JP2013237021A

JP2013237021A - Exhaust gas treatment apparatus

Info

Publication number: JP2013237021A
Application number: JP2012112425A
Authority: JP
Inventors: Taizo Miyamoto; 泰三宮本; Manabu Yamamoto; 学山本
Original assignee: Sumco Techxiv Corp
Current assignee: Sumco Techxiv Corp
Priority date: 2012-05-16
Filing date: 2012-05-16
Publication date: 2013-11-28
Anticipated expiration: 2032-05-16
Also published as: JP5940885B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exhaust gas treatment apparatus capable of reducing an installation space, initial costs and running costs by integrating an exhaust gas treatment function with a dust collecting function.SOLUTION: An exhaust gas treatment apparatus 1 for treating exhaust gas to be discharged from a single crystal pulling apparatus 2 includes: a detoxification device 3 having a first chamber 31 to which a discharge conduit 21 of exhaust gas is connected, a first water spray means 32 disposed inside the first chamber for spraying water to the inside of the first chamber, and a tank 33 disposed at the lower part of the first chamber for receiving water sprayed by the first water spray means; a dust treatment apparatus 4 having a second chamber 41 to whose upper part a dust collection conduit 61 for collecting dusts is connected and second water spray means 42 disposed inside the second chamber for spraying water to the inside of the second chamber; and a blower 5 connected via a conduit 51 to the first chamber for discharging gas inside the first chamber to the outside. The dust treatment apparatus is characterized in that the lower part of the second chamber communicates with the inside of the tank.

Description

本発明は、排ガス処理装置に関する。 The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus.

シリコン単結晶の製造時には、単結晶引上げ装置内に発生するシリコン酸化物などの反応生成物を排除するために、引上げ装置のメインチャンバの上部に連設されたプルチャンバ上部のガス導入口からアルゴンなどの不活性ガスを導入し、メインチャンバ下部のガス排出口から装置外に排出することで、シリコン単結晶の汚染を防止している。 At the time of manufacturing the silicon single crystal, in order to eliminate reaction products such as silicon oxide generated in the single crystal pulling apparatus, argon or the like is introduced from the gas inlet at the upper part of the pull chamber connected to the upper part of the main chamber of the pulling apparatus. The inert gas is introduced and discharged from the gas outlet at the lower part of the main chamber to the outside of the apparatus, thereby preventing contamination of the silicon single crystal.

ガス排出口から排出される排ガスは、フィルター、真空ポンプ、湿式スクラバー、ブロアなどから構成された排ガス処理装置に送られる。ここで、フィルターや湿式スクラバーにより排ガス中の不純物が取り除かれ、不純物が取り除かれた排ガスは、最終的には大気中に放出される（例えば、特許文献１参照。）。また、排ガスから不純物を取り除くとともに、不活性ガスを回収し、回収した不活性ガスを精製して再利用する技術も知られている（例えば、特許文献２，３参照。）。 Exhaust gas discharged from the gas discharge port is sent to an exhaust gas treatment device including a filter, a vacuum pump, a wet scrubber, a blower, and the like. Here, impurities in the exhaust gas are removed by a filter or a wet scrubber, and the exhaust gas from which the impurities are removed is finally released into the atmosphere (see, for example, Patent Document 1). In addition, a technique is known in which impurities are removed from exhaust gas, an inert gas is recovered, and the recovered inert gas is purified and reused (see, for example, Patent Documents 2 and 3).

また、シリコン単結晶の引上げを終えた後は、引上げ装置の清掃が行われる。清掃に使用される集塵機は、引上げ装置の近傍に設置された集塵口に、フィルターや湿式スクラバー、ブロアなどが接続されることにより構成されている（例えば、特許文献４参照。）。清掃時にはこの集塵口に清掃ダクトを接続し、引上げ装置内などの清掃が行われる。清掃ダクトから集塵されたダストは湿式スクラバーにより取り除かれる。 Further, after the pulling of the silicon single crystal is finished, the pulling device is cleaned. A dust collector used for cleaning is configured by connecting a filter, a wet scrubber, a blower, or the like to a dust collection port installed in the vicinity of a lifting device (for example, see Patent Document 4). At the time of cleaning, a cleaning duct is connected to the dust collection port, and the inside of the lifting device is cleaned. Dust collected from the cleaning duct is removed by a wet scrubber.

特開２０００−２７１４２１号公報JP 2000-271421 A 特開平０７−３３５８１号公報JP 07-33581 A 特開２０１１−５１８７２号公報JP 2011-51872 A 特開平１１−２１６３８７号公報JP-A-11-216387

従来、シリコン単結晶を引上げる際に引上げ装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置と、引上げ装置の清掃に使用される集塵機とはそれぞれ別々に設置している。そのため、これらの装置を導入する場合には２台分の設置スペースやイニシャルコスト、ランニングコストが必要となっていた。
特許文献１〜３のような構成では排ガス処理装置が開示され、特許文献４のような構成では集塵機が開示されているが、排ガス処理機能と集塵機能を一体化することは開示されておらず、排ガス処理装置と集塵機とはそれぞれ別に設置する必要があった。 Conventionally, an exhaust gas treatment device for treating exhaust gas discharged from a pulling device when pulling up a silicon single crystal and a dust collector used for cleaning the pulling device are separately installed. Therefore, when these devices are introduced, installation space, initial cost, and running cost for two units are required.
The configuration as in Patent Documents 1 to 3 discloses an exhaust gas treatment apparatus, and the configuration as in Patent Document 4 discloses a dust collector, but it does not disclose that the exhaust gas treatment function and the dust collection function are integrated. The exhaust gas treatment device and the dust collector need to be installed separately.

本発明の目的は、排ガス処理機能と集塵機能を一体化することで設置スペース、イニシャルコスト、ランニングコストを低減することができる、排ガス処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment apparatus that can reduce installation space, initial cost, and running cost by integrating an exhaust gas treatment function and a dust collection function.

