JP2013242540A - Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulator film for display device and formation method thereof - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulator film for display device and formation method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2013242540A
JP2013242540A JP2013081631A JP2013081631A JP2013242540A JP 2013242540 A JP2013242540 A JP 2013242540A JP 2013081631 A JP2013081631 A JP 2013081631A JP 2013081631 A JP2013081631 A JP 2013081631A JP 2013242540 A JP2013242540 A JP 2013242540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
radiation
structural unit
resin composition
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013081631A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6136491B2 (en
Inventor
Daigo Ichinohe
大吾 一戸
Takao Yashiro
隆郎 八代
Taichi Tazaki
太一 田崎
Shinji Matsumura
信司 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2013081631A priority Critical patent/JP6136491B2/en
Priority to KR1020130041457A priority patent/KR102033938B1/en
Publication of JP2013242540A publication Critical patent/JP2013242540A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6136491B2 publication Critical patent/JP6136491B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0041Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming an insulator film such as an interlayer insulator film for a display element or the like, excellent in transparency, heat-resistance, hardness, etching resistance and low water absorption, having high sensitivity, and with a smaller change amount in film thickness at an unexposed portion, and to provide an interlayer insulator film for a display element formed from the radiation-sensitive resin composition, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition includes: [A] a polymer component including, in an identical or different polymer, a structural unit (I) derived from a cyclic olefin monomer having an acid-dissociative group, and a structural unit (II) different from the structural unit (I) and having a polymerizable group; and [B] a radiation-sensitive acid generating body including a radiation sensitive acid generator. The structural unit (I) of the polymer component [A] may include a structural unit expressed by a formula (1) below.

Description

本発明は感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法に関する。   The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, an interlayer insulating film for display elements, and a method for forming the same.

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で表示素子用層間絶縁膜が設けられている。表示素子用層間絶縁膜の形成材料としては、パターンを形成するための工程数が少なく、また得られる表示素子用層間絶縁膜に高度な平坦性が求められることから、感放射線性樹脂組成物が幅広く使用されている。このように、感放射線性樹脂組成物には良好な感度が求められ、また表示素子用層間絶縁膜には上記平坦性に加え、優れた耐熱性、透明性等が求められる。   The display element is generally provided with a display element interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers. As the material for forming the interlayer insulating film for display elements, the number of steps for forming a pattern is small, and since the obtained interlayer insulating film for display elements requires high flatness, the radiation-sensitive resin composition is Widely used. As described above, the radiation-sensitive resin composition is required to have good sensitivity, and the interlayer insulating film for display elements is required to have excellent heat resistance and transparency in addition to the above flatness.

このような感放射線性樹脂組成物としては、架橋剤、酸発生剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する組成物が知られている(特開2004−4669号公報参照)。上記アルカリ可溶性樹脂とは、保護基(アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用により解離し得る基)を有し、この保護基が露光により解離した後に現像液であるアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂をいう。また、これ以外にアセタール構造又はケタール構造とエポキシ基とを有する樹脂及び酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物が提案されている(特開2004−264623号公報参照)。   As such a radiation sensitive resin composition, a composition containing a cross-linking agent, an acid generator and an alkali-soluble resin is known (see JP 2004-4669 A). The alkali-soluble resin has a protecting group (a group that is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and can be dissociated by the action of an acid). After the protective group is dissociated by exposure, the alkali aqueous resin is a developer. A resin that becomes soluble. In addition, a radiation-sensitive resin composition containing a resin having an acetal structure or ketal structure and an epoxy group and an acid generator has been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623).

上記従来の感放射線性樹脂組成物を用いて表示素子用層間絶縁膜の形成を試みた場合、現像工程やポストベーク工程における未露光部の膜厚減少量が大きく、表示素子用層間絶縁膜の平坦性が損なわれ、あるいは設計膜厚からのずれが生じる不都合がある。また、この不都合を回避するためには、現像時間を厳格に調整する必要があり、生産プロセスの非効率化につながる。   When an attempt is made to form an interlayer insulating film for a display element using the conventional radiation-sensitive resin composition, the amount of decrease in the film thickness of the unexposed part in the development process or the post-bake process is large. There is an inconvenience that flatness is impaired or a deviation from the designed film thickness occurs. Moreover, in order to avoid this inconvenience, it is necessary to strictly adjust the development time, which leads to inefficiency of the production process.

一方、アセタール構造又はケタール構造と嵩高い脂環式炭化水素基とを有するポリマーを含有する感放射線性樹脂組成物が提案されている(特開2007−127691号公報参照)。この感放射線性樹脂組成物は、半導体用のレジスト材料であり、パターン形成後にエッチングにより除去されることが予定さている有機膜を形成するものである。これに対し、表示素子用層間絶縁膜は、上記有機膜とは異なり、エッチングによって除去されることが予定されていない、いわゆる永久膜であるため、エッチング耐性、低吸水性、硬度等の表示素子中での高い信頼性も必要とされる。   On the other hand, a radiation sensitive resin composition containing a polymer having an acetal structure or a ketal structure and a bulky alicyclic hydrocarbon group has been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-127691). This radiation-sensitive resin composition is a resist material for semiconductors and forms an organic film that is scheduled to be removed by etching after pattern formation. On the other hand, since the interlayer insulating film for display elements is a so-called permanent film that is not scheduled to be removed by etching unlike the organic film, the display element has etching resistance, low water absorption, hardness, and the like. High reliability inside is also required.

特開2004−4669号公報JP 2004-4669 A 特開2004−264623号公報JP 2004-264623 A 特開2007−127691号公報JP 2007-127691 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、透明性、耐熱性、硬度、エッチング耐性及び低吸水性に優れる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成することができ、感度が良好であり、未露光部の膜厚変化量が少ない感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜、及びその形成方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made based on the above circumstances, and can form an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element which is excellent in transparency, heat resistance, hardness, etching resistance and low water absorption. To provide a radiation-sensitive resin composition having good sensitivity and a small amount of change in film thickness of an unexposed portion, an interlayer insulating film for a display element formed from this radiation-sensitive resin composition, and a method for forming the same With the goal.

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]同一又は異なる重合体中に、酸解離性基を有する環状オレフィン系単量体に由来する構造単位(I)、及び重合性基を有し構造単位(I)とは異なる構造単位(II)を含む重合体成分(以下、「[A]重合体成分」ともいう)、並びに
[B]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。
The invention made to solve the above problems is
[A] A structural unit (I) derived from a cyclic olefin monomer having an acid-dissociable group in the same or different polymer, and a structural unit having a polymerizable group and different from the structural unit (I) ( II) a polymer component (hereinafter also referred to as “[A] polymer component”), and [B] a radiation-sensitive resin composition containing a radiation-sensitive acid generator.

当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分が環状オレフィン骨格を重合体主鎖に含む構造単位(I)を有することにより、耐熱性に優れ、高温プロセスにおいても熱変色が起こり難く、十分な透明性を有する表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成することができる。   In the radiation-sensitive resin composition, the [A] polymer component has a structural unit (I) containing a cyclic olefin skeleton in the polymer main chain, so that it has excellent heat resistance and hardly undergoes thermal discoloration even in a high-temperature process. An insulating film such as an interlayer insulating film for a display element having sufficient transparency can be formed.

当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分が構造単位(II)を含むことにより分子鎖間で架橋構造を形成するため、未露光部の膜厚変化量を抑制することができる。さらに、当該感放射線性樹脂組成物は、この架橋構造により十分な硬度を有すると共に、エッチング耐性及び耐熱性により優れる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成することができる。   Since the radiation sensitive resin composition forms a cross-linked structure between the molecular chains by including the structural unit (II) in the polymer component [A], the amount of change in the film thickness of the unexposed portion can be suppressed. . Furthermore, the radiation-sensitive resin composition can form an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element that has sufficient hardness due to the cross-linked structure and is excellent in etching resistance and heat resistance.

[A]重合体成分の構造単位(I)が下記式(1)で表される構造単位を含むとよい。   [A] The structural unit (I) of the polymer component may include a structural unit represented by the following formula (1).

Figure 2013242540
(式(1)中、Rは、下記式(a)及び(b)のいずれかで表される基である。nは、1又は2である。但し、nが2の場合、2つのRは同一でも異なっていてもよい。)
Figure 2013242540
(式(a)中、Rは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又は−M(R10で表される基である。Mは、Si、Ge又はSnである。R10は、アルキル基である。但し、Rのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基、並びにR10のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RとRとは互いに結合して、Rが結合している炭素原子及びRが結合している酸素原子と共に環状エーテル構造を形成していてもよい。
式(b)中、Rは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である。Rは、アルキル基又はシクロアルキル基である。
Figure 2013242540
(In the formula (1), R 1 is a group represented by any of the following formulas (a) and (b). N is 1 or 2. However, when n is 2, R 1 may be the same or different.)
Figure 2013242540
(In Formula (a), R 2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted, and R 3 and R 4 are not both hydrogen atoms. 5 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a group represented by -M (R 10 ) 3. M is Si, Ge or Sn, and R 10 is an alkyl group. . However, the alkyl group of R 5, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group, and each other good .R 3 and R 5 be a part or all of the hydrogen atoms have been substituted with an alkyl group R 10 Combine , May form a cyclic ether structure together with the oxygen atom to the carbon atom and R 5 R 3 is attached is attached.
In formula (b), R 6 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 7 is an alkyl group or a cycloalkyl group.

環状オレフィン骨格が式(1)で表されるノルボルネン骨格であることで、より高いレベルで耐熱性に優れた表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成することができる。   When the cyclic olefin skeleton is a norbornene skeleton represented by the formula (1), an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element having a higher level and excellent heat resistance can be formed.

[C]オキセタン基を2個以上有する化合物(以下「[C]化合物」ともいう)をさらに含有することが好ましい。[C]化合物は、2個以上のオキセタン基を含むので、ノルボルナン骨格を有する[A]重合体成分との相溶性が良好となる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜は透明性に優れる。   [C] It is preferable to further contain a compound having two or more oxetane groups (hereinafter also referred to as “[C] compound”). Since the [C] compound contains two or more oxetane groups, the compatibility with the [A] polymer component having a norbornane skeleton is improved. Therefore, an insulating film such as an interlayer insulating film for display elements obtained from the radiation sensitive resin composition is excellent in transparency.

[C]化合物は、下記式(2)で表される化合物であることが好ましい。

Figure 2013242540
(式(2)中、R11は、炭素数1〜20の有機基である。mは、2以上の整数である。複数のR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。 [C] The compound is preferably a compound represented by the following formula (2).
Figure 2013242540
(In the formula (2), R 11 is a is .m organic group having 1 to 20 carbon atoms, an integer of 2 or more. Plurality of R 12 are each independently a hydrogen atom or a carbon number 1 to 5 alkyl groups.

[C]化合物は、上記式(2)で表される化合物であることにより[A]重合体成分との相溶性が向上するため、当該感放射線性樹脂組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜は透明性により優れる。   Since the compound [C] is a compound represented by the above formula (2), the compatibility with the polymer component [A] is improved. Therefore, the interlayer insulation for display elements obtained from the radiation-sensitive resin composition An insulating film such as a film is superior in transparency.

[C]化合物は、下記式(2−1)又は(2−2)で表される化合物であることが好ましい。

Figure 2013242540

(式(2−1)及び(2−2)中、R12は、上記式(2)と同義である。) [C] The compound is preferably a compound represented by the following formula (2-1) or (2-2).
Figure 2013242540

(In the formulas (2-1) and (2-2), R 12 has the same meaning as the above formula (2).)

[C]化合物が上記式(2−1)又は(2−2)で表される化合物であることにより、[A]重合体成分との相溶性がより向上するため、当該感放射線性樹脂組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜は透明性にさらに優れる。   [C] Since the compound is a compound represented by the above formula (2-1) or (2-2), the compatibility with the [A] polymer component is further improved. An insulating film such as an interlayer insulating film for display elements obtained from a product is further excellent in transparency.

当該感放射線性樹脂組成物において、[A]重合体成分100質量部に対する[C]化合物の含有量は、1質量部以上100質量部以下であることが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]化合物の含有量が上記範囲とされることにより、さらに優れた透明性を有する表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成することができる。   In the said radiation sensitive resin composition, it is preferable that content of the [C] compound with respect to 100 mass parts of [A] polymer components is 1 mass part or more and 100 mass parts or less. The said radiation sensitive resin composition can form insulating films, such as an interlayer insulation film for display elements, which has the further outstanding transparency, when content of a [C] compound is made into the said range.

当該感放射線性樹脂組成物は、[D]増感剤をさらに含有することが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[D]増感剤をさらに含有することで、感度をより向上させることができる。   The radiation sensitive resin composition preferably further contains a [D] sensitizer. The said radiation sensitive resin composition can improve a sensitivity more by further containing a [D] sensitizer.

当該感放射線性樹脂組成物は、表示素子用層間絶縁膜を形成するために用いることが好ましい。このような表示素子用層間絶縁膜は、透明性、耐熱性、硬度、エッチング耐性及び低吸水性に優れ、感度が良好で未露光部の膜厚変化量が少ない。   The radiation sensitive resin composition is preferably used for forming an interlayer insulating film for a display element. Such an interlayer insulating film for a display element is excellent in transparency, heat resistance, hardness, etching resistance and low water absorption, has good sensitivity, and has a small amount of change in film thickness in the unexposed area.

本発明の表示素子用層間絶縁膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成される。この表示素子用層間絶縁膜は、透明性、耐熱性、硬度、エッチング耐性及び低吸水性に優れ、感度が良好で未露光部の膜厚変化量が少ない。   The interlayer insulation film for display elements of this invention is formed from the said radiation sensitive resin composition. This interlayer insulating film for display elements is excellent in transparency, heat resistance, hardness, etching resistance and low water absorption, has good sensitivity, and has a small amount of change in film thickness in the unexposed area.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
当該感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
Using the radiation sensitive resin composition, forming a coating film on the substrate,
Irradiating at least a part of the coating film with radiation,
A step of developing the coating film irradiated with the radiation; and a step of heating the developed coating film.

当該形成方法によれば、耐熱性に優れ、高温プロセスにおいても熱変色が起こり難く、低吸水性、十分な透明性及び硬度を有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、現像工程や加熱工程における未露光部の膜厚変化量を低減できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感放射線性を利用した露光工程、現像工程及び加熱工程によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to the formation method, an interlayer insulating film for a display element having excellent heat resistance, hardly undergoing thermal discoloration even in a high temperature process, and having low water absorption, sufficient transparency, and hardness can be formed. In addition, since the amount of change in the film thickness of the unexposed portion in the development process and the heating process can be reduced, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by an exposure process utilizing radiation sensitivity, a development process, and a heating process. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

以上説明したように、本発明によると、透明性、耐熱性、硬度、エッチング耐性、及び低吸水性に優れ、感度が良好で未露光部の膜厚変化量が少ない表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を提供することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物により形成される表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜は、膜厚変化量を少なくできることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感放射線性を利用した露光工程、現像工程及び加熱工程によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   As described above, according to the present invention, the transparency, heat resistance, hardness, etching resistance, and low water absorption are excellent, the sensitivity is good, and the change in film thickness of the unexposed portion is small. Insulating film can be provided. In addition, since an insulating film such as a display element interlayer insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition can reduce the change in film thickness, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by an exposure process utilizing radiation sensitivity, a development process, and a heating process. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

<感放射線性樹脂組成物>
本発明の感放射線性樹脂組成物は、必須成分として[A]重合体成分及び[B]感放射線性酸発生体を含有する、また、当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[C]化合物及び/又は[D]増感剤を含有する。さらに、当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分を詳述する。
<Radiation sensitive resin composition>
The radiation-sensitive resin composition of the present invention contains [A] a polymer component and [B] a radiation-sensitive acid generator as essential components, and the radiation-sensitive resin composition includes [C] ] And / or [D] a sensitizer. Furthermore, the said radiation sensitive resin composition may contain the other arbitrary component in the range which does not impair the effect of this invention. Hereinafter, each component will be described in detail.

