JP6136787B2 - Radiation sensitive resin composition for forming insulating film of display element, method for preparing the composition, insulating film for display element, method for forming the insulating film, and display element - Google Patents
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Description
本発明は、表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、この組成物の調製方法、表示素子の絶縁膜、この絶縁膜の形成方法及び表示素子に関する。 The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition for forming an insulating film of a display element, a method for preparing the composition, an insulating film for a display element, a method for forming the insulating film, and a display element.
薄膜トランジスタ型液晶表示素子や有機エレクトロルミネッセンス素子に代表される表示素子は、一般に層間絶縁膜や平坦化膜等の絶縁膜を有している。このような絶縁膜は、一般的に感放射線性樹脂組成物を用いて形成されている。かかる感放射線性樹脂組成物としては、パターニング性能の観点からナフトキノンジアジド等の酸発生剤を用いたポジ型感放射線性樹脂組成物が用いられていたが(特開2001−354822号公報参照)、近年では種々の感放射線性樹脂組成物が提案されている。 A display element typified by a thin film transistor type liquid crystal display element or an organic electroluminescence element generally has an insulating film such as an interlayer insulating film or a planarizing film. Such an insulating film is generally formed using a radiation sensitive resin composition. As such a radiation-sensitive resin composition, a positive-type radiation-sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinonediazide was used from the viewpoint of patterning performance (see JP-A-2001-354822). In recent years, various radiation-sensitive resin compositions have been proposed.
その一例として、特開2004−4669号公報では、上記ポジ型感放射線性樹脂組成物よりも高い感度で表示素子用の絶縁膜の形成することを目的とするポジ型化学増幅材料が提案されている。このポジ型化学増幅材料は、架橋剤、酸発生剤、及び酸解離性樹脂を含有するものである。酸解離性樹脂は、酸の作用により解裂しうる保護基を有するものであり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により保護基が解裂することでアルカリ水溶液に可溶となる。また、特開2004−264623号公報及び特開2008−304902号公報には、酸発生剤と、アセタール構造及び/又はケタール構造並びにエポキシ基を有する樹脂とを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物が提案されている。 As an example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-4669 proposes a positive chemical amplification material for the purpose of forming an insulating film for a display element with higher sensitivity than the positive radiation sensitive resin composition. Yes. This positive chemical amplification material contains a cross-linking agent, an acid generator, and an acid dissociable resin. The acid dissociable resin has a protecting group that can be cleaved by the action of an acid and is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution, but is soluble in an aqueous alkali solution by cleaving the protecting group by the action of an acid. It becomes. JP 2004-264623 A and JP 2008-304902 A disclose a positive radiation sensitive resin composition containing an acid generator and a resin having an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy group. Has been proposed.
しかしながら、上述の感放射線性樹脂組成物、特にポジ型化学増幅材料を用いる場合、露光時に発生した酸は、加熱工程までの引き置き時間において、雰囲気中の塩基性物質に中和されることにより失活し、又は未露光部へ拡散するおそれがある。このような酸の失活や拡散が生じると、基板と絶縁膜との密着性が低下するという問題が生じる(特開平6−266100号公報参照)。 However, when using the above-described radiation-sensitive resin composition, particularly a positive chemical amplification material, the acid generated during exposure is neutralized by the basic substance in the atmosphere during the holding time until the heating step. There is a risk of deactivation or diffusion to unexposed areas. When such acid deactivation or diffusion occurs, there arises a problem that the adhesion between the substrate and the insulating film is lowered (see JP-A-6-266100).
露光後の引き置きは、大型サイズのガラス基板を用いる場合には、製造プロセスで頻繁に発生する。そのため、露光後の引き置きによる影響を低減し、安定したパターン形成が可能な感放射線性樹脂組成物が求められている。 Placement after exposure frequently occurs in the manufacturing process when a large-sized glass substrate is used. Therefore, there is a demand for a radiation-sensitive resin composition that can reduce the influence due to leaving after exposure and can form a stable pattern.
露光後の引き置きによる影響を低減させるには、未露光部への酸の拡散を低減させることが考えられる。そして、酸の拡散を抑制するためには塩基性物質を添加することが有効である。しかし、塩基性物質にアミン化合物を用いた場合、組成物中の樹脂の硬化反応を促進してしまうため、感放射線性樹脂組成物の保存安定性が低下することが懸念される。 In order to reduce the influence by the leaving after exposure, it is conceivable to reduce the diffusion of the acid to the unexposed area. In order to suppress acid diffusion, it is effective to add a basic substance. However, when an amine compound is used as the basic substance, the curing reaction of the resin in the composition is promoted, so there is a concern that the storage stability of the radiation-sensitive resin composition is lowered.
このように、酸の拡散等による絶縁膜の密着性の低下を抑制することと感放射線性樹脂組成物の保存安定性の低下を抑制することを両立するのは困難である。一方、感放射線性樹脂組成物は、放射線感度等の一般的特性が要求されるため、絶縁膜の密着性や保存安定性を改善するに当たっても、上記一般的特性を満足するように配慮する必要がある。 As described above, it is difficult to satisfy both the suppression of the decrease in the adhesiveness of the insulating film due to the diffusion of the acid and the like and the suppression of the decrease in the storage stability of the radiation-sensitive resin composition. On the other hand, since radiation sensitive resin compositions require general characteristics such as radiation sensitivity, it is necessary to consider so as to satisfy the above general characteristics even when improving the adhesion and storage stability of the insulating film. There is.
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性及び保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用の絶縁膜、この絶縁膜の形成方法、及び当該絶縁膜を備える表示素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made based on the above circumstances, and is excellent in general characteristics and storage stability required for a radiation-sensitive resin composition such as radiation sensitivity, and poor adhesion of an insulating film. It aims at providing the radiation sensitive resin composition for insulating film formation of the display element which enables reduction. The present invention further includes a method for preparing the radiation-sensitive resin composition, an insulating film for a display element formed from the radiation-sensitive resin composition, a method for forming the insulating film, and a display element including the insulating film. The purpose is to provide.
上記課題を解決するためになされた発明は、カルボキシル基を含む第1構造単位(以下「構造単位(I)」ともいう)及びカルボキシル基が保護基により保護される第2構造単位(以下「構造単位(II)」ともいう)のうちの少なくとも上記第2構造単位と、架橋性基を含む第3構造単位とを有する第1重合体(以下「[A1]重合体」ともいう)、上記第1構造単位及び上記第2構造単位のうちの少なくとも上記第1構造単位と、上記第3構造単位とを有する第2重合体(以下「[A2]重合体」ともいう)(以下[A1]重合体及び[A2]重合体をまとめて「[A]重合体成分」ともいう)、並びに感放射線性酸発生体を含有し、上記第1重合体における上記第1構造単位と上記第2構造単位との合計モル数中の上記第2構造単位のモル割合である第1保護率と、上記第2重合体における上記モル割合である第2保護率との差が5モル%以上70モル%以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物(以下「感放射線性樹脂組成物」ともいう)である。 The invention made in order to solve the above problems includes a first structural unit containing a carboxyl group (hereinafter also referred to as “structural unit (I)”) and a second structural unit in which the carboxyl group is protected by a protecting group (hereinafter referred to as “structure”). A first polymer (hereinafter also referred to as “[A1] polymer”) having at least the second structural unit of the unit (II) ”and a third structural unit containing a crosslinkable group; A second polymer (hereinafter also referred to as “[A2] polymer”) having at least the first structural unit of one structural unit and the second structural unit and the third structural unit (hereinafter referred to as “[A2] polymer”). The polymer and the [A2] polymer are collectively referred to as “[A] polymer component”), and a radiation-sensitive acid generator, and the first structural unit and the second structural unit in the first polymer. Of the second structural unit in the total number of moles of Radiation-sensitive resin for forming an insulating film of a display element, wherein the difference between the first protection ratio, which is a percentage of the second polymer, and the second protection ratio, which is the mole percentage of the second polymer, is 5 mol% to 70 mol% It is a composition (hereinafter also referred to as “radiation sensitive resin composition”).
上記課題を解決するためになされた別の発明は、カルボキシル基を含む第1構造単位及びカルボキシル基が保護基により保護される第2構造単位のうちの少なくとも上記第2構造単位と、架橋性基を含む第3構造単位とを有する第1重合体、並びに上記第1構造単位及び上記第2構造単位のうちの少なくとも上記第1構造単位と、上記第3構造単位とを有する第2重合体を配合する工程を備え、上記第1重合体における上記第1構造単位と上記第2構造単位との合計モル数中の上記第2構造単位のモル割合である第1保護率と、上記第2重合体における上記モル割合である第2保護率との差が5モル%以上70モル%以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物の調製方法である。 Another invention made in order to solve the above-mentioned problem is that at least the second structural unit of the first structural unit containing a carboxyl group and the second structural unit in which the carboxyl group is protected by a protective group, and a crosslinkable group And a second polymer having at least the first structural unit of the first structural unit and the second structural unit, and the third structural unit. A first protection rate that is a molar ratio of the second structural unit in a total number of moles of the first structural unit and the second structural unit in the first polymer, and a second protective layer. It is a preparation method of the radiation sensitive resin composition for insulating film formation of the display element whose difference with the said 2nd protection rate which is the said molar ratio in a coalescence is 5 mol% or more and 70 mol% or less.
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、基板上に塗膜を形成する工程、この塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び現像された塗膜を加熱する工程を備える絶縁膜の形成方法であって、上記塗膜の形成に当該絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を用いる表示素子の絶縁膜形成方法である。 Still another invention made in order to solve the above problems is a step of forming a coating film on a substrate, a step of irradiating at least a part of the coating film, and a step of developing a coating film irradiated with radiation. And a method for forming an insulating film, comprising the step of heating the developed coating film, wherein the radiation sensitive resin composition for forming an insulating film is used for forming the coating film. .
本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜、及び当該絶縁膜を備える表示素子を含む。 The present invention further includes an insulating film of a display element formed from the radiation-sensitive resin composition, and a display element including the insulating film.
本発明は、放射線感度等の一般的特性を十分に満足すると共に保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜、その形成方法、及び当該絶縁膜を備える表示素子を提供することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該絶縁膜、当該絶縁膜の形成方法及び当該表示素子は、液晶表示デバイス等の製造プロセスに好適に使用することができる。 The present invention provides a radiation-sensitive resin composition for forming an insulating film of a display element that sufficiently satisfies general characteristics such as radiation sensitivity, is excellent in storage stability, and can reduce poor adhesion of an insulating film. Can be provided. The present invention further provides a method for preparing the radiation-sensitive resin composition, an insulating film for a display element formed from the radiation-sensitive resin composition, a method for forming the same, and a display element including the insulating film. it can. Therefore, the radiation-sensitive resin composition, the method for preparing the radiation-sensitive resin composition, the insulating film, the method for forming the insulating film, and the display element are preferably used for manufacturing processes of liquid crystal display devices and the like. Can do.
[感放射線性樹脂組成物]
本発明の感放射線性樹脂組成物は、表示素子の絶縁膜を形成するためのものである。当該感放射線性樹脂組成物は[A]重合体成分及び[B]感放射線性酸発生体を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は好適成分として[C]酸化防止剤を含有してもよい。さらに、当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。
[Radiation sensitive resin composition]
The radiation sensitive resin composition of this invention is for forming the insulating film of a display element. The radiation-sensitive resin composition contains [A] a polymer component and [B] a radiation-sensitive acid generator. Moreover, the said radiation sensitive resin composition may contain [C] antioxidant as a suitable component. Furthermore, the said radiation sensitive resin composition may contain another arbitrary component in the range which does not impair the effect of this invention. Hereinafter, each component will be described in detail.
〔[A]重合体成分〕
[A]重合体成分は、[A1]重合体及び[A2]重合体からなる。[A1]重合体と[A2]重合体とは保護率が異なる。ここで、保護率とは、[A1]重合体又は[A2]重合体における構造単位(I)と構造単位(II)との合計モル数中の構造単位(II)のモル割合(モル%)をいう。すなわち、上記保護率は、構造単位(I)及び構造単位(II)のうちのカルボキシル基が保護される構造単位(I)のモル割合である。この保護率は、[A1]重合体又は[A2]重合体に対して構造単位(I)を与える単量体と構造単位(II)を与える単量体との合計モル数中の構造単位(II)を与える単量体のモル割合として定義することもできる。なお、本実施形態では、[A1]重合体及び[A2]重合体のうちの保護率の高い方が[A1]重合体であり、保護率の低い方が[A2]重合体である。
[[A] polymer component]
[A] A polymer component consists of a [A1] polymer and a [A2] polymer. [A1] polymer and [A2] polymer have different protection rates. Here, the protection rate is the molar ratio (mol%) of the structural unit (II) in the total number of moles of the structural unit (I) and the structural unit (II) in the [A1] polymer or [A2] polymer. Say. That is, the protection rate is a molar ratio of the structural unit (I) in which the carboxyl group in the structural unit (I) and the structural unit (II) is protected. This protection rate is the structural unit in the total number of moles of the monomer that gives the structural unit (I) and the monomer that gives the structural unit (II) to the [A1] polymer or [A2] polymer ( It can also be defined as the molar proportion of monomer giving II). In the present embodiment, the higher protection rate among the [A1] polymer and the [A2] polymer is the [A1] polymer, and the lower protection rate is the [A2] polymer.
[A1]重合体と[A2]重合体とは、保護率が異なることで酸の拡散や水等に対するカルボキシル基の保護程度が異なるため、保存安定性や絶縁膜の密着性が異なる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物は、[A1]重合体と[A2]重合体との保護率の差を所定範囲とすることで保存安定性と絶縁膜の密着性とを両立することが可能となる。 The [A1] polymer and the [A2] polymer differ in the degree of protection and the degree of protection of the carboxyl group against water or the like due to the different protection rates, so the storage stability and the adhesion of the insulating film are different. Therefore, the radiation sensitive resin composition can achieve both storage stability and adhesiveness of the insulating film by setting the difference in the protection ratio between the [A1] polymer and the [A2] polymer within a predetermined range. It becomes possible.
