JP2013201301A - Semiconductor device, electronic component built-in substrate and manufacturing methods of those - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which warpage is unlikely to occur while thinning the semiconductor device by grinding a rear face.SOLUTION: A semiconductor device having a principal surface 1a and a rear face 1b comprises: an electronic circuit 8; and at least one terminal 15 which is exposed on the principal surface 1a and electrically connected with the electronic circuit 8. A non-terminal region (surface of a protection film 6) in the principal surface 1a, on which the terminal 15 is not exposed and the rear face 1b are both roughened. Accordingly, occurrence of warpage of the semiconductor device 1 can be inhibited while thinning the semiconductor device by grinding the rear face because flexural stress generated in a semiconductor substrate 2 included in the semiconductor device 1 is reduced.

Description

本発明は、半導体装置、電子部品内蔵基板、及びこれらの製造方法に関し、特に裏面が粗化された半導体装置、そのような半導体装置を内蔵する電子部品内蔵基板、及びこれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device, an electronic component built-in substrate, and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor device having a roughened back surface, an electronic component built-in substrate incorporating such a semiconductor device, and a manufacturing method thereof.

ＩＣチップ（半導体装置）、コンデンサ（キャパシタ）、インダクタ（コイル）、サーミスタ、抵抗などを含む電子機器には、従来から小型化、薄型化、高密度実装化が要求されているが、近年になり、その要求がますます著しくなっている。これに伴い、電子機器に用いられる回路基板モジュールに対しても、更なる小型化や薄型化が熱望されている。このような小型化及び薄型化の要求に応えるべく、最近では、内部に電子部品が埋設された構造（高密度実装構造）を有する、いわゆる電子部品内蔵基板が提案されている。   In recent years, electronic devices including IC chips (semiconductor devices), capacitors (capacitors), inductors (coils), thermistors, resistors, and the like have been required to be smaller, thinner, and higher-density mounted. The demand is becoming increasingly significant. Along with this, further reduction in size and thickness has been eagerly desired for circuit board modules used in electronic devices. In order to meet such demands for miniaturization and thinning, recently, a so-called electronic component built-in substrate having a structure in which electronic components are embedded (high-density mounting structure) has been proposed.

電子部品内蔵基板では、内部に埋設された電子部品と、電子部品内蔵基板の表面に形成された配線とが、基板に設けたビア導体によって接続される。電子部品内蔵基板の形成方法の一例について簡単に説明すると、まず初めに、樹脂基板上に電子部品をフェイスアップ（電子部品の端子が基板と反対側に位置する状態）で載置し、樹脂又は樹脂組成物からなる絶縁層で覆う。次に、レーザー加工又はブラスト加工によってこの絶縁層にビアホールを設ける。この際、ビアホールの底面に電子部品の端子が露出するようにする。そして、このビアホールの内部を金属メッキなどの導体で埋める。これにより、下端で電子部品の端子と接続するビア導体が形成される。最後に、絶縁層の表面に、ビア導体の上端と接触する配線パターンを形成することにより、電子部品内蔵基板が完成する。特許文献１には、このような電子部品内蔵基板の一例が開示されている。   In the electronic component built-in substrate, the electronic component embedded inside and the wiring formed on the surface of the electronic component built-in substrate are connected by via conductors provided in the substrate. An example of a method for forming an electronic component built-in substrate will be briefly described. First, an electronic component is placed face-up on a resin substrate (in a state where the terminals of the electronic component are located on the opposite side of the substrate), resin or Cover with an insulating layer made of a resin composition. Next, a via hole is provided in the insulating layer by laser processing or blast processing. At this time, the terminals of the electronic component are exposed on the bottom surface of the via hole. Then, the inside of the via hole is filled with a conductor such as metal plating. Thereby, the via conductor connected to the terminal of the electronic component at the lower end is formed. Finally, by forming a wiring pattern in contact with the upper end of the via conductor on the surface of the insulating layer, the electronic component built-in substrate is completed. Patent Document 1 discloses an example of such an electronic component built-in substrate.

特開２００８−２８８６０７号公報JP 2008-288607 A

ところで、電子部品内蔵基板をできるだけ薄型化するために、内部に埋め込まれる電子部品の表面をグラインダー等で研削する技術がある。この技術の対象となる電子部品は、いわゆる半導体装置である。半導体装置では、半導体基板の主面側に、各種の電子回路と、この電子回路を外部と接続するための端子とが集積されていることから、半導体基板の裏面を多少削っても機能的には支障がない。そこで、半導体基板の裏面にグラインダーをかけて半導体装置を薄くすることで、電子部品内蔵基板を薄型化することが可能になる。特許文献１には、このような薄型化技術の一例が開示されている。   By the way, in order to make the electronic component built-in substrate as thin as possible, there is a technique of grinding the surface of the electronic component embedded therein with a grinder or the like. The electronic component that is the subject of this technology is a so-called semiconductor device. In a semiconductor device, various electronic circuits and terminals for connecting the electronic circuits to the outside are integrated on the main surface side of the semiconductor substrate. There is no hindrance. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the electronic component built-in substrate by thinning the semiconductor device by applying a grinder to the back surface of the semiconductor substrate. Patent Document 1 discloses an example of such a thinning technique.

しかしながら、実験の結果、半導体基板の裏面を削ると、半導体装置に反りが発生する場合があることが判明した。これは、半導体基板内には各種の曲げ応力が発生するが、薄くしたことによって、半導体基板がこれらの曲げ応力に抗しきれなくなっているためであると考えられる。以下、反りの原因となる曲げ応力について、３種類を挙げて詳しく説明する。   However, as a result of experiments, it has been found that if the back surface of the semiconductor substrate is cut, the semiconductor device may be warped. This is considered to be because various bending stresses are generated in the semiconductor substrate, but the semiconductor substrate cannot resist these bending stresses due to the thinning. Hereinafter, the bending stress that causes warping will be described in detail with three types.

１つ目は、半導体装置の主面と裏面とで表面粗さが異なることに起因する曲げ応力である。半導体装置の裏面は通常、樹脂基板との接着性をよくするために、薄型化のための研削の後、ブラスト等によって粗化される。一方、端子のある主面側が粗化されることはない。このため、主面と裏面とで表面粗さが異なることになり、その結果として半導体基板には、より細かな表面となっている主面側に向かってたわもうとする曲げ応力が発生する。   The first is bending stress resulting from the difference in surface roughness between the main surface and the back surface of the semiconductor device. The back surface of the semiconductor device is usually roughened by blasting or the like after grinding for thinning in order to improve the adhesion to the resin substrate. On the other hand, the main surface side with the terminals is not roughened. For this reason, the surface roughness is different between the main surface and the back surface, and as a result, bending stress is generated in the semiconductor substrate to bend toward the main surface side which is a finer surface. .

２つ目は、構成材料の線膨張係数の差に起因する曲げ応力である。半導体装置は、半導体基板の表面に保護膜が形成された構造を有しており、これらの線膨張係数は一般に半導体基板の線膨張係数と異なっている。この線膨張係数の違いのため、外気温が形成時の比較的高温な状態から常温の状態に変化したとき、半導体基板内に上記同様の曲げ応力が発生する。   The second is bending stress due to the difference in the coefficient of linear expansion of the constituent materials. A semiconductor device has a structure in which a protective film is formed on the surface of a semiconductor substrate, and these linear expansion coefficients are generally different from those of the semiconductor substrate. Because of this difference in linear expansion coefficient, when the outside air temperature changes from a relatively high temperature during formation to a normal temperature, bending stress similar to the above is generated in the semiconductor substrate.

なお、この２つ目の曲げ応力による反りは、いわゆるウエハーレベルＣＳＰ(Chip Size Package)において顕著である。これは、ウエハーレベルＣＳＰでは、半導体基板の表面に再配線層が形成されており、この再配線層の線膨張係数も、半導体基板の線膨張係数と異なっているためである。   The warpage due to the second bending stress is remarkable in a so-called wafer level CSP (Chip Size Package). This is because in the wafer level CSP, a rewiring layer is formed on the surface of the semiconductor substrate, and the linear expansion coefficient of the rewiring layer is also different from the linear expansion coefficient of the semiconductor substrate.

３つ目は、上記保護膜を形成する際の硬化収縮に起因する曲げ応力である。上記保護膜としては、例えばエポキシ樹脂などの硬化反応によって硬化する樹脂が用いられる。この硬化反応の過程で上記保護膜に硬化収縮が生じ、これにより半導体基板内には上記同様の曲げ応力が発生する。   The third is bending stress resulting from curing shrinkage when forming the protective film. As the protective film, for example, a resin that is cured by a curing reaction such as an epoxy resin is used. In the course of this curing reaction, curing shrinkage occurs in the protective film, thereby generating a bending stress similar to the above in the semiconductor substrate.

以上のような原因によって反りが発生した半導体装置を電子部品内蔵基板内に埋め込んだ場合、半導体装置の上にある絶縁層の膜厚に不均一が生ずる。その結果、上述したビアホールが半導体装置の一部の端子に到達せず、ビア導体と半導体装置の端子との間に接触不良が発生してしまうおそれが生ずる。   When a semiconductor device that has warped due to the above causes is embedded in an electronic component built-in substrate, the film thickness of the insulating layer on the semiconductor device is uneven. As a result, the above-described via hole does not reach a part of the terminals of the semiconductor device, and a contact failure may occur between the via conductor and the terminal of the semiconductor device.

したがって、本発明の目的の一つは、裏面を削ることで薄型化しながらも、反りが発生しにくい半導体装置、そのような半導体装置を内蔵する電子部品内蔵基板、及びこれらの製造方法を提供することにある。   Accordingly, one of the objects of the present invention is to provide a semiconductor device that is less likely to be warped while being thinned by scraping the back surface, a substrate with a built-in electronic component in which such a semiconductor device is built, and a method for manufacturing the same. There is.

上記目的を達成するための本発明による半導体装置は、主面と裏面とを有する半導体装置であって、電子回路と、前記主面に露出し、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続された少なくとも１つの第１の端子とを備え、前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない非端子領域と前記裏面とがともに粗化されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a main surface and a back surface, and is exposed to an electronic circuit and the main surface, and is electrically connected to the electronic circuit. And a non-terminal region where the at least one first terminal of the main surface is not exposed and the back surface are both roughened.

本発明によれば、半導体装置の両面が粗化されているため、半導体装置を構成する半導体基板内に発生する曲げ応力が軽減される。したがって、裏面を削ることで薄型化しながらも、半導体装置の反りの発生を抑制することが可能になる。   According to the present invention, since both sides of the semiconductor device are roughened, bending stress generated in the semiconductor substrate constituting the semiconductor device is reduced. Therefore, it is possible to suppress warping of the semiconductor device while reducing the thickness by cutting the back surface.

上記半導体装置において、前記半導体チップは、前記非端子領域に露出した保護膜をさらに備え、前記保護膜の表面が粗化されていることとしてもよい。   In the semiconductor device, the semiconductor chip may further include a protective film exposed in the non-terminal region, and a surface of the protective film may be roughened.