<[A]重合体成分>
[A]重合体成分は、同一又は異なる重合体中に、酸解離性基を有する環状オレフィン系単量体に由来する構造単位(I)、及び重合性基を有し構造単位(I)とは異なる構造単位(II)を含む。また、[A]重合体成分は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の構造単位を有してもよい。なお、[A]重合体成分は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位(I),(II)について詳述する。
<[A] Polymer component>
[A] The polymer component is a structural unit (I) derived from a cyclic olefin monomer having an acid dissociable group in the same or different polymers, and a structural unit (I) having a polymerizable group. Contains different structural units (II). Moreover, the [A] polymer component may have another structural unit in the range which does not impair the effect of this invention. In addition, the [A] polymer component may contain 2 or more types of each structural unit. Hereinafter, each of the structural units (I) and (II) will be described in detail.

[構造単位(I)]
構造単位(I)は、酸解離性基を有する環状オレフィン系単量体に由来する。酸解離性基とは、露光により発生した酸の作用により、重合体中に存在する保護基が解離して、該重合体がカルボキシル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性官能基を発生させる基である。
[Structural unit (I)]
The structural unit (I) is derived from a cyclic olefin monomer having an acid dissociable group. The acid-dissociable group is a group that generates an acidic functional group composed of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group by the action of an acid generated by exposure to dissociate a protective group present in the polymer. .

環状オレフィン系単量体としては、炭素−炭素不飽和結合を有する環状の炭化水素化合物であれば特に限定はされないが、ノルボルネン環を有する脂環族系単量体、単環の環状オレフィン系単量体、及び環状共役ジエン系単量体が挙げられる。   The cyclic olefin monomer is not particularly limited as long as it is a cyclic hydrocarbon compound having a carbon-carbon unsaturated bond, but the alicyclic monomer having a norbornene ring, the monocyclic olefin monomer Examples thereof include a monomer and a cyclic conjugated diene monomer.

中でも、上記式(1)で表されるノルボルネン環を有する脂環族系単量体由来の構造単位が特に望ましい。   Among these, a structural unit derived from an alicyclic monomer having a norbornene ring represented by the above formula (1) is particularly desirable.

上記式(1)中、Rは、上記式(a)及び(b)のいずれかで表される基である。nは、1又は2である。nが2の場合、2つのRは同一でも異なっていてもよい。 In the above formula (1), R 1 is a group represented by any one of the above formulas (a) and (b). n is 1 or 2. When n is 2, two R 1 s may be the same or different.

上記式(a)中、Rは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又は−M(R10で表される基である。Mは、Si、Ge又はSnである。R10は、アルキル基である。但し、Rのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基、並びにR10のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。RとRとは互いに結合して、Rが結合している炭素原子及びRが結合している酸素原子と共に環状エーテル構造を形成していてもよい。 In the above formula (a), R 2 is a single bond or alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the said alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group have may be substituted. Moreover, there is no case where R 3 and R 4 are both hydrogen atoms. R 5 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a group represented by —M (R 10 ) 3 . M is Si, Ge, or Sn. R 10 is an alkyl group. However, some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group of R 5 and the alkyl group of R 10 may be substituted. R 3 and R 5 may be bonded to each other to form a cyclic ether structure together with the carbon atom to which R 3 is bonded and the oxygen atom to which R 5 is bonded.

式(b)中、Rは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である。Rは、アルキル基又はシクロアルキル基である。 In formula (b), R 6 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 7 is an alkyl group or a cycloalkyl group.

上記式(a)の上記Rで表される炭素数1〜6のアルカンジイル基としては、例えばメタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基等が挙げられる。 Examples of the alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 2 in the formula (a) include a methanediyl group, an ethanediyl group, a propanediyl group, and a butanediyl group.

上記Rとしては、単結合、メタンジイル基及びエタンジイル基が好ましく、単結合がより好ましい。 R 2 is preferably a single bond, a methanediyl group or an ethanediyl group, and more preferably a single bond.

上記R及びRで表されるアルキル基としては、例えば炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−へキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−へキシル基、3−へキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基及びn−プロピル基が好ましい。 Examples of the alkyl group represented by R 3 and R 4 include linear and branched alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms. Examples of the linear and branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, and an n-octyl group. Group, linear alkyl group such as n-dodecyl group, n-octadecyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group, etc. Examples thereof include a branched alkyl group. Of these, a methyl group, an ethyl group, and an n-propyl group are preferable.

上記R及びRで表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3〜20のシクロアルキル基は、多環でもよい。上記炭素数3〜20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 3 and R 4 include a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms. Moreover, this C3-C20 cycloalkyl group may be polycyclic. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

上記R及びRで表されるアリール基としては、例えば炭素数6〜14のアリール基等が挙げられる。上記炭素数6〜14のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数6〜14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。 Examples of the aryl group represented by R 3 and R 4 include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. The aryl group having 6 to 14 carbon atoms may be a single ring, a structure in which single rings are connected, or a condensed ring. Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group and a naphthyl group.

上記R及びRで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基(例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等)、アリール基(例えばフェニル基、ナフチル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1〜20のアルコキシ基等)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i−ブチリル基等の炭素数2〜20のアシル基等)、アシロキシ基(例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t−ブチリルオキシ基、t−アミリルオキシ基等の炭素数2〜10のアシロキシ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基)、ハロアルキル基(例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等)、ヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロキシメチル基等)等が挙げられる。 Examples of the substituent for the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 and R 4 include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, and a cycloalkyl group (for example, cyclopropyl). Group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propoxy group) , N-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group and other C1-C20 alkoxy groups), acyl groups (for example, acetyl group, propionyl group, butyryl group, i- C2-C20 acyl group such as butyryl group), acylo Si group (for example, acetoxy group, ethylyloxy group, butyryloxy group, t-butyryloxy group, t-amylyloxy group and other C2-C10 acyloxy groups), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, C2-C20 alkoxycarbonyl group such as propoxycarbonyl group), haloalkyl group (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group) , N-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group and other linear alkyl groups, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group Alkyl groups such as branched alkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, A group in which part or all of hydrogen atoms of a cycloalkyl group such as a rubornyl group and an adamantyl group are substituted with a halogen atom), a hydroxyalkyl group (for example, a hydroxymethyl group) and the like.

上記Rで表されるアルキル基、シクロアルキルキ及びアリール基については、上記R及びRにおけるそれぞれの基と同様のものが例示される。なお、上記アルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びn−プロピル基がより好ましい。上記シクロアルキル基としては、炭素数4〜8のシクロアルキル基が好ましく、シクロペンチル基及びシクロへキシル基がより好ましい。上記Rで表されるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 5 are the same as the groups in R 3 and R 4 . In addition, as said alkyl group, a C1-C6 alkyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, and n-propyl group are more preferable. As said cycloalkyl group, a C4-C8 cycloalkyl group is preferable and a cyclopentyl group and a cyclohexyl group are more preferable. Examples of the aralkyl group represented by R 5 include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.

上記Rの−M(R10で表される基において、R10で表されるアルキル基としては、上記R及びRで表されるアルキル基と同様のものが例示される。 In the group represented by —M (R 10 ) 3 of R 5 , examples of the alkyl group represented by R 10 include the same alkyl groups represented by R 3 and R 4 .

上記RとRとが互いに結合して形成してもよい環状エーテル構造としては、環員数5〜8の環状エーテル構造が好ましく、テトラヒドロフラン構造及びテトラヒドロピラン構造がより好ましい。 The cyclic ether structure that may be formed by combining R 3 and R 5 with each other is preferably a cyclic ether structure having 5 to 8 ring members, more preferably a tetrahydrofuran structure or a tetrahydropyran structure.

上記Rの上記式(b)におけるRについては、上記Rと同様のものが例示される。 R 6 in the above formula (b) of R 1 is exemplified by the same as R 2 .

上記Rの上記式(b)におけるRについては、上記R及びRと同様のものが例示される。 Examples of R 7 in the formula (b) for R 1 are the same as those for R 3 and R 4 .

上記Rとしては、水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。 The above-mentioned R 7, preferably an alkyl group having a hydrogen atom and 1 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom.

構造単位(I)としては、例えば下記式(1−1)〜(1−10)で表される構造単位等が挙げられる。   Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-10).

Figure 2013242540
Figure 2013242540

上記式(1−1)〜(1−10)で表される構造単位は、それぞれ8−(1−エトキシエトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−(1−エトキシブトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−(テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−(テトラヒドロフラニルオキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−(1−エトキシエトキシカルボニル)−2−ノルボルネン、5−(1−エトキシブトキシカルボニル)−2−ノルボルネン、5−(1−エトキシシクロヘキシルオキシカルボニル)−2−ノルボルネン、5−(テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−2−ノルボルネン、及び5−(テトラヒドロフラニルオキシカルボニル)−2−ノルボルネンに由来する構造単位である。構造単位(I)としてはさらに、5−(1−メトキシエトキシカルボニル)−2−ノルボルネンに由来する構造単位等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 The structural units represented by the above formulas (1-1) to (1-10) are each 8- (1-ethoxyethoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (1-ethoxybutoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (tetrahydropyranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 5- (1-ethoxyethoxycarbonyl) -2-norbornene, 5- (1-ethoxybutoxycarbonyl) -2-norbornene, 5- (1-ethoxycyclohexyloxycarbonyl)- It is a structural unit derived from 2-norbornene, 5- (tetrahydropyranyloxycarbonyl) -2-norbornene, and 5- (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) -2-norbornene. Examples of the structural unit (I) further include a structural unit derived from 5- (1-methoxyethoxycarbonyl) -2-norbornene. In addition, these monomers may be used independently and may use 2 or more types together.

[A]重合体成分における構造単位(I)の含有率としては、[A]重合体成分中の全構造単位に対して10モル%以上90モル%以下であり、20モル%以上60モル%以下が好ましい。構造単位(I)の含有率を上記特定範囲とすることで、膜厚減少量をより抑制することができる。   [A] The content of the structural unit (I) in the polymer component is 10 mol% or more and 90 mol% or less, and 20 mol% or more and 60 mol% with respect to all the structural units in the [A] polymer component. The following is preferred. By making the content rate of structural unit (I) into the said specific range, a film thickness reduction amount can be suppressed more.

[構造単位(II)]
[A]重合体成分は、重合性基を有し構造単位(I)とは異なる構造単位(II)をさらに含む。この構造単位(II)は、構造単位(I)を有する重合体及び構造単位(I)を有しない重合体の少なくとも一方に含まれる。[A]重合体成分は、重合性基を有する構造単位(II)をさらに含むことで、分子鎖間で架橋構造を形成するため、未露光部の膜厚変化量を抑制することができ、また、十分な硬度を有すると共に、エッチング耐性及び耐熱性にもより優れる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成することができる。
[Structural unit (II)]
[A] The polymer component further includes a structural unit (II) having a polymerizable group and different from the structural unit (I). This structural unit (II) is contained in at least one of a polymer having the structural unit (I) and a polymer not having the structural unit (I). [A] The polymer component further includes the structural unit (II) having a polymerizable group to form a crosslinked structure between the molecular chains, so that the amount of change in the film thickness of the unexposed portion can be suppressed. In addition, an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element that has sufficient hardness and is excellent in etching resistance and heat resistance can be formed.

ここで、重合性基としては、例えば、(メタ)アクリロイル等の炭素−炭素二重結合を含む基、エポキシ基等が挙げられる。   Here, as a polymeric group, the group containing carbon-carbon double bonds, such as (meth) acryloyl, an epoxy group, etc. are mentioned, for example.

構造単位(I)及び構造単位(II)を含む[A]重合体成分としては、例えば
(i)同一の重合体中に構造単位(I)及び構造単位(II)の両方を有しており、[A]重合体成分中に1種の重合体が存在する場合;
(ii)一の重合体中に構造単位(I)を有し、それとは異なる重合体中に構造単位(II)を有することで、[A]重合体成分中に2種の重合体が存在する場合;
(iii)一の重合体中に構造単位(I)及び構造単位(II)の両方を有し、それとは異なる重合体中に構造単位(I)を有し、これらとはさらに異なる重合体中に構造単位(II)を有し、[A]重合体成分中に3種の重合体が存在する場合;
(iv)上記(i)〜(iii)の重合体に加え、[A]重合体成分中にさらに別の1種又は2種以上の重合体を含む場合等が挙げられる。
As [A] polymer component containing structural unit (I) and structural unit (II), for example, (i) It has both structural unit (I) and structural unit (II) in the same polymer. [A] When one type of polymer is present in the polymer component;
(Ii) Having one structural unit (I) in one polymer and another structural unit (II) in a different polymer, there are two types of polymers in the polymer component [A] If you do;
(Iii) one polymer having both the structural unit (I) and the structural unit (II), and the polymer different from the structural unit (I), and further different from these in the polymer Having structural unit (II) and [A] three kinds of polymers are present in the polymer component;
(Iv) In addition to the polymers of (i) to (iii) above, there may be mentioned the case where [A] the polymer component further contains one or more polymers.

構造単位(II)としては、重合性基を有し、構造単位(I)と異なる構造単位であれば特に限定されないが、エポキシ基含有構造単位(II−1)及び(メタ)アクリロイル基含有構造単位(II−2)が好ましい。ここで、エポキシ基とは、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)及びオキセタニル基(1,3−エポキシ構造)を含む概念である。以下に、エポキシ基含有構造単位及び(メタ)アクリロイル基含有構造単位について詳述する。   The structural unit (II) is not particularly limited as long as it has a polymerizable group and is a structural unit different from the structural unit (I), but includes an epoxy group-containing structural unit (II-1) and a (meth) acryloyl group-containing structure. Unit (II-2) is preferred. Here, the epoxy group is a concept including an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). Below, an epoxy group containing structural unit and a (meth) acryloyl group containing structural unit are explained in full detail.

