JP5867169B2 - Positive photosensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same - Google Patents

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Description

本発明はポジ型感光性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法に関する。   The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, an interlayer insulating film for display elements, and a method for forming the same.

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で表示素子用層間絶縁膜が設けられている。表示素子用層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、また得られる表示素子用層間絶縁膜に高度な平坦性が求められることからポジ型感光性樹脂組成物が幅広く使用されている。このようなポジ型感光性樹脂組成物には良好な感度及び保存安定性が求められ、また表示素子用層間絶縁膜には上記平坦性に加え、優れた耐光性、耐熱性等が求められる。   The display element is generally provided with a display element interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers. As a material for forming an interlayer insulating film for a display element, a positive photosensitive resin composition is used because the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and a high level of flatness is required for the obtained interlayer insulating film for a display element. Things are widely used. Such a positive photosensitive resin composition is required to have good sensitivity and storage stability, and an interlayer insulating film for a display element is required to have excellent light resistance, heat resistance and the like in addition to the above flatness.

このようなポジ型感光性樹脂組成物としては、アクリル系樹脂が広く採用されており、例えば、架橋剤、酸発生剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する組成物が知られている(特開2004−4669号公報参照)。上記アルカリ可溶性樹脂とは、保護基(アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用により解離し得る基)を有し、この保護基が露光により解離した後に現像液であるアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂をいう。また、他のポジ型感光性樹脂組成物としては、アセタール構造及び/又はケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂及び酸発生剤を含有するポジ型感光性樹脂組成物が提案されている(特開2004−264623号公報参照)。   As such a positive photosensitive resin composition, an acrylic resin is widely employed, and for example, a composition containing a crosslinking agent, an acid generator and an alkali-soluble resin is known (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-2004). No. 4669). The alkali-soluble resin has a protecting group (a group that is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and can be dissociated by the action of an acid). After the protective group is dissociated by exposure, the alkali aqueous resin is a developer. A resin that becomes soluble. As another positive photosensitive resin composition, there has been proposed a positive photosensitive resin composition containing an acetal structure and / or a ketal structure, a resin containing an epoxy group, and an acid generator (Japanese Patent Application Laid-Open (JP-A)). 2004-264623).

しかしながら、従来のポジ型感光性樹脂組成物を用いて表示素子用層間絶縁膜の形成を試みた場合、現像工程における未露光部の膜厚減少量が大きく、表示素子用層間絶縁膜の平坦性が損なわれたり、設計膜厚からのずれが生じる不都合がある。また、この不都合を回避するためには、現像時間を厳格に調整する必要があり、生産プロセスの非効率化につながる。   However, when an attempt is made to form an interlayer insulating film for a display element using a conventional positive photosensitive resin composition, the amount of decrease in the film thickness of the unexposed portion in the development process is large, and the flatness of the interlayer insulating film for the display element Are disadvantageous, and there is a disadvantage that a deviation from the designed film thickness occurs. Moreover, in order to avoid this inconvenience, it is necessary to strictly adjust the development time, which leads to inefficiency of the production process.

このような状況に鑑み、良好な感度及び保存安定性を有するポジ型感光性樹脂組成物、並びに優れた耐光性及び耐熱性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量が少ない表示素子用層間絶縁膜の開発が望まれている。   In view of such a situation, a positive photosensitive resin composition having good sensitivity and storage stability, and a display element having a small amount of change in film thickness of an unexposed portion with respect to development time in addition to excellent light resistance and heat resistance. Development of an interlayer insulating film for use is desired.

特開2004−4669号公報JP 2004-4669 A 特開2004−264623号公報JP 2004-264623 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量が少ないポジ型感光性樹脂組成物、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made based on the circumstances as described above, and in addition to good sensitivity and storage stability, a positive photosensitive resin composition having a small amount of change in the thickness of an unexposed portion with respect to development time, excellent Another object is to provide an interlayer insulating film for display elements having light resistance and heat resistance, and a method for forming the same.

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)、及び1以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する構造単位(II)を含む共重合体(以下、「[A]共重合体」とも称する)、
[B]下記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物(以下、「[B]化合物」とも称する)、
[C]ラジカル捕捉剤、並びに
[D]溶媒
を含有するポジ型感光性樹脂組成物である。

Figure 0005867169
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(Rで表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。Rは、それぞれ独立してアルキル基である。また、RとRとが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Rで表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。)
Figure 0005867169
(式(2)中、Rは、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。) The invention made to solve the above problems is
[A] a copolymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and a structural unit (II) having one or more (meth) acryloyloxy groups (hereinafter referred to as “[A] Also referred to as "copolymer"),
[B] A compound having an oxime sulfonate group represented by the following formula (2) (hereinafter also referred to as “[B] compound”),
[C] A positive photosensitive resin composition containing a radical scavenger and [D] a solvent.
Figure 0005867169
(In formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, provided that the hydrogen atom of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group is A part or all of them may be substituted, and R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms, and R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or —M ( R 4 ) is a group represented by 3. M is Si, Ge or Sn, each R 4 is independently an alkyl group, and R 1 and R 3 are linked to form a cyclic group. An ether structure may be formed, provided that a part or all of the hydrogen atoms of these groups represented by R 3 may be substituted.)
Figure 0005867169
(In formula (2), R 5 is a linear, branched or cyclic alkyl group or aryl group, provided that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group and aryl group are substituted. May be.)

構造単位(I)が有する上記式(1)で表される基は、酸の存在下で解離して極性基を生じる基(酸解離性基)として存在しているので、放射線の照射により[B]化合物から生じた酸により解離し、その結果アルカリ不溶性であった[A]共重合体はアルカリ可溶性となる。また、[A]共重合体が上記特定構造を有する構造単位(II)を含むことで、分子鎖間で架橋構造を形成し、良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量を抑制できると共に、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜の形成を可能とする。さらに、当該ポジ型感光性樹脂組成物が含有する[C]ラジカル捕捉剤は、露光若しくは加熱により発生したラジカル、又は酸化によって生成した過酸化物の分解ができ重合体分子の結合の解裂を防止することができる成分である。その結果、当該ポジ型感光性樹脂組成物は膜厚変化量をより抑制できる。   The group represented by the above formula (1) in the structural unit (I) exists as a group (acid dissociable group) that dissociates in the presence of an acid to generate a polar group. B] The [A] copolymer which is dissociated by the acid generated from the compound and is consequently insoluble in alkali becomes alkali-soluble. In addition, the [A] copolymer contains the structural unit (II) having the above specific structure, thereby forming a crosslinked structure between the molecular chains. In addition to good sensitivity and storage stability, the unexposed area with respect to the development time. The amount of change in film thickness can be suppressed, and an interlayer insulating film for display elements having excellent light resistance and heat resistance can be formed. Furthermore, the [C] radical scavenger contained in the positive photosensitive resin composition can decompose radicals generated by exposure or heating, or peroxide generated by oxidation, and cleave bond of polymer molecules. It is a component that can be prevented. As a result, the positive photosensitive resin composition can further suppress the change in film thickness.

上記式(1)で表される基において、上記RとRとが連結して環状エーテル構造を形成していることが好ましい。また、上記式(1)で表される基は、下記式(1−1)で表される基であることが好ましい。

Figure 0005867169
In the group represented by the above formula (1), it is preferable that R 1 and R 3 are linked to form a cyclic ether structure. Moreover, it is preferable that group represented by the said Formula (1) is group represented by following formula (1-1).
Figure 0005867169

上記式(1)で表される基を上記特定環構造とすることで、現像液に対して疎水性が高くなり、膜厚減少量をより抑制できる。   By making the group represented by the formula (1) into the specific ring structure, the hydrophobicity becomes higher with respect to the developer, and the film thickness reduction can be further suppressed.

[A]共重合体における構造単位(II)の含有率は、5モル%以上60モル%以下であることが好ましい。[A]共重合体が構造単位(II)を上記特定含有率で含むことにより、分子鎖間の架橋構造がより促進され、結果としてより良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量をより抑制できると共に、より優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜の形成を可能とする。   [A] The content of the structural unit (II) in the copolymer is preferably 5 mol% or more and 60 mol% or less. [A] When the copolymer contains the structural unit (II) at the above-mentioned specific content, the cross-linked structure between the molecular chains is further promoted, and as a result, in addition to better sensitivity and storage stability, the undeveloped relative to the development time. An amount of change in the film thickness of the exposed portion can be further suppressed, and an interlayer insulating film for a display element having more excellent light resistance and heat resistance can be formed.

構造単位(II)は、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有することが好ましい。構造単位(II)が、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有することでより良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量をより抑制でき、さらに、コンタクトホールの形状安定性についてもより向上することができる。また、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜の形成を可能とする。   The structural unit (II) preferably has two or more (meth) acryloyloxy groups. The structural unit (II) has two or more (meth) acryloyloxy groups, and in addition to better sensitivity and storage stability, the amount of change in the film thickness of the unexposed area with respect to the development time can be further suppressed. The shape stability of the hole can be further improved. In addition, it is possible to form an interlayer insulating film for a display element having excellent light resistance and heat resistance.

[D]溶媒は、ケトン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類及びプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類からなる群より選択される少なくとも1種の溶媒であることが好ましい。上記特定溶媒を選択することで、大型基板をスピンレス法で塗布する場合等に、塗膜面の塗布ムラを抑制できる。   [D] The solvent is preferably at least one solvent selected from the group consisting of ketones, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers and propylene glycol monoalkyl ether acetates. By selecting the specific solvent, it is possible to suppress coating unevenness on the coating surface when a large substrate is applied by a spinless method.

当該ポジ型感光性樹脂組成物は、[E]分子中に2以上のエポキシ基を有する化合物(以下、「[E]エポキシ化合物」とも称する)をさらに含有することが好ましい。当該ポジ型感光性樹脂組成物が、[E]エポキシ化合物をさらに含有することで、当該ポジ型感光性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜の耐光性及び耐熱性をより向上することができる。   The positive photosensitive resin composition preferably further contains a compound having two or more epoxy groups in the [E] molecule (hereinafter also referred to as “[E] epoxy compound”). When the positive photosensitive resin composition further contains an [E] epoxy compound, the light resistance and heat resistance of the interlayer insulating film for display elements formed from the positive photosensitive resin composition are further improved. be able to.

当該ポジ型感光性樹脂組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感光性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。   The positive photosensitive resin composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for display elements. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed from the positive photosensitive resin composition.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
(1) The process of forming the coating film of the said positive type photosensitive resin composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.

当該形成方法によると、優れた耐光性及び耐熱性に加え、コンタクトホール径の安定性が高い表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、現像時間に対する未露光部の膜厚減少量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to the formation method, an interlayer insulating film for a display element having high contact hole diameter stability in addition to excellent light resistance and heat resistance can be formed. Moreover, since the amount of decrease in the film thickness of the unexposed portion with respect to the development time can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development and heating utilizing photosensitivity. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

以上説明したように、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量を抑制でき、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜を提供することができる。また、コンタクトホール径の安定性を向上することができる。膜厚減少量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   As described above, the positive photosensitive resin composition of the present invention can suppress the change in the film thickness of the unexposed part with respect to the development time, in addition to good sensitivity and storage stability, and has excellent light resistance and heat resistance. An interlayer insulating film for a display element having the above can be provided. In addition, the stability of the contact hole diameter can be improved. Since the film thickness reduction amount can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development and heating utilizing photosensitivity. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

<ポジ型感光性樹脂組成物>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、[A]共重合体、[B]化合物、[C]ラジカル捕捉剤及び[D]溶媒を含有する。また、当該ポジ型感光性樹脂組成物は好適成分として、[E]エポキシ化合物を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。
<Positive photosensitive resin composition>
The positive photosensitive resin composition of the present invention contains a [A] copolymer, a [B] compound, a [C] radical scavenger and a [D] solvent. Moreover, the positive photosensitive resin composition may contain an [E] epoxy compound as a suitable component. Furthermore, other optional components may be contained as long as the effects of the present invention are not impaired. Hereinafter, each component will be described in detail.

<[A]共重合体>
[A]共重合体は、上記式(1)で表される基を有する構造単位(I)、及び1以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する構造単位(II)を含む共重合体である。また、[A]共重合体は本発明の効果を損なわない範囲において、その他の構造単位を含んでいてもよい。なお、[A]共重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。
<[A] Copolymer>
[A] The copolymer is a copolymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the above formula (1) and a structural unit (II) having one or more (meth) acryloyloxy groups. . Further, the [A] copolymer may contain other structural units as long as the effects of the present invention are not impaired. In addition, the [A] copolymer may contain 2 or more types of each structural unit. Hereinafter, each structural unit will be described in detail.

[構造単位(I)]
構造単位(I)は、上記式(1)で表される基を有する。上記式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(Rで表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。Rは、それぞれ独立してアルキル基である。また、RとRとが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Rで表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。
[Structural unit (I)]
The structural unit (I) has a group represented by the above formula (1). In said formula (1), R < 1 > and R < 2 > are respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the said alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group have may be substituted. Further, there is no case where R 1 and R 2 are both hydrogen atoms. R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or a group represented by —M (R 4 ) 3 . This M is Si, Ge, or Sn. R 4 is each independently an alkyl group. R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether structure. However, one part or all part of the hydrogen atom which these groups represented by R < 3 > have may be substituted.

上記R及びRで表されるアルキル基としては、例えば炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include linear and branched alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms. Examples of the linear and branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, and an n-octyl group. , N-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group and other linear alkyl groups, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group And a branched alkyl group such as.

上記R及びRで表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3〜20のシクロアルキル基は、多環でもよい。上記炭素数3〜20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms. Moreover, this C3-C20 cycloalkyl group may be polycyclic. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

上記R及びRで表されるアリール基としては、例えば炭素数6〜14のアリール基等が挙げられる。上記炭素数6〜14のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数6〜14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。 Examples of the aryl group represented by R 1 and R 2 include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. The aryl group having 6 to 14 carbon atoms may be a single ring, a structure in which single rings are connected, or a condensed ring. Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group and a naphthyl group.

