JP2013203579A - 高導電性酸化チタン構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】V、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である、板状又はロッド状の酸化チタン構造体。該酸化チタン構造体は、例えば、特定濃度のアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、特定の物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させた後に、必要に応じて酸等で洗浄し、熱処理することにより製造できる。
【選択図】図2
Description
項1.V、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である、板状又はロッド状の酸化チタン構造体。
項2.V、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を、Tiに対して0.1〜10mol%含有する、項1に記載の酸化チタン構造体。
項3.比表面積が10m2/g以上である、項1又は2に記載の酸化チタン構造体。
項4.平均幅が20nm以上である、項1〜3のいずれかに記載の酸化チタン構造体。
項5.長手方向の平均長さが1μm以上である、項1〜4のいずれかに記載の酸化チタン構造体。
項6.アルカリ金属の含有量が2000ppm以下である、項1〜5のいずれかに記載の酸化チタン構造体。
項7.平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である板状又はロッド状の酸化チタン構造体の製造方法であって、
(1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程、及び
(3)300℃以上で熱処理する工程
を備える、製造方法。
項8.前記工程(1)において、物質(B)中のV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種の含有量が、物質(A)中のTiに対して0.1〜10mol%である、項7に記載の製造方法。
項9.前記物質(A)が、酸化チタン及び/又はその前駆体である、項7又は8に記載の製造方法。
項10.前記物質(B)が、V、Nb、Ta及びBの酸化物、水酸化物、アルコキシド及び塩化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、項7〜9のいずれかに記載の製造方法。
項11.前記アルカリが、少なくとも水酸化ナトリウムを50重量%以上含む、項7〜10のいずれかに記載の製造方法。
項12.前記工程(3)が、
(3−1)10kPa以下の減圧下に300℃以上で熱処理する工程
である、項7〜11のいずれかに記載の製造方法。
項13.前記工程(3)が、
(3−2)還元雰囲気下に300℃以上で熱処理する工程
である、項7〜11のいずれかに記載の製造方法。
項14.前記工程(1)及び(3)の間に、
(2)工程(1)で得られた酸化チタン系構造体を水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種と接触させる工程
を備える、項7〜13のいずれかに記載の製造方法。
項15.前記酸が、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、フッ酸、酢酸、クエン酸、ギ酸及びシュウ酸よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、項14に記載の製造方法。
項16.(1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程、及び
(3)300℃以上で熱処理する工程
を備える方法により製造された、平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である板状又はロッド状の酸化チタン構造体。
項17.(1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程
を備える、板状又はロッド状の酸化チタン構造体の熱処理前後の形状変化を抑制する方法。
項18.前記工程(1)の後、
(2)工程(1)で得られた酸化チタン系構造体を水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種と接触させる工程
を備える、項17に記載の方法。
項19.項1〜6及び16のいずれかに記載の酸化チタン構造体、又は項7〜15のいずれかに記載の製造方法により得られた酸化チタン構造体を含む、多孔質酸化チタン膜。
項20.さらに、平均粒子径が1〜500nmの酸化チタン微粒子を含む、項19に記載の多孔質酸化チタン膜。
