JP2013187390A - 有機発電素子 - Google Patents
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 30
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 32
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 21
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- -1 polyarylalkane Chemical compound 0.000 description 15
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 14
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 11
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- KZDTZHQLABJVLE-UHFFFAOYSA-N 1,8-diiodooctane Chemical compound ICCCCCCCCI KZDTZHQLABJVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000500 Poly(thiophene-3-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]-2,5-diyl) Polymers 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PGTWZHXOSWQKCY-UHFFFAOYSA-N 1,8-Octanedithiol Chemical compound SCCCCCCCCS PGTWZHXOSWQKCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXYMNDFVLNUAIA-UHFFFAOYSA-N 1,8-dichlorooctane Chemical compound ClCCCCCCCCCl WXYMNDFVLNUAIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMGXPAVHYDEYMB-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-thieno[2,3-c]thiophen-4-ylhexan-1-one Chemical compound S1C=CC2=C(C(=O)C(CC)CCCC)SC=C21 PMGXPAVHYDEYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCOTVOCQYWRINR-UHFFFAOYSA-N 4,4-di(nonyl)-5-thiophen-2-yl-2-(5-thiophen-2-yl-1,3-thiazol-2-yl)-5H-1,3-thiazole Chemical compound S1C(=CC=C1)C1C(N=C(S1)C=1SC(=CN=1)C=1SC=CC=1)(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC VCOTVOCQYWRINR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRSAEJBJNNBFIK-UHFFFAOYSA-N CC(O)=O.CC(O)=O.CCCCCCCC Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CCCCCCCC SRSAEJBJNNBFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBAUWMLQQVRAT-UHFFFAOYSA-N N=1SN=C2C1C=CC=C2.N2C=CC=C2 Chemical compound N=1SN=C2C1C=CC=C2.N2C=CC=C2 NNBAUWMLQQVRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- SPAHBIMNXMGCMI-UHFFFAOYSA-N [Ga].[In] Chemical compound [Ga].[In] SPAHBIMNXMGCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001656 butanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- DFJYZCUIKPGCSG-UHFFFAOYSA-N decanedinitrile Chemical compound N#CCCCCCCCCC#N DFJYZCUIKPGCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-2-enoic acid Chemical compound C=C.OC(=O)C=C QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical class [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N thioindigo Chemical compound S\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2S1 JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
【課題】電子取出層を有しない構成においても高い開放電圧を保持する有機発電素子を提供する。
【解決手段】陰極5と、陽極2と、両電極の間に前記陽極2に接するように設けられる正孔輸送層3と、この正孔輸送層3と前記陰極5の間に設けられる発電層4を有する。この発電層4が電子供与性化合物と電子受容性化合物とからなる有機発電素子に関する。前記陰極5に面する側の前記発電層4表面から前記陽極2側に5nmの点での前記発電層4の前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比が、前記発電層4中心部における前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比に比べ1.2倍以上である。
【選択図】図1
【解決手段】陰極5と、陽極2と、両電極の間に前記陽極2に接するように設けられる正孔輸送層3と、この正孔輸送層3と前記陰極5の間に設けられる発電層4を有する。この発電層4が電子供与性化合物と電子受容性化合物とからなる有機発電素子に関する。前記陰極5に面する側の前記発電層4表面から前記陽極2側に5nmの点での前記発電層4の前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比が、前記発電層4中心部における前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比に比べ1.2倍以上である。