本発明の排ガス処理装置では、単結晶引上げ装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置であって、前記単結晶引上げ装置の排ガスの排出管路が接続される第１チャンバ、前記第１チャンバの内部に設けられ、前記第１チャンバの内部に水を噴霧する第１散水手段、及び、前記第１チャンバの下部に設けられ、前記第１散水手段で噴霧された水を受けるタンクを備えた除害装置と、前記単結晶引上げ装置で生じた塵埃を回収する集塵管路が上部に接続される第２チャンバ、及び、前記第２チャンバの内部に設けられ、前記第２チャンバの内部に水を噴霧する第２散水手段を備えた集塵処理装置と、前記第１チャンバと管路を介して接続され、前記第１チャンバ内部の気体を外部に排出するブロアとを備え、前記集塵処理装置は、前記第２チャンバの下部が前記タンクの内部と連通していることを特徴とする。 The exhaust gas treatment apparatus of the present invention is an exhaust gas treatment apparatus for treating exhaust gas discharged from a single crystal pulling apparatus, wherein the first chamber to which the exhaust gas exhaust line of the single crystal pulling apparatus is connected, the first chamber Provided with a first watering means for spraying water inside the first chamber, and a tank for receiving water sprayed by the first watering means provided at the lower part of the first chamber. A detoxification device and a dust collecting pipe for collecting dust generated by the single crystal pulling device are provided in the upper portion of the second chamber, and the second chamber is provided in the second chamber. A dust collection device comprising a second watering means for spraying water; and a blower connected to the first chamber via a conduit and for discharging the gas inside the first chamber to the outside. The processing device Bottom of the second chamber is equal to or in communication with the interior of the tank.

本発明によれば、除害装置及び集塵処理装置を備え、集塵処理装置が、第２チャンバの下部がタンクの内部と連通していることにより、排ガス処理機能と集塵機能が一体化された構成となっている。このため、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、設置スペースやイニシャルコストを低減することができる。
また、除害装置と集塵処理装置とで、ガスを排気するブロアを共有する構成としているので、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、ランニングコストを低減することができる。
また、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置及び除害装置による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。 According to the present invention, the exhaust gas treatment function and the dust collection function are integrated by providing the detoxification device and the dust collection treatment device, and the dust collection treatment device communicates with the inside of the tank at the lower part of the second chamber. It becomes the composition. For this reason, compared with the case where the exhaust gas treatment device and the dust collector are separately installed, the installation space and the initial cost can be reduced.
In addition, the abatement device and the dust collection processing device share a blower that exhausts gas, so the running cost is reduced compared to when the exhaust gas treatment device and the dust collector are installed separately. be able to.
In addition, dust collected during cleaning is removed by a two-stage process using a dust collection device and a detoxification device, so the cleanliness of the gas discharged to the outside is higher than when processing with a conventional dust collector. Will increase.

本発明の排ガス処理装置では、前記第２チャンバは、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管であることが好ましい。
この発明によれば、集塵処理装置の第２チャンバにベンチュリ方式を採用している。ベンチュリ管にすることで、第２散水手段から散布する水がミスト状になり、塵埃との接触頻度が高まるため、除塵効率を向上させることができる。
また、一般的に使用される集塵機では、集塵効率を上げるために内部にフィルターが設置されているが、この内部フィルターを備えた集塵機では、フィルターが詰まり易いため、差圧異常警報が発報され、その都度にフィルターの清掃作業が発生するという不具合を生じていた。一方、ベンチュリ管ではフィルターを使用しないため、従来のフィルター方式を採用した集塵機を使用する場合のフィルター目詰まりの警報がなくなり、フィルター清掃作業を削減することができる。したがって、ランニングコストを更に低減することができる。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, it is preferable that the second chamber is a Venturi tube in which a part of a cylinder defining the chamber has a reduced diameter.
According to this invention, the venturi system is adopted for the second chamber of the dust collection processing apparatus. By using the venturi tube, the water sprayed from the second water sprinkling means becomes mist and the frequency of contact with the dust increases, so that the dust removal efficiency can be improved.
Also, in general dust collectors, a filter is installed inside to increase the dust collection efficiency. However, in a dust collector equipped with this internal filter, the filter is easily clogged, so a differential pressure abnormality alarm is issued. In this case, a problem arises in that the cleaning work of the filter occurs each time. On the other hand, since the Venturi tube does not use a filter, there is no filter clogging alarm when using a dust collector employing a conventional filter method, and the filter cleaning work can be reduced. Therefore, the running cost can be further reduced.

また、本発明の排ガス処理装置では、前記除害装置のみの使用と、前記除害装置及び前記集塵処理装置の併用との切替が制御手段により行われ、前記制御手段が前記ブロアの排気速度を制御可能なインバーターを備えることが好ましい。
本発明によれば、切替を行う制御手段がブロアの排気速度を制御可能なインバーターを備えるので、インバーターでブロアの排気速度を制御することにより、除害装置のみの使用と、除害装置及び集塵処理装置の併用との切替を容易に行うことができる。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, the control means switches between the use of only the abatement apparatus and the combined use of the abatement apparatus and the dust collection treatment apparatus, and the control means performs the exhaust speed of the blower. It is preferable to provide an inverter capable of controlling the above.
According to the present invention, the control means for switching includes the inverter capable of controlling the exhaust speed of the blower. Therefore, by using the inverter to control the exhaust speed of the blower, the use of only the abatement apparatus, the abatement apparatus and the collector Switching to the combined use of the dust treatment device can be easily performed.

また、本発明の排ガス処理装置では、前記タンクの下部にドレンを備えることが好ましい。
本発明によれば、タンクの下部にドレンを備えるので、タンク底部に溜まったダスト起因の汚泥量が増加しても、装置の稼働を停止することなく、連続運転しながら、汚泥を排出することができる。 In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, it is preferable that a drain is provided in the lower part of the tank.
According to the present invention, since the drain is provided at the lower part of the tank, even if the amount of sludge caused by dust accumulated at the bottom of the tank increases, the sludge is discharged while continuously operating without stopping the operation of the apparatus. Can do.

また、本発明の排ガス処理装置では、前記単結晶引上げ装置で生じた塵埃を含むガスは、前記集塵処理装置から前記タンク内空間を通過して前記除害装置に流れ込むことで、前記集塵処理装置及び前記除害装置による２段階で処理されることが好ましい。
この発明によれば、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置及び除害装置による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。 Further, in the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, the gas containing dust generated by the single crystal pulling device flows from the dust collection treatment device through the space in the tank and flows into the detoxification device. The treatment is preferably performed in two stages by the treatment device and the abatement device.
According to the present invention, dust collected during cleaning is removed by two-stage processing by the dust collection processing device and the detoxification device, so that it is discharged to the outside as compared with the case of processing with a conventional dust collector. Increases gas cleanliness.

