JP2013202738A - Manufacturing method of disk-like substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、円板状基板の端面を研磨する端面研磨工程を含む円板状基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a disk-shaped substrate including an end surface polishing step for polishing an end surface of the disk-shaped substrate.
ハードディスクドライブ記憶装置などに搭載される磁気ディスク用のガラス基板においては、近年の高記録密度化や高速回転化に伴い、ガラス基板の表面の平滑化はもとより、加工精度、主に内外径精度や内外周端部形状にも高精度化が求められている。 In a glass substrate for a magnetic disk mounted in a hard disk drive storage device or the like, with the recent increase in recording density and rotation speed, not only the surface of the glass substrate is smoothed, but also the processing accuracy, mainly the inner and outer diameter accuracy, High precision is also required for the inner and outer peripheral end shapes.
このようなガラス基板の端面研磨方法として、特許文献1,2に記載の技術が提案されている。特許文献1には、遊離砥粒を含有した研磨液を用い、積層されたガラス基板に対して、研磨ブラシを内周端面または外周端面に回転接触させて研磨する方法が記載されている。また、特許文献1においては、研磨液の粘度、すなわち濃度を細かく管理する方法も開示されている。
As such a glass substrate end surface polishing method, techniques described in
特許文献2には、研磨ブラシまたは研磨パッドを用いて、積層されたガラス基板の内孔部に研磨液を供給し、この螺旋状の研磨ブラシまたは研磨パッドを回転させることによって生じる下方向の吸い込みを利用して、内周端面部に研磨液を供給して研磨を行う方法が開示されている。
In
近年、磁気ディスクの高記録密度化に伴って、ガラス基板の内外径精度や端部形状のさらなる高精度化が求められている。ところが、前述した従来の技術では、充分な精度を得ることができず、求められる品質を低コストで達成することが困難であった。 In recent years, with the increase in recording density of magnetic disks, there has been a demand for higher accuracy in the inner and outer diameters and end shapes of glass substrates. However, with the above-described conventional technology, sufficient accuracy cannot be obtained, and it has been difficult to achieve the required quality at a low cost.
そこで、特許文献3には、ガラス基板に接触回転させる研磨ブラシまたは研磨パッドの駆動負荷検知を行い、回転軸方向に対して垂直な方向に当接位置を調整する制御を行うことによって、不良率を低減させて低コスト化を図る方法が提案されている。
Therefore, in
しかしながら、特許文献3に記載された方法では、例えば、研磨ブラシを回転させるためのモータに接続しているインバータの負荷電流出力をモニタリングする場合に、ノイズが小さい状態でトルクを制御することが困難であった。そのため、研磨されるガラス基板の品質のばらつきを抑制することが困難であるという問題があった。
However, in the method described in
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、ガラス基板等の円板状基板の端面研磨における研磨量を適正に制御することができ、研磨後の円板状基板の品質のばらつきを抑制することができる円板状基板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to appropriately control the amount of polishing in end face polishing of a disk-shaped substrate such as a glass substrate. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a disk-shaped substrate that can suppress variations in quality.
上述した課題を解決し、上記目的を達成するために、本発明に係る円板状基板の製造方法は、円板状基板の端面に研磨液を供給するとともに、回転研磨手段を円板状基板の端面に接触させつつ回転させて端面を研磨する端面研磨処理を含む円板状基板の製造方法において、端面研磨処理は、回転研磨手段と円板状基板の端面との間の接触回転の負荷に応じて変動する回転研磨手段の実回転速度を計測する計測ステップと、実回転速度に基づいて研磨加工時間を算出する算出ステップと、端面研磨処理を、研磨加工時間で実行するように制御する制御ステップと、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the above object, a manufacturing method of a disk-shaped substrate according to the present invention supplies a polishing liquid to an end surface of a disk-shaped substrate and also uses a rotary polishing means as a disk-shaped substrate. In the manufacturing method of the disk-shaped substrate including the end surface polishing process in which the end surface is polished by rotating while being in contact with the end surface, the end surface polishing process is a load of contact rotation between the rotating polishing means and the end surface of the disk-shaped substrate. A measurement step for measuring the actual rotation speed of the rotary polishing means that varies according to the calculation, a calculation step for calculating the polishing time based on the actual rotation speed, and control so that the end face polishing process is executed in the polishing time. And a control step.
本発明に係る円板状基板の製造方法は、上記の発明において、端面研磨処理は、複数枚の円板状基板を積層させた状態で、複数の円板状基板の端面を同時に研磨することを特徴とする。 In the method for manufacturing a disk-shaped substrate according to the present invention, in the above invention, the end surface polishing treatment is performed by simultaneously polishing the end surfaces of the plurality of disk-shaped substrates in a state where the plurality of disk-shaped substrates are stacked. It is characterized by.
本発明に係る円板状基板の製造方法は、上記の発明において、算出ステップが、端面研磨処理における目標研磨量と端面研磨処理を開始する前に設定される推定研磨レートとに基づいて算出される最大研磨加工時間未満の所定時間で計測した、回転研磨手段における実回転速度の平均値または所定時間での回転総数に基づいて、研磨加工時間を算出することを特徴とする。 In the disc substrate manufacturing method according to the present invention, in the above invention, the calculation step is calculated based on a target polishing amount in the end surface polishing process and an estimated polishing rate set before starting the end surface polishing process. The polishing time is calculated on the basis of the average value of the actual rotation speed in the rotary polishing means or the total number of rotations in the predetermined time measured at a predetermined time less than the maximum polishing time.
本発明に係る円板状基板の製造方法は、上記の発明において、回転研磨手段に対して設定される回転速度が、600rpm以上5500rpm以下であることを特徴とする。 The method for manufacturing a disc-shaped substrate according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the rotational speed set for the rotary polishing means is 600 rpm or more and 5500 rpm or less.
本発明に係る円板状基板の製造方法は、上記の発明において、円板状基板は、ガラス基板であり、研磨液は、酸化セリウム、コロイダルシリカ、または酸化ジルコニウムを含むことを特徴とする。 The disk-shaped substrate manufacturing method according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the disk-shaped substrate is a glass substrate, and the polishing liquid contains cerium oxide, colloidal silica, or zirconium oxide.
本発明に係る円板状基板の製造方法によれば、円板状基板の端面研磨における研磨量を適正に制御することができ、研磨後の円板状基板の品質のばらつきを抑制することが可能となる。 According to the method for manufacturing a disk-shaped substrate according to the present invention, it is possible to appropriately control the polishing amount in the end surface polishing of the disk-shaped substrate, and to suppress variations in the quality of the disk-shaped substrate after polishing. It becomes possible.
