JP2013199103A - Laminate and cutting laminate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate that can suppress adhesion of foreign matters to an insulating layer, and in addition can easily peel off the insulating layer from a protective film layer.SOLUTION: A laminate 1 includes: a thermal conductor 2 whose thermal conductivity is ≥10 W/m K; an insulating layer 3 laminated on the surface of the thermal conductor 2; and a protective film layer 4 laminated on the surface opposite to the thermal conductor 2 side of the insulating layer 3. The protective film layer 4 has a base material 4A and a sticking part 4B laminated on the surface of the base material 4A. The protective film layer 4 is laminated on the surface of the insulating layer 3 from the sticking part 4B side. The protective film layer 4 has an irregular shape in the surface of the insulating layer 3 side of the sticking part 4B.

Description

本発明は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と絶縁層とを備える積層体に関する。また、本発明は、該積層体を用いた切断積層体に関する。また、本発明は、該積層体を用いたパワー半導体モジュール用部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a laminate including a heat conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more and an insulating layer. The present invention also relates to a cut laminate using the laminate. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the components for power semiconductor modules using this laminated body.

近年、電気機器の小型化及び高性能化が進行している。これに伴って、電子部品の実装密度が高くなってきており、電子部品から発生する熱を放散させる必要が高まっている。熱を放散させる方法として、高い放熱性を有しかつ熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体を、発熱源に接着する方法が広く採用されている。また、この熱伝導体を発熱源に接着するために、絶縁性を有する絶縁接着材料が用いられている。   In recent years, miniaturization and high performance of electric devices have been advanced. Along with this, the mounting density of electronic components is increasing, and the need to dissipate heat generated from electronic components is increasing. As a method of dissipating heat, a method of adhering a heat conductor having high heat dissipation and a thermal conductivity of 10 W / m · K or more to a heat generation source is widely adopted. In addition, an insulating adhesive material having an insulating property is used to bond the heat conductor to a heat source.

上記絶縁接着材料を用いた電気機器の一例が、下記の特許文献1に開示されている。特許文献1には、板状金属のヒートシンクの一方の主面に、熱伝導率が1.0〜7.5W/(m・K)であり、厚さが50〜150μmである絶縁樹脂層を備えて構成した金属絶縁板と、該金属絶縁板の上記絶縁樹脂層上に設けられたリードフレームとを有する半導体パワーモジュール用回路基板が開示されている。上記リードフレームは、段差状の屈曲部を有する。上記屈曲部は、上記ヒートシンクの主面の端部から2mm以上内側に位置し、かつ、上記ヒートシンク端部での上記リードフレームの浮き上がり寸法が1mm以上となるように屈曲している。上記金属絶縁板と上記リードフレームとが、厚さ10〜50μmである接着樹脂層を介してプレス接着されている。   An example of an electrical device using the insulating adhesive material is disclosed in Patent Document 1 below. In Patent Document 1, an insulating resin layer having a thermal conductivity of 1.0 to 7.5 W / (m · K) and a thickness of 50 to 150 μm is provided on one main surface of a plate-shaped metal heat sink. There is disclosed a circuit board for a semiconductor power module having a metal insulating plate provided and configured, and a lead frame provided on the insulating resin layer of the metal insulating plate. The lead frame has a stepped bent portion. The bent portion is located 2 mm or more inward from the end of the main surface of the heat sink, and is bent so that the floating dimension of the lead frame at the end of the heat sink is 1 mm or more. The metal insulating plate and the lead frame are press-bonded via an adhesive resin layer having a thickness of 10 to 50 μm.

下記の特許文献1には、上記金属絶縁板の作製方法として、酸化珪素フィラーを分散させたエポキシ樹脂をシート成形した後に、ヒートシンクとなる厚さ2mmのアルミニウム板の上にプレス積層し、次に打抜き加工して上記金属絶縁板を作製する方法が記載されている。   In Patent Document 1 below, as a method for producing the metal insulating plate, an epoxy resin in which a silicon oxide filler is dispersed is formed into a sheet, and then press laminated on a 2 mm thick aluminum plate to be a heat sink. A method for producing the metal insulating plate by punching is described.

特許第3846699号公報Japanese Patent No. 3846699

特許文献1では、上記金属絶縁板を作製する際などに、周囲のゴミや、加工時に発生する金属摩耗粉が、絶縁層に付着することがある。   In Patent Document 1, when manufacturing the metal insulating plate, surrounding dust or metal wear powder generated during processing may adhere to the insulating layer.

本発明の目的は、保護フィルム層を備えるために絶縁層に対する異物の付着を抑えることができ、更に保護フィルム層を絶縁層から容易に剥離することができる積層体、並びに該積層体を用いた切断積層体を提供することである。   The object of the present invention is to provide a protective film layer, thereby suppressing adhesion of foreign matter to the insulating layer, and further using the laminated body that can easily peel the protective film layer from the insulating layer. It is to provide a cut laminate.

また、本発明の目的は、保護フィルム層を備えるために絶縁層に対する異物の付着を抑えることができ、更に保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができるパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a power semiconductor module component that can suppress adhesion of foreign matter to the insulating layer because the protective film layer is provided, and that the protective film layer can be favorably peeled from the insulating layer. Is to provide.

本発明の広い局面によれば、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と、前記熱伝導体の表面に積層されている絶縁層と、前記絶縁層の前記熱伝導体側と反対の表面に積層されている保護フィルム層とを備え、前記保護フィルム層が、基材と前記基材の表面に積層された粘着部とを有し、前記保護フィルム層が、前記粘着部側から前記絶縁層の表面に積層されており、前記保護フィルム層が、前記粘着部の前記絶縁層側の表面に凹凸形状を有する、積層体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a thermal conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more, an insulating layer laminated on a surface of the thermal conductor, the thermal conductor side of the insulating layer, A protective film layer laminated on the opposite surface, wherein the protective film layer has a base material and an adhesive part laminated on the surface of the base material, and the protective film layer is on the adhesive part side To the surface of the insulating layer, and the protective film layer has a concavo-convex shape on the surface of the adhesive portion on the insulating layer side.

また、本発明の広い局面によれば、上述した積層体を用いたパワー半導体モジュール用部品の製造方法が提供される。   Moreover, according to the wide situation of this invention, the manufacturing method of the components for power semiconductor modules using the laminated body mentioned above is provided.

すなわち、本発明の広い局面によれば、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と、前記熱伝導体の表面に積層されている絶縁層と、前記絶縁層の前記熱伝導体側と反対の表面に積層されている保護フィルム層とを備える積層体であって、前記保護フィルム層が、基材と前記基材の表面に積層された粘着部とを有し、前記保護フィルム層が、前記粘着部側から前記絶縁層の表面に積層されており、前記保護フィルム層が、前記粘着部の前記絶縁層側の表面に凹凸形状を有する積層体を用いて、前記絶縁層の表面から前記保護フィルム層を剥離して、露出した前記絶縁層の表面に導電層を積層する工程と、前記絶縁層を硬化させる工程と、前記熱伝導体と前記絶縁層と前記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備える、パワー半導体モジュール用部品の製造方法が提供される。   That is, according to a wide aspect of the present invention, a thermal conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more, an insulating layer laminated on a surface of the thermal conductor, and the thermal conduction of the insulating layer A protective film layer laminated on a surface opposite to the body side, wherein the protective film layer has a base material and an adhesive portion laminated on the surface of the base material, and the protective film A layer is laminated on the surface of the insulating layer from the pressure-sensitive adhesive portion side, and the protective film layer is formed by using a laminate having a concavo-convex shape on the surface of the pressure-sensitive adhesive portion on the insulating layer side. Peeling the protective film layer from the surface, laminating a conductive layer on the exposed surface of the insulating layer, curing the insulating layer, the thermal conductor, the insulating layer, and the conductive layer. And a process of embedding in a mold resin Method for producing parts for the body module is provided.

本明細書では、上述した積層体に関する発明と、上述したパワー半導体装置用モジュール用部品の製造方法に関する発明との双方が開示される。   In this specification, both the invention relating to the above-described laminate and the invention relating to the above-described method for manufacturing a module component for a power semiconductor device are disclosed.

前記粘着部の前記絶縁層側の表面がエンボス加工されていることが好ましい。前記保護フィルム層が、前記基材の前記粘着部側とは反対の表面に凹凸形状を有さないことが好ましい。前記保護フィルム層の厚みの前記絶縁層の厚みに対する比が0.2以上、1以下であることが好ましい。前記粘着部の前記絶縁層側の表面の十点平均粗さRzが1μm以上、50μm以下であることが好ましい。前記保護フィルム層が着色していることが好ましい。   It is preferable that the surface on the insulating layer side of the adhesive portion is embossed. It is preferable that the protective film layer does not have an uneven shape on the surface opposite to the adhesive portion side of the base material. The ratio of the thickness of the protective film layer to the thickness of the insulating layer is preferably 0.2 or more and 1 or less. The ten-point average roughness Rz of the surface of the adhesive portion on the insulating layer side is preferably 1 μm or more and 50 μm or less. The protective film layer is preferably colored.

前記絶縁層が、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含むことが好ましい。前記絶縁層が、硬化率が異なる複数の層を有し、多層であることが好ましい。前記絶縁層の前記保護フィルム層側の表面の硬化率が20%以上、80%以下であることが好ましい。   The insulating layer preferably contains an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more. It is preferable that the insulating layer has a plurality of layers having different curing rates and is a multilayer. It is preferable that the curing rate of the surface of the insulating layer on the protective film layer side is 20% or more and 80% or less.

前記基材の材料が、ポリエステル樹脂であることが好ましい。   The material of the substrate is preferably a polyester resin.

本発明の広い局面によれば、上述した積層体を、前記熱伝導体と前記絶縁層と前記保護フィルム層とが積層された状態で、切断することにより得られる、切断積層体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided a cut laminate obtained by cutting the above-described laminate in a state where the heat conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated. .

本発明に係る切断積層体は、上述した積層体を、プレス打ち抜きで切断することにより得られることが好ましい。   The cut laminate according to the present invention is preferably obtained by cutting the above-described laminate by press punching.

本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法のある特定の局面では、前記積層体を、前記熱伝導体と前記絶縁層と前記保護フィルム層とが積層された状態で、切断することにより得られる切断積層体を用いて、前記絶縁層の表面から前記保護フィルム層を剥離して、露出した前記絶縁層の表面に導電層を積層する。この場合に、前記積層体を、プレス打ち抜きで切断することが好ましい。   In a specific aspect of the method for manufacturing a power semiconductor module component according to the present invention, the laminate is obtained by cutting the laminated body in a state where the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated. Using the cut laminate, the protective film layer is peeled off from the surface of the insulating layer, and a conductive layer is stacked on the exposed surface of the insulating layer. In this case, it is preferable to cut the laminate by press punching.

本発明に係る積層体は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と、該熱伝導体の表面に積層されている絶縁層と、該絶縁層の上記熱伝導体側と反対の表面に積層されている保護フィルム層とを備えているので、絶縁層に異物が付着するのを抑えることができる。   The laminate according to the present invention includes a thermal conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more, an insulating layer laminated on the surface of the thermal conductor, and the opposite side of the insulating layer to the thermal conductor side. Since the protective film layer laminated | stacked on the surface of this is provided, it can suppress that a foreign material adheres to an insulating layer.

さらに、上記保護フィルム層が、基材と該基材の表面に積層された粘着部とを有し、上記保護フィルム層が、上記粘着部側から上記絶縁層の表面に積層されており、更に上記保護フィルム層が、上記粘着部の上記絶縁層側の表面に凹凸形状を有するので、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。   Furthermore, the protective film layer has a base material and an adhesive part laminated on the surface of the base material, the protective film layer is laminated on the surface of the insulating layer from the adhesive part side, Since the said protective film layer has an uneven | corrugated shape in the surface by the side of the said insulating layer of the said adhesion part, a protective film layer can be peeled favorably from an insulating layer.

本発明に係るパワー半導体モジュールの製造方法では、上記積層体が用いられているので、絶縁層に対する異物の付着を抑えることができ、更に保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。また、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる結果、良好なパワー半導体モジュール用部品を得ることができる。   In the method for manufacturing a power semiconductor module according to the present invention, since the laminate is used, adhesion of foreign matters to the insulating layer can be suppressed, and the protective film layer can be favorably peeled from the insulating layer. Moreover, as a result of being able to peel the protective film layer from the insulating layer satisfactorily, a good power semiconductor module component can be obtained.

図1は、本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a laminate according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係る積層体を用いて得られるパワー半導体モジュール用部品を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a power semiconductor module component obtained using the laminate according to the embodiment of the present invention.

本発明に係る積層体は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と、該熱伝導体の表面に積層されている絶縁層と、該絶縁層の上記熱伝導体側と反対の表面に積層されている保護フィルム層とを備える。上記保護フィルム層は、基材と該基材の表面に積層された粘着部とを有する。上記保護フィルム層は、上記粘着部側から上記絶縁層の表面に積層されている。上記保護フィルム層は、上記粘着部の上記絶縁層側の表面に凹凸形状を有する。   The laminate according to the present invention includes a thermal conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more, an insulating layer laminated on the surface of the thermal conductor, and the opposite side of the insulating layer to the thermal conductor side. And a protective film layer laminated on the surface. The said protective film layer has a base material and the adhesion part laminated | stacked on the surface of this base material. The said protective film layer is laminated | stacked on the surface of the said insulating layer from the said adhesion part side. The protective film layer has a concavo-convex shape on the surface of the adhesive portion on the insulating layer side.

本発明に係る積層体における上記構成の採用により、上記絶縁層の表面に上記保護フィルム層が積層されていることによって、絶縁層に異物が付着するのを抑えることができる。例えば、周囲のゴミや、加工時に発生する金属摩耗粉などの異物の絶縁層への付着を抑えることができる。特に、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、積層体を所定の大きさに切断したときに、切断片や、切断時に使用される切断刃の破片などの異物の付着が抑えられる。   By adopting the above-described configuration in the laminate according to the present invention, the protective film layer is laminated on the surface of the insulating layer, thereby preventing foreign matter from adhering to the insulating layer. For example, it is possible to suppress adhesion of foreign matters such as surrounding dust and metal wear powder generated during processing to the insulating layer. In particular, when the laminated body is cut into a predetermined size in a state where the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated, a cut piece or a broken piece of a cutting blade used at the time of cutting, etc. The adhesion of foreign matter is suppressed.

さらに、本発明に係る積層体では、上記保護フィルム層が上記粘着部の上記絶縁層側の表面に凹凸形状を有するので、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。特に、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、積層体をプレス打ち抜きで所定の大きさに切断すると、圧力により保護フィルム層が絶縁層に強く貼り付きやすいという問題がある。これに対して、上記保護フィルム層が、上記粘着部の上記絶縁層側の表面に凹凸形状を有することによって、積層体をプレス打ち抜きで切断した後であっても、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。   Furthermore, in the laminated body which concerns on this invention, since the said protective film layer has an uneven | corrugated shape on the surface by the side of the said insulating layer of the said adhesion part, a protective film layer can be peeled favorably from an insulating layer. In particular, when the laminated body is cut into a predetermined size by press punching in a state where the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated, the protective film layer is strongly attached to the insulating layer by pressure. There is a problem. On the other hand, the protective film layer has an uneven shape on the surface of the adhesive portion on the insulating layer side, so that the protective film layer can be separated from the insulating layer even after the laminate is cut by press punching. It can peel well.

本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法では、上述した積層体が用いられる。本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法は、上述した積層体を用いて、上記絶縁層の表面から上記保護フィルム層を剥離して、露出した上記絶縁層の表面に導電層を積層する工程と、上記絶縁層を硬化させる工程と、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備える。   In the method for manufacturing a power semiconductor module component according to the present invention, the above-described laminate is used. In the method for manufacturing a power semiconductor module component according to the present invention, the protective film layer is peeled off from the surface of the insulating layer, and a conductive layer is stacked on the exposed surface of the insulating layer, using the laminate described above. A step, a step of curing the insulating layer, and a step of embedding the thermal conductor, the insulating layer, and the conductive layer in a mold resin.

本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法における上記構成の採用により、絶縁層に異物が付着するのを抑えることができる。例えば、周囲のゴミや、加工時に発生する金属摩耗粉などの異物の絶縁層への付着を抑えることができる。特に、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、積層体を所定の大きさに切断したときに、切断片や、切断時に使用される切断刃の破片などの異物の付着が抑えられる。   Adoption of the above-described configuration in the method for manufacturing a power semiconductor module component according to the present invention can prevent foreign matter from adhering to the insulating layer. For example, it is possible to suppress adhesion of foreign matters such as surrounding dust and metal wear powder generated during processing to the insulating layer. In particular, when the laminated body is cut into a predetermined size in a state where the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated, a cut piece or a broken piece of a cutting blade used at the time of cutting, etc. The adhesion of foreign matter is suppressed.