【選択図】図1
Description
本発明は、太陽電池などとして用いられる有機発電素子に関するものである。
近年、産業の発展に伴いエネルギーの使用量が益々飛躍的に増加している。そのため、地球環境に負荷を与えない、経済的で高性能な新しいクリーンエネルギーの生産技術の開発が求められている。特に太陽電池は無限にあるといってよい太陽光を利用することから、新しいエネルギー源として注目されている。
現在実用化されている太陽電池の大部分は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンなどを用いた無機太陽電池である。しかし、これら無機シリコン系の太陽電池は、その製造プロセスが複雑でコストが高いという欠点を有するため、一般家庭に広く普及するには至ってない。このような太陽電池の欠点を解消するため、簡単なプロセスで低コスト・大面積化が可能な有機材料を用いた有機発電素子の研究が盛んになってきている。
特に最近では、有機発電素子をさらに簡易なプロセスで安価に作製するため、発電層だけでなく有機発電素子の全ての層を塗布法により形成した、新たなデバイス構造、材料の開発が図られている。例えば、非特許文献1のように金属薄膜の陰極上に発電層を塗布により形成し、その上に正孔輸送層としてポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4−スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)を、さらに陽極として銀ペーストを塗布により形成した素子、非特許文献2のように基板上に形成された高導電性PEDOT:PSSから成る陽極上に発電層を塗布により形成し、その上に液体金属であるガリウムインジウム共晶合金を陰極として塗布により形成した素子が知られている。
上記のような、全ての層を塗布法により形成する素子の場合、下地層の溶解、腐食、劣化を起こさないように膜を積層するに当たり、積層膜数を減らすことは技術難易度を低減するために極めて重要である。しかしながら、非特許文献3のように電子取出層を有しない状態においては開放電圧が低下することが一般に知られており、電子取出層を有しない構成においても高い開放電圧を保持する発電層の構造は、これまで実現されていなかった。
Organic Electronics、 Vol.12、 p.566−574 (2011)
Advanced Materials、 Vol.23、 p.1771−1775 (2011)
Applied Physics Letters、 Vol.80、 No.7、 p.1288−1290 (2002)
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、電子取出層を有しない構成においても高い開放電圧を保持する有機発電素子を提供することを目的とする。
本発明に係る有機発電素子は、陰極と、陽極と、両電極の間に前記陽極に接するように設けられる正孔輸送層と、前記正孔輸送層と前記陰極の間に設けられる発電層を有し、この発電層が電子供与性化合物と電子受容性化合物とからなる有機発電素子であって、前記陰極に面する側の前記発電層表面から前記陽極側に5nmの点での前記発電層の前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比が、前記発電層中心部における前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比に比べ1.2倍以上であることを特徴とするものである。
本発明にあっては、前記電子供与性化合物が、下式(1)〜(5)の群から選ばれる少なくとも一つの構造を分子内に含むことが好ましい。
本発明にあっては、前記電子供与性化合物が上式(1)〜(5)の群から選ばれる少なくとも一つの構造を分子内に含み、かつ前記電子受容性化合物にフラーレン誘導体を含む有機発電素子であって、前記陰極に面する側の前記発電層表面から前記陽極側に5nmの点での前記発電層のN/C比及び/又はS/C比が0.005〜0.15であることが好ましい。
本発明にあっては、前記発電層の膜厚が、50nm以上300nm以下であることが好ましい。
本発明において、前記発電層が、80nm以上300nm以下のドメインを有することが好ましい。
本発明によれば、前記陰極に面する側の前記発電層表面から前記陽極側に5nmの点での前記発電層の前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比が、前記発電層中心部における前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比に比べ1.2倍以上であるので、光電変換効率の高い有機発電素子が得られる。
図1に本実施形態による有機発電素子の構成を示す。この有機発電素子は基板1、陽極2、正孔輸送層3、発電層4、陰極5、保護層6を備え、これらの要素が順番に積層している。
本実施形態では、基板1は光透過性を有する物質から構成される透明基板である。また、陽極2は光透過性を有する透明電極である。さらに、正孔輸送層3は光透過性を有する物質から構成されている。本実施形態における有機発電素子は、基板1の側から入射する外来光が基板1、陽極2及び正孔輸送層3を透過して発電層4に到達する。
尚、本発明に係る有機発電素子の構成は本実施形態に限るものではなく、例えば基材1の上に陰極5、発電層4、正孔輸送層3、陽極2、保護層6がこの順に積層した構造を有していてもよく、また基材1が陰極2そのものを兼ねていても良い。また、保護層6は有機発電素子の劣化を防ぐために必要に応じて形成する層であり、有機発電素子が保護層6を備えなくてもよい。さらに、陽極2が正孔輸送層3と同一の層であってもよい。
(基板1)
本実施形態において、基板1の材質は、光透過性を有し、且つこの基板1によって電極、発電層等の有機発電素子の要素が支持され得るならば特に制限されないが、例えばソーダライムガラスや無アルカリガラスなどの透明ガラス、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などの樹脂材料などが挙げられる。基板1の形状としては、特に制限されないが、板状、シート状などが挙げられる。この基板1の発電層側の面の平滑性が高いことが好ましく、算術平均粗さRaが50nm以下であることが好ましく、さらに好ましくはRaが10nm以下である。また、基板1は光の透過率が高ければ高いほどよく、特に可視光領域において透過率が70%以上であることが好ましい。