本発明の排ガス処理装置の概略図である。It is the schematic of the exhaust gas processing apparatus of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
〔単結晶引上げ装置の構成〕
先ず、単結晶引上げ装置の構成について説明する。
単結晶引上げ装置は、メインチャンバと、メインチャンバ内に配置された石英るつぼと、石英るつぼに熱を放射して加熱する加熱部としてのヒーターと、引上げ部としての引上げケーブルと、を備える。
またメインチャンバの上部には、育成したシリコン単結晶を収容し取り出すためのプルチャンバが連設されている。プルチャンバ上部にはガス導入口が、メインチャンバ下部にはガス排出口がそれぞれ設けられる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Configuration of single crystal pulling device]
First, the configuration of the single crystal pulling apparatus will be described.
The single crystal pulling apparatus includes a main chamber, a quartz crucible disposed in the main chamber, a heater as a heating unit that radiates and heats the quartz crucible, and a pulling cable as a pulling unit.
In addition, a pull chamber for accommodating and taking out the grown silicon single crystal is connected to the upper portion of the main chamber. A gas inlet is provided at the upper part of the pull chamber, and a gas outlet is provided at the lower part of the main chamber.

〔排ガス処理装置の構成〕
次に、排ガス処理装置の構成について説明する。
図１に示すように、本発明の排ガス処理装置１は、単結晶引上げ装置２から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置であり、除害装置３と、集塵処理装置４と、ブロア５とを備えて構成される。本実施形態では、排ガス処理装置１に接続される単結晶引上げ装置２は３台である。 [Configuration of exhaust gas treatment equipment]
Next, the configuration of the exhaust gas treatment apparatus will be described.
As shown in FIG. 1, an exhaust gas treatment apparatus 1 of the present invention is an exhaust gas treatment apparatus that treats exhaust gas discharged from a single crystal pulling apparatus 2, and includes a detoxification device 3, a dust collection treatment device 4, and a blower 5. And is configured. In the present embodiment, there are three single crystal pulling devices 2 connected to the exhaust gas treatment device 1.

除害装置３は、単結晶引上げ装置２の排ガスの排出管路２１が接続される第１チャンバ３１と、第１チャンバ３１の内部に設けられ、第１チャンバ３１の内部に水を噴霧する第１散水手段３２、及び、第１チャンバ３１の下部に設けられ、第１散水手段３２で噴霧された水を受けるタンク３３から構成される。除害装置３では、単結晶引上げ装置２から排出される排ガスが第１チャンバ３１を通過する際に、第１散水手段３２から噴霧される水により不純物を捕捉することにより、排ガスに含まれる不純物を取り除く。 The detoxifying device 3 is provided in the first chamber 31 to which the exhaust gas discharge pipe 21 of the single crystal pulling device 2 is connected, and in the first chamber 31, and sprays water into the first chamber 31. 1 water sprinkling means 32 and a tank 33 which is provided in the lower part of the first chamber 31 and receives water sprayed by the first water sprinkling means 32. In the detoxifying device 3, when the exhaust gas discharged from the single crystal pulling device 2 passes through the first chamber 31, the impurities contained in the exhaust gas are captured by water sprayed from the first watering means 32. Remove.

また、タンク３３内には事前に水が貯留され、タンク３３内には、貯留水３３１がタンクの約半分程度貯められている。そして、タンク３３内の貯留水３３１を引上げて第１散水手段３２に供給する第１水供給手段３４が接続される。第１水供給手段３４には、ポンプ及びバルブ（図示省略）が設けられる。タンク３３の下部には、タンク３３底部に溜まった汚泥を排出可能なドレン３５が備えられる。ドレン３５にはバルブ３５１が設けられる。
また、複数台の単結晶引上げ装置２の排ガスの排出管路２１には、フィルター２２、ドライ真空ポンプ２３がそれぞれ設けられ、電動弁Ａ１を介して第１チャンバ３１の下側部に接続されている。 Further, water is stored in the tank 33 in advance, and the stored water 331 is stored in the tank 33 about half of the tank. And the 1st water supply means 34 which pulls up the stored water 331 in the tank 33 and supplies it to the 1st watering means 32 is connected. The first water supply means 34 is provided with a pump and a valve (not shown). A drain 35 capable of discharging sludge accumulated at the bottom of the tank 33 is provided below the tank 33. The drain 35 is provided with a valve 351.
Further, a filter 22 and a dry vacuum pump 23 are respectively provided in the exhaust gas discharge pipes 21 of the plurality of single crystal pulling apparatuses 2 and are connected to the lower side of the first chamber 31 via the motor-operated valve A1. Yes.

集塵処理装置４は、単結晶引上げ装置２で生じた塵埃を回収する集塵管路６１が上部に接続される第２チャンバ４１、及び、第２チャンバ４１の内部に設けられ、第２チャンバ４１の内部に水を噴霧する第２散水手段４２を備えて構成される。そして集塵処理装置４は、第２チャンバ４１の下部がタンク３３の内部と連通している。
集塵処理装置４では、単結晶引上げ装置２で生じた塵埃を含むガスが第２チャンバ４１を通過する際に、第２散水手段４２から噴霧される水により塵埃を捕捉することにより、ガス中に含まれる塵埃の大部分を取り除く。 The dust collection processing device 4 is provided inside a second chamber 41 having a dust collection pipe 61 for collecting dust generated by the single crystal pulling device 2 connected to the upper portion, and the second chamber 41. 41 is provided with the 2nd watering means 42 which sprays water inside. In the dust collection processing device 4, the lower part of the second chamber 41 communicates with the inside of the tank 33.
In the dust collection processing device 4, when the gas containing dust generated in the single crystal pulling device 2 passes through the second chamber 41, the dust is captured by the water sprayed from the second water sprinkling means 42, thereby Remove most of the dust contained in the.