[A1]重合体と[A2]重合体との保護率の差の下限は、5質量%であり、好ましくは10質量%、より好ましくは15質量%である。上記保護率の差の上限は、70質量%であり、好ましくは65質量%、より好ましくは60質量%である。上記保護率の差が上記下限未満であると、[A1]重合体と[A2]重合体との特性の差が小さく、[A1]重合体の保護率と[A2]重合体の保護率とを異ならせることによる保存安定性と絶縁膜の密着性との両立という効果を十分に得られないおそれがあると共に、放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性を満足しないおそれがある。一方、上記保護率の差が上記上限を超えると、[A1]重合体と[A2]重合体との特性の差が大きくなって一方の重合体の特性が顕著に表れることで、絶縁膜の密着性と保存安定性との両立という効果を十分に得られないおそれがあると共に、放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性を満足しないおそれがある。 The lower limit of the difference in protection ratio between the [A1] polymer and the [A2] polymer is 5% by mass, preferably 10% by mass, and more preferably 15% by mass. The upper limit of the difference in the protection ratio is 70% by mass, preferably 65% by mass, and more preferably 60% by mass. When the difference in the protection ratio is less than the lower limit, the difference in properties between the [A1] polymer and the [A2] polymer is small, and the protection ratio of the [A1] polymer and the protection ratio of the [A2] polymer are There is a possibility that the effect of coexistence of storage stability and adhesiveness of the insulating film by differentiating may not be obtained sufficiently and does not satisfy general characteristics required for radiation sensitive resin compositions such as radiation sensitivity. There is a fear. On the other hand, if the difference in the protection ratio exceeds the above upper limit, the difference in properties between the [A1] polymer and the [A2] polymer becomes large, and the properties of one polymer appear significantly. There is a possibility that the effect of coexistence of adhesion and storage stability may not be sufficiently obtained, and there is a possibility that general characteristics required for the radiation sensitive resin composition such as radiation sensitivity may not be satisfied.
[A1]重合体及び[A2]重合体の保護率は、当該感放射線性樹脂組成物に求められる特性、例えば形成される絶縁膜の密着性、保存安定性、耐光性、放射線感度等のうちの重視される特性、これらの特性のバランス等に応じて決定すればよい。[A1]重合体の保護率は、通常10質量%以上100質量%以下である。一方、[A2]重合体の保護率は、通常0質量%以上90質量%以下である。 The protection rate of the [A1] polymer and the [A2] polymer is a property required for the radiation-sensitive resin composition, for example, adhesion of the formed insulating film, storage stability, light resistance, radiation sensitivity, etc. It may be determined in accordance with the characteristics that are considered important and the balance of these characteristics. [A1] The protection rate of the polymer is usually 10% by mass or more and 100% by mass or less. On the other hand, the protection rate of the [A2] polymer is usually 0% by mass or more and 90% by mass or less.
<[A1]重合体>
[A1]重合体は、[A2]重合体よりも保護率が高いものである。この[A1]重合体は、構造単位(I)及び構造単位(II)のうちの少なくとも構造単位(II)を有する。すなわち、[A1]重合体は、構造単位(II)が必須構造単位であると共に構造単位(I)が任意構造単位である。[A1]重合体は、架橋性基を含む構造単位(III)を有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の構造単位を含んでいてもよい。
<[A1] Polymer>
The [A1] polymer has a higher protection rate than the [A2] polymer. This [A1] polymer has at least structural unit (II) among structural unit (I) and structural unit (II). That is, in the [A1] polymer, the structural unit (II) is an essential structural unit and the structural unit (I) is an arbitrary structural unit. [A1] The polymer preferably has a structural unit (III) containing a crosslinkable group, and may contain other structural units as long as the effects of the present invention are not impaired.
<[A2]重合体>
[A2]重合体は、[A1]重合体よりも保護率が低いものである。この[A2]重合体は、構造単位(I)及び構造単位(II)のうちの少なくとも構造単位(I)を有する。すなわち、[A2]重合体は、[A1]重合体とは逆に、構造単位(I)が必須構造単位であると共に構造単位(II)が任意構造単位である。[A2]重合体は、架橋性基を含む構造単位(III)を有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲でその他の構造単位を含んでいてもよい。
<[A2] Polymer>
The [A2] polymer has a lower protection rate than the [A1] polymer. This [A2] polymer has at least the structural unit (I) of the structural unit (I) and the structural unit (II). That is, in the [A2] polymer, contrary to the [A1] polymer, the structural unit (I) is an essential structural unit and the structural unit (II) is an arbitrary structural unit. [A2] The polymer preferably has a structural unit (III) containing a crosslinkable group, and may contain other structural units as long as the effects of the present invention are not impaired.
(構造単位(I))
構造単位(I)は、カルボキシル基を含む。[A1]重合体及び[A2]重合体は、アルカリ可溶性基であるカルボキシル基を含む構造単位(I)を有することで、現像液に対する溶解性を向上できると共に絶縁膜の密着性を向上できる。構造単位(I)としては、例えば、不飽和カルボン酸に由来する基が挙げられる。
(Structural unit (I))
The structural unit (I) contains a carboxyl group. Since the [A1] polymer and the [A2] polymer have the structural unit (I) containing a carboxyl group which is an alkali-soluble group, the solubility in the developer can be improved and the adhesion of the insulating film can be improved. Examples of the structural unit (I) include a group derived from an unsaturated carboxylic acid.
不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等の不飽和モノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ジカルボン酸;
コハク酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、へキサヒドロフタル酸モノ2−(メタクリロイルオキシ)エチル等の多価カルボン酸のモノ[(メタ)アクリロイルオキシアルキル]エステル;
ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等の両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレート;
5−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン無水物等のカルボキシル基を有する不飽和多環式化合物などが挙げられる。
Examples of the unsaturated carboxylic acid include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid, and unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid;
Mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] succinate, mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] phthalate, mono 2- (methacryloyloxy) ethyl hexahydrophthalate mono [ (Meth) acryloyloxyalkyl] ester;
mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both ends, such as ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate;
5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2. 1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, Unsaturation having a carboxyl group such as 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene and 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene anhydride Examples thereof include polycyclic compounds.
構造単位(I)としては、下記式(I−1)〜(I−3)で表される構造単位(以下、それぞれ「構造単位(I−1)〜(I−3)」ともいう)が好ましい。 As the structural unit (I), structural units represented by the following formulas (I-1) to (I-3) (hereinafter also referred to as “structural units (I-1) to (I-3)”), respectively. preferable.
上記式(I−1)〜(I−3)中、R14は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
上記式(I−1)及び(I−2)中、R15は、炭素数1〜6の2価の鎖状炭化水素基、炭素数4〜12の2価の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基である。
上記式(I−1)中、R16は、炭素数1〜6の2価の鎖状炭化水素基、炭素数4〜12の2価の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基である。
In the above formulas (I-1) to (I-3), R 14 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
In the above formulas (I-1) and (I-2), R 15 is a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or It is a C6-C12 bivalent aromatic hydrocarbon group.
In the formula (I-1), R 16 is a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group or a C6-12 C4-12 It is a divalent aromatic hydrocarbon group.
上記R14としては、構造単位(I−1)〜(I−3)を与える単量体の共重合性等の観点から、水素原子、メチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。 R 14 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group, from the viewpoint of copolymerizability of the monomer that gives the structural units (I-1) to (I-3).
上記R15及びR16で表される炭素数1〜6の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メタンジイル基、1,2−エタンジイル基、1,1−エタンジイル基、1,3−プロパンジイル基、1,2−プロパンジイル基、1,1−プロパンジイル基、2,2−プロパンジイル基、1,4−プロパンジイル基、1,5−ペンタンジイル基、1,6−ヘキサンジイル基、1−メチル−1,3−プロパンジイル基、2−メチル−1,3−プロパンジイル基、2−メチル−1,2−プロパンジイル基、1−メチル−1,4−ブタンジイル基、2−メチル−1,4−ブタンジイル基等の飽和鎖状炭化水素基;1,2−エテンジイル基、1,3−プロペンジイル基、1,2−プロペンジイル基等の不飽和鎖状炭化水素基などが挙げられる。 Examples of the divalent chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 15 and R 16 include a methanediyl group, 1,2-ethanediyl group, 1,1-ethanediyl group, 1,3- Propanediyl group, 1,2-propanediyl group, 1,1-propanediyl group, 2,2-propanediyl group, 1,4-propanediyl group, 1,5-pentanediyl group, 1,6-hexanediyl group 1-methyl-1,3-propanediyl group, 2-methyl-1,3-propanediyl group, 2-methyl-1,2-propanediyl group, 1-methyl-1,4-butanediyl group, 2- Saturated chain hydrocarbon groups such as methyl-1,4-butanediyl group; Unsaturated chain hydrocarbon groups such as 1,2-ethenediyl group, 1,3-propenediyl group, 1,2-propenediyl group, etc. .
上記R15及びR16で表される炭素数4〜12の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、1,3−シクロブタンジイル基等のシクロブタンジイル基;1,3−シクロペンタンジイル基等のシクロペンタンジイル基;1,4−シクロヘキサンジイル基、1,2−シクロヘキサンジイル基等のシクロヘキサンジイル基;1,5−シクロオクタンジイル基等のシクロオクタンジイル基などの単環式炭化水素基;1,4−ノルボルナンジイル基、2,5−ノルボルナンジイル基等のノルボルナンジイル基、1,3−アダマンタンジイル基、2,4−アダマンタンジイル基等のアダマンタンジイル基等の多環式炭化水素基などが挙げられる。 Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms represented by R 15 and R 16 include cyclobutanediyl groups such as 1,3-cyclobutanediyl group; 1,3-cyclopentanediyl; Cyclopentanediyl groups such as groups; Cyclohexanediyl groups such as 1,4-cyclohexanediyl groups and 1,2-cyclohexanediyl groups; Monocyclic hydrocarbons such as cyclooctanediyl groups such as 1,5-cyclooctanediyl groups Groups: polycyclic hydrocarbons such as norbornanediyl groups such as 1,4-norbornanediyl groups and 2,5-norbornanediyl groups, adamantanediyl groups such as 1,3-adamantanediyl groups and 2,4-adamantanediyl groups Group and the like.
上記R15及びR16で表される炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基等のアリーレン基等が挙げられる。 Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms represented by R 15 and R 16, for example, a phenylene group, such as an arylene group such as a tolylene group.
構造単位(I−1)としては、例えば、下記式(I−1−1)〜(I−1−3)で表される構造単位等が挙げられ、構造単位(I−2)としては、例えば、下記式(I−2−1)及び(I−2−2)で表される構造単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit (I-1) include structural units represented by the following formulas (I-1-1) to (I-1-3). As the structural unit (I-2), Examples thereof include structural units represented by the following formulas (I-2-1) and (I-2-2).
上記式(I−1−1)〜(I−1−3)、(I−2−1)及び(I−2−2)中、R14は、上記式(I−1)及び(I−2)と同義である。 In the above formulas (I-1-1) to (I-1-3), (I-2-1) and (I-2-2), R 14 represents the above formulas (I-1) and (I- It is synonymous with 2).
構造単位(I)としては、上記式(I−3)で表される構造単位が好ましく、メタクリル酸又はアクリル酸に由来する構造単位がより好ましい。 As the structural unit (I), a structural unit represented by the above formula (I-3) is preferable, and a structural unit derived from methacrylic acid or acrylic acid is more preferable.
[A1]重合体における構造単位(I)の含有割合としては、[A1]重合体を構成する全構造単位に対して、15モル%以上85モル%以下が好ましく、25モル%以上75モル%以下がより好ましく、25モル%以上65モル%以下がさらに好ましい。[A2]重合体における構造単位(I)の含有割合としては、[A2]重合体を構成する全構造単位に対して、1モル%以上50モル%以下が好ましく、10モル%以上40モル%以下がより好ましく、15モル%以上30モル%以下がさらに好ましい。構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度を十分に確保できると共に絶縁膜の密着性が向上する。 [A1] The content ratio of the structural unit (I) in the polymer is preferably 15 mol% or more and 85 mol% or less, and 25 mol% or more and 75 mol% with respect to all the structural units constituting the [A1] polymer. The following is more preferable, and 25 mol% or more and 65 mol% or less is more preferable. [A2] The content of the structural unit (I) in the polymer is preferably 1 mol% or more and 50 mol% or less, and preferably 10 mol% or more and 40 mol% with respect to all the structural units constituting the [A2] polymer. The following are more preferable, and 15 mol% or more and 30 mol% or less are more preferable. By making the content rate of structural unit (I) into the said range, the radiation sensitivity of the said radiation sensitive resin composition can fully be ensured, and the adhesiveness of an insulating film improves.
(構造単位(II))
構造単位(II)は、上記構造単位(I)のカルボキシル基が保護基により保護される構造を有するものである。この保護基は、構造単位(II)において酸解離性基を構成する。この酸解離性基は、保護基が酸の作用により解裂しうるものであり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により保護基が解裂することでアルカリ水溶液に可溶となる基である。
(Structural unit (II))
The structural unit (II) has a structure in which the carboxyl group of the structural unit (I) is protected by a protective group. This protecting group constitutes an acid dissociable group in the structural unit (II). This acid-dissociable group is a group that can be cleaved by the action of an acid and is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution, but is soluble in an aqueous alkali solution by cleaving the protecting group by the action of an acid. Is a group.
上記保護基としては、カルボキシル基を保護できるものであれば特に限定されないが、例えば、トリアルキルシリル基、1−アルコキシアルキル基、環状1−アルコキシアルキル基等が挙げられる。 The protective group is not particularly limited as long as it can protect a carboxyl group, and examples thereof include a trialkylsilyl group, a 1-alkoxyalkyl group, and a cyclic 1-alkoxyalkyl group.
上記トリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ジメチルブチルシリル基等が挙げられる。 Examples of the trialkylsilyl group include a trimethylsilyl group and a dimethylbutylsilyl group.
上記1−アルコキシアルキル基としては、下記式(1’)で表される1価の基が好ましい。 The 1-alkoxyalkyl group is preferably a monovalent group represented by the following formula (1 ′).
