JP2013197107A - Imprint device and article production method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique that is advantageous in achieving accuracy of a pattern imprinted onto a substrate and maintaining continuity in a plane of the substrate.SOLUTION: An imprint device includes: a plurality of detection parts 5a to 5h for detecting a first mark formed for a mold and a second mark formed on a substrate 1 so as to correspond to the first mark; and a control part for controlling imprint processing, wherein the control part positions the plurality of detection parts 5a to 5h so that the plurality of detection parts 5a to 5h each detect the first mark and the second mark, aligns the mold and the substrate 1 on the basis of results of the detection of the first mark and the second mark by the plurality of detection parts 5a to 5h, drives, prior to irradiation of a resin with light, a first detection part, out of the plurality of detection parts 5a to 5h, which is positioned on an optical path of the light so that the first detection part is retracted from the optical path of the light, and aligns the mold and the substrate 1 on the basis of the result of the detection of the first mark and the second mark by a second detection part, out of the plurality of detection parts 5a to 5h, which is other than the first detection part.

Description

本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus and an article manufacturing method.

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術として知られている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド(型)を基板の上の樹脂(インプリント材)に押し付けた状態で樹脂を硬化させて基板の上にパターンを転写する。   The imprint technique is a technique that enables transfer of a nanoscale fine pattern, and is known as a nanolithography technique for mass production of semiconductor devices and magnetic storage media. An imprint apparatus using an imprint technique transfers a pattern onto a substrate by curing the resin while pressing a mold (mold) on which the pattern is formed on the resin (imprint material) on the substrate.

基板の上の樹脂を硬化させる方法の1つである光硬化法は、紫外光硬化型の樹脂と透明なモールドとを接触させた状態で紫外光を照射し、樹脂を硬化させてからモールドを剥離(離型)する。光硬化法は、比較的容易に温度を制御することができることや透明なモールドを介して基板に形成されたアライメントマークを検出できることなどから、半導体デバイスや磁気記憶媒体の製造に適している。   The photo-curing method, which is one of the methods for curing the resin on the substrate, irradiates the ultraviolet light in a state where the ultraviolet light-curing resin and the transparent mold are in contact with each other, and then cures the resin. Peel (release). The photocuring method is suitable for manufacturing a semiconductor device and a magnetic storage medium because the temperature can be controlled relatively easily and an alignment mark formed on the substrate can be detected through a transparent mold.

また、インプリント装置では、モールドと基板とのアライメント(位置合わせ)方式として、ダイバイダイアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板の上の複数のショット領域ごとに、かかるショット領域に形成されたアライメントマークを光学的に検出してモールドと基板との位置関係のずれを補正するアライメント方式である。ダイバイダイアライメント方式において、ショット領域に形成されたアライメントマークを光学的に検出する検出装置(スコープ)に関する技術は従来から幾つか提案されている(特許文献1及び2参照)。かかるスコープは、基板の上の樹脂を硬化させるための光(例えば、紫外光)との干渉を避けるために、基板に対して角度を有して配置されている。   In the imprint apparatus, a die-by-die alignment method is employed as an alignment (positioning) method between the mold and the substrate. The die-by-die alignment method is an alignment method in which, for each of a plurality of shot regions on a substrate, an alignment mark formed in the shot region is optically detected to correct a positional deviation between the mold and the substrate. . In the die-by-die alignment method, several techniques related to a detection device (scope) for optically detecting an alignment mark formed in a shot region have been proposed (see Patent Documents 1 and 2). Such a scope is disposed at an angle with respect to the substrate in order to avoid interference with light (for example, ultraviolet light) for curing the resin on the substrate.

インプリント装置では、基板のエッジ近傍のショット領域、所謂、モールドのパターンの全体を転写することができない欠けショット領域に対しても歩留まり並びに後工程のための基板面内の連続性の観点から、インプリント処理を行う必要がある。アライメントマークは、一般的に、ショット領域に含まれる複数のチップ領域のそれぞれの周辺の四隅に形成されている。スコープは、これらのアライメントマークのうち、ショット領域の周辺の四隅に位置するアライメントマークを検出している。但し、欠けショット領域では、欠けショット領域の周辺の四隅の全てにアライメントマークがあるとは限らない。従って、欠けショット領域に対してインプリント処理を行う場合には、欠けショット領域に含まれるチップ領域に形成されたアライメントマークを検出できるようにスコープを駆動する必要がある。   In the imprint apparatus, from the viewpoint of the continuity in the substrate surface for the yield and the subsequent process even for the shot area near the edge of the substrate, that is, the missing shot area where the entire pattern of the mold cannot be transferred. It is necessary to perform imprint processing. The alignment marks are generally formed at the four corners around each of a plurality of chip areas included in the shot area. Of these alignment marks, the scope detects alignment marks located at the four corners around the shot area. However, in the missing shot area, the alignment marks are not always present at all the four corners around the missing shot area. Therefore, when imprint processing is performed on the missing shot area, it is necessary to drive the scope so that alignment marks formed on the chip area included in the missing shot area can be detected.

米国特許出願公開第2007/0231421号明細書US Patent Application Publication No. 2007/0231421 米国特許出願公開第2010/0110434号明細書US Patent Application Publication No. 2010/0110434

インプリント装置においては、インプリント処理の間、詳細には、基板の上の樹脂が硬化するまではモールドと基板との位置関係がずれてしまう可能性があるため、スコープによるアライメントマークの検出を継続する必要がある。従って、欠けショット領域では、チップ領域に応じて駆動したスコープが樹脂を硬化させるための光と干渉し、欠けショット領域の上の一部の樹脂に光が照射されず、かかる樹脂が硬化しなくなる。その結果、パターン転写後のプロセス(例えば、エッチングなど)において、基板に対して均一な処理を施すことが難しくなり、基板全体での歩留まりの低下を引き起こしてしまう。   In the imprint apparatus, during the imprint process, the positional relationship between the mold and the substrate may be shifted until the resin on the substrate is cured. Need to continue. Therefore, in the chipped shot area, the scope driven according to the chip area interferes with the light for curing the resin, and the resin on the chipped shot area is not irradiated with light, and the resin is not cured. . As a result, it becomes difficult to perform uniform processing on the substrate in a process (for example, etching) after pattern transfer, which causes a decrease in yield of the entire substrate.