集塵処理装置４の第２チャンバ４１は、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管であることが好ましい。ベンチュリ管は集束部４１１、スロート部４１２及び拡大部４１３から構成される。ベンチュリ管はスロート部４１２を通過するガス流速が９．５ｍ／ｓ以上５６．０ｍ／ｓ以下の範囲内となるように設定されることが好ましい。第２散水手段４２からの水は、ベンチュリ管の集束部４１１あるいはスロート部４１２付近に噴霧されるように構成されることが好ましい。そして、タンク３３内の貯留水３３１を引上げて第２散水手段４２に供給する第２水供給手段４３が接続される。第２水供給手段４３には、ポンプ及びバルブ（図示省略）が設けられる。
また、複数台の単結晶引上げ装置２の近傍にはそれぞれ集塵口６が設置される。そして、集塵管路６１の一方が集塵口６にそれぞれ接続され、集塵管路６１の他方が、電動弁Ａ２を介して第２チャンバ４１の上部に接続されている。 The second chamber 41 of the dust collection processing device 4 is preferably a Venturi tube in which a part of a cylinder defining the chamber is reduced in diameter. The venturi tube includes a converging part 411, a throat part 412, and an enlarged part 413. The venturi tube is preferably set so that the flow velocity of gas passing through the throat portion 412 is in the range of 9.5 m / s to 56.0 m / s. The water from the second water sprinkling means 42 is preferably configured to be sprayed near the converging portion 411 or the throat portion 412 of the venturi tube. And the 2nd water supply means 43 which pulls up the stored water 331 in the tank 33 and supplies it to the 2nd sprinkling means 42 is connected. The second water supply means 43 is provided with a pump and a valve (not shown).
A dust collection port 6 is installed in the vicinity of the plurality of single crystal pulling devices 2. One end of the dust collection conduit 61 is connected to the dust collection port 6, and the other end of the dust collection conduit 61 is connected to the upper portion of the second chamber 41 via the motor-operated valve A <b> 2.

ブロア５の吸引側には、除害装置３の第１チャンバ３１の上部に接続された管路５１が接続され、ブロア５の排気側には、第１チャンバ３１内部の気体を外気に排出する排気ダクト５２が接続される。
本実施形態の排ガス処理装置１は、除害装置３のみの使用と、除害装置３及び集塵処理装置４の併用との切替が、制御手段７としての制御盤７１により行われる。制御盤７１は、電動弁Ａ１，電動弁Ａ２及びブロア５に電気的に接続され、この制御盤７１により、電動弁Ａ１及び電動弁Ａ２の開閉や開度調節、ブロア５の稼働などの制御が行われる。そして制御手段７には、インバーター７２が備えられ、このインバーター７２により、周波数変更することで、ブロア５の排気速度の制御が行われる。 A pipe 51 connected to the upper part of the first chamber 31 of the abatement apparatus 3 is connected to the suction side of the blower 5, and the gas inside the first chamber 31 is discharged to the outside on the exhaust side of the blower 5. An exhaust duct 52 is connected.
In the exhaust gas treatment apparatus 1 of the present embodiment, the use of only the abatement apparatus 3 and the combined use of the abatement apparatus 3 and the dust collection treatment apparatus 4 are performed by a control panel 71 as the control means 7. The control panel 71 is electrically connected to the motor-operated valve A1, the motor-operated valve A2, and the blower 5. The control panel 71 controls the opening and closing of the motor-operated valve A1 and the motor-operated valve A2, the opening adjustment, and the operation of the blower 5. Done. The control means 7 is provided with an inverter 72, and the exhaust speed of the blower 5 is controlled by changing the frequency by the inverter 72.

〔排ガス処理装置の作用〕
＜除害装置３のみの使用（シリコン単結晶の引上げ稼働時）＞
複数台の単結晶引上げ装置２の引上げを行う際には、先ず、制御手段７により、電動弁Ａ１を開き、電動弁Ａ２は閉じておく。また、第１水供給手段３４によりタンク３３内の貯留水３３１を第１散水手段３２に供給する。そして、単結晶引上げ装置２を稼働させる。また、単結晶引上げ装置２にそれぞれ設置されているドライ真空ポンプ２３を稼働させるとともに、ブロア５を稼働させる。ブロア５はインバーター７２により低速動作させる。 [Operation of exhaust gas treatment equipment]
<Use of abatement device 3 only (when pulling up silicon single crystal)>
When pulling up a plurality of single crystal pulling apparatuses 2, first, the motor 7 is opened by the control means 7, and the motor-operated valve A 2 is closed. Further, the first water supply means 34 supplies the stored water 331 in the tank 33 to the first watering means 32. Then, the single crystal pulling apparatus 2 is operated. In addition, the dry vacuum pump 23 installed in each single crystal pulling apparatus 2 is operated, and the blower 5 is operated. The blower 5 is operated at a low speed by the inverter 72.

（シリコン単結晶の引上げ）
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ方法では、先ず、単結晶引上げ装置内に設けられた石英るつぼにシリコン原料としての多結晶シリコンを充填し、シリコン原料が充填された石英るつぼをヒーターで加熱することにより、シリコン原料を溶融してシリコン融液にする。
次いで、引上げケーブル先端に接続された種結晶をシリコン融液に接触させ、石英るつぼ及び引上げケーブルをそれぞれ同方向又は逆方向に回転させながら、種結晶を所定の引上げ速度で引上げることにより種結晶と同じ原子配列をしたシリコン単結晶を成長させる。 (Pulling up silicon single crystal)
In the method of pulling a silicon single crystal by the Czochralski method, first, a quartz crucible provided in a single crystal pulling apparatus is filled with polycrystalline silicon as a silicon raw material, and the quartz crucible filled with the silicon raw material is heated with a heater. As a result, the silicon raw material is melted to form a silicon melt.
Next, the seed crystal connected to the tip of the pulling cable is brought into contact with the silicon melt, and the seed crystal is pulled at a predetermined pulling speed while rotating the quartz crucible and the pulling cable in the same direction or in the opposite direction, respectively. A silicon single crystal having the same atomic arrangement is grown.

