JP2013197548A - Wiring board and manufacturing method of the same - Google Patents

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Atsushi Ishida
敦 石田
Satoru Kawai
悟 川合
Ryojiro Tominaga
亮二郎 富永
Nobumasa Goto
伸方 後藤
Haruhiko Morita
治彦 森田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit the movements of voids formed in a through-hole conductor.SOLUTION: A planar conductor 11c is formed on a first surface F1 of a substrate 10, and a planar conductor 12c is formed on a second surface F2 of the substrate 10. Further, the substrate 10 has a through hole 10h, and a through-hole conductor 10c connecting the planar conductor 11c with the planar conductor 12c is provided in the through hole 10h. The interior of the through-hole conductor 10c includes a void V1. An insulation layer 20 is formed on the first surface F1 of the substrate 10 and the planar conductor 11c. A conductor pattern 21c is formed on the insulation layer 20. Multiple openings 20h exposing parts of the planar conductor 11c are provided at the insulation layer 20, and a via conductor 20c connecting the planar conductor 11c with the conductor pattern 21c is formed in each opening 20h.

Description

本発明は、配線板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof.

特許文献1に記載の技術では、コア基板の両面にレーザを照射することで、小径の貫通孔が設けられる。そして、この貫通孔の内部をめっきで充填することで、コア基板の両面を接続し得るスルーホール導体が形成される。   In the technique described in Patent Document 1, a small-diameter through hole is provided by irradiating laser on both surfaces of the core substrate. And the through-hole conductor which can connect both surfaces of a core board | substrate is formed by filling the inside of this through-hole with plating.

特開2006−041463号公報JP 2006-041463 A

特許文献1に記載の技術を用いて、小径の貫通孔の内部にめっきを充填すると、スルーホール導体の内部にボイドが形成されることがある。また、ボイドが形成されたスルーホール導体に大電流を流す試験を実施したところ、ボイドの移動が認められた。移動するボイドは、スルーホール導体の直上に形成された導体パターンやビア導体に侵入してしまう可能性がある。その結果、導体パターン及びビア導体の導体抵抗が大きくなり、接続信頼性が低下するおそれがある。   When the technique described in Patent Literature 1 is used to fill the inside of a small-diameter through hole with plating, a void may be formed inside the through-hole conductor. In addition, when a test was conducted to pass a large current through the through-hole conductor in which the void was formed, the movement of the void was recognized. The moving void may enter a conductor pattern or via conductor formed immediately above the through-hole conductor. As a result, the conductor resistance of the conductor pattern and via conductor increases, and connection reliability may be reduced.

本発明は、上述の事情の下になされたもので、スルーホール導体の内部に形成されたボイドの移動を抑制することを目的とする。   The present invention has been made under the circumstances described above, and an object thereof is to suppress the movement of voids formed inside through-hole conductors.

上記目的を達成するために、本発明の第1の観点に係る配線板は、
第1面と該第1面とは反対側の第2面とを備え、貫通孔を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第1面上に形成されている第1面状導体と、
前記コア基板の前記第2面上に形成されている第2面状導体と、
前記貫通孔の内部に設けられ、前記第1面状導体と前記第2面状導体とを接続するスルーホール導体と、
前記コア基板の前記第1面上及び前記第1面状導体上に形成されている絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されている導体パターンと、
を有する配線板であって、
前記絶縁層には、前記第1面状導体の一部を露出する開口部が複数設けられ、
前記開口部それぞれの内部には、前記導体パターンと前記第1面状導体とを接続するビア導体が形成され、
前記スルーホール導体の内部には、ボイドが含まれている。
In order to achieve the above object, a wiring board according to the first aspect of the present invention comprises:
A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and having a through hole;
A first planar conductor formed on the first surface of the core substrate;
A second planar conductor formed on the second surface of the core substrate;
A through-hole conductor provided inside the through hole and connecting the first planar conductor and the second planar conductor;
An insulating layer formed on the first surface and the first planar conductor of the core substrate;
A conductor pattern formed on the insulating layer;
A wiring board having
The insulating layer is provided with a plurality of openings exposing a part of the first planar conductor,
Via conductors connecting the conductor pattern and the first planar conductor are formed inside each of the openings,
A void is included in the through-hole conductor.

前記第1面状導体の幅は、前記スルーホール導体の幅より大きい、ことが好ましい。   The width of the first planar conductor is preferably larger than the width of the through-hole conductor.

複数の前記ビア導体それぞれの一端の全面は、前記第1面状導体に接する、ことが好ましい。   It is preferable that the entire surface of one end of each of the plurality of via conductors is in contact with the first planar conductor.

前記貫通孔は、前記コア基板の前記第1面に開口する第1開口と、前記第2面に開口する第2開口と、を有し、
前記第1開口の重心及び前記第2開口の重心は、前記第1面に平行な平面において互いに離間している、ことが好ましい。
The through hole has a first opening that opens in the first surface of the core substrate, and a second opening that opens in the second surface;
It is preferable that the center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening are separated from each other on a plane parallel to the first surface.

前記スルーホール導体は、前記第1面状導体に接し、前記第1面に近いところほど太くなる端部を有し、
前記ボイドは、前記端部に含まれる、ことが好ましい。
The through-hole conductor has an end that comes into contact with the first planar conductor and becomes thicker as it is closer to the first surface.
The void is preferably included in the end portion.

前記コア基板の厚さは、400μm以下である、ことが好ましい。   The thickness of the core substrate is preferably 400 μm or less.

前記第1面に平行な平面における前記第1開口の重心と前記第2開口の重心との距離は、20μm以下である、ことが好ましい。   The distance between the center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening in a plane parallel to the first surface is preferably 20 μm or less.

前記貫通孔の最大幅は、100μm以下である、ことが好ましい。   The maximum width of the through hole is preferably 100 μm or less.

複数の前記ビア導体それぞれは、互いに略同一の太さである、ことが好ましい。   Each of the plurality of via conductors preferably has substantially the same thickness.

複数の前記ビア導体それぞれと前記第1面状導体とが接する面の面積の合計は、前記スルーホール導体と前記第1面状導体とが接する面の面積に等しい、ことが好ましい。   It is preferable that the total area of the surfaces in contact with each of the plurality of via conductors and the first planar conductor is equal to the area of the surface in contact with the through-hole conductor and the first planar conductor.

本発明の第2の観点に係る配線板の製造方法は、
第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有するコア基板を用意することと、
前記コア基板に貫通孔を形成することと、
前記コア基板の前記第1面上に第1面状導体を形成することと、
前記コア基板の前記第2面上に第2面状導体を形成することと、
前記貫通孔の内部に、前記第1面状導体と前記第2面状導体とを接続するスルーホール導体を形成することと、
前記コア基板の前記第1面上及び前記第1面状導体上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層上に導体パターンを形成することと、
を有する配線板の製造方法であって、
前記スルーホール導体の内部には、ボイドが含まれ、
前記絶縁層に、前記第1面状導体の一部を露出する開口部を複数設け、
前記開口部それぞれの内部に、前記導体パターンと前記第1面状導体とを接続するビア導体を形成する。
A method for manufacturing a wiring board according to a second aspect of the present invention includes:
Providing a core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
Forming a through hole in the core substrate;
Forming a first planar conductor on the first surface of the core substrate;
Forming a second planar conductor on the second surface of the core substrate;
Forming a through-hole conductor connecting the first planar conductor and the second planar conductor in the through hole; and
Forming an insulating layer on the first surface of the core substrate and on the first planar conductor;
Forming a conductor pattern on the insulating layer;
A method of manufacturing a wiring board having
Inside the through-hole conductor, a void is included,
The insulating layer is provided with a plurality of openings exposing a part of the first planar conductor,
A via conductor connecting the conductor pattern and the first planar conductor is formed inside each of the openings.