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板の上に転写されるパターンの精度や基板面内の連続性を維持するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。   The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and an exemplary object thereof is to provide an advantageous technique for maintaining the accuracy of a pattern transferred onto a substrate and the continuity within the substrate surface. To do.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で、前記樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させることで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドに形成された第1マークと、該第1マークに対応して前記基板の上に形成された第2マークとを検出する複数の検出部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の検出部のそれぞれが前記第1マークと前記第2マークとを検出するように前記複数の検出部を位置決めし、前記複数の検出部によって前記第1マークと前記第2マークとを検出した検出結果に基づいて前記モールドと前記基板との位置合わせを行い、前記樹脂に前記光を照射する前に、前記複数の検出部のうち、前記光の光路上に位置する第1検出部を前記光の光路上から退避させるように前記第1検出部を駆動し、前記複数の検出部のうち、前記第1検出部を除く第2検出部によって前記第1マークと前記第2マークとを検出した検出結果に基づいて前記モールドと前記基板との位置合わせを行うことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an imprint apparatus according to one aspect of the present invention cures the resin by irradiating the resin with light in a state where the resin on the substrate is in contact with the mold. An imprint apparatus that performs an imprint process for transferring a pattern to the substrate, the first mark formed on the mold, and the second mark formed on the substrate corresponding to the first mark; And a control unit that controls the imprint process, wherein the control unit detects the first mark and the second mark, respectively. And positioning the mold and the substrate on the basis of the detection results of detecting the first mark and the second mark by the plurality of detection units. Before irradiating light, among the plurality of detection units, the first detection unit is driven so as to retract a first detection unit located on the optical path of the light from the optical path of the light, and the plurality Among the detection units, the mold and the substrate are aligned based on a detection result obtained by detecting the first mark and the second mark by the second detection unit excluding the first detection unit. And

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、基板の上に転写されるパターンの精度や基板面内の連続性を維持するのに有利な技術を提供する。   According to the present invention, for example, a technique advantageous in maintaining the accuracy of a pattern transferred onto a substrate and the continuity within the substrate surface is provided.

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the imprint apparatus as 1 side surface of this invention. モアレ模様を用いた2つのマークの相対的な位置の検出原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the detection principle of the relative position of two marks using a moire pattern. 図1に示すインプリント装置の補正機構の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the correction | amendment mechanism of the imprint apparatus shown in FIG. 基板(基板側のアライメントマーク)と、モールド(モールド側のアライメントマーク)と、複数の検出部との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of a board | substrate (substrate side alignment mark), a mold (mold side alignment mark), and a some detection part. 図1に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。3 is a flowchart for explaining imprint processing in the imprint apparatus shown in FIG. 1.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、半導体デバイスや磁気記憶媒体の製造工程で使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、基板の上の樹脂(インプリント材)とモールド(型)とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離(離型)することで基板の上にパターンを転写するインプリント処理を行う。インプリント装置100は、光(本実施形態では、紫外光)を照射して樹脂(本実施形態では、紫外光硬化型の樹脂)を硬化させる光硬化法を採用する。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus 100 according to one aspect of the present invention. The imprint apparatus 100 is a lithographic apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices and magnetic storage media. The imprint apparatus 100 cures the resin in a state where the resin (imprint material) on the substrate and the mold (mold) are in contact with each other, and peels (releases) the mold from the cured resin. An imprint process is performed to transfer the pattern. The imprint apparatus 100 employs a photocuring method in which resin (ultraviolet light curable resin in the present embodiment) is irradiated with light (ultraviolet light in the present embodiment) to cure the resin.

インプリント装置100は、基板1を保持して移動する基板ステージ2と、モールド3を保持して移動するヘッド4と、複数の検出部5と、補正機構8と、光源9と、制御部10とを有する。また、インプリント装置100は、基板1の上に紫外光硬化型の樹脂を供給(塗布)するためのディスペンサ、ヘッド4を支持するためのブリッジ定盤、基板ステージ2を支持するためのベース定盤なども有する。   The imprint apparatus 100 includes a substrate stage 2 that moves while holding the substrate 1, a head 4 that moves while holding the mold 3, a plurality of detection units 5, a correction mechanism 8, a light source 9, and a control unit 10. And have. The imprint apparatus 100 also includes a dispenser for supplying (coating) an ultraviolet light curable resin onto the substrate 1, a bridge surface plate for supporting the head 4, and a base surface for supporting the substrate stage 2. It also has a board.

本実施形態では、現在、インプリントで一般的に使用されている揮発性の高い樹脂を想定し、インプリント装置内にディスペンサを構成している。但し、揮発性の低い樹脂であれば、事前にスピンコート等で基板全面に樹脂を塗布することができるため、インプリント装置内にディスペンサを構成する必要はない。   In the present embodiment, a dispenser is configured in the imprint apparatus assuming a highly volatile resin that is currently generally used in imprint. However, if the resin has low volatility, the resin can be applied to the entire surface of the substrate by spin coating or the like in advance, so that it is not necessary to configure a dispenser in the imprint apparatus.

基板1は、モールド3のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコンウエハやSOI(Silicon on Insulator)ウエハなどを含む。基板1には、樹脂が供給される。また、基板1の上の複数のショット領域のそれぞれ、詳細には、ショット領域のそれぞれに含まれる複数のチップ領域のそれぞれには、基板側のアライメントマーク(第2マーク)6が形成されている。   The substrate 1 is a substrate onto which the pattern of the mold 3 is transferred, and includes, for example, a single crystal silicon wafer, an SOI (Silicon on Insulator) wafer, or the like. Resin is supplied to the substrate 1. In addition, an alignment mark (second mark) 6 on the substrate side is formed in each of a plurality of shot regions on the substrate 1, specifically, in each of a plurality of chip regions included in each of the shot regions. .

基板ステージ2は、基板1を真空吸着又は静電吸着する基板チャックやアクチュエータなどの駆動系を含み、少なくともX軸方向及びY軸方向(基板1の上の樹脂にモールド3を押印する際の押印方向に直交する方向)に移動する。また、基板ステージ2は、X軸方向及びY軸方向だけではなく、Z軸方向及びθ(Z軸回りの回転)方向に移動してもよい。   The substrate stage 2 includes a drive system such as a substrate chuck or an actuator that vacuum-adsorbs or electrostatically attracts the substrate 1, and at least the X-axis direction and the Y-axis direction (imprinting when the mold 3 is imprinted on the resin on the substrate 1 In a direction perpendicular to the direction). Further, the substrate stage 2 may move not only in the X-axis direction and the Y-axis direction but also in the Z-axis direction and the θ (rotation around the Z-axis) direction.

モールド3は、基板1(の上の樹脂)に転写すべきパターンが3次元状に形成されたパターン面3aを有する。モールド3は、光源9からの光(紫外光)を透過する材料(例えば、石英など)で構成される。また、モールド3、詳細には、パターン面3aには、基板側のアライメントマーク6に対応してモールド側のアライメントマーク(第1マーク)7が形成されている。   The mold 3 has a pattern surface 3a on which a pattern to be transferred to the substrate 1 (resin on it) is formed in a three-dimensional shape. The mold 3 is made of a material (for example, quartz) that transmits light (ultraviolet light) from the light source 9. Further, on the mold 3, specifically, on the pattern surface 3 a, a mold side alignment mark (first mark) 7 is formed corresponding to the substrate side alignment mark 6.

ヘッド4は、モールド3を真空吸着又は静電吸着するモールドチャックやアクチュエータなどの駆動系を含み、少なくともZ軸方向(モールド3の押印方向)に移動する。また、ヘッド4は、Z軸方向だけではなく、X軸方向、Y軸方向及びθ(Z軸回りの回転)方向に移動してもよい。   The head 4 includes a drive system such as a mold chuck or an actuator for vacuum-adsorbing or electrostatically adsorbing the mold 3 and moves at least in the Z-axis direction (imprinting direction of the mold 3). Further, the head 4 may move not only in the Z-axis direction but also in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the θ (rotation around the Z-axis) direction.

