JP2013219351A - Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液浸部材、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。
本願は、2012年4月10日の米国仮出願61/622,278に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a liquid immersion member, an exposure apparatus, an exposure method, a device manufacturing method, a program, and a recording medium.
This application claims priority based on US
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。 As an exposure apparatus used in a photolithography process, for example, an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light via a liquid as disclosed in the following patent document is known.
液浸露光装置において、例えば液体が所定の空間から流出したり基板等の物体の上に残留したりすると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。 In the immersion exposure apparatus, for example, if a liquid flows out of a predetermined space or remains on an object such as a substrate, an exposure failure may occur. As a result, a defective device may occur.
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる液浸部材、露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide a liquid immersion member, an exposure apparatus, and an exposure method that can suppress the occurrence of exposure failure. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method, a program, and a recording medium that can suppress the occurrence of defective devices.
本発明の第1の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように、光学部材の下方で移動可能な物体上に液浸空間を形成する液浸部材であって、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材と、第1部材の下方で移動可能であり、液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材と、を備える液浸部材が提供される。 According to the first aspect of the present invention, the liquid that forms the immersion space on the object that is movable below the optical member so that the optical path of the exposure light emitted from the emission surface of the optical member is filled with the liquid. A first member disposed on at least a part of the periphery of the optical member; and a recovery port that is movable below the first member and recovers at least a part of the liquid in the immersion space. A liquid immersion member comprising a second member is provided.
本発明の第2の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第1の態様の液浸部材を備える露光装置が提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, the exposure apparatus including the liquid immersion member of the first aspect.
本発明の第3の態様に従えば、第2の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the second aspect and developing the exposed substrate.
本発明の第4の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成することと、液浸空間の液体を介して射出面から射出される露光光で基板を露光することと、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材の下方に配置され、液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材を移動することと、を含む露光方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid, wherein the immersion light is filled so that an optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical member is filled with the liquid. Forming the space, exposing the substrate with exposure light emitted from the exit surface through the liquid in the immersion space, and disposing the substrate below the first member disposed at least part of the periphery of the optical member And moving a second member having a recovery port for recovering at least part of the liquid in the immersion space.
本発明の第5の態様に従えば、第4の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising exposing a substrate using the exposure method of the fourth aspect and developing the exposed substrate.
本発明の第6の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成することと、液浸空間の液体を介して射出面から射出される露光光で基板を露光することと、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材の下方に配置され、液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材を移動することと、を実行させるプログラムが提供される。 According to the sixth aspect of the present invention, there is provided a program for causing a computer to execute control of an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light via a liquid, and an optical path of exposure light emitted from an emission surface of an optical member Forming an immersion space such that the substrate is filled with liquid, exposing the substrate with exposure light emitted from the exit surface through the liquid in the immersion space, and disposing at least part of the periphery of the optical member And a second program having a recovery port for recovering at least a part of the liquid in the immersion space is provided below the first member.
本発明の第7の態様に従えば、第6の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。 According to the seventh aspect of the present invention, there is provided a computer-readable recording medium recording the program of the sixth aspect.
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure. Moreover, according to the aspect of the present invention, the occurrence of defective devices can be suppressed.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、基板Pに照射される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分(空間、領域)をいう。基板Pは、液浸空間LSの液体LQを介して露光光ELで露光される。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that the optical path K of the exposure light EL irradiated to the substrate P is filled with the liquid LQ. The immersion space refers to a portion (space, region) filled with liquid. The substrate P is exposed with the exposure light EL through the liquid LQ in the immersion space LS. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.
また、本実施形態の露光装置EXは、例えば米国特許第6897963号、及び欧州特許出願公開第1713113号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。 Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment is an exposure apparatus provided with a substrate stage and a measurement stage as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963 and European Patent Application Publication No. 1713113.
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材(計測器)Cを搭載して移動可能な計測ステージ3と、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置を計測する計測システム4と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、液浸空間LSを形成する液浸部材5と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置6と、制御装置6に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置7とを備えている。
In FIG. 1, an exposure apparatus EX measures a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a
また、露光装置EXは、投影光学系PL、及び計測システム4を含む各種の計測システムを支持する基準フレーム8Aと、基準フレーム8Aを支持する装置フレーム8Bと、基準フレーム8Aと装置フレーム8Bとの間に配置され、装置フレーム8Bから基準フレーム8Aへの振動の伝達を抑制する防振装置10とを備えている。防振装置10は、ばね装置などを含む。本実施形態において、防振装置10は、気体ばね(例えばエアマウント)を含む。なお、基板Pのアライメントマークを検出する検出システム、あるいは基板Pなどの物体の表面の位置を検出する検出システムが、基準フレーム8Aに支持されてもよい。
The exposure apparatus EX includes a
また、露光装置EXは、露光光ELが進行する空間CSの環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ)を調整するチャンバ装置9を備えている。空間CSには、少なくとも投影光学系PL、液浸部材5、基板ステージ2、及び計測ステージ3が配置される。本実施形態においては、マスクステージ1、及び照明系ILの少なくとも一部も空間CSに配置される。
In addition, the exposure apparatus EX includes a
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。 The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The mask M includes a transmission type mask having a transparent plate such as a glass plate and a pattern formed on the transparent plate using a light shielding material such as chromium. A reflective mask can also be used as the mask M.
基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。 The substrate P is a substrate for manufacturing a device. The substrate P includes, for example, a base material such as a semiconductor wafer and a photosensitive film formed on the base material. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). Further, the substrate P may include another film in addition to the photosensitive film. For example, the substrate P may include an antireflection film or a protective film (topcoat film) that protects the photosensitive film.
照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL irradiates the predetermined illumination area IR with the exposure light EL. The illumination area IR includes a position where the exposure light EL emitted from the illumination system IL can be irradiated. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light, which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light), is used as the exposure light EL.
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で移動可能である。マスクステージ1は、例えば米国特許第6452292号に開示されているような平面モータを含む駆動システム11の作動により移動する。本実施形態において、マスクステージ1は、駆動システム11の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。なお、駆動システム11は、平面モータを含まなくてもよい。例えば、駆動システム11が、リニアモータを含んでもよい。
The mask stage 1 can move while holding the mask M. The mask stage 1 is moved by the operation of a
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態において、投影光学系PLの光軸は、Z軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection region PR includes a position where the exposure light EL emitted from the projection optical system PL can be irradiated. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
投影光学系PLは、露光光ELが射出される射出面12を有する終端光学素子13を含む。射出面12は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する。終端光学素子13は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い光学素子である。投影領域PRは、射出面12から射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面12は、−Z方向を向いており、XY平面と平行である。なお、−Z方向を向いている射出面12は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。なお、射出面12は、XY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。本実施形態において、終端光学素子13の光軸は、Z軸と平行である。本実施形態において、射出面12から射出される露光光ELは、−Z方向に進行する。
The projection optical system PL includes a terminal
基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、射出面12からの露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)を含むXY平面内を移動可能である。計測ステージ3は、計測部材(計測器)Cを搭載した状態で、射出面12からの露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)を含むXY平面内を移動可能である。基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、ベース部材14のガイド面14G上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面14GとXY平面とは実質的に平行である。
The
本実施形態において、基板ステージ2は、例えば米国特許出願公開第2007/0177125号、米国特許出願公開第2008/0049209号等に開示されているような、基板Pをリリース可能に保持する第1保持部と、第1保持部の周囲に配置され、カバー部材Tをリリース可能に保持する第2保持部とを有する。第1保持部は、基板Pの表面(上面)とXY平面とが実質的に平行となるように、基板Pを保持する。本実施形態において、第1保持部に保持された基板Pの上面と、第2保持部に保持されたカバー部材Tの上面とは、実質的に同一平面内に配置される。なお、第1保持部に保持された基板Pの上面と、第2保持部に保持されたカバー部材Tの上面とは、同一平面内に配置されなくてもよい。なお、基板Pの上面に対してカバー部材Tの上面が傾斜してもよいし、カバー部材Tの上面が曲面を含んでもよい。
In the present embodiment, the
基板ステージ2及び計測ステージ3は、例えば米国特許第6452292号に開示されているような平面モータを含む駆動システム15の作動により移動する。駆動システム15は、基板ステージ2に配置された可動子2Cと、計測ステージ3に配置された可動子3Cと、ベース部材14に配置された固定子14Mとを有する。基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、駆動システム15の作動により、ガイド面14G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。なお、駆動システム15は、平面モータを含まなくてもよい。例えば、駆動システム15が、リニアモータを含んでもよい。
The
計測システム4は、干渉計システムを含む。干渉計システムは、基板ステージ2の計測ミラー及び計測ステージ3の計測ミラーに計測光を照射して、その基板ステージ2及び計測ステージ3の位置を計測するユニットを含む。なお、計測システムが、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書に開示されているようなエンコーダシステムを含んでもよい。なお、計測システム4が、干渉計システム及びエンコーダシステムのいずれか一方のみを含んでもよい。
The measurement system 4 includes an interferometer system. The interferometer system includes a unit that irradiates the measurement mirror of the
基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置6は、計測システム4の計測結果に基づいて、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測部材C)の位置制御を実行する。 When executing the exposure process of the substrate P or when executing a predetermined measurement process, the control device 6 determines the substrate stage 2 (substrate P) and the measurement stage 3 (measurement member) based on the measurement result of the measurement system 4. The position control of C) is executed.
