JP2013219334A - Method for manufacturing substrate using film-like mold, and manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、長尺のフィルム状モールドを用いて光の散乱や回折のための微細パターンを有する基板を製造するための製造方法及びその製造方法を実施するための装置に関する。 The present invention relates to a manufacturing method for manufacturing a substrate having a fine pattern for light scattering and diffraction using a long film mold and an apparatus for carrying out the manufacturing method.
半導体集積回路のような微細パターンを形成する方法として、リソグラフィ法が知られている。リソグラフィ法で形成されるパターンの解像度は、光源の波長や光学系の開口数に依存しており、近年の微細化デバイスの需要に応えるために、より短波長の光源が要望されている。しかしながら、短波長光源は高価であり、その開発は容易ではなく、そのような短波長光を透過する光学材料の開発も必要である。また、従来のリソグラフィ法で大面積のパターンを製造することは、大型の光学素子を必要とし、技術的にも経済的な面でも困難を伴う。それゆえ、大面積を有する所望のパターンを形成する新規な方法が検討されていた。 Lithography is known as a method for forming a fine pattern such as a semiconductor integrated circuit. The resolution of the pattern formed by the lithography method depends on the wavelength of the light source and the numerical aperture of the optical system. In order to meet the recent demand for miniaturized devices, a light source having a shorter wavelength is desired. However, short wavelength light sources are expensive, and their development is not easy, and development of optical materials that transmit such short wavelength light is also necessary. In addition, manufacturing a large-area pattern by a conventional lithography method requires a large optical element, and is difficult both technically and economically. Therefore, a new method for forming a desired pattern having a large area has been studied.
従来のリソグラフィ装置を使わずに、微細パターンを形成する方法としてナノインプリント法が知られている。ナノインプリント法は、樹脂をモールド(型)と基板で挟み込むことでナノメートルオーダーのパターンを転写することができる技術であり、使用材料によって、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法などが検討されている。このうち、光ナノインプリント法は、i)樹脂層の塗布、ii)モールドによるプレス、iii)光硬化及びiv)離型の四工程からなり、このような単純なプロセスでナノサイズの加工を実現できる点で優れている。特に、樹脂層は、光照射により硬化する光硬化性樹脂を用いるためにパターン転写工程にかかる時間が短く、高スループットが期待できる。このため、半導体デバイスのみならず、有機EL素子やLEDなどの光学部材、MEMS、バイオチップなど多くの分野で実用化が期待されている。 A nanoimprint method is known as a method for forming a fine pattern without using a conventional lithography apparatus. The nanoimprint method is a technique capable of transferring a nanometer order pattern by sandwiching a resin between a mold and a substrate, and thermal nanoimprint method, optical nanoimprint method, and the like have been studied depending on the material used. Among these, the optical nanoimprint method comprises four steps of i) application of a resin layer, ii) press with a mold, iii) photocuring, and iv) release, and can realize nano-size processing by such a simple process. Excellent in terms. In particular, since the resin layer uses a photocurable resin that is cured by light irradiation, the time required for the pattern transfer process is short, and high throughput can be expected. For this reason, practical application is expected not only in semiconductor devices but also in many fields such as optical members such as organic EL elements and LEDs, MEMS, and biochips.
例えば、有機EL素子(有機発光ダイオード)では、正孔注入層から入った正孔と、電子注入層から入った電子が、それぞれ、発光層へ運ばれて、発光層内の有機分子上でそれらが再結合して有機分子を励起して、それにより光が放出される。それゆえ、有機EL素子を表示装置や照明装置として使用するには、発光層からの光を素子表面から効率よく取り出す必要があり、このために、回折格子基板を有機EL素子の光取り出し面に設けることが特許文献1で知られている。 For example, in an organic EL element (organic light-emitting diode), holes that have entered from a hole injection layer and electrons that have entered from an electron injection layer are respectively carried to the light-emitting layer, and they are formed on organic molecules in the light-emitting layer. Recombine to excite organic molecules, thereby emitting light. Therefore, in order to use the organic EL element as a display device or a lighting device, it is necessary to efficiently extract light from the light emitting layer from the surface of the element. For this reason, the diffraction grating substrate is used as the light extraction surface of the organic EL element. It is known from Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228707.
また、本出願人は、特許文献2において、有機EL素子用の回折格子基板の凹凸パターンを製造するために、所定の条件を満たすブロック共重合体を溶媒に溶解した溶液を基材上に塗布し、ブロック共重合体の自己組織化する現象を用いてブロック共重合体のミクロ相分離構造を形成することにより、微細で不規則な凹凸パターンが形成された母型(金属基板)を得る方法を開示している。得られた母型にシリコーン系ポリマーと硬化剤の混合液を滴下して硬化させてモールドとしての転写パターンを得た後、この転写パターンに硬化性樹脂を塗布したガラス基板を押しつけて紫外線により硬化性樹脂を硬化させることで、転写パターンが複製された回折格子が作製される。この回折格子上に、透明電極、有機層及び金属電極を積層することで有機EL素子が得られる。 In addition, in Patent Document 2, the present applicant applied a solution in which a block copolymer satisfying a predetermined condition in a solvent is applied on a base material in order to produce a concavo-convex pattern of a diffraction grating substrate for an organic EL element. A method for obtaining a matrix (metal substrate) on which a fine irregular irregular pattern is formed by forming a microphase separation structure of the block copolymer using the phenomenon of self-organization of the block copolymer Is disclosed. A mixture of a silicone polymer and a curing agent is dropped onto the matrix and cured to obtain a transfer pattern as a mold, and then a glass substrate coated with a curable resin is pressed against the transfer pattern and cured with ultraviolet rays. By curing the functional resin, a diffraction grating in which the transfer pattern is duplicated is produced. An organic EL element is obtained by laminating a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode on the diffraction grating.
しかし、上記のような有機EL素子用の回折格子を量産するには、モールドとしての転写パターンを用いて硬化性樹脂などの材料に効率良く転写を行う必要がある。 However, in order to mass-produce a diffraction grating for an organic EL element as described above, it is necessary to efficiently transfer to a material such as a curable resin using a transfer pattern as a mold.
それゆえ、ナノインプリント法を用いて有機EL素子等に用いられる回折格子基板等の光学基板を高いスループットで量産する上で好適な転写プロセス及び転写装置が要望されていた。 Therefore, there has been a demand for a transfer process and a transfer apparatus suitable for mass-producing an optical substrate such as a diffraction grating substrate used for an organic EL element or the like with high throughput using the nanoimprint method.
ところで、上記のような光硬化性樹脂は一般に耐熱性が低く、高温で分解や黄変が発生する。したがって、後続する工程に高温処理があると微細パターンを有する膜が分解してしまう恐れがある。また、光硬化性樹脂はガラス基板への密着性が低く、さらには、パターン転写された樹脂層を有機EL素子などの素子に用いた場合、樹脂層から不純物が溶出して素子に悪影響を与える恐れがある。従って、ナノインプリント法を用いて有機EL素子用の回折格子基板などの光学基板を高いスループットで量産するために、ガラス基板上に凹凸パターンを形成するための材料やモールド材料を最適化する必要もある。 By the way, the photocurable resin as described above generally has low heat resistance, and decomposes or yellows at high temperatures. Therefore, if there is a high-temperature treatment in the subsequent process, the film having a fine pattern may be decomposed. In addition, the photo-curing resin has low adhesion to the glass substrate, and further, when the pattern-transferred resin layer is used for an element such as an organic EL element, impurities are eluted from the resin layer and the element is adversely affected. There is a fear. Therefore, in order to mass-produce an optical substrate such as a diffraction grating substrate for an organic EL element with high throughput using the nanoimprint method, it is necessary to optimize materials and mold materials for forming a concavo-convex pattern on the glass substrate. .
そこで、本発明の目的は、基板に対して高い密着性を有すると共に耐熱性及び耐候性を有する微細凹凸パターンを備えた基板を、高いスループットで量産することができる新規な製造方法及び製造装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel manufacturing method and manufacturing apparatus capable of mass-producing a substrate having a fine unevenness pattern having high adhesion to the substrate and having heat resistance and weather resistance with high throughput. It is to provide.
本発明の第1の態様に従えば、凹凸パターンを有する基板を製造する方法であって、
凹凸パターン面を有する長尺のフィルム状モールドを用意する工程と、
基板上にゾルゲル材料の塗膜を形成する工程と、
前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面と前記塗膜を対向させて、押圧ロールをフィルム状モールドの前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付けて前記凹凸パターン面を前記塗膜に転写する工程と、
前記フィルム状モールドを塗膜から剥離する工程と、
前記凹凸パターンが転写された塗膜を硬化する工程とを備えることを特徴とする基板を製造する方法が提供される。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a substrate having a concavo-convex pattern,
Preparing a long film-shaped mold having an uneven pattern surface;
Forming a sol-gel material coating on the substrate;
A step of making the concavo-convex pattern surface of the film-shaped mold and the coating film face each other, pressing a pressing roll against a surface opposite to the concavo-convex pattern surface of the film-shaped mold, and transferring the concavo-convex pattern surface to the coating film; ,
Peeling the film mold from the coating film;
And a step of curing the coating film having the concavo-convex pattern transferred thereon. A method for producing a substrate is provided.
前記光学基板を製造する方法において、前記塗膜を硬化する工程は、塗膜を焼成することにより硬化することを含んでもよい。 In the method of manufacturing the optical substrate, the step of curing the coating film may include curing by baking the coating film.
前記基板を製造する方法において、基板は光学基板であってもよい。前記長尺のフィルム状モールドを用意する工程は、長尺のフィルム状基材に凹凸形成材料を塗布することと、前記塗布された凹凸形成材料に、凹凸パターンを有する転写ロールを回転しながら押し付けて凹凸形成材料に前記凹凸パターンをロール転写することと、前記凹凸パターンがロール転写された凹凸形成材料を硬化することによりロール形態の前記長尺のフィルム状モールドを得ることを含んでいてもよい。また、前記硬化した凹凸形成材料を有するフィルム状基材をフィルム巻き取りロールにより巻き取ってもよく、及び/または、前記フィルム状基材を繰り出すフィルム繰り出しロールと巻き取るフィルム巻き取りロールを用いて、前記フィルム状基材を搬送させながら、前記転写ロールの凹凸パターンを転写してもよい。いずれの場合においても、前記フィルム巻き取りロールに巻き取られたロール形態の前記長尺のフィルム状モールドが前記押圧ロールに対して繰り出されて移動し得る。さらに、前記剥離された前記長尺のフィルム状モールドをモールド巻き取りロールで巻き取ってもよい。 In the method for manufacturing the substrate, the substrate may be an optical substrate. The step of preparing the long film-shaped mold includes applying a concavo-convex forming material to a long film-like substrate and pressing the transfer roll having a concavo-convex pattern while rotating the applied concavo-convex forming material. Rolling the concavo-convex pattern onto the concavo-convex forming material, and curing the concavo-convex forming material onto which the concavo-convex pattern has been roll-transferred to obtain the long film mold in a roll form. . Moreover, the film-form base material which has the said uneven | corrugated formation material may be wound up with a film winding roll, and / or using the film winding roll which rolls out the said film-shaped base material, and the film winding roll which winds up The concavo-convex pattern of the transfer roll may be transferred while the film-like substrate is conveyed. In any case, the long film-shaped mold in the form of a roll wound up by the film winding roll can be fed out and moved with respect to the pressing roll. Furthermore, the peeled long film-shaped mold may be wound up by a mold winding roll.
前記基板を製造する方法において、前記凹凸形成材料を加熱しながら、前記押圧ロールを前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付け得る。こうすることで、ゾル材料の仮焼成も同時に行われ、凹凸パターンの形成を確実にすると共に押圧後の凹凸パターン面の塗膜からの剥離を容易にすることができる。また、前記転写工程と前記剥離工程の間または前記剥離工程において、前記押圧された凹凸形成材料を加熱して押圧後のパターン面の塗膜からの剥離を一層容易にすることができる。 In the method of manufacturing the substrate, the pressing roll can be pressed against the surface opposite to the uneven pattern surface while heating the uneven forming material. By doing so, the sol material is temporarily fired at the same time, so that the formation of the concave / convex pattern can be ensured and peeling of the concave / convex pattern surface after pressing from the coating film can be facilitated. Further, the pressed unevenness forming material can be heated between the transfer step and the peeling step or in the peeling step to further facilitate peeling from the coating film on the pattern surface after pressing.
前記基板を製造する方法において、前記長尺のフィルム状モールドを連続的に押圧ロールの下方に送り込むとともに、複数の基板を所定時間間隔でゾルゲル材料の塗膜を形成しながら前記押圧ロールに搬送し、前記複数の基板の塗膜に順次前記フィルム状モールドの凹凸パターン面を押圧ロールで押し付けてもよい。長尺のフィルム状モールドを用いているので、このような基板の連続処理が可能となり、基板製造のスループットを向上することができる。フィルム状モールドの長さは、1ロット分の基板、例えば、数百枚〜数千枚の基板を製造するのに足りる長さ、例えば数百メートルから数千メートルに調整することができる。 In the method for manufacturing the substrate, the long film-shaped mold is continuously fed below the pressing roll, and a plurality of substrates are conveyed to the pressing roll while forming a sol-gel material coating film at predetermined time intervals. The concave and convex pattern surfaces of the film mold may be sequentially pressed against the coating films of the plurality of substrates with a pressing roll. Since a long film mold is used, such a substrate can be continuously processed, and the throughput of substrate manufacture can be improved. The length of the film mold can be adjusted to a length sufficient to produce one lot of substrates, for example, several hundred to several thousand substrates, for example, several hundred meters to several thousand meters.
