JP2013203694A - サンショール類の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R1およびR2は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(II)で表される構造をとる。)
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R1およびR2は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(II)で表される構造をとる。)
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
で表されるジエン鉄錯体化合物と脱保護剤とを反応させる工程を備えることを特徴とするサンショール類の製造方法。
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R3およびR4は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が2−シアノエチル基を表す。)で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、(E)−N−(2−メチル−2−ヒドロキシ−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは(E)−N−(2,2−ジメチル−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させることにより前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える[2]または[3]のサンショール類の製造方法。
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R3およびR4は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が2−シアノエチル基を表す。)で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を4−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させて、下記一般式(IV)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R5およびR6は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(V)で表される構造をとる。)
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式(IV)で表されるジエン鉄錯体化合物を加水分解したのちに、下記一般式(VI)、
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
で表されるアミンと反応させて前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える[2]または[3]のサンショール類の製造方法。
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R3およびR4は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が2−シアノエチル基を表す。)で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を4−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させて、下記一般式(VII)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R7およびR8は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(VIII)で表される構造をとる。)
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式(VII)で表されるジエン鉄錯体化合物を、下記一般式(VI)、
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
で表されるアミンと反応させて前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える[2]または[3]のサンショール類の製造方法。
本発明のジエン鉄錯体化合物は、下記一般式(I)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R1およびR2は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(II)で表される構造をとる。)
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
で表されるものである。なお、式(II)中、波線部分は、シス(Z)、トランス(E)の立体異性体のいずれかであることを表し、好ましくはトランス体である下記式(II’)である。式(V)、式(VIII)の波線部分についても同様にシス(Z)、トランス(E)の立体異性体のいずれかであることを表し、好ましくはトランス体である。
本発明のサンショール類の製造方法は、上記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物と脱保護剤とを反応させることを特徴とするものである。脱保護剤としては、硝酸セリウムアンモニウム(CAN)などのセリウム(IV)化合物、トリメチルアミンN−オキシド、ピリジンN−オキシド、塩化鉄(III)、塩化銅(II)、ジクロロジシアノベンゾキノン、過酸化水素等が挙げられ、好適なものとしては、セリウム(IV)化合物、トリメチルアミンN−オキシド、ピリジンN−オキシドが挙げられ、副生成物の発生を抑えながらサンショール類を製造できることからトリメチルアミンN−オキシドが最も好ましい。
脱保護剤との反応温度は、特に制限はなく、−20〜50℃で反応を行うことが好ましい。また、反応時間は、好ましくは1時間以内である。
得られたアルデヒド化合物を、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、(E)−N−(2−メチル−2−ヒドロキシ−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは(E)−N−(2,2−ジメチル−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させることにより、上記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程(B)と、
