JP2013225675A - マニホールド及びマニホールド製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 174
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 174
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000003496 welding fume Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】マニホールド本体と、リング形状でマニホールド本体の内周面に同心円状に水平設置されて反応チャンバの内部に設置されるクオーツチューブが案内される案内面を提供し、外周面に複数個の嵌合部を備えるクオーツチューブ案内リングと、マニホールド本体の内周面に周囲方向に設けられクオーツチューブ案内リングが設置される案内面を提供するフランジ部と、フランジ部上側にフランジ部に所定の高さでクオーツチューブ案内リングの各嵌合部に対応する個数で所定の間隔を置いて複数個形成される係止突起と、クオーツチューブ案内リングの各嵌合部がフランジ部と各係止突起との間の空間に挟まれた状態で各嵌合部の間を連結する複数個の連結片と、を備え、クオーツチューブ案内リングと複数個の連結片とがマニホールド本体に溶接により一体に固定設置される、マニホールド。
【選択図】図2A
Description
110 係止突起
120 フランジ部
200 クオーツチューブ案内リング
210 嵌合部
220 案内溝
230 傾斜面
300 連結片
400 クオーツチューブ
Claims (9)
- 半導体製造工程で反応チャンバの下端部に設置され、前記反応チャンバにガスを供給・排気するマニホールドにおいて、
マニホールド本体と、
リング形状で前記マニホールド本体の内周面に同心円状に水平設置されて前記反応チャンバの内部に設置されるクオーツチューブが案内される案内面を提供し、外周面に所定の間隔を置いて突出して形成された複数個の嵌合部を具備するクオーツチューブ案内リングと、
前記マニホールド本体の内周面に周囲方向に具備されて前記クオーツチューブ案内リングが設置される案内面を提供するフランジ部と、
前記マニホールド本体の内周面の前記フランジ部上側に前記フランジ部に所定の高さで前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部に対応する個数で所定の間隔を置いて複数個形成され、前記フランジ部の上面に案内された前記クオーツチューブ案内リングが所定の角度で回転されることによって前記クオーツチューブ案内リングの嵌合部が水平方向で挟まれる空間を提供する複数個の係止突起と、
前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部が前記フランジ部と各係止突起との間の空間に挟まれた状態で前記各嵌合部の間を連結し、前記嵌合部が形成されないクオーツチューブ案内リングの外周面と前記係止突起が形成されないマニホールド本体の内周面との間の空間を補う複数個の連結片と、
を備え、
前記マニホールド本体のフランジ部に設置されたクオーツチューブ案内リングと複数個の連結片とが前記マニホールド本体に溶接によって一体に固定設置されることを特徴とする、マニホールド。 - 前記クオーツチューブ案内リングの嵌合部と前記マニホールド本体の内周面に形成された前記係止突起とは、それぞれ等しい円弧長さを有する弧形状で形成され、
前記連結片は、前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部の間の空間を埋めて全体を連結する円弧長さを有する弧形状で形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のマニホールド。 - 前記クオーツチューブ案内リングの一面には、周囲方向の全体に所定の深さだけ窪んだ案内溝が形成されており、前記クオーツチューブの下端面が前記案内溝に案内されることを特徴とする、請求項1に記載のマニホールド。
- 前記案内溝の上端には、開口端側に向かうほど直径が広くなる傾斜面が前記案内溝の周囲方向の全体に形成されており、
前記クオーツチューブを前記クオーツチューブ案内リングの案内溝に位置したとき前記クオーツチューブが前記傾斜面に沿って前記案内溝に位置されることを特徴とする、請求項3に記載のマニホールド。 - 前記マニホールド本体と、前記クオーツチューブ案内リングと、前記連結片とは、ステンレススチールで製作されることを特徴とする、請求項1に記載のマニホールド。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のマニホールドの製造方法において、
前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部が前記マニホールドの各係止突起に干渉されない方向で前記クオーツチューブ案内リングを上方から下方へ前記マニホールドのフランジ部に案内させる段階と、
前記クオーツチューブ案内リングが前記マニホールドのフランジ部に案内された状態で前記クオーツチューブ案内リングを所定の角度で水平回転させて前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部が前記フランジ部と係止突起との間に挟まれる段階と、
前記クオーツチューブ案内リングの嵌合部が前記フランジ部と係止突起との間に挟まれた状態で、前記各連結片で前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部間の空間を連結する段階と、
前記各連結片で前記クオーツチューブ案内リングの各嵌合部間の空間が連結された状態で、前記各連結片とクオーツチューブ案内リングとが溶接によってマニホールドに一体に固定結合される段階と、
を含むことを特徴とする、マニホールド製造方法。 - 前記溶接は、ステンレススチールを溶接母材として利用するレーザー溶接であることを特徴とする、請求項6に記載のマニホールド製造方法。
- 前記レーザー溶接は、所定の溶接時間と空冷時間を置いて3回連続して遂行されることを特徴とする、請求項7に記載のマニホールド製造方法。
- 1回目の溶接の溶接厚さと溶接深度は2.26mmと2.29mm、2回目の溶接の溶接厚さと溶接深度は1.27mmと1.27mm、3回目の溶接の溶接厚さと溶接深度は0.51mmと0.43mmであることを特徴とする、請求項8に記載のマニホールド製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0041249 | 2012-04-20 | ||
KR20120041249 | 2012-04-20 | ||
KR10-2012-0054002 | 2012-05-22 | ||
KR1020120054002A KR101181864B1 (ko) | 2012-04-20 | 2012-05-22 | 레이저 용접에 의해 쿼츠튜브 안착링이 일체로 제작된 매니폴드 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225675A true JP2013225675A (ja) | 2013-10-31 |
JP5657736B2 JP5657736B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=47074156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013088779A Active JP5657736B2 (ja) | 2012-04-20 | 2013-04-19 | マニホールド及びマニホールド製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5657736B2 (ja) |
KR (1) | KR101181864B1 (ja) |
CN (1) | CN103426796A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2012
- 2012-05-22 KR KR1020120054002A patent/KR101181864B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-04-19 CN CN2013101369625A patent/CN103426796A/zh active Pending
- 2013-04-19 JP JP2013088779A patent/JP5657736B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101181864B1 (ko) | 2012-09-11 |
CN103426796A (zh) | 2013-12-04 |
JP5657736B2 (ja) | 2015-01-21 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140630 |
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