前記基板を製造する方法に用いる前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンは、例えば、不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが、100〜1500nmの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値(平均高さ)が20〜200nmの範囲にすることができ、前記基板はガラス基板にしてよい。ゾル材料は無機材料から形成されているので、ガラス基板と屈折率が近いために好ましい。前記ゾルゲル材料がシリカ前駆体を含み得る。 The concavo-convex pattern of the film mold used in the method for producing the substrate is, for example, an irregular concavo-convex pattern, the concavo-convex average pitch is in the range of 100 to 1500 nm, and the average value of the concavo-convex depth distribution. The (average height) can be in the range of 20 to 200 nm, and the substrate may be a glass substrate. Since the sol material is formed of an inorganic material, it is preferable because the refractive index is close to that of the glass substrate. The sol-gel material can include a silica precursor.
本発明の第2の態様に従えば、基板を製造する装置であって、
基板上にゾルゲル材料の塗膜を形成する塗膜形成部と、
前記塗膜が形成された基板を所定位置に搬送する基板搬送部と、
凹凸パターン面を有する長尺状のフィルム状モールドをモールド繰り出しロールと前記長尺状のフィルム状モールドを巻き取るモールド巻き取りロールとを備え、前記繰り出しロールから前記所定位置に連続的に前記フィルム状モールドを繰り出すと共に前記フィルム状モールドをモールド巻き取りロールで巻き取ることで前記フィルム状モールドを所定位置に対して搬送するモールド搬送部と、
前記所定位置に回転可能に設置され、前記モールド搬送部で前記所定位置に繰り出された前記長尺状のフィルム状モールドの凹凸パターン面の一部を、前記基板搬送部により前記所定位置に搬送された前記基板の塗膜に押し付けるための押圧ロールとを備えることを特徴とする基板の製造装置が提供される。
According to a second aspect of the present invention, an apparatus for manufacturing a substrate,
A coating film forming section for forming a sol-gel material coating film on the substrate;
A substrate transport unit for transporting the substrate on which the coating film is formed to a predetermined position;
A long film-shaped mold having a concavo-convex pattern surface is provided with a mold feeding roll and a mold winding roll for winding the long film-shaped mold, and the film shape is continuously from the feeding roll to the predetermined position. A mold transporting unit that transports the film-shaped mold to a predetermined position by unwinding the mold and winding the film-shaped mold with a mold winding roll;
A part of the concavo-convex pattern surface of the elongated film-shaped mold that is rotatably installed at the predetermined position and is fed to the predetermined position by the mold conveyance unit is conveyed to the predetermined position by the substrate conveyance unit. And a pressing roll for pressing against the coating film of the substrate.
前記基板の製造装置は、さらに、前記押圧ロールにより押し付けられた前記長尺状のフィルム状モールドの凹凸パターン面の一部を前記基板の塗膜から剥離を促進するために、剥離ロールを備え得る。前記基板は光学基板であってもよい。 The substrate manufacturing apparatus may further include a peeling roll in order to promote peeling of a part of the concavo-convex pattern surface of the long film-shaped mold pressed by the pressing roll from the coating film of the substrate. . The substrate may be an optical substrate.
前記基板の製造装置は、さらに、前記フィルム状モールドの凹凸パターン面の一部が押し付けられる前記基板の塗膜を加熱する加熱手段を備えてよく、この加熱手段は前記押圧ロール内にヒータとして設けてもよい。前記基板の製造装置は、さらに、前記フィルム状モールドが前記塗膜から剥離されるときに前記塗膜を加熱する加熱手段を備えてもよい。 The apparatus for manufacturing a substrate may further include a heating unit that heats a coating film on the substrate against which a part of the concavo-convex pattern surface of the film mold is pressed, and the heating unit is provided as a heater in the pressing roll. May be. The substrate manufacturing apparatus may further include a heating unit that heats the coating film when the film mold is peeled from the coating film.
前記基板の製造装置は、さらに、前記押圧ロールと対向する位置に設けられて基板を下側から支持する支持ロールを備えてよく、前記塗膜形成部が、基板を保持しながら移動させる基板ステージを備えてよい。 The substrate manufacturing apparatus may further include a support roll provided at a position facing the pressing roll to support the substrate from below, and the coating film forming unit moves the substrate while holding the substrate. May be provided.
前記基板の製造装置に用いる前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンは、例えば、光の回折または散乱のために用いられる不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが、100〜1500nmの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値(平均高さ)が20〜200nmの範囲であり得る。また、前記基板がガラス基板であり、前記ゾルゲル材料がシリカ前駆体を含んでもよい。 The concavo-convex pattern of the film mold used in the substrate manufacturing apparatus is, for example, an irregular concavo-convex pattern used for light diffraction or scattering, and the average pitch of the concavo-convex ranges from 100 to 1500 nm. The average value (average height) of the uneven depth distribution may be in the range of 20 to 200 nm. The substrate may be a glass substrate, and the sol-gel material may contain a silica precursor.
前記基板の製造装置は、さらに、前記長尺状のフィルム状モールドを形成するロールプロセス装置を備えてよく、このロールプロセス装置は、基板フィルムを搬送する搬送系と、搬送中の基板フィルムに凹凸形成材料を塗布する塗布機と、塗布機の下流側に位置してパターンを転写する転写ロールと、前記基板フィルムに光を照射するための照射光源とを有することができる。前記搬送系は、前記基板フィルムを繰り出すフィルム繰り出しロールと、前記基板フィルムを前記転写ロールに付勢するニップロールと、前記基板フィルムの転写ロールからの剥離を促進する剥離ロールと、前記パターンが転写された基板フィルムを巻き取るフィルム巻き取りロールとを有し得る。この場合、前記基板フィルムを巻き取ったフィルム巻き取りロールが、前記フィルム状モールドを繰り出すモールド繰り出しロールとして使用されることができる。 The substrate manufacturing apparatus may further include a roll process device for forming the long film mold. The roll process device has a transport system for transporting the substrate film and unevenness on the substrate film being transported. It can have an applicator for applying the forming material, a transfer roll located on the downstream side of the applicator for transferring the pattern, and an irradiation light source for irradiating the substrate film with light. The transport system includes a film feeding roll for feeding out the substrate film, a nip roll for biasing the substrate film to the transfer roll, a peeling roll for promoting the peeling of the substrate film from the transfer roll, and the pattern being transferred. And a film take-up roll for taking up the substrate film. In this case, the film take-up roll obtained by taking up the substrate film can be used as a mold feeding roll for feeding out the film-like mold.
本発明の第3の態様に従えば、第1の態様の基板を製造する方法を用いて光学基板としての凹凸表面を有する回折格子基板を作製し、前記回折格子基板の凹凸表面上に、透明電極、有機層及び金属電極を、順次積層して有機EL素子を製造することを特徴とする有機EL素子の製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, a diffraction grating substrate having an uneven surface as an optical substrate is produced using the method for manufacturing the substrate of the first aspect, and a transparent surface is formed on the uneven surface of the diffraction grating substrate. There is provided a method for producing an organic EL element, wherein an organic EL element is produced by sequentially laminating an electrode, an organic layer and a metal electrode.
本発明の基板を製造する方法においては、凹凸パターン形成材料としてゾルゲル材料を用い、このようなゾルゲル材料による凹凸パターン形成のために長尺のフィルム状モールドによるロールプロセスを用いることで、パターン転写を正確に且つ確実に行いつつも高いスループットで基板を製造することができる。本発明の製造方法により製造された基板の凹凸パターンはゾルゲル材料から形成されているので耐熱性、耐候性(耐光性を含む概念)及び耐食性に優れ、その基板を組み込んだ素子の製造プロセスにも耐性があり、また、それらの素子を長寿命化することができる。それゆえ、本発明の製造方法により得られた基板は、有機EL素子や太陽電池のなどの各種デバイスにきわめて有効となり、このようにして得られた基板を光学基板として用いて耐熱性、耐候性及び耐食性に優れた有機EL素子を製造することができる。本発明の基板の製造方法を実施する上で、本発明の基板の製造装置は最適となる。 In the method for producing a substrate of the present invention, a sol-gel material is used as a concavo-convex pattern forming material, and pattern transfer is performed by using a roll process with a long film mold for forming a concavo-convex pattern using such a sol-gel material. The substrate can be manufactured with high throughput while performing accurately and reliably. Since the concavo-convex pattern of the substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention is formed from a sol-gel material, it has excellent heat resistance, weather resistance (concept including light resistance) and corrosion resistance, and is also used in the manufacturing process of an element incorporating the substrate. There is resistance, and the lifetime of these elements can be extended. Therefore, the substrate obtained by the production method of the present invention is extremely effective for various devices such as organic EL elements and solar cells, and the thus obtained substrate is used as an optical substrate for heat resistance and weather resistance. And the organic EL element excellent in corrosion resistance can be manufactured. In carrying out the substrate manufacturing method of the present invention, the substrate manufacturing apparatus of the present invention is optimal.
また、本発明では長尺のフィルム状モールドを用いているので次のような利点がある。金属や石英などから形成された硬質のモールドは、その凹凸パターンに欠陥が見つかった場合に、その欠陥部の洗浄やリペア(欠陥補修)が可能であり、それにより、欠陥部がゾルゲル側へ転写されることによる不良を防ぐことができる。しかし、フィルム状モールドの場合は、そのような洗浄・リペアが容易ではない。一方で、金属や石英などのモールドはロール状であり、モールドが目詰まりなどで欠陥が生じた際、直ぐに転写装置を止めてモールドの交換を行わなければならない。これに対して、フィルム状モールドでは枚葉でガラス基板に対応させながら転写するので、目詰まりなどの不良がある箇所は検査段階でマークしておき、その不良箇所がガラス基板を通過するまでガラス基板側の搬送を待機させることができる。このため、全体的に見ると不良品の発生を低減でき、それによりスループットを向上させることができる。さらに、金属や石英などの硬質モールドから直接ゾルゲル側へ凹凸パターンを転写しようとすると、次に示すように種々の制限が生じ、所望の性能を十分に引き出せないことがある。例えば、ゾルゲル側の基板にガラスなどの硬質の基板を用いる場合、硬質同士のためモールドの押し圧を強めると基板が割れるなどのダメージが入り、逆に弱めると凹凸パターン転写が浅くなるなど押し圧の調整が難しい。そのため、基板に柔軟な材料を用いるか、モールドに柔軟な材料を用いることを強いられる。仮にフィルム状モールド(ソフトモールド)を用いた場合でも、フィルム状モールドに対しては離型しやすく、基板側には密着性が良く、かつ凹凸のパターン転写性も良好な材料が要求されるため、材料選定が限られることになる。このため、金属モールドから一旦、フィルム状モールドを作製する工程と、これを用いてゾルゲル側へ転写するという工程の二工程に分け、それぞれの工程に適した材料を選定することで、所望の基板に、所望の材料を使用することができ、必要特性のみならず、パターン欠陥がなく離形性が良好な転写が行える。 In the present invention, since a long film mold is used, the following advantages are obtained. Hard molds made of metal, quartz, etc. can be cleaned and repaired (defect repaired) when defects are found in the concavo-convex pattern, thereby transferring the defects to the sol-gel side. It is possible to prevent defects due to being performed. However, in the case of a film mold, such cleaning and repair is not easy. On the other hand, a mold made of metal, quartz or the like is in a roll shape, and when a defect occurs due to clogging or the like, the transfer device must be stopped immediately to replace the mold. On the other hand, since film-like molds are transferred while corresponding to a glass substrate with a single sheet, a portion with a defect such as clogging is marked at the inspection stage, and glass is used until the defective portion passes through the glass substrate. The conveyance on the substrate side can be waited. For this reason, the generation of defective products can be reduced as a whole, thereby improving the throughput. Furthermore, when the concave / convex pattern is transferred directly from a hard mold such as metal or quartz to the sol-gel side, various limitations occur as described below, and the desired performance may not be sufficiently obtained. For example, when a hard substrate such as glass is used for the sol-gel substrate, damage to the substrate may occur if the mold pressure is increased because it is hard, and conversely if it is weakened, the uneven pattern transfer becomes shallower. Is difficult to adjust. Therefore, it is forced to use a flexible material for the substrate or a flexible material for the mold. Even when a film-like mold (soft mold) is used, it is easy to release from the film-like mold, and a material with good adhesion to the substrate side and good uneven pattern transferability is required. The material selection will be limited. For this reason, the desired substrate can be obtained by selecting a material suitable for each process, which is divided into two processes, a process for producing a film mold from a metal mold and a process for transferring the film mold to the sol-gel side. In addition, a desired material can be used, and not only necessary characteristics but also pattern transfer can be performed with no pattern defect and good releasability.
