JP2013211532A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単極性トランジスタによって構成された新規な回路構成のリングオシレータまたはインバータチェーンを提供する。また、単極性トランジスタによって構成されたリングオシレータまたはインバータチェーンであって、複数の前記単極性トランジスタは積層して設けられており、一部のトランジスタでは、等しい電位となる電極を重畳された複数のトランジスタ間で共有する半導体装置を提供する。単極性トランジスタは、例えば酸化物半導体により形成することができる。
【選択図】図1
Description
102 第1の回路
104 第2の回路
106 第3の回路
108 第1のトランジスタ
110 第2のトランジスタ
112 第3のトランジスタ
114 第4のトランジスタ
116 第5のトランジスタ
118 第6のトランジスタ
120 第7のトランジスタ
122 第8のトランジスタ
124 第9のトランジスタ
126 第10のトランジスタ
128 第1の配線
130 第2の配線
132 第3の配線
140 コンタクトホール
142 コンタクトホール
144 コンタクトホール
146 コンタクトホール
148 コンタクトホール
150 コンタクトホール
152 コンタクトホール
154 コンタクトホール
156 コンタクトホール
158 コンタクトホール
160 コンタクトホール
162 コンタクトホール
164 コンタクトホール
166 コンタクトホール
168 コンタクトホール
170 コンタクトホール
172 コンタクトホール
174 コンタクトホール
176 コンタクトホール
178 コンタクトホール
190 コンタクトホール
192 コンタクトホール
194 コンタクトホール
196 コンタクトホール
198 コンタクトホール
200 コンタクトホール
202 コンタクトホール
204 コンタクトホール
206 コンタクトホール
208 コンタクトホール
210 コンタクトホール
212 コンタクトホール
214 コンタクトホール
216 コンタクトホール
218 コンタクトホール
220 コンタクトホール
222 コンタクトホール
300 基板
302 下地膜
304 酸化物半導体膜
306 第1の導電膜
308 第1のゲート絶縁膜
310 第2の導電膜
312 絶縁膜
314 第2の導電膜
316 絶縁膜
318 第2のゲート絶縁膜
Claims (10)
- 第1のゲートと第2のゲートが絶縁層を介して半導体層を挟持した複数のトランジスタを有し、
第4m−1のトランジスタ(mは1以上の自然数)及び第4m−3のトランジスタのソース及びドレインの一方は高電位電源線に電気的に接続され、
第4mのトランジスタ及び第4m−2のトランジスタのソース及びドレインの一方は低電位電源線に電気的に接続され、
前記第4m−3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第4m−2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第4m−1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第4mのトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第4m−3のトランジスタの第1のゲート及び前記第4m−1のトランジスタの第2のゲートは、第1の配線に電気的に接続され、
前記第4m−3のトランジスタの第2のゲート及び前記第4m−1のトランジスタの第1のゲートは、第2の配線に電気的に接続され、
前記第4m−2のトランジスタの第2のゲート及び前記第4mのトランジスタの第1のゲートは、第3の配線に電気的に接続され、
前記第4mのトランジスタの第2のゲートは、前記第4m−3のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。 - 前記第4m−3のトランジスタの前記第2のゲートが、前記第4m−1のトランジスタの前記第1のゲートを兼ね、
前記第4mのトランジスタが最後段でない場合には、前記第4mのトランジスタの前記第1のゲートまたは前記第2のゲートは、前記第4m−2のトランジスタの前記第2のゲートまたは第4m+2のトランジスタの第1のゲートを兼ね、
前記第4m−3のトランジスタの前記第1のゲートと前記第4m−2のトランジスタの第1のゲートは同一の層であり、
前記第4m−1のトランジスタの前記第1のゲートと前記第4mのトランジスタの前記第1のゲートは同一の層である請求項1に記載の半導体装置。 - 第1のゲートと第2のゲートが絶縁層を介して半導体層を挟持した4l+2個(lは1以上の自然数)のトランジスタを有し、
第2m−1(mは1以上の自然数)のトランジスタのソース及びドレインの一方は高電位電源線に電気的に接続され、
第2mのトランジスタのソース及びドレインの一方は低電位電源線に電気的に接続され、
前記第2m−1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2mのトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第2m−1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2mのトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
第4n−3(nは1以上の自然数)のトランジスタの第1のゲート及び第4n−1のトランジスタの第2のゲートは、第1の配線に電気的に接続され、
前記第4n−3のトランジスタの第2のゲート及び前記第4n−1のトランジスタの第1のゲートは、第2の配線に電気的に接続され、
第4n−2のトランジスタの第2のゲート及び第4nのトランジスタの第1のゲートは、第3の配線に電気的に接続され、
第2のトランジスタの第1のゲートは、第4l+1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4nのトランジスタの第2のゲートは、前記第4n−3のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。 - 前記第4n−3のトランジスタの前記第2のゲートが、前記第4n−1のトランジスタの前記第1のゲートを兼ね、
前記第4nのトランジスタが第4l+2のトランジスタでない場合には、前記第4nのトランジスタの前記第1のゲートまたは前記第2のゲートは、前記第4n−2のトランジスタの前記第2のゲートまたは第4n+2のトランジスタの第1のゲートを兼ね、
