JP2015139936A - Structure production method - Google Patents

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祐樹 有塚
Yuki Aritsuka
祐樹 有塚
尚子 中田
Naoko Nakada
尚子 中田
幹雄 石川
Mikio Ishikawa
幹雄 石川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce time required for reducing a solvent amount included in a coating film, in room temperature imprint.SOLUTION: A structure production method is characterized to have: a step for coating a coating agent including an inorganic material and solvent to a base material for forming a coating film; a step for reducing the solvent amount included in the coating film by a predetermined amount; and a step for bringing the coating film and a mold at least whose one side facing the coating film has a solvent adsorption property into contact each other, thereby transferring the mold surface shape to the coating film surface.

Description

本発明は、構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a structure.

微細パターン形成技術として注目されている、室温ナノインプリントリソグラフィー技術については、特許文献1に開示されている。SOG(Spin-On-Glass)等の材料と溶剤を含む塗布剤を基板表面に塗布して塗布膜を形成した後、溶剤が揮発し硬化が完了する前に塗布膜にモールドでインプリントし、その後、モールドを塗布膜から離間することでナノ精度のSiO微細パターンを形成することができる。 A room temperature nanoimprint lithography technique that is attracting attention as a fine pattern formation technique is disclosed in Patent Document 1. After applying a coating agent containing a material such as SOG (Spin-On-Glass) and a solvent to the substrate surface to form a coating film, the solvent is volatilized and imprinted on the coating film with a mold before curing is completed. Thereafter, a nano-accurate SiO 2 fine pattern can be formed by separating the mold from the coating film.

また、溶剤吸収性を有するポリジメチルシロキサン(以下、「PDMS」と称する。)製のモールドを用いてSOG材料にインプリントを行い、モールド側に塗布膜に含まれる溶剤を吸収させて、パターンを形成する技術も、非特許文献1に開示されている。   In addition, the SOG material is imprinted using a mold made of polydimethylsiloxane having solvent absorbability (hereinafter referred to as “PDMS”), and the solvent contained in the coating film is absorbed on the mold side to form a pattern. The forming technique is also disclosed in Non-Patent Document 1.

特開2003−100609号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-100609

“Room-Temperature Nanoimpringing Using Liquid-Phase Hydrogen Silsesquioxane with Hard Poly (dimethylsiloxane) Mold, Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 06GL 13 (5 pages).“Room-Temperature Nanoimpringing Using Liquid-Phase Hydrogen Silsesquioxane with Hard Poly (dimethylsiloxane) Mold, Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 06GL 13 (5 pages).

しかしながら、溶剤をモールド側に吸収させるには時間がかかるという問題があった。   However, there is a problem that it takes time to absorb the solvent on the mold side.

本発明は、室温インプリントにおいて、塗布膜に含まれる溶剤を減少させる時間を短縮することを目的とする。   An object of the present invention is to shorten the time for reducing the solvent contained in a coating film in room temperature imprinting.

本発明の一実施の形態は、基材に、無機材料と溶剤とを含有する塗布剤を塗布することにより塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に含まれる溶剤を所定量減少させる工程と、前記塗布膜と、少なくとも前記塗布膜に対向する側が溶剤吸収性を有するモールドとを接触させることにより、前記モールドの表面の形状を前記塗布膜の表面に転写する工程と、を有することを特徴とする構造体の製造方法である。   One embodiment of the present invention includes a step of forming a coating film by applying a coating agent containing an inorganic material and a solvent to a substrate, and a step of reducing a predetermined amount of the solvent contained in the coating film. A step of transferring the shape of the surface of the mold to the surface of the coating film by bringing the coating film into contact with a mold having a solvent absorption property at least on the side facing the coating film. This is a manufacturing method of the structure.

本発明の一実施の形態の別の態様として、前記モールドは可撓性を有していてもよい。   As another aspect of one embodiment of the present invention, the mold may have flexibility.

本発明の一実施の形態の別の態様として、前記所定量は、前記モールドの自重で前記モールドの凹凸内に前記塗布膜の一部が充填できる量であってもよい。   As another aspect of an embodiment of the present invention, the predetermined amount may be an amount by which a part of the coating film can be filled in the unevenness of the mold by its own weight.