また、上記半導体装置において、前記電子回路を内蔵する半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成され、かつそれぞれ前記電子回路の電極を構成する少なくとも１つの第２の端子と、前記半導体基板の主面に形成され、かつそれぞれ前記少なくとも１つの第２の端子のいずれかと接続する少なくとも１つの配線パターンを含む再配線層とを備え、前記保護膜は、前記再配線層の表面を覆うように形成されることとしてもよい。これによれば、いわゆるウエハーレベルＣＳＰにおいても、反りの発生を抑制することが可能になる。   In the semiconductor device, the semiconductor substrate containing the electronic circuit, at least one second terminal formed on the main surface of the semiconductor substrate and constituting an electrode of the electronic circuit, and the semiconductor substrate A rewiring layer including at least one wiring pattern formed on the main surface and connected to any one of the at least one second terminal, and the protective film covers the surface of the rewiring layer It may be formed. According to this, even in the so-called wafer level CSP, the occurrence of warpage can be suppressed.

また、本発明による半導体装置の製造方法は、内部に電子回路が形成され、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続される少なくとも１つの第１の端子が主面に露出したシリコンウエハの該主面に第１の粗面加工を施す主面側粗化工程と、前記シリコンウエハの裏面を研削することにより該シリコンウエハを薄型化する薄型化工程と、前記シリコンウエハの裏面に第２の粗面加工を施す裏面側粗化工程と、前記シリコンウエハを個片化することにより複数の半導体装置を得る個片化工程とを備えることを特徴とする。本発明によれば、両面が粗化されるので、製造された半導体装置の反りを抑制することが可能になる。   Also, the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a main part of a silicon wafer in which an electronic circuit is formed and at least one first terminal electrically connected to the electronic circuit is exposed on the main surface. A main surface side roughening step of performing a first rough surface processing on the surface; a thinning step of thinning the silicon wafer by grinding the back surface of the silicon wafer; and a second roughening step on the back surface of the silicon wafer. A back surface side roughening step for performing surface processing and a singulation step for obtaining a plurality of semiconductor devices by dividing the silicon wafer into individual pieces are provided. According to the present invention, since both surfaces are roughened, it is possible to suppress warpage of the manufactured semiconductor device.

上記半導体装置の製造方法において、前記シリコンウエハは、前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない領域に露出した保護膜を有し、前記第１の粗面加工により前記保護膜の表面が粗化されることとしてもよい。この場合、前記第１の粗面加工により前記保護膜の膜厚を減少させることとしてもよい。さらに、前記第１の粗面加工はウエットブラスト加工であることとしてもよく、前記複数の第１の端子はそれぞれ金属材料によって構成され、前記保護膜は樹脂材料によって構成されることとしてもよい。   In the method for manufacturing a semiconductor device, the silicon wafer has a protective film exposed in a region of the main surface where the at least one first terminal is not exposed. The surface of the protective film may be roughened. In this case, the thickness of the protective film may be reduced by the first rough surface processing. Furthermore, the first rough surface processing may be wet blast processing, the plurality of first terminals may be made of a metal material, and the protective film may be made of a resin material.

また、本発明による電子部品内蔵基板は、樹脂基板と、裏面を前記樹脂基板に向けて該樹脂基板の表面に載置された半導体装置と、前記半導体装置を覆う絶縁層と、前記絶縁層の内部に埋め込まれた少なくとも１つのビア導体と、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続するよう前記絶縁層の表面に形成された少なくとも１つの配線パターンとを備え、前記半導体装置は、電子回路と、主面に露出し、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続された少なくとも１つの第１の端子とを有し、前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない非端子領域と前記裏面とがともに粗化されていることを特徴とする。これによれば、半導体装置の反りが抑制されるので、ビア導体と端子との接続性を良好に保つことが可能になる。   The electronic component built-in substrate according to the present invention includes a resin substrate, a semiconductor device placed on the surface of the resin substrate with a back surface facing the resin substrate, an insulating layer covering the semiconductor device, The semiconductor device comprising: at least one via conductor embedded therein; and at least one wiring pattern formed on the surface of the insulating layer so as to be electrically connected to any one of the at least one via conductor. An electronic circuit and at least one first terminal exposed to the main surface and electrically connected to the electronic circuit, wherein the at least one first terminal of the main surface is exposed. Both the non-terminal area | region which is not performed and the said back surface are roughened. According to this, since the warpage of the semiconductor device is suppressed, it is possible to maintain good connectivity between the via conductor and the terminal.

また、本発明による電子部品内蔵基板の製造方法は、内部に電子回路が形成され、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続される少なくとも１つの第１の端子が主面に露出した半導体装置の該主面に第１の粗面加工を施す主面側粗化工程と、前記半導体装置の裏面を研削することにより該半導体装置を薄型化する薄型化工程と、前記半導体装置の裏面に第２の粗面加工を施す裏面側粗化工程と、前記半導体装置を樹脂基板に載置する載置工程と、前記半導体装置を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の内部に、それぞれ前記半導体装置の前記少なくとも１つの第１の端子のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つのビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記絶縁層の表面に、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つの配線パターンを形成する配線パターン形成工程とを備えることを特徴とする。これによれば、半導体装置の反りが抑制されるので、ビア導体と端子との接続性のよい電子部品内蔵基板を製造することが可能になる。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a substrate with a built-in electronic component in a semiconductor device in which an electronic circuit is formed therein and at least one first terminal electrically connected to the electronic circuit is exposed on the main surface. A main surface side roughening step for subjecting the main surface to a first rough surface processing, a thinning step for thinning the semiconductor device by grinding the back surface of the semiconductor device, and a second surface on the back surface of the semiconductor device. A back side roughening step for performing the rough surface processing, a placing step for placing the semiconductor device on a resin substrate, an insulating layer forming step for forming an insulating layer covering the semiconductor device, and an inside of the insulating layer A via conductor forming step of forming at least one via conductor electrically connected to any one of the at least one first terminals of the semiconductor device; and the at least one via on the surface of the insulating layer. Characterized in that it comprises a wiring pattern forming step of forming at least one wiring pattern with any of the body are electrically connected. According to this, since the warp of the semiconductor device is suppressed, it becomes possible to manufacture an electronic component built-in substrate with good connectivity between the via conductor and the terminal.

また、本発明の他の一側面による電子部品内蔵基板の製造方法は、内部に電子回路が形成され、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続される少なくとも１つの第１の端子が主面に露出した半導体装置の裏面を研削することにより、該半導体装置を薄型化する薄型化工程と、前記半導体装置の裏面に第２の粗面加工を施す裏面側粗化工程と、前記裏面側粗化工程を経た前記半導体装置を樹脂基板の主面に載置する載置工程と、前記半導体装置を載置した後の前記樹脂基板の前記主面に第１の粗面加工を施す主面側粗化工程と、前記主面側粗化工程の後、前記半導体装置を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の内部に、それぞれ前記少なくとも１つの第１の端子のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つのビア導体を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つの配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする。このようにしても、半導体装置の反りが抑制されるので、ビア導体と端子との接続性のよい電子部品内蔵基板を製造することが可能になる。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component built-in substrate, wherein an electronic circuit is formed therein and at least one first terminal electrically connected to the electronic circuit is provided on the main surface. A thinning step for thinning the semiconductor device by grinding the exposed back surface of the semiconductor device, a backside roughening step for applying a second roughening process to the backside of the semiconductor device, and the backside roughening A mounting step of mounting the semiconductor device that has undergone the process on the main surface of the resin substrate; and a main surface side roughening that applies a first rough surface processing to the main surface of the resin substrate after the semiconductor device is mounted. After the forming step, the main surface side roughening step, a step of forming an insulating layer covering the semiconductor device, and electrically connected to one of the at least one first terminals, respectively, inside the insulating layer Forming at least one via conductor to be formed When the surface of the insulating layer, characterized in that it comprises a step of forming at least one wiring pattern electrically connected to any of each of the at least one via conductor. Even if it does in this way, since the curvature of a semiconductor device is suppressed, it becomes possible to manufacture the board | substrate with a built-in electronic component with the favorable connectivity of a via conductor and a terminal.

上記各電子部品内蔵基板の製造方法において、前記半導体装置は、前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない領域に露出した保護膜を有し、前記第１の粗面加工により、少なくとも前記保護膜の表面が粗化されることとしてもよい。この場合、前記第１の粗面加工により前記保護膜の膜厚を減少させることとしてもよい。さらに、前記第１の粗面加工はウエットブラスト加工であることとしてもよく、前記複数の第１の端子はそれぞれ金属材料によって構成され、前記保護膜は樹脂材料によって構成されることとしてもよい。   In the method of manufacturing each electronic component built-in substrate, the semiconductor device has a protective film exposed in a region of the main surface where the at least one first terminal is not exposed, and the first rough surface. By processing, at least the surface of the protective film may be roughened. In this case, the thickness of the protective film may be reduced by the first rough surface processing. Furthermore, the first rough surface processing may be wet blast processing, the plurality of first terminals may be made of a metal material, and the protective film may be made of a resin material.

また、上記各電子部品内蔵基板の製造方法において、前記主面側粗化工程、前記薄型化工程、及び前記裏面側粗化工程は、前記半導体装置がウエハ状態であるときに行われ、前記載置工程の前に、ウエハ状態の前記半導体装置を個片化することにより複数の前記半導体装置を得る個片化工程をさらに備えることとしてもよい。   Further, in each of the electronic component built-in substrate manufacturing methods, the main surface side roughening step, the thinning step, and the back side roughening step are performed when the semiconductor device is in a wafer state, Prior to the placing step, the semiconductor device in a wafer state may be further singulated to further include a singulation step for obtaining a plurality of the semiconductor devices.

また、本発明のさらに他の一側面による電子部品内蔵基板の製造方法は、内部に形成された電子回路、それぞれ前記電子回路と電気的に接続され、かつ主面に露出した少なくとも１つの第１の端子、及び該主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない領域に露出した保護膜を有する半導体装置の該主面に、前記保護膜の膜厚を減少させる膜厚低減加工を施す膜厚低減工程と、前記半導体装置の裏面を研削することにより該半導体装置を薄型化する薄型化工程と、前記半導体装置を樹脂基板に載置する載置工程と、前記半導体装置を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の内部に、それぞれ前記半導体装置の前記少なくとも１つの第１の端子のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つのビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記絶縁層の表面に、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つの配線パターンを形成する配線パターン形成工程とを備えることを特徴とする。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component-embedded substrate, comprising: an electronic circuit formed therein; and at least one first circuit electrically connected to the electronic circuit and exposed to the main surface. And a film thickness reduction for reducing the film thickness of the protective film on the main surface of the semiconductor device having a protective film exposed in a region of the main surface where the at least one first terminal is not exposed. A film thickness reduction step for processing, a thinning step for thinning the semiconductor device by grinding a back surface of the semiconductor device, a placing step for placing the semiconductor device on a resin substrate, and the semiconductor device An insulating layer forming step for forming an insulating layer to be covered; and at least one via conductor electrically connected to one of the at least one first terminals of the semiconductor device, respectively, inside the insulating layer And a via conductor forming step, the surface of the insulating layer, characterized in that each of the including at least one wiring pattern forming step of forming a wiring pattern electrically connected with any of the at least one via conductor.

本発明によれば、裏面を削ることで薄型化しながらも、反りが発生しにくい半導体装置を得ることが可能になる。また、製造された半導体装置の反りを抑制することが可能になる。また、ビア導体と端子との接続性が良好に保たれた電子部品内蔵基板を得ることが可能になる。また、ビア導体と端子との接続性のよい電子部品内蔵基板を製造することが可能になる。   According to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor device that is less likely to warp while being thinned by scraping the back surface. In addition, warping of the manufactured semiconductor device can be suppressed. In addition, it is possible to obtain an electronic component built-in substrate in which the connectivity between the via conductor and the terminal is kept good. In addition, it is possible to manufacture an electronic component built-in substrate with good connectivity between via conductors and terminals.