前記第1面状導体の幅は、前記スルーホール導体の幅より大きい、ことが好ましい。   The width of the first planar conductor is preferably larger than the width of the through-hole conductor.

複数の前記ビア導体それぞれの一端の全面は、前記第1面状導体に接する、ことが好ましい。   It is preferable that the entire surface of one end of each of the plurality of via conductors is in contact with the first planar conductor.

前記貫通孔は、前記コア基板の前記第1面に開口する第1開口と、前記第2面に開口する第2開口と、を有し、
前記第1開口の重心及び前記第2開口の重心は、前記第1面に平行な平面において互いに離間している、ことが好ましい。
The through hole has a first opening that opens in the first surface of the core substrate, and a second opening that opens in the second surface;
It is preferable that the center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening are separated from each other on a plane parallel to the first surface.

前記スルーホール導体は、前記第1面状導体に接し、前記第1面に近いところほど太くなる端部を有し、
前記ボイドは、前記端部に含まれる、ことが好ましい。
The through-hole conductor has an end that comes into contact with the first planar conductor and becomes thicker as it is closer to the first surface.
The void is preferably included in the end portion.

前記コア基板の厚さは、400μm以下である、ことが好ましい。   The thickness of the core substrate is preferably 400 μm or less.

前記第1面に平行な平面における前記第1開口の重心と前記第2開口の重心との距離は、20μm以下である、ことが好ましい。   The distance between the center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening in a plane parallel to the first surface is preferably 20 μm or less.

前記貫通孔の最大幅は、100μm以下である、ことが好ましい。   The maximum width of the through hole is preferably 100 μm or less.

本発明によれば、スルーホール導体の内部に形成されたボイドの移動を抑制することができる。   According to the present invention, the movement of voids formed inside the through-hole conductor can be suppressed.

本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。It is sectional drawing of the wiring board which concerns on embodiment of this invention. 貫通孔及びスルーホール導体の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of a through-hole and a through-hole conductor. 貫通孔に形成されるめっき膜を示す図である。It is a figure which shows the plating film formed in a through-hole. スルーホール導体、面状導体、及び複数のビア導体の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of a through-hole conductor, a planar conductor, and a some via conductor. 両面銅張積層板を準備する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of preparing a double-sided copper clad laminated board. 貫通孔を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming a through-hole. 無電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an electroless plating film. 電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an electrolytic plating film. エッチングレジストを形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an etching resist. 導体膜をエッチングする工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of etching a conductor film. 基板の両面に絶縁層を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an insulating layer on both surfaces of a board | substrate. 開口部を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an opening part. 無電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an electroless plating film. めっきレジストを形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming a plating resist. 電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming an electrolytic plating film. 無電解めっき膜をエッチングする工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of etching an electroless plating film. 他の実施形態に係る配線板の断面図である。It is sectional drawing of the wiring board which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係るスルーホール導体、面状導体、及び複数のビア導体の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the through-hole conductor which concerns on other embodiment, a planar conductor, and a some via conductor. 他の実施形態に係る貫通孔及びスルーホール導体の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the through-hole and through-hole conductor which concern on other embodiment. 他の実施形態に係る配線板の断面図である。It is sectional drawing of the wiring board which concerns on other embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、図中、矢印Z1、Z2それぞれは、配線板の主面(表裏面)の法線方向を指す。この法線方向は、配線板の積層方向又は配線板の厚み方向に相当する。一方、矢印X1、X2、Y1、Y2それぞれは、積層方向に直交する方向を指す。配線板の主面は、X−Y平面となる。配線板の側面は、X−Z平面又はY−Z平面となる。また、Z方向において、配線板のコアに近い側を内層側、コアから遠い側を外層側という。直上は、Z方向における外層側を意味する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the figure, arrows Z1 and Z2 indicate the normal direction of the main surface (front and back surfaces) of the wiring board. This normal direction corresponds to the stacking direction of the wiring boards or the thickness direction of the wiring boards. On the other hand, each of arrows X1, X2, Y1, and Y2 indicates a direction orthogonal to the stacking direction. The main surface of the wiring board is an XY plane. The side surface of the wiring board is an XZ plane or a YZ plane. In the Z direction, the side closer to the core of the wiring board is called the inner layer side, and the side far from the core is called the outer layer side. Directly above means the outer layer side in the Z direction.

導体層は、一乃至複数の導体パターンから構成される。導体パターンは、電気回路を構成する配線(グランドも含む)、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。   The conductor layer is composed of one or more conductor patterns. The conductor pattern may include a wiring (including a ground), a pad, a land, or the like that constitutes an electric circuit, or may include a planar conductor pattern that does not constitute an electric circuit.

開口部には、孔や溝が含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。また、孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。ビアホールの内部に形成される導体をビア導体といい、スルーホールの内部に形成される導体をスルーホール導体という。   The opening includes a hole and a groove. The hole is not limited to a through hole, and includes a non-through hole. The holes include via holes and through holes. A conductor formed inside the via hole is called a via conductor, and a conductor formed inside the through hole is called a through hole conductor.

めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、PVD(Physical Vapor Deposition)やCVD(Chemical Vapor Deposition)等の乾式めっきも含まれる。   In addition to wet plating such as electrolytic plating, plating includes dry plating such as PVD (Physical Vapor Deposition) and CVD (Chemical Vapor Deposition).

孔又は柱体の「幅」は、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には2√(断面積/π)を意味する。また、寸法が均一でない場合(凹凸がある場合又はテーパしている場合など)は、原則として、その寸法の平均値(異常値を除いた有効値のみの平均)を用いる。ただし、最大値など、平均値以外の値を用いることを明記している場合は、この限りでない。   Unless otherwise specified, the “width” of the hole or column means a diameter in the case of a circle, and 2√ (cross-sectional area / π) otherwise. When the dimensions are not uniform (when there are irregularities or when they are tapered, etc.), in principle, the average value of the dimensions (average of only effective values excluding abnormal values) is used. However, this does not apply when it is clearly stated that a value other than the average value is used, such as the maximum value.

本実施形態に係る配線板100は、図1に示されるように、基板10と、絶縁層20、30、40、50と、導体層11、12、21、31、41、51と、を有している。配線板100は、例えば矩形板状のリジッド配線板である。ただし、これに限られず、配線板100は、矩形板状以外の形状を有してもよい。また、配線板100は、フレキシブル配線板であってもよい。   As shown in FIG. 1, the wiring board 100 according to the present embodiment includes a substrate 10, insulating layers 20, 30, 40, 50 and conductor layers 11, 12, 21, 31, 41, 51. doing. The wiring board 100 is, for example, a rectangular wiring board. However, the present invention is not limited to this, and the wiring board 100 may have a shape other than the rectangular plate shape. Further, the wiring board 100 may be a flexible wiring board.

基板10は、絶縁性を有し、配線板100のコア基板に相当する。基板10は、例えば、エポキシ樹脂が含浸された基材10bが積層されてなる。この基材10bは、例えばガラスクロスであって、ガラス繊維又はアラミド繊維等の無機材料からなる。ただしこれに限定されず、基板10の材料は任意である。以下では、基板10のZ1方向の主面を第1面F1、Z2方向の主面を第2面F2という。   The substrate 10 has an insulating property and corresponds to the core substrate of the wiring board 100. The substrate 10 is formed, for example, by laminating a base material 10b impregnated with an epoxy resin. This base material 10b is, for example, a glass cloth, and is made of an inorganic material such as glass fiber or aramid fiber. However, it is not limited to this, The material of the board | substrate 10 is arbitrary. Hereinafter, the main surface in the Z1 direction of the substrate 10 is referred to as a first surface F1, and the main surface in the Z2 direction is referred to as a second surface F2.

基板10は、砂時計型の貫通孔10hを有している。貫通孔10hは、第1面F1から第2面F2に向かって細くなる開口部101hと、第2面から第1面に向かって細くなる開口部102hとを有している。   The substrate 10 has an hourglass-shaped through hole 10h. The through-hole 10h has an opening 101h that narrows from the first surface F1 toward the second surface F2, and an opening 102h that narrows from the second surface toward the first surface.