以下、本発明の一実施形態に係る円板状基板の製造方法について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の一実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。また、本発明は以下に説明する一実施形態によって限定されるものではない。 Hereinafter, a manufacturing method of a disk-shaped substrate concerning one embodiment of the present invention is explained, referring to drawings. In all the drawings of the following embodiment, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals. Further, the present invention is not limited to the embodiment described below.
なお、この一実施形態は、中心に円孔を有する円板状のガラス基板、すなわちドーナツ状のガラス基板を製造する方法に係るものである。このガラス基板は、たとえば厚さ0.635mm、外径65.00mm、内径20.01mmであり、ハードディスク装置の磁気ディスクに使用される。 In addition, this one Embodiment concerns on the method of manufacturing the disk-shaped glass substrate which has a circular hole in the center, ie, a donut-shaped glass substrate. This glass substrate has, for example, a thickness of 0.635 mm, an outer diameter of 65.00 mm, and an inner diameter of 20.01 mm, and is used for a magnetic disk of a hard disk device.
まず、本発明の一実施形態によるガラス基板の研磨装置について説明する。図1は、この一実施形態によるガラス基板の研磨装置を示し、図2は、研磨されるドーナツ状ガラスブロックを示す。このガラス基板の研磨装置は、ドーナツ状ガラス基板の製造工程のうちの端面を研磨する端面研磨工程に用いられる。 First, a glass substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows a glass substrate polishing apparatus according to this embodiment, and FIG. 2 shows a donut-shaped glass block to be polished. This glass substrate polishing apparatus is used in an end surface polishing step for polishing an end surface in a manufacturing process of a donut-shaped glass substrate.
図1に示すように、この一実施形態によるガラス基板の研磨装置1は、ディスクホルダ11、研磨ブラシ13、回転並進モータ14、軸受15、および制御部20を有して構成されている。
As shown in FIG. 1, the glass
ディスクホルダ11は、ドーナツ状ガラスブロック40を収納可能に構成されている。なお、図2に示すように、ドーナツ状ガラスブロック40は、中空円盤状のドーナツ状ガラス基板40aを、例えばスペーサを介して複数枚積層したものである。また、図1に示すように、ディスクホルダ11は、長手方向に対して直角の断面におけるドーナツ状ガラス基板40aの中空円盤の中心を軸として、自転可能に構成されている。
The
また、回転研磨手段である研磨ブラシ13は、ブラシ回転軸12とブラシ回転軸12の外周部に円筒状に設けられたブラシ毛とを有する。ブラシ回転軸12は、ディスクホルダ11を長手方向に沿って貫通可能な棒状に構成されている。研磨ブラシ13の寸法の一例を挙げると、例えば、直径が22.0mmで、長さが300mmである。また、ブラシ毛は、例えば、毛足の長さが10mm程度の6−6ナイロンからなる。
Further, the
ディスクホルダ11は、円筒状の研磨ブラシ13を、内部に挿入可能に構成されている。さらに、ディスクホルダ11がドーナツ状ガラスブロック40を収納した状態で、ドーナツ状ガラスブロック40の中空部内に、研磨ブラシ13を挿入することができる。
The
また、ブラシ回転軸12の一端は、回転駆動手段としての回転並進モータ14に連結され、他端は、軸受15に軸受け支持される。回転並進モータ14は、研磨ブラシ13を、ブラシ回転軸12を軸として自転させることができる。そのため、研磨ブラシ13は、ドーナツ状ガラスブロック40の中空部内に挿入された状態で回転することにより、ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面を研磨することができる。また、回転並進モータ14は、研磨ブラシ13を、それらの長手方向に沿って往復させることができる。これにより、回転並進モータ14は、研磨ブラシ13を、ブラシ回転軸12を中心として自転させつつ、長手方向に沿って往復させることができる。また、回転並進モータ14は、回転駆動時において研磨ブラシ13の実際の回転数(実回転数)を計測して、実回転数のデータを制御部20に供給する。
Further, one end of the
この一実施形態による制御手段である制御部20は、種々の演算処理を行う演算処理部20aと、各種データを記憶する記憶部20bとを備える。この制御部20は、ディスクホルダ11の自転運動を制御可能に構成されているとともに、回転並進モータ14の自転運動および往復運動を制御可能に構成されている。また、制御部20は、回転並進モータ14から供給された研磨ブラシ13の実回転数のデータを、記憶部20bに格納する。
The
制御部20の記憶部20bには、回転並進モータ14から供給された実回転数のデータに基づいて、回転並進モータ14の回転駆動時間、すなわち研磨ブラシ13による端面研磨処理の時間である研磨加工時間を算出するための時間演算式および各種データを含むテーブルが格納されている。制御部20の演算処理部20aは、記憶部20bに格納された、回転並進モータ14から供給された実回転数のデータおよびテーブルに基づいて時間演算式を用いることにより研磨ブラシ13による研磨加工時間を算出する。そして、制御部20は、算出した研磨加工時間に基づいて、回転並進モータ14の駆動を制御することによって、研磨ブラシ13の回転時間を制御する。
In the storage unit 20b of the
ここで、本発明者により案出された、上述した研磨ブラシ13による研磨を制御する際に、制御部20の演算処理部20aによって演算される時間演算式について説明する。
Here, a time arithmetic expression calculated by the arithmetic processing unit 20a of the
まず、本発明者は、ドーナツ状ガラス基板40aなどの円板状基板の端面を研磨する端面研磨処理、およびこの端面研磨処理に用いる研磨装置に関して、従来技術が有する問題を解決するために種々実験および検討を行った。その結果、研磨ブラシや研磨パッドなどの、回転しつつ研磨を行う回転研磨手段の円板状基板への負荷(接触回転負荷)が、研磨レートと相関関係を有することが見出された。
First, the present inventor conducted various experiments in order to solve the problems of the prior art regarding an end surface polishing process for polishing an end surface of a disk-shaped substrate such as a doughnut-shaped
そこで、本発明者は、この相関関係についてさらに検討を進め、接触回転負荷を作用させつつ回転研磨手段を駆動させる回転駆動手段において、接触回転負荷に影響されて変動する実回転数が、研磨レートと相間関係にあることを新たに見出した。すなわち、接触回転負荷によって、回転研磨手段の回転速度(周速度)が変動し、回転速度が変動することで、実回転数が変動して研磨レートが変動することが見出された。なお、本明細書においては、実回転数とは、実回転速度および所定時間での実際に回転した総数(回転総数)を含むものとする。そして、研磨レートが導出されれば、あらかじめ設定される目標とする研磨量(目標研磨量)に基づいて、回転研磨手段の回転時間、いわゆる研磨加工時間を算出できる。 Therefore, the present inventor further studied this correlation, and in the rotational driving means that drives the rotational polishing means while applying the contact rotational load, the actual rotational speed that is affected by the contact rotational load varies to the polishing rate. And found a new relationship. That is, it has been found that the rotational speed (circumferential speed) of the rotary polishing means varies depending on the contact rotational load, and the rotational speed varies, so that the actual rotational speed varies and the polishing rate varies. In the present specification, the actual rotational speed includes the actual rotational speed and the total number of actual rotations (total number of rotations) at a predetermined time. When the polishing rate is derived, the rotation time of the rotary polishing means, that is, the so-called polishing time can be calculated based on a target polishing amount (target polishing amount) set in advance.