さらに、本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法では、上記保護フィルム層が上記粘着部の上記絶縁層側の表面に凹凸形状を有するので、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。特に、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、積層体をプレス打ち抜きで所定の大きさに切断した後であっても、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。また、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる結果、良好なパワー半導体モジュール用部品を得ることができる。   Furthermore, in the method for manufacturing a component for a power semiconductor module according to the present invention, the protective film layer has a concavo-convex shape on the surface of the adhesive portion on the insulating layer side, and thus the protective film layer is peeled off from the insulating layer satisfactorily Can do. In particular, in a state where the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated, the protective film layer is excellent from the insulating layer even after the laminate is cut into a predetermined size by press punching. Can be peeled off. Moreover, as a result of being able to peel the protective film layer from the insulating layer satisfactorily, a good power semiconductor module component can be obtained.

本発明では、基材と粘着部とを有し、かつ上記粘着部の表面に凹凸形状を有する保護フィルム層を、上記熱伝導体と上記絶縁層との積層状態において上記絶縁層の表面に積層して用いるという従来採用されていなかった新規な構成が採用されている。なお、保護フィルム層を絶縁層の表面から容易に剥離するためには、粘着部の表面に凹凸形状を形成するのではなく、粘着部の粘着力を低くすることが考えられる。しかしながら、保護フィルム層における粘着部の粘着力を低くすると、積層体の切断時などに保護フィルム層が絶縁層から剥離しやすくなる。上記粘着部の表面に凹凸形状を有する保護フィルム層を用いることによって、積層体の使用時に、保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができるだけでなく、積層体の加工時などに、保護フィルム層の絶縁層からの意図しない剥離を抑制することもできる。   In the present invention, a protective film layer having a base material and an adhesive portion and having an uneven shape on the surface of the adhesive portion is laminated on the surface of the insulating layer in a laminated state of the thermal conductor and the insulating layer. Therefore, a new configuration that has not been conventionally used is employed. In order to easily peel the protective film layer from the surface of the insulating layer, it is conceivable to reduce the adhesive strength of the adhesive portion instead of forming an uneven shape on the surface of the adhesive portion. However, when the adhesive strength of the adhesive portion in the protective film layer is lowered, the protective film layer is easily peeled off from the insulating layer when the laminate is cut. By using a protective film layer having a concavo-convex shape on the surface of the pressure-sensitive adhesive part, the protective film layer can be peeled off well from the insulating layer during use of the laminate, and can also be protected during processing of the laminate. Unintentional peeling of the film layer from the insulating layer can also be suppressed.

また、本発明者らは、上記保護フィルム層が上記粘着部の上記絶縁層側の表面に凹凸形状を有することで、積層体を用いて複数のパワー半導体モジュール用部品などの電子部品を製造したときに、複数の絶縁層における耐電圧性のばらつきも小さくすることができることを見出した。本発明では、複数の絶縁層における耐電圧性のばらつきが小さくなる結果、均質なパワー半導体モジュール用部品などの電子部品を製造することができる。   In addition, the present inventors manufactured electronic parts such as a plurality of power semiconductor module parts by using a laminate, because the protective film layer has an uneven shape on the surface of the adhesive part on the insulating layer side. In some cases, it was found that variations in withstand voltage among a plurality of insulating layers can be reduced. In the present invention, the variation in the voltage resistance among the plurality of insulating layers is reduced, and as a result, a homogeneous electronic component such as a power semiconductor module component can be manufactured.

上記積層体において、上記絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面は、導電層に積層される表面であることが好ましい。上記積層体は、上記絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に導電層を積層して用いられる積層体であることが好ましい。   In the laminated body, the surface of the insulating layer opposite to the heat conductor side is preferably a surface laminated on the conductive layer. The laminate is preferably a laminate used by laminating a conductive layer on the surface of the insulating layer opposite to the thermal conductor side.

上記積層体は、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、切断して用いられる積層体であることが好ましい。上記積層体は、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、プレス打ち抜きで切断して用いられる積層体であることが好ましい。   The laminated body is preferably a laminated body that is cut and used in a state in which the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated. The laminated body is preferably a laminated body used by being cut by press punching in a state where the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated.

本発明に係る切断積層体は、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、上記積層体を切断することにより得られる。このとき、積層体は所定の大きさに切断される。本発明に係る切断積層体は、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、上記積層体をプレス打ち抜きで切断することにより得られることが好ましい。このような切断を行ったとしても、絶縁層に異物が付着するのを抑えることができ、更に切断後に保護フィルム層を絶縁層から良好に剥離することができる。   The cut laminated body according to the present invention is obtained by cutting the laminated body in a state in which the thermal conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated. At this time, the laminate is cut into a predetermined size. The cut laminate according to the present invention is preferably obtained by cutting the laminate by press punching in a state where the heat conductor, the insulating layer, and the protective film layer are laminated. Even if such cutting is performed, it is possible to suppress the adhesion of foreign matter to the insulating layer, and further, the protective film layer can be peeled off from the insulating layer after cutting.

また、本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法では、上記積層体を、上記熱伝導体と上記絶縁層と上記保護フィルム層とが積層された状態で、切断することにより得られる切断積層体を用いて、上記絶縁層の表面から上記保護フィルム層を剥離して、露出した上記絶縁層の表面に導電層を積層することが好ましい。この場合に、上記積層体を、プレス打ち抜きで切断することが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the component for power semiconductor modules which concerns on this invention, the laminated body obtained by cut | disconnecting the said laminated body in the state in which the said heat conductor, the said insulating layer, and the said protective film layer were laminated | stacked. It is preferable that the protective film layer is peeled off from the surface of the insulating layer using a body and a conductive layer is laminated on the exposed surface of the insulating layer. In this case, it is preferable to cut the laminate by press punching.

上記凹凸形状を形成する方法としては特に限定されず、例えば、エンボスロール法、カレンダーロール法、及び異形押出法等が挙げられる。中でも定量的に一定の凹凸模様である多数の凹凸形状のエンボスを形成することができることから、エンボスロール法が好ましい。上記粘着部の上記絶縁層側の表面が、エンボス加工されていることが好ましい。すなわち、エンボス加工により上記凹凸形状が付与されていることが好ましい。   It does not specifically limit as a method of forming the said uneven | corrugated shape, For example, an embossing roll method, a calender roll method, a profile extrusion method, etc. are mentioned. Among them, the embossing roll method is preferable because it can form a large number of concavo-convex embossments that are quantitatively constant. The surface of the adhesive portion on the insulating layer side is preferably embossed. That is, it is preferable that the uneven shape is given by embossing.

上記凹凸形状の形成方法は特に限定されず、所定の温度に加熱したエンボスロールの間に、所定の温度に加熱した保護フィルムを通過させ、表面に凹凸形状を付与する方法、未硬化状態の粘着部をエンボス構造を有するロール又はシートに密着させた状態で硬化を行い、エンボス構造を転写する方法などが挙げられる。   The method for forming the concavo-convex shape is not particularly limited, and a method of passing a protective film heated to a predetermined temperature between embossing rolls heated to a predetermined temperature to impart a concavo-convex shape to the surface, an uncured adhesive Examples of the method include curing in a state where the portion is in close contact with a roll or sheet having an embossed structure, and transferring the embossed structure.

上記保護フィルム層が、上記基材層の上記粘着部側とは反対の表面に凹凸形状を有さないことが好ましい。この場合には、絶縁層の表面から保護フィルム層をより一層良好に剥離することができ、更に積層体をプレス打ち抜きなどで切断した後であっても、保護フィルム層を絶縁層からより一層良好に剥離することができる。但し、上記保護フィルム層が、上記基材層の上記粘着部側とは反対の表面に凹凸形状を有していてもよい。   It is preferable that the protective film layer does not have a concavo-convex shape on the surface opposite to the adhesive portion side of the base material layer. In this case, the protective film layer can be peeled off more favorably from the surface of the insulating layer, and even after the laminate is cut by press punching or the like, the protective film layer is further improved from the insulating layer. Can be peeled off. However, the said protective film layer may have an uneven | corrugated shape on the surface on the opposite side to the said adhesion part side of the said base material layer.

上記保護フィルム層の厚み(T1)の上記絶縁層の厚み(T2)に対する比(T1/T2)は好ましくは0.05以上、より好ましくは0.1以上、更に好ましくは0.2以上、好ましくは20以下、より好ましくは10以下、更に好ましくは1以下である。上記比(T1/T2)は0.2以上、1以下であることが特に好ましい。上記比(T1/T2)が上記下限以上及び上記上限以下であると、保護フィルム層の剥離性がより一層良好になる。上記保護フィルム層の厚み(T1)は、基材と粘着部との合計の厚みである。   The ratio (T1 / T2) of the thickness (T1) of the protective film layer to the thickness (T2) of the insulating layer is preferably 0.05 or more, more preferably 0.1 or more, still more preferably 0.2 or more, preferably Is 20 or less, more preferably 10 or less, and still more preferably 1 or less. The ratio (T1 / T2) is particularly preferably 0.2 or more and 1 or less. When the ratio (T1 / T2) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the peelability of the protective film layer is further improved. The thickness (T1) of the protective film layer is the total thickness of the base material and the adhesive portion.

上記保護フィルム層の上記絶縁層側の表面の十点平均粗さRz、並びに上記粘着部の上記絶縁層側の表面の十点平均粗さRzはそれぞれ、好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは70μm以下、更に好ましくは60μm以下、特に好ましくは50μm以下である。上記十点平均粗さRzは、1μm以上、50μm以下であることが特に好ましい。上記十点平均粗さRzが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の表面から保護フィルム層をより一層良好に剥離することができ、更に積層体をプレス打ち抜きなどで切断した後であっても、保護フィルム層を絶縁層からより一層良好に剥離することができ、更に耐電圧の安定性をより一層高めることができる。上記十点平均粗さRzは、JIS B0601−1994に準拠して測定される。   The ten-point average roughness Rz of the surface on the insulating layer side of the protective film layer and the ten-point average roughness Rz of the surface on the insulating layer side of the adhesive part are each preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, More preferably, it is 70 micrometers or less, More preferably, it is 60 micrometers or less, Most preferably, it is 50 micrometers or less. The ten-point average roughness Rz is particularly preferably 1 μm or more and 50 μm or less. When the ten-point average roughness Rz is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the protective film layer can be peeled off more favorably from the surface of the insulating layer, and further after the laminate is cut by press punching or the like Even if it exists, a protective film layer can be peeled more favorably from an insulating layer, and also stability of withstand voltage can be improved further. The ten-point average roughness Rz is measured according to JIS B0601-1994.

上記保護フィルム層は、着色していることが好ましい。この場合に、保護フィルムの視認性がよくなり、製造工程時における剥離不良や打ち抜き時に保護フィルム層の脱落が発生した場合などに、不良が発見しやすくなる。上記保護フィルム層が着色している場合に、基材が着色していていもよく、粘着部が着色していてもよく、基材と粘着部との双方が着色していてもよい。   The protective film layer is preferably colored. In this case, the visibility of the protective film is improved, and it is easy to find a defect when, for example, a peeling failure occurs during the manufacturing process or a protective film layer is dropped during punching. When the protective film layer is colored, the base material may be colored, the adhesive part may be colored, or both the base material and the adhesive part may be colored.

上記基材の材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂などのポリエステル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン(PE)樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂などのポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂等が挙げられる。上記基材の材料は、ポリエステル樹脂であることが好ましい。ポリエステル樹脂により形成された基材の使用により、保護フィルム層の剥離性がより一層良好になる。   Examples of the material of the base material include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) resin, polytetrafluoroethylene resin, polyethylene (PE) resin, polypropylene resin, polymethylpentene resin, polyolefin resin such as polyvinyl acetate resin, and polyvinyl chloride. Examples thereof include resins and polyimide resins. The material of the substrate is preferably a polyester resin. By using the base material formed of the polyester resin, the peelability of the protective film layer is further improved.

上記粘着部の材料は特に限定されない。粘着部の材料としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びゴム系粘着剤等が挙げられる。   The material of the said adhesion part is not specifically limited. Examples of the material of the adhesive part include acrylic adhesives, special synthetic rubber adhesives, synthetic resin adhesives, silicone adhesives, rubber adhesives, and the like.

上記保護フィルム層の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、好ましくは200μm以下、より好ましくは150μm以下である。上記粘着部の厚みは、好ましくは1μm以上、より好ましくは3μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下である。上記粘着部の厚みは、凹凸形状における凹部深さ又は凸部高さを超えることが好ましい。   The thickness of the protective film layer is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less. The thickness of the adhesive part is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less. It is preferable that the thickness of the adhesive part exceeds the concave part depth or convex part height in the concave-convex shape.

上記絶縁層が、硬化率が異なる複数の層を有し、多層であることが好ましい。但し、上記絶縁層は単層であってもよい。上記絶縁層は、上記熱伝導体側に配置された第1の絶縁層と、上記保護フィルム層側に配置された第2の絶縁層とを有することが好ましい。上記積層体は、上記熱伝導体と、上記熱伝導体の表面に積層された第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に積層された第2の絶縁層と、上記第2の絶縁層の上記第1の絶縁層側とは反対の表面に積層された保護フィルム層とを備えることが好ましい。このように、絶縁層を多層にすることで、絶縁層に部分的に異なる性質を付与することが可能である。   The insulating layer has a plurality of layers with different curing rates, and is preferably a multilayer. However, the insulating layer may be a single layer. The insulating layer preferably includes a first insulating layer disposed on the heat conductor side and a second insulating layer disposed on the protective film layer side. The laminated body includes the thermal conductor, a first insulating layer laminated on a surface of the thermal conductor, and a second laminated on a surface opposite to the thermal conductor side of the first insulating layer. And a protective film layer laminated on the surface of the second insulating layer opposite to the first insulating layer side. In this manner, by making the insulating layer into a multilayer, it is possible to impart partially different properties to the insulating layer.

上記絶縁層の上記保護フィルム層側の表面の硬化率は、1%以上であることが好ましく、10%以上であってもよい。上記第2の絶縁層の硬化率は、1%以上であることが好ましく、10%以上であってもよい。   The curing rate of the surface of the insulating layer on the protective film layer side is preferably 1% or more, and may be 10% or more. The curing rate of the second insulating layer is preferably 1% or more, and may be 10% or more.

上記絶縁層の上記保護フィルム層側の表面の硬化率が20%以上、80%以下であることが好ましい。上記絶縁層の導電層に積層される表面の硬化率が20%以上、80%以下であることが好ましい。上記第2の絶縁層の硬化率が20%以上、80%以下であることが好ましい。この場合には、絶縁層と導電層との接着性を効果的に高めることができる。また、上記絶縁層の上記保護フィルム層側の表面が一定の硬度と柔軟性とを有する結果、上記保護フィルム層の上記絶縁層側の凹凸形状の影響により、絶縁層の表面から保護フィルム層をより一層良好に剥離することができ、更に積層体をプレス打ち抜きなどで切断した後であっても、保護フィルム層を絶縁層からより一層良好に剥離することができ、更に複数の絶縁層における耐電圧性のばらつきをより一層小さくすることができる。   The curing rate of the surface of the insulating layer on the protective film layer side is preferably 20% or more and 80% or less. It is preferable that the curing rate of the surface laminated | stacked on the conductive layer of the said insulating layer is 20% or more and 80% or less. It is preferable that the curing rate of the second insulating layer is 20% or more and 80% or less. In this case, the adhesion between the insulating layer and the conductive layer can be effectively increased. Further, as a result of the surface on the protective film layer side of the insulating layer having a certain hardness and flexibility, the protective film layer is removed from the surface of the insulating layer due to the influence of the uneven shape on the insulating layer side of the protective film layer. Even after the laminate is cut by press punching or the like, the protective film layer can be peeled off better from the insulating layer, and the resistance in the plurality of insulating layers can be further improved. The variation in voltage characteristics can be further reduced.

上記絶縁層の上記熱伝導体側の表面の硬化率が、上記絶縁層の上記保護フィルム層側の表面の硬化率よりも大きいことが好ましい。上記第1の絶縁層の硬化率が上記第2の絶縁層の硬化率よりも大きいことが好ましい。この場合には、絶縁層の耐電圧性をより一層効果的に高めることができる。   It is preferable that the curing rate of the surface on the heat conductor side of the insulating layer is larger than the curing rate of the surface of the insulating layer on the protective film layer side. It is preferable that the curing rate of the first insulating layer is larger than the curing rate of the second insulating layer. In this case, the voltage resistance of the insulating layer can be further effectively improved.