開口部101h及び開口部102hは、面F3で互いに接している。面F3は、図2に示されるように、開口部101hの壁面と開口部102hの壁面とが交わる括れ部103によって規定される。なお、面F3を規定するための基準は、括れ部103に限られない。例えば、貫通孔10hの壁面を境界条件とするときの極小曲面として、面F3を規定することができる。   The opening 101h and the opening 102h are in contact with each other at the surface F3. As shown in FIG. 2, the surface F3 is defined by a constricted portion 103 where the wall surface of the opening 101h and the wall surface of the opening 102h intersect. Note that the reference for defining the surface F3 is not limited to the constricted portion 103. For example, the surface F3 can be defined as a minimal curved surface when the wall surface of the through hole 10h is used as a boundary condition.

開口部101hは、図2に示されるように、第1面F1に形成された開口105を有し、開口部102hは、第2面F2に形成された開口106を有している。開口105、106の幅の双方は、貫通孔10hの最大幅と等しい。貫通孔10hの最大幅は、100μm以下であることが好ましい。なお、本実施形態に係る開口105、106は、X−Y平面において円形の形状を有するが、これに限られず、任意の形状としてもよい。   As shown in FIG. 2, the opening 101h has an opening 105 formed in the first surface F1, and the opening 102h has an opening 106 formed in the second surface F2. Both the widths of the openings 105 and 106 are equal to the maximum width of the through hole 10h. The maximum width of the through hole 10h is preferably 100 μm or less. The openings 105 and 106 according to the present embodiment have a circular shape in the XY plane, but are not limited thereto, and may have an arbitrary shape.

図2に示される点G1、G2それぞれは、開口105、106それぞれの重心を示す。また、点G3は、点G2を通り第1面F1に垂直な直線L1と第1面F1との交点を示す。   The points G1 and G2 shown in FIG. 2 indicate the centers of gravity of the openings 105 and 106, respectively. A point G3 indicates an intersection between the first surface F1 and a straight line L1 passing through the point G2 and perpendicular to the first surface F1.

開口105、106は、互いに正確に対向することが好ましい。開口105、106が互いに正確に対向する場合、点G1と点G3との距離D108は、ゼロとなる。しかしながら、種々の要因により、距離D108がゼロより大きくなる場合がある。この距離D108は、20μm以下であることが好ましい。なお、距離D108は、第1面F1に限らず、第1面F1に平行な任意の平面上で規定することができる。距離D108が20μm以下の場合、図3に示すように、貫通孔10hの中央付近の距離(細径部の長さ)が過剰に大きくなることが抑制され、貫通孔10hの中央付近が電解めっき107で閉塞されやすくなり、その後の貫通孔10hへのめっき充填が容易となる。   It is preferable that the openings 105 and 106 face each other exactly. When the openings 105 and 106 are accurately opposed to each other, the distance D108 between the point G1 and the point G3 is zero. However, the distance D108 may be greater than zero due to various factors. This distance D108 is preferably 20 μm or less. The distance D108 is not limited to the first surface F1, but can be defined on an arbitrary plane parallel to the first surface F1. When the distance D108 is 20 μm or less, as shown in FIG. 3, the distance near the center of the through hole 10h (the length of the small diameter portion) is suppressed from becoming excessively large, and the vicinity of the center of the through hole 10h is electrolytically plated. It becomes easy to block | close with 107, and the plating filling to subsequent through-hole 10h becomes easy.

貫通孔10hの内部には、貫通孔10hと同様の形状を有するスルーホール導体10cが設けられる。スルーホール導体10cは、例えば、貫通孔10hの壁面に銅めっきを施すことにより形成される。   A through-hole conductor 10c having the same shape as the through-hole 10h is provided inside the through-hole 10h. The through-hole conductor 10c is formed, for example, by performing copper plating on the wall surface of the through hole 10h.

図2に示されるように、スルーホール導体10cは、開口部101hと同様の形状を有する端部101cを有し、端部101cは、開口105と同様の形状を有する面F5を有する。また、スルーホール導体10cは、開口部102hと同様の形状を有する端部102cを有し、端部102cは、開口106と同様の形状を有する面F6を有する。   As shown in FIG. 2, the through-hole conductor 10 c has an end 101 c having a shape similar to that of the opening 101 h, and the end 101 c has a surface F 5 having a shape similar to that of the opening 105. The through-hole conductor 10c has an end 102c having the same shape as the opening 102h, and the end 102c has a surface F6 having the same shape as the opening 106.

また、スルーホール導体10cの内部には、図1に示されるように、ボイドV1、V2が形成されている。ボイドV1、V2は、例えば、貫通孔10hにスルーホール導体10cが設けられる際に形成された気泡である。本実施形態において、ボイドV1は、端部101c(開口部101h)に含まれており、ボイドV2は、端部102c(開口部102h)に含まれている。   In addition, voids V1 and V2 are formed in the through-hole conductor 10c as shown in FIG. The voids V1 and V2 are, for example, bubbles formed when the through hole conductor 10c is provided in the through hole 10h. In the present embodiment, the void V1 is included in the end portion 101c (opening portion 101h), and the void V2 is included in the end portion 102c (opening portion 102h).

基板10の第1面F1上には、導体層11、21、31、及び絶縁層20、30が交互に積層される。また、基板10の第2面F2上には、導体層12、41、51、及び絶縁層40、50が交互に積層される。   On the first surface F <b> 1 of the substrate 10, the conductor layers 11, 21, 31 and the insulating layers 20, 30 are alternately stacked. On the second surface F2 of the substrate 10, the conductor layers 12, 41, 51 and the insulating layers 40, 50 are alternately stacked.

絶縁層20、30、40、50それぞれは、絶縁性を有し、層間絶縁層に相当する。絶縁層20、30、40、50は、いずれもエポキシ樹脂と無機フィラーとを含む。ただしこれに限定されず、各絶縁層の材料は任意であり、例えばエポキシ樹脂以外の樹脂からなってもよく、また、心材を含んでいてもよい。   Each of the insulating layers 20, 30, 40, and 50 has an insulating property and corresponds to an interlayer insulating layer. The insulating layers 20, 30, 40, and 50 all include an epoxy resin and an inorganic filler. However, it is not limited to this, The material of each insulating layer is arbitrary, For example, it may consist of resin other than an epoxy resin, and may contain the core material.

絶縁層20は、複数の開口部20hを有している。開口部20hは、いずれもビアホールである。本実施形態に係る開口部20hそれぞれは、X−Y平面において円形の形状を有するが、これに限られず、開口部20hを任意の形状としてもよい。また、絶縁層20と同様に、絶縁層30、40、50それぞれは、複数の開口部を有している。   The insulating layer 20 has a plurality of openings 20h. Each opening 20h is a via hole. Each of the openings 20h according to the present embodiment has a circular shape on the XY plane, but is not limited thereto, and the opening 20h may have an arbitrary shape. Similarly to the insulating layer 20, each of the insulating layers 30, 40, 50 has a plurality of openings.

複数の開口部20hそれぞれの内部には、ビア導体20cが設けられる。ビア導体20cは、例えば、開口部20hそれぞれの壁面と底面に銅めっきを施すことにより、開口部20hに充填されるフィルド導体である。ビア導体20cそれぞれは、互いに略同一の太さを有している。また、ビア導体20cは、いずれも導体層11と導体層21とを電気的に接続する。   A via conductor 20c is provided inside each of the plurality of openings 20h. The via conductor 20c is, for example, a filled conductor that fills the opening 20h by performing copper plating on the wall surface and bottom surface of the opening 20h. Each of the via conductors 20c has substantially the same thickness. The via conductors 20c electrically connect the conductor layer 11 and the conductor layer 21 to each other.