検出部5は、基板側のアライメントマーク6とモールド側のアライメントマーク7との相対的な位置や基板1(の上のショット領域)とモールド3(のパターン面3a)との形状差を検出する機能を有する。   The detection unit 5 detects a relative position between the alignment mark 6 on the substrate side and the alignment mark 7 on the mold side and a shape difference between the substrate 1 (on the upper shot region) and the mold 3 (the pattern surface 3a thereof). It has a function.

検出部5は、本実施形態では、アライメントマーク6とアライメントマーク7とを近接させることで形成されるモアレ模様(モアレ縞)を検出するスコープで構成されている。検出部5は、光源9からの光との干渉を避けるために、基板1に対して角度を有して(即ち、傾けて)ヘッド4に配置されている。なお、光源9からの光との干渉を避けるための構成は、これに限られない。例えば、スコープの先端にミラーを配置することなどで、光源9からの光との干渉を避けることも可能である。また、検出部5は、アクチュエータなどの駆動系などによって駆動可能に構成されている。   In the present embodiment, the detection unit 5 is configured by a scope that detects a moire pattern (moire fringes) formed by bringing the alignment mark 6 and the alignment mark 7 close to each other. In order to avoid interference with light from the light source 9, the detection unit 5 is disposed on the head 4 with an angle (that is, inclined) with respect to the substrate 1. Note that the configuration for avoiding interference with light from the light source 9 is not limited to this. For example, it is possible to avoid interference with light from the light source 9 by arranging a mirror at the tip of the scope. The detection unit 5 is configured to be drivable by a drive system such as an actuator.

図2を参照して、モアレ模様を用いた2つのマーク(アライメントマーク6及び7)の相対的な位置の検出原理について説明する。図2(a)及び図2(b)は、ピッチが異なる2種類の格子マークを示しており、本実施形態では、これらの格子マークをアライメントマーク6及び7として使用する。図2(a)に示す格子マークと図2(b)に示す格子マークとを重ねると、図3(c)に示すように、明暗の縞模様、即ち、モアレ模様が形成される。モアレ模様は、2種類の格子マークの相対的な位置関係によって明暗の縞の位置が変化する。例えば、2種類の格子マークのうち一方の格子マークを少しだけ右にずらすと、図2(c)に示すモアレ模様は、図2(d)に示すモアレ模様に変化する。モアレ模様は、2種類の格子マーク間の実際のずれ量を拡大した明暗の縞であるため、検出部5(を構成するスコープ)の解像度が低くても、2種類の格子マークの相対的な位置関係を高精度に検出することができる。   With reference to FIG. 2, the principle of detecting the relative positions of two marks (alignment marks 6 and 7) using a moire pattern will be described. FIGS. 2A and 2B show two types of lattice marks with different pitches. In this embodiment, these lattice marks are used as alignment marks 6 and 7. When the lattice mark shown in FIG. 2A and the lattice mark shown in FIG. 2B are overlapped, a bright and dark stripe pattern, that is, a moire pattern is formed as shown in FIG. In the moire pattern, the position of the bright and dark stripes changes depending on the relative positional relationship between the two types of lattice marks. For example, when one of the two types of lattice marks is slightly shifted to the right, the moire pattern shown in FIG. 2C changes to the moire pattern shown in FIG. Since the moiré pattern is a bright and dark stripe in which the actual amount of deviation between the two types of grid marks is enlarged, even if the resolution of the detection unit 5 (the scope that constitutes it) is low, the relative relationship between the two types of grid marks The positional relationship can be detected with high accuracy.

本実施形態では、検出部5は、モアレ模様からアライメントマーク6とアライメントマーク7との相対的な位置を検出しているが、これに限定されるものではなく、アライメントマーク6とアライメントマーク7との相対的な位置を検出できればよい。例えば、検出部5は、アライメントマーク6及び7のそれぞれの像を同一視野内で同時に、或いは、それぞれの像を別々に検出することで、アライメントマーク6とアライメントマーク7との相対的な位置を求めてもよい。   In the present embodiment, the detection unit 5 detects the relative positions of the alignment mark 6 and the alignment mark 7 from the moire pattern, but is not limited to this, and the alignment mark 6 and the alignment mark 7 It is only necessary that the relative position of can be detected. For example, the detection unit 5 detects the relative positions of the alignment marks 6 and 7 by detecting the images of the alignment marks 6 and 7 simultaneously in the same field of view or by separately detecting the images of the alignment marks 6 and 7. You may ask for it.

補正機構8は、モールド3に対して、パターン面3aに平行な方向に力を付与してパターン面3a(の形状)を変形させる。例えば、補正機構8は、図3に示すように、パターン面3aの側面を吸着する吸着部8aと、パターン面3aの側面に向かう方向及びパターン面3aの側面から遠ざかる方向に吸着部8aを駆動するアクチュエータ8bとで構成される。但し、補正機構8は、モールド3や基板1に熱を付与することで(即ち、モールド3や基板1の温度を変化させることで)パターン面3aもしくは基板側ショット形状を変形させてもよい。   The correction mechanism 8 applies a force to the mold 3 in a direction parallel to the pattern surface 3a to deform the pattern surface 3a (its shape). For example, as shown in FIG. 3, the correction mechanism 8 drives the suction portion 8a that sucks the side surface of the pattern surface 3a, and the direction toward the side surface of the pattern surface 3a and the direction away from the side surface of the pattern surface 3a. And an actuator 8b. However, the correction mechanism 8 may change the pattern surface 3a or the substrate-side shot shape by applying heat to the mold 3 or the substrate 1 (that is, by changing the temperature of the mold 3 or the substrate 1).

ここでは、補正機構8としてモールド3の側面を吸着部8aで吸着するものを説明したが、吸着部8aはモールド3を吸着しなくてもよい。例えば、吸着部8aをモールド3と接触し、支持する部材として機能させてもよい。この場合、パターン面3aを大きめに作成し、モールド3の側面を補正機構8で押し付けることでパターン面3aを変形させる。   Here, the correction mechanism 8 has been described in which the side surface of the mold 3 is adsorbed by the adsorbing portion 8 a, but the adsorbing portion 8 a may not adsorb the mold 3. For example, the suction part 8a may be brought into contact with the mold 3 and function as a supporting member. In this case, the pattern surface 3a is made larger and the side surface of the mold 3 is pressed by the correction mechanism 8 to deform the pattern surface 3a.

光源9は、基板1の上の樹脂を硬化させるための光、本実施形態では、紫外光を生成する光源である。光源9で生成された紫外光は、基板1の上の樹脂とモールド3とを接触させた状態において、モールド3を介して樹脂に照射される。   The light source 9 is a light source that generates light for curing the resin on the substrate 1, in the present embodiment, ultraviolet light. The ultraviolet light generated by the light source 9 is irradiated to the resin through the mold 3 in a state where the resin on the substrate 1 and the mold 3 are in contact with each other.