上記R及びRで表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基(例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等)、アリール基(例えばフェニル基、ナフチル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1〜20のアルコキシ基等)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i−ブチリル基等の炭素数2〜20のアシル基等)、アシロキシ基(例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t−ブチリルオキシ基、t−アミリルオキシ基等の炭素数2〜10のアシロキシ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基)、ハロアルキル基(例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等)等が挙げられる。 Examples of the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cyclo group. An alkyl group (eg, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group) , An ethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group, an octyloxy group and the like, and an acyl group (for example, an acetyl group and a propionyl group). , Butyryl group, i-butyryl group and the like having 2 to 20 carbon atoms A siloxy group), an acyloxy group (for example, an acetoxy group, an ethylyloxy group, a butyryloxy group, a t-butyryloxy group, a t-amylyloxy group, etc., an acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (for example, a methoxycarbonyl group) C2-C20 alkoxycarbonyl groups such as ethoxycarbonyl group and propoxycarbonyl group), haloalkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group) , N-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group and the like linear alkyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group Alkyl groups such as branched alkyl groups such as 3-hexyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, A group in which part or all of the hydrogen atoms of a cycloalkyl group such as a cyclopentyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group are substituted with a halogen atom).

上記R及びRで表されるアルキル基、並びにRで表されるシクロアルキル基及びアリール基としては、例えば上記R及びRで例示した基が適用できる。これらの基の置換基としては、例えば上記R及びRで表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記Rで表されるアラルキル基としては、例えば炭素数7〜20のアラルキル基等が挙げられる。上記炭素数7〜20のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。 As the alkyl group represented by R 3 and R 4 , and the cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 , for example, the groups exemplified above for R 1 and R 2 can be applied. As the substituent for these groups, for example, the groups exemplified as the substituents for the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 can be applied. Examples of the aralkyl group represented by R 3 include an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms. Examples of the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.

上記RとRとが連結して形成してもよい環状エーテル構造を有する基としては、例えば2,2−オキセタンジイル基、2,2−テトラヒドロフランジイル基、2−テトラヒドロピランジイル基、2−ジオキサンジイル基等が挙げられる。 Examples of the group having a cyclic ether structure that may be formed by linking R 1 and R 3 include 2,2-oxetanediyl group, 2,2-tetrahydrofurandiyl group, 2-tetrahydropyrandiyl group, 2 -A dioxane diyl group etc. are mentioned.

上記R及びRは、上記RとRとが連結して環状エーテル構造を形成していることが好ましい。また、上記式(1)で表される基は、上記式(1−1)で表される基であることが好ましい。上記式(1)で表される基を上記特定環構造とすることで、現像液に対して疎水性が高くなり、膜厚減少量をより抑制できる。 In the above R 1 and R 3 , R 1 and R 3 are preferably linked to form a cyclic ether structure. Moreover, it is preferable that group represented by the said Formula (1) is group represented by the said Formula (1-1). By making the group represented by the formula (1) into the specific ring structure, the hydrophobicity becomes higher with respect to the developer, and the film thickness reduction can be further suppressed.

構造単位(I)としては、例えば下記式(1−2)〜(1−4)で表される構造単位等が挙げられる。   Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (1-2) to (1-4).

Figure 0005867169
Figure 0005867169

上記式(1−2)〜(1−4)中、R’は、水素原子又はメチル基である。R、R及びRは、上記式(1)と同義である。 In the above formulas (1-2) to (1-4), R ′ is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 , R 2 and R 3 have the same meaning as in the above formula (1).

上記式(1−2)〜(1−4)で表される構造単位(I)を与える単量体としては、例えばメタクリル酸1−エトキシエチル、メタクリル酸1−メトキシエチル、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル、メタクリル酸1−イソブトキシエチル、メタクリル酸1−t−ブトキシエチル、メタクリル酸1−(2−クロルエトキシ)エチル、メタクリル酸1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチル、メタクリル酸1−n−プロポキシエチル、メタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル、メタクリル酸1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチル、メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル、メタクリル酸2−テトラヒドロピラニル、アクリル酸1−エトキシエチル、アクリル酸1−メトキシエチル、アクリル酸1−n−ブトキシエチル、アクリル酸1−イソブトキシエチル、アクリル酸1−t−ブトキシエチル、アクリル酸1−(2−クロルエトキシ)エチル、アクリル酸1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチル、アクリル酸1−n−プロポキシエチル、アクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル、アクリル酸1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチル、アクリル酸1−ベンジルオキシエチル、アクリル酸2−テトラヒドロピラニル、2,3−ジ(1−(トリメチルシラニルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリメチルゲルミルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−メトキシエトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロヘキシルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(ベンジルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、p又はm−1−エトキシエトキシスチレン、p又はm−1−メトキシエトキシスチレン、p又はm−1−n−ブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−イソブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−クロルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−エチルヘキシルオキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p又はm−1−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm−1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−ベンジルオキシエトキシスチレン等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。   Examples of the monomer that gives the structural unit (I) represented by the above formulas (1-2) to (1-4) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n methacrylate. -Butoxyethyl, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n methacrylate -Propoxyethyl, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, acrylic acid 1 -Methoxyethyl, 1-n-butoxyethyl acrylate, acrylic 1-isobutoxyethyl, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl acrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, acrylic acid 1-cyclohexyloxyethyl, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate, 2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) Carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3 -Di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbol 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n- Butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- (1,1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m -1- (2-ethylhexyloxy) ethoxystyrene, p or m-1-n-propoxyethoxystyrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1-benzyloxyethoxystyrene and the like. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

これらのうち構造単位(I)を与える単量体としては、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル、メタクリル酸2−テトラヒドロピラニルが好ましい。   Among these, as the monomer giving the structural unit (I), 1-n-butoxyethyl methacrylate and 2-tetrahydropyranyl methacrylate are preferable.

構造単位(I)を与える単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式(1−2)で表される構造単位(I)を与える単量体は、下記式に示すように(メタ)アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。   As the monomer that gives the structural unit (I), a commercially available monomer may be used, or a monomer synthesized by a known method may be used. For example, the monomer that gives the structural unit (I) represented by the above formula (1-2) is synthesized by reacting (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown in the following formula. can do.

Figure 0005867169
Figure 0005867169

上記式中、R’、R及びRは、上記式(1−2)と同義である。R21及びR22は、−CH(R21)(R22)として、上記式(1−2)におけるRと同義である。 In the above formulas, R ', R 1 and R 3 is as defined in the above formula (1-2). R 21 and R 22 are the same as R 2 in the above formula (1-2) as —CH (R 21 ) (R 22 ).

[A]共重合体における構造単位(I)の含有率としては、[A]共重合体に含まれる全構造単位に対して、10質量%〜70質量%が好ましく、20質量%〜60質量%がより好ましい。   [A] As a content rate of structural unit (I) in a copolymer, 10 mass%-70 mass% are preferable with respect to all the structural units contained in [A] copolymer, and 20 mass%-60 mass%. % Is more preferable.

[構造単位(II)]
構造単位(II)としては、1以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有していれば特に限定されない。
[Structural unit (II)]
The structural unit (II) is not particularly limited as long as it has one or more (meth) acryloyloxy groups.

[A]共重合体に構造単位(II)を導入する方法としては、例えば1分子中に少なくとも1の水酸基を有する不飽和化合物を含む単量体の共重合体(以下、「[A1]共重合体」とも称する)に、不飽和イソシアネート化合物を反応させる方法等が挙げられる。   [A] As a method for introducing the structural unit (II) into the copolymer, for example, a copolymer of a monomer containing an unsaturated compound having at least one hydroxyl group in one molecule (hereinafter referred to as “[A1] copolymer”). And a method of reacting an unsaturated isocyanate compound.

[A1]共重合体の合成に用いられる単量体(以下、「単量体(A1)」とも称する)としては、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、(メタ)アクリル酸ジヒドロキシアルキルエステル、(メタ)アクリル酸(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)アルキルエステル等が挙げられる。   [A1] Monomers (hereinafter also referred to as “monomer (A1)”) used for the synthesis of the copolymer include (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester, (meth) acrylic acid dihydroxyalkyl ester, ( And (meth) acrylic acid (6-hydroxyhexanoyloxy) alkyl ester.

上記(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピルエステル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸ジヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸2,3−ジヒドロキシプロピルエステル、(メタ)アクリル酸1,3−ジヒドロキシプロピルエステル、(メタ)アクリル酸3,4−ジヒドロキシブチルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)アルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸2−(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)エチルエステル、(メタ)アクリル酸3−(6−ヒドロキシヘキサノイルオキシ)プロピルエステル等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester include (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl ester, (meth) acrylic acid 3-hydroxypropyl ester, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl ester, and the like. Examples of the (meth) acrylic acid dihydroxyalkyl ester include (meth) acrylic acid 2,3-dihydroxypropyl ester, (meth) acrylic acid 1,3-dihydroxypropyl ester, and (meth) acrylic acid 3,4-dihydroxybutyl ester. Examples include esters. Examples of the (meth) acrylic acid (6-hydroxyhexanoyloxy) alkyl ester include (meth) acrylic acid 2- (6-hydroxyhexanoyloxy) ethyl ester and (meth) acrylic acid 3- (6-hydroxyhexa). Noyloxy) propyl ester and the like.

これらの単量体(A1)のうち、共重合反応性及びイソシアネート化合物との反応性の観点から、アクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸3−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸2,3−ジヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸2,3−ジヒドロキシプロピルエステルが好ましい。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。   Among these monomers (A1), from the viewpoint of copolymerization reactivity and reactivity with an isocyanate compound, acrylic acid 2-hydroxyethyl ester, acrylic acid 3-hydroxypropyl ester, acrylic acid 4-hydroxybutyl ester, Methacrylic acid 2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid 3-hydroxypropyl ester, methacrylic acid 4-hydroxybutyl ester, acrylic acid 2,3-dihydroxypropyl ester, and methacrylic acid 2,3-dihydroxypropyl ester are preferred. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

上記のようにして得られた[A1]共重合体は、重合反応溶液のまま[A]共重合体の合成に供してもよく、[A1]共重合体を一旦溶液から分離したうえで[A]共重合体の合成に供してもよい。   The [A1] copolymer obtained as described above may be used for the synthesis of the [A] copolymer in the polymerization reaction solution, and after the [A1] copolymer is once separated from the solution, A] You may use for the synthesis | combination of a copolymer.

不飽和イソシアネート化合物としては、例えば(メタ)アクリル酸のイソシアネート基含有誘導体等が挙げられる。不飽和イソシアネート化合物としては、例えば2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、4−(メタ)アクリロイルオキシブチルイソシアネート、(メタ)アクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチル、1,1−(ビス(メタ)アクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート等が挙げられる。なお、不飽和イソシアネート化合物は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。   Examples of the unsaturated isocyanate compound include an isocyanate group-containing derivative of (meth) acrylic acid. Examples of the unsaturated isocyanate compound include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, 4- (meth) acryloyloxybutyl isocyanate, 2- (2-isocyanatoethoxy) ethyl (meth) acrylate, 1,1- (bis ( And (meth) acryloyloxymethyl) ethyl isocyanate. In addition, an unsaturated isocyanate compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

不飽和イソシアネート化合物の市販品としては、例えば2−アクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズAOI(昭和電工製)、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズMOI(昭和電工製)、メタクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチルの市販品としてカレンズMOI−EG(昭和電工製)、1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネートの市販品としてカレンズBEI(昭和電工製)等が挙げられる。   Examples of commercially available unsaturated isocyanate compounds include Karenz AOI (manufactured by Showa Denko) as a commercial product of 2-acryloyloxyethyl isocyanate, Karenz MOI (manufactured by Showa Denko) as a commercial product of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and methacrylic acid 2 As a commercially available product of-(2-isocyanatoethoxy) ethyl, Karenz MOI-EG (manufactured by Showa Denko), and as a commercially available product of 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate, Karenz BEI (manufactured by Showa Denko) and the like can be mentioned.

これらの不飽和イソシアネート化合物のうち、[A1]共重合体との反応性の観点から、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、4−メタクリロイルオキシブチルイソシアネートまたはメタクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチル、1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネートが好ましい。   Among these unsaturated isocyanate compounds, from the viewpoint of reactivity with the [A1] copolymer, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 4-methacryloyloxybutyl isocyanate or methacrylic acid 2- (2 -Isocyanatoethoxy) ethyl, 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate is preferred.

[A1]共重合体と不飽和イソシアネート化合物との反応は、必要に応じて適当な触媒の存在下において、好ましくは重合禁止剤を含む[A1]共重合体の溶液に、室温又は加温下で、攪拌しつつ不飽和イソシアネート化合物を投入することによって実施することができる。   [A1] The reaction between the copolymer and the unsaturated isocyanate compound is carried out in the presence of a suitable catalyst, if necessary, in a solution of [A1] copolymer, preferably containing a polymerization inhibitor, at room temperature or under heating. Therefore, it can be carried out by adding the unsaturated isocyanate compound while stirring.

上記触媒としては、例えばジラウリン酸ジ−n−ブチルすず(IV)等が挙げられる。上記重合禁止剤としては、例えばp−メトキシフェノール等が挙げられる。   Examples of the catalyst include di-n-butyltin (IV) dilaurate. Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol.

[A]共重合体に構造単位(II)を導入する他の方法としては、例えば1分子中に少なくとも1のカルボキシル基を有する不飽和化合物を含む単量体の共重合体(以下、「[A2]共重合体」とも称する)にビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物を反応させる方法等が挙げられる。   [A] As another method for introducing the structural unit (II) into the copolymer, for example, a copolymer of a monomer containing an unsaturated compound having at least one carboxyl group in one molecule (hereinafter referred to as “[ A2] copolymer ”is also reacted with a compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group.

