常の高圧水銀灯を用いればよい。露光量としてはタクトタイムの観点から、10〜200mJ/cm程度が好ましい。 After apply | coating a metal nanoparticle dispersion liquid to the transparent base material 10, it heat-processes to a hot-air circulation type oven, and is set as a silver thin film. A positive resist is applied on the obtained silver thin film, and pattern exposure is performed through a photomask corresponding to the desired second connection portion 4 and extraction wiring 20. A normal high-pressure mercury lamp may be used as the exposure light source. The exposure amount is preferably about 10 to 200 mJ / cm 2 from the viewpoint of tact time.

露光に続いて現像を行う。現像液にはアルカリ性水溶液を用いる。アルカリ性水溶液の例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、もしくは水酸化カリウム水溶液が好んで用いられるが、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、または両者の混合水溶液、もしくはそれらに適当な界面活性剤等を加えたものを用いても良い。
現像に続いて、エッチングを行う。エッチング液には酸性水溶液を用いる。酸性水溶液の例としては、硝酸、酢酸、塩酸、燐酸、蓚酸などが用いられる。これらは、単独でまたは2種類以上混合して用いることができる。
エッチングに続いて、ポジレジストの剥離を行い、第二の接続部4および取出配線20が得られる。剥離液には有機アルカリ液を用いられ、ケイ酸塩を含有する有機液が好んで用いられる。
Development is performed following exposure. An alkaline aqueous solution is used as the developer. As an example of the alkaline aqueous solution, a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution or a potassium hydroxide aqueous solution is preferably used, but a sodium carbonate aqueous solution, a sodium hydrogen carbonate aqueous solution, a mixed aqueous solution of both, or a surfactant suitable for them. You may use what added.
Etching is performed following development. An acidic aqueous solution is used as the etching solution. Examples of the acidic aqueous solution include nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, oxalic acid, and the like. These can be used alone or in admixture of two or more.
Following the etching, the positive resist is peeled off, and the second connection portion 4 and the extraction wiring 20 are obtained. An organic alkaline solution is used as the stripping solution, and an organic solution containing silicate is preferably used.

≪表示装置≫
本実施形態に係る表示装置は、上述の投影型静電容量式タッチパネル基板を有する表示装置(図示せず)である。本実施形態に係る表示装置であれば、上述の投影型静電容量式タッチパネル基板を有しているので、視認性が良好な表示装置を提供することができる。
≪Display device≫
The display device according to the present embodiment is a display device (not shown) having the above-described projected capacitive touch panel substrate. Since the display device according to the present embodiment has the above-described projected capacitive touch panel substrate, a display device with good visibility can be provided.

[実施例]
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲においてこれに限定されるものではない。
<カバーガラス一体型静電容量式タッチパネル基板の作製>
[実施例1]
アルミノ珪酸ガラス上に、トクセン工業社製の銀ナノ粒子分散液(粒径10〜30nm)をスピンコートにより塗布し、熱風循環式オーブンにて235℃で18分間加熱処理を実施して膜厚が0.25μmの銀薄膜を作製した。銀薄膜上にポジレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて100mJ/cmで所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムの混合水溶液にて、シャワー現像を実施した。水洗後、ポストべークを行い、エッチング液SEA−5(関東化学社製)を用いてウェットエッチングを行い、水酸化カリウム水溶液を用いてレジスト除去して第二の接続部4および取出配線20を作製した。得られた第二の接続部4は、幅4μm×長さ200μmの大きさであった。銀薄膜のシート抵抗は0.1Ω/□であった。
[Example]
Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited thereto without departing from the spirit of the present invention.
<Manufacture of cover glass integrated capacitive touch panel substrate>
[Example 1]
On the aluminosilicate glass, a silver nanoparticle dispersion liquid (particle size: 10 to 30 nm) manufactured by Toxen Industry Co., Ltd. was applied by spin coating, and heat treatment was performed at 235 ° C. for 18 minutes in a hot air circulation oven. A 0.25 μm silver thin film was prepared. A positive resist was spin-coated on the silver thin film and dried on a hot plate at 100 ° C. for 5 minutes to dry the coating film. Thereafter, exposure was performed through a photomask having a desired opening at 100 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp as a light source, and then shower development was performed with a mixed aqueous solution of sodium hydroxide and sodium carbonate. After washing with water, post-baking is performed, wet etching is performed using an etching solution SEA-5 (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.), the resist is removed using an aqueous potassium hydroxide solution, and the second connection portion 4 and the extraction wiring 20 are removed. Was made. The obtained second connection portion 4 was 4 μm wide × 200 μm long. The sheet resistance of the silver thin film was 0.1Ω / □.