制御部10は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体(インプリント装置100の各部)を制御する。制御部10は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理を制御する。例えば、制御部10は、インプリント処理を行う際に、検出部5の検出結果に基づいて、基板ステージ2又はヘッド4をXY方向に駆動させて、モールド3と基板1との位置合わせ(アライメント)を行う。また、制御部10は、インプリント処理を行う際に、補正機構8によるモールド3のパターン面3aの変形量を制御する。具体的には、制御部10は、予め取得されたアクチュエータ8bの駆動量とパターン面3aの変形量との関係、及び、検出部5の検出結果に従ってパターン面3aに必要な変形量を決定し、かかる変形量に基づいて、アクチュエータ8bを駆動する。これにより、基板1とモールド3との代表的な形状差である倍率、台形状の変形、ねじれなど(モールド3の形状に起因する位置ずれ)の形状補正をすることができる。   The control unit 10 includes a CPU, a memory, and the like, and controls the entire imprint apparatus 100 (each part of the imprint apparatus 100). In the present embodiment, the control unit 10 controls imprint processing and related processing. For example, when the imprint process is performed, the control unit 10 drives the substrate stage 2 or the head 4 in the XY directions based on the detection result of the detection unit 5 to align the mold 3 and the substrate 1 (alignment). )I do. Further, the control unit 10 controls the deformation amount of the pattern surface 3a of the mold 3 by the correction mechanism 8 when performing the imprint process. Specifically, the control unit 10 determines the deformation amount necessary for the pattern surface 3a according to the relationship between the drive amount of the actuator 8b acquired in advance and the deformation amount of the pattern surface 3a, and the detection result of the detection unit 5. The actuator 8b is driven based on the deformation amount. Thereby, it is possible to correct a shape such as a magnification, a trapezoidal deformation, a twist, or the like (a positional deviation caused by the shape of the mold 3), which is a typical shape difference between the substrate 1 and the mold 3.

検出部5による基板側のアライメントマーク6及びモールド側のアライメントマーク7の検出について説明する。図4は、基板1(基板側のアライメントマーク6)と、モールド3(モールド側のアライメントマーク7)と、複数の検出部5a〜5hとの位置関係を示す図である。   The detection of the substrate-side alignment mark 6 and the mold-side alignment mark 7 by the detection unit 5 will be described. FIG. 4 is a diagram illustrating a positional relationship between the substrate 1 (substrate-side alignment mark 6), the mold 3 (mold-side alignment mark 7), and the plurality of detection units 5a to 5h.

図4(a)は、基板1の中心近傍に位置するショット領域SRa、即ち、モールド3のパターンの全体を転写可能なショット領域SRaにおける基板と、モールド3と、複数の検出部5a〜5hとの位置関係を示す図である。ショット領域SRaは、6つのチップ領域CRa〜CRfを含み、各チップ領域CRa〜CRfの周辺には、基板側のアライメントマーク6が形成されている。また、モールド3には、上述したように、各チップ領域CRa〜CRfの周辺に形成された基板側のアライメントマーク6に対応して、モールド側のアライメントマーク7が形成されている。図4(a)において、黒色で示すマークは、その相対的な位置が検出可能な状態にあるアライメントマーク6及び7を示している。   4A shows a shot region SRa located near the center of the substrate 1, that is, the substrate in the shot region SRa to which the entire pattern of the mold 3 can be transferred, the mold 3, and a plurality of detection units 5a to 5h. It is a figure which shows these positional relationships. The shot region SRa includes six chip regions CRa to CRf, and an alignment mark 6 on the substrate side is formed around each of the chip regions CRa to CRf. Further, as described above, the mold 3 has the mold-side alignment marks 7 corresponding to the substrate-side alignment marks 6 formed around the chip regions CRa to CRf. In FIG. 4A, black marks indicate alignment marks 6 and 7 whose relative positions are detectable.

基板1(の上のショット領域SRa)とモールド3(のパターン面3a)との形状差を得るためには、検出部5は、複数のアライメントマークについてその相対的な位置を検出する必要がある。また、基板1とモールド3との形状差を精度よく得るためには、なるべく離れて配置された複数のマークを計測する方がよい。そこで、検出部5は、基板1のエッジ側(ショット領域の最外周側)に形成されたアライメントマークを検出するとよい。本実施形態では、図4(a)に示すように、X軸方向については、4点での相対的な位置(アライメントマーク6とアライメントマーク7との相対的な位置)を検出部5a、5b、5e及び5fで検出するものとする。また、Y軸方向については、4点での相対的な位置を検出部5c、5d、5g及び5hで検出するものとする。例えば、8点(X軸方向における4点、及び、Y軸方向における4点)での相対的な位置がショット領域SRaの外側に向かってずれている場合、基板1とモールド3との間には、倍率差が発生していることになる。   In order to obtain the shape difference between the substrate 1 (the upper shot region SRa) and the mold 3 (the pattern surface 3a), the detection unit 5 needs to detect the relative positions of the plurality of alignment marks. . In order to obtain a shape difference between the substrate 1 and the mold 3 with high accuracy, it is better to measure a plurality of marks arranged as far as possible. Therefore, the detection unit 5 may detect an alignment mark formed on the edge side of the substrate 1 (the outermost peripheral side of the shot region). In the present embodiment, as shown in FIG. 4A, in the X-axis direction, relative positions at four points (relative positions between the alignment mark 6 and the alignment mark 7) are detected units 5a and 5b. 5e and 5f shall be detected. In the Y-axis direction, the relative positions at the four points are detected by the detection units 5c, 5d, 5g, and 5h. For example, when the relative positions at 8 points (4 points in the X-axis direction and 4 points in the Y-axis direction) are shifted toward the outside of the shot region SRa, between the substrate 1 and the mold 3 Is a difference in magnification.

図4(b)は、基板1のエッジ近傍に位置する欠けショット領域SRbにおける基板と、モールド3と、複数の検出部5a〜5hとの位置関係を示す図である。欠けショット領域SRbは、モールド3のパターンの全体を転写することが不可能な(モールド3のパターンの一部のみ転写可能な)ショット領域である。基板全体での歩留まりを考えると、欠けショット領域が1つでもチップ領域を含んでいれば、歩留まり向上のため、かかる欠けショット領域に対してもインプリント処理を行う必要がある。また、欠けショット領域に対してインプリント処理を行わないと、エッチングなどのパターン転写後のプロセスにおいて、パターン(硬化した樹脂)の連続性が崩れてしまうため、その他のショット領域に影響を及ぼしてしまう。そのことから、ショット領域内の全てのチップが取れなくても、インプリント処理を行う必要がある。   FIG. 4B is a diagram illustrating a positional relationship between the substrate, the mold 3, and the plurality of detection units 5a to 5h in the chipped shot region SRb located in the vicinity of the edge of the substrate 1. The missing shot region SRb is a shot region in which the entire pattern of the mold 3 cannot be transferred (only a part of the pattern of the mold 3 can be transferred). Considering the yield of the entire substrate, if even one chip shot area includes a chip area, it is necessary to perform imprint processing on the chip shot area in order to improve the yield. In addition, if imprint processing is not performed on the missing shot area, the continuity of the pattern (cured resin) is lost in the process after pattern transfer such as etching, which affects other shot areas. End up. For this reason, it is necessary to perform imprint processing even if all the chips in the shot area cannot be obtained.