項21.導電性基板上に、色素が担持された項19又は20に記載の多孔質酸化チタン膜が形成されている電極。
項22.項21に記載の電極を備える、光電変換素子。
項23.項1〜6及び16のいずれかに記載の酸化チタン構造体、又は項7〜15のいずれかに記載の製造方法により得られた酸化チタン構造体を用いた光触媒。
本発明の酸化チタン構造体は、V、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、平均アスペクト比が10以上であり、粉体抵抗が1×105Ω・m以下である、板状又はロッド状の酸化チタン構造体である。
本発明の酸化チタン構造体の平均アスペクト比(幅に対する長さの比、長さ/幅)は10以上、好ましくは20以上である。アスペクト比が10未満では、高導電性、高強度等、高アスペクト比に起因する物性が得られない。また、塗布した場合の膜性を良好にするために、本発明の酸化チタン構造体の平均アスペクト比は、10000以下程度が好ましく、5000以下程度がより好ましい。
本発明の酸化チタン構造体は、チタン(Ti)と酸素(O)とを主成分として含むものであるが、さらに、第3成分としてV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する。第3成分の含有量は導電性及び光電変換効率の観点から、チタン(Ti)に対して、0.1〜10mol%が好ましく、0.3〜8mol%がより好ましく、0.5〜7mol%がさらに好ましい。
本発明の酸化チタン構造体は、より大きな電流が得られる点から、10MPa下での粉体抵抗は1×105Ω・m以下、好ましくは5×104Ω・m以下である。粉体抵抗が1×105Ω・mをこえると、光電変換効率が低下する。粉体抵抗は、小さいほうが好ましく、下限値は特に制限されないが、0.01Ω・m程度である。なお、酸化チタン構造体の粉体抵抗の測定方法は、特に限定されないが、例えば、10MPaの圧力で厚さ0.3mmの平板状に加工し、ペレット間に電圧1Vを印加して流れる電流値を測ることにより測定することができる。
本発明の酸化チタン構造体の製造方法は、
(1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程、及び
(3)300℃以上で熱処理する工程
を備える。
(2)工程(1)で得られた酸化チタン系構造体を水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種と接触させる工程
を備えることが好ましい。
工程(1)では、3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる。
工程(2)では、具体的には、水又は酸を使用する場合には、例えば、工程(1)で得られた酸化チタン構造体を、水又は酸性水溶液中に添加することが好ましい。また、イオン交換樹脂を使用する場合には、イオン交換樹脂を充填したカラムに生成物を含む液を通過させてもよく、イオン交換樹脂と混合して撹拌するだけでもよい。
上記工程(1)又は工程(2)で得られた酸化チタン構造体は、高温に加熱(焼成)することで酸化チタン系構造体に残存するTi−OH基の脱水反応を行わせ、結晶性を増すことができる。
(3−1)10kPa以下の減圧下に300℃以上で熱処理する工程、又は
(3−2)還元雰囲気下に300℃以上で熱処理する工程
とすることが好ましい。なかでも、工程(3−2)が導電性が向上するため好ましいが、工程(3−1)のほうが簡便である。
本発明の多孔質酸化チタン膜は、本発明の酸化チタン構造体を含む。なお、本発明の多孔質酸化チタン膜は、必ずしも本発明の酸化チタン構造体のみからなる必要はなく、例えば、平均粒子径が1〜500nm、特に5〜100nmの酸化チタン微粒子;公知の酸化チタンナノチューブ;公知の酸化チタンナノロッド;公知の酸化チタンナノファイバー;酸化チタンナノ粒子のチューブ状集合体等の高アスペクト比を有する酸化チタン構造体等を含んでいてもよい。
本発明の電極を形成する際には、上述の多孔質酸化チタン膜を、導電性の樹脂基板又はガラス基板の上に形成することが好ましい。
樹脂基板又はガラス基板上に、本発明の多孔質酸化チタン膜を、透明導電膜を介して形成し、本発明の電極とすることができる。なお、樹脂基板、ガラス基板及び透明導電膜は上述したとおりのものである。
樹脂基板又はガラス基板上に、本発明の多孔質酸化チタン膜を直接形成し、さらにその上に、多孔質金属膜を形成して本発明の電極としてもよい。なお、樹脂基板及びガラス基板は上述したとおりのものである。また、樹脂基板又はガラス基板上に、本発明の多孔質酸化チタン膜を形成する際には、上記態様1と同様の方法を採用することができる。
本発明の光電変換素子は、本発明の電極の多孔質酸化チタン膜の上に対向電極(対極)を形成し、これら電極間を、ヨウ素及びヨウ化物又は臭素及び臭化物を含むアセトニトリル溶液、エチレンカーボネート溶液、又はプロピレンカーボネート溶液、及びそれらの混合溶液等の電解液で満たすことにより作製できる。また、本発明の色素増感太陽電池は、当該光電変換素子をモジュール化するとともに、所定の電気配線を設けることによって得られる。