次に、ネガレジスト(JSR社製NN901)をスピン塗布し、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて100mJ/cmで所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、0.2重量%の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、30秒間シャワー現像を実施した。水洗後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して絶縁層5を形成した。絶縁層5は、第二の接続部4の有効部分のみを覆うように、幅60μm×長さ120μmの大きさとした。 Next, a negative resist (NN901 manufactured by JSR) was applied by spin coating, and dried at 100 ° C. for 5 minutes on a hot plate to dry the coating film. Then, using a high-pressure mercury lamp as a light source, exposure was performed through a photomask having a desired opening at 100 mJ / cm 2 , and then shower development was performed for 30 seconds with a 0.2 wt% aqueous sodium bicarbonate solution. did. After washing with water, heat treatment was performed at 230 ° C. for 30 minutes in a hot air circulation oven to form the insulating layer 5. The insulating layer 5 has a width of 60 μm × length of 120 μm so as to cover only the effective portion of the second connection portion 4.

続いて、スパッタリング装置により膜厚30nmでITO膜を成膜し、ポジレジスト(ローム・アンド・ハース電子材料製LC100−10cp)をスピン塗布し、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて100mJ/cmで所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、2.3重量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液にて、23℃で60秒間シャワー現像を実施した。水洗後、シュウ酸からなるエッチング液(瑞穂化学工業社製ITOエッチング液)を用いてウェットエッチングを行い、2%水酸化カリウムのレジスト剥離液を用いてレジスト除去した後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して第一の透明電極1、第二の透明電極2、および第一の接続部3を形成した。ITO膜のシート抵抗は100Ω/□であった。 Subsequently, an ITO film with a film thickness of 30 nm was formed by a sputtering apparatus, a positive resist (LC100-10 cp manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials) was spin-coated, and dried at 100 ° C. for 5 minutes on a hot plate, The coating film was dried. Thereafter, exposure was performed through a photomask having a desired opening at 100 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp as a light source, and then a 2.3 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used at 23 ° C. at 60 ° C. Shower development was performed for 2 seconds. After washing with water, wet etching is performed using an etching solution composed of oxalic acid (ITO etching solution manufactured by Mizuho Chemical Co., Ltd.), and the resist is removed using a 2% potassium hydroxide resist stripping solution. A heat treatment was performed at 230 ° C. for 30 minutes to form the first transparent electrode 1, the second transparent electrode 2, and the first connection portion 3. The sheet resistance of the ITO film was 100Ω / □.

さらに、ネガレジスト(JSR社製NN901)をスピン塗布し、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて100mJ/cmで所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、0.2重量%の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、30秒間シャワー現像を実施した。水洗後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して保護層6を形成して、静電容量式タッチパネル基板を得た。絶縁層5は、タッチパネル基板のガラス端部から内側2mmの、取出配線20と制御回路と繋がる接続部位を除く領域全面を覆うように形成してカバーガラス一体型タッチパネルを得た。 Further, a negative resist (NN901 manufactured by JSR) was applied by spin coating, dried on a hot plate at 100 ° C. for 5 minutes, and the coating film was dried. Then, using a high-pressure mercury lamp as a light source, exposure was performed through a photomask having a desired opening at 100 mJ / cm 2 , and then shower development was performed for 30 seconds with a 0.2 wt% aqueous sodium bicarbonate solution. did. After washing with water, heat treatment was performed at 230 ° C. for 30 minutes in a hot air circulation oven to form the protective layer 6 to obtain a capacitive touch panel substrate. The insulating layer 5 was formed so as to cover the entire region 2 mm inside from the glass edge of the touch panel substrate, excluding the connection part connected to the extraction wiring 20 and the control circuit, to obtain a cover glass integrated touch panel.