上記絶縁層の上記保護フィルム層側の表面の硬化率は、70%未満であってもよく、60%未満であってもよく、50%未満であってもよい。上記第2の絶縁層の硬化率は、1%以上であることが好ましく、70%未満であってもよく、60%未満であってもよく、50%未満であってもよい。   The curing rate of the surface of the insulating layer on the protective film layer side may be less than 70%, less than 60%, or less than 50%. The curing rate of the second insulating layer is preferably 1% or more, may be less than 70%, may be less than 60%, or may be less than 50%.

上記絶縁層の上記熱伝導体側の表面の硬化率は、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、更に好ましくは70%以上であり、80%以上であってもよく、90%以上であってもよく、95%以上であってもよく、100%であってもよい。上記第1の絶縁層の硬化率は、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、更に好ましくは70%以上であり、80%以上であってもよく、90%以上であってもよく、95%以上であってもよく、100%であってもよい。   The curing rate of the surface on the heat conductor side of the insulating layer is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, may be 80% or more, and may be 90% or more. It may be 95% or more, or 100%. The curing rate of the first insulating layer is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, may be 80% or more, and may be 90% or more. 95% or more, or 100%.

上記第2の絶縁層は、未硬化物又は半硬化物であることが好ましい。上記第2の絶縁層は、全く硬化されておらずかつ硬化可能である未硬化物であってもよく、硬化が進行されておりかつ更に硬化可能である半硬化物であってもよい。上記第1の絶縁層は、半硬化物又は硬化物であることが好ましい。上記第1の絶縁層は、硬化が進行されておりかつ更に硬化可能である半硬化物であってもよく、硬化を終えた硬化物であってもよい。   The second insulating layer is preferably an uncured product or a semi-cured product. The second insulating layer may be an uncured material that is not cured at all and can be cured, or may be a semi-cured material that has been cured and can be further cured. The first insulating layer is preferably a semi-cured product or a cured product. The first insulating layer may be a semi-cured product that has been cured and can be further cured, or a cured product that has been cured.

絶縁層全体での熱伝導性と、絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記絶縁層の上記熱伝導体側の表面の硬化率は、上記絶縁層の上記保護フィルム層側の表面の硬化率よりも1%以上大きいことが好ましく、5%以上大きいことがより好ましく、10%以上大きいことが更に好ましく、20%以上大きくてもよく、30%以上大きくてもよい。絶縁層全体での熱伝導性と、絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記第1の絶縁層の硬化率は、上記第2の絶縁層の硬化率よりも1%以上大きいことが好ましく、5%以上大きいことがより好ましく、10%以上大きいことが更に好ましく、20%以上大きくてもよく、30%以上大きくてもよい。   From the viewpoint of improving both the thermal conductivity of the entire insulating layer and the adhesion between the insulating layer and the conductive layer in a well-balanced manner, the curing rate of the surface of the insulating layer on the side of the heat conductor is the above-described ratio of the insulating layer. It is preferably 1% or more larger than the curing rate of the surface on the protective film layer side, more preferably 5% or more, further preferably 10% or more, more preferably 20% or more, and 30% or more. Also good. From the viewpoint of improving both the thermal conductivity of the entire insulating layer and the adhesion between the insulating layer and the conductive layer in a balanced manner, the curing rate of the first insulating layer is the curing rate of the second insulating layer. Is preferably 1% or more, more preferably 5% or more, still more preferably 10% or more, and may be 20% or more, or 30% or more.

上記絶縁層の硬化率は、未硬化状態の絶縁層を加熱する際の硬化発熱を測定することにより求められる。硬化率を測定する際には、例えば、示差走査型熱量分析(DSC)装置(SIIナノテクノロジー社製「DSC7020」)等が用いられる。上記絶縁層の硬化率は、具体的には、以下のようにして測定される。   The curing rate of the insulating layer is determined by measuring the heat of curing when the uncured insulating layer is heated. When measuring the curing rate, for example, a differential scanning calorimetry (DSC) apparatus (“DSC7020” manufactured by SII Nanotechnology) or the like is used. Specifically, the curing rate of the insulating layer is measured as follows.

測定開始温度30℃及び昇温速度3℃/分で、絶縁層(第1の絶縁層又は第2の絶縁層など)を300℃まで昇温し1時間保持する。この昇温で絶縁層を硬化させた時に発生する熱量(以下熱量Aとする)を測定する。また、厚み50μmの離型PET(ポリエチレンテレフタレート)シートに、絶縁層を形成するための硬化性組成物を厚み80μmとなるように塗工し、23℃及び0.01気圧の常温真空下において1時間乾燥すること以外は上記積層体における絶縁層と同様にして、非加熱で乾燥された未硬化状態の絶縁層を用意する。この絶縁層を用いて、上記の熱量Aの測定と同様にして、昇温硬化させたときに発生する熱量(以下、熱量Bとする)を測定する。得られた熱量A及び熱量Bから、下記の式により上記第1,第2の絶縁層の硬化率を求める。   At a measurement start temperature of 30 ° C. and a temperature increase rate of 3 ° C./min, the insulating layer (such as the first insulating layer or the second insulating layer) is heated to 300 ° C. and held for 1 hour. The amount of heat generated when the insulating layer is cured at this temperature rise (hereinafter referred to as heat amount A) is measured. In addition, a curable composition for forming an insulating layer was applied to a release PET (polyethylene terephthalate) sheet having a thickness of 50 μm so as to have a thickness of 80 μm, and 1 ° C. under a room temperature vacuum of 23 ° C. and 0.01 atm. An uncured insulating layer dried without heating is prepared in the same manner as the insulating layer in the above laminate except that it is dried for a period of time. Using this insulating layer, the amount of heat (hereinafter, referred to as the amount of heat B) generated when the temperature is hardened is measured in the same manner as the measurement of the amount of heat A described above. From the obtained heat quantity A and heat quantity B, the curing rates of the first and second insulating layers are obtained by the following formula.

硬化率(%)=[1−(熱量A/熱量B)]×100
上記第2の絶縁層の厚みの上記第1の絶縁層の厚みに対する比(第2の絶縁層の厚み/第1の絶縁層の厚み)は、好ましくは0.03以上、より好ましくは0.1以上、更に好ましくは0.3以上、好ましくは10以下、より好ましくは3以下、更に好ましくは1以下である。
Curing rate (%) = [1- (heat amount A / heat amount B)] × 100
The ratio of the thickness of the second insulating layer to the thickness of the first insulating layer (the thickness of the second insulating layer / the thickness of the first insulating layer) is preferably 0.03 or more, more preferably 0.00. 1 or more, more preferably 0.3 or more, preferably 10 or less, more preferably 3 or less, still more preferably 1 or less.

絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記第2の絶縁層の厚みの上記第1の絶縁層の厚みに対する比は、0.3以上、1以下であることが特に好ましい。   From the viewpoint of improving both the thermal conductivity of the entire insulating layer and the adhesion between the second insulating layer, which is a cured product, and the conductive layer in a well-balanced manner, the thickness of the first insulating layer is the first thickness. The ratio of the insulating layer to the thickness is particularly preferably 0.3 or more and 1 or less.

絶縁層(絶縁層全体)の厚みは特に限定されない。絶縁層の厚みは、好ましくは80μm以上、より好ましくは100μm以上、好ましくは200μm以下、より好ましくは170μm以下である。絶縁層の厚みが上記下限以上であると、絶縁層全体での放熱性、硬化物である絶縁層と導電層との接着性、及び絶縁層全体での耐電圧性がバランスよく高くなる。   The thickness of the insulating layer (the entire insulating layer) is not particularly limited. The thickness of the insulating layer is preferably 80 μm or more, more preferably 100 μm or more, preferably 200 μm or less, more preferably 170 μm or less. When the thickness of the insulating layer is equal to or more than the above lower limit, heat dissipation in the entire insulating layer, adhesion between the insulating layer and the conductive layer, which is a cured product, and voltage resistance in the entire insulating layer are improved in a well-balanced manner.

上記絶縁層は、硬化性化合物(A)と硬化剤(B)とを用いて形成されていることが好ましい。上記第1の絶縁層は、硬化性化合物(A)と硬化剤(B)とを含む第1の硬化性組成物を用いて形成されていることが好ましい。上記第2の絶縁層は、硬化性化合物(A)と硬化剤(B)とを含む第2の硬化性組成物を用いて形成されていることが好ましい。硬化性が良好な絶縁層を形成する観点からは、絶縁層は、環状エーテル基を有する硬化性化合物(A1)と硬化剤(B)とを用いて形成されていることが好ましい。上記絶縁層及び上記硬化性組成物はそれぞれ、無機フィラー(C)を含むことが好ましい。第1の絶縁層及び第1の硬化性組成物はそれぞれ、無機フィラー(C)を含むことが好ましい。第2の絶縁層及び第2の硬化性組成物はそれぞれ、無機フィラー(C)を含むことが好ましい。無機フィラー(C)は、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーであることが好ましい。   The insulating layer is preferably formed using a curable compound (A) and a curing agent (B). The first insulating layer is preferably formed using a first curable composition containing a curable compound (A) and a curing agent (B). It is preferable that the said 2nd insulating layer is formed using the 2nd curable composition containing a sclerosing | hardenable compound (A) and a hardening | curing agent (B). From the viewpoint of forming an insulating layer with good curability, the insulating layer is preferably formed using a curable compound (A1) having a cyclic ether group and a curing agent (B). Each of the insulating layer and the curable composition preferably contains an inorganic filler (C). Each of the first insulating layer and the first curable composition preferably contains an inorganic filler (C). Each of the second insulating layer and the second curable composition preferably contains an inorganic filler (C). The inorganic filler (C) is preferably an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more.

上記絶縁層は、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含むことが好ましい。この場合には、絶縁層の熱伝導性が高くなり、かつ放熱性が高くなる。但し、上記絶縁層、上記第1の絶縁層及び上記第2の絶縁層はそれぞれ、熱伝導率が10W/m・K未満である無機フィラーを含んでいてもよい。   The insulating layer preferably includes an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more. In this case, the thermal conductivity of the insulating layer is increased and the heat dissipation is increased. However, each of the insulating layer, the first insulating layer, and the second insulating layer may include an inorganic filler having a thermal conductivity of less than 10 W / m · K.

以下、先ず、上記絶縁層に用いられる各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, first, details of each component used for the insulating layer will be described.

(硬化性化合物(A))
上記絶縁層は、硬化性化合物(A)を用いて形成されていることが好ましい。上記硬化性組成物は、硬化性化合物(A)を含む。硬化性化合物(A)は、熱硬化性化合物であることが好ましい。硬化性化合物(A)は、環状エーテル基を有する硬化性化合物(A1)であること好ましい。該環状エーテル基としては、エポキシ基及びオキセタニル基等が挙げられる。環状エーテル基を有する硬化性化合物(A1)は、エポキシ基又はオキセタニル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。硬化性化合物(A)は、硬化剤(B)の作用により硬化する。絶縁層に用いる硬化性化合物(A)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。第1の絶縁層に用いる硬化性化合物(A)と第2の絶縁層に用いる硬化性化合物(A)とは同一であってもよく、異なっていてもよい。
(Curable compound (A))
The insulating layer is preferably formed using a curable compound (A). The said curable composition contains a sclerosing | hardenable compound (A). The curable compound (A) is preferably a thermosetting compound. The curable compound (A) is preferably a curable compound (A1) having a cyclic ether group. Examples of the cyclic ether group include an epoxy group and an oxetanyl group. The curable compound (A1) having a cyclic ether group is preferably a curable compound having an epoxy group or an oxetanyl group. The curable compound (A) is cured by the action of the curing agent (B). As for the curable compound (A) used for an insulating layer, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. The curable compound (A) used for the first insulating layer and the curable compound (A) used for the second insulating layer may be the same or different.

硬化性化合物(A1)は、エポキシ基を有するエポキシ化合物(A1a)を含んでいてもよく、オキセタニル基を有するオキセタン化合物(A1b)を含んでいてもよい。   The curable compound (A1) may contain an epoxy compound (A1a) having an epoxy group, or may contain an oxetane compound (A1b) having an oxetanyl group.

硬化物である絶縁層(以下、単に硬化物と記載することがある)の耐熱性及び耐電圧性をより高める観点からは、硬化性化合物(A)は芳香族骨格を有することが好ましい。硬化物の熱伝導性及び耐電圧性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物(A)は、多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物を含むことが好ましく、環状エーテル基及び多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物を含むことがより好ましい。多環式芳香族骨格としては、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、キサンテン骨格、フルオレン骨格及びビフェニル骨格等が挙げられる。硬化物の熱伝導性および耐電圧性をより一層高める観点からは、上記多環式芳香族骨格は、ビフェニル骨格であることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the heat resistance and voltage resistance of an insulating layer that is a cured product (hereinafter sometimes simply referred to as a cured product), the curable compound (A) preferably has an aromatic skeleton. From the viewpoint of further improving the thermal conductivity and voltage resistance of the cured product, the curable compound (A) preferably includes a curable compound having a polycyclic aromatic skeleton, and includes a cyclic ether group and a polycyclic ring. It is more preferable to include a curable compound having a formula aromatic skeleton. Examples of the polycyclic aromatic skeleton include a naphthalene skeleton, an anthracene skeleton, a xanthene skeleton, a fluorene skeleton, and a biphenyl skeleton. From the viewpoint of further improving the thermal conductivity and voltage resistance of the cured product, the polycyclic aromatic skeleton is preferably a biphenyl skeleton.

硬化性化合物(A)の合計100重量%中、多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上、更に好ましくは60重量%以上である。硬化性化合物(A)の全量が多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物であってもよい。   The content of the curable compound having a polycyclic aromatic skeleton in the total 100% by weight of the curable compound (A) is preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and further preferably 60% by weight. That's it. The total amount of the curable compound (A) may be a curable compound having a polycyclic aromatic skeleton.

エポキシ基を有するエポキシ化合物(A1a)の具体例としては、ビスフェノール骨格を有するエポキシモノマー、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシモノマー、ナフタレン骨格を有するエポキシモノマー、アダマンタン骨格を有するエポキシモノマー、フルオレン骨格を有するエポキシモノマー、ビフェニル骨格を有するエポキシモノマー、バイ(グリシジルオキシフェニル)メタン骨格を有するエポキシモノマー、キサンテン骨格を有するエポキシモノマー、アントラセン骨格を有するエポキシモノマー、及びピレン骨格を有するエポキシモノマー等が挙げられる。これらの水素添加物又は変性物を用いてもよい。エポキシ化合物(A1a)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Specific examples of the epoxy compound (A1a) having an epoxy group include an epoxy monomer having a bisphenol skeleton, an epoxy monomer having a dicyclopentadiene skeleton, an epoxy monomer having a naphthalene skeleton, an epoxy monomer having an adamantane skeleton, and an epoxy having a fluorene skeleton. Examples of the monomer include an epoxy monomer having a biphenyl skeleton, an epoxy monomer having a bi (glycidyloxyphenyl) methane skeleton, an epoxy monomer having a xanthene skeleton, an epoxy monomer having an anthracene skeleton, and an epoxy monomer having a pyrene skeleton. These hydrogenated products or modified products may be used. As for an epoxy compound (A1a), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ビスフェノール骨格を有するエポキシモノマーとしては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型又はビスフェノールS型のビスフェノール骨格を有するエポキシモノマー等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a bisphenol skeleton include an epoxy monomer having a bisphenol A type, bisphenol F type, or bisphenol S type bisphenol skeleton.

上記ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシモノマーとしては、ジシクロペンタジエンジオキシド、及びジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシモノマー等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a dicyclopentadiene skeleton include dicyclopentadiene dioxide and a phenol novolac epoxy monomer having a dicyclopentadiene skeleton.

上記ナフタレン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1−グリシジルナフタレン、2−グリシジルナフタレン、1,2−ジグリシジルナフタレン、1,5−ジグリシジルナフタレン、1,6−ジグリシジルナフタレン、1,7−ジグリシジルナフタレン、2,7−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、及び1,2,5,6−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a naphthalene skeleton include 1-glycidylnaphthalene, 2-glycidylnaphthalene, 1,2-diglycidylnaphthalene, 1,5-diglycidylnaphthalene, 1,6-diglycidylnaphthalene, 1,7-diglycidyl. Naphthalene, 2,7-diglycidylnaphthalene, triglycidylnaphthalene, 1,2,5,6-tetraglycidylnaphthalene and the like can be mentioned.

上記アダマンタン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1,3−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)アダマンタン、及び2,2−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)アダマンタン等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having an adamantane skeleton include 1,3-bis (4-glycidyloxyphenyl) adamantane and 2,2-bis (4-glycidyloxyphenyl) adamantane.

