JP2013205487A - Manufacturing method for thin film element substrate and display panel - Google Patents
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本発明は、薄膜素子基板及び表示パネルの製造方法に関し、特に、薄厚のガラス基板を用いた薄型の薄膜素子基板及び表示パネルの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a thin film element substrate and a display panel, and more particularly to a method for manufacturing a thin film element substrate and a display panel using a thin glass substrate.
液晶表示パネルは、例えば、互いに対向するように薄膜素子基板としてそれぞれ設けられたTFT(Thin Film Transistor)基板及びCF(Color Filter)基板と、それらの両基板の間に設けられた液晶層とを備えている。ここで、携帯電話機などのモバイル用途の液晶表示パネルでは、例えば、TFT基板やCF基板などの薄膜素子基板の薄型化、及びそれによる軽量化が強く要望されている。 A liquid crystal display panel includes, for example, a TFT (Thin Film Transistor) substrate and a CF (Color Filter) substrate provided as thin film element substrates so as to face each other, and a liquid crystal layer provided between the two substrates. I have. Here, in a liquid crystal display panel for mobile use such as a mobile phone, for example, thinning of a thin film element substrate such as a TFT substrate and a CF substrate and weight reduction are strongly demanded.
薄型の液晶表示パネルを製造する方法としては、例えば、厚さ0.7mm程度の一対のガラス基板を用いてTFT基板及びCF基板をそれぞれ作製して、厚さ1.4mm程度の液晶表示パネルを作製した後に、TFT基板及びCF基板を構成する各ガラス基板をエッチングにより薄板化する製造方法がよく知られている。 As a method of manufacturing a thin liquid crystal display panel, for example, a TFT substrate and a CF substrate are produced using a pair of glass substrates having a thickness of about 0.7 mm, and a liquid crystal display panel having a thickness of about 1.4 mm is obtained. A manufacturing method in which each glass substrate constituting the TFT substrate and the CF substrate is thinned by etching after the production is well known.
また、薄型の液晶表示パネルを製造する方法として、例えば、相対的に厚いガラス製の支持基板上に相対的に薄いガラス製の被成膜基板を固定して、被成膜基板上に薄膜デバイスなどを形成した後に、支持基板及び被成膜基板を分離する製造方法が提案されている(例えば、特許文献1及び2参照)。 Further, as a method of manufacturing a thin liquid crystal display panel, for example, a relatively thin glass substrate is fixed on a relatively thick glass support substrate, and a thin film device is formed on the substrate. A manufacturing method for separating the supporting substrate and the deposition target substrate after forming the substrate has been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
ところで、上記特許文献1には、相対的に薄いガラス基板上に相対的に厚いガラス基板を配置し、2枚のガラス基板の外周部をレーザー光の照射により融合させる第1の製造方法と、相対的に薄いガラス基板上にスペーサを介して相対的に厚いガラス基板を配置し、2枚のガラス基板の外周部をレーザー光の照射により融合させる第2の製造方法とが開示されている。しかしながら、上記第1の製造方法では、融合させた2枚のガラス基板において、外周部よりも内側の内側部でも互いに密着する部分ができ、その部分に極めて強い密着力が生じるので、2枚のガラス基板を互いに分離することができなくなるおそれがある。また、上記第2の製造方法では、例えば、相対的に薄いガラス基板がその厚さに起因して撓み難い場合、スペーサにより離間された2枚のガラス基板の外周部において、相対的に薄いガラス基板の外周部が変形して相対的に厚いガラス基板の外周部に接触するまで融合させる必要があるので、冷却時に発生する局所的なストレスにより、ガラス基板が破損するおそれがあり、2枚のガラス基板の外周部での接合において、改善の余地がある。 By the way, in the said patent document 1, the 1st manufacturing method which arrange | positions a relatively thick glass substrate on a relatively thin glass substrate, and fuse | melts the outer peripheral part of two glass substrates by irradiation of a laser beam, A second manufacturing method is disclosed in which a relatively thick glass substrate is disposed on a relatively thin glass substrate via a spacer, and the outer peripheral portions of the two glass substrates are fused by laser light irradiation. However, in the first manufacturing method, in the fused two glass substrates, there is a portion that adheres to each other even on the inner side of the outer peripheral portion, and an extremely strong adhesion force is generated in that portion. There is a possibility that the glass substrates cannot be separated from each other. In the second manufacturing method, for example, when a relatively thin glass substrate is difficult to bend due to its thickness, a relatively thin glass is formed at the outer peripheral portion of the two glass substrates separated by the spacer. Since it is necessary to fuse until the outer peripheral portion of the substrate is deformed and comes into contact with the outer peripheral portion of the relatively thick glass substrate, there is a possibility that the glass substrate may be damaged due to local stress generated during cooling. There is room for improvement in bonding at the outer periphery of the glass substrate.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることにある。 The present invention has been made in view of the above points, and the object of the present invention is to facilitate the bonding at the outer peripheral portion and the separation at the inner portion of the glass support substrate and the film formation substrate. It is in.
上記目的を達成するために、本発明は、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面において、外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、内側部での接触面積を抑制するようにしたものである。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention makes direct or indirect surface contact at the outer peripheral part and suppresses the contact area at the inner part at the interface between the support substrate of the glass bonded body and the film formation substrate. It is what I did.
具体的に本発明に係る薄膜素子基板の製造方法は、相対的に厚いガラス製の支持基板、及び相対的に薄いガラス製の被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、ガラス接合体を形成する接合工程と、上記接合工程で形成されたガラス接合体の上記被成膜基板の外周部の内側の表面に薄膜素子を形成する薄膜素子形成工程と、上記薄膜素子形成工程で薄膜素子が形成されたガラス接合体の外周部を切断することにより、該ガラス接合体から上記薄膜素子が形成された被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備え、上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、該外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するように、上記ガラス接合体を形成する。 Specifically, in the method for manufacturing a thin film element substrate according to the present invention, a glass substrate is bonded by bonding a relatively thick glass support substrate and a relatively thin glass film formation substrate at the outer periphery of each other. A thin film element forming step of forming a thin film element on the inner surface of the outer peripheral portion of the deposition target substrate of the glass bonded body formed in the bonding step, and a thin film in the thin film element forming step Separating the portion of the film formation substrate on which the thin film element is formed from the glass bonded body by cutting the outer periphery of the glass bonded body on which the element is formed, and in the bonding process, At the interface between the support substrate and the film formation substrate, the glass joined body is directly or indirectly brought into surface contact with the outer peripheral portion and the contact area at the inner portion inside the outer peripheral portion is suppressed. Form.
上記の方法によれば、相対的に厚いガラス製の支持基板と、相対的に薄いガラス製の被成膜基板とを互いの外周部で接合する接合工程では、支持基板及び被成膜基板の界面における外周部で直接的又は間接的に面接触するようにガラス接合体を形成するので、外周部で面接触している支持基板及び被成膜基板の端面部に、例えば、レーザー光を照射して、端面部を少し溶融させるだけで、支持基板及び被成膜基板が接合することになり、支持基板及び被成膜基板の外周部での接合が容易になる。また、接合工程では、支持基板及び被成膜基板の界面において、外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するようにガラス接合体を形成するので、その後の薄膜素子形成工程でガラス接合体の被成膜基板の表面に薄膜素子を形成する際に、ガラス接合体が内側部で密着しても、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面における内側部での固着が抑制される。そのため、分離工程において、ガラス接合体の外周部を切断することにより、ガラス接合体から薄膜素子が形成された被成膜基板の部分が容易に分離されるので、被成膜基板、すなわち、薄厚のガラス基板を用いて、薄型の薄膜素子基板が確実に製造される。したがって、薄型の薄膜素子基板の製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることが可能になる。 According to the above method, in the bonding step of bonding the relatively thick glass support substrate and the relatively thin glass film formation substrate at the outer periphery of each other, the support substrate and the film formation substrate Since the glass bonded body is formed so as to be in direct or indirect surface contact at the outer peripheral portion at the interface, for example, laser light is irradiated to the end surface portion of the supporting substrate and the deposition target substrate that are in surface contact with the outer peripheral portion. Then, the support substrate and the film formation substrate are joined by slightly melting the end surface portion, and the joining at the outer peripheral portion of the support substrate and the film formation substrate becomes easy. Further, in the bonding process, the glass bonded body is formed so as to suppress the contact area in the inner part inside the outer peripheral part at the interface between the support substrate and the deposition target substrate. When the thin film element is formed on the surface of the substrate on which the bonded body is formed, even if the glass bonded body is in close contact with the inner side, the glass bonded body is fixed at the inner side at the interface between the support substrate and the target substrate. It is suppressed. Therefore, in the separation step, by cutting the outer peripheral portion of the glass bonded body, the portion of the film forming substrate on which the thin film element is formed is easily separated from the glass bonded body. A thin thin film element substrate is reliably manufactured using the glass substrate. Therefore, in the method for manufacturing a thin thin film element substrate, it is possible to facilitate the bonding at the outer peripheral portion and the separation at the inner portion in the glass support substrate and the deposition target substrate.