上記式(1’)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜30の炭化水素基又はこの炭化水素基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシル基、ハロゲン原子若しくはシアノ基で置換された基である。但し、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、炭素数1〜30の炭化水素基、この炭素水素基の炭素−炭素間若しくは結合手側末端に酸素原子を含む基又はこれら基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシル基、ハロゲン原子若しくはシアノ基で置換された基である。 In the above formula (1 ′), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or at least a part of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group is a hydroxyl group, a halogen atom A group substituted by an atom or a cyano group. However, there is no case where R 1 and R 2 are both hydrogen atoms. R 3 represents a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, a group containing an oxygen atom between carbon-carbon or a bond side terminal of the carbon hydrogen group, or at least a part of hydrogen atoms of these groups is a hydroxyl group, a halogen atom A group substituted by an atom or a cyano group.
上記R1〜R3で表される炭素数1〜30の炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基等の1価の鎖状炭化水素基;
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基等の1価の脂環式炭化水素基;
この脂環式炭化水素基の脂環構造を一部に有する1価の炭化水素基;
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等の1価の芳香族炭化水素基;
この芳香族炭化水素基の芳香環を一部に有する1価の炭化水素基などが挙げられる。
As a C1-C30 hydrocarbon group represented by said R < 1 > -R < 3 >, for example,
Monovalent chain hydrocarbon groups such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group and n-pentyl group;
Monovalent alicyclic hydrocarbon groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a dicyclopentyl group, a tricyclodecyl group, a tetracyclododecyl group, an adamantyl group;
A monovalent hydrocarbon group partially having the alicyclic structure of this alicyclic hydrocarbon group;
Monovalent aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, naphthyl group, anthryl group, biphenyl group;
Examples thereof include a monovalent hydrocarbon group having an aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group in part.
上記R3で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間又は結合手側末端に酸素原子を含む基としては、例えば、上記炭素数1〜30の炭化水素基として例示した炭化水素基の炭素−炭素結合間又は結合手側の末端にエーテル結合を有する1価の基等が挙げられる。 Examples of the group containing an oxygen atom at the carbon-carbon or bond-end side end of the hydrocarbon group represented by R 3 include carbons of hydrocarbon groups exemplified as the hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. -The monovalent group etc. which have an ether bond between carbon bonds or the terminal by the side of a bond are mentioned.
上記R1〜R3の炭化水素基をヒドロキシル基で置換した基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシブチル基、ジヒドロキシエチル基、ジヒドロキシプロピル基等が挙げられる。 Examples of the group in which the hydrocarbon group of R 1 to R 3 is substituted with a hydroxyl group include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxybutyl group, a dihydroxyethyl group, a dihydroxypropyl group, and the like.
上記R1〜R3を置換するハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。 As a halogen atom which substitutes said R < 1 > -R < 3 >, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, for example.
上記R1〜R3としては、フェニル基が好ましい。すなわち、上記式(1’)で表される保護基としては、トリフェニルメチル基が好ましい。 As the R 1 to R 3, a phenyl group is preferable. That is, the protecting group represented by the above formula (1 ′) is preferably a triphenylmethyl group.
上記環状1−アルコキシアルキル基としては、下記式(2’)で表される1価の基が好ましい。 The cyclic 1-alkoxyalkyl group is preferably a monovalent group represented by the following formula (2 ′).
上記式(2’)中、R4〜R10は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数1〜12の炭化水素基である。nは、1又は2である。nが2の場合、複数のR7及びR8は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 In said formula (2 '), R < 4 > -R < 10 > is a hydrogen atom or a C1-C12 hydrocarbon group each independently. n is 1 or 2. When n is 2, the plurality of R 7 and R 8 may be the same or different.
上記R4〜R10で表される炭素数1〜12の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基等の鎖状炭化水素基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基;フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ベンジル基等の芳香族炭化水素基などが挙げられる。 Examples of the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 4 to R 10 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a t-butyl group. Chain hydrocarbon groups such as cycloaliphatic hydrocarbon groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group; aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, methylphenyl group, ethylphenyl group and benzyl group Is mentioned.
上記R4〜R10としては水素原子が好ましく、nとしては2が好ましい。すなわち、上記式(2’)で表される保護基としては、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基が好ましく、テトラヒドロピラニル基がさらに好ましい。 R 4 to R 10 are preferably a hydrogen atom, and n is preferably 2. That is, the protecting group represented by the above formula (2 ′) is preferably a tetrahydrofuranyl group or a tetrahydropyranyl group, and more preferably a tetrahydropyranyl group.
上記カルボキシル基の保護基により保護される構造としては、カルボキシル基中の水素原子が保護基により置換される構造が挙げられ、下記式(1)又は下記式(2)で表される構造が好ましい。 Examples of the structure protected by the protective group for the carboxyl group include a structure in which a hydrogen atom in the carboxyl group is substituted by the protective group, and a structure represented by the following formula (1) or the following formula (2) is preferable. .
上記式(1)中、R1〜R3は、上記式(1’)のR1〜R3と同義である。
上記式(2)中、R4〜R10及びnは、式(2’)のR4〜R10及びnと同義である。
In the formula (1), R 1 to R 3 have the same meanings as R 1 to R 3 in the formula (1 ').
In the above formula (2), R 4 to R 10 and n have the same meanings as R 4 to R 10 and n of formula (2 ').
なお、[A1]重合体が複数の構造単位(II)を有する場合、これらの構造単位(II)の保護基は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。同様に、[A2]重合体が複数種の構造単位(II)を有する場合、これらの構造単位(II)の保護基は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。 [A1] When the polymer has a plurality of structural units (II), the protective groups of these structural units (II) may be the same or different, but are preferably the same. Similarly, when the [A2] polymer has a plurality of types of structural units (II), the protective groups of these structural units (II) may be the same or different, but are preferably the same. .
また、[A1]重合体及び[A2]重合体が共に構造単位(II)を有する場合、[A1]重合体の構造単位(II)の保護基と、[A2]重合体の構造単位(II)の保護基とは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。 When both the [A1] polymer and the [A2] polymer have the structural unit (II), the protective group of the structural unit (II) of the [A1] polymer and the structural unit (II of the polymer [II] ) Protecting groups may be the same or different, but are preferably the same.
[A1]重合体における構造単位(II)の含有割合としては、[A1]重合体を構成する全構造単位に対して、0.1モル質量%以上60モル%以下が好ましく、1モル%以上50モル%以下がより好ましく、3モル%以上40モル%以下がさらに好ましい。[A2]重合体における構造単位(II)の含有割合としては、[A2]重合体を構成する全構造単位に対して、0.1モル%以上60モル%以下が好ましく、1モル%以上50モル%以下がより好ましく、3モル%以上40モル%以下がさらに好ましい。構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度及び保存安定性をより十分に確保できる。 [A1] The content ratio of the structural unit (II) in the polymer is preferably 0.1 mol% or more and 60 mol% or less, and preferably 1 mol% or more, based on all structural units constituting the [A1] polymer. 50 mol% or less is more preferable, and 3 mol% or more and 40 mol% or less are still more preferable. [A2] The content ratio of the structural unit (II) in the polymer is preferably 0.1 mol% or more and 60 mol% or less, and preferably 1 mol% or more and 50 mol% or less with respect to all the structural units constituting the [A2] polymer. The mol% or less is more preferable, and 3 mol% or more and 40 mol% or less is more preferable. By making the content rate of structural unit (II) into the said range, the radiation sensitivity and the storage stability of the said radiation sensitive resin composition can be ensured more fully.
(構造単位(III))
構造単位(III)は、架橋基を含む。当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜は、[A1]重合体及び[A2]重合体のうちの少なくとも一方が架橋性基を含む構造単位(III)を有することで、[A]重合体成分を構成する重合体同士の架橋、又は[A1]重合体若しくは[A2]重合体と後述する[C]酸化防止剤等との架橋により強度を高めることができる。
(Structural unit (III))
The structural unit (III) includes a crosslinking group. The insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition has a structural unit (III) in which at least one of the [A1] polymer and the [A2] polymer includes a crosslinkable group, [A] The strength can be increased by crosslinking between polymers constituting the polymer component, or by crosslinking [A1] polymer or [A2] polymer with [C] antioxidant, which will be described later.
上記架橋性基としては、例えば、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)、アルコキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ジアルキルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、2,3−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デカン基、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デカン基等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable group include a group containing a polymerizable carbon-carbon double bond, a group containing a polymerizable carbon-carbon triple bond, an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3- Epoxy structure), alkoxymethyl group, formyl group, acetyl group, dialkylaminomethyl group, dimethylolaminomethyl group, 2,3-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decane group, 3,4 -An epoxy tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decane group etc. are mentioned.
構造単位(III)としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit (III) include a structural unit represented by the following formula.
上記式中、R17は、水素原子又はメチル基である。 In the above formula, R 17 is a hydrogen atom or a methyl group.
構造単位(III)としてはさらに、例えば脂環式不飽和炭化水素がエポキシ化された構造とエチレン性不飽和結合とを有する単量体(以下、「単量体(iii)」ともいう)に由来する構造単位が挙げられる。この単量体(iii)に由来する構造単位としては、例えば、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン(例えば、ダイセル社の「セロキサイド2000」)、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート(例えば、ダイセル社の「サイクロマーA400」)、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート(例えば、ダイセル化学工業社の「サイクロマーM100」)、メタクリル酸グリシジル、2,3−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート、下記式(3)で表される構造単位が挙げられる。 As the structural unit (III), for example, a monomer having an epoxidized structure of an alicyclic unsaturated hydrocarbon and an ethylenically unsaturated bond (hereinafter also referred to as “monomer (iii)”) Examples of the structural unit are derived. Examples of the structural unit derived from the monomer (iii) include vinylcyclohexene monooxide, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (for example, “Celoxide 2000” manufactured by Daicel Corporation), 3,4-epoxycyclohexyl, and the like. Methyl (meth) acrylate (eg, “Cyclomer A400” from Daicel), 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate (eg, “Cyclomer M100” from Daicel Chemical Industries), glycidyl methacrylate, 2, 3-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate, 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate, represented by the following formula (3) Structural units.
上記式(3)中、R11は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はこのアルキル基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシ基で置換された基である。R12は、下記式(4−1)又は下記式(4−2)で表される基である。X1は、単結合、メチレン基又は炭素数2〜12のアルキレン基である。Y1は、単結合、酸素原子、硫黄原子又はイミノ基である。 In the above formula (3), R 11 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a group in which at least a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a hydroxy group. R 12 is a group represented by the following formula (4-1) or the following formula (4-2). X 1 is a single bond, a methylene group or an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms. Y 1 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom or an imino group.
上記R11で表される炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げられる。水素原子の少なくとも一部がヒドロキシで置換されたアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシ−1−メチルエチル基、2−ヒドロキシ−1−メチルエチル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 11 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group. Can be mentioned. Examples of the alkyl group in which at least a part of hydrogen atoms are substituted with hydroxy include a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 1-hydroxypropyl group, a 2-hydroxypropyl group, and a 3-hydroxypropyl group. 1-hydroxy-1-methylethyl group, 2-hydroxy-1-methylethyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group and the like.
上記R11としては、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基が好ましく、水素原子、メチル基がより好ましい。 R 11 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, or a 2-hydroxyethyl group, and more preferably a hydrogen atom or a methyl group.
上記X1で表される炭素数2〜12のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等が挙げられ、中でも、上記X1としては、エチレン基、メチレン基が好ましい。 Examples of the alkylene group having 2 to 12 carbon atoms represented by X 1, for example, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, and among them, the X 1 As these, an ethylene group and a methylene group are preferable.
上記式(3)で表される構造単位を与える単量体としては、例えば、下記式(3−1)〜式(3−30)で表される単量体等が挙げられる。下記式(3−1)〜式(3−30)で表される単量体は、単独で用いても2種以上を併用してもよい。 Examples of the monomer that gives the structural unit represented by the above formula (3) include monomers represented by the following formulas (3-1) to (3-30). The monomers represented by the following formulas (3-1) to (3-30) may be used alone or in combination of two or more.
構造単位(III)としては、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート又はメタクリル酸グリシジルに由来する構造単位が好ましい。 As the structural unit (III), a structural unit derived from 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate or glycidyl methacrylate is preferable. .
[A1]重合体又は[A2]重合体における構造単位(III)の含有割合としては、[A1]重合体又は[A2]重合体を構成する全構造単位に対して、1モル%以上75モル%以下が好ましく、5モル%以上60モル%以下がより好ましく、15モル%以上50モル量%以下がさらに好ましい。構造単位(III)の含有割合を上記範囲とすることで、絶縁膜の強度を効果的に高めることができる。 The content ratio of the structural unit (III) in the [A1] polymer or [A2] polymer is 1 mol% or more and 75 mol with respect to all the structural units constituting the [A1] polymer or [A2] polymer. % Or less, more preferably 5 mol% or more and 60 mol% or less, and further preferably 15 mol% or more and 50 mol% or less. By making the content rate of structural unit (III) into the said range, the intensity | strength of an insulating film can be raised effectively.
(その他の構造単位)
[A1]重合体及び[A2]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で、構造単位(I)〜(III)以外のその他の構造単位を有していてもよい。
(Other structural units)
The [A1] polymer and the [A2] polymer may have other structural units other than the structural units (I) to (III) as long as the effects of the present invention are not impaired.
その他の構造単位としては、例えば、不飽和化合物に由来する構造単位(以下、「構造単位(IV)」ともいう)等が挙げられる。[A1]重合体及び[A2]重合体は、その他の構造単位として上記構造単位(IV)以外の構造単位を含んでいてもよい。 Examples of other structural units include structural units derived from unsaturated compounds (hereinafter also referred to as “structural units (IV)”). The [A1] polymer and the [A2] polymer may contain structural units other than the structural unit (IV) as other structural units.