ビア導体20cと同様に、絶縁層30が有する複数の開口部それぞれに、ビア導体30cが設けられる。ビア導体30cそれぞれは、互いに略同一の太さを有する。また、ビア導体30cは、いずれも導体層21と導体層31とを電気的に接続する。ビア導体30cそれぞれは、ビア導体20cそれぞれの直上にスタックされる。   Similar to the via conductor 20c, the via conductor 30c is provided in each of the plurality of openings of the insulating layer 30. Each of the via conductors 30c has substantially the same thickness. The via conductors 30 c electrically connect the conductor layer 21 and the conductor layer 31. Each via conductor 30c is stacked immediately above each via conductor 20c.

また、絶縁層40が有する複数の開口部40hそれぞれに、導体層12と導体層41とを電気的に接続するビア導体40cが設けられる。また、絶縁層50が有する複数の開口部それぞれに、導体層41と導体層51とを電気的に接続するビア導体50cが設けられる。ビア導体50cそれぞれは、ビア導体40cそれぞれの直上にスタックされる。   In addition, a via conductor 40 c that electrically connects the conductor layer 12 and the conductor layer 41 is provided in each of the plurality of openings 40 h of the insulating layer 40. In addition, a via conductor 50 c that electrically connects the conductor layer 41 and the conductor layer 51 is provided in each of the plurality of openings of the insulating layer 50. Each via conductor 50c is stacked immediately above each via conductor 40c.

導体層11は、例えば銅めっきにより、第1面F1上に形成される。また、導体層12は、例えば銅めっきにより、第2面F2上に形成される。導体層11は、面状導体11cを有し、導体層12は、面状導体12cを有している。   The conductor layer 11 is formed on the first surface F1 by, for example, copper plating. The conductor layer 12 is formed on the second surface F2 by, for example, copper plating. The conductor layer 11 has a planar conductor 11c, and the conductor layer 12 has a planar conductor 12c.

面状導体11c、12cは、例えばスルーホール導体10cのランドであって、互いに対向する位置に形成される。面状導体11c、12cは、いずれもX−Y平面において円形の形状を有するが、これに限られず、任意の形状としてもよい。面状導体11c、12cは、スルーホール導体10cを介して、互いに電気的に接続される。   The planar conductors 11c and 12c are, for example, lands of the through-hole conductor 10c and are formed at positions facing each other. Each of the planar conductors 11c and 12c has a circular shape in the XY plane, but is not limited thereto, and may have an arbitrary shape. The planar conductors 11c and 12c are electrically connected to each other through the through-hole conductor 10c.

導体層21は、絶縁層20上に形成される。導体層21は、導体パターン21cを有している。導体パターン21cは、複数のビア導体20cのすべてと電気的に接続される。また、導体パターン21cは、複数のビア導体30cのすべてと電気的に接続される。   The conductor layer 21 is formed on the insulating layer 20. The conductor layer 21 has a conductor pattern 21c. The conductor pattern 21c is electrically connected to all of the plurality of via conductors 20c. The conductor pattern 21c is electrically connected to all of the plurality of via conductors 30c.

ここで、X−Y平面におけるスルーホール導体10c、面状導体11c、ビア導体20c、及び導体パターン21cそれぞれの位置の関係について、図4を用いて説明する。   Here, the positional relationship among the through-hole conductor 10c, the planar conductor 11c, the via conductor 20c, and the conductor pattern 21c in the XY plane will be described with reference to FIG.

図4に示される面F5は、スルーホール導体10cと面状導体11cとが互いに接する面を示す。面F5の幅D10は、スルーホール導体10cの最大幅と等しい。   A surface F5 illustrated in FIG. 4 indicates a surface where the through-hole conductor 10c and the planar conductor 11c are in contact with each other. The width D10 of the surface F5 is equal to the maximum width of the through-hole conductor 10c.

また、図4に示されるように、面状導体11cの幅D11は、面F5の幅D10よりも大きい。幅D11は、例えば200〜300μmである。また、幅D10は、例えば100μmである。なお、幅D10は、100μm以下であることが好ましい。   Also, as shown in FIG. 4, the width D11 of the planar conductor 11c is larger than the width D10 of the surface F5. The width D11 is, for example, 200 to 300 μm. Further, the width D10 is, for example, 100 μm. The width D10 is preferably 100 μm or less.

また、図4に示される面F201は、ビア導体20cの内層側の一端(底面)を示す。面F201それぞれの全面は、面状導体11cに接している。面F201の幅D201は、例えば50μmである。   A surface F201 illustrated in FIG. 4 indicates one end (bottom surface) of the via conductor 20c on the inner layer side. The entire surface of each surface F201 is in contact with the planar conductor 11c. A width D201 of the surface F201 is, for example, 50 μm.

また、図4に示される面F202は、ビア導体20cの外層側の一端を示す。面F202それぞれの幅D202は、幅D201より大きい。また、面F202それぞれの全面は、導体パターン21cと接している。   A surface F202 shown in FIG. 4 indicates one end on the outer layer side of the via conductor 20c. The width D202 of each surface F202 is larger than the width D201. Further, the entire surface of each surface F202 is in contact with the conductor pattern 21c.

なお、図4に示される複数の面F201は、いずれも略同一の幅D201を有し、複数の面F202は、いずれも略同一の幅202を有している。   Note that the plurality of surfaces F201 shown in FIG. 4 all have substantially the same width D201, and the plurality of surfaces F202 all have substantially the same width 202.

図1に戻り、導体層31は、絶縁層30上に形成され、パッド31cを有している。パッド31cは、例えば、電子部品を表面実装するためのフットプリントである。パッド31cは、複数のビア導体30cそれぞれの外層側の一端の全面と接している。   Returning to FIG. 1, the conductor layer 31 is formed on the insulating layer 30 and has a pad 31c. The pad 31c is, for example, a footprint for surface mounting electronic components. The pad 31c is in contact with the entire surface of one end on the outer layer side of each of the plurality of via conductors 30c.

導体層41は、絶縁層40上に形成される。導体層41は、導体パターン41cを有している。導体層51は、絶縁層50上に形成される。導体層51は、パッド51cを有している。パッド51cは、複数のビア導体50cそれぞれの外層側の一端の全面と接している。   The conductor layer 41 is formed on the insulating layer 40. The conductor layer 41 has a conductor pattern 41c. The conductor layer 51 is formed on the insulating layer 50. The conductor layer 51 has a pad 51c. The pad 51c is in contact with the entire surface of one end on the outer layer side of each of the plurality of via conductors 50c.

面状導体12c、ビア導体40c、導体パターン41c、及びビア導体50cと、面状導体11c、ビア導体20c、導体パターン21c、及びビア導体30cとは、基板10を基準として対称的に配置される。   The planar conductor 12c, the via conductor 40c, the conductor pattern 41c, and the via conductor 50c, and the planar conductor 11c, the via conductor 20c, the conductor pattern 21c, and the via conductor 30c are arranged symmetrically with respect to the substrate 10. .

また、パッド31c、51cは、スルーホール導体10c、面状導体11c、12c、ビア導体20c、30c、40c、50c、及び導体パターン21c、41cを介して、互いに電気的に接続する。パッド31cからパッド51cへ至る配線は、例えば電源又はグランドに用いられる。この配線が電源等として用いられる場合、電流の経路が短いため、電力損失が小さくなる。ただし、パッド31cからパッド51cへ至る配線は、信号用の配線として用いることもできる。   The pads 31c and 51c are electrically connected to each other through the through-hole conductor 10c, the planar conductors 11c and 12c, the via conductors 20c, 30c, 40c, and 50c, and the conductor patterns 21c and 41c. The wiring from the pad 31c to the pad 51c is used for, for example, a power supply or a ground. When this wiring is used as a power source or the like, the power loss is reduced because the current path is short. However, the wiring from the pad 31c to the pad 51c can also be used as a signal wiring.