[エポキシ基含有構造単位(II−1)]
エポキシ基含有構造単位(II−1)としては、その構造単位中にエポキシ基を有している構造単位であれば特に限定されない。このような構造単位(II−1)を与えるエポキシ基含有単量体としては、例えば
(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸3−メチル−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸3−エチル−3,4−エポキシブチル、(メタ)アクリル酸5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸5−メチル−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸5−エチル−5,6−エポキシヘキシル、(メタ)アクリル酸6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルメチル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルブチル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有(メタ)アクリル系化合物;
o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;
o−ビニルフェニルグリシジルエーテル、m−ビニルフェニルグリシジルエーテル、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;
3−アクリロイルオキシメチルオキセタン、3−アクリロイルオキシメチル−3−メチルオキセタン、3−アクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタン、3−アクリロイルオキシメチル−3−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、3−メタクリロイルオキシメチルオキセタン、3−メタクリロイルオキシメチル−3−メチルオキセタン、3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタン、3−メタクリロイルオキシメチル−3−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、2−アクリロイルオキシメチルオキセタン、2−アクリロイルオキシメチル−2−メチルオキセタン、2−アクリロイルオキシメチル−2−エチルオキセタン、2−アクリロイルオキシメチル−2−フェニルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、2−メタクリロイルオキシメチルオキセタン、2−メタクリロイルオキシメチル−2−メチルオキセタン、2−メタクリロイルオキシメチル−2−エチルオキセタン、2−メタクリロイルオキシメチル−2−フェニルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有(メタ)アクリル系化合物;
等が挙げられる。
[Epoxy group-containing structural unit (II-1)]
The epoxy group-containing structural unit (II-1) is not particularly limited as long as it is a structural unit having an epoxy group in the structural unit. Examples of the epoxy group-containing monomer that gives such a structural unit (II-1) include glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, and 3-methyl-3,4 acrylate. -Epoxybutyl, 3-ethyl-3,4-epoxybutyl methacrylate, 5,6-epoxyhexyl (meth) acrylate, 5-methyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, 5-ethyl-5-methacrylate 6-epoxyhexyl, 6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclo (meth) acrylate Hexylethyl, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4-epoxycyclomethacrylate Xylbutyl, 3,4-epoxycyclohexylhexyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl acrylate Oxiranyl group-containing (meth) acrylic compounds such as 3,4-epoxycyclohexylbutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl acrylate;
o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-p-vinyl Vinyl benzyl glycidyl ethers such as benzyl glycidyl ether;
vinyl phenyl glycidyl ethers such as o-vinyl phenyl glycidyl ether, m-vinyl phenyl glycidyl ether, p-vinyl phenyl glycidyl ether;
3-acryloyloxymethyloxetane, 3-acryloyloxymethyl-3-methyloxetane, 3-acryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 3-acryloyloxymethyl-3-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-phenyloxetane, 3-methacryloyloxy Methyl oxetane, 3-methacryloyloxymethyl-3-methyloxetane, 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 3-methacryloyloxymethyl-3-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxye) Oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-phenyloxetane, 2 -Acryloyloxymethyloxetane, 2-acryloyloxymethyl-2-methyloxetane, 2-acryloyloxymethyl-2-ethyloxetane, 2-acryloyloxymethyl-2-phenyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 2-methacryloyloxymethyl Oh Cetane, 2-methacryloyloxymethyl-2-methyloxetane, 2-methacryloyloxymethyl-2-ethyloxetane, 2-methacryloyloxymethyl-2-phenyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2 -Methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, and other oxetanyl group-containing (meth) acrylic compounds Compound;
Etc.

上記エポキシ基含有単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、3−メタクリロイルオキシメチル−3−メチルオキセタン、3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタンが他の単量体との共重合反応性及び当該感放射線性樹脂組成物の現像性の観点から好ましい。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。   Among the above epoxy group-containing monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3-methacryloyloxymethyl-3-methyloxetane 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane is preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity with other monomers and developability of the radiation-sensitive resin composition. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

[(メタ)アクリロイル基含有構造単位(II−2)]
(メタ)アクリロイル基含有構造単位(II−2)としては、重合性基としての(メタ)アクリロイルオキシ基を有している構造単位であれば特に限定されない。
[(Meth) acryloyl group-containing structural unit (II-2)]
The (meth) acryloyl group-containing structural unit (II-2) is not particularly limited as long as it is a structural unit having a (meth) acryloyloxy group as a polymerizable group.

[A]重合体成分中の重合体に構造単位(II−2)を導入する方法としては、例えば1分子中に少なくとも1の水酸基を有する不飽和化合物を含む単量体の重合体(以下、「[A1]重合体」ともいう)に、不飽和イソシアネート化合物を反応させる方法等が挙げられる。   [A] As a method for introducing the structural unit (II-2) into the polymer in the polymer component, for example, a polymer of a monomer containing an unsaturated compound having at least one hydroxyl group in one molecule (hereinafter, And a method of reacting an unsaturated isocyanate compound with “[A1] polymer”.

[A1]重合体の合成に用いられる単量体としては、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、(メタ)アクリル酸ジヒドロキシアルキルエステル、(メタ)アクリル酸(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)アルキルエステル等が挙げられる。   [A1] Monomers used for polymer synthesis include (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester, (meth) acrylic acid dihydroxyalkyl ester, (meth) acrylic acid (6-hydroxyhexanoyloxy) alkyl ester, and the like. Is mentioned.

上記(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピルエステル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸ジヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸2,3−ジヒドロキシプロピルエステル、(メタ)アクリル酸1,3−ジヒドロキシプロピルエステル、(メタ)アクリル酸3,4−ジヒドロキシブチルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)アルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸2−(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)エチルエステル、(メタ)アクリル酸3−(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)プロピルエステル等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester include (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl ester, (meth) acrylic acid 3-hydroxypropyl ester, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl ester, and the like. Examples of the (meth) acrylic acid dihydroxyalkyl ester include (meth) acrylic acid 2,3-dihydroxypropyl ester, (meth) acrylic acid 1,3-dihydroxypropyl ester, and (meth) acrylic acid 3,4-dihydroxybutyl ester. Examples include esters. Examples of the (meth) acrylic acid (6-hydroxyhexanoyloxy) alkyl ester include (meth) acrylic acid 2- (6-hydroxyhexanoyloxy) ethyl ester and (meth) acrylic acid 3- (6-hydroxyhexa). Noyloxy) propyl ester and the like.

これらの単量体のうち、共重合反応性及びイソシアネート化合物との反応性の観点から、アクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸3−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸2,3−ジヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸2,3−ジヒドロキシプロピルエステルが好ましい。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。   Among these monomers, from the viewpoint of copolymerization reactivity and reactivity with isocyanate compounds, acrylic acid 2-hydroxyethyl ester, acrylic acid 3-hydroxypropyl ester, acrylic acid 4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid 2 -Hydroxyethyl ester, methacrylic acid 3-hydroxypropyl ester, methacrylic acid 4-hydroxybutyl ester, acrylic acid 2,3-dihydroxypropyl ester, methacrylic acid 2,3-dihydroxypropyl ester are preferred. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

上記のようにして得られた[A1]重合体は、重合反応溶液のまま[A]重合体成分の合成に供してもよく、[A1]重合体を一旦溶液から分離したうえで[A]重合体成分の合成に供してもよい。   The [A1] polymer obtained as described above may be used for the synthesis of the [A] polymer component as it is in the polymerization reaction solution, and after the [A1] polymer is once separated from the solution, [A] You may use for the synthesis | combination of a polymer component.

不飽和イソシアネート化合物としては、例えば(メタ)アクリル酸のイソシアネート基含有誘導体等が挙げられる。不飽和イソシアネート化合物としては、例えば2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、4−(メタ)アクリロイルオキシブチルイソシアネート、(メタ)アクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチル、1,1−(ビス(メタ)アクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート等が挙げられる。なお、不飽和イソシアネート化合物は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。   Examples of the unsaturated isocyanate compound include an isocyanate group-containing derivative of (meth) acrylic acid. Examples of the unsaturated isocyanate compound include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, 4- (meth) acryloyloxybutyl isocyanate, 2- (2-isocyanatoethoxy) ethyl (meth) acrylate, 1,1- (bis ( And (meth) acryloyloxymethyl) ethyl isocyanate. In addition, an unsaturated isocyanate compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

不飽和イソシアネート化合物の市販品としては、例えば2−アクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズAOI(昭和電工製)、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズMOI(昭和電工製)、メタクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチルの市販品としてカレンズMOI−EG(昭和電工製)、1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネートの市販品としてカレンズBEI(昭和電工製)等が挙げられる。   Examples of commercially available unsaturated isocyanate compounds include Karenz AOI (manufactured by Showa Denko) as a commercial product of 2-acryloyloxyethyl isocyanate, Karenz MOI (manufactured by Showa Denko) as a commercial product of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and methacrylic acid 2 As a commercially available product of-(2-isocyanatoethoxy) ethyl, Karenz MOI-EG (manufactured by Showa Denko), and as a commercial product of 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate, Karenz BEI (manufactured by Showa Denko) and the like can be mentioned.

これらの不飽和イソシアネート化合物のうち、[A1]重合体との反応性の観点から、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、4−メタクリロイルオキシブチルイソシアネートまたはメタクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチル、1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネートが好ましい。   Of these unsaturated isocyanate compounds, from the viewpoint of reactivity with the [A1] polymer, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 4-methacryloyloxybutyl isocyanate or methacrylic acid 2- (2- Isocyanatoethoxy) ethyl and 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate are preferred.

[A1]重合体と不飽和イソシアネート化合物との反応は、必要に応じて適当な触媒の存在下において、好ましくは重合禁止剤を含む[A1]重合体の溶液に、室温又は加温下で攪拌しつつ、不飽和イソシアネート化合物を投入することによって実施することができる。   [A1] The reaction between the polymer and the unsaturated isocyanate compound is carried out in the presence of a suitable catalyst, if necessary, and preferably stirred in a solution of the polymer [A1] polymer containing a polymerization inhibitor at room temperature or under heating. However, it can be carried out by introducing an unsaturated isocyanate compound.

上記触媒としては、例えばジラウリン酸ジ−n−ブチルすず(IV)等が挙げられる。上記重合禁止剤としては、例えばp−メトキシフェノール等が挙げられる。   Examples of the catalyst include di-n-butyltin (IV) dilaurate. Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol.

[A]重合体成分中の重合体に構造単位(II−1)を導入する他の方法としては、例えば1分子中に少なくとも1のカルボキシル基を有する不飽和化合物を含む単量体の重合体(以下、「[A2]重合体」ともいう)にビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物を反応させる方法等が挙げられる。   [A] As another method for introducing the structural unit (II-1) into the polymer in the polymer component, for example, a monomer polymer containing an unsaturated compound having at least one carboxyl group in one molecule (Hereinafter, also referred to as “[A2] polymer”) and a method of reacting a compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group.

[A2]重合体の合成方法としては、材料の入手及び合成が容易な観点から、例えば、カルボキシル基含有単量体を重合する方法等が挙げられる。   [A2] The method for synthesizing the polymer includes, for example, a method of polymerizing a carboxyl group-containing monomer from the viewpoint of easy material acquisition and synthesis.

[A2]重合体の合成に用いられる単量体としては、例えば(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、マレイン酸モノエステル、イタコン酸モノエステル等が挙げられる。これらのうち(メタ)アクリル酸が好ましい。   [A2] Examples of monomers used for polymer synthesis include (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, maleic acid monoester, itaconic acid monoester, and the like. It is done. Of these, (meth) acrylic acid is preferred.

ビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば下記式(3)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group include a compound represented by the following formula (3).

Figure 2013242540
Figure 2013242540

上記式(3)中、R13は、水素原子又はメチル基である。R14は、2価の連結基である。R15は、水素原子又は1価の有機基である。 In the above formula (3), R 13 is a hydrogen atom or a methyl group. R 14 is a divalent linking group. R 15 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.

上記R14で表される2価の連結基としては、例えば、炭素数2〜18の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜20のアルコキシアルキレン基、炭素数2〜8のハロゲン化アルキレン基、末端水酸基を除くポリエチレングリコール骨格、末端水酸基を除くポリプロピレングリコール骨格、末端水酸基を除くポリブチレングリコール骨格、アリール基等が挙げられる。上記R15で表される1価の有機基としては、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜11の置換された芳香族基等が挙げられる。 Examples of the divalent linking group represented by R 14 include a linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 18 carbon atoms, an alkoxyalkylene group having 2 to 20 carbon atoms, and 2 to 8 carbon atoms. A halogenated alkylene group, a polyethylene glycol skeleton excluding a terminal hydroxyl group, a polypropylene glycol skeleton excluding a terminal hydroxyl group, a polybutylene glycol skeleton excluding a terminal hydroxyl group, and an aryl group. Examples of the monovalent organic group represented by R 15 include a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and a substituted aromatic group having 6 to 11 carbon atoms. .

上記式(3)で表されるビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば(メタ)アクリル酸2−ビニロキシエチル、(メタ)アクリル酸3−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸1−メチル−2−ビニロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ビニロキシブチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−3−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸1−ビニロキシメチルプロピル、(メタ)アクリル酸2−メチル−3−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸1,1−ジメチル−2−ビニロキシエチル、(メタ)アクリル酸3−ビニロキシブチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−2−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ビニロキシブチル、(メタ)アクリル酸4−ビニロキシシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸6−ビニロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸4−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸3−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸2−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸p−ビニロキシメチルフェニルメチル、(メタ)アクリル酸m−ビニロキシメチルフェニルメチル、(メタ)アクリル酸o−ビニロキシメチルフェニルメチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシイソプロポキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシイソプロポキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシエトキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシイソプロポキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシエトキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコールモノビニルエーテル、(メタ)アクリル酸ポリプロピレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。なお、これらのビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物は単独又は2種以上を使用することができる。   Examples of the compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group represented by the formula (3) include 2-vinyloxyethyl (meth) acrylate, 3-vinyloxypropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. 1-methyl-2-vinyloxyethyl, 2-vinyloxypropyl (meth) acrylate, 4-vinyloxybutyl (meth) acrylate, 1-methyl-3-vinyloxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 1- Vinyloxymethylpropyl, 2-methyl-3-vinyloxypropyl (meth) acrylate, 1,1-dimethyl-2-vinyloxyethyl (meth) acrylate, 3-vinyloxybutyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 1 -Methyl-2-vinyloxypropyl, 2-vinyloxybutyl (meth) acrylate, ( T) 4-vinyloxycyclohexyl acrylate, 6-vinyloxyhexyl (meth) acrylate, 4-vinyloxymethylcyclohexylmethyl (meth) acrylate, 3-vinyloxymethylcyclohexylmethyl (meth) acrylate, (meth) 2-vinyloxymethylcyclohexylmethyl acrylate, p-vinyloxymethylphenylmethyl (meth) acrylate, m-vinyloxymethylphenylmethyl (meth) acrylate, o-vinyloxymethylphenylmethyl (meth) acrylate, ( 2- (vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyisopropoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyethoxy) propyl (meth) acrylate, 2- (meth) acrylic acid 2- ( Vinyloxyethoxy) isopropyl, (meth) acryl 2- (vinyloxyisopropoxy) propyl acid, 2- (vinyloxyisopropoxy) isopropyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyl) (meth) acrylate Loxyethoxyisopropoxy) ethyl, 2- (vinyloxyisopropoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyisopropoxyisopropoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxy) (meth) acrylate Ethoxyethoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyisopropoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyisopropoxyethoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyisopropoxyiso) Propoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (Vinyloxyethoxyethoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyisopropoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyisopropoxyethoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxy) Isopropoxyisopropoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyethoxyethoxyethoxy) ethyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyethoxyethoxyethoxy) ethyl, (meth) acrylic acid 2- (isopropeno) Xyloxy) ethyl, 2- (isopropenoxyethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (isopropenoxyethoxyethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (isopropenoxyethoxy) (meth) acrylate Ethoxye Kishietokishi) ethyl, (meth) Polyethylene glycol monovinyl ether acrylate, and (meth) acrylic acid polypropylene glycol monovinyl ether. In addition, the compound which has these vinyl ether groups and (meth) acryloyloxy group can be used individually or in mixture of 2 or more types.

これらのビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物のうち、上記式(3)で表される化合物が好ましく、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルがより好ましい。なお、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルの市販品としては、例えばアクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルとしてのVEEA、メタクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルとしてのVEEM(以上、日本触媒製)等が挙げられる。   Of these compounds having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group, a compound represented by the above formula (3) is preferable, and 2- (vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate is more preferable. As commercially available products of 2- (vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, for example, VEEA as 2- (vinyloxyethoxy) ethyl acrylate, VEEM as 2- (vinyloxyethoxy) ethyl methacrylate ( As mentioned above, the product made from Nippon Shokubai etc. is mentioned.

[A2]重合体と、ビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物との付加反応としては特に限定されず、反応系中に添加することで実施できる。上記付加反応においては、[A2]重合体自体が触媒となるため、無触媒で反応を行うことができるが、触媒を併用することも可能である。   [A2] The addition reaction between the polymer and the compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group is not particularly limited, and can be carried out by adding it to the reaction system. In the above addition reaction, since the [A2] polymer itself becomes a catalyst, the reaction can be carried out without a catalyst, but a catalyst can also be used in combination.

[A]重合体成分中の重合体に構造単位(II−2)を導入する他の方法としては、例えば単量体としての多官能(メタ)アクリレートを用いて、構造単位(I)等を与える単量体と共に共重合させる方法等が挙げられる。   [A] As another method for introducing the structural unit (II-2) into the polymer in the polymer component, for example, using the polyfunctional (meth) acrylate as a monomer, the structural unit (I) or the like The method of copolymerizing with the monomer to give is mentioned.

多官能(メタ)アクリレートとしては、例えばエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジイルジメチレンジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルの両末端(メタ)アクリル酸付加物、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ポリエステルジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性水添ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性水添ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、フェノールノボラックポリグリシジルエーテルの(メタ)アクリレート等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。   Examples of polyfunctional (meth) acrylates include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, dicyclopentenyl di (meth) acrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol Cyclodecanediyldimethylene di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, caprolactone-modified tris (2-hydroxyethyl) isocyanate Nurate tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propylene Oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, neopentylglycol di (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether both-end (meth) acrylic acid adduct, 1,4-butane Diol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, polyester di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, caprolactone modified Pentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, ethylene oxide modified bisphenol A di (meth) acrylate, propylene oxide modified bisphenol A di (meth) acrylate, ethylene oxide Examples include modified hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, propylene oxide modified hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, ethylene oxide modified bisphenol F di (meth) acrylate, and (meth) acrylate of phenol novolac polyglycidyl ether. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

多官能(メタ)アクリレートの市販品としては、例えばSA1002(三菱化学製)、ビスコート195、同230、同260、同215、同310、同214HP、同295、同300、同360、同GPT、同400、同700、同540、同3000、同3700(以上、大阪有機化学工業製)、カヤラッドR−526、HDDA、NPGDA、TPGDA、MANDA、R−551、R−712、R−604、R−684、PET−30、GPO−303、TMPTA、THE−330、DPHA、DPHA−2H、DPHA−2C、DPHA−2I、D−310、D−330、DPCA−20、DPCA−30、DPCA−60、DPCA−120、DN−0075、DN−2475、T−1420、T−2020、T−2040、TPA−320、TPA−330、RP−1040、RP−2040、R−011、R−300、R−205(以上、日本化薬製)、アロニックスM−210、同M−220、同M−233、同M−240、同M−215、同M−305、同M−309、同M−310、同M−315、同M−325、同M−400、同M−6200、同M−6400(以上、東亞合成製)、ライトアクリレートBP−4EA、同BP−4PA、同BP−2EA、同BP−2PA、DCP−A(以上、共栄社化学製)、ニューフロンティアBPE−4、BR−42M、GX−8345(以上、第一工業製薬製)、ASF−400(新日鐵化学製)、リポキシSP−1506、同SP−1507、同SP−1509、同SP−4010、同SP−4060、VR−77、(以上、昭和高分子製)、NKエステルA−BPE−4(新中村化学工業製)等が挙げられる。   Examples of commercially available products of polyfunctional (meth) acrylate include SA1002 (Mitsubishi Chemical), Biscoat 195, 230, 260, 215, 310, 214HP, 295, 300, 360, GPT, 400, 700, 540, 3000, 3700 (made by Osaka Organic Chemical Industry), Kayarad R-526, HDDA, NPGDA, TPGDA, MANDA, R-551, R-712, R-604, R -684, PET-30, GPO-303, TMPTA, THE-330, DPHA, DPHA-2H, DPHA-2C, DPHA-2I, D-310, D-330, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60 , DPCA-120, DN-0075, DN-2475, T-1420, T-2020, T-2040 TPA-320, TPA-330, RP-1040, RP-2040, R-011, R-300, R-205 (above, manufactured by Nippon Kayaku), Aronix M-210, M-220, M-233 M-240, M-215, M-305, M-309, M-310, M-315, M-315, M-325, M-400, M-6200, M-6400 (Above, manufactured by Toagosei), light acrylate BP-4EA, BP-4PA, BP-2EA, BP-2PA, DCP-A (above, manufactured by Kyoeisha Chemical), New Frontier BPE-4, BR-42M, GX-8345 (above, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku), ASF-400 (manufactured by Nippon Steel Chemical), lipoxy SP-1506, SP-1507, SP-1509, SP-4010, SP-4060, V-40 -77, (manufactured by Showa Kobunshi), NK ester A-BPE-4 (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).

これらの多官能(メタ)アクリレートのうち、分子中に2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物、分子中に3以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物が好ましい。分子中に2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレートがより好ましい。分子中に3以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えばトリ(メタ)アクリレート化合物、テトラ(メタ)アクリレート化合物、ペンタ(メタ)アクリレート化合物、ヘキサ(メタ)アクリレート化合物等が挙げられる。これらの3以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物のうち、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレートが好ましい。   Of these polyfunctional (meth) acrylates, compounds having two or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule and compounds having three or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule are preferred. As a compound having two or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule, diethylene glycol di (meth) acrylate is more preferable. Examples of the compound having 3 or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule include tri (meth) acrylate compounds, tetra (meth) acrylate compounds, penta (meth) acrylate compounds, hexa (meth) acrylate compounds, and the like. . Among these compounds having three or more (meth) acryloyloxy groups, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (Meth) acrylate and ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate are preferred.

構造単位(II)は、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有することが好ましい。構造単位(II)が、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有することでより良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量をより抑制でき、さらに、コンタクトホールの形状安定性についてもより向上することができる。また、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜の形成を可能とする。   The structural unit (II) preferably has two or more (meth) acryloyloxy groups. The structural unit (II) has two or more (meth) acryloyloxy groups, and in addition to better sensitivity and storage stability, the amount of change in the film thickness of the unexposed area with respect to the development time can be further suppressed. The shape stability of the hole can be further improved. In addition, it is possible to form an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element having excellent light resistance and heat resistance.

[A]重合体成分における構造単位(II)の含有率としては、同一の重合体中に構造単位(I)と構造単位(II)とを含む場合、[A]重合体成分中の全構造単位に対し、1モル%以上60モル%以下が好ましく、5モル%以上55モル%以下がより好ましく、10モル%以上55モル%以下がさらに好ましい。   [A] The content of the structural unit (II) in the polymer component is such that when the structural unit (I) and the structural unit (II) are contained in the same polymer, [A] the entire structure in the polymer component 1 mol% or more and 60 mol% or less are preferable with respect to the unit, 5 mol% or more and 55 mol% or less are more preferable, and 10 mol% or more and 55 mol% or less are more preferable.

一方、一の重合体に構造単位(I)を含み、かつ別の一の重合体に構造単位(II)を含む場合、構造単位(II)を含む重合体に含まれる構造単位(II)の含有率としては、構造単位(II)を含む重合体中の全構造単位に対して、単量体仕込み比で20質量%以上80質量%以下が好ましく、30質量%以上70質量%以下がより好ましく、35質量%以上65質量%以下がさらに好ましい。なお、構造単位(II)の含有率とは、重合性基を含む構造単位全ての合計の含有率であり、例えば重合体が構造単位(II−1)及び構造単位(II−2)の両方を有する場合には、両者の合計の含有率となる。   On the other hand, when the structural unit (I) is included in one polymer and the structural unit (II) is included in another polymer, the structural unit (II) included in the polymer including the structural unit (II) The content is preferably 20% by mass or more and 80% by mass or less, more preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, based on the monomer charge ratio with respect to all the structural units in the polymer including the structural unit (II). Preferably, 35 mass% or more and 65 mass% or less are more preferable. The content of the structural unit (II) is the total content of all the structural units including a polymerizable group. For example, the polymer includes both the structural unit (II-1) and the structural unit (II-2). When it has, it becomes the total content rate of both.

[その他の構造単位]
[A]重合体成分は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位(I)及び構造単位(II)以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。
[Other structural units]
[A] The polymer component may contain other structural units other than the structural unit (I) and the structural unit (II) as long as the effects of the present invention are not impaired.

その他の構造単位としては、酸解離性基を有しない環状オレフィン系単量体に由来するものが挙げられる。このような構造単位としては、例えば、下記式(X−1)〜(X−12)で表される構造単位が挙げられる。   Examples of other structural units include those derived from a cyclic olefin monomer having no acid dissociable group. Examples of such a structural unit include structural units represented by the following formulas (X-1) to (X-12).

Figure 2013242540
Figure 2013242540

その他の構造単位を与える単量体としては、例えば(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、(メタ)アクリル酸アラルキルエステル、不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル、ビニル芳香族化合物、共役ジエン化合物、その他の不飽和化合物等が挙げられる。   Examples of other structural unit-providing monomers include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, and (meth) acrylic acid aralkyl. Examples include esters, unsaturated dicarboxylic acid dialkyl esters, vinyl aromatic compounds, conjugated diene compounds, and other unsaturated compounds.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸sec−ブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、(メタ)アクリル酸2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、(メタ)アクリル酸イソボロニル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えばアクリル酸フェニル等が挙げられる。(メタ)アクリル酸アラルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸ベンジル等が挙げられる。不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステルとしては、例えばマレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル等が挙げられる。ビニル芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン等が挙げられる。共役ジエン化合物としては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン等が挙げられる。その他の不飽和化合物としては、例えばN−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。 Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic sec. -Butyl, (meth) acrylic acid t-butyl etc. are mentioned. Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, and tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- (meth) acrylate. Examples include 8-yl, 2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxy) ethyl (meth) acrylate, and isobornyl (meth) acrylate. Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl acrylate. Examples of (meth) acrylic acid aralkyl esters include benzyl (meth) acrylate. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester include diethyl maleate and diethyl fumarate. Examples of the vinyl aromatic compound include styrene and α-methylstyrene. Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene and isoprene. Examples of other unsaturated compounds include N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, and methacrylamide. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

これらの単量体のうち、共重合反応性の観点から、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸メチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、スチレン、p−メトキシスチレン、1,3−ブタジエン、(メタ)アクリル酸1−n−ブトキシエチル、N−シクロヘキシルマレイミドが好ましい。 Among these monomers, from the viewpoint of copolymerization reactivity, (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, n-butyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, benzyl methacrylate, tricyclomethacrylate [ 5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, styrene, p-methoxystyrene, 1,3-butadiene, 1-n-butoxyethyl (meth) acrylate, and N-cyclohexylmaleimide are preferred.

当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分の構造単位(I)が酸解離性基を有することでパターン形成能を有しているが、構造単位(I)に加えて、構造単位(II)等の他の構造単位が酸解離性基を有していてもよい。ここで、酸解離性基とは、当該感放射線性樹脂組成物において、露光により[B]感放射線性酸発生体から発生する酸の作用で解離してカルボキシ基等の極性基を生じさせる基のことをいう。   The radiation sensitive resin composition has a pattern forming ability because the structural unit (I) of the polymer component [A] has an acid dissociable group, but in addition to the structural unit (I), the structure Other structural units such as the unit (II) may have an acid dissociable group. Here, the acid-dissociable group means a group that is dissociated by the action of an acid generated from the radiation-sensitive acid generator [B] upon exposure in the radiation-sensitive resin composition to generate a polar group such as a carboxy group. I mean.

酸解離性基を有するその他の構造単位を与える単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸1−n−アルコキシアルキル、(メタ)アクリル酸−t−ブチル、1−アルキル−シクロアルキルエステル等の単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む単量体、2−アルキル−2−ジシクロアルキルエステル等の多環の脂環式基を有する酸解離性基を含む単量体等が挙げられる。   Examples of the monomer that gives other structural unit having an acid dissociable group include 1-n-alkoxyalkyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, 1-alkyl-cycloalkyl ester, and the like. A monomer containing an acid-dissociable group having a monocyclic alicyclic group and a monomer containing an acid-dissociable group having a polycyclic alicyclic group such as 2-alkyl-2-dicycloalkyl ester Etc.

[A]重合体成分のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、好ましくは2.0×10以上1.0×10以下、より好ましくは5.0×10以上5.0×10以下である。[A]重合体成分のMwを上記特定範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 [A] The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer component is preferably 2.0 × 10 3 or more and 1.0 × 10 5 or less, more preferably 5.0. × 10 3 or more and 5.0 × 10 4 or less. [A] By making Mw of a polymer component into the said specific range, the sensitivity and alkali developability of the said radiation sensitive resin composition can be improved.

[A]重合体成分のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)としては、好ましくは2.0×10以上1.0×10以下、より好ましくは5.0×10以上5.0×10以下である。[A]重合体成分のMnを上記特定範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 [A] The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the polymer component is preferably 2.0 × 10 3 or more and 1.0 × 10 5 or less, more preferably 5.0 × 10 3 or more and 5.0. × 10 4 or less. [A] By setting Mn of the polymer component in the specific range, the curing reactivity at the time of curing of the coating film of the radiation sensitive resin composition can be improved.

[A]重合体成分の分子量分布(Mw/Mn)としては、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体成分のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜の現像性を高めることができる。   [A] The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer component is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. [A] By setting Mw / Mn of the polymer component to 3.0 or less, the developability of an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element obtained can be improved.