上記フルオレン骨格を有するエポキシモノマーとしては、9,9−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3−クロロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3−ブロモフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3−メトキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3,5−ジクロロフェニル)フルオレン、及び9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3,5−ジブロモフェニル)フルオレン等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a fluorene skeleton include 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3-methylphenyl) fluorene, and 9,9-bis (4- Glycidyloxy-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3-bromophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-Glycidyloxy-3-methoxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3,5-dichlorophenyl) Fluorene and 9,9-bis (4-glycidyloxy-3,5-dibromophenyl) Fluorene, and the like.

上記ビフェニル骨格を有するエポキシモノマーとしては、4,4’−ジグリシジルビフェニル、及び4,4’−ジグリシジル−3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニル等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a biphenyl skeleton include 4,4'-diglycidylbiphenyl and 4,4'-diglycidyl-3,3 ', 5,5'-tetramethylbiphenyl.

上記バイ(グリシジルオキシフェニル)メタン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1,1’−バイ(2,7−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,8’−バイ(2,7−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,1’−バイ(3,7−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,8’−バイ(3,7−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,1’−バイ(3,5−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,8’−バイ(3,5−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,2’−バイ(2,7−グリシジルオキシナフチル)メタン、1,2’−バイ(3,7−グリシジルオキシナフチル)メタン、及び1,2’−バイ(3,5−グリシジルオキシナフチル)メタン等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a bi (glycidyloxyphenyl) methane skeleton include 1,1′-bi (2,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8′-bi (2,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,1′-bi (3,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8′-bi (3,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,1′-bi (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane 1,8'-bi (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,2'-bi (2,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,2'-bi (3,7-glycidyloxynaphthyl) Examples include methane and 1,2′-bi (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane.

上記キサンテン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1,3,4,5,6,8−ヘキサメチル−2,7−ビス−オキシラニルメトキシ−9−フェニル−9H−キサンテン等が挙げられる。   Examples of the epoxy monomer having a xanthene skeleton include 1,3,4,5,6,8-hexamethyl-2,7-bis-oxiranylmethoxy-9-phenyl-9H-xanthene.

オキセタニル基を有するオキセタン化合物(A1b)の具体例としては、例えば、4,4’−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシメチル]ビフェニル、1,4−ベンゼンジカルボン酸ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メチル]エステル、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシメチル]ベンゼン、及びオキセタン変性フェノールノボラック等が挙げられる。オキセタン化合物(A1b)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Specific examples of the oxetane compound (A1b) having an oxetanyl group include, for example, 4,4′-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxymethyl] biphenyl, 1,4-benzenedicarboxylate bis [(3- Ethyl-3-oxetanyl) methyl] ester, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxymethyl] benzene, and oxetane-modified phenol novolac. As for an oxetane compound (A1b), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

硬化物である絶縁層の耐熱性をより一層良好にする観点からは、硬化性化合物(A)は、環状エーテル基を2つ以上有することが好ましい。   From the viewpoint of further improving the heat resistance of the insulating layer that is a cured product, the curable compound (A) preferably has two or more cyclic ether groups.

硬化物の耐熱性をより一層良好にする観点からは、硬化性化合物(A)の合計100重量%中、環状エーテル基を2つ以上有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは70重量%以上、より好ましくは80重量%以上、100重量%以下である。硬化性化合物(A)の合計100重量%中、環状エーテル基を2つ以上有する硬化性化合物の含有量は10重量%以上、100重量%以下であってもよい。また、硬化性化合物(A)の全体が、環状エーテル基を2つ以上有する硬化性化合物であってもよい。   From the viewpoint of further improving the heat resistance of the cured product, the content of the curable compound having two or more cyclic ether groups in the total 100% by weight of the curable compound (A) is preferably 70% by weight or more. More preferably, it is 80% by weight or more and 100% by weight or less. The content of the curable compound having two or more cyclic ether groups in the total 100% by weight of the curable compound (A) may be 10% by weight or more and 100% by weight or less. Further, the entire curable compound (A) may be a curable compound having two or more cyclic ether groups.

硬化性化合物(A)の分子量は、10000未満であることが好ましい。硬化性化合物(A)の分子量は、好ましくは200以上、より好ましくは1200以下、更に好ましくは600以下、特に好ましくは550以下である。硬化性化合物(A)の分子量が上記下限以上であると、絶縁層の表面の粘着性が低くなり、積層体の取扱い性がより一層高くなる。硬化性化合物(A)の分子量が上記上限以下であると、硬化物の接着性がより一層高くなる。さらに、硬化物が固くかつ脆くなり難く、硬化物の接着性がより一層高くなる。   The molecular weight of the curable compound (A) is preferably less than 10,000. The molecular weight of the curable compound (A) is preferably 200 or more, more preferably 1200 or less, still more preferably 600 or less, and particularly preferably 550 or less. When the molecular weight of the curable compound (A) is not less than the above lower limit, the adhesiveness of the surface of the insulating layer is lowered, and the handleability of the laminate is further enhanced. When the molecular weight of the curable compound (A) is not more than the above upper limit, the adhesiveness of the cured product is further enhanced. Furthermore, the cured product is hard and hard to be brittle, and the adhesiveness of the cured product is further enhanced.

なお、本明細書において、硬化性化合物(A)における分子量とは、重合体ではない場合、及び構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味し、重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。   In the present specification, the molecular weight in the curable compound (A) means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when it is not a polymer and when the structural formula can be specified. Means weight average molecular weight.

硬化性組成物(絶縁層に用いられる硬化性組成物全体)に含まれている全樹脂成分(以下、全樹脂成分Xと略記することがある)の合計100重量%中、硬化性化合物(A)の含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは99.5重量%以下、より好ましくは99重量%以下、更に好ましくは98重量%以下である。第1の硬化性組成物に含まれている全樹脂成分(以下、全樹脂成分X1と略記することがある)の合計100重量%中、硬化性化合物(A)の含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは99.5重量%以下、より好ましくは99重量%以下、更に好ましくは98重量%以下である。第2の硬化性組成物に含まれている全樹脂成分(以下、全樹脂成分X2と略記することがある)の合計100重量%中、硬化性化合物(A)の含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは99.5重量%以下、より好ましくは99重量%以下、更に好ましくは98重量%以下である。硬化性化合物(A)の含有量が上記下限以上であると、硬化物の接着性及び耐熱性がより一層高くなる。硬化性化合物(A)の含有量が上記上限以下であると、硬化性組成物の塗工性がより一層高くなる。なお、全樹脂成分X,X1,X2とは、硬化性化合物(A)、硬化剤(B)及び必要に応じて添加される他の樹脂成分の総和をいう。全樹脂成分X,X1,X2に、無機フィラー(C)は含まれない。   The curable compound (A) in a total of 100% by weight of the total resin components (hereinafter, may be abbreviated as the total resin component X) contained in the curable composition (the entire curable composition used for the insulating layer). ) Is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, preferably 99.5% by weight or less, more preferably 99% by weight or less, and still more preferably 98% by weight or less. The content of the curable compound (A) is preferably 50% in a total of 100% by weight of the total resin components (hereinafter sometimes abbreviated as “total resin component X1”) contained in the first curable composition. % Or more, more preferably 60% by weight or more, preferably 99.5% by weight or less, more preferably 99% by weight or less, and still more preferably 98% by weight or less. The content of the curable compound (A) is preferably 50% in a total of 100% by weight of the total resin components (hereinafter sometimes abbreviated as “total resin component X2”) contained in the second curable composition. % Or more, more preferably 60% by weight or more, preferably 99.5% by weight or less, more preferably 99% by weight or less, and still more preferably 98% by weight or less. When the content of the curable compound (A) is not less than the above lower limit, the adhesiveness and heat resistance of the cured product are further enhanced. When the content of the curable compound (A) is not more than the above upper limit, the coating property of the curable composition is further enhanced. In addition, all the resin components X, X1, and X2 refer to the sum total of the curable compound (A), the curing agent (B), and other resin components added as necessary. The inorganic filler (C) is not included in all the resin components X, X1, and X2.

(硬化剤(B))
上記絶縁層は、硬化剤(B)を用いて形成されていることが好ましい。上記第1,第2の硬化性組成物はそれぞれ、硬化剤(B)を含むことが好ましい。硬化剤(B)は、硬化性組成物を硬化させることが可能であれば特に限定されない。硬化剤(B)は、熱硬化剤であることが好ましい。絶縁層に用いる硬化剤(B)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。第1の絶縁層に用いる硬化剤(B)と第2の絶縁層に用いる硬化剤(B)とは同一であってもよく、異なっていてもよい。
(Curing agent (B))
The insulating layer is preferably formed using a curing agent (B). Each of the first and second curable compositions preferably contains a curing agent (B). The curing agent (B) is not particularly limited as long as the curable composition can be cured. The curing agent (B) is preferably a thermosetting agent. As for the hardening | curing agent (B) used for an insulating layer, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. The curing agent (B) used for the first insulating layer and the curing agent (B) used for the second insulating layer may be the same or different.

硬化物の耐熱性をより一層高める観点からは、硬化剤(B)は、芳香族骨格又は脂環式骨格を有することが好ましい。硬化剤(B)は、アミン硬化剤(アミン化合物)、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤(フェノール化合物)又は酸無水物硬化剤(酸無水物)を含むことが好ましく、アミン硬化剤を含むことがより好ましい。上記酸無水物硬化剤は、芳香族骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物もしくは該酸無水物の変性物を含むか、又は、脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物もしくは該酸無水物の変性物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of further improving the heat resistance of the cured product, the curing agent (B) preferably has an aromatic skeleton or an alicyclic skeleton. The curing agent (B) preferably includes an amine curing agent (amine compound), an imidazole curing agent, a phenol curing agent (phenol compound) or an acid anhydride curing agent (acid anhydride), and includes an amine curing agent. More preferred. The acid anhydride curing agent includes an acid anhydride having an aromatic skeleton, a water additive of the acid anhydride or a modified product of the acid anhydride, or an acid anhydride having an alicyclic skeleton, It is preferable to include a water additive of an acid anhydride or a modified product of the acid anhydride.

無機フィラー(C)の分散性を良好にし、更に硬化物の耐電圧性及び熱伝導性をより一層高める観点からは、硬化剤(B)は塩基性の硬化剤を含むことが好ましい。また、無機フィラー(C)の分散性をより一層良好にし、更に硬化物の耐電圧性及び熱伝導性をより一層高める観点からは、硬化剤(B)は、アミン硬化剤又はイミダゾール硬化剤を含むことがより好ましく、アミン硬化剤を含むことがより好ましく、ジシアンジアミドを含むことが特に好ましい。また、硬化剤(B)は、ジシアンジアミドとイミダゾール硬化剤との双方を含むことも好ましい。これらの好ましい硬化剤の使用により、無機フィラー(C)の硬化性組成物中での分散性が高くなり、更に耐熱性、耐湿性及び電気物性のバランスに優れた硬化物が得られる。この結果、無機フィラー(C)の含有量が多くても、熱伝導性がかなり高くなる。特にジシアンジアミドを用いた場合、硬化物と熱伝導体及び導電層との接着性がかなり高くなる。   From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler (C) and further enhancing the voltage resistance and thermal conductivity of the cured product, the curing agent (B) preferably contains a basic curing agent. Further, from the viewpoint of further improving the dispersibility of the inorganic filler (C) and further increasing the voltage resistance and thermal conductivity of the cured product, the curing agent (B) is an amine curing agent or an imidazole curing agent. More preferably, it includes an amine curing agent, and particularly preferably includes dicyandiamide. Moreover, it is also preferable that a hardening | curing agent (B) contains both a dicyandiamide and an imidazole hardening | curing agent. By using these preferable curing agents, the dispersibility of the inorganic filler (C) in the curable composition is increased, and a cured product having an excellent balance of heat resistance, moisture resistance and electrical properties can be obtained. As a result, even if there is much content of an inorganic filler (C), thermal conductivity becomes quite high. In particular, when dicyandiamide is used, the adhesiveness between the cured product, the heat conductor, and the conductive layer is considerably increased.

上記アミン硬化剤としては、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物及びジアミノジフェニルメタン及びジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。硬化物と熱伝導体及び導電層との接着性をより一層高める観点からは、上記アミン硬化剤は、ジシアンジアミド又はイミダゾール化合物を含むことがより一層好ましい。硬化前の絶縁層の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記硬化剤(B)は、融点が180℃以上である硬化剤を含むことが好ましく、融点が180℃以上であるアミン硬化剤を含むことがより好ましい。   Examples of the amine curing agent include dicyandiamide, an imidazole compound, diaminodiphenylmethane, and diaminodiphenylsulfone. From the viewpoint of further enhancing the adhesion between the cured product, the heat conductor, and the conductive layer, the amine curing agent more preferably contains a dicyandiamide or an imidazole compound. From the viewpoint of further enhancing the storage stability of the insulating layer before curing, the curing agent (B) preferably contains a curing agent having a melting point of 180 ° C. or higher, and an amine curing agent having a melting point of 180 ° C. or higher. It is more preferable to contain.

上記イミダゾール硬化剤としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of the imidazole curing agent include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, and 1-benzyl. 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2 '-Methyl Midazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole Can be mentioned.

上記フェノール硬化剤としては、フェノールノボラック、o−クレゾールノボラック、p−クレゾールノボラック、t−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾール、ポリパラビニルフェノール、ビスフェノールA型ノボラック、キシリレン変性ノボラック、デカリン変性ノボラック、ポリ(ジ−o−ヒドロキシフェニル)メタン、ポリ(ジ−m−ヒドロキシフェニル)メタン、及びポリ(ジ−p−ヒドロキシフェニル)メタン等が挙げられる。硬化物の柔軟性及び硬化物の難燃性をより一層高める観点からは、メラミン骨格を有するフェノール樹脂、トリアジン骨格を有するフェノール樹脂、又はアリル基を有するフェノール樹脂が好ましい。   Examples of the phenol curing agent include phenol novolak, o-cresol novolak, p-cresol novolak, t-butylphenol novolak, dicyclopentadiene cresol, polyparavinylphenol, bisphenol A type novolak, xylylene modified novolak, decalin modified novolak, poly ( And di-o-hydroxyphenyl) methane, poly (di-m-hydroxyphenyl) methane, and poly (di-p-hydroxyphenyl) methane. From the viewpoint of further enhancing the flexibility of the cured product and the flame retardancy of the cured product, a phenol resin having a melamine skeleton, a phenol resin having a triazine skeleton, or a phenol resin having an allyl group is preferable.

上記フェノール硬化剤の市販品としては、MEH−8005、MEH−8010及びMEH−8015(以上いずれも明和化成社製)、YLH903(三菱化学社製)、LA−7052、LA−7054、LA−7751、LA−1356及びLA−3018−50P(以上いずれもDIC社製)、並びにPS6313及びPS6492(以上いずれも群栄化学社製)等が挙げられる。   Commercially available products of the phenol curing agent include MEH-8005, MEH-8010, and MEH-8015 (all of which are manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), YLH903 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), LA-7052, LA-7054, and LA-7751. LA-1356 and LA-3018-50P (all of which are manufactured by DIC Corporation), PS6313 and PS6492 (all of which are manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.), and the like.

上記芳香族骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物としては、例えば、スチレン/無水マレイン酸コポリマー、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ピロメリット酸無水物、トリメリット酸無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物、フェニルエチニルフタル酸無水物、グリセロールビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテート、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及びトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   Examples of the acid anhydride having an aromatic skeleton, a water additive of the acid anhydride, or a modified product of the acid anhydride include, for example, a styrene / maleic anhydride copolymer, a benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, and a pyromellitic acid anhydride. , Trimellitic anhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, phenylethynyl phthalic anhydride, glycerol bis (anhydrotrimellitate) monoacetate, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), methyltetrahydroanhydride Examples include phthalic acid, methylhexahydrophthalic anhydride, and trialkyltetrahydrophthalic anhydride.

上記芳香族骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物の市販品としては、SMAレジンEF30、SMAレジンEF40、SMAレジンEF60及びSMAレジンEF80(以上いずれもサートマー・ジャパン社製)、ODPA−M及びPEPA(以上いずれもマナック社製)、リカシッドMTA−10、リカシッドMTA−15、リカシッドTMTA、リカシッドTMEG−100、リカシッドTMEG−200、リカシッドTMEG−300、リカシッドTMEG−500、リカシッドTMEG−S、リカシッドTH、リカシッドHT−1A、リカシッドHH、リカシッドMH−700、リカシッドMT−500、リカシッドDSDA及びリカシッドTDA−100(以上いずれも新日本理化社製)、並びにEPICLON B4400、EPICLON B650、及びEPICLON B570(以上いずれもDIC社製)等が挙げられる。   Examples of commercially available acid anhydrides having an aromatic skeleton, water additives of the acid anhydrides, or modified products of the acid anhydrides include SMA Resin EF30, SMA Resin EF40, SMA Resin EF60, and SMA Resin EF80 (any of the above Also manufactured by Sartomer Japan), ODPA-M and PEPA (all manufactured by Manac), Ricacid MTA-10, Ricacid MTA-15, Ricacid TMTA, Ricacid TMEG-100, Ricacid TMEG-200, Ricacid TMEG-300, Ricacid TMEG-500, Ricacid TMEG-S, Ricacid TH, Ricacid HT-1A, Ricacid HH, Ricacid MH-700, Ricacid MT-500, Ricacid DSDA and Ricacid TDA-100 (all of which are manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) PICLON B4400, EPICLON B650, and EPICLON B570 (all manufactured by both DIC Corporation).