また、単結晶引上げ装置内に発生したシリコン酸化物やシリコン窒化物などの反応生成物や不純物を排除することを目的として、プルチャンバ上部のガス導入口からアルゴンなどの不活性ガスを導入し、メインチャンバ下部のガス排出口から単結晶引上げ装置外に排出することで、引上げるシリコン単結晶の汚染を防止する。
排出される排ガス中には、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの反応生成物の他、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｎ_２及びＨ_２などの不純物ガスが含まれる。また、シリコン単結晶の抵抗値を調整するために、リンや砒素などのドーパントがドーピングされる場合には、これらのドーパントガスも含まれる。この排ガスは、ドライ真空ポンプ２３により単結晶引上げ装置２から排気される。ドライ真空ポンプ２３による排ガスの排気速度は、単結晶引上げ装置内が負圧雰囲気となる、３０００Ｌ／ｍｉｎ程度の範囲内にすることが好ましい。 In order to eliminate reaction products and impurities such as silicon oxide and silicon nitride generated in the single crystal pulling apparatus, an inert gas such as argon is introduced from the gas inlet at the top of the pull chamber. By discharging to the outside of the single crystal pulling device from the gas discharge port at the bottom of the chamber, contamination of the silicon single crystal to be pulled up is prevented.
In the exhaust gas discharged, impurity gases such as CO, CO ₂ , O ₂ , N ₂ and H ₂ are contained in addition to reaction products such as silicon oxide and silicon nitride. Further, when a dopant such as phosphorus or arsenic is doped in order to adjust the resistance value of the silicon single crystal, these dopant gases are also included. This exhaust gas is exhausted from the single crystal pulling apparatus 2 by the dry vacuum pump 23. The exhaust gas exhaust rate by the dry vacuum pump 23 is preferably in the range of about 3000 L / min, in which the inside of the single crystal pulling apparatus becomes a negative pressure atmosphere.

（除害装置３の作用）
単結晶引上げ装置２から排出された排ガスは、排出管路２１を通り、フィルター２２、ドライ真空ポンプ２３、電動弁Ａ１を介して除害装置３の第１チャンバ３１の下側部に導かれる。なお、フィルター２２により、フィルター２２の目より大きな、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの不純物粒子はここで捕捉される。
第１チャンバ３１では、第１散水手段３２により、通過する排ガスに対して水が散布される。第１散水手段３２からの水の散布量は、第１チャンバ３１内を通過するガス流量に応じて、適宜調整される。例えば、第１チャンバ３１内を通過する排ガス流量が、１．５ｍ^３／ｍｉｎ以上９．５ｍ^３／ｍｉｎ以下の範囲内である場合、第１散水手段３２からの水の散布量を４５Ｌ／ｍｉｎ以上５５Ｌ／ｍｉｎ以下の範囲内にすることが好ましい。第１散水手段３２からの水の散布量が下限値未満では、十分に不純物を捕捉することができないおそれがあり、他方、第１散水手段３２からの水の散布量が上限値を超えても、その効果は変わらない。 (Operation of the abatement device 3)
The exhaust gas discharged from the single crystal pulling apparatus 2 passes through the discharge pipe 21 and is guided to the lower side of the first chamber 31 of the abatement apparatus 3 through the filter 22, the dry vacuum pump 23, and the motor operated valve A1. The filter 22 captures impurity particles larger than the eyes of the filter 22 such as silicon oxide and silicon nitride here.
In the first chamber 31, water is sprinkled on the exhaust gas passing by the first watering means 32. The amount of water sprayed from the first water sprinkling means 32 is appropriately adjusted according to the gas flow rate passing through the first chamber 31. For example, when the flow rate of the exhaust gas passing through the first chamber 31 is in the range of 1.5 m ³ / min to 9.5 m ³ / min, the amount of water sprayed from the first watering means 32 is 45 L / min. It is preferable to be within the range of 55 L / min or less. If the amount of water sprayed from the first watering means 32 is less than the lower limit value, there is a possibility that impurities cannot be sufficiently captured, while the amount of water sprayed from the first watering means 32 exceeds the upper limit value. The effect will not change.

これにより、排ガスに散布した水を接触させることで、排ガス中の不純物が水に捕捉され、水に捕捉された不純物は落下して、第１チャンバ３１の下部に位置するタンク３３に汚泥として回収される。なお、タンク３３によって回収された汚泥は、タンク３３の下部に設けられたバルブ３５１を開くことでドレン３５から適宜排出される。
そして、除害装置３を通過して処理された排ガスは、第１チャンバ３１の上部から管路５１を通り、ブロア５を経て、排気ダクト５２から外気に排出される。 Thereby, by bringing the water sprayed into the exhaust gas into contact, impurities in the exhaust gas are trapped in the water, and the impurities trapped in the water are dropped and recovered as sludge in the tank 33 located below the first chamber 31. Is done. The sludge collected by the tank 33 is appropriately discharged from the drain 35 by opening a valve 351 provided at the lower part of the tank 33.
Then, the exhaust gas processed through the abatement apparatus 3 passes through the pipe line 51 from the upper part of the first chamber 31, passes through the blower 5, and is discharged from the exhaust duct 52 to the outside air.