得られた一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程(C)と、を備えることが好ましい。
上記工程(A)の反応の一例は、下記式で表すことができる。下記反応式は、上記一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、AがCO、R4が2−シアノエチル基であるものを用いた場合である。
還元剤としては、水素化トリ(エトキシ)アルミニウムリチウム、水素化トリ(sec−ブチル)ホウ素リチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム (DIBAL−H)等が挙げられ、DIBAL−Hが好ましい。好適な反応形態としては、トルエンなどの有機溶媒中、−80〜−20℃に冷却しながら、一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物に対して、1.0〜2.0当量のDIBAL−Hを用いて還元反応を行うことが挙げられる。
で表される化合物1から、Wittig反応等により合成することができる。Wittig反応、Horner−Wadsworth−Emmons反応、Julia−Lythgoeオレフィン合成等を使い分けることにより、幾何異性体を作り分けることもできる。
Wittig反応は、例えば、Wittig, G.; Schollkopf, U. Ber. 1954, 87, 1318.、Maryanoff, B. E. et al. Chem. Rev. 1989,89,863.等の文献記載の方法を参考に行うことができる。
Horner−Wadsworth−Emmons反応は、例えば、Horner, L.; Hoffmann, H. M. R.; Wippel,H. G.; Klahre, G. Ber. 1959, 92, 2499. 、Maryanoff, B. E.; Reitz, A. B. Chem. Rev.1989,89,863. 、Kelly, S. E. Comprehensive Organic Synthesis 1991,1,729.等の文献記載の方法を参考に行うことができる。
Julia−Lythgoeオレフィン合成は、例えば、Julia, M.; Paris, J. M. Tetrahedron Lett. 1973,4833、Blakemore, P. R.JCS PerkinTrans. 1 2002, 2563等の文献記載の方法を参考に行うことができる。
なお、上記化合物1は、市販試薬として容易に入手可能な2,4−ヘキサジエナ−ルとFe3(CO)12等の鉄錯体とを加熱攪拌するなどして容易に合成可能である。
上記工程(B)の反応の一例は、下記式で表すことができる。下記反応式は、上記一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、AがCO、R4が2−シアノエチル基であるものを用いて、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させた場合である。
上記化合物(トリカルボニル[(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄)とともに、下記式で表される異性体(3−geo)が得られることがあるが、この異性体がなるべく少ない方が好ましい。下記式で表される異性体は、例えばシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより容易に分離することができる。さらに上記化合物(トリカルボニル[(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄)を再結晶することにより純度を上げることができる。再結晶は、溶媒としてヘキサン/エーテル類を用いることが好ましい
(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドは、例えば、市販試薬として容易に入手可能な4−ブロモクロトン酸エチルを原料に、トリエチルホスファイトとの反応、加水分解、アミド化を経て合成することができる。このような合成経路の一例は、下記式により表すことができる。下記式で表される合成経路は、4−ブロモクロトン酸エチルとトリエチルホスファイトとの反応を、130℃加熱下で行い、4−ホスホノクロトン酸トリエチルを得る。次に、得られた4−ホスホノクロトン酸トリエチルを水酸化カリウムにより加水分解して、4−ジエチルホスホノクロトン酸を得て、イソブチルアミンとのアミド化反応を行って、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを得るというものである。
一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程については、上記と同様である。
得られたアルデヒド化合物を、4−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させることにより、上記一般式(IV)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程(D)と、
得られた一般式(IV)で表されるジエン鉄錯体化合物を加水分解したのちに、一般式(VI)で表されるアミンと反応させて前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程(E)と、
得られた一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程(C)と、を備えることが好ましい。
上記工程(D)は、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、(E)−N−(2−メチル−2−ヒドロキシ−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、および、(E)−N−(2,2−ジメチル−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを用いずに、4−ホスホノクロトン酸トリエチルを用いる以外は、上記工程(B)と同様である。
上記工程(E)において、まず、一般式(IV)で表されるジエン鉄錯体化合物のエステル結合を加水分解する。加水分解の方法は特に限定されず、公知の方法によることができる。
次に、加水分解により得られたカルボキシル基と一般式(VI)で表されるアミンとをアミド化反応させて、一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る。アミド化反応は、一般的な方法により行なうことができるが、ヨウ化N−メチル−2−クロロピリジニウムを用いてアミンとの縮合反応を行う方法や、水溶性カルボジイミド(1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩等)などの水溶性縮合剤と、ヒドロキシベンゾトリアゾール(HOBt)とを組み合わせて使用して縮合反応を行う方法が好ましい。