上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記内側部の一方の表面が粗面になるように、上記ガラス接合体を形成してもよい。 In the bonding step, the glass bonded body may be formed so that one surface of the inner portion is a rough surface at the interface between the support substrate and the deposition target substrate.
上記の方法によれば、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面において、内側部の一方の表面が粗面(例えば、算術平均粗さRaが5nm以上)になるので、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面において、内側部での接触面積が具体的に抑制される。ここで、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面における外周部では、第2支持基板及び第2被成膜基板の表面同士が直接的に面接触していても、間接的に面接触していてもよい。 According to the above method, since one surface of the inner part is a rough surface (for example, arithmetic average roughness Ra is 5 nm or more) at the interface between the support substrate and the film formation substrate of the glass bonded body, At the interface between the supporting substrate and the film formation substrate, the contact area on the inner side is specifically suppressed. Here, even if the surfaces of the second support substrate and the second film formation substrate are in direct surface contact with each other at the outer peripheral portion at the interface between the support substrate and the film formation substrate of the glass bonded body, the surface indirectly It may be in contact.
上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記外周部にガラス製のテープ材を配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。 In the bonding step, the glass bonded body may be formed so that a glass tape material is disposed on the outer peripheral portion at the interface between the support substrate and the deposition target substrate.
上記の方法によれば、ガラス接合体を形成する際に、支持基板及び被成膜基板の界面において、外周部にガラス製のテープ材を配置するので、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面における外周部では、支持基板及び被成膜基板の表面同士がテープ材を介して間接的に面接触することになる。 According to the above method, when the glass bonded body is formed, the glass tape material is disposed on the outer peripheral portion at the interface between the supporting substrate and the film forming substrate. In the outer peripheral portion at the interface of the substrate, the surfaces of the support substrate and the deposition target substrate are indirectly in surface contact with each other through the tape material.
上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記内側部に、各々、上記支持基板及び被成膜基板の間隔を保持するための複数のスペーサを配置し、上記外周部にガラス製のテープ材を配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。 In the bonding step, a plurality of spacers for maintaining the distance between the support substrate and the film formation substrate are disposed on the inner side at the interface between the support substrate and the film formation substrate, respectively, and the outer peripheral portion is provided with the spacer. You may form the said glass joined body so that a glass-made tape material may be arrange | positioned.
上記の方法によれば、ガラス接合体を形成する際に、支持基板及び被成膜基板の界面において、内側部に複数のスペーサを配置し、外周部にガラス製のテープ材を配置するので、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面において、内側部での接触面積が具体的に抑制されると共に、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面における外周部では、支持基板及び被成膜基板の表面同士がテープ材を介して間接的に面接触することになる。 According to the above method, when forming the glass joined body, at the interface between the support substrate and the deposition target substrate, a plurality of spacers are disposed on the inner side, and a glass tape material is disposed on the outer peripheral portion. At the interface between the support substrate of the glass bonded body and the film formation substrate, the contact area at the inner side is specifically suppressed, and at the outer periphery of the interface between the support substrate of the glass bonded body and the film formation substrate, the support substrate In addition, the surfaces of the deposition target substrates are indirectly in surface contact with each other through the tape material.
上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置すると共に、上記テープ材の外周端が上記被成膜基板の周端と上記支持基板の周端との間に配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。 In the bonding step, the peripheral edge of the film formation substrate is disposed inside the peripheral edge of the support substrate, and the outer peripheral edge of the tape material is the peripheral edge of the film formation substrate and the peripheral edge of the support substrate. You may form the said glass joined body so that it may arrange | position between.
上記の方法によれば、ガラス接合体を形成する際に、テープ材の外周端を被成膜基板の周端と支持基板の周端との間に配置させるので、支持基板とテープ材との界面、及びテープ材と被成膜基板との界面にレーザー光を照射し易くなり、支持基板及び被成膜基板が効率よく接合される。 According to the above method, when the glass joined body is formed, the outer peripheral end of the tape material is disposed between the peripheral end of the film formation substrate and the peripheral end of the support substrate. Laser light is easily irradiated to the interface and the interface between the tape material and the film formation substrate, and the support substrate and the film formation substrate are efficiently bonded.
上記接合工程では、減圧雰囲気下において、上記支持基板及び被成膜基板を互いの外周部で接合してもよい。 In the bonding step, the support substrate and the deposition target substrate may be bonded to each other at a peripheral portion in a reduced pressure atmosphere.
上記の方法によれば、減圧雰囲気下において、支持基板及び被成膜基板を互いの外周部で接合して、ガラス接合体を形成するので、支持基板及び被成膜基板の界面において、空気層が形成され難くなり、真空や高温下でのガラス接合体の破損が抑制される。 According to the above method, the support substrate and the film formation substrate are bonded to each other at the outer periphery in a reduced-pressure atmosphere to form a glass bonded body. Therefore, an air layer is formed at the interface between the support substrate and the film formation substrate. Is difficult to be formed, and breakage of the glass joined body under vacuum or high temperature is suppressed.
上記被成膜基板は、厚さ方向に沿う断面形状における上記支持基板側の角部が直角になっており、上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。 In the film formation substrate, the corner on the support substrate side in the cross-sectional shape along the thickness direction is a right angle, and in the bonding step, the peripheral edge of the film formation substrate is more than the peripheral edge of the support substrate. The glass joined body may be formed so as to be disposed on the inner side.
上記の方法によれば、被成膜基板の厚さ方向に沿う断面形状における支持基板側の角部が直角であり、ガラス接合体を形成する際に、被成膜基板の周端が支持基板の周端よりも内側に配置するので、支持基板と被成膜基板との界面部分に隙間が形成され難くなり、その界面部分に、例えば、レーザー光が不要な反射や吸収を抑制して確実に照射され、支持基板及び被成膜基板が容易に接合される。 According to the above method, the corners on the support substrate side in the cross-sectional shape along the thickness direction of the film formation substrate are right angles, and when forming the glass joined body, the peripheral edge of the film formation substrate is the support substrate. Since the gap is difficult to form at the interface between the support substrate and the substrate to be deposited, for example, the laser beam can be reliably suppressed by suppressing unnecessary reflection and absorption at the interface. The support substrate and the deposition target substrate are easily bonded.
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、相対的に厚いガラス製の第1支持基板、及び相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第1ガラス接合体を形成する第1接合工程と、上記第1接合工程で形成された第1ガラス接合体の上記第1被成膜基板の外周部の内側の表面に第1薄膜素子を形成する第1薄膜素子形成工程と、相対的に厚いガラス製の第2支持基板、及び相対的に薄いガラス製の第2被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第2ガラス接合体を形成する第2接合工程と、上記第2接合工程で形成された第2ガラス接合体の上記第2被成膜基板の外周部の内側の表面に第2薄膜素子を形成する第2薄膜素子形成工程と、上記第1薄膜素子形成工程で第1薄膜素子が形成された第1ガラス接合体、及び上記第2薄膜素子形成工程で第2薄膜素子が形成された第2ガラス接合体を該第1薄膜素子及び第2薄膜素子が互いに対向するように貼り合わせることにより、貼合体を形成する貼合工程と、上記貼合工程で形成された貼合体における第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体の各外周部を切断することにより、該貼合体から上記第1薄膜素子が形成された第1被成膜基板の部分、及び上記第2薄膜素子が形成された第2被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備え、上記第1接合工程では、上記第1支持基板及び第1被成膜基板の界面において、上記外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、該外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するように、上記第1ガラス接合体を形成し、上記第2接合工程では、上記第2支持基板及び第2被成膜基板の界面において、上記外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、該外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するように、上記第2ガラス接合体を形成する。 Moreover, the manufacturing method of the display panel which concerns on this invention joins the 1st support substrate made from a relatively thick glass, and the 1st film-formation board | substrate made from a relatively thin glass in a mutual outer peripheral part, A first thin film element is formed on the inner surface of the outer peripheral portion of the first deposition target substrate of the first glass bonded body formed in the first bonding process and the first bonding process for forming the first glass bonded body. The second thin film element forming step, the relatively thick glass second supporting substrate, and the relatively thin glass second film-deposited substrate are bonded to each other at the outer peripheral portion thereof, whereby the second glass bonding A second thin film element for forming a second thin film element on the inner surface of the outer peripheral portion of the second deposition target substrate of the second glass bonded body formed in the second bonding step. The first thin film element is formed in the element forming step and the first thin film element forming step. By bonding the glass bonded body and the second glass bonded body on which the second thin film element is formed in the second thin film element forming step so that the first thin film element and the second thin film element face each other, the bonded body The first thin film element is formed from the bonded body by cutting each outer peripheral part of the first glass bonded body and the second glass bonded body in the bonded process formed in the bonded process and the bonded process. A separation step of separating a portion of the first film formation substrate formed and a portion of the second film formation substrate on which the second thin film element is formed, and in the first bonding step, the first support At the interface between the substrate and the first film-deposited substrate, the first glass is in contact with the outer peripheral portion directly or indirectly, and the contact area at the inner portion inside the outer peripheral portion is suppressed. In the second joining step, a joined body is formed. At the interface between the second support substrate and the second film formation substrate, in direct or indirect surface contact with the outer peripheral portion, and so as to suppress the contact area on the inner side inside the outer peripheral portion, The second glass joined body is formed.