得られたカバーガラス一体型タッチパネルのタッチパネルセンサー40を有する側とは逆の面に、プラズマCVD法によってTEOS(テトラエトキシシラン)を酸素プラズマ雰囲気中で蒸着することによりSiO膜からなる反射防止膜50を得た。なお、得られたSiOの膜厚は90nmであり、屈折率は1.47であった。以上の工程により、カバーガラス一体型タッチパネル100を得た。
また、アルミノ珪酸ガラスの片面を黒色処理し、もう一方の面に上記CVD法によってSiO膜を作製し、反射率評価基板101を得た。
An antireflection film comprising a SiO 2 film is formed by depositing TEOS (tetraethoxysilane) in an oxygen plasma atmosphere by a plasma CVD method on the surface opposite to the side having the touch panel sensor 40 of the obtained cover glass integrated touch panel. 50 was obtained. The obtained SiO 2 had a thickness of 90 nm and a refractive index of 1.47. The cover glass integrated touch panel 100 was obtained through the above steps.
In addition, one side of the aluminosilicate glass was black-treated, and an SiO 2 film was produced on the other side by the CVD method, whereby a reflectance evaluation substrate 101 was obtained.

[実施例2]
実施例1と同じ工程を経て、カバーガラス一体型タッチパネル200を得た。
得られたカバーガラス一体型タッチパネル200のタッチパネルセンサー40を有する側とは逆の面に、日産化学社製のA−2014をスピン塗布し、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて50mJ/cmで露光を実施した後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して作製してSiO−TiO複合膜からなる反射防止膜50を得た。なおSiO−TiO複合膜の膜厚は100nmであり、屈折率は1.46であった。以上の工程により、カバーガラス一体型タッチパネル200を得た。
また、アルミノ珪酸ガラス上の片面を黒色処理し、もう一方の面に上記コート法によってA−2014膜を作製し、反射率評価基板201を得た。
[Example 2]
The cover glass integrated touch panel 200 was obtained through the same process as in Example 1.
A-2014 made by Nissan Chemical Co., Ltd. is spin-coated on the surface opposite to the side having the touch panel sensor 40 of the obtained cover glass integrated touch panel 200, and dried on a hot plate at 100 ° C. for 5 minutes. The membrane was dried. Then, after performing exposure at 50 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp as a light source, a heat treatment is performed at 230 ° C. for 30 minutes in a hot-air circulating oven, and the reflection is made of a SiO 2 —TiO 2 composite film. The prevention film 50 was obtained. The SiO 2 —TiO 2 composite film had a thickness of 100 nm and a refractive index of 1.46. The cover glass integrated touch panel 200 was obtained through the above steps.
Moreover, one side on the aluminosilicate glass was black-treated, and an A-2014 film was produced on the other side by the above-described coating method to obtain a reflectance evaluation substrate 201.

[比較例1]
実施例1の反射防止膜50の工程を省き、カバーガラス一体型タッチパネル300を得た。
また、アルミノ珪酸ガラスの片面を黒色処理し、反射率評価基板301とした。
[Comparative Example 1]
The process of the antireflection film 50 of Example 1 was omitted, and the cover glass integrated touch panel 300 was obtained.
In addition, one side of the aluminosilicate glass was black-treated to obtain a reflectance evaluation substrate 301.

[視認性の評価方法]
<反射率評価>
得られた反射率評価基板101、201、301の反射率評価を行った。測定装置は日立ハイテク製のU−4000に積分球を取り付けたものを使用した。400〜800nmの平均反射率を算出した結果を表1に示す。
<外観映りこみ評価>
得られたカバーガラス一体型タッチパネル100、200、300を、蛍光灯照明の室内で角度を変えて反射させて見たときに、それぞれ目視で外観の映りこみを評価した。
○・・・外観の映りこみ像の輪郭がぼやけており、明瞭には観測されない
×・・・外観の映り込みがはっきり見える
なお、○が使用可能レベルである。評価結果を表1に示す。
[Visibility evaluation method]
<Reflectance evaluation>
The reflectance evaluation of the obtained reflectance evaluation substrates 101, 201, and 301 was performed. The measuring device used was a Hitachi High-Tech U-4000 with an integrating sphere attached. Table 1 shows the results of calculating the average reflectance of 400 to 800 nm.
<Appearance reflection evaluation>
When the obtained cover glass-integrated touch panels 100, 200, and 300 were viewed by changing the angle in the interior of the fluorescent lamp illumination, the reflection of the appearance was evaluated visually.
○ ・ ・ ・ The outline of the reflected image of the appearance is blurred and not clearly observed. × ・ ・ ・ The reflection of the appearance is clearly visible. ○ is the usable level. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2013246610
Figure 2013246610