図4(b)に示す欠けショット領域SRbは、1つのチップ領域CReのみを有効なチップ領域として含み、その他のチップ領域CRa、CRb、CRc、CRd及びCRfは、有効なチップ領域ではない。図4(b)において、白色で示すマークは、その相対的な位置が検出不可能な状態にあるモールド側のアライメントマーク7(即ち、モールド側のアライメントマーク7のみが存在していること)を示している。このような場合、検出部5a、5b、5c、5d、5e及び5hは、図4(a)に示したように、ショット領域の最外周に形成されているアライメントマークの相対的な位置を検出することが不可能である。従って、図4(c)に示すように、検出部5a、5b、5c、5d、5e及び5hのそれぞれがアライメントマーク(黒色で示すマーク)の相対的な位置を検出するように、検出部5a、5b、5c、5d、5e及び5hを駆動する(位置決めする)必要がある。ここで、検出部5a、5b、5c、5d、5e及び5hのそれぞれは、ショット領域の最外周に一番近いショット領域の内部のアライメントマークを検出するようにするとよい。   The chipped shot region SRb shown in FIG. 4B includes only one chip region CRe as an effective chip region, and the other chip regions CRa, CRb, CRc, CRd, and CRf are not effective chip regions. In FIG. 4B, the white mark indicates the mold-side alignment mark 7 whose relative position cannot be detected (that is, only the mold-side alignment mark 7 exists). Show. In such a case, the detection units 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, and 5h detect the relative positions of the alignment marks formed on the outermost periphery of the shot area, as shown in FIG. Is impossible to do. Therefore, as shown in FIG. 4C, the detection units 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, and 5h detect the relative positions of the alignment marks (marks shown in black). 5b, 5c, 5d, 5e and 5h need to be driven (positioned). Here, each of the detection units 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, and 5h may detect an alignment mark inside the shot area closest to the outermost periphery of the shot area.

なお、各ショット領域の位置とそこにかかる基板1のエッジとの関係により、計測できるアライメントマークが変わるため、駆動するスコープ駆動量などは、欠けショット(エッジショット)領域ごとに異なる。   Since the alignment mark that can be measured changes depending on the relationship between the position of each shot area and the edge of the substrate 1 over the shot area, the scope drive amount to be driven differs for each missing shot (edge shot) area.

ここで、図4(c)に示す状態において、光源9からの紫外光を欠けショット領域SRb(の上の樹脂)に照射して樹脂を硬化させてモールド3のパターンを転写する場合を考える。この際、検出部5a、5b、5c及び5dは、光源9からの紫外光の光路上に位置している。紫外光の光路上に位置する検出部5a、5b、5c及び5dは、紫外光と干渉してしまうため、紫外光の照射による樹脂の硬化の障害となる。従って、このまま紫外光を照射すると、4つの検出部5a、5b、5c及び5dの下に位置する樹脂には紫外光が十分に照射されず、かかる樹脂が硬化しなくなる。その結果、基板1の上の樹脂からモールド3を剥離した際に、モールド3に硬化していない樹脂(未硬化樹脂)が残存して基板1や装置を汚染することが懸念される。また、パターン(硬化した樹脂)の連続性が崩れてしまうため、パターン転写後のプロセスにおいて、その他のショット領域に影響を及ぼすことが懸念される。   Here, in the state shown in FIG. 4C, a case is considered in which the pattern of the mold 3 is transferred by irradiating the ultraviolet light from the light source 9 to the chipped shot region SRb (resin on top) to cure the resin. At this time, the detection units 5 a, 5 b, 5 c, and 5 d are located on the optical path of the ultraviolet light from the light source 9. Since the detectors 5a, 5b, 5c, and 5d located on the optical path of the ultraviolet light interfere with the ultraviolet light, it becomes an obstacle to the curing of the resin due to the irradiation of the ultraviolet light. Therefore, if ultraviolet light is irradiated as it is, the resin located under the four detection units 5a, 5b, 5c, and 5d is not sufficiently irradiated with ultraviolet light, and the resin is not cured. As a result, when the mold 3 is peeled from the resin on the substrate 1, there is a concern that uncured resin (uncured resin) remains in the mold 3 and contaminates the substrate 1 and the apparatus. In addition, since the continuity of the pattern (cured resin) is lost, there is a concern that other shot areas may be affected in the process after pattern transfer.

そこで、本実施形態では、図4(d)に示すように、欠けショット領域SRbに紫外光を照射する前に、紫外光の光路上に位置する検出部5a〜5dが紫外光の光路上から退避される(取り出される)ように、検出部5a〜5dを駆動する。また、検出部5a〜5hのうち、検出部5a〜5dを除く検出部5e〜5hによるアライメントマークの相対的な位置の検出は継続し、その検出の結果に基づいてモールド3と基板1との位置合わせを続ける。これにより、モールド3と基板1との位置合わせの精度の低下を抑えながら、欠けショット領域における未硬化樹脂の発生を防止することが可能となる。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4D, before the missing shot region SRb is irradiated with ultraviolet light, the detection units 5a to 5d located on the optical path of the ultraviolet light are moved from the optical path of the ultraviolet light. The detection units 5a to 5d are driven so as to be retracted (removed). Moreover, detection of the relative position of the alignment mark by the detection units 5e to 5h except for the detection units 5a to 5d among the detection units 5a to 5h is continued, and the mold 3 and the substrate 1 are detected based on the detection result. Continue alignment. As a result, it is possible to prevent the occurrence of uncured resin in the chipped shot region while suppressing a decrease in alignment accuracy between the mold 3 and the substrate 1.

図5を参照して、インプリント装置100におけるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、上述したように、制御部10がインプリント装置100の各部を統括的に制御することで行われる。ここでは、欠けショット領域に対するインプリント処理を例に説明する。これからインプリント処理を行うショット領域が欠けショット領域であるかどうかは、基板1(基板ステージ2)の位置や基板1の上のショット領域の配列を示すレイアウト情報などから認識することができる。   The imprint process in the imprint apparatus 100 will be described with reference to FIG. As described above, the imprint process is performed by the control unit 10 controlling the respective units of the imprint apparatus 100 in an integrated manner. Here, an imprint process for a missing shot area will be described as an example. Whether or not the shot area to be imprinted is a missing shot area can be recognized from the position of the substrate 1 (substrate stage 2), layout information indicating the arrangement of shot areas on the substrate 1, and the like.

S502では、インプリント処理が行われていない欠けショット領域がモールド3のパターン面3aと対向する位置(モールド3の押印位置)に配置されるように、基板ステージ2を駆動する。なお、かかる欠けショット領域には、紫外光硬化型の樹脂が塗布されているものとする。   In step S <b> 502, the substrate stage 2 is driven so that the missing shot area that has not been subjected to the imprint process is disposed at a position facing the pattern surface 3 a of the mold 3 (an imprint position of the mold 3). Note that an ultraviolet light curable resin is applied to the chipped shot region.