以上説明したように、本実施形態に係る配線板100では、ボイドV1を含むスルーホール導体10cの直上に、複数のビア導体20cが形成されている。   As described above, in the wiring board 100 according to the present embodiment, the plurality of via conductors 20c are formed immediately above the through-hole conductor 10c including the void V1.

導体を流れる電流の電流密度が不均一になると、導体に引っ張り応力が生じる。そして、導体を構成する銅原子は、引っ張り応力の高い方へ移動する。この現象は、いわゆるマイグレーションとして知られている。このマイグレーションの結果、ボイドV1は、Z1方向へ移動すると考えられる。   When the current density of the current flowing through the conductor becomes non-uniform, tensile stress is generated in the conductor. And the copper atom which comprises a conductor moves to the one where tensile stress is higher. This phenomenon is known as so-called migration. As a result of this migration, the void V1 is considered to move in the Z1 direction.

本実施形態に係る配線板100では、スルーホール導体10cに単一のビア導体20cがスタックされる場合に比べて、スルーホール導体10c、面状導体11c、及びビア導体20cを流れる電流の電流密度がより均一化される。これにより、ボイドV1の移動を抑制することができると考えられる。   In the wiring board 100 according to the present embodiment, the current density of the current flowing through the through-hole conductor 10c, the planar conductor 11c, and the via conductor 20c is compared with the case where the single via conductor 20c is stacked on the through-hole conductor 10c. Is more uniform. Thereby, it is thought that the movement of the void V1 can be suppressed.

また、本実施形態に係る面状導体11cの幅D11は、面F5の幅D10よりも大きい。これにより、面状導体11cとスルーホール導体10cとを、確実に電気的に接続させることができる。   Further, the width D11 of the planar conductor 11c according to the present embodiment is larger than the width D10 of the surface F5. Thereby, the planar conductor 11c and the through-hole conductor 10c can be reliably electrically connected.

また、本実施形態に係る複数のビア導体20cそれぞれは、互いに略同一の太さを有する。これにより、複数のビア導体20cそれぞれに電流が均一に流れるため、電流密度が不均一になることを防ぐことができる。ひいては、ボイドの移動を抑制することができる。   Further, each of the plurality of via conductors 20c according to the present embodiment has substantially the same thickness. Thereby, since the current flows uniformly to each of the plurality of via conductors 20c, it is possible to prevent the current density from becoming non-uniform. As a result, the movement of the void can be suppressed.

また、本実施形態のように、砂時計型の貫通孔10hにスルーホール導体10cが形成される場合には、ボイドが発生しやすいと考えられる。また、本実施形態のように、積層された基材10bを基板10が有する場合、及び、図2に示される距離D108がゼロより大きくなる場合には、ボイドが発生しやすいと考えられる。本実施形態に係る配線板100は、これらの場合であっても、ボイドV1の移動を抑制することができる。   Further, when the through-hole conductor 10c is formed in the hourglass-shaped through hole 10h as in the present embodiment, it is considered that voids are likely to occur. Moreover, when the board | substrate 10 has the base material 10b laminated | stacked like this embodiment, and when the distance D108 shown by FIG. 2 becomes larger than zero, it is thought that a void is easy to generate | occur | produce. Even in these cases, the wiring board 100 according to the present embodiment can suppress the movement of the void V1.

また、図4に示されるように、スルーホール導体10cと面状導体11cとが接する面F5の面積は、約7850μm(=50×50×3.14)である。また、複数のビア導体20cと面状導体11cとが接する面F201の面積の合計は、約7850μm(=25×25×3.14×4)であって、面F5の面積に等しい。これにより、スルーホール導体10cと面状導体11cとの境界における電流密度は、面状導体11cと複数のビア導体20cとの境界における電流密度と等しくなる。その結果、電流密度が均一化され、ボイドの移動を抑制することができる。 Further, as shown in FIG. 4, the area of the surface F5 where the through-hole conductor 10c and the planar conductor 11c are in contact is approximately 7850 μm 2 (= 50 × 50 × 3.14). The total area of the surface F201 where the plurality of via conductors 20c and the planar conductor 11c contact is approximately 7850 μm 2 (= 25 × 25 × 3.14 × 4), which is equal to the area of the surface F5. Thereby, the current density at the boundary between the through-hole conductor 10c and the planar conductor 11c is equal to the current density at the boundary between the planar conductor 11c and the plurality of via conductors 20c. As a result, the current density is made uniform and the movement of voids can be suppressed.

本実施形態に係る配線板100は、例えば電子部品又は他の配線板と電気的に接続することができる。例えば半田により、パッド31c又は51cに電子部品(例えばICチップ)を実装することができる。また、パッド31c、51cにより、配線板100を他の配線板(例えばマザーボード)に実装することができる。   The wiring board 100 according to the present embodiment can be electrically connected to, for example, an electronic component or another wiring board. For example, an electronic component (for example, an IC chip) can be mounted on the pad 31c or 51c by solder. Further, the wiring board 100 can be mounted on another wiring board (for example, a mother board) by the pads 31c and 51c.

続いて、図5〜16を参照しつつ、配線板100の製造方法について説明する。   Then, the manufacturing method of the wiring board 100 is demonstrated, referring FIGS.

まず、図5に示されるように、両面銅張積層板10pを準備する。両面銅張積層板10pは、基板10、基板10の第1面F1上に形成された銅箔13、及び第2面F2上に形成された銅箔14から構成される。   First, as shown in FIG. 5, a double-sided copper-clad laminate 10p is prepared. The double-sided copper-clad laminate 10p includes a substrate 10, a copper foil 13 formed on the first surface F1 of the substrate 10, and a copper foil 14 formed on the second surface F2.

次に、例えばCO2レーザやUVレーザを両面銅張積層板10pの両面に照射する。これにより、図6に示されるように、開口部101h、102hを有する貫通孔10hが形成される。その後、貫通孔10hにデスミアを施す。なお、レーザの照射は、片面ずつ行ってもよいし、両面同時に行ってもよい。また、レーザ照射に先立って、銅箔13、14の表面に黒化処理を施してもよい。   Next, for example, both surfaces of the double-sided copper-clad laminate 10p are irradiated with CO2 laser or UV laser. Thereby, as shown in FIG. 6, a through hole 10 h having openings 101 h and 102 h is formed. Thereafter, desmear is applied to the through hole 10h. Note that laser irradiation may be performed on each side or on both sides simultaneously. Prior to laser irradiation, the surfaces of the copper foils 13 and 14 may be blackened.

次に、例えばPd等の触媒を、貫通孔10hの壁面等に付与する。その後、図7に示されるように、無電解めっきにより、貫通孔10hの壁面を含む基板表面に、例えば銅からなる無電解めっき膜15を形成する。なお、無電解めっき膜15の材料は、ニッケルや、チタン、クロム等であってもよい。また、無電解めっき膜15以外に、スパッタ膜やCVD膜を用いることもできる。スパッタ膜やCVD膜の場合に、触媒は不要となる。   Next, for example, a catalyst such as Pd is applied to the wall surface of the through hole 10h. Thereafter, as shown in FIG. 7, an electroless plating film 15 made of, for example, copper is formed on the substrate surface including the wall surface of the through hole 10h by electroless plating. Note that the material of the electroless plating film 15 may be nickel, titanium, chromium, or the like. In addition to the electroless plating film 15, a sputtered film or a CVD film can also be used. In the case of a sputtered film or a CVD film, no catalyst is required.

次に、図8に示されるように、無電解めっき膜15をシード層として、電解めっきにより、電解めっき膜16を形成する。これにより、無電解めっき膜15及び電解めっき16が貫通孔10hに充填され、ボイドV1、V2を含むスルーホール導体10cが形成される。   Next, as shown in FIG. 8, an electroplating film 16 is formed by electroplating using the electroless plating film 15 as a seed layer. Thereby, the electroless plating film 15 and the electrolytic plating 16 are filled in the through hole 10h, and the through-hole conductor 10c including the voids V1 and V2 is formed.