次に、本実施形態に係る液浸部材5について説明する。図2は、本実施形態に係る液浸部材5の一例を示す側断面図、図3は、液浸部材5を下側(−Z側)から見た図、図4は、図2の一部を拡大した図である。なお、本実施形態において、液浸部材5は、支持装置50を介して装置フレーム8Bに支持されている。
Next, the
液浸部材5は、終端光学素子13の射出面12から射出される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。液浸空間LSの一部は、射出面12と対向する位置を含むXY平面内を移動可能な物体と液浸部材5との間に形成される。
The
射出面12と対向する位置を含むXY平面内を移動可能な物体は、射出面12と対向可能な物体を含み、投影領域PRに配置可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子13の下方で移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ2の少なくとも一部(例えば基板ステージ2のカバー部材T)、基板ステージ2(第1保持部)に保持された基板P、及び計測ステージ3の少なくとも一つを含む。基板Pの露光において、基板Pに照射される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。基板Pに露光光ELが照射されているとき、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域だけが液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。
An object that can move in the XY plane including a position facing the
以下の説明においては、射出面12と対向する物体が基板Pであることとする。なお、上述のように、射出面12と対向可能な物体は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方でもよいし、基板P、基板ステージ2、及び計測ステージ3とは別の物体でもよい。また、基板ステージ2のカバー部材Tと基板Pとを跨ぐように液浸空間LSが形成される場合もあるし、基板ステージ2と計測ステージ3とを跨ぐように液浸空間LSが形成される場合もある。
In the following description, it is assumed that the object facing the
本実施形態において、液浸部材5は、終端光学素子13の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材61と、液体LQを回収する回収口64を有する第2部材62とを備えている。第2部材62の少なくとも一部は、第1部材61の下方に配置されている。第1部材61の少なくとも一部は、第2部材62よりも基板P(物体)から離れた位置に配置される。第2部材62は、第1部材61の少なくとも一部と基板P(物体)との間に配置される。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、液浸部材5は、液浸空間LSを形成するための液体LQを供給する供給口63を備えている。供給口63は、終端光学素子13の光軸(光路K)に対する放射方向に関して回収口64の内側に配置される。本実施形態において、供給口63は、第1部材61に配置される。なお、供給口63は、第2部材62に配置されてもよいし、第1部材61及び第2部材62の両方に配置されてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第1部材61は、間隙を介して終端光学素子13の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、第1部材61は、環状である。本実施形態において、第1部材61の一部は、終端光学素子13の周囲に配置され、終端光学素子13と第1部材61との間に間隙のループが形成される。間隙の形状は、円形であってもよし、非円形であってもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、第1部材61の一部は、射出面12の下方に配置される。すなわち、第1部材61の一部は、射出面12と基板P(物体)の上面との間の光路Kの周囲に配置される。
In the present embodiment, a part of the
第1部材61は、少なくとも一部が終端光学素子13の射出面12と対向する第1部分611と、少なくとも一部が終端光学素子13の外面16の周囲に配置される第2部分612と、第2部分612の周囲に配置される第3部分613とを有する。終端光学素子13の外面16は、露光光ELを射出しない。換言すれば、露光光ELは、外面16を通過しない。本実施形態において、終端光学素子13の光軸(光路K)の周囲の少なくとも一部において、外面16は、終端光学素子13の光軸(光路K)に対する放射方向に関して外側に向かって上方に傾斜する。
The
第3部分613は、第1部分611よりも上方に配置される。また、第3部分613は、終端光学素子13の光軸(光路K)に対する放射方向に関して第1部分611の外側に配置される。
The
なお、第1部材61が第1部分611を有していなくてもよい。例えば、第1部材61が射出面12よりも上方に配置されていてもよい。また、第1部材61が第2部分612を有していなくてもよい。例えば、第1部材61(第1部分611,及び第3部分613)が射出面12よりも下方に配置されていてもよい。
Note that the
本実施形態において、第1部材61は、支持装置50を介して、装置フレーム8Bに支持される。本実施形態において、支持装置50と第3部分613とが接続される。装置フレーム8Bの位置は、実質的に固定されている。支持装置50は、基板P(物体)の上方で、第1部材61を支持する。支持装置50は、終端光学素子13と第1部材61との間に間隙が形成されるように、第1部材61を支持する。投影光学系PL(終端光学素子13)の位置は、実質的に固定されている。第1部材61の位置も、実質的に固定されている。すなわち、本実施形態において、終端光学素子13及び第1部材61は、実質的に移動しない。終端光学素子13と第1部材61との相対位置は、変化しない。
In the present embodiment, the
第1部材61は、射出面12から射出される露光光ELが通過可能な開口61Hを有する。第1部分611が、開口61Hを有する。また、第1部材61は、少なくとも一部が射出面12と対向する上面61Aと、上面61Aの反対方向を向く下面61Bとを有する。第1部分611は、上面61A及び下面61Bを有する。上面61Aと射出面12とは、間隙を介して対向する。基板P(物体)は、間隙を介して下面61Bと対向可能である。上面61Aは、開口61Hの上端の周囲に配置される。下面61Bは、開口61Hの下端の周囲に配置される。本実施形態において、上面61Aは、XY平面と実質的に平行である。下面61Bは、XY平面と実質的に平行である。下面61Bは、基板P(物体)との間で液体LQを保持可能である。
The
また、第1部材61は、上面61Aの周囲に配置され、終端光学素子13の外面16と対向する内面61Cと、内面61Cの反対方向を向く外面61Dとを有する。外面61Dは、下面61Bの周囲に配置される。内面61C及び外面61Dは、第2部分612に配置される。外面16と内面61Cとは、間隙を介して対向する。内面61C及び外面61Dは、終端光学素子13の光軸(光路K)に対する放射方向に関して外側に向かって上方に傾斜する。なお、内面61C及び外面61Dの少なくとも一方が終端光学素子13の光軸と平行(Z軸と平行)であってもよい。
The
また、第1部材61は、内面61Cの周囲に配置される上面61Eと、上面61Eの反対方向を向く下面61Gとを有する。第3部分613は、上面61E及び下面61Gを有する。下面61Gは、外面61Dの周囲に配置される。外面61Dは、下面61Bの外縁と下面61Gの内縁とを結ぶように配置される。本実施形態において、上面61E及び下面61Gは、XY平面と実質的に平行であるが、平行でなくてもよい。
The
第2部材62は、第1部材61に対して移動可能である。また、第2部材62は、終端光学素子13に対して移動可能である。すなわち、本実施形態において、第2部材62と第1部材61との相対位置は、変化する。第2部材62と終端光学素子13との相対位置は、変化する。
The
本実施形態において、第2部材62は、θZの方向に回転可能である。すなわち、第2部材62は、Z軸と平行な軸周り(例えば光軸周り)に回転可能である。なお、θZ方向への移動に加えて、第2部材62が、X軸、Y軸、Z軸、θX、及びθYの少なくとも一つの方向に移動可能でもよい。
In the present embodiment, the
第2部材62は、第1部材61の少なくとも一部の下方で移動可能である。本実施形態において、第2部材62は、第3部分613の下方で移動可能である。本実施形態において、第2部材62は、支持装置50を介して、装置フレーム8Bに支持される。なお、第1部材61は、装置フレーム8Bとは別の部材(フレーム)に支持されてもよい。例えば、第1部材61が、基準フレーム8Aに支持されてもよい。
The
終端光学素子13の光軸と平行な方向に関して、第2部材62の少なくとも一部は、第1部材61と基板P(物体)との間に移動(回転)可能に配置される。第2部材62は、第1部材61と基板P(物体)との間において移動(回転)可能である。また、本実施形態において、第2部材62は、基板P(物体)の移動の少なくとも一部と並行して移動(回転)可能である。また、本実施形態において、第2部材62は、液浸空間LSが形成された状態で移動(回転)可能である。また、第2部材62は、第2部材62と基板P(物体)との間の空間の少なくとも一部に液体LQが存在する状態で移動(回転)可能である。なお、第2部材62は、基板P(物体)の移動と協調して移動(回転)可能であるし、基板P(物体)と独立して移動(回転)可能である。
With respect to the direction parallel to the optical axis of the last
なお、第2部材62は、第2部材62と基板P(物体)とが対向しないときに移動(回転)してもよい。換言すれば、第2部材62は、その第2部材62の下方に物体が存在しないときに移動(回転)してもよい。なお、第2部材62は、第2部材62と基板P(物体)との間の空間に液体LQが存在しないときに移動(回転)してもよい。例えば、第2部材62は、液浸空間LSが形成されていないときに移動(回転)してもよい。
The
本実施形態において、第2部材62は、終端光学素子13の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、第2部材62は、第1部材61と間隙を介して配置される。第2部材62は、間隙を介して第1部材61の周囲の少なくとも一部に配置される。また、第2部材62は、間隙を介して第1部材61の少なくとも一部の下方に配置される。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2部材62は、環状である。本実施形態において、第2部材62は、開口66を有する。第2部材62の開口66は、露光光ELが通過可能である。また、本実施形態において、第2部材62の開口66は、第1部材61の少なくとも一部を配置可能である。本実施形態において、第2部材62は、第3部分613の下方において、第2部分612の周囲に配置される。第2部材62は、第2部分612及び第3部分613との間に間隙が形成されるように配置される。