したがって、この一実施形態においては、研磨ブラシ13の実回転数と研磨加工時間との相関関係を時間演算式として、この時間演算式に用いるデータのテーブルとともに記憶部20bにあらかじめ格納する。そして、制御部20は、研磨ブラシ13の実回転数およびテーブルを参照しつつ、時間演算式を用いて研磨加工時間を算出し、研磨加工時間の間で回転並進モータ14を駆動させる制御を行う。
Therefore, in this embodiment, the correlation between the actual rotational speed of the polishing
なお、テーブルを参照しつつ演算処理部20aが演算する時間演算式は、回転研磨手段である研磨ブラシや研磨パッドに採用される材料の種類や、ドーナツ状ガラスブロック40を研磨する際に設定される設定回転速度などの特性に応じて種々の式を設定できる。特に、研磨装置1で交換して仕様される種々の研磨ブラシや研磨パッドが互いに同一の仕様である場合には、特性が近似していることから同一の時間演算式を採用することができる。
Note that the time arithmetic expression calculated by the arithmetic processing unit 20a with reference to the table is set when polishing the kind of material used for the polishing brush or polishing pad as the rotary polishing means, or when polishing the donut-shaped
次に、制御部20の演算処理部20aが演算するための時間演算式の導出について説明する。図3は、この一実施形態による演算処理部20aが演算するための時間演算式の導出を説明するためのグラフである。
Next, the derivation of the time arithmetic expression for the arithmetic processing unit 20a of the
すなわち、この一実施形態による研磨装置1においては、まず、研磨ブラシ13の種類ごと、および研磨開始時に設定される研磨ブラシ13の回転数、ここでは設定回転速度ごとに、ドーナツ状ガラスブロック40の研磨加工を、統計学的に信頼性が担保できる回数行う。具体的には、例えば20〜40回程度、同一の研磨ブラシ13を用いて研磨加工を繰り返し行う。
That is, in the
このとき、回転並進モータ14は、研磨ブラシ13の実回転速度を計測して制御部20に供給する。制御部20においては、供給される実回転速度に基づいて、端面研磨処理における研磨レートを算出する。そして、演算処理部20aは、計測した研磨レートと、あらかじめ設定される研磨量とに基づいて、次の(1)式の演算を行う。
研磨加工時間=研磨量/研磨レート…(1)
これにより、演算処理部20aは、ドーナツ状ガラスブロック40の研磨加工時間を算出する。
At this time, the
Polishing time = polishing amount / polishing rate (1)
Thereby, the arithmetic processing unit 20a calculates the polishing time of the doughnut-shaped
その後、制御部20は、回転並進モータ14が出力する実回転速度の、所定時間での平均値、具体的には例えば10分間での平均値を実回転速度の代表値に設定する。そして、制御部20によって、目標研磨レートおよび目標研磨量から(1)式によって算出される研磨加工時間と実回転速度の代表値との相関関係をグラフ上にプロットする。これによって、図3に示すグラフが作成される。
Thereafter, the
その後、図3に示すようにプロットした実回転速度の代表値と研磨加工時間との相関関係の実測値に基づいて、次の(2)式に示す近似式を、時間演算式として導出する。
研磨加工時間=a×実回転速度の代表値+b……(2)
(a,bは係数)
Then, based on the measured value of the correlation between the representative value of the actual rotation speed plotted as shown in FIG. 3 and the polishing time, an approximate expression shown in the following expression (2) is derived as a time calculation expression.
Polishing time = a × representative value of actual rotational speed + b (2)
(A and b are coefficients)
なお、上述したように、研磨レートおよび研磨加工時間は、研磨ブラシ13の実回転速度に応じて種々変化する。そのため、研磨ブラシ13の種類ごと、および研磨開始時の研磨ブラシ13の設定回転速度ごとに、研磨加工時間に対する実回転速度依存性を導出できる。そして、導出された研磨加工時間の実回転速度依存性は、時間演算式として記憶部20bに格納され、必要に応じて演算処理部20aが読み出して演算処理を行う。
As described above, the polishing rate and the polishing time vary in accordance with the actual rotation speed of the polishing
すなわち、(2)式における係数a,bの値を、研磨ブラシ13の特性ごと、具体的には、研磨ブラシ13の毛の太さなどの種類ごとや、研磨加工時の設定回転速度ごとにあらかじめ導出して、記憶部20bにテーブルとして格納しておく。制御部20は、研磨ブラシ13が他の仕様の特性が異なるブラシに変更されたり、設定回転速度が変更されたりするごとに、(2)式の係数a,bを記憶部20bから読み出し、(2)式を確定させて研磨加工時間の計算に用いる。ここで、係数a,bの具体的な一例を挙げると、係数aが例えば−0.2であり、係数bが例えば37.50である。
That is, the values of the coefficients a and b in the expression (2) are set for each characteristic of the polishing
なお、この一実施形態においては、実回転数として例えば10分間の実回転速度に基づいて実回転速度の代表値を算出しているが、計算精度を向上させるために、研磨条件に応じて、(2)式の実回転速度の代表値の代わりに、所定時間の間での回転総数を採用してもよい。また、実回転速度を計測するための所定時間や、回転総数を計測するための所定時間としては、必要に応じて10分間より長い時間を採用してもよい。また、所定時間の間であれば、回転速度を連続的に計測しても、断続的に計測してもよい。なお、いずれの場合においても、所定時間は、端面研磨処理における目標研磨量と端面研磨処理を開始する前に設定される推定研磨レートに基づいて算出される、端面研磨処理が終了するまでの最大研磨加工時間未満の時間とする。ここで、端面研磨処理を開始する前に設定される推定研磨レートは、おおよその目安として決定されればよく、算出方法は特に限定されない。たとえば、直前に行った端面研磨処理や、研磨液濃度、ブラシ回転側速度が類似の条件であった端面研磨処理から算出してもよく、複数回の端面研磨処理の平均値を採用してもよい。 Note that, in this embodiment, the representative value of the actual rotation speed is calculated as the actual rotation speed based on the actual rotation speed for 10 minutes, for example, in order to improve the calculation accuracy, depending on the polishing conditions, Instead of the representative value of the actual rotation speed in the equation (2), the total number of rotations during a predetermined time may be adopted. Further, as the predetermined time for measuring the actual rotation speed and the predetermined time for measuring the total number of rotations, a time longer than 10 minutes may be adopted as necessary. Further, the rotation speed may be measured continuously or intermittently during a predetermined time. In any case, the predetermined time is calculated based on the target polishing amount in the end surface polishing process and the estimated polishing rate set before starting the end surface polishing process, and is the maximum time until the end surface polishing process ends. The time is less than the polishing time. Here, the estimated polishing rate set before starting the end surface polishing process may be determined as an approximate guide, and the calculation method is not particularly limited. For example, it may be calculated from the end surface polishing process performed immediately before, the end surface polishing process in which the polishing solution concentration and the brush rotation side speed were similar conditions, or an average value of a plurality of end surface polishing processes may be adopted. Good.