[構造単位(IV)]
構造単位(IV)は、不飽和化合物に由来する構造単位である。この不飽和化合物としては、例えば不飽和カルボン酸の無水物、水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸脂環式エステル、(メタ)アクリル酸芳香族エステル、不飽和芳香族化合物、N−置換マレイミド、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格等を有する化合物などが挙げられる。
[Structural unit (IV)]
The structural unit (IV) is a structural unit derived from an unsaturated compound. Examples of the unsaturated compound include unsaturated carboxylic acid anhydride, (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid alicyclic ester, (meth) acrylic. Examples include acid aromatic esters, unsaturated aromatic compounds, N-substituted maleimides, conjugated dienes, and compounds having a tetrahydrofuran skeleton.
不飽和カルボン酸の無水物としては、例えば、
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等の不飽和モノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ジカルボン酸の無水物;
5−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン無水物等のカルボキシル基を有する不飽和多環式化合物の無水物などが挙げられる。
Examples of unsaturated carboxylic acid anhydrides include:
Unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; anhydrides of unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid;
5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2. 1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, Unsaturation having a carboxyl group such as 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene and 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene anhydride And anhydrides of polycyclic compounds.
これらの中でも、不飽和ジカルボン酸の無水物が好ましく、無水マレイン酸が共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性及び入手の容易性からより好ましい。 Among these, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides are preferable, and maleic anhydride is more preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity, solubility in an aqueous alkali solution, and availability.
水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、アクリル酸5−ヒドロキシペンチル、アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸3−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸6−ヒドロキシヘキシル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, 6-hydroxyhexyl acrylate, and methacrylic acid. Examples include 2-hydroxyethyl acid, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, and 6-hydroxyhexyl methacrylate.
(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, N-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, acrylic acid Examples include isodecyl, n-lauryl acrylate, tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate.
(メタ)アクリル酸脂環式エステルとしては、例えばメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボロニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、アクリル酸イソボロニル等が挙げられる。 Examples of (meth) acrylic acid alicyclic esters include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, and tricyclomethacrylate [5. .2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl, isobornyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- Examples include 8-yl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl acrylate, and isobornyl acrylate.
(メタ)アクリル酸芳香族エステルとしては、例えば、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid aromatic ester include phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl acrylate, and benzyl acrylate.
不飽和芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン等が挙げられる。 Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, and the like.
N−置換マレイミドとしては、例えば、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−トリルマレイミド、N−ナフチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−ヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド等が挙げられる。 Examples of the N-substituted maleimide include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-tolylmaleimide, N-naphthylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-hexylmaleimide, N-benzylmaleimide and the like.
共役ジエンとしては、例えば、1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等が挙げられる。 Examples of the conjugated diene include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.
テトラヒドロフラン骨格等を有する不飽和化合物としては、例えば、3−テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン等が挙げられる。 Examples of the unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton include 3-tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, and the like. It is done.
[A1]重合体又は[A2]重合体におけるその他の構造単位の含有割合としては、[A1]重合体又は[A2]重合体を構成する全構造単位に対して、0モル%以上80質量%以下が好ましく、10モル%以上70モル%以下がより好ましく、30モル%以上60モル%以下がさらに好ましい。上記その他の構造単位の含有割合を上記範囲とすることで、その他の構造単位の特性に応じた効果、例えば、当該感放射線性樹脂組成物の塗布性の改善、塗布膜のアルカリ水溶液に対する溶解性の最適化、優れた放射線性感度、表示素子の絶縁膜の撥水性の確保等の効果がより発揮される。 The content ratio of the other structural units in the [A1] polymer or [A2] polymer is 0 mol% or more and 80 mass% with respect to all structural units constituting the [A1] polymer or [A2] polymer. The following are preferable, 10 mol% or more and 70 mol% or less are more preferable, and 30 mol% or more and 60 mol% or less are more preferable. By setting the content ratio of the other structural units in the above range, effects according to the characteristics of the other structural units, for example, improvement in applicability of the radiation-sensitive resin composition, solubility of the coating film in an alkaline aqueous solution Effects, such as optimization of radiation resistance, excellent radiation sensitivity, and ensuring water repellency of the insulating film of the display element are more exhibited.
なお、[A1]重合体及び[A2]重合体において、各構造単位の含有割合の合計が100質量%を超えることはない。 In addition, in [A1] polymer and [A2] polymer, the sum total of the content rate of each structural unit does not exceed 100 mass%.
<[A1]重合体及び[A2]重合体の合成方法>
[A1]重合体及び[A2]重合体のそれぞれは、例えば所定の構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。具体的には、単量体及びラジカル重合開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、単量体を含有する溶液と、ラジカル重合開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル重合開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。
<[A1] Polymer and [A2] Polymer Synthesis Method>
Each of the [A1] polymer and the [A2] polymer can be produced, for example, by polymerizing a monomer giving a predetermined structural unit in a suitable solvent using a radical polymerization initiator. Specifically, a method of dropping a solution containing a monomer and a radical polymerization initiator into a reaction solvent or a solution containing a monomer to cause a polymerization reaction, a solution containing the monomer, and initiation of radical polymerization A solution containing an agent separately from a reaction solvent or a solution containing a monomer to cause a polymerization reaction, a plurality of types of solutions containing each monomer, and a radical polymerization initiator It is preferable to synthesize | combine by methods, such as the method of dripping into a solution containing a reaction solvent or a monomer separately, and carrying out a polymerization reaction separately.
[A1]重合体及び[A2]重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、後述する<感放射線性樹脂組成物の調製>の項において例示するものと同様の溶媒等が挙げられる。 Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the [A1] polymer and the [A2] polymer include the same solvents as those exemplified in the section <Preparation of radiation-sensitive resin composition> described later.
重合反応に用いられるラジカル重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素などが挙げられる。 As the radical polymerization initiator used in the polymerization reaction, those generally known as radical polymerization initiators can be used. For example, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis Azo compounds such as (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; hydrogen peroxide and the like.
[A1]重合体及び[A2]重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えば、クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマーなどが挙げられる。 In the polymerization reaction of the [A1] polymer and the [A2] polymer, a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, and thioglycolic acid; Examples thereof include xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene and α-methylstyrene dimer.
[A1]重合体及び[A2]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、2.0×103以上1.0×105以下が好ましく、5.0×103以上5.0×104以下がより好ましい。[A1]重合体及び[A2]重合体のMwを上記範囲とすることで当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度及び現像性を高めることができる。 The polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) determined by gel permeation chromatography (GPC) of the [A1] polymer and [A2] polymer is preferably 2.0 × 10 3 or more and 1.0 × 10 5 or less, preferably 5 0.0 × 10 3 or more and 5.0 × 10 4 or less is more preferable. By setting Mw of the [A1] polymer and the [A2] polymer in the above range, the radiation sensitivity and developability of the radiation sensitive resin composition can be enhanced.
[A1]重合体及び[A2]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)としては、2.0×103以上1.0×105以下が好ましく、5.0×103以上5.0×104以下がより好ましい。[A1]重合体及び[A2]重合体のMnを上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the [A1] polymer and [A2] polymer is preferably 2.0 × 10 3 or more and 1.0 × 10 5 or less, preferably 5.0 × 10 3 or more and 5 0.0 × 10 4 or less is more preferable. By setting the Mn of the [A1] polymer and the [A2] polymer in the above range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the radiation sensitive resin composition can be improved.
[A1]重合体及び[A2]重合体の分子量分布(Mw/Mn)としては、3.0以下が好ましく、2.6以下がより好ましい。[A1]重合体及び[A2]重合体のMw/Mnを上記範囲とすることで、得られる絶縁膜の現像性を高めることができる。 The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the [A1] polymer and the [A2] polymer is preferably 3.0 or less, and more preferably 2.6 or less. By making Mw / Mn of the [A1] polymer and the [A2] polymer in the above range, the developability of the obtained insulating film can be improved.
<[B]感放射線性酸発生体>
[B]感放射線性酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該感放射線性樹脂組成物は、[B]感放射線性酸発生体を含有することで、感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な放射線感度を有することができる。当該感放射線性樹脂組成物における[B]感放射線性酸発生体の含有形態としては、後述するように化合物の形態(以下、適宜「[B]感放射性酸発生剤」ともいう)でも、[A1]重合体又は[A2]重合体の一部として組み込まれる光酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
<[B] Radiation sensitive acid generator>
[B] The radiation-sensitive acid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. The said radiation sensitive resin composition can exhibit a radiation sensitive characteristic by having a [B] radiation sensitive acid generator, and can have favorable radiation sensitivity. The content of the [B] radiation sensitive acid generator in the radiation sensitive resin composition may be a compound form (hereinafter also referred to as “[B] radiation sensitive acid generator” as appropriate), as described later. It may be in the form of a photoacid generating group incorporated as part of the A1] polymer or [A2] polymer, or both forms.
[B]感放射線性酸発生体としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、N−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。 [B] Examples of the radiation-sensitive acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, N-sulfonyloxyimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds. It is done.
[オキシムスルホネート化合物]
オキシムスルホネート化合物としては、下記式(5)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましい。
[Oxime sulfonate compound]
As the oxime sulfonate compound, a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (5) is preferable.
式(5)中、R18は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部が置換基で置換された基である。 In the formula (5), R 18 is an alkyl group, a monovalent alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, or a group in which some or all of the hydrogen atoms of these groups are substituted with a substituent.
上記R18で表されるアルキル基としては、炭素数1〜12の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。 The alkyl group represented by R 18 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
上記R18で表される1価の脂環式炭化水素基としては、炭素数4〜12の脂環式炭化水素基が好ましい。 The monovalent alicyclic hydrocarbon group represented by R 18 is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms.
上記R18で表されるアリール基としては、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基がより好ましい。 The aryl group represented by R 18 is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, or a xylyl group.
上記置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、オキソ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 As said substituent, a C1-C5 alkyl group, an alkoxy group, an oxo group, a halogen atom etc. are mentioned, for example.
上記式(5)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば、下記式(5−1)〜(5−3)で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。 Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (5) include oxime sulfonate compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-3).
上記式(5−1)〜(5−3)中、R18は、上記式(5)と同義である。
上記式(5−1)及び式(5−2)中、R19は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のフルオロアルキル基である。
式(5−3)中、X2はアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。iは、0〜3の整数である。但し、iが2又は3の場合、複数のX2は同一でも異なっていてもよい。
In the above formulas (5-1) to (5-3), R 18 has the same meaning as the above formula (5).
The formula (5-1) and formula (5-2), R 19 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
In formula (5-3), X 2 represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom. i is an integer of 0-3. However, when i is 2 or 3, the plurality of X 2 may be the same or different.
上記X2で表されるアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記X2で表されるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記X2で表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい The alkyl group represented by X 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X 2 is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X 2 is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.
上記(5−3)で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記式(5−3−1)〜(5−3−5)で表される化合物等が挙げられる。 Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above (5-3) include compounds represented by the following formulas (5-3-1) to (5-3-5).
上記式(5−3−1)〜(5−3−5)で表される化合物は、それぞれ(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、2−(オクチルスルホニルオキシイミノ)−2−(4−メトキシフェニル)アセトニトリルであり、市販品として入手できる。 The compounds represented by the above formulas (5-3-1) to (5-3-5) are respectively (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5 -P-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, 2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile, obtained as a commercial product it can.
[オニウム塩]
オニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。
[Onium salt]
Examples of the onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, alkylsulfonium salt, benzylsulfonium salt, dibenzylsulfonium salt, substituted benzylsulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothiophenium salt, and the like.
上記ジフェニルヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。 Examples of the diphenyliodonium salt include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, Diphenyliodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoro Arsenate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium triflate Romethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, etc. Can be mentioned.
上記トリフェニルスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。 Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, Examples thereof include phenylsulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.
上記アルキルスルホニウム塩としては、例えば、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。 Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl- Examples include 4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.
上記ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。 Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4- Methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4- Examples thereof include hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate.
上記ジベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。 Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, and dibenzyl-4-methoxy. Phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxy Examples include benzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate.
上記置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。 Examples of the substituted benzylsulfonium salt include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxy. Phenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl- Examples include 3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.
上記ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。 Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p- Methoxybenzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate and the like.
上記テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。 Examples of the tetrahydrothiophenium salt include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium. Trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1 , 1,2,2-Tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyl) Oxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1 1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptane- 2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and the like.
[N−スルホニルオキシイミド化合物]
N−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド等が挙げられる。
[N-sulfonyloxyimide compound]
Examples of the N-sulfonyloxyimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoro). Methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) ) Phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) Diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) ) Diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1]. ] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (nonafluoro) Butanesulfonyloxy) bicyclo [2. .1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (camphor Sulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4 -Methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) Xyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-fluoro Phenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 , 6-oxy-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxyimi N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2 2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboximide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3 -Dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (phenyl Sulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (2-trifluoromethylpheny Sulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (heptylsulfonyloxy) naphth Examples include tildicarboximide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboximide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyldicarboximide, and the like.
[ハロゲン含有化合物]
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。
[Halogen-containing compounds]
Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.
[ジアゾメタン化合物]
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。
[Diazomethane compounds]
Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, and bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane. Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane Etc.
[スルホン化合物]
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。
[Sulfone compound]
Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, diaryl disulfone compounds, and the like.
[スルホン酸エステル化合物]
スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。スルホン酸エステル化合物としてはハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。
[Sulfonic acid ester compounds]
Examples of the sulfonic acid ester compounds include alkyl sulfonic acid esters, haloalkyl sulfonic acid esters, aryl sulfonic acid esters, and imino sulfonates. As the sulfonic acid ester compound, a haloalkylsulfonic acid ester is preferable, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester is more preferable.
[カルボン酸エステル化合物]
カルボン酸エステル化合物としては、例えば、カルボン酸o−ニトロベンジルエステル等が挙げられる。
[Carboxylic ester compounds]
Examples of the carboxylic acid ester compound include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.
[B]感放射線性酸発生体としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましく、オキシムスルホネート化合物がより好ましい。上記オキシムスルホネート化合物としては、上記式(5)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましく、上記式(5−3−1)〜(5−3−5)で表される化合物がより好ましい。 [B] The radiation-sensitive acid generator is preferably an oxime sulfonate compound, an onium salt, or a sulfonate compound, and more preferably an oxime sulfonate compound. As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by said Formula (5) is preferable, and the compound represented by said Formula (5-3-1)-(5-3-5) is more preferable. .