以下、本発明の基板の製造方法及び製造装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。本発明の凹凸パターンを有する基板の製造方法は、図1に示すように、主に、フィルム状モールドを用意する工程S0、ゾルゲル材料を調製する溶液調製工程S1、調製されたゾルゲル材料を基板に塗布する塗布工程S2、基板に塗布されたゾルゲル材料の塗膜を乾燥する乾燥工程S3、乾燥した塗膜に、転写パターンが形成されたフィルム状モールドを押圧ロールにより押し付ける転写工程S4、モールドを塗膜から剥離する剥離工程S5、及び塗膜を本焼成する本焼成工程S6を有する。以下、各工程について順に説明する。なお、以下の説明では、基板として光学基板を例に挙げて説明するが、後述するように本発明の基板は光学基板に限らず、種々の用途を有する基板に適用可能である。 Embodiments of a substrate manufacturing method and a manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the method for producing a substrate having a concavo-convex pattern according to the present invention mainly includes a step S0 for preparing a film-shaped mold, a solution preparation step S1 for preparing a sol-gel material, and the prepared sol-gel material as a substrate. Applying step S2 for applying, drying step S3 for drying the coating film of the sol-gel material applied to the substrate, transferring step S4 for pressing the film-shaped mold on which the transfer pattern is formed on the dried coating film, and applying the mold It has peeling process S5 which peels from a film | membrane, and main baking process S6 which carries out main baking of the coating film. Hereinafter, each process is demonstrated in order. In the following description, an optical substrate will be described as an example of the substrate. However, as will be described later, the substrate of the present invention is not limited to the optical substrate and can be applied to substrates having various uses.
[フィルム状モールドを用意する工程]
本発明の光学部材の製造に用いるフィルム状モールドは、長尺で可撓性のあるフィルムまたはシート状であり、表面に凹凸の転写パターンを有するモールドである。例えば、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンテレナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリイミド(PI)、ポリアリレートのような有機材料などで形成される。また、凹凸パターンは、上記材料に直接形成されていてもよいし、上記材料を基材(基板シート)として、その上に被覆された被覆材料に形成してもよい。被覆材料としては、光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が使用できる。
[Process for preparing film mold]
The film-like mold used for the production of the optical member of the present invention is a long and flexible film or sheet-like mold having a concavo-convex transfer pattern on the surface. For example, silicone resin, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene terephthalate (PEN), polycarbonate (PC), cycloolefin polymer (COP), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyimide (PI), polyarylate Formed of an organic material. Moreover, the uneven | corrugated pattern may be directly formed in the said material, and may be formed in the coating | coated material coat | covered on it by making the said material into a base material (board | substrate sheet | seat). As the coating material, a photocurable resin, a thermosetting resin, or a thermoplastic resin can be used.
フィルム状モールドは、例えば、長さ100m以上の長尺なモールドであり、幅は、50〜3000mm、厚み1〜500μmにし得る。フィルム状モールドの寸法、特に長さは量産する光学基板の寸法や、1回の製造プロセスで連続的に製造する光学基板の数(ロット数)によって適宜設定することができる。基材と被覆材料の間には、密着性を高めるために表面処理や易接着処理を施してもよい。また、必要に応じて、それらの凹凸パターン面上に離型処理を施してもよい。凹凸パターンは、任意の形状を任意の方法で形成し得る。 The film mold is, for example, a long mold having a length of 100 m or more, and can have a width of 50 to 3000 mm and a thickness of 1 to 500 μm. The dimensions, particularly the length, of the film-shaped mold can be appropriately set according to the dimensions of the optical substrate to be mass-produced and the number of optical substrates (number of lots) continuously manufactured in one manufacturing process. A surface treatment or an easy adhesion treatment may be performed between the base material and the coating material in order to improve the adhesion. Moreover, you may perform a mold release process on those uneven | corrugated pattern surfaces as needed. The concavo-convex pattern can be formed in an arbitrary shape by an arbitrary method.
フィルム状モールドの凹凸パターンは、最終的に得られる光学基板の用途により異なるが、例えば、凹凸のピッチが均一ではなく、凹凸の向きに指向性がないような不規則な凹凸パターンにしてよい。凹凸の平均ピッチとしては、例えば、光学基板を可視光の回折や散乱の用途に用いる場合には、100〜1500nmの範囲にすることができ、200〜1500nmの範囲であることがより好ましい。凹凸の平均ピッチが前記下限未満では、可視光の波長に対してピッチが小さくなりすぎるため、凹凸による光の回折が不十分になる傾向にあり、他方、上限を超えると、回折角が小さくなり、回折格子のような光学素子としての機能が失われてしまう傾向にある。同様な用途においては、凹凸の深さ分布の平均値(平均高さ)は、20〜200nmの範囲であることが好ましく、50〜150nmの範囲であることがより好ましい。 The concavo-convex pattern of the film-shaped mold varies depending on the use of the optical substrate finally obtained, but may be an irregular concavo-convex pattern in which the concavo-convex pitch is not uniform and the direction of the concavo-convex is not directional. For example, when the optical substrate is used for diffraction or scattering of visible light, the average pitch of the irregularities can be in the range of 100 to 1500 nm, and more preferably in the range of 200 to 1500 nm. If the average pitch of the unevenness is less than the lower limit, the pitch becomes too small with respect to the wavelength of visible light, so that light diffraction due to the unevenness tends to be insufficient. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the diffraction angle decreases. The function as an optical element such as a diffraction grating tends to be lost. In a similar application, the average value (average height) of the uneven depth distribution is preferably in the range of 20 to 200 nm, and more preferably in the range of 50 to 150 nm.
このような凹凸パターンから散乱及び/または回折される光は、単一のまたは狭い帯域の波長の光ではなく、比較的広域の波長帯を有し、散乱光及び/または回折される光は指向性がなく、あらゆる方向に向かう。但し、「不規則な凹凸パターン」には、表面の凹凸の形状を解析して得られる凹凸解析画像に2次元高速フーリエ変換処理を施して得られるフーリエ変換像が円もしくは円環状の模様を示すような、すなわち、上記凹凸の向きの指向性はないものの凹凸のピッチの分布は有するような疑似周期構造を含む。それゆえ、このような疑似周期構造を有する基板においては、その凹凸ピッチの分布が可視光線を回折する限り、有機EL素子のような面発光素子などに使用される回折基板や太陽電池の透明導電性基板など好適である。 The light scattered and / or diffracted from such a concavo-convex pattern has a relatively broad wavelength band, not light of a single or narrow band wavelength, and the scattered light and / or diffracted light is directed. There is no sex and heads in all directions. However, in the “irregular irregularity pattern”, the Fourier transform image obtained by performing the two-dimensional fast Fourier transform processing on the irregularity analysis image obtained by analyzing the shape of the irregularity on the surface shows a circular or annular pattern. In other words, it includes such a quasi-periodic structure in which the distribution of the pitch of the projections and depressions has no directivity in the direction of the projections and depressions. Therefore, in a substrate having such a quasi-periodic structure, as long as the uneven pitch distribution diffracts visible light, the transparent conductive material of a diffraction substrate or solar cell used in a surface light emitting device such as an organic EL device is used. A suitable substrate is preferable.
本発明に用いる長尺状のフィルム状モールドの製造方法の一例について、図2を参照しながら説明する。図2に示したロールプロセス装置(第1ユニット)70は、長尺の基板フィルムに被覆された被膜上に凹凸パターンを形成することによりフィルム状モールドを製造するための装置であり、基板フィルム(基材)80の搬送系86と、搬送中の基板フィルム80に凹凸形成材料を塗布するダイコータ82と、ダイコータ82の下流側に位置してパターンを転写する転写ロール(金属モールド)90と、基板フィルム80を挟んで転写ロール90と対向して設けられ、基板フィルム80にUV光を照射するための照射光源85とを主に備える。基板フィルム80の搬送系86は、基板フィルム80を繰り出すフィルム繰り出しロール72と、転写ロール90の上流及び下流側にそれぞれ配置されて基板フィルムを転写ロール90に付勢するニップロール74及び剥離ロール76と、パターンが転写された基板フィルム80a(フィルム状モールド)を巻き取るフィルム巻き取りロール87と、基板フィルム80を搬送する複数の搬送ロール78とを有する。
An example of a method for producing a long film mold used in the present invention will be described with reference to FIG. The roll process apparatus (first unit) 70 shown in FIG. 2 is an apparatus for producing a film-shaped mold by forming a concavo-convex pattern on a film coated with a long substrate film. Base material) 80 conveying system 86, die
ロールプロセス装置70を用いて、以下のような製造プロセスによってフィルム状モールドが製造される。予めフィルム繰り出しロール72に巻き付けられている基板フィルム80は、フィルム繰り出しロール72及びフィルム巻き取りロール87などの回転により下流側に繰り出される。基板フィルム80がダイコータ82を通過するときに、ダイコータ82により凹凸形成材料84が基板フィルム80の一面に塗布されて所定の厚みの塗膜が形成される。次いで、基板フィルム80の塗膜がニップロール74にて転写ロール90の外周面に押し付けられて、転写ロール90の外周面のパターンが塗膜に転写される。それと同時またはその直後に照射光源85からのUV光が塗膜に照射されて凹凸形成材料84が硬化する。UV光の波長は、凹凸形成材料84により異なるが、一般に200〜450nmであり、照射量は10mJ/cm2〜5J/cm2にし得る。硬化したパターンを有する凹凸形成材料付き基板フィルム80は剥離ロール76で転写ロール90から引き離された後、フィルム巻き取りロール87により巻き取られる。こうして、長尺のフィルム状モールド80aが得られる。このような長尺のフィルム状モールド80aは、ロール状に巻き取られた形態で得られるため、後述する押圧ロールを用いた光学基板の量産プロセスに好適であり、この押圧ロールを用いた光学基板の量産プロセスを行う装置への搬送にも好適な形状である。また、フィルム状モールドを作製して一旦ロール状に巻取ることで、保管、エージング処理ができる。
Using the roll process device 70, the film mold is manufactured by the following manufacturing process. The
上記製造プロセスにおいて、基板フィルム80は、例えば、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンテレナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリイミド(PI)、ポリアリレート等の有機材料からなる基材が挙げられる。基板フィルムの厚みは、1〜500μmの範囲にし得る。
In the above manufacturing process, the
凹凸形成材料84としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、メタクリル系、ビニルエーテル系、オキセタン系、ウレタン系、メラミン系、ウレア系、ポリエステル系、フェノール系、架橋型液晶系、フッ素系、シリコーン系等の各種UV硬化性樹脂のような硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂の厚みは0.5〜500μmの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、硬化樹脂層の表面に形成される凹凸の高さが不十分となり易く、前記上限を超えると、硬化時に生じる樹脂の体積変化の影響が大きくなり凹凸形状が良好に形成できなくなる可能性がある。 As the unevenness forming material 84, for example, epoxy, acrylic, methacrylic, vinyl ether, oxetane, urethane, melamine, urea, polyester, phenol, cross-linked liquid crystal, fluorine, silicone, etc. Curable resins such as various UV curable resins. The thickness of the curable resin is preferably in the range of 0.5 to 500 μm. If the thickness is less than the lower limit, the height of the irregularities formed on the surface of the cured resin layer tends to be insufficient, and if the thickness exceeds the upper limit, the influence of the volume change of the resin that occurs during curing increases and the irregular shape is well formed. It may not be possible.
上記製造プロセスにおいては、凹凸形成材料84を塗布するためにダイコータによるダイコート法を用いたが、これに代えて、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、滴下法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、カーテンコート法、インクジェット法、スパッタ法等の各種コート方法を採用することができる。さらに、硬化性樹脂のような凹凸形成材料84を硬化させる条件としては、使用する樹脂の種類により異なるが、例えば、硬化温度が室温〜250℃の範囲であり、UV照射量が10mJ/cm2〜5J/cm2の範囲であることが好ましい。また、UV光に代えて電子線のようなエネルギー線を照射することで硬化させてもよい。 In the above manufacturing process, a die coat method using a die coater was used to apply the unevenness forming material 84, but instead, a spin coat method, a spray coat method, a dip coat method, a dropping method, a gravure printing method, a screen printing. Various coating methods such as a printing method, a relief printing method, a curtain coating method, an ink jet method, and a sputtering method can be employed. Furthermore, conditions for curing the unevenness forming material 84 such as a curable resin vary depending on the type of resin used. For example, the curing temperature is in the range of room temperature to 250 ° C., and the UV irradiation amount is 10 mJ / cm 2. It is preferably in the range of ˜5 J / cm 2 . Moreover, it may be cured by irradiating energy rays such as an electron beam instead of UV light.