本発明の好ましい実施の形態による半導体装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a preferred embodiment of the present invention. 本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を内蔵する電子部品内蔵基板の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component built-in board | substrate which incorporates the semiconductor device by preferable embodiment of this invention. 本発明の比較例を示す図である。It is a figure which shows the comparative example of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による半導体装置の反り量と、保護膜表面の表面粗さ及び保護膜の膜厚との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the curvature amount of the semiconductor device by preferable embodiment of this invention, the surface roughness of the surface of a protective film, and the film thickness of a protective film. 本発明の好ましい実施の形態による半導体装置の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the semiconductor device by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による半導体装置の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the semiconductor device by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による半導体装置の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the semiconductor device by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態の変形例による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by the modification of preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態の変形例による電子部品内蔵基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate by the modification of preferable embodiment of this invention.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、本実施の形態による半導体装置１の断面図である。なお、同図及び後掲の各図は模式図であり、寸法の比率並びに各構成要素の個数及び配置などは、必ずしも実際のものとは一致しない。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device 1 according to the present embodiment. In addition, the figure and each figure shown later are schematic diagrams, and the ratio of dimensions and the number and arrangement of each component do not necessarily match the actual ones.

図１に示すように、半導体装置１は、主面１ａと裏面１ｂとを有している。半導体装置１の内部には電子回路８が形成されており、主面１ａには、この電子回路８と電気的に接続された少なくとも１つの端子１５（第１の端子）が露出している。また、主面１ａのうち端子１５が露出していない領域（非端子領域）には、保護膜６が露出している。なお、図１には端子１５を２つだけ描いているが、これは図面を簡単にするためであり、実際の半導体装置１はより多くの端子１５を有している。この点は、後述する各構成についても同様である。   As shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 has a main surface 1a and a back surface 1b. An electronic circuit 8 is formed inside the semiconductor device 1, and at least one terminal 15 (first terminal) electrically connected to the electronic circuit 8 is exposed on the main surface 1a. Further, the protective film 6 is exposed in a region (non-terminal region) where the terminal 15 is not exposed in the main surface 1a. Although only two terminals 15 are illustrated in FIG. 1, this is for simplifying the drawing, and the actual semiconductor device 1 has more terminals 15. This also applies to each configuration described later.

半導体装置１はいわゆるウエハーレベルＣＳＰであり、電子回路８を内蔵する半導体基板２の主面２ａに、少なくとも１つの端子１０（第２の端子）と、パッシベーション膜１１と、再配線層４とが形成された構造を有している。これらの構成のうち半導体基板２、端子１０、及びパッシベーション膜１１は、半導体チップ３を構成する。   The semiconductor device 1 is a so-called wafer level CSP, and at least one terminal 10 (second terminal), a passivation film 11, and a redistribution layer 4 are formed on a main surface 2 a of a semiconductor substrate 2 containing an electronic circuit 8. It has a formed structure. Among these configurations, the semiconductor substrate 2, the terminals 10, and the passivation film 11 constitute the semiconductor chip 3.

電子回路８は、図１に示すように、半導体基板２の内部に形成される。電子回路８の具体的な例としては、ＣＰＵ(Central Processing Unit)，ＤＳＰ(Digital Signal Processor)のような動作周波数が非常に高いデジタルＩＣ、フラッシュメモリ，ＳＤＲＡＭといったメモリ系ＩＣ、高周波増幅器，アンテナスイッチ，高周波発振回路といったアナログＩＣ、バリスタ，抵抗，コンデンサなどの受動素子などが挙げられる。   The electronic circuit 8 is formed inside the semiconductor substrate 2 as shown in FIG. Specific examples of the electronic circuit 8 include a digital IC, such as a CPU (Central Processing Unit) and a DSP (Digital Signal Processor), a memory IC such as a flash memory and SDRAM, a high frequency amplifier, and an antenna switch. , Passive ICs such as analog ICs such as high-frequency oscillation circuits, varistors, resistors, and capacitors.

半導体基板２の厚みは、例えば２００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１００μｍ以下に設定される。詳しくは後述するが、この２００μｍ以下又は５０μｍ以上１００μｍ以下という厚みは、半導体装置１の裏面１ｂ（半導体基板２の裏面）を研削した結果であり、研削前の半導体基板２は概ね７００μｍ程度の厚みを有している。半導体基板２内の電子回路８はすべて半導体基板２の主面２ａに近い位置に形成されているため、裏面１ｂを最大で６５０μｍ程度研削しても、機能的に支障が出ることはない。   The thickness of the semiconductor substrate 2 is set to, for example, 200 μm or less, preferably 50 μm to 100 μm. Although details will be described later, the thickness of 200 μm or less or 50 μm or more and 100 μm or less is a result of grinding the back surface 1b of the semiconductor device 1 (the back surface of the semiconductor substrate 2), and the semiconductor substrate 2 before grinding is approximately 700 μm thick. have. Since all the electronic circuits 8 in the semiconductor substrate 2 are formed at positions close to the main surface 2a of the semiconductor substrate 2, even if the back surface 1b is ground at a maximum of about 650 μm, there is no functional problem.

なお、図１では半導体装置１の裏面１ｂを波線で描いているが、これは裏面１ｂが粗化されていることを示している。この描画方法は、他の表面についても同様である。裏面１ｂの具体的な表面粗さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。裏面１ｂをこのように粗化しているのは、後述する樹脂基板３０（図２）に半導体装置１を載置する際に、樹脂基板３０と裏面１ｂとの接着性をよくするためである。詳しくは後述する。   In FIG. 1, the back surface 1 b of the semiconductor device 1 is drawn with a wavy line, which indicates that the back surface 1 b is roughened. This drawing method is the same for other surfaces. The specific surface roughness of the back surface 1b is preferably 0.1 μm or more and 2.0 μm or less. The reason for roughening the back surface 1b is to improve the adhesion between the resin substrate 30 and the back surface 1b when the semiconductor device 1 is placed on the resin substrate 30 (FIG. 2) described later. Details will be described later.

端子１０は、半導体基板２の内部に形成された電子回路８の電極（チップ取り出し電極）である。端子１０は、例えばＡｌを用いて構成することが好適である。   The terminal 10 is an electrode (chip extraction electrode) of the electronic circuit 8 formed inside the semiconductor substrate 2. The terminal 10 is preferably configured using, for example, Al.

パッシベーション膜１１は、半導体基板２の主面２ａを保護するための絶縁膜であり、主面２ａのうち端子１０が形成されていない領域のほぼ全面に形成される。パッシベーション膜１１は、端子１０の厚みに依存するが、例えば厚さ３μｍ程度のポリイミド、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、シリコーン系の樹脂材料によって構成することが好適である。   The passivation film 11 is an insulating film for protecting the main surface 2a of the semiconductor substrate 2, and is formed on almost the entire surface of the main surface 2a where the terminals 10 are not formed. Although the passivation film 11 depends on the thickness of the terminal 10, for example, it is preferable that the passivation film 11 is made of polyimide, polybenzoxazole (PBO), or a silicone-based resin material having a thickness of about 3 μm.

再配線層４は、少なくとも１つの配線パターン１２と、少なくとも１つのビア導体１３とを含み、これらが絶縁膜１４で覆われた構成を有している。再配線層４の厚み（半導体基板２の主面２ａから再配線層４の表面４ａまでの距離）は、概ね４〜２５μｍである。絶縁膜１４は、例えばポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等、液状の有機絶縁材料を固化した材料を用いて構成することが好適である。   The rewiring layer 4 includes at least one wiring pattern 12 and at least one via conductor 13, and these are covered with an insulating film 14. The thickness of the rewiring layer 4 (distance from the main surface 2a of the semiconductor substrate 2 to the surface 4a of the rewiring layer 4) is approximately 4 to 25 μm. The insulating film 14 is preferably formed using a material obtained by solidifying a liquid organic insulating material such as polybenzoxazole (PBO).

配線パターン１２は、端子１０及びパッシベーション膜１１の上側に設けられる導電膜であり、対応する端子１０と接触するように形成される。配線パターン１２は、例えば０．３μｍ程度の厚みを有するバリア金属膜の上にＣｕ膜を積層した積層膜によって構成することが好ましい。バリア金属膜は、配線パターン１２を形成する際の端子１０の腐食を防ぐとともに、端子１０と配線パターン１２との密着性を高めるために設けられるもので、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉなどの単層膜、ＣｕもしくはＡｌを含む合金膜、又はそれらを含む積層膜などで構成される。   The wiring pattern 12 is a conductive film provided on the terminals 10 and the passivation film 11 and is formed so as to come into contact with the corresponding terminals 10. The wiring pattern 12 is preferably composed of a laminated film in which a Cu film is laminated on a barrier metal film having a thickness of, for example, about 0.3 μm. The barrier metal film is provided to prevent corrosion of the terminal 10 when the wiring pattern 12 is formed, and to improve the adhesion between the terminal 10 and the wiring pattern 12, such as Ti, Cr, Ta, Pd, and Ni. A single layer film, an alloy film containing Cu or Al, or a laminated film containing them.

ビア導体１３は、絶縁膜１４に設けられたスルーホール内に埋め込まれた導電膜であり、下端で対応する配線パターン１２と接触し、上端で対応する端子１５と接触する。ビア導体１３も、配線パターン１２と同様に、０．３μｍ程度の厚みを有するバリア金属膜の上にＣｕ膜を積層した積層膜によって構成することが好ましい。この場合のバリア金属膜は配線パターン１２とビア導体１３との密着性を高めるために設けられ、上記同様、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉなどの単層膜、ＣｕもしくはＡｌを含む合金膜、又はそれらを含む積層膜などで構成される。   The via conductor 13 is a conductive film embedded in a through hole provided in the insulating film 14, and contacts the corresponding wiring pattern 12 at the lower end and contacts the corresponding terminal 15 at the upper end. Similarly to the wiring pattern 12, the via conductor 13 is preferably constituted by a laminated film in which a Cu film is laminated on a barrier metal film having a thickness of about 0.3 μm. In this case, the barrier metal film is provided in order to improve the adhesion between the wiring pattern 12 and the via conductor 13, and similarly to the above, a single layer film such as Ti, Cr, Ta, Pd, Ni, or an alloy film containing Cu or Al. Or a laminated film containing them.

次に、半導体装置１の主面１ａに露出する端子１５は、端子１０を外部に引き出すための外部端子である。具体的には、各端子１５は、上述したビア導体１３及び配線パターン１２を介して、対応する端子１０と電気的に接続される。端子１５の材料としては、Ｃｕ又はＡｌ若しくはそれらを主成分とする合金が好適に用いられる。   Next, the terminal 15 exposed to the main surface 1a of the semiconductor device 1 is an external terminal for pulling out the terminal 10 to the outside. Specifically, each terminal 15 is electrically connected to the corresponding terminal 10 via the via conductor 13 and the wiring pattern 12 described above. As a material of the terminal 15, Cu, Al, or an alloy containing them as a main component is preferably used.