上記の方法によれば、相対的に厚いガラス製の第1支持基板と、相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板とを互いの外周部で接合する第1接合工程では、第1支持基板及び第1被成膜基板の界面における外周部で直接的又は間接的に面接触するように第1ガラス接合体を形成するので、外周部で面接触している第1支持基板及び第1被成膜基板の端面部に、例えば、レーザー光を照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第1支持基板及び第1被成膜基板が接合することになり、第1支持基板及び第1被成膜基板の外周部での接合が容易になる。また、第1接合工程では、第1支持基板及び第1被成膜基板の界面において、内側部での接触面積を抑制するように第1ガラス接合体を形成するので、その後の第1薄膜素子形成工程で第1ガラス接合体の第1被成膜基板の表面に第1薄膜素子を形成する際に、第1ガラス接合体が内側部で密着しても、第1ガラス接合体の第1支持基板及び第1被成膜基板の界面における内側部での固着が抑制される。一方、相対的に厚いガラス製の第2支持基板と、相対的に薄いガラス製の第2被成膜基板とを互いの外周部で接合する第2接合工程では、第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における外周部で直接的又は間接的に面接触するように第2ガラス接合体を形成するので、外周部で面接触している第2支持基板及び第2被成膜基板の端面部に、例えば、レーザー光を照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第2支持基板及び第2被成膜基板が接合することになり、第2支持基板及び第2被成膜基板の外周部での接合が容易になる。また、第2接合工程では、第2支持基板及び第2被成膜基板の界面において、内側部での接触面積を抑制するように第2ガラス接合体を形成するので、その後の第2薄膜素子形成工程で第2ガラス接合体の第2被成膜基板の表面に第2薄膜素子を形成する際に、第2ガラス接合体が内側部で密着しても、第2ガラス接合体の第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における内側部での固着が抑制される。そのため、第1薄膜素子が形成された第1ガラス接合体と、第2薄膜素子が形成された第2ガラス接合体とを貼り合わせる貼合工程の後に行う分離工程において、第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体の各外周部を切断することにより、第1ガラス接合体から第1薄膜素子が形成された第1被成膜基板の部分が容易に分離されると共に、第2ガラス接合体から第2薄膜素子が形成された第2被成膜基板の部分が容易に分離されるので、第1被成膜基板及び第2被成膜基板、すなわち、薄厚のガラス基板を用いて、薄型の表示パネルが確実に製造される。したがって、薄型の表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることが可能になる。 According to the above method, in the first bonding step of bonding the relatively thick first support substrate made of glass and the first thin film formation substrate made of glass at the outer periphery of each other, Since the first glass joined body is formed so as to be in direct or indirect surface contact at the outer peripheral portion at the interface between the support substrate and the first deposition target substrate, the first support substrate and the first glass substrate that are in surface contact with the outer peripheral portion For example, the first support substrate and the first film formation substrate are bonded to each other by simply irradiating the end surface portion of the one film formation substrate with laser light and slightly melting the end surface portion. And the joining in the outer peripheral part of a 1st film-forming board | substrate becomes easy. In the first bonding step, the first glass bonded body is formed at the interface between the first support substrate and the first film-formed substrate so as to suppress the contact area at the inner side portion. When the first thin film element is formed on the surface of the first deposition target substrate of the first glass joined body in the forming step, even if the first glass joined body is in close contact with the inner portion, the first glass joined body first Adhesion at the inner side of the interface between the support substrate and the first film formation substrate is suppressed. On the other hand, in the second bonding step of bonding the relatively thick glass-made second support substrate and the relatively thin glass-made second deposition target substrate at the outer peripheral portions of each other, the second support substrate and the second support substrate. Since the second glass joined body is formed so as to be in direct or indirect surface contact with the outer peripheral portion at the interface of the film formation substrate, the second support substrate and the second film formation substrate in surface contact with the outer peripheral portion. For example, the second support substrate and the second film-forming substrate are bonded to each other by simply irradiating the end surface part with a laser beam and slightly melting the end surface part. Bonding at the outer periphery of the film substrate is facilitated. Further, in the second bonding step, the second glass bonded body is formed so as to suppress the contact area on the inner side at the interface between the second support substrate and the second film formation substrate, so that the second thin film element thereafter When the second thin film element is formed on the surface of the second deposition target substrate of the second glass joined body in the forming step, even if the second glass joined body is in close contact with the inner side, the second glass joined body second Adhesion at the inner side of the interface between the support substrate and the second deposition target substrate is suppressed. Therefore, in the separation step performed after the bonding step of bonding the first glass joined body on which the first thin film element is formed and the second glass joined body on which the second thin film element is formed, the first glass joined body and By cutting each outer peripheral portion of the second glass joined body, the portion of the first film-formed substrate on which the first thin film element is formed is easily separated from the first glass joined body, and the second glass joined body Since the portion of the second film formation substrate on which the second thin film element is formed is easily separated from the first film formation substrate and the second film formation substrate, that is, a thin glass substrate is used. The display panel is reliably manufactured. Therefore, in the method for manufacturing a thin display panel, it is possible to facilitate the bonding at the outer peripheral portion and the separation at the inner portion in the glass support substrate and the deposition target substrate.
上記第1接合工程では、上記第1支持基板及び第1被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第1テープ材を配置するように、上記第1ガラス接合体を形成し、上記第2接合工程では、上記第2支持基板及び第2被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第2テープ材を配置すると共に、該第2被成膜基板の大きさが上記第1ガラス接合体の内側部の大きさよりも小さくなるように、上記第2ガラス接合体を形成し、上記貼合工程では、上記第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体を上記第2テープ材の厚さ以上の間隔で貼り合わせてもよい。 In the first bonding step, the first glass bonded body is formed so that the first tape material made of glass is disposed on the outer peripheral portion at the interface between the first supporting substrate and the first film formation substrate. In the second bonding step, a glass-made second tape material is disposed on the outer peripheral portion at the interface between the second support substrate and the second film formation substrate, and the size of the second film formation substrate is the size of the second film formation substrate. 1st glass joined body is formed so that it may become smaller than the size of the inner part of 1 glass joined body, and in the pasting process, the 1st glass joined body and the 2nd glass joined body are made into the 2nd tape material. You may paste together at intervals more than thickness.
上記の方法によれば、第1接合工程では、第1支持基板及び第1被成膜基板の界面における外周部にガラス製の第1テープ材を配置し、第2接合工程では、第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における外周部にガラス製の第2テープ材を配置すると共に、第2被成膜基板の大きさが第1ガラス接合体の内側部の大きさよりも小さくなるように、第2ガラス接合体を形成し、貼合工程では、第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体を第2テープ材の厚さ以上の間隔で貼り合わせるので、第1ガラス接合体の第1被成膜基板の表面に第1テープ材の厚さに起因して形成される表面段差、及び第2ガラス接合体の第2被成膜基板の表面に第2テープ材の厚さに起因して形成される表面段差に影響されることなく、第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体を確実に貼り合わせることが可能になる。 According to the above method, in the first bonding step, the first tape material made of glass is disposed on the outer peripheral portion at the interface between the first support substrate and the first deposition target substrate, and in the second bonding step, the second support is provided. A second tape material made of glass is disposed on the outer peripheral portion at the interface between the substrate and the second film formation substrate, and the size of the second film formation substrate is smaller than the size of the inner side portion of the first glass bonded body. Thus, the second glass joined body is formed, and in the pasting step, the first glass joined body and the second glass joined body are pasted at an interval equal to or greater than the thickness of the second tape material. The surface step formed due to the thickness of the first tape material on the surface of the first film formation substrate, and the thickness of the second tape material on the surface of the second film formation substrate of the second glass joined body. The first glass joined body and the second glass without being affected by the surface step formed due to It is possible to bond ensures conjugate.
本発明によれば、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面において、外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、内側部での接触面積を抑制するので、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることができる。 According to the present invention, at the interface between the support substrate of the glass bonded body and the film formation substrate, surface contact is made directly or indirectly at the outer peripheral portion, and the contact area at the inner portion is suppressed, so that the glass support is provided. Bonding at the outer peripheral portion and separation at the inner portion of the substrate and the deposition target substrate can be facilitated.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments.