上記脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物は、多脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物もしくは該酸無水物の変性物、又はテルペン系化合物と無水マレイン酸との付加反応により得られる脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物であることが好ましい。これらの硬化剤の使用により、硬化物の柔軟性、並びに硬化物の耐湿性及び接着性がより一層高くなる。   The acid anhydride having an alicyclic skeleton, a water additive of the acid anhydride, or a modified product of the acid anhydride is an acid anhydride having a polyalicyclic skeleton, a water additive of the acid anhydride, or the A modified product of an acid anhydride, or an acid anhydride having an alicyclic skeleton obtained by addition reaction of a terpene compound and maleic anhydride, a water additive of the acid anhydride, or a modified product of the acid anhydride It is preferable. By using these curing agents, the flexibility of the cured product and the moisture resistance and adhesion of the cured product are further increased.

上記脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物としては、メチルナジック酸無水物、ジシクロペンタジエン骨格を有する酸無水物又は該酸無水物の変性物等も挙げられる。   Examples of the acid anhydride having an alicyclic skeleton, a water addition of the acid anhydride, or a modified product of the acid anhydride include methyl nadic acid anhydride, acid anhydride having a dicyclopentadiene skeleton, and the acid anhydride And the like.

上記脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物の市販品としては、リカシッドHNA及びリカシッドHNA−100(以上いずれも新日本理化社製)、並びにエピキュアYH306、エピキュアYH307、エピキュアYH308H及びエピキュアYH309(以上いずれも三菱化学社製)等が挙げられる。   Examples of commercially available acid anhydrides having the alicyclic skeleton, water additions of the acid anhydrides, or modified products of the acid anhydrides include Ricacid HNA and Ricacid HNA-100 (all of which are manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) , And EpiCure YH306, EpiCure YH307, EpiCure YH308H, EpiCure YH309 (all of which are manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and the like.

硬化剤(B)は、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸であることも好ましい。メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸の使用により、硬化物の耐水性が高くなる。   The curing agent (B) is preferably methyl nadic acid anhydride or trialkyltetrahydrophthalic anhydride. Use of methyl nadic anhydride or trialkyltetrahydrophthalic anhydride increases the water resistance of the cured product.

上記全樹脂成分Xの合計100重量%中、硬化剤(B)の含有量は好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下である。上記全樹脂成分X1の合計100重量%中、硬化剤(B)の含有量は好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下である。上記全樹脂成分X2の合計100重量%中、硬化剤(B)の含有量は好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下である。硬化剤(B)の含有量が上記下限以上であると、硬化性組成物全体を充分に硬化させることが容易である。硬化剤(B)の含有量が上記上限以下であると、硬化に関与しない余剰な硬化剤(B)が発生し難くなる。このため、硬化物の耐熱性及び接着性がより一層高くなる。   In the total 100% by weight of the total resin component X, the content of the curing agent (B) is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight. % Or less. In the total 100% by weight of all the resin components X1, the content of the curing agent (B) is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight. % Or less. The content of the curing agent (B) is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight in the total 100% by weight of the total resin component X2. % Or less. It is easy to fully harden the whole curable composition as content of a hardening | curing agent (B) is more than the said minimum. When the content of the curing agent (B) is not more than the above upper limit, it is difficult to generate an excessive curing agent (B) that does not participate in curing. For this reason, the heat resistance and adhesiveness of hardened | cured material become still higher.

(無機フィラー(C))
上記絶縁層は、無機フィラー(C)を含むことが好ましい。上記第1,第2の絶縁層は、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含むことが好ましい。上記硬化性組成物は、無機フィラー(C)を含むことが好ましい。上記第1,第2の硬化性組成物はそれぞれ、無機フィラー(C)を含むことが好ましい。無機フィラー(C)の使用により、硬化物の熱伝導性が高くなる。この結果、硬化物の熱伝導性が高くなる。上記無機フィラー(C)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記第1の絶縁層に用いる無機フィラー(C)と上記第2の絶縁層に用いる無機フィラー(C)とは同一であってもよく、異なっていてもよい。
(Inorganic filler (C))
The insulating layer preferably contains an inorganic filler (C). The first and second insulating layers preferably include an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more. The curable composition preferably contains an inorganic filler (C). Each of the first and second curable compositions preferably contains an inorganic filler (C). The use of the inorganic filler (C) increases the thermal conductivity of the cured product. As a result, the thermal conductivity of the cured product is increased. As for the said inorganic filler (C), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. The inorganic filler (C) used for the first insulating layer and the inorganic filler (C) used for the second insulating layer may be the same or different.

硬化物の熱伝導性をより一層高める観点からは、無機フィラー(C)の熱伝導率は、好ましくは10W/m・K以上、より好ましくは15W/m・K以上、更に好ましくは20W/m・K以上である。無機フィラー(C)の熱伝導率の上限は特に限定されない。熱伝導率が300W/m・K程度である無機フィラーは広く知られており、また熱伝導率が200W/m・K程度である無機フィラーは容易に入手できる。   From the viewpoint of further increasing the thermal conductivity of the cured product, the thermal conductivity of the inorganic filler (C) is preferably 10 W / m · K or more, more preferably 15 W / m · K or more, and even more preferably 20 W / m. -K or more. The upper limit of the thermal conductivity of the inorganic filler (C) is not particularly limited. Inorganic fillers having a thermal conductivity of about 300 W / m · K are widely known, and inorganic fillers having a thermal conductivity of about 200 W / m · K are easily available.

無機フィラー(C)は、アルミナ、合成マグネサイト、結晶性シリカ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化亜鉛及び酸化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましく、アルミナ、結晶性シリカ、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも1種であることがより好ましい。これらの好ましい無機フィラーの使用により、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。   The inorganic filler (C) is preferably at least one selected from the group consisting of alumina, synthetic magnesite, crystalline silica, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, zinc oxide and magnesium oxide, More preferably, it is at least one selected from the group consisting of alumina, crystalline silica, boron nitride and aluminum nitride. Use of these preferable inorganic fillers further increases the thermal conductivity of the cured product.

無機フィラー(C)は、球状アルミナ、破砕アルミナ、結晶性シリカ、窒化ホウ素、凝集粒子及び球状窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも1種であることがより好ましい。これらの好ましいフィラーの使用により、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。上記窒化ホウ素と上記凝集粒子とは、凝集粒子ではない窒化ホウ素と窒化ホウ素凝集粒子とであることが好ましい。   The inorganic filler (C) is more preferably at least one selected from the group consisting of spherical alumina, crushed alumina, crystalline silica, boron nitride, aggregated particles, and spherical aluminum nitride. Use of these preferable fillers further increases the thermal conductivity of the cured product. The boron nitride and the aggregated particles are preferably boron nitride and boron nitride aggregated particles that are not aggregated particles.

無機フィラー(C)は、新モース硬度が12以下である無機フィラーを含むことが好ましい。上記新モース硬度が12以下である無機フィラーの新モース硬度は、より好ましくは9以下である。新モース硬度が上記上限以下である無機フィラーの使用により、硬化物の加工性がより一層高くなる。   The inorganic filler (C) preferably contains an inorganic filler having a new Mohs hardness of 12 or less. The new Mohs hardness of the inorganic filler having the new Mohs hardness of 12 or less is more preferably 9 or less. Use of an inorganic filler having a new Mohs hardness of not more than the above upper limit further increases the workability of the cured product.

硬化物の加工性をより一層高める観点からは、無機フィラー(C)は、合成マグネサイト、結晶シリカ、酸化亜鉛、及び酸化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。これらの無機フィラーの新モース硬度は9以下である。   From the viewpoint of further improving the workability of the cured product, the inorganic filler (C) is preferably at least one selected from the group consisting of synthetic magnesite, crystalline silica, zinc oxide, and magnesium oxide. The new Mohs hardness of these inorganic fillers is 9 or less.

無機フィラー(C)は、球状のフィラー(球状フィラー)を含んでいてもよく、破砕されたフィラー(破砕フィラー)を含んでいてもよく、板状のフィラー(板状フィラー)を含んでいてもよい。無機フィラー(C)は、球状フィラーを含むことが特に好ましい。球状フィラーは高密度で充填可能であるため、球状フィラーの使用により硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。   The inorganic filler (C) may contain a spherical filler (spherical filler), may contain a crushed filler (crushed filler), or may contain a plate-like filler (plate-like filler). Good. It is particularly preferable that the inorganic filler (C) includes a spherical filler. Since spherical fillers can be filled at high density, the use of spherical fillers further increases the thermal conductivity of the cured product.

上記破砕フィラーとしては、破砕アルミナ等が挙げられる。破砕フィラーは、例えば、一軸破砕機、二軸破砕機、ハンマークラッシャー又はボールミル等を用いて、塊状の無機物質を破砕することにより得られる。破砕フィラーの使用により、絶縁層中のフィラーが、橋掛け又は効率的に近接された構造となりやすい。従って、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。また、破砕フィラーは、一般的に、通常のフィラーに比べて安価である。このため、破砕フィラーの使用により、積層体のコストが低くなる。   Examples of the crushed filler include crushed alumina. The crushing filler is obtained, for example, by crushing a lump-like inorganic substance using a uniaxial crusher, a biaxial crusher, a hammer crusher, a ball mill, or the like. By using the crushed filler, the filler in the insulating layer tends to be bridged or have a structure in which the filler is effectively brought into close proximity. Therefore, the thermal conductivity of the cured product is further increased. Moreover, generally the crushing filler is cheap compared with a normal filler. For this reason, the cost of a laminated body becomes low by use of a crushing filler.

上記破砕フィラーの平均粒子径は、好ましくは12μm以下、より好ましくは10μm以下、好ましくは1μm以上である。破砕フィラーの平均粒子径が上記上限以下であると、硬化性組成物中に、破砕フィラーを高密度に分散させることが可能であり、硬化物の耐電圧性がより一層高くなる。破砕フィラーの平均粒子径が上記下限以上であると、破砕フィラーを高密度に充填させることが容易になる。   The average particle diameter of the crushed filler is preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less, and preferably 1 μm or more. When the average particle size of the crushed filler is not more than the above upper limit, the crushed filler can be dispersed with high density in the curable composition, and the withstand voltage of the cured product is further enhanced. When the average particle diameter of the crushed filler is not less than the above lower limit, it becomes easy to fill the crushed filler with high density.

破砕フィラーのアスペクト比は特に限定されない。破砕フィラーのアスペクト比は、好ましくは1.5以上、好ましくは20以下である。アスペクト比が1.5未満のフィラーは、比較的高価であり、積層体のコストが高くなる。上記アスペクト比が20以下であると、破砕フィラーの充填が容易である。   The aspect ratio of the crushing filler is not particularly limited. The aspect ratio of the crushed filler is preferably 1.5 or more, and preferably 20 or less. Fillers with an aspect ratio of less than 1.5 are relatively expensive and increase the cost of the laminate. When the aspect ratio is 20 or less, filling of the crushed filler is easy.

上記破砕フィラーのアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置(日本ルフト社製「FPA」)を用いて、フィラーの破砕面を測定することにより求めることが可能である。   The aspect ratio of the crushed filler can be determined, for example, by measuring the crushed surface of the filler using a digital image analysis particle size distribution measuring apparatus (“FPA” manufactured by Nippon Luft).

無機フィラー(C)が球状フィラーである場合には、球状フィラーの平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、好ましくは40μm以下である。平均粒子径が0.1μm以上であると、無機フィラー(C)を高密度で容易に充填できる。平均粒子径が40μm以下であると、硬化物の耐電圧性がより一層高くなる。   When the inorganic filler (C) is a spherical filler, the average particle diameter of the spherical filler is preferably 0.1 μm or more, and preferably 40 μm or less. When the average particle size is 0.1 μm or more, the inorganic filler (C) can be easily filled at a high density. When the average particle size is 40 μm or less, the voltage resistance of the cured product is further enhanced.

上記「平均粒子径」とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径である。   The “average particle diameter” is an average particle diameter obtained from a volume average particle size distribution measurement result measured by a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus.

硬化物の厚みばらつきを抑制し、硬化物の熱伝導性を効果的に高める観点からは、無機フィラー(C)の最大粒子径は、好ましくは70μm以下、より好ましくは50μm以下である。なお、上記破砕フィラー及び上記板状フィラーの最大粒子径は、最大粒子の長径を意味する。   From the viewpoint of suppressing thickness variation of the cured product and effectively increasing the thermal conductivity of the cured product, the maximum particle size of the inorganic filler (C) is preferably 70 μm or less, more preferably 50 μm or less. In addition, the maximum particle diameter of the said crushing filler and the said plate-shaped filler means the major axis of the largest particle.

絶縁層100重量%中、無機フィラー(C)の含有量は好ましくは70重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは80重量%以上、特に好ましくは85重量%以上、最も好ましくは86重量%以上、好ましくは97重量%未満、より好ましくは95重量%未満である。硬化性組成物(絶縁層に用いる硬化性組成物の全体)100重量%中、無機フィラー(C)の含有量は70重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは80重量%以上、特に好ましくは85重量%以上、最も好ましくは86重量%以上、好ましくは97重量%未満、より好ましくは95重量%未満である。絶縁層及び硬化性組成物における無機フィラー(C)の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物である絶縁層の硬化状態が良好になり、かつ熱伝導性がかなり高くなる。   The content of the inorganic filler (C) in 100% by weight of the insulating layer is preferably 70% by weight or more, more preferably 75% by weight or more, still more preferably 80% by weight or more, particularly preferably 85% by weight or more, and most preferably 86 wt% or more, preferably less than 97 wt%, more preferably less than 95 wt%. In 100% by weight of the curable composition (the whole curable composition used for the insulating layer), the content of the inorganic filler (C) is 70% by weight or more, more preferably 75% by weight or more, and further preferably 80% by weight or more. Particularly preferably, it is 85% by weight or more, most preferably 86% by weight or more, preferably less than 97% by weight, more preferably less than 95% by weight. When the content of the inorganic filler (C) in the insulating layer and the curable composition is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the cured state of the insulating layer, which is a cured product, becomes good and the thermal conductivity becomes considerably high. .

第1の絶縁層100重量%中及び第1の硬化性組成物100重量%中、無機フィラー(C)の含有量は70重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは80重量%以上、特に好ましくは85重量%以上、最も好ましくは86重量%以上、好ましくは97重量%未満、より好ましくは95重量%未満である。第1の絶縁層及び第1の硬化性組成物における無機フィラー(C)の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であることで、硬化物である第1の絶縁層の硬化状態が良好になり、かつ熱伝導性がかなり高くなる。   In 100% by weight of the first insulating layer and in 100% by weight of the first curable composition, the content of the inorganic filler (C) is 70% by weight or more, more preferably 75% by weight or more, and still more preferably 80% by weight. Above, particularly preferably 85% by weight or more, most preferably 86% by weight or more, preferably less than 97% by weight, more preferably less than 95% by weight. When the content of the inorganic filler (C) in the first insulating layer and the first curable composition is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the cured state of the first insulating layer that is a cured product is favorable. And the thermal conductivity is considerably high.

第2の絶縁層100重量%中及び第2の硬化性組成物100重量%中、無機フィラー(C)の含有量は好ましくは67重量%以上、好ましくは97重量%未満、より好ましくは95重量%未満である。第2の絶縁層及び第2の硬化性組成物における無機フィラー(C)の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であることで、硬化物である第2の絶縁層の硬化状態が良好になり、かつ硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性がかなり高くなる。   In 100% by weight of the second insulating layer and 100% by weight of the second curable composition, the content of the inorganic filler (C) is preferably 67% by weight or more, preferably less than 97% by weight, more preferably 95% by weight. %. When the content of the inorganic filler (C) in the second insulating layer and the second curable composition is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the cured state of the second insulating layer that is a cured product is favorable. And the adhesion between the second insulating layer, which is a cured product, and the conductive layer is considerably increased.

絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記絶縁層の上記銅板側の表面に位置する絶縁層部分の無機フィラーの含有量が、上記絶縁層の上記銅板側とは反対の表面に位置する絶縁層部分の無機フィラーの含有量よりも多いことが好ましく、1重量%以上多いことがより好ましく、5重量%以上多いことがより好ましく、10重量%以上多いことが好ましい。絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、第1の絶縁層100重量%中の無機フィラー(C)の含有量は、第2の絶縁層100重量%中の無機フィラー(C)の含有量よりも多いことが好ましく、1重量%以上多いことがより好ましく、5重量%以上多いことがより好ましく、10重量%以上多いことが好ましい。   From the viewpoint of improving both the thermal conductivity of the entire insulating layer and the adhesion between the second insulating layer, which is a cured product, and the conductive layer in a well-balanced manner, the insulation located on the surface of the insulating layer on the copper plate side The content of the inorganic filler in the layer portion is preferably larger than the content of the inorganic filler in the insulating layer portion located on the surface opposite to the copper plate side of the insulating layer, more preferably 1% by weight or more. More preferably 5% by weight or more, and more preferably 10% by weight or more. From the viewpoint of improving both the thermal conductivity of the entire insulating layer and the adhesion between the second insulating layer, which is a cured product, and the conductive layer in a balanced manner, an inorganic filler (100 wt% of the first insulating layer) The content of C) is preferably greater than the content of the inorganic filler (C) in 100% by weight of the second insulating layer, more preferably 1% by weight or more, and more preferably 5% by weight or more. Preferably, it is more than 10% by weight.

絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、第2の絶縁層100重量%中の無機フィラー(C)の含有量の、第1の絶縁層100重量%中の無機フィラー(C)の含有量に対する比(第2の絶縁層100重量%中の無機フィラー(C)の含有量/第1の絶縁層100重量%中の無機フィラー(C)の含有量)は、好ましくは0.7以上、好ましくは0.95以下である。   From the viewpoint of improving both the thermal conductivity of the entire insulating layer and the adhesion between the second insulating layer, which is a cured product, and the conductive layer in a well-balanced manner, an inorganic filler (100% by weight of the second insulating layer) Ratio of content of C) to content of inorganic filler (C) in 100% by weight of first insulating layer (content of inorganic filler (C) in 100% by weight of second insulating layer / first The content of the inorganic filler (C) in 100% by weight of the insulating layer) is preferably 0.7 or more, and preferably 0.95 or less.

(他の成分)
上記絶縁層及び上記硬化性組成物は、重量平均分子量が10000以上であるポリマーを含んでいてもよい。該ポリマーは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Other ingredients)
The insulating layer and the curable composition may include a polymer having a weight average molecular weight of 10,000 or more. As for this polymer, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ポリマーとして、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂などの硬化性樹脂等が使用可能である。上記ポリマーは硬化性樹脂であることが好ましい。   As the polymer, a curable resin such as a thermoplastic resin and a thermosetting resin can be used. The polymer is preferably a curable resin.

上記熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂は、特に限定されない。上記熱可塑性樹脂としては特に限定されず、スチレン樹脂、フェノキシ樹脂、フタレート樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ケトン樹脂及びノルボルネン樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては特に限定されず、アミノ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂及びアミノアルキド樹脂等が挙げられる。上記アミノ樹脂としては、尿素樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。   The thermoplastic resin and thermosetting resin are not particularly limited. The thermoplastic resin is not particularly limited, and examples thereof include styrene resin, phenoxy resin, phthalate resin, thermoplastic urethane resin, polyamide resin, thermoplastic polyimide resin, ketone resin, and norbornene resin. The thermosetting resin is not particularly limited, and examples thereof include amino resins, phenol resins, thermosetting urethane resins, epoxy resins, thermosetting polyimide resins, and amino alkyd resins. Examples of the amino resin include urea resin and melamine resin.

硬化物の酸化劣化を抑え、硬化物の耐冷熱サイクル特性及び耐熱性をより一層高め、更に硬化物の吸水率をより一層低くする観点からは、ポリマーは、スチレン樹脂、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂であることが好ましく、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂であることがより好ましく、フェノキシ樹脂であることが更に好ましい。特に、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂の使用により、硬化物の耐熱性がより一層高くなる。また、フェノキシ樹脂の使用により、硬化物の弾性率がより一層低くなり、かつ硬化物の耐冷熱サイクル特性がより一層高くなる。なお、ポリマーはエポキシ基などの環状エーテル基を有していなくてもよい。   From the viewpoint of suppressing the oxidative degradation of the cured product, further improving the heat cycle resistance and heat resistance of the cured product, and further reducing the water absorption rate of the cured product, the polymer is a styrene resin, phenoxy resin or epoxy resin. It is preferable that it is a phenoxy resin or an epoxy resin, more preferably a phenoxy resin. In particular, use of a phenoxy resin or an epoxy resin further increases the heat resistance of the cured product. Moreover, use of a phenoxy resin further lowers the elastic modulus of the cured product and further improves the cold-heat cycle characteristics of the cured product. The polymer may not have a cyclic ether group such as an epoxy group.

上記スチレン樹脂として、具体的には、スチレン系モノマーの単独重合体、及びスチレン系モノマーとアクリル系モノマーとの共重合体等が使用可能である。中でも、スチレン−メタクリル酸グリシジルの構造を有するスチレン重合体が好ましい。   As the styrene resin, specifically, a homopolymer of a styrene monomer, a copolymer of a styrene monomer and an acrylic monomer, or the like can be used. Among these, a styrene polymer having a styrene-glycidyl methacrylate structure is preferable.

上記スチレン系モノマーとしては、例えば、スチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−フェニルスチレン、p−クロロスチレン、p−エチルスチレン、p−n−ブチルスチレン、p−tert−ブチルスチレン、p−n−ヘキシルスチレン、p−n−オクチルスチレン、p−n−ノニルスチレン、p−n−デシルスチレン、p−n−ドデシルスチレン、2,4−ジメチルスチレン及び3,4−ジクロロスチレン等が挙げられる。   Examples of the styrene monomer include styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, p-phenylstyrene, p-chlorostyrene, p-ethylstyrene, and pn-. Butyl styrene, p-tert-butyl styrene, pn-hexyl styrene, pn-octyl styrene, pn-nonyl styrene, pn-decyl styrene, pn-dodecyl styrene, 2,4-dimethyl Examples include styrene and 3,4-dichlorostyrene.

上記フェノキシ樹脂は、具体的には、例えばエピハロヒドリンと2価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂、又は2価のエポキシ化合物と2価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂である。   Specifically, the phenoxy resin is, for example, a resin obtained by reacting an epihalohydrin with a divalent phenol compound, or a resin obtained by reacting a divalent epoxy compound with a divalent phenol compound.

上記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型骨格、ビスフェノールF型骨格、ビスフェノールA/F混合型骨格、ナフタレン骨格、フルオレン骨格、ビフェニル骨格、アントラセン骨格、ピレン骨格、キサンテン骨格、アダマンタン骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも1つの骨格を有することが好ましい。中でも、上記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型骨格、ビスフェノールF型骨格、ビスフェノールA/F混合型骨格、ナフタレン骨格、フルオレン骨格及びビフェニル骨格からなる群から選択された少なくとも1種の骨格を有することがより好ましく、フルオレン骨格及びビフェニル骨格の内の少なくとも1種の骨格を有することが更に好ましい。これらの好ましい骨格を有するフェノキシ樹脂の使用により、硬化物の耐熱性が更に一層高くなる。   The phenoxy resin comprises a bisphenol A skeleton, a bisphenol F skeleton, a bisphenol A / F mixed skeleton, a naphthalene skeleton, a fluorene skeleton, a biphenyl skeleton, an anthracene skeleton, a pyrene skeleton, a xanthene skeleton, an adamantane skeleton, and a dicyclopentadiene skeleton. It is preferred to have at least one skeleton selected from the group. Among these, the phenoxy resin preferably has at least one skeleton selected from the group consisting of a bisphenol A skeleton, a bisphenol F skeleton, a bisphenol A / F mixed skeleton, a naphthalene skeleton, a fluorene skeleton, and a biphenyl skeleton. Preferably, it has at least one skeleton of a fluorene skeleton and a biphenyl skeleton. Use of the phenoxy resin having these preferable skeletons further increases the heat resistance of the cured product.

上記エポキシ樹脂は、上記フェノキシ樹脂以外のエポキシ樹脂である。上記エポキシ樹脂としては、スチレン骨格含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。   The epoxy resin is an epoxy resin other than the phenoxy resin. Examples of the epoxy resins include styrene skeleton-containing epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, biphenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, and fluorene type epoxy resins. , Phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, epoxy resin having adamantane skeleton, epoxy resin having tricyclodecane skeleton, and epoxy resin having triazine nucleus in skeleton Etc.

上記全樹脂成分Xの合計100重量%中、上記全樹脂成分X1の合計100重量%中、及び上記全樹脂成分X2の合計100重量%中、上記ポリマーの含有量はそれぞれ、好ましくは20重量%以上、より好ましくは30重量%以上、好ましくは60重量%以下、更に好ましくは50重量%以下である。ポリマーの含有量が上記下限以上であると、硬化性組成物の取扱い性が良好になる。ポリマーの含有量が上記上限以下であると、無機フィラー(C)の分散が容易になる。なお、上記全樹脂成分X,X1,X2には、ポリマーが含まれる。   In the total 100% by weight of the total resin component X, in the total 100% by weight of the total resin component X1, and in the total 100% by weight of the total resin component X2, the content of the polymer is preferably 20% by weight. Above, more preferably 30% by weight or more, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. When the content of the polymer is not less than the above lower limit, the handleability of the curable composition is improved. When the polymer content is not more than the above upper limit, dispersion of the inorganic filler (C) becomes easy. The all resin components X, X1, and X2 include a polymer.

上記絶縁層及び上記硬化性組成物は、ゴム粒子を含んでいてもよい。該ゴム粒子の使用により、硬化物の応力緩和性及び柔軟性が高くなる。上記絶縁層及び上記硬化性組成物は、分散剤を含んでいてもよい。該分散剤の使用により、硬化物の熱伝導性及び耐電圧性がより一層高くなる。   The insulating layer and the curable composition may contain rubber particles. Use of the rubber particles increases the stress relaxation property and flexibility of the cured product. The insulating layer and the curable composition may contain a dispersant. Use of the dispersant further increases the thermal conductivity and voltage resistance of the cured product.

上記絶縁層及び上記硬化性組成物は、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布等の基材物質を含んでいてもよい。上記絶縁層及び上記硬化性組成物は、基材物質を含まないことが好ましく、特にガラスクロスを含まないことが好ましい。上記絶縁層及び上記硬化性組成物が上記基材物質を含まない場合には、絶縁層全体の厚みが薄くなり、硬化物の熱伝導性がより一層高くなり、更に必要に応じて絶縁層にレーザー加工又はドリル穴開け加工等の各種加工を容易に行うことができる。上記絶縁層はプリプレグでなくてもよい。   The insulating layer and the curable composition may contain a base material such as glass cloth, glass nonwoven fabric, and aramid nonwoven fabric. The insulating layer and the curable composition preferably do not contain a base material, and particularly preferably do not contain glass cloth. When the insulating layer and the curable composition do not contain the base material, the thickness of the entire insulating layer is reduced, and the thermal conductivity of the cured product is further increased. Various processing such as laser processing or drilling can be easily performed. The insulating layer may not be a prepreg.

さらに、上記絶縁層及び上記硬化性組成物は、必要に応じて、シランカップリング剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、粘着性付与剤、可塑剤、チキソ性付与剤、光増感剤及び着色剤などを含んでいてもよい。なお、上記全樹脂成分X,X1,X2には、シランカップリング剤が含まれる。   Furthermore, the insulating layer and the curable composition may be a silane coupling agent, an antioxidant, an ion scavenger, a tackifier, a plasticizer, a thixotropic agent, a photosensitizer, and a color as necessary. An agent or the like may be included. The all resin components X, X1, and X2 contain a silane coupling agent.

(積層体の詳細)
上記積層体の製造方法は特に限定されない。この製造方法として、例えば、熱伝導体上に、上記硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、必要に応じて上記硬化性組成物の硬化を進行させて絶縁層を形成した後、絶縁層上に保護フィルムを積層する方法、並びに離型フィルム上に上記硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工し上記硬化性組成物シートを形成した後に、熱伝導体上に上記硬化性組成物シートをラミネートし、その後必要に応じて上記硬化性組成物の硬化を進行させて絶縁層を形成し、その絶縁層上に保護フィルムを積層する方法などが挙げられる。上記硬化性組成物の硬化は、絶縁層が熱伝導体に積層される前に行われてもよく、積層された後に行われてもよく、絶縁層に保護フィルムが積層される前に行われてもよく、積層された後に行われてもよい。また上記積層体の製造方法は、この方法に限定されない。
(Details of laminate)
The manufacturing method of the said laminated body is not specifically limited. As this manufacturing method, for example, after coating the curable composition on a heat conductor by a solvent cast method or the like, and proceeding with the curing of the curable composition as necessary to form an insulating layer , A method of laminating a protective film on the insulating layer, and after the curable composition is coated on the release film by a solvent casting method or the like to form the curable composition sheet, the curing is performed on the heat conductor And a method of laminating a curable composition sheet, then proceeding with curing of the curable composition as necessary to form an insulating layer, and laminating a protective film on the insulating layer. Curing of the curable composition may be performed before the insulating layer is laminated on the heat conductor, may be performed after the insulating layer is laminated, or may be performed before the protective film is laminated on the insulating layer. It may be performed after being laminated. Moreover, the manufacturing method of the said laminated body is not limited to this method.

また、絶縁層が多層である場合に、上記積層体の製造方法は特に限定されない。この製造方法として、例えば、熱伝導体上に、上述した硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、第1の硬化性組成物の硬化を進行させて第1の絶縁層を形成した後、該第1の絶縁層上に、上述した第2の硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、必要に応じて第2の硬化性組成物の硬化を進行させて第2の絶縁層を形成した後、絶縁層上に保護フィルムを積層する方法、並びに離型フィルム上に、上述した第1の硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して上記硬化性組成物シートを形成した後に、熱伝導体上に上記硬化性組成物シートをラミネート、その後必要に応じて、第1の硬化性組成物の硬化を進行させて第1の絶縁層を形成した後、同様に形成した第2の硬化性組成物シートを第1の絶縁層上にラミネートし、必要に応じて第2の硬化性組成物の硬化を進行させて第2の絶縁層を形成した後、絶縁層上に保護フィルムを積層する方法等が挙げられる。また、第1の硬化性組成物の硬化は、第2の硬化性組成物のラミネートや塗工の後に行われてもよい。第1の硬化性組成物の硬化は、第1の絶縁層が熱伝導体に積層される前に行われてもよく、積層された後に行われてもよい。また、第1,第2の絶縁層を、押出成形法により形成してもよい。また上記積層体の製造方法は、これらの方法に限定されない。   In addition, when the insulating layer is a multilayer, the method for manufacturing the laminate is not particularly limited. As this manufacturing method, for example, the above-described curable composition is applied on a heat conductor by a solvent casting method or the like, and the first curable composition is cured to form a first insulating layer. Then, the second curable composition described above is applied onto the first insulating layer by a solvent casting method or the like, and the curing of the second curable composition is advanced as necessary. After forming the insulating layer 2, the method for laminating the protective film on the insulating layer, and the above-mentioned curable composition by applying the first curable composition described above on the release film by a solvent casting method or the like After forming the product sheet, laminating the curable composition sheet on the heat conductor, and then, if necessary, proceeding with the curing of the first curable composition to form the first insulating layer, A second curable composition sheet formed in the same manner is laminated on the first insulating layer, and as necessary. After forming the second second insulating layer is allowed to proceed the curing of the curable composition of Te, and a method of laminating a protective film on the insulating layer. Moreover, hardening of a 1st curable composition may be performed after the lamination and application | coating of a 2nd curable composition. Curing of the first curable composition may be performed before or after the first insulating layer is laminated on the thermal conductor. In addition, the first and second insulating layers may be formed by an extrusion method. Moreover, the manufacturing method of the said laminated body is not limited to these methods.

絶縁層(絶縁層全体)の熱伝導率は、好ましくは2W/m・K以上、より好ましくは3W/m・K以上、更に好ましくは4W/m・K以上、特に好ましくは5W/m・K以上である。絶縁層の熱伝導率が高いほど、絶縁層全体での熱伝導性が十分に高くなる。   The thermal conductivity of the insulating layer (the entire insulating layer) is preferably 2 W / m · K or more, more preferably 3 W / m · K or more, still more preferably 4 W / m · K or more, and particularly preferably 5 W / m · K. That's it. The higher the thermal conductivity of the insulating layer, the higher the thermal conductivity of the entire insulating layer.