上記オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートがさらに好ましい。上記スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。 As the onium salt, tetrahydrothiophenium salt and benzylsulfonium salt are preferable, 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate Are more preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate is more preferable. As the sulfonic acid ester compound, a haloalkylsulfonic acid ester is preferable, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester is more preferable.
当該感放射線性樹脂組成物は、[B]感放射線性酸発生体として例示した化合物を使用することで、放射線感度及び現像液に対する溶解性を向上させることができる。 The radiation sensitive resin composition can improve radiation sensitivity and solubility in a developer by using the compounds exemplified as [B] radiation sensitive acid generator.
[B]感放射線性酸発生体の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、1質量部以上5質量部以下がより好ましい。[B]感放射線性酸発生体の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い絶縁膜を形成できる。 [B] The content of the radiation sensitive acid generator is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and preferably 1 part by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. More preferred. [B] By setting the content of the radiation-sensitive acid generator within the above range, the radiation sensitivity of the radiation-sensitive resin composition can be optimized, and an insulating film having a high surface hardness can be formed while maintaining transparency.
<[C]酸化防止剤>
[C]酸化防止剤は、露光若しくは加熱により発生したラジカルの捕捉により、又は酸化によって生成した過酸化物の分解により、重合体分子の結合の解裂を抑制する成分である。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]酸化防止剤を含有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜中における重合体分子の解裂劣化を抑制し、耐光性等を向上させることができる。
<[C] Antioxidant>
[C] Antioxidant is a component that suppresses the breakage of the bond of polymer molecules by capturing radicals generated by exposure or heating, or by decomposing a peroxide generated by oxidation. The radiation-sensitive resin composition contains [C] antioxidant, thereby suppressing degradation of polymer molecules in the insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition, light resistance, etc. Can be improved.
[C]酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物、アルキルホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物等が挙げられる。これらの中でも、[C]酸化防止剤としてはヒンダードフェノール構造を有する化合物が好ましい。このように[C]酸化防止剤がヒンダードフェノール構造を有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜中における重合体分子の解裂劣化をより抑制することができる。 [C] Examples of the antioxidant include compounds having a hindered phenol structure, compounds having a hindered amine structure, compounds having an alkyl phosphite structure, compounds having a thioether structure, and the like. Among these, as a [C] antioxidant, the compound which has a hindered phenol structure is preferable. As described above, when the [C] antioxidant has a hindered phenol structure, degradation of polymer molecules in the insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition can be further suppressed.
上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)、3,3’,3’,5’,5’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス[(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリル)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミン)フェノール等が挙げられる。 Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylene bis [3- (3,5-dithione). -Tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-tert-butyl-4- Hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N′-hexane-1, 6-diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide) 3,3 ′, 3 ′, 5 ′, 5′-hexa-tert-butyl-a, a ′, a ′-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (Octylthiomethyl) -o-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) Propionate, hexamethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6- Xylyl) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio)- 1,3 5-triazin-2-ylamine) phenol, and the like.
上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物の市販品としては、例えば、
「アデカスタブAO−20」、「アデカスタブAO−30」、「アデカスタブAO−40」、「アデカスタブAO−50」、「アデカスタブAO−60」、「アデカスタブAO−70」、「アデカスタブAO−80」、「アデカスタブAO−330」(以上、ADEKA社)、「sumilizerGM」、「sumilizerGS」、「sumilizerMDP−S」、「sumilizerBBM−S」、「sumilizerWX−R」、「sumilizerGA−80」(以上、住友化学社);
「IRGANOX1010」、「IRGANOX1035」、「IRGANOX1076」、「IRGANOX1098」、「IRGANOX1135」、「IRGANOX1330」、「IRGANOX1726」、「IRGANOX1425WL」、「IRGANOX1520L」、「IRGANOX245」、「IRGANOX259」、「IRGANOX3114」、「IRGANOX565」、「IRGAMOD295」(以上、チバジャパン社);
「ヨシノックスBHT」、「ヨシノックスBB」、「ヨシノックス2246G」、「ヨシノックス425」、「ヨシノックス250」、「ヨシノックス930」、「ヨシノックスSS」、「ヨシノックスTT」、「ヨシノックス917」、「ヨシノックス314」(以上、エーピーアイコーポレーション社)等が挙げられる。
As a commercial item of the compound having the hindered phenol structure, for example,
"ADK STAB AO-20", "ADK STAB AO-30", "ADK STAB AO-40", "ADK STAB AO-50", "ADK STAB AO-60", "ADK STAB AO-70", "ADK STAB AO-80", " ADK STAB AO-330 "(above, ADEKA)," SUMILIZER GM "," SUMILIZER GS "," SUMILIZER MDP-S "," SUMILIZER BBM-S "," SUMILIZER WX-R "," SUMILIZER GA-80 "(above, Sumitomo GA-80) ;
"IRGANOX1010", "IRGANOX1035", "IRGANOX1076", "IRGANOX1098", "IRGANOX1135", "IRGANOX1330", "IRGANOX1726", "IRGANOX1425WL", "IRGANOX1520L", "IRGANOX245", "IRGANOX245", "IRGANOX245", "IRGANOX245", "IRGANOX245" “IRGAMOD295” (Ciba Japan)
“Yoshinox BHT”, “Yoshinox BB”, “Yoshinox 2246G”, “Yoshinox 425”, “Yoshinox 250”, “Yoshinox 930”, “Yoshinox SS”, “Yoshinox TT”, “Yoshinox 917”, “Yoshinox 314” ( As above, API Corporation) and the like can be mentioned.
また、[C]酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物の中でも、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイトが好ましい。 [C] Antioxidants include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris- (3) among compounds having a hindered phenol structure. , 5-Di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate is preferred.
[C]酸化防止剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、通常15質量部以下であり、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.2質量部以上5質量部以下がより好ましい。[C]酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜の解裂劣化をより効果的に抑制することができる。 [C] The content of the antioxidant is usually 15 parts by mass or less, preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and 0.2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. More preferred is 5 parts by mass or more and 5 parts by mass or less. [C] By making content of antioxidant into the said range, the cracking degradation of the insulating film formed from the said radiation sensitive resin composition can be suppressed more effectively.
<その他の任意成分>
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分、[B]感放射線性酸発生体及び[C]酸化防止剤成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて[D]多官能(メタ)アクリレート、[E]塩基性化合物、[F]界面活性剤、[G]密着助剤等のその他の任意成分を含有してもよい。その他の任意成分は、それぞれ単独で使用しても2種以上を併用してもよい。以下、各成分を詳述する。
<Other optional components>
In addition to the [A] polymer component, the [B] radiation sensitive acid generator, and the [C] antioxidant component, the radiation sensitive resin composition may be added as necessary as long as the effects of the present invention are not impaired. [D] Other optional components such as a polyfunctional (meth) acrylate, [E] basic compound, [F] surfactant, and [G] adhesion aid may be contained. Other optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.
<[D]多官能(メタ)アクリレート>
[D]多官能(メタ)アクリレートは、当該感放射線性組成物の硬化性を高めることができる。この[D]多官能(メタ)アクリレートとしては、2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物であれば特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸を反応させて得られる多官能(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性された多官能(メタ)アクリレート、アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレート、水酸基を有する(メタ)アクリレートと多官能イソシアネートを反応させて得られる多官能ウレタン(メタ)アクリレート、水酸基を有する(メタ)アクリレートと酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレート等が挙げられる。
<[D] polyfunctional (meth) acrylate>
[D] The polyfunctional (meth) acrylate can enhance the curability of the radiation-sensitive composition. The [D] polyfunctional (meth) acrylate is not particularly limited as long as it is a compound having two or more (meth) acryloyl groups. For example, an aliphatic polyhydroxy compound and (meth) acrylic acid The polyfunctional (meth) acrylate obtained by reacting, the polyfunctional (meth) acrylate modified with caprolactone, the polyfunctional (meth) acrylate modified with alkylene oxide, the (meth) acrylate having a hydroxyl group and the polyfunctional isocyanate are reacted. And a polyfunctional urethane (meth) acrylate obtained by reacting a hydroxyl group-containing (meth) acrylate with an acid anhydride, and the like.
上記脂肪族ポリヒドロキシ化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の2価の脂肪族ポリヒドロキシ化合物、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール等の3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物などが挙げられる。 Examples of the aliphatic polyhydroxy compound include trivalent or more divalent aliphatic polyhydroxy compounds such as ethylene glycol, propylene glycol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol, glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, and dipentaerythritol. And aliphatic polyhydroxy compounds.
上記水酸基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールジメタクリレート等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylate having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and glycerol dihydrate. And methacrylate.
上記多官能イソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等が挙げられる。 Examples of the polyfunctional isocyanate include tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, diphenylmethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate.
酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水グルタル酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等の二塩基酸の無水物、無水ピロメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の四塩基酸二無水物などが挙げられる。 Examples of the acid anhydride include dibasic acid anhydrides such as succinic anhydride, maleic anhydride, glutaric anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid. And dianhydrides and tetrabasic acid dianhydrides such as benzophenone tetracarboxylic dianhydride.
上記カプロラクトン変性された多官能(メタ)アクリレートとしては、例えば、特開11−44955号公報の段落[0015]〜[0018]に記載されている化合物等が挙げられる。 Examples of the caprolactone-modified polyfunctional (meth) acrylate include compounds described in paragraphs [0015] to [0018] of JP-A No. 11-44955.
上記アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレートとしては、例えば、ビスフェノールAのエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性ジ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸のエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンのエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性テトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性ペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド変性ヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the alkylene oxide-modified polyfunctional (meth) acrylate include, for example, ethylene oxide of bisphenol A and / or propylene oxide-modified di (meth) acrylate, ethylene oxide of isocyanuric acid and / or propylene oxide-modified tri (meth) acrylate. , Ethylene oxide and / or propylene oxide modified tri (meth) acrylate of trimethylolpropane, ethylene oxide and / or propylene oxide modified tri (meth) acrylate of pentaerythritol, ethylene oxide and / or propylene oxide modified tetra (meth) of pentaerythritol ) Ethylene oxide and / or propylene oxide modified penta (meth) acrylate of acrylate and dipentaerythritol Over DOO, ethylene oxide dipentaerythritol and / or propylene oxide-modified hexa (meth) acrylate.
これらの多官能(メタ)アクリレートのうち、3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸とを反応させて得られる多官能(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性された多官能(メタ)アクリレート、多官能ウレタン(メタ)アクリレート、カルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレートが好ましい。3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸とを反応させて得られる多官能(メタ)アクリレートの中では、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートが、カルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレートの中では、ペンタエリスリトールトリアクリレートと無水コハク酸とを反応させて得られる化合物、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートと無水コハク酸とを反応させて得られる化合物が、アルカリ現像性が良好である点で特に好ましい。 Among these polyfunctional (meth) acrylates, polyfunctional (meth) acrylates obtained by reacting trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compounds with (meth) acrylic acid, polyfunctional (meth) acrylates modified with caprolactone Polyfunctional urethane (meth) acrylate and polyfunctional (meth) acrylate having a carboxyl group are preferred. Among polyfunctional (meth) acrylates obtained by reacting trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compounds with (meth) acrylic acid, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, di Among the polyfunctional (meth) acrylates in which pentaerythritol hexaacrylate is a carboxyl group, a compound obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and succinic anhydride, dipentaerythritol pentaacrylate and succinic anhydride are reacted. The compound obtained in this way is particularly preferred from the viewpoint of good alkali developability.
[D]多官能(メタ)アクリレートは、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。 [D] Polyfunctional (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
[D]多官能(メタ)アクリレートの含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、1質量部以上100質量部以下が好ましく、5質量部以上50質量部以下がより好ましい。[D]多官能(メタ)アクリレートの含有量を上記範囲とすることで、硬化膜の硬度をより高めることができると共に、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度をより高めることができる。 [D] The content of the polyfunctional (meth) acrylate is preferably 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less, and more preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. . [D] By making content of polyfunctional (meth) acrylate into the said range, while being able to raise the hardness of a cured film more, the radiation sensitivity of the said radiation sensitive resin composition can be raised more.
<[E]塩基性化合物>
[E]塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用できる。当該感放射線性樹脂組成物は、[E]塩基性化合物を含有することで、露光により[B]感放射線性酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を良好にできる。
<[E] basic compound>
[E] The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. The radiation-sensitive resin composition contains [E] a basic compound, so that the diffusion length of the acid generated from the [B] radiation-sensitive acid generator by exposure can be appropriately controlled. Can be improved.
[E]塩基性化合物としては、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの[E]塩基性化合物は、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。 [E] Examples of basic compounds include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carboxylic acid quaternary ammonium salts, and the like. These [E] basic compounds may be used alone or in combination of two or more.
[脂肪族アミン]
脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。
[Aliphatic amine]
Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and dicyclohexylamine. , Dicyclohexylmethylamine and the like.
[芳香族アミン]
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。
[Aromatic amine]
Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.
[複素環式アミン]
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7−ウンデセン等が挙げられる。
[Heterocyclic amine]
Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7 -Undecene and the like.
[4級アンモニウムヒドロキシド]
4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
[Quaternary ammonium hydroxide]
Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.
[カルボン酸4級アンモニウム塩]
カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。
[Carboxylic acid quaternary ammonium salt]
Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.
これらの中で、[E]塩基性化合物としては、複素環式アミンが好ましく、4−ジメチルアミノピリジン、4−メチルイミダゾール、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、ジメチルn−ドデシルアミン、2−フェニルベンズイミダゾール等がより好ましい。 Among these, the [E] basic compound is preferably a heterocyclic amine, such as 4-dimethylaminopyridine, 4-methylimidazole, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, dimethyl. n-dodecylamine, 2-phenylbenzimidazole and the like are more preferable.