＜除害装置３及び集塵処理装置４の併用（単結晶引上げ装置の清掃時）＞
複数台の単結晶引上げ装置２のうち、引上げを終えた単結晶引上げ装置２の清掃を行う際には、先ず、清掃を行う単結晶引上げ装置２の近傍に位置する集塵口６に清掃ダクト（図示省略）を接続する。そして制御手段７により電動弁Ａ２を開く。またインバーター７２により周波数を変更することで、ブロア５の排気速度を切替える。ブロア５の排気速度は、集塵処理装置４の第２チャンバ４１を通過するガス流量が、１．１ｍ^３／ｍｉｎ以上６．５ｍ^３／ｍｉｎ以下の範囲内になるように調整することが好ましい。第２チャンバ４１を通過するガス流量が下限値未満では、十分な吸引力が得られないおそれがあり、他方、第２チャンバ４１を通過するガス流量が上限値を超えると、配管や集塵処理装置４、除害装置３などに過度の負担がかかるおそれがある。
また、集塵口６に接続された清掃ダクトの吸引力は、ブロア５の排気速度に依存するので、通常は除害装置３のみの使用時に比べて、ブロア５の排気速度を高くすることが好ましい。またブロア５の排気速度を高くすると、清掃中の単結晶引上げ装置２以外の、稼働中の単結晶引上げ装置２にそれぞれ設置されているドライ真空ポンプ２３に過度の負担を生じるおそれがあるため、除害装置３のみの使用時に比べて、電動弁Ａ１の開度を狭めることが好ましい。また、第２水供給手段４３によりタンク３３内の貯留水３３１を第２散水手段４２に供給する。 <Combination of the detoxifying device 3 and the dust collecting treatment device 4 (when cleaning the single crystal pulling device)>
When cleaning the single crystal pulling apparatus 2 that has been pulled out of the plurality of single crystal pulling apparatuses 2, first, a cleaning duct is installed in the dust collection port 6 located in the vicinity of the single crystal pulling apparatus 2 that performs the cleaning. (Not shown) is connected. Then, the motor 7 is opened by the control means 7. Further, the exhaust speed of the blower 5 is switched by changing the frequency by the inverter 72. The exhaust speed of the blower 5 is preferably adjusted so that the gas flow rate passing through the second chamber 41 of the dust collection processing device 4 is in the range of 1.1 m ³ / min to 6.5 m ³ / min. . If the gas flow rate passing through the second chamber 41 is less than the lower limit value, a sufficient suction force may not be obtained. On the other hand, if the gas flow rate passing through the second chamber 41 exceeds the upper limit value, piping or dust collection treatment There is a possibility that an excessive burden is applied to the device 4, the abatement device 3, and the like.
Further, since the suction force of the cleaning duct connected to the dust collecting port 6 depends on the exhaust speed of the blower 5, the exhaust speed of the blower 5 can be usually increased as compared with the case of using only the abatement apparatus 3. preferable. Further, when the exhaust speed of the blower 5 is increased, there is a possibility that an excessive burden is caused on the dry vacuum pumps 23 respectively installed in the operating single crystal pulling apparatus 2 other than the single crystal pulling apparatus 2 being cleaned. It is preferable to narrow the opening degree of the motor-operated valve A1 as compared with the case of using only the abatement apparatus 3. Further, the stored water 331 in the tank 33 is supplied to the second watering means 42 by the second water supply means 43.

（集塵処理装置４の作用）
そして清掃ダクトの吸引力により単結晶引上げ装置２内の清掃が行われる。ここで集塵される塵埃としては、シリコン酸化物、シリコンなどが含まれる。また引上げの際に、リンや砒素などのドーパントがドーピングされる場合には、これらのドーパント物質起因の塵埃も含まれる。清掃ダクトから集塵された塵埃を含むガスは、集塵口６から集塵管路６１を通り、電動弁Ａ２を介して集塵処理装置４の第２チャンバ４１の上部に導かれる。 (Operation of the dust collector 4)
And the cleaning in the single crystal pulling apparatus 2 is performed by the suction force of the cleaning duct. The dust collected here includes silicon oxide, silicon, and the like. In addition, when a dopant such as phosphorus or arsenic is doped at the time of pulling up, dust due to these dopant substances is also included. The gas containing dust collected from the cleaning duct passes through the dust collection port 61 through the dust collection port 6 and is guided to the upper portion of the second chamber 41 of the dust collection processing device 4 through the motor-operated valve A2.

第２チャンバ４１では、第２散水手段４２により、通過する塵埃を含むガスに対して水が散布される。第２散水手段４２からの水の散布量は、第２チャンバ４１内を通過するガス流量に応じて、適宜調整される。例えば、通過する塵埃を含むガス流量が、１．１ｍ^３／ｍｉｎ以上６．５ｍ^３／ｍｉｎ以下の範囲内である場合、第２散水手段４２からの水の散布量を５．５Ｌ／ｍｉｎ以上６．５Ｌ／ｍｉｎ以下の範囲内にすることが好ましい。第２散水手段４２からの水の散布量が下限値未満では、十分に塵埃を捕捉することができないおそれがあり、他方、第２散水手段４２からの水の散布量が上限値を超えても、その効果は変わらない。
これにより、塵埃に散布した水を接触させることで、塵埃を含むガス中の塵埃の大部分が水に捕捉され、水に捕捉された塵埃は落下して、第２チャンバ４１の下方に位置するタンク３３に汚泥として回収される。なお、タンク３３によって回収された汚泥は、タンク３３の下部に設けられたバルブ３５１を開くことでドレン３５から適宜排出される。 In the second chamber 41, the second water sprinkling means 42 scatters water to the gas containing dust passing therethrough. The amount of water sprayed from the second water sprinkling means 42 is appropriately adjusted according to the gas flow rate passing through the second chamber 41. For example, when the gas flow rate including the passing dust is in the range of 1.1 m ³ / min to 6.5 m ³ / min, the amount of water sprayed from the second water sprinkling means 42 is 5.5 L / min or more. It is preferable to be within the range of 6.5 L / min or less. If the amount of water sprayed from the second water sprinkling means 42 is less than the lower limit value, there is a possibility that the dust cannot be captured sufficiently, while the amount of water sprayed from the second water sprinkling means 42 exceeds the upper limit value. The effect will not change.
Thereby, most of the dust in the gas containing the dust is captured by the water by contacting the water sprayed on the dust, and the dust captured by the water falls and is located below the second chamber 41. It is collected in the tank 33 as sludge. The sludge collected by the tank 33 is appropriately discharged from the drain 35 by opening a valve 351 provided at the lower part of the tank 33.

また、第２チャンバ４１がベンチュリ管であることにより、通過するガスは集束部４１１で絞られて流速が増すため、第２散水手段４２によって、集束部４１１あるいはスロート部４１２付近に散布された水は、集束部４１１下方のスロート部４１２を高速で通過することにより砕かれ、ミスト状となる。そのため、塵埃は無数のミストと効率よく接触するため、高い除塵効果が得られる。 Further, since the second chamber 41 is a venturi tube, the passing gas is throttled by the converging unit 411 and the flow velocity is increased, so that the water sprayed in the vicinity of the converging unit 411 or the throat unit 412 by the second water spray means 42. Is crushed by passing through the throat part 412 below the converging part 411 at high speed, and becomes a mist. For this reason, the dust efficiently contacts with countless mists, so that a high dust removal effect is obtained.