なお、本明細書のMw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。
装置:GPC−101(昭和電工製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
In addition, Mw and Mn of this specification were measured by GPC under the following conditions.
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

<[A]重合体成分の合成方法>
[A]重合体成分は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により調製できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位(I)及び構造単位(II)の両方を含む[A]重合体成分を合成する場合は、構造単位(I)を与える単量体と構造単位(II)を与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体に構造単位(I)を有し、かつそれとは異なる重合体に構造単位(II)を有する[A]重合体成分を調製する場合は、構造単位(I)を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(I)を有する重合体を得ておき、別途構造単位(II)を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(II)を有する重合体を得て、最後に両者を混合して[A]重合体成分とすればよい。
<[A] Polymer component synthesis method>
[A] The polymer component can be prepared by radical copolymerization of monomers giving the above structural units. For example, when synthesizing the polymer component [A] containing both the structural unit (I) and the structural unit (II) in the same polymer molecule, the monomer and the structural unit (II) that give the structural unit (I) And a monomer containing a monomer to give a copolymer). On the other hand, when the [A] polymer component having the structural unit (I) in one polymer and the structural unit (II) in a different polymer is prepared, the single unit that gives the structural unit (I) is prepared. A polymer solution containing a monomer is radically polymerized to obtain a polymer having the structural unit (I), and a polymerizable solution containing a monomer that gives the structural unit (II) is separately radically polymerized to form a structural unit ( The polymer having (II) is obtained, and finally both are mixed to form the [A] polymer component.

[A]重合体成分の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該感放射線性樹脂組成物の調製の項において例示する溶媒等が挙げられる。   [A] Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the polymer component include the solvents exemplified in the section of preparation of the radiation-sensitive resin composition described later.

重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素等が挙げられる。   As the polymerization initiator used in the polymerization reaction, those generally known as radical polymerization initiators can be used. For example, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- ( 2,4-Dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate); benzoyl Organic peroxides such as peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; hydrogen peroxide and the like.

[A]重合体成分中の重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。   [A] In the polymerization reaction of the polymer in the polymer component, a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, and thioglycolic acid; Xanthogens such as xanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene, α-methylstyrene dimer and the like.

<[B]感放射線性酸発生体>
[B]感放射線性酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該感放射線性樹脂組成物が[B]感放射線性酸発生体を含むことで、当該感放射線性樹脂組成物は感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な感度を有することができる。[B]感放射線性酸発生体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸発生剤(以下、適宜「[B]酸発生剤」ともいう)の形態でも、[A]重合体成分又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
<[B] Radiation sensitive acid generator>
[B] The radiation-sensitive acid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. When the radiation-sensitive resin composition contains the [B] radiation-sensitive acid generator, the radiation-sensitive resin composition can exhibit radiation-sensitive characteristics and have good sensitivity. [B] The content of the radiation-sensitive acid generator in the radiation-sensitive resin composition is a form of an acid generator (hereinafter also referred to as “[B] acid generator” as appropriate) as a compound as described later. However, it may be in the form of [A] acid generating groups incorporated as part of the polymer component or other polymer, or both forms.

[B]酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。なお、これらの[B]酸発生剤はそれぞれを単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   [B] Examples of the acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds. In addition, each of these [B] acid generators can be used individually or in combination of 2 or more types.

[オキシムスルホネート化合物]
オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式(4)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物等が挙げられる。
[Oxime sulfonate compound]
Examples of the oxime sulfonate compound include a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (4).

Figure 2013242540
Figure 2013242540

上記式(4)中、R16は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。 In said formula (4), R <16> is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, in these groups, some or all of the hydrogen atoms may be substituted.

上記R16で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記RB1で表されるアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 The linear or branched alkyl group represented by R 16 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be substituted. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl. And an alicyclic group containing a bridged alicyclic group such as a group. A preferred alicyclic group is a bicycloalkyl group. The aryl group represented by R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group may be substituted, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

上記式(4)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式(5)で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。   Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (4) include an oxime sulfonate compound represented by the following formula (5).

Figure 2013242540
Figure 2013242540

上記式(5)中、R16は、上記式(4)と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。rは、0〜3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。 In said formula (5), R < 16 > is synonymous with said formula (4). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. r is an integer of 0-3. However, when there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.

上記Xで表され得るアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。rとしては、0又は1が好ましい。上記式(5)においては、rが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。   The alkyl group that can be represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. r is preferably 0 or 1. In the above formula (5), a compound in which r is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

上記(5)で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式(5−1)〜(5−5)でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。   Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above (5) include compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-5).

Figure 2013242540
Figure 2013242540

上記化合物(5−1)〜(5−5)は、それぞれ(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリルであり、市販品として入手できる。   The compounds (5-1) to (5-5) are respectively represented by (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H). -Thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H -Thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile and (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile, which are commercially available.

[オニウム塩]
オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。
[Onium salt]
Examples of the onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, and tetrahydrothiophenium salt.

ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。   Examples of the diphenyliodonium salt include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyliodonium. Butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate Bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluorome Sulphonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, etc. .

トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。   Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium. And butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。   Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like.

アルキルスルホニウム塩としては、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate and the like can be mentioned.

ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。   Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenyl. Methylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenyl Examples include methylsulfonium hexafluorophosphate.

ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。   Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, and dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium. Hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl- Examples include 4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate.

置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3- Examples include chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, and 3- (p-methoxybenzyl). ) Benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.

テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。   Examples of tetrahydrothiophenium salts include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane. Sulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1 , 2,2-Tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo) [2.2.1] Heptan-2-yl) -1,1, , 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl ) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and the like.

[N−スルホニルオキシイミド化合物]
N−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる
[N-sulfonyloxyimide compound]
Examples of the N-sulfonyloxyimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethyl). Phenylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) Phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) Phenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) ) Diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1]. ] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (nonafluoro) Butanesulfonyloxy) bicyclo [ 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (Camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-Methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenol) Nylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4 -Fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane -5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy 2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethyl) Phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl di Carboxylimide, N- (phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyl N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (Heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphth Tildicarboxylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, etc.

[ハロゲン含有化合物]
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。
[Halogen-containing compounds]
Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.

[ジアゾメタン化合物]
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。
[Diazomethane compounds]
Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, and bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane. Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane Etc.

[スルホン化合物]
スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。
[Sulfone compound]
Examples of the sulfone compounds include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, diaryldisulfone compounds, and the like.

[スルホン酸エステル化合物]
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。
[Sulfonic acid ester compounds]
Examples of the sulfonate compound include alkyl sulfonate, haloalkyl sulfonate, aryl sulfonate, and imino sulfonate.

[カルボン酸エステル化合物]
カルボン酸エステル化合物としては、例えばカルボン酸o−ニトロベンジルエステル等が挙げられる。
[Carboxylic ester compounds]
Examples of the carboxylic acid ester compound include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.

[B]酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式(4)で表される化合物が好ましく、上記式(5)で表される化合物がより好ましく、市販品として入手可能な、上記式(5−1)で表される化合物が特に好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましい。スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。   [B] The acid generator is preferably an oxime sulfonate compound, an onium salt, or a sulfonate compound from the viewpoint of sensitivity and solubility. As the oxime sulfonate compound, a compound represented by the above formula (4) is preferable, a compound represented by the above formula (5) is more preferable, and is represented by the above formula (5-1), which is available as a commercial product. Are particularly preferred. As the onium salt, tetrahydrothiophenium salt and benzylsulfonium salt are preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate are preferable. More preferred. As the sulfonic acid ester compound, a haloalkylsulfonic acid ester is preferable, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester is more preferable.

当該感放射線性樹脂組成物における[B]感放射線性酸発生体の含有量としては、[B]感放射線性酸発生体が[B]酸発生剤である場合、[A]重合体成分100質量部に対して、好ましくは0.1質量部以上10質量部以下、より好ましくは1質量部以上5質量部以下である。[B]感放射線性酸発生体の含有量を上記特定範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を形成できる。   The content of the [B] radiation sensitive acid generator in the radiation sensitive resin composition is as follows: [B] When the radiation sensitive acid generator is a [B] acid generator, [A] the polymer component 100 Preferably they are 0.1 mass part or more and 10 mass parts or less with respect to a mass part, More preferably, they are 1 mass part or more and 5 mass parts or less. [B] By setting the content of the radiation-sensitive acid generator within the specific range, the sensitivity of the radiation-sensitive resin composition is optimized, and the interlayer insulation film for display elements having high surface hardness while maintaining transparency Etc. can be formed.

<[C]化合物>
当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[C]オキセタン基を2個以上有する化合物をさらに含有することが好ましい。[C]化合物は、オキセタン基を2個以上有する化合物であることから、ノルボルナン骨格を有する[A]重合体成分との相溶性が良好である。そのため、当該感放射線性樹脂組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜は透明性に優れる。ここで、オキセタン基には、オキセタン環構造を含む基という。
<[C] Compound>
The radiation-sensitive resin composition preferably further contains a compound having two or more [C] oxetane groups as a suitable component. Since the [C] compound is a compound having two or more oxetane groups, the compatibility with the [A] polymer component having a norbornane skeleton is good. Therefore, an insulating film such as an interlayer insulating film for display elements obtained from the radiation sensitive resin composition is excellent in transparency. Here, the oxetane group is referred to as a group containing an oxetane ring structure.

[C]化合物としては、オキセタン基を2個以上有する化合物であれば特に限定されないが、上記式(2)で表される化合物であることが好ましい。上記式(2)中、R11は、炭素数1〜20の有機基である。mは、2以上の整数である。複数のR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。 [C] Although it will not specifically limit if it is a compound which has two or more oxetane groups as a compound, It is preferable that it is a compound represented by the said Formula (2). In the above formula (2), R 11 is an organic group having 1 to 20 carbon atoms. m is an integer of 2 or more. Several R < 12 > is a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group each independently.

上記R11で表される炭素数1〜20の有機基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、これらの基の1種以上と、−O−、−CO−及び−COO−からなる群より選択される少なくとも1種とを組み合わせてなる基等が挙げられる。これらのうち、R11としては、−O−を含む基であることが好ましい。 Examples of the organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 11 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and these groups. Examples include a group formed by combining at least one selected from at least one selected from the group consisting of —O—, —CO—, and —COO—. Of these, R 11 is preferably a group containing —O—.

上記R12で表される炭素数1〜5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基及びエチル基が好ましく、エチル基がより好ましい。 Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 12 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a t-butyl group. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable, and an ethyl group is more preferable.

[C]化合物としては、上記式(2−1)又は(2−2)で表される化合物がより好ましい。   As the compound [C], a compound represented by the above formula (2-1) or (2-2) is more preferable.

[C]化合物の具体例としては、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、ジ[1−エチル−(3−オキセタニル)メチル]エーテル(別名:ビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル)、3,7−ビス(3−オキセタニル)−5−オキサ−ノナン、3,3’−(1,3−(2−メチレニル)プロパンジイルビス(オキシメチレン))ビス−(3−エチルオキセタン)、1,2−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エタン、1,3−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]プロパン、エチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンテニルビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、テトラエチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリメチロールプロパントリス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、1,4−ビス(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)ブタン、1,6−ビス(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ポリエチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、EO変性ビスフェノールAビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、PO変性ビスフェノールAビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、EO変性水添ビスフェノールAビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、PO変性水添ビスフェノールAビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、EO変性ビスフェノールF(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル等が挙げられる。   [C] Specific examples of the compound include 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, di [1-ethyl- (3-oxetanyl) methyl] ether (also known as bis (3 -Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether), 3,7-bis (3-oxetanyl) -5-oxa-nonane, 3,3 '-(1,3- (2-methylenyl) propanediylbis (oxymethylene) ) Bis- (3-ethyloxetane), 1,2-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ethane, 1,3-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] propane, Ethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dicyclopentenylbis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, trie Lenglycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tetraethyleneglycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tricyclodecanediyldimethylene (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tri Methylolpropane tris (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 1,4-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) butane, 1,6-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) hexane, penta Erythritol tris (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, pentaerythritol tetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, polyethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol Ruhexakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol pentakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol tetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, caprolactone-modified dipenta Erythritol hexakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, caprolactone-modified dipentaerythritol pentakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, ditrimethylolpropanetetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, PO-modified bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified hydrogenated bis Phenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, PO-modified hydrogenated bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified bisphenol F (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, etc. Is mentioned.

これらの具体例のうち、上記式(2−1)で表されるジ[1−エチル−(3−オキセタニル)メチル]エーテル、上記式(2−2)で表される1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼンが好ましい。なお、[C]化合物は、1種単独で又は2種以上組み合わせて用いることができる。   Among these specific examples, di [1-ethyl- (3-oxetanyl) methyl] ether represented by the above formula (2-1), 1,4-bis [ (3-Ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene is preferred. In addition, a [C] compound can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

当該感放射線性樹脂組成物における[C]化合物の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して1質量部以上100質量部以下であることが好ましく、1質量部以上50質量部以下であることがより好ましく、1質量部以上25質量部以下がさらに好ましい。上記[C]化合物の含有量が、[A]重合体成分100質量部に対して1質量部未満である場合、[C]化合物による硬化膜の耐熱性、透明性改善効果が十分に得られず、100質量部以上の場合、感度が十分に得られないおそれがある。   As content of the [C] compound in the said radiation sensitive resin composition, it is preferable that it is 1 mass part or more and 100 mass parts or less with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, and is 1 mass part or more and 50 mass parts. More preferably, it is 1 part by mass or more and 25 parts by mass or less. When content of the said [C] compound is less than 1 mass part with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, the heat resistance of a cured film and transparency improvement effect by a [C] compound are fully acquired. In the case of 100 parts by mass or more, sufficient sensitivity may not be obtained.

<[D]増感剤>
当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[D]増感剤をさらに含有することが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物が、[D]増感剤をさらに含有することで、当該感放射線性樹脂組成物の感度をより向上することができる。[D]増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった[D]増感剤は、[B]感放射線性酸発生体と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱等の作用が生じ、これにより[B]感放射線性酸発生体は化学変化を起こして分解し酸を生成する。
<[D] sensitizer>
It is preferable that the said radiation sensitive resin composition further contains a [D] sensitizer as a suitable component. The sensitivity of the said radiation sensitive resin composition can be improved more because the said radiation sensitive resin composition further contains a [D] sensitizer. [D] The sensitizer absorbs actinic rays or radiation and enters an electronically excited state. The [D] sensitizer in an electronically excited state comes into contact with the [B] radiation-sensitive acid generator to cause actions such as electron transfer, energy transfer, and heat generation, and thereby [B] radiation-sensitive acid. The generator undergoes a chemical change and decomposes to produce an acid.

[D]増感剤としては、以下の化合物類に属しており、かつ350nm〜450nmの領域に吸収波長を有する化合物等が挙げられる。   [D] Examples of the sensitizer include compounds belonging to the following compounds and having an absorption wavelength in the region of 350 nm to 450 nm.