本発明の一実施の形態の別の態様として、前記無機材料は、シロキサンポリマーであってもよい。   As another aspect of an embodiment of the present invention, the inorganic material may be a siloxane polymer.

本発明の一実施の形態の別の態様として、前記モールドは、ポーラス構造を有する樹脂であることが好ましい。   As another aspect of an embodiment of the present invention, the mold is preferably a resin having a porous structure.

本発明によれば、室温インプリントにおいて、塗布膜に含まれる溶剤を減少させる時間を短縮することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the time which reduces the solvent contained in a coating film can be shortened in room temperature imprint.

本発明の一実施の形態による構造体の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the structure by one embodiment of this invention. HSQ塗布完了時からの溶剤量の時間変化の様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the mode of the time change of the solvent amount after HSQ application completion.

以下、本発明の一実施の形態による構造体の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、無機材料と溶剤を含む塗布剤を塗布膜として基板に塗布し、溶剤吸収性のあるモールドを用いて塗布膜を成形する工程を例にして説明する。   Hereinafter, a structure manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following, a process of applying a coating agent containing an inorganic material and a solvent as a coating film to a substrate and forming the coating film using a solvent-absorbing mold will be described as an example.

図1は、本実施の形態による構造体の製造方法の要部工程を示す工程図である。図1(a)に示すように、基材1上に無機材料と溶剤を含む塗布剤を塗布することにより、塗布膜3を形成する(塗布膜形成工程)。塗布膜3の形成は、公知の塗布法により行うことができ、典型的にはスピンコート法を用いることができる。スピンコート法により塗布膜3を形成する場合には、塗布剤の溶剤量を多くし、塗布剤の粘度を低下させておくことで均一な薄膜が形成可能となる。塗布膜3の厚みは、特に制限はないが、例えば、0.01μm〜0.5μmの範囲で形成することができる。   FIG. 1 is a process diagram showing a main process of the structure manufacturing method according to the present embodiment. As shown to Fig.1 (a), the coating film 3 is formed by apply | coating the coating agent containing an inorganic material and a solvent on the base material 1 (coating film formation process). The coating film 3 can be formed by a known coating method, and typically a spin coating method can be used. When the coating film 3 is formed by spin coating, a uniform thin film can be formed by increasing the solvent amount of the coating agent and decreasing the viscosity of the coating agent. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the coating film 3, For example, it can form in 0.01 micrometer-0.5 micrometer.

基材1は、特に制限はないが、例えば、シリコン、金属、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、その他ポリオレフィン類等の樹脂材料のほか、低膨張セラミックス等のセラミックス材料等が挙げられる。また、基材1に溶剤吸収性を持たせてもよく、この場合、例えば、多孔質シリコン、多孔質シリカ、セラミックス、PDMS等のポーラス構造を有する材料、紙や繊維等の溶剤を含浸可能な3次元網目構造を有する材料などを用いることができる。   The substrate 1 is not particularly limited. For example, glass materials such as silicon, metal, quartz glass, soda glass, fluorite, calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, borosilicate glass, polycarbonate, polypropylene, polyethylene In addition to resin materials such as polyolefins, ceramic materials such as low expansion ceramics can be used. In addition, the substrate 1 may be provided with solvent absorbability. In this case, for example, a porous structure such as porous silicon, porous silica, ceramics, PDMS, or a solvent such as paper or fiber can be impregnated. A material having a three-dimensional network structure can be used.

塗布剤に含まれる無機材料としては、共存する溶剤が減少したときに硬質無機膜が得られる材料であればよく、例えば、シリコン等の半導体、チタン、ニッケル、コバルト、金、銀、銅、パラジウム、白金、スズ、ロジウム、インジウム、 ルテニウム、亜鉛、アルミニウム、モリブデン、クロム等の金属に代表される材料、及び、それらの酸化物、窒化物を有する無機ポリマーや、あるいは、これらのコロイド物を挙げることができる。図示例においては、シリコン含有の無機ポリマーである、シロキサンポリマーを用いる例を開示しており、とりわけシロキサンポリマーのうち、水素化シルセスキオキサンポリマー(HSQ)を用いる例を示している。   The inorganic material contained in the coating agent may be any material that can provide a hard inorganic film when the coexisting solvent decreases. For example, semiconductors such as silicon, titanium, nickel, cobalt, gold, silver, copper, palladium Materials such as platinum, tin, rhodium, indium, ruthenium, zinc, aluminum, molybdenum, chromium and the like, and inorganic polymers having oxides and nitrides thereof, or colloids thereof. be able to. In the illustrated example, an example using a siloxane polymer, which is a silicon-containing inorganic polymer, is disclosed, and in particular, an example using a hydrogenated silsesquioxane polymer (HSQ) among siloxane polymers is shown.