(ガラス基板の製造方法)
次に、以上のように構成された本発明の一実施形態によるガラス基板の製造方法について説明する。この一実施形態によるガラス基板の製造方法は、ガラス基板の研磨装置の制御方法に基づく端面研磨処理を含む。図4は、この一実施形態によるガラス基板の研磨方法を説明するためのフローチャートである。
(Glass substrate manufacturing method)
Next, the manufacturing method of the glass substrate by one Embodiment of this invention comprised as mentioned above is demonstrated. The manufacturing method of the glass substrate by this one Embodiment includes the end surface grinding | polishing process based on the control method of the grinding | polishing apparatus of a glass substrate. FIG. 4 is a flowchart for explaining a glass substrate polishing method according to this embodiment.
この一実施形態によるガラス基板の製造方法においては、まず、従来公知の方法により、軟質材スペーサを介して枚葉の薄板ガラスを互いに離間させつつ複数枚、例えば50〜300枚程度積層させてガラスブロックを形成する。その後、このガラスブロックをドーナツ状に切り出すことによって、図2に示すドーナツ状ガラスブロック40を形成する。
In the method of manufacturing a glass substrate according to this embodiment, first, a plurality of, for example, about 50 to 300, thin glass sheets are laminated while being separated from each other through a soft material spacer by a conventionally known method. Form a block. Thereafter, the glass block is cut into a donut shape to form a donut-shaped
次に、図1に示すガラス基板の研磨装置1を用いた研磨方法によって、ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面の研磨を行う。すなわち、まず、ドーナツ状ガラスブロック40をディスクホルダ11に収納する(ステップST1)。次に、ディスクホルダ11に納められたドーナツ状ガラスブロック40の少なくとも内周端面に、例えば研磨剤が混合された研磨液を噴射することによって、研磨液を供給する(ステップST2)。なお、この一実施形態において、研磨剤としては、例えば、酸化セリウム(Ce2O3,CeO2)、コロイダルシリカ(二酸化ケイ素:SiO2)、または酸化ジルコニウム(ZrO2)が用いられる。
Next, the inner peripheral end face of the donut-shaped
次に、制御部20が回転並進モータ14を制御することにより、研磨ブラシ13をドーナツ状ガラスブロック40の中空部に挿入させる。そして、制御部20が、ブラシ回転軸12を中心として研磨ブラシ13を回転させるとともに、ドーナツ状ガラスブロック40を研磨ブラシ13の回転方向に対して逆方向に回転させる。ここで、制御部20が研磨ブラシ13を回転させる際に設定する回転速度としては、600rpm以上5500rpm以下の範囲から選ばれる。さらに、制御部20は、研磨ブラシ13をガラス基板の積層方向に往復運動させる。これにより、ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面の端面研磨工程が開始される(ステップST3)。
Next, the
次に、回転並進モータ14は、ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面の研磨が開始した時点から、制御部20に実回転速度のデータを逐次送信する(ステップST4)。
Next, the
制御部20は、端面研磨工程が終了するまでの最大研磨加工時間未満の所定時間、具体的には例えば10分間が経過した後、入力された実回転速度のデータに基づいて実回転速度の代表値を算出する。なお、この実回転速度の代表値としては、所定時間、例えば10分間での実回転速度の平均値や、例えば10分間の回転総数を採用することが可能である。そして、制御部20の演算処理部20aは、算出した実回転速度の代表値を、記憶部20bから読み出した時間演算式に当てはめて演算を行うことにより、研磨加工時間を算出する(ステップST5)。
The
その後、制御部20は、回転並進モータ14の駆動時間を、算出した研磨加工時間に設定することにより、研磨ブラシ13の回転時間を設定する。そして、端面研磨処理の開始時点からの経過時間が、設定された研磨加工時間に達しない間(ステップST6:No)、ステップST6を繰り返し、研磨ブラシ13による端面研磨処理を継続する。一方、端面研磨処理の開始時点からの経過時間が、設定された研磨加工時間に達した場合(ステップST6:Yes)、制御部20は、回転並進モータ14の駆動を停止させ、ブラシ回転軸12および研磨ブラシ13をドーナツ状ガラスブロック40の中空部から抜き出して、内周端面の端面研磨処理を終了させる。
Thereafter, the
また、ドーナツ状ガラスブロック40の外周端面においても、内周端面と同様にして、研磨ブラシ(図示せず)によって外周端面に所定の回転接触負荷を作用させつつ、端面研磨処理を行う。
Further, also on the outer peripheral end face of the donut-shaped
ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面および外周端面の研磨が終了した後、ドーナツ状ガラスブロック40から個々のドーナツ状ガラス基板40aを分離させて収納し、洗浄処理を行う。続いて、枚葉に分離されたドーナツ状ガラス基板40aを、例えば超音波洗浄などの従来公知の方法により洗浄する。その後、ドーナツ状ガラス基板40aの外周エッジ部および内周エッジ部の斜面取り加工、外周端面と内周端面とのポリッシング、および主表面のポリッシングを順次行う。最後に、従来公知の方法によってドーナツ状ガラス基板40aの洗浄を行う。以上により、外周斜面取り部および内周斜面取り部が形成されチッピングが除去されたドーナツ状ガラス基板40aが製造される。
After the polishing of the inner peripheral end face and the outer peripheral end face of the doughnut-shaped
ところで、従来、ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面の研磨において、当接位置の調整代が充分に確保できないという問題があった。また、ハードディスク装置を製造する際にモータを高精度で嵌め合わせるために、ドーナツ状ガラス基板40aの内径寸法は、外周寸法に比して高い精度が要求される。さらに、上述した研磨装置1で用いた研磨ブラシ13のように、その外径がドーナツ状ガラスブロック40の内径よりもわずかに大きく、回転中心をドーナツ状ガラスブロック40の円中心と同軸にして研磨を行う場合には、当接位置の調整がより一層困難になる。そのため、本発明の一実施形態による研磨方法をドーナツ状ガラスブロック40の内周端面の研磨に適用することによって、内周端面の当接位置の調整代が充分に確保できない場合でも、研磨量を適切に制御することができ、外周端面の研磨に比してより効果的である。
By the way, conventionally, there has been a problem that a sufficient allowance for adjusting the contact position cannot be secured in polishing the inner peripheral end face of the donut-shaped
(実施例および比較例)
次に、ガラス基板の研磨装置に対する制御方法として、本発明の一実施形態による研磨方法に基づいた実施例と、従来の研磨方法に基づいた比較例とについて説明する。これらの実施例および比較例においては、特に高精度が求められる、ドーナツ状ガラス基板40aの内径のばらつきの計測結果に基づいて説明する。図5は、実施例1〜6の結果を示す表であり、図6は、比較例1〜3の結果を示す表である。
(Examples and Comparative Examples)
