JP2013241314A - 酸化物強誘電体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物強誘電体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013241314A JP2013241314A JP2012116697A JP2012116697A JP2013241314A JP 2013241314 A JP2013241314 A JP 2013241314A JP 2012116697 A JP2012116697 A JP 2012116697A JP 2012116697 A JP2012116697 A JP 2012116697A JP 2013241314 A JP2013241314 A JP 2013241314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- phase
- spontaneous polarization
- oxygen vacancies
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【解決手段】ペロブスカイト構造を有する単結晶または多結晶でなり、導入または低減された酸素空孔6により自発分極方向が制御され、第1相H1および第2相H2で自発分極方向が異なる方向に配向させるようにした。これにより、酸化物強誘電体1では、従来よりも高い誘電率と圧電定数とを実現し得る。
【選択図】図2
Description
6 酸素空孔
H1 第1相
H2 第2相
Ps 自発分極
Claims (7)
- ペロブスカイト構造を有する単結晶または多結晶でなる酸化物強誘電体であって、
導入または低減された酸素空孔により自発分極方向が制御され、第1相および第2相で該自発分極方向が異なる方向に配向されている
ことを特徴とする酸化物強誘電体。 - 前記ペロブスカイト構造を有する酸化物構造体の酸素空孔濃度が0.05〜0.5[%]である
ことを特徴とする請求項1記載の酸化物強誘電体。 - 前記第1相および前記第2相に形成された分極サイズが30[nm]以下、好ましくは10[nm]未満である
ことを特徴とする請求項1または2記載の酸化物強誘電体。 - 前記第1相および前記第2相の分極界面に沿って前記酸素空孔が位置し、前記第1相の前記自発分極方向と、前記第2相の前記自発分極方向とが、互いに70度または90度または110度の角度をなしている
ことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項記載の酸化物強誘電体。 - ペロブスカイト構造を有する単結晶または多結晶でなり、酸素空孔が導入または低減された酸化物構造体を生成する生成ステップと、
前記酸化物構造体の生成時における自発分極方向とは異なる方向に電界を印加することにより、前記酸素空孔により前記自発分極方向が制御され、第1相および第2相で該自発分極方向を異なる方向に配向させる分極制御ステップと
を備えることを特徴とする酸化物強誘電体の製造方法。 - 前記生成ステップでは、前記酸素空孔を導入または低減させることで、酸素空孔濃度を0.05〜0.5[%]とした前記酸化物構造体を生成する
ことを特徴とする請求項5記載の酸化物強誘電体の製造方法。 - 前記分極制御ステップでは、前記酸化物構造体の生成時における自発分極方向に対して、鋭角に前記電界を印加し、前記第1相および前記第2相で前記自発分極方向を異なる方向に配向させる
ことを特徴とする請求項5または6記載の酸化物強誘電体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012116697A JP6086419B2 (ja) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 酸化物強誘電体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012116697A JP6086419B2 (ja) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 酸化物強誘電体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013241314A true JP2013241314A (ja) | 2013-12-05 |
JP6086419B2 JP6086419B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=49842630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012116697A Expired - Fee Related JP6086419B2 (ja) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 酸化物強誘電体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6086419B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005698A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Jfe Mineral Co Ltd | 圧電単結晶素子とその製造方法 |
JP2009132598A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪体、及び圧電/電歪素子 |
JP2010183067A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-08-19 | Canon Inc | 圧電材料および圧電素子 |
JP2011187847A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、並びに圧電素子及び圧電材料 |
JP2012091956A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 複合酸化物粉末の製造方法 |
-
2012
- 2012-05-22 JP JP2012116697A patent/JP6086419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005698A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Jfe Mineral Co Ltd | 圧電単結晶素子とその製造方法 |
JP2009132598A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪体、及び圧電/電歪素子 |
JP2010183067A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-08-19 | Canon Inc | 圧電材料および圧電素子 |
JP2011187847A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、並びに圧電素子及び圧電材料 |