S504では、基板側のアライメントマーク6とモールド側のアライメントマーク7との位置関係に応じて検出部5を駆動し、複数の検出部5のそれぞれがアライメントマーク6とアライメントマーク7との相対的な位置を検出するように検出部5を位置決めする。具体的には、図4(c)に示したように、複数の検出部5を位置決めする。上述したように、基板1とモールド3との形状差を精度よく得るためには、ショット領域の外周側に形成されたアライメントマークを検出するとよい。但し、S504では、相対的な位置が検出可能な状態にあるアライメントマーク6及び7を検出するように、複数の検出部5を位置決めすればよい。   In step S <b> 504, the detection unit 5 is driven according to the positional relationship between the substrate side alignment mark 6 and the mold side alignment mark 7, and each of the plurality of detection units 5 has a relative relationship between the alignment mark 6 and the alignment mark 7. The detection unit 5 is positioned so as to detect the position. Specifically, as shown in FIG. 4C, the plurality of detection units 5 are positioned. As described above, in order to obtain a shape difference between the substrate 1 and the mold 3 with high accuracy, it is preferable to detect an alignment mark formed on the outer peripheral side of the shot region. However, in S504, the plurality of detection units 5 may be positioned so as to detect the alignment marks 6 and 7 whose relative positions are detectable.

S506では、S504で位置決めされた複数の検出部5のそれぞれによって、基板側のアライメントマーク6とモールド側のアライメントマーク7との相対的な位置を検出する(複数の検出部5によるアライメントマークの検出を開始する)。   In S506, the relative positions of the substrate-side alignment mark 6 and the mold-side alignment mark 7 are detected by each of the plurality of detection units 5 positioned in S504 (detection of alignment marks by the plurality of detection units 5). To start).

S508では、S506で検出された基板側のアライメントマーク6とモールド側のアライメントマーク7との相対的な位置に基づいて、モールド3と基板1との形状差の低減や位置合わせを行う。具体的には、複数の検出部5による検出の結果を処理して基板1とモールド3との形状差を求め、かかる形状差が低減するように、補正機構8によってモールド3のパターン面3aを変形させる。並びに、基板1又はモールド3をシフトさせて相対的な位置を合わせる。   In S508, the shape difference between the mold 3 and the substrate 1 is reduced or aligned based on the relative position between the alignment mark 6 on the substrate side detected in S506 and the alignment mark 7 on the mold side. Specifically, the results of detection by the plurality of detection units 5 are processed to determine the shape difference between the substrate 1 and the mold 3, and the correction mechanism 8 reduces the pattern surface 3a of the mold 3 so that the shape difference is reduced. Deform. In addition, the relative position is adjusted by shifting the substrate 1 or the mold 3.

S504で位置決めされた複数の検出部5は、樹脂に照射する紫外光の光路上に位置する第1検出部(図4(c)における検出部5a〜5d)と、樹脂に照射する紫外光の光路外に位置する第2検出部(図4(c)における検出部5e〜5h)とを含む。本実施形態では、第1検出部についてはS510の処理を行い、第2検出部についてはS512の処理を行う。   The plurality of detection units 5 positioned in S504 include a first detection unit (detection units 5a to 5d in FIG. 4C) positioned on the optical path of the ultraviolet light that irradiates the resin, and an ultraviolet light that irradiates the resin. 2nd detection part (detection parts 5e-5h in Drawing 4 (c)) located outside an optical path. In the present embodiment, the process of S510 is performed for the first detection unit, and the process of S512 is performed for the second detection unit.

S510では、樹脂に照射する紫外光の光路上に位置する第1検出部が紫外光の光路から退避するように、かかる第1検出部を駆動する。この際、第1検出部によるアライメントマークの検出を停止する。S512では、樹脂に照射する紫外光の光路外に位置する第2検出部による基板側のアライメントマーク6とモールド側のアライメントマーク7との相対的な位置の検出を継続させる。   In S510, the first detection unit is driven so that the first detection unit located on the optical path of the ultraviolet light that irradiates the resin is retracted from the optical path of the ultraviolet light. At this time, the detection of the alignment mark by the first detection unit is stopped. In S512, detection of the relative position between the alignment mark 6 on the substrate side and the alignment mark 7 on the mold side is continued by the second detection unit located outside the optical path of the ultraviolet light applied to the resin.

S514では、基板1の上の欠けショット領域に塗布された樹脂とモールド3のパターン面3aとを接触させ、かかる状態において、光源9からの紫外光を樹脂に照射する。   In S514, the resin applied to the chipped shot region on the substrate 1 is brought into contact with the pattern surface 3a of the mold 3, and in this state, the resin is irradiated with ultraviolet light from the light source 9.

S514において、紫外光を照射する際には、S510で駆動された第1検出部は、紫外光の光路外(例えば、ショット領域外)まで完全に退避されていてもよいし(図4(d)参照)、欠けショット領域のエッジ位置までの退避に留めてもよい。第1検出部が紫外光の光路外まで完全に退避してから紫外光を照射する場合には、光源9からの紫外光と第1検出部とが干渉することがないため、紫外光の散乱や検出部のダメージなどを懸念する必要はない。但し、第1検出部を退避させるための駆動時間が長くなる可能性がある。一方、第1検出部の駆動を欠けショット領域のエッジ位置までの退避に留める場合には、第1検出部を退避させるための駆動時間を短くすることができるが、光源9からの紫外光と第1検出部とが干渉してしまう可能性がある。このような場合には、紫外光の散乱や検出部のダメージを低減(防止)するためのコーティングを検出部5に施せばよい。   In S514, when the ultraviolet light is irradiated, the first detection unit driven in S510 may be completely retracted to the outside of the ultraviolet light path (for example, outside the shot region) (FIG. 4D). )), It may be kept to the edge position of the missing shot area. When the first detection unit irradiates the ultraviolet light after completely retracting outside the optical path of the ultraviolet light, the ultraviolet light from the light source 9 and the first detection unit do not interfere with each other. There is no need to worry about damage to the detector. However, there is a possibility that the drive time for retracting the first detection unit becomes longer. On the other hand, in the case where the drive of the first detection unit is limited to the retreat to the edge position of the missing shot region, the drive time for retracting the first detection unit can be shortened, but the ultraviolet light from the light source 9 can be reduced. There is a possibility of interference with the first detection unit. In such a case, a coating for reducing (preventing) scattering of ultraviolet light and damage to the detection unit may be applied to the detection unit 5.

