JP2011129720A - Imprint device, mold, and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technique for forming a pattern on a substrate while suppressing the position shift by enabling detection of a position shift of an underlying mark from an alignment mark formed on the substrate. <P>SOLUTION: An imprint device forms the pattern on the substrate by curing a resin in a state where a mold having a pattern surface is pressed against the resin applied onto the substrate with the underlying mark, wherein the mold includes, in the pattern surface, a pattern part for forming the pattern, a mark part for forming the alignment mark on the substrate, and a recess for preventing the underlying mark from being crushed in a state where the mold is pressed against the resin. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、インプリント装置、モールド及び物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus, a mold, and an article manufacturing method.

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術では、電子線描画装置などを用いて微細パターンが形成されたモールド（型）を原版として、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上に微細パターンが形成される。かかる微細パターンは、基板上に樹脂を塗布し、その樹脂にモールド（のパターン）を押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。   The imprint technique is a technique that enables transfer of nanoscale fine patterns, and is being put into practical use as one of nanolithography techniques for mass production of semiconductor devices and magnetic storage media. In the imprint technique, a fine pattern is formed on a substrate such as a silicon wafer or a glass plate using a mold (mold) on which a fine pattern is formed using an electron beam drawing apparatus or the like as an original plate. Such a fine pattern is formed by applying a resin on a substrate and curing the resin in a state where a mold (pattern) is pressed against the resin.

現時点において実用化されているインプリント技術としては、熱サイクル法及び光硬化法がある。熱サイクル法では、熱可塑性の樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂にモールドを押し付ける。そして、樹脂を冷却した後、樹脂からモールドを引き離すことにより基板上にパターンが形成される。また、光硬化法では、紫外線硬化性の樹脂にモールドを押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂からモールドを引き離すことにより基板上にパターンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大及び温度変化による寸法精度の低下を招くが、光硬化法には、そのような問題が存在しない。従って、現時点では、光硬化法は、熱サイクル法と比較して、ナノスケールの半導体デバイスの量産において有利である。   As imprint technologies in practical use at present, there are a thermal cycle method and a photocuring method. In the thermal cycle method, a thermoplastic resin is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature, and the mold is pressed against the resin in a state where the fluidity of the resin is enhanced. Then, after cooling the resin, the pattern is formed on the substrate by pulling the mold away from the resin. In the photocuring method, the resin is cured by irradiating ultraviolet rays in a state where the mold is pressed against the ultraviolet curable resin, and then the pattern is formed on the substrate by separating the mold from the cured resin. The thermal cycle method causes an increase in transfer time due to temperature control and a decrease in dimensional accuracy due to a temperature change, but the photocuring method does not have such a problem. Therefore, at present, the photocuring method is advantageous in mass production of nanoscale semiconductor devices as compared with the thermal cycle method.

このようなインプリント技術を用いたインプリント装置は、特許文献１に開示されている。かかるインプリント装置は、基板ステージ、樹脂の塗布機構、モールドヘッド、光照射系及びアライメントマークを検出する検出機構を有し、基板上の各ショット領域に対して樹脂の塗布とパターンの転写（モールドの押し付け及び引き離し）とを繰り返し実行する。   An imprint apparatus using such an imprint technique is disclosed in Patent Document 1. Such an imprint apparatus has a substrate stage, a resin application mechanism, a mold head, a light irradiation system, and a detection mechanism for detecting an alignment mark. The imprint apparatus applies resin to each shot area on the substrate and transfers a pattern (mold). Repeatedly pressing and pulling off).

特許第４１８５９４１号公報Japanese Patent No. 4185941

インプリント装置では、モールドが基板上に塗布された樹脂に押し付けられるため、モールドや基板の変形によって基板に形成されるパターンが目標位置からずれしてしまうことがある。その結果、基板に既に形成されているパターンと新たに形成されたパターンとの間の位置ずれ（オーバーレイ誤差）が生じてしまう。そこで、基板に既に形成されている下地マーク（アライメントマーク）と新たなパターンと共に形成されたアライメントマークとの位置ずれを検出し、かかる検出結果に基づいてオーバーレイ誤差を補正することが考えられる。   In the imprint apparatus, since the mold is pressed against the resin applied on the substrate, the pattern formed on the substrate may be displaced from the target position due to deformation of the mold or the substrate. As a result, a displacement (overlay error) between the pattern already formed on the substrate and the newly formed pattern occurs. Therefore, it is conceivable to detect a positional deviation between the base mark (alignment mark) already formed on the substrate and the alignment mark formed with the new pattern, and correct the overlay error based on the detection result.

しかしながら、インプリント装置では、基板上の樹脂にモールドを押し付けてパターンを形成するため、基板に既に形成されている下地マークがモールドによって押し潰されてしまう。従って、実際には、下地マークとアライメントマークとの位置ずれを検出することができず、オーバーレイ誤差を十分に補正することができなかった。   However, in the imprint apparatus, a pattern is formed by pressing a mold against the resin on the substrate, so that the base mark already formed on the substrate is crushed by the mold. Therefore, in actuality, the positional deviation between the base mark and the alignment mark cannot be detected, and the overlay error cannot be corrected sufficiently.