保護膜６は、再配線層４の表面４ａを保護するために設けられる絶縁膜であり、表面４ａを覆うように形成されている。保護膜６の材料としては、例えばポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）を用いることが好適である。   The protective film 6 is an insulating film provided to protect the surface 4a of the rewiring layer 4, and is formed so as to cover the surface 4a. For example, polybenzoxazole (PBO) is preferably used as the material of the protective film 6.

保護膜６の表面（主面１ａのうちの上述した非端子領域）は、半導体装置１の裏面１ｂと同様、粗化されている。保護膜６の表面の具体的な表面粗さは、０．１μｍ以上４．０μｍ以下とすることが好ましい。こうすることで、半導体基板２内に発生する曲げ応力が緩和され、半導体装置１の反りの発生が抑制される。また、保護膜６の膜厚は、その表面を粗化する過程で、粗化前に比べて減少している。具体的には、粗化前に比べて５μｍ程度減少させ、２μｍ程度の膜厚とすることが好ましい。この膜厚の減少によっても半導体基板２内に発生する曲げ応力が緩和され、半導体装置１の反りの発生がさらに抑制される。詳しくは後述する。   The surface of the protective film 6 (the above-described non-terminal region in the main surface 1a) is roughened in the same manner as the back surface 1b of the semiconductor device 1. The specific surface roughness of the surface of the protective film 6 is preferably 0.1 μm or more and 4.0 μm or less. By doing so, the bending stress generated in the semiconductor substrate 2 is relaxed, and the occurrence of warpage of the semiconductor device 1 is suppressed. Further, the film thickness of the protective film 6 is reduced in the process of roughening the surface compared to before the roughening. Specifically, it is preferable that the film thickness is reduced by about 5 μm as compared with that before roughening, and the film thickness is about 2 μm. This reduction in film thickness also reduces the bending stress generated in the semiconductor substrate 2 and further suppresses the warpage of the semiconductor device 1. Details will be described later.

なお、本実施の形態では保護膜６の表面が粗化されるとしているが、表面を粗化する過程で保護膜６を完全に除去してしまってもよい。これは、半導体装置１を電子部品内蔵基板内に内蔵した後には、後述する絶縁層２４が保護膜６の代わりを果たすためである。この場合、再配線層４の表面４ａが、半導体装置１の反りの発生を抑制するために粗化されることになる。   Although the surface of the protective film 6 is roughened in the present embodiment, the protective film 6 may be completely removed in the process of roughening the surface. This is because after the semiconductor device 1 is built in the electronic component built-in substrate, an insulating layer 24 described later serves as a protective film 6. In this case, the surface 4 a of the rewiring layer 4 is roughened to suppress the occurrence of warpage of the semiconductor device 1.

次に、図２は、半導体装置１を内蔵する電子部品内蔵基板３１の断面図である。同図に示すように、電子部品内蔵基板３１は、半導体装置１の他に、絶縁層２０，２１を含む樹脂基板３０と、絶縁層２４と、絶縁層２０の内部に埋め込まれたビア導体２２と、配線パターン２３，２７と、絶縁層２４の内部に埋め込まれた複数のビア導体２５と、絶縁層２４，２１の内部に埋め込まれたビア導体２６とを有している。   Next, FIG. 2 is a cross-sectional view of the electronic component built-in substrate 31 in which the semiconductor device 1 is built. As shown in the figure, in addition to the semiconductor device 1, the electronic component built-in substrate 31 includes a resin substrate 30 including insulating layers 20 and 21, an insulating layer 24, and a via conductor 22 embedded in the insulating layer 20. Wiring patterns 23, 27, a plurality of via conductors 25 embedded in the insulating layer 24, and via conductors 26 embedded in the insulating layers 24, 21.

絶縁層２０及び配線パターン２３は、両面ＣＣＬ(Copper Clad Laminate)を加工したものである。つまり、両面ＣＣＬは、ガラスエポキシなどの樹脂材料から形成された絶縁層２０の両面に、Ｃｕ箔である金属膜が貼り合わされた構造を有している。配線パターン２３は、この金属膜をパターニングすることによって形成される。また、絶縁層２０には、両面の配線パターン２３を接続するビア導体２２が設けられる。   The insulating layer 20 and the wiring pattern 23 are obtained by processing double-sided CCL (Copper Clad Laminate). That is, the double-sided CCL has a structure in which a metal film that is a Cu foil is bonded to both sides of an insulating layer 20 formed of a resin material such as glass epoxy. The wiring pattern 23 is formed by patterning this metal film. The insulating layer 20 is provided with via conductors 22 that connect the wiring patterns 23 on both sides.

ビア導体２２及び配線パターン２３の材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｗ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳＵＳ材等の金属導電材料が好適に用いられる。特に、導電率やコストの観点からＣｕを用いることが好ましい。この点は、ビア導体２５，２６及び配線パターン２７についても同様である。   As a material for the via conductor 22 and the wiring pattern 23, a metal conductive material such as Cu, Au, Ag, Ni, Pd, Sn, Cr, Al, W, Fe, Ti, or SUS material is preferably used. In particular, Cu is preferably used from the viewpoint of conductivity and cost. This also applies to the via conductors 25 and 26 and the wiring pattern 27.

また、絶縁層２０を構成する樹脂材料としては、シート状又はフィルム状に成形可能なものであれば、どのようなものでも利用可能である。具体的な例を列挙すると、上述したガラスエポキシの他、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、ポリフェニレエーテル（ポリフェニレンエーテルオキサイド）樹脂（ＰＰＥ，ＰＰＯ）、シアネートエステル樹脂、エポキシ＋活性エステル硬化樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ポリフェニレンオキサオド樹脂）、硬化性ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はベンゾオキサジン樹脂の単体、若しくは、これらの樹脂に、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウムなどを添加した材料、さらに、これらの樹脂に、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム、及びタンタルのうち少なくとも１種の金属を含む金属酸化物粉末を添加した材料、またさらには、これらの樹脂に、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、これらの樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させた材料などを、絶縁層２０として利用可能である。実際に絶縁層２０を構成する際には、以上の各種材料の中から、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性などの特性を考慮して、最適なものを選択することが好適である。   Any resin material can be used as the resin material constituting the insulating layer 20 as long as it can be formed into a sheet or film. Specific examples are enumerated in addition to the glass epoxy described above, vinyl benzyl resin, polyvinyl benzyl ether compound resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), polyphenyl ether (polyphenylene ether oxide) resin (PPE, PPO), cyanate. Ester resin, epoxy + active ester cured resin, polyphenylene ether resin (polyphenylene oxide resin), curable polyolefin resin, benzocyclobutene resin, polyimide resin, aromatic polyester resin, aromatic liquid crystal polyester resin, polyphenylene sulfide resin, polyether Imide resin, polyacrylate resin, polyether ether ketone resin, fluororesin, epoxy resin, phenol resin, or benzoxazine resin, or this A material obtained by adding silica, talc, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, aluminum borate whisker, potassium titanate fiber, alumina, glass flake, glass fiber, tantalum nitride, aluminum nitride, etc. Furthermore, these resins contain at least one metal selected from magnesium, silicon, titanium, zinc, calcium, strontium, zirconium, tin, neodymium, samarium, aluminum, bismuth, lead, lanthanum, lithium, and tantalum. Materials in which oxide powder is added, and further, these resins are mixed with resin fibers such as glass fibers and aramid fibers, or these resins are impregnated into glass cloth, aramid fibers, nonwoven fabrics, and the like. The material is the insulating layer 20 It is available. When the insulating layer 20 is actually configured, it is preferable to select an optimum material from among the above various materials in consideration of characteristics such as electrical characteristics, mechanical characteristics, water absorption, and reflow resistance. .

絶縁層２１は樹脂材料からなり、絶縁層２０の上面２０ａの全面に形成される。絶縁層２１を構成する具体的な樹脂材料としては、絶縁層２０と同様、シート状又はフィルム状に成形可能なものであれば、どのようなものでも利用可能である。絶縁層２１を形成することにより得られる樹脂基板３０は、いわゆるＲＣＣ(Resin Coated Copper)構造となる。   The insulating layer 21 is made of a resin material and is formed on the entire upper surface 20 a of the insulating layer 20. As the specific resin material constituting the insulating layer 21, any material can be used as long as it can be formed into a sheet or film like the insulating layer 20. The resin substrate 30 obtained by forming the insulating layer 21 has a so-called RCC (Resin Coated Copper) structure.

樹脂基板３０の上面３０ａには、半導体装置１の裏面１ｂを上面３０ａ側に向けて、半導体装置１が載置される。これにより、上面３０ａと裏面１ｂとが接触することになるが、上述したように、裏面１ｂが粗化され、かつ本実施の形態では半導体装置１の反りが抑制されていることから、上面３０ａと裏面１ｂとの接着性は十分に確保される。   The semiconductor device 1 is mounted on the upper surface 30a of the resin substrate 30 with the back surface 1b of the semiconductor device 1 facing the upper surface 30a. As a result, the upper surface 30a and the back surface 1b come into contact with each other. However, as described above, the back surface 1b is roughened, and the warpage of the semiconductor device 1 is suppressed in the present embodiment. Adhesiveness to the back surface 1b is sufficiently secured.

絶縁層２４は樹脂材料からなり、樹脂基板３０の上面３０ａの全面に形成される。絶縁層２４を構成する具体的な樹脂材料としては、熱硬化性樹脂材料を用いることが好適である。この点については、後ほど詳しく説明する。絶縁層２４の膜厚は、半導体装置１を十分に覆う程度に厚く設定される。配線パターン２７は、絶縁層２４の上面２４ａに形成される。配線パターン２７は、ビア導体２５によって端子１５に接続されるとともに、ビア導体２６によって、絶縁層２０の上面２０ａに形成された配線パターン２３に接続される。   The insulating layer 24 is made of a resin material and is formed on the entire upper surface 30 a of the resin substrate 30. As a specific resin material constituting the insulating layer 24, a thermosetting resin material is preferably used. This point will be described in detail later. The thickness of the insulating layer 24 is set to be thick enough to sufficiently cover the semiconductor device 1. The wiring pattern 27 is formed on the upper surface 24 a of the insulating layer 24. The wiring pattern 27 is connected to the terminal 15 by the via conductor 25 and connected to the wiring pattern 23 formed on the upper surface 20 a of the insulating layer 20 by the via conductor 26.

以上が電子部品内蔵基板３１の構造であるが、図２にも示されるように、本実施の形態では、半導体装置１に反りは発生していない。これは、上述したように、半導体装置１を構成する半導体装置１の主面１ａに露出した保護膜６の表面を粗化するとともに、粗化の過程で保護膜６の膜厚を減少させていることによる効果である。   The above is the structure of the electronic component built-in substrate 31. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the semiconductor device 1 is not warped. As described above, this is because the surface of the protective film 6 exposed on the main surface 1a of the semiconductor device 1 constituting the semiconductor device 1 is roughened and the film thickness of the protective film 6 is reduced in the course of roughening. It is an effect by being.