In the present embodiment, the
例えば図3に示すように、本実施形態において、第2部材62は、円環状である。本実施形態において、開口66は、実質的に円形である。
For example, as shown in FIG. 3, in the present embodiment, the
本実施形態において、第2部材62は、第1部材61の下面61Gと対向する上面62Aと、上面62Aの反対方向を向く下面62Bとを有する。上面62Aは、開口66の上端の周囲に配置される。下面62Bは、開口66の下端の周囲に配置される。下面62Bは、基板P(物体)が対向可能である。第1部材61の下面61Gと、第2部材62の上面62Aとは、間隙を介して対向する。基板P(物体)は、間隙を介して下面62Bと対向可能である。本実施形態において、第2部材62は、第1部材61と間隙を介して第1部材61の下面61Gの下方において移動(回転)可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2部材62は、第1部材61の外面61Dの周囲に配置される。本実施形態において、第2部材62は、第1部材61の外面61Dの周囲に配置される内面62Cを有する。内面62Cは、上面62Aの内縁と下面62Bの内縁とを結ぶ。本実施形態において、内面62Cは,終端光学素子13の光軸(光路K)に対する放射方向に関して外側に向かって上方に傾斜する。なお、内面62Cが、終端光学素子13の光軸と平行(Z軸と平行)であってもよい。また、第2部材62は、上面62Aの外縁と下面62Bの外縁とを結ぶ外面62Dを有する。
In the present embodiment, the
第2部材62は、外面61Dの周囲の空間において移動(回転)する。第2部材62は、第1部材61に接触しないように、外面61Dの周囲の空間において移動(回転)する。
The
なお、本実施形態において、第1部材61と第2部材62の少なくとも一部とが接触してもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2部材62は、終端光学素子13の光軸と平行な軸の周囲を移動する。本実施形態において、終端光学素子13の光軸は、Z軸と平行である。第2部材62は、終端光学素子13の光軸の周囲を移動してもよいし、終端光学素子13の光軸から離れたZ軸と平行な軸の周囲を移動してもよい。
In the present embodiment, the
上述したように、第2部材62は、終端光学素子13の光軸と平行な軸を中心に回転可能である。第2部材62は、終端光学素子13の光軸を中心に回転してもよいし、終端光学素子13の光軸から離れたZ軸と平行な軸を中心に回転してもよい。
As described above, the
以下の説明においては、一例として、第2部材62が終端光学素子13の光軸まわりに回転可能であることとする。
In the following description, as an example, it is assumed that the
図3に示すように、露光装置EXは、第2部材62を移動する駆動システム43を備えている。駆動システム43は、第2部材62を終端光学素子13の光軸周りに回転させることができる。図3に示す例では、駆動システム43は、第2部材62の外面62Dに接続される接続部材43Cと、接続部材43Cに接続される第1歯車部材44と、第1歯車部材44に噛み合う第2歯車部材45と、第2歯車部材45を回転可能なモータ46とを有する。第1歯車部材44の歯は、終端光学素子13の光軸の周囲の少なくとも一部に複数配置される。モータ46の作動により第2歯車部材45が回転すると、第1歯車部材44が終端光学素子13の光軸の周囲を移動する。これにより、接続部材43Cを介して第1歯車部材44と接続されている第2部材62が、終端光学素子13の光軸周りにθZ方向に回転する。
As shown in FIG. 3, the exposure apparatus EX includes a
なお、駆動システム43は、図3に示す形態に限られない。また、θZ方向に加えて、駆動システム43が、第2部材62を、X軸、Y軸、Z軸、θX、及びθY、の少なくとも一つの方向に移動するように構成されていてもよい。
In addition, the
供給口63は、第1部材61の内部に形成された供給流路を介して、液体供給装置と接続される。供給口63は、液浸空間LSを形成するために、液体供給装置からの液体LQを供給する。本実施形態において、供給口63は、射出面12と上面61Aとの間隙に面するように、内面61Cに配置される。なお、供給口63は、外面16と内面61Cとの間隙に面するように、内面61Cに配置されてもよい。供給口63から供給された液体LQは、開口61Hを介して、基板P(物体)上に供給される。
The
本実施形態において、第2部材62の回収口64は、基板P(物体)が対向するように配置される。回収口64は、第2部材62の内部に形成された回収流路(空間)67を介して、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口64と真空システムとを接続可能である。回収口64は、液浸空間LSの液体LQの少なくとも一部を回収可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2部材62は、多孔部材65を含む。回収口64は、多孔部材65の孔を含む。本実施形態において、多孔部材65は、メッシュプレートを含む。多孔部材65は、基板P(物体)が対向可能な下面と、回収流路67に面する上面と、下面と上面とを結ぶ複数の孔とを有する。回収口64(多孔部材65の孔)から回収された基板P(物体)上の液体LQは、回収流路67に流入する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2部材62は、回収流路67に面するように配置され、回収流路67の液体LQを排出可能な第1排出口68と、回収流路67に面するように配置され、回収流路67の気体を排出可能な第2排出口69とを有する。第1排出口68は、第1排出口68からの気体の排出が抑制(制限)されている。第2排出口69は、第2排出口69からの液体LQの排出が抑制(制限)されている。
In the present embodiment, the
本実施形態において、回収口64から回収された基板P(物体)上の液体LQは、回収流路67に流入した後、第1排出口68から排出される。液体回収装置は、第1排出口68と接続される。回収口64から回収された基板P(物体)上の液体LQは、第1排出口68を介して液体回収装置に回収される。また、第2排出口69は、真空システムを含む気体回収装置に接続可能であり、回収流路67の気体は、第2排出口69を介して気体回収装置に回収される。
In the present embodiment, the liquid LQ on the substrate P (object) recovered from the
本実施形態において、第1排出口68は、第1排出部材71に配置されている。第2排出口69は、第2排出部材72に配置されている。本実施形態において、第1排出部材71は、多孔部材71Tを含む。第1排出口68は、多孔部材71Tの孔を含む。第1排出部材71及び第2排出部材72は、第1部材61に支持される。
In the present embodiment, the
図5は、第2部材62の上面62Aの一部を示す図である。本実施形態において、第2部材62は、第1排出部材71が配置される開口71Kと、第2排出部材72が配置される開口72Kとを有する。開口71Kの寸法は、第1排出部材71の外形の寸法よりも大きい。開口72Kの寸法は、第2排出部材72の外形の寸法よりも大きい。開口71K及び開口72Kは、円弧状である。終端光学素子13の光軸を中心に第2部材62が移動(回転)した場合、第1排出部材71は、開口71Kの内側を移動可能であり、第2排出部材72は、開口72Kの内側を移動可能である。これにより、開口71K、72Kに第1、第2排出部材71、72が配置された状態で、第2部材62は、移動(回転)することができる。
FIG. 5 is a view showing a part of the
本実施形態においては、供給口63からの液体LQの供給動作と並行して、回収口64からの液体LQの回収動作が実行されることによって、一方側の終端光学素子13及び液浸部材5と、他方側の基板P(物体)との間に液体LQで液浸空間LSが形成される。
In the present embodiment, the recovery operation of the liquid LQ from the
液浸空間LSの液体LQの界面LGの一部は、第2部材62と基板P(物体)との間に形成される。また、本実施形態においては、液浸空間LSの液体LQの界面LGの一部は、第1部材61の内面61Cと終端光学素子13の外面16との間に形成される。
A part of the interface LG of the liquid LQ in the immersion space LS is formed between the
以下の説明において、第2部材62と基板P(物体)との間に形成される液体LQの界面LGを適宜、第1界面LG1、と称し、第1部材61と終端光学素子13との間に形成される液体LQの界面LGを適宜、第3界面LG3、と称する。
In the following description, the interface LG of the liquid LQ formed between the
本実施形態において、制御装置6は、例えば基板P(物体)の移動条件に基づいて、基板P(物体)の移動の少なくとも一部と並行して、第2部材62を移動(回転)する。
In the present embodiment, the control device 6 moves (rotates) the
第2部材62は、移動(回転)しながら、回収口64から液体LQを回収することができる。制御装置6は、回収口64からの液体LQの回収と並行して、第2部材62を移動(回転)する。制御装置6は、液浸空間LSが形成され続けるように、供給口63からの液体LQの供給と回収口64からの液体LQの回収とを行いながら、第2部材62を移動(回転)する。
The
上述したように、第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、θZの方向に移動することができる。第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、第1部材61(第3部分613)と基板P(物体)との間において移動(回転)することができる。
As described above, the
本実施形態において、第2部材62は、基板P(物体)との相対移動が小さくなるように回転する。また、第2部材62は、基板P(物体)との相対移動が、第1部材61と基板P(物体)との相対移動よりも小さくなるように回転する。例えば、第2部材62は、基板P(物体)と同期して移動してもよい。
In the present embodiment, the
相対移動は、相対速度、及び相対加速度の少なくとも一方を含む。例えば、第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、基板P(物体)との相対速度が小さくなるように回転してもよい。また、第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、基板P(物体)との相対加速度が小さくなるように回転してもよい。また、第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、基板P(物体)との相対速度が、第1部材61と基板P(物体)との相対速度よりも小さくなるように回転してもよい。また、第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、基板P(物体)との相対加速度が、第1部材61と基板P(物体)との相対加速度よりも小さくなるように回転してもよい。