[A2]共重合体の合成方法としては、材料の入手及び合成が容易な観点から、例えば、カルボキシル基含有単量体(以下、「単量体(A2)」とも称する)を重合する方法等が挙げられる。   [A2] As a method for synthesizing the copolymer, for example, a method of polymerizing a carboxyl group-containing monomer (hereinafter, also referred to as “monomer (A2)”) from the viewpoint of easy acquisition and synthesis of materials. Is mentioned.

単量体(A2)としては、例えば(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、マレイン酸モノエステル、イタコン酸モノエステル等が挙げられる。これらのうち(メタ)アクリル酸が好ましい。   Examples of the monomer (A2) include (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, maleic acid monoester, itaconic acid monoester and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferred.

ビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば下記式(4)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group include a compound represented by the following formula (4).

Figure 0005867169
Figure 0005867169

上記式(4)中、Rは、水素原子又はメチル基である。Rは、2価の連結基である。Rは、水素原子又は1価の有機基である。 In the formula (4), R 6 is a hydrogen atom or a methyl group. R 7 is a divalent linking group. R 8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.

上記Rで表される2価の連結基としては、例えば、炭素数2〜18の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜20のアルコキシアルキレン基、炭素数2〜8のハロゲン化アルキレン基、末端水酸基を除くポリエチレングリコール骨格、末端水酸基を除くポリプロピレングリコール骨格、末端水酸基を除くポリブチレングリコール骨格、アリール基等が挙げられる。上記Rで表される1価の有機基としては、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜11の置換されていてもよい芳香族基等が挙げられる。 Examples of the divalent linking group represented by R 7 include a linear, branched, or cyclic alkylene group having 2 to 18 carbon atoms, an alkoxyalkylene group having 2 to 20 carbon atoms, and 2 to 8 carbon atoms. A halogenated alkylene group, a polyethylene glycol skeleton excluding a terminal hydroxyl group, a polypropylene glycol skeleton excluding a terminal hydroxyl group, a polybutylene glycol skeleton excluding a terminal hydroxyl group, and an aryl group. Examples of the monovalent organic group represented by R 8 include a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an optionally substituted aromatic group having 6 to 11 carbon atoms. Is mentioned.

上記式(4)で表されるビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば(メタ)アクリル酸2−ビニロキシエチル、(メタ)アクリル酸3−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸1−メチル−2−ビニロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ビニロキシブチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−3−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸1−ビニロキシメチルプロピル、(メタ)アクリル酸2−メチル−3−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸1,1−ジメチル−2−ビニロキシエチル、(メタ)アクリル酸3−ビニロキシブチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−2−ビニロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ビニロキシブチル、(メタ)アクリル酸4−ビニロキシシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸6−ビニロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸4−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸3−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸2−ビニロキシメチルシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸p−ビニロキシメチルフェニルメチル、(メタ)アクリル酸m−ビニロキシメチルフェニルメチル、(メタ)アクリル酸o−ビニロキシメチルフェニルメチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシイソプロポキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシイソプロポキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシエトキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ)プロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシイソプロポキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシエトキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシイソプロポキシイソプロポキシ)イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸2−(イソプロペノキシエトキシエトキシエトキシエトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコールモノビニルエーテル、(メタ)アクリル酸ポリプロピレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。なお、これらのビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物は単独又は2種以上を使用することができる。   Examples of the compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group represented by the above formula (4) include 2-vinyloxyethyl (meth) acrylate, 3-vinyloxypropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. 1-methyl-2-vinyloxyethyl, 2-vinyloxypropyl (meth) acrylate, 4-vinyloxybutyl (meth) acrylate, 1-methyl-3-vinyloxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 1- Vinyloxymethylpropyl, 2-methyl-3-vinyloxypropyl (meth) acrylate, 1,1-dimethyl-2-vinyloxyethyl (meth) acrylate, 3-vinyloxybutyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 1 -Methyl-2-vinyloxypropyl, 2-vinyloxybutyl (meth) acrylate, ( T) 4-vinyloxycyclohexyl acrylate, 6-vinyloxyhexyl (meth) acrylate, 4-vinyloxymethylcyclohexylmethyl (meth) acrylate, 3-vinyloxymethylcyclohexylmethyl (meth) acrylate, (meth) 2-vinyloxymethylcyclohexylmethyl acrylate, p-vinyloxymethylphenylmethyl (meth) acrylate, m-vinyloxymethylphenylmethyl (meth) acrylate, o-vinyloxymethylphenylmethyl (meth) acrylate, ( 2- (vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyisopropoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyethoxy) propyl (meth) acrylate, 2- (meth) acrylic acid 2- ( Vinyloxyethoxy) isopropyl, (meth) acryl 2- (vinyloxyisopropoxy) propyl acid, 2- (vinyloxyisopropoxy) isopropyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyl) (meth) acrylate Loxyethoxyisopropoxy) ethyl, 2- (vinyloxyisopropoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxyisopropoxyisopropoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (vinyloxy) (meth) acrylate Ethoxyethoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyisopropoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyisopropoxyethoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyisopropoxyiso) Propoxy) propyl, (meth) acrylic acid 2- (Vinyloxyethoxyethoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyisopropoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyisopropoxyethoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxy) Isopropoxyisopropoxy) isopropyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyethoxyethoxyethoxy) ethyl, (meth) acrylic acid 2- (vinyloxyethoxyethoxyethoxyethoxy) ethyl, (meth) acrylic acid 2- (isopropeno) Xyloxy) ethyl, 2- (isopropenoxyethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (isopropenoxyethoxyethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 2- (isopropenoxyethoxy) (meth) acrylate Ethoxye Kishietokishi) ethyl, (meth) Polyethylene glycol monovinyl ether acrylate, and (meth) acrylic acid polypropylene glycol monovinyl ether. In addition, the compound which has these vinyl ether groups and (meth) acryloyloxy group can be used individually or in mixture of 2 or more types.

これらのビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物のうち、上記式(4)で表される化合物が好ましく、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルがより好ましい。なお、(メタ)アクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルの市販品としては、例えばアクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルとしてのVEEA、メタクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチルとしてのVEEM(以上、日本触媒製)等が挙げられる。   Of these compounds having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group, a compound represented by the above formula (4) is preferable, and 2- (vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate is more preferable. As commercially available products of 2- (vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, for example, VEEA as 2- (vinyloxyethoxy) ethyl acrylate, VEEM as 2- (vinyloxyethoxy) ethyl methacrylate ( As mentioned above, the product made from Nippon Shokubai etc. is mentioned.

[A2]共重合体と、ビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物との付加反応としては特に限定されず、反応系中に添加することで実施できる。上記付加反応においては、[A2]共重合体自体が触媒となるため、無触媒で反応を行うことができるが、触媒を併用することも可能である。   [A2] The addition reaction between the copolymer and the compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group is not particularly limited, and can be carried out by adding it to the reaction system. In the above addition reaction, since the [A2] copolymer itself becomes a catalyst, the reaction can be carried out without a catalyst, but a catalyst can also be used in combination.

[A]共重合体に構造単位(II)を導入する他の方法としては、例えば単量体としての多官能(メタ)アクリレートを用いて、構造単位(I)等を与える単量体と共に共重合させる方法等が挙げられる。   [A] As another method for introducing the structural unit (II) into the copolymer, for example, a polyfunctional (meth) acrylate as a monomer is used together with a monomer that gives the structural unit (I) and the like. Examples include a polymerization method.

多官能(メタ)アクリレートとしては、例えばエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジイルジメチレンジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルの両末端(メタ)アクリル酸付加物、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ポリエステルジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性水添ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性水添ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、フェノールノボラックポリグリシジルエーテルの(メタ)アクリレート等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。   Examples of polyfunctional (meth) acrylates include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, dicyclopentenyl di (meth) acrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol Cyclodecanediyldimethylene di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, caprolactone-modified tris (2-hydroxyethyl) isocyanate Nurate tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propylene Oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, neopentylglycol di (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether both-end (meth) acrylic acid adduct, 1,4-butane Diol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, polyester di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, caprolactone modified Pentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, ethylene oxide modified bisphenol A di (meth) acrylate, propylene oxide modified bisphenol A di (meth) acrylate, ethylene oxide Examples include modified hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, propylene oxide modified hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, ethylene oxide modified bisphenol F di (meth) acrylate, and (meth) acrylate of phenol novolac polyglycidyl ether. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

多官能(メタ)アクリレートの市販品としては、例えばSA1002(三菱化学製)、ビスコート195、同230、同260、同215、同310、同214HP、同295、同300、同360、同GPT、同400、同700、同540、同3000、同3700(以上、大阪有機化学工業製)、カヤラッドR−526、HDDA、NPGDA、TPGDA、MANDA、R−551、R−712、R−604、R−684、PET−30、GPO−303、TMPTA、THE−330、DPHA、DPHA−2H、DPHA−2C、DPHA−2I、D−310、D−330、DPCA−20、DPCA−30、DPCA−60、DPCA−120、DN−0075、DN−2475、T−1420、T−2020、T−2040、TPA−320、TPA−330、RP−1040、RP−2040、R−011、R−300、R−205(以上、日本化薬製)、アロニックスM−210、同M−220、同M−233、同M−240、同M−215、同M−305、同M−309、同M−310、同M−315、同M−325、同M−400、同M−6200、同M−6400(以上、東亞合成製)、ライトアクリレートBP−4EA、同BP−4PA、同BP−2EA、同BP−2PA、DCP−A(以上、共栄社化学製)、ニューフロンティアBPE−4、BR−42M、GX−8345(以上、第一工業製薬製)、ASF−400(新日鐵化学製)、リポキシSP−1506、同SP−1507、同SP−1509、同SP−4010、同SP−4060、VR−77、(以上、昭和高分子製)、NKエステルA−BPE−4(新中村化学工業製)等が挙げられる。   Examples of commercially available products of polyfunctional (meth) acrylate include SA1002 (Mitsubishi Chemical), Biscoat 195, 230, 260, 215, 310, 214HP, 295, 300, 360, GPT, 400, 700, 540, 3000, 3700 (made by Osaka Organic Chemical Industry), Kayarad R-526, HDDA, NPGDA, TPGDA, MANDA, R-551, R-712, R-604, R -684, PET-30, GPO-303, TMPTA, THE-330, DPHA, DPHA-2H, DPHA-2C, DPHA-2I, D-310, D-330, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60 , DPCA-120, DN-0075, DN-2475, T-1420, T-2020, T-2040 TPA-320, TPA-330, RP-1040, RP-2040, R-011, R-300, R-205 (above, manufactured by Nippon Kayaku), Aronix M-210, M-220, M-233 M-240, M-215, M-305, M-309, M-310, M-315, M-315, M-325, M-400, M-6200, M-6400 (Above, manufactured by Toagosei), light acrylate BP-4EA, BP-4PA, BP-2EA, BP-2PA, DCP-A (above, manufactured by Kyoeisha Chemical), New Frontier BPE-4, BR-42M, GX-8345 (above, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku), ASF-400 (manufactured by Nippon Steel Chemical), lipoxy SP-1506, SP-1507, SP-1509, SP-4010, SP-4060, V-40 -77, (manufactured by Showa Kobunshi), NK ester A-BPE-4 (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).

これらの多官能(メタ)アクリレートのうち、分子中に2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物、分子中に3以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物が好ましい。分子中に2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレートがより好ましい。分子中に3以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えばトリ(メタ)アクリレート化合物、テトラ(メタ)アクリレート化合物、ペンタ(メタ)アクリレート化合物、ヘキサ(メタ)アクリレート化合物等が挙げられる。これらの3以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物のうち、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレートが好ましい。   Of these polyfunctional (meth) acrylates, compounds having two or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule and compounds having three or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule are preferred. As a compound having two or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule, diethylene glycol di (meth) acrylate is more preferable. Examples of the compound having 3 or more (meth) acryloyloxy groups in the molecule include tri (meth) acrylate compounds, tetra (meth) acrylate compounds, penta (meth) acrylate compounds, hexa (meth) acrylate compounds, and the like. . Among these compounds having three or more (meth) acryloyloxy groups, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (Meth) acrylate and ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate are preferred.

[A]共重合体における構造単位(II)の含有率としては[A]共重合体に含まれる全構造単位に対して、5モル%以上60モル%以下が好ましい。[A]共重合体が構造単位(II)を上記特定含有率で含むことにより、分子鎖間の架橋構造がより促進され、結果としてより良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量をより抑制できると共に、より優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜の形成を可能とする。   [A] The content of the structural unit (II) in the copolymer is preferably 5 mol% or more and 60 mol% or less with respect to all the structural units contained in the [A] copolymer. [A] When the copolymer contains the structural unit (II) at the above-mentioned specific content, the cross-linked structure between the molecular chains is further promoted, and as a result, in addition to better sensitivity and storage stability, the undeveloped relative to the development time. An amount of change in the film thickness of the exposed portion can be further suppressed, and an interlayer insulating film for a display element having more excellent light resistance and heat resistance can be formed.

構造単位(II)は、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有することが好ましい。構造単位(II)が、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有することでより良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量をより抑制でき、さらに、コンタクトホールの形状安定性についてもより向上することができる。また、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜の形成を可能とする。   The structural unit (II) preferably has two or more (meth) acryloyloxy groups. The structural unit (II) has two or more (meth) acryloyloxy groups, and in addition to better sensitivity and storage stability, the amount of change in the film thickness of the unexposed area with respect to the development time can be further suppressed. The shape stability of the hole can be further improved. In addition, it is possible to form an interlayer insulating film for a display element having excellent light resistance and heat resistance.

[その他の構造単位]
[A]共重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位(I)及び構造単位(II)以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。
[Other structural units]
[A] The copolymer may contain other structural units other than the structural unit (I) and the structural unit (II) as long as the effects of the present invention are not impaired.