Next, as a control method for the glass substrate polishing apparatus, an example based on a polishing method according to an embodiment of the present invention and a comparative example based on a conventional polishing method will be described. In these examples and comparative examples, description will be made based on measurement results of variations in the inner diameter of the donut-shaped
図5に示すように、まず、実施例1,2においては、研磨ブラシ13として上述した一実施形態で用いたブラシと同様の仕様であるブラシAを用いた。そして、研磨ブラシ13の設定回転速度は、実施例1のサンプルA−1〜A−5の端面研磨処理においていずれも1500rpmとした。また、実施例2のサンプルA−6、A−7の端面研磨処理においては2700rpmとした。なお、サンプルNo.のA−1〜A−7は、ブラシAを用いてサンプルA−1〜A−7の順に、それぞれ別のドーナツ状ガラスブロック40に対して研磨処理を行ったことを意味する。他の実施例、および比較例においても同様である。研磨液の濃度は、実施例1のサンプルA−1〜A−3で30重量%とし、実施例1のサンプルA−4,A−5、実施例2のサンプルA−6は10重量%とし、実施例2のサンプルA−7は20重量%とした。なお、実施例1における(2)式の係数a,bの値、および実施例2における(2)式の係数a,bの値としては、設定回転速度ごとにあらかじめ算出され記憶部20bに格納された値を採用した。また、(2)式の係数a,bの値は、同一の仕様のブラシ、かつ同じ設定回転速度で端面研磨処理を行った結果を随時フィードバックして再設定した。これにより、研磨量を目標値により近づけることができる。
As shown in FIG. 5, first, in Examples 1 and 2, the brush A having the same specifications as the brush used in the above-described embodiment was used as the polishing
続いて、実施例3,4においては、研磨ブラシ13として、ブラシAから交換したブラシBを用いた。そして、研磨ブラシ13の設定回転速度は、実施例3のサンプルB−1〜B−5の端面研磨処理において実施例1と同様の1500rpmとし、実施例4のサンプルB−6、B−7の端面研磨処理において600rpmとした。さらに研磨液の濃度は、実施例3のサンプルB−1,B−2で20重量%とし、実施例3のサンプルB−3〜B−5で30重量%とし、続く実施例4のサンプルB−6、B−7で10重量%とした。なお、実施例3における(2)式の係数a,bの値としては、研磨ブラシ13の仕様および設定回転速度(1500rpm)が実施例1と同一であることから、実施例1での係数a,bの値と同一の値を採用した。また、実施例4における(2)式の係数a,bの値としては、設定回転速度(600rpm)に応じてあらかじめ算出されて記憶部20bに格納された値を採用した。
Subsequently, in Examples 3 and 4, the brush B exchanged from the brush A was used as the polishing
続いて、実施例5,6においては、研磨ブラシ13として、ブラシBから交換したブラシCを用いた。そして、研磨ブラシ13の設定回転速度は、実施例5のサンプルC−1〜C−5の端面研磨処理において実施例1,3と同様の1500rpmとし、実施例6のサンプルC−6、C−7の端面研磨処理において5500rpmとした。さらに研磨液の濃度は、実施例5のサンプルC−1で10重量%とし、実施例5のサンプルC−2〜C−4で20重量%とし、続く実施例5のサンプルC−5から実施例6のサンプルC−6、C−7では30重量%とした。なお、実施例5における(2)式の係数a,bの値としては、ブラシの仕様と設定回転速度(1500rpm)とが実施例1,3と同一であることから、実施例1,3での係数a,bの値と同一の値を採用した。また、実施例6における(2)式の係数a,bの値としては、設定回転速度(5500rpm)に応じてあらかじめ算出されて記憶部20bに格納された値を採用した。
Subsequently, in Examples 5 and 6, the brush C replaced from the brush B was used as the polishing
なお、以上の実施例1〜6による端面研磨処理は、実施例に沿って順次実行する。また、実施例1〜6における研磨加工時間は、上述した一実施形態に従って制御部20が算出して設定する。さらに、これら実施例1〜6で用いるブラシA〜Cはいずれも、同一の仕様のブラシであり、それらのブラシの回転軸に対して直角な断面に沿った円筒状の外径は、ドーナツ状ガラス基板40aの内径よりもわずかに大きい。
In addition, the end surface grinding | polishing process by the above Examples 1-6 is performed sequentially along an Example. Moreover, the
一方、比較例としては、上述した一実施形態による研磨装置1において、制御部20が従来技術に従った制御を行って端面研磨処理を実行する場合について説明する。
On the other hand, as a comparative example, in the
すなわち、図6に示すように、比較例1においては、まず、研磨ブラシ13として、ブラシA〜Cと同一の仕様のブラシDを用いた。そして、研磨ブラシ13の設定回転速度は、比較例1の5回の端面研磨処理においていずれも1500rpmとした。また、研磨液の濃度は、比較例1のサンプルD−1〜D−3において30重量%とし、サンプルD−4,D−5において10重量%とした。これらの設定回転速度および研磨液の濃度の条件は、実施例1と同様である。そこで、比較例1によるそれぞれの端面研磨処理での研磨加工時間に関して、サンプルD−1は実施例1の研磨レートを採用して算出した。サンプルD−2,D−3,D−5の研磨加工時間はそれぞれ、設定回転速度および研磨液の濃度が等しい直前の端面研磨処理での研磨レートをフィードバックさせて算出した。研磨液の濃度が異なるサンプルD−4の研磨加工時間は、設定回転速度および研磨液の濃度が等しいサンプルD−4,D−5の研磨レートと、同一のブラシDを用いている直前の比較例1のサンプルD−3の端面研磨処理での研磨レートとの平均値をフィードバックさせて算出した。
That is, as shown in FIG. 6, in Comparative Example 1, first, the brush D having the same specifications as the brushes A to C was used as the polishing
続いて、比較例2においては、研磨ブラシ13として、ブラシDから交換したブラシEを用いる。そして、研磨ブラシ13の設定回転速度は、比較例1と同様の1500rpmとした。また、研磨液の濃度は、比較例2のサンプルE−1,E−2において20重量%とし、続くサンプルE−3〜E−5において30重量%に増加させる。これらの設定回転速度および研磨液の濃度の条件は、実施例3と同様である。そこで、比較例2によるそれぞれの端面研磨処理での研磨加工時間に関して、サンプルE−1は実施例3の研磨レートを採用して算出する。サンプルE−2,E−4,E−5の研磨加工時間はそれぞれ、設定回転速度および研磨液の濃度が等しい直前の端面研磨処理での研磨レートをフィードバックさせて算出する。研磨液の濃度がその前の処理から変化するサンプルE−3の研磨加工時間は、設定回転速度および研磨液の濃度が等しい実施例3のサンプルB−3〜5の研磨レートと、同一のブラシEを用いている直前の比較例2のサンプルE−2の端面研磨処理での研磨レートとの平均値をフィードバックさせて算出する。
Subsequently, in Comparative Example 2, the brush E replaced from the brush D is used as the polishing
続いて、比較例3においては、研磨ブラシ13として、ブラシEから交換したブラシFを用いる。そして、研磨ブラシ13の設定回転速度は、比較例1,2と同様の1500rpmにする。また、研磨液の濃度は、比較例3のサンプルF−1,F−2において10重量%とし、サンプルF−3〜F−5において20重量%とした。これらの設定回転速度および研磨液の濃度の条件は、実施例5のサンプルC−1〜4と同様である。そこで、比較例3によるそれぞれの端面研磨処理での研磨加工時間に関して、サンプルF−1は実施例5のサンプルC−1での研磨レートを採用する。サンプルF−2、F−4、F−5の研磨加工時間はそれぞれ、設定回転速度および研磨液の濃度が等しい直前の端面研磨処理での研磨レートに基づいてフィードバックさせて算出する。研磨液の濃度がその前の処理から変化するサンプルF−3の研磨加工時間は、設定回転速度および研磨液の濃度が等しい実施例5のサンプルC−2〜C−4の研磨レートと、同一のブラシFを用いている直前の比較例3のサンプルF−2の端面研磨処理での研磨レートとの平均値をフィードバックさせて算出する。
Subsequently, in Comparative Example 3, the brush F replaced from the brush E is used as the polishing