硬化物である絶縁層(絶縁層全体)の絶縁破壊電圧は、好ましくは30kV以上、より好ましくは40kV以上、更に好ましくは50kV以上、特に好ましくは80kV以上、最も好ましくは100kV以上である。絶縁破壊電圧が高いほど、積層体が例えば電力素子用のような大電流用途に用いられた場合に、絶縁性を十分に確保できる。   The dielectric breakdown voltage of the cured insulating layer (the entire insulating layer) is preferably 30 kV or higher, more preferably 40 kV or higher, still more preferably 50 kV or higher, particularly preferably 80 kV or higher, and most preferably 100 kV or higher. The higher the dielectric breakdown voltage, the more sufficient insulation can be ensured when the laminate is used for large current applications such as for power devices.

図1に、本発明の一実施形態に係る積層体の一例を断面図で示す。   In FIG. 1, an example of the laminated body which concerns on one Embodiment of this invention is shown with sectional drawing.

図1に示す積層体1は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と、絶縁層3と、保護フィルム層4とを備える。絶縁層3は、第1の絶縁層3Aと第2の絶縁層3Bとを有する。保護フィルム層4は、基材4Aと粘着部4Bとを有する。   The laminate 1 shown in FIG. 1 includes a heat conductor 2 having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more, an insulating layer 3, and a protective film layer 4. The insulating layer 3 includes a first insulating layer 3A and a second insulating layer 3B. The protective film layer 4 has the base material 4A and the adhesion part 4B.

絶縁層3は、熱伝導体2の表面に積層されている。第1の絶縁層3Aは、熱伝導体2の表面に積層されている。第2の絶縁層3Bは、第1の絶縁層3Aの熱伝導体2側とは反対の表面に積層されている。保護フィルム層4は、絶縁層3の熱伝導体2側とは反対の表面に積層されている。保護フィルム層4は、第2の絶縁層3Bの第1の絶縁層3A側とは反対の表面に積層されている。粘着部4Bは、絶縁層3の熱伝導体2側とは反対の表面に積層されている。基材4Aは、粘着部4Bの絶縁層3側とは反対の表面に積層されている。   The insulating layer 3 is laminated on the surface of the heat conductor 2. The first insulating layer 3 </ b> A is laminated on the surface of the heat conductor 2. The second insulating layer 3B is laminated on the surface opposite to the heat conductor 2 side of the first insulating layer 3A. The protective film layer 4 is laminated on the surface opposite to the heat conductor 2 side of the insulating layer 3. The protective film layer 4 is laminated on the surface of the second insulating layer 3B opposite to the first insulating layer 3A side. The adhesive portion 4B is laminated on the surface of the insulating layer 3 opposite to the heat conductor 2 side. 4 A of base materials are laminated | stacked on the surface on the opposite side to the insulating layer 3 side of the adhesion part 4B.

図2に、本発明の一実施形態に係る積層体を用いて得られるパワー半導体モジュール用部品の一例を断面図で示す。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a power semiconductor module component obtained using the laminate according to one embodiment of the present invention.

図2に示すパワー半導体モジュール用部品11は、上述した積層体1を用いて形成されている。但し、積層体1における絶縁層3は硬化されている。また、積層体1の使用時に保護フィルム層4は絶縁層3の表面から剥離されており、パワー半導体モジュール用部品11は、保護フィルム層4を有さない。   A power semiconductor module component 11 shown in FIG. 2 is formed using the above-described laminate 1. However, the insulating layer 3 in the laminate 1 is cured. Moreover, the protective film layer 4 is peeled from the surface of the insulating layer 3 when the laminate 1 is used, and the power semiconductor module component 11 does not have the protective film layer 4.

パワー半導体モジュール用部品11は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と、硬化物である絶縁層3と、導電層12と、モールド樹脂13とを備える。硬化物である絶縁層3は、硬化物である第1の絶縁層3Aと、硬化物である第2の絶縁層3Bとを有する。   The power semiconductor module component 11 includes a heat conductor 2 having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more, an insulating layer 3 that is a cured product, a conductive layer 12, and a mold resin 13. The insulating layer 3 that is a cured product includes a first insulating layer 3A that is a cured product, and a second insulating layer 3B that is a cured product.

導電層12は、絶縁層3の熱伝導体2側とは反対の表面に積層されている。導電層12は、第2の絶縁層3Bの第1の絶縁層3A側とは反対の表面に積層されている。熱伝導体2と絶縁層3と導電層12とは、モールド樹脂13内に埋め込まれている。導電層12の一部は、モールド樹脂13から露出していることが好ましい。   The conductive layer 12 is laminated on the surface of the insulating layer 3 opposite to the heat conductor 2 side. The conductive layer 12 is laminated on the surface of the second insulating layer 3B opposite to the first insulating layer 3A side. The heat conductor 2, the insulating layer 3, and the conductive layer 12 are embedded in the mold resin 13. Part of the conductive layer 12 is preferably exposed from the mold resin 13.

パワー半導体モジュール用部品11は、積層体1における絶縁層3の表面から保護フィルム層4を剥離して、露出した絶縁層3の表面に導電層12を積層し、次に絶縁層3を硬化させ、更に熱伝導体2と絶縁層3と導電層12とをモールド樹脂13内に埋め込むことにより得られる。このとき、導電層12の一部が露出するように、熱伝導体2と絶縁層3と導電層12とをモールド樹脂13内に埋め込むことが好ましい。また、熱伝導体2と絶縁層3と導電層12とをモールド樹脂13内に埋め込んだ後に、絶縁層3を硬化させてもよい。例えば、モールド樹脂13の硬化時に、絶縁層3を硬化させてもよい。   In the power semiconductor module component 11, the protective film layer 4 is peeled off from the surface of the insulating layer 3 in the laminate 1, the conductive layer 12 is laminated on the exposed surface of the insulating layer 3, and then the insulating layer 3 is cured. Further, it is obtained by embedding the heat conductor 2, the insulating layer 3, and the conductive layer 12 in the mold resin 13. At this time, it is preferable that the thermal conductor 2, the insulating layer 3, and the conductive layer 12 are embedded in the mold resin 13 so that a part of the conductive layer 12 is exposed. Alternatively, the insulating layer 3 may be cured after the thermal conductor 2, the insulating layer 3, and the conductive layer 12 are embedded in the mold resin 13. For example, the insulating layer 3 may be cured when the mold resin 13 is cured.

また、上記積層体の用途は、上述したパワー半導体モジュール用部品に限定されない。上記積層体を用いて、例えば、両面に銅回路が設けられた積層板又は多層配線板、銅箔、銅板、半導体素子又は半導体パッケージ等の各導電層に、絶縁層を介して金属体が接着されている各種の電気部品を得てもよい。上記積層体は、基板上に半導体素子が実装されている半導体装置の導電層に、熱伝導体を接着するために好適に用いられる。さらに、上記積層体は、半導体素子以外の電子部品素子が基板上に搭載されている電子部品装置の導電層に、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体を接着するためにも好適に用いられる。   Moreover, the use of the laminate is not limited to the power semiconductor module component described above. Using the above laminated body, for example, a metal body is bonded to each conductive layer such as a laminated board or a multilayer wiring board provided with copper circuits on both sides, a copper foil, a copper plate, a semiconductor element or a semiconductor package via an insulating layer. Various electric parts that are used may be obtained. The laminate is suitably used for adhering a heat conductor to a conductive layer of a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a substrate. Furthermore, the laminated body adheres a thermal conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more to a conductive layer of an electronic component device in which electronic component elements other than semiconductor elements are mounted on a substrate. Are also preferably used.

上記熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体は特に限定されない。上記熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体としては、例えば、アルミニウム、銅、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム及びグラファイトシート等が挙げられる。中でも、上記熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体は、銅又はアルミニウムであることが好ましい。銅又はアルミニウムは、放熱性に優れている。   The heat conductor whose heat conductivity is 10 W / m · K or more is not particularly limited. Examples of the heat conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more include aluminum, copper, alumina, beryllia, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, and graphite sheet. Especially, it is preferable that the heat conductor whose said heat conductivity is 10 W / m * K or more is copper or aluminum. Copper or aluminum is excellent in heat dissipation.

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. The present invention is not limited to the following examples.

絶縁層を形成するために、以下の材料を用意した。   In order to form the insulating layer, the following materials were prepared.

[ポリマー]
(1)ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(三菱化学社製「E1256」、Mw=51000)
(2)ポリスチレン(東洋スチレン社製「HRM26」、Mw=30万)
[polymer]
(1) Bisphenol A type phenoxy resin (“E1256” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Mw = 51000)
(2) Polystyrene (“HRM26” manufactured by Toyo Styrene Co., Ltd., Mw = 300,000)

[硬化性化合物(A)]
(1)ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコート828US」、Mw=370)
(2)ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコート806L」、Mw=370)
(3)ナフタレン骨格液状エポキシ樹脂(DIC社製「EPICLON HP−4032D」、Mw=304)
(4)ビフェニル骨格エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコートYX4000」、Mw=368)
[Curable compound (A)]
(1) Bisphenol A liquid epoxy resin ("Epicoat 828US" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Mw = 370)
(2) Bisphenol F type liquid epoxy resin (“Epicoat 806L” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Mw = 370)
(3) Naphthalene skeleton liquid epoxy resin (“EPICLON HP-4032D” manufactured by DIC, Mw = 304)
(4) Biphenyl skeleton epoxy resin (“Epicoat YX4000” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Mw = 368)

[硬化剤(B)]
(1)脂環式骨格酸無水物(新日本理化社製「MH−700」)
(2)ビフェニル骨格フェノール樹脂(明和化成社製「MEH−7851−S」)
(3)ジアミノジフェニルメタン(融点90℃)
(4)ジシアンジアミド(融点208℃)
(5)イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール(四国化成社製「2MZA−PW」、融点253℃)
[Curing agent (B)]
(1) Alicyclic skeleton acid anhydride (“MH-700” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.)
(2) Biphenyl skeleton phenolic resin (“MEH-7851-S” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.)
(3) Diaminodiphenylmethane (melting point 90 ° C)
(4) Dicyandiamide (melting point 208 ° C)
(5) Isocyanur-modified solid dispersion type imidazole (“2MZA-PW” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., melting point 253 ° C.)

[無機フィラー(C)]
(1)5μm破砕アルミナ(破砕フィラー、日本軽金属社製「LT300C」、平均粒子径5μm、最大粒子径15μm、熱伝導率36W/m・K、新モース硬度12)
(2)球状アルミナ(デンカ社製「DAM−10」、平均粒子径10μm、最大粒子径30μm、熱伝導率36W/m・K、新モース硬度12)
(3)窒化アルミニウム(東洋アルミニウム社製「TOYALNITE―FLX」、平均粒子径14μm、最大粒子径30μm、熱伝導率200W/m・K、新モース硬度11)
(4)結晶性シリカ(龍森社製「クリスタライトCMC−12」、平均粒子径5μm、最大粒子径20μm、熱伝導率10W/m・K、新モース硬度9)
(5)窒化ホウ素凝集粒子(モーメンティブ社製「TPX25」、平均粒子径25μm、最大粒子径100μm、熱伝導率60W/m・K、新モース硬度2)
(6)溶融シリカ(トクヤマ社製「SE15」、平均粒子径15μm、最大粒子径60μm、熱伝導率2W/m・K、新モース硬度7)
[Inorganic filler (C)]
(1) 5 μm crushed alumina (crushed filler, “LT300C” manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., average particle diameter 5 μm, maximum particle diameter 15 μm, thermal conductivity 36 W / m · K, new Mohs hardness 12)
(2) Spherical alumina (“DAM-10” manufactured by Denka Co., Ltd., average particle size 10 μm, maximum particle size 30 μm, thermal conductivity 36 W / m · K, new Mohs hardness 12)
(3) Aluminum nitride (“TOYALNITE-FLX” manufactured by Toyo Aluminum Co., Ltd., average particle size 14 μm, maximum particle size 30 μm, thermal conductivity 200 W / m · K, new Mohs hardness 11)
(4) Crystalline silica (“Crystallite CMC-12” manufactured by Tatsumori Co., Ltd., average particle size 5 μm, maximum particle size 20 μm, thermal conductivity 10 W / m · K, new Mohs hardness 9)
(5) Boron nitride agglomerated particles (“TPX25” manufactured by Momentive, average particle diameter 25 μm, maximum particle diameter 100 μm, thermal conductivity 60 W / m · K, new Mohs hardness 2)
(6) Fused silica (“SE15” manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size 15 μm, maximum particle size 60 μm, thermal conductivity 2 W / m · K, new Mohs hardness 7)

[添加剤]
(1)エポキシシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBE403」)
[Additive]
(1) Epoxysilane coupling agent (“KBE403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

[溶剤]
(1)メチルエチルケトン
保護フィルム層を形成するために、以下の保護フィルムを用意した。
[solvent]
(1) Methyl ethyl ketone In order to form a protective film layer, the following protective films were prepared.

[凹凸形状を表面に有する保護フィルム]
(1)種類1:保護フィルム1(基材及び粘着部の双方の表面がエンボス加工により凹凸形状を有する、厚み50μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz5μm)
(2)種類2:保護フィルム2(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み50μm、粘着部の厚み30μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz30μm)
(3)種類3:保護フィルム3(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み40μm、粘着部の厚み30μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz30μm)
(4)種類4:保護フィルム4(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み80μm、粘着部の厚み40μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz30μm)
(5)種類5:保護フィルム5(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み150μm、粘着部の厚み40μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz30μm)
(6)種類6:保護フィルム6(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み180μm、粘着部の厚み40μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz30μm)
(7)種類7:保護フィルム7(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み180μm、粘着部の厚み80μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz60μm)
(8)種類8:保護フィルム8(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み80μm、粘着部の厚み60μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz50μm)
(9)種類9:保護フィルム9(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み50μm、粘着部の厚み10μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz10μm)
(10)種類10:保護フィルム10(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み20μm、粘着部の厚み3μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz3μm)
(11)種類11:保護フィルム11(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み20μm、粘着部の厚み1μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz0.5μm)
(12)種類12:保護フィルム12(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み15μm、粘着部の厚み3μm、基材:PET、粘着部の十点平均粗さRz3μm)
(13)種類13:保護フィルム13(基材の表面は凹凸形状を有さない、粘着部の表面はエンボス加工により凹凸形状を有する、保護フィルムの厚み50μm、粘着部の厚み3μm、基材:PE、粘着部の十点平均粗さRz3μm)
[Protective film having uneven surface]
(1) Type 1: Protective film 1 (Both surfaces of the base material and the adhesive part have an uneven shape by embossing, thickness 50 μm, base material: PET, ten-point average roughness Rz of 5 μm of the adhesive part)
(2) Type 2: Protective film 2 (The surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 50 μm, the thickness of the adhesive portion is 30 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz 30 μm)
(3) Type 3: Protective film 3 (The surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 40 μm, the thickness of the adhesive portion is 30 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz 30 μm)
(4) Type 4: Protective film 4 (The surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 80 μm, the thickness of the adhesive portion is 40 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz 30 μm)
(5) Type 5: Protective film 5 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 150 μm, the thickness of the adhesive portion is 40 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz 30 μm)
(6) Type 6: protective film 6 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 180 μm, the thickness of the adhesive portion is 40 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz 30 μm)
(7) Type 7: Protective film 7 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 180 μm, the thickness of the adhesive portion is 80 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz60μm)
(8) Type 8: Protective film 8 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 80 μm, the thickness of the adhesive portion is 60 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz 50 μm)
(9) Type 9: Protective film 9 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 50 μm, the thickness of the adhesive portion is 10 μm, the substrate: PET, ten-point average roughness of adhesive part Rz 10 μm)
(10) Type 10: protective film 10 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 20 μm, the thickness of the adhesive portion is 3 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz3μm)
(11) Type 11: Protective film 11 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 20 μm, the thickness of the adhesive portion is 1 μm, the substrate: PET, ten-point average roughness of adhesive part Rz 0.5 μm)
(12) Type 12: Protective film 12 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 15 μm, the thickness of the adhesive portion is 3 μm, the substrate: PET, ten point average roughness of adhesive part Rz3μm)
(13) Type 13: Protective film 13 (the surface of the substrate does not have an uneven shape, the surface of the adhesive portion has an uneven shape by embossing, the thickness of the protective film is 50 μm, the thickness of the adhesive portion is 3 μm, the substrate: PE, ten point average roughness of adhesive part Rz3μm)

[凹凸形状を表面に有さない保護フィルム]
(1)種類A:保護フィルムA(基材と粘着部を有する、基材及び粘着部の双方の表面は凹凸形状を有さない、保護フィルムの厚み50μm、粘着部の厚み30μm、基材:PET)
(2)種類B:保護フィルムB(非粘着性の基材のみ、粘着部を有さない、基材の表面は凹凸形状を有さない、保護フィルムの厚み50μm、基材:PET)
[Protective film that does not have uneven surface]
(1) Type A: Protective film A (having a base material and an adhesive part, both surfaces of the base material and the adhesive part are not uneven, the thickness of the protective film is 50 μm, the thickness of the adhesive part is 30 μm, the base material: PET)
(2) Type B: Protective film B (non-adhesive base material only, no adhesive part, base material surface does not have uneven shape, protective film thickness 50 μm, base material: PET)

(実施例1)
ホモディスパー型攪拌機を用い、下記の表1に示す割合(配合単位は重量部)で各成分を配合し、混練し、第1の絶縁層を形成するための第1の硬化性組成物、及び第2の絶縁層を形成するための第2の硬化性組成物を調製した。
Example 1
A first curable composition for forming a first insulating layer, using a homodisper type stirrer, blending and kneading each component in the proportions shown in Table 1 below (the blending unit is parts by weight), and A second curable composition for forming a second insulating layer was prepared.