本発明の酸化チタン構造体は、色素増感太陽電池以外にも、光触媒、センサー、樹脂強化材、金属イオン担持体等に用いることができる。その際、上記の「3.多孔質酸化チタン膜」等と同様に、本発明の酸化チタン構造体を単独で用いてもよいし、本発明の酸化チタン構造体と酸化チタン微粒子等とを混合して用いてもよい。
平均粒子径が7nmの酸化チタン微粒子0.8gと酸化ニオブ0.066gを100gの蒸留水を加え撹拌した後、40gのNaOHを加えさらに5分間撹拌した(酸化チタンの濃度:0.1mol/L、酸化ニオブ由来のニオブ濃度0.005mol/L、アルカリ水溶液の濃度:10mol/L)。この混合液をPTFEライニングしたSUS316製圧力容器に入れて250℃加熱炉中で12時間静置したところ、白色の沈殿が得られた。
平均粒子径が25nmの酸化チタン微粒子0.8gを用いる以外は、実施例1と同様に実験を行った。
平均粒子径が4nmの酸化チタンゾル100g(酸化チタンを0.8g含む)に塩化ニオブ0.135gを用いる以外は、実施例1と同様に実験を行った。この際、アルカリ水溶液中の酸化チタンの濃度は0.1mol/L、塩化ニオブ由来のニオブ濃度は0.005mol/Lである。その結果、0.8gの白色物質が得られ、平均幅90nm、平均長さ7μm(平均アスペクト比:78)であり、粉体抵抗は1.3×104Ωmであった。また、1個1個の構造体が独立しており、分散性に優れることも分かった。
反応温度を250℃ではなく200℃とする以外は、実施例1と同様に実験を行った。その結果、0.8gの白色物質が得られ、平均幅80nm、平均長さ4.8μm(平均アスペクト比:60)であり、粉体抵抗は1.2×104Ωmであった。また、1個1個の構造体が独立しており、分散性に優れることも分かった。
60gのNaOHを用いる以外は、実施例1と同様に実験を行った。この際、アルカリ水溶液中の酸化チタンの濃度は0.1mol/L、塩化ニオブ由来のニオブ濃度は0.005mol/Lである。その結果、0.8gの白色物質が得られ、平均幅100nm、平均長さ8μm(平均アスペクト比:80)であり、粉体抵抗は0.9×104Ωmであった。また、1個1個の構造体が独立しており、分散性に優れることも分かった。
反応時間を12時間ではなく60時間とする以外は、実施例1と同様に実験を行った。その結果、0.8gの白色物質が得られ、平均幅100nm、平均長さ10μm(平均アスペクト比:100)であり、粉体抵抗は0.8×104Ωmであった。また、1個1個の構造体が独立しており、分散性に優れることも分かった。
焼成温度を700℃ではなく800℃とする以外は、実施例1と同様に実験を行った。その結果、0.8gの白色物質が得られ、平均幅130nm、平均長さ5μm(平均アスペクト比:38)であり、粉体抵抗は0.5×104Ωmであった。また、1個1個の構造体が独立しており、分散性に優れることも分かった。
焼成雰囲気を減圧下ではなく、水素を2mol%含む窒素雰囲気で焼成する以外は、実施例1と同様に実験を行った。その結果、0.8gの白色物質が得られ、平均幅100nm、平均長さ5μm(平均アスペクト比:50)であり、粉体抵抗は0.2×104Ωmであった。また、1個1個の構造体が独立しており、分散性に優れることも分かった。
平均粒子径が7nmの酸化チタン微粒子0.8gのみに、100gの蒸留水を加え撹拌した後、40gのNaOHを加え、実施例1と同様に実験を行った。つまり、酸化ニオブを使用しなかった。
焼成を行う代わりに150℃の減圧乾燥のみを行い、実施例1と同様に実験を行った。
反応を250℃減圧下ではなく110℃常圧下で行う以外は、実施例1と同様に実験を行った。
<酸化チタンナノ粒子(平均粒径15nm)の合成>
pH0.7の硝酸水溶液800gを撹拌しながら、チタンテトライソプロポキシド142.1g(0.5mol)、酢酸30g(0.5mol)を加え、1時間撹拌したのち、80℃に昇温して1時間保持し、酸化チタンゾルを合成した。最終重量は925gに調整した。この酸化チタンゾル208.1gをチタン製圧力容器に封入し、250℃で18時間反応を行い、酸化チタンナノ粒子(平均粒径15nm)を合成した。
シート抵抗8Ω/sq.の導電性ガラス基板の上に、上記合成した酸化チタンナノ粒子(平均粒径15nm)2.9g、実施例1で得られた酸化チタン系構造体0.1g、エチルセルロース1.5g、α−テルピネオール10g、エタノール50gを混合し、超音波分散を行い、その後40℃90hPaで3h濃縮して得られた酸化チタンペーストを5mm角×厚み16μmに塗布し、125℃で乾燥した。
実施例1で得られた酸化チタン構造体0.1gを使用せず、上記合成した酸化チタンナノ粒子(平均粒径15nm)を3.0g使用したこと以外は、上記実施例1の酸化チタン構造体を用いた場合と同様に実験を行った。