上記製造プロセスで用いた転写ロール90は、例えば、ロール表面に直接パターンが形成された転写ロールでも良いし、パターンを有する金属基板などの基板をロール上に巻き付け固定した転写ロールでも良いし、また、パターンを有する円筒状の基板を作製し、これをロールにはめ込んで固定した転写ロール等でも良い。なお、転写ロール90は金属以外の硬質材料から形成されていてもよい。
The
ここで、転写ロール90の表面に設けられる凹凸パターンの形成方法について説明する。凹凸パターンは、例えば、本出願人らによる特願2011−006487号に記載されたブロック共重合体の自己組織化(ミクロ相分離)を利用する方法(以下、適宜「BCP(Block Copolymer)法」という)や、本出願人らによるWO2011/007878A1に開示された蒸着膜上のポリマー膜を加熱・冷却することにポリマー表面の皺による凹凸を形成する方法(以下、適宜「BKL(Buckling)法」という)を用いて形成することが好適である。BCP法及びBKL法に代えて、フォトリソグラフィ法で形成してもよい。BCP法でパターンを形成する場合、パターンを形成する材料は任意の材料を使用することができるが、ポリスチレンのようなスチレン系ポリマー、ポリメチルメタクリレートのようなポリアルキルメタクリレート、ポリエチレンオキシド、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリビニルピリジン、及びポリ乳酸からなる群から選択される2種の組合せからなるブロック共重合体が好適である。
Here, a method for forming a concavo-convex pattern provided on the surface of the
パターンの凹凸のピッチ及び高さは、任意であるが、例えば、パターンを可視領域の光を散乱または回折する回折格子の用途に用いる場合には、凹凸の平均ピッチとしては、100〜1500nmの範囲にあることが好ましく、200〜1500nmの範囲であることがより好ましい。凹凸の平均ピッチが前記下限未満では、可視光の波長に対してピッチが小さくなりすぎるため、凹凸による光の回折が生じなくなる傾向にあり、他方、上限を超えると、回折角が小さくなり、回折格子のような光学素子としての機能が失われてしまう傾向にある。凹凸の深さ分布の平均値は、20〜200nmの範囲であることが好ましく、50〜150nmの範囲であることがより好ましい。凹凸の深さ分布の平均値が前記下限未満では、可視光の波長に対して高さが低すぎるために必要な回折が生じなくなる傾向にあり、他方、上限を超えると、回折光強度にむらが生じ、この結果、例えば、この凹凸パターンを有機EL素子の光取り出し用の光学素子として利用した場合に、EL層内部の電界分布が不均一となって特定の箇所に電界が集中することによってリークが生じ易くなったり、寿命が短くなる傾向にある。 The pitch and height of the unevenness of the pattern are arbitrary. For example, when the pattern is used for a diffraction grating that scatters or diffracts light in the visible region, the average pitch of the unevenness is in the range of 100 to 1500 nm. It is preferable that it is in the range of 200 to 1500 nm. If the average pitch of the irregularities is less than the lower limit, the pitch becomes too small with respect to the wavelength of visible light, so that there is a tendency that light diffraction due to the irregularities does not occur. The function as an optical element such as a grating tends to be lost. The average value of the uneven depth distribution is preferably in the range of 20 to 200 nm, and more preferably in the range of 50 to 150 nm. When the average value of the uneven depth distribution is less than the lower limit, the required diffraction tends not to occur because the height is too low with respect to the wavelength of visible light. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the diffracted light intensity is uneven. As a result, for example, when this concavo-convex pattern is used as an optical element for extracting light from an organic EL element, the electric field distribution inside the EL layer becomes non-uniform and the electric field concentrates on a specific location. Leakage tends to occur and the lifetime tends to be shortened.
パターンの母型をBCP法やBKL法により形成した後、以下のようにして電鋳法などにより、パターンをさらに転写したモールドを形成することができる。最初に、電鋳処理のための導電層となるシード層を、無電解めっき、スパッタまたは蒸着等により形成するパターンを有する母型上に形成することができる。シード層は、後続の電鋳工程における電流密度を均一にして後続の電鋳工程により堆積される金属層の厚みを一定にするために10nm以上が好ましい。シード層の材料として、例えば、ニッケル、銅、金、銀、白金、チタン、コバルト、錫、亜鉛、クロム、金・コバルト合金、金・ニッケル合金、ホウ素・ニッケル合金、はんだ、銅・ニッケル・クロム合金、錫ニッケル合金、ニッケル・パラジウム合金、ニッケル・コバルト・リン合金、またはそれらの合金などを用いることができる。次に、シード層上に電鋳(電界めっき)により金属層を堆積させる。金属層の厚みは、例えば、シード層の厚みを含めて全体で10〜3000μmの厚さにすることができる。電鋳により堆積させる金属層の材料として、シード層として用いることができる上記金属種のいずれかを用いることができる。金属基板のモールドとしての耐摩耗性や、剥離性などの観点からは、ニッケルが好ましく、この場合、シード層についてもニッケルを用いることが好ましい。形成した金属層は、後続のモールドの形成のための樹脂層の押し付け、剥離及び洗浄などの処理の容易性からすれば、適度な硬度及び厚みを有することが望ましい。 After forming the matrix of the pattern by the BCP method or the BKL method, it is possible to form a mold further transferring the pattern by an electroforming method or the like as follows. First, a seed layer that becomes a conductive layer for electroforming can be formed on a matrix having a pattern formed by electroless plating, sputtering, vapor deposition, or the like. The seed layer is preferably 10 nm or more in order to make the current density uniform in the subsequent electroforming process and to make the thickness of the metal layer deposited by the subsequent electroforming process constant. Examples of seed layer materials include nickel, copper, gold, silver, platinum, titanium, cobalt, tin, zinc, chromium, gold / cobalt alloy, gold / nickel alloy, boron / nickel alloy, solder, copper / nickel / chromium An alloy, a tin-nickel alloy, a nickel-palladium alloy, a nickel-cobalt-phosphorus alloy, or an alloy thereof can be used. Next, a metal layer is deposited on the seed layer by electroforming (electroplating). The thickness of the metal layer can be, for example, 10 to 3000 μm in total including the thickness of the seed layer. Any of the above metal species that can be used as a seed layer can be used as a material for the metal layer deposited by electroforming. From the viewpoints of wear resistance as a mold of the metal substrate, releasability and the like, nickel is preferable. In this case, it is preferable to use nickel also for the seed layer. The formed metal layer desirably has an appropriate hardness and thickness from the viewpoint of ease of processing such as pressing, peeling and cleaning of the resin layer for forming a subsequent mold.
上記のようにして得られたシード層を含む金属層を、凹凸構造を有する母型から剥離して金属基板を得る。剥離方法は物理的に剥がしても構わないし、パターンを形成する材料を、それらを溶解する有機溶媒、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン(THF)、クロロホルムなどを用いて溶解して除去してもよい。金属基板を母型から剥離するときに、残留している材料成分を洗浄にて除去することができる。洗浄方法としては、界面活性剤などを用いた湿式洗浄や紫外線やプラズマを使用した乾式洗浄を用いることができる。また、例えば、粘着剤や接着剤を用いて残留している材料成分を付着除去するなどしてもよい。こうして母型からパターンが転写された金属基板が得られる。こうして得られた金属基板をロール体の表面に巻きつけることで凹凸パターンを有する転写ロール90が得られる。この転写ロール90を用いて前述のような製造プロセスでフィルム状モールドを形成することができる。なお、長尺状のフィルム状モールドは、自ら製造する必要がなく、フィルムメーカなどの製造業者に作製させたものを使用してもよいことは言うまでもない。また、フィルム状モールドを用意する工程は、後述する転写工程S4の前であればよく、ゾルゲル材料調整工程(S1)の前に行う必要はない。
The metal layer including the seed layer obtained as described above is peeled off from the matrix having the concavo-convex structure to obtain a metal substrate. The peeling method may be physically peeled off, or the material forming the pattern may be removed by dissolving it using an organic solvent that dissolves them, for example, toluene, tetrahydrofuran (THF), chloroform or the like. When the metal substrate is peeled from the mother die, the remaining material components can be removed by washing. As a cleaning method, wet cleaning using a surfactant or the like, or dry cleaning using ultraviolet rays or plasma can be used. Further, for example, remaining material components may be adhered and removed using an adhesive or an adhesive. In this way, a metal substrate having a pattern transferred from the matrix is obtained. A
[ゾルゲル材料調製工程]
本発明の光学基板の製造方法において、ゾルゲル法によりパターンを転写する塗膜を形成するために用いるゾルゲル材料(ゾル溶液)を調製する(図1の工程S1)。例えば、基板上に、シリカをゾルゲル法で合成する場合は、金属アルコキシド(シリカ前駆体)のゾルゲル材料を調製する。シリカの前駆体として、テトラメトキシシラン(MTES)、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-ブトキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトラ-sec-ブトキシシラン、テトラ-t-ブトキシシラン等のテトラアルコキシドモノマーや、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリプロポキシシラン、イソプロピルトリプロポキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、プロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン等のトリアルコキシドモノマーや、これらモノマーを少量重合したポリマー、前記材料の一部に官能基やポリマーを導入したことを特徴とする複合材料などの金属アルコキシドが挙げられる。さらに、金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート、オキシ塩化物、塩化物や、それらの混合物などが挙げられるが、これらに限定されない。また、金属種としては、Si以外にTi、Sn、Al、Zn、Zr、Inなどや、これらの混合物などが挙げられるが、これらに限定されない。上記酸化金属の前駆体を適宜混合したものを用いることもできる。
[Sol-gel material preparation process]
In the method for producing an optical substrate of the present invention, a sol-gel material (sol solution) used for forming a coating film to which a pattern is transferred by a sol-gel method is prepared (step S1 in FIG. 1). For example, when silica is synthesized on a substrate by a sol-gel method, a sol-gel material of a metal alkoxide (silica precursor) is prepared. As precursors of silica, tetramethoxysilane (MTES), tetraethoxysilane (TEOS), tetra-i-propoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-butoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra- Tetraalkoxide monomers such as sec-butoxysilane and tetra-t-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, propyltrimethoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane Ethoxysilane, propyltriethoxysilane, isopropyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, ethyltripropoxysilane, propyltripropoxysilane, isopropyltripropoxy , Phenyl tripropoxy silane, methyl triisopropoxy silane, ethyl triisopropoxy silane, propyl triisopropoxy silane, isopropyl triisopropoxy silane, phenyl triisopropoxy silane, and other trialkoxide monomers, and polymers obtained by polymerizing these monomers in small amounts And metal alkoxides such as a composite material in which a functional group or a polymer is introduced into a part of the material. Furthermore, metal acetylacetonate, metal carboxylate, oxychloride, chloride, a mixture thereof and the like can be mentioned, but not limited thereto. Examples of the metal species include, but are not limited to, Ti, Sn, Al, Zn, Zr, In, and a mixture thereof in addition to Si. What mixed suitably the precursor of the said metal oxide can also be used.
TEOSとMTESの混合物を用いる場合には、それらの混合比は、例えばモル比で1:1にすることができる。このゾルゲル材料は、加水分解及び重縮合反応を行わせることによって非晶質シリカを生成する。合成条件として溶液のpHを調整するために、塩酸等の酸またはアンモニア等のアルカリを添加する。pHは4以下もしくは10以上が好ましい。また、加水分解を行うために水を加えてもよい。加える水の量は、金属アルコキシド種に対してモル比で1.5倍以上にすることができる。ゾルゲル材料としてシリカ以外の材料を用いることができ、例えばTi系の材料やITO(インジウム・スズ・オキサイド)系の材料、Al2O3、ZrO2、ZnO等を使用し得る。 When a mixture of TEOS and MTES is used, the mixing ratio can be 1: 1, for example, in a molar ratio. This sol-gel material produces amorphous silica by performing hydrolysis and polycondensation reactions. In order to adjust the pH of the solution as a synthesis condition, an acid such as hydrochloric acid or an alkali such as ammonia is added. The pH is preferably 4 or less or 10 or more. Moreover, you may add water in order to perform a hydrolysis. The amount of water to be added can be 1.5 times or more in molar ratio with respect to the metal alkoxide species. A material other than silica can be used as the sol-gel material. For example, a Ti-based material, an ITO (indium-tin-oxide) -based material, Al 2 O 3 , ZrO 2 , ZnO, or the like can be used.
ゾルゲル材料の溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、ブタノール等のアルコール類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類、ブトキシエチルエーテル、ヘキシルオキシエチルアルコール、メトキシ−2−プロパノール、ベンジルオキシエタノール等のエーテルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類、フェノール、クロロフェノール等のフェノール類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類、クロロホルム、塩化メチレン、テトラクロロエタン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、2硫化炭素等の含ヘテロ元素化合物、水、およびこれらの混合溶媒が挙げられる。特に、エタノールおよびイソプロピルアルコールが好ましく、またそれらに水を混合したものも好ましい。 Solvents for the sol-gel material include, for example, alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol (IPA), butanol, aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, benzene, toluene, xylene, mesitylene, etc. Aromatic hydrocarbons, ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran and dioxane, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, isophorone and cyclohexanone, ethers such as butoxyethyl ether, hexyloxyethyl alcohol, methoxy-2-propanol and benzyloxyethanol Alcohols, glycols such as ethylene glycol and propylene glycol, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene Glycol ethers such as glycol monomethyl ether acetate, esters such as ethyl acetate, ethyl lactate and γ-butyrolactone, phenols such as phenol and chlorophenol, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl Amides such as pyrrolidone, halogen-based solvents such as chloroform, methylene chloride, tetrachloroethane, monochlorobenzene and dichlorobenzene, hetero-containing compounds such as carbon disulfide, water, and mixed solvents thereof. In particular, ethanol and isopropyl alcohol are preferable, and those in which water is mixed are also preferable.
ゾルゲル材料の添加物としては、粘度調整のためのポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリビニルアルコールや、溶液安定剤であるトリエタノールアミンなどのアルカノールアミン、アセチルアセトンなどのβ―ジケトン、β―ケトエステル、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジオキサンなどを用いることが出来る。 Additives for sol-gel materials include polyethylene glycol, polyethylene oxide, hydroxypropyl cellulose, polyvinyl alcohol for viscosity adjustment, alkanolamines such as triethanolamine, which are solution stabilizers, β-diketones such as acetylacetone, and β-ketoesters. , Formamide, dimethylformamide, dioxane and the like can be used.