その他の構造単位を与える単量体としては、例えば(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、(メタ)アクリル酸アラルキルエステル、不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル、ビニル芳香族化合物、共役ジエン化合物、その他の不飽和化合物等が挙げられる。   Examples of other structural unit-providing monomers include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, and (meth) acrylic acid aralkyl. Examples include esters, unsaturated dicarboxylic acid dialkyl esters, vinyl aromatic compounds, conjugated diene compounds, and other unsaturated compounds.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸sec−ブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、(メタ)アクリル酸2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、(メタ)アクリル酸イソボロニル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えばアクリル酸フェニル等が挙げられる。(メタ)アクリル酸アラルキルエステルとしては、例えば(メタ)アクリル酸ベンジル等が挙げられる。不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステルとしては、例えばマレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル等が挙げられる。ビニル芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン等が挙げられる。共役ジエン化合物としては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン等が挙げられる。その他の不飽和化合物としては、例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。 Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic sec. -Butyl, (meth) acrylic acid t-butyl etc. are mentioned. Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, and tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- (meth) acrylate. Examples include 8-yl, 2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxy) ethyl (meth) acrylate, and isobornyl (meth) acrylate. Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl acrylate. Examples of (meth) acrylic acid aralkyl esters include benzyl (meth) acrylate. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester include diethyl maleate and diethyl fumarate. Examples of the vinyl aromatic compound include styrene and α-methylstyrene. Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene and isoprene. Examples of other unsaturated compounds include acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, and methacrylamide. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

これらの単量体のうち、共重合反応性の観点から、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸メチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、スチレン、p−メトキシスチレン、1,3−ブタジエンが好ましい。 Among these monomers, from the viewpoint of copolymerization reactivity, (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, n-butyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, benzyl methacrylate, tricyclomethacrylate [ 5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, styrene, p-methoxystyrene and 1,3-butadiene are preferred.

[A]共重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。[A]共重合体のMwを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感光性樹脂組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 [A] The polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) by gel permeation chromatography (GPC) of the copolymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably 5.0 ×. 10 3 to 5.0 × 10 4 . [A] By making Mw of a copolymer into the said specific range, the sensitivity and alkali developability of the said positive type photosensitive resin composition can be improved.

[A]共重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)としては、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。[A]共重合体のMnを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 [A] The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the copolymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably 5.0 × 10 3 to 5.0 ×. 10 is four. [A] By making Mn of a copolymer into the said specific range, the cure reactivity at the time of hardening of the coating film of the said positive type photosensitive resin composition can be improved.

[A]共重合体の分子量分布(Mw/Mn)としては、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]共重合体のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。   [A] The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the copolymer is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. [A] By setting Mw / Mn of the copolymer to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film for display elements can be improved.

なお、本明細書のMw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。
装置:GPC−101(昭和電工製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
In addition, Mw and Mn of this specification were measured by GPC under the following conditions.
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

[A]共重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合等により合成できる。[A]共重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該ポジ型感光性樹脂組成物の構成成分である[D]溶媒の項において例示する溶媒が適用できる。   [A] The copolymer can be synthesized by radical copolymerization of monomers giving the above structural units. [A] As the solvent used in the polymerization reaction of the copolymer, for example, the solvents exemplified in the section of [D] solvent, which is a constituent component of the positive photosensitive resin composition described later, can be applied.

重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素等が挙げられる。   As the polymerization initiator used in the polymerization reaction, those generally known as radical polymerization initiators can be used. For example, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- ( 2,4-Dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate); benzoyl Organic peroxides such as peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; hydrogen peroxide and the like.

[A]共重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。   [A] In the polymerization reaction of the copolymer, a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, and thioglycolic acid; Xanthogens such as xanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene, α-methylstyrene dimer and the like.

<[B]化合物>
[B]化合物は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該ポジ型感光性樹脂組成物が[B]化合物を含むことで、当該ポジ型感光性樹脂組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。[B]化合物の当該ポジ型感光性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物の形態でも、[A]共重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
<[B] Compound>
The compound [B] is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. When the positive photosensitive resin composition contains the [B] compound, the positive photosensitive resin composition can exhibit positive radiation sensitive characteristics. [B] As the form of inclusion of the compound in the positive-type photosensitive resin composition, the form of the acid generating group incorporated as part of [A] copolymer or other polymer, even in the form of the compound as described below It may be in the form or both forms.

[B]化合物としては、上記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物であれば特に限定されない。上記式(2)中、Rは、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。 [B] The compound is not particularly limited as long as it is a compound having an oxime sulfonate group represented by the above formula (2). In the above formula (2), R 5 is a linear, branched or cyclic alkyl group or aryl group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the said alkyl group and aryl group have may be substituted.

上記Rで表される直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記Rで表されるアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 The linear, branched or cyclic alkyl group represented by R 5 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be substituted. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl. And an alicyclic group containing a bridged alicyclic group such as a group. A preferred alicyclic group is a bicycloalkyl group. The aryl group represented by R 5 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group may be substituted, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

上記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式(3)で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。   Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (2) include an oxime sulfonate compound represented by the following formula (3).

Figure 0005867169
Figure 0005867169

上記式(3)中、Rは、上記式(2)と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。mは、0〜3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。 In the above formula (3), R 5 is as defined in the above formula (2). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. However, when there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.

上記Xで表され得るアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0又は1が好ましい。上記式(3)においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。   The alkyl group that can be represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. As m, 0 or 1 is preferable. In the above formula (3), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

上記(3)で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式(3−1)〜(3−5)でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。   Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above (3) include compounds represented by the following formulas (3-1) to (3-5).

Figure 0005867169
Figure 0005867169

上記化合物(3−1)〜(3−5)は、それぞれ(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリルであり、市販品として入手できる。   The compounds (3-1) to (3-5) are respectively represented by (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H). -Thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H -Thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile and (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile, which are commercially available.

[B]化合物としては、上記式(3)で表される化合物が好ましく、市販品として入手可能な、上記式(3−1)〜(3−5)で表される化合物がより好ましい。   [B] As the compound, a compound represented by the above formula (3) is preferable, and compounds represented by the above formulas (3-1) to (3-5) which are available as commercial products are more preferable.

当該ポジ型感光性樹脂組成物における[B]化合物の含有量としては、[B]化合物が化合物の形態である場合として、[A]共重合体100質量部に対して、好ましくは0.1質量部〜10質量部、より好ましくは1質量部〜5質量部である。[B]化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感光性樹脂組成物の感度を最適化し、透明性を維持しつつ耐光性及び耐熱性に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成できる。   The content of the [B] compound in the positive photosensitive resin composition is preferably 0.1 with respect to 100 parts by mass of the [A] copolymer, when the [B] compound is in the form of a compound. It is 10 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 5 parts by mass. [B] By adjusting the content of the compound within the above specific range, the sensitivity of the positive photosensitive resin composition is optimized, and while maintaining transparency, an interlayer insulating film for a display element having excellent light resistance and heat resistance is provided. Can be formed.

なお、[B]化合物としては、上記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等をさらに含有してもよい。なお、これらの[B]化合物は単独又は2種類以上を使用することができる。   In addition, as the compound [B], in addition to the compound having an oxime sulfonate group represented by the above formula (2), an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, and a diazomethane compound as long as the effects of the present invention are not impaired. , Sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, carboxylic acid ester compounds and the like may be further contained. In addition, these [B] compounds can be used individually or in combination of 2 or more types.

オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。アルキルスルホニウム塩としては、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。   Examples of the onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, and tetrahydrothiophenium salt. Examples of the diphenyliodonium salt include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyliodonium. Butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate Bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluorome Sulphonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, etc. . Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium. And butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate. Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like. Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate and the like can be mentioned. Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenyl. Methylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenyl Examples include methylsulfonium hexafluorophosphate. Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, and dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium. Hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl- Examples include 4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate. Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3- Examples include chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate. Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, and 3- (p-methoxybenzyl). ) Benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like. Examples of tetrahydrothiophenium salts include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane. Sulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1 , 2,2-Tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo) [2.2.1] Heptan-2-yl) -1,1, , 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl ) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and the like.

スルホンイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる   Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy). ) Succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N -(2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenyl monomer Imido, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) Diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (nonafluorobutane Sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Pto-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-en-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5 -Ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenyl) Sulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyl) Ruoxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluoro Phenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 , 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-di Ruboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2 , 3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (Phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (butylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarbo Xylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, and the like.

ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。   Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.

ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。   Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, and bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane. Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane Etc.

スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。   Examples of the sulfone compounds include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, diaryldisulfone compounds, and the like.

スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。   Examples of the sulfonate compound include alkyl sulfonate, haloalkyl sulfonate, aryl sulfonate, and imino sulfonate.

カルボン酸エステル化合物としては、例えばカルボン酸o−ニトロベンジルエステル等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid ester compound include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.

<[C]ラジカル捕捉剤>
[C]ラジカル捕捉剤は、当該ポジ型感光性樹脂組成物において露光若しくは加熱により発生したラジカル、又は酸化によって生成した過酸化物の分解ができ重合体分子の結合の解裂を防止することができる成分である。その結果、当該ポジ型感光性樹脂組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜は、当該ポジ型感光性樹脂組成物は膜厚変化量をより抑制できる。
<[C] radical scavenger>
[C] The radical scavenger can decompose radicals generated by exposure or heating in the positive-type photosensitive resin composition or peroxide generated by oxidation, and can prevent the cleavage of the bond of the polymer molecule. It is a possible ingredient. As a result, in the interlayer insulating film for display elements obtained from the positive photosensitive resin composition, the positive photosensitive resin composition can further suppress the change in film thickness.

[C]ラジカル捕捉剤としては、例えばヒンダードフェノール構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物、アルキルホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物等が挙げられる。   Examples of the [C] radical scavenger include compounds having a hindered phenol structure, compounds having a hindered amine structure, compounds having an alkyl phosphite structure, and compounds having a thioether structure.

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)、3,3’,3’,5’,5’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス[(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリン)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミン)フェノール等が挙げられる。   Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylenebis [3- (3,5-di-). tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy Benzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N′-hexane-1,6 -Diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 3,3 , 3 ′, 5 ′, 5′-hexa-tert-butyl-a, a ′, a ′-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) ) -O-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate, hexamethylene Bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-xylin) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio) -1,3 5-to Azine-2-ylamine) phenol, and the like.

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物の市販品としては、例えばアデカスタブAO−20、同AO−30、同AO−40、同AO−50、同AO−60、同AO−70、同AO−80、同AO−330(以上、ADEKA製)、sumilizerGM、同GS、同MDP−S、同BBM−S、同WX−R、同GA−80(以上、住友化学製)、IRGANOX1010、同1035、同1076、同1098、同1135、同1330、同1726、同1425WL、同1520L、同245、同259、同3114、同565、IRGAMOD295(以上、チバジャパン製)、ヨシノックスBHT、同BB、同2246G、同425、同250、同930、同SS、同TT、同917、同314(以上、エーピーアイコーポレーション製)等が挙げられる。   As a commercial item of the compound having the hindered phenol structure, for example, ADK STAB AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO-70, AO-80, AO-330 (above, manufactured by ADEKA), Sumizer GM, GS, MDP-S, BBM-S, WX-R, GA-80 (above, manufactured by Sumitomo Chemical), IRGANOX 1010, 1035, 1076 1098, 1135, 1330, 1726, 1425 WL, 1520L, 245, 259, 3114, 565, IRGAMOD295 (above, manufactured by Ciba Japan), Yoshinox BHT, BB, 2246G, 425, 250, 930, SS, TT, 917, 314 (above, API Corporation) Deployment, Ltd.), and the like.

上記ヒンダードアミン構造を有する化合物としては、例えば2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)スクシネート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−オクトキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−ベンジルオキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−シクロヘキシルオキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−ブチルマロネート、ビス(1−アクロイル−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)2,2−ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−ブチルマロネート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)デカンジオエート、2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジルメタクリレート、4−[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]−1−[2−(3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル]−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、2−メチル−2−(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)アミノ−N−(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)プロピオンアミド、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート等が挙げられる。   Examples of the compound having a hindered amine structure include 2,6-di-t-butyl-4-cresol, bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, and bis (2,2,6). , 6-Tetramethyl-4-piperidyl) succinate, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-octoxy-2,2,6,6-tetramethyl-4) -Piperidyl) sebacate, bis (N-benzyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-cyclohexyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) ) Sebacate, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) 2- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-buty Malonate, bis (1-acryloyl-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) 2,2-bis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-butylmalonate Bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) decanedioate, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate, 4- [3- (3,5-di -T-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy] -1- [2- (3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy) ethyl] -2,2,6 6-tetramethylpiperidine, 2-methyl-2- (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) amino-N- (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) propionamide , Tet Kiss (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate, tetrakis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) 1, 2,3,4-butanetetracarboxylate and the like.

上記ヒンダードアミン構造を有する化合物の市販品としては、例えばアデカスタブLA−52、同LA57、同LA−62、同LA−67、同LA−63P、同LA−68LD、同LA−77、同LA−82、同LA−87(以上、ADEKA製)、sumilizer9A(住友化学製)、CHIMASSORB119FL、同2020FDL、同944FDL、TINUVIN622LD、同144、同765、同770DF(チバジャパン製)等が挙げられる。   Examples of commercially available compounds having the hindered amine structure include ADK STAB LA-52, LA57, LA-62, LA-67, LA-63P, LA-68LD, LA-77, and LA-82. LA-87 (manufactured by ADEKA), sumilizer 9A (manufactured by Sumitomo Chemical), CHIMASSORB119FL, 2020FDL, 944FDL, TINUVIN622LD, 144, 765, and 770DF (manufactured by Ciba Japan).