The relative movement includes at least one of a relative speed and a relative acceleration. For example, the
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法について説明する。 Next, a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
液浸部材5から離れた基板交換位置において、露光前の基板Pを基板ステージ2(第1保持部)に搬入(ロード)する処理が行われる。また、基板ステージ2が液浸部材5から離れている期間の少なくとも一部において、計測ステージ3が終端光学素子13及び液浸部材5と対向するように配置される。制御装置6は、供給口63からの液体LQの供給と回収口64からの液体LQの回収とを行って、計測ステージ3上に液浸空間LSを形成する。
At a substrate exchange position away from the
露光前の基板Pが基板ステージ2にロードされ、計測ステージ3を用いる計測処理が終了した後、制御装置6は、終端光学素子13及び液浸部材5と基板ステージ2(基板P)とが対向するように、基板ステージ2を移動する。終端光学素子13及び液浸部材5と基板ステージ2(基板P)とが対向する状態で、供給口63からの液体LQの供給と並行して回収口64からの液体LQの回収が行われることによって、光路Kが液体LQで満たされるように、終端光学素子13及び液浸部材5と基板ステージ2(基板P)との間に液浸空間LSが形成される。
After the substrate P before exposure is loaded onto the
制御装置6は、基板Pの露光処理を開始する。制御装置6は、基板P上に液浸空間LSが形成されている状態で、照明系ILから露光光ELを射出する。照明系ILはマスクMを露光光ELで照明する。マスクMからの露光光ELは、投影光学系PL及び射出面12と基板Pとの間の液浸空間LSの液体LQを介して基板Pに照射される。これにより、基板Pは、液浸空間LSの液体LQを介して射出面12から射出された露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。
The control device 6 starts the exposure process for the substrate P. The control device 6 emits the exposure light EL from the illumination system IL in a state where the immersion space LS is formed on the substrate P. The illumination system IL illuminates the mask M with the exposure light EL. The exposure light EL from the mask M is irradiated onto the substrate P via the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS between the
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置6は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。 The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction. The control device 6 moves the substrate P in the Y-axis direction with respect to the projection region PR of the projection optical system PL, and in the illumination region IR of the illumination system IL in synchronization with the movement of the substrate P in the Y-axis direction. On the other hand, the substrate P is irradiated with the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS on the substrate P while moving the mask M in the Y-axis direction.
図6は、基板ステージ2に保持された基板Pの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Pに露光対象領域であるショット領域Sがマトリクス状に複数配置されている。制御装置6は、第1保持部に保持されている基板Pの複数のショット領域Sを液浸空間LSの液体LQを介して露光光ELで順次露光する。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the substrate P held on the
例えば基板Pの第1ショット領域Sを露光するために、制御装置6は、液浸空間LSが形成されている状態で、基板P(第1ショット領域S)を投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して第1ショット領域Sに露光光ELを照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pの第1ショット領域Sに投影され、その第1ショット領域Sが射出面12から射出された露光光ELで露光される。第1ショット領域Sの露光が終了した後、制御装置6は、次の第2ショット領域Sの露光を開始するために、液浸空間LSが形成されている状態で、基板PをXY平面内においてX軸と交差する方向(例えばX軸方向、あるいはXY平面内においてX軸及びY軸方向に対して傾斜する方向等)に移動し、第2ショット領域Sを露光開始位置に移動する。その後、制御装置6は、第2ショット領域Sの露光を開始する。
For example, in order to expose the first shot region S of the substrate P, the control device 6 allows the substrate P (first shot region S) to be projected onto the projection region PR of the projection optical system PL while the immersion space LS is formed. The projection optical system moves in the Y-axis direction while moving the mask M in the Y-axis direction with respect to the illumination region IR of the illumination system IL in synchronization with the movement of the substrate P in the Y-axis direction. The first shot region S is irradiated with the exposure light EL through the PL and the liquid LQ in the immersion space LS on the substrate P. Thereby, the pattern image of the mask M is projected onto the first shot area S of the substrate P, and the first shot area S is exposed with the exposure light EL emitted from the
制御装置6は、基板P(基板ステージ2)上に液浸空間LSが形成されている状態で、射出面12からの露光光ELが照射される位置(投影領域PR)に対してショット領域をY軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光後、基板P(基板ステージ2)上に液浸空間LSが形成されている状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、XY平面内においてY軸方向と交差する方向(例えばX軸方向、あるいはXY平面内においてX軸及びY軸方向に対して傾斜する方向等)に基板Pを移動する動作とを繰り返しながら、基板Pの複数のショット領域を順次露光する。
In the state where the immersion space LS is formed on the substrate P (substrate stage 2), the control device 6 sets the shot region with respect to the position (projection region PR) irradiated with the exposure light EL from the
以下の説明において、ショット領域を露光するために、基板P(基板ステージ2)上に液浸空間LSが形成されている状態で、射出面12からの露光光ELが照射される位置(投影領域PR)に対して基板P(ショット領域)をY軸方向に移動する動作を適宜、スキャン移動動作、と称する。また、あるショット領域の露光完了後、基板P(基板ステージ2)上に液浸空間LSが形成されている状態で、次のショット領域の露光が開始されるまでの間に、XY平面内において基板Pを移動する動作を適宜、ステップ移動動作、と称する。制御装置6は、スキャン移動動作とステップ移動動作とを繰り返しながら、基板Pの複数のショット領域Sを順次露光する。なお、スキャン移動動作は、専らY軸方向に関する等速移動である。ステップ移動動作は、加減速度移動を含む。例えば、X軸方向に隣接する2つのショット領域間のステップ移動動作は、Y軸方向に関する加減速移動、及びX軸方向に関する加減速移動を含む。
In the following description, in order to expose the shot area, a position (projection area) where the exposure light EL from the
なお、スキャン移動動作及びステップ移動動作の少なくとも一部において、液浸空間LSの少なくとも一部が、基板ステージ2(カバー部材T)上に形成される場合もある。 In at least a part of the scan movement operation and the step movement operation, at least a part of the immersion space LS may be formed on the substrate stage 2 (cover member T).