本実施形態において、基板1の材質は、光透過性を有し、且つこの基板1によって電極、発電層等の有機発電素子の要素が支持され得るならば特に制限されないが、例えばソーダライムガラスや無アルカリガラスなどの透明ガラス、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などの樹脂材料などが挙げられる。基板1の形状としては、特に制限されないが、板状、シート状などが挙げられる。この基板1の発電層側の面の平滑性が高いことが好ましく、算術平均粗さRaが50nm以下であることが好ましく、さらに好ましくはRaが10nm以下である。また、基板1は光の透過率が高ければ高いほどよく、特に可視光領域において透過率が70%以上であることが好ましい。
(陽極2)
本実施形態において、陽極2は発電層4中で発生したホールを効率よく収集するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が4eV以上のものを用いるのがよい。陽極2は仕事関数が6eV以下にすることができる。このような陽極2の材料としては、例えば、ITO(インジウム−錫酸化物)、SnO2、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子及び任意のアクセプタ等でドープした導電性高分子、カーボンナノチューブなどの導電性光透過性材料を挙げることができる。陽極2は、例えば、これらの電極材料を基板1の表面に塗布法、スプレー熱分解法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学気相成長(CVD)法などの方法により薄膜に形成することによって作製することができる。また、外来光は陽極2を透過して発電層4に入射させるため、陽極2は光の透過率が高ければ高いほどよく、特に可視光領域において透過率が70%以上であることが好ましい。さらに、陽極2のシート抵抗は数百Ω/□以下とすることが好ましく、特に好ましくは100Ω/□以下とするものである。ここで、陽極2の膜厚は、陽極2の光透過率、シート抵抗等の特性を上記のように制御するために、材料により異なるが、500nm以下、好ましくは10〜300nmの範囲に設定するのがよい。
本実施形態において、陽極2は発電層4中で発生したホールを効率よく収集するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が4eV以上のものを用いるのがよい。陽極2は仕事関数が6eV以下にすることができる。このような陽極2の材料としては、例えば、ITO(インジウム−錫酸化物)、SnO2、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子及び任意のアクセプタ等でドープした導電性高分子、カーボンナノチューブなどの導電性光透過性材料を挙げることができる。陽極2は、例えば、これらの電極材料を基板1の表面に塗布法、スプレー熱分解法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学気相成長(CVD)法などの方法により薄膜に形成することによって作製することができる。また、外来光は陽極2を透過して発電層4に入射させるため、陽極2は光の透過率が高ければ高いほどよく、特に可視光領域において透過率が70%以上であることが好ましい。さらに、陽極2のシート抵抗は数百Ω/□以下とすることが好ましく、特に好ましくは100Ω/□以下とするものである。ここで、陽極2の膜厚は、陽極2の光透過率、シート抵抗等の特性を上記のように制御するために、材料により異なるが、500nm以下、好ましくは10〜300nmの範囲に設定するのがよい。
(正孔輸送層3)
本実施形態において、正孔輸送層3は、仕事関数が4eV以上であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数が5eV以上である。正孔輸送層3は、正孔を輸送する能力を有し、発電層4から陽極2への正孔の移動性を向上し得る材料から形成されることが好ましい。また正孔輸送層3は電子の移動を阻害する材料から形成されることが好ましい。また正孔輸送層3は薄膜形成能に優れた材料から形成されることが好ましく、また塗布法により形成可能であることが好ましい。正孔輸送層3は仕事関数が6eV以下にすることができる。
本実施形態において、正孔輸送層3は、仕事関数が4eV以上であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数が5eV以上である。正孔輸送層3は、正孔を輸送する能力を有し、発電層4から陽極2への正孔の移動性を向上し得る材料から形成されることが好ましい。また正孔輸送層3は電子の移動を阻害する材料から形成されることが好ましい。また正孔輸送層3は薄膜形成能に優れた材料から形成されることが好ましく、また塗布法により形成可能であることが好ましい。正孔輸送層3は仕事関数が6eV以下にすることができる。
正孔輸送層3を形成するための材料の好ましい例としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、アミノピリジン誘導体等の導電性高分子材料が挙げられる。また、無機材料であっても正孔輸送性を有するのであれば正孔輸送層3を形成するための材料として使用され得る。このような無機材料としては、特に限定されないが、正孔を輸送する能力を有する三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、三酸化タングステン、酸化レニウムなどの無機酸化物が挙げることができる。上記に挙げた材料のうち、特に好ましくは、PEDOT:PSS、ポリ(チオフェン−3−[2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ]−2,5−ジイル)、三酸化モリブデンである。
正孔輸送層3を形成する方法としては、正孔輸送層3を形成するための材料が高分子材料である場合にはスピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、グラビア印刷法などの塗布法が、正孔輸送層3を形成するための材料が無機材料や低分子材料である場合には真空蒸着法やスパッタリング法などが公知の例として挙げられるが、これらの形成方法は特に限定されるものではない。
尚、本実施形態において、陽極2そのものが正孔輸送層3を兼ねていても構わない。例えば、陽極2にPEDOT:PSSを用いる場合等である。
(発電層4)
本実施形態において、発電層4は、正孔輸送層3と陰極5の間に介在するように配置される。発電層4の材料である有機化合物は、溶媒可溶性であることが好ましい。
本実施形態において、発電層4は、正孔輸送層3と陰極5の間に介在するように配置される。発電層4の材料である有機化合物は、溶媒可溶性であることが好ましい。