（除害装置３の作用）
続いて、第２チャンバ４１で大部分の塵埃が取り除かれた塵埃の残部を含むガスは、第２チャンバ４１の下部から、第２チャンバ４１の下部に連通しているタンク３３内の空間を通過して第１チャンバ３１の下部に導かれる。
第１チャンバ３１では、第１散水手段３２により、通過する塵埃の残部を含むガスに対して水が散布される。第１散水手段３２からの水の散布量は、上記除害装置３のみの使用時と同様である。 (Operation of the abatement device 3)
Subsequently, the gas including the remainder of the dust from which most of the dust is removed in the second chamber 41 passes through the space in the tank 33 communicating with the lower portion of the second chamber 41 from the lower portion of the second chamber 41. Then, it is guided to the lower part of the first chamber 31.
In the first chamber 31, the first water sprinkling means 32 scatters water to the gas including the remaining dust. The amount of water sprayed from the first watering means 32 is the same as when only the abatement device 3 is used.

これにより、塵埃の残部を含むガスに散布した水を接触させることで、ガス中の塵埃の残部が水に捕捉され、水に捕捉された塵埃は落下して、第１チャンバ３１の下方に位置するタンク３３に汚泥として回収される。
そして、除害装置３を通過して処理されたガスは、第１チャンバ３１の上部から管路５１を通り、ブロア５を経て、排気ダクト５２から外気に排出される。
なお、複数台の単結晶引上げ装置２のうち、清掃中の単結晶引上げ装置２以外の、引上げ稼働中の単結晶引上げ装置２からの排ガスは、上記除害装置３のみの使用時と同様に処理され、外気に排出される。 As a result, by bringing the sprayed water into contact with the gas containing the dust residue, the dust residue in the gas is captured by the water, and the dust trapped in the water falls and is positioned below the first chamber 31. Is collected as sludge in the tank 33.
The gas processed through the abatement apparatus 3 passes through the pipe 51 from the upper part of the first chamber 31, passes through the blower 5, and is discharged from the exhaust duct 52 to the outside air.
Of the plurality of single crystal pulling devices 2, the exhaust gas from the single crystal pulling device 2 during the pulling operation other than the single crystal pulling device 2 being cleaned is the same as when only the abatement device 3 is used. Processed and discharged to the open air.

＜切替＞
単結晶引上げ装置２内の清掃を終えた後は、除害装置３及び集塵処理装置４の併用時の状態から、除害装置３のみの使用時の状態に戻す。
具体的には、集塵口６に接続した清掃ダクトを外し、制御手段７により電動弁Ａ２を閉じ、電動弁Ａ１の開度を広げる。インバーター７２により周波数を変更することで、ブロア５の排気速度を元の速度に切替える。また、第２水供給手段４３により第２散水手段４２に供給していた水を止める。 <Switching>
After the cleaning in the single crystal pulling device 2 is completed, the state when the detoxifying device 3 and the dust collection processing device 4 are used together is returned to the state when only the detoxifying device 3 is used.
Specifically, the cleaning duct connected to the dust collection port 6 is removed, and the motorized valve A2 is closed by the control means 7 to widen the opening of the motorized valve A1. By changing the frequency by the inverter 72, the exhaust speed of the blower 5 is switched to the original speed. Further, the water supplied to the second watering means 42 by the second water supply means 43 is stopped.

〔実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）本発明によれば、除害装置３及び集塵処理装置４を備え、集塵処理装置４が、第２チャンバ４１の下部がタンク３３の内部と連通していることにより、排ガス処理機能と集塵機能が一体化された構成となっている。このため、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、設置スペースやイニシャルコストを低減することができる。
また、除害装置３と集塵処理装置４とで、ガスを排気するブロア５を共有する構成としているので、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、ランニングコストを低減することができる。
また、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置４及び除害装置３による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。 [Effects of Embodiment]
As described above, in the above embodiment, the following operational effects can be achieved.
(1) According to the present invention, the detoxification device 3 and the dust collection treatment device 4 are provided, and the dust collection treatment device 4 has an exhaust gas treatment process because the lower part of the second chamber 41 communicates with the inside of the tank 33. The function and dust collection function are integrated. For this reason, compared with the case where the exhaust gas treatment device and the dust collector are separately installed, the installation space and the initial cost can be reduced.
In addition, since the abatement device 3 and the dust collection processing device 4 share the blower 5 for exhausting gas, the running cost is lower than when the exhaust gas treatment device and the dust collector are separately installed. Can be reduced.
In addition, dust collected during cleaning is removed by two stages of processing by the dust collector 4 and the detoxifier 3, so that the amount of gas discharged to the outside air is smaller than when processing with a conventional dust collector. Increased cleanliness.

（２）集塵処理装置４の第２チャンバ４１は、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管である。
ベンチュリ管にすることで、第２散水手段４２から散布する水がミスト状になり、塵埃との接触頻度が高まるため、除塵効率を向上させることができる。
また、従来のフィルター方式を採用した集塵機を使用する場合に比べて、ベンチュリ管ではフィルターを使用しないため、フィルターが目詰まりする際の警報がなくなり、またフィルター清掃作業を削減することができる。したがって、ランニングコストを更に低減することができる。 (2) The second chamber 41 of the dust collection processing device 4 is a Venturi tube in which a part of a cylindrical body defining the chamber is reduced in diameter.
By using the Venturi tube, the water sprayed from the second water sprinkling means 42 becomes mist and the frequency of contact with dust increases, so that the dust removal efficiency can be improved.
Further, compared to the case where a dust collector employing a conventional filter system is used, the venturi tube does not use a filter, so there is no alarm when the filter is clogged, and the filter cleaning work can be reduced. Therefore, the running cost can be further reduced.