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、下地マークと基板上に形成されたアライメントマークとの位置ずれを検出することを可能とし、位置ずれを抑えながら基板上にパターンを形成することができる技術を提供することを例示的目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, makes it possible to detect misalignment between a base mark and an alignment mark formed on a substrate, and forms a pattern on the substrate while suppressing misalignment. It is an exemplary purpose to provide a technique that can be used.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、下地マークを有する基板に塗布された樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドは、前記パターンを形成するためのパターン部と、前記基板上にアライメントマークを形成するためのマーク部と、前記モールドを樹脂に押し付けた状態において前記下地マークが押し潰されることを防止する凹部とを前記パターン面に含み、前記インプリント装置は、前記モールドを駆動する駆動部と、前記下地マークと前記基板上に形成された前記アライメントマークとの位置ずれを検出する検出部と、前記基板上の前記アライメントマークを形成すべき第１の領域に樹脂を塗布し、前記第１の領域に前記マーク部が位置し、前記下地マークが形成されている領域に前記凹部が位置する状態で、前記モールドを樹脂に押し付けて前記基板上にアライメントマークを形成する処理と、前記基板上の前記パターンを形成すべき第２の領域に樹脂を塗布し、前記検出部で検出された前記位置ずれから前記第２の領域に対する前記パターン部の位置ずれを求め、前記基板上の目標位置に前記パターン部を位置合わせするための位置制御指令に前記パターン部の位置ずれをオフセットとして加えた位置制御指令に従って前記第２の領域に対して前記パターン部の位置合わせを行った状態で、前記モールドを樹脂に押し付けて前記基板上に前記パターンを形成する処理と、を行う処理部と、を有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an imprint apparatus according to one aspect of the present invention cures the resin while pressing a mold having a pattern surface against the resin applied to the substrate having a base mark on the substrate. An imprint apparatus for forming a pattern on the mold, wherein the mold has a pattern portion for forming the pattern, a mark portion for forming an alignment mark on the substrate, and the mold pressed against the resin. In the pattern surface, the imprint apparatus includes a driving unit for driving the mold, and the alignment mark formed on the substrate mark and the substrate. And a detection unit for detecting a positional deviation between the first and second alignment regions on the substrate. In the state where the mark portion is located in the first region and the concave portion is located in the region where the base mark is formed, the mold is pressed against the resin to form an alignment mark on the substrate. Applying a resin to the second region where the pattern on the substrate is to be formed, and obtaining the positional deviation of the pattern portion with respect to the second region from the positional deviation detected by the detection unit, The position of the pattern portion is aligned with respect to the second region in accordance with a position control command obtained by adding a positional deviation of the pattern portion as an offset to a position control command for aligning the pattern portion with a target position on the substrate. And a processing unit that performs a process of pressing the mold against a resin to form the pattern on the substrate in a performed state.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、下地マークと基板上に形成されたアライメントマークとの位置ずれを検出することを可能とし、位置ずれを抑えながら基板上にパターンを形成する技術を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to detect a positional deviation between a base mark and an alignment mark formed on a substrate, and it is possible to provide a technique for forming a pattern on a substrate while suppressing the positional deviation. .

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the imprint apparatus as 1 side surface of this invention. 図１に示すインプリント装置が用いるインプリント技術の原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle of the imprint technique which the imprint apparatus shown in FIG. 1 uses. 図１に示すインプリント装置に用いられるモールド、及び、図１に示すインプリント装置のインプリント動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the imprint operation | movement of the mold used for the imprint apparatus shown in FIG. 1, and the imprint apparatus shown in FIG. 図１に示すインプリント装置のインプリント動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the imprint operation | movement of the imprint apparatus shown in FIG. 図４（ａ）乃至図４（ｃ）に示すインプリント動作の詳細を示す図である。It is a figure which shows the detail of the imprint operation | movement shown to Fig.4 (a) thru | or FIG.4 (c).

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板（シリコンウエハやガラスプレートなど）に塗布された樹脂にモールド（型）を押し付けた状態で、かかる樹脂を硬化させて（即ち、インプリント技術を用いて）基板上にパターンを形成する。   FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an imprint apparatus 1 as one aspect of the present invention. The imprint apparatus 1 cures the resin (that is, using the imprint technique) on the substrate while pressing a mold (mold) against the resin applied to the substrate (silicon wafer, glass plate, etc.). Form a pattern.

ここで、インプリント装置１の構成を説明する前に、図２を参照して、インプリント技術の原理を説明する。まず、図２（ａ）に示すように、樹脂ＲＥを基板ＳＴに塗布し、かかる樹脂ＲＥにモールド１００のパターン面１１０を押し付ける。樹脂ＲＥは、本実施形態では、紫外線などの光が照射されることによって硬化する紫外線硬化性の樹脂である。モールド１００は、例えば、紫外線を透過する石英などの材料で構成され、基板上にパターンを形成するためのパターン部１１２をパターン面１１０に有する。モールド１００のパターン面１１０を基板上に塗布された樹脂ＲＥに押し付けることによって、樹脂ＲＥがパターン部１１２（の凹部）に進入する。   Here, before describing the configuration of the imprint apparatus 1, the principle of the imprint technique will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 2A, the resin RE is applied to the substrate ST, and the pattern surface 110 of the mold 100 is pressed against the resin RE. In the present embodiment, the resin RE is an ultraviolet curable resin that cures when irradiated with light such as ultraviolet rays. The mold 100 is made of, for example, a material such as quartz that transmits ultraviolet rays, and has a pattern portion 112 on the pattern surface 110 for forming a pattern on the substrate. By pressing the pattern surface 110 of the mold 100 against the resin RE applied on the substrate, the resin RE enters the pattern portion 112 (concave portion thereof).

次に、図２（ｂ）に示すように、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付けた状態で、モールド１００を介して樹脂ＲＥに紫外線ＵＬを照射する。これにより、樹脂ＲＥが硬化し、モールド１００のパターン部１１２（即ち、パターン）が基板ＳＴに転写される。なお、本実施形態では、インプリント技術によって基板上にパターンを形成又は転写することをインプリントと称する。   Next, as illustrated in FIG. 2B, the resin RE is irradiated with ultraviolet rays UL through the mold 100 while the mold 100 is pressed against the resin RE. Thereby, the resin RE is cured, and the pattern portion 112 (that is, the pattern) of the mold 100 is transferred to the substrate ST. In the present embodiment, forming or transferring a pattern on a substrate by imprint technology is referred to as imprint.

次に、図２（ｃ）に示すように、基板上の硬化した樹脂ＲＥからモールド１００を引き離す。但し、樹脂ＲＥは、モールド１００のパターン部１１２に対応する形状のままで基板上に留まる。パターンが転写された樹脂ＲＥは、露光装置のフォトリソグラフィ技術によって作成されたレジストパターンと同等であるため、半導体デバイスの製造における以降の工程については、露光装置を用いた場合と同じになる。   Next, as shown in FIG. 2C, the mold 100 is pulled away from the cured resin RE on the substrate. However, the resin RE remains on the substrate in a shape corresponding to the pattern portion 112 of the mold 100. The resin RE to which the pattern is transferred is equivalent to a resist pattern created by the photolithography technique of the exposure apparatus, and therefore the subsequent steps in the manufacture of the semiconductor device are the same as when the exposure apparatus is used.