上記アルキルホスファイト構造を有する化合物としては、例えばトリス(ノニルフェニル)ホスファイト、トリス(p−tert−オクチルフェニル)ホスファイト、トリス〔2,4,6−トリス(α−フェニルエチル)〕ホスファイト、トリス(p−2−ブテニルフェニル)ホスファイト、ビス(p−ノニルフェニル)シクロヘキシルホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、ジ(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリストールジホスファイト、2,2’−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチル−1−フェニルオキシ)(2−エチルヘキシルオキシ)ホスホラス、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、4,4’−イソプロピリデ−ジフェノールアルキルホスファイト、テトラトリデシル−4,4’−ブチリデン−ビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)ジホスファイト、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンホスファイト、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェニルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト、2,6−tert−ブチル−4−メチルフェニルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト、2,6−ジ−tert−ブチル−4−エチルフェニルステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、ジ(2,6−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、2,6−ジ−tert−アミル−4−メチルフェニルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト等が挙げられる。   Examples of the compound having an alkyl phosphite structure include tris (nonylphenyl) phosphite, tris (p-tert-octylphenyl) phosphite, tris [2,4,6-tris (α-phenylethyl)] phosphite. , Tris (p-2-butenylphenyl) phosphite, bis (p-nonylphenyl) cyclohexyl phosphite, tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, di (2,4-di-tert) -Butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, 2,2'-methylenebis (4,6-di-t-butyl-1-phenyloxy) (2-ethylhexyloxy) phosphorus, distearylpentaerythritol diphosphite, 4 , 4'-Isopropylide-diphenol alkyl phosphite Tetratridecyl-4,4′-butylidene-bis (3-methyl-6-tert-butylphenol) diphosphite, tetrakis (2,4-di-tert-butylphenyl) -4,4′-biphenylenephosphite, 2, 6-di-tert-butyl-4-methylphenylphenylpentaerythritol diphosphite, 2,6-tert-butyl-4-methylphenylphenylpentaerythritol diphosphite, 2,6-di-tert-butyl-4- Ethylphenylstearyl pentaerythritol diphosphite, di (2,6-tert-butyl-4-methylphenyl) pentaerythritol diphosphite, 2,6-di-tert-amyl-4-methylphenylphenylpentaerythritol diphosphite Etc.

アルキルホスファイト構造を有する化合物の市販品としては、例えばアデカスタブPEP−4C、同PEP−8、同PEP−8W、同PEP−24G、同PEP−36、同HP−10、同2112、同260、同522A、同1178、同1500、同C、同135A、同3010、同TPP(以上、ADEKA製)、IRGAFOS168(チバジャパン製)等が挙げられる。   Examples of commercially available compounds having an alkyl phosphite structure include, for example, ADK STAB PEP-4C, PEP-8, PEP-8W, PEP-24G, PEP-36, HP-10, 2112, 260, 522A, 1178, 1500, C, 135A, 3010, TPP (manufactured by ADEKA), IRGAFOS168 (manufactured by Ciba Japan), and the like.

上記チオエーテル構造を有する化合物としては、例えばジラウリルチオジプロピオネート、ジトリデシルチオジプロピオネート、ジミリスチルチオジプロピオネート、ジステアリルチオジプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス(3−ラウリルチオプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−オクタデシルチオプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−ミリスチルチオプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−ステアリルチオプロピオネート)等が挙げられる   Examples of the compound having a thioether structure include dilauryl thiodipropionate, ditridecyl thiodipropionate, dimyristyl thiodipropionate, distearyl thiodipropionate, pentaerythritol tetrakis (3-lauryl thiopropionate). , Pentaerythritol tetrakis (3-octadecylthiopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-myristylthiopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-stearylthiopropionate) and the like.

チオエーテル構造を有する化合物の市販品としては、例えばアデカスタブAO−412S、同AO−503(以上、ADEKA製)、sumilizerTPL−R、同TPM、同TPS、同TP−D、同MB(以上、住友化学製)、IRGANOXPS800FD、同802FD(以上、チバジャパン製)、DLTP、DSTP、DMTP、DTTP(以上、エーピーアイコーポレーション製)等が挙げられる。   Examples of commercially available compounds having a thioether structure include ADK STAB AO-412S, AO-503 (above, manufactured by ADEKA), Sumitizer TPL-R, TPM, TPS, TTP-D, MB (above, Sumitomo Chemical). Product), IRGANOXPS800FD, 802FD (manufactured by Ciba Japan), DLTP, DSTP, DMTP, DTTP (manufactured by API Corporation) and the like.

これらの[C]ラジカル捕捉剤のうち、ヒンダードフェノール構造を有する化合物が好ましく、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾールがより好ましい。   Of these [C] radical scavengers, compounds having a hindered phenol structure are preferred, and pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3, 5-Trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene and 2,6-di-t-butyl-4-cresol are more preferable.

これらの化合物は、単独又は2種以上を使用することができる。当該ポジ型感光性樹脂組成物において、[C]ラジカル捕捉剤の含有量としては、[A]共重合体100質量部に対して、好ましくは0.1質量部以上10質量部以下、より好ましくは0.2質量部以上5質量部以下である。[C]ラジカル捕捉剤の含有量を上記特定範囲内とすることで、当該ポジ型感光性樹脂組成物は膜厚変化量をより抑制できる。   These compounds can be used alone or in combination of two or more. In the positive photosensitive resin composition, the content of the [C] radical scavenger is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass of the [A] copolymer. Is 0.2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less. [C] By making content of a radical scavenger into the said specific range, the said positive type photosensitive resin composition can suppress a film thickness change amount more.

<[D]溶媒>
[D]溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。[D]溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独又は2種以上を使用することができる。
<[D] solvent>
[D] As the solvent, a solvent in which each component is uniformly dissolved or dispersed and does not react with each component is preferably used. [D] Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate. , Aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters. In addition, these solvents can be used alone or in combination of two or more.

アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等が挙げられる。   Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.

エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。   Examples of ethers include tetrahydrofuran.

グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。   Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.

エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。   Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetates include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。   Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。   Examples of propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like. .

芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。   Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene.

ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等が挙げられる。   Examples of ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like.

他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。   Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, hydroxy Methyl acetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate Methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, Methyl ropoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3-methyl Butyl xylpropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples include propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、ケトン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類及びプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類からなる群より選択される少なくとも1種の溶媒が好ましく、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトンがより好ましい。上記特定溶媒を選択することで、大型基板をスピンレス法で塗布する場合等に、塗膜面の塗布ムラを抑制できる。   Among these solvents, at least one solvent selected from the group consisting of ketones, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, and propylene glycol monoalkyl ether acetates is preferable, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol Monomethyl ether acetate and methyl isobutyl ketone are more preferable. By selecting the specific solvent, it is possible to suppress coating unevenness on the coating surface when a large substrate is applied by a spinless method.

<[E]エポキシ化合物>
当該ポジ型感光性樹脂組成物は、好適成分として[E]エポキシ化合物をさらに含有することが好ましい。当該ポジ型感光性樹脂組成物が、[E]エポキシ化合物をさらに含有することで、当該ポジ型感光性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜の耐光性及び耐熱性をより向上することができる。
<[E] epoxy compound>
The positive photosensitive resin composition preferably further contains an [E] epoxy compound as a suitable component. When the positive photosensitive resin composition further contains an [E] epoxy compound, the light resistance and heat resistance of the interlayer insulating film for display elements formed from the positive photosensitive resin composition are further improved. be able to.

[E]エポキシ化合物としては、分子中に2以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に限定されない。なお、本明細書にいうエポキシ基とは、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)及びオキセタニル基(1,3−エポキシ構造)を含む概念である。   [E] The epoxy compound is not particularly limited as long as it is a compound having two or more epoxy groups in the molecule. In addition, the epoxy group referred to in the present specification is a concept including an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure).

オキシラニル基を有する[E]エポキシ化合物としては、例えば
ビスフェノールAジグリシジルエーテル(4,4’−イソプロピリデンジフェノールと1−クロロ−2,3−エポキシプロパンとの重縮合物)、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールFジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールADジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールFジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールSジグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物のジグリシジルエーテル;
1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル;
エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等の脂肪族多価アルコールに1種又は2種以上のアルキレンオキサイドを付加することにより得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル;
フェノールノボラック型エポキシ樹脂;
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂;
ポリフェノール型エポキシ樹脂;
環状脂肪族エポキシ樹脂;
脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステル;
高級脂肪酸のグリシジルエステル;
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油等が挙げられる。
Examples of the [E] epoxy compound having an oxiranyl group include bisphenol A diglycidyl ether (polycondensate of 4,4′-isopropylidenediphenol and 1-chloro-2,3-epoxypropane), bisphenol F diglycidyl. Ether, bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol AD diglycidyl ether, brominated bisphenol A diglycidyl ether, brominated bisphenol F diglycidyl ether, brominated Diglycidyl ethers of bisphenol compounds such as bisphenol S diglycidyl ether;
Polyhydric alcohols such as 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, and polypropylene glycol diglycidyl ether Glycidyl ether;
Polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by adding one or more alkylene oxides to aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin;
Phenol novolac type epoxy resin;
Cresol novolac type epoxy resin;
Polyphenol type epoxy resin;
Cycloaliphatic epoxy resin;
Diglycidyl esters of aliphatic long-chain dibasic acids;
Glycidyl esters of higher fatty acids;
Examples include epoxidized soybean oil and epoxidized linseed oil.

オキセタニル基を有する[E]エポキシ化合物としては、例えば1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、ビス{[1−エチル(3−オキセタニル)]メチル}エーテル、ビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル等が挙げられる。   Examples of the [E] epoxy compound having an oxetanyl group include 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, bis {[1-ethyl (3-oxetanyl)] methyl} ether, bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether and the like.

その他、分子中に2以上の3,4−エポキシシクロヘキシル基を有する化合物としては、例えば3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル−5,5−スピロ−3,4−エポキシ)シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル−3’,4’−エポキシ−6’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)エーテル、エチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、ラクトン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等が挙げられる。   Other compounds having two or more 3,4-epoxycyclohexyl groups in the molecule include, for example, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl). -5,5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane-meta-dioxane, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 3,4 -Epoxy-6-methylcyclohexyl-3 ', 4'-epoxy-6'-methylcyclohexanecarboxylate, methylenebis (3,4-epoxycyclohexane), dicyclopentadiene diepoxide, di (3,4-epoxy) of ethylene glycol (Cyclohexylmethyl) A Le, ethylenebis (3,4-epoxycyclohexane carboxylate), lactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexane carboxylate and the like.

[E]エポキシ化合物の市販品としては、例えばエピコート1001、同1002、同1003、同1004、同1007、同1009、同1010、同828(以上、ジャパンエポキシレジン製)等のビスフェノールA型エポキシ樹脂;エピコート807(ジャパンエポキシレジン製)等のビスフェノールF型エポキシ樹脂;エピコート152、同154、同157S65(以上、ジャパンエポキシレジン製)、EPPN201、同202(以上、日本化薬製)等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂;EOCN102、同103S、同104S、1020、1025、1027(以上、日本化薬製)、エピコート180S75(ジャパンエポキシレジン製)等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂;
エピコート1032H60、同XY−4000(以上、ジャパンエポキシレジン製)等のポリフェノール型エポキシ樹脂;CY−175、同177、同179、アラルダイトCY−182、同192、184(以上、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製)、ERL−4234、4299、4221、4206(以上、U.C.C製)、ショーダイン509(昭和電工製)、エピクロン200、同400(以上、大日本インキ製)、エピコート871、同872(以上、ジャパンエポキシレジン製)、ED−5661、同5662(以上、セラニーズコーティング製)等の環状脂肪族エポキシ樹脂;エポライト100MF(共栄社化学製)、エピオールTMP(日本油脂製)、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、ビス{[1−エチル(3−オキセタニル)]メチル}エーテル等の脂肪族ポリグリシジルエーテル等が挙げられる。
[E] Commercially available epoxy compounds include, for example, bisphenol A type epoxy resins such as Epicoat 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, and 828 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin). Bisphenol F type epoxy resin such as Epicoat 807 (made by Japan Epoxy Resin); phenol novolak such as Epicoat 152, 154, 157S65 (above, made by Japan Epoxy Resin), EPPN201, 202 (above, made by Nippon Kayaku) Type epoxy resin; cresol novolak type epoxy resin such as EOCN102, 103S, 104S, 1020, 1025, 1027 (manufactured by Nippon Kayaku), Epicoat 180S75 (manufactured by Japan Epoxy Resin);
Polyphenol type epoxy resins such as Epicoat 1032H60, XY-4000 (above, Japan Epoxy Resin); CY-175, 177, 179, Araldite CY-182, 192, 184 (above, made by Ciba Specialty Chemicals) ), ERL-4234, 4299, 4221, 4206 (above, manufactured by UCC), Shodyne 509 (made by Showa Denko), Epicron 200, 400 (above, manufactured by Dainippon Ink), Epicoat 871, 872 (Above, made by Japan Epoxy Resin), cyclic aliphatic epoxy resins such as ED-5661, 5862 (above, made by Celanese coating); Epolite 100MF (made by Kyoeisha Chemical), Epiol TMP (made by Nippon Oil & Fats), 1, 4 -Bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl ] Benzene, bis {[1-ethyl (3-oxetanyl)] methyl} and aliphatic polyglycidyl ethers such as ether.

これらの[E]エポキシ化合物のうち、ビスフェノールAジグリシジルエーテル(4,4’−イソプロピリデンジフェノールと1−クロロ−2,3−エポキシプロパンの重縮合物)、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、ビス{[1−エチル(3−オキセタニル)]メチル}エーテル、ビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートが好ましい。   Among these [E] epoxy compounds, bisphenol A diglycidyl ether (polycondensate of 4,4′-isopropylidenediphenol and 1-chloro-2,3-epoxypropane), bisphenol F diglycidyl ether, phenol novolak Type epoxy resin, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, bis {[1-ethyl (3-oxetanyl)] methyl} ether, bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ) Ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate is preferred.