《発明の実施形態1》
図1〜図3は、本発明に係る薄膜素子基板及び表示パネルの製造方法の実施形態1を示している。ここで、図1は、本実施形態の液晶表示パネル50の断面図である。また、図2は、液晶表示パネル50を製造するための第1接合工程、第2接合工程及び貼合工程を示す断面図である。具体的に、図2(a)は、第1接合工程で形成される第1ガラス接合体70aの断面図であり、図2(b)は、第2接合工程で形成される第2ガラス接合体80の断面図であり、図2(c)は、貼合工程で形成される貼合体90の断面図である。さらに、図3は、液晶表示パネル50を製造するための第1接合工程の変形例で形成される第1ガラス接合体70bの断面図である。
Embodiment 1 of the Invention
1 to 3 show Embodiment 1 of a method for manufacturing a thin film element substrate and a display panel according to the present invention. Here, FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment. Moreover, FIG. 2 is sectional drawing which shows the 1st joining process for manufacturing the liquid crystal display panel 50, a 2nd joining process, and a bonding process. Specifically, FIG. 2A is a cross-sectional view of the first glass bonded
液晶表示パネル50は、図1に示すように、互いに対向するように薄膜素子基板としてそれぞれ設けられたTFT基板20及びCF基板40と、TFT基板20及びCF基板40の間に設けられた液晶層45と、TFT基板20及びCF基板40を互いに接着すると共に、TFT基板20及びCF基板40の間に液晶層45を封入するために設けられたシール材46(図2(c)参照)とを備えている。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display panel 50 includes a
TFT基板20は、図1に示すように、薄厚(例えば、0.05mm程度)のガラス基板10aと、ガラス基板10a上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、各ゲート線を覆うように設けられたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上に各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、各ゲート線及び各ソース線の交差部分毎、すなわち、画像の最小単位である各副画素毎にそれぞれ設けられた複数のTFT5と、各TFT5を覆うように設けられた層間絶縁膜15と、層間絶縁膜15上にマトリクス状に設けられ、各TFT5にそれぞれ接続された複数の画素電極16と、各画素電極16を覆うように設けられた配向膜(不図示)とを備えている。
As shown in FIG. 1, the
TFT5は、図1に示すように、ガラス基板10a上に設けられたゲート電極11と、ゲート電極11を覆うように設けられたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上にゲート電極11に重なるように島状に設けられた半導体層13と、半導体層13上に互いに離間するように設けられたソース電極14a及びドレイン電極14bとを備えている。
As shown in FIG. 1, the
ゲート電極11は、上記ゲート線の各副画素毎の一部又は側方への突出部である。
The
半導体層13は、例えば、チャネル領域を有する真性アモルファスシリコン層(不図示)と、チャネル領域が露出するように真性アモルファスシリコン層上に設けられ、ソース電極14a及びドレイン電極14bにそれぞれ接続されたn+アモルファスシリコン層(不図示)とを備えている。
The
ソース電極14aは、上記ソース線の各副画素毎の一部又は側方への突出部である。
The
ドレイン電極14bは、層間絶縁膜15に形成されたコンタクトホール(不図示)を介して画素電極16に接続されている。
The
上記構成のTFT基板20では、図1に示すように、上述したゲート電極11、ゲート絶縁膜12、半導体層13、ソース電極14a、ドレイン電極14b、層間絶縁膜15及び画素電極16などを備えたTFTアレイ層17がガラス基板10a上に薄膜素子として設けられている。
As shown in FIG. 1, the
対向基板40は、図1に示すように、薄厚(例えば、0.05mm程度)のガラス基板30aと、ガラス基板30a上に格子状に設けられたブラックマトリクス31と、ブラックマトリクス31の各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層32と、ブラックマトリクス31及び各着色層32を覆うように設けられた共通電極33と、共通電極33上に高さ5μm程度に柱状に設けられた複数のフォトスペーサ(不図示)と、共通電極33及び各フォトスペーサを覆うように設けられた配向膜(不図示)とを備えている。そして、対向基板40では、図1に示すように、上述したブラックマトリクス31、着色層32及び共通電極33などを備えたカラーフィルター層34がガラス基板30a上に薄膜素子として設けられている。
As shown in FIG. 1, the
液晶層45は、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
The
上記構成の液晶表示パネル50は、アクティブマトリクス基板20上の各画素電極16と対向基板40上の共通電極33との間に配置する液晶層45に各副画素毎に所定の電圧を印加して液晶層45の配向状態を変えることにより、例えば、バックライトからの光の透過率を各副画素に調整して、画像表示を行うように構成されている。
The liquid crystal display panel 50 configured as described above applies a predetermined voltage for each sub-pixel to the
次に、本実施形態の液晶表示パネル50の製造方法について、図2を用いて一例を挙げて説明する。ここで、本実施形態の液晶表示パネル50の製造方法は、第1接合工程、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備える。なお、図2(c)では、第1被成膜基板10の表面に形成されたTFTアレイ層17、及び第2被成膜基板30の表面に形成されたカラーフィルター層34をそれぞれ省略して、貼合体90を図示している。
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment will be described with reference to FIG. Here, the manufacturing method of the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment includes a first bonding step, a first thin film element forming step, a second bonding step, a second thin film element forming step, a bonding step, and a separation step. In FIG. 2C, the
<第1接合工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスのガラス基板の外周部Fよりも内側の内側部Cの表面に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、内側部Cの表面を算術平均粗さRaが5nm以上になるように粗面化して、第1支持基板61a(図2(a)参照)を形成する。
<First joining step>
First, for example, direct processing such as sand blasting or embossing on the surface of the inner portion C inside the outer peripheral portion F of the non-alkali glass glass substrate having a thickness of about 0.7 mm, or a fine resist By performing indirect processing such as etching using a pattern, the surface of the inner portion C is roughened so that the arithmetic average roughness Ra is 5 nm or more, and the
続いて、第1支持基板61aの外周部Fに、例えば、厚さ5μm程度、幅3mm程度の無アルカリガラスの第1テープ材62a(図2(a)参照)を配置する。ここで、第1テープ材62aの厚さとしては、5μm〜50μm程度が好ましい。
Subsequently, a non-alkali glass
さらに、図2(a)に示すように、第1テープ材62aが配置された第1支持基板61a上に、例えば、厚さ0.05mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1被成膜基板10を配置した後に、第1支持基板61aと第1テープ材62aとの界面、及び第1テープ材62aと第1被成膜基板10との界面に対して、減圧雰囲気(例えば、0.1Pa程度)下でレーザー光Lをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10を互いの外周部Fで全周に亘って接合することにより、第1ガラス接合体70aを形成する。なお、外周部Fでの接合は、全周に亘って行われることが好ましいが、第1支持基板61aと第1テープ材62aとの界面、及び第1テープ材62aと第1被成膜基板10との界面において、それぞれの表面が十分な平坦性を有している場合には、それらの表面を密着させることにより、第1薄膜素子形成工程での薬液などの浸入を防ぐことができるので、外周部Fでの接合は、部分的に行われてもよい。また、第1被成膜基板10の厚さとしては、0.03mm〜0.1mm程度が好ましい。ここで、第1ガラス接合体70aは、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面において、第1テープ材62aにより外周部Fで間接的に面接触すると共に、第1支持基板61aの粗面により内側部Cでの接触面積を抑制するように構成されている。また、本実施形態では、図2(a)に示すように、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の各外周部Fがそれらの界面で第1テープ材62aを介して間接的に面接触された第1ガラス接合体70aを例示したが、図3に示すように、第1テープ材62aが省略されて、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の各外周部Fがそれらの界面で直接的に面接触された第1ガラス接合体70bであってもよい。
Further, as shown in FIG. 2A, on the
<第1薄膜素子形成工程>
上記第1接合工程で形成された第1ガラス接合体70aの第1被成膜基板10の外周部Fの内側の表面に、周知の方法を用いて、ゲート電極11、ゲート絶縁膜12、半導体層13、ソース電極14a、ドレイン電極14b、層間絶縁膜15及び画素電極16などを形成して、TFTアレイ層17を形成する。
<First thin film element forming step>
The
<第2接合工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスのガラス基板の外周部Fよりも内側の内側部Cの表面に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、内側部Cの表面を算術平均粗さRaが5nm以上になるように粗面化して、第2支持基板71(図2(b)参照)を形成する。
<Second joining step>
First, for example, direct processing such as sand blasting or embossing on the surface of the inner portion C inside the outer peripheral portion F of the non-alkali glass glass substrate having a thickness of about 0.7 mm, or a fine resist By performing indirect processing such as etching using a pattern, the surface of the inner portion C is roughened so that the arithmetic average roughness Ra is 5 nm or more, and the second support substrate 71 (FIG. 2B). Reference).
