JP2013182023A - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern formation method using said composition, and electronic device manufacturing method and electronic device - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern formation method using said composition, and electronic device manufacturing method and electronic device Download PDF

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葉子 徳川
Shohei Kataoka
祥平 片岡
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明規 渋谷
Junichi Ito
純一 伊藤
Tomoki Matsuda
知樹 松田
Kaoru Iwato
薫 岩戸
Shinichi Sugiyama
真一 杉山
Naohiro Tango
直紘 丹呉
Toshiaki Fukuhara
敏明 福原
Masahiro Yoshitome
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in DOF and pattern roughness characteristics such as LWR without much deterioration in performance over time; an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern formation method which use the composition; and an electronic device manufacturing method and an electronic device.SOLUTION: An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains (A) a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, (B) a compound which is represented by the specified general formula (1) and generates an acid upon exposure to an actinic ray or radiation, and (C) a low molecular weight compound having on a nitrogen atom a group leaving by the action of an acid. (The meaning of each symbol in the formula is described in the claims.)

Description

本発明は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜及び該組成物を用いたパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関する。さらに詳しくは、本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程、平版印刷版、酸硬化性組成物に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜及び該組成物を用いたパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関する。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition whose properties change upon reaction with actinic rays or radiation, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the composition, and the The present invention relates to a pattern forming method using a composition, an electronic device manufacturing method, and an electronic device. More specifically, the present invention relates to an actinic ray used for a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, a further photofabrication process, a lithographic printing plate, and an acid curable composition. The present invention relates to a photosensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the composition, a pattern forming method using the composition, a method for manufacturing an electronic device, and an electronic device.

化学増幅レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。   The chemically amplified resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction changes the solubility of the active radiation irradiated area and non-irradiated area in the developer. And a pattern forming material for forming a pattern on the substrate.

KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。   When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. A pattern is formed, which is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.

一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。   On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group exhibits a large absorption in the 193 nm region. It wasn't. For this reason, an ArF excimer laser resist containing a resin having an alicyclic hydrocarbon structure has been developed.

しかしながら、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、光酸発生剤、塩基性化合物、添加剤、溶剤等の適切な組み合わせを見出すことが極めて困難であり、未だ十分とはいえないのが実情である。例えば、ラインウィズスラフネス(Line Width Roughness:LWR)などのパターンラフネス特性、及びデフォーカス余裕度(Depth of Focus:DOF)に優れ、経時による性能の変動が少ないレジストの開発が望まれている。   However, from the viewpoint of overall performance as a resist, it is extremely difficult to find an appropriate combination of resin, photoacid generator, basic compound, additive, solvent, etc. to be used, and it cannot be said that it is still sufficient. Is the actual situation. For example, it is desired to develop a resist that is excellent in pattern roughness characteristics such as line width roughness (LWR) and defocus margin (depth of focus: DOF) and has little performance fluctuation with time.

そのような実情において、化学増幅型レジスト組成物の主要構成成分である光酸発生剤についても種々の化合物が開発されている。例えば、特許文献1〜3には、スルホニウム塩の光酸発生剤が記載されている。また、非特許文献1には、フェナシルスルホニウム塩の光化学反応について記載されている。   Under such circumstances, various compounds have been developed for photoacid generators, which are the main constituents of chemically amplified resist compositions. For example, Patent Documents 1 to 3 describe photoacid generators of sulfonium salts. Non-Patent Document 1 describes a photochemical reaction of a phenacylsulfonium salt.

特開2002−351077号公報JP 2002-351077 A 特開2002−255930号公報JP 2002-255930 A 特開2004−117688号公報JP 2004-117688 A

Journal of Organic Chemistry,1970,vol.35,p.2532−2538Journal of Organic Chemistry, 1970, vol. 35, p. 2532-2538

本発明の目的は、上記背景技術に鑑み、LWR等のパターンラフネス特性及びDOFに優れ、経時による性能の変動が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することにある。   In view of the above background art, an object of the present invention is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that is excellent in pattern roughness characteristics such as LWR and DOF, and has little fluctuation in performance over time, and actinic ray sensitivity using the same. Alternatively, a radiation-sensitive film and a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method and an electronic device are provided.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention.