[E]エポキシ化合物は、単独又は2種以上を使用することができる。当該ポジ型感光性樹脂組成物における[E]エポキシ化合物の含有量としては、[A]共重合体100質量部に対して、好ましくは0.5質量部〜50質量部であり、より好ましくは1質量部〜30質量部である。[E]エポキシ化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、表示素子用層間絶縁膜の耐光性及び耐熱性をより向上することできる。   [E] Epoxy compounds may be used alone or in combination of two or more. As content of the [E] epoxy compound in the said positive photosensitive resin composition, Preferably it is 0.5 mass part-50 mass parts with respect to 100 mass parts of [A] copolymers, More preferably 1 part by mass to 30 parts by mass. [E] By making content of an epoxy compound into the said specific range, the light resistance and heat resistance of the interlayer insulation film for display elements can be improved more.

<その他の任意成分>
当該ポジ型感光性樹脂組成物は、上記[A]〜[E]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて[F]塩基性化合物、[G]界面活性剤、キノンジアジド化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。これらのその他の任意成分は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。以下、各成分を詳述する。
<Other optional components>
In addition to the above-mentioned components [A] to [E], the positive photosensitive resin composition includes [F] basic compound, [G] surfactant, quinonediazide as necessary as long as the effects of the present invention are not impaired. You may contain other arbitrary components, such as a compound. These other optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.

<[F]塩基性化合物>
当該ポジ型感光性樹脂組成物が、[F]塩基性化合物を含有することで、露光により[B]化合物から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。[F]塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。
<[F] Basic compound>
When the positive photosensitive resin composition contains the [F] basic compound, the diffusion length of the acid generated from the [B] compound by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability can be improved. . [F] The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists, such as aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and carboxylic acid quaternary ammoniums. Examples include salts.

脂肪族アミンとしては、例えばトリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。   Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, dicyclohexylamine, Examples include dicyclohexylmethylamine.

芳香族アミンとしては、例えばアニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。   Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えばピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7ウンデセン等が挙げられる。   Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4 -Dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, pyrazole , Pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7undecene Etc.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, and tetra-n-hexylammonium hydroxide.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

これらの[F]塩基性化合物のうち、複素環式アミンが好ましく、4−ジメチルアミノピリジン、4−メチルイミダゾール、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネンがより好ましい。   Of these [F] basic compounds, heterocyclic amines are preferable, and 4-dimethylaminopyridine, 4-methylimidazole, and 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene are more preferable.

当該ポジ型感光性樹脂組成物における[F]塩基性化合物の含有量としては、[A]共重合体100質量部に対して0.001質量部〜1質量部が好ましく、0.005質量部〜0.2質量部がより好ましい。[F]塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。   As content of the [F] basic compound in the said positive photosensitive resin composition, 0.001 mass part-1 mass part are preferable with respect to 100 mass parts of [A] copolymers, 0.005 mass part -0.2 mass part is more preferable. [F] By making content of a basic compound into the said specific range, pattern developability improves more.

<[G]界面活性剤>
[G]界面活性剤は、当該ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。[G]界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。当該ポジ型感光性樹脂組成物が、[G]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。
<[G] Surfactant>
[G] The surfactant can further improve the film-forming property of the positive photosensitive resin composition. [G] Examples of the surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. When the positive photosensitive resin composition contains the [G] surfactant, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the thickness uniformity of the interlayer insulating film for display elements formed can be further improved. It can be improved.

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(1,1,2,2−テトラフルオロn−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、パーフルオロn−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10−デカフルオロn−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。   As the fluorosurfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group at at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable. For example, 1,1,2,2-tetrafluoro n- Octyl (1,1,2,2-tetrafluoro n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2 , 3,3-hexafluoro n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3) -Hexafluoro n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, Sodium fluoro n-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro n-decane, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro n- Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkylbetaine, fluoroalkylpolyoxyethylene ether, Fluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, carboxylic acid fluoroalkyl ester and the like can be mentioned.

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476(以上、大日本インキ化学工業製)、フロラードFC−170C、同FC−171、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145、同S−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子製)、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、新秋田化成製)、フタージェントFT−100、同FT−110、同FT−140A、同FT−150、同FT−250、同FT−251、同FT−300、同FT−310、同FT−400S、同FTX−218、同FT−251(以上、ネオス製)等が挙げられる。   Examples of commercially available fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM CHEMIE), MegaFuck F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471. F476 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-105, SC-106 (and above) Asahi Glass Co., Ltd.), F-top EF301, EF303, EF352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei), Footent FT-100, FT-110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, FT-310, FT-400S, FTX-218, FT-251 (above, Neos), etc. Is mentioned.

シリコーン系界面活性剤としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH−190、同SH−193、同SZ−6032、同SF−8428、同DC−57、同DC−190、SH 8400 FLUID(以上、東レダウコーニングシリコーン製)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業製)等が挙げられる。   Examples of the silicone-based surfactant include Torre Silicone DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, and SF-8428. DC-57, DC-190, SH 8400 FLUID (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4252 (above, GE Toshiba Silicone), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.

当該ポジ型感光性樹脂組成物における[G]界面活性剤の含有量としては、[A]共重合体100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下であり、より好ましくは0.05質量部以上1質量部以下である。[G]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで塗膜の膜厚均一性をより向上できる。   As content of [G] surfactant in the said positive photosensitive resin composition, Preferably it is 0.01 mass part or more and 2 mass parts or less with respect to 100 mass parts of [A] copolymers, and more. Preferably they are 0.05 mass part or more and 1 mass part or less. [G] The film thickness uniformity of a coating film can be improved more by making content of surfactant into the said specific range.

<キノンジアジド化合物>
キノンジアジド化合物は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」とも称する)と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
<Quinonediazide compound>
A quinonediazide compound is a compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with radiation. As the quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核等が挙げられる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとしては、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。その他の母核として、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。   Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone. Examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 , 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone, and the like. Examples of pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone. Examples of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone. Examples of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxy). Phenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-) 4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl) -4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiy Den -5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl -7,2 ', 4'-trihydroxy flavan like. Examples of other mother nucleus include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4- Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4, 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene and 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene.

これらの母核のうち、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。   Among these mother nuclei, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドが好ましい。   As the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride is preferable. Examples of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferred.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物としては、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物が好ましい。   As a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound and 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid Condensate with chloride, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride A condensate with is preferred.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30モル%〜85モル%、より好ましくは50モル%〜70モル%に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。   In the condensation reaction of a phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, preferably 30 mol% to 85 mol based on the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide corresponding to mol%, more preferably 50 mol% to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.

また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド等も好適に使用される。   Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, such as 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used.

<ポジ型感光性樹脂組成物の調製方法>
当該ポジ型感光性樹脂組成物は、[D]溶媒に[A]共重合体、[B]化合物、[C]ラジカル捕捉剤、必要に応じて好適成分及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば[D]溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該ポジ型感光性樹脂組成物を調製できる。
<Preparation method of positive photosensitive resin composition>
The positive photosensitive resin composition is obtained by mixing the [D] solvent with the [A] copolymer, the [B] compound, the [C] radical scavenger, and a suitable component and other optional components as necessary. Prepared in a dissolved or dispersed state. For example, the positive photosensitive resin composition can be prepared by mixing each component at a predetermined ratio in the solvent [D].

<表示素子用層間絶縁膜の形成方法>
当該ポジ型感光性樹脂組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感光性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。
<Method for forming interlayer insulating film for display element>
The positive photosensitive resin composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for display elements. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed from the positive photosensitive resin composition.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
(1) The process of forming the coating film of the said positive type photosensitive resin composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.

当該形成方法によると、優れた耐光性及び耐熱性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量が少ない表示素子用層間絶縁膜を形成できる。さらには、コンタクトホール径の安定性も向上できる。また、膜厚減少量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to this forming method, in addition to excellent light resistance and heat resistance, it is possible to form an interlayer insulating film for a display element with a small amount of change in film thickness of an unexposed portion with respect to development time. Furthermore, the stability of the contact hole diameter can be improved. Further, since the amount of film thickness reduction can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development and heating utilizing photosensitivity. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

[工程(1)]
本工程では、当該ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去する。
[Step (1)]
In this step, the positive photosensitive resin composition is applied onto a substrate to form a coating film. Preferably, the solvent is removed by prebaking the coated surface.

基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70℃〜120℃、1分〜10分間程度とすることができる。   Examples of the substrate include glass, quartz, silicone, and resin. Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and a hydrogenated product thereof. As prebaking conditions, although it changes also with kinds, compounding ratios, etc. of each component, it can be set as 70 degreeC-120 degreeC, about 1 minute-10 minutes.

[工程(2)]
本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates製)により測定した値で、500J/m〜6,000J/mが好ましく、1,500J/m〜1,800J/mがより好ましい。
[Step (2)]
In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation and exposed. When exposing, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. Energy of exposure intensity at the wavelength 365nm radiation, by the value measured by luminometer (OAI model356, OAI Optical Ltd. Associates), is preferably 500J / m 2 ~6,000J / m 2 , 1,500J / m 2 ˜1,800 J / m 2 is more preferable.

[工程(3)]
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。
[Step (3)]
In this step, the coating film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in the development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. .

アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量%以上5質量%以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該ポジ型感光性樹脂組成物の組成によって異なるが、10秒〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。   An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant can be added to the alkaline aqueous solution. The concentration of alkali in the aqueous alkali solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method. The development time varies depending on the composition of the positive photosensitive resin composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Subsequent to such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

[工程(4)]
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]共重合体の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば120℃〜250℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは5分〜30分間程度、オーブンでは30分〜90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。
[Step (4)]
In this step, the developed coating film is heated. For heating, the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or an oven, thereby promoting the curing reaction of the [A] copolymer and obtaining a cured product. As heating temperature, it is about 120 to 250 degreeC, for example. The heating time varies depending on the type of heating device, but for example, it is about 5 to 30 minutes for a hot plate and about 30 to 90 minutes for an oven. Moreover, the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target display element interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate. Note that the use of the cured film is not limited to the interlayer insulating film for display elements, and can also be used as a spacer or a protective film.

形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは0.1μm〜8μm、より好ましくは0.1μm〜6μmである。   The film thickness of the formed interlayer insulating film for display element is preferably 0.1 μm to 8 μm, more preferably 0.1 μm to 6 μm.

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is explained in full detail based on an Example, this invention is not interpreted limitedly based on description of this Example.

<[A]成分の合成>
[合成例1]
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、重合開始剤としての2,2’−アゾビスイソブチロニトリル5質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート250質量部を仕込み、引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸1−n−ブトキシエチル55質量部、単量体(A1)としてのメタクリル酸2−ヒドロキシエチルエステル30質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部及びスチレン5質量部を仕込んで、窒素置換したのち、緩やかに攪拌しつつ溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持して重合することにより固形分濃度28.8%の[A1]共重合体溶液を得た。得られた[A1]共重合体のMwは、13,000であった。
[A1]共重合体溶液に、不飽和イソシアネート化合物としての2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネート(カレンズMOI、昭和電工製)12質量部、重合禁止剤としての4−メトキシフェノール0.1質量部を添加したのち、40℃で1時間、さらに60℃で2時間攪拌して反応させた。2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネート由来のイソシアネート基と[A1]共重合体の水酸基との反応の進行は、IR(赤外線吸収)スペクトルにより確認した。40℃で1時間後、さらに60℃で2時間反応後の反応溶液のIRスペクトルを測定し、2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネートのイソシアネート基に由来する2,270cm−1付近のピークが減少していることで、反応が進行しているのを確認した。固形分濃度31.0%の共重合体(A−1)溶液を得た。共重合体(A−1)のMwは14,000であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=42:31:27(モル%)であった。なお、重合体の各構造単位の含有率を求めるための13C−NMR分析は、核磁気共鳴装置(日本電子製、JNM−ECX400)を使用した。
<Synthesis of [A] Component>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 5 parts by mass of 2,2′-azobisisobutyronitrile and 250 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate as a polymerization initiator, and subsequently the structural unit (I) was added. 55 parts by weight of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 30 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate as monomer (A1), and 10 parts by weight of methacrylic acid and 5 parts by weight of styrene to give other structural units After charging and purging with nitrogen, the temperature of the solution was raised to 70 ° C. while gently stirring, and this temperature was maintained for 5 hours to perform polymerization, thereby solidifying the [A1] copolymer solution having a solid content concentration of 28.8% Got. Mw of the obtained [A1] copolymer was 13,000.
[A1] 12 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Karenz MOI, Showa Denko) as an unsaturated isocyanate compound and 0.1 part by mass of 4-methoxyphenol as a polymerization inhibitor are added to the copolymer solution. After that, the mixture was reacted by stirring at 40 ° C. for 1 hour and further at 60 ° C. for 2 hours. The progress of the reaction between the isocyanate group derived from 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and the hydroxyl group of the [A1] copolymer was confirmed by IR (infrared absorption) spectrum. The IR spectrum of the reaction solution after 1 hour at 40 ° C. and further 2 hours at 60 ° C. was measured, and the peak near 2,270 cm −1 derived from the isocyanate group of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate decreased. It was confirmed that the reaction was progressing. A copolymer (A-1) solution having a solid content concentration of 31.0% was obtained. Mw of the copolymer (A-1) was 14,000. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 42: 31: 27 (mol%). In addition, the 13 C-NMR analysis for calculating | requiring the content rate of each structural unit of a polymer used the nuclear magnetic resonance apparatus (the JEOL make, JNM-ECX400).

[合成例2]
上記2−メタアクリロイルオキシエチルイソシアネートの代わりに、不飽和イソシアネート化合物としての1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート(カレンズBEI、昭和電工製)19質量部を加えたこと以外は合成例1と同様に操作して共重合体(A−2)溶液を得た。共重合体(A−2)のMwは15,000であった。固形分濃度は、32.0質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=42:30:28(モル%)であった。
[Synthesis Example 2]
Synthesis Example 1 except that 19 parts by mass of 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate (Karenz BEI, Showa Denko) as an unsaturated isocyanate compound was added in place of the 2-methacryloyloxyethyl isocyanate. The copolymer (A-2) solution was obtained by operating in the same manner as above. Mw of the copolymer (A-2) was 15,000. The solid content concentration was 32.0% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 42: 30: 28 (mol%).