次に、図9に示されるように、例えばフォトリソグラフィ技術により、エッチングレジスト17を形成する。エッチングレジスト17の形状は、導体層11、12が有する導体パターン(図10を参照)に対応する。   Next, as shown in FIG. 9, an etching resist 17 is formed by, for example, a photolithography technique. The shape of the etching resist 17 corresponds to the conductor pattern (see FIG. 10) of the conductor layers 11 and 12.

次に、基板10の第1面F1上及び第2面F2上に形成された導体膜のうち、エッチングレジスト17で覆われない部分を、エッチングで除去する。これにより、図10に示されるように、面状導体11cを有する導体層11、及び面状導体12cを有する導体層12が形成される。その後、必要に応じて、導体層11、12の表面を粗面化して、外層側に設ける絶縁層20、40との密着性を確保する。   Next, portions of the conductor film formed on the first surface F1 and the second surface F2 of the substrate 10 that are not covered with the etching resist 17 are removed by etching. Thereby, as shown in FIG. 10, the conductor layer 11 having the planar conductor 11c and the conductor layer 12 having the planar conductor 12c are formed. Thereafter, if necessary, the surfaces of the conductor layers 11 and 12 are roughened to ensure adhesion with the insulating layers 20 and 40 provided on the outer layer side.

次に、図11に示されるように、導体層11を覆うように、基板10の第1面F1上に絶縁層20を圧着する。この絶縁層20の片面には、銅箔22が形成されている。また、導体層12を覆うように、基板10の第2面F2上に絶縁層40を圧着する。この絶縁層40の片面には、銅箔42が形成されている。   Next, as shown in FIG. 11, the insulating layer 20 is pressure-bonded on the first surface F <b> 1 of the substrate 10 so as to cover the conductor layer 11. A copper foil 22 is formed on one surface of the insulating layer 20. Further, the insulating layer 40 is pressure-bonded on the second surface F2 of the substrate 10 so as to cover the conductor layer 12. A copper foil 42 is formed on one surface of the insulating layer 40.

次に、レーザを照射することにより、開口部20h、40hを形成する。具体的には、図12に示されるように、絶縁層20に複数の開口部20hが形成され、絶縁層40に複数の開口部40hが形成される。その後、必要に応じてデスミアを行う。   Next, the openings 20h and 40h are formed by laser irradiation. Specifically, as shown in FIG. 12, a plurality of openings 20 h are formed in the insulating layer 20, and a plurality of openings 40 h are formed in the insulating layer 40. Then, desmear is performed as needed.

次に、開口部20h、40hの壁面等に、例えばPd等の触媒を付与する。そして、例えば化学めっき法により、図13に示されるように、銅箔22、42上、及び開口部20h、40h内に、銅からなる無電解めっき膜23、43を形成する。なお、無電解めっき膜23、43の材料は銅に限られず任意であり、例えば、ニッケル、チタン、又はクロムであってもよい。   Next, a catalyst such as Pd is applied to the wall surfaces of the openings 20h and 40h. Then, as shown in FIG. 13, for example, by chemical plating, electroless plating films 23 and 43 made of copper are formed on the copper foils 22 and 42 and in the openings 20 h and 40 h. In addition, the material of the electroless plating films 23 and 43 is not limited to copper, and may be any, for example, nickel, titanium, or chromium.

次に、ドライフィルムを成膜して、リソグラフィ技術によりパターニングする。これにより、図14に示されるように、無電解めっき膜23、43上に、開口部24h、44hを有するめっきレジスト24,44が形成される。めっきレジスト24、44それぞれの開口部24h、44hは、導体層21、41それぞれが有する導体パターン(図16を参照)に対応するパターンを有する。   Next, a dry film is formed and patterned by a lithography technique. Thereby, as shown in FIG. 14, plating resists 24 and 44 having openings 24 h and 44 h are formed on the electroless plating films 23 and 43. The openings 24h and 44h of the plating resists 24 and 44 have patterns corresponding to the conductor patterns (see FIG. 16) of the conductor layers 21 and 41, respectively.

次に、例えばパターンめっき法により、開口部24h、44hに電解めっき膜25、45を形成する。これにより、図15に示されるように、開口部20h、40hそれぞれに電解めっき膜25、45が充填され、銅からなるビア導体20c、40cが形成される。なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、スパッタ膜又はCVD膜等をシード層として用いてもよい。   Next, electrolytic plating films 25 and 45 are formed in the openings 24h and 44h by, for example, pattern plating. As a result, as shown in FIG. 15, electrolytic plating films 25 and 45 are filled in the openings 20h and 40h, respectively, and via conductors 20c and 40c made of copper are formed. The seed layer for electrolytic plating is not limited to the electroless plating film, and a sputtered film, a CVD film, or the like may be used as the seed layer.

その後、所定の剥離液を用いて、めっきレジスト24、44を除去する。また、不要な無電解めっき膜23、43、及び銅箔22、42を除去する(クイックエッチング)。これにより、図16に示されるように、導体層21、41が形成される。   Thereafter, the plating resists 24 and 44 are removed using a predetermined stripping solution. Further, unnecessary electroless plating films 23 and 43 and copper foils 22 and 42 are removed (quick etching). Thereby, the conductor layers 21 and 41 are formed as shown in FIG.

次に、絶縁層20、40及び導体層21、41の形成と同様にして、絶縁層30、50及び導体層31、51を形成する。   Next, the insulating layers 30 and 50 and the conductor layers 31 and 51 are formed in the same manner as the formation of the insulating layers 20 and 40 and the conductor layers 21 and 41.

以上の工程により、本実施形態に係る配線板100が完成する。その後、必要があれば電気テストを実施する。また、絶縁層30、50上及び導体層31、51上にソルダーレジスト層を形成してもよい。また、パッド31c、51c上に外部接続端子(半田バンプ)を形成してもよい。   Through the above steps, the wiring board 100 according to the present embodiment is completed. Then perform electrical tests if necessary. A solder resist layer may be formed on the insulating layers 30 and 50 and the conductor layers 31 and 51. Further, external connection terminals (solder bumps) may be formed on the pads 31c and 51c.

本実施形態に係る製造方法は、配線板100の製造に適している。この製造方法により、低コストで、良好な配線板100を得ることができると考えられる。   The manufacturing method according to the present embodiment is suitable for manufacturing the wiring board 100. It is considered that this manufacturing method can provide a good wiring board 100 at low cost.

本実施形態では、めっきにより貫通孔10hに導体を充填することで、スルーホール導体10cを形成する。このため、樹脂充填や研磨工程が必要ない。その結果、プロセスの簡略化やコスト削減を図ることができる。   In this embodiment, the through-hole conductor 10c is formed by filling the through hole 10h with a conductor by plating. For this reason, resin filling and polishing processes are not required. As a result, the process can be simplified and the cost can be reduced.

なお、配線板100は、基板10の両面に導体層を有する両面プリント配線板であるが、製造可能な配線板は、これに限定されない。例えば基板10の片面のみに配線層を有する片面プリント配線板などの製造にも、本発明に係る製造方法を適用することができる。   In addition, although the wiring board 100 is a double-sided printed wiring board which has a conductor layer on both surfaces of the board | substrate 10, the wiring board which can be manufactured is not limited to this. For example, the manufacturing method according to the present invention can also be applied to manufacturing a single-sided printed wiring board having a wiring layer only on one side of the substrate 10.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態によって限定されるものではない。例えば、以下のように変形して実施することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited by the said embodiment. For example, the following modifications can be made.

上記実施形態に係る面状導体11cは、面F5の幅より大きい幅を有したが、これに限定されず、例えば図17に示されるように、面F5の幅と面状導体11cの幅とを等しくしてもよい。   The planar conductor 11c according to the above embodiment has a width larger than the width of the surface F5, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 17, the width of the surface F5 and the width of the planar conductor 11c May be equal.