得られたアルデヒド化合物を、4−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させることにより、上記一般式(VII)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程(F)と、
得られた一般式(VII)で表されるジエン鉄錯体化合物と、一般式(VI)で表されるアミンとを反応させて前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程(G)と、
得られた一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物と、脱保護剤とを反応させる工程(C)と、を備えることが好ましい。
上記工程(F)は、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、(E)−N−(2−メチル−2−ヒドロキシ−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、および、(E)−N−(2,2−ジメチル−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドを用いずに、4−ジエチルホスホノクロトン酸を用いる以外は、上記工程(B)と同様である。
上記工程(G)は、上記工程(E)におけるアミド化反応と同様にして行うことができる。
下記式(IX)、
で表される化合物と、3−シアノプロピルトリフェニルホスホニウム塩、または、4−(1−フェニル−1H−テトラゾール−5−イルスルホニル)ブタンニトリルとを反応させ、前記一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程(H)をさらに備えることが好ましい。
上記一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物は、例えば式中、AがCOである化合物を例にとると、下記式、
で表される化合物1から、3−シアノプロピルトリフェニルホスホニウム塩を用いたWittig反応、または、4−(1−フェニル−1H−テトラゾール−5−イルスルホニル)ブタンニトリルを用いたJulia−Kocienskiオレフィン化反応によって合成することができる。Julia−Kocienskiオレフィン化反応は、例えば、P.J. Kocienski, et al., Synlett, 1998, 26等の文献記載の方法を参考に行うことができる。Wittig反応により、上記一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、R4が2−シアノエチル基であるものを選択的に合成することができる。
また、Julia−Kocienskiオレフィン化反応により、上記一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物のうち、R3が2−シアノエチル基であるもの(即ち、E,E,E−トリエン骨格を有するもの)を選択的に合成することができる。
その後、得られた一般式(III)で表されるジエン鉄錯体化合物を用いて、上記工程(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)、(G)を適宜経ることにより、δ−サンショール類を製造することができる。
トリカルボニル[(2,3,4,5−η)−(2E,4E)−ヘキサ−2,4−ジエナ−ル]鉄の合成
室温下、2,4−ヘキサジエナ−ル(1.81mL)を、トルエン(30mL)中、Fe3(CO)12(5.7g)を懸濁した溶液に加え、混合液を60℃で24時間攪拌した。その後、反応液を80℃で1時間攪拌した。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン→ヘキサン/酢酸エチル=10:1)にかけ、得られた粗精製物を減圧下濃縮乾固して、油状のトリカルボニル[(2,3,4,5−η)−(2E,4E)−ヘキサ−2,4−ジエナ−ル]鉄を2.84g得た(収率は70.8%)。
1H-NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 1.26 (1H, dd, J=4.4, 8.3Hz), 1.51 (3H, d,J=6.1Hz), 1.70 (1H, dq, J=8.7, 6.1Hz), 5.30 (1H, dd, J=5.1, 8.7Hz), 5.77 (1H,dd, J=5.1, 8.3Hz), 9.26 (1H, d, J=4.4Hz);
ESI-LRMS:m/z: +ESI 259 [M+Na]+, 237 [M+H]+, -ESI 235 [M-H]-;
ESI-HRMS:m/z: 258.9666 (Calcd for C9H8O4FeNa:258.9670).
トリカルボニル [(6,7,8,9−η)−(4Z,6E,8E)−デカ−4,6,8−トリエンニトリル]鉄の合成
1)3−シアノプロピルトリフェニルホスホニウムブロマイド(PPh3P+(CH2)3CN Br−)(12.3g、30.0mol)とTHF(30mL)の混合液を0℃に冷却し、THF(30mL)に懸濁したナトリウムヘキサメチルジシラジド(NaHMDS)(1.0mol/L)を加えた。得られた赤色〜橙色の溶液を同温度で30分間攪拌した。攪拌を停止し、NaBrが完全に沈殿して分離するまで1時間ほど室温で静置し、イリド溶液を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 1.42-1.45 (4H, m), 1.75 (1H,dd, J=9.6, 10.7 Hz),2.36-2.47 (4H, m), 5.07 (1H, dd, J=4.9, 7.3 Hz), 5.19 (1H, dd, J=4.9, 8.2 Hz),5.32 (1H, td, J=7.3, 10.7 Hz), 5.54 (1H, t, J=10.7 Hz);
13C-NMR (CDCl3, 100MHz),δ: 17.05, 19.18, 23.83, 54.48, 57.60, 82.40, 85.97,119.13, 125.14, 134.15, 212.05;
ESI-MS m/z:+ESI 310 [M+Na]+, 288 [M+H]+, -ESI 286 [M-H]-;
HRESI-MS m/z:310.0143 (Calcd for C13H13NO3FeNa: 310.0143);
IR (KBr):cm-1: 2033, 1952, 625, 568.