[D]増感剤としては、例えば
ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ジエトキシアントラセン,3,7−ジメトキシアントラセン、9,10−ジプロピルオキシアントラセン等の多核芳香族類;
フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル等のキサンテン類;
キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等のキサントン類;
チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類;
メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類;
ローダシアニン類;
オキソノール類;
チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類;
アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類;
アクリドン、10−ブチル−2−クロロアクリドン等のアクリドン類;
アントラキノン等のアントラキノン類;
スクアリウム等のスクアリウム類;
スチリル類;
2−[2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル]ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類;
7−ジエチルアミノ4−メチルクマリン、7−ヒドロキシ4−メチルクマリン、2,3,6,7−テトラヒドロ−9−メチル−1H,5H,11H[l]ベンゾピラノ[6,7,8−ij]キノリジン−11−ノン等のクマリン類等が挙げられる。
[D] Examples of the sensitizer include pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10-dipropyloxyanthracene, and the like. Polynuclear aromatics of
Xanthenes such as fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal;
Xanthones such as xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone;
Cyanines such as thiacarbocyanine, oxacarbocyanine;
Merocyanines such as merocyanine and carbomerocyanine;
Rhodocyanines;
Oxonols;
Thiazines such as thionine, methylene blue and toluidine blue;
Acridines such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine;
Acridones such as acridone, 10-butyl-2-chloroacridone;
Anthraquinones such as anthraquinone;
Squariums such as squalium;
Styryls;
Base styryls such as 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole;
7-diethylamino 4-methylcoumarin, 7-hydroxy 4-methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [l] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolidine- Coumarins, such as 11-non, etc. are mentioned.

これらの[D]増感剤のうち、多環芳香族類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類、キサントン類が好ましく、キサントン類がより好ましい。キサントン類の中でもジエチルチオキサントン及びイソプロピルチオキサントンが特に好ましい。   Among these [D] sensitizers, polycyclic aromatics, acridones, styryls, base styryls, coumarins, and xanthones are preferable, and xanthones are more preferable. Of the xanthones, diethylthioxanthone and isopropylthioxanthone are particularly preferred.

当該感放射線性樹脂組成物における[D]増感剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.5質量部以上5質量部以下がより好ましい。[D]増感剤の含有量を上記特定範囲とすることで、感度をより向上できる。   As content of the [D] sensitizer in the said radiation sensitive resin composition, 0.1 mass part or more and 10 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, 0.5 mass part More preferred is 5 parts by mass or less. [D] By making content of a sensitizer into the said specific range, a sensitivity can be improved more.

<その他の任意成分>
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分、[B]感放射線性酸発生体、[C]化合物、[D]増感剤以外に、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて塩基性化合物、界面活性剤、密着助剤、ヒンダードフェノール構造を有する化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。これらのその他の任意成分は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。以下、各成分を詳述する。
<Other optional components>
The said radiation sensitive resin composition is required in the range which does not impair the effect of this invention other than [A] polymer component, [B] radiation sensitive acid generator, [C] compound, and [D] sensitizer. Depending on the above, other optional components such as a basic compound, a surfactant, an adhesion assistant, and a compound having a hindered phenol structure may be contained. These other optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.

<塩基性化合物>
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物に塩基性化合物を含有させることで、露光により[B]感放射線性酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。
<Basic compound>
The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists, and examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and carboxylic acid quaternary ammonium salts. Can be mentioned. By including a basic compound in the radiation-sensitive resin composition, the diffusion length of the acid generated from the [B] radiation-sensitive acid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability can be improved. .

脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。   Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and dicyclohexylamine. , Dicyclohexylmethylamine and the like.

芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。   Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7ウンデセン等が挙げられる。   Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7 Undecene etc. are mentioned.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

これらの塩基性化合物のうち、複素環式アミンが好ましく、4−ジメチルアミノピリジン、4−メチルイミダゾール、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネンがより好ましい。   Of these basic compounds, heterocyclic amines are preferable, and 4-dimethylaminopyridine, 4-methylimidazole, and 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene are more preferable.

当該感放射線性樹脂組成物における塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して0.001質量部以上1質量部以下が好ましく、0.005質量部以上0.2質量部以下がより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。   As content of the basic compound in the said radiation sensitive resin composition, 0.001 mass part or more and 1 mass part or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer component, and 0.005 mass part or more and 0.00. 2 parts by mass or less is more preferable. Pattern developability improves more by making content of a basic compound into the said specific range.

<界面活性剤>
界面活性剤は当該感放射線性樹脂組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物が、界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。
<Surfactant>
The surfactant can further improve the film-forming property of the radiation-sensitive resin composition. Examples of the surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. When the radiation-sensitive resin composition contains a surfactant, the surface smoothness of the coating film can be improved, and the film thickness uniformity of the interlayer insulating film for display elements formed as a result can be further improved.

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(1,1,2,2−テトラフルオロn−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、パーフルオロn−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10−デカフルオロn−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。   As the fluorosurfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group at at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable. For example, 1,1,2,2-tetrafluoro n- Octyl (1,1,2,2-tetrafluoro n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2 , 3,3-hexafluoro n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3) -Hexafluoro n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, Sodium fluoro n-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro n-decane, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro n- Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkylbetaine, fluoroalkylpolyoxyethylene ether, Fluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, carboxylic acid fluoroalkyl ester and the like can be mentioned.

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476(以上、大日本インキ化学工業製)、フロラードFC−170C、同FC−171、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145、同S−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子製)、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、新秋田化成製)、フタージェントFT−100、同FT−110、同FT−140A、同FT−150、同FT−250、同FT−251、同FT−300、同FT−310、同FT−400S、同FTX−218、同FT−251(以上、ネオス製)等が挙げられる。   Examples of commercially available fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM CHEMIE), MegaFuck F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471. F476 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-105, SC-106 (and above) Asahi Glass Co., Ltd.), F-top EF301, EF303, EF352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei), Footent FT-100, FT-110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, FT-310, FT-400S, FTX-218, FT-251 (above, Neos), etc. Is mentioned.

シリコーン系界面活性剤としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH−190、同SH−193、同SZ−6032、同SF−8428、同DC−57、同DC−190、SH 8400 FLUID(以上、東レダウコーニングシリコーン製)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業製)等が挙げられる。   Examples of the silicone-based surfactant include Torre Silicone DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, and SF-8428. DC-57, DC-190, SH 8400 FLUID (above, made by Toray Dow Corning Silicone), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4442 (above, GE Toshiba Silicone), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.

当該感放射線性樹脂組成物における界面活性剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下であり、より好ましくは0.05質量部以上1質量部以下である。界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで塗膜の膜厚均一性をより向上できる。   The content of the surfactant in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, more preferably 0.8 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. It is 05 parts by mass or more and 1 part by mass or less. The film thickness uniformity of a coating film can be improved more by making content of surfactant into the said specific range.

<密着助剤>
密着助剤は、基板となる無機物、例えばシリコーン、酸化シリコーン、窒化シリコーン等のシリコーン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために使用できる。密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。官能性シランカップリング剤としては、例えばカルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
<Adhesion aid>
The adhesion aid can be used to improve the adhesion between an insulating material and an inorganic substance serving as a substrate, for example, a silicone compound such as silicone, silicone oxide, or silicon nitride, or a metal such as gold, copper, or aluminum. As the adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferable. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group.

官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。   Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltri Examples include methoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. Of these, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferred. .

当該感放射線性樹脂組成物における密着助剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上10質量部以下がより好ましい。密着助剤の含有量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性がより改善される。   As content of the adhesion | attachment adjuvant in the said radiation sensitive resin composition, 0.5 mass part or more and 20 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, and 1 mass part or more and 10 mass parts is preferable. The following is more preferable. By setting the content of the adhesion aid in the specific range, the adhesion between the formed display element interlayer insulating film and the substrate is further improved.

<ヒンダードフェノール構造を有する化合物>
ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、ラジカル又は過酸化物による化合物の結合の解裂を防止するための成分である。ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物に加え、ヒンダードアミン構造を有する化合物等のラジカル捕捉剤等が挙げられる。
<Compound having a hindered phenol structure>
A compound having a hindered phenol structure is a component for preventing cleavage of a compound bond by a radical or a peroxide. Examples of the compound having a hindered phenol structure include radical scavengers such as a compound having a hindered amine structure in addition to a compound having a hindered phenol structure.

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)、3,3’,3’,5’,5’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス[(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリン)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミン)フェノール等が挙げられる。   Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylenebis [3- (3,5-di-). tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy Benzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N′-hexane-1,6 -Diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 3,3 , 3 ′, 5 ′, 5′-hexa-tert-butyl-a, a ′, a ′-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) ) -O-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate, hexamethylene Bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-xylin) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio) -1,3 5-to Azine-2-ylamine) phenol, and the like.

上記ヒンダードアミン構造を有する化合物としては、例えばビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)スクシネート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−オクトキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−ベンジルオキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−シクロヘキシルオキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−ブチルマロネート、ビス(1−アクロイル−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)2,2−ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−ブチルマロネート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)デカンジオエート、2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジルメタクリレート、4−[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]−1−[2−(3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル]−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、2−メチル−2−(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)アミノ−N−(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)プロピオンアミド、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート等の化合物が挙げられる。   Examples of the compound having a hindered amine structure include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) succinate, bis ( 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-octoxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-benzyloxy-2, 2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-cyclohexyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (1,2,2,6,6) -Pentamethyl-4-piperidyl) 2- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-butylmalonate, bis (1-acroyl-2, , 6,6-tetramethyl-4-piperidyl) 2,2-bis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-butylmalonate, bis (1,2,2,6, 6-pentamethyl-4-piperidyl) decandioate, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate, 4- [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl Oxy] -1- [2- (3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy) ethyl] -2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 2-methyl-2 -(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) amino-N- (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) propionamide, tetrakis (2,2,6,6- Tetramethyl-4 Compounds such as piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate, tetrakis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate It is done.

当該感放射線性樹脂組成物におけるヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、1.5質量部以上3質量部以下がより好ましい。ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度を保ちつつ、表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜の電圧保持率等をより向上させることができる。   As content of the compound which has a hindered phenol structure in the said radiation sensitive resin composition, 0.1 mass part or more and 10 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, 1.5. More preferred is 3 parts by mass or more. By keeping the content of the compound having a hindered phenol structure within the above specified range, the voltage holding ratio of an insulating film such as an interlayer insulating film for display elements is further improved while maintaining the sensitivity of the radiation sensitive resin composition. Can be made.

<感放射線性樹脂組成物の調製方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、溶媒に[A]重合体成分、[B]感放射線性酸発生体、必要に応じて添加する[C]化合物、[D]増感剤等の好適成分、その他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該感放射線性樹脂組成物を調製できる。
<Method for preparing radiation-sensitive resin composition>
The radiation-sensitive resin composition comprises [A] a polymer component, [B] a radiation-sensitive acid generator, a [C] compound to be added as necessary, a suitable component such as a [D] sensitizer, It is prepared in a dissolved or dispersed state by mixing other optional components. For example, the radiation sensitive resin composition can be prepared by mixing each component at a predetermined ratio in a solvent.

溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。   As the solvent, a solvent in which each component is uniformly dissolved or dispersed and does not react with each component is preferably used. Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, and aromatic hydrocarbons. , Ketones, other esters and the like.

アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等が挙げられる。   Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.

エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。   Examples of ethers include tetrahydrofuran.

グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。   Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.

エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。   Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。   Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like. .

芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。   Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene.

ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等が挙げられる。   Examples of ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and the like.

他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。   Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, hydroxy Methyl acetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate Methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, Methyl ropoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3-methyl Butyl xylpropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples include propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましい。   Of these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and butyl methoxyacetate are preferred. Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene More preferred are glycol monomethyl ether and butyl methoxyacetate.

<表示素子用層間絶縁膜の形成方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も含まれる。
<Method for forming interlayer insulating film for display element>
The said radiation sensitive resin composition is suitable as a forming material of the interlayer insulation film for display elements. The present invention also includes a display element interlayer insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
当該感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に塗膜を形成する塗膜形成工程、
上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する放射線照射工程、
上記放射線が照射された塗膜を現像する現像工程、及び
上記現像された塗膜を加熱する加熱工程
を有する。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
Using the radiation sensitive resin composition, a coating film forming step for forming a coating film on the substrate,
A radiation irradiation step of irradiating at least a part of the coating film;
A development step of developing the coating film irradiated with the radiation; and a heating step of heating the developed coating film.

当該形成方法によると、透明性、耐熱性、硬度等に優れた表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、未露光部の膜厚変化量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to the formation method, an interlayer insulating film for a display element that is excellent in transparency, heat resistance, hardness, and the like can be formed. Further, since the amount of change in the film thickness of the unexposed portion can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development and heating utilizing photosensitivity. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

[塗膜形成工程]
本工程では、当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去する。
[Coating film forming process]
In this step, the radiation sensitive resin composition is applied onto a substrate to form a coating film. Preferably, the solvent is removed by prebaking the coated surface.

基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70℃〜120℃、1分〜10分間程度とすることができる。   Examples of the substrate include glass, quartz, silicone, and resin. Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and a hydrogenated product thereof. As prebaking conditions, although it changes also with kinds, compounding ratios, etc. of each component, it can be set as 70 degreeC-120 degreeC, about 1 minute-10 minutes.

[放射線照射工程]
本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates製)により測定した値で、500J/m〜6,000J/mが好ましく、1,500J/m〜1,800J/mがより好ましい。
[Radiation irradiation process]
In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation and exposed. When exposing, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. Energy of exposure intensity at the wavelength 365nm radiation, by the value measured by luminometer (OAI model356, OAI Optical Ltd. Associates), is preferably 500J / m 2 ~6,000J / m 2 , 1,500J / m 2 ˜1,800 J / m 2 is more preferable.

[現像工程]
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。
[Development process]
In this step, the coating film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in the development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. .

アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量%以上5質量%以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該感放射線性樹脂組成物の組成によって異なるが、10秒〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。   An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant can be added to the alkaline aqueous solution. The concentration of alkali in the aqueous alkali solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method. The development time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Subsequent to such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

現像前の塗膜の膜厚Tに対する現像後の膜厚Tの膜厚変化率は、80%以上であることが好ましい。上述したように、当該感放射線性樹脂組成物を用いた当該形成方法によると、未露光部の膜厚変化量を抑制でき、現像後の膜厚は、現像前の膜厚の80%以上を維持することができる。 Thickness change rate of the thickness T 1 of the after development with respect to the film thickness T 0 of the coating film before development is preferably 80% or more. As described above, according to the forming method using the radiation-sensitive resin composition, the amount of change in the film thickness of the unexposed portion can be suppressed, and the film thickness after development is 80% or more of the film thickness before development. Can be maintained.

[加熱工程]
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体成分の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば120℃〜250℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは5分〜30分間程度、オーブンでは30分〜90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。
[Heating process]
In this step, the developed coating film is heated. For heating, by heating a patterned thin film using a heating device such as a hot plate or oven, the curing reaction of the [A] polymer component can be promoted to obtain a cured product. As heating temperature, it is about 120 to 250 degreeC, for example. The heating time varies depending on the type of heating device, but for example, it is about 5 to 30 minutes for a hot plate and about 30 to 90 minutes for an oven. Moreover, the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target display element interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.

なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは0.1μm以上8μm以下、より好ましくは0.1μm以上6μm以下である。   Note that the use of the cured film is not limited to the interlayer insulating film for display elements, and can also be used as a spacer or a protective film. The film thickness of the interlayer insulating film for display elements is preferably 0.1 μm or more and 8 μm or less, more preferably 0.1 μm or more and 6 μm or less.