上記第1の硬化性組成物を厚み50μmの離型PETシート上に塗工し、90℃オーブン内で30分乾燥して、PETシート上に厚み80μmの第1の絶縁層を作製した。また、上記第2の硬化性組成物を厚み50μmの離型PETシート上に塗工し、90℃オーブン内で30分乾燥して、PETシート上に厚み80μmの第2の絶縁層を作製した。   The first curable composition was applied onto a release PET sheet having a thickness of 50 μm and dried in an oven at 90 ° C. for 30 minutes to produce a first insulating layer having a thickness of 80 μm on the PET sheet. In addition, the second curable composition was coated on a release PET sheet having a thickness of 50 μm and dried in an oven at 90 ° C. for 30 minutes to produce a second insulating layer having a thickness of 80 μm on the PET sheet. .

得られた第1の絶縁層を厚さ0.5mmの銅板(Cu)上に熱ラミネーターを用いて貼り合せた後に200℃で1時間(第1の硬化性組成物の硬化条件)硬化させた。その後、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を熱ラミネーターを用いて貼り合せた後に、130℃で3分間硬化(第2の硬化性組成物の硬化条件)させた。次に、第2の絶縁層の表面に保護フィルムを粘着部側から、25℃で2kgのゴムローラーを1往復させて圧着し、保護フィルム層を形成して、積層体を作製した。   The obtained first insulating layer was bonded to a copper plate (Cu) having a thickness of 0.5 mm using a thermal laminator and then cured at 200 ° C. for 1 hour (curing conditions for the first curable composition). . Thereafter, the second insulating layer was bonded onto the first insulating layer using a thermal laminator and then cured at 130 ° C. for 3 minutes (curing conditions for the second curable composition). Next, a protective film was applied to the surface of the second insulating layer from the pressure-sensitive adhesive side by reciprocating a 2 kg rubber roller at 25 ° C. once to form a protective film layer, thereby producing a laminate.

(実施例2〜30)
第1,第2の硬化性組成物に用いた各成分の種類及び配合量、第2の硬化性組成物の硬化条件、並びに積層体を得る際に用いた保護フィルムの種類を下記の表1〜4に示すようにしたこと以外は、実施例1と同様にして硬化性組成物を調製し、積層体を得た。
(Examples 2 to 30)
Table 1 below shows the types and amounts of the components used in the first and second curable compositions, the curing conditions of the second curable composition, and the types of protective films used in obtaining the laminate. A curable composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was shown in -4 to obtain a laminate.

(比較例1)
保護フィルムを保護フィルムAに変更したこと以外は実施例1と同様にして、積層体を得た。
(Comparative Example 1)
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film was changed to the protective film A.

(比較例2)
保護フィルムを保護フィルムBに変更したこと以外は実施例1と同様にして、積層体を得た。
(Comparative Example 2)
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film was changed to the protective film B.

(比較例3)
厚さ0.5mmの銅板を、厚さ0.5μmのFR−4基板(FR−4)に変更したこと、並びに保護フィルムを保護フィルムBに変更したこと以外は実施例1と同様にして、積層体を得た。
(Comparative Example 3)
A copper plate having a thickness of 0.5 mm was changed to an FR-4 substrate (FR-4) having a thickness of 0.5 μm, and the protective film was changed to a protective film B in the same manner as in Example 1, A laminate was obtained.

(評価)
(1)保護フィルム層の剥離性
得られた積層体を、45tonプレス機で1cm×5cmの大きさにプレス打ち抜きで切断し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルの保護フィルム層に粘着テープ(ニチバン製「CT24」)を25℃で2kgのゴムローラーを1往復させて圧着した後に、絶縁層の表面から保護フィルム層を剥離した。保護フィルム層の剥離性を下記の基準で判定した。
(Evaluation)
(1) Peelability of protective film layer The obtained laminate was cut by press punching into a size of 1 cm x 5 cm with a 45 ton press to obtain an evaluation sample. An adhesive tape (“CT24” manufactured by Nichiban) was attached to the protective film layer of the obtained evaluation sample by reciprocating a 2 kg rubber roller once at 25 ° C., and then the protective film layer was peeled off from the surface of the insulating layer. The peelability of the protective film layer was determined according to the following criteria.

[保護フィルム層の剥離性]
○○:評価サンプル20個中、全てで剥離不良なし
○:評価サンプル20個中、剥離不良の発生個数が1〜2個
△:評価サンプル20個中、剥離不良の発生個数が3〜4個
×:評価サンプル20個中、剥離不良の発生個数が5個以上
[Peelability of protective film layer]
○: No peeling failure in all 20 evaluation samples ○: 1-2 occurrences of peeling failure in 20 evaluation samples Δ: 3-4 occurrences of peeling failure in 20 evaluation samples X: Out of 20 evaluation samples, 5 or more occurrences of peeling failure occurred

(2)プレス打ち抜き前後での接着性の変化
得られた積層体を、45tonプレス機で5cm×5cmの大きさにプレス打抜きで切断し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルにおける保護フィルム層と絶縁層との打ち抜き加工後の剥離強度を、90°剥離試験により測定した。
(2) Adhesive change before and after press punching The obtained laminate was cut by press punching into a size of 5 cm × 5 cm with a 45 ton press to obtain an evaluation sample. The peel strength after punching of the protective film layer and the insulating layer in the obtained evaluation sample was measured by a 90 ° peel test.

別途、保護フィルムを備えていない積層体を用意し、プレスを行わずに5cm×5cmの大きさに切断した。その後、第2の絶縁層の表面に保護フィルムを、25℃で2kgのゴムローラーを1往復させて圧着し、保護フィルム層を形成して、評価サンプルを用意した。得られた評価サンプルにおける保護フィルム層と絶縁層との打ち抜き加工前の剥離強度を、90°剥離試験により測定した。プレス打ち抜き前後での接着性の変化を下記の基準で判定した。   Separately, a laminate without a protective film was prepared and cut into a size of 5 cm × 5 cm without performing pressing. Thereafter, a protective film was applied to the surface of the second insulating layer by reciprocating a 2 kg rubber roller once at 25 ° C. to form a protective film layer, and an evaluation sample was prepared. The peel strength before punching of the protective film layer and the insulating layer in the obtained evaluation sample was measured by a 90 ° peel test. Changes in adhesion before and after press punching were judged according to the following criteria.

[プレス打ち抜き前後での接着性の変化の判定基準]
○:打抜き加工後の剥離強度が、打抜き前の剥離強度の130%未満
△:打抜き加工後の剥離強度が、打抜き前の剥離強度の130%以上、200%未満
×:打抜き加工後の剥離強度が、打抜き前の剥離強度の200%以上
[Criteria for adhesive change before and after punching]
○: The peel strength after punching is less than 130% of the peel strength before punching Δ: The peel strength after punching is 130% or more and less than 200% of the peel strength before punching ×: The peel strength after punching Is 200% or more of the peel strength before punching

(3)絶縁破壊電圧(耐電圧性)
得られた積層体を、45tonプレス機で5cm×5cmの大きさにプレス打抜きで切断した。その後、5cm×5cmの大きさの絶縁層(絶縁層全体)を取り出して、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルを200℃のオーブン内で1時間硬化させ、硬化物である絶縁層を得た。耐電圧試験器(EXTECH Electronics社製「MODEL7473」)を用いて、絶縁層間に1kV/秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。絶縁層が破壊した電圧を、絶縁破壊電圧とした。100個の絶縁層について絶縁破壊電圧を評価し、平均値を求めた。
(3) Dielectric breakdown voltage (withstand voltage)
The obtained laminate was cut into a size of 5 cm × 5 cm by press punching with a 45 ton press. Thereafter, an insulating layer having a size of 5 cm × 5 cm (entire insulating layer) was taken out to obtain an evaluation sample. The obtained evaluation sample was cured in an oven at 200 ° C. for 1 hour to obtain an insulating layer as a cured product. Using a withstand voltage tester (“MODEL7473” manufactured by EXTECH Electronics), an AC voltage was applied between the insulating layers so that the voltage increased at a rate of 1 kV / sec. The voltage at which the insulating layer was broken was taken as the breakdown voltage. The dielectric breakdown voltage was evaluated for 100 insulating layers, and the average value was obtained.

(4)絶縁破壊電圧(耐電圧性)の安定性
上記(3)絶縁破壊電圧(耐電圧性)の評価結果から、絶縁破壊電圧の安定性を下記の基準で判定した。
(4) Stability of dielectric breakdown voltage (voltage resistance) From the evaluation result of (3) dielectric breakdown voltage (voltage resistance), the stability of dielectric breakdown voltage was determined according to the following criteria.

[絶縁破壊電圧(耐電圧性)の安定性]
○:100個の絶縁層の絶縁破壊電圧の平均値よりも、絶縁破壊電圧が3kV以上低い絶縁層の数が0〜1個
△:100個の絶縁層の絶縁破壊電圧の平均値よりも、絶縁破壊電圧が3kV以上低い絶縁層の数が2〜4個
×:100個の絶縁層の絶縁破壊電圧の平均値よりも、絶縁破壊電圧が3kV以上低い絶縁層の数が5個以上
[Stability of dielectric breakdown voltage (voltage resistance)]
O: The number of insulating layers whose dielectric breakdown voltage is 3 kV or more lower than the average value of the dielectric breakdown voltages of 100 insulating layers is 0 to 1 Δ: The average value of the dielectric breakdown voltages of 100 insulating layers is Number of insulating layers whose dielectric breakdown voltage is 3 kV or more is 2 to 4 ×: The number of insulating layers whose dielectric breakdown voltage is 3 kV or more lower than the average value of the dielectric breakdown voltages of 100 insulating layers is 5 or more

(5)放熱性
得られた積層体を、45tonプレス機で5cm×5cmの大きさにプレス打抜きで切断し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルを用いて、絶縁層の表面から保護フィルムを剥離して、露出した絶縁層の表面を、同じサイズの60℃に制御された表面平滑な発熱体に196N/cmの圧力で押し付けた。銅板の表面の温度を熱伝対により測定した。放熱性を下記の基準で判定した。
(5) Heat dissipation The obtained laminate was cut into a size of 5 cm × 5 cm by press punching with a 45 ton press to obtain an evaluation sample. Using the obtained evaluation sample, the protective film was peeled off from the surface of the insulating layer, and the exposed surface of the insulating layer was applied to a smooth heating element controlled to 60 ° C. of the same size at a pressure of 196 N / cm 2 . Pressed with. The surface temperature of the copper plate was measured by a thermocouple. The heat dissipation was determined according to the following criteria.

[放熱性の判定基準]
○:発熱体と銅板の表面の温度差が3℃を超え、6℃以内
△:発熱体と銅板の表面の温度差が6℃を超え、10℃以内
×:発熱体を銅板の表面の温度差が10℃を超える
[Criteria for heat dissipation]
○: Temperature difference between the heating element and the surface of the copper plate exceeds 3 ° C. and within 6 ° C. Δ: Temperature difference between the heating element and the surface of the copper plate exceeds 6 ° C. and within 10 ° C. ×: Temperature of the heating element on the surface of the copper plate The difference exceeds 10 ° C

(6)接着性
得られた積層体を、45tonプレス機で5cm×5cmの大きさにプレス打抜きで切断し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルを用いて、絶縁層の表面から保護フィルムを剥離して、露出した絶縁層の表面に、厚み35μmの電解銅箔を1MPaの圧力で押し付けながら、200℃で1時間加熱した。その後、硬化物である絶縁層と銅箔とのの剥離強度を、90°剥離試験により測定した。
(6) Adhesiveness The obtained laminate was cut into a size of 5 cm × 5 cm by press punching with a 45 ton press to obtain an evaluation sample. Using the obtained evaluation sample, the protective film was peeled off from the surface of the insulating layer, and heated at 200 ° C. for 1 hour while pressing an electrolytic copper foil having a thickness of 35 μm on the exposed surface of the insulating layer with a pressure of 1 MPa. . Thereafter, the peel strength between the insulating layer, which is a cured product, and the copper foil was measured by a 90 ° peel test.

配合成分及び結果を下記の表1〜4に示す。   The blending components and results are shown in Tables 1 to 4 below.

Figure 2013199103
Figure 2013199103

Figure 2013199103
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Figure 2013199103
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Figure 2013199103
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1…積層体
2…熱伝導体
3…絶縁層
3A…第1の絶縁層
3B…第2の絶縁層
4…保護フィルム層
4A…基材
4B…粘着部
11…パワー半導体モジュール用部品
12…導電層
13…モールド樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated body 2 ... Thermal conductor 3 ... Insulating layer 3A ... 1st insulating layer 3B ... 2nd insulating layer 4 ... Protective film layer 4A ... Base material 4B ... Adhesive part 11 ... Power semiconductor module component 12 ... Conductivity Layer 13 ... Mold resin

Claims (12)

熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と、
前記熱伝導体の表面に積層されている絶縁層と、
前記絶縁層の前記熱伝導体側と反対の表面に積層されている保護フィルム層とを備え、
前記保護フィルム層が、基材と前記基材の表面に積層された粘着部とを有し、前記保護フィルム層が、前記粘着部側から前記絶縁層の表面に積層されており、
前記保護フィルム層が、前記粘着部の前記絶縁層側の表面に凹凸形状を有する、積層体。
A thermal conductor having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more;
An insulating layer laminated on the surface of the thermal conductor;
A protective film layer laminated on the surface opposite to the heat conductor side of the insulating layer,
The protective film layer has a base material and an adhesive part laminated on the surface of the base material, and the protective film layer is laminated on the surface of the insulating layer from the adhesive part side,
The laminate, wherein the protective film layer has a concavo-convex shape on the surface of the adhesive portion on the insulating layer side.
前記粘着部の前記絶縁層側の表面がエンボス加工されている、請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein a surface of the adhesive portion on the insulating layer side is embossed. 前記保護フィルム層が、前記基材の前記粘着部側とは反対の表面に凹凸形状を有さない、請求項1又は2に記載の積層体。   The laminate according to claim 1 or 2, wherein the protective film layer does not have a concavo-convex shape on a surface opposite to the adhesive portion side of the base material. 前記保護フィルム層の厚みの前記絶縁層の厚みに対する比が0.2以上、1以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の積層体。   The laminated body of any one of Claims 1-3 whose ratio with respect to the thickness of the said insulating layer of the thickness of the said protective film layer is 0.2 or more and 1 or less. 前記粘着部の前記絶縁層側の表面の十点平均粗さRzが1μm以上、50μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein a ten-point average roughness Rz of the surface of the adhesive portion on the insulating layer side is 1 µm or more and 50 µm or less. 前記保護フィルム層が着色している、請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 5, wherein the protective film layer is colored. 前記絶縁層が、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の積層体。   The laminated body of any one of Claims 1-6 in which the said insulating layer contains the inorganic filler whose heat conductivity is 10 W / m * K or more. 前記絶縁層が、硬化率が異なる複数の層を有し、多層である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 7, wherein the insulating layer has a plurality of layers having different curing rates and is a multilayer. 前記絶縁層の前記保護フィルム層側の表面の硬化率が20%以上、80%以下である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の積層体。   The laminated body of any one of Claims 1-8 whose hardening rate of the surface at the side of the said protective film layer of the said insulating layer is 20% or more and 80% or less. 前記基材の材料が、ポリエステル樹脂である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 9, wherein a material of the base material is a polyester resin. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の積層体を、前記熱伝導体と前記絶縁層と前記保護フィルム層とが積層された状態で、切断することにより得られる、切断積層体。   The cutting laminated body obtained by cut | disconnecting the laminated body of any one of Claims 1-10 in the state in which the said heat conductor, the said insulating layer, and the said protective film layer were laminated | stacked. 前記積層体を、プレス打ち抜きで切断することにより得られる、請求項11に記載の切断積層体。   The cut laminated body according to claim 11, which is obtained by cutting the laminated body by press punching.
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