[塗布工程]
上記のように調製したゾルゲル材料を基板上に塗布する(図1の工程S2)。量産性の観点から、複数の基板を連続的に搬送させながら所定位置でゾルゲル材料を基板に塗布することが好ましい。塗布方法として、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法などの任意の塗布方法を使用することができるが、比較的大面積の基板にゾルゲル材料を均一に塗布可能であること、ゾルゲル材料がゲル化する前に素早く塗布を完了させることができることからすれば、ダイコート法、バーコート法及びスピンコート法が好ましい。
[Coating process]
The sol-gel material prepared as described above is applied onto the substrate (step S2 in FIG. 1). From the viewpoint of mass productivity, it is preferable to apply the sol-gel material to the substrate at a predetermined position while continuously transporting the plurality of substrates. As a coating method, any coating method such as a bar coating method, a spin coating method, a spray coating method, a dip coating method, a die coating method, and an ink jet method can be used. The die coating method, the bar coating method, and the spin coating method are preferable because the coating can be completed quickly before the sol-gel material is gelled.
基板として、ガラスや石英、シリコン基板等の無機材料からなる基板やポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンテレナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリイミド(PI)、ポリアリレート等の樹脂基板を用い得る。基板は透明でも不透明でもよいが、この基板上にゾルゲル材料層が形成され、さらには光学基板がデバイスに組み込まれるときにさらにその上に機能層が形成されることからすれば、比較的硬質の基板が好ましい。また、この基板から得られた凹凸パターン基板を後述する有機EL素子の製造に用いるのであれば、基板は耐熱性、UV光等に対する耐候性を備える基板が望ましい。これらの点で、ガラスや石英、シリコン基板等の無機材料からなる基板がより好ましく、これらの無機材料からなる基板は、塗布されるゾルゲル材料が無機材料であることからすれば、基板とゾルゲル材料層との間で屈折率の差が少なく、光学基板内での意図しない屈折や反射を防止することができる点からも好ましい。基板上には密着性を向上させるために、表面処理や易接着層を設けるなどをしてもよいし、水分や酸素等の気体の浸入を防ぐ目的で、ガスバリア層を設けるなどしてもよい。なお、後の工程でゾルゲル材料層による所望の凹凸パターンが形成されるため基板表面(表面処理や易接着層がある場合にはそれらも含めて)は平坦でよく、この基板自体は所望の凹凸パターンを有さない。ゾルゲル材料が塗布された各基板はそのまま後続の乾燥工程および転写工程のためにそのまま搬送されることが好ましい。 Substrates made of inorganic materials such as glass, quartz and silicon substrates, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene terephthalate (PEN), polycarbonate (PC), cycloolefin polymer (COP), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene Resin substrates such as (PS), polyimide (PI), and polyarylate can be used. The substrate may be transparent or opaque, but it is relatively hard if the sol-gel material layer is formed on this substrate, and further the functional layer is further formed on the optical substrate when it is incorporated into the device. A substrate is preferred. Moreover, if the uneven | corrugated pattern board | substrate obtained from this board | substrate is used for manufacture of the organic EL element mentioned later, a board | substrate provided with heat resistance, weather resistance with respect to UV light etc. is desirable. In these respects, a substrate made of an inorganic material such as glass, quartz, or silicon substrate is more preferable, and the substrate made of these inorganic materials can be divided into a substrate and a sol-gel material if the applied sol-gel material is an inorganic material. It is also preferable in that the difference in refractive index between the layers is small and unintended refraction and reflection in the optical substrate can be prevented. In order to improve adhesion, a surface treatment or an easy-adhesion layer may be provided on the substrate, or a gas barrier layer may be provided for the purpose of preventing the ingress of gases such as moisture and oxygen. . In addition, since a desired concavo-convex pattern is formed by a sol-gel material layer in a later step, the substrate surface (including surface treatment and an easily adhesive layer, if any) may be flat. Has no pattern. Each substrate coated with the sol-gel material is preferably transported as it is for the subsequent drying step and transfer step.
[乾燥工程]
塗布工程後、塗布した塗膜(以下、適宜、「ゾルゲル材料層」とも言う)中の溶媒を蒸発させるために基板を大気中もしくは減圧下で保持して乾燥する(図1の工程S3)。この保持時間が短いと塗膜の粘度が低すぎて後続の転写工程にてパターン転写ができず、保持時間が長すぎると前駆体の重合反応が進みすぎて転写工程にて転写ができなくなる。光学基板を量産する場合には、この保持時間は、ゾルゲル材料の塗布から後続のフィルム状モールドによる転写工程に付されるまでの基板の搬送時間で管理することができる。この乾燥工程における基板の保持温度として、10〜100℃の範囲で一定温度が望ましく、10〜30℃の範囲で一定温度がより望ましい。保持温度がこの範囲より高いと、転写工程前に塗膜のゲル化反応が急速に進行するために好ましくなく、保持温度がこの範囲より低いと、転写工程前の塗膜のゲル化反応が遅く、生産性が低下し好ましくない。ゾルゲル材料を塗布後、溶媒の蒸発が進むとともに前駆体の重合反応も進行し、ゾルゲル材料の粘度などの物性も短時間で変化する。溶媒の蒸発量は、ゾルゲル材料調製時に使用する溶媒量(ゾルゲル材料の濃度)にも依存する。例えば、ゾルゲル材料がシリカ前駆体である場合には、ゲル化反応としてシリカ前駆体の加水分解・縮重合反応が起こり、脱アルコール反応を通じてゾルゲル材料中にアルコールが生成する。一方、ゾルゲル材料中には溶媒としてアルコールのような揮発性溶媒が使用されている。つまり、ゾルゲル材料中には、加水分解過程に生成したアルコールと、溶媒として存在したアルコールが含まれ、それらを乾燥工程で除去することでゾルゲル反応が進行する。それゆえ、ゲル化反応と用いる溶媒も考慮して保持時間や保持温度を調整することが望ましい。なお、乾燥工程では、基板をそのまま保持するだけでゾルゲル材料中の溶媒が蒸発するので、必ずしも加熱や送風などの積極的な乾燥操作を行う必要がなく、塗膜を形成した基板をそのまま所定時間だけ放置したり、後続の工程のために所定時間の間に搬送するだけでも足りる。この点で乾燥工程は必須ではない。
[Drying process]
After the coating process, the substrate is held in the air or under reduced pressure and dried in order to evaporate the solvent in the coated film (hereinafter also referred to as “sol-gel material layer” as appropriate) (step S3 in FIG. 1). If this holding time is short, the viscosity of the coating film is too low to transfer the pattern in the subsequent transfer step, and if the holding time is too long, the polymerization reaction of the precursor proceeds so much that transfer cannot be performed in the transfer step. In the case of mass production of an optical substrate, this holding time can be managed by the transport time of the substrate from the application of the sol-gel material to the subsequent transfer process using a film mold. The holding temperature of the substrate in this drying step is preferably a constant temperature in the range of 10 to 100 ° C, and more preferably in the range of 10 to 30 ° C. When the holding temperature is higher than this range, the gelation reaction of the coating film proceeds rapidly before the transfer process, which is not preferable. When the holding temperature is lower than this range, the gelation reaction of the coating film before the transfer process is slow. This is not preferable because productivity decreases. After application of the sol-gel material, the evaporation of the solvent proceeds and the polymerization reaction of the precursor also proceeds, and the physical properties such as the viscosity of the sol-gel material change in a short time. The amount of evaporation of the solvent also depends on the amount of solvent (concentration of the sol-gel material) used when preparing the sol-gel material. For example, when the sol-gel material is a silica precursor, a hydrolysis / condensation polymerization reaction of the silica precursor occurs as a gelation reaction, and alcohol is generated in the sol-gel material through a dealcoholization reaction. On the other hand, a volatile solvent such as alcohol is used as a solvent in the sol-gel material. That is, the sol-gel material contains alcohol generated in the hydrolysis process and alcohol present as a solvent, and the sol-gel reaction proceeds by removing them in the drying step. Therefore, it is desirable to adjust the holding time and holding temperature in consideration of the gelation reaction and the solvent used. In the drying process, since the solvent in the sol-gel material evaporates simply by holding the substrate as it is, it is not always necessary to perform an aggressive drying operation such as heating or blowing, and the substrate on which the coating film has been formed is left as it is for a predetermined time. It can be left alone or transported for a predetermined time for a subsequent process. In this respect, the drying process is not essential.
[転写工程]
上記のようにして設定された経過時間後に、前述の工程S0で用意したフィルム状モールドを押圧ロール(ラミネートロール)により塗膜に押し付けることでフィルム状モールドの凹凸パターンを基板上の塗膜に転写する(図1の工程S4)。例えば、図3に示すように押圧ロール22とその直下に搬送されている基板40との間にフィルム状モールド80aを送り込むことでフィルム状モールド80aの凹凸パターンを基板40上の塗膜(ゾルゲル材料)42に転写することができる。すなわち、フィルム状モールド80aを押圧ロール22により塗膜(ゾルゲル材料)42に押し付ける際に、フィルム状モールド80aと基板40を同期して搬送しながらフィルム状モールド80aを基板40の塗膜42の表面に被覆する。この際、押圧ロール22をフィルム状モールド80aの裏面(凹凸パターンが形成された面と反対側の面)に押しつけながら回転させることで、フィルム状モールド80aと塗膜(ゾルゲル材料)42が進行しながら密着する。なお、長尺のフィルム状モールド80aを押圧ロール22に向かって送り込むには、工程S0にて長尺のフィルム状モールド80aが巻き取られたフィルム巻き取りロール87(図2参照)からそのままフィルム状モールド80aを繰り出して用いるのが有利である。
[Transfer process]
After the elapsed time set as described above, the film mold prepared in the above-described step S0 is pressed against the coating film by a pressing roll (laminating roll) to transfer the uneven pattern of the film mold to the coating film on the substrate. (Step S4 in FIG. 1). For example, as shown in FIG. 3, by feeding a film-shaped
このような押圧ロールを用いたロールプロセスでは、プレス式と比較して以下のような利点がある。i)モールドと塗膜とが接する時間が短いため、モールドや基板及び基板を設置するステージなどの熱膨張係数の差によるパターンくずれを防ぐことができる。ii)ロールプロセスであるため生産性が向上し、さらに長尺のフィルム状モールドを用いることで生産性を一層向上することができる。iii)ゲル溶液中の溶媒の突沸によってパターン中にガスの気泡が発生したり、ガス痕が残ることを防止することができる。iv)基板(塗膜)と線接触するため、転写圧力及び剥離力を小さくでき、大面積化に対応し易い。v)押圧時に気泡をかみ込むことがない。さらに、本発明の製造方法では、モールドとして可撓性のあるフィルム状モールドを用いているので、比較的硬質な基板40の上に形成されたゾルゲル材料層42にモールドの凹凸パターンを転写するときに、モールドのパターンを基板全面に渡ってゾルゲル材料層に均一に押圧することができる。これにより、ゾルゲル材料層に忠実にモールドの凹凸パターンが転写され、転写漏れや欠陥の発生を抑制することができる。
The roll process using such a press roll has the following advantages compared with the press type. i) Since the time for contact between the mold and the coating film is short, it is possible to prevent the pattern from being damaged due to the difference in thermal expansion coefficient between the mold, the substrate and the stage on which the substrate is installed. ii) Since it is a roll process, the productivity is improved, and the productivity can be further improved by using a long film mold. iii) It is possible to prevent gas bubbles from being generated in the pattern or gas marks from remaining due to bumping of the solvent in the gel solution. iv) Since it is in line contact with the substrate (coating film), the transfer pressure and peeling force can be reduced, and it is easy to cope with an increase in area. v) No air bubbles are involved when pressed. Furthermore, in the manufacturing method of the present invention, since a flexible film mold is used as a mold, when the concave / convex pattern of the mold is transferred to the sol-
この転写工程において、塗膜を加熱しながらフィルム状モールドを塗膜に押し付けてもよい。塗膜を加熱する方法として、例えば、加熱を押圧ロールを通じて行ってもよく、或いは、塗膜の加熱を直接あるいは基板側から行ってもよい。加熱を押圧ロールを通じて行う場合には、押圧ロール(転写ロール)の内部に加熱手段を設けてもよく、任意の加熱手段を使用することができる。押圧ロールの内部に加熱ヒータを備えるものが好適であるが、押圧ロールとは別体のヒータを備えていてもよい。いずれにしても塗膜を加熱しながら押圧が可能であれば、どのような押圧ロールを用いてもよい。押圧ロールは、表面に耐熱性のあるエチレン−プロピレン−ジエンゴム(EPDM)やシリコーンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴムなどの樹脂材料の被膜を有するロールが好ましい。また、押圧ロールで加えられた圧力に抗するために押圧ロールに対向して基板を挟むように支持ロールを設けてもよく、あるいは基板を支持する支持台を設置してもよい。 In this transfer step, the film mold may be pressed against the coating film while heating the coating film. As a method of heating the coating film, for example, the heating may be performed through a pressing roll, or the coating film may be heated directly or from the substrate side. When heating is performed through a pressure roll, a heating means may be provided inside the pressure roll (transfer roll), and any heating means can be used. A heater provided with a heater inside the pressing roll is suitable, but a heater separate from the pressing roll may be provided. In any case, any pressing roll may be used as long as pressing is possible while heating the coating film. The pressure roll is preferably a roll having a coating of a resin material such as ethylene-propylene-diene rubber (EPDM), silicone rubber, nitrile rubber, fluorine rubber, acrylic rubber, or chloroprene rubber having heat resistance on the surface. Further, in order to resist the pressure applied by the pressing roll, a supporting roll may be provided so as to sandwich the substrate facing the pressing roll, or a supporting table for supporting the substrate may be installed.