すなわち、本発明は、例えば、以下の通りである。
[1] (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、
(B)下記一般式(1)で表される活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
(C)酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有する低分子化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
That is, the present invention is as follows, for example.
[1] (A) a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid;
(B) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation represented by the following general formula (1), and (C) a low molecular compound having a group on the nitrogen atom that is eliminated by the action of an acid. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Figure 2013182023

一般式(1)中、
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又は、アリール基を表す。但し、R及びRのうち少なくとも1つはアリール基であり、また、RとRが連結して縮合環を形成していてもよい。
及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、RとRが連結していてもよい。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はアルキルカルボニル基を表す。Rは、RもしくはRと連結していてもよい。
-は非求核性アニオンを表す。
In general formula (1),
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. However, at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and R 1 and R 2 may be linked to form a condensed ring.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. R 3 and R 4 may be linked.
R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group or an alkylcarbonyl group. R 5 may be linked to R 3 or R 4 .
X represents a non-nucleophilic anion.

[2] 化合物(C)が、下記一般式(2)で表されることを特徴とする、[1]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
[2] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [1], wherein the compound (C) is represented by the following general formula (2).
Figure 2013182023

一般式(2)中、
Raは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、また、2つのRaが相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。
Rbはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルコキシアルキル基を表す。複数のRbは、相互に連結して環を形成していてもよい。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3を満たす。
In general formula (2),
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras may be connected to each other to form a heterocyclic ring together with the nitrogen atom in the formula.
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkoxyalkyl group. A plurality of Rb may be connected to each other to form a ring.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and satisfies n + m = 3.

[3] 樹脂(A)が、一般式(3)で表される繰り返し単位を有する、[1]又は[2]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
[3] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [1] or [2], wherein the resin (A) has a repeating unit represented by the general formula (3).
Figure 2013182023

一般式(3)中、
31は、水素原子又はアルキル基を表す。
32は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
33は、R32が結合している炭素原子とともに単環の脂環炭化水素構造を形成するのに必要な原子団を表す。前記脂環炭化水素構造は、環を構成する炭素原子の一部が、ヘテロ原子、又は、ヘテロ原子を有する基で置換されていてもよい。
In general formula (3),
R 31 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R 32 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, or a sec-butyl group.
R 33 represents an atomic group necessary for forming a monocyclic alicyclic hydrocarbon structure together with the carbon atom to which R 32 is bonded. In the alicyclic hydrocarbon structure, a part of carbon atoms constituting the ring may be substituted with a hetero atom or a group having a hetero atom.

[4] 樹脂(A)が、ラクトン基を含む繰り返し単位を有する、[1]〜[3]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [4] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the resin (A) has a repeating unit containing a lactone group.

[5] 一般式(1)におけるRがアルコキシ基であることを特徴とする、[1]〜[4]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 [5] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [4], wherein R 5 in the general formula (1) is an alkoxy group.

[6] 一般式(1)におけるR及びRが、共にアリール基であることを特徴とする、[1]〜[5]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 [6] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive property according to any one of [1] to [5], wherein R 1 and R 2 in the general formula (1) are both aryl groups. Resin composition.

[7] 上記一般式(3)で表される繰り返し単位が、下記一般式(3’)で表される繰り返し単位である、[3]〜[6]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
[7] The activity according to any one of [3] to [6], wherein the repeating unit represented by the general formula (3) is a repeating unit represented by the following general formula (3 ′). A light-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Figure 2013182023

一般式(3’)中、R31及びR32は、上記一般式(3)における各々と同義である。 In general formula (3 ′), R 31 and R 32 have the same meanings as in general formula (3).

[8] 樹脂(A)が、酸分解性基を有する繰り返し単位を少なくとも2種以上含み、その少なくとも2種の繰り返し単位の組み合わせが下記のいずれかより選ばれることを特徴とする、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
[8] The resin (A) contains at least two repeating units having an acid-decomposable group, and a combination of at least two repeating units is selected from the following: [1] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of to [7].
Figure 2013182023

式中、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。   In the formula, each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group.

[9] 樹脂(A)が、下記一般式(III')で表される繰り返し単位を含有する、[1]〜[8]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
[9] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin according to any one of [1] to [8], wherein the resin (A) contains a repeating unit represented by the following general formula (III ′). Composition.
Figure 2013182023

一般式(III’)中、
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
In general formula (III ′),
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.

Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合

Figure 2013182023
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or a combination thereof independently when there are a plurality of R 0 .
Z is independently a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond when there are a plurality of Zs.
Figure 2013182023

又はウレア結合

Figure 2013182023
Or urea bond
Figure 2013182023

を表す。ここで、Rは、各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。 Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group each independently.

’は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。 R 8 ′ represents a monovalent organic group having a lactone structure or a sultone structure.

n’は、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1又は2を表す。
[10] 樹脂(A)が、下記一般式(A−1)で表される繰り返し単位を有する、[1]〜[9]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013182023
n ′ is the number of repetitions of the structure represented by —R 0 —Z—, and represents 1 or 2.
[10] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin according to any one of [1] to [9], wherein the resin (A) has a repeating unit represented by the following general formula (A-1). Composition.
Figure 2013182023

一般式(A−1)中、
は、水素原子又はアルキル基を表す。
In general formula (A-1),
R A 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

は、nが2以上の場合は各々独立して、置換基を表す。 R A 2 each independently represents a substituent when n is 2 or more.

Aは、単結合又は2価の連結基を表す。   A represents a single bond or a divalent linking group.

Zは、式中の−O−C(=O)−O−で表される基と共に単環又は多環構造を形成する原子団を表す。   Z represents an atomic group that forms a monocyclic or polycyclic structure together with a group represented by —O—C (═O) —O— in the formula.

nは0以上の整数を表す。   n represents an integer of 0 or more.

[11] 樹脂(A)が、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有する、[1]〜[10]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [11] The sensation according to any one of [1] to [10], wherein the resin (A) has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and has a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

[12] [1]〜[11]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる感活性光線性又は感放射線性膜。
[13] [12]に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、活性光線又は放射線を照射して前記膜を露光する工程、露光した前記膜を現像する工程を含むパターン形成方法。
[14] 露光方法が液浸露光である、[13]に記載のパターン形成方法。
[12] An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [11].
[13] Pattern formation including a step of forming the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film according to [12], a step of exposing the film by irradiation with actinic rays or radiation, and a step of developing the exposed film Method.
[14] The pattern forming method according to [13], wherein the exposure method is immersion exposure.

[15] [13]または[14]に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
[16] [15]に記載の電子デバイスの製造方法によって製造された電子デバイス。
[15] A method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method according to [13] or [14].
[16] An electronic device manufactured by the method for manufacturing an electronic device according to [15].

本発明によれば、LWRなどのパターンラフネス特性及びDOFに優れ、経時による性能の変動が少ないレジストパターンを提供することが可能となる。また、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えば、ArF液浸露光プロセスに好適に用い得る。   According to the present invention, it is possible to provide a resist pattern that is excellent in pattern roughness characteristics such as LWR and DOF, and has little fluctuation in performance over time. In addition, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention can be suitably used for, for example, an ArF immersion exposure process.

また、本発明の組成物を用いたパターン形成方法は、各種の半導体素子、記録媒体などの電子デバイスの製造におけるリソグラフィープロセスとして、好適に用いることができる。   Moreover, the pattern formation method using the composition of this invention can be used suitably as a lithography process in manufacture of electronic devices, such as various semiconductor elements and a recording medium.

以下、本発明を詳細に説明する。
なお、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも含有するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも含有するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what does not have a substituent and what has a substituent. . For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

また、本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線又は電子線(EB)を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。   Further, in the present specification, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV light), X-rays or electron beams (EB). I mean. In the present invention, “light” means actinic rays or radiation.

また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線3001X線、EUV光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。   In addition, “exposure” in the present specification is not limited to exposure using a far ultraviolet ray 3001 X-ray represented by a mercury lamp or an excimer laser, EUV light, or the like, unless otherwise specified, or by a particle beam such as an electron beam or an ion beam. It also means drawing.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以下、「本発明の組成物」などともいう)は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であって、後述する一般式(1)で表される化合物(B)、及び、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有する化合物(C)を含有する。本発明の組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。
以下、この組成物の各成分について説明する。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention (hereinafter also referred to as “the composition of the present invention”) is a resin (A) whose actinic light increases the solubility in an alkali developer by the action of an acid, actinic light Or a compound that generates an acid upon irradiation with radiation, and is a compound (B) represented by the following general formula (1), and a compound (C) having a group capable of leaving by the action of an acid on a nitrogen atom. Containing. The composition of the present invention is, for example, a positive composition, typically a positive resist composition.
Hereinafter, each component of this composition is demonstrated.