制御装置6は、基板P上の複数のショット領域Sの露光条件に基づいて、駆動システム15を制御して、基板P(基板ステージ2)を移動する。複数のショット領域Sの露光条件は、例えば露光レシピと呼ばれる露光制御情報によって規定される。露光制御情報は、記憶装置7に記憶されている。制御装置6は、その記憶装置7に記憶されている露光条件に基づいて、所定の移動条件で基板Pを移動しながら、複数のショット領域Sを順次露光する。基板P(物体)の移動条件は、移動速度、加速度、移動距離、移動方向、及びXY平面内における移動軌跡の少なくとも一つを含む。
The control device 6 moves the substrate P (substrate stage 2) by controlling the
一例として、制御装置6は、投影光学系PLの投影領域PRと基板Pとが、図6中、矢印Srに示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ2を移動しつつ投影領域PRに露光光ELを照射して、液体LQを介して基板Pの複数のショット領域Sを露光光ELで順次露光する。
As an example, the control device 6 projects while moving the
以下、上述の処理が繰り返され、複数の基板Pが順次露光される。 Thereafter, the above processing is repeated, and a plurality of substrates P are sequentially exposed.
本実施形態において、第2部材62は、基板Pの露光処理の少なくとも一部において移動する。第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で基板P(基板ステージ2)がスキャン移動動作及びステップ移動動作を行うとき、基板P(基板ステージ2)との相対移動(相対速度、相対加速度)が小さくなるように、移動(回転)する。
In the present embodiment, the
図7は、ショット領域Sa、ショット領域Sb、及びショット領域Scを順次露光するときの基板Pの移動軌跡の一例を模式的に示す図である。 FIG. 7 is a diagram schematically illustrating an example of the movement locus of the substrate P when the shot area Sa, the shot area Sb, and the shot area Sc are sequentially exposed.
図7に示すように、ショット領域Saが露光されるとき、基板Pは、終端光学素子13の下において、位置d1からその位置d1に対して−Y側に隣り合う位置d2までの経路Tp1、位置d2からその位置d2に対して−X側に隣り合う位置d3までの経路Tp2、位置d3からその位置d3に対して+Y側に隣り合う位置d4までの経路Tp3、位置d4からその位置d4に対して−X側に隣り合う位置d5までの経路Tp4、及び位置d5からその位置d5に対して−Y側に隣り合う位置d6までの経路Tp5を順次移動する。位置d1、d2、d3、d4、d5、d6は、XY平面内における位置である。
As shown in FIG. 7, when the shot area Sa is exposed, the substrate P has a path Tp1 from the position d1 to the position d2 adjacent to the −Y side with respect to the position d1 below the terminal
経路Tp1の少なくとも一部は、Y軸と平行な直線である。経路Tp3の少なくとも一部は、Y軸と平行な直線である。経路Tp5の少なくとも一部は、Y軸と平行な直線を含む。経路Tp2は、曲線を含む。経路Tp4は、曲線を含む。位置d1は、経路Tp1の始点を含み、位置d2は、経路Tp1の終点を含む。位置d2は、経路Tp2の始点を含み、位置d3は、経路Tp2の終点を含む。位置d3は、経路Tp3の始点を含み、位置d4は、経路Tp3の終点を含む。位置d4は、経路Tp4の始点を含み、位置d5は、経路Tp4の終点を含む。位置d5は、経路Tp5の始点を含み、位置d6は、経路Tp5の終点を含む。経路Tp1は、基板Pが−Y方向に移動する経路である。経路Tp3は、基板Pが+Y方向に移動する経路である。経路Tp5は、基板Pが−Y方向に移動する経路である。 At least a part of the path Tp1 is a straight line parallel to the Y axis. At least a part of the path Tp3 is a straight line parallel to the Y axis. At least a part of the path Tp5 includes a straight line parallel to the Y axis. The path Tp2 includes a curve. The path Tp4 includes a curve. The position d1 includes the start point of the path Tp1, and the position d2 includes the end point of the path Tp1. The position d2 includes the start point of the path Tp2, and the position d3 includes the end point of the path Tp2. The position d3 includes the start point of the path Tp3, and the position d4 includes the end point of the path Tp3. The position d4 includes the start point of the path Tp4, and the position d5 includes the end point of the path Tp4. The position d5 includes the start point of the path Tp5, and the position d6 includes the end point of the path Tp5. The path Tp1 is a path along which the substrate P moves in the −Y direction. The path Tp3 is a path along which the substrate P moves in the + Y direction. The path Tp5 is a path along which the substrate P moves in the −Y direction.
液浸空間LSが形成されている状態で基板Pが経路Tp1を移動するとき、液体LQを介してショット領域Saに露光光ELが照射される。基板Pが経路Tp1を移動する動作は、スキャン移動動作を含む。また、液浸空間LSが形成されている状態で基板Pが経路Tp3を移動するとき、液体LQを介してショット領域Sbに露光光ELが照射される。基板Pが経路Tp3を移動する動作は、スキャン移動動作を含む。また、液浸空間LSが形成されている状態で基板Pが経路Tp5を移動するとき、液体LQを介してショット領域Scに露光光ELが照射される。基板Pが経路Tp5を移動する動作は、スキャン移動動作を含む。また、基板Pが経路Tp2を移動する動作、及び経路Tp4を移動する動作は、ステップ移動動作を含む。 When the substrate P moves along the path Tp1 in the state where the immersion space LS is formed, the exposure light EL is irradiated to the shot region Sa through the liquid LQ. The operation in which the substrate P moves along the path Tp1 includes a scan movement operation. Further, when the substrate P moves along the path Tp3 in the state where the immersion space LS is formed, the exposure light EL is irradiated to the shot region Sb through the liquid LQ. The operation in which the substrate P moves along the path Tp3 includes a scan movement operation. Further, when the substrate P moves along the path Tp5 in the state where the immersion space LS is formed, the exposure light EL is irradiated to the shot region Sc through the liquid LQ. The operation in which the substrate P moves along the path Tp5 includes a scan movement operation. The operation of moving the substrate P along the path Tp2 and the operation of moving along the path Tp4 include a step movement operation.
図8は、第2部材62の動作の一例を示す模式図である。本実施形態において、第2部材62は、基板P(物体)が経路Tp2の少なくとも一部を移動するときに、基板P(物体)との相対速度が小さくなるように回転する。また、第2部材62は、基板P(物体)が経路Tp4の少なくとも一部を移動するときに、基板P(物体)との相対速度が小さくなるように回転する。すなわち、第2部材62は、液浸空間LSが形成されている状態で、ステップ移動動作が行われるときに、基板P(物体)との相対速度が小さくなるように回転する。換言すれば、第2部材62は、基板P(物体)のステップ移動動作の少なくとも一部と並行して、回転する。
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example of the operation of the
例えば、基板P(物体)が経路Tp2を移動するとき、図8(A)に示すように、制御装置6は、第2部材62と基板Pとの相対速度が小さくなるように、第2部材62を回転する。また、基板P(物体)が経路Tp4を移動するとき、図8(B)に示すように、制御装置6は、第2部材62と基板Pとの相対速度が小さくなるように、第2部材62を回転する。
For example, when the substrate P (object) moves along the path Tp2, as shown in FIG. 8A, the control device 6 causes the second member so that the relative speed between the
すなわち、図7及び図8に示す例では、基板Pが−X方向に移動しつつ−Y方向に移動した後、−X方向に移動しつつ+Y方向に移動する経路Tp2を移動する場合、第2部材62は、基板Pとの相対速度が小さくなるように、終端光学素子13の光軸を中心に時計まわりの方向に約90度回転する。また、基板Pが−X方向に移動しつつ+Y方向に移動した後、−X方向に移動しつつ−Y方向に移動する経路Tp4を移動する場合、第2部材62は、基板Pとの相対速度が小さくなるように、終端光学素子13の光軸を中心に反時計まわりの方向に約90度回転する。
That is, in the example shown in FIGS. 7 and 8, when the substrate P moves in the −Y direction while moving in the −X direction, and then moves along the path Tp2 that moves in the + Y direction while moving in the −X direction, The two
以下の説明において、Z軸と平行な軸を中心とする時計まわりの方向を適宜、+θZ方向、と称し、反時計まわりの方向を適宜、−θZ方向、と称する。 In the following description, a clockwise direction around an axis parallel to the Z axis is appropriately referred to as a + θZ direction, and a counterclockwise direction is appropriately referred to as a −θZ direction.