（３）除害装置３のみの使用と、除害装置３及び集塵処理装置４の併用との切替が制御手段７により行われる。そして、制御手段７は、ブロア５の排気速度を制御可能なインバーター７２を備えている。
このため、制御手段７で電動弁Ａ１，Ａ２の開閉を制御し、インバーター７２でブロア５の排気速度を制御することにより、除害装置３のみの使用と、除害装置３及び集塵処理装置４の併用との切替を容易に行うことができる。 (3) The control means 7 switches between using only the abatement apparatus 3 and using the abatement apparatus 3 and the dust collection processing apparatus 4 together. The control means 7 includes an inverter 72 that can control the exhaust speed of the blower 5.
Therefore, the control means 7 controls the opening and closing of the motorized valves A1 and A2, and the inverter 72 controls the exhaust speed of the blower 5, so that only the abatement device 3 is used, the abatement device 3 and the dust collection processing device. 4 can be easily switched to the combined use.

（４）除害装置３のタンク３３の下部にはドレン３５を備えている。
このため、タンク３３によって回収されタンク３３底部に溜まった汚泥は、ドレン３５から適宜排出することができるため、単結晶引上げ装置２や排ガス処理装置１の稼働を停止することなく、連続運転できる。 (4) A drain 35 is provided below the tank 33 of the abatement apparatus 3.
For this reason, since the sludge collected by the tank 33 and accumulated at the bottom of the tank 33 can be appropriately discharged from the drain 35, it can be continuously operated without stopping the operation of the single crystal pulling apparatus 2 or the exhaust gas treatment apparatus 1.

（５）単結晶引上げ装置２で生じた塵埃を含むガスは、集塵処理装置４からタンク３３内空間を通過して除害装置３に流れ込むことで、集塵処理装置４及び除害装置３による２段階で処理される。
このため、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置及び除害装置による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。 (5) The dust-containing gas generated by the single crystal pulling device 2 flows from the dust collection processing device 4 through the space in the tank 33 into the detoxification device 3, so that the dust collection processing device 4 and the decontamination device 3. It is processed in two stages.
For this reason, dust collected during cleaning is removed by a two-stage process using a dust collector and a detoxifier, so that the gas discharged to the outside air can be cleaned more than when processing with a conventional dust collector. The degree increases.

〔他の実施形態〕
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
すなわち、除害装置３で処理された後の排ガスは、ブロア５を経て外気に排出する構成としたが、排ガスを処理して不純物を取り除いた不活性ガスを回収し、この回収した不活性ガスを単結晶引上げ装置２へのキャリアガスとして再利用する構成としてもよい。
なお、上記構成では、除害装置３及び集塵処理装置４の併用時では、塵埃の集塵の際に大気中の空気が含まれてしまい、不活性ガスの回収及び再利用をすることが難しいため、除害装置３のみの使用時に回収した不活性ガスを単結晶引上げ装置２に再利用する構成とすることが好ましい。
また、集塵口６にフィルターを設けて、径の大きな塵埃をフィルターにより取り除く構成としてもよい。これにより、集塵処理装置４において径の小さな塵埃の除塵効率の向上が期待され、また、タンク３３底部に溜まる汚泥量も少なくなるため、ドレン３５からの汚泥排出頻度が低減される。 [Other Embodiments]
Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and design changes can be made without departing from the scope of the present invention.
That is, the exhaust gas after being treated by the detoxifying device 3 is configured to be discharged to the outside air through the blower 5, but the inert gas from which the exhaust gas has been treated to remove impurities is recovered, and this recovered inert gas is recovered. May be reused as a carrier gas for the single crystal pulling apparatus 2.
In the above configuration, when the abatement apparatus 3 and the dust collection processing apparatus 4 are used in combination, air in the atmosphere is included when dust is collected, and the inert gas can be recovered and reused. Since it is difficult, it is preferable that the inert gas collected when only the abatement apparatus 3 is used is reused in the single crystal pulling apparatus 2.
Moreover, it is good also as a structure which provides a filter in the dust collection port 6, and removes dust with a large diameter with a filter. Thereby, the dust collection processing device 4 is expected to improve the dust removal efficiency of dust having a small diameter, and the amount of sludge collected at the bottom of the tank 33 is reduced, so that the sludge discharge frequency from the drain 35 is reduced.

１…排ガス処理装置
２…単結晶引上げ装置
２１…排ガスの排出管路
３…除害装置
３１…第１チャンバ
３２…第１散水手段
３３…タンク
３５…ドレン
４…集塵処理装置
４１…第２チャンバ
４２…第２散水手段
５…ブロア
５１…管路
６１…集塵管路
７…制御手段
７２…インバーター DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Exhaust gas processing apparatus 2 ... Single crystal pulling apparatus 21 ... Exhaust gas exhaust pipe 3 ... Detoxification apparatus 31 ... 1st chamber 32 ... 1st sprinkling means 33 ... Tank 35 ... Drain 4 ... Dust collection processing apparatus 41 ... 2nd Chamber 42 ... Second watering means 5 ... Blower 51 ... Pipe line 61 ... Dust collection pipe line 7 ... Control means 72 ... Inverter

Claims

An exhaust gas treatment device for treating exhaust gas discharged from a single crystal pulling device,
A first chamber to which an exhaust gas exhaust line of the single crystal pulling apparatus is connected; a first watering means provided in the first chamber for spraying water into the first chamber; and the first A detoxification apparatus comprising a tank provided at a lower portion of the chamber and receiving water sprayed by the first watering means;
A dust collection pipe for collecting dust generated by the single crystal pulling device is provided in the upper part of the second chamber connected to the upper part, and the second chamber for spraying water in the second chamber. A dust collection device equipped with two watering means;
A blower connected to the first chamber via a conduit and exhausting the gas inside the first chamber to the outside;
In the dust collection processing apparatus, the lower part of the second chamber communicates with the inside of the tank.

The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1,
The exhaust gas treatment apparatus, wherein the second chamber is a venturi tube in which a part of a cylinder defining the chamber is reduced in diameter.

In the exhaust gas treatment apparatus according to claim 1 or 2,
Switching between the use of only the abatement device and the combined use of the abatement device and the dust collecting treatment device is performed by the control means,
The exhaust gas treatment apparatus, wherein the control means includes an inverter capable of controlling an exhaust speed of the blower.

The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3,
An exhaust gas treatment apparatus comprising a drain at a lower portion of the tank.

The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4,
Gas containing dust generated by the single crystal pulling device passes through the space in the tank from the dust collection processing device and flows into the detoxification device, so that two steps by the dust collection processing device and the detoxification device are performed. An exhaust gas treatment apparatus characterized by being treated with