インプリント装置１の構成について説明する。インプリント装置１は、図１に示すように、光照射系１０と、塗布部２０と、モールドヘッド３０と、基板ステージ４０と、検出部５０と、処理部６０とを備える。   A configuration of the imprint apparatus 1 will be described. As shown in FIG. 1, the imprint apparatus 1 includes a light irradiation system 10, a coating unit 20, a mold head 30, a substrate stage 40, a detection unit 50, and a processing unit 60.

光照射系１０は、基板上に塗布された樹脂ＲＥにモールド１００（のパターン面１１０）を押し付けた状態で、モールド１００を介して、樹脂ＲＥに紫外線ＵＬを照射する。但し、樹脂ＲＥが熱などの他の物理的なエネルギーが与えられること、或いは、化学的な変化を生じさせることによって硬化する樹脂である場合には、光照射系１０は、樹脂ＲＥに物理的なエネルギーを与える機構や化学的な変化を生じさせる機構に置換される。   The light irradiation system 10 irradiates the resin RE with ultraviolet rays UL through the mold 100 in a state where the mold 100 (the pattern surface 110) is pressed against the resin RE applied on the substrate. However, in the case where the resin RE is a resin that is cured by applying other physical energy such as heat, or by causing a chemical change, the light irradiation system 10 is physically applied to the resin RE. It is replaced with a mechanism that gives a lot of energy and a mechanism that causes a chemical change.

塗布部２０は、例えば、樹脂ＲＥを吐出する複数のノズルで構成され、基板ＳＴ（即ち、インプリントすべきショット領域）に樹脂ＲＥを塗布する機能を有する。具体的には、塗布部２０を構成するノズルから樹脂ＲＥを吐出させながら基板ステージ４０を駆動することで、基板ＳＴに樹脂ＲＥを塗布することが可能となる。なお、樹脂ＲＥを吐出するノズルの数を選択することによって、樹脂ＲＥの塗布幅を調整することも可能である。   The application unit 20 includes, for example, a plurality of nozzles that discharge the resin RE, and has a function of applying the resin RE to the substrate ST (that is, a shot region to be imprinted). Specifically, the resin RE can be applied to the substrate ST by driving the substrate stage 40 while discharging the resin RE from the nozzles constituting the application unit 20. It is also possible to adjust the application width of the resin RE by selecting the number of nozzles that discharge the resin RE.

モールドヘッド３０は、モールド１００を保持するモールドチャック（不図示）と、かかるモールドチャックを上下方向に駆動するアクチュエータ（不図示）とを含み、モールド１００を上下方向に駆動する駆動部として機能する。モールドヘッド３０は、モールド１００を下方向に駆動することによって、基板ＳＴに塗布された樹脂ＲＥにモールド１００（のパターン面１１０）を押し付けることができる。また、モールドヘッド３０は、モールド１００を上方向に駆動することによって、基板上の樹脂ＲＥからモールド１００を引き離すことができる。   The mold head 30 includes a mold chuck (not shown) that holds the mold 100 and an actuator (not shown) that drives the mold chuck in the vertical direction, and functions as a drive unit that drives the mold 100 in the vertical direction. The mold head 30 can press the mold 100 (the pattern surface 110 thereof) against the resin RE applied to the substrate ST by driving the mold 100 downward. The mold head 30 can pull the mold 100 away from the resin RE on the substrate by driving the mold 100 upward.

基板ステージ４０は、基板ＳＴを保持する基板チャック（不図示）と、かかる基板チャックを駆動する駆動機構とを含む。基板ステージ４０は、ＸＹＺ座標系において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも２つの軸に沿って、基板ＳＴを駆動する（即ち、基板ＳＴの位置を制御する）ことができる。   The substrate stage 40 includes a substrate chuck (not shown) that holds the substrate ST and a drive mechanism that drives the substrate chuck. The substrate stage 40 can drive the substrate ST (that is, control the position of the substrate ST) along at least two axes in the X-axis direction and the Y-axis direction in the XYZ coordinate system.

検出部５０は、基板ＳＴに形成された位置決めマーク（下地マークやアライメントマーク）を検出する機能を有する。後述するように、検出部５０は、本実施形態では、基板ＳＴに形成されている下地マークとアライメントマークとの位置ずれを光学的に検出して、基板ＳＴとモールド１００との位置ずれを検出する。   The detection unit 50 has a function of detecting a positioning mark (base mark or alignment mark) formed on the substrate ST. As will be described later, in this embodiment, the detection unit 50 optically detects the positional deviation between the base mark and the alignment mark formed on the substrate ST, and detects the positional deviation between the substrate ST and the mold 100. To do.

処理部６０は、ＣＰＵやメモリを含み、インプリント装置１の動作を制御する。例えば、処理部６０は、基板上の複数のショット領域に対するインプリントの順番を制御したり、光照射系１０、塗布部２０、モールドヘッド３０、基板ステージ４０及び検出部５０を制御したりする。   The processing unit 60 includes a CPU and a memory, and controls the operation of the imprint apparatus 1. For example, the processing unit 60 controls the order of imprinting for a plurality of shot areas on the substrate, and controls the light irradiation system 10, the coating unit 20, the mold head 30, the substrate stage 40, and the detection unit 50.

図３を参照して、インプリント装置１に用いられるモールド１００と共に、インプリント装置１によるインプリント動作（即ち、処理部６０で行われる処理）について説明する。   With reference to FIG. 3, an imprint operation (that is, a process performed by the processing unit 60) by the imprint apparatus 1 will be described together with the mold 100 used in the imprint apparatus 1.