塗布剤に含まれる溶剤としては、上記無機材料に応じて適宜選択することができるが、例えば、メタノール、エタノール、キシレン、トルエン、酢酸ブチル、シクロヘキサン、エチルベンゼン、イソプロピルアルコール、1−プロパノール、2−プロパノール、メトキシプロピルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセチレート等を挙げることができる。   The solvent contained in the coating agent can be appropriately selected according to the inorganic material. For example, methanol, ethanol, xylene, toluene, butyl acetate, cyclohexane, ethylbenzene, isopropyl alcohol, 1-propanol, 2-propanol , Methoxypropyl acetate, propylene glycol monoethyl ether acetylate and the like.

次いで、所定時間待機して塗布膜3に含まれる溶剤を所定量減少させて図1(b)に示すように、溶剤の量が所定の量まで減少した塗布膜3aとする(溶剤減少工程)。このとき、常温下で塗布膜3に含まれる溶剤の減少を待つことが好ましい。昇温を伴うと、昇温後の冷却に要する待機時間が必要となったり、基材1に温度ムラが発生して溶剤の減少量にムラが生じたりすることがあるからである。   Next, after waiting for a predetermined time, the solvent contained in the coating film 3 is decreased by a predetermined amount to form a coating film 3a in which the amount of the solvent is decreased to a predetermined amount as shown in FIG. 1B (solvent reduction step). . At this time, it is preferable to wait for a decrease in the solvent contained in the coating film 3 at room temperature. This is because when the temperature rises, a standby time required for cooling after the temperature rise may be required, or temperature unevenness may occur in the base material 1 and the amount of solvent decrease may become uneven.

次いで、図1(c)に示すように、モールド5の凹凸のパターンが形成された表面を塗布膜3aに接触させる。これにより、モールド5の基板1の表面側のパターンが、基板1上の塗布膜3aの表面に転写される(転写工程)。モールド5は、少なくとも塗布膜3aに対向する側が溶剤吸収性を有する。なお、モールド5全体が溶剤吸収性を有していてもよい。溶剤吸収性のあるモールド5としては、例えば、ポーラス構造を有する材料を用いることができ、ポーラス構造を有する樹脂が好ましく、具体的にはPDMSを利用するとよい。モールド5の厚みは、特に制限はないが、可撓性を有するように100μm〜3000μmの範囲で設定するとよい。可撓性を有すると、剥離の際の応力を低減できたり、基材側の形状に対する追従性が向上できたりするからである。なお、モールド5のみならず、基材1とモールド5の両方を溶剤吸収性のある材料とし、塗布膜3に含まれる溶剤の減少速度を速めてもよい。塗布膜3に含まれる溶剤が基材1にも吸収されることにより、塗布膜3の硬化が進む。   Next, as shown in FIG. 1C, the surface of the mold 5 on which the uneven pattern is formed is brought into contact with the coating film 3a. Thereby, the pattern on the surface side of the substrate 1 of the mold 5 is transferred to the surface of the coating film 3a on the substrate 1 (transfer process). The mold 5 has solvent absorbability at least on the side facing the coating film 3a. In addition, the whole mold 5 may have a solvent absorptivity. As the mold 5 having solvent absorbability, for example, a material having a porous structure can be used, and a resin having a porous structure is preferable. Specifically, PDMS may be used. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the mold 5, It is good to set in the range of 100 micrometers-3000 micrometers so that it may have flexibility. This is because, when having flexibility, the stress at the time of peeling can be reduced, and the followability to the shape on the substrate side can be improved. Note that not only the mold 5 but also both the base material 1 and the mold 5 may be made of a solvent-absorbing material, and the decrease rate of the solvent contained in the coating film 3 may be increased. The solvent contained in the coating film 3 is also absorbed by the substrate 1, whereby the coating film 3 is cured.