[合成例3]
温度計、攪拌機及び冷却管をつけた4つ口フラスコにジエチレングリコールエチルメチルエーテル540質量部を仕込み、窒素置換した後、オイルバスで90℃にまで昇温した。構造単位(I)を与えるメタクリル酸2−テトラヒドロピラニル87質量部、単量体(A2)としてのメタクリル酸90質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル40質量部、及び重合開始剤としての2,2’−アゾビスイソブチロニトリ10質量部を加え、同温度にて6時間維持した。その後、100℃に昇温し温度を2時間維持した後、[A2]共重合体溶液を得た。この共重合体溶液に重合禁止剤としての4−メトキシフェノール0.2質量部を加え、その後、ビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物としてのメタクリル酸2−(ビニロキシエトキシ)エチル(日本触媒製、VEEM)128質量部を1時間かけて滴下ロートにて等速滴下した。12時間の熟成反応の後、室温まで反応溶液を冷却し共重合体(A−3)溶液を得た。共重合体(A−3)のMwは18,000であった。固形分濃度は、37.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=26:50:24(モル%)であった。
[Synthesis Example 3]
Into a four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a condenser, was charged 540 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. As a polymerization initiator, 87 parts by mass of 2-tetrahydropyranyl methacrylate that gives structural unit (I), 90 parts by mass of methacrylic acid as monomer (A2), 40 parts by mass of methyl methacrylate that gives other structural units, and 10 parts by mass of 2,2′-azobisisobutyronitrile was added and maintained at the same temperature for 6 hours. Then, after heating up to 100 degreeC and maintaining temperature for 2 hours, [A2] copolymer solution was obtained. To this copolymer solution, 0.2 parts by mass of 4-methoxyphenol as a polymerization inhibitor was added, and then 2- (vinyloxyethoxy) ethyl methacrylate as a compound having a vinyl ether group and a (meth) acryloyloxy group ( 128 parts by mass of VEEM (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) was dropped at a constant rate with a dropping funnel over 1 hour. After the aging reaction for 12 hours, the reaction solution was cooled to room temperature to obtain a copolymer (A-3) solution. Mw of the copolymer (A-3) was 18,000. The solid content concentration was 37.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural units = 26: 50: 24 (mol%).

[合成例4]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸2−テトラヒドロピラニル57質量部、多官能(メタ)アクリレートとしてのエチレングリコールジメタクリレート8質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部及びメタクリル酸メチル20質量部及び、並びに分子量調整剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−4)を含む共重合体溶液を得た。共重合体(A−4)のMwは15,000であった。固形分濃度は、31.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=48:6:46(モル%)であった。
[Synthesis Example 4]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 57 parts by mass of 2-tetrahydropyranyl methacrylate giving structural unit (I), 8 parts by mass of ethylene glycol dimethacrylate as polyfunctional (meth) acrylate, 10 parts by mass of methacrylic acid giving other structural units, and methacrylic acid After 20 parts by mass of methyl and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer as a molecular weight modifier were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a copolymer solution containing the copolymer (A-4). Mw of the copolymer (A-4) was 15,000. The solid content concentration was 31.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 48: 6: 46 (mol%).

[合成例5]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸2−テトラヒドロピラニル30質量部、多官能(メタ)アクリレートとしてのエチレングリコールジメタクリレート20質量部及びトリメチロールプロパントリメタクリレート50質量部、並びに分子量調整剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−5)を含む共重合体溶液を得た。共重合体(A−5)のMwは20,000であった。固形分濃度は、33.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II)=40:60(モル%)であった。
[Synthesis Example 5]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a polymerization initiator and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 30 parts by mass of 2-tetrahydropyranyl methacrylate, which gives structural unit (I), 20 parts by mass of ethylene glycol dimethacrylate as polyfunctional (meth) acrylate and 50 parts by mass of trimethylolpropane trimethacrylate, and a molecular weight regulator After 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer was charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a copolymer solution containing the copolymer (A-5). Mw of the copolymer (A-5) was 20,000. The solid content concentration was 33.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II) = 40: 60 (mol%).

[合成例6]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、重合開始剤としての2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル400質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与えるメタクリル酸2−テトラヒドロピラニル57質量部、多官能(メタ)アクリレートとしてのエチレングリコールジメタクリレート8質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸10質量部及びメタクリル酸メチル20質量部、並びに分子量調整剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−6)を含む重合体溶液を得た。さらに、この共重合体溶液に、多官能(メタ)アクリレートとしてのトリメチロールプロパントリメタクリレート50質量部を滴下ロートで1時間にわたり滴下し、その後1時間攪拌した。共重合体(A−6)のMwは25,000であった。固形分濃度は、26.5質量%であった。13C−NMR分析の結果、各構造単位の含有率は、構造単位(I):構造単位(II):その他の構造単位=48:6:46(モル%)であった。
[Synthesis Example 6]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a polymerization initiator and 400 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 57 parts by mass of 2-tetrahydropyranyl methacrylate giving structural unit (I), 8 parts by mass of ethylene glycol dimethacrylate as polyfunctional (meth) acrylate, 10 parts by mass of methacrylic acid giving other structural units, and methacrylic acid After 20 parts by mass of methyl and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer as a molecular weight modifier were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-6). Further, 50 parts by mass of trimethylolpropane trimethacrylate as a polyfunctional (meth) acrylate was dropped into the copolymer solution over 1 hour with a dropping funnel, and then stirred for 1 hour. Mw of the copolymer (A-6) was 25,000. The solid content concentration was 26.5% by mass. As a result of 13 C-NMR analysis, the content of each structural unit was structural unit (I): structural unit (II): other structural unit = 48: 6: 46 (mol%).

[合成例7]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える1−エトキシエチルメタクリレート40質量部、その他の構造単位を与えるメタクリル酸5質量部、スチレン5質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びメタクリル酸グリシジル40質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(CS−1)を含む共重合体溶液を得た。共重合体(CS−1)のMwは10,000であった。固形分濃度は、32.1質量%であった。
[Synthesis Example 7]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate giving structural unit (I), 5 parts by mass of methacrylic acid, 5 parts by mass of styrene, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 40 parts by mass of glycidyl methacrylate giving other structural units. Was added, and the mixture was purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a copolymer solution containing a copolymer (CS-1). The Mw of the copolymer (CS-1) was 10,000. The solid content concentration was 32.1% by mass.

<[E]エポキシ化合物の合成>
[合成例8]
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)8質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル220質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸15質量部、メタクリル酸メチル20質量部、メタクリル酸ベンジル30質量部、スチレン5質量部及びメタクリル酸グリシジル30質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を70℃に上昇し、この温度を5時間保持して重合することにより、共重合体(E−4)を含有する溶液を得た。共重合体(E−4)のMwは、8,000であった。固形分濃度は、32.3質量%であった。
<Synthesis of [E] epoxy compound>
[Synthesis Example 8]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 8 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 15 parts by weight of methacrylic acid, 20 parts by weight of methyl methacrylate, 30 parts by weight of benzyl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, and 30 parts by weight of glycidyl methacrylate were charged with nitrogen, and then the temperature of the solution was gradually stirred. Was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours for polymerization to obtain a solution containing the copolymer (E-4). Mw of the copolymer (E-4) was 8,000. Solid content concentration was 32.3 mass%.

<ポジ型感光性樹脂組成物の調製>
以下、実施例及び比較例のポジ型感光性樹脂組成物の調製に用いた成分を詳述する。
<Preparation of positive photosensitive resin composition>
Hereinafter, the components used for the preparation of the positive photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples will be described in detail.

[B]成分
B−1:(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、IRGACURE PAG 103)
B−2:(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、IRGACURE PAG 108)
B−3:(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、IRGACURE PAG 121)
B−4:(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、CGI1380)
B−5:(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、CGI725)
b−1(キノンジアジド化合物):4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール(1.0モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物
[B] Component B-1: (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 103)
B-2: (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 108)
B-3: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 121)
B-4: (Camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (CGI 1380, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-5: (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, CGI725)
b-1 (quinonediazide compound): 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2- Condensate with naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

[C]ラジカル捕捉剤
C−1:2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール
C−2:1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン(アデカ製、アデカスタブAO−330)
C−3:テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート(アデカ製、アデカスタブLA−57)
C−4:ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト(アデカ製、アデカスタブPEP−8)
C−5:ペンタエリスリトールテトラキス(3−ラウリルチオプロピオネート)(アデカ製、アデカスタブAO−412S)
[C] radical scavenger C-1: 2,6-di-t-butyl-4-cresol C-2: 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t -Butyl-4-hydroxybenzyl) benzene (manufactured by ADEKA, ADEKA STAB AO-330)
C-3: Tetrakis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate (manufactured by ADEKA, ADEKA STAB LA-57)
C-4: Distearyl pentaerythritol diphosphite (manufactured by ADEKA, ADEKA STAB PEP-8)
C-5: Pentaerythritol tetrakis (3-laurylthiopropionate) (manufactured by ADEKA, ADEKA STAB AO-412S)

[D]溶媒
D−1:メチルイソブチルケトン
D−2:ジエチレングリコールエチルメチルエーテル
D−3:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
[D] Solvent D-1: Methyl isobutyl ketone D-2: Diethylene glycol ethyl methyl ether D-3: Propylene glycol monomethyl ether acetate

[E]エポキシ化合物
E−1:フェノールノボラック型エポキシ樹脂
E−2:ビスフェノールAジグリシジルエーテル(4,4’−イソプロピリデンジフェノールと1−クロロ−2,3−エポキシプロパンとの重縮合物)
E−3:ビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル
E−5:3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート
[E] Epoxy compound E-1: Phenol novolac type epoxy resin E-2: Bisphenol A diglycidyl ether (polycondensate of 4,4′-isopropylidenediphenol and 1-chloro-2,3-epoxypropane)
E-3: Bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether E-5: 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate

[F]塩基性化合物
F−1:4−ジメチルアミノピリジン
F−2:4−メチルイミダゾール
[F] Basic compound F-1: 4-dimethylaminopyridine F-2: 4-methylimidazole

[G]界面活性剤
G−1:シリコーン系界面活性剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH 8400 FLUID)
G−2:フッ素系界面活性剤(ネオス製、フタージェントFTX−218)
[G] Surfactant G-1: Silicone surfactant (manufactured by Toray Dow Corning Silicone, SH 8400 FLUID)
G-2: Fluorosurfactant (manufactured by Neos, Factent FTX-218)

[実施例1]
[D]溶媒としての(D−1)に、[A]共重合体としての(A−1)を含む溶液((A−1)100質量部(固形分)に相当する量)に、[B]化合物としての(B−1)3.0質量部、[C]ラジカル捕捉剤としての(C−1)0.5質量部、[E]エポキシ化合物としての(E−1)5.0質量部、及び[G]界面活性剤としての(G−1)0.20質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
[Example 1]
[D] A solution containing (A-1) as a copolymer (A-1) in (D-1) as a solvent (amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of (A-1)) B] 3.0 parts by mass of (B-1) as a compound, 0.5 parts by mass of (C-1) as a [C] radical scavenger, (E-1) 5.0 as an [E] epoxy compound A positive photosensitive resin composition was prepared by mixing 0.20 parts by mass of (G-1) as a [G] surfactant and filtering with a membrane filter having a pore size of 0.2 μm.

[実施例2〜10並びに比較例1及び2]
各成分の種類及び配合量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様に操作して各ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。また、表1中の使用した[D]溶媒の値は、混合溶媒とした場合の質量比である。
[Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 and 2]
Each positive photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and blending amounts of each component were as described in Table 1. In Table 1, “-” indicates that the corresponding component was not used. Moreover, the value of the [D] solvent used in Table 1 is a mass ratio when a mixed solvent is used.

<評価>
調製した各ポジ型感光性樹脂組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表1にあわせて示す。
<Evaluation>
The following evaluation was implemented using each prepared positive photosensitive resin composition. The results are shown in Table 1.

[感度(J/m)]
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、各ポジ型感光性樹脂組成物をスリットダイコーター(東京応化工業製、TR632105−CL)を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることによって、膜厚4.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン製、MPA−600FA、ghi線混合)を用い、10μmのコンタクトホールのパターンを有するマスクを介して、プロキシギャップ10μmで塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において70秒間現像した。次いで、超純水で流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のガラス基板上にパターンを形成した。このとき、10μmのコンタクトホール径にもっとも近い露光量を放射線感度とした。この値が500(J/m)以下の場合に感度が良好と判断した。
[Sensitivity (J / m 2 )]
Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied on a 550 × 650 mm chromium-deposited glass and heated at 60 ° C. for 1 minute. Each positive photosensitive resin composition is applied onto the chromium-deposited glass after HMDS treatment using a slit die coater (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., TR6322105-CL), and the ultimate pressure is set to 100 Pa under vacuum. After removing the solvent at, the film was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 4.0 μm. Subsequently, using an exposure machine (manufactured by Canon, MPA-600FA, ghi line mixture), the coating film was irradiated with radiation with a proxy gap of 10 μm and an exposure amount as a variable through a mask having a contact hole pattern of 10 μm. . Then, it developed for 70 second at 25 degreeC with 0.5 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, washing with running ultrapure water was performed, followed by drying to form a pattern on the glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the exposure amount closest to the contact hole diameter of 10 μm was defined as radiation sensitivity. When this value was 500 (J / m 2 ) or less, it was judged that the sensitivity was good.