モールド１００について説明する。図３（ｇ）は、インプリント装置１に用いられるモールド１００を示す上面図である。モールド１００は、デバイスのパターンを形成するためのパターン部１１２と、アライメントマークを形成するためのマーク部１１４Ａ及び１１４Ｂと、凹部１１６Ａ及び１１６Ｂとをパターン面１１０に含む。凹部１１６Ａ及び１１６Ｂは、モールド１００を樹脂ＲＥ（基板ＳＴ）に押し付けた状態において基板ＳＴに形成されている下地マークが押し潰されることを防止する。従って、凹部１１６Ａ及び１１６Ｂは、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付けた状態において、基板ＳＴに形成されている下地マークに接触しない寸法を有する。また、凹部１１６Ａ及び１１６Ｂは、パターン部１１２のへこみよりも深いへこみで構成されている。   The mold 100 will be described. FIG. 3G is a top view showing the mold 100 used in the imprint apparatus 1. The mold 100 includes a pattern portion 112 for forming a device pattern, mark portions 114A and 114B for forming alignment marks, and concave portions 116A and 116B on the pattern surface 110. The recesses 116A and 116B prevent the ground mark formed on the substrate ST from being crushed in a state where the mold 100 is pressed against the resin RE (substrate ST). Accordingly, the recesses 116A and 116B have dimensions that do not contact the base marks formed on the substrate ST in a state where the mold 100 is pressed against the resin RE. In addition, the recesses 116 </ b> A and 116 </ b> B are configured with recesses deeper than the recesses of the pattern portion 112.

パターン面１１０は、本実施形態では、矩形形状を有し、パターン面内に平行な２つの辺のそれぞれに沿ってマーク部１１４Ａ及び凹部１１６Ａとマーク部１１４Ｂ及び凹部１１６Ｂが配置されている。また、パターン部１１２は、マーク部１１４Ａ及び凹部１１６Ａとマーク部１１４Ｂ及び凹部１１６Ｂとの間に配置されている。   In this embodiment, the pattern surface 110 has a rectangular shape, and the mark portion 114A, the concave portion 116A, the mark portion 114B, and the concave portion 116B are arranged along each of two parallel sides in the pattern surface. The pattern portion 112 is disposed between the mark portion 114A and the concave portion 116A and the mark portion 114B and the concave portion 116B.

インプリント装置１によるインプリント動作について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、塗布部２０によって、基板上のアライメントマークを形成するべき第１の領域（即ち、マーク部１１４Ａ及び１１４Ｂの大きさに相当する領域）ＳＴＡ１及びＳＴＡ２に樹脂ＲＥを塗布する。 An imprint operation by the imprint apparatus 1 will be described. First, as shown in FIG. 3 (a), first regions (that is, regions corresponding to the sizes of the mark portions 114A and 114B) ST A1 and ST where the alignment mark on the substrate is to be formed by the application unit 20 are formed. Resin RE is applied to A2 .

次に、図３（ｂ）に示すように、第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２のそれぞれにマーク部１１４Ａ及び１１４Ｂが位置する状態で、モールドヘッド３０によって、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付ける。 Next, as shown in FIG. 3B, the mold 100 is pressed against the resin RE by the mold head 30 with the mark portions 114A and 114B positioned in the first regions ST A1 and ST A2 , respectively.

図３（ｂ）に示す状態において、光照射系１０によって、第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２に塗布された樹脂ＲＥに紫外線を照射して樹脂ＲＥを硬化させ、樹脂ＲＥからモールド１００を引き離す。これにより、図３（ｃ）に示すように、基板上の第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２のそれぞれにアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２が形成される。 In the state shown in FIG. 3B, the light irradiation system 10 irradiates the resin RE applied to the first regions ST A1 and ST A2 with ultraviolet rays to cure the resin RE, and separates the mold 100 from the resin RE. . Thereby, as shown in FIG. 3C, alignment marks AM1 and AM2 are formed in the first regions ST A1 and ST A2 on the substrate, respectively.

次に、図３（ｄ）に示すように、塗布部２０によって、基板上のパターンを形成するべき第２の領域（即ち、アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２が形成されている領域以外の領域）ＳＴＡ３に樹脂ＲＥを塗布する。 Next, as shown in FIG. 3D, a second region (that is, a region other than the region where the alignment marks AM1 and AM2 are formed) ST A3 where the pattern on the substrate is to be formed by the coating unit 20 is provided. Resin RE is applied to the surface.

次に、図３（ｅ）に示すように、モールドヘッド３０によって、モールド１００の中心と基板ＳＴの中心とが一致するように、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付ける。具体的には、第２の領域ＳＴＡ３にパターン部１１２が位置し、基板上に形成されているアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２のそれぞれの領域に凹部１１６Ａ及び１１６Ｂが位置する状態で、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付ける。この際、基板上に形成されているアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２（即ち、下地マーク）は、凹部１１６Ａ及び１１６Ｂと重なるため、モールド１００で押し潰されることなく、以降の工程においても位置決めマークとして用いることができる。なお、モールド１００に凹部１１６Ａ及び１１６Ｂがない場合、基板上に形成されているアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２は、モールド１００に接触して押し潰されてしまうため、以降の工程において位置決めマークとして用いることができない。 Next, as shown in FIG. 3E, the mold 100 is pressed against the resin RE by the mold head 30 so that the center of the mold 100 and the center of the substrate ST coincide with each other. Specifically, the mold 100 is placed in a state where the pattern portion 112 is located in the second region ST A3 and the recesses 116A and 116B are located in the respective regions of the alignment marks AM1 and AM2 formed on the substrate. Press against RE. At this time, the alignment marks AM1 and AM2 (that is, the base marks) formed on the substrate overlap with the recesses 116A and 116B, so that they are not crushed by the mold 100 and used as positioning marks in the subsequent steps. Can do. When the mold 100 does not have the recesses 116A and 116B, the alignment marks AM1 and AM2 formed on the substrate are crushed in contact with the mold 100, so that they are used as positioning marks in the subsequent steps. Can not.