前記第4n−3のトランジスタの前記第1のゲートと前記第4n−2のトランジスタの第1のゲートは同一の層であり、
前記第4n−1のトランジスタの前記第1のゲートと前記第4nのトランジスタの前記第1のゲートは同一の層である請求項3に記載の半導体装置。 - 第1のゲートと第2のゲートが絶縁層を介して半導体層を挟持した第1のトランジスタ乃至第10のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、第5のトランジスタ、第7のトランジスタ、及び第9のトランジスタのソース及びドレインの一方は高電位電源線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタ、第4のトランジスタ、第6のトランジスタ、第8のトランジスタ、及び第10のトランジスタのソース及びドレインの一方は低電位電源線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第8のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第9のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第10のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1のゲート、前記第3のトランジスタの第2のゲート、前記第5のトランジスタの第1のゲート、前記第7のトランジスタの第2のゲート、及び前記第9のトランジスタの第1のゲートは、第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2のゲート、前記第3のトランジスタの第1のゲート、前記第5のトランジスタの第2のゲート、前記第7のトランジスタの第1のゲート、及び前記第9のトランジスタの第2のゲートは、第2の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2のゲート、前記第4のトランジスタの第1のゲート、前記第6のトランジスタの第2のゲート、前記第8のトランジスタの第1のゲート、及び前記第10のトランジスタの第2のゲートは、第3の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1のゲートは、前記第9のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第2のゲートは、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第1のゲートは、前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタの第2のゲートは、前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第10のトランジスタの第1のゲートは、前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。 - 前記第1のトランジスタの前記第2のゲートが、前記第3のトランジスタの前記第1のゲートを兼ね、
前記第3のトランジスタの前記第2のゲートが、前記第5のトランジスタの前記第1のゲートを兼ね、
前記第5のトランジスタの前記第2のゲートが、前記第7のトランジスタの前記第1のゲートを兼ね、
前記第7のトランジスタの前記第2のゲートが、前記第9のトランジスタの前記第1のゲートを兼ね、
前記第1のトランジスタの前記第1のゲートと前記第2のトランジスタの前記第1のゲートは同一の層であり、
前記第3のトランジスタの前記第1のゲートと前記第4のトランジスタの前記第1のゲートは同一の層であり、
前記第5のトランジスタの前記第1のゲートと前記第6のトランジスタの前記第1のゲートは同一の層であり、
前記第7のトランジスタの前記第1のゲートと前記第8のトランジスタの前記第1のゲートは同一の層であり、
前記第9のトランジスタの前記第1のゲートと前記第10のトランジスタの前記第1のゲートは同一の層である請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、第5のトランジスタ、第7のトランジスタ、及び第9のトランジスタがすべて重畳し、
前記第2のトランジスタと前記第4のトランジスタが重畳し、
前記第6のトランジスタと前記第8のトランジスタが重畳することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、第5のトランジスタ、第7のトランジスタ、及び第9のトランジスタがすべて重畳し、
前記第4のトランジスタと前記第6のトランジスタが重畳し、
前記第8のトランジスタと前記第10のトランジスタが重畳することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランジスタ乃至第10のトランジスタが同一の極性であることを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第1乃至第10のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層であることを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれか一に記載の半導体装置。
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JPS6041250A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-04 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPS63102264A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Nissan Motor Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
JP2011192979A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011258939A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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