なお、第2部材62は、基板P(物体)がステップ移動動作をしているときの全部の期間において移動(回転)してもよいし、一部の期間において移動(回転)してもよい。例えば、図9の模式図に示すように、基板Pがステップ移動動作をするときの一部の期間において、第2部材62が回転してもよい。図9に示すように、ステップ移動動作が行われる経路(Tp2、Tp4など)において、基板P(物体)は、例えば+X方向に移動しつつ−Y方向に移動した後、+X方向に移動しつつ+Y方向に移動する。−Y方向は、+Y方向の逆方向である。第2部材62は、基板Pが+Y方向に移動を開始するときに、回転を開始し、基板Pが+X方向の移動を終了するときに、回転を終了してもよい。すなわち、図9中、ステップ移動動作を含む経路TpSを基板Pが移動する場合、そのステップ移動動作をするときの一部の期間TpSpのみにおいて、第2部材62が−θZ方向に回転してもよい。経路TpSpの始点daは、基板Pが+Y方向に移動を開始する位置を含む。経路TpSpの終点dbは、基板Pが+X方向の移動を終了する位置を含む。
The
なお、例えば図10に示すように、X軸方向に配置されたショット領域Sd、ショット領域Se、及びショット領域Sfを順次露光した後、ショット領域Se、Sdに対してX軸方向に配置されたショット領域Sh、及びショット領域Siを順次露光するときにおいても、第2部材62を回転させることができる。例えば、ステップ移動動作における経路Tp6を基板Pが移動するときに、第2部材62を−θZ方向に約90度回転させ、経路Tp8を基板Pが移動するときに、第2部材62を+θZ方向に約90度回転させ、経路Tp10を基板Pが移動するときに、第2部材62を+θZ方向に約90度回転させてもよい。なお、経路Tp8と経路Tp10との間の経路Tp9を基板Pが移動しているときに、第2部材62を−θZ方向に約90度回転させてもよい。
For example, as shown in FIG. 10, after sequentially exposing the shot area Sd, the shot area Se, and the shot area Sf arranged in the X-axis direction, the shot area Se and Sd are arranged in the X-axis direction. Even when the shot area Sh and the shot area Si are sequentially exposed, the
なお、本実施形態においては、第2部材62を+θZ方向に約90度回転させることと、−θZ方向に約90度回転させることとを繰り返すこととしたが、基板P(物体)の移動条件に基づいて、第2部材62が+θZ方向に回転し続けてもよいし、−θZ方向に回転し続けてもよい。
In the present embodiment, the
以上説明したように、本実施形態によれば、第1部材61の下方で移動(回転)可能な回収口64を有する第2部材62を設けたので、液浸空間LSが形成されている状態で基板P等の物体がXY平面内において移動しても、例えば液体LQが液浸部材5と物体との間の空間から流出したり、物体上に液体が残留したりすることが抑制される。また、液浸空間LSの液体LQに気泡(気体部分)が発生することも抑制される。
As described above, according to the present embodiment, since the
また、物体との相対移動(相対速度、相対加速度)が小さくなるように第2部材62を移動することにより、液浸空間LSが形成されている状態で物体が高速度で移動しても、液体LQが流出したり、液体LQが残留したり、液体LQに気泡が発生したりすることが抑制される。
Further, by moving the
したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。 Therefore, the occurrence of defective exposure and the occurrence of defective devices can be suppressed.
また、本実施形態においては、第1部材61は終端光学素子13の周囲の少なくとも一部に配置されているので、液浸空間LSが形成されている状態で物体が移動したり、第2部材62が移動したりした場合においても、終端光学素子13と第1部材61との間において圧力が変動したり、液体LQの第3界面LG3の形状が大きく変動したりすることが抑制される。したがって、例えば液体LQに気泡が発生したり、終端光学素子13に過剰な力が作用したりすることが抑制される。また、本実施形態においては、第1部材61は実質的に移動しないため、終端光学素子13と第1部材61との間において圧力が大きく変動したり、液体LQの第3界面LG3の形状が大きく変動したりすることが抑制される。
In the present embodiment, since the
なお、第1部材61は移動可能であってもよい。第1部材61は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZの6つの方向のうちの少なくとも一つの方向に移動してもよい。第1部材61は、第2部材62と独立して移動してもよい。例えば、終端光学素子13と第1部材61との位置関係を調整したり、第1部材61と第2部材62との位置関係を調整したりするために、第1部材61を移動してもよい。また、基板P(物体)の移動の少なくとも一部と並行して、第1部材61を移動してもよい。例えば、XY平面内において第2部材62よりも短い距離だけ移動(回転など)してもよい。また、第1部材61は、第2部材62よりも低速度で移動(回転など)してもよい。また、第1部材61は、第2部材62よりも低加速度で移動(回転など)してもよい。
The
<第2実施形態>
第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
A second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図11及び図12は、本実施形態に係る第1部材610及び第2部材620の一例を示す図である。図11及び図12に示すように、本実施形態においては、下面620Bは、第2部材620に配置されている。第2部材620は、射出面12からの露光光ELが通過する開口620Hを有する。下面620Bは、開口620Hの周囲に配置される。第2部材620が移動することによって、下面620Bも移動する。例えば、第2部材620が回転することによって、下面620Bも回転する。
11 and 12 are diagrams illustrating an example of the
本実施形態において、開口620Hは、円形である。これにより、下面620B(開口620H)が回転しても、射出面12からの露光光ELは基板P(物体)に照射可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態においても、第2部材620は、移動しながら液体LQを回収可能である。 本実施形態においても、第2部材620を移動することによって、露光不良の発生が抑制される。
Also in the present embodiment, the
<第3実施形態>
第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
A third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図13は、本実施形態に係る第1部材613及び第2部材623の一例を示す図である。第2部材623は、下面623Bを有する。下面623Bは、射出面12からの露光光ELが通過する開口623Hの周囲に配置される。
FIG. 13 is a diagram illustrating an example of the
本実施形態において、下面623Bの外形は、多角形である。本実施形態において、下面623Bの外形は、六角形である。
In the present embodiment, the outer shape of the
本実施形態において、下面623Bは、液浸空間LSの液体LQの少なくとも一部を誘導空間60Sに誘導可能な誘導部60を有する。誘導部60は、例えば下面623Bの外形の一部(辺)を含む。液浸空間LSが形成されている状態で基板P(物体)がXY平面内を移動する場合、液浸空間LSの液体LQの少なくとも一部は、誘導空間60Sに誘導される。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、液体LQが基板P(物体)の移動方向に誘導されるように、下面623Bが回転する。本実施形態において、誘導空間60Sは、基板P(物体)の移動方向に位置付けられる。
In the present embodiment, the
例えば、図14の模式図に示すように、基板Pが経路Tp14及び経路Tp15を移動する場合、液浸空間LSの液体LQの少なくとも一部が基板P(物体)の移動方向に誘導されるように、下面623B(第2部材623)が回転する。なお、基板Pが経路Tp14を移動する動作は、ステップ移動動作を含む。基板Pが経路Tp15を移動する動作は、スキャン移動動作を含む。また、図14は、基板Pが経路Tp14、Tp15の位置dc、dd、de、dfのそれぞれに配置されるときの、射出面12が対向する上面623A側から見たときの第2部材623の一例を模式的に示す。
For example, as shown in the schematic diagram of FIG. 14, when the substrate P moves along the path Tp14 and the path Tp15, at least a part of the liquid LQ in the immersion space LS is guided in the moving direction of the substrate P (object). In addition, the
液体LQが基板Pの移動方向に誘導されるように、下面623Bが回転することによって、例えば下面623Bと基板Pの上面との間の空間から流出する液体LQの薄膜化が抑制される。これにより、下面623Bと基板Pの上面との間の空間から流出した液体LQは、回収口64から円滑に回収される。また、基板Pにおける液体LQの残留も抑制される。また、液浸空間LSの形状(第1界面LG1の形状)の大きな変動が抑制される。
By rotating the
<第4実施形態>
第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fourth embodiment>
A fourth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図15及び図16は、本実施形態に係る液浸部材504の一例を示す模式図である。図15(A)及び図16(A)は、液浸部材504を下側から見た図である。図15(B)及び図16(B)は、液浸部材504の一部を示す側断面図である。
15 and 16 are schematic views showing an example of the
本実施形態においては、液浸空間LSの液体LQが基板P(物体)の移動方向に誘導されるように、下面504Bの外形が変化する。
In the present embodiment, the outer shape of the
本実施形態において、下面504Bは、複数のプレート部材の下面を含む。図15及び図16に示す例では、第1プレート部材6241の下面624Aの少なくとも一部、及び第2プレート部材6242の下面624Bの少なくとも一部によって下面504Bが形成される。
In the present embodiment, the