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is explained in full detail based on an Example, this invention is not interpreted limitedly based on description of this Example.

重合体のMw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。
装置:GPC−101(昭和電工社)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
Mw and Mn of the polymer were measured by GPC under the following conditions.
Apparatus: GPC-101 (Showa Denko)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 combined with mobile phase: tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C.
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0 mass%
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

<[A]重合体成分の合成>
[合成例1]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える5−(1−エトキシエトキシカルボニル)−2−ノルボルネン50質量部、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル30質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部及びスチレン10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。共重合体(A−1)のMwは8,000であった。重合体溶液の固形分濃度は33.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=35:32:33(モル%)であった。なお、重合体の各構造単位の含有率を求めるための13C−NMR分析には、核磁気共鳴装置(日本電子製、JNM−ECX400)を使用した。
<[A] Synthesis of polymer component>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 50 parts by mass of 5- (1-ethoxyethoxycarbonyl) -2-norbornene giving structural unit (I), 30 parts by mass of glycidyl methacrylate giving structural unit (II), and methacrylic acid 10 giving other structural units Stirring was started gently after charging 10 parts by mass and 10 parts by mass of styrene and substituting nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-1). Mw of the copolymer (A-1) was 8,000. The solid content concentration of the polymer solution was 33.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 35: 32: 33 (mol%). In addition, the nuclear magnetic resonance apparatus (the JEOL make, JNM-ECX400) was used for the 13 C-NMR analysis for calculating | requiring the content rate of each structural unit of a polymer.

[合成例2]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える5−(1−エトキシブトキシカルボニル)−2−ノルボルネン60質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸20質量部、スチレン10質量部、メタクリル酸メチル10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体を含む重合体溶液を得た。
この共重合体を含む溶液に、構造単位(II)を与えるためにビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としてのメタクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチル(日本触媒製、VEEM)128質量部を1時間かけて滴下ロートにて等速滴下した。12時間の熟成反応の後、室温まで反応溶液を冷却し共重合体(A−2)溶液を得た。共重合体(A−2)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は35.2質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=37:33:30(モル%)であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 60 parts by mass of 5- (1-ethoxybutoxycarbonyl) -2-norbornene giving structural unit (I), 20 parts by mass of methacrylic acid, 10 parts by mass of styrene and 10 parts by mass of methyl methacrylate giving other structural units. After replacing the charged nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer.
2- (Vinyloxyethoxy) ethyl methacrylate (made by Nippon Shokubai, VEEM) 128 as a compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group to give the structural unit (II) to the solution containing this copolymer A mass part was dropped at a constant speed with a dropping funnel over 1 hour. After the aging reaction for 12 hours, the reaction solution was cooled to room temperature to obtain a copolymer (A-2) solution. Mw of the copolymer (A-2) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 35.2% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural units = 37: 33: 30 (mol%).

[合成例3]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える5−(テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−2−ノルボルネン50質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部、スチレン10質量部、メタクリル酸ヒドロキシエチル30質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体を得た。
この共重合体を含む溶液に、構造単位(II)を与えるために、不飽和イソシアネート化合物としての2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネート(カレンズMOI、昭和電工製)12質量部、重合禁止剤としての4−メトキシフェノール0.1質量部を添加したのち、40℃で1時間、さらに60℃で2時間攪拌して反応させた。2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネート由来のイソシアネート基と共重合体の水酸基との反応の進行は、IR(赤外線吸収)スペクトルにより確認した。40℃で1時間後、さらに60℃で2時間反応後の反応溶液のIRスペクトルを測定し、2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネートのイソシアネート基に由来する2,270cm−1付近のピークが減少していることで、反応が進行しているのを確認した。固形分濃度31.0%の共重合体(A−3)溶液を得た。この共重合体(A−3)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は35.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=33:17:50(モル%)であった。
[Synthesis Example 3]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 50 parts by mass of 5- (tetrahydropyranyloxycarbonyl) -2-norbornene giving structural unit (I), 10 parts by mass of methacrylic acid, 10 parts by mass of styrene and 30 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate giving other structural units. Was added, and the mixture was purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a copolymer.
In order to give structural unit (II) to the solution containing this copolymer, 12 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Karenz MOI, Showa Denko) as an unsaturated isocyanate compound, 4 as a polymerization inhibitor -After adding 0.1 mass part of methoxyphenol, it stirred at 40 degreeC for 1 hour, and also stirred at 60 degreeC for 2 hours, and was made to react. The progress of the reaction between the isocyanate group derived from 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and the hydroxyl group of the copolymer was confirmed by IR (infrared absorption) spectrum. The IR spectrum of the reaction solution after 1 hour at 40 ° C. and further 2 hours at 60 ° C. was measured, and the peak near 2,270 cm −1 derived from the isocyanate group of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate decreased. It was confirmed that the reaction was progressing. A copolymer (A-3) solution having a solid content concentration of 31.0% was obtained. Mw of this copolymer (A-3) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 35.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 33: 17: 50 (mol%).

[合成例4]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える5−(1−エトキシブトキシカルボニル)−2−ノルボルネン50質量部、構造単位(II)を与えるエチレングリコールジメタクリレート8質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部、スチレン12質量部及びメタクリル酸ヒドロキシエチル20質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体を得た。この共重合体(A−4)のMwは12,000であった。重合体溶液の固形分濃度は35.2質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=35:5:60(モル%)であった。
[Synthesis Example 4]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 50 parts by mass of 5- (1-ethoxybutoxycarbonyl) -2-norbornene giving structural unit (I), 8 parts by mass of ethylene glycol dimethacrylate giving structural unit (II), and methacrylic acid giving other structural units After 10 parts by mass, 12 parts by mass of styrene and 20 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a copolymer. Mw of this copolymer (A-4) was 12,000. The solid content concentration of the polymer solution was 35.2% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 35: 5: 60 (mol%).

[合成例5]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える5−(テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−2−ノルボルネン25質量部、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル10質量部、その他の構造単位を与えるスチレン5質量部、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル28質量部及びN−シクロヘキシルマレイミド32質量部、並びに分子量調節剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体を含む重合体溶液を得た。この共重合体(A−5)のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は35.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=36:10:54(モル%)であった。
[Synthesis Example 5]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 25 parts by mass of 5- (tetrahydropyranyloxycarbonyl) -2-norbornene giving structural unit (I), 10 parts by mass of glycidyl methacrylate giving structural unit (II), and 5 parts by mass of styrene giving other structural units Then, 28 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 32 parts by mass of N-cyclohexylmaleimide and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer as a molecular weight regulator were charged and purged with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer. Mw of this copolymer (A-5) was 9,000. The solid content concentration of the polymer solution was 35.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 36: 10: 54 (mol%).

[合成例6]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(II)を与える3−エチル−3−メタクリルオキシメチルオキセタン45質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸1−n−ブトキシエチル45質量部、スチレン5質量部及び2−ヒドロキシエチルメタクリレート5質量部、並びに分子量調節剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み、窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体を含む重合体溶液を得た。この共重合体(A−6)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は34.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(II):その他の構造単位=42:58(モル%)であった。
[Synthesis Example 6]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 45 parts by mass of 3-ethyl-3-methacryloxymethyloxetane giving structural unit (II), 45 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene and 2-hydroxyethyl giving other structural units After 5 parts by weight of methacrylate and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer as a molecular weight regulator were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer. Mw of this copolymer (A-6) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 34.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (II): other structural units = 42: 58 (mol%).

[合成例7]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える8−(1−エトキシエトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン 50質量部、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル30質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部及びスチレン10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−7)を含む重合体溶液を得た。共重合体(A−7)のMwは7,000であった。重合体溶液の固形分濃度は33.2質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=33:34:33(モル%)であった。
[Synthesis Example 7]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 8- (1-ethoxyethoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] 50 parts by weight of dodec-3-ene, 30 parts by weight of glycidyl methacrylate to give structural unit (II), 10 parts by weight of methacrylic acid to give other structural units, and 10 parts by weight of styrene were charged with nitrogen. After that, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-7). Mw of the copolymer (A-7) was 7,000. The solid content concentration of the polymer solution was 33.2% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural units = 33: 34: 33 (mol%).

<感放射線性樹脂組成物の調製>
以下、実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物の調製に用いた成分を詳述する。
<Preparation of radiation-sensitive resin composition>
Hereinafter, the components used for the preparation of the radiation sensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples will be described in detail.

<[B]酸発生剤>
(B−1):4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
(B−2):N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル
(B−3):(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社、IRGACURE PAG 103)
<[B] Acid generator>
(B-1): 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (B-2): N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonate (B-3): ( 5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 103)

<[C]化合物>
(C−1):下記式(C−1)で表されるジ[1−エチル−(3−オキセタニル)メチル]エーテル
(C−2):下記式(C−2)で表される1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン
<[C] Compound>
(C-1): Di [1-ethyl- (3-oxetanyl) methyl] ether represented by the following formula (C-1) (C-2): 1, represented by the following formula (C-2) 4-Bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene

Figure 2013242540
Figure 2013242540

<[D]増感剤>
(D−1):イソプロピルチオキサントン
(D−2):ジエチルチオキサントン
<[D] sensitizer>
(D-1): Isopropylthioxanthone (D-2): Diethylthioxanthone

[実施例1]
[A]重合体成分として、共重合体(A−1)を固形分換算で100質量部含む溶液に、[B]酸発生剤としての化合物(B−2)3質量部及び化合物(B−3)1質量部、[C]化合物としての化合物(C−1)15質量部、界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤(東レ・ダウコーニング社、SH 8400 FLUID)0.2質量部、並びに密着助剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物(S−1)を調製した。
[Example 1]
[A] As a polymer component, in a solution containing 100 parts by mass of copolymer (A-1) in terms of solid content, [B] 3 parts by mass of compound (B-2) as an acid generator and compound (B- 3) 1 part by weight, 15 parts by weight of the compound (C-1) as the [C] compound, 0.2 parts by weight of a silicone surfactant (Toray Dow Corning, SH 8400 FLUID) as the surfactant, and adhesion A radiation-sensitive resin composition (S-1) was prepared by mixing 3.0 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as an auxiliary and filtering with a membrane filter having a pore size of 0.2 μm.

[実施例2〜6及び比較例1〜4]
[A]重合体成分、[B]酸発生剤、[C]化合物及び[D]増感剤の種類及び配合量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様に操作して感放射線性樹脂組成物(S−2)〜(S−7)及び(CS−1)〜(CS−3)を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
[Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 4]
[A] The same procedure as in Example 1 was conducted except that the types and amounts of the polymer component, [B] acid generator, [C] compound and [D] sensitizer were as shown in Table 1. Radiation sensitive resin compositions (S-2) to (S-7) and (CS-1) to (CS-3) were prepared. In Table 1, “-” indicates that the corresponding component was not used.

<評価>
調製した各感放射線性樹脂組成物を用いて、各感放射線性樹脂組成物及びそれを用いて形成される塗膜(層間絶縁膜)の各種特性を下記に示す方法により評価した。結果を表1に合わせて示す。
<Evaluation>
Using each prepared radiation sensitive resin composition, various characteristics of each radiation sensitive resin composition and a coating film (interlayer insulating film) formed using the composition were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.

[感度(J/m)]
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した(HMDS処理)。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、上記のように調製した各感放射線性樹脂組成物をスリットダイコーター「TR632105−CL」を用いて塗布した。次に、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、90℃で2分間プレベークすることによって膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、キャノン社MPA−600FA露光機を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、0.4質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、25℃において液盛り法で現像した。現像時間は80秒間とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量(J/m)を感度とした。この値が500J/m以下の場合に感度が良好であるといえる。
[Sensitivity (J / m 2 )]
Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied onto a 550 × 650 mm chromium film and heated at 60 ° C. for 1 minute (HMDS treatment). Each radiation-sensitive resin composition prepared as described above was applied onto the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater “TR6321055-CL”. Next, after the ultimate pressure was set to 100 Pa and the solvent was removed under vacuum, a coating film having a thickness of 3.0 μm was formed by prebaking at 90 ° C. for 2 minutes. Subsequently, using a Canon MPA-600FA exposure machine, the coating film was irradiated with radiation through the mask having a 60 μm line-and-space (10 to 1) pattern with the exposure amount as a variable. Then, it developed by the puddle method at 25 degreeC using 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. The development time was 80 seconds. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the exposure amount (J / m 2 ) necessary for completely dissolving the 6 μm space pattern was defined as sensitivity. It can be said that the sensitivity is good when this value is 500 J / m 2 or less.

[ドライエッチング耐性(μm)]
上記感度の評価と同様に、ガラス基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このガラス基板をクリーンオーブン内にて230℃で0.5時間加熱して硬化膜を得た。ここで得た硬化膜をCF/O=50/10の混合ガスを用いて、出力400W、70秒間でドライエッチングを行い、膜減り量(μm)を測定し、その値によりドライエッチング耐性を評価した。膜減り量が1μm未満である場合にドライエッチング耐性が良好であり、1μm以上である場合に不良であると言える。
[Dry etching resistance (μm)]
Similar to the sensitivity evaluation, a coating film was formed on a glass substrate. Without exposure, this glass substrate was heated in a clean oven at 230 ° C. for 0.5 hours to obtain a cured film. The cured film obtained here was dry-etched using a mixed gas of CF 4 / O 2 = 50/10 at an output of 400 W for 70 seconds, and the amount of film loss (μm) was measured. Evaluated. It can be said that the dry etching resistance is good when the amount of film loss is less than 1 μm, and it is poor when it is 1 μm or more.

[透明性(%)]
上記感度の評価と同様に、ガラス基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このガラス基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。波長400nmにおける透過率(%)を、分光光度計(日立製作所社、150−20型ダブルビーム)を用いて測定し、透明性の評価に用いた。このとき、透過率(%)が90%以上の場合に透明性が良好、90%未満の場合に透明性が不良と言える。
[transparency(%)]
Similar to the sensitivity evaluation, a coating film was formed on a glass substrate. Without exposure, this glass substrate was heated at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven to obtain a cured film. The transmittance (%) at a wavelength of 400 nm was measured using a spectrophotometer (Hitachi, Ltd., 150-20 type double beam) and used for evaluation of transparency. At this time, it can be said that the transparency is good when the transmittance (%) is 90% or more, and the transparency is poor when it is less than 90%.

[残膜率(%)]
上記感度の評価と同様に、ガラス基板上に塗膜を形成した。この塗膜の膜厚を測定し、塗布後膜厚とした。この塗膜に露光せずに、クリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。この硬化膜の膜厚を加熱後膜厚とした。加熱後膜厚の塗布後膜に対する割合(%)を残膜率(%)とした。この値が70%を超える場合に残膜率が良好であり、70%以下の場合に残膜率が不良と言える。
[Residual film rate (%)]
Similar to the sensitivity evaluation, a coating film was formed on a glass substrate. The film thickness of this coating film was measured and set as the film thickness after coating. Without exposing this coating film, it heated at 220 degreeC in the clean oven for 1 hour, and obtained the cured film. The film thickness of this cured film was defined as the film thickness after heating. The ratio (%) of the film thickness after heating to the film after application was defined as the remaining film ratio (%). When this value exceeds 70%, the remaining film ratio is good, and when the value is 70% or less, the remaining film ratio is poor.