続いて、第2支持基板71の外周部Fに、例えば、厚さ5μm程度、幅2mm程度の無アルカリガラスの第2テープ材72(図2(b)参照)を配置する。ここで、第2テープ材72の厚さとしては、5μm〜50μm程度が好ましい。
Subsequently, a non-alkali glass second tape material 72 (see FIG. 2B) having a thickness of about 5 μm and a width of about 2 mm is disposed on the outer peripheral portion F of the
さらに、図2(b)に示すように、第2テープ材72が配置された第2支持基板71上に、例えば、厚さ0.05mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第2被成膜基板30を配置した後に、第2支持基板71と第2テープ材72との界面、及び第2テープ材72と第2被成膜基板30との界面に対して、減圧雰囲気(例えば、0.1Pa程度)下でレーザー光Lをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第2支持基板71及び第2被成膜基板30を互いの外周部Fで全周に亘って接合することにより、第2ガラス接合体80を形成する。なお、外周部Fでの接合は、全周に亘って行われることが好ましいが、第2支持基板71と第2テープ材72との界面、及び第2テープ材72と第2被成膜基板30との界面において、それぞれの表面が十分な平坦性を有している場合には、それらの表面を密着させることにより、第2薄膜素子形成工程での薬液などの浸入を防ぐことができるので、外周部Fでの接合は、部分的に行われてもよい。また、第2被成膜基板30の厚さとしては、0.03mm〜0.1mm程度が好ましい。ここで、第2ガラス接合体80は、第2支持基板71及び第2被成膜基板30の界面において、第2テープ材72により外周部Fで間接的に面接触すると共に、第2支持基板71の粗面により内側部Cでの接触面積を抑制するように構成されている。また、第2ガラス接合体80では、図2(c)に示すように、第2被成膜基板30の平面視での大きさが第1ガラス接合体70aの内側部Cの平面視での大きさよりも小さくなっている。さらに、本実施形態では、図2(b)に示すように、第2支持基板71及び第2被成膜基板30の外周部Fの界面に第2テープ材72が介在する第2ガラス接合体80を例示したが、第1ガラス接合体70bと同様に、第2テープ材72が省略されていてもよい。
Further, as shown in FIG. 2B, on the
<第2薄膜素子形成工程>
上記第2接合工程で形成された第2ガラス接合体80の第2被成膜基板30の外周部Fの内側の表面に、周知の方法を用いて、ブラックマトリクス31、着色層32及び共通電極33などを形成して、カラーフィルター層34を形成する。
<Second thin film element forming step>
The
<貼合工程>
まず、例えば、上記第2薄膜素子形成工程でカラーフィルター層34が形成された第2ガラス接合体80の第2被成膜基板30の表面に、ディスペンサを用いて、シール材46を枠状に描画する。
<Bonding process>
First, for example, a
続いて、例えば、ディスペンサを用いて、シール材46が描画された第2被成膜基板30の表面のシール材46に囲まれた領域に液晶材料(45)を滴下する。
Subsequently, for example, using a dispenser, the liquid crystal material (45) is dropped onto a region surrounded by the sealing
さらに、液晶材料(45)が滴下された第2被成膜基板30を備えた第2ガラス接合体80と、上記第1薄膜素子形成工程でTFTアレイ層17が形成された第1ガラス接合体70aとを減圧下で貼り合わせた後に、大気圧に開放し、シール材46を硬化させることにより、図2(c)に示すように、貼合体90を形成する。
Further, a second glass joined
<分離工程>
上記貼合工程で形成された貼合体90の第1ガラス接合体70a及び第2ガラス接合体80の各表面において、切断線B(図2(c)参照)に沿って、例えば、レーザー光を照射することにより、貼合体90からTFTアレイ層17が形成された第1被成膜基板10の部分(10a)、及びカラーフィルター層34が形成された第2被成膜基板30の部分(30a)を分離する。
<Separation process>
In each surface of the 1st glass joined
以上のようにして、本実施形態のTFT基板20、CF基板40及びそれらを備えた液晶表示パネル50を製造することができる。
As described above, the
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル50の製造方法によれば、相対的に厚いガラス製の第1支持基板61aと、相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板10とを互いの外周部Fで接合する第1接合工程では、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面における外周部Fで直接的又は間接的に面接触するように第1ガラス接合体70a(70b)を形成するので、外周部Fで面接触している第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の端面部に、レーザー光Lを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10が接合することになり、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の外周部Fでの接合を容易にすることができる。また、第1接合工程では、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面において、内側部Cでの接触面積を抑制するように第1ガラス接合体70a(70b)を形成するので、その後の第1薄膜素子形成工程で第1ガラス接合体70a(70b)の第1被成膜基板10の表面にTFTアレイ層17を形成する際に、第1ガラス接合体70a(70b)が内側部Cで密着しても、第1ガラス接合体70a(70b)の第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面における内側部Cでの固着を抑制することができる。一方、相対的に厚いガラス製の第2支持基板71と、相対的に薄いガラス製の第2被成膜基板30とを互いの外周部Fで接合する第2接合工程では、第2支持基板71及び第2被成膜基板30の界面における外周部Fで直接的又は間接的に面接触するように第2ガラス接合体80を形成するので、外周部Fで面接触している第2支持基板71及び第2被成膜基板30の端面部に、レーザー光Lを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第2支持基板71及び第2被成膜基板30が接合することになり、第2支持基板71及び第2被成膜基板30の外周部Fでの接合を容易にすることができる。また、第2接合工程では、第2支持基板71及び第2被成膜基板30の界面において、内側部Cでの接触面積を抑制するように第2ガラス接合体80を形成するので、その後の第2薄膜素子形成工程で第2ガラス接合体80の第2被成膜基板30の表面にカラーフィルター層34を形成する際に、第2ガラス接合体80が内側部Cで密着しても、第2ガラス接合体80の第2支持基板71及び第2被成膜基板30の界面における内側部Cでの固着を抑制することができる。そのため、TFTアレイ層17が形成された第1ガラス接合体70a(70b)と、カラーフィルター層34が形成された第2ガラス接合体80とを貼り合わせる貼合工程の後に行う分離工程において、第1ガラス接合体70a(70b)及び第2ガラス接合体80の各外周部Fを切断することにより、第1ガラス接合体70a(70b)からTFTアレイ層17が形成された第1被成膜基板10の部分を容易に分離することができると共に、第2ガラス接合体80からカラーフィルター層34が形成された第2被成膜基板30の部分を容易に分離することができるので、第1被成膜基板10及び第2被成膜基板30、すなわち、薄厚のガラス基板を用いて、薄型の液晶表示パネル50を確実に製造することができる。したがって、薄型の液晶表示パネル50の製造方法において、ガラス製の第1支持基板61a及び第1被成膜基板10、並びに第2支持基板71及び第2被成膜基板30における外周部Fでの接合と内側部Cでの分離とを容易にすることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment, the
また、本実施形態の液晶表示パネル50の製造方法によれば、第1接合工程では、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面における外周部Fにガラス製の第1テープ材62aを配置し、第2接合工程では、第2支持基板71及び第2被成膜基板30の界面における外周部Fにガラス製の第2テープ材72を配置すると共に、第2被成膜基板30の大きさが第1ガラス接合体70aの内側部Cの大きさよりも小さくなるように、第2ガラス接合体80を形成し、貼合工程では、第1ガラス接合体70a及び第2ガラス接合体80を第2テープ材72の厚さ以上の間隔で貼り合わせるので、第1ガラス接合体70aの第1被成膜基板10の表面に第1テープ材62aの厚さに起因して形成される表面段差、及び第2ガラス接合体80の第2被成膜基板30の表面に第2テープ材72の厚さに起因して形成される表面段差に影響されることなく、第1ガラス接合体70a及び第2ガラス接合体80を確実に貼り合わせることができる。
Further, according to the method for manufacturing the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment, in the first bonding step, the first tape material made of glass is formed on the outer peripheral portion F at the interface between the
また、本実施形態の液晶表示パネル50の製造方法によれば、減圧雰囲気下において、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10を互いの外周部Fで接合して、第1ガラス接合体70a(70b)を形成すると共に、第2支持基板71及び第2被成膜基板30を互いの外周部Fで接合して、第2ガラス接合体80を形成するので、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面において、並びに第2支持基板71及び第2被成膜基板30の界面において、空気層が形成され難くなり、真空や高温下での第1ガラス接合体70a(70b)及び第2ガラス接合体80の破損を抑制することができる。
Further, according to the method for manufacturing the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment, the first glass bonding is performed by bonding the
なお、本実施形態では、第1支持基板61a及び第2支持基板71の各表面を粗面化する液晶表示パネルの製造方法を例示したが、本発明は、第1被成膜基板10及び第2成膜基板30の各表面を粗面化する液晶表示パネルの製造方法にも適用することができる。
In the present embodiment, a method for manufacturing a liquid crystal display panel in which the surfaces of the
《発明の実施形態2》
図4は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第1接合工程で形成される第1ガラス接合体70cの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図1〜図3と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
<< Embodiment 2 of the Invention >>
FIG. 4 is a cross-sectional view of the first glass joined
上記実施形態1では、支持基板及び被成膜基板の内側部の一方の表面が粗面になるように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、支持基板及び被成膜基板の界面において、スペーサ及びテープ材を配置するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。 In Embodiment 1 described above, the method of manufacturing the liquid crystal display panel by forming the first glass joined body so that one surface of the inner side of the supporting substrate and the deposition target substrate is a rough surface is illustrated. In the embodiment, a method of manufacturing a liquid crystal display panel by forming a first glass joined body so as to dispose a spacer and a tape material at an interface between a support substrate and a deposition target substrate is illustrated.