使用する塩基、溶媒、温度を下記表1に記載のように変えた以外は、上記実験例2−1と同様に反応を行った。トリカルボニル[(6,7,8,9−η)−(4Z,6E,8E)−デカ−4,6,8−トリエンニトリル]鉄の収率を下記表1に示す。
4−ホスホノクロトン酸トリエチルの合成
4−ブロモクロトン酸エチル(7.0mL)を、120〜130℃下、60分間かけてトリエチルホスファイト(9.9mL)に加えた。エチルブロマイドの発生が止まった後、反応液を同様の温度下で3時間攪拌した。混合液を冷却し、減圧下濃縮した。残渣を減圧下(17−21hPa),150〜210℃で蒸留精製して3つのフラクションに分けた。そのうち、165〜170℃のフラクションから、無色油状の4−ホスホノクロトン酸トリエチルを得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 1.27-1.35 (9H, t×3), 2.74 (2H, dd,J = 7.8, 22.9Hz), 4.08-4.22 (6H, m), 5.96 (1H, ddd, J = 1.4, 4.8,13.8Hz), 6.88 (1H, td, J = 7.8, 22.9Hz).
4−ジエチルホスホノクロトン酸の合成
4−ホスホノクロトン酸トリエチル(5.53g)の水溶液36mLに対して、水酸化カリウム(1.69g)の水溶液36mLを室温下、加え、反応液を3時間攪拌した。混合液をジクロロメタンで洗浄した後、水層を濃塩酸でpH2とし,ジクロロメタン(550mL)で抽出した。得られた有機層を、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮乾固して白色固体の4−ジエチルホスホノクロトン酸4.41gを得た。
Melting Point73.0-75.0oC, 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 1.33 (6H, t, J = 7.1Hz), 2.79 (2H, dd, J= 8.0, 23.0Hz), 4.11-4.18 (4H, m), 5.97 (1H, dd, J = 5.1, 15.5Hz), 6.94(1H, td, J = 7.8, 23.0Hz).
(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミドの合成
4−ジエチルホスホノクロトン酸(5.0g)、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(5.2g)、HO−Bt(ヒドロキシベンゾトリアゾール)(4.6g)をジクロロメタン(36.5g)に溶解し、アルゴン雰囲気下5分攪拌した。混合液にイソブチルアミン(4.9mL)を加えて、室温下6時間攪拌した。飽和炭酸ナトリウム水溶液を反応液に加えて、水層をジクロロメタンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル→酢酸エチル/メタノール=10/1)にかけ、無色の粘性油状の目的物を得た。
H-NMR (CDCl3,400 MHz) δ: 0.92 (6H, d, J = 6.8Hz), 1.32(6H, t, J = 7.1Hz), 1.80 (1H, m), 2.72 (2H, dd, J = 7.8, 23.3Hz),3.15 (2H, t, J = 6.6Hz), 4.08-4.16 (4H, m), 5.55 (1H, brs), 5.97 (1H,dd, J = 4.9, 15.0Hz), 6.74 (1H, td, J = 7.8, 23.3Hz); 13C-NMR(CDCl3, 100 MHz),δ: 164.9 (d, J = 2.5Hz), 132.6 (d,J = 10.7Hz), 128.4 (d, J = 13.2Hz), 62.2 (d, J = 6.6Hz),46.9 (s), 30.1 (d, J = 139.8Hz), 28.5 (s), 20.1 (s), 16.4 (d, J =5.8Hz); ESI-MS m/z: +ESI 278 [M+H]+ -ESI 276 [M-H]-.HRESI-MS m/z: 355.0250 (Calcd for C12H25O4NP:278.1513). IR (film): cm-1: 3476, 3288, 1677, 1628, 1554, 1244, 1023.
