JP2013211649A - 固体撮像素子および駆動方法、並びに、電子機器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 67
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 31
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 18
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
【解決手段】予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、画素領域の画素行に対応して設けられ、画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線と、画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、垂直信号線を介して画素行毎に読み出し、その後、画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、垂直信号線を介して画素行毎に読み出すようにトリガ線を介してトリガパルスを供給するトリガパルス供給部とを備える。
【選択図】図4
Description
予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、
前記画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、
前記画素領域の画素行に対応して設けられ、前記画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線と、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給するトリガパルス供給部と
を備える固体撮像素子。
(2)
前記所定の色は、前記画素の色に応じて定まるノイズ特性に基づいて決められる
(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記トリガパルス供給部は、
前記画素領域における赤色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における緑色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における青色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記読み出された信号電圧をデジタルデータに変換するデータ変換部をさらに備え、
前記画素領域の画素列に対応して複数の垂直信号線が設けられ、前記複数の垂直信号のそれぞれを介して読み出される信号電圧がそれぞれ別のデータ変換部に供給される
(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記トリガパルス供給部は、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に2行ずつ読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎2行ずつ読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記トリガパルス供給部は、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記画素領域の中央に位置する画素行から順番に前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記画素領域の中央に位置する画素行から順番に前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、
前記画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、
前記画素領域の画素行に対応して設けられ、前記画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線とを有し、
トリガパルス供給部が、前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
駆動方法。
(8)
予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、
前記画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、
前記画素領域の画素行に対応して設けられ、前記画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線と、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給するトリガパルス供給部とを有する固体撮像素子を備える
電子機器。
Claims (8)
- 予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、
前記画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、
前記画素領域の画素行に対応して設けられ、前記画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線と、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給するトリガパルス供給部と
を備える固体撮像素子。 - 前記所定の色は、前記画素の色に応じて定まるノイズ特性に基づいて決められる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記トリガパルス供給部は、
前記画素領域における赤色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における緑色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における青色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記読み出された信号電圧をデジタルデータに変換するデータ変換部をさらに備え、
前記画素領域の画素列に対応して複数の垂直信号線が設けられ、前記複数の垂直信号のそれぞれを介して読み出される信号電圧がそれぞれ別のデータ変換部に供給される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記トリガパルス供給部は、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に2行ずつ読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎2行ずつ読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記トリガパルス供給部は、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記画素領域の中央に位置する画素行から順番に前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記画素領域の中央に位置する画素行から順番に前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、
前記画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、
前記画素領域の画素行に対応して設けられ、前記画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線とを有し、
トリガパルス供給部が、前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給する
駆動方法。 - 予め定められた複数の色の画素であって、複数の画素が2次元の行列状に配置された画素領域と、
前記画素領域の画素列に対応して設けられた垂直信号線と、
前記画素領域の画素行に対応して設けられ、前記画素の色のそれぞれに対応するトリガパルスを供給するトリガ線と、
前記画素領域における所定の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出し、その後、前記画素領域における他の色の画素のそれぞれの信号電圧を、前記垂直信号線を介して前記画素行毎に読み出すように前記トリガ線を介して前記トリガパルスを供給するトリガパルス供給部とを有する固体撮像素子を備える
電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012079578A JP6120042B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに、電子機器 |
US13/828,368 US9385154B2 (en) | 2012-03-30 | 2013-03-14 | Solid-state image sensor, driving method and electronic apparatus |
CN201310092957.9A CN103369262B (zh) | 2012-03-30 | 2013-03-22 | 固态图像传感器、驱动方法和电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012079578A JP6120042B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに、電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017069798A Division JP6439996B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 固体撮像素子、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211649A true JP2013211649A (ja) | 2013-10-10 |
JP6120042B2 JP6120042B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=49234493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012079578A Expired - Fee Related JP6120042B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに、電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9385154B2 (ja) |
JP (1) | JP6120042B2 (ja) |
CN (1) | CN103369262B (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103369262A (zh) | 2013-10-23 |
CN103369262B (zh) | 2018-02-16 |
US20130258156A1 (en) | 2013-10-03 |
US9385154B2 (en) | 2016-07-05 |
JP6120042B2 (ja) | 2017-04-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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