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第1接合工程、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第1薄膜素子形成工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであり、第2接合工程は、第1接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第1接合工程を中心に説明する。 Although the manufacturing method of the liquid crystal display panel of this embodiment is provided with the 1st joining process, the 1st thin film element formation process, the 2nd joining process, the 2nd thin film element formation process, the pasting process, and the separation process, the 1st thin film element The forming process, the second thin film element forming process, the bonding process, and the separating process are substantially the same as the corresponding processes in the first embodiment, and the second bonding process is the same as the first bonding process and the size of the substrate. In this embodiment, only the first bonding step will be described.
<第1接合工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1支持基板61b(図4参照)の外周部Fに、例えば、厚さ5μm程度、幅3mm程度の無アルカリガラスの第1テープ材62aを配置すると共に、外周部Fよりも内側の内側部Cに、例えば、直径5μm程度の球状のシリカ粒子や円柱状のガラスファイバーなどの複数のスペーサ63(図4参照)を配置する。なお、本実施形態では、スペーサ63として、基板表面に散布するものを例示したが、スペーサ63は、基板表面にフォトリソグラフィを用いて形成されたフォトスペーサなどであってもよい。ここで、スペーサ63の高さとしては、5μm以下が好ましい。
<First joining step>
First, for example, an alkali-free glass having a thickness of about 5 μm and a width of about 3 mm is formed on the outer peripheral portion F of the
続いて、図4に示すように、第1テープ材62a及びスペーサ63が配置された第1支持基板61b上に、例えば、厚さ0.05mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1被成膜基板10を配置した後に、第1支持基板61bと第1テープ材62aとの界面、及び第1テープ材62aと第1被成膜基板10との界面に対して、減圧雰囲気(例えば、0.1Pa程度)下でレーザー光Lをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10を互いの外周部Fで全周に亘って接合することにより、第1ガラス接合体70cを形成する。ここで、第1ガラス接合体70cは、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面において、第1テープ材62aにより外周部Fで間接的に面接触すると共に、各スペーサ63により内側部Cでの接触面積を抑制するように構成されている。なお、外周部Fでの接合は、全周に亘って行われることが好ましいが、上記実施形態1と同様に、部分的に行われてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 4, on the
その後、上記実施形態1と同様に、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。 Thereafter, similarly to the first embodiment, the liquid crystal display panel of the present embodiment is manufactured by sequentially performing the first thin film element forming step, the second bonding step, the second thin film element forming step, the bonding step, and the separation step. can do.
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態1と同様に、相対的に厚いガラス製の第1支持基板61bと、相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板10とを互いの外周部Fで接合する第1接合工程では、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面における外周部Fで第1テープ材62aを介して間接的に面接触するように第1ガラス接合体70cを形成するので、外周部Fで面接触している第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の端面部に、レーザー光Lを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10が接合することになり、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の外周部Fでの接合を容易にすることができる。また、第1接合工程では、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面において、内側部Cでの接触面積を抑制するように第1ガラス接合体70cを形成するので、その後の第1薄膜素子形成工程で第1ガラス接合体70cの第1被成膜基板10の表面にTFTアレイ層17を形成する際に、第1ガラス接合体70cが内側部Cで密着しても、第1ガラス接合体70cの第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面における内側部Cでの固着を抑制することができる。さらに、第2接合工程においても、上記実施形態1と同様に、第2支持基板及び第2被成膜基板の外周部Fでの接合を容易にすることができると共に、第2ガラス接合体の第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における内側部Cでの固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Fでの接合と内側部Cでの分離とを容易にすることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the liquid crystal display panel of the present embodiment, the
《発明の実施形態3》
図5は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第1接合工程で形成される第1ガラス接合体70dの断面図である。
<< Embodiment 3 of the Invention >>
FIG. 5 is a cross-sectional view of the first glass joined
上記実施形態1及び2では、第1被成膜基板の端面と第1テープ材の端面とが一致するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、第1テープ材の端部が第1被成膜基板の端面から突出するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。 In the first and second embodiments, the method of manufacturing the liquid crystal display panel by forming the first glass joined body so that the end face of the first film formation substrate and the end face of the first tape material coincide with each other is exemplified. In this embodiment, a method of manufacturing a liquid crystal display panel by forming the first glass joined body so that the end portion of the first tape material protrudes from the end face of the first deposition target substrate is exemplified.
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第1接合工程、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第1薄膜素子形成工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであり、第2接合工程は、第1接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第1接合工程を中心に説明する。 Although the manufacturing method of the liquid crystal display panel of this embodiment is provided with the 1st joining process, the 1st thin film element formation process, the 2nd joining process, the 2nd thin film element formation process, the pasting process, and the separation process, the 1st thin film element The forming process, the second thin film element forming process, the bonding process, and the separating process are substantially the same as the corresponding processes in the first embodiment, and the second bonding process is the same as the first bonding process and the size of the substrate. In this embodiment, only the first bonding step will be described.
<第1接合工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1支持基板61bの外周部Fに、例えば、厚さ5μm程度、幅3mm程度の無アルカリガラスの第1テープ材62b(図5参照)を配置すると共に、外周部Fよりも内側の内側部Cに、例えば、直径5μm程度の球状のシリカ粒子や円柱状のガラスファイバーなどの複数のスペーサ63を配置する。ここで、第1テープ材62bは、図5に示すように、その外周端が第1支持基板61bの周端よりも内側に配置させる。
<First joining step>
First, for example, the
続いて、第1テープ材62b及びスペーサ63が配置された第1支持基板61b上に、例えば、厚さ0.05mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1被成膜基板10を配置する。ここで、第1被成膜基板10は、図5に示すように、その周端が第1テープ材62bの外周端よりも内側に配置させる。
Subsequently, on the
さらに、図5に示すように、第1支持基板61bと第1テープ材62bとの界面、及び第1テープ材62bと第1被成膜基板10との界面に対して、減圧雰囲気(例えば、0.1Pa程度)下でレーザー光Lをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10を互いの外周部Fで全周に亘って接合することにより、第1ガラス接合体70dを形成する。ここで、第1ガラス接合体70dは、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面において、第1テープ材62bにより外周部Fで間接的に面接触すると共に、各スペーサ63により内側部Cでの接触面積を抑制するように構成されている。なお、外周部Fでの接合は、全周に亘って行われることが好ましいが、上記実施形態1と同様に、部分的に行われてもよい。
Further, as shown in FIG. 5, a reduced pressure atmosphere (for example, for example, the interface between the
その後、上記実施形態1と同様に、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。 Thereafter, similarly to the first embodiment, the liquid crystal display panel of the present embodiment is manufactured by sequentially performing the first thin film element forming step, the second bonding step, the second thin film element forming step, the bonding step, and the separation step. can do.
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態1と同様に、相対的に厚いガラス製の第1支持基板61bと、相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板10とを互いの外周部Fで接合する第1接合工程では、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面における外周部Fで間接的に面接触するように第1ガラス接合体70dを形成するので、外周部Fで面接触している第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の端面部に、レーザー光Lを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10が接合することになり、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の外周部Fでの接合を容易にすることができる。また、第1接合工程では、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面において、内側部Cでの接触面積を抑制するように第1ガラス接合体70dを形成するので、その後の第1薄膜素子形成工程で第1ガラス接合体70dの第1被成膜基板10の表面にTFTアレイ層17を形成する際に、第1ガラス接合体70dが内側部Cで密着しても、第1ガラス接合体70dの第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面における内側部Cでの固着を抑制することができる。さらに、第2接合工程においても、上記実施形態1と同様に、第2支持基板及び第2被成膜基板の外周部Fでの接合を容易にすることができると共に、第2ガラス接合体の第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における内側部Cでの固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Fでの接合と内側部Cでの分離とを容易にすることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the liquid crystal display panel of the present embodiment, the
また、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、第1ガラス接合体70dを形成する際に、第1テープ材62bの外周端を第1被成膜基板10の周端と第1支持基板61bの周端との間に配置させるので、第1支持基板61bと第1テープ材62bとの界面、及び第1テープ材62bと被成膜基板10との界面にレーザー光Lを照射し易くなり、第1支持基板61b及び被成膜基板10を効率よく接合することができる。
Further, according to the method of manufacturing the liquid crystal display panel of the present embodiment, when forming the first glass joined
《発明の実施形態4》
図6は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第1接合工程で形成される第1ガラス接合体70eの断面図である。
<< Embodiment 4 of the Invention >>
FIG. 6 is a cross-sectional view of the first glass joined body 70e formed in the first joining step for manufacturing the liquid crystal display panel of the present embodiment.
上記実施形態1、2及び3では、第1支持基板及び第1被成膜基板の界面における外周部にガラス製の第1テープ材が介在するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、第1支持基板及び第1被成膜基板の界面における外周部にガラス製の不定形材が介在するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。 In the first, second, and third embodiments, the first glass joined body is formed so that the first tape material made of glass is interposed at the outer peripheral portion at the interface between the first support substrate and the first film-formed substrate, and the liquid crystal In the present embodiment, the method of manufacturing the display panel is exemplified. However, in the present embodiment, the first glass joined body is disposed so that the glass amorphous material is interposed in the outer peripheral portion at the interface between the first support substrate and the first film formation substrate. The method of forming and manufacturing a liquid crystal display panel is illustrated.