上記実施形態に係る絶縁層20には、図4に示されるように4個のビア導体20cが形成されたが、これに限定されず、例えば図18に示されるように、3個のビア導体20cが形成されてもよい。また、絶縁層20に形成されるビア導体20cの数は、2個以下でもよいし、5個以上でもよい。   In the insulating layer 20 according to the above embodiment, four via conductors 20c are formed as shown in FIG. 4, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 20c may be formed. Further, the number of via conductors 20c formed in the insulating layer 20 may be two or less, or five or more.

上記実施形態に係る貫通孔10h及びスルーホール導体10cは、砂時計型であった。これに限られず、貫通孔10h及びスルーホール導体10cは、例えば図19に示されるように、略円柱状の形状を有していてもよい。この場合、上記実施形態に係る面F3を規定することが困難となるが、第1面F1と平行であって、第1面F1からの距離と第2面F2からの距離とが等しい面を面F3として規定すればよい。   The through-hole 10h and the through-hole conductor 10c according to the above embodiment were hourglass types. The through hole 10h and the through hole conductor 10c are not limited to this, and may have a substantially cylindrical shape as shown in FIG. 19, for example. In this case, it is difficult to define the surface F3 according to the above embodiment, but the surface is parallel to the first surface F1 and the distance from the first surface F1 is equal to the distance from the second surface F2. What is necessary is just to prescribe | regulate as the surface F3.

上記実施形態に係る配線板100は、6層の導体層から構成されたが、図20に示されるように、さらに多層の導体層を有する配線板を構成することもできる。また、6層より少ない導体層を有する配線板を構成することもできる。   Although the wiring board 100 according to the above embodiment is composed of six conductor layers, as shown in FIG. 20, it is also possible to constitute a wiring board having a multilayer conductor layer. In addition, a wiring board having fewer than six conductor layers can be configured.

上記実施形態では、スルーホール導体10cの端部101cがボイドV1を含み、端部102cがボイドV2を含む。これに限られず、ボイドの数や形状は任意である。例えば、図20に示されるスルーホール導体10eのように、面F3と交差するボイドV3を含んでもよい。   In the above embodiment, the end 101c of the through-hole conductor 10c includes the void V1, and the end 102c includes the void V2. However, the number and shape of the voids are not limited to this and are arbitrary. For example, like the through-hole conductor 10e shown in FIG. 20, a void V3 that intersects the plane F3 may be included.

上記実施形態に係るビア導体20c、30c、40c、50cは、最外層までスタックされる構造(フルスタック構造)を有したが、これに限られない。例えば、配線板100は、図20に示されるように、部分的にビア導体がスタックされる構造(部分スタック構造)S1、S2、S3を有してもよい。   The via conductors 20c, 30c, 40c, and 50c according to the above embodiment have a structure (full stack structure) that is stacked up to the outermost layer, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 20, the wiring board 100 may have a structure (partial stack structure) S1, S2, and S3 in which via conductors are partially stacked.

上記実施形態に係る基板10には、ボイドV1、V2を含むスルーホール導体10cのみが形成された。これに限定されず、例えば図20に示されるように、ボイドを含む複数のスルーホール導体10d、10eが基板10に形成されてもよい。また、ボイドを含まずに、直上に複数のビア導体を有しないスルーホール導体10fと、ボイドを含むスルーホール導体10d、10eとが混在してもよい。   Only the through-hole conductor 10c including the voids V1 and V2 was formed on the substrate 10 according to the above embodiment. For example, as illustrated in FIG. 20, a plurality of through-hole conductors 10 d and 10 e including voids may be formed on the substrate 10. In addition, a through-hole conductor 10f that does not include a void and does not have a plurality of via conductors directly above and through-hole conductors 10d and 10e that include a void may be mixed.

また、上記実施形態に係るスルーホール導体10c、及びビア導体20cは、導体が貫通孔10h及び開口部20hに充填されることにより形成された。これに限定されず、貫通孔10h及び開口部20hの内壁にスルーホール導体10c、及びビア導体20cを形成してもよい。内壁にスルーホール導体10c及びビア導体20cが形成される場合には、スルーホール導体10c、及びビア導体20cの内部に樹脂等が充填される。また、この場合には、導体と樹脂との間にボイド(気泡)が形成されるおそれがある。このような場合であっても、上記実施形態と同様にビア導体20cを形成することで、ボイドの移動を抑制することができる。   In addition, the through-hole conductor 10c and the via conductor 20c according to the above embodiment are formed by filling the through hole 10h and the opening 20h with the conductor. The through hole conductor 10c and the via conductor 20c may be formed on the inner walls of the through hole 10h and the opening 20h. When the through-hole conductor 10c and the via conductor 20c are formed on the inner wall, the through-hole conductor 10c and the via conductor 20c are filled with resin or the like. In this case, a void (bubble) may be formed between the conductor and the resin. Even in such a case, the movement of the void can be suppressed by forming the via conductor 20c as in the above embodiment.

また、配線板100の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。   In addition, the configuration of the wiring board 100, in particular, the type, performance, dimensions, material, shape, number of layers, or arrangement of the components can be arbitrarily changed without departing from the spirit of the present invention.

また、配線板の製造方法は、上記実施形態にて説明した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。   Moreover, the manufacturing method of a wiring board is not limited to the order and content demonstrated in the said embodiment, In the range which does not deviate from the meaning of this invention, an order and content can be changed arbitrarily. Moreover, you may omit the process which is not required according to a use etc.

例えば各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ(SAP)法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか1つ、又はこれらの2以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。   For example, the formation method of each conductor layer is arbitrary. For example, any one of a panel plating method, a pattern plating method, a full additive method, a semi-additive (SAP) method, a subtractive method, a transfer method, and a tenting method, or a combination of any two or more thereof. A conductor layer may be formed.

また、レーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましいと考えられる。   Further, instead of the laser, processing may be performed by wet or dry etching. In the case of processing by etching, it is considered preferable to protect a portion that is not desired to be removed in advance with a resist or the like.

上記実施形態及び変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましいと考えられる。   The said embodiment and modification can be combined arbitrarily. It is considered preferable to select an appropriate combination according to the application.

以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。   The embodiment of the present invention has been described above. However, various modifications and combinations required for design reasons and other factors are not limited to the invention described in the “claims” or the “mode for carrying out the invention”. It should be understood that it is included in the scope of the invention corresponding to the specific examples described in the above.

10 基板
10b 基材
10c、10d、10e、10f スルーホール導体
10h 貫通孔
100 配線板
101h、102h 開口部
101c、102c 端部
103 括れ部
105、106 開口
107 電解めっき
10p 両面銅張積層板
11、12、21、31、41、51 導体層
11c、12c 面状導体
13、14、22、42 銅箔
15、23、43 無電解めっき膜
16、25、45 電解めっき膜
17 エッチングレジスト
20、30、40、50 絶縁層
20c、30c、40c、50c ビア導体
20h、24h、40h、44h、101、102 開口部
21c、41c 導体パターン
24、44 めっきレジスト
31c、51c パッド
F1 第1面
F2 第2面
F3、F5、F6、F201、F202 面
G1、G2、G3 点
S1、S2 構造
V1、V2、V3 ボイド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate 10b Base material 10c, 10d, 10e, 10f Through-hole conductor 10h Through-hole 100 Wiring board 101h, 102h Opening part 101c, 102c End part 103 Constriction part 105, 106 Opening 107 Electrolytic plating 10p Double-sided copper clad laminated board 11, 12 , 21, 31, 41, 51 Conductor layer 11c, 12c Planar conductor 13, 14, 22, 42 Copper foil 15, 23, 43 Electroless plating film 16, 25, 45 Electrolytic plating film 17 Etching resist 20, 30, 40 50 Insulating layer 20c, 30c, 40c, 50c Via conductor 20h, 24h, 40h, 44h, 101, 102 Opening 21c, 41c Conductive pattern 24, 44 Plating resist 31c, 51c Pad F1 First surface F2 Second surface F3, F5, F6, F201, F202 plane G1, G2, G3 S1, S2 structure V1, V2, V3 void