なお、以上の比較例1〜3による端面研磨処理は、比較例に沿って順次実行する。また、これらの比較例1〜3において用いるブラシD〜Fはいずれも、ブラシA〜Cと同一の仕様のブラシであり、その回転軸に対して直角な断面に沿った円筒状の外径は、ドーナツ状ガラス基板40aの内径よりもわずかに大きい。
In addition, the end surface grinding | polishing process by the above comparative examples 1-3 is performed sequentially along a comparative example. The brushes D to F used in these comparative examples 1 to 3 are all brushes having the same specifications as the brushes A to C, and the cylindrical outer diameter along the cross section perpendicular to the rotation axis is It is slightly larger than the inner diameter of the doughnut-shaped
そして、以上の実施例1〜6および比較例1〜3において、目標研磨量に対する実際の研磨量のずれ量を計測した。また、これらのずれ量に応じて生じる、ドーナツ状ガラスブロック40の内径寸法が不良となったドーナツ状ガラス基板40aの枚数の比率(内径寸法の不良率)を検査した。
And in the above Examples 1-6 and Comparative Examples 1-3, the deviation | shift amount of the actual grinding | polishing amount with respect to the target grinding | polishing amount was measured. Further, the ratio of the number of doughnut-shaped
図6から、比較例においては、研磨液の濃度が変化するごと、および研磨ブラシ13を変更するごとに目標研磨量からのずれ量が大きくなり、内径寸法の不良率も増加することが分かる。すなわち、研磨ブラシ13の個体差や研磨液の濃度が変化すると、従来の制御方法によって制御される研磨装置では変化に対応できず、ドーナツ状ガラス基板40aの製造歩留まりを悪化させてしまうことがわかる。
From FIG. 6, it can be seen that in the comparative example, the deviation from the target polishing amount increases each time the polishing liquid concentration changes and the polishing
これに対し、図5に示す実施例においては、研磨ブラシ13を変更したり、研磨液の濃度を変更したりする場合でも、目標研磨量からのずれ量や内径寸法の不良率が大きく悪化しないことが分かる。これにより、ドーナツ状ガラス基板40aの内径寸法歩留まりといった製造歩留まりを、従来に比して向上させることができる。また、研磨ブラシ13を自転させる際の設定回転速度ごとに(2)式における係数a,bをあらかじめ設定しておくことにより、設定回転速度が変更された場合にも、制御部20が、その変更に対応して研磨装置1の制御を適切に行うことができる。したがって、ドーナツ状ガラス基板40aの製造歩留まりを良好に維持することができる。
On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 5, even when the polishing
さらに、図6から、比較例1においても、サンプルD−2,D−3の端面研磨処理においてそれぞれ直前の端面研磨処理における研磨レートをフィードバックさせて研磨加工時間を算出して設定しているので、端面研磨処理を繰り返すごとにずれ量が改善されていることが分かる。そして、目標研磨量からのずれ量の改善に伴って内径寸法の不良率も改善されていることが分かる。ところが、図5に示すように、設定ブラシ回転速度および研磨液濃度がそれぞれ等しい実施例1による端面研磨処理と比較すると、比較例1のサンプルD−1〜D−3を通して全体の製造歩留まりが悪いことが分かる。また、比較例1において、サンプルF−3からサンプルF−4に移る際に研磨液の濃度が30重量%から10重量%に変更されると、目標研磨量からのずれ量が4%から15%に大幅に増加し,内径寸法の不良率も0%から13%に大幅に増加し、いずれも非常に悪化することが分かる。これに対し、実施例1においては、研磨液の濃度が30重量%から10重量%に変更された場合であっても、目標研磨量からのずれ量は3%から5%に若干増加しているに過ぎず、内径寸法の不良率も0%から1%に若干増加しているに過ぎない。このように、本発明の一実施形態による研磨装置の制御方法を採用することによって、研磨液の濃度が変更された場合においても、その研磨液の濃度の変化に影響されることなく、端面研磨処理を適正な研磨量で実行することができる。 Furthermore, from FIG. 6, also in Comparative Example 1, in the end face polishing processes of Samples D-2 and D-3, the polishing time in the immediately preceding end face polishing process is fed back and the polishing time is calculated and set. It can be seen that the amount of deviation improves each time the end face polishing process is repeated. And it turns out that the defect rate of an internal diameter dimension is also improved with the improvement of the deviation | shift amount from target grinding | polishing amount. However, as shown in FIG. 5, when compared with the end surface polishing process according to Example 1 in which the set brush rotation speed and the polishing liquid concentration are equal, the overall manufacturing yield is poor through the samples D-1 to D-3 in Comparative Example 1. I understand that. In Comparative Example 1, when the concentration of the polishing liquid is changed from 30% by weight to 10% by weight when moving from sample F-3 to sample F-4, the deviation from the target polishing amount is 4% to 15%. It can be seen that the defect rate of the inner diameter dimension is greatly increased from 0% to 13%, both of which are extremely deteriorated. In contrast, in Example 1, even when the concentration of the polishing liquid was changed from 30 wt% to 10 wt%, the deviation from the target polishing amount slightly increased from 3% to 5%. In addition, the defect rate of the inner diameter dimension is only slightly increased from 0% to 1%. Thus, by adopting the polishing apparatus control method according to one embodiment of the present invention, even when the concentration of the polishing liquid is changed, the end surface polishing is not affected by the change in the concentration of the polishing liquid. The processing can be executed with an appropriate polishing amount.