〔1〕活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式(1)で表される化合物(B)を含有する。化合物(B)は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。

Figure 2013182023
[1] Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains a compound (B) represented by the following general formula (1). The compound (B) is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.
Figure 2013182023

一般式(1)中、
及びRは、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は、置換基を有していてもよいアリール基を表す。但し、R及びRのうち少なくとも1つはアリール基であり、また、RとRが連結して縮合環を形成していてもよい。
及びRは、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。また、RとRが連結していてもよい。
は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基又は置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基を表す。Rは、RもしくはRと連結していてもよい。
-は非求核性アニオンを表す。
In general formula (1),
R 1 and R 2 are each independently an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or The aryl group which may have a substituent is represented. However, at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and R 1 and R 2 may be linked to form a condensed ring.
R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group that may have a substituent, a cycloalkyl group that may have a substituent, or an alkenyl group that may have a substituent. Or an aryl group which may have a substituent. R 3 and R 4 may be linked.
R 5 may have an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or a substituent. An aryl group, an aralkyl group that may have a substituent, an alkoxy group that may have a substituent, or an alkylcarbonyl group that may have a substituent. R 5 may be linked to R 3 or R 4 .
X represents a non-nucleophilic anion.

一般式(1)について詳細に説明する。
及びRとしてのアルキル基は、例えば炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル基が好ましく、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。置換基を有するアルキル基としては、例えば、シアノメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。
The general formula (1) will be described in detail.
The alkyl group as R 1 and R 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, for example, and may have an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group, etc. And a branched alkyl group such as isopropyl group, isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-ethylhexyl group. Examples of the alkyl group having a substituent include a cyanomethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a methoxycarbonylmethyl group, and an ethoxycarbonylmethyl group.

、Rとしてのアリール基は、例えば、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、フェナンスレニル基、ペナレニル基、フェナントラセニル基、フルオレニル基、アントラセニル基、ピレニル基、ベンゾピレニル基等が挙げられる。 The aryl group as R 1 and R 2 is preferably, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and specifically, a phenyl group, a naphthyl group, an azulenyl group, an acenaphthylenyl group, a phenanthrenyl group, a penalenyl group, a phenanthracenyl group. Group, fluorenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, benzopyrenyl group and the like.

本発明の一態様において、R、Rとしてのアリール基は置換基を有している方が好ましく、置換基が導入され得る位置と、個数は特に限定されるものではない。導入され得る置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基又はシクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、シリル基、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルファモイルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、アニリノ基、ヘテロ環アミノ基、カルボンアミド基、ウレイド基、イミド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、スルファモイルアミノ基、アゾ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、スルホ基、ホスホニル基、ホスフィノイルアミノ基が挙げられる。 In one embodiment of the present invention, the aryl group as R 1 and R 2 preferably has a substituent, and the position and number where the substituent can be introduced are not particularly limited. Examples of the substituent that can be introduced include a halogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heterocyclic group, a silyl group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an aryloxy group, and a hetero group. Ring oxy group, silyloxy group, acyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, carbamoyloxy group, sulfamoyloxy group, alkylsulfonyloxy group, arylsulfonyloxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxy Carbonyl group, carbamoyl group, amino group, anilino group, heterocyclic amino group, carbonamido group, ureido group, imide group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfonamido group, sulfamoy Examples include amino group, azo group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfamoyl group, sulfo group, phosphonyl group, and phosphinoylamino group. .

、Rとしてのアリール基が有していてもよい置換基として、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニルアミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基である。 The substituent that the aryl group as R 1 and R 2 may have is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an amino group, or an alkoxycarbonylamino group, more preferably An alkyl group, a cycloalkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, and an alkoxycarbonylamino group are preferable, and an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group are more preferable.

、Rとしてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましく、具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などを挙げることができる。このシクロアルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 The cycloalkyl group as R 1 and R 2 is preferably, for example, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and specific examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like. it can. Examples of the substituent that the cycloalkyl group may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

、Rとしてのアルケニル基は、好ましくは炭素数2〜20のアルケニル基であり、具体的には、上述したR、Rとしてのアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。 The alkenyl group as R 1 and R 2 is preferably an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and specifically has a double bond at an arbitrary position of the alkyl group as R 1 and R 2 described above. Groups.