トリカルボニル [(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄の合成
1)トリカルボニル[(6,7,8,9−η)−(4Z,6E,8E)−デカ−4,6,8−トリエンニトリル]鉄(100.2mg)のトルエン溶液(2.5mL)に、−20℃、アルゴン雰囲気下DIBAL−H(0.52mL)を滴下した。反応混合液を−20℃で1時間攪拌した。反応液に1mol/L塩酸を加え5分攪拌し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、アルデヒド化合物を得た。
2)(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド(126.5mg)をTHF(テトラヒドロフラン)2mLに溶解し、アルゴン雰囲気下、NaHMDS(ナトリウムビストリメチルシリルアミド)のTHF溶液(1mol/L、0.5mL)を加えて、混合液を−20℃で15分間、室温で10分間攪拌した。当該混合液を、上記アルデヒドのTHF溶液(1.0mL)に、−20℃下、加えた。その後、反応液を−20℃から0℃にして4時間攪拌した。1mol/Lの塩酸を加えて反応を停止し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、得られた残存物をシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン=4/1)にかけて、目的物を得た(27.6mg)。また、下記異性体3−geoも得た(51.4mg)。
その後、目的物をヘキサン/ジエチルエーテルから再結晶し、黄色固体の目的物を精製した。
トリカルボニル[(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄: Melting Point 73.5-75.5oC(hexane/Et2O), 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 0.92 (6H, d, J = 6.8Hz), 1.36 (1H, m), 1.42 (3H,d, J = 5.8Hz), 1.75-1.85 (1H, m), 1.88 (1H, dd, J = 8.7, 10.5Hz), 2.21-2.27(4H, m), 3.17 (2H, t, J = 6.5Hz), 5.03 (1H, dd, J = 5.1, 8.2Hz), 5.14 (1H, dd,J = 5.1, 8.7Hz), 5.30 (1H, td, J = 6.3, 10.5Hz), 5.41 (1H, t, J = 10.5Hz), 5.49(1H, brs), 5.77 (1H, d, J = 15.1Hz), 6.05 (1H, td, J = 6.3, 15.1Hz), 6.16 (1H,dd, J = 10.7, 15.1Hz), 7.19 (1H, dd, J = 10.7, 15.1Hz); 13C-NMR(CDCl3, 100 MHz), δ:212.37, 166.23, 141.57, 140.98, 131.49, 129.57, 128.85, 122.26, 85.47, 82.23,57.08, 56.24, 46.91, 32.41, 28.62, 27.15, 20.10, 19.17; ESI-MS m/z:+ESI 436 [M+Na]+, 414 [M+H]+, -ESI 412 [M-H]-.HRESI-MS m/z: 414.1357 (Calcd for C21H28NO4Fe:414.1362). IR (film): cm-1: 3290, 2037, 1966.
トリカルボニル[(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄の合成
1)トリカルボニル[(6,7,8,9−η)−(4Z,6E,8E)−デカ−4,6,8−トリエンニトリル]鉄(1.02g)のトルエン溶液(25mL)に、−20℃、アルゴン雰囲気下DIBAL−H(0.52mL)を滴下した。反応混合液を−20℃で1時間攪拌した。反応液に1mol/L塩酸を加え15分攪拌し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下濃縮し、アルデヒド化合物を得た。
2)(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド(1.96g)、MS4A(モレキュラーシーブス 4A)(5.61g)および水酸化リチウム(609.9mg)のTHF懸濁液を室温下、1.5時間攪拌した。該THF溶液に上記アルデヒドのTHF溶液(10mL)を加え、2時間還流した。
反応液をシリカゲルカラムにかけ、酢酸エチルで溶出し、減圧下濃縮して、粗生成物を得た。残存物をシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン=5/1→2/1)にかけ、淡黄色油状の目的物を得た(825.9mg)。
上記2)において、使用する塩基、温度を下記表2に記載のように変えた以外は、上記実験例4−2と同様に反応を行った。異性体3−geo(3gと表記)、トリカルボニル[(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄(3と表記)の収率を下記表1に示す。表2中、Aは、トリカルボニル[(6,7,8,9−η)−(4Z,6E,8E)−デカ−4,6,8−トリエンニトリル]鉄のことである。
(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミドの合成
トリカルボニル[(10,11,12,13−η)−(2E,4E,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミド]鉄(39.8mg)と、トリメチルアミン−N−オキシド(150.8mg)の混合物に対して、窒素雰囲気、室温下、アセトニトリル(1.0mL)を加えた。混合物を1時間攪拌した。反応液をシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン=1/1)にかけ、有機溶媒を濃縮乾固し,白色固体として目的物を得た(20.6mg)。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 0.92 (6H, d, J = 6.7Hz), 1.78 (3H, d, J= 7.7Hz), 1.79 (1H, m), 2.24 (2H, dd, J = 7.5, 14.0Hz), 2.32 (2H, dd, J = 7.0,14.8Hz), 3.17 (2H, t, J = 6.7Hz), 5.37 (1H, td, J = 7.5, 10.4Hz),5.49 (1H, brs), 5.72 (1H, td, J = 7.0, 13.4Hz), 5.76 (1H, d, J =15.0Hz), 5.99-6.21 (5H, m), 6.33 (1H, dd, J = 11.3, 13.4Hz), 7.18 (1H,dd, J = 11.3, 15.0Hz).