Claims (18)

第1面と該第1面とは反対側の第2面とを備え、貫通孔を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第1面上に形成されている第1面状導体と、
前記コア基板の前記第2面上に形成されている第2面状導体と、
前記貫通孔の内部に設けられ、前記第1面状導体と前記第2面状導体とを接続するスルーホール導体と、
前記コア基板の前記第1面上及び前記第1面状導体上に形成されている絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されている導体パターンと、
を有する配線板であって、
前記絶縁層には、前記第1面状導体の一部を露出する開口部が複数設けられ、
前記開口部それぞれの内部には、前記導体パターンと前記第1面状導体とを接続するビア導体が形成され、
前記スルーホール導体の内部には、ボイドが含まれている、
配線板。
A core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and having a through hole;
A first planar conductor formed on the first surface of the core substrate;
A second planar conductor formed on the second surface of the core substrate;
A through-hole conductor provided inside the through hole and connecting the first planar conductor and the second planar conductor;
An insulating layer formed on the first surface and the first planar conductor of the core substrate;
A conductor pattern formed on the insulating layer;
A wiring board having
The insulating layer is provided with a plurality of openings exposing a part of the first planar conductor,
Via conductors connecting the conductor pattern and the first planar conductor are formed inside each of the openings,
The inside of the through-hole conductor contains a void,
Wiring board.
前記第1面状導体の幅は、前記スルーホール導体の幅より大きい、
請求項1に記載の配線板。
A width of the first planar conductor is greater than a width of the through-hole conductor;
The wiring board according to claim 1.
複数の前記ビア導体それぞれの一端の全面は、前記第1面状導体に接する、
請求項1又は2に記載の配線板。
The entire surface of one end of each of the plurality of via conductors is in contact with the first planar conductor;
The wiring board according to claim 1 or 2.
前記貫通孔は、前記コア基板の前記第1面に開口する第1開口と、前記第2面に開口する第2開口と、を有し、
前記第1開口の重心及び前記第2開口の重心は、前記第1面に平行な平面において互いに離間している、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の配線板。
The through hole has a first opening that opens in the first surface of the core substrate, and a second opening that opens in the second surface;
The center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening are separated from each other in a plane parallel to the first surface;
The wiring board according to any one of claims 1 to 3.
前記スルーホール導体は、前記第1面状導体に接し、前記第1面に近いところほど太くなる端部を有し、
前記ボイドは、前記端部に含まれる、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の配線板。
The through-hole conductor has an end that comes into contact with the first planar conductor and becomes thicker as it is closer to the first surface.
The void is included in the end,
The wiring board according to any one of claims 1 to 4.
前記コア基板の厚さは、400μm以下である、
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の配線板。
The core substrate has a thickness of 400 μm or less.
The wiring board according to any one of claims 1 to 5.
前記第1面に平行な平面における前記第1開口の重心と前記第2開口の重心との距離は、20μm以下である、
請求項4に記載の配線板。
The distance between the center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening in a plane parallel to the first surface is 20 μm or less.
The wiring board according to claim 4.
前記貫通孔の最大幅は、100μm以下である、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の配線板。
The maximum width of the through hole is 100 μm or less.
The wiring board according to any one of claims 1 to 7.
複数の前記ビア導体それぞれは、互いに略同一の太さである、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の配線板。
Each of the plurality of via conductors has substantially the same thickness.
The wiring board according to any one of claims 1 to 8.
複数の前記ビア導体それぞれと前記第1面状導体とが接する面の面積の合計は、前記スルーホール導体と前記第1面状導体とが接する面の面積に等しい、
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の配線板。
The total area of the surfaces where each of the plurality of via conductors and the first planar conductor are in contact is equal to the area of the surface where the through-hole conductor and the first planar conductor are in contact,
The wiring board according to any one of claims 1 to 9.
第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有するコア基板を用意することと、
前記コア基板に貫通孔を形成することと、
前記コア基板の前記第1面上に第1面状導体を形成することと、
前記コア基板の前記第2面上に第2面状導体を形成することと、
前記貫通孔の内部に、前記第1面状導体と前記第2面状導体とを接続するスルーホール導体を形成することと、
前記コア基板の前記第1面上及び前記第1面状導体上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層上に導体パターンを形成することと、
を有する配線板の製造方法であって、
前記スルーホール導体の内部には、ボイドが含まれ、
前記絶縁層に、前記第1面状導体の一部を露出する開口部を複数設け、
前記開口部それぞれの内部に、前記導体パターンと前記第1面状導体とを接続するビア導体を形成する、
配線板の製造方法。
Providing a core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
Forming a through hole in the core substrate;
Forming a first planar conductor on the first surface of the core substrate;
Forming a second planar conductor on the second surface of the core substrate;
Forming a through-hole conductor connecting the first planar conductor and the second planar conductor in the through hole; and
Forming an insulating layer on the first surface of the core substrate and on the first planar conductor;
Forming a conductor pattern on the insulating layer;
A method of manufacturing a wiring board having
Inside the through-hole conductor, a void is included,
The insulating layer is provided with a plurality of openings exposing a part of the first planar conductor,
Forming a via conductor connecting the conductor pattern and the first planar conductor in each of the openings;
A method for manufacturing a wiring board.
前記第1面状導体の幅は、前記スルーホール導体の幅より大きい、
請求項11に記載の配線板の製造方法。
A width of the first planar conductor is greater than a width of the through-hole conductor;
The manufacturing method of the wiring board of Claim 11.
複数の前記ビア導体それぞれの一端の全面は、前記第1面状導体に接する、
請求項11又は12に記載の配線板の製造方法。
The entire surface of one end of each of the plurality of via conductors is in contact with the first planar conductor;
The manufacturing method of the wiring board of Claim 11 or 12.
前記貫通孔は、前記コア基板の前記第1面に開口する第1開口と、前記第2面に開口する第2開口と、を有し、
前記第1開口の重心及び前記第2開口の重心は、前記第1面に平行な平面において互いに離間している、
請求項11乃至13のいずれか1項に記載の配線板の製造方法。
The through hole has a first opening that opens in the first surface of the core substrate, and a second opening that opens in the second surface;
The center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening are separated from each other in a plane parallel to the first surface;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 11.
前記スルーホール導体は、前記第1面状導体に接し、前記第1面に近いところほど太くなる端部を有し、
前記ボイドは、前記端部に含まれる、
請求項11乃至14のいずれか1項に記載の配線板の製造方法。
The through-hole conductor has an end that comes into contact with the first planar conductor and becomes thicker as it is closer to the first surface.
The void is included in the end,
The manufacturing method of the wiring board of any one of Claims 11 thru | or 14.
前記コア基板の厚さは、400μm以下である、
請求項11乃至15のいずれか1項に記載の配線板の製造方法。
The core substrate has a thickness of 400 μm or less.
The manufacturing method of the wiring board of any one of Claims 11 thru | or 15.
前記第1面に平行な平面における前記第1開口の重心と前記第2開口の重心との距離は、20μm以下である、
請求項14に記載の配線板の製造方法。
The distance between the center of gravity of the first opening and the center of gravity of the second opening in a plane parallel to the first surface is 20 μm or less.
The manufacturing method of the wiring board of Claim 14.
前記貫通孔の最大幅は、100μm以下である、
請求項11乃至17のいずれか1項に記載の配線板の製造方法。
The maximum width of the through hole is 100 μm or less.
The manufacturing method of the wiring board of any one of Claims 11 thru | or 17.
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