図３は、本発明の比較例を示している。同図に示す例は、保護膜６の表面に本実施の形態による粗面加工（後述する主面側粗化工程での粗面加工）が施されていない点で異なる他は、図２に示した例と同一である。ただし、図３には、図２に示した各構成のうちの一部のみを抜き出して描いている。また、図３では、一直線に並んだ５個の端子１５（端子１５ａ〜１５ｅ）を描いている。本実施の形態による粗面加工が施されていないことで、図３の例では、保護膜６の表面は平坦であり、また、保護膜６の膜厚は図２の例に比べて厚くなっている。   FIG. 3 shows a comparative example of the present invention. The example shown in FIG. 2 is different from that shown in FIG. 2 except that the surface of the protective film 6 is not subjected to roughening according to this embodiment (roughening in the main surface side roughening step described later). It is the same as the example shown. However, in FIG. 3, only a part of each component shown in FIG. 2 is extracted and drawn. Further, in FIG. 3, five terminals 15 (terminals 15a to 15e) arranged in a straight line are drawn. Since the rough surface processing according to this embodiment is not performed, in the example of FIG. 3, the surface of the protective film 6 is flat, and the film thickness of the protective film 6 is thicker than that of the example of FIG. ing.

保護膜６の表面に本実施の形態による粗面加工を施さない場合、図３に示すように、半導体装置１には反りが発生する。これは、半導体装置１の内部に、上述した３種類の曲げ応力が発生するためである。なお、半導体基板２が十分に厚ければ、これらの曲げ応力が発生しても半導体装置１に反りが発生することはないが、本実施の形態による半導体装置１では、上述したように半導体装置１の裏面１ｂを研削して半導体基板２を薄くしているので、半導体基板２がこれらの曲げ応力に抗しきれず、半導体装置１に反りが発生してしまう。   When the surface of the protective film 6 is not roughened according to the present embodiment, the semiconductor device 1 warps as shown in FIG. This is because the above-described three types of bending stress are generated in the semiconductor device 1. If the semiconductor substrate 2 is sufficiently thick, even if these bending stresses are generated, the semiconductor device 1 will not be warped. However, in the semiconductor device 1 according to the present embodiment, as described above, the semiconductor device 1 Since the semiconductor substrate 2 is thinned by grinding the back surface 1b of the semiconductor substrate 1, the semiconductor substrate 2 cannot resist these bending stresses, and the semiconductor device 1 is warped.

半導体装置１に反りが発生すると、端子１５ごとに、絶縁層２４の上面２４ａとの間の距離（端子１５の上にある絶縁層２４の膜厚）が異なることになる。図３の例では、中央付近にある端子１５ｃが上面２４ａから最も遠く、縁部付近にある端子１５ａ，１５ｅが上面２４ａに最も近くなっている。このような距離の違いのため、図３に示すように、端子１５によっては、ビア導体２５との接続不良が発生してしまう。   When warpage occurs in the semiconductor device 1, the distance between the upper surface 24 a of the insulating layer 24 (the film thickness of the insulating layer 24 on the terminal 15) differs for each terminal 15. In the example of FIG. 3, the terminal 15c near the center is farthest from the upper surface 24a, and the terminals 15a and 15e near the edge are closest to the upper surface 24a. Due to such a difference in distance, connection failure with the via conductor 25 may occur depending on the terminal 15 as shown in FIG.

このような比較例に対し、本実施の形態による半導体装置１及び電子部品内蔵基板３１では、図２に示したように、保護膜６の表面を粗化するとともに、粗化の過程で保護膜６の膜厚を減少させている。したがって、図３に示したような半導体装置１の反りは発生せず、ビア導体２５と端子１５の接続不良の発生も抑制される。   In contrast to such a comparative example, in the semiconductor device 1 and the electronic component built-in substrate 31 according to the present embodiment, the surface of the protective film 6 is roughened as shown in FIG. The film thickness of 6 is reduced. Therefore, the warp of the semiconductor device 1 as shown in FIG. 3 does not occur, and the occurrence of poor connection between the via conductor 25 and the terminal 15 is also suppressed.

表１は、半導体装置１の反り量と、保護膜６の膜厚との関係を実際に測定した結果を示している。また、図４（ａ）（ｂ）は、表１をグラフ化したものである。この測定では、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８までの８サンプルについて、それぞれ表１に示した加工回数にわたって表面１ａにウエットブラスト加工を施し、加工前と加工後の反り量を測定した結果を示した。なお、表１には示していないが、表面１ａの表面粗さは、１回目のウエットブラスト加工を行う前の段階では測定限界を下回っており（数十ｎｍ以下）、１回目のウエットブラスト加工の後、約１．０μｍに変化した。この値は、その後ウエットブラスト加工の回数を重ねても概ね維持された。   Table 1 shows the results of actual measurement of the relationship between the amount of warpage of the semiconductor device 1 and the film thickness of the protective film 6. 4 (a) and 4 (b) are graphs of Table 1. In this measurement, no. 1-No. For 8 samples up to 8, the surface 1a was subjected to wet blasting for the number of times shown in Table 1, and the results of measuring the amount of warpage before and after processing are shown. Although not shown in Table 1, the surface roughness of the surface 1a is below the measurement limit before the first wet blasting (several tens of nm or less), and the first wet blasting. After that, it changed to about 1.0 μm. This value was generally maintained even after repeated wet blasting.

Figure 2013201301
Figure 2013201301

図４（ａ）から理解されるように、半導体装置１の反り量は、１回目のウエットブラスト加工の後に急激に小さくなり、２回目のウエットブラスト加工以降は、加工回数に概ね比例して減少する。１回目のウエットブラスト加工後の急激な反り量の減少は、図４（ａ）にも示したように、粗化の効果を示している。つまり、１回目のウエットブラスト加工後、保護膜６の表面が粗化されたことによって反り量が急激に小さくなるが、その後に加工回数を重ねても表面粗さは変わらないため、粗化の効果が現れるのは１回目のウエットブラスト加工後のみである。一方、反り量がウエットブラスト加工の回数に概ね比例して減少するのは、保護膜６の膜厚減少の効果を示している。保護膜６の膜厚と反り量とは、図４（ｂ）から明らかなように、比例する。   As can be understood from FIG. 4A, the amount of warpage of the semiconductor device 1 decreases rapidly after the first wet blasting, and decreases substantially in proportion to the number of processing after the second wet blasting. To do. The sharp decrease in the amount of warpage after the first wet blasting shows the effect of roughening as shown in FIG. That is, after the first wet blasting process, the amount of warpage is drastically reduced due to the roughening of the surface of the protective film 6, but the surface roughness does not change even if the number of processings is repeated thereafter. The effect appears only after the first wet blasting. On the other hand, the fact that the amount of warpage decreases approximately in proportion to the number of wet blasting processes indicates the effect of reducing the thickness of the protective film 6. As apparent from FIG. 4B, the thickness of the protective film 6 and the amount of warpage are proportional.

このように、保護膜６の表面の粗化及び保護膜６の膜厚低減とは、それぞれ半導体装置１の反り量を抑制する効果を有している。したがって、各膜の材料や半導体基板２の大きさ（厚さ、面積）などによっては、例えば保護膜６の表面の粗化だけを行い、膜厚については殊更に低減しなくとも十分に反りの発生が抑制できる場合も考えられる。逆に、保護膜６の表面の粗化を行わず、保護膜６の膜厚の低減のみを行ってもよい。   Thus, the roughening of the surface of the protective film 6 and the reduction of the film thickness of the protective film 6 have an effect of suppressing the warpage amount of the semiconductor device 1, respectively. Therefore, depending on the material of each film and the size (thickness, area) of the semiconductor substrate 2, for example, only the surface of the protective film 6 is roughened, and the film thickness is sufficiently warped without any further reduction. The case where generation | occurrence | production can be suppressed is also considered. Conversely, the surface of the protective film 6 may not be roughened, and only the thickness of the protective film 6 may be reduced.

以上説明したように、本実施の形態による半導体装置１及び電子部品内蔵基板３１では、半導体装置１の裏面１ｂだけでなく保護膜６の表面も粗化していることから、裏面１ｂを削ることで薄型化しながらも、反りが発生しにくい半導体装置１を得ることが可能になる。また、粗化の過程で保護膜６の膜厚を減少させていることから、半導体基板の反りの発生をさらに抑制できる。また、ビア導体２５と端子１５との接続性が良好に保たれた電子部品内蔵基板３１を得ることが可能になる。   As described above, in the semiconductor device 1 and the electronic component built-in substrate 31 according to the present embodiment, not only the back surface 1b of the semiconductor device 1 but also the surface of the protective film 6 is roughened. It is possible to obtain the semiconductor device 1 that is less likely to warp while being thinned. In addition, since the thickness of the protective film 6 is reduced in the course of roughening, the occurrence of warpage of the semiconductor substrate can be further suppressed. In addition, it is possible to obtain the electronic component built-in substrate 31 in which the connectivity between the via conductor 25 and the terminal 15 is kept good.

次に、以上説明した半導体装置１及び電子部品内蔵基板３１の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 and the electronic component built-in substrate 31 described above will be described.

図５〜図７は、本実施の形態による半導体装置１の製造方法の各工程を示す図である。また、図８〜図１７は、本実施の形態による電子部品内蔵基板３１の製造方法の各工程を示す図である。なお、以下で説明する各工程は、電子部品内蔵基板３１の製造工場における工程である。半導体装置１については、ウエハ状態（個片化前の状態）で納入されるものとして説明する。   5-7 is a figure which shows each process of the manufacturing method of the semiconductor device 1 by this Embodiment. 8 to 17 are diagrams showing each step of the method of manufacturing the electronic component built-in substrate 31 according to the present embodiment. In addition, each process demonstrated below is a process in the manufacturing factory of the electronic component built-in board 31. The semiconductor device 1 will be described as being delivered in a wafer state (state before singulation).

図５は、ウエハ状態で納入された半導体装置の断面図である。同図に示す一点鎖線Ａはダイシングの目安となるスクライブラインであり、後の工程でこのスクライブラインに沿ってダイシングを実施することにより、ウェハ状態の半導体装置が個々の半導体装置１に分離される。   FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor device delivered in the wafer state. An alternate long and short dash line A shown in the figure is a scribe line that serves as a standard for dicing. By performing dicing along the scribe line in a later step, a semiconductor device in a wafer state is separated into individual semiconductor devices 1. .

ウェハ状態の半導体装置は、図５に示すように、一枚のシリコンウエハ５０に複数の半導体装置１が形成された構造を有している。シリコンウエハ５０は上述した半導体基板２となる構成であり、内部に、半導体装置１ごとの電子回路８（図１）を含んでいる。納入段階では、シリコンウエハ５０の裏面１ｂは粗化されておらず、その表面粗さは０．１μｍ以下の限りなくゼロに近いもの（数十ｎｍ以下）である。また、シリコンウエハ５０の膜厚は約７００μｍに設定されている。   As shown in FIG. 5, the semiconductor device in a wafer state has a structure in which a plurality of semiconductor devices 1 are formed on a single silicon wafer 50. The silicon wafer 50 is configured to be the semiconductor substrate 2 described above, and includes an electronic circuit 8 (FIG. 1) for each semiconductor device 1 inside. At the delivery stage, the back surface 1b of the silicon wafer 50 is not roughened, and the surface roughness is not more than 0.1 μm and is close to zero (several tens of nm or less). The film thickness of the silicon wafer 50 is set to about 700 μm.