図1(d)に示すように、基材1上の硬化した塗布膜3aからモールド5を離間することにより、モールド5のパターンが塗布膜3a側に転写され、例えば、開口部O1が形成された塗布膜パターン3bを形成することができる。通常、インプリント時に基材1とモールド5とは所定の間隔をもって配置されることから、開口部O1内の塗布膜は一部が残膜3b’として残存する。   As shown in FIG. 1D, by separating the mold 5 from the cured coating film 3a on the substrate 1, the pattern of the mold 5 is transferred to the coating film 3a side, and, for example, an opening O1 is formed. The coating film pattern 3b can be formed. Usually, since the substrate 1 and the mold 5 are arranged at a predetermined interval during imprinting, a part of the coating film in the opening O1 remains as a remaining film 3b '.

さらに、この残膜3b’を除去したい場合には、図1(e)に示すように、残膜除去のためのリアクティブイオンエッチング等によりエッチバックを行い、残膜を完全に除去することができる。さらに必要に応じて、図1(f)に示すように、例えば、CF、CHFなどを用いたリアクティブイオンエッチング法などにより、基材1である例えばSi基板を、塗布膜パターン3bをマスクとして加工することで、基材1の微細加工を行うことができる。 Further, when it is desired to remove the residual film 3b ', as shown in FIG. 1E, etching back is performed by reactive ion etching or the like for removing the residual film to completely remove the residual film. it can. If necessary, as shown in FIG. 1F, for example, a reactive ion etching method using CF 4 , CHF 3 or the like, for example, a Si substrate as a base material 1 and a coating film pattern 3b are formed. By processing as a mask, the substrate 1 can be finely processed.

図2は、塗布膜に含まれる溶剤の量の時間変化を模式的に示した図である。符号L1は、本実施形態における図1(b)の工程である溶剤減少処理を経ない従来例をさし、一方、符号L2は、本実施の形態をさす。符号L1に示すように、時間tでモールドの押圧が開始され、塗布膜に含まれる溶剤はモールド側に吸収されて次第に減少し、時間tで一定の量の溶剤が減少することで塗布膜が硬化する。すなわち、塗布膜が硬化するのに要する時間は、t−tである。 FIG. 2 is a diagram schematically showing a change over time in the amount of the solvent contained in the coating film. Reference numeral L1 indicates a conventional example that does not undergo the solvent reduction process that is the step of FIG. 1B in the present embodiment, while reference numeral L2 indicates the present embodiment. As indicated by reference numeral L1, is started pressing of the mold at the time t 0, applied by solvent contained in the coating film decreases gradually being absorbed into the mold side, solvents a certain amount at time t 3 is reduced The film is cured. That is, the time required for the coating film to cure is t 3 -t 0 .

一方、本実施の形態では、符号L2で示すように、時間tでモールドを押圧せずに時間tまで待機する。このとき、塗布膜の、基材に接していない側の面は開放されて露出しているため、その面から溶剤が揮発する。開放された状態で揮発する溶剤の減少速度は、モールドを塗布膜に接触させた状態でモールド側に吸収される溶剤の減少速度よりも速い。そして、例えば、時間tにおいて、モールドを塗布膜に接触させる。塗布膜に含まれる溶剤はモールド側に吸収されて次第に減少し、時間tで一定の量の溶剤が減少することで塗布膜が硬化する。溶剤の量が所定の量に到達するのに要する時間は、t−tである。このように、本実施の形態によれば、塗布膜中の溶剤の減少に要する時間を短縮することができる。 On the other hand, in the present embodiment, as shown at L2, it waits until time t 1 without pressing the mold at time t 0. At this time, since the surface of the coating film on the side not in contact with the base material is exposed and exposed, the solvent evaporates from the surface. The decreasing rate of the solvent that volatilizes in the opened state is faster than the decreasing rate of the solvent absorbed on the mold side in a state where the mold is in contact with the coating film. Then, for example, at time t 1, it is contacted with the mold to the coating film. Solvent contained in the coating film decreases gradually being absorbed into the mold side, to cure the coating film by reducing the solvent a certain amount at time t 2. The time required for the amount of solvent to reach the predetermined amount is t 2 −t 0 . Thus, according to the present embodiment, it is possible to shorten the time required for reducing the solvent in the coating film.