なお、下面504Bの周囲の少なくとも一部に回収口64(多孔部材65)が配置される。回収口64(多孔部材65)は、射出面12からの露光光ELが通過可能な開口504Kの周囲に配置される。また、第1、第2プレート部材6241、6242のそれぞれは、射出面12からの露光光ELが通過可能な6241K、6242Kを有する。
Note that the recovery port 64 (porous member 65) is disposed at least partially around the
第1、第2プレート部材6241、6242のそれぞれは、回転可能である。第1、第2プレート部材6241、6242の位置によって、下面504Bの外形が変化する。下面504Bは、例えば図15に示す状態及び図16に示す状態の一方から他方へ変化することができる。
Each of the first and
制御装置6は、基板P(物体)の移動方向に基づいて、第1プレート部材6241及び第2プレート部材6242の少なくとも一方を回転する。これにより、第1、第2プレート部材6241、6242の辺の角度が変化し、その辺に応じた方向に液体LQを誘導することができる。
The control device 6 rotates at least one of the
<第5実施形態>
第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fifth Embodiment>
A fifth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図17は、本実施形態に係る液浸部材505の一例を示す模式図である。図17(A)は、液浸部材505を下側から見た図である。図17(B)は、液浸部材505の一部を示す側断面図である。図17に示すように、下面505Bを有する部材5050が、下面の法線方向(Z軸方向)に移動してもよい。
FIG. 17 is a schematic diagram illustrating an example of the
また、図18に示す液浸部材506のように、複数の部材の下面によって下面506Bが形成される場合、それら複数の部材それぞれのZ軸方向に関する位置が変化してもよい。図18に示す例では、下面506Bは、第1プレート部材6261の下面626Aと、第2プレート部材6262の下面626Bとによって形成される。第2プレート部材6262は、第1プレート部材6261の周囲に配置される。第1プレート部材6261は、Z軸方向に移動可能である。第2プレート部材6262も、Z軸方向に移動可能である。
Further, when the
また、図19に示す液浸部材507のように、基板P(物体)の移動方向に基づいて、下面507Bが傾斜してもよい。
Further, like the
また、図20に示すように、基板P(物体)が−Y方向に移動する場合、下面507Bと基板Pの上面との間の空間のうち、−Y側の部分が+Y側の部分よりも大きくなるように、下面507Bが傾斜してもよい。また、図21に示すように、基板P(物体)が−Y方向に移動する場合、下面507Bと基板Pの上面との間の空間のうち、−Y側の部分が+Y側の部分よりも小さくなるように、下面507Bが傾斜してもよい。
As shown in FIG. 20, when the substrate P (object) moves in the −Y direction, the −Y side portion of the space between the
また、図22に示すように、下面508Bが凹部(溝部)508Kを有してもよいし、凸部を有してもよい。例えば、図22に示すように、下面508Bが凹部508Kを有する場合、液体LQが流出する方向が制限される。したがって、液体LQの薄膜化が抑制され、液体LQは回収口64から円滑に回収される。
As shown in FIG. 22, the
なお、上述の第1〜第5実施形態において、第1部材(61など)が、第2部材(62など)と一緒に移動(回転など)してもよい。また、第1部材(61など)と第2部材(62など)とが一体でもよい。 In the first to fifth embodiments described above, the first member (such as 61) may move (rotate, etc.) together with the second member (such as 62). Further, the first member (such as 61) and the second member (such as 62) may be integrated.
なお、上述の実施形態においては、第2部材(62など)は、終端光学素子13の光軸を囲む環状の部材であることとしたが、第2部材が、光軸の周囲に複数配置されてもよい。また、それら複数の第2部材が、独立して移動してもよい。また、複数の第2部材のうち、一部の第2部材が移動し、一部の第2部材が移動しなくてもよい。
In the above-described embodiment, the second member (62 and the like) is an annular member surrounding the optical axis of the last
また、第2部材(62など)が多孔部材65を備えていなくてもよい。すわなち、第2部材(62)などが多孔部材を介さずに、液体LQを回収してもよい。また、第2部材(62など)が第1排出口68と第2排出口69を別々に備えていなくてもよい。例えば、液体LQと気体とともに、回収流路67から排出するようにしてもよい。
Further, the second member (such as 62) may not include the
なお、上述の実施形態において、制御装置6は、CPU等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置6は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置7は、例えばRAM等のメモリ、ハードディスク、CD−ROM等の記録媒体を含む。記憶装置7には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム(OS)がインストールされ、露光装置EXを制御するためのプログラムが記憶されている。 In the above-described embodiment, the control device 6 includes a computer system including a CPU and the like. The control device 6 includes an interface capable of executing communication between the computer system and an external device. The storage device 7 includes a memory such as a RAM, and a recording medium such as a hard disk and a CD-ROM. The storage device 7 is installed with an operating system (OS) that controls the computer system, and stores a program for controlling the exposure apparatus EX.
なお、制御装置6に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。 Note that an input device capable of inputting an input signal may be connected to the control device 6. The input device includes an input device such as a keyboard and a mouse, or a communication device that can input data from an external device. Further, a display device such as a liquid crystal display may be provided.
記憶装置7に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置(コンピュータシステム)6が読み取り可能である。記憶装置7には、制御装置6に、露光光が射出される光学部材の射出面と基板との間の露光光の光路に満たされた液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の制御を実行させるプログラムが記録されている。 Various information including programs recorded in the storage device 7 can be read by the control device (computer system) 6. In the storage device 7, liquid immersion exposure is performed in which the control device 6 exposes the substrate with the exposure light through the liquid filled in the optical path of the exposure light between the exit surface of the optical member from which the exposure light is emitted and the substrate. A program for executing control of the apparatus is recorded.
記憶装置7に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置6に、 光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成することと、液浸空間の液体を介して射出面から射出される露光光で基板を露光することと、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材の下方に配置され、液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材を移動することと、を実行させてもよい。 According to the above-described embodiment, the program recorded in the storage device 7 causes the control device 6 to form an immersion space so that the optical path of the exposure light emitted from the emission surface of the optical member is filled with the liquid. Exposing the substrate with exposure light emitted from the exit surface through the liquid in the immersion space, and disposed below the first member disposed at least at a part of the periphery of the optical member. The second member having a recovery port for recovering at least a part of the liquid may be moved.