[E]塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、通常2質量部以下であり、0.001質量部以上1質量部以下が好ましく、0.005質量部以上0.2質量部以下がより好ましい。[E]塩基性化合物の含有量を上記範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。 [E] The content of the basic compound is usually 2 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A], preferably 0.001 to 1 part by mass, and 0.005 parts by mass. More preferred is at least 0.2 part by weight. [E] By making content of a basic compound into the said range, pattern developability improves more.
<[F]界面活性剤>
[F]界面活性剤は、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜形成性を高める成分である。当該感放射線性樹脂組成物は、[F]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。
<[F] Surfactant>
[F] Surfactant is a component which improves the film-forming property of the said radiation sensitive resin composition. The radiation-sensitive resin composition can improve the surface smoothness of the coating film by containing [F] surfactant, and as a result, the film thickness of the insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition. Uniformity can be further improved.
[F]界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。これらの[F]界面活性剤は、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。 Examples of [F] surfactants include fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants. These [F] surfactants may be used alone or in combination of two or more.
フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(1,1,2,2−テトラフルオロn−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、パーフルオロn−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10−デカフルオロn−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。 As the fluorosurfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group at at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable. For example, 1,1,2,2-tetrafluoro n- Octyl (1,1,2,2-tetrafluoro n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2 , 3,3-hexafluoro n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3) -Hexafluoro n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, Sodium fluoro n-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro n-decane, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro n- Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkylbetaine, fluoroalkylpolyoxyethylene ether, Fluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, carboxylic acid fluoroalkyl ester and the like can be mentioned.
フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、
「BM−1000」、「BM−1100」(以上、BM CHEMIE社)、「メガファックF142D」、「メガファックF172」、「メガファックF173」、「メガファックF183」、「メガファックF178」、「メガファックF191」、「メガファックF471」、「メガファックF476」(以上、大日本インキ化学工業社);
「フロラードFC−170C」、「フロラードFC−171」、「フロラードFC−430」、「フロラードFC−431」(以上、住友スリーエム社)、「サーフロンS−112」、「サーフロンS−113」、「サーフロンS−131」、「サーフロンS−141」、「サーフロンS−145」、「サーフロンS−382」、「サーフロンSC−101」、「サーフロンSC−102」、「サーフロンSC−103」、「サーフロンSC−104」、「サーフロンSC−105」、「サーフロンSC−106」(以上、旭硝子社);
「エフトップEF301」、「エフトップEF303」、「エフトップEF352」(以上、新秋田化成社);
「フタージェントFT−100」、「フタージェントFT−110」、「フタージェントFT−140A」、「フタージェントFT−150」、「フタージェントFT−250」、「フタージェントFT−251」、「フタージェントFT−300」、「フタージェントFT−310」、「フタージェントFT−400S」、「フタージェントFTX−218」、「フタージェントFT−251」(以上、ネオス社)等が挙げられる。
Examples of commercially available fluorosurfactants include:
“BM-1000”, “BM-1100” (above, BM CHEMIE), “Megafuck F142D”, “Megafuck F172”, “Megafuck F173”, “Megafuck F183”, “Megafuck F178”, “ “Megafuck F191”, “Megafuck F471”, “Megafuck F476” (above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.);
“FLORAD FC-170C”, “FLORARD FC-171”, “FLORARD FC-430”, “FLORARD FC-431” (Sumitomo 3M), “Surflon S-112”, “Surflon S-113”, “ Surflon S-131, Surflon S-141, Surflon S-145, Surflon S-382, Surflon SC-101, Surflon SC-102, Surflon SC-103, Surflon SC-104 "," Surflon SC-105 "," Surflon SC-106 "(Asahi Glass Co., Ltd.);
"F Top EF301", "F Top EF303", "F Top EF352" (the above, Shin-Akita Kasei Co., Ltd.);
"Factent FT-100", "Factent FT-110", "Factent FT-140A", "Factent FT-150", "Factent FT-250", "Factent FT-251", "Gent FT-300", "left FT-310", "after FT-400S", "after FTTX-218", "after FT-251" (hereinafter referred to as Neos).
シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えば、
「トーレシリコーンDC3PA」、「トーレシリコーンDC7PA」、「トーレシリコーンSH11PA」、「トーレシリコーンSH21PA」、「トーレシリコーンSH28PA」、「トーレシリコーンSH29PA」、「トーレシリコーンSH30PA」、「トーレシリコーンSH−190」、「トーレシリコーンSH−193」、「トーレシリコーンSZ−6032」、「トーレシリコーンSF−8428」、「トーレシリコーンDC−57」、「トーレシリコーンDC−190」、「SH 8400 FLUID」(以上、東レダウコーニングシリコーン社);
「TSF−4440」、「TSF−4300」、「TSF−4445」、「TSF−4446」、「TSF−4460」、「TSF−4452」(以上、GE東芝シリコーン社);
「オルガノシロキサンポリマーKP341」(信越化学工業社)等が挙げられる。
Examples of commercially available silicone surfactants include:
“Tore Silicone DC3PA”, “Tore Silicone DC7PA”, “Tore Silicone SH11PA”, “Tore Silicone SH21PA”, “Tore Silicone SH28PA”, “Tore Silicone SH29PA”, “Tore Silicone SH30PA”, “Tore Silicone SH-190”, “Tore Silicone SH-193”, “Tore Silicone SZ-6032”, “Tore Silicone SF-8428”, “Tore Silicone DC-57”, “Tore Silicone DC-190”, “SH 8400 FLUID” (above, Toray Dow Corning Silicone);
“TSF-4440”, “TSF-4300”, “TSF-4445”, “TSF-4446”, “TSF-4460”, “TSF-4442” (hereinafter, GE Toshiba Silicone);
“Organosiloxane polymer KP341” (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.
[F]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、通常3質量部以下であり、0.01質量部以上2質量部以下が好ましく、0.05質量部以上1質量部以下がより好ましい。[F]界面活性剤の含有量を上記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上できる。 [F] The content of the surfactant is usually 3 parts by mass or less, preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, and 0.05 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. More preferred is 1 part by weight or more and 1 part by weight or less. [F] By making content of surfactant into the said range, the film thickness uniformity of the coating film formed can be improved more.
<[G]密着助剤>
[G]密着助剤は基板等の膜形成対象物と絶縁膜との接着性を向上させる成分である。[G]密着助剤は特に無機物の基板と絶縁膜との接着性を向上させるために有用である。無機物としては、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属などが挙げられる。
<[G] Adhesion aid>
[G] Adhesion aid is a component that improves the adhesion between the film forming object such as a substrate and the insulating film. [G] The adhesion aid is particularly useful for improving the adhesion between the inorganic substrate and the insulating film. Examples of the inorganic substance include silicon compounds such as silicon, silicon oxide, and silicon nitride, and metals such as gold, copper, and aluminum.
[G]密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。この官能性シランカップリング剤としては、例えばカルボキシ基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。これらの[G]密着助剤は、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。 [G] As the adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferable. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxy group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group. These [G] adhesion assistants may be used alone or in combination of two or more.
官能性シランカップリング剤としては、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中で、官能性シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。 Examples of functional silane coupling agents include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, and γ-glycidoxypropyl. Examples include trimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. Among these, as the functional silane coupling agent, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-Methacryloxypropyltrimethoxysilane is preferred.
[G]密着助剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、通常30質量部以下であり、0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上10質量部以下がより好ましい。[G]密着助剤の含有量を上記範囲とすることで、絶縁膜と基板との密着性がより改善される。 [G] The content of the adhesion assistant is usually 30 parts by mass or less, preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, and 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. 10 parts by mass or less is more preferable. [G] By setting the content of the adhesion assistant in the above range, the adhesion between the insulating film and the substrate is further improved.
<感放射線性樹脂組成物の調製方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、溶媒に[A]重合体成分、[B]感放射線性酸発生体、必要に応じて好適成分、及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。
<Method for preparing radiation-sensitive resin composition>
The radiation-sensitive resin composition was dissolved or dispersed by mixing a [A] polymer component, [B] a radiation-sensitive acid generator, a suitable component as necessary, and other optional components in a solvent. Prepared to a state.
[A]重合体成分としては、カルボキシル基の保護率が異なる[A1]重合体及び[A2]重合体を所定比率で含むものが使用される。すなわち、当該調製方法は、[A1]重合体及び[A2]重合体を配合する工程を備える。[A]重合体成分中における[A1]重合体及び[A2]重合体の質量比率は、通常1/99以上99/1以下とされ、30/70以上70/30以下が好ましく、40/60以上60/40以下がより好ましく、45/55以上55/45以下がさらに好ましい。 As the [A] polymer component, those containing [A1] polymer and [A2] polymer having different carboxyl group protection rates in a predetermined ratio are used. That is, the preparation method includes a step of blending the [A1] polymer and the [A2] polymer. [A] The mass ratio of the [A1] polymer and the [A2] polymer in the polymer component is usually from 1/99 to 99/1, preferably from 30/70 to 70/30, 40/60. 60/40 or more is more preferable, and 45/55 or more and 55/45 or less is more preferable.
[溶媒]
溶媒としては、当該感放射線性樹脂組成物中の他の成分を均一に溶解又は分散し、上記他の成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。
[solvent]
As the solvent, a solvent that uniformly dissolves or disperses other components in the radiation-sensitive resin composition and does not react with the other components is preferably used. Examples of such solvents include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, Aromatic hydrocarbons, ketones, other esters and the like can be mentioned.
上記アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等が挙げられる。 Examples of the alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, and 3-phenyl-1-propanol.
上記エーテル類としては、例えば、テトラヒドロフラン等が挙げられる。 Examples of the ethers include tetrahydrofuran.
上記グリコールエーテルとして、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the glycol ether include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.
上記エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。 Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate and the like.
上記ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。 Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えば、プロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。 Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, and propylene glycol monobutyl ether propionate. Can be mentioned.
上記芳香族炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbons include toluene and xylene.
上記ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等が挙げられる。 Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and the like.
上記他のエステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。 Examples of the other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, and ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate. , Methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, hydroxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropion Acid butyl, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, , Methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2- Propyl methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxy Ethyl propionate, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, -Butyl methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3- Examples include propyl propoxypropionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.
これらの溶媒の中で、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましく、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルがさらに好ましい。 Among these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferred, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, Propylene glycol monomethyl ether and butyl methoxyacetate are more preferable, and diethylene glycol ethyl methyl ether is more preferable.
<表示素子の絶縁膜>
本発明の表示素子の絶縁膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成される。当該絶縁膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成されているため基板等との密着性に優れる。このような特性を有する当該絶縁膜は、表示素子における層間絶縁膜、平坦化膜、発光層を形成するための領域を規定するバンク(隔壁)、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等に使用できる。なお、当該絶縁膜の形成方法としては特に限定されないが、次に説明する絶縁膜の形成方法を適用することが好ましい。
<Insulating film of display element>
The insulating film of the display element of the present invention is formed from the radiation sensitive resin composition. Since the insulating film is formed from the radiation-sensitive resin composition, it has excellent adhesion to a substrate or the like. The insulating film having such characteristics can be used as an interlayer insulating film, a planarizing film, a bank (partition) defining a region for forming a light emitting layer, a spacer, a protective film, a color filter coloring pattern, or the like. Can be used. Note that a method for forming the insulating film is not particularly limited, but an insulating film forming method described below is preferably applied.
<表示素子の絶縁膜形成方法>
本発明の絶縁膜の形成方法は、基板上に塗膜を形成する工程(以下、「工程(1)」ともいう)、この塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程(以下、「工程(2)」ともいう)、放射線が照射された塗膜を現像する工程(以下、「工程(3)」ともいう)、及び現像された塗膜を加熱する工程(以下、「工程(4)」ともいう)を有する。
<Method for forming insulating film of display element>
The method for forming an insulating film of the present invention includes a step of forming a coating film on a substrate (hereinafter also referred to as “step (1)”), a step of irradiating at least a part of the coating film (hereinafter referred to as “step”). (Also referred to as “(2)”), a step of developing the coating film irradiated with radiation (hereinafter also referred to as “step (3)”), and a step of heating the developed coating film (hereinafter referred to as “step (4)”). ”).
当該絶縁膜形成方法によれば、パターン形状の安定性が高い絶縁膜を形成できる。また、未露光部の膜厚変化量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子の絶縁膜を形成できる。 According to the insulating film forming method, an insulating film having high pattern shape stability can be formed. In addition, since the amount of change in the film thickness of the unexposed portion can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, by forming a pattern by exposure, development, and heating using photosensitivity, an insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed.
[工程(1)]
本工程では、当該感放射線性樹脂組成物を、基板上に塗布して塗膜を形成する。当該感放射線性樹脂組成物が溶媒を含む場合には、塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去することが好ましい。
[Step (1)]
In this step, the radiation sensitive resin composition is applied onto a substrate to form a coating film. When the said radiation sensitive resin composition contains a solvent, it is preferable to remove a solvent by prebaking an application surface.
上記基板としては、例えば、ガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、通常70℃〜120℃、1分〜10分間程度である。 Examples of the substrate include glass, quartz, silicone, and resin. Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and a hydrogenated product thereof. The pre-baking conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, and the like, but are usually about 70 to 120 ° C. and about 1 to 10 minutes.
[工程(2)]
本工程では、塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、500J/m2〜6,000J/m2が好ましく、1,500J/m2〜1,800J/m2がより好ましい。この露光量は、放射線の波長365nmにおける強度を照度計(OAI Optical Associates社の「OAI model356」)により測定した値である。
[Step (2)]
In this step, at least a part of the coating film is irradiated with radiation and exposed. When exposing, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. The exposure amount is preferably 500J / m 2 ~6,000J / m 2 , 1,500J / m 2 ~1,800J / m 2 is more preferable. This exposure amount is a value obtained by measuring the intensity of radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (“OAI model 356” manufactured by OAI Optical Associates).
[工程(3)]
本工程では放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。
[Step (3)]
In this step, the coating film irradiated with radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern.
この工程で使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩などが挙げられる。現像液としては、ケトン系有機溶媒、アルコール系有機溶媒等の有機溶媒を使用することもできる。 The developer used in this step is preferably an alkaline aqueous solution. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; and quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. . As the developer, an organic solvent such as a ketone organic solvent or an alcohol organic solvent can be used.
アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度としては、好適な現像性を得る観点から、0.1質量%以上5質量%以下が好ましい。 An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant can be added to the alkaline aqueous solution. As a density | concentration of the alkali in aqueous alkali solution, from a viewpoint of obtaining suitable developability, 0.1 to 5 mass% is preferable.
現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該感放射線性樹脂組成物の組成によって異なるが、通常10秒〜180秒間程度である。 Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, and the like. The development time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is usually about 10 seconds to 180 seconds.
このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。 Following such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.
現像前の塗膜の膜厚に対する現像後の膜厚の膜厚変化率は、90%以上であることが好ましい。上述したように、当該感放射線性樹脂組成物を用いた当該形成方法によると、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量を抑制でき、現像後の膜厚は、現像前の膜厚の90%以上を維持することができる。 It is preferable that the film thickness change rate of the film thickness after development with respect to the film thickness of the coating film before development is 90% or more. As described above, according to the forming method using the radiation-sensitive resin composition, the amount of change in the film thickness of the unexposed portion with respect to the development time can be suppressed, and the film thickness after development is 90% of the film thickness before development. % Or more can be maintained.
[工程(4)]
本工程では、現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体成分の硬化反応を促進して、絶縁膜を形成することができる。加熱温度としては、例えば、120℃〜250℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレートでは5分〜30分間程度、オーブンでは30分〜90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。この絶縁膜の膜厚としては、0.1μm〜8μmが好ましく、0.1μm〜6μmがより好ましい。
[Step (4)]
In this step, the developed coating film is heated. For heating, a heating device such as a hot plate or an oven is used to heat the patterned thin film, whereby the curing reaction of the polymer component [A] can be promoted to form an insulating film. As heating temperature, it is about 120 to 250 degreeC, for example. The heating time varies depending on the type of the heating device, but is, for example, about 5 to 30 minutes for a hot plate and about 30 to 90 minutes for an oven. Moreover, the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target insulating film can be formed on the surface of the substrate. The thickness of this insulating film is preferably 0.1 μm to 8 μm, and more preferably 0.1 μm to 6 μm.
<表示素子>
本発明の表示素子は、当該絶縁膜を備えている。当該表示素子は、例えば、液晶表示素子、有機EL表示素子等である。
<Display element>
The display element of the present invention includes the insulating film. The display element is, for example, a liquid crystal display element, an organic EL display element, or the like.
液晶表示素子は、例えば液晶セル、偏光板等により構成されている。この液晶表示素子は、当該絶縁膜を備えているため、例えば耐光性、基板等への絶縁膜の密着性等の信頼性に優れる。 The liquid crystal display element is composed of, for example, a liquid crystal cell, a polarizing plate, and the like. Since the liquid crystal display element includes the insulating film, the liquid crystal display element is excellent in reliability such as light resistance and adhesion of the insulating film to a substrate or the like.
表示素子の製造方法としては、まず片面に透明導電膜(電極)を有する透明基板を一対(2枚)準備し、そのうちの一枚の基板の透明導電膜上に、当該感放射線性樹脂組成物を用い、上述の<絶縁膜の形成方法>において説明した方法に従い、層間絶縁膜、スペーサー、保護膜等の絶縁膜を形成する。次いで、これらの基板の透明導電膜及びスペーサー又は保護膜上に液晶配向能を有する配向膜を形成する。これら基板を、その配向膜が形成された側の面を内側にして、それぞれの配向膜の液晶配向方向が直交又は逆平行となるように一定の間隙(セルギャップ)を介して対向配置し、基板の表面(配向膜)及びスペーサーにより区画されたセルギャップ内に液晶を充填し、充填孔を封止して液晶セルを構成する。そして、液晶セルの両外表面に、偏光板を、その偏光方向が当該基板の一面に形成された配向膜の液晶配向方向と一致又は直交するように貼り合わせることにより、本発明の表示素子としての液晶表示素子が得られる。 As a method for manufacturing a display element, first, a pair (two) of transparent substrates having a transparent conductive film (electrode) on one side is prepared, and the radiation-sensitive resin composition is formed on the transparent conductive film of one of the substrates. In accordance with the method described in the above <Insulating film formation method>, an insulating film such as an interlayer insulating film, a spacer, or a protective film is formed. Next, an alignment film having liquid crystal alignment ability is formed on the transparent conductive film and the spacer or protective film of these substrates. These substrates are arranged facing each other with a certain gap (cell gap) so that the liquid crystal alignment direction of each alignment film is orthogonal or antiparallel, with the surface on which the alignment film is formed inside. A liquid crystal is filled in the cell gap defined by the surface of the substrate (alignment film) and the spacer, and the filling hole is sealed to constitute a liquid crystal cell. Then, the polarizing plate is bonded to both outer surfaces of the liquid crystal cell so that the polarization direction thereof coincides with or orthogonal to the liquid crystal alignment direction of the alignment film formed on one surface of the substrate. The liquid crystal display element can be obtained.
他の液晶表示素子の製造方法としては、上記製造方法と同様にして透明導電膜と、層間絶縁膜、保護膜、スペーサー等の絶縁膜と、配向膜とを形成した一対の透明基板を準備する。その後、一方の基板の端部に沿って、ディスペンサーを用いて紫外線硬化型シール剤を塗布し、次いで液晶ディスペンサーを用いて微小液滴状に液晶を滴下し、真空下で両基板の貼り合わせを行う。そして、上記のシール剤部に、高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射して両基板を封止する。最後に、液晶セルの両外表面に偏光板を貼り合わせることにより、本発明の表示素子としての液晶表示素子が得られる。 As another method for manufacturing a liquid crystal display element, a pair of transparent substrates on which a transparent conductive film, an insulating film such as an interlayer insulating film, a protective film, and a spacer and an alignment film are formed are prepared in the same manner as the above manufacturing method. . After that, along the edge of one of the substrates, an ultraviolet curable sealant is applied using a dispenser, then the liquid crystal is dropped into a fine droplet using a liquid crystal dispenser, and the two substrates are bonded together under vacuum. Do. Then, both the substrates are sealed by irradiating the sealing agent part with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp. Finally, a liquid crystal display element as a display element of the present invention is obtained by attaching polarizing plates to both outer surfaces of the liquid crystal cell.
上述の液晶表示素子の製造方法において使用される液晶としては、例えば、ネマティック型液晶、スメクティック型液晶等が挙げられる。また、液晶セルの外側に使用される偏光板としては、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ素を吸収させた「H膜」と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース保護膜で挟んだ偏光板、又はH膜そのものからなる偏光板等が挙げられる。 Examples of the liquid crystal used in the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element include nematic liquid crystal and smectic liquid crystal. In addition, as a polarizing plate used outside the liquid crystal cell, a polarizing film in which a polarizing film called an “H film” that absorbs iodine while stretching and aligning polyvinyl alcohol is sandwiched between cellulose acetate protective films, or an H film Examples thereof include a polarizing plate made of itself.
一方、有機エレクトロルミネッセンス素子においては、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜は、TFT素子上に形成される平坦化膜、発光部位を規定する隔壁等として使用できる。 On the other hand, in the organic electroluminescence element, the insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition can be used as a planarization film formed on the TFT element, a partition defining a light emitting site, or the like.
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、[A1]重合体及び[A2]重合体の重量平均分子量(Mw)は、以下の方法により測定した。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to a following example. In addition, the weight average molecular weight (Mw) of the [A1] polymer and the [A2] polymer was measured by the following method.
[重量平均分子量(Mw)]
重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により、下記条件で測定した。
装置:昭和電工社の「GPC−101」
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
[Weight average molecular weight (Mw)]
The weight average molecular weight (Mw) was measured under the following conditions by gel permeation chromatography (GPC).
Equipment: “GPC-101” from Showa Denko
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene
<[A1]重合体又は[A2]重合体の合成>
[合成例1](保護率5モル%の重合体(A−1)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸20質量部、構造単位(II)を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸7質量部、構造単位(III)を与える3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート41質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル22質量部及びメタクリル酸ヒドロキシエチル10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が5%(質量基準)の重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.0質量%であった。
<Synthesis of [A1] polymer or [A2] polymer>
[Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (A-1) having a protection rate of 5 mol%)
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent. Subsequently, 20 parts by mass of methacrylic acid giving structural unit (I), 7 parts by mass of methacrylic acid protected with a tetrahydropyranyl group giving structural unit (II), and 3,4-epoxytricyclo giving structural unit (III) [5.2.1.0 2.6 ] After 41 parts by mass of decyl acrylate and 22 parts by mass of methyl methacrylate and 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate to give other structural units were charged with nitrogen, the mixture was gently stirred. I started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (A-1) having a carboxyl group protection rate of 5% (mass basis). The polymer (A-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 33.0 mass%.
[合成例2](保護率10モル%の重合体(A−2)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸27質量部、構造単位(II)を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸13質量部、構造単位(III)を与える3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタン50質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ヒドロキシエチル10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が10%(質量基準)の重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量%であった。
[Synthesis Example 2] (Synthesis of polymer (A-2) having a protection ratio of 10 mol%)
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent. Subsequently, 27 parts by weight of methacrylic acid giving structural unit (I), 13 parts by weight of methacrylic acid protected with a tetrahydropyranyl group giving structural unit (II), 3-methacryloyloxymethyl-3 giving structural unit (III) -After 50 parts by mass of ethyloxetane and 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate giving other structural units were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (A-2) having a carboxyl group protection rate of 10% (mass basis). The polymer (A-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.
[合成例3](保護率20モル%の重合体(A−3)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸15質量部、構造単位(II)を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸26質量部、構造単位(III)を与える3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタン50質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ヒドロキシエチル9質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が20%(質量基準)の重合体(A−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−3)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量%であった。
[Synthesis Example 3] (Synthesis of polymer (A-3) having a protection rate of 20 mol%)
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent. Subsequently, 15 parts by weight of methacrylic acid giving structural unit (I), 26 parts by weight of methacrylic acid protected with a tetrahydropyranyl group giving structural unit (II), 3-methacryloyloxymethyl-3 giving structural unit (III) -After 50 parts by mass of ethyloxetane and 9 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate giving other structural units were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (A-3) having a carboxyl group protection rate of 20% (mass basis). The polymer (A-3) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.
[合成例4](保護率50モル%の重合体(A−4)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸10質量部、構造単位(II)を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸65質量部、構造単位(III)を与える3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート15質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル5質量部及びメタクリル酸ヒドロキシエチル5質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が50%(質量基準)の重合体(A−4)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−4)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量%であった。
[Synthesis Example 4] (Synthesis of polymer (A-4) having a protection ratio of 50 mol%)
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent. Subsequently, 10 parts by weight of methacrylic acid giving structural unit (I), 65 parts by weight of methacrylic acid protected with a tetrahydropyranyl group giving structural unit (II), and 3,4-epoxycyclohexylmethyl giving structural unit (III) After 15 parts by weight of methacrylate and 5 parts by weight of methyl methacrylate and 5 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate giving other structural units were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (A-4) having a carboxyl group protection rate of 50% (mass basis). The polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-4) was 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.
[合成例5](保護率75モル%の重合体(A−5)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸0.5質量部、構造単位(II)を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸99質量部、構造単位(III)を与える3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート0.5質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が90%(質量基準)の重合体(A−5)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−5)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.5質量%であった。
[Synthesis Example 5] (Synthesis of polymer (A-5) having a protection ratio of 75 mol%)
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent. Subsequently, 0.5 part by weight of methacrylic acid giving structural unit (I), 99 parts by weight of methacrylic acid protected with tetrahydropyranyl group giving structural unit (II), 3,4-epoxy giving structural unit (III) After 0.5 parts by mass of tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate was charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (A-5) having a carboxyl group protection rate of 90% (mass basis). The polymer (A-5) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.5 mass%.
[比較合成例1](保護率100モル%の重合体(a−1)の合成)
比較合成例1では、構造単位(I)及び構造単位(II)のうち、構造単位(II)のみを含み構造単位(I)を含まない比較用の[a]重合体としての重合体(a−1)を合成した。
具体的には、冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(II)を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸100質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が100%(質量基準)の重合体(a−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、11,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は31.0質量%であった。
[Comparative Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (a-1) having a protection rate of 100 mol%)
In Comparative Synthesis Example 1, among the structural unit (I) and the structural unit (II), the polymer (a) as a comparative [a] polymer containing only the structural unit (II) and not containing the structural unit (I) (a -1) was synthesized.
Specifically, in a flask equipped with a condenser and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent Was charged. Subsequently, 100 parts by weight of methacrylic acid protected with a tetrahydropyranyl group giving the structural unit (II) was charged, and the atmosphere was replaced with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1) having a carboxyl group protection rate of 100% (mass basis). The polymer (a-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 11,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.0 mass%.
[比較合成例2](保護率0%の重合体(a−2)の合成)
比較合成例1では、構造単位(I)及び構造単位(II)のうち、構造単位(I)のみを含み構造単位(II)を含まない比較用の[a]重合体としての重合体(a−2)を合成した。
具体的には、冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸20質量部、構造単位(III)を与える3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート50質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル20質量部及びスチレン10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することでカルボキシル基の保護率が0%(質量基準)の重合体(a−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.5質量%であった。
[Comparative Synthesis Example 2] (Synthesis of polymer (a-2) having a protection rate of 0%)
In Comparative Synthesis Example 1, among the structural unit (I) and the structural unit (II), the polymer (a) as a comparative [a] polymer containing only the structural unit (I) and not the structural unit (II) (a -2) was synthesized.
Specifically, in a flask equipped with a condenser and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent Was charged. Subsequently, 20 parts by weight of methacrylic acid giving structural unit (I), 50 parts by weight of 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate giving structural unit (III), and other After 20 parts by mass of methyl methacrylate and 10 parts by mass of styrene giving structural units were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (a-2) having a carboxyl group protection rate of 0% (mass basis). The polymer (a-2) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.5 mass%.