発電層4の材料である有機化合物のうち、電子供与性化合物(電子供与性半導体)としては、特に限定されないが、フタロシアニン系顔料、インジゴ、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化合物、多環芳香族化合物などが挙げられる。また、有機電子写真感光体に用いられる電荷移動剤、電気伝導性有機電荷移動錯体、更には導電性高分子なども挙げられる。フタロシアニン系顔料としては、特に限定されないが、Cu、Zn、Co、Ni、Pb、Pt、Fe、Mg等の2価の中心金属を有するフタロシアニン;無金属フタロシアニン;アルミニウムクロロフタロシアニン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属のフタロシアニン;その他バアナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニン等が挙げられる。多環芳香族化合物としては、特に限定されないが、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、またそれらの誘導体などが挙げられる。電荷移動剤としては、特に限定されないが、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物等が挙げられる。電気伝導性有機電荷移動錯体としては、特に限定されないが、テトラチオフルバレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等が挙げられる。電子を供与する導電性高分子としては、特に限定されないが、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、チオフェン系ポリマー、導電性高分子のオリゴマー等の、有機溶媒に可溶なものが挙げられる。また、電子供与性化合物と電子受容性化合物とのブロックコポリマーも挙げられる。
発電層4の材料である有機化合物のうち、電子受容性化合物(電子受容性半導体)としては、特に限定されないが、フラーレン誘導体、炭素ナノチューブ、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、これらの誘導体、これらの共重合体、CN基またはCF3基を含むポリマーなどが挙げられる。
発電層4が形成されるにあたっては、例えば発電層4の材料である有機化合物が溶媒に溶解されて溶液が調製され、この溶液が正孔輸送層3の上に塗布、成膜されることで発電層4が形成されることが好ましい。溶媒としては、特に限定されないが、1,2−ジクロロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼン、クロロベンゼン、クロロホルム、キシレン、トルエン、1−クロロナフタレン、アセトン、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、シクロヘキサンなどの有機溶媒が挙げられる。溶媒として、互いに蒸気圧の異なる主溶媒と添加溶媒とが用いられてもよい。例えば主溶媒として1,2−ジクロロベンゼン(蒸気圧:160Pa(20℃))が用いられると共に添加溶媒としてクロロホルム(蒸気圧:21.2kPa(20℃))が用いられてもよい。溶媒の組み合わせはこれに限定されない。主溶媒と添加溶媒とは蒸気圧に二桁以上の相違があり、且つ全溶媒中の容積比が主溶媒>添加溶媒の関係にあることが好ましい。主溶媒として複数種の溶媒が用いられ、あるいは添加溶媒として複数種の溶媒が用いられても、蒸気圧の関係、混合の容積比の関係が前記のようになっていれば特に構わない。
主溶媒、添加溶媒に加えて、添加剤として200℃以上の高沸点溶媒を添加しても構わない。このような添加剤としては、例えば、1,8−オクタンジチオール、1,8−ジクロロオクタン、1,8−ジブロモオクタン、1,8−ジヨードオクタン、1,8−ジシアノオクタン、1,8−オクタンジアセテート、1−クロロナフタレン等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。添加剤は、体積%で0.1〜5%の範囲で添加されることが好ましい。
発電層4の厚みは、特に限定されないが、50nm以上300nm以下の範囲であることが好ましく、80〜240nmの範囲がより好ましい。発電層4の膜厚が上記の範囲であると、高い短絡電流密度を保持し、且つ高い開放電圧と曲線因子を保持することができる。
発電層4を塗布法により形成する場合、発電層4の材料である有機化合物を含有する溶液を塗布する方法としては、特に限定されないが、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、グラビア印刷法など溶液を対象物に直接接触させる方法や、インクジェット、スプレーコート法など溶液を対象物へ向けて気相中に噴霧する方法などが挙げられる。
そして、発電層4は、陰極5に面する側の発電層4表面から陽極2側に5nmの点での発電層4に含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比(モル比)が、発電層4中心部において含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比(モル比)に比べ1.2倍以上である。これにより、発電層4の表面に電気双極子が形成することになり、有機発電素子が電子取出層を有しない構成においても高い開放電圧を保持することができる。また、陰極5に面する側の発電層4表面から陽極2側に5nmの点での発電層4に含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比は、発電層4中心部において含有される電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比に比べて、1.2倍以上であればよく、上限は特に設定されない。
また、発電層4の材料である有機化合物のうち、電子供与性化合物としては、上式(1)〜(5)の群から選ばれる少なくとも一つの構造を分子内に含むことが好ましい。このような電子供与性化合物を含有する発電層4は、陰極5に面する側の発電層4表面から陽極2側に5nmの点での発電層4に含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比が、発電層4中心部において含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比より大きな値を有する発電層4を形成することができる。具体的には、上式(1)の構造を含むものはポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)、上式(2)の構造を含むものはポリ(N−ドデシル−2,5−ビス(2’−チエニル)ピロール−(2,1,3−ベンゾチアジアゾール))(PTPTB)、上式(3)の構造を含むものは[2,3−ビス−(3−オクチルオキシフェニル)キノキサリン−5,8−ジイル−アルト−チオフェン−2,5−ジイル](TQ1)、上式(4)の構造を含むものはポリ[N−9’’−ヘプタ−デカニル−2,7−カルバゾール−アルト−5,5−(4’,7’−ジ−2−チエニル−2’,1’,3’−ベンゾチアジアゾール)](PCDTBT)、上式(5)の構造を含むものはポリ[(4,8−ビス−(2−エチルヘキシルオキシ)−ベンゾ[1,2−b;4,5−b’]ジチオフェン)−2,6−ジイル−アルト−(5,5’−ビス(2−チエニル)−4,4−ジノニル−2,2’−ビチアゾール)−5’,5’’−ジイル](PBDTDTz)を例示することができる。
また、発電層4は、電子供与性化合物としては、上式(1)〜(5)の群から選ばれる少なくとも一つの構造を分子内に含み、かつ電子受容性化合物としてフラーレン誘導体を含むことができる。この場合、陰極5に面する側の発電層4表面から陽極2側に5nmの点での発電層4のN/C比及び/又はS/C比が0.005〜0.15であることが好ましい。ここで、電子供与性化合物としては、具体的には、上式(1)〜(5)の構造を含むものは上記と同様のものを例示することができる。また、フラーレン誘導体としては、フェニルC71酪酸エステルを例示することができる。また、N/C比とは、窒素原子(N)のモル/炭素原子(C)のモルの比率を示し、S/C比とは、硫黄原子(S)のモル/炭素原子(C)のモルの比率を示す。従って、陰極5に面する側の発電層4表面から陽極2側に5nmの点において、発電層4中に含まれている窒素原子と炭素原子とのモル比(N/C)と、発電層4中に含まれている硫黄原子と炭素原子とのモル比(S/C)の少なくとも一方が、0.005〜0.15の範囲であることが好ましい。このように形成される発電層4は、電子供与性化合物の方が電子受容性化合物に比べて表面に析出しやすい。従って、上記N/C比とS/C比の両方が0.005〜0.15の範囲を逸脱すると、上記の効果を十分に奏しにくくなるおそれがある。
発電層4中の電子供与性化合物/電子受容性化合物の比の制御方法は特に限定されるものではないが、例えば主溶媒および添加溶媒の極性、蒸気圧、溶媒温度、基板温度、添加剤の有無、添加剤の種類等によって行うことができる。例えば、上記に挙げたような添加剤には、電子受容性化合物としてよく用いられるフラーレン誘導体の[6,6]−フェニルC71酪酸メチルエステル(PC71BM)や[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル(PC61BM)の溶解性が高いため、電子供与性化合物/電子受容性化合物比は表面付近において小さくなる傾向がある。電子供与性化合物/電子受容性化合物比の制御にはいずれの方法を用いても良く、またこれらの方法を複数組み合わせても良い。
また、発電層4は、80nm以上300nm以下のドメインを有することが好ましい。ここで、「ドメイン」とは、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope;AFM)における観察において、一つの粒子状の突起のように観察できる構造体を指し、その大きさは、構造体の直径を指す。そして、発電層4が上記範囲の大きさのドメインを有することにより、陰極5に面する側の発電層4表面から陽極2側に5nmの点での発電層4に含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比が、発電層4中心部において含有される電子供与性化合物/電子受容性化合物の比に比べ1.2倍以上である部分の厚さが厚くなりやすい。
(陰極5)
本実施形態において、陰極5は発電層4中に発生した電子を効率よく収集するための電極である。陰極5の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が5eV以下であることがより好ましい。陰極5は、仕事関数が2以上とすることができる。また、陰極5として用いることができる電極材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類等、およびこれらと他の金属との合金、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/LiF混合物を例として挙げることができる。またアルミニウム、Al/Al2O3混合物なども使用可能である。さらに、酸化スズや酸化亜鉛にドーピングをした導電性材料なども使用可能である。例えば、インジウム−スズ酸化物(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、リンドープ酸化スズ(PTO)、ニオブドープ酸化スズ(NbTO)、タンタルドープ酸化スズ(TaTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)、インジウムドープ酸化亜鉛(IZO)などが挙げられる。また、これらの材料は1層以上積層して用いてもよい。例えば、アルカリ金属/Alの積層、アルカリ金属のハロゲン化物/アルカリ土類金属/Alの積層、Al2O3/Alの積層などが例として挙げられる。陰極5は、例えば、これらの電極材料を真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により、薄膜に形成することによって作製することができる。また、陰極5は電極材料をインク化して用いることによって、塗布法によって形成することも可能である。インク化する際に用いる溶媒は、発電層4を溶解せず、また発電層4を腐食するものでなければ特に限定されないが、例えば、水や、エタノール、1−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブタノール、アセトン、1−クロロナフタレン等の有機溶媒が挙げられる。また、陰極5を形成するインクにはバインダーを添加しても良い。バインダーとしては、例えばエポキシ樹脂、セルロース系樹脂等が挙げられるが、特に限定されるものではない。さらに、陰極5は常温で液体の金属によって形成されても良い。このような材料としては、例えば、質量比でガリウム:インジウム=75.5:24.5、ガリウム:インジウム:錫=62:25:13、ガリウム:インジウム:亜鉛=67:29:4、ガリウム:錫=92:8、ガリウム:亜鉛=95:5などを挙げることができるが、特に限定されるものではない。陰極5のシート抵抗は数百Ω/□以下とすることが好ましく、特に好ましくは100Ω/□以下とするものである。陰極5の膜厚は、シート抵抗を上記のように制御できるよう適宜設定され、特に限定されるものではない。
本実施形態において、陰極5は発電層4中に発生した電子を効率よく収集するための電極である。陰極5の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が5eV以下であることがより好ましい。陰極5は、仕事関数が2以上とすることができる。また、陰極5として用いることができる電極材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類等、およびこれらと他の金属との合金、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/LiF混合物を例として挙げることができる。またアルミニウム、Al/Al2O3混合物なども使用可能である。さらに、酸化スズや酸化亜鉛にドーピングをした導電性材料なども使用可能である。例えば、インジウム−スズ酸化物(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、リンドープ酸化スズ(PTO)、ニオブドープ酸化スズ(NbTO)、タンタルドープ酸化スズ(TaTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)、インジウムドープ酸化亜鉛(IZO)などが挙げられる。また、これらの材料は1層以上積層して用いてもよい。例えば、アルカリ金属/Alの積層、アルカリ金属のハロゲン化物/アルカリ土類金属/Alの積層、Al2O3/Alの積層などが例として挙げられる。陰極5は、例えば、これらの電極材料を真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により、薄膜に形成することによって作製することができる。また、陰極5は電極材料をインク化して用いることによって、塗布法によって形成することも可能である。インク化する際に用いる溶媒は、発電層4を溶解せず、また発電層4を腐食するものでなければ特に限定されないが、例えば、水や、エタノール、1−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブタノール、アセトン、1−クロロナフタレン等の有機溶媒が挙げられる。また、陰極5を形成するインクにはバインダーを添加しても良い。バインダーとしては、例えばエポキシ樹脂、セルロース系樹脂等が挙げられるが、特に限定されるものではない。さらに、陰極5は常温で液体の金属によって形成されても良い。このような材料としては、例えば、質量比でガリウム:インジウム=75.5:24.5、ガリウム:インジウム:錫=62:25:13、ガリウム:インジウム:亜鉛=67:29:4、ガリウム:錫=92:8、ガリウム:亜鉛=95:5などを挙げることができるが、特に限定されるものではない。陰極5のシート抵抗は数百Ω/□以下とすることが好ましく、特に好ましくは100Ω/□以下とするものである。陰極5の膜厚は、シート抵抗を上記のように制御できるよう適宜設定され、特に限定されるものではない。
(保護層6)
本実施形態において、陰極5の上に保護層6が形成されていてもよい。保護層6は、図1に示されるように、基板1に積層されている陽極2、正孔輸送層3、発電層4、陰極5を全て覆うように形成されてもよい。保護層6は、電極、発電層などを外界から保護するために設けられる。
本実施形態において、陰極5の上に保護層6が形成されていてもよい。保護層6は、図1に示されるように、基板1に積層されている陽極2、正孔輸送層3、発電層4、陰極5を全て覆うように形成されてもよい。保護層6は、電極、発電層などを外界から保護するために設けられる。
保護層6はガスバリア性を有することが好ましい。また保護層6はフィルム状や板状の構造体であることが好ましい。このような保護層6は、特に限定されないが、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリカーボネートなどのフィルム上に、ガスバリア性を高めるために酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウムなどの無機酸化物蒸着薄膜層を形成することで構成され得る。
図1に示されるように、基板1に保護層6を接触させる場合、基板1と保護層6の間に、両者を接着するための接着層が介在してもよい。接着層は、特に限定されないが、基板1及び保護層6の劣化を引き起こさない材料から形成されることが好ましい。このような接着層は、接着性があれば特に制限されないが、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂等を用いることができる。好ましい例としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、変性ポリエチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチレン・アクリル酸エステル共重合体樹脂などが挙げられる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更できることは勿論である。
[実施例1]
ガラス基板の上に陽極として、高導電性PEDOT:PSS(Heraeus社製、Clevios FE−T)をスピンコート法により300nmの膜厚で形成した。このシート抵抗をロレスタ−EP低抵抗率計(三菱化学製)と四探針プローブ(PSPプローブ、三菱化学製)を用いて測定したところ、約90Ω/□であった。
ガラス基板の上に陽極として、高導電性PEDOT:PSS(Heraeus社製、Clevios FE−T)をスピンコート法により300nmの膜厚で形成した。このシート抵抗をロレスタ−EP低抵抗率計(三菱化学製)と四探針プローブ(PSPプローブ、三菱化学製)を用いて測定したところ、約90Ω/□であった。
次に、高導電性PEDOT:PSSの上に正孔輸送層として、ポリ(チオフェン−3−[2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ]−2,5−ジイル)(ポリチオフェン誘導体1と略す;Plextronics社製、Plexcore OC1200、)をスピンコート法により30nmの膜厚で形成した。
次に、電子供与性化合物(Dと略す)としてポリ[2,3−ビス−(3−オクチルオキシフェニル)キノキサリン−5,8−ジイル−アルト−チオフェン−2,5−ジイル](TQ1と略す)を(上式(1)の構造を分子内に有する)、電子受容性化合物(Aと略す)としてフラーレン誘導体であるPC71BM(Solenne社製)を準備した。主溶媒として1,2−ジクロロベンゼン(蒸気圧;160Pa(20℃))を、添加溶媒としてクロロホルム(蒸気圧;21.2kPa(20℃))を準備した。1,2−ジクロロベンゼンにクロロホルムを容積比6:4で混合して混合溶媒を調製し、この混合溶媒中にTQ1とPC71BMを質量比1:2の割合で混合した材料を、固形分濃度が24mg/mLとなるように溶解することで混合溶液を調製した。調製した混合溶液に、1−クロロナフタレン(沸点:260℃)を体積比で1%添加した。
露点−76℃以下、酸素1ppm以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内で、ポリチオフェン誘導体1の上に混合溶液をスピンコート法により塗布することで、厚み約100nmの発電層を形成した。この発電層のS/C比は、発電層中心部において0.015、陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点において0.021であった。また、この発電層のN/C比は、発電層中心部において0.008、陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点において0.011であった。
次にこの基板を、真空蒸着装置(アルバック社製)にセットし、真空蒸着法を用いてAlを80nmの膜厚で成膜し、陰極を形成した。
次に、この積層物を同じグローブボックス中において、吸水材として酸化カルシウムを練り込んだゲッターをガラス製の封止板に粘着剤で貼り付けておき、また、封止板の外周部には予め紫外線硬化樹脂製のシール剤を張り合わせ、UVでシール剤を硬化させることによって、表面保護層を形成した。
これにより、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
これにより、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[比較例1]
ガラス基板上に、実施例1と同様の条件で高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1を形成した。
ガラス基板上に、実施例1と同様の条件で高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1を形成した。
次に、DとしてTQ1を、AとしてPC71BMを準備し、主溶媒としてクロロホルムを、添加溶媒として1,2−ジクロロベンゼンを準備した。クロロホルムに1,2−ジクロロベンゼンを容積比2:1で混合して混合溶媒を調製し、この混合溶媒中にTQ1とPC71BMを質量比1:2の割合で混合した材料を、固形分濃度が15mg/mLとなるように溶解することで混合溶液を調製した。
露点−76℃以下、酸素1ppm以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内で、ポリチオフェン誘導体1の上に混合溶液をスピンコート法により塗布することで、厚み約100nmの発電層を形成した。この発電層のS/C比は、発電層中心部において0.015、陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点において0.016であった。また、この発電層のN/C比は、発電層中心部において0.008、陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点において0.009であった。
実施例1と同様の条件でAl、保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[参考例1]
実施例1と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
実施例1と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
次にこの基板を、真空蒸着装置にセットし、真空蒸着法を用いて、電子取出層としてLiFを0.5nm、続いて陰極としてAlを80nmの膜厚で成膜した。
実施例1と同様の条件で保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[参考例2]
比較例1と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
比較例1と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
次にこの基板を、真空蒸着装置にセットし、真空蒸着法を用いて、電子取出層としてLiFを0.5nm、続いて陰極としてAlを80nmの膜厚で成膜した。
実施例1と同様の条件で保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[実施例2]
ガラス基板上に、実施例1と同様の条件で高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1を形成した。
ガラス基板上に、実施例1と同様の条件で高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1を形成した。
次に、Dとしてポリ[(4,8−ビス−(2−エチルヘキシルオキシ)−ベンゾ[1,2−b;4,5−b’]ジチオフェン)−2,6−ジイル−アルト−(4−(2−エチルヘキサノイル)−チエノ[3,4−b]チオフェン)−2,6−ジイル](PBDTTT−Cと略す)を、AとしてPC71BMを準備し、主溶媒としてクロロホルムを、添加溶媒として1,2−ジクロロベンゼンを準備した。クロロホルムに1,2−ジクロロベンゼンを容積比2:1で混合して混合溶媒を調製し、この混合溶媒中にPBDTTT−CとPC71BMを質量比1:2の割合で混合した材料を、固形分濃度が24mg/mLとなるように溶解することで混合溶液を調製した。さらに、この溶液に1,8−ジヨードオクタンを3質量%添加した。
露点−76℃以下、酸素1ppm以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内で、ポリチオフェン誘導体1の上に混合溶液を100℃に加熱し、スピンコート法により塗布することで、厚み約100nmの発電層を形成した。この発電層のS/C比は、発電層中心部において0.028、陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点において0.034であった(Nは分子中に含まれていない)。
実施例1と同様の条件でAl、保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[比較例2]
ガラス基板上に、実施例1と同様の条件で高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1を形成した。
ガラス基板上に、実施例1と同様の条件で高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1を形成した。
次に、DとしてPBDTTT−Cを、AとしてPC71BMを準備し、主溶媒としてクロロホルムを、添加溶媒として1,2−ジクロロベンゼンを準備した。クロロホルムに1,2−ジクロロベンゼンを容積比2:1で混合して混合溶媒を調製し、この混合溶媒中にTQ1とPC71BMを質量比1:2の割合で混合した材料を、固形分濃度が24mg/mLとなるように溶解することで混合溶液を調製した。
露点−76℃以下、酸素1ppm以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内で、ポリチオフェン誘導体1の上に混合溶液を25℃でスピンコート法により塗布することで、厚み約100nmの発電層を形成した。この発電層のS/C比は、発電層中心部において0.028、陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点において0.029であった。
実施例1と同様の条件でAl、保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[参考例3]
実施例2と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
実施例2と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
次にこの基板を、真空蒸着装置にセットし、真空蒸着法を用いて、電子取出層としてLiFを0.5nm、続いて陰極としてAlを80nmの膜厚で成膜した。
実施例1と同様の条件で保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[参考例4]
比較例2と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
比較例2と同様の条件でガラス基板上に高導電性PEDOT:PSS、ポリチオフェン誘導体1、発電層を形成した。
次にこの基板を、真空蒸着装置にセットし、真空蒸着法を用いて、電子取出層としてLiFを0.5nm、続いて陰極としてAlを80nmの膜厚で成膜した。
実施例1と同様の条件で保護層を形成し、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。
[評価]
(光電変換特性評価)
上記実施例及び比較例並びに参考例で得られた有機発電素子の光電変換効率を、ソーラーシュミレータ(山下電装株式会社製)により擬似太陽光(AM1.5、1sun)を照射する条件で測定した。
(光電変換特性評価)
上記実施例及び比較例並びに参考例で得られた有機発電素子の光電変換効率を、ソーラーシュミレータ(山下電装株式会社製)により擬似太陽光(AM1.5、1sun)を照射する条件で測定した。
(表面形状観察)
発電層の表面形状の観察を、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope;AFM、Bruker AXS社 Digital Instruments製)によって、走査範囲3μmで行った。
発電層の表面形状の観察を、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope;AFM、Bruker AXS社 Digital Instruments製)によって、走査範囲3μmで行った。
(D/A比評価)
発電層中のD/A比の評価を、X線光電子分光分析装置(X−ray Photoelectron Spectroscopy;XPS、アルバック・ファイ社製)によって、分析エリア約100μm×100μm、Arガスクラスターイオン銃(10kV)の条件で組成分析を行い、N/C比、S/C比を求め、その値からD/A比(電子供与性化合物/電子受容性化合物のモル比)を求めた。
発電層中のD/A比の評価を、X線光電子分光分析装置(X−ray Photoelectron Spectroscopy;XPS、アルバック・ファイ社製)によって、分析エリア約100μm×100μm、Arガスクラスターイオン銃(10kV)の条件で組成分析を行い、N/C比、S/C比を求め、その値からD/A比(電子供与性化合物/電子受容性化合物のモル比)を求めた。
[結果]
評価を行った結果を表1に示す。
評価を行った結果を表1に示す。
これより、実施例1および実施例2のように陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点での発電層のD/Aの比が、発電層中心部におけるD/Aの比に比べ1.2倍以上である場合には、電子取出層であるLiFがない場合においても高い開放電圧を保持し、比較例1および比較例2のように陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点での発電層のD/Aの比が、発電層中心部におけるD/Aの比に比べ1.2倍未満である場合には、電子取出層であるLiFがない場合において開放電圧が大きく低下することが確認できた。
また、実施例1および実施例2のように陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点での発電層のD/Aの比が、発電層中心部におけるD/Aの比に比べ1.2倍以上である場合には、80nm以上300nm以下のドメインを有することが確認できた。
これより、実施例1および実施例2のように陰極に面する側の発電層表面から陽極側に5nmの点での発電層のD/Aの比が、発電層中心部におけるD/Aの比に比べ1.2倍以上である場合には、電子取出層であるLiF層がない場合においても高い開放電圧を保持し、高い変換効率を得ることができる。
尚、実施例1は、LiF層を有する参考例1よりも、開放電圧や変換効率がやや低下するが、LiF層を有する参考例2よりも開放電圧や変換効率が向上した。
1 基板
2 陽極
3 正孔輸送層
4 発電層
5 陰極
2 陽極
3 正孔輸送層
4 発電層
5 陰極
Claims (5)
- 陰極と、陽極と、両電極の間に前記陽極に接するように設けられる正孔輸送層と、前記正孔輸送層と前記陰極の間に設けられる発電層を有し、この発電層が電子供与性化合物と電子受容性化合物とからなる有機発電素子であって、前記陰極に面する側の前記発電層表面から前記陽極側に5nmの点での前記発電層の前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比が、前記発電層中心部における前記電子供与性化合物/前記電子受容性化合物の比に比べ1.2倍以上であることを特徴とする有機発電素子。
- 前記電子供与性化合物が上式(1)〜(5)の群から選ばれる少なくとも一つの構造を分子内に含み、かつ前記電子受容性化合物にフラーレン誘導体を含む有機発電素子であって、前記陰極に面する側の前記発電層表面から前記陽極側に5nmの点での前記発電層のN/C比及び/又はS/C比が0.005〜0.15であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機発電素子。
- 前記発電層の膜厚が、50nm以上300nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機発電素子。
- 前記発電層が、80nm以上300nm以下のドメインを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機発電素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012051775A JP2013187390A (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 有機発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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2012
- 2012-03-08 JP JP2012051775A patent/JP2013187390A/ja active Pending
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