図３（ｅ）に示す状態において、光照射系１０によって、第２の領域ＳＴＡ３に塗布された樹脂ＲＥに紫外線を照射して樹脂ＲＥを硬化させ、樹脂ＲＥからモールド１００を引き離す。これにより、図３（ｆ）に示すように、基板上の第２の領域ＳＴＡ３にパターン部１１２によるパターンＰＴが形成されると共に、マーク部１１４Ａ及び１１４ＢのそれぞれによるアライメントマークＡＭ３及びＡＭ４が形成される。 In the state shown in FIG. 3E, the light irradiation system 10 irradiates the resin RE applied to the second region ST A3 with ultraviolet rays to cure the resin RE, and separates the mold 100 from the resin RE. As a result, as shown in FIG. 3F , the pattern PT by the pattern portion 112 is formed in the second region ST A3 on the substrate, and the alignment marks AM3 and AM4 by the mark portions 114A and 114B are formed. Is done.

このように基板上に形成されたアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４を検出部５０によって検出することで、アライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４の相対的な位置ずれを検出することができる。また、処理部６０では、アライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４の相対的な位置ずれから、下地に対する基板上に形成されたパターンＰＴの位置ずれ（即ち、第２の領域ＳＴＡ３に対するパターン部１１２の位置ずれ）を求める。そして、以降のインプリント動作では、求めたパターン部１１２の位置ずれに基づいて、モールド１００の位置合わせ（第２の領域ＳＴＡ３に対するパターン部１１２の位置合わせ）を行う。具体的には、基板上の目標位置にパターン部１１２を位置合わせするための位置制御指令に、求めたパターン部１１２の位置ずれをオフセットとして加えた位置制御指令に従ってモールド１００の位置合わせを行う。これにより、基板ＳＴに形成されるパターンＰＴの位置ずれを抑えることが可能となる。従って、インプリント装置１は、パターンＰＴの位置ずれを抑えながら（即ち、オーバーレイ誤差を低減させながら）、基板上に高精度にパターンを形成することができる。なお、図３（ｃ）に示す状態において、基板上に形成されたアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を検出部５０によって検出し、アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２の下地に対する位置ずれに基づいて、モールド１００の位置合わせを行うことも可能である。 By detecting the alignment marks AM1 to AM4 formed on the substrate in this way by the detection unit 50, it is possible to detect the relative displacement of the alignment marks AM1 to AM4. Further, in the processing unit 60, the positional deviation of the pattern PT formed on the substrate with respect to the base from the relative positional deviation of the alignment marks AM1 to AM4 (that is, the positional deviation of the pattern unit 112 with respect to the second region ST A3 ). Ask for. In the subsequent imprint operation, the mold 100 is aligned (alignment of the pattern portion 112 with respect to the second region ST A3 ) based on the obtained positional deviation of the pattern portion 112. Specifically, alignment of the mold 100 is performed in accordance with a position control command obtained by adding the obtained positional deviation of the pattern portion 112 as an offset to the position control command for aligning the pattern portion 112 with the target position on the substrate. Thereby, it is possible to suppress the positional deviation of the pattern PT formed on the substrate ST. Therefore, the imprint apparatus 1 can form a pattern on the substrate with high accuracy while suppressing the positional deviation of the pattern PT (that is, reducing the overlay error). In the state shown in FIG. 3C, the alignment marks AM1 and AM2 formed on the substrate are detected by the detection unit 50, and the alignment of the mold 100 is performed based on the misalignment of the alignment marks AM1 and AM2 with respect to the base. It is also possible to perform.

また、下地マークとしてのアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２は、インプリント装置１のインプリント動作で形成するのではなく、別のインプリント装置やリソグラフィ装置などで予め形成されていてもよい。換言すれば、基板ＳＴが予め下地マークを有していてもよい。   Further, the alignment marks AM1 and AM2 as the base marks are not formed by the imprint operation of the imprint apparatus 1, but may be formed in advance by another imprint apparatus or a lithography apparatus. In other words, the substrate ST may have a base mark in advance.

図４を参照して、基板ＳＴが下地マークＢＭ１及びＢＭ２を有する場合のインプリント装置１によるインプリント動作（即ち、処理部６０で行われる処理）について説明する。   With reference to FIG. 4, an imprint operation (that is, a process performed by the processing unit 60) by the imprint apparatus 1 when the substrate ST has the base marks BM1 and BM2 will be described.

まず、図４（ａ）に示すように、塗布部２０によって、基板上のアライメントマークを形成するべき第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２に樹脂ＲＥを塗布する。ここで、第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２は、下地マークＢＭ１及びＢＭ２が形成されている領域以外の領域であって、マーク部１１４Ａ及び１１４Ｂの大きさに相当する領域である。 First, as shown in FIG. 4A, the application unit 20 applies the resin RE to the first regions ST A1 and ST A2 where the alignment marks on the substrate are to be formed. Here, the first areas ST A1 and ST A2 are areas other than the areas where the base marks BM1 and BM2 are formed, and are areas corresponding to the sizes of the mark portions 114A and 114B.

次に、図４（ｂ）に示すように、モールドヘッド３０によって、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付ける。具体的には、第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２のそれぞれにマーク部１１４Ａ及び１１４Ｂが位置し、下地マークＢＭ１及びＢＭ２のそれぞれが形成されている領域に凹部１１６Ａ及び１１６Ｂが位置する状態で、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付ける。この際、基板上の下地マークＢＭ１及びＢＭ２は、凹部１１６Ａ及び１１６Ｂと重なるため、モールド１００で押し潰されることなく、以降の工程においても位置決めマークとして用いることができる。なお、モールド１００に凹部１１６Ａ及び１１６Ｂがない場合、基板上の下地マークＢＭ１及びＢＭ２は、モールド１００に接触して押し潰されてしまう。 Next, as shown in FIG. 4B, the mold 100 is pressed against the resin RE by the mold head 30. Specifically, the mark portions 114A and 114B are positioned in the first regions ST A1 and ST A2 , respectively, and the recesses 116A and 116B are positioned in the regions where the base marks BM1 and BM2 are respectively formed. The mold 100 is pressed against the resin RE. At this time, since the base marks BM1 and BM2 on the substrate overlap with the concave portions 116A and 116B, they can be used as positioning marks in the subsequent steps without being crushed by the mold 100. When the mold 100 does not have the recesses 116A and 116B, the base marks BM1 and BM2 on the substrate come into contact with the mold 100 and are crushed.