このアルケニル基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 Examples of the substituent that the alkenyl group may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

一般式(1)において、R及びRの少なくとも一方はアリール基であり、本発明の一態様において、R及びRの双方がアリール基であることが好ましい。R及びRの双方がアリール基の場合、Sの三つの置換基のうち二つがアリール基であるために、立体的なかさ高さからSへの求核攻撃を抑制する効果、アリファティックプロトンの引き抜きによる脱離反応を低減する効果があると考えられ、レジスト経時において光酸発生剤の分解による性能変動の抑制が更に向上すると推測される。 In General Formula (1), at least one of R 1 and R 2 is an aryl group. In one embodiment of the present invention, it is preferable that both R 1 and R 2 are aryl groups. When both R 1 and R 2 are aryl groups, since two of the three substituents of S + are aryl groups, the effect of suppressing nucleophilic attack from steric bulk to S + , It is considered that there is an effect of reducing the elimination reaction due to the extraction of the phatic proton, and it is estimated that the suppression of the performance fluctuation due to the decomposition of the photoacid generator over time is further improved.

3、R4は、上述したように、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。また、R3とRは連結していてもよい。
及びRとしてのアルキル基は、好ましくは炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。置換基を有するアルキル基としては、シアノメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。
R 3 and R 4 are each a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, or an optionally substituted alkenyl as described above. Represents an aryl group which may have a group or a substituent. R 3 and R 4 may be linked.
The alkyl group as R 3 and R 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group, etc. And a branched alkyl group such as isopropyl group, isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-ethylhexyl group. Examples of the alkyl group having a substituent include a cyanomethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a methoxycarbonylmethyl group, and an ethoxycarbonylmethyl group.

3及びRとしてのシクロアルキル基は、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などを挙げることができる。このシクロアルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 The cycloalkyl group as R 3 and R 4 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring. Specific examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like. Examples of the substituent that the cycloalkyl group may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

3及びRとしてのアリール基は、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。このアリール基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 The aryl group as R 3 and R 4 is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group. Examples of the substituent that the aryl group may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

及びRとしてのアルケニル基は、好ましくは炭素数2〜20のアルケニル基であり、具体的には、上述したR及びRとしてのアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。 The alkenyl group as R 3 and R 4 is preferably an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. Specifically, the alkenyl group has a double bond at any position of the alkyl group as R 3 and R 4 described above. Groups.

また、RとRが互いに連結して形成し得る環構造は、好ましくは5員又は6員の環であり、特に好ましくは6員の環である。 The ring structure that R 3 and R 4 can form together is preferably a 5-membered or 6-membered ring, particularly preferably a 6-membered ring.

は、上述したように、置換基を有していてよいアルキル基、置換基を有していてよいシクロアルキル基、置換基を有していてよいアルケニル基、置換基を有していてよいアリール基、置換基を有していてよいアラルキル基、置換基を有していてよいアルコキシ基、又は置換基を有していてよいアルキルカルボニル基を表す。Rは、RもしくはRと連結していてもよい。 As described above, R 5 has an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, and a substituent. It represents a good aryl group, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, or an alkylcarbonyl group which may have a substituent. R 5 may be linked to R 3 or R 4 .

により表されるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基におけるアルキル基、及びアルキルカルボニル基におけるアルキル基としては、例えば、上述したR及びRとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、及びアリール基と同様の具体例が挙げられ、これらの基が有してもよい置換基としても同様である。 Examples of the alkyl group represented by R 5 , the cycloalkyl group, the alkenyl group, the aryl group, the alkyl group in the alkoxy group, and the alkyl group in the alkylcarbonyl group include the above-described alkyl groups as R 3 and R 4 , cyclo Specific examples similar to the alkyl group, alkenyl group, and aryl group can be given, and the same applies to the substituents that these groups may have.