本実施例1〜2により、反射防止膜50を有することで、反射率を低減することができた。また、成膜法に関わらず、反射防止膜50を有することで、表示面への外観映りこみの程度が少ない静電容量式カバー一体型のタッチパネルを得ることができた。   By having the antireflection film 50 according to Examples 1 and 2, the reflectance could be reduced. Regardless of the film forming method, the anti-reflection film 50 can be provided to obtain a capacitive cover-integrated touch panel with less appearance reflection on the display surface.

1 …第一の透明電極
2 …第二の透明電極
3 …第一の接続部
4 …第二の接続部
5 …絶縁層
6 …保護膜
7 …額縁層
10…透明基材
20…取出配線
40…タッチパネルセンサー
50…反射防止膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st transparent electrode 2 ... 2nd transparent electrode 3 ... 1st connection part 4 ... 2nd connection part 5 ... Insulating layer 6 ... Protective film 7 ... Frame layer 10 ... Transparent base material 20 ... Extraction wiring 40 ... Touch panel sensor 50 ... Antireflection film

Claims (6)

タッチパネルの最表面に位置するカバーガラスを透明基材とした静電容量式タッチパネル基板において、
前記透明基材の片面に少なくとも、(A)第一の透明電極と、(B)第二の透明電極と、(C)前記(A)第一の透明電極を結ぶ第一の接続部と、(D)前記(B)第二の透明電極を結ぶ第二の接続部と、(E)前記(C)第一の接続部と前記(D)第二の接続部の交差する間に形成された絶縁層と、(F)前記(A)第一の透明電極および前記(B)第二の透明電極に接続された取出配線と、を有し、
前記透明基材のもう一方の面に(G)反射防止膜を有することを特徴とする静電容量式タッチパネル基板。
In the capacitive touch panel substrate with the cover glass located on the outermost surface of the touch panel as a transparent substrate,
At least on one side of the transparent substrate, (A) a first transparent electrode, (B) a second transparent electrode, and (C) a first connection portion connecting the (A) first transparent electrode, (D) formed between the (B) second connecting portion connecting the second transparent electrodes, (E) the (C) first connecting portion and the (D) second connecting portion intersecting. An insulating layer, and (F) the (A) first transparent electrode and the (B) extraction wiring connected to the second transparent electrode,
A capacitive touch panel substrate comprising (G) an antireflection film on the other surface of the transparent substrate.
前記(D)第二の接続部と、前記(F)取出配線の少なくとも一方は、Au、Ag、Cu、Al、Mo、Pd、Pt、C、Feの群から選ばれる一つ以上の元素からなる金属材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の静電容量式タッチパネル基板。   At least one of the (D) second connection portion and the (F) extraction wiring is made of one or more elements selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Al, Mo, Pd, Pt, C, and Fe. The capacitive touch panel substrate according to claim 1, wherein the capacitive touch panel substrate is formed of a metal material. 請求項1または請求項2に記載の静電容量式タッチパネル基板を有することを特徴とする表示装置。   A display device comprising the capacitive touch panel substrate according to claim 1. 請求項1または請求項2に記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、
前記(G)反射防止膜は、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパッタ法、CVD法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the capacitance type touch panel substrate according to claim 1 or 2,
The antireflection film (G) is formed by one or more methods selected from the group consisting of a vacuum deposition method, an ion assist deposition method, an ion plating deposition method, a sputtering method, and a CVD method. A method of manufacturing a capacitive touch panel substrate.
請求項1または請求項2に記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、
前記(G)反射防止膜は、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the capacitance type touch panel substrate according to claim 1 or 2,
The antireflection film (G) is formed by one or more methods selected from the group consisting of spin coating, roll coating, spray coating, dip coating, bar coating, screen printing, and flexographic printing. A method for manufacturing a capacitive touch panel substrate, comprising:
請求項4または請求項5に記載の製造方法で製造されたことを特徴とする静電容量式タッチパネル基板。   A capacitive touch panel substrate manufactured by the manufacturing method according to claim 4.
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