また、基板1の欠けショット領域の上の樹脂に照射する紫外光の照射許容量(ドーズ量)が大きい場合には、第1検出部の駆動が終了する前に、即ち、第1検出部を駆動しながら、紫外光を照射してもよい。この場合、第1検出部の影響によって欠けショット領域の上の樹脂に照射される紫外光の照射量に一部差異が発生してしまう。但し、欠けショット領域に含まれるチップ領域(有効なチップ領域)以外の領域の上の樹脂に紫外光を照射する理由は、上述したように、パターン(硬化した樹脂)の連続性を維持するためのものである。従って、チップ領域以外の領域の上の樹脂に照射すべき紫外光の照射量は、チップ領域の上の樹脂に照射すべき紫外光の照射量より小さくてもよいため、第1検出部の駆動を開始したら紫外光を照射することが可能となる。   In addition, when the allowable irradiation amount (dose amount) of ultraviolet light applied to the resin on the chipped shot region of the substrate 1 is large, before the driving of the first detection unit is finished, that is, the first detection unit is You may irradiate with ultraviolet light while driving. In this case, a part of the irradiation amount of the ultraviolet light irradiated to the resin on the chipped shot region is caused by the influence of the first detection unit. However, the reason for irradiating the resin on the region other than the chip region (effective chip region) included in the chipped shot region is to maintain the continuity of the pattern (cured resin) as described above. belongs to. Therefore, since the irradiation amount of the ultraviolet light to be applied to the resin on the region other than the chip region may be smaller than the irradiation amount of the ultraviolet light to be applied to the resin on the chip region, the driving of the first detection unit is performed. When starting, it becomes possible to irradiate with ultraviolet light.

第1検出部をどこまで退避させるか、第1検出部の駆動が終了してから紫外光を照射するか、第1検出部の駆動を開始したら紫外線を照射するか、などは、基板1に転写すべきパターンの精度や生産性などに応じて適宜決定すればよい。   The extent to which the first detection unit is retracted, the irradiation of ultraviolet light after the driving of the first detection unit is completed, the irradiation of ultraviolet light when the driving of the first detection unit is started, and the like are transferred to the substrate 1 What is necessary is just to determine suitably according to the precision, productivity, etc. of the pattern which should be performed.

また、S514において、紫外光を照射する際には、第2検出部による基板側のアライメントマーク6とモールド側のアライメントマーク7との相対的な位置の検出の結果に基づいてモールド3と基板1との位置合わせが続けられている。基板1とモールド3との形状差を求めるためには、ショット領域の周辺に形成された多数のアライメントマークを検出する必要がある。但し、基板1とモールド3との相対的な位置(シフト成分)のみを求める場合には、少数のアライメントマークを検出すれば十分である。従って、樹脂に照射する紫外光の光路上に位置する第1検出部を退避させても、第2検出部による検出を継続させることで、モールド3と基板1との位置合わせの精度の低下を防止することが可能である。   In S514, when the ultraviolet light is irradiated, the mold 3 and the substrate 1 are detected based on the detection result of the relative positions of the substrate-side alignment mark 6 and the mold-side alignment mark 7 by the second detection unit. Alignment with is continued. In order to obtain the shape difference between the substrate 1 and the mold 3, it is necessary to detect a number of alignment marks formed around the shot region. However, when only the relative position (shift component) between the substrate 1 and the mold 3 is obtained, it is sufficient to detect a small number of alignment marks. Therefore, even if the first detection unit located on the optical path of the ultraviolet light that irradiates the resin is withdrawn, the detection by the second detection unit is continued to reduce the accuracy of alignment between the mold 3 and the substrate 1. It is possible to prevent.

S516では、紫外光の照射によって硬化した樹脂からモールド3を剥離する。   In S516, the mold 3 is peeled from the resin cured by the irradiation with ultraviolet light.

このように、本実施形態のインプリント装置100では、紫外光を照射する前に、紫外光の光路上に位置する検出部を紫外光の光路外に退避させ、紫外光の光路外に位置する検出部を用いてモールド3と基板1との位置合わせを続けている。従って、インプリント装置100は、モールド3と基板1との位置合わせの精度の低下を抑えながら、欠けショット領域における未硬化樹脂の発生を防止する(パターン(硬化した樹脂)の連続性を維持する)ことができる。   As described above, in the imprint apparatus 100 according to the present embodiment, before irradiating the ultraviolet light, the detection unit located on the optical path of the ultraviolet light is retracted outside the optical path of the ultraviolet light, and is located outside the optical path of the ultraviolet light. The alignment of the mold 3 and the substrate 1 is continued using the detection unit. Accordingly, the imprint apparatus 100 prevents the occurrence of uncured resin in the chipped shot region while maintaining the accuracy in alignment between the mold 3 and the substrate 1 (maintaining the continuity of the pattern (cured resin)). )be able to.

なお、樹脂を硬化し、基板1とモールド3を離型する際にも基板1とモールド3の相対位置が保持されていないと、転写したパターンを破壊しながら離型することになる。そこで、離型の際に相対位置計測が必要であれば、そこまで計測を続け、その結果に基づいてステージ制御を行いながら離型してもよい。   If the relative positions of the substrate 1 and the mold 3 are not maintained even when the resin is cured and the substrate 1 and the mold 3 are released, the transferred pattern is released while destroying the transferred pattern. Therefore, if it is necessary to measure the relative position at the time of mold release, the measurement may be continued up to that point, and the mold may be released while performing stage control based on the result.

また、本実施形態では、欠けショット領域に対するインプリント処理を例に説明したが、基板の中心近傍に位置するショット領域にも適用することができる。例えば、基板の中心近傍に位置するショット領域において、かかるショット領域の外周に形成されたアライメントマーク(即ち、検出すべきアライメントマーク)が構造の不具合などで検出できない場合がある。このような場合、ショット領域の外周に形成されたアライメントマークの代わりに、ショット領域の内部のスクライブラインに形成されたアライメントマークを検出することが考えられる。この際、複数の検出部のそれぞれがショット領域の内部のスクライブラインに形成されたアライメントマークを検出できるように、複数の検出部を位置決め(駆動)しなければならない。従って、欠けショット領域に対してインプリント処理を行う場合と同様に、紫外光の光路上に検出部が位置する可能性がある。   In this embodiment, the imprint process for the missing shot area has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a shot area located near the center of the substrate. For example, in a shot region located near the center of the substrate, an alignment mark (that is, an alignment mark to be detected) formed on the outer periphery of the shot region may not be detected due to a structural defect or the like. In such a case, it is conceivable to detect an alignment mark formed on a scribe line inside the shot area instead of the alignment mark formed on the outer periphery of the shot area. At this time, the plurality of detection units must be positioned (driven) so that each of the plurality of detection units can detect the alignment mark formed on the scribe line inside the shot region. Accordingly, there is a possibility that the detection unit is positioned on the optical path of the ultraviolet light as in the case of performing the imprint process on the missing shot region.

そこで、かかるショット領域にインプリント処理を行う際にも、上述したように、全ての検出部による検出の結果に基づいてモールドと基板との位置合わせを行った後、紫外光を照射する前に、紫外光の光路上に位置する検出部を紫外光の光路外に退避させる。但し、この場合には、ショット領域に含まれるチップ領域の全てが有効なチップ領域であるため、紫外光の光路上に位置する検出部が紫外光の光路外、即ち、ショット領域外まで完全に退避してから紫外光を照射する必要がある。また、紫外光の光路外に位置する検出部による検出は、紫外光の照射が終了するまで、即ち、樹脂の硬化が終了するまで継続させ、かかる検出の結果を用いてモールドと基板との位置合わせを続ける。   Therefore, also when performing imprint processing on such a shot region, as described above, after aligning the mold and the substrate based on the detection results of all the detection units, before irradiating with ultraviolet light. The detection unit located on the ultraviolet light path is retracted outside the ultraviolet light path. However, in this case, since all of the chip areas included in the shot area are effective chip areas, the detection unit located on the ultraviolet light path is completely outside the ultraviolet light path, that is, outside the shot area. It is necessary to irradiate with ultraviolet light after evacuation. The detection by the detection unit located outside the optical path of the ultraviolet light is continued until the irradiation of the ultraviolet light is completed, that is, until the curing of the resin is completed, and the position of the mold and the substrate is determined using the result of the detection. Continue matching.