シリコンウエハ５０の表面には、端子１０、パッシベーション膜１１、及び再配線層５１が形成される。端子１０及びパッシベーション膜１１の詳細は上述した通りである。再配線層５１は上述した再配線層４となる構成である。再配線層５１の表面５１ａには、上述した端子１５及び保護膜６が形成される。納入段階では、保護膜６の表面６ａは粗化されていない。また、保護膜６の膜厚は、主面１ａを十分に保護するための観点から、例えば７μｍ以上８μｍ以下に設定されている。   On the surface of the silicon wafer 50, the terminal 10, the passivation film 11, and the rewiring layer 51 are formed. The details of the terminal 10 and the passivation film 11 are as described above. The rewiring layer 51 is configured to be the rewiring layer 4 described above. The terminal 15 and the protective film 6 described above are formed on the surface 51 a of the rewiring layer 51. At the delivery stage, the surface 6a of the protective film 6 is not roughened. The thickness of the protective film 6 is set to, for example, 7 μm or more and 8 μm or less from the viewpoint of sufficiently protecting the main surface 1a.

本実施の形態による製造方法では、図５の状態で納入された半導体装置に対し、図６に示すように、まず主面１ａ側から粗面加工（第１の粗面加工）を行う（主面側粗化工程）。この粗面加工の手段として具体的には、ブラスト加工（ウエット，ドライ）、エッチング、プラズマ処理、レーザー処理、グラインダーによる研磨、バフによる研磨、薬品処理などが考えられるが、端子１５が金属材料によって構成され、保護膜６が樹脂材料によって構成されることを考慮すると、ウエットブラスト加工を用いることが最適である。ウエットブラスト加工は、樹脂材料の加工レートが金属材料の加工レートに対して大きいという特徴を有していることから、ウエットブラスト加工を用いることで、端子１５に対するダメージを最小限に抑えつつ、保護膜６の膜厚を減少させることが可能になる。また、ウエットブラスト加工は、帯電の防止及びコストという観点からも、他の種類の粗面加工に比して有利である。この粗面加工により、上述したように、保護膜６の表面粗さを０．１μｍ以上４μｍ以下とし、また、保護膜６の膜厚を減少させることが好ましい。なお、保護膜６の膜厚は、端子１５間の絶縁及び表面の保護ができる限り、できるだけ薄くすることが好ましい。具体的には、約２μｍ程度まで薄くすることが好ましい。表面の保護は、上述したように絶縁層２４によって代替できることから、端子１５間の距離が大きいなど端子１５間の絶縁が十分に取れる場合には、保護膜６を完全に除去してしまってもよい。   In the manufacturing method according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, the semiconductor device delivered in the state of FIG. 5 is first subjected to rough surface processing (first rough surface processing) from the main surface 1a side (main surface processing). Surface side roughening step). Specific examples of the rough surface processing means include blast processing (wet and dry), etching, plasma processing, laser processing, grinding with a grinder, polishing with a buff, chemical processing, and the like, but the terminal 15 is made of a metal material. Considering that the protective film 6 is configured and is made of a resin material, it is optimal to use wet blasting. Since wet blasting has a feature that the processing rate of the resin material is larger than the processing rate of the metal material, it is possible to protect the terminal 15 while minimizing damage to the terminal 15 by using wet blasting. The film thickness of the film 6 can be reduced. In addition, wet blasting is more advantageous than other types of roughening from the viewpoint of prevention of charging and cost. As described above, it is preferable that the surface roughness of the protective film 6 is set to 0.1 μm or more and 4 μm or less and the film thickness of the protective film 6 is reduced by the rough surface processing. The film thickness of the protective film 6 is preferably as thin as possible as long as insulation between the terminals 15 and surface protection can be achieved. Specifically, it is preferable to reduce the thickness to about 2 μm. Since the surface protection can be replaced by the insulating layer 24 as described above, if the insulation between the terminals 15 can be sufficiently obtained, for example, the distance between the terminals 15 is large, even if the protective film 6 is completely removed. Good.

なお、上述したように、保護膜６の表面の粗化を行わず、保護膜６の膜厚の低減のみを行ってもよい。この場合には、粗化効果を伴わずに保護膜６の膜厚を減少させる膜厚低減加工（例えば、溶剤等を用いて化学的に処理を行う方法）を、第１の粗面加工に代えて主面１ａに施すことになる（膜厚低減工程）。   As described above, the surface of the protective film 6 may not be roughened and only the thickness of the protective film 6 may be reduced. In this case, film thickness reduction processing (for example, a method of chemically processing using a solvent or the like) for reducing the film thickness of the protective film 6 without a roughening effect is used as the first rough surface processing. Instead, it is applied to the main surface 1a (film thickness reduction step).

次に、図７に示すように、ウエハ状態の半導体チップを裏面１ｂ側から研削し、シリコンウエハ５０を薄型化する（薄型化工程）。これにより、シリコンウエハ５０の厚みを、２００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。さらに、シリコンウエハ５０の裏面１ｂに対して粗面加工（第２の粗面加工）を行う（裏面側粗化工程）。これにより、上述したように、裏面１ｂの表面粗さを０．１μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 7, the semiconductor chip in the wafer state is ground from the back surface 1b side to thin the silicon wafer 50 (thinning step). Thereby, it is preferable that the thickness of the silicon wafer 50 is 200 μm or less, preferably 50 μm or more and 100 μm or less. Further, a rough surface processing (second rough surface processing) is performed on the back surface 1b of the silicon wafer 50 (back surface side roughening step). Thereby, as described above, the surface roughness of the back surface 1b is preferably set to 0.1 μm or more and 2.0 μm or less.

なお、裏面側粗化工程は、上記のように薄型化工程の終了後に薄型化工程とは別に実施してもよいが、薄型化工程で用いる研削処理が粗面加工の効果を含んでいる場合には、薄型化工程と同時に裏面側粗化工程を行うこととしてもよい。   The back surface roughening step may be performed separately from the thinning step after completion of the thinning step as described above, but the grinding process used in the thinning step includes the effect of the rough surface processing. Alternatively, the back side roughening step may be performed simultaneously with the thinning step.

ここまでの処理が終了したら、一点鎖線Ａにより示されるスクライブラインに沿って、半導体装置のダイシングを行う（個片化工程）。これにより、シリコンウエハ５０が個片化され、複数の半導体装置１が得られる。   When the processing so far is completed, the semiconductor device is diced along the scribe line indicated by the alternate long and short dash line A (individualization step). Thereby, the silicon wafer 50 is divided into pieces, and a plurality of semiconductor devices 1 are obtained.

なお、以上の説明では、主面側粗化工程、薄型化工程及び裏面側粗化工程、個片化工程の順に実施することとしたが、これは、ウエハ状態で多数の半導体装置１を一括処理することがコスト的に見て好ましいこと、及び、クラックの発生を防止する観点から選択された順序である。これらの観点を考慮する必要がない場合には、異なる順序でこれらの工程を実施することとしてもよい。例えば、初めに個片化工程を実施し、個々の半導体装置１に対して、主面側粗化工程並びに薄型化工程及び裏面側粗化工程を実施してもよい。また、薄型化工程及び裏面側粗化工程を実施した後、主面側粗化工程を実施することとしてもよい。また、薄型化工程を実施する前にウエハ状態の半導体装置を主面１ａの側から半分だけカットし、薄型化工程により自然に個々の半導体装置１に分かれるようにしてもよい。   In the above description, the main surface side roughening process, the thinning process, the back surface roughening process, and the singulation process are performed in this order. It is the order selected from the viewpoint that treatment is preferable from the viewpoint of cost and the generation of cracks is prevented. When it is not necessary to consider these viewpoints, these steps may be performed in a different order. For example, the singulation process may be performed first, and the main surface side roughening process, the thinning process, and the back surface roughening process may be performed on each semiconductor device 1. Moreover, it is good also as implementing a main surface side roughening process, after implementing a thinning process and a back surface side roughening process. Alternatively, the semiconductor device in a wafer state may be cut by half from the main surface 1a before the thinning process, and the semiconductor device 1 may be naturally separated by the thinning process.

次に、電子部品内蔵基板３１の製造工程では、図８に示すように、まず上述した両面ＣＣＬを用意する。この両面ＣＣＬは、上述したように、樹脂材料から形成された絶縁層２０の両面に、Ｃｕ箔である金属膜が貼り合わされた構造を有している。この金属膜をパターニングすることによって配線パターン２３を形成するとともに、絶縁層２０を貫通するビア導体２２を形成することによって両面の配線パターン２３を相互に接続する。   Next, in the manufacturing process of the electronic component built-in substrate 31, the double-sided CCL described above is first prepared as shown in FIG. As described above, the double-sided CCL has a structure in which a metal film, which is a Cu foil, is bonded to both sides of the insulating layer 20 formed of a resin material. The wiring pattern 23 is formed by patterning the metal film, and the wiring patterns 23 on both sides are connected to each other by forming the via conductor 22 that penetrates the insulating layer 20.

次に、図９に示すように、絶縁層２０の上面２０ａの全面に、樹脂材料からなる絶縁層２１を形成する。これにより、ＲＣＣ構造を有する樹脂基板３０が完成する。   Next, as shown in FIG. 9, an insulating layer 21 made of a resin material is formed on the entire upper surface 20 a of the insulating layer 20. Thereby, the resin substrate 30 having the RCC structure is completed.

次いで、図１０に示すように、絶縁層２１の上面（樹脂基板３０の上面３０ａ）に、上述した個片化工程で得た半導体装置１を載置する（載置工程）。そして、図１１に示すように、上面３０ａの全面に半導体装置１を完全に覆う膜厚の絶縁層２４を形成し（絶縁層形成工程）、さらにその上面２４ａの全面に導体層６０を形成する。具体的には、未硬化の熱硬化性樹脂を塗布した後、それを加熱して半硬化させ、さらに導体膜を成膜した後、プレス手段を用いてこれらをまとめて硬化成形することにより、絶縁層２４及び導体層６０を形成することが好ましい。このような形成方法を採ることで、導体層６０、絶縁層２４、及び半導体装置１の間の密着性を向上させることができる。なお、塗布する熱硬化性樹脂としては、初めから半硬化状態のものを用いてもよい。   Next, as shown in FIG. 10, the semiconductor device 1 obtained in the above-described singulation process is placed on the upper surface of the insulating layer 21 (upper surface 30a of the resin substrate 30) (placement process). Then, as shown in FIG. 11, an insulating layer 24 having a film thickness that completely covers the semiconductor device 1 is formed on the entire upper surface 30a (insulating layer forming step), and a conductor layer 60 is further formed on the entire upper surface 24a. . Specifically, after applying an uncured thermosetting resin, it is heated and semi-cured, and further after forming a conductor film, these are collectively cured using a pressing means, It is preferable to form the insulating layer 24 and the conductor layer 60. By adopting such a forming method, adhesion between the conductor layer 60, the insulating layer 24, and the semiconductor device 1 can be improved. In addition, as a thermosetting resin to apply | coat, the thing of a semi-hardened state may be used from the beginning.

次に、図１２に示すように、導体層６０に開口部６０ａを設ける。開口部６０ａの形成はエッチングにより行うことが好ましい。開口部６０ａを形成する位置は、図２に示したビア導体２５に相当する位置とする。なお、開口部６０ａを設ける工程から、後述する無電解メッキ及び電解メッキを行うことによってビアホール２５ａ内にビア導体２５を形成する工程までが、本発明におけるビア導体形成工程に相当する。   Next, as shown in FIG. 12, an opening 60 a is provided in the conductor layer 60. The opening 60a is preferably formed by etching. The position where the opening 60a is formed is a position corresponding to the via conductor 25 shown in FIG. From the step of providing the opening 60a to the step of forming the via conductor 25 in the via hole 25a by performing electroless plating and electrolytic plating described later correspond to the via conductor forming step in the present invention.