JP2012091956A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 複合酸化物粉末の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6016050756; 南部信次: 'ペロブスカイト強誘電体のドメイン構造とヒステリシス' 表面科学 Vol.17,No.11, 1996, 654-659 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6086419B2 (ja) | 2017-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Diao et al. | Dielectric and piezoelectric properties of cerium modified BaBi4Ti4O15 ceramics | |
Naceur et al. | Effect of sintering temperature on microstructure and electrical properties of Sr 1− x (Na 0.5 Bi 0.5) x Bi 2 Nb 2 O 9 solid solutions | |
Khatua et al. | A coupled microstructural-structural mechanism governing thermal depolarization delay in Na0. 5Bi0. 5TiO3-based piezoelectrics | |
Verma et al. | Structural, morphological, and optical properties of strontium doped lead-free BCZT ceramics | |
Maurya et al. | Synthesis and characterization of Na2Ti6O13 whiskers and their transformation to (1− x) Na0. 5Bi0. 5TiO3–xBaTiO3 ceramics | |
WO2010115493A2 (en) | Process | |
Xu et al. | Effect of bismuth deficiency on structure and electrical properties of (Na0. 5Bi0. 5) 0.93 Ba0. 07TiO3 ceramics | |
Lopez et al. | Piezoelectric and ferroelectric properties of K0. 5Na0. 5NbO3 ceramics synthesized by spray drying method | |
Yang et al. | Effects of A-site cations on the electrical behaviors in (Sr1-xCax) 2.1 Na0. 8Nb5O15 tungsten bronze ferroelectrics | |
Kang et al. | Enhanced electric field induced strain in B-site Sb doped BiFeO3-BaTiO3 lead free ceramics | |
Chang et al. | Formation mechanism of (001) oriented perovskite SrTiO3 microplatelets synthesized by topochemical microcrystal conversion | |
Liu et al. | Cu-modified Pb (Mg1/3Nb2/3) O3-PbZrO3-PbTiO3 textured ceramics with enhanced electromechanical properties and improved thermal stability | |
Ciuchi et al. | Preparation and properties of La doped PZT 90/10 ceramics across the ferroelectric–antiferroelectric phase boundary | |
Li et al. | Stabilizing polar P21ma phase in Bi0. 5Na0. 5TiO3-Na0. 91Bi0. 09Nb0. 94Mg0. 06O3 relaxors by CaTiO3 additive to promote energy storage density, efficiency and discharge rate | |
Gupta et al. | Development of KNN-based piezoelectric materials | |
Wu et al. | Effect of introducing Sr2+/Hf4+ on phase structures, bandgaps, and energy storage performance in Bi0. 47Na0. 47Ba0. 06TiO3-based ferroelectric ceramic | |
Wang et al. | Mn doped hard type perovskite high-temperature BYPT–PZN ternary piezoelectric ceramics | |
Li et al. | Effect of MnO2 addition on relaxor behavior and electrical properties of PMNST ferroelectric ceramics | |
Yang et al. | Effect of the particle diameters of raw materials on the structure, micromorphology, dielectric, and tunable performance of (Ba0. 91Ca0. 09)(Zr0. 2Ti0. 8) O3 ceramics | |
Li et al. | Synthesis and piezoelectric properties of KxNa1− xNbO3 ceramic by molten salt method | |
Siddiqui et al. | Piezoelectric and dielectric properties of Pb0. 93La0. 02Sr0. 05 (Zr0. 52Ti0. 48) O3 ceramics doped with Li2CO3 at low sintering temperature | |
Liu et al. | Simultaneously enhanced piezoelectric response and depolarization temperature in BNT-7BT ceramics with simple composition via optimizing sintering temperature | |
Sarkar et al. | Synthesis, characterization and property evaluation of single phase Mg4Nb2O9 by two stage process | |
JP6086419B2 (ja) | 酸化物強誘電体およびその製造方法 | |
Zhao et al. | Microstructure and dielectric properties of PMN–PT ceramics prepared by the molten salts method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6086419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |