JP2013195070A - テラヘルツ波測定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】構成が簡易であり、測定周期が広帯域で可変なテラヘルツ波測定装置を提供する。
【解決手段】光パルスを発生するパルス光源と、光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する第1の光伝導アンテナと、光パルスおよび第1の光伝導アンテナにより発生し計測対象の試料を透過したテラヘルツ波が照射され、テラヘルツ波に基づく電流を発生する第2の光伝導アンテナと、を備え、パルス光源は、入力光を第1の変調信号で変調して光パルスを発生させる第1のLN変調器と、光パルスのチャープを補償する分散補償器と、光パルスを、第1の変調信号と同期し光パルスのうち特定の一部の光パルスのみが出力されるように設定された信号パターンを有する第2の変調信号で変調することにより、特定の一部の光パルスを出力する第2のLN変調器と、を備え、第1の変調信号の周波数を掃引することにより、繰り返し周波数が掃引された光パルスを発生する。
【選択図】図1
【解決手段】光パルスを発生するパルス光源と、光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する第1の光伝導アンテナと、光パルスおよび第1の光伝導アンテナにより発生し計測対象の試料を透過したテラヘルツ波が照射され、テラヘルツ波に基づく電流を発生する第2の光伝導アンテナと、を備え、パルス光源は、入力光を第1の変調信号で変調して光パルスを発生させる第1のLN変調器と、光パルスのチャープを補償する分散補償器と、光パルスを、第1の変調信号と同期し光パルスのうち特定の一部の光パルスのみが出力されるように設定された信号パターンを有する第2の変調信号で変調することにより、特定の一部の光パルスを出力する第2のLN変調器と、を備え、第1の変調信号の周波数を掃引することにより、繰り返し周波数が掃引された光パルスを発生する。
【選択図】図1
Description
本発明は、テラヘルツ波発生装置に関する。
近年、テラヘルツ波(ミリ波・サブミリ波を含む周波数30GHz〜12THzの電磁波)を利用した分光計測の研究が行われている。テラヘルツ波による分光計測系は、テラヘルツ波発生アンテナに光パルスを照射することによりテラヘルツ波を発生させ、一方、テラヘルツ波検出アンテナに光パルスを照射するとともに測定対象の試料を透過したテラヘルツ波を入射させるように構成される。テラヘルツ波検出アンテナに入射されるテラヘルツ波に対して光パルスが少しずつ異なる時間差を持つようにすることで、試料を透過後のテラヘルツ波の時間波形を測定(時間領域分光計測)することができる。テラヘルツ波と光パルスに時間差をつけるために、特許文献1では、移動式の折り返しミラーによる遅延光学系を用いて光パルスの光路長を可変にしている。また、特許文献2では、テラヘルツ波発生アンテナとテラヘルツ波検出アンテナにそれぞれ照射する光パルスの繰り返し周波数を異ならせている。
しかしながら、特許文献1では、ミラーを機械的に移動させる必要があるため光学系の構成が複雑になり、可動部分があることにより測定のスピードが遅く安定性も良くない、という問題がある。また、特許文献2では、繰り返し周波数の異なる2つのパルス光源を用いなければならないため、構成が複雑になり装置の大型化を招くという問題がある。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、構成が簡易なテラヘルツ波測定装置を提供することにある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、光パルスを発生するパルス光源と、前記光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する第1の光伝導アンテナと、前記光パルスおよび前記第1の光伝導アンテナにより発生し計測対象の試料を透過したテラヘルツ波が照射され、前記テラヘルツ波に基づく電流を発生する第2の光伝導アンテナと、を備え、前記パルス光源から出力されて前記第1の光伝導アンテナに照射される光パルスが伝搬する光路と前記第1の光伝導アンテナから放射され前記第2の光伝導アンテナへ入射するテラヘルツ波が伝搬する経路とを合わせた第1の光路長と、前記パルス光源から出力されて前記第2の光伝導アンテナに照射される光パルスが伝搬する光路による第2の光路長とが差を有するように設定され、前記パルス光源は、入力光を第1の変調信号で変調して光パルスを発生させる第1のLN変調器と、前記光パルスのチャープを補償する分散補償器と、前記光パルスを、前記第1の変調信号と同期し前記光パルスのうち特定の一部の光パルスのみが出力されるように設定された信号パターンを有する第2の変調信号で変調することにより、前記特定の一部の光パルスを出力する第2のLN変調器と、を備え、前記第1の変調信号の周波数を掃引することにより、繰り返し周波数が掃引された前記光パルスを発生することを特徴とするテラヘルツ波測定装置である。
また、本発明は、上記のテラヘルツ波測定装置において、前記第1の光路長と前記第2の光路長が差を有するように光路長を調整する遅延光学系を備えることを特徴とする。
また、本発明は、上記のテラヘルツ波測定装置において、前記パルス光源からの光パルスを分周して複数に分離する光スイッチを備え、前記分離した光パルスによって発生させた複数の前記テラヘルツ波を前記試料の複数箇所に照射することにより、前記試料の複数箇所の分光計測を行うことを特徴とする。
本発明によれば、構成が簡易であり、測定周期が広帯域で可変なテラヘルツ波測定装置を実現することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
図1は、本発明の実施形態によるテラヘルツ波測定装置1の構成を示す図である。テラヘルツ波測定装置1は、パルス光源10、テラヘルツ波発生アンテナ30、テラヘルツ波検出アンテナ40を含んで構成されている。
図1は、本発明の実施形態によるテラヘルツ波測定装置1の構成を示す図である。テラヘルツ波測定装置1は、パルス光源10、テラヘルツ波発生アンテナ30、テラヘルツ波検出アンテナ40を含んで構成されている。
パルス光源10は、テラヘルツ波発生アンテナ30およびテラヘルツ波検出アンテナ40を励起するための光パルスを発生する光源であり、例えば、1.5μm帯(1490nm〜1640nm)のフェムト秒パルスレーザ光(パルス幅:〜200fs)を発生するパルス光源が用いられる。パルス光源10の詳細な構成については後述する。
テラヘルツ波発生アンテナ30およびテラヘルツ波検出アンテナ40は、温度300℃程度以下で膜成長させた低温成長GaAs(ガリウム砒素)基板上にダイポールアンテナを形成した構成の光伝導アンテナである。テラヘルツ波発生アンテナ30には、ハーフミラーM1、遅延光学系M2およびM3、レンズL1を介してパルス光源10からの光パルスが照射され、テラヘルツ波検出アンテナ40には、ハーフミラーM1、ミラーM4、レンズL2を介してパルス光源10からの光パルスが照射される。また、テラヘルツ波検出アンテナ40には、テラヘルツ波発生アンテナ30で発生したテラヘルツ波TWが、レンズL3、ミラーM5、試料S、ミラーM6、レンズL4を介して入射される。
図2に、テラヘルツ波発生アンテナ30の構成を示す。テラヘルツ波発生アンテナ30のダイポールアンテナ302にはDC電源60が接続され、ダイポールアンテナ302を構成する2つの電極のギャップG間にバイアス電界が印加される。この状態でダイポールアンテナ302のギャップGにパルス光源10からのフェムト秒の光パルスが照射されると、基板301内には光パルスによって寿命が〜300fs程度のキャリア(自由電子)が生成され、このキャリアがバイアス電界により加速されて、1ps以下程度の時間幅を有するパルス状の瞬時電流が生じる。この瞬時電流によって、瞬時電流の時間微分に比例した強度分布を持つ電磁波、すなわちテラヘルツ波TWが放射される。これがテラヘルツ波の発生原理である。
図3に、テラヘルツ波検出アンテナ40の構成を示す。テラヘルツ波検出アンテナ40においては、パルス光源10からのフェムト秒の光パルスをダイポールアンテナ402を構成する2つの電極のギャップGに照射するとともに、テラヘルツ波発生アンテナ30により発生し試料Sを透過したテラヘルツ波TWを入射させる。光パルスとテラヘルツ波TWがテラヘルツ波検出アンテナ40に同時に入射するように、遅延光学系(ミラー)M2,M3により光路長が固定値に調整されている。すると、基板401内には光パルスによってキャリアが生成され、このキャリアがテラヘルツ波TWの振動電場により加速されて、テラヘルツ波TWの振動電場に比例して瞬時電流が流れる。この瞬時電流を増幅器80で増幅後に電流計90で測定することによって、テラヘルツ波TWを検出することができる。これがテラヘルツ波の検出原理である。
ここで、テラヘルツ波の時間波形は、テラヘルツ波発生アンテナ30およびテラヘルツ波検出アンテナ40の感度にもよるが、例えば200ps程度の時間幅を持つ。このようなテラヘルツ波と、それに対して極めて時間幅の狭い(上記のとおり、〜200fs)光パルスとがテラヘルツ波検出アンテナ40に到達した時、発生する上述の瞬時電流は、テラヘルツ波の時間波形の中の、テラヘルツ波と光パルスが時間的に重なった部分における瞬間的な強度に依存したものとなる。すなわち、光パルスがテラヘルツ波検出アンテナ40に照射される毎に、幅広のテラヘルツ波のある一瞬が切り取られて、テラヘルツ波の強度が測定される。したがって、少しずつ時間差をつけた多数の光パルスを用いれば、テラヘルツ波の全体の時間波形を測定(時間領域分光計測)することができる。
本テラヘルツ波測定装置1では、テラヘルツ波の時間波形を測定するために、パルス光源10から出力される光パルスの繰り返し周波数を、周波数幅Δfで掃引する。光パルスの繰り返し周波数を変化させることにより、テラヘルツ波と光パルスがテラヘルツ波検出アンテナ40に到達する時刻の時間軸上における相対位置が変化する。よって、光パルスの繰り返し周波数を幅Δfで掃引した時、テラヘルツ波を基準として見ると光パルスが時間軸を動いていくことになる。光パルスが動く時間幅Δτは、次式(A)のように表される。
但し、図1において、ハーフミラーM1からテラヘルツ波発生アンテナ30を通ってテラヘルツ波検出アンテナ40までの光路と、ハーフミラーM1からミラーM4を通ってテラヘルツ波検出アンテナ40までの光路との光路長差をLとする。すなわち、光路長差Lは、パルス光源10から出力されてテラヘルツ波発生アンテナ30に照射される光パルスが伝搬する光路の光路長をL1、テラヘルツ波発生アンテナ30から放射されテラヘルツ波検出アンテナ40へ入射するテラヘルツ波が伝搬する経路の長さをL2、パルス光源10から出力されてテラヘルツ波検出アンテナ40に照射される光パルスが伝搬する光路の光路長をL3とした時、第1の光路長L1+L2と第2の光路長L3の差分としてL=|(L1+L2)−L3|で表される長さである。また、光パルスの繰り返し周波数をf、光速をcとする。
上式(A)のように、光パルスの繰り返し周波数を周波数幅Δfで掃引することでテラヘルツ波に対して光パルスが時間幅Δτで動くので、繰り返し周波数を周波数掃引して発生させた多数の光パルスを用いて、時間幅Δτ程度の広がりを持つテラヘルツ波の時間波形を測定することが可能である。一例として、f=1GHz、L=6mとすると、Δτ=200psのテラヘルツ波の時間波形を測定するには、光パルスの繰り返し周波数の周波数掃引幅をΔf=10MHzとすればよい。そして、例えば掃引のステップを0.1MHzとすれば、測定ポイントは100ポイントとなり、Δτ=200psのテラヘルツ波を2psの分解能で測定することができる。
次に、パルス光源10の詳細を説明する。
図4は、本発明の実施形態によるパルス光源10の構成を示す図である。
図4は、本発明の実施形態によるパルス光源10の構成を示す図である。
パルス光源10は、光源110、光周波数コム発生器120、分散補償器130、光強度変調器140、光パルス圧縮器150、及び信号発生器160を備える。
また、光周波数コム発生器120は、マッハツェンダー型光変調器121、増幅器123、可変増幅器124、及びバイアス電圧供給部125を備える。
また、光強度変調器140は、マッハツェンダー型光変調器141、位相調整器143、及びバイアス電圧供給部145を備える。
また、光パルス圧縮器150は、第1光増幅器151、非線形圧縮器152、及び第2光増幅器153を備える。
また、光周波数コム発生器120は、マッハツェンダー型光変調器121、増幅器123、可変増幅器124、及びバイアス電圧供給部125を備える。
また、光強度変調器140は、マッハツェンダー型光変調器141、位相調整器143、及びバイアス電圧供給部145を備える。
また、光パルス圧縮器150は、第1光増幅器151、非線形圧縮器152、及び第2光増幅器153を備える。
光源110は、例えばレーザ光源であり、所定波長の連続光を発生させる。一例として、波長1.55μm帯のDFB(分布帰還型)レーザを光源110に用いることができる。光源110の出射端は、例えば光ファイバによって、マッハツェンダー型光変調器121の入力導波路1211と接続されている。
信号発生器160は、所定の周波数の変調信号SIG1(例えば正弦波)を発生させ、光周波数コム発生器120へ供給する。信号発生器160の変調信号SIG1を出力する出力部は、光周波数コム発生器120の増幅器123及び可変増幅器124に接続されている。また、信号発生器160は、変調信号SIG1と同期した変調信号SIG2を発生させ、光強度変調器140へ供給する。信号発生器160の変調信号SIG2を出力する出力部は、光強度変調器140の位相調整器143に接続されている。変調信号SIG1と変調信号SIG2が同期しているとは、変調信号SIG1の周波数と変調信号SIG2の周波数が一致するか、または変調信号SIG2の周波数が変調信号SIG1の周波数の整数分の1であることを意味する。例えば、信号発生器160はその内部で発生させた共通のマスタークロックを周波数逓倍することによって、このような変調信号SIG1,SIG2を発生させることができる。変調信号SIG1及びSIG2の詳細については後述する。なお、変調信号SIG1を発生させる信号発生器と変調信号SIG2を発生させる信号発生器とを別個に設けた構成としてもよい。
マッハツェンダー型光変調器121は、入力導波路1211、2つの分岐導波路1212A,1212B、出力導波路1213、変調電極1214A,1214B、及びバイアス電極1215を有する。分岐導波路1212A及び1212Bは、それぞれ入力導波路1211と出力導波路1213に接続されている。出力導波路1213は、分散補償器130の入射端に接続されている。入力導波路1211、分岐導波路1212A,1212B、及び出力導波路1213により、マッハツェンダー干渉計が構成される。変調電極1214Aは、分岐導波路1212A上に、また変調電極1214Bは、分岐導波路1212A上若しくは1212B上のいずれか、又はその両方に、それぞれ形成されている。バイアス電極1215は、分岐導波路1212B上に形成されている。このマッハツェンダー型光変調器121は、例えば、ZカットLN基板上に各導波路と各電極を形成したLN変調器を用いることができる。この構成により、マッハツェンダー型光変調器121は、2つの分岐導波路1212A,1212Bを伝搬する光が受ける位相を独立に制御可能である。
増幅器123は、信号発生器160からの変調信号SIG1を所定の増幅率で増幅する。増幅器123の出力部は、マッハツェンダー型光変調器121の変調電極1214Aに接続されている。可変増幅器124は、信号発生器160からの変調信号SIG1を所定の増幅率で増幅する。可変増幅器124の出力部は、マッハツェンダー型光変調器121の変調電極1214Bに接続されている。増幅器123と可変増幅器124の増幅率は、それぞれ、変調電極1214A,1214Bに印加される変調信号SIG1の振幅が後述する式(10)の条件を満たすように、設定がなされている。
バイアス電圧供給部125は、マッハツェンダー型光変調器121にバイアス電圧を供給する。このバイアス電圧は、後述する式(11)の条件が満たされるように、設定がなされている。バイアス電圧供給部125の出力部は、マッハツェンダー型光変調器121のバイアス電極1215に接続されている。
分散補償器130は、所定(後述)の分散特性を有しており、光周波数コム発生器120からの光パルス(後述)を狭窄化して出力する。この分散補償器130として、例えば、分散が上記所定の特性を持った光ファイバを用いることができるが、光ファイバ以外の光学素子を用いてもよい。
マッハツェンダー型光変調器141は、入力導波路1411、2つの分岐導波路1412A,1412B、出力導波路1413、変調電極1414、及びバイアス電極1415を有する。入力導波路1411は、分散補償器130の出射端に接続されている。分岐導波路1412A及び1412Bは、それぞれ入力導波路1411と出力導波路1413に接続されている。入力導波路1411、分岐導波路1412A,1412B、及び出力導波路1413により、マッハツェンダー干渉計が構成される。変調電極1414は、分岐導波路1412Aと1412Bの間に形成されている。バイアス電極1415は、分岐導波路1412B上に形成されている。このマッハツェンダー型光変調器141は、例えば、XカットLN基板上に各導波路と各電極を形成したLN変調器を用いることができる。この構成により、マッハツェンダー型光変調器141は、プッシュプル駆動が可能となり、チャープの発生をゼロとすることができる。なお、プッシュプル駆動が可能な他の電極構成を用いてもよい。
位相調整器143は、分散補償器130からの光パルス列(後述)と信号発生器160からの変調信号SIG2の位相(タイミング)が一致するよう、変調信号SIG2の位相を調整する。位相調整器143の出力部は、マッハツェンダー型光変調器141の変調電極1414に接続されている。
バイアス電圧供給部145は、マッハツェンダー型光変調器141に所定のバイアス電圧を供給する。バイアス電圧供給部145の出力部は、マッハツェンダー型光変調器141のバイアス電極1415に接続されている。
第1光増幅器151は、光強度変調器140から出力される光パルス(後述)を、非線形圧縮器152において非線形現象が起きるのに必要な程度のパワーにまで増幅する。第1光増幅器151として、例えばEDFA(エルビウム・ドープ・ファイバ・アンプ)を用いることができる。
非線形圧縮器152は、光パルスを圧縮する装置であり、一例として、高非線形ファイバと高分散ファイバを交互に接続して構成されたファイバモジュールを用いる。各ファイバの長さは、断熱圧縮条件を満たすように設定される。これにより、非線形圧縮器152は、入力された光パルスのパルス幅を狭めながらピークパワーを増大させることで光パルスを断熱圧縮(ソリトン圧縮)する。
第2光増幅器152は、非線形圧縮器152によって圧縮された光パルスを、パルス光源10の最終的な出力パワーとして要求されるパワーまで増幅する。第2光増幅器152へ入力される光パルスは、非線形圧縮器152により極めて細いパルス幅に圧縮されているため、そのスペクトル帯域幅は40nm程度にまで拡大している。よって、第2光増幅器152としては、広帯域で増幅が可能なものを用いることが望ましい。
次に、上記のように構成されたパルス光源10の動作を説明する。
光源110により発生された光は、光周波数コム発生器120のマッハツェンダー型光変調器121へ入力される。マッハツェンダー型光変調器121において、この光は、入力導波路1211から分岐導波路1212A,1212Bへ分岐されて、各分岐導波路中を伝搬する。このとき、分岐導波路1212A,1212Bを伝搬している間に、伝搬光は、変調電極1214A,1214B及びバイアス電極1215からの電界に応じて位相変化を受ける。そして、この位相変化を受けた光は、出力導波路1213で再び合波される。
光源110により発生された光は、光周波数コム発生器120のマッハツェンダー型光変調器121へ入力される。マッハツェンダー型光変調器121において、この光は、入力導波路1211から分岐導波路1212A,1212Bへ分岐されて、各分岐導波路中を伝搬する。このとき、分岐導波路1212A,1212Bを伝搬している間に、伝搬光は、変調電極1214A,1214B及びバイアス電極1215からの電界に応じて位相変化を受ける。そして、この位相変化を受けた光は、出力導波路1213で再び合波される。
ここで、マッハツェンダー型光変調器121への入力光の振幅と周波数をそれぞれE0,ω0とし、分岐導波路1212Aと1212Bにおいて伝搬光が受ける位相変化をそれぞれθ1,θ2とすると、出力導波路1213で合波後の光、すなわち光周波数コム発生器120の出力光(マッハツェンダー型光変調器121の出力光)の振幅の時間変化E(t)は、次式(1)のように表される。
E(t)=E0[sin(ω0t+θ1)+sin(ω0t+θ2)]/2 …(1)
E(t)=E0[sin(ω0t+θ1)+sin(ω0t+θ2)]/2 …(1)
但し、
θ1=A1sin(ωmt)+B1 …(2)
θ2=A2sin(ωmt)+B2 …(3)
ωm=2πfm …(4)
A1:変調電極1214Aにより分岐導波路1212Aの伝搬光へ与えられる変調の振幅
A2:変調電極1214Bにより分岐導波路1212Bの伝搬光へ与えられる変調の振幅
B1:バイアス電極1215により分岐導波路1212Aの伝搬光へ与えられる位相
B2:バイアス電極1215により分岐導波路1212Bの伝搬光へ与えられる位相
fm:信号発生器160が発生する変調信号SIG1の変調周波数
である。
θ1=A1sin(ωmt)+B1 …(2)
θ2=A2sin(ωmt)+B2 …(3)
ωm=2πfm …(4)
A1:変調電極1214Aにより分岐導波路1212Aの伝搬光へ与えられる変調の振幅
A2:変調電極1214Bにより分岐導波路1212Bの伝搬光へ与えられる変調の振幅
B1:バイアス電極1215により分岐導波路1212Aの伝搬光へ与えられる位相
B2:バイアス電極1215により分岐導波路1212Bの伝搬光へ与えられる位相
fm:信号発生器160が発生する変調信号SIG1の変調周波数
である。
上式(1)から、光周波数コム発生器120の出力光のパワーP(t)と周波数ω(t)は、それぞれ次式(5),(6)のように表すことができる。
P(t)=P0[1+cos{ΔAsin(ωmt)+Δθ}]/2 …(5)
ω(t)=ω0+ωmAsin(ωmt) …(6)
但し、
ΔA=A1−A2 …(7)
Δθ=B1−B2 …(8)
A=(A1+A2)/2 …(9)
である。また、P0はマッハツェンダー型光変調器121への入力光のパワーである。
P(t)=P0[1+cos{ΔAsin(ωmt)+Δθ}]/2 …(5)
ω(t)=ω0+ωmAsin(ωmt) …(6)
但し、
ΔA=A1−A2 …(7)
Δθ=B1−B2 …(8)
A=(A1+A2)/2 …(9)
である。また、P0はマッハツェンダー型光変調器121への入力光のパワーである。
図5に、光周波数コム発生器120の出力光のパワーP(t)を模式的に示す。但し、同図はfm=10GHzの例である。この図から分かるように、光周波数コム発生器120から出力される光は、複数の光パルスpa1,pa2,pa3,pa4,…が等しい時間間隔で並んだ光パルス列PAとなる。図の例では、各光パルスの時間間隔は100ps(繰り返し周波数10GHz)であり、パルス幅は50ps程度である。なお、上式(6)によれば、各光パルスにおいて、周波数は光パルスの先端Sから末端Eに向かって(時間tが大きくなるにつれて)増加する。すなわち、光周波数コム発生器120から出力される各光パルスには、正のチャープがかかっている。
ここで、上式(5)から、ΔA及びΔθの値に応じて光パルスの波形P(t)は変化する。これは、ΔA及びΔθの値によっては光パルスの波形に歪みが生じることを意味する。このような歪みのない光パルスが得られる条件の1つとして、次式(10)及び(11)が満たされればよいことが知られている(例えば、特開2007−248660号公報、特開2012−32438号公報を参照)。
ΔA=0.5π …(10)
Δθ=0.5π …(11)
ΔA=0.5π …(10)
Δθ=0.5π …(11)
したがって、変調電極1214A,1214Bに印加される変調信号SIG1による変調振幅が式(10)の条件を満たすように、増幅器123と可変増幅器124の増幅率を設定しておくとともに、バイアス電極1215に印加されるバイアス電圧により付与される位相が式(11)の条件を満たすように、バイアス電圧を設定しておくことで、光周波数コム発生器120の出力光を、歪みのない光パルスが並んだ光パルス列(図5)とすることができる。
以上のようにして光周波数コム発生器120から出力された光パルスは、分散補償器130へ入力されて狭窄化される。光周波数コム発生器120からの光パルスは上述のとおり正のチャープを持っている。この光パルスを狭窄化するために、分散補償器130として、長波長(低周波数)の光成分(光パルスの前半部分)に対する群速度が大きく、短波長(高周波数)の光成分(光パルスの後半部分)に対する群速度が小さい分散特性を有した光ファイバを採用する。例えば、波長1.3μm帯で分散がゼロとなり線形の分散を有した1.3μm帯通信用シングルモードファイバを用いることができる。このような特性の分散補償器130を通過することにより、各光パルスはそのパルス幅が細くなる。図6に、分散補償器130の出力光のパワーP(t)を模式的に示す。同図に示されるように、分散補償器130から出力される光は、狭窄化された光パルスpb1,pb2,pb3,pb4,…が並んだ光パルス列PBとなる。例えば、分散補償器130を通過後の各光パルスのパルス幅は、2.5ps程度である。
こうして分散補償器130から出力された光(光パルス列PB)は、光強度変調器140へ入力されて、マッハツェンダー型光変調器141において変調信号SIG2による強度変調を受ける。マッハツェンダー型光変調器141を駆動する変調信号SIG2の信号パターンは、光パルス列PBを構成する光パルスのうち特定の一部の光パルスのみがマッハツェンダー型光変調器141から出力されるような信号パターンとする。すなわち、マッハツェンダー型光変調器141は、変調信号SIG2で駆動されることにより、上記特定の光パルスを透過させ、それ以外の光パルスを遮断するように動作する。このような信号パターンは、本パルス光源10からどのような光パルス列を出力したいかに応じて任意のパターンを設定可能である。
一例として、図7に、変調信号SIG1を2分周したものを変調信号SIG2に用いた場合の、マッハツェンダー型光変調器141の透過率の時間変化及び光強度変調器140の出力光のパワーP(t)を模式的に示す。変調信号SIG2の周波数が変調信号SIG1の周波数の2分の1であるため、この例におけるマッハツェンダー型光変調器141の透過率は、図示されるように、光強度変調器140へ入力される光パルスの繰り返し周期の2倍の繰り返し周期で高透過率と低透過率を繰り返すものとなる。したがって、このような変調信号SIG2でマッハツェンダー型光変調器141を駆動することにより、光パルス列PBを構成する一連の各光パルスは、交互に、マッハツェンダー型光変調器141を透過し、またはマッハツェンダー型光変調器141によって遮断される。すなわち、マッハツェンダー型光変調器141からは、図7のように、光パルス列PBを構成する光パルスを1つ置きに間引いた光パルスpc1,pc3,pc5,…からなる光パルス列PCが出力されてくる。図示されるように、各光パルスの時間間隔は200ps(繰り返し周波数5GHz)である。なお、同図において、点線で表された光パルスはマッハツェンダー型光変調器141により間引かれた(遮断された)光パルスを示す。
このように、図7の例では、光パルスを間引くことによって光パルスの繰り返し周波数を2分の1に変換することができる。
また、同様に、変調信号SIG2として変調信号SIG1を例えば4分周したものや8分周したものを用いれば、光パルスの繰り返し周波数をそれぞれ4分の1、8分の1に変換することができる。
また、同様に、変調信号SIG2として変調信号SIG1を例えば4分周したものや8分周したものを用いれば、光パルスの繰り返し周波数をそれぞれ4分の1、8分の1に変換することができる。
したがって、変調信号SIG2の周波数(変調信号SIG1の周波数の整数分の1)を適宜選択することで、光強度変調器140から出力される光パルスの繰り返し周波数を様々に変更することが可能である。
このようにして光強度変調器140から出力された光パルスは、光パルス圧縮器150へ入力されてパルス圧縮される。これにより、光パルスのパルス幅をさらに0.2ps程度まで細くすることができ、所謂フェムト秒パルスを生成することが可能となる。
上述したとおり、本パルス光源10は、光強度変調器140において変調信号SIG2に応じて光パルスを間引くことで、光パルスの繰り返し周波数を変化させることが可能である。また、信号発生器160が発生する変調信号SIG1の変調周波数fmを掃引することによっても、光パルスの繰り返し周波数を変化させることが可能である。この両者を組み合わせることで、非常に広い周波数範囲にわたって任意に光パルスの繰り返し周波数を変化させることが可能となる。ここで、マッハツェンダー型光変調器121,141はLN変調器として構成されているので、数MHz〜数十GHz(例えば10MHz前後〜40GHz前後)の広帯域にわたって本パルス光源10は動作可能である。そのため、測定周期が広帯域で可変なテラヘルツ波測定装置を実現することができる。
以上のように、本実施形態のテラヘルツ波測定装置1によれば、光パルスの繰り返し周波数を掃引することによって、テラヘルツ波の時間波形を測定することが可能である。したがって、従来のようにミラーを機械的に移動させる可動部分が不要であり、パルス光源も1つで済むため、構成が簡易である。また、光パルスを発生させるパルス光源10はLN変調器により連続光を変調する構成であるので、本実施形態のテラヘルツ波測定装置1は広帯域で使用することができる。
以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。
例えば、パルス光源10からの光パルスを光スイッチで分周して複数に分離し、分離した光パルスからそれぞれテラヘルツ波を発生させ、発生させた複数のテラヘルツ波をそれぞれ試料Sの複数箇所に照射することにより、試料Sの面内(凹凸を有する面を含む)の分光計測を行うこともできる。例えば、パルス光源10で繰り返し周波数10GHzの光パルスを作り、これを1×8光スイッチで繰り返し周波数1.25GHzの8個の光パルスに分離すれば、試料Sについて面内の8点の分光計測が可能である。これにより、試料Sの広い測定面の測定を短時間で行うことができる。