このように、ショット領域の外周に形成されたアライメントマークを検出できない場合にも、ショット領域の内部に形成されたアライメントマークを検出することでモールドと基板との位置合わせの精度の低下を防止することができる。また、紫外光を照射する前に、紫外光の光路上に位置する検出部をショット領域外に退避させることで、ショット領域における未硬化樹脂の発生を防止することができる。   As described above, even when the alignment mark formed on the outer periphery of the shot area cannot be detected, the alignment mark formed inside the shot area is detected to prevent the accuracy of alignment between the mold and the substrate from being lowered. be able to. Further, by evacuating the detection unit positioned on the optical path of the ultraviolet light before irradiating the ultraviolet light, it is possible to prevent generation of uncured resin in the shot area.

上述したように、インプリント装置100は、モールドと基板との位置合わせの精度の低下を抑えながらパターンの連続性を維持することが可能であるため、高いスループットで経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。物品としてのデバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置100を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを転写(形成)するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。   As described above, since the imprint apparatus 100 can maintain the continuity of the pattern while suppressing a decrease in alignment accuracy between the mold and the substrate, the high-quality semiconductor device with high throughput and high cost efficiency. Articles such as can be provided. A method for manufacturing a device (semiconductor device, magnetic storage medium, liquid crystal display element, etc.) as an article will be described. Such a manufacturing method includes a step of transferring (forming) a pattern onto a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate, etc.) using the imprint apparatus 100. The manufacturing method further includes a step of etching the substrate on which the pattern is transferred. In addition, when manufacturing other articles, such as a pattern dot media (recording medium) and an optical element, this manufacturing method includes the other process step which processes the board | substrate with which the pattern was transferred instead of an etching step. .

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

Claims (7)

基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で、前記樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させることで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記モールドに形成された第1マークと、該第1マークに対応して前記基板の上に形成された第2マークとを検出する複数の検出部と、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の検出部のそれぞれが前記第1マークと前記第2マークとを検出するように前記複数の検出部を位置決めし、前記複数の検出部によって前記第1マークと前記第2マークとを検出した検出結果に基づいて前記モールドと前記基板との位置合わせを行い、
前記樹脂に前記光を照射する前に、前記複数の検出部のうち、前記光の光路上に位置する第1検出部を前記光の光路上から退避させるように前記第1検出部を駆動し、
前記複数の検出部のうち、前記第1検出部を除く第2検出部によって前記第1マークと前記第2マークとを検出した検出結果に基づいて前記モールドと前記基板との位置合わせを行うことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus that performs an imprint process for transferring a pattern to the substrate by irradiating the resin with light and curing the resin in a state where the resin on the substrate is in contact with the mold,
A plurality of detection units for detecting a first mark formed on the mold and a second mark formed on the substrate corresponding to the first mark;
A control unit for controlling the imprint process,
The controller is
The plurality of detection units are positioned so that each of the plurality of detection units detects the first mark and the second mark, and the plurality of detection units detect the first mark and the second mark. Based on the detected result, the mold and the substrate are aligned,
Before irradiating the resin with the light, the first detection unit is driven so that the first detection unit located on the optical path of the light out of the plurality of detection units is retracted from the optical path of the light. ,
The mold and the substrate are aligned based on a detection result of detecting the first mark and the second mark by a second detection unit other than the first detection unit among the plurality of detection units. An imprint apparatus characterized by the above.
前記制御部は、前記第1検出部の駆動が終了したら、前記樹脂に前記光を照射することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   2. The imprint apparatus according to claim 1, wherein the control unit irradiates the resin with the light when driving of the first detection unit is completed. 前記制御部は、前記第1検出部の駆動を開始したら、前記樹脂に前記光を照射することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   2. The imprint apparatus according to claim 1, wherein the controller irradiates the resin with the light when driving of the first detection unit is started. 基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で、前記樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させることで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記モールドに形成された第1マークと、該第1マークに対応して前記基板の上に形成された第2マークとを検出する複数の検出部と、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の検出部のうち、前記モールドに形成されたショット領域の最外周の第1マークと該最外周の第1マークに対応する第2マークとを検出できない第1検出部を、前記モールドに形成されたショット領域の内部の第1マークと該内部の第1マークに対応する第2マークとを検出するように位置決めし、前記複数の検出部によって前記第1マークと前記第2マークとを検出した検出結果に基づいて前記モールドと前記基板との位置合わせを行い、
前記第1検出部によるマークの検出を停止し、
前記複数の検出部のうち、前記第1検出部を除く第2検出部によって前記第1マークと前記第2マークとを検出した検出結果に基づいて前記モールドと前記基板との位置合わせを行うことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus that performs an imprint process for transferring a pattern to the substrate by irradiating the resin with light and curing the resin in a state where the resin on the substrate is in contact with the mold,
A plurality of detection units for detecting a first mark formed on the mold and a second mark formed on the substrate corresponding to the first mark;
A control unit for controlling the imprint process,
The controller is
Among the plurality of detection units, a first detection unit that cannot detect the first mark on the outermost periphery of the shot region formed on the mold and the second mark corresponding to the first mark on the outermost periphery is provided on the mold. Positioning is performed so as to detect a first mark inside the formed shot region and a second mark corresponding to the first mark inside the shot area, and the plurality of detection units cause the first mark and the second mark to be detected. Based on the detection result detected, the mold and the substrate are aligned,
Stop detecting the mark by the first detection unit;
The mold and the substrate are aligned based on a detection result of detecting the first mark and the second mark by a second detection unit other than the first detection unit among the plurality of detection units. An imprint apparatus characterized by the above.
前記第1検出部は、ショット領域の最外周に一番近いショット領域の内部の第1マークと、該内部の第1マークに対応する第2マークとを検出することを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。   5. The first detection unit detects a first mark inside the shot area closest to the outermost periphery of the shot area and a second mark corresponding to the first mark inside the shot area. The imprint apparatus described in 1. 前記制御部は、前記第1検出部によるマークの検出を停止し、前記第1検出部を前記光の光路上から退避させた後、前記樹脂に前記光を照射することを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。   The said control part stops detection of the mark by the said 1st detection part, and after evacuating the said 1st detection part from the optical path of the said light, it irradiates the said light to the said resin, It is characterized by the above-mentioned. 5. The imprint apparatus according to 4. 請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを転写するステップと、
前記パターンが転写された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Transferring the pattern onto the substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 6;
Processing the substrate to which the pattern is transferred;
A method for producing an article comprising:
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