図４（ｂ）に示す状態において、光照射系１０によって、第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２に塗布された樹脂ＲＥに紫外線を照射して樹脂ＲＥを硬化させ、樹脂ＲＥからモールド１００を引き離す。これにより、図４（ｃ）に示すように、基板上の第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２のそれぞれにアライメントマークＡＭ５及びＡＭ６が形成される。 In the state shown in FIG. 4B, the light irradiation system 10 irradiates the resin RE applied to the first regions ST A1 and ST A2 with ultraviolet rays to cure the resin RE, and separates the mold 100 from the resin RE. . As a result, as shown in FIG. 4C, alignment marks AM5 and AM6 are formed in the first regions ST A1 and ST A2 on the substrate, respectively.

このように形成されたアライメントマークＡＭ５及びＡＭ６と下地マークＢＭ１及びＢＭ２とを検出部５０によって検出することで、アライメントマークＡＭ５及びＡＭ６と下地マークＢＭ１及びＢＭ２との相対的な位置ずれを検出することができる。また、処理部６０では、アライメントマークＡＭ５及びＡＭ６と下地マークＢＭ１及びＢＭ２との相対的な位置ずれから、下地マークＢＭ１及びＢＭ２に対するパターン部１１２の位置ずれ（即ち、２の領域ＳＴＡ３に対するパターン部１１２の位置ずれ）を求める。 By detecting the alignment marks AM5 and AM6 and the base marks BM1 and BM2 formed in this way by the detection unit 50, a relative positional shift between the alignment marks AM5 and AM6 and the base marks BM1 and BM2 is detected. Can do. Further, in the processing unit 60, the positional shift of the pattern portion 112 with respect to the base marks BM1 and BM2 (that is, the pattern portion with respect to the two areas ST A3) from the relative positional shift between the alignment marks AM5 and AM6 and the base marks BM1 and BM2. 112).

なお、検出部５０で検出されるアライメントマークＡＭ５及びＡＭ６と下地マークＢＭ１及びＢＭ２との相対的な位置ずれは、理想的なインプリント動作が行われていれば０である。但し、実際には、様々な要因によって、理想的なインプリント動作が必ずしも行われていないため、基板ＳＴとモールド１００とが相対的に位置ずれを起こしてしまう。そこで、本実施形態では、アライメントマークＡＭ５及びＡＭ６と下地マークＢＭ１及びＢＭ２との相対的な位置ずれを検出することで、下地マークＢＭ１及びＢＭ２（即ち、基板ＳＴ）に対するパターン部１１２の位置ずれを求めている。なお、様々な要因には、基板ＳＴに樹脂ＲＥを塗布した後の気化熱の影響、基板ステージ４０の駆動によるベースラインの変動、モールド１００の押し付け又は引き離しによる基板ＳＴへの影響、紫外線の照射による熱の影響、モールド１００の変形などが含まれる。   Note that the relative displacement between the alignment marks AM5 and AM6 and the base marks BM1 and BM2 detected by the detection unit 50 is zero if an ideal imprint operation is performed. However, in practice, an ideal imprint operation is not necessarily performed due to various factors, so that the substrate ST and the mold 100 are relatively displaced. Therefore, in the present embodiment, the positional deviation of the pattern portion 112 with respect to the base marks BM1 and BM2 (that is, the substrate ST) is detected by detecting the relative positional deviation between the alignment marks AM5 and AM6 and the base marks BM1 and BM2. Seeking. Various factors include the influence of heat of vaporization after applying the resin RE to the substrate ST, the fluctuation of the baseline due to the driving of the substrate stage 40, the influence on the substrate ST caused by pressing or pulling off the mold 100, and the irradiation of ultraviolet rays. This includes the influence of heat due to heat and deformation of the mold 100.

次に、図４（ｄ）に示すように、塗布部２０によって、基板上のパターンを形成するべき第２の領域（即ち、下地マークＢＭ１及びＢＭ２が形成されている領域以外の領域）ＳＴＡ３に樹脂ＲＥを塗布する。 Next, as shown in FIG. 4D, a second region (that is, a region other than the region where the base marks BM1 and BM2 are formed) ST A3 where the pattern on the substrate is to be formed by the coating unit 20 ST A3. Resin RE is applied to the surface.

次に、図４（ｅ）に示すように、モールドヘッド３０によって、モールド１００を樹脂ＲＥに押し付ける。この際、求めたパターン部１１２の位置ずれに基づいて、モールド１００の位置合わせ（第２の領域ＳＴＡ３に対するパターン部１１２の位置合わせ）を行う。具体的には、基板上の目標位置にパターン部１１２を位置合わせするための位置制御指令に、求めたパターン部１１２の位置ずれをオフセットとして加えた位置制御指令に従ってモールド１００の位置合わせを行う。なお、基板上の下地マークＢＭ１及びＢＭ２のそれぞれは、凹部１１６Ａ及び１１６Ｂと重なるため、モールド１００で押し潰されることはない。 Next, as shown in FIG. 4E, the mold 100 is pressed against the resin RE by the mold head 30. At this time, alignment of the mold 100 (alignment of the pattern portion 112 with respect to the second region ST A3 ) is performed based on the obtained positional deviation of the pattern portion 112. Specifically, alignment of the mold 100 is performed in accordance with a position control command obtained by adding the obtained positional deviation of the pattern portion 112 as an offset to the position control command for aligning the pattern portion 112 with the target position on the substrate. Each of the base marks BM1 and BM2 on the substrate overlaps with the recesses 116A and 116B and is not crushed by the mold 100.