酸化チタン構造体を比較例1で得られたものに変更すること以外は、上記実施例1の酸化チタン構造体を用いた場合と同様にして実験を行った。
Claims (23)
- V、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である、板状又はロッド状の酸化チタン構造体。
- V、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を、Tiに対して0.1〜10mol%含有する、請求項1に記載の酸化チタン構造体。
- 比表面積が10m2/g以上である、請求項1又は2に記載の酸化チタン構造体。
- 平均幅が20nm以上である、請求項1〜3のいずれかに記載の酸化チタン構造体。
- 長手方向の平均長さが1μm以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の酸化チタン構造体。
- アルカリ金属の含有量が2000ppm以下である、請求項1〜5のいずれかに記載の酸化チタン構造体。
- 平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である板状又はロッド状の酸化チタン構造体の製造方法であって、
(1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程、及び
(3)300℃以上で熱処理する工程
を備える、製造方法。 - 前記工程(1)において、物質(B)中のV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種の含有量が、物質(A)中のTiに対して0.1〜10mol%である、請求項7に記載の製造方法。
- 前記物質(A)が、酸化チタン及び/又はその前駆体である、請求項7又は8に記載の製造方法。
- 前記物質(B)が、V、Nb、Ta及びBの酸化物、水酸化物、アルコキシド及び塩化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項7〜9のいずれかに記載の製造方法。
- 前記アルカリが、少なくとも水酸化ナトリウムを50重量%以上含む、請求項7〜10のいずれかに記載の製造方法。
- 前記工程(3)が、
(3−1)10kPa以下の減圧下に300℃以上で熱処理する工程
である、請求項7〜11のいずれかに記載の製造方法。 - 前記工程(3)が、
(3−2)還元雰囲気下に300℃以上で熱処理する工程
である、請求項7〜11のいずれかに記載の製造方法。 - 前記工程(1)及び(3)の間に、
(2)工程(1)で得られた酸化チタン系構造体を水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種と接触させる工程
を備える、請求項7〜13のいずれかに記載の製造方法。 - 前記酸が、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、フッ酸、酢酸、クエン酸、ギ酸及びシュウ酸よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項14に記載の製造方法。
- (1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程、及び
(3)300℃以上で熱処理する工程
を備える方法により製造された、平均アスペクト比が10以上であり、10MPa下での粉体抵抗が1×105Ω・m以下である板状又はロッド状の酸化チタン構造体。 - (1)3〜20mol/Lのアルカリ水溶液と、Tiを含む物質(A)、並びにV、Nb、Ta及びBよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む物質(B)とを、160℃より高い温度で接触させる工程
を備える、板状又はロッド状の酸化チタン構造体の熱処理前後の形状変化を抑制する方法。 - 前記工程(1)の後、
(2)工程(1)で得られた酸化チタン系構造体を水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種と接触させる工程
を備える、請求項17に記載の方法。 - 請求項1〜6及び16のいずれかに記載の酸化チタン構造体、又は請求項7〜15のいずれかに記載の製造方法により得られた酸化チタン構造体を含む、多孔質酸化チタン膜。
- さらに、平均粒子径が1〜500nmの酸化チタン微粒子を含む、請求項19に記載の多孔質酸化チタン膜。
- 導電性基板上に、色素が担持された請求項19又は20に記載の多孔質酸化チタン膜が形成されている電極。
- 請求項21に記載の電極を備える、光電変換素子。
- 請求項1〜6及び16のいずれかに記載の酸化チタン構造体、又は請求項7〜15のいずれかに記載の製造方法により得られた酸化チタン構造体を用いた光触媒。
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