記憶装置7に記憶されているプログラムが制御装置6に読み込まれることにより、基板ステージ2、計測ステージ3、及び液浸部材5等、露光装置EXの各種の装置が協働して、液浸空間LSが形成された状態で、基板Pの液浸露光等、各種の処理を実行する。
When the program stored in the storage device 7 is read into the control device 6, various devices of the exposure apparatus EX such as the
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子13の射出面12側(像面側)の光路Kが液体LQで満たされているが、投影光学系PLが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているような、終端光学素子13の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系でもよい。
In each of the above-described embodiments, the optical path K on the
なお、上述の各実施形態においては、液体LQが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体LQは、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材(フォトレジスト)等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQが、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体LQが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。 In each of the above-described embodiments, the liquid LQ is water, but a liquid other than water may be used. The liquid LQ is transmissive to the exposure light EL, has a high refractive index with respect to the exposure light EL, and forms a film such as a photosensitive material (photoresist) that forms the surface of the projection optical system PL or the substrate P. A stable material is preferred. For example, the liquid LQ may be a fluorinated liquid such as hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), or fomblin oil. Further, the liquid LQ may be various fluids such as a supercritical fluid.
なお、上述の各実施形態においては、基板Pが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等を含んでもよい。 In each of the above-described embodiments, the substrate P includes a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device. For example, the substrate P is used in a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an exposure apparatus. A mask or reticle master (synthetic quartz, silicon wafer) or the like may also be included.
なお、上述の各実施形態においては、露光装置EXが、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)であることとしたが、例えばマスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)でもよい。 In each of the above-described embodiments, the exposure apparatus EX is a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously. However, for example, a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) that performs batch exposure of the pattern of the mask M while the mask M and the substrate P are stationary and sequentially moves the substrate P stepwise may be used.
また、露光装置EXが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光する露光装置(スティッチ方式の一括露光装置)でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。 In addition, the exposure apparatus EX transfers a reduced image of the first pattern onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary in the step-and-repeat exposure. Thereafter, with the second pattern and the substrate P substantially stationary, an exposure apparatus (stitch method) that collectively exposes a reduced image of the second pattern on the substrate P by partially overlapping the first pattern using a projection optical system. (Batch exposure apparatus). Further, the stitch type exposure apparatus may be a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、露光装置EXが、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているような、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置EXが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。 Further, the exposure apparatus EX combines two mask patterns as disclosed in, for example, U.S. Pat. No. 6,611,316 on the substrate via the projection optical system, and the substrate is subjected to one scanning exposure. An exposure apparatus that double-exposes one shot area almost simultaneously may be used. Further, the exposure apparatus EX may be a proximity type exposure apparatus, a mirror projection aligner, or the like.
また、上述の各実施形態において、露光装置EXが、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図23に示すように、露光装置EXが2つの基板ステージ2001、2002を備えている場合、射出面12と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第1保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第1保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。
In each of the embodiments described above, the exposure apparatus EX includes a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. A twin stage type exposure apparatus provided with For example, as shown in FIG. 23, when the exposure apparatus EX includes two
また、露光装置EXが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。 The exposure apparatus EX may be an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.
露光装置EXが、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。 The exposure apparatus EX may be an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, or a reticle or mask may be used.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. A variable shaping mask (also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257 ) May be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.
上述の各実施形態においては、露光装置EXが投影光学系PLを備えることとしたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。 In each of the above embodiments, the exposure apparatus EX includes the projection optical system PL. However, the components described in the above embodiments are applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. May be. For example, an exposure apparatus and an exposure method for forming an immersion space between an optical member such as a lens and a substrate and irradiating the substrate with exposure light via the optical member are described in the above embodiments. Elements may be applied.
また、露光装置EXが、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているような、干渉縞を基板P上に形成することによって基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)でもよい。 The exposure apparatus EX exposes a line-and-space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P as disclosed in, for example, WO 2001/035168. (Lithography system).
上述の実施形態の露光装置EXは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus EX of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the above-described components so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. After the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図24に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 24, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
2…基板ステージ、3…計測ステージ、5…液浸部材、6…制御装置、7…記憶装置、12…射出面、13…終端光学素子、61…第1部材、61B…下面、61C…内面、61D…外面、61G…下面、61H…開口、62…第2部材、62A…上面、62B…下面、62C…内面、63…供給口、64…回収口、65…多孔部材、43…駆動システム、EL…露光光、EX…露光装置、IL…照明系、K…光路、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板。
DESCRIPTION OF
Claims (39)
前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材と、
前記第1部材の下方で移動可能であり、前記液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材と、を備える液浸部材。 An immersion member that forms an immersion space on the upper side of the optical member so that the optical path of the exposure light emitted from the emission surface of the optical member is filled with the liquid,
A first member disposed on at least a part of the periphery of the optical member;
A liquid immersion member comprising: a second member that is movable below the first member and has a recovery port that recovers at least a part of the liquid in the liquid immersion space.
前記回収口は、前記多孔部材の孔を含む請求項1〜9のいずれか一項に記載の液浸部材。 The second member includes a porous member,
The liquid recovery member according to claim 1, wherein the recovery port includes a hole of the porous member.
請求項1〜17のいずれか一項に記載の液浸部材を備える露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
An exposure apparatus comprising the liquid immersion member according to claim 1.
前記第2部材は、前記物体が前記第2経路の少なくとも一部を移動するときに、前記物体との相対速度が小さくなるように回転する請求項18〜21のいずれか一項に記載の露光装置。 In the state where the immersion space is formed, the object has a first path parallel to the first axis in the predetermined plane, and a first path orthogonal to the first axis from a first position of the end point of the first path. Sequentially moving a second path including a curve to a second position adjacent to one side of the first position with respect to a direction parallel to two axes;
The exposure according to any one of claims 18 to 21, wherein the second member rotates so that a relative speed with respect to the object decreases when the object moves along at least a part of the second path. apparatus.
前記第2部材は、前記物体が前記逆方向に移動を開始するときに前記回転を開始し、前記物体が前記第2方向の移動を終了するときに前記回転を終了する請求項22に記載の露光装置。 In the second path, the object moves in a second direction parallel to the second axis while moving in a first direction parallel to the first axis, and then moves in the second direction. Move in the opposite direction,
23. The second member according to claim 22, wherein the second member starts the rotation when the object starts moving in the reverse direction, and ends the rotation when the object ends the movement in the second direction. Exposure device.
前記液体が前記物体の移動方向に誘導されるように、前記液浸部材の下面が回転する請求項28に記載の露光装置。 The lower surface of the liquid immersion member has a guide portion capable of guiding at least part of the liquid in the liquid immersion space to the guide space,
The exposure apparatus according to claim 28, wherein a lower surface of the liquid immersion member rotates so that the liquid is guided in a moving direction of the object.
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 18 to 34;
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method.
光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように液浸空間を形成することと、
前記液浸空間の液体を介して前記射出面から射出される前記露光光で前記基板を露光することと、
前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材の下方に配置され、前記液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材を移動することと、を含む露光方法。 An exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid,
Forming an immersion space so that the optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical member is filled with the liquid;
Exposing the substrate with the exposure light emitted from the exit surface through the liquid in the immersion space;
Moving a second member disposed below at least a part of the periphery of the optical member and having a recovery port for recovering at least a part of the liquid in the immersion space. Exposure method.
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure method of claim 36;
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method.
光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように液浸空間を形成することと、
前記液浸空間の液体を介して前記射出面から射出される前記露光光で前記基板を露光することと、
前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される第1部材の下方に配置され、前記液浸空間の液体の少なくとも一部を回収する回収口を有する第2部材を移動することと、を実行させるプログラム。 A program that causes a computer to execute control of an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light via a liquid,
Forming an immersion space so that the optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical member is filled with the liquid;
Exposing the substrate with the exposure light emitted from the exit surface through the liquid in the immersion space;
Moving a second member disposed below at least a portion of the first member disposed around the optical member and having a recovery port for recovering at least a portion of the liquid in the immersion space. Program to make.
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KR20190042713A (en) * | 2016-09-12 | 2019-04-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Fluid treatment structures for lithographic apparatus |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190042713A (en) * | 2016-09-12 | 2019-04-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Fluid treatment structures for lithographic apparatus |
JP2019531504A (en) * | 2016-09-12 | 2019-10-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Fluid handling structure for a lithographic apparatus |
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US11029607B2 (en) | 2016-09-12 | 2021-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure for lithographic apparatus |
JP2022070883A (en) * | 2016-09-12 | 2022-05-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Fluid handling structure for lithography device |
US11454892B2 (en) | 2016-09-12 | 2022-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure for lithographic apparatus |
JP7354317B2 (en) | 2016-09-12 | 2023-10-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Fluid handling structures for lithographic equipment |
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