図４（ｅ）に示す状態において、光照射系１０によって、第２の領域ＳＴＡ３に塗布された樹脂ＲＥに紫外線を照射して樹脂ＲＥを硬化させ、樹脂ＲＥからモールド１００を引き離す。これにより、図４（ｆ）に示すように、基板上の第２の領域ＳＴＡ３にパターン部１１２によるパターンＰＴが形成される。また、基板上の第１の領域ＳＴＡ１及びＳＴＡ２には、マーク部１１４Ａ及び１１４ＢのそれぞれによるアライメントマークＡＭ５’及びＡＭ６’が形成される。 In the state shown in FIG. 4E, the light irradiation system 10 irradiates the resin RE applied to the second region ST A3 with ultraviolet rays to cure the resin RE, and separates the mold 100 from the resin RE. Thereby, as shown in FIG. 4F , the pattern PT by the pattern portion 112 is formed in the second region ST A3 on the substrate. In addition, alignment marks AM5 ′ and AM6 ′ formed by the mark portions 114A and 114B are formed in the first regions ST A1 and ST A2 on the substrate.

このように、基板ＳＴが下地マークを有する場合には、インプリント動作により基板ＳＴに形成されたアライメントマークと下地マークとの相対的な位置ずれから基板ＳＴとモールド１００との位置ずれを求める。そして、基板ＳＴとモールド１００との位置ずれに基づいて、基板ＳＴとモールド１００との位置合わせを行ってから、インプリント動作を行うことで、基板ＳＴに形成されるパターンの位置ずれを抑えることが可能となる。従って、インプリント装置１は、パターンの位置ずれを抑えながら（即ち、オーバーレイ誤差を低減させながら）、基板上に高精度にパターンを形成することができる。   As described above, when the substrate ST has the base mark, the positional shift between the substrate ST and the mold 100 is obtained from the relative positional shift between the alignment mark formed on the substrate ST by the imprint operation and the base mark. Then, based on the positional deviation between the substrate ST and the mold 100, the positional alignment of the substrate ST and the mold 100 is performed, and then the imprint operation is performed, thereby suppressing the positional deviation of the pattern formed on the substrate ST. Is possible. Therefore, the imprint apparatus 1 can form a pattern on the substrate with high accuracy while suppressing displacement of the pattern (that is, while reducing overlay error).

また、本実施形態では、モールド１００は、２つのマーク部１１４Ａ及び１１４Ｂと２つの凹部１１６Ａ及び１１６Ｂとをパターン面１１０に含むが、それらの数や位置は限定されるものではない。例えば、パターン面１１０のスクラブライン上の４つの隅のそれぞれにマーク部及び凹部を配置してもよい。   In the present embodiment, the mold 100 includes two mark portions 114A and 114B and two concave portions 116A and 116B on the pattern surface 110, but the number and position thereof are not limited. For example, you may arrange | position a mark part and a recessed part in each of the four corners on the scrub line of the pattern surface 110. FIG.

図５は、図４（ａ）乃至図４（ｃ）に示すインプリント動作の詳細を示す図である。図５（ａ）は、図４（ａ）の状態を示し、基板ＳＴには下地マークＢＭ１が予め形成され、基板ＳＴ（の第１の領域ＳＴＡ１）には樹脂ＲＥが塗布されている。なお、樹脂ＲＥは、一般には、半球状（断面では、円状）に塗布されている。図５（ｂ）は、図４（ｂ）の状態を示し、下地マークＢＭ１の上に凹部１１６Ａが位置した状態でモールド１００が押し付けられているため、下地マークＢＭ１がモールド１００によって押し潰されることはない。一方、基板上の第１の領域ＳＴＡ１に塗布された樹脂ＲＥには、モールド１００のマーク部１１４Ａが位置した状態でモールド１００が押し付けられている。この状態で紫外線ＵＬを照射することで、図５（ｃ）に示すように、下地マークＢＭ１を押し潰すことなく、基板上にアライメントマークＡＭ５を形成することができる。 FIG. 5 is a diagram showing details of the imprint operation shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c). FIG. 5A shows the state of FIG. 4A, in which a base mark BM1 is previously formed on the substrate ST, and a resin RE is applied to the substrate ST (first region ST A1 thereof). The resin RE is generally applied in a hemispherical shape (circular in cross section). FIG. 5B shows the state of FIG. 4B, and since the mold 100 is pressed with the recess 116A positioned on the base mark BM1, the base mark BM1 is crushed by the mold 100. There is no. On the other hand, the mold 100 is pressed against the resin RE applied to the first region ST A1 on the substrate in a state where the mark portion 114A of the mold 100 is positioned. By irradiating the ultraviolet ray UL in this state, as shown in FIG. 5C, the alignment mark AM5 can be formed on the substrate without crushing the base mark BM1.

また、本実施形態では、基板上の複数のショット領域のうちアライメントマークを形成するショット領域の一部の領域（アライメントマークを形成すべき領域）のみにインプリント動作を行うことが可能である。従って、アライメントマークを形成するショット領域に形成されるパターンの位置決め精度を向上させることができる（即ち、アライメントマークを形成するショット領域に形成されるパターンの位置精度を向上させることができる）。一方、従来技術では、アライメントマークを形成するショット領域の全体に対してインプリント動作を行ってアライメントマーク及びパターンを形成する。そして、かかるアライメントマークの位置ずれに基づいてモールドの位置を補正しながら他のショット領域にパターンを形成している。従って、アライメントマークを形成するショット領域に形成されるパターンの位置精度は、他のショット領域に形成されるパターンの位置精度よりも低く、不良品となる可能性が高かった。   Further, in the present embodiment, it is possible to perform the imprint operation only on a part of the shot area where the alignment mark is to be formed (area where the alignment mark is to be formed) among the plurality of shot areas on the substrate. Therefore, the positioning accuracy of the pattern formed in the shot region where the alignment mark is formed can be improved (that is, the positional accuracy of the pattern formed in the shot region where the alignment mark is formed can be improved). On the other hand, in the prior art, an imprint operation is performed on the entire shot region where an alignment mark is to be formed, thereby forming an alignment mark and a pattern. Then, a pattern is formed in another shot area while correcting the position of the mold based on the misalignment of the alignment mark. Therefore, the positional accuracy of the pattern formed in the shot region where the alignment mark is formed is lower than the positional accuracy of the pattern formed in the other shot regions, and the possibility of a defective product is high.