(2E,4Z,8Z,10E,12E)−N−イソブチルテトラデカ−2,4,8,10,12−ペンタエナミドの合成
上記異性体3−geo(42.8mg)とトリメチルアミン−N−オキシド(75.1mg)の混合物に対して、窒素雰囲気、室温下、アセトニトリル(1.0mL)を加えた。混合物を1時間攪拌した。混合液にトリメチルアミン−N−オキシド(86.8mg)を加え10分間攪拌した。反応液をシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン=1/1)にかけ、有機溶媒を濃縮乾固し,白色固体として目的物を得た(24.0mg)。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 0.93 (6H, d, J = 6.5Hz), 1.78 (3H, d, J= 6.8Hz), 1.81 (1H, m), 2.24 (2H, dd, J = 7.3, 14.6Hz), 2.41 (2H, dd, J = 7.3,14.6Hz), 3.18 (2H, t, J = 6.5Hz), 5.37 (1H, td, J = 7.3, 10.9Hz),5.49 (1H, brs), 5.69-5.81 (2H, m), 5.83 (1H, t, J = 14.9Hz), 6.02 (1H, d, J= 10.9Hz), 6.08-6.20 (3H, m), 6.34 (1H, dd, J = 10.9, 12.6Hz), 7.53 (1H,dd, J = 12.6, 14.9Hz).
Claims (10)
- 前記脱保護剤が、セリウム(IV)化合物、トリメチルアミンN−オキシド、ピリジンN−オキシド、塩化鉄(III)、塩化銅(II)、ジクロロジシアノベンゾキノンおよび過酸化水素からなる群から選ばれるものである請求項2記載のサンショール類の製造方法。
- 下記一般式(III)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R3およびR4は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が2−シアノエチル基を表す。)で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、(E)−N−(2−メチル−2−ヒドロキシ−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは(E)−N−(2,2−ジメチル−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させることにより前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える請求項2または3記載のサンショール類の製造方法。 - 前記アルデヒド化合物を、(E)−N−イソブチル−ジエチルホスホノクロトン酸アミド、(E)−N−(2−メチル−2−ヒドロキシ−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドまたは(E)−N−(2,2−ジメチル−プロピル)−ジエチルホスホノクロトン酸アミドと反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる請求項4記載のサンショール類の製造方法。
- 下記一般式(III)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R3およびR4は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が2−シアノエチル基を表す。)で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を4−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させて、下記一般式(IV)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R5およびR6は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(V)で表される構造をとる。)
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式(IV)で表されるジエン鉄錯体化合物を加水分解したのちに、下記一般式(VI)、
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
で表されるアミンと反応させて前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える請求項2または3記載のサンショール類の製造方法。 - 前記アルデヒド化合物を4−ホスホノクロトン酸トリエチルと反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる請求項6記載のサンショール類の製造方法。
- 下記一般式(III)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R3およびR4は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が2−シアノエチル基を表す。)で表されるジエン鉄錯体化合物を還元してアルデヒド化合物とする工程と、
得られたアルデヒド化合物を4−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させて、下記一般式(VII)、
(式中、AはCO、P(RA)3、CN、NO、SO(RA)3またはN(RA)2を表し、RAは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表し、R7およびR8は、いずれか一方が水素原子を表し、もう一方が下記式(VIII)で表される構造をとる。)
で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
得られた一般式(VII)で表されるジエン鉄錯体化合物を、下記一般式(VI)、
(式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはメチル基を表す。)
で表されるアミンと反応させて前記一般式(I)で表されるジエン鉄錯体化合物を得る工程と、
をさらに備える請求項2または3記載のサンショール類の製造方法。 - 前記アルデヒド化合物を4−ジエチルホスホノクロトン酸と反応させる工程において、塩基として水酸化リチウムを用いる請求項8記載のサンショール類の製造方法。
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