<感放射線性樹脂組成物の調製>
感放射線性樹脂組成物は、表1に示す組成に調製した。表1の[A]重合体成分、[B]感放射線性酸発生剤、[C]酸化防止剤、[D]多官能(メタ)アクリレート、及び[E]塩基性化合物は、以下に示す通りである。
<Preparation of radiation-sensitive resin composition>
The radiation sensitive resin composition was prepared to the composition shown in Table 1. The [A] polymer component, [B] radiation sensitive acid generator, [C] antioxidant, [D] polyfunctional (meth) acrylate, and [E] basic compound of Table 1 are as shown below. It is.
[[A]重合体成分([A1]重合体、[A2]重合体、[a]重合体])
A−1:合成例1で合成した保護率が5%の重合体(A−1)
A−2:合成例2で合成した保護率が10%の重合体(A−2)
A−3:合成例3で合成した保護率が20%の重合体(A−3)
A−4:合成例4で合成した保護率が50%の重合体(A−4)
A−5:合成例5で合成した保護率が90%の重合体(A−5)
a−1:比較合成例1で合成した保護率が100%の重合体(a−1)
a−2:比較合成例2で合成した保護率が0%の重合体(a−2)
[[A] Polymer component ([A1] polymer, [A2] polymer, [a] polymer])
A-1: Polymer (A-1) synthesized in Synthesis Example 1 and having a protection rate of 5%
A-2: a polymer having a protection rate of 10% synthesized in Synthesis Example 2 (A-2)
A-3: Polymer with a protection rate of 20% synthesized in Synthesis Example 3 (A-3)
A-4: Polymer (A-4) synthesized in Synthesis Example 4 and having a protection rate of 50%
A-5: Polymer synthesized in Synthesis Example 5 and having a protection rate of 90% (A-5)
a-1: Polymer (a-1) synthesized in Comparative Synthesis Example 1 and having a protection rate of 100%
a-2: Polymer with a protection rate of 0% synthesized in Comparative Synthesis Example 2 (a-2)
[[B]感放射線性酸発生剤]
B−1:5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(BASF社の「IRGACURE PAG 103」)
B−2:(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(BASF社の「IRGACURE PAG 121」)
B−3:(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル(BASF社の「CGI−725」)
B−4:下記式(B−4)で表されるオキシムスルホネート化合物(BASF社の「IRGACURE PAG 203」)
B-1: 5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (“IRGACURE PAG 103” from BASF)
B-2: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (“IRGACURE PAG 121” from BASF)
B-3: (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile (“CGI-725” from BASF)
B-4: An oxime sulfonate compound represented by the following formula (B-4) ("IRGACURE PAG 203" from BASF)
[[C]酸化防止剤]
C−1:1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェノール)ブタン(ADEKA社の「アデカスタブAO−30」)
C−2:下記式(C−2)で表されるADEKA社の「アデカスタブAO−60」
C-1: 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenol) butane (“ADEKA STAB AO-30” from ADEKA)
C-2: “ADEKA STAB AO-60” of ADEKA Corporation represented by the following formula (C-2)
[D]多官能(メタ)アクリレート
D−1:ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物(日本化薬社の「KAYARAD DPHA」)
D−2:コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート(東亞合成社の「アロニックスTO−756」)
D−3:トリメチロールプロパントリアクリレート
[D] Multifunctional (meth) acrylate D-1: Mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate (“KAYARAD DPHA” by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
D-2: Succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate (“Aronix TO-756” manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
D-3: Trimethylolpropane triacrylate
[E]塩基性化合物
E−1:2−ジメチルアミノピリジン
E−2:2−フェニルベンズイミダゾール
[E] Basic compound E-1: 2-Dimethylaminopyridine E-2: 2-Phenylbenzimidazole
[実施例1]
重合体(A−1)及び重合体(A−2)を含む重合体溶液((A−1)50質量部(固形分)及び(A−2)50質量部(固形分)に相当する量)に、感放射線性酸発生剤(B−1)5質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物を調製した。
[Example 1]
The amount corresponding to 50 parts by mass (solid content) and 50 parts by mass (solid content) of (A-1) polymer solution (A-1) and polymer (A-2) ) Was mixed with 5 parts by mass of a radiation sensitive acid generator (B-1) and filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a radiation sensitive resin composition.
[実施例2〜6及び比較例1,2]
下記表1に示す種類及び含有量の成分を用いた以外は、実施例1と同様に操作し、感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を配合しなかったことを示す。
[Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 and 2]
A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the components having the types and contents shown in Table 1 were used. In addition, "-" in Table 1 indicates that the corresponding component was not blended.
<評価>
実施例1〜6及び比較例1,2の感放射線性樹脂組成物について、下記の手法に従い、放射線感度、保存安定性、耐光性、透過率及びパターンの密着性の評価を実施した。評価結果を表2に示す。
<Evaluation>
The radiation sensitive resin compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated for radiation sensitivity, storage stability, light resistance, transmittance, and pattern adhesion according to the following methods. The evaluation results are shown in Table 2.
[放射線感度の評価]
ガラス基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA(ghi線混合)」)を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において80秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この露光量の値が500(J/m2)以下の場合、感度は良好と判断できる。
[Evaluation of radiation sensitivity]
A radiation sensitive resin composition was applied onto a glass substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an exposure machine (Canon's “MPA-600FA (ghi line mixing)”), the exposure amount to the coating film through a mask having a 60 μm line and space (10 to 1) pattern. Was irradiated as a variable. Then, it developed by the piling method for 80 seconds at 25 degreeC with 0.5 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure necessary to completely dissolve the 6 μm space pattern was examined. When the exposure value is 500 (J / m 2 ) or less, it can be determined that the sensitivity is good.
[保存安定性の評価]
感放射線性組成物溶液を40℃のオーブン中で1週間放置し、オーブンに入れる前後での粘度を測定し、粘度変化率(%)を求めた。このとき、粘度変化率が5%以下である場合は保存安定性が良好といえ、5%を超える場合は保存安定性が不良といえる。
[Evaluation of storage stability]
The radiation-sensitive composition solution was left in an oven at 40 ° C. for 1 week, and the viscosity before and after being placed in the oven was measured to determine the rate of change in viscosity (%). At this time, when the viscosity change rate is 5% or less, the storage stability is good, and when it exceeds 5%, the storage stability is poor.
[耐光性の評価]
シリコン基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して絶縁膜を得た。得られた各絶縁膜に、UV照射装置(ウシオ社の「UVX−02516S1JS01」)にて130mWの照度で800,000J/m2照射した。照射前の膜厚に比較して、照射後の膜厚の膜減り量が3.5%以下である場合は絶縁膜の耐光性が良好であり、膜厚の膜減り量が3.5%未満である場合は絶縁膜の耐光性が不良であるといえる。
なお、耐光性の評価においては、形成する絶縁膜のパターニングは不要のため、現像工程は省略し、塗膜形成工程、耐光性試験及び加熱工程のみ行い評価を行った。
[Evaluation of light resistance]
A radiation sensitive resin composition was applied onto a silicon substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain an insulating film. Each insulating film obtained was irradiated with 800,000 J / m 2 at an illuminance of 130 mW by a UV irradiation apparatus (“UVX-02516S1JS01” manufactured by Ushio Inc.). When the film thickness after irradiation is 3.5% or less compared to the film thickness before irradiation, the light resistance of the insulating film is good, and the film thickness reduction is 3.5%. If it is less than that, it can be said that the light resistance of the insulating film is poor.
In the light resistance evaluation, since the patterning of the insulating film to be formed is unnecessary, the development process was omitted, and only the coating film forming process, the light resistance test, and the heating process were performed for evaluation.
[透過率の評価]
上記耐光性の評価と同様に、感放射線性樹脂組成物を用いてシリコン基板上に塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して絶縁膜を形成した。この絶縁膜について、波長400nmにおける透過率を、分光光度計(日立製作所社製の「150−20型ダブルビーム」)を用いて測定した。このとき、透過率が90%以上の場合は透明性が良好であるといえ、透過率が90%未満の場合は透明性が不良といえる。
[Evaluation of transmittance]
Similar to the light resistance evaluation, a coating film was formed on a silicon substrate using the radiation-sensitive resin composition. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to form an insulating film. About this insulating film, the transmittance | permeability in wavelength 400nm was measured using the spectrophotometer ("150-20 type double beam" by Hitachi, Ltd.). At this time, it can be said that the transparency is good when the transmittance is 90% or more, and the transparency is poor when the transmittance is less than 90%.
[パターンの密着性の評価]
パターンの密着性は、露光引き置き後に評価した。具体的には、まず、ガラス基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA(ghi線混合)」)を用い、10μmのライン・アンド・スペース(1対1)のパターンを有するマスクを介して、700(J/m2)の露光量で露光した。その後、1時間クリーンルーム内で放置し、その後0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において80秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥し、ガラス基板上にパターンを形成した。現像後の基板を光学顕微鏡で観察し、パターンの剥がれの有無を確認した。パターンの密着性の判断基準を以下に示す。
[Evaluation of pattern adhesion]
The adhesion of the pattern was evaluated after exposure. Specifically, first, a radiation sensitive resin composition is applied onto a glass substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. did. Subsequently, 700 (J / m 2 ) was passed through a mask having a 10 μm line-and-space (one-to-one) pattern using an exposure machine (“MPA-600FA (ghi line mixing)” manufactured by Canon Inc.). ). Thereafter, it was left in a clean room for 1 hour, and then developed with a 0.5 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 80 seconds. Next, running water was washed with ultrapure water for 1 minute, and then dried to form a pattern on the glass substrate. The substrate after development was observed with an optical microscope to confirm the presence or absence of pattern peeling. The criteria for determining pattern adhesion are shown below.
パターン剥がれがほとんど見られない場合:「○」
パターン剥がれがわずかに見られた場合:「△」
パターンが剥がれ、基板上にパターンがほとんど残っていない場合:「×」
When pattern peeling is hardly seen: “○”
When pattern peeling is slightly seen: “△”
When the pattern is peeled off and almost no pattern remains on the substrate: “×”
表2の結果から明らかなように、実施例1〜6の感放射線性樹脂組成物は、放射線感度、保存安定性、耐光性、透過率及びパターンの密着性に優れていた。これに対して、比較例1及び比較例2の感放射線性組成物は、放射線感度、保存安定性、耐光性、透過率及びパターンの密着性について良好な結果が得られなかった。 As is clear from the results in Table 2, the radiation-sensitive resin compositions of Examples 1 to 6 were excellent in radiation sensitivity, storage stability, light resistance, transmittance, and pattern adhesion. In contrast, the radiation-sensitive compositions of Comparative Examples 1 and 2 did not give good results with respect to radiation sensitivity, storage stability, light resistance, transmittance, and pattern adhesion.
本発明は、放射線感度等の一般的特性を十分に満足すると共に保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜、その形成方法、及び当該絶縁膜を備える表示素子を提供することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該絶縁膜、当該絶縁膜の形成方法及び当該表示素子は、液晶表示デバイス等の製造プロセスに好適に使用することができる。 The present invention provides a radiation-sensitive resin composition for forming an insulating film of a display element that sufficiently satisfies general characteristics such as radiation sensitivity, is excellent in storage stability, and can reduce poor adhesion of an insulating film. Can be provided. The present invention further provides a method for preparing the radiation-sensitive resin composition, an insulating film for a display element formed from the radiation-sensitive resin composition, a method for forming the same, and a display element including the insulating film. it can. Therefore, the radiation-sensitive resin composition, the method for preparing the radiation-sensitive resin composition, the insulating film, the method for forming the insulating film, and the display element are preferably used for manufacturing processes of liquid crystal display devices and the like. Can do.
Claims (9)
上記第1構造単位及び上記第2構造単位のうちの少なくとも上記第1構造単位と、上記第3構造単位とを有する第2重合体、並びに
感放射線性酸発生体を含有し、
上記第1重合体における上記第1構造単位と上記第2構造単位との合計モル数中の上記第2構造単位のモル割合である第1保護率と、上記第2重合体における上記モル割合である第2保護率との差が5モル%以上70モル%以下であり、
上記第3構造単位が、下記式(3)で表される表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
A second polymer having at least the first structural unit of the first structural unit and the second structural unit and the third structural unit, and a radiation-sensitive acid generator,
The first protection rate which is the molar ratio of the second structural unit in the total number of moles of the first structural unit and the second structural unit in the first polymer, and the molar ratio in the second polymer. Ri difference 5 mol% to 70 mol% der following there second protection rate,
The third structural unit, the insulating film-forming radiation sensitive resin composition of the represented Ru display device by the following formula (3).
式(2)中、R4〜R10は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基である。nは、1又は2である。nが2の場合、複数のR7及びR8は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。) The radiation-sensitive resin for forming an insulating film of a display element according to claim 1, wherein the structure in which the carboxyl group in the second structural unit is protected by a protective group is represented by the following formula (1) or the following formula (2). Composition.
In formula (2), R 4 to R 10 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. n is 1 or 2. When n is 2, the plurality of R 7 and R 8 may be the same or different. )
上記第1重合体における上記第1構造単位と上記第2構造単位との合計モル数中の上記第2構造単位のモル割合である第1保護率と、上記第2重合体における上記モル割合である第2保護率との差が5モル%以上70モル%以下であり、
上記第3構造単位が、下記式(3)で表される表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物の調製方法。
The first protection rate which is the molar ratio of the second structural unit in the total number of moles of the first structural unit and the second structural unit in the first polymer, and the molar ratio in the second polymer. Ri difference 5 mol% to 70 mol% der following there second protection rate,
Process for the preparation of the third structural unit, the insulating film-forming radiation sensitive resin composition of the display device you express the following formula (3).
上記塗膜の形成に請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を用いる表示素子の絶縁膜の形成方法。 Insulating film comprising a step of forming a coating film on a substrate, a step of irradiating at least a part of the coating film, a step of developing the coating film irradiated with radiation, and a step of heating the developed coating film A forming method of
The formation method of the insulating film of a display element using the radiation sensitive resin composition for insulating film formation of the display element of any one of Claims 1-5 for formation of the said coating film.
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