[表面硬度]
上記透明性の評価で形成された硬化膜を有する基板について、JIS K−5400−1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度(表面硬度)を測定した。この値が3H又はそれより大きいとき、層間絶縁膜としての硬化膜の表面硬度は良好であり、その硬化膜を形成するために用いた組成物は十分な硬化性を有すると言える。
[surface hardness]
About the board | substrate which has the cured film formed by the said transparency evaluation, the pencil hardness (surface hardness) of the cured film was measured by 8.4.1 pencil scratch test of JISK-5400-1990. When this value is 3H or more, the surface hardness of the cured film as the interlayer insulating film is good, and it can be said that the composition used for forming the cured film has sufficient curability.

[耐熱透明性(%)]
上記透明性の評価で形成された硬化膜を有する基板をさらにクリーンオーブン内にて230℃で1時間加熱した。その後、波長400nmにおける透過率(%)を、分光光度計(日立製作所社、150−20型ダブルビーム)を用いて測定し、耐熱透明性の評価に用いた。このとき、透過率(%)が90%以上の場合に耐熱透明性が良好であり、90%未満の場合に耐熱透明性が不良と言える。
[Heat resistance transparency (%)]
The substrate having the cured film formed by the evaluation of the transparency was further heated at 230 ° C. for 1 hour in a clean oven. Then, the transmittance | permeability (%) in wavelength 400nm was measured using the spectrophotometer (Hitachi Ltd., 150-20 type double beam), and it used for heat resistant transparency evaluation. At this time, when the transmittance (%) is 90% or more, the heat-resistant transparency is good, and when it is less than 90%, the heat-resistant transparency is poor.

[吸水性の評価]
上記感度の評価と同様に、各感放射線性樹脂組成物をシリコン基板上に塗布した後、120℃にて2分間ホットプレート上で加熱し、その後さらにクリーンオーブンにて250℃にて45分間ポストベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。
この硬化膜について、TDS (Thermal Desorption Spectroscopy)を用いて常温から200℃に昇温した際の、硬化膜から発生するガス成分を質量分析計で検出した。
この時、水由来のガスピーク(M/z=18)の検出値を測定することで、硬化膜の吸水性を評価した。ピーク強度が7.0×10−9以下の場合、硬化膜の吸水性は低いと判断した。表1中、吸水性が低いと判断した場合を「○」、吸水性が高いと判断した場合を「×」とした。
[Evaluation of water absorption]
Similar to the sensitivity evaluation, each radiation-sensitive resin composition was applied on a silicon substrate, heated on a hot plate at 120 ° C. for 2 minutes, and then further post-cleaned at 250 ° C. for 45 minutes in a clean oven. Baking was performed to form a coating film having a thickness of 3.0 μm.
About this cured film, the gas component emitted from a cured film when it heated up from normal temperature to 200 degreeC using TDS (Thermal Desorption Spectroscopy) was detected with the mass spectrometer.
At this time, the water absorption of the cured film was evaluated by measuring the detected value of the water-derived gas peak (M / z = 18). When the peak intensity was 7.0 × 10 −9 or less, it was judged that the water absorption of the cured film was low. In Table 1, the case where it was determined that the water absorption was low was “◯”, and the case where it was determined that the water absorption was high was “x”.

Figure 2013242540
Figure 2013242540

表1の結果から明らかなように当該感放射線性樹脂組成物を使用した実施例1〜7は、比較例1〜3の組成物と比べ、良好な感度に加え、現像後の現像時間に対する未露光部の膜厚変化量及びポストベーク後の膜厚変化量を抑制できることがわかった。また、当該感放射線性樹脂組成物から形成された表示素子用層間絶縁膜はドライエッチング耐性、透明性、表面硬度、低吸水性及び耐熱透明性にも優れることがわかった。   As is clear from the results in Table 1, Examples 1 to 7 using the radiation-sensitive resin composition are not sensitive to the development time after development in addition to good sensitivity compared to the compositions of Comparative Examples 1 to 3. It was found that the film thickness change amount at the exposed portion and the film thickness change amount after post-baking can be suppressed. Moreover, it turned out that the interlayer insulation film for display elements formed from the said radiation sensitive resin composition is excellent also in dry etching tolerance, transparency, surface hardness, low water absorption, and heat-resistant transparency.

本発明によると、透明性、耐熱性、硬度、エッチング耐性、及び低吸水性に優れ、感度が良好で未露光部の膜厚変化量が少ない表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜を提供することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物により形成される表示素子用層間絶縁膜等の絶縁膜は、膜厚変化量を少なくできることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光工程、現像工程及び加熱工程によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to the present invention, there is provided an insulating film such as an interlayer insulating film for a display element, which is excellent in transparency, heat resistance, hardness, etching resistance, and low water absorption, has good sensitivity, and has a small amount of change in film thickness in an unexposed portion. be able to. In addition, since an insulating film such as a display element interlayer insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition can reduce the change in film thickness, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by an exposure process, a development process and a heating process using photosensitivity. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

Claims (10)

[A]同一又は異なる重合体中に、酸解離性基を有する環状オレフィン系単量体に由来する構造単位(I)、及び重合性基を有し構造単位(I)とは異なる構造単位(II)を含む重合体成分、並びに
[B]感放射線性酸発生体
を含有する感放射線性樹脂組成物。
[A] A structural unit (I) derived from a cyclic olefin monomer having an acid-dissociable group in the same or different polymer, and a structural unit having a polymerizable group and different from the structural unit (I) ( A polymer component containing II), and a radiation sensitive resin composition containing [B] a radiation sensitive acid generator.
[A]重合体成分の構造単位(I)が下記式(1)で表される構造単位を含む請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013242540
(式(1)中、Rは、下記式(a)及び(b)のいずれかで表される基である。nは、1又は2である。nが2の場合、2つのRは同一でも異なっていてもよい。)
Figure 2013242540
(式(a)中、Rは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又は−M(R10で表される基である。Mは、Si、Ge又はSnである。R10は、アルキル基である。但し、Rのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基、並びにR10のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RとRとは互いに結合して、Rが結合している炭素原子及びRが結合している酸素原子と共に環状エーテル構造を形成していてもよい。
式(b)中、Rは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である。Rは、アルキル基又はシクロアルキル基である。
[A] The radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the structural unit (I) of the polymer component includes a structural unit represented by the following formula (1).
Figure 2013242540
(In the formula (1), R 1 is a group represented by any of the following formulas (a) and (b). N is 1 or 2. When n is 2, two R 1 May be the same or different.)
Figure 2013242540
(In Formula (a), R 2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted, and R 3 and R 4 are not both hydrogen atoms. 5 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a group represented by -M (R 10 ) 3. M is Si, Ge or Sn, and R 10 is an alkyl group. . However, the alkyl group of R 5, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group, and each other good .R 3 and R 5 be a part or all of the hydrogen atoms have been substituted with an alkyl group R 10 Combine , May form a cyclic ether structure together with the oxygen atom to the carbon atom and R 5 R 3 is attached is attached.
In formula (b), R 6 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 7 is an alkyl group or a cycloalkyl group.
[C]オキセタン基を2個以上有する化合物をさらに含有する請求項1又は請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。   [C] The radiation sensitive resin composition according to claim 1 or 2, further comprising a compound having two or more oxetane groups. [C]化合物が、下記式(2)で表される請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013242540
(式(2)中、R11は、炭素数1〜20の有機基である。mは、2以上の整数である。複数のR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。)
The radiation sensitive resin composition according to claim 3, wherein the compound [C] is represented by the following formula (2).
Figure 2013242540
(In the formula (2), R 11 is a is .m organic group having 1 to 20 carbon atoms, an integer of 2 or more. Plurality of R 12 are each independently a hydrogen atom or a carbon number 1 to 5 alkyl group.)
[C]化合物が、下記式(2−1)又は(2−2)で表される請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013242540

(式(2−1)及び(2−2)中、R12は、上記式(2)と同義である。)
The radiation sensitive resin composition according to claim 4, wherein the compound [C] is represented by the following formula (2-1) or (2-2).
Figure 2013242540

(In the formulas (2-1) and (2-2), R 12 has the same meaning as the above formula (2).)
[A]重合体成分100質量部に対する[C]化合物の含有量が、1質量部以上100質量部以下である請求項3、請求項4又は請求項5に記載の感放射線性樹脂組成物。   [A] Content of [C] compound with respect to 100 mass parts of polymer components is 1 mass part or more and 100 mass parts or less, The radiation sensitive resin composition of Claim 3, 4 or 5. [D]増感剤をさらに含有する請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。   [D] The radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6, further comprising a sensitizer. 表示素子用層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-7 used in order to form the interlayer insulation film for display elements. 請求項8に記載の感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。   The interlayer insulation film for display elements formed from the radiation sensitive resin composition of Claim 8. 請求項8に記載の感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
Using the radiation-sensitive resin composition according to claim 8 to form a coating film on a substrate;
Irradiating at least a part of the coating film with radiation,
A method for forming an interlayer insulating film for a display element, comprising: developing a coating film irradiated with the radiation; and heating the developed coating film.
JP2013081631A 2012-04-24 2013-04-09 Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same Active JP6136491B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013081631A JP6136491B2 (en) 2012-04-24 2013-04-09 Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
KR1020130041457A KR102033938B1 (en) 2012-04-24 2013-04-16 Radiation-sensitive composition, interlayer insulating film for display element, and formation method for same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012099297 2012-04-24
JP2012099297 2012-04-24
JP2013081631A JP6136491B2 (en) 2012-04-24 2013-04-09 Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013242540A true JP2013242540A (en) 2013-12-05
JP6136491B2 JP6136491B2 (en) 2017-05-31

Family

ID=49843442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013081631A Active JP6136491B2 (en) 2012-04-24 2013-04-09 Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6136491B2 (en)
KR (1) KR102033938B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015115155A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 日産化学工業株式会社 Resin composition for forming microlens
JP2017026960A (en) * 2015-07-27 2017-02-02 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition and method for forming resist pattern
JP2017025223A (en) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 Polymer, photosensitive resin composition, resin film and electronic apparatus
CN111381438A (en) * 2018-12-25 2020-07-07 奇美实业股份有限公司 Chemically amplified positive photosensitive resin composition and use thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101533231B1 (en) 2013-10-08 2015-07-02 에스엘 주식회사 Heat radiating apparatus for automotive lamp
KR102654731B1 (en) * 2017-09-28 2024-04-03 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive resin composition and use thereof

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001233920A (en) * 2000-02-18 2001-08-28 Hynix Semiconductor Inc Photoresist monomer, photoresist polymer and its manufacturing method, photoresist composition, photoresist pattern forming method, and semiconductor element
JP2002323758A (en) * 2001-02-23 2002-11-08 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type photosensitive composition
US20060188806A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Norbornene polymer for photoresist and photoresist composition comprising the same
JP2007078781A (en) * 2005-09-12 2007-03-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2009080338A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Fujifilm Corp Resist composition and pattern-forming method using the same
JP2010090328A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition, optical waveguide film, and method for manufacturing optical waveguide film
JP2011209681A (en) * 2009-10-16 2011-10-20 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP2011209670A (en) * 2010-01-13 2011-10-20 Fujifilm Corp Positive photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
JP2011209682A (en) * 2009-10-16 2011-10-20 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP2012252080A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Shin Etsu Chem Co Ltd Pattern forming method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010081853A (en) * 2000-02-19 2001-08-29 김동석 2-Alkyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylates and producing method therefor
JP4269740B2 (en) 2002-03-28 2009-05-27 住友化学株式会社 Positive chemically amplified resist composition
JP4207604B2 (en) 2003-03-03 2009-01-14 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and method for forming them
JP2007127691A (en) 2005-11-01 2007-05-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern forming method
JP4748229B2 (en) * 2009-02-16 2011-08-17 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive resin composition for forming optical waveguide, film for forming optical waveguide, optical waveguide, optical wiring, opto-electric hybrid board and electronic device
JP5625460B2 (en) * 2010-04-15 2014-11-19 Jsr株式会社 Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001233920A (en) * 2000-02-18 2001-08-28 Hynix Semiconductor Inc Photoresist monomer, photoresist polymer and its manufacturing method, photoresist composition, photoresist pattern forming method, and semiconductor element
JP2002323758A (en) * 2001-02-23 2002-11-08 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type photosensitive composition
US20060188806A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Norbornene polymer for photoresist and photoresist composition comprising the same
JP2007078781A (en) * 2005-09-12 2007-03-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2009080338A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Fujifilm Corp Resist composition and pattern-forming method using the same
JP2010090328A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition, optical waveguide film, and method for manufacturing optical waveguide film
JP2011209681A (en) * 2009-10-16 2011-10-20 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP2011209682A (en) * 2009-10-16 2011-10-20 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP2011209670A (en) * 2010-01-13 2011-10-20 Fujifilm Corp Positive photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
JP2012252080A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Shin Etsu Chem Co Ltd Pattern forming method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015115155A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 日産化学工業株式会社 Resin composition for forming microlens
JP2017025223A (en) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 Polymer, photosensitive resin composition, resin film and electronic apparatus
JP2017026960A (en) * 2015-07-27 2017-02-02 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition and method for forming resist pattern
CN111381438A (en) * 2018-12-25 2020-07-07 奇美实业股份有限公司 Chemically amplified positive photosensitive resin composition and use thereof
CN111381438B (en) * 2018-12-25 2023-06-20 奇美实业股份有限公司 Chemically amplified positive photosensitive resin composition and application thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR102033938B1 (en) 2019-10-18
KR20130119865A (en) 2013-11-01
JP6136491B2 (en) 2017-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5949094B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film for display element, and method for forming the same
JP5625460B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same
JP5867169B2 (en) Positive photosensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
JP5761182B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film for display element, and method for forming the same
JP4844695B2 (en) Positive-type radiation-sensitive composition for discharge nozzle type coating method, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
JP6136491B2 (en) Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
JP5962546B2 (en) Radiation sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, and display element
JP5703819B2 (en) Liquid crystal display element, positive radiation sensitive composition, interlayer insulating film for liquid crystal display element, and method for forming the same
JP5488176B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same
JP5630068B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same
JP5510347B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same
JP6079289B2 (en) Radiation sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, and display element
JP2011197142A (en) Radiation-sensitive composition, cured film and method for forming the same
JP2011191344A (en) Positive radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and method for forming the same
JP5772181B2 (en) Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
JP5772184B2 (en) Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
JP5967178B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display element
JP6136787B2 (en) Radiation sensitive resin composition for forming insulating film of display element, method for preparing the composition, insulating film for display element, method for forming the insulating film, and display element
JP5655529B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film, and method for forming interlayer insulating film
JP2014218547A (en) Polymer and curable resin composition including polymer
JP2014219452A (en) Radiation-sensitive resin composition, cured film, and pattern forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6136491

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250