[塗膜の外観]
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、調製した各ポジ型感光性樹脂組成物をスリットダイコーター(東京応化工業製、TR632105−CL)を用いて塗布し0.5Torrまで減圧乾燥した後、ホットプレート上で100℃にて2分間プレベークして塗膜を形成し、さらに2,000J/mの露光量で露光することにより、クロム成膜ガラスの上面からの膜厚が4μmの膜を形成した。ナトリウムランプ下において、肉眼によりこの塗膜の外観の観察を行った。このとき、塗膜の全体における筋ムラ(塗布方向又はそれに交差する方向にできる一本または複数本の直線のムラ)、モヤムラ(雲状のムラ)、ピン跡ムラ(基板支持ピン上にできる点状のムラ)の出現状況を調べた。これらのムラのいずれもほとんど見えない場合を「A」(良好と判断)、いずれかが少し見える場合を「B」(やや不良と判断)、はっきりと見える場合を「C」(不良と判断)とした。
[Appearance of coating film]
Each of the prepared positive photosensitive resin compositions was applied onto a 550 × 650 mm chromium-deposited glass using a slit die coater (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., TR6322105-CL) and dried under reduced pressure to 0.5 Torr. Pre-baked on a plate at 100 ° C. for 2 minutes to form a coating film, and further exposed at an exposure amount of 2,000 J / m 2 to form a film with a thickness of 4 μm from the top surface of the chromium film-forming glass. did. Under the sodium lamp, the appearance of the coating film was observed with the naked eye. At this time, streak unevenness (one or a plurality of straight line unevenness that can be applied or crossed in the direction of application), haze unevenness (cloudy unevenness), pin mark unevenness (points that can be formed on the substrate support pins) The appearance situation of the unevenness of the shape was investigated. "A" (determined as good) when almost none of these unevenness is visible, "B" (determined as slightly bad) when any of them is slightly visible, "C" (determined as bad) when clearly visible It was.

[膜厚変化率(%)]
無アルカリガラス基板上にHMDSを塗布し、3分間加熱した。スピンナーを用いて、各ポジ型感光性樹脂組成物を塗布した後、90℃で2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚4.1μmの塗膜を形成した。得られた塗膜にコンタクトホールパターンのマスクを介して、露光ギャップを30μmとし、上記感度の評価と同様に操作して、露光を行った。次いで0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、パドル法で現像を行った。このとき現像時間を50秒、70秒、90秒と時間を変化させた。その後、超純水で8秒間リンスした。現像後の未露光部分の膜厚について測定し、この値と下記式より膜厚変化率(%)を算出した。
現像後の膜厚変化率(%)=(現像後の膜厚/現像前の膜厚)×100
現像時間を50秒、70秒、90秒と変化させた場合でも、膜厚変化率が90%以上の場合、現像時間に対する膜厚減少量を抑制でき、良好と判断した。
[Thickness change rate (%)]
HMDS was applied on an alkali-free glass substrate and heated for 3 minutes. Each positive photosensitive resin composition was applied using a spinner and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 4.1 μm. The obtained coating film was exposed through a contact hole pattern mask with an exposure gap of 30 μm and operated in the same manner as in the sensitivity evaluation. Subsequently, development was performed by a paddle method at 23 ° C. with a 0.5 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. At this time, the development time was changed to 50 seconds, 70 seconds, and 90 seconds. Thereafter, rinsing was performed with ultrapure water for 8 seconds. It measured about the film thickness of the unexposed part after image development, and calculated the film thickness change rate (%) from this value and the following formula.
Film thickness change rate after development (%) = (film thickness after development / film thickness before development) × 100
Even when the development time was changed to 50 seconds, 70 seconds, and 90 seconds, when the film thickness change rate was 90% or more, the amount of film thickness decrease with respect to the development time could be suppressed, and it was judged good.

[コンタクトホールの形状安定性(μm)]
上記膜厚変化率の評価と同様に操作して無アルカリガラス基板上に塗膜を形成し、プレーク温度を80℃、90℃、100℃と変化させた。その後、現像時間を90秒とした以外は上記膜厚変化率の評価同様に操作して、マスクサイズが10μmのコンタクトホールのマスクを介した露光の後、現像し、コンタクトホールパターンを形成した。その後、220℃で45分間、クリーンオーブンでポストベークを行った。それぞれのプレベーク温度条件で形成したコンタクトホールパターンをSEM(走査電子顕微鏡)で観察し、形状及びコンタクトホールパターンのサイズを測長した。コンタクトホールパターンのサイズが9.0μm〜11.0μmである場合、プレベーク温度の変化に対するコンタクトホールの形状安定性(μm)が良好と判断した。
[Contact hole shape stability (μm)]
The coating film was formed on the alkali-free glass substrate by operating in the same manner as the evaluation of the film thickness change rate, and the plate temperature was changed to 80 ° C., 90 ° C. and 100 ° C. Thereafter, the same operation as in the evaluation of the film thickness change rate was performed except that the development time was 90 seconds. After exposure through a contact hole mask having a mask size of 10 μm, development was performed to form a contact hole pattern. Thereafter, post-baking was performed in a clean oven at 220 ° C. for 45 minutes. The contact hole pattern formed under each pre-bake temperature condition was observed with an SEM (scanning electron microscope), and the shape and the size of the contact hole pattern were measured. When the size of the contact hole pattern was 9.0 μm to 11.0 μm, it was judged that the shape stability (μm) of the contact hole with respect to the change in the prebake temperature was good.

[耐光性(%)]
上記膜厚変化率の評価と同様に操作して無アルカリガラス基板上に各ポジ型感光性樹脂組成物を塗膜し、90℃で2分間プレベークを行い、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。その後、露光はせず、0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において70秒間現像した。その後、220℃で45分間、クリーンオーブンでポストベークを行った。得られた硬化膜の400nmにおける光線透過率を測定した(T1)。その後、上記硬化膜にXeランプ(照度180W/m)で70時間照射した。照射後の硬化膜の400nmにおける光線透過率を測定した(T2)。これらの値と下記式より、照射前後での光線透過率の変化率(%)を下記式により算出し、これを耐光性(%)とした。
耐光性(%)={(T1−T2)/T1}×100
値が5%以下の場合、耐光性が良好と判断した。
[Light resistance (%)]
Each positive type photosensitive resin composition is coated on a non-alkali glass substrate in the same manner as in the evaluation of the change rate of the film thickness, prebaked at 90 ° C. for 2 minutes, and a coating film having a film thickness of 3.0 μm is formed. Formed. Thereafter, without exposure, the film was developed with an aqueous solution of 0.5% by mass of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 70 seconds. Thereafter, post-baking was performed in a clean oven at 220 ° C. for 45 minutes. The light transmittance at 400 nm of the obtained cured film was measured (T1). Thereafter, the cured film was irradiated with an Xe lamp (illuminance: 180 W / m 2 ) for 70 hours. The light transmittance at 400 nm of the cured film after irradiation was measured (T2). From these values and the following formula, the change rate (%) of the light transmittance before and after irradiation was calculated by the following formula, and this was defined as the light resistance (%).
Light resistance (%) = {(T1-T2) / T1} × 100
When the value was 5% or less, it was judged that the light resistance was good.

[耐熱性(%)]
上記耐光性の評価で得られた、ポストベーク後の硬化膜のTGA(熱重量分析)を、ティー・エイ・インスツルメント製Q5000SAを用いて行った。室温から250℃まで20分で昇温し、その後10分間250℃で保持し重量減少を測定した。測定前の室温時の重量を100%として、測定後の重量減少率(%)を測定し耐熱性(%)とした。値が5%以下の場合、熱による重量減少が小さく耐熱性が良好と判断した。
[Heat-resistant(%)]
TGA (thermogravimetric analysis) of the post-baked cured film obtained by the above light resistance evaluation was performed using Q5000SA manufactured by TA Instruments. The temperature was raised from room temperature to 250 ° C. in 20 minutes, and then held at 250 ° C. for 10 minutes to measure weight loss. The weight at room temperature before the measurement was taken as 100%, and the weight reduction rate (%) after the measurement was measured to determine the heat resistance (%). When the value was 5% or less, it was judged that heat loss was small and heat resistance was good.

[保存安定性(%)]
上記膜厚変化率と同様に操作して、調製直後の各ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜を形成し膜厚を測定した(下記式において、「調製直後の膜厚」と称する)。また、14日間30℃で各ポジ型感光性樹脂組成物を保存し14日後に同様に形成した塗膜の膜厚を測定した(下記式において、「14日後の膜厚」と称する)。膜厚増加率(%)を下記式から算出し、保存安定性(%)とした。
保存安定性(%)={(14日後の膜厚−調製直後の膜厚)/調製直後の膜厚}×100
値が5%以下の場合、保存安定性が良好と判断した。
[Storage stability (%)]
By operating in the same manner as the rate of change in film thickness, a coating film of each positive photosensitive resin composition immediately after preparation was formed and the film thickness was measured (in the following formula, referred to as “film thickness immediately after preparation”). In addition, each positive photosensitive resin composition was stored at 30 ° C. for 14 days, and the film thickness of the coating film formed in the same manner after 14 days was measured (in the following formula, referred to as “film thickness after 14 days”). The rate of increase in film thickness (%) was calculated from the following formula and was defined as storage stability (%).
Storage stability (%) = {(film thickness after 14 days−film thickness immediately after preparation) / film thickness immediately after preparation} × 100
When the value was 5% or less, it was judged that the storage stability was good.

Figure 0005867169
Figure 0005867169

表1の結果から明らかなように当該ポジ型感光性樹脂組成物を使用した実施例1〜10は、比較例1及び2の組成物と比べ、良好な感度及び保存安定性を有し、かつ現像時間に対する未露光部の膜厚変化量が少ないことがわかった。また、当該ポジ型感光性樹脂組成物から形成された表示素子用層間絶縁膜は耐光性及び耐熱性に加え、コンタクトホールの形状安定性にも優れることがわかった。   As is apparent from the results of Table 1, Examples 1 to 10 using the positive photosensitive resin composition have better sensitivity and storage stability than the compositions of Comparative Examples 1 and 2, and It was found that the amount of change in the film thickness of the unexposed area with respect to the development time was small. Further, it was found that the interlayer insulating film for display element formed from the positive photosensitive resin composition is excellent in contact hole shape stability in addition to light resistance and heat resistance.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、良好な感度及び保存安定性に加え、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量が抑制でき、優れた耐光性及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜を提供することができる。また、コンタクトホール径の安定性を向上することができる。膜厚減少量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   The positive photosensitive resin composition of the present invention can suppress the change in film thickness of the unexposed part with respect to the development time in addition to good sensitivity and storage stability, and has excellent light resistance and heat resistance. An insulating film can be provided. In addition, the stability of the contact hole diameter can be improved. Since the film thickness reduction amount can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development and heating utilizing photosensitivity. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

Claims (10)

[A]下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)、及び1以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する構造単位(II)を含む共重合体、
[B]下記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物、
[C]ラジカル捕捉剤、並びに
[D]溶媒
を含有し、
上記構造単位(II)が、
(a)水酸基を有する構造単位(メタ)アクリル酸のイソシアネート基含有誘導体との反応体
(b)カルボキシ基を有する構造単位ビニルエーテル基及び(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物との反応体並びに
(c)単量体として多官能(メタ)アクリレートに由来する構造単位
のうち少なくともいずれかであるポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 0005867169
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(Rで表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。Rは、それぞれ独立してアルキル基である。また、RとRとが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Rで表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。)
Figure 0005867169
(式(2)中、Rは、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。)
[A] a copolymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and a structural unit (II) having one or more (meth) acryloyloxy groups;
[B] a compound having an oxime sulfonate group represented by the following formula (2):
[C] a radical scavenger, and [D] a solvent,
The structural unit (II) is
(A) structural units and (meth) having a hydroxyl group reactant with the isocyanate group-containing derivatives of acrylic acid,
(B) a structural unit and a vinyl ether group having a carboxy group and (meth) acryloyl reactant with a compound having a oxy group, and (c) structural units derived from the polyfunctional (meth) acrylate as a monomer
A positive photosensitive resin composition that is at least one of the above.
Figure 0005867169
(In formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, provided that the hydrogen atom of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group is A part or all of them may be substituted, and R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms, and R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or —M ( R 4 ) is a group represented by 3. M is Si, Ge or Sn, each R 4 is independently an alkyl group, and R 1 and R 3 are linked to form a cyclic group. An ether structure may be formed, provided that a part or all of the hydrogen atoms of these groups represented by R 3 may be substituted.)
Figure 0005867169
(In formula (2), R 5 is a linear, branched or cyclic alkyl group or aryl group, provided that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group and aryl group are substituted. May be.)
上記RとRとが連結して環状エーテル構造を形成している請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein R 1 and R 3 are linked to form a cyclic ether structure. 上記式(1)で表される基が、下記式(1−1)で表される基である請求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 0005867169
The positive photosensitive resin composition according to claim 2, wherein the group represented by the formula (1) is a group represented by the following formula (1-1).
Figure 0005867169
[A]共重合体における構造単位(II)の含有率が、5モル%以上60モル%以下である請求項1、請求項2又は請求項3に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   [A] The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the content of the structural unit (II) in the copolymer is 5 mol% or more and 60 mol% or less. 構造単位(II)が、2以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the structural unit (II) has two or more (meth) acryloyloxy groups. [D]溶媒が、ケトン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類及びプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類からなる群より選択される少なくとも1種の溶媒である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   [D] The solvent according to claim 1, wherein the solvent is at least one solvent selected from the group consisting of ketones, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers and propylene glycol monoalkyl ether acetates. The positive photosensitive resin composition according to any one of the above. [E]分子中に2以上のエポキシ基を有する化合物をさらに含有する請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   [E] The positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6, further comprising a compound having two or more epoxy groups in the molecule. 表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition of any one of Claims 1-7 used for formation of the interlayer insulation film for display elements. (1)請求項8に記載のポジ型感光性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
(1) The process of forming the coating film of the positive photosensitive resin composition of Claim 8 on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) A method of forming an interlayer insulating film for a display element, comprising: a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.
請求項8に記載のポジ型感光性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。   The interlayer insulation film for display elements formed from the positive photosensitive resin composition of Claim 8.
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