押圧の際の塗膜の加熱温度は、40℃〜150℃にすることができ、押圧ロールを用いて加熱する場合には押圧ロールの加熱温度は、同様に40℃〜150℃にすることができる。このように押圧ロールを加熱することにより、モールドにより押圧が行われた塗膜からモールドをすぐに剥離することができ、生産性を向上することができる。塗膜または押圧ロールの加熱温度が40℃未満では、塗膜からのモールドの速やかな剥離が期待できず、150℃を超えると、使用する溶媒が急激に蒸発し、凹凸パターンの転写が不十分になる恐れがある。また、塗膜を加熱しながら押圧することにより、後述するゾルゲル材料層の仮焼成と同様な効果が期待できる。 The heating temperature of the coating film during pressing can be 40 ° C. to 150 ° C. When heating is performed using a pressing roll, the heating temperature of the pressing roll can be similarly set to 40 ° C. to 150 ° C. it can. By heating the pressing roll in this way, the mold can be immediately peeled off from the coating film pressed by the mold, and productivity can be improved. If the heating temperature of the coating film or the pressure roll is less than 40 ° C, the mold cannot be promptly peeled off from the coating film. If the heating temperature exceeds 150 ° C, the solvent used evaporates rapidly and the uneven pattern transfer is insufficient. There is a risk of becoming. Moreover, the effect similar to the temporary baking of the sol-gel material layer mentioned later can be anticipated by pressing a coating film, heating.
塗膜(ゾルゲル材料層)にモールドを押し付けた後、塗膜を仮焼成してもよい。塗膜を加熱しないで押圧する場合には、仮焼成を行うことが好ましい。仮焼成することにより塗膜のゲル化を進め、パターンを固化し、剥離の際に崩れにくくする。仮焼成を行う場合には、大気中で40〜150℃の温度で加熱することが好ましい。 After pressing the mold against the coating film (sol-gel material layer), the coating film may be temporarily fired. In the case where the coating is pressed without heating, it is preferable to perform temporary baking. Pre-baking promotes gelation of the coating film, solidifies the pattern, and makes it difficult to collapse during peeling. When pre-baking is performed, it is preferable to heat in the atmosphere at a temperature of 40 to 150 ° C.
[剥離工程]
転写工程または仮焼成工程後の塗膜(ゾルゲル材料層)からモールドを剥離する(工程S5)。前述のようにロールプロセスを使用するので、プレス式で用いるプレート状モールドに比べて剥離力は小さくてよく、塗膜がモールドに残留することなく容易にモールドを塗膜から剥離することができる。特に、塗膜を加熱しながら押圧するので反応が進行し易く、押圧直後にモールドは塗膜から剥離し易くなる。さらに、モールドの剥離性の向上のために、剥離ロールを使用してもよい。図3に示すように剥離ロール23を押圧ロール22の下流側に設け、剥離ロール23によりフィルム状モールド80aを塗膜42に付勢しながら回転支持することで、フィルム状モールド80aが塗膜に付着された状態を押圧ロール22と剥離ロール23の間の距離だけ(一定時間)維持することができる。そして、剥離ロール23の下流側でフィルム状モールド80aを剥離ロール23の上方に引き上げるようにフィルム状モールド80aの進路を変更することでフィルム状モールド80aが塗膜42から引き剥がされる。なお、フィルム状モールド80aが塗膜に付着されている期間に前述の塗膜の仮焼成や加熱を行ってもよい。なお、剥離ロール23を使用する場合には、例えば40〜150℃に加熱しながら剥離することにより塗膜の剥離を一層容易にすることができる。
[Peeling process]
The mold is peeled off from the coating film (sol-gel material layer) after the transfer process or the temporary baking process (process S5). Since the roll process is used as described above, the peeling force may be smaller than that of the plate mold used in the press method, and the mold can be easily peeled off from the coating film without remaining in the mold. In particular, since the coating is pressed while being heated, the reaction easily proceeds, and the mold is easily peeled off from the coating immediately after pressing. Furthermore, you may use a peeling roll for the improvement of the peelability of a mold. As shown in FIG. 3, the peeling
[本焼成工程]
基板40の塗膜(ゾルゲル材料層)42からモールドが剥離された後、塗膜を本焼成する(図1の工程S6)。本焼成により塗膜を構成するシリカのようなゾルゲル材料層中に含まれている水酸基などが脱離して塗膜がより強固となる。本焼成は、200〜1200℃の温度で、5分〜6時間程度行うのが良い。こうして塗膜は硬化してモールドの凹凸パターンに対応する凹凸パターン膜を有する基板、すなわち、平坦な基板上に凹凸パターンを有するゾルゲル材料層が直接形成された基板が得られる。この時、ゾルゲル材料層がシリカである場合は、焼成温度、焼成時間に応じて非晶質または結晶質、または非晶質と結晶質の混合状態となる。
[Main firing process]
After the mold is peeled off from the coating film (sol-gel material layer) 42 of the
なお、上記実施形態の光学基板の製造方法では、加熱により硬化するゾルゲル材料を用いたが、代わりに光硬化性ゾルゲル材料を用いてもよい。この場合、例えば、光によって酸を発生する6フッ化リン系芳香族スルホニウム塩などの光酸発生剤を用いたり、アセチルアセトンに代表されるβジケトンをゾル液に添加することで、化学修飾(キレート化)させ、光照射によって化学修飾を外したりするなどの方法を用いることができる。ゾルゲル材料層に光硬化性ゾルゲル材料を使用した場合、転写工程において、塗膜(ゾルゲル材料層)にモールドを押し付けた後、塗膜の仮焼成を行う代わりに光照射を行うことでゲル化(硬化)を進めてもよい。また本焼成工程において、基板の塗膜からモールドが剥離された後、塗膜を本焼成する代わりに光照射を行うことで塗膜を硬化させることができる。 In the optical substrate manufacturing method of the above embodiment, a sol-gel material that is cured by heating is used, but a photo-curable sol-gel material may be used instead. In this case, for example, by using a photoacid generator such as phosphorus hexafluoride aromatic sulfonium salt that generates an acid by light, or by adding a β-diketone typified by acetylacetone to the sol solution, the chemical modification (chelation And chemical modification can be removed by light irradiation. When a photocurable sol-gel material is used for the sol-gel material layer, after the mold is pressed against the coating film (sol-gel material layer) in the transfer step, gelation is performed by irradiating light instead of pre-baking the coating film ( Curing) may proceed. In the main baking step, after the mold is peeled from the coating film on the substrate, the coating film can be cured by irradiating with light instead of main baking the coating film.
[光学基板製造装置]
本発明の光学基板の製造方法を実施するために、例えば、図4に示すような光学基板を製造する光学基板製造装置(第2ユニット)100を使用することができる。光学基板製造装置100は、主に、基板40上にゾルゲル材料を塗布する塗布部(塗膜形成部)120と、基板を搬送する基板搬送部130と、フィルム状モールド80aを搬送するモールド搬送部140とを備え、モールド搬送部140には、フィルム状モールド80aを基板40に押圧転写する押圧部150とフィルム状モールド80aを基板40から剥離する剥離部160とが含まれる。
[Optical substrate manufacturing equipment]
In order to carry out the optical substrate manufacturing method of the present invention, for example, an optical substrate manufacturing apparatus (second unit) 100 for manufacturing an optical substrate as shown in FIG. 4 can be used. The optical
塗布部120は、基板40を保持しながら移動可能な基板ステージ34と、基板ステージの上方に位置してゾルゲル材料41を基板40に塗布するダイコータ30とを備える。基板搬送部130は、搬送方向(図面左から右側)に沿って配列された複数の回転ロール36を備え、回転ロールの回転駆動によりその上に載置された基板40を搬送方向に搬送する。また、基板搬送部130には、搬送中のゾルゲル材料が塗布された基板40を乾燥するための加熱部27を備える。
The
モールド搬送部140は、主に、長尺のフィルム状モールド80aを繰り出すモールド繰り出しロール21と、基板の搬送路上の所定位置に設けられ、塗膜(不図示)が形成された基板40の塗膜側からフィルム状モールド80aを押し付ける押圧ロール22と、押圧ロール22の下流に設けられてフィルム状モールド80aが基板40の塗膜に押し付けられた状態を所定距離だけ維持した後にフィルム状モールド80aを剥離する剥離ロール23と、剥離ロールの下流に設けられてフィルム状モールドを巻き取るモールド巻き取りロール24と、フィルム状モールド80aの進行方向に搬送するための搬送ロール29を有する。モールド繰り出しロール21とモールド巻き取りロール24は、それらを着脱可能にする支持台(不図示)に回転可能に取り付けられている。なお、モールド繰り出しロール21は、ロールプロセス装置70によって先に製造したフィルム状モールド80aが巻き取られたフィルム巻き取りロール87(図2参照)を、この装置100に適宜搬送してそのまま使用することが有利である。
The mold transport unit 140 is mainly provided at a predetermined position on the transport path of the substrate, and a coating film (not shown) of the
押圧部150には、押圧ロール22に対向して支持ロール26が設けられ、支持ロール26は押圧ロール22とともにフィルム状モールド80a及び基板40を挟み込んで基板下側から基板40を押圧するとともに回転駆動して基板40を基板搬送方向の下流側に送り出す。押圧ロール22の内部には加熱ヒータ22aが設けられている。支持ロール26にも加熱ヒータを備えていてもよい。剥離部160には、フィルム状モールド80aの搬送路上に剥離ロール23が設けられ、その下流の搬送ロール29によりフィルム状モールド80aを上方に引き上げることにより、フィルム状モールド80aの基板40からの剥離を促進する。押圧部150と剥離部160との間には加熱炉(ヒータ)28が設けられている。加熱炉28には、例えば赤外線ヒータや熱風加熱、ホットプレートを使用することができる。光学基板製造装置100には、さらに、モールド繰り出しロール21から繰り出されたフィルム状モールド80a及びモールド巻き取りロール24に巻き取られる前のフィルム状モールド80aをそれぞれ除電するための除電器142,144と、フィルム状モールド80aが剥離された基板40を除電するための除電器146が設けられている。
The
光学基板製造装置100は、塗布部120、押圧部150及び剥離部160を含むモールド搬送部140、並びに基板搬送部130の各動作と装置全体の動作と総括する制御部(不図示)を備える。この制御部は、特に、基板搬送部130により搬送される基板40と、モールド搬送部140により搬送されるフィルム状モールド80aとが押圧部150で同期されて搬送されるように、基板搬送部130、モールド搬送部140及び押圧ロール22の駆動速度を制御する。光学基板製造装置100は、さらに、塗布部120で形成された塗膜の厚さや状態を観察する検査装置や、フィルム状モールド80aが剥離された後の塗膜の凹凸パターンを観察する検査装置などを備えることができる。
The optical
光学基板製造装置100により基板40を処理する動作を説明する。塗布部120において、基板40を保持した基板ステージ34が搬送方向に移動しながらダイコータ30がゾルゲル材料41を基板上に塗布することにより基板上に均一にゾルゲル材料が塗布される。次いで、ゾルゲル材料の塗膜が形成された基板40がモールド搬送部140の上流側の回転ロール36上に受け渡されて押圧部150、特に所定位置に設けられた押圧ロール22に向けて搬送される。この搬送の間に、ゾルゲル材料は乾燥する。一方、モールド搬送部140において、フィルム状モールド80aはモールド繰り出しロール21から送り出され、搬送ロール29間に設置された除電器142を通過して除電された後、搬送ロール29を介して押圧部150に至る。押圧部150では、40℃〜150℃に加熱された押圧ロール22が、その下方に搬送されてきたフィルム状モールド80aを基板40に重ねて押圧する。これにより、フィルム状モールド80aの凹凸パターンが基板40の塗膜(ゾルゲル材料)に押し付けられて転写が行われる。また、押圧ロール22の加熱により塗膜のゲル化が進行する。次いで、押圧ロール22により凹凸パターンが転写された基板40は、フィルム状モールド80aが押し付けられたままの状態で加熱炉28内を通過して剥離部160に搬送される。加熱炉28内で基板40は、フィルム状モールド80aの塗膜からの剥離を促進するために、40〜150℃に加熱される。剥離部160では、フィルム状モールド80aが剥離ロール23を通過するときに搬送ロール29を介してモールド巻き取りロール24によって上方に引き上げられ、フィルム状モールド80aは塗膜42から剥離する。この後、フィルム状モールド80aは除電器144により除電されてモールド巻き取りロール24に巻き取られる。フィルム状モールド80aが剥離された基板40は、除電器146により除電されて、光学基板製造装置100を出る。こうして、フィルム状モールド80aの凹凸パターンが塗膜に転写された基板40が得られる。この後、パターンが形成された基板40がオーブンなど(不図示)で本焼成される。本焼成用オーブンは、装置100内に設けてもよい。
An operation of processing the
光学基板製造装置100において、剥離ロール23の設置位置や、剥離ロール23を介してモールドを巻き取るモールド巻き取りロール24の位置を適宜調節して剥離角度を調整することができる。なお、支持ロール26に代えて、基板を支持して移動する移動テーブルなどの他の駆動手段を用いることができる。また、押圧ロール22によりフィルム状モールド80aの凹凸パターンが塗膜42押し付けられたままの状態を維持するために剥離ロール23を用いたが、そのような状態を維持するために剥離ロール23に代えて、表面が滑らかで角部が曲面を有する板状部材などの他の支持部材を用い得る。なお、第2ユニットしての光学基板製造装置100は、図2に示した第1ユニットとしてのロールプロセス装置70を備えていてもよい。例えば、第2ユニットとしての光学基板製造装置100に第1ユニットとしてのロールプロセス装置70を一体として組み込み、ロールプロセス装置70のフィルム巻き取りロール87をそのまま光学基板製造装置100のモールド繰り出しロール21として用いてもよい。この場合、フィルム巻き取りロール87を駆動する回転機構を光学基板製造装置100の制御装置により制御して回転方向を切り替えるように構成することができる。あるいは、第2ユニットとしての光学基板製造装置100が第1ユニットとしてのロールプロセス装置70を別体として備えていてもよい。この場合には、ロールプロセス装置70でフィルム状モールド80aが巻き取られたフィルム巻き取りロール87を、光学基板製造装置100のモールド繰り出しロール21が設けられる位置に運搬してモールド繰り出しロール21として使用することができる。必要に応じて、光学基板製造装置100とロールプロセス装置70を切り離して、一方または両方を適所で使用することができる。
In the optical
以下に、上記実施形態の光学基板製造装置の変形形態を説明する。
<変形形態1>
上記実施形態の光学基板製造装置100において剥離ロールを設けたが、図5に示すように剥離ロールを省略してもよい。図5に示した装置では、モールド繰り出しロール21(図4参照)から繰り出されたフィルム状モールド80aが加熱押圧ロール22で塗膜42に押圧された後に、基板40より上方に位置するモールド巻き取りロール24(図4参照)により巻き上げられる。押圧ロール22を加熱したり、他の加熱手段を用いることで、押圧直後のモールドの塗膜からの剥離が促進するとともに塗膜の仮焼成を行うことができる。
Below, the deformation | transformation form of the optical board | substrate manufacturing apparatus of the said embodiment is demonstrated.