ここで、本実施の形態におけるモールドを塗布膜に接触させるタイミングは、以下のような方針で決めることができる。塗布膜の溶剤が減少し塗布膜の硬さが増すと、インプリントするためにはモールド及び基材の少なくとも一方側より荷重を加える必要が生じる。しかし、例えば、モールドが可撓性を有する場合、当該荷重により、パターン自体及びモールドの躯体自体が歪みを生じる。このことから、塗布膜中に含まれる溶剤を減少させすぎると塗布膜の硬さは増すため、インプリントの際にパターン転写の忠実性が失われることになる。   Here, the timing at which the mold in this embodiment is brought into contact with the coating film can be determined according to the following policy. When the solvent of the coating film decreases and the hardness of the coating film increases, it is necessary to apply a load from at least one side of the mold and the substrate in order to perform imprinting. However, for example, when the mold has flexibility, the load causes distortion of the pattern itself and the mold housing itself. For this reason, if the solvent contained in the coating film is reduced too much, the hardness of the coating film increases, and the fidelity of pattern transfer is lost during imprinting.

そのため、塗布膜中の溶剤は、モールドに変形を伴う程の荷重を加えずにインプリントできる程度に減少していることが好ましい。このような一態様として、例えば、モールドの自重でインプリントできる程度に塗布膜中の溶剤が減少している状態を挙げることができる。このように、塗布膜に含まれる溶剤は、塗布剤を基材に塗布した直後から、モールドの変形を伴う程の荷重を必要としない程度、具体的には主としてモールドの自重で塗布膜を成形できる程度の硬さが得られるまでの間にインプリントを実行すればよい。   Therefore, it is preferable that the solvent in the coating film is reduced to such an extent that imprinting can be performed without applying a load that causes deformation of the mold. As such an aspect, for example, a state in which the solvent in the coating film is reduced to such an extent that imprinting can be performed by the weight of the mold can be given. In this way, the solvent contained in the coating film is formed immediately after the coating agent is applied to the base material, so as not to require a load that is accompanied by deformation of the mold, specifically, the coating film is formed mainly by the weight of the mold. What is necessary is just to perform imprint until the hardness which can be obtained is obtained.

以上のように、本実施形態によれば、室温インプリントにおいて、塗布膜に含まれる溶剤を減少させる時間を短縮させることができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to shorten the time for reducing the solvent contained in the coating film in the room temperature imprint.

実施例1
以下の組成の塗布剤を準備した。
Example 1
A coating agent having the following composition was prepared.

[塗布剤組成]
・無機材料:水素化シルセスキオキサン(東レ・ダウコーニング社製FOX−16:約20wt%)
・溶剤:メチルイソブチルケトン(約80wt%)
なお、無機材料と溶剤とを合計して100wt%とした。
[Coating composition]
Inorganic material: Silsesquioxane hydride (Toray Dow Corning FOX-16: about 20 wt%)
・ Solvent: Methyl isobutyl ketone (about 80 wt%)
The total of inorganic material and solvent was 100 wt%.

基材として石英ガラス基板(外形20cmΦ、厚さ0.725cm)を準備し、石英ガラス基板の上に塗布剤をスピンコート法(2500rpm、60秒)により塗布し、膜厚0.05μmの塗布膜を得た。   A quartz glass substrate (outer diameter 20 cmΦ, thickness 0.725 cm) is prepared as a base material, and a coating agent is applied onto the quartz glass substrate by a spin coat method (2500 rpm, 60 seconds) to form a coating film having a thickness of 0.05 μm. Got.