開口部６０ａを形成したら、次に導体層６０を導体マスクとして用いて、図１３に示すように、絶縁層２４にビアホール２５ａを形成する。ビアホール２５ａの形成は、ブラスト加工やレーザー加工を用いる切削処理によって行うことが好ましい。ブラスト加工の種類としては、絶縁層２４にビアホール２５ａを穿孔する際に発生し得る静電気に起因する帯電を防止して半導体装置１を保護する観点から、ウェットブラスト加工が好ましい。ビアホール２５ａの深さは、底部に端子１５が露出する程度とする。   After the opening 60a is formed, a via hole 25a is formed in the insulating layer 24 as shown in FIG. 13 using the conductor layer 60 as a conductor mask. The via hole 25a is preferably formed by a cutting process using blasting or laser processing. As a type of blasting, wet blasting is preferable from the viewpoint of protecting the semiconductor device 1 by preventing charging due to static electricity that may occur when the via hole 25a is drilled in the insulating layer 24. The depth of the via hole 25a is set such that the terminal 15 is exposed at the bottom.

本実施の形態では、半導体装置１の反りが抑制されていることから、図１３に示すように、すべてのビアホール２５ａの底部に対応する端子１５が露出する。これに対し、仮に半導体装置１に大きな反りが発生しているとすると、一部のビアホール２５ａの底部には対応する端子１５が露出せず、図３に示したように、ビア導体２５と端子１５の接触不良が発生することになる。本実施の形態では、このような接触不良はほぼ発生しない。   In the present embodiment, since the warpage of the semiconductor device 1 is suppressed, the terminals 15 corresponding to the bottoms of all the via holes 25a are exposed as shown in FIG. On the other hand, if a large warp occurs in the semiconductor device 1, the corresponding terminals 15 are not exposed at the bottoms of some of the via holes 25a, and the via conductors 25 and the terminals are exposed as shown in FIG. 15 contact failures will occur. In this embodiment, such contact failure hardly occurs.

ビアホール２５ａを形成したら、次に無電解メッキ及び電解メッキを行うことにより、図１４に示すように、ビアホール２５ａ内にビア導体２５を形成する。こうして形成したビア導体２５の下端は、ビアホール２５ａの底部に露出した端子１５と接触し導通する。   After the via hole 25a is formed, by performing electroless plating and electrolytic plating, a via conductor 25 is formed in the via hole 25a as shown in FIG. The lower end of the via conductor 25 formed in this way comes into contact with the terminal 15 exposed at the bottom of the via hole 25a and becomes conductive.

次に、無電解メッキ及び電解メッキによって絶縁層２４の上面２４ａに形成された導電層６１に、図１５に示すように、開口部６１ａを設ける。開口部６１ａの形成もエッチングにより行うことが好ましい。開口部６１ａを形成する位置は、図２に示したビア導体２６に相当する位置とする。   Next, as shown in FIG. 15, an opening 61a is provided in the conductive layer 61 formed on the upper surface 24a of the insulating layer 24 by electroless plating and electrolytic plating. The opening 61a is also preferably formed by etching. The position where the opening 61a is formed is a position corresponding to the via conductor 26 shown in FIG.

開口部６１ａを形成したら、次に導体層６１を導体マスクとして用いて、図１６に示すように、絶縁層２４及び絶縁層２１を貫通するビアホール２６ａを形成する。ビアホール２６ａの形成も、ビアホール２５ａと同様に、ブラスト加工やレーザー加工を用いる切削処理によって行うことが好ましい。この処理により、ビアホール２６ａの底部には、絶縁層２０の上面２０ａに形成された配線パターン２３が露出する。   After the opening 61a is formed, a via hole 26a penetrating the insulating layer 24 and the insulating layer 21 is formed using the conductor layer 61 as a conductor mask, as shown in FIG. The via hole 26a is also preferably formed by a cutting process using blasting or laser processing, similarly to the via hole 25a. By this process, the wiring pattern 23 formed on the upper surface 20a of the insulating layer 20 is exposed at the bottom of the via hole 26a.

ビアホール２６ａを形成したら、次に無電解メッキ及び電解メッキを行うことにより、図１７に示すように、ビアホール２６ａ内にビア導体２６を形成する。こうして形成したビア導体２６の下端は、ビアホール２６ａの底部に露出した配線パターン２３と接触し導通する。これにより、ビア導体２６は、絶縁層２０を貫通しているビア導体２２とともに、電子部品内蔵基板３１の両面に形成された配線パターンを短絡するインナービアホールとして機能することになる。   When the via hole 26a is formed, the via conductor 26 is formed in the via hole 26a by performing electroless plating and electrolytic plating, as shown in FIG. The lower end of the via conductor 26 thus formed comes into contact with the wiring pattern 23 exposed at the bottom of the via hole 26a and becomes conductive. Thus, the via conductor 26 functions as an inner via hole that short-circuits the wiring patterns formed on both surfaces of the electronic component built-in substrate 31 together with the via conductor 22 penetrating the insulating layer 20.

最後に、無電解メッキ及び電解メッキによって絶縁層２４の上面２４ａに形成された導電層６２を、図２に示したようにパターニングする（配線パターン形成工程）。これにより配線パターン２７が形成され、以上の工程により、半導体装置１を内蔵する電子部品内蔵基板３１が完成する。   Finally, the conductive layer 62 formed on the upper surface 24a of the insulating layer 24 by electroless plating and electrolytic plating is patterned as shown in FIG. 2 (wiring pattern forming step). Thereby, the wiring pattern 27 is formed, and the electronic component built-in substrate 31 in which the semiconductor device 1 is built is completed by the above-described steps.

以上説明したように、本実施の形態による半導体装置１の製造方法によれば、両面が粗化されるので、製造された半導体装置１の反りを抑制することが可能になる。また、本実施の形態による電子部品内蔵基板３１の製造方法によれば、半導体装置１の反りが抑制されることから、ビア導体２５と端子１５との接続性のよい電子部品内蔵基板３１を製造することが可能になる。   As described above, according to the method for manufacturing the semiconductor device 1 according to the present embodiment, both surfaces are roughened, and thus it is possible to suppress warpage of the manufactured semiconductor device 1. Further, according to the method for manufacturing the electronic component built-in substrate 31 according to the present embodiment, since the warp of the semiconductor device 1 is suppressed, the electronic component built-in substrate 31 having good connectivity between the via conductor 25 and the terminal 15 is manufactured. It becomes possible to do.

図１８及び図１９は、本実施の形態の変形例による半導体装置１及び電子部品内蔵基板３１の製造方法の各工程を示す図である。本変形例は、主面側粗化工程を、半導体装置１を樹脂基板３０の上面３０ａに載置した後に行う点で、上述した実施の形態と異なっている。以下、詳しく説明する。   18 and 19 are diagrams showing each step of the manufacturing method of the semiconductor device 1 and the electronic component built-in substrate 31 according to the modification of the present embodiment. This modification is different from the above-described embodiment in that the main surface side roughening step is performed after the semiconductor device 1 is placed on the upper surface 30a of the resin substrate 30. This will be described in detail below.

図１８に示すように、樹脂基板３０の上面３０ａには、薄型化工程、裏面側粗化工程、及び個片化工程を経た一方、主面側粗化工程を経ていない状態の半導体装置１が載置される。なお、この時点で、上面３０ａに露出している絶縁層２１は半硬化状態である。また、図１８には現していないが、この時点では半導体装置１に反りが発生している。これは、保護膜６の表面が粗化されておらず、また、保護膜６の膜厚も厚いままであるからである。   As shown in FIG. 18, on the upper surface 30a of the resin substrate 30, the semiconductor device 1 in a state that has undergone the thinning process, the back surface roughening process, and the singulation process, but has not undergone the main surface side roughening process. Placed. At this time, the insulating layer 21 exposed on the upper surface 30a is in a semi-cured state. Although not shown in FIG. 18, the semiconductor device 1 is warped at this time. This is because the surface of the protective film 6 is not roughened and the film thickness of the protective film 6 remains thick.

図１８の状態において、次に主面１ａに対して粗面加工（第１の粗面加工）を行う。これにより、図１９に示すように、保護膜６の表面が粗化されるとともに、保護膜６の膜厚が減少する。具体的な粗面加工の手段としては、帯電の防止及びコストという観点から、上記と同様にウエットブラスト加工を用いることが最適であるが、他の手段を用いてもよい。この粗面加工により内部の曲げ応力が緩和されることから、半導体装置１に生じていた反りが解消される。この後、本変形例においても、上述した図１１以降の工程（絶縁層２４形成以降の工程）が実施される。   In the state shown in FIG. 18, next, rough surface processing (first rough surface processing) is performed on the main surface 1a. Thereby, as shown in FIG. 19, the surface of the protective film 6 is roughened and the film thickness of the protective film 6 is reduced. As a specific rough surface processing means, it is optimal to use wet blasting in the same manner as described above from the viewpoint of prevention of charging and cost, but other means may be used. Since the internal bending stress is relieved by this rough surface processing, the warp generated in the semiconductor device 1 is eliminated. Thereafter, also in the present modification, the above-described steps after FIG. 11 (steps after forming the insulating layer 24) are performed.

ここで、上記粗面加工においては、図１９にも示すように、絶縁層２１の主面２１ａのうち半導体装置１に覆われていない部分にも粗化及び膜厚減少の効果が波及し、また、半導体装置１の側面も粗化される。このうち絶縁層２１の粗化については、この後絶縁層２１の主面２１ａの全面に絶縁層２４を形成することから、絶縁層２１と絶縁層２４との密着性が向上するという効果が得られる。また、半導体装置１の側面の粗化については、半導体装置１と絶縁層２４との接着性がよくなるという効果が得られる。   Here, in the rough surface processing, as shown in FIG. 19, the effect of the roughening and the film thickness reduction also affects the portion of the main surface 21 a of the insulating layer 21 that is not covered with the semiconductor device 1. Further, the side surface of the semiconductor device 1 is also roughened. Among these, for the roughening of the insulating layer 21, since the insulating layer 24 is formed on the entire main surface 21a of the insulating layer 21, the effect of improving the adhesion between the insulating layer 21 and the insulating layer 24 is obtained. It is done. Further, with respect to the roughening of the side surface of the semiconductor device 1, there is an effect that the adhesion between the semiconductor device 1 and the insulating layer 24 is improved.

以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to such embodiment at all, and this invention can be implemented in various aspects in the range which does not deviate from the summary. Of course.

例えば、上記実施の形態ではウエハーレベルＣＳＰである半導体装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明は、再配線層を有しない通常の半導体装置にも好適に適用可能である。具体的な例を挙げると、本発明は図１に示した半導体チップ３（再配線層４が形成されていない状態の半導体チップ）にも適用可能であり、この場合、パッシベーション膜１１の表面を粗化することになる。   For example, in the above embodiment, an example in which the present invention is applied to a semiconductor device that is a wafer level CSP has been described. However, the present invention can be suitably applied to a normal semiconductor device that does not have a rewiring layer. As a specific example, the present invention can also be applied to the semiconductor chip 3 shown in FIG. 1 (semiconductor chip in which the rewiring layer 4 is not formed). In this case, the surface of the passivation film 11 is formed. It will roughen.