<
Although the peeling roll is provided in the optical
<変形形態2>
上記実施形態の光学基板製造装置100では、フィルム状モールド80aの端部をそれぞれモールド繰り出しロール21及びモールド巻き取りロール24に巻き付けたが、図6に示すようにフィルム状モールド80aを無端ベルト状としてもよい。こうすることで、フィルム状モールド80aがモールド繰り出しロール121から全て巻き出され、またモールド巻き取りロール124により全て巻き取られたときのモールド繰り出しロール121及びモールド巻き取りロール124の交換が不要となる。
<Modification 2>
In the optical
<変形形態3>
上記実施形態の光学基板製造装置100において、加熱ヒータ22aを押圧ロール22の内部に設けたが、押圧ロール22を加熱する加熱ヒータの設置について、図7に示すような構成を採用してもよい。図7に示すように加熱ヒータ22bを押圧ロール22の内部ではなく押圧部150の押圧ロール22の周辺部に設けたヒートゾーン35内に備えることができる。ヒートゾーン35の内部に加熱ヒータが設けられているので、ヒートゾーン内部が加熱温度に維持される。この場合には、ヒートゾーン35の内部において塗膜42が仮焼成される。なお、ヒートゾーン35に加えて押圧ロール22や支持ロール26の内部に加熱ヒータを設けてもよい。また、加熱ヒータの設置の別の変形形態として、加熱ヒータ22aを押圧ロール22の内部に設ける代わりに支持ロール26の内部に備えていてもよい。この場合には、支持ロール26内部の加熱ヒータ22aから発生する熱により塗膜42が仮焼成される。あるいは、加熱ヒータ22aを押圧ロール22と支持ロール26の両方の内部に設けてもよい。
<Modification 3>
In the optical
上記のようにしてロールプロセスを経てゾルゲル材料層からなるパターンが形成された基板は、例えば、有機EL素子用の回折格子基板、ワイヤグリッド偏光子、反射防止フィルム、あるいは太陽電池の光電変換面側に設置することにより太陽電池内部への光閉じ込め効果を付与するための光学素子として使用することができる。あるいは、上記パターンを有する基板をモールド(マザー)として用いて上記パターンをさらに別の樹脂に転写してもよい。この場合、転写された樹脂パターンは基板上のパターンの反転パターンであるために、転写された反転パターンをさらに別の樹脂に転写することで基板のレプリカとしてのモールドを作製してもよい。それらのモールドにNi等による電鋳処理を施して金属モールドを形成することもできる。それらのモールドを用いることにより、有機EL素子用の回折格子基板などの光学部品を一層効率よく量産することができる。なお、上記実施形態の光学基板製造装置において、ゾルゲル材料を熱により硬化させたが、光硬化性のゾルゲル材料を用いて光照射による硬化を行ってもよい。この場合、加熱ヒータ22aは使用しなくてもよい。加熱炉28の代わりに光照射機を設置してもよい。
The substrate on which the pattern composed of the sol-gel material layer is formed through the roll process as described above is, for example, a diffraction grating substrate for an organic EL element, a wire grid polarizer, an antireflection film, or a photoelectric conversion surface side of a solar cell. It can be used as an optical element for providing a light confinement effect inside the solar cell. Or you may transcribe | transfer the said pattern to another resin using the board | substrate which has the said pattern as a mold (mother). In this case, since the transferred resin pattern is a reverse pattern of the pattern on the substrate, a mold as a replica of the substrate may be manufactured by further transferring the transferred reverse pattern to another resin. These molds can be electroformed with Ni or the like to form metal molds. By using these molds, optical parts such as a diffraction grating substrate for an organic EL element can be mass-produced more efficiently. In the optical substrate manufacturing apparatus of the above embodiment, the sol-gel material is cured by heat, but curing by light irradiation may be performed using a photo-curable sol-gel material. In this case, the heater 22a may not be used. A light irradiator may be installed in place of the
<有機EL素子の製造方法>
上記のようにしてロールプロセスを経てゾルゲル材料層からなるパターンが形成された基板を用いて有機EL素子を製造する製造方法の一例について、図8を参照しながら説明する。先ず、ゾルゲル材料層からなるパターンが形成された基板に付着している異物などを除去するために、ブラシで洗浄し、次いで、アルカリ性洗浄剤および有機溶剤で有機物等を除去する。次いで、図8に示すように、基板40のゾルゲル材料層42上に、透明電極92を、ゾルゲル材料層42の表面に形成されている凹凸構造が維持されるようにして積層する。透明電極92の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、金、白金、銀、銅が用いられる。これらの中でも、透明性と導電性の観点から、ITOが好ましい。透明電極92の厚みは20〜500nmの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が不十分となり易く、前記上限を超えると、透明性が不十分となり発光したEL光を十分に外部に取り出せなくなる可能性がある。透明電極92を積層する方法としては、蒸着法、スパッタ法、スピンコート法等の公知の方法を適宜採用することができる。これらの方法の中でも、密着性を上げるという観点から、スパッタ法が好ましく、その後、フォトレジストを塗布して電極用マスクパターンで露光した後、現像液でエッチングして所定のパターンの透明電極を得る。なお、スパッタ時には基板が300℃程度の高温に曝されることになる。得られた透明電極をブラシで洗浄し、アルカリ性洗浄剤および有機溶剤で有機物等を除去した後、UVオゾン処理することが望ましい。
<Method for producing organic EL element>
An example of a manufacturing method for manufacturing an organic EL element using a substrate on which a pattern composed of a sol-gel material layer is formed through a roll process as described above will be described with reference to FIG. First, in order to remove foreign substances and the like attached to a substrate on which a pattern composed of a sol-gel material layer is formed, washing is performed with a brush, and then organic substances are removed with an alkaline cleaning agent and an organic solvent. Next, as shown in FIG. 8, the
次に、透明電極92上に、図8に示す有機層94を積層する。このような有機層94は、有機EL素子の有機層に用いることが可能なものであれば特に制限されず、公知の有機層を適宜利用することができる。また、このような有機層94は、種々の有機薄膜の積層体であってもよく、例えば、図8に示すような正孔輸送層95、発光層96、及び電子輸送層97からなる積層体であってもよい。ここで、正孔輸送層95の材料としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’−ビス(3ーメチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Next, the organic layer 94 shown in FIG. 8 is laminated on the
また、発光層96は、透明電極92から注入された正孔と金属電極98から注入された電子とを再結合させて発光させるために設けられている。発光層96に使用できる材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、アルミニウムキノリノール錯体(Alq3)などの有機金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体及び各種蛍光色素等を用いることができる。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を適宜混合して用いることも好ましい。また、スピン多重項からの発光を示す材料系、例えば燐光発光を生じる燐光発光材料、およびそれらからなる部位を分子内の一部に有する化合物も好適に用いることができる。なお、前記燐光発光材料はイリジウムなどの重金属を含むことが好ましい。上述した発光材料をキャリア移動度の高いホスト材料中にゲスト材料としてドーピングして、双極子−双極子相互作用(フェルスター機構)、電子交換相互作用(デクスター機構)を利用して発光させても良い。また、電子輸送層97の材料としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルミニウムキノリノール錯体(Alq3)などの有機金属錯体などが挙げられる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。なお、正孔輸送層95もしくは電子輸送層97が発光層96の役割を兼ねていてもよい。この場合、透明電極92と金属電極98の間の有機層は2層となる。
The light emitting layer 96 is provided to recombine the holes injected from the
さらに、金属電極98からの電子注入を容易にするという観点から、有機層94と金属電極98の間に電子注入層としてフッ化リチウム(LiF)、Li2O3等の金属フッ化物や金属酸化物、Ca、Ba、Cs等の活性の高いアルカリ土類金属、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。また、透明電極92からの正孔注入を容易にするという観点から、有機層94と透明電極92の間に正孔注入層として、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、または導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどからなる層を設けても良い。
Furthermore, from the viewpoint of facilitating the injection of electrons from the
また、有機層94が正孔輸送層95、発光層96、及び電子輸送層97からなる積層体である場合、正孔輸送層95、発光層96、及び電子輸送層97の厚みは、それぞれ1〜200nmの範囲、5〜100nmの範囲、及び5〜200nmの範囲であることが好ましい。有機層94を積層する方法としては、蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、ダイコート法等の公知の方法を適宜採用することができる。
Further, when the organic layer 94 is a stacked body including the
有機EL素子形成工程においては、次いで、図8に示すように、有機層94上に金属電極98を積層する。金属電極98の材料としては、仕事関数の小さな物質を適宜用いることができ、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、MgAg、MgIn、AlLiが挙げられる。また、金属電極98の厚みは50〜500nmの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が低下し易く、前記上限を超えると、電極間の短絡が発生した際に、修復が困難となる可能性がある。金属電極98は、蒸着法、スパッタ法等の公知の方法を採用して積層することができる。こうして、図8に示すような構造の有機EL素子200が得られる。
In the organic EL element forming step, a
前述のように、本発明の方法に従い製造した光学基板の凹凸パターンはゾルゲル材料から形成されているために、以下に説明するように種々の点で硬化性樹脂から凹凸パターンが形成されている基板に比べて有利となる。ゾルゲル材料は、機械的強度に優れるため、有機EL素子の製造プロセスにおいて基板及び透明電極形成後に凹凸パターン面にブラシ洗浄を行っても傷、異物の付着、透明電極上の突起などが発生しにくく、それらに起因する素子不良を抑制できる。それゆえ、本発明の方法により得られた有機EL素子は、凹凸パターンを有する基板の機械的強度という点で硬化性樹脂基板を用いる場合に比べて優れる。 As described above, since the concavo-convex pattern of the optical substrate manufactured according to the method of the present invention is formed from a sol-gel material, the concavo-convex pattern is formed from a curable resin at various points as described below. It becomes advantageous compared with. Since the sol-gel material is excellent in mechanical strength, scratches, adhesion of foreign matter, protrusions on the transparent electrode, etc. are unlikely to occur even if the concavo-convex pattern surface is washed after forming the substrate and the transparent electrode in the manufacturing process of the organic EL element. , Device defects caused by them can be suppressed. Therefore, the organic EL element obtained by the method of the present invention is superior to the case of using a curable resin substrate in terms of the mechanical strength of the substrate having an uneven pattern.
本発明の方法に従い製造したゾルゲル材料から形成された基板は、耐薬品性に優れる。それゆえ、基板及び透明電極の洗浄工程に用いるアルカリ液や有機溶媒に対しても比較的耐食性があり、種々の洗浄液を使用することができる。また、前述のように透明基板のパターニング時にアルカリ性の現像液を用いることがあり、このような現像液に対しても耐食性がある。この点でアルカリ液に対して耐性が比較的低い硬化性樹脂基板に比べて有利となる。 The substrate formed from the sol-gel material manufactured according to the method of the present invention is excellent in chemical resistance. Therefore, it is relatively corrosion resistant to the alkaline liquid and organic solvent used in the cleaning process of the substrate and the transparent electrode, and various cleaning liquids can be used. Further, as described above, an alkaline developer may be used during patterning of the transparent substrate, and the developer is also resistant to corrosion. This is advantageous compared to a curable resin substrate having a relatively low resistance to an alkaline solution.