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第1接合工程、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第1薄膜素子形成工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであり、第2接合工程は、第1接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第1接合工程を中心に説明する。 Although the manufacturing method of the liquid crystal display panel of this embodiment is provided with the 1st joining process, the 1st thin film element formation process, the 2nd joining process, the 2nd thin film element formation process, the pasting process, and the separation process, the 1st thin film element The forming process, the second thin film element forming process, the bonding process, and the separating process are substantially the same as the corresponding processes in the first embodiment, and the second bonding process is the same as the first bonding process and the size of the substrate. In this embodiment, only the first bonding step will be described.
<第1接合工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1支持基板61bの外周部Fに、例えば、幅3mm程度に、無アルカリガラスの粉末ガラスやガラスペーストなどの不定形材62c(図6参照)を配置すると共に、外周部Fよりも内側の内側部Cに、例えば、直径5μm程度の球状のシリカ粒子や円柱状のガラスファイバーなどの複数のスペーサ63を配置する。
<First joining step>
First, for example, on the outer periphery F of the
続いて、図6に示すように、不定形材62c及びスペーサ63が配置された第1支持基板61b上に、例えば、厚さ0.05mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1被成膜基板10を配置した後に、不定形材62cの側面に対して、減圧雰囲気(例えば、0.1Pa程度)下でレーザー光Lを照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10を互いの外周部Fで全周に亘って接合することにより、第1ガラス接合体70eを形成する。ここで、第1ガラス接合体70eは、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面において、不定形材62cにより外周部Fで間接的に面接触すると共に、各スペーサ63により内側部Cでの接触面積を抑制するように構成されている。なお、外周部Fでの接合は、全周に亘って行われることが好ましいが、上記実施形態1と同様に、部分的に行われてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 6, on the
その後、上記実施形態1と同様に、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。 Thereafter, similarly to the first embodiment, the liquid crystal display panel of the present embodiment is manufactured by sequentially performing the first thin film element forming step, the second bonding step, the second thin film element forming step, the bonding step, and the separation step. can do.
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態1と同様に、相対的に厚いガラス製の第1支持基板61bと、相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板10とを互いの外周部Fで接合する第1接合工程では、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面における外周部Fで間接的に面接触するように第1ガラス接合体70eを形成するので、外周部Fで面接触している第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の端面部に、レーザー光Lを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10が接合することになり、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の外周部Fでの接合を容易にすることができる。また、第1接合工程では、第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面において、内側部Cでの接触面積を抑制するように第1ガラス接合体70eを形成するので、その後の第1薄膜素子形成工程で第1ガラス接合体70eの第1被成膜基板10の表面にTFTアレイ層17を形成する際に、第1ガラス接合体70eが内側部Cで密着しても、第1ガラス接合体70eの第1支持基板61b及び第1被成膜基板10の界面における内側部Cでの固着を抑制することができる。さらに、第2接合工程においても、上記実施形態1と同様に、第2支持基板及び第2被成膜基板の外周部Fでの接合を容易にすることができると共に、第2ガラス接合体の第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における内側部Cでの固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Fでの接合と内側部Cでの分離とを容易にすることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the liquid crystal display panel of the present embodiment, the
《発明の実施形態5》
図7は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第1接合工程で形成される第1ガラス接合体70fの断面図である。
<<
FIG. 7 is a cross-sectional view of the first glass bonded
上記実施形態4では、第1支持基板及び第1被成膜基板の界面における外周部にガラス製の不定形材が介在するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、第1支持基板上の第1被成膜基板の端面に沿ってガラス製の不定形材が介在するように第1ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。 In Embodiment 4 described above, a liquid crystal display panel is manufactured by forming a first glass joined body so that an amorphous glass material is interposed at the outer peripheral portion at the interface between the first support substrate and the first film-formed substrate. Although the method is exemplified, in the present embodiment, the first glass joined body is formed so that the glass amorphous material is interposed along the end face of the first deposition target substrate on the first support substrate, and the liquid crystal A method for manufacturing a display panel is illustrated.
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第1接合工程、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第1薄膜素子形成工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであり、第2接合工程は、第1接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第1接合工程を中心に説明する。 Although the manufacturing method of the liquid crystal display panel of this embodiment is provided with the 1st joining process, the 1st thin film element formation process, the 2nd joining process, the 2nd thin film element formation process, the pasting process, and the separation process, the 1st thin film element The forming process, the second thin film element forming process, the bonding process, and the separating process are substantially the same as the corresponding processes in the first embodiment, and the second bonding process is the same as the first bonding process and the size of the substrate. In this embodiment, only the first bonding step will be described.
<第1接合工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスのガラス基板の外周部Fよりも内側の内側部Cの表面に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、内側部Cの表面を算術平均粗さRaが5nm以上になるように粗面化して、第1支持基板61aを形成する。
<First joining step>
First, for example, direct processing such as sand blasting or embossing on the surface of the inner portion C inside the outer peripheral portion F of the non-alkali glass glass substrate having a thickness of about 0.7 mm, or a fine resist By performing indirect processing such as etching using a pattern, the surface of the inner portion C is roughened so that the arithmetic average roughness Ra is 5 nm or more, thereby forming the
続いて、第1支持基板61a上に、例えば、厚さ0.05mm程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第1被成膜基板10を配置した後に、第1被成膜基板10の端面の図中下部に無アルカリガラスの粉末ガラスやガラスペーストなどの不定形材62d(図7参照)を塗布する。
Subsequently, after disposing the first
さらに、図7に示すように、塗布された不定形材62dに対して、減圧雰囲気(例えば、0.1Pa程度)下でレーザー光Lを照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10を互いの外周部Fで全周に亘って接合することにより、第1ガラス接合体70fを形成する。ここで、第1ガラス接合体70fは、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面において、外周部Fで直接的に面接触すると共に、第1支持基板61aの粗面により内側部Cでの接触面積を抑制するように構成されている。なお、外周部Fでの接合は、全周に亘って行われることが好ましいが、上記実施形態1と同様に、部分的に行われてもよい。
Furthermore, as shown in FIG. 7, the interface of each glass material is softened and melted by irradiating the applied
その後、上記実施形態1と同様に、第1薄膜素子形成工程、第2接合工程、第2薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。 Thereafter, similarly to the first embodiment, the liquid crystal display panel of the present embodiment is manufactured by sequentially performing the first thin film element forming step, the second bonding step, the second thin film element forming step, the bonding step, and the separation step. can do.
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態1と同様に、相対的に厚いガラス製の第1支持基板61aと、相対的に薄いガラス製の第1被成膜基板10とを互いの外周部Fで接合する第1接合工程では、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面における外周部Fで間接的に面接触するように第1ガラス接合体70fを形成するので、外周部Fで面接触している第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の端面部に、レーザー光Lを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10が接合することになり、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の外周部Fでの接合を容易にすることができる。また、第1接合工程では、第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面において、内側部Cでの接触面積を抑制するように第1ガラス接合体70fを形成するので、その後の第1薄膜素子形成工程で第1ガラス接合体70fの第1被成膜基板10の表面にTFTアレイ層17を形成する際に、第1ガラス接合体70fが内側部Cで密着しても、第1ガラス接合体70fの第1支持基板61a及び第1被成膜基板10の界面における内側部Cでの固着を抑制することができる。さらに、第2接合工程においても、上記実施形態1と同様に、第2支持基板及び第2被成膜基板の外周部Fでの接合を容易にすることができると共に、第2ガラス接合体の第2支持基板及び第2被成膜基板の界面における内側部Cでの固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Fでの接合と内側部Cでの分離とを容易にすることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the liquid crystal display panel of the present embodiment, the
《発明の実施形態6》
上記各実施形態では、端面が面取り処理されていない支持基板及び被成膜基板を備えたガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、図8に示すように、外部からの衝撃による破損を抑制するために、端面が面取り処理された第1支持基板61c及び第1被成膜基板10b〜10dを備えた第1ガラス接合体70g〜70iを形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。ここで、図8(a)〜図8(c)は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第1接合工程で形成される第1ガラス接合体70g〜70iの各断面図である。
Embodiment 6 of the Invention
In each of the above embodiments, a method of manufacturing a liquid crystal display panel by forming a glass joined body including a support substrate and a deposition target substrate whose end faces are not chamfered is illustrated, but in this embodiment, FIG. As shown in FIG. 1, in order to suppress damage due to external impact, the first glass joined
第1ガラス接合体70gでは、図8(a)に示すように、端面の上部及び下部が面取り処理された第1支持基板61c上の第1被成膜基板10bの端面の上部が面取りされている。
In the first glass joined
第1ガラス接合体70hでは、図8(b)に示すように、第1支持基板61c上の第1被成膜基板10cの端面の上部及び下部が面取りされている。
In the first glass joined
第1ガラス接合体70iでは、図8(c)に示すように、第1支持基板61c上の第1被成膜基板10dの端面がレーザー光などにより切断されたために曲面になっている。
In the first glass bonded
ここで、第1ガラス接合体70h及び70iでは、図8(b)及び図8(c)に示すように、レーザー光Lの被照射部で不要な反射や吸収が発生して、第1支持基板61cと第1被成膜基板10c及び10dとの界面での光量が減少するおそれがあるものの、第1ガラス接合体70gでは、図8(a)に示すように、第1被成膜基板10bの周端が第1支持基板61cの周端よりも内側に配置し、第1被成膜基板10bの厚さ方向に沿う断面形状における第1支持基板61c側の角部が直角であるので、第1ガラス接合体70gを形成する際に、第1支持基板61cと第1被成膜基板10bとの界面部分に隙間が形成され難くなり、その界面部分にレーザー光Lを確実に照射することができ、第1支持基板61c及び第1被成膜基板10bを容易に接合することができる。
Here, in the first glass joined
なお、上記各実施形態では、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本発明は、液晶表示パネルを構成するTFT基板及びCF基板をそれぞれ製造する方法にも適用することができる。 In each of the above embodiments, a method for manufacturing a liquid crystal display panel has been exemplified. However, the present invention can also be applied to a method for manufacturing a TFT substrate and a CF substrate constituting a liquid crystal display panel, respectively.