１ 半導体装置
２ 半導体基板
３，５ 半導体チップ
４ 再配線層
６ 保護膜
８ 電子回路
１０ 第２の端子
１１ パッシベーション膜
１２，２３，２７ 配線パターン
１３，２２，２５，２６ ビア導体
１４ 絶縁膜
１５，１５ａ〜１５ｅ 第１の端子
２０，２１，２４ 絶縁層
２５ａ，２６ａ ビアホール
３０ 樹脂基板
３１ 電子部品内蔵基板
５０，５２ シリコンウエハ
５１ 再配線層
６０〜６２ 導体層
６０ａ，６１ａ 開口部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Semiconductor substrate 3, 5 Semiconductor chip 4 Redistribution layer 6 Protective film 8 Electronic circuit 10 Second terminal 11 Passivation films 12, 23, 27 Wiring patterns 13, 22, 25, 26 Via conductor 14 Insulating film 15, 15a to 15e First terminals 20, 21, and 24 Insulating layers 25a and 26a Via hole 30 Resin substrate 31 Electronic component built-in substrate 50 and 52 Silicon wafer 51 Redistribution layers 60 to 62 Conductive layers 60a and 61a Openings

Claims (17)

主面と裏面とを有する半導体装置であって、
電子回路と、
前記主面に露出し、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続された少なくとも１つの第１の端子とを備え、
前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない非端子領域と前記裏面とがともに粗化されている
ことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device having a main surface and a back surface,
Electronic circuit,
And at least one first terminal exposed on the main surface and electrically connected to the electronic circuit,
A non-terminal region where the at least one first terminal is not exposed in the main surface and the back surface are both roughened. 前記非端子領域に露出した保護膜をさらに備え、
前記保護膜の表面が粗化されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 Further comprising a protective film exposed in the non-terminal region,
The semiconductor device according to claim 1, wherein a surface of the protective film is roughened. 前記電子回路を内蔵する半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成され、かつそれぞれ前記電子回路の電極を構成する少なくとも１つの第２の端子と、
前記半導体基板の主面に形成され、かつそれぞれ前記少なくとも１つの第２の端子のいずれかと接続する少なくとも１つの配線パターンを含む再配線層とを備え、
前記保護膜は、前記再配線層の表面を覆うように形成される
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。 A semiconductor substrate containing the electronic circuit;
At least one second terminal formed on a main surface of the semiconductor substrate and constituting an electrode of the electronic circuit;
A rewiring layer including at least one wiring pattern formed on a main surface of the semiconductor substrate and connected to any of the at least one second terminal,
The semiconductor device according to claim 2, wherein the protective film is formed so as to cover a surface of the rewiring layer. 内部に電子回路が形成され、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続される少なくとも１つの第１の端子が主面に露出したシリコンウエハの該主面に第１の粗面加工を施す主面側粗化工程と、
前記シリコンウエハの裏面を研削することにより該シリコンウエハを薄型化する薄型化工程と、
前記シリコンウエハの裏面に第２の粗面加工を施す裏面側粗化工程と、
前記シリコンウエハを個片化することにより複数の半導体装置を得る個片化工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A main surface in which an electronic circuit is formed and at least one first terminal that is electrically connected to the electronic circuit is exposed on the main surface of the silicon wafer. A side roughening step;
A thinning step of thinning the silicon wafer by grinding the back surface of the silicon wafer;
A back surface side roughening step of performing a second rough surface processing on the back surface of the silicon wafer;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of obtaining a plurality of semiconductor devices by dividing the silicon wafer into pieces. 前記シリコンウエハは、前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない領域に露出した保護膜を有し、
前記第１の粗面加工により前記保護膜の表面が粗化される
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。 The silicon wafer has a protective film exposed in a region of the main surface where the at least one first terminal is not exposed,
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the surface of the protective film is roughened by the first roughening process. 前記第１の粗面加工により前記保護膜の膜厚を減少させる
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the thickness of the protective film is reduced by the first rough surface processing. 前記第１の粗面加工はウエットブラスト加工である
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the first rough surface processing is wet blast processing. 前記複数の第１の端子はそれぞれ金属材料によって構成され、
前記保護膜は樹脂材料によって構成される
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 Each of the plurality of first terminals is made of a metal material,
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the protective film is made of a resin material. 樹脂基板と、
裏面を前記樹脂基板に向けて該樹脂基板の表面に載置された半導体装置と、
前記半導体装置を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の内部に埋め込まれた少なくとも１つのビア導体と、
それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続するよう前記絶縁層の表面に形成された少なくとも１つの配線パターンとを備え、
前記半導体装置は、
電子回路と、
主面に露出し、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続された少なくとも１つの第１の端子とを有し、
前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない非端子領域と前記裏面とがともに粗化されている
ことを特徴とする電子部品内蔵基板。 A resin substrate;
A semiconductor device mounted on the surface of the resin substrate with the back surface facing the resin substrate;
An insulating layer covering the semiconductor device;
At least one via conductor embedded within the insulating layer;
Each having at least one wiring pattern formed on the surface of the insulating layer to be electrically connected to any one of the at least one via conductors,
The semiconductor device includes:
Electronic circuit,
At least one first terminal exposed on the main surface and electrically connected to the electronic circuit,
An electronic component-embedded substrate, wherein a non-terminal region where the at least one first terminal is not exposed in the main surface and the back surface are both roughened. 内部に電子回路が形成され、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続される少なくとも１つの第１の端子が主面に露出した半導体装置の該主面に第１の粗面加工を施す主面側粗化工程と、
前記半導体装置の裏面を研削することにより該半導体装置を薄型化する薄型化工程と、
前記半導体装置の裏面に第２の粗面加工を施す裏面側粗化工程と、
前記半導体装置を樹脂基板に載置する載置工程と、
前記半導体装置を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の内部に、それぞれ前記半導体装置の前記少なくとも１つの第１の端子のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つのビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記絶縁層の表面に、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つの配線パターンを形成する配線パターン形成工程と
を備えることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。 A main surface in which an electronic circuit is formed and at least one first terminal that is electrically connected to the electronic circuit is exposed on the main surface of the semiconductor device. A side roughening step;
A thinning step of thinning the semiconductor device by grinding the back surface of the semiconductor device;
A back surface side roughening step of applying a second rough surface processing to the back surface of the semiconductor device;
A placing step of placing the semiconductor device on a resin substrate;
An insulating layer forming step of forming an insulating layer covering the semiconductor device;
A via conductor forming step of forming at least one via conductor electrically connected to one of the at least one first terminals of the semiconductor device, respectively, inside the insulating layer;
And a wiring pattern forming step of forming at least one wiring pattern electrically connected to any one of the at least one via conductors on the surface of the insulating layer. . 内部に電子回路が形成され、かつそれぞれ前記電子回路と電気的に接続される少なくとも１つの第１の端子が主面に露出した半導体装置の裏面を研削することにより、該半導体装置を薄型化する薄型化工程と、
前記半導体装置の裏面に第２の粗面加工を施す裏面側粗化工程と、
前記裏面側粗化工程を経た前記半導体装置を樹脂基板の主面に載置する載置工程と、
前記半導体装置を載置した後の前記樹脂基板の前記主面に第１の粗面加工を施す主面側粗化工程と、
前記主面側粗化工程の後、前記半導体装置を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の内部に、それぞれ前記少なくとも１つの第１の端子のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つのビア導体を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つの配線パターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。 The semiconductor device is thinned by grinding the back surface of the semiconductor device in which an electronic circuit is formed and at least one first terminal electrically connected to the electronic circuit is exposed on the main surface. Thinning process,
A back surface side roughening step of applying a second rough surface processing to the back surface of the semiconductor device;
A placing step of placing the semiconductor device that has undergone the backside roughening step on a main surface of a resin substrate;
A main surface side roughening step of applying a first rough surface processing to the main surface of the resin substrate after placing the semiconductor device;
A step of forming an insulating layer covering the semiconductor device after the main surface side roughening step;
Forming at least one via conductor electrically connected to any one of the at least one first terminals inside the insulating layer;
And forming at least one wiring pattern electrically connected to any one of the at least one via conductors on the surface of the insulating layer. 前記半導体装置は、前記主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない領域に露出した保護膜を有し、
前記第１の粗面加工により、少なくとも前記保護膜の表面が粗化される
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。 The semiconductor device has a protective film exposed in a region of the main surface where the at least one first terminal is not exposed,
The method for manufacturing a substrate with built-in electronic components according to claim 10 or 11, wherein at least the surface of the protective film is roughened by the first roughening process. 前記第１の粗面加工により前記保護膜の膜厚を減少させる
ことを特徴とする請求項１２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。 The method of manufacturing an electronic component built-in substrate according to claim 12, wherein the thickness of the protective film is reduced by the first rough surface processing. 前記第１の粗面加工はウエットブラスト加工である
ことを特徴とする請求項１３に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。 The method for manufacturing an electronic component built-in substrate according to claim 13, wherein the first rough surface processing is wet blast processing. 前記複数の第１の端子はそれぞれ金属材料によって構成され、
前記保護膜は樹脂材料によって構成される
ことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。 Each of the plurality of first terminals is made of a metal material,
The method for manufacturing an electronic component built-in substrate according to claim 14, wherein the protective film is made of a resin material. 前記主面側粗化工程、前記薄型化工程、及び前記裏面側粗化工程は、前記半導体装置がウエハ状態であるときに行われ、
前記載置工程の前に、ウエハ状態の前記半導体装置を個片化することにより複数の前記半導体装置を得る個片化工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。 The main surface side roughening step, the thinning step, and the back side roughening step are performed when the semiconductor device is in a wafer state,
16. The device according to claim 10, further comprising: an individualizing step of obtaining a plurality of the semiconductor devices by separating the semiconductor devices in a wafer state before the placing step. The manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate of description. 内部に形成された電子回路、それぞれ前記電子回路と電気的に接続され、かつ主面に露出した少なくとも１つの第１の端子、及び該主面のうち前記少なくとも１つの第１の端子が露出していない領域に露出した保護膜を有する半導体装置の該主面に、前記保護膜の膜厚を減少させる膜厚低減加工を施す膜厚低減工程と、
前記半導体装置の裏面を研削することにより該半導体装置を薄型化する薄型化工程と、
前記半導体装置を樹脂基板に載置する載置工程と、
前記半導体装置を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の内部に、それぞれ前記半導体装置の前記少なくとも１つの第１の端子のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つのビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記絶縁層の表面に、それぞれ前記少なくとも１つのビア導体のいずれかと電気的に接続される少なくとも１つの配線パターンを形成する配線パターン形成工程と
を備えることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。 An electronic circuit formed inside, at least one first terminal electrically connected to the electronic circuit and exposed on the main surface, and the at least one first terminal of the main surface exposed. A film thickness reducing step for performing a film thickness reducing process for reducing the film thickness of the protective film on the main surface of the semiconductor device having a protective film exposed in a non-exposed region;
A thinning step of thinning the semiconductor device by grinding the back surface of the semiconductor device;
A placing step of placing the semiconductor device on a resin substrate;
An insulating layer forming step of forming an insulating layer covering the semiconductor device;
A via conductor forming step of forming at least one via conductor electrically connected to one of the at least one first terminals of the semiconductor device, respectively, inside the insulating layer;
And a wiring pattern forming step of forming at least one wiring pattern electrically connected to any one of the at least one via conductors on the surface of the insulating layer. .
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