また、従来技術では、上述したように、アライメントマークを形成するショット領域に形成されるパターンの位置精度に問題があるため、かかるショット領域の数を多くすることはできない。一方、本実施形態では、アライメントマークを形成するショット領域に形成されるパターンの位置精度と他のショット領域に形成されるパターンの位置精度との間に差がないため、アライメントマークを形成するショット領域の数に制限はない。従って、基板上の複数のショット領域の全てを、アライメントマークを形成するショット領域にすることも可能である。   Further, in the prior art, as described above, there is a problem in the positional accuracy of the pattern formed in the shot area where the alignment mark is formed, and therefore the number of such shot areas cannot be increased. On the other hand, in this embodiment, since there is no difference between the positional accuracy of the pattern formed in the shot region where the alignment mark is formed and the positional accuracy of the pattern formed in another shot region, the shot where the alignment mark is formed. There is no limit to the number of regions. Accordingly, all of the plurality of shot areas on the substrate can be used as shot areas for forming alignment marks.

物品としてのデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子等）の製造方法は、インプリント装置１を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。   A method for manufacturing a device (semiconductor device, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of transferring (forming) a pattern to a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate, etc.) using the imprint apparatus 1. The manufacturing method further includes a step of etching the substrate on which the pattern is transferred. In addition, when manufacturing other articles, such as a pattern dot media (recording medium) and an optical element, this manufacturing method includes the other process step which processes the board | substrate with which the pattern was transferred instead of an etching step. .

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

Claims (6)

下地マークを有する基板に塗布された樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドは、前記パターンを形成するためのパターン部と、前記基板上にアライメントマークを形成するためのマーク部と、前記モールドを樹脂に押し付けた状態において前記下地マークが押し潰されることを防止する凹部とを前記パターン面に含み、
前記インプリント装置は、
前記モールドを駆動する駆動部と、
前記下地マークと前記基板上に形成された前記アライメントマークとの位置ずれを検出する検出部と、
前記基板上の前記アライメントマークを形成すべき第１の領域に樹脂を塗布し、前記第１の領域に前記マーク部が位置し、前記下地マークが形成されている領域に前記凹部が位置する状態で、前記モールドを樹脂に押し付けて前記基板上にアライメントマークを形成する処理と、前記基板上の前記パターンを形成すべき第２の領域に樹脂を塗布し、前記検出部で検出された前記位置ずれから前記第２の領域に対する前記パターン部の位置ずれを求め、前記基板上の目標位置に前記パターン部を位置合わせするための位置制御指令に前記パターン部の位置ずれをオフセットとして加えた位置制御指令に従って前記第２の領域に対して前記パターン部の位置合わせを行った状態で、前記モールドを樹脂に押し付けて前記基板上に前記パターンを形成する処理と、を行う処理部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus for forming a pattern on the substrate by curing the resin in a state where a mold having a pattern surface is pressed against the resin applied to the substrate having a base mark,
The mold prevents a pattern portion for forming the pattern, a mark portion for forming an alignment mark on the substrate, and the ground mark from being crushed in a state where the mold is pressed against a resin. A concave portion in the pattern surface,
The imprint apparatus includes:
A drive unit for driving the mold;
A detection unit for detecting a positional deviation between the base mark and the alignment mark formed on the substrate;
Resin is applied to the first region on the substrate where the alignment mark is to be formed, the mark portion is located in the first region, and the concave portion is located in the region where the base mark is formed The process of pressing the mold against the resin to form alignment marks on the substrate, and applying the resin to the second region on the substrate where the pattern is to be formed, and the position detected by the detection unit Position control in which the positional deviation of the pattern portion with respect to the second region is obtained from the deviation, and the positional deviation of the pattern portion is added as an offset to a position control command for aligning the pattern portion with the target position on the substrate. In a state where the pattern portion is aligned with respect to the second region in accordance with a command, the mold is pressed against a resin to form the pattern on the substrate. A process for a processing unit that performs,
An imprint apparatus comprising: 前記凹部は、前記モールドを樹脂に押し付けた状態において、前記下地マークに接触しない寸法を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。   2. The imprint apparatus according to claim 1, wherein the recess has a dimension that does not contact the base mark in a state where the mold is pressed against a resin. 前記パターン面は、矩形形状を有し、
前記マーク部及び前記凹部のそれぞれは、前記パターン面内の平行な２つの辺のそれぞれに沿って配置され、
前記パターン部は、前記２つの辺のそれぞれに沿って配置された前記マーク部及び前記凹部の間に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。 The pattern surface has a rectangular shape,
Each of the mark portion and the concave portion is disposed along each of two parallel sides in the pattern surface,
3. The imprint apparatus according to claim 1, wherein the pattern portion is disposed between the mark portion and the concave portion that are disposed along each of the two sides. 4. 基板に塗布された樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置に用いられるモールドであって、
前記パターンを形成するためのパターン部と、
前記基板上にアライメントマークを形成するためのマーク部と、
前記モールドを樹脂に押し付けた状態において前記基板に形成されている下地マークが押し潰されることを防止する凹部と、
を有し、
前記パターン部、前記マーク部及び前記凹部は、１つの面に形成されていることを特徴とするモールド。 A mold used in an imprint apparatus that cures the resin in a state where a mold having a pattern surface is pressed against the resin applied to the substrate to form a pattern on the substrate,
A pattern portion for forming the pattern;
A mark portion for forming an alignment mark on the substrate;
A recess that prevents the base mark formed on the substrate from being crushed in a state where the mold is pressed against the resin;
Have
The mold, wherein the pattern portion, the mark portion, and the recess are formed on one surface. 前記凹部は、前記パターン部の前記パターンを形成するためのへこみよりも深いへこみで構成されていることを特徴とする請求項４に記載のモールド。   The mold according to claim 4, wherein the concave portion is formed by a recess deeper than a recess for forming the pattern of the pattern portion. 請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、
前記パターンが形成された基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。 Forming a resin pattern on a substrate using the imprint apparatus according to claim 1;
Processing the substrate on which the pattern is formed;
A method for producing an article comprising:
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