このような効果は、比較例2と実施例3とを比較した場合においても、比較例3と実施例5とを比較した場合においても同様に確認することができる。すなわち、実施例3,5において、研磨液の濃度が変更された場合にも、研磨液の濃度の変化に影響されることなく、研磨装置1による端面研磨処理を、適正な研磨量で実行させることができる。
Such an effect can be confirmed in the same manner when Comparative Example 2 and Example 3 are compared and when Comparative Example 3 and Example 5 are compared. That is, in Examples 3 and 5, even when the concentration of the polishing liquid is changed, the end surface polishing process by the polishing
また、図6に示すように、比較例1から比較例2に移る際に、研磨ブラシ13をブラシDからブラシEに変更すると、目標研磨量のずれ量が10%から33%と大幅に悪化し、内径寸法の不良率においても11%から55%と大幅に悪化することが分かる。これに対し、図5に示すように、実施例2から実施例3に移る際に、研磨ブラシ13をブラシAからブラシBに変更した場合でも、目標研磨量からのずれ量は0%、内径寸法の不良率も0%であることが分かる。すなわち、研磨ブラシ13をブラシAから別のブラシBに変更した場合においても、研磨ブラシの個体差に影響されることなく、端面研磨処理を適正な研磨量で実行することができる。
Further, as shown in FIG. 6, when the polishing
このような効果は、図6に示す比較例2から比較例3に移る際と、図5に示す実施例4から実施例5に移る際とを比較しても同様に確認することができる。すなわち、実施例4から実施例5に移る際に研磨ブラシ13をブラシBからブラシCに変更した場合においても、研磨ブラシ13の個体差に影響されることなく、端面研磨処理を適正な研磨量で実行することができる。
Such an effect can be confirmed in the same manner even when comparing the case of moving from the comparative example 2 shown in FIG. 6 to the comparative example 3 and the case of moving from the fourth embodiment shown in FIG. 5 to the fifth embodiment. That is, even when the polishing
また、図5から、実施例1から実施例2に移る際に設定ブラシ回転速度が1500rpmから2700rpmに変更されている場合にも、目標研磨量からのずれ量は、2%から7%に若干増加しているに過ぎず、内径寸法の不良率も0%から4%に若干増加しているに過ぎないことが分かる。このように、研磨ブラシ13の設定回転速度が変更された場合においても、(2)式の係数a,bの値を設定回転速度に従って適切な数値に設定して、研磨加工時間を算出していることにより、端面研磨処理を適正な研磨量で実行することができることが確認された。
Further, from FIG. 5, even when the setting brush rotation speed is changed from 1500 rpm to 2700 rpm when moving from Example 1 to Example 2, the deviation from the target polishing amount is slightly from 2% to 7%. It can only be seen that the defect rate of the inner diameter dimension is only slightly increased from 0% to 4%. Thus, even when the set rotation speed of the polishing
このような効果は、実施例3から実施例4に移る際のように、設定回転速度が減少する変更がされた場合においても、実施例5から実施例6に移る際のように、設定回転速度が大幅に増加する変更がされた場合においても、同様に確認することができる。 Such an effect can be obtained even when the setting rotational speed is decreased as in the case of moving from the third embodiment to the fourth embodiment, as in the case of moving from the fifth embodiment to the sixth embodiment. The same can be confirmed when there is a change that greatly increases the speed.
また、本発明者は、ロングランテストとして、1万枚のドーナツ状ガラス基板に対して、本発明による制御方法と従来技術による制御方法とのそれぞれに基づいて研磨装置1を制御して端面研磨処理を行った。その結果、従来技術による制御がされた研磨装置においては、不良率が2.0%程度であったのに対し、本発明による制御がされた研磨装置1においては、不良率が0.5%程度であることが確認された。すなわち、1万枚という多数のドーナツ状ガラス基板40aに対して端面研磨処理を行った場合でも、本発明による制御によって研磨装置1を制御することにより、ドーナツ状ガラス基板40aの不良率を大幅に低減できることが確認された。
In addition, as a long run test, the present inventor controls the polishing
以上説明した本発明の一実施形態によれば、ドーナツ状ガラスブロック40の研磨における実回転速度に応じて研磨加工時間を算出し、この研磨加工時間で端面研磨処理を行っていることにより、ドーナツ状ガラスブロック40の端面の研磨を逐次適切な研磨量とすることができ、特に内径寸法歩留まりを改善することができる。したがって、ガラスの材料費を低減させ、再加工数を減少できるので、ドーナツ状ガラス基板40aの研磨に要するコストを低減できる。また、本発明の一実施形態によれば、研磨レートの安定化のために従来行っている、それぞれのドーナツ状ガラスブロックの端面研磨処理の前後でのドーナツ状ガラス基板の内径および外径の検査が不要になるため、作業性を向上させることができ、生産性を向上させつつ作業人員の削減することが可能になる。
According to the embodiment of the present invention described above, the polishing time is calculated according to the actual rotation speed in polishing the donut-shaped
以上、本発明の一実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の一実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。 Although one embodiment of the present invention has been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications based on the technical idea of the present invention are possible. For example, the numerical values given in the above-described embodiment are merely examples, and different numerical values may be used as necessary.