本発明の方法に従い製造したゾルゲル材料から形成された基板は、耐熱性に優れる。このため、有機EL素子の透明電極製造プロセスにおけるスパッタ工程の高温雰囲気にも耐えることができる。さらに、本発明の方法に従い製造したゾルゲル材料から形成された基板は、硬化性樹脂基板に比べて、耐UV性、耐候性にも優れる。このため、透明電極形成後のUVオゾン洗浄処理に対しても耐性を有する。 The substrate formed from the sol-gel material manufactured according to the method of the present invention is excellent in heat resistance. For this reason, it can endure the high temperature atmosphere of the sputtering process in the transparent electrode manufacturing process of an organic EL element. Furthermore, the substrate formed from the sol-gel material manufactured according to the method of the present invention is excellent in UV resistance and weather resistance as compared with the curable resin substrate. For this reason, it has tolerance also to the UV ozone cleaning process after transparent electrode formation.
本発明の方法により製造された有機EL素子を屋外で使用した場合には、硬化性樹脂基板を用いる場合に比べて太陽光による劣化が抑制できる。さらに、上記のような硬化樹脂では発光時の発熱などで高温下に長期間置かれると劣化して黄変やガスの発生の可能性があり、樹脂基板を用いた有機EL素子の長期的な使用が難しいが、ゾルゲル材料を用いて作製された基板を備える有機EL素子では劣化が抑制される。 When the organic EL element manufactured by the method of the present invention is used outdoors, deterioration due to sunlight can be suppressed as compared with the case where a curable resin substrate is used. Further, the cured resin as described above may deteriorate when left for a long period of time due to heat generated during light emission, and may cause yellowing or generation of gas. Although it is difficult to use, deterioration is suppressed in an organic EL element including a substrate manufactured using a sol-gel material.
以上、本発明を実施例により説明してきたが、本発明の光学基板の製造方法及び製造装置は上記実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載した技術思想の範囲内で適宜改変することができる。 The present invention has been described with reference to the examples. However, the optical substrate manufacturing method and the manufacturing apparatus of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea described in the claims. Can do.
また、製造対象である「凹凸パターンを有する基板」として光学基板を例に挙げて説明してきたが、それに限らず種々の用途を有する基板に本発明の製造方法を適用することができる。例えば、マイクロレンズアレイ、ナノプリズムアレイ、光導波路などの光学素子、レンズなどの光学部品、太陽電池、反射防止フィルム、半導体チップ、パターンドメディア、データストレージ、電子ペーパー、LSIなどの製造、製紙、食品製造、免疫分析チップ、細胞培養シートなどのバイオ分野等における用途で使用される基板にも適用することができる。 In addition, the optical substrate has been described as an example of the “substrate having a concavo-convex pattern” as a manufacturing target, but the manufacturing method of the present invention can be applied to substrates having various uses without being limited thereto. For example, optical elements such as microlens arrays, nanoprism arrays, optical waveguides, optical components such as lenses, solar cells, antireflection films, semiconductor chips, patterned media, data storage, electronic paper, LSI manufacturing, paper manufacturing, The present invention can also be applied to substrates used in applications in the bio field such as food production, immunoassay chips, and cell culture sheets.
本発明の基板を製造する方法及び装置は、微細パターン転写を正確に且つ確実に行いつつも高いスループットで基板を製造することができる。本発明の製造方法及び製造装置により製造された基板の凹凸パターンは耐熱性、耐候性及び耐食性に優れ、その基板を組み込んだ素子の製造プロセスにも耐性があり、また、それらの素子を長寿命化することができる。それゆえ、本発明の製造方法及び製造装置により得られた基板は、有機EL素子や太陽電池のなどの各種デバイスにきわめて有効となり、このようにして得られた基板を用いて耐熱性、耐候性及び耐食性に優れた有機EL素子や太陽電池などの各種デバイスを製造することができる。 The method and apparatus for producing a substrate of the present invention can produce a substrate with high throughput while accurately and reliably transferring a fine pattern. The concavo-convex pattern of the substrate manufactured by the manufacturing method and manufacturing apparatus of the present invention is excellent in heat resistance, weather resistance, and corrosion resistance, and is resistant to the manufacturing process of the element in which the substrate is incorporated. Can be Therefore, the substrate obtained by the production method and production apparatus of the present invention is extremely effective for various devices such as organic EL elements and solar cells, and heat resistance and weather resistance are obtained using the substrate thus obtained. And various devices, such as an organic EL element and a solar cell excellent in corrosion resistance, can be manufactured.
21 モールド繰り出しロール、22 押圧ロール
22a 加熱ヒータ、23 剥離ロール、24 モールド巻き取りロール
26 支持ロール、29 搬送ロール
30 ダイコータ、35 ヒートゾーン、40 基板
42 塗膜(ゾルゲル材料層)、72 フィルム繰り出しロール
74 ニップロール、76 剥離ロール、
80 基板フィルム、80a フィルム状モールド、 82 ダイコータ、
85 UV照射光源
87 フィルム巻き取りロール、 90 転写ロール
92 透明電極、94 有機層、95 正孔輸送層
96 発光層、97 電子輸送層、98 金属電極
100 光学基板製造装置、142,144,146 除電器
120 塗布部、130 基板搬送部、140 モールド搬送部
150 押圧部、160剥離部、200 有機EL素子
DESCRIPTION OF
80 substrate film, 80a film mold, 82 die coater,
85 UV
Claims (28)
凹凸パターン面を有する長尺のフィルム状モールドを用意する工程と、
基板上にゾルゲル材料の塗膜を形成する工程と、
前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面と前記塗膜を対向させて、押圧ロールをフィルム状モールドの前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付けて前記凹凸パターン面を前記塗膜に転写する工程と、
前記フィルム状モールドを塗膜から剥離する工程と、
前記凹凸パターンが転写された塗膜を硬化する工程とを備えることを特徴とする基板を製造する方法。 A method of manufacturing a substrate having a concavo-convex pattern,
Preparing a long film-shaped mold having an uneven pattern surface;
Forming a sol-gel material coating on the substrate;
A step of making the concavo-convex pattern surface of the film-shaped mold and the coating film face each other, pressing a pressing roll against a surface opposite to the concavo-convex pattern surface of the film-shaped mold, and transferring the concavo-convex pattern surface to the coating film; ,
Peeling the film mold from the coating film;
And a step of curing the coating film onto which the concave / convex pattern has been transferred.
長尺のフィルム状基材に凹凸形成材料を塗布することと、
前記塗布された凹凸形成材料に、凹凸パターンを有する転写ロールを回転しながら押し付けて凹凸形成材料に前記凹凸パターンをロール転写することと、
前記凹凸パターンがロール転写された凹凸形成材料を硬化することによりロール形態の前記長尺のフィルム状モールドを得ることを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板の製造方法。 The step of preparing the long film mold,
Applying a concavo-convex forming material to a long film-like substrate;
The concavo-convex pattern is roll-transferred to the concavo-convex forming material by pressing the transfer roll having a concavo-convex pattern on the applied concavo-convex forming material while rotating the roll.
The board | substrate as described in any one of Claims 1-3 including obtaining the said long film-like mold of a roll form by hardening the uneven | corrugated formation material by which the said uneven | corrugated pattern was roll-transferred. Manufacturing method.
基板上にゾルゲル材料の塗膜を形成する塗膜形成部と、
前記塗膜が形成された基板を所定位置に搬送する基板搬送部と、
凹凸パターン面を有する長尺状のフィルム状モールドを繰り出すモールド繰り出しロールと前記長尺状のフィルム状モールドを巻き取るモールド巻き取りロールとを備え、前記モールド繰り出しロールから前記所定位置に連続的に前記フィルム状モールドを繰り出すと共に前記フィルム状モールドを前記モールド巻き取りロールで巻き取ることで前記フィルム状モールドを前記所定位置に対して搬送するモールド搬送部と、
前記所定位置に回転可能に設置され、前記モールド搬送部で前記所定位置に繰り出された前記長尺状の前記フィルム状モールドの凹凸パターン面の一部を、前記基板搬送部により前記所定位置に搬送された前記基板の塗膜に押し付けるための押圧ロールとを備えることを特徴とする基板の製造装置。 An apparatus for manufacturing a substrate,
A coating film forming section for forming a sol-gel material coating film on the substrate;
A substrate transport unit for transporting the substrate on which the coating film is formed to a predetermined position;
A mold feeding roll for feeding out a long film-shaped mold having a concavo-convex pattern surface; and a mold winding roll for winding up the long film-shaped mold, and continuously from the mold feeding roll to the predetermined position. A mold transport unit that unwinds the film mold and winds the film mold with the mold winding roll to transport the film mold to the predetermined position;
A part of the concavo-convex pattern surface of the elongated film-shaped mold that is rotatably installed at the predetermined position and is fed out to the predetermined position by the mold conveyance unit is conveyed to the predetermined position by the substrate conveyance unit. And a pressing roll for pressing the coated film on the substrate.
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---|---|
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Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015085187A1 (en) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Maddala Dharma | Embossing texture features to roll or sheet |
JP2015139936A (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | Structure production method |
JP2017501267A (en) * | 2013-12-06 | 2017-01-12 | エルジー・ケム・リミテッド | Block copolymer |
JP2017195357A (en) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 奇景光電股▲ふん▼有限公司 | Imprint device and imprint method |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10150832B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-11 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10160822B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-25 | Lg Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
US10184021B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-01-22 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196474B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196475B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202480B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202481B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227437B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227436B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10240035B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10253130B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-04-09 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10281820B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287429B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10295908B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-21 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10310378B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10377894B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN110173086A (en) * | 2019-07-15 | 2019-08-27 | 上海倪儿饰品有限公司 | A kind of wall filth-resisting thin film switching device |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10703897B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN114018679A (en) * | 2021-10-19 | 2022-02-08 | 深圳市卓宝科技股份有限公司 | Sample preparation method for non-cured coiled material |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0411620U (en) * | 1990-05-21 | 1992-01-30 | ||
JP2003340844A (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Antireflection article due to sol/gel method and manufacturing method therefor |
JP2007140543A (en) * | 2006-12-27 | 2007-06-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Lens sheet and its production method |
JP2007281099A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Meisho Kiko Kk | Nano-imprint apparatus and nano-imprint method |
JP2007287486A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | Organic electroluminescence element having fine structure between transparent substrate and electrode |
JP2010000719A (en) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Film-like replica mold, its manufacturing method, and manufacturing method of film product having fine uneven structure |
JP2010129184A (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Organic el element |
JP2010137358A (en) * | 2007-04-12 | 2010-06-24 | Kyowa Hakko Chemical Co Ltd | Method and apparatus for forming pattern |
JP2011136461A (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | Embossing apparatus |
JP2011222647A (en) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | Pattern forming method and pattern substrate manufacturing method |
JP2011222732A (en) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | Pattern formation method and patterned substrate manufacturing method |
JP2012174410A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Organic electroluminescent element |
-
2013
- 2013-03-06 JP JP2013043780A patent/JP2013219334A/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0411620U (en) * | 1990-05-21 | 1992-01-30 | ||
JP2003340844A (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Antireflection article due to sol/gel method and manufacturing method therefor |
JP2007281099A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Meisho Kiko Kk | Nano-imprint apparatus and nano-imprint method |
JP2007287486A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | Organic electroluminescence element having fine structure between transparent substrate and electrode |
JP2007140543A (en) * | 2006-12-27 | 2007-06-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Lens sheet and its production method |
JP2010137358A (en) * | 2007-04-12 | 2010-06-24 | Kyowa Hakko Chemical Co Ltd | Method and apparatus for forming pattern |
JP2010000719A (en) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Film-like replica mold, its manufacturing method, and manufacturing method of film product having fine uneven structure |
JP2010129184A (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Organic el element |
JP2011136461A (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | Embossing apparatus |
JP2011222647A (en) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | Pattern forming method and pattern substrate manufacturing method |
JP2011222732A (en) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | Pattern formation method and patterned substrate manufacturing method |
JP2012174410A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Organic electroluminescent element |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10184021B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-01-22 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10253130B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-04-09 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196474B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10150832B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-11 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196475B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP2017501267A (en) * | 2013-12-06 | 2017-01-12 | エルジー・ケム・リミテッド | Block copolymer |
WO2015085187A1 (en) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Maddala Dharma | Embossing texture features to roll or sheet |
US10160822B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-25 | Lg Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
US10202480B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202481B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227437B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227438B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227436B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP2015139936A (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | Structure production method |
US10240035B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10281820B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287429B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10295908B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-21 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10310378B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10703897B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10377894B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10549494B2 (en) | 2016-04-20 | 2020-02-04 | Himax Technologies Limited | Imprinting apparatus and imprinting method |
JP2017195357A (en) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 奇景光電股▲ふん▼有限公司 | Imprint device and imprint method |
CN110173086A (en) * | 2019-07-15 | 2019-08-27 | 上海倪儿饰品有限公司 | A kind of wall filth-resisting thin film switching device |
CN114018679A (en) * | 2021-10-19 | 2022-02-08 | 深圳市卓宝科技股份有限公司 | Sample preparation method for non-cured coiled material |
CN114018679B (en) * | 2021-10-19 | 2024-03-26 | 深圳市卓宝科技股份有限公司 | Non-solidified coiled material sample preparation method |
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