図8に、パルス光源10からの光パルスを2分周する場合のテラヘルツ波測定装置2の構成を示す。パルス光源10からの光パルスは光スイッチSWで分周され光ファイバf1と光ファイバf2に分岐される。光ファイバf1から出射された光パルスはレンズL5によりコリメート(平行光)された後にハーフミラーM1に入射される。ハーフミラーM1より後段の構成は図1と同じである。一方、光ファイバf2から出射された光パルスはレンズL5aによりコリメートされた後にハーフミラーM1aに入射される。ハーフミラーM1aより後段の構成(ミラーM4aのみ示し、他は不図示)は図1と同じである。ハーフミラーM1を通る光学系とハーフミラーM1aを通る光学系は、図8の紙面に垂直な方向にそれぞれ構成するようにしてもよい。このようにして得られた複数のテラヘルツ波を試料Sの面内(凹凸を有する面を含む)の異なる位置に照射することで、試料Sの広い測定面の測定を短時間で行うことができる。
なお、光スイッチは、図8のようにパルス光源10と別にパルス光源10の後段に設けた構成ではなく、パルス光源10に組み込んだ構成としてもよいし、得られる光パルスの繰り返し周波数は制限されるが光強度変調器140を上記の光スイッチとして用いる構成としてもよい。
また、図9のテラヘルツ波測定装置3のように、テラヘルツ波をレンズL6,L7で集光し、その焦点位置を試料S内で移動することにより、試料Sの3次元的な分光計測もできる。
また、光スイッチSWを用いた図8の光学系により得られる複数のテラヘルツ波を、それぞれ図9のようなレンズ(L6,L7)で集光し、その焦点位置を試料S内で移動することにより、試料Sの3次元的な分光計測もできる。
また、光スイッチSWを用いた図8の光学系により得られる複数のテラヘルツ波を、それぞれ図9のようなレンズ(L6,L7)で集光し、その焦点位置を試料S内で移動することにより、試料Sの3次元的な分光計測もできる。
また、図1では遅延光学系M2,M3をテラヘルツ波発生アンテナ30側の光路(レンズL1の前段)に配置したが、テラヘルツ波検出アンテナ40側の光路(レンズL2の前段)に配置した構成としてもよい。また、遅延光学系の光路長は固定としたが、可変であってもよい。さらに、遅延光学系を光ファイバで構成してもよい。
1,2,3…テラヘルツ波測定装置 10…パルス光源 30…テラヘルツ波発生アンテナ 40…テラヘルツ波検出アンテナ 60…DC電源 80…増幅器 90…電流計 M1,M1a…ハーフミラー M2,M3…遅延光学系(ミラー) M4,M4a,M5,M6…ミラー L1〜L4,L5,L5a,L6,L7…レンズ S…試料 TW…テラヘルツ波 110…光源 120…光周波数コム発生器 130…分散補償器 140…光強度変調器 150…光パルス圧縮器 160…信号発生器
Claims (3)
- 光パルスを発生するパルス光源と、
前記光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する第1の光伝導アンテナと、
前記光パルスおよび前記第1の光伝導アンテナにより発生し計測対象の試料を透過したテラヘルツ波が照射され、前記テラヘルツ波に基づく電流を発生する第2の光伝導アンテナと、を備え、
前記パルス光源から出力されて前記第1の光伝導アンテナに照射される光パルスが伝搬する光路と前記第1の光伝導アンテナから放射され前記第2の光伝導アンテナへ入射するテラヘルツ波が伝搬する経路とを合わせた第1の光路長と、前記パルス光源から出力されて前記第2の光伝導アンテナに照射される光パルスが伝搬する光路による第2の光路長とが差を有するように設定され、
前記パルス光源は、
入力光を第1の変調信号で変調して光パルスを発生させる第1のLN変調器と、
前記光パルスのチャープを補償する分散補償器と、
前記光パルスを、前記第1の変調信号と同期し前記光パルスのうち特定の一部の光パルスのみが出力されるように設定された信号パターンを有する第2の変調信号で変調することにより、前記特定の一部の光パルスを出力する第2のLN変調器と、
を備え、前記第1の変調信号の周波数を掃引することにより、繰り返し周波数が掃引された前記光パルスを発生する
ことを特徴とするテラヘルツ波測定装置。 - 前記第1の光路長と前記第2の光路長が差を有するように光路長を調整する遅延光学系を備えることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波測定装置。
- 前記パルス光源からの光パルスを分周して複数に分離する光スイッチを備え、前記分離した光パルスによって発生させた複数の前記テラヘルツ波を前記試料の複数箇所に照射することにより、前記試料の複数箇所の分光計測を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のテラヘルツ波測定装置。
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