常温で塗布膜を石英ガラス基板上で静置し、約120秒後に塗布膜上にPDMS製のモールド(外形20cmΦ、厚さ1000μm)を、荷重を加えずに静かに置いた。モールドと塗布膜とが接触した状態で5分間待機した後、塗布膜からモールドを離間して石英ガラス基板の上にパターニングされた酸化シリコン層を得ることができた。   The coating film was allowed to stand on a quartz glass substrate at room temperature, and after about 120 seconds, a PDMS mold (outer diameter 20 cmΦ, thickness 1000 μm) was gently placed on the coating film without applying a load. After waiting for 5 minutes in a state where the mold and the coating film were in contact with each other, the mold was separated from the coating film to obtain a patterned silicon oxide layer on the quartz glass substrate.

上記の実施の形態において、添付図面に図示されている構成等については、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In the above-described embodiment, the configuration and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to these, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。   Each component of the present invention can be arbitrarily selected, and an invention having a selected configuration is also included in the present invention.

1…基材、3…塗布膜、5…モールド。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material, 3 ... Coating film, 5 ... Mold.

Claims (5)

基材に、無機材料と溶剤とを含有する塗布剤を塗布することにより塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜に含まれる溶剤を所定量減少させる工程と、
前記塗布膜と、少なくとも前記塗布膜に対向する側が溶剤吸収性を有するモールドとを接触させることにより、前記モールドの表面の形状を前記塗布膜の表面に転写する工程と
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
Forming a coating film by applying a coating agent containing an inorganic material and a solvent to the substrate;
Reducing the solvent contained in the coating film by a predetermined amount;
A step of transferring the shape of the surface of the mold to the surface of the coating film by bringing the coating film into contact with a mold having a solvent absorbability at least on the side facing the coating film. Manufacturing method of structure.
前記モールドは可撓性を有することを特徴とする請求項1記載の構造体の製造方法。   The method of manufacturing a structure according to claim 1, wherein the mold has flexibility. 前記所定量の溶剤が減少した前記塗布膜は、前記モールドの自重で前記モールドの凹凸内に前記塗布膜の一部が充填されうる状態であることを特徴とする請求項2に記載の構造体の製造方法。   3. The structure according to claim 2, wherein the coating film in which the predetermined amount of the solvent is reduced is in a state in which a part of the coating film can be filled in the unevenness of the mold by the weight of the mold. Manufacturing method. 前記無機材料は、シロキサンポリマーであることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の構造体の製造方法。   The method for manufacturing a structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the inorganic material is a siloxane polymer. 前記モールドは、ポーラス構造を有する樹脂であることを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載の構造体の製造方法。   The method for producing a structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the mold is a resin having a porous structure.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019145786A (en) * 2018-02-19 2019-08-29 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, planarization layer forming apparatus, forming apparatus, control method, and article manufacturing method
WO2023162519A1 (en) * 2022-02-28 2023-08-31 キヤノン株式会社 Pattern forming method and method for producing article

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100609A (en) * 2001-09-26 2003-04-04 Japan Science & Technology Corp Nano in-print lithography used under room temperature using sog
US20040063334A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-01 Lee Hong Hie Method for forming a mask pattern
JP2006344972A (en) * 2005-06-07 2006-12-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd Soft mold, manufacturing method therefor, and patterning method using the manufacturing method
JP2013219334A (en) * 2012-03-16 2013-10-24 Jx Nippon Oil & Energy Corp Method for manufacturing substrate using film-like mold, and manufacturing device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100609A (en) * 2001-09-26 2003-04-04 Japan Science & Technology Corp Nano in-print lithography used under room temperature using sog
US20040063334A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-01 Lee Hong Hie Method for forming a mask pattern
JP2006344972A (en) * 2005-06-07 2006-12-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd Soft mold, manufacturing method therefor, and patterning method using the manufacturing method
JP2013219334A (en) * 2012-03-16 2013-10-24 Jx Nippon Oil & Energy Corp Method for manufacturing substrate using film-like mold, and manufacturing device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019145786A (en) * 2018-02-19 2019-08-29 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, planarization layer forming apparatus, forming apparatus, control method, and article manufacturing method
JP7241548B2 (en) 2018-02-19 2023-03-17 キヤノン株式会社 Imprinting apparatus, planarization layer forming apparatus, forming apparatus, control method, and article manufacturing method
WO2023162519A1 (en) * 2022-02-28 2023-08-31 キヤノン株式会社 Pattern forming method and method for producing article

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