上述の一実施形態においては、ドーナツ状ガラス基板40aを、例えばスペーサを介して複数枚、間接的に積層させてドーナツ状ガラスブロック40を構成しているが、ドーナツ状ガラス基板40aを、スペーサを介することなく、直接的に積層させてドーナツ状ガラスブロック40を構成することも可能である。
In the above-described embodiment, the donut-shaped
上述の一実施形態においては、研磨ブラシ13として、その円断面の直径がドーナツ状ガラスブロック40の中空部分の直径よりやや大きい研磨ブラシを用いているが、必ずしもこの研磨ブラシに限定されるものではない。具体的には、研磨ブラシ13として、その円断面の直径がドーナツ状ガラスブロック40の中空部分の直径よりも小さい研磨ブラシ13を用いることも可能である。また、研磨ブラシ13の代わりに、研磨パッドを採用することも可能である。
In the above-described embodiment, the polishing
また、上述の一実施形態においては、本発明による製造方法および制御方法を、研磨ブラシ13によって、ドーナツ状ガラスブロック40の内周端面、すなわちドーナツ状ガラス基板40aの内周端面を研磨する場合に適用しているが、必ずしも内周端面の研磨に限定されるものではない。具体的には、ドーナツ状ガラスブロック40の外周端面を研磨する場合にも、研磨ブラシ13に所定の大きさのトルクが作用することから、本発明による製造方法および制御方法を適用することが可能である。
In the above-described embodiment, the manufacturing method and the control method according to the present invention are used when the inner peripheral end surface of the donut-shaped
また、上述の一実施形態においては、ドーナツ状ガラス基板40aを複数枚積層させたドーナツ状ガラスブロック40の端面を研磨するようにしているが、必ずしも複数枚積層させた状態に限定されるものではなく、ドーナツ状ガラス基板40aを1枚ずつ枚葉で、その端面を研磨するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the end surface of the donut-shaped
また、上述の一実施形態においては、研磨液のドーナツ状ガラスブロック40の内周端面への供給を、研磨液を噴射することにより行っているが、ドーナツ状ガラスブロック40を研磨液に浸漬させることも可能である。
In the above-described embodiment, the polishing liquid is supplied to the inner peripheral end face of the donut-shaped
また、上述の一実施形態においては、研磨加工時間の算出において、10分間での実回転速度の平均値を実回転速度の代表値とし、その後の研磨加工時間を確定させて設定しているが、必ずしもこの方法に限定されるものではない。例えば、端面研磨処理中の任意の時点において、その時点から所定時間前、例えば10分前までの実回転速度を常時モニタリングし、この10分間の実回転速度の平均値を常時算出して、端面研磨処理中、常時研磨加工時間を算出するようにしてもよい。また、この場合においても、実回転速度の平均値の代わりに、ある時点から所定時間前、例えば10分前からの回転総数を常時計測し、この回転総数によって、研磨加工時間を常時算出するようにしてもよい。なお、このように任意の時点において研磨加工時間を常時算出する場合、制御部20は、研磨の開始時点から算出時点までの時間を、算出した研磨加工時間から減算して、その時点から研磨の終了までの残り時間を常時継続して算出し、ブラシ回転軸12および研磨ブラシ13を制御する。
Further, in the above-described embodiment, in the calculation of the polishing process time, the average value of the actual rotation speed in 10 minutes is set as the representative value of the actual rotation speed, and the subsequent polishing process time is determined and set. However, it is not necessarily limited to this method. For example, at an arbitrary time point during the end face polishing process, the actual rotational speed is constantly monitored for a predetermined time, for example, 10 minutes before that point, and the average value of the actual rotational speeds for 10 minutes is constantly calculated to end face face During the polishing process, the polishing time may always be calculated. Also in this case, instead of the average value of the actual rotational speed, the total number of rotations from a certain time before a predetermined time, for example, 10 minutes before, is always measured, and the polishing time is always calculated from the total number of rotations. It may be. When the polishing processing time is constantly calculated at an arbitrary time as described above, the
また、本発明は、ハードディスク装置用の磁気ディスクに限らず、光ディスク、光磁気ディスクなどの他の記録媒体用のガラス基板や、中心に円孔を有さない円盤状ガラス基板や、半導体デバイス作製用の単結晶または化合物半導体の半導体ウェハーや、圧電素子作製用の強誘電体ウェハー等の端面研磨に適用できるものである。 Further, the present invention is not limited to a magnetic disk for a hard disk device, but a glass substrate for other recording media such as an optical disk and a magneto-optical disk, a disk-shaped glass substrate having no circular hole in the center, and a semiconductor device manufacturing The present invention can be applied to end face polishing of single crystal or compound semiconductor semiconductor wafers for use, ferroelectric wafers for producing piezoelectric elements, and the like.
1 研磨装置
11 ディスクホルダ
12 ブラシ回転軸
13 研磨ブラシ
14 回転並進モータ
15 軸受
20 制御部
20a 演算処理部
20b 記憶部
40 ドーナツ状ガラスブロック
40a ドーナツ状ガラス基板
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記端面研磨処理は、
前記回転研磨手段と前記円板状基板の端面との間の接触回転の負荷に応じて変動する前記回転研磨手段の実回転数を計測する計測ステップと、
前記実回転数に基づいて研磨加工時間を算出する算出ステップと、
前記端面研磨処理を、前記研磨加工時間で実行するように制御する制御ステップと、
を含むことを特徴とする円板状基板の製造方法。 In a manufacturing method of a disk-shaped substrate including an end surface polishing process of supplying a polishing liquid to an end surface of a disk-shaped substrate and rotating the rotating polishing means while contacting the end surface of the disk-shaped substrate to polish the end surface ,
The end surface polishing treatment is
A measurement step of measuring the actual number of revolutions of the rotary polishing means that varies according to the load of contact rotation between the rotary polishing means and the end face of the disk-shaped substrate;
A calculation step of calculating a polishing time based on the actual rotational speed;
A control step for controlling the end face polishing process to be executed in the polishing time;
The manufacturing method of the disk-shaped board | substrate characterized by including.
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