また、上記各実施形態では、表示パネルとして、液晶表示パネルを例示したが、本発明は、有機EL(Electro Luminescence)パネル、エレクトロウエッティング方式の表示パネル、MEMS(Micro Electro Mechanical System)方式の表示パネルなどの他の表示パネルにも適用することができる。 In each of the above embodiments, a liquid crystal display panel is exemplified as the display panel. However, the present invention is an organic EL (Electro Luminescence) panel, an electrowetting display panel, and a MEMS (Micro Electro Mechanical System) display. The present invention can also be applied to other display panels such as a panel.
また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたTFTの電極をドレイン電極としたTFT基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたTFTの電極をソース電極と呼ぶTFT基板にも適用することができる。 In each of the above embodiments, the TFT substrate using the TFT electrode connected to the pixel electrode as the drain electrode has been exemplified. However, the present invention is applied to the TFT substrate called the source electrode. Can also be applied.
以上説明したように、本発明は、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることができるので、薄厚のガラス基板を用いた薄型の薄膜素子基板、及びそれを備えた表示パネルについて有用である。 As described above, the present invention can facilitate the bonding at the outer peripheral portion and the separation at the inner portion of the glass support substrate and the deposition target substrate, and thus the thin substrate using the thin glass substrate. It is useful for the thin film element substrate and the display panel including the same.
C 内側部
F 外周部
10,10b〜10d 第1被成膜基板
17 TFTアレイ層(第1薄膜素子)
20 TFT基板(薄膜素子基板)
30 第2被成膜基板
34 カラーフィルター層(第2薄膜素子)
40 CF基板(薄膜素子基板)
50 液晶表示パネル
61a〜61c 第1支持基板
62a,62b 第1テープ材
63 スペーサ
70a〜70i 第1ガラス接合体
71 第2支持基板
72 第2テープ材
C inner part F outer
20 TFT substrate (thin film device substrate)
30
40 CF substrate (thin film device substrate)
50 Liquid
Claims (9)
上記接合工程で形成されたガラス接合体の上記被成膜基板の外周部の内側の表面に薄膜素子を形成する薄膜素子形成工程と、
上記薄膜素子形成工程で薄膜素子が形成されたガラス接合体の外周部を切断することにより、該ガラス接合体から上記薄膜素子が形成された被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備え、
上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、該外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するように、上記ガラス接合体を形成する、薄膜素子基板の製造方法。 A bonding step of forming a glass bonded body by bonding a relatively thick glass supporting substrate and a relatively thin glass film-forming substrate at the outer periphery of each other,
A thin film element forming step of forming a thin film element on the inner surface of the outer peripheral portion of the film formation substrate of the glass bonded body formed in the bonding step;
A separation step of separating a portion of the film formation substrate on which the thin film element is formed from the glass bonded body by cutting an outer peripheral portion of the glass bonded body on which the thin film element is formed in the thin film element forming step. ,
In the bonding step, at the interface between the support substrate and the deposition target substrate, surface contact is made directly or indirectly at the outer peripheral portion, and the contact area at the inner portion inside the outer peripheral portion is suppressed. The manufacturing method of the thin film element substrate which forms the said glass joined body.
上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置するように、上記ガラス接合体を形成する、請求項1乃至6の何れか1つに記載の薄膜素子基板の製造方法。 The deposition substrate has a right-angle corner on the support substrate side in a cross-sectional shape along the thickness direction,
7. The glass bonding body according to claim 1, wherein in the bonding step, the glass bonded body is formed such that a peripheral edge of the deposition target substrate is disposed inside a peripheral edge of the support substrate. Manufacturing method of thin film element substrate.
上記第1接合工程で形成された第1ガラス接合体の上記第1被成膜基板の外周部の内側の表面に第1薄膜素子を形成する第1薄膜素子形成工程と、
相対的に厚いガラス製の第2支持基板、及び相対的に薄いガラス製の第2被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第2ガラス接合体を形成する第2接合工程と、
上記第2接合工程で形成された第2ガラス接合体の上記第2被成膜基板の外周部の内側の表面に第2薄膜素子を形成する第2薄膜素子形成工程と、
上記第1薄膜素子形成工程で第1薄膜素子が形成された第1ガラス接合体、及び上記第2薄膜素子形成工程で第2薄膜素子が形成された第2ガラス接合体を該第1薄膜素子及び第2薄膜素子が互いに対向するように貼り合わせることにより、貼合体を形成する貼合工程と、
上記貼合工程で形成された貼合体における第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体の各外周部を切断することにより、該貼合体から上記第1薄膜素子が形成された第1被成膜基板の部分、及び上記第2薄膜素子が形成された第2被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備え、
上記第1接合工程では、上記第1支持基板及び第1被成膜基板の界面において、上記外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、該外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するように、上記第1ガラス接合体を形成し、
上記第2接合工程では、上記第2支持基板及び第2被成膜基板の界面において、上記外周部で直接的又は間接的に面接触すると共に、該外周部よりも内側の内側部での接触面積を抑制するように、上記第2ガラス接合体を形成する、表示パネルの製造方法。 A first bonding step of forming a first glass bonded body by bonding a relatively thick first supporting substrate made of glass and a first thin film forming substrate made of glass at the outer periphery of each other; ,
A first thin film element forming step of forming a first thin film element on an inner surface of an outer peripheral portion of the first deposition target substrate of the first glass bonded body formed in the first bonding step;
A second joining step of forming a second glass joined body by joining a relatively thick glass-made second support substrate and a relatively thin glass-made second film-forming substrate at the outer periphery of each other; ,
A second thin film element forming step of forming a second thin film element on the inner surface of the outer peripheral portion of the second deposition target substrate of the second glass bonded body formed in the second bonding step;
The first thin film element includes a first glass bonded body in which the first thin film element is formed in the first thin film element forming process, and a second glass bonded body in which the second thin film element is formed in the second thin film element forming process. And the bonding process which forms a bonding body by bonding together so that a 2nd thin film element may mutually oppose,
The 1st film-forming by which the said 1st thin film element was formed from this bonding body by cut | disconnecting each outer peripheral part of the 1st glass bonding body and 2nd glass bonding body in the bonding body formed at the said bonding process. A separation step of separating a portion of the substrate and a portion of the second film-formed substrate on which the second thin film element is formed,
In the first bonding step, at the interface between the first support substrate and the first film formation substrate, the outer peripheral portion is in direct or indirect surface contact, and the inner inner portion is in contact with the outer peripheral portion. In order to suppress the area, the first glass joined body is formed,
In the second bonding step, at the interface between the second support substrate and the second film formation substrate, the outer peripheral portion is in direct or indirect surface contact, and the inner inner portion is in contact with the outer peripheral portion. The manufacturing method of the display panel which forms the said 2nd glass joined body so that an area may be suppressed.
上記第2接合工程では、上記第2支持基板及び第2被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第2テープ材を配置すると共に、該第2被成膜基板の大きさが上記第1ガラス接合体の内側部の大きさよりも小さくなるように、上記第2ガラス接合体を形成し、
上記貼合工程では、上記第1ガラス接合体及び第2ガラス接合体を上記第2テープ材の厚さ以上の間隔で貼り合わせる、請求項8に記載の表示パネルの製造方法。 In the first bonding step, the first glass bonded body is formed at the interface between the first support substrate and the first film-formed substrate so that the first tape material made of glass is disposed on the outer periphery.
In the second bonding step, at the interface between the second support substrate and the second film formation substrate, a second tape material made of glass is disposed on the outer peripheral portion, and the size of the second film formation substrate is the size described above. Forming the second glass joined body so as to be smaller than the size of the inner side of the first glass joined body,
The method for manufacturing a display panel according to claim 8, wherein, in the bonding step, the first glass bonded body and the second glass bonded body are bonded to each other at an interval equal to or greater than the thickness of the second tape material.
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