により表されるアラルキル基としては、例えば、炭素数7〜20のアラルキル基が好ましく、具体的には、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。このアラルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 As an aralkyl group represented by R 5 , for example, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms is preferable, and specific examples include a benzyl group and a phenethyl group. Examples of the substituent that the aralkyl group may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

また、Rにより表される基には、例えば、t−ブチル基等の3級アルキル基のように、酸の作用により脱離する基が含まれていてもよい。酸の作用により脱離する基としては、例えば、−C(R11)(R12)(R13)、−C(R11)(R12)(OR14)、−C(R)(R)(OR14)により表される基を挙げることができる。ここで、R11〜R14は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R11とR12とは、互いに結合して環を形成してもよい。R及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 In addition, the group represented by R 5 may include a group capable of leaving by the action of an acid, such as a tertiary alkyl group such as a t-butyl group. Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include —C (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ), —C (R 11 ) (R 12 ) (OR 14 ), —C (R a ) ( And a group represented by R b ) (OR 14 ). Here, R < 11 > -R < 14 > represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group each independently. R 11 and R 12 may be bonded to each other to form a ring. R a and R b each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

本発明の一態様において、Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、又はアラルキル基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアラルキル基であることがより好ましく、アルコキシ基であることが更に好ましい。 In one embodiment of the present invention, R 5 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, or an aralkyl group, and more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, or an aralkyl group. Preferably, it is an alkoxy group.

がR3もしくはRと連結して形成する環としては、5〜7員のラクトン構造であることが好ましい。また、ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していてもよい。 The ring formed by connecting R 5 to R 3 or R 4 is preferably a 5- to 7-membered lactone structure. In addition, other ring structures may be condensed so as to form a bicyclo structure or a spiro structure in the lactone structure.

の非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。 Examples of the non-nucleophilic anion for X include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion. A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. This improves the temporal stability of the resist.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。
カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion include an alkyl sulfonate anion, an aryl sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.
Examples of the carboxylate anion include an alkylcarboxylate anion, an arylcarboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。   The alkyl group in the alkylsulfonate anion is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, or a pentyl group. , Neopentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl, eicosyl, cyclo Examples thereof include a propyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and a boronyl group.

アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aryl group in the aryl sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
The alkyl group and aryl group in the alkyl sulfonate anion and aryl sulfonate anion may have a substituent.
Examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and an alkylthio group.

ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることができる。   Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

アルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数1〜15のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。   As the alkyl group, for example, preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group Hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl, eicosyl it can.

アルコキシ基としては、例えば、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。   As an alkoxy group, Preferably a C1-C5 alkoxy group, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group etc. can be mentioned, for example.

アルキルチオ基としては、例えば、好ましくは炭素数1〜15のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、s e c − ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基、エイコシルチオ基等を挙げることができる。尚、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基は、更にハロゲン原子( 好ましくはフッ素原子) で置換されていてもよい。   As the alkylthio group, for example, preferably an alkylthio group having 1 to 15 carbon atoms, for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, n-butylthio group, isobutylthio group, sec-butylthio group, pentylthio group. Group, neopentylthio group, hexylthio group, heptylthio group, octylthio group, nonylthio group, decylthio group, undecylthio group, dodecylthio group, tridecylthio group, tetradecylthio group, pentadecylthio group, hexadecylthio group, heptadecylthio group, octadecylthio group , Nonadecylthio group, eicosylthio group and the like. The alkyl group, alkoxy group, and alkylthio group may be further substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom).

アルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基としては、アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基と同様のものを挙げることができる。
アリールカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基と同様のものを挙げることができる。
アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group in the alkylcarboxylate anion include the same alkyl groups as in the alkylsulfonate anion.
Examples of the aryl group in the arylcarboxylate anion include the same aryl groups as in the arylsulfonate anion.
The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylmethyl group.

上記アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。   The alkyl group, aryl group and aralkyl group in the alkylcarboxylate anion, arylcarboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent are the same as those in the arylsulfonate anion. A halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, etc. can be mentioned.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. These alkyl groups may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group substituted with a halogen atom, an alkoxy group, an alkylthio group, and the like, which are substituted with a fluorine atom. Alkyl groups are preferred.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換されたアルカンスルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されたアリールスルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス( アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。Xの非求核性アニオンとして、特に好ましくは炭素数1〜8のパーフロロアルカンスルホン酸アニオン、ノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオンである。 X - non-nucleophilic anion, alkanesulfonic acid anion position α is substituted with a fluorine atom of the sulfonic acid, a fluorine atom or a fluorine atom is substituted by a aryl sulfonate anion, an alkyl group is a fluorine atom A bis (alkylsulfonyl) imide anion substituted with a tris (alkylsulfonyl) methide anion in which an alkyl group is substituted with a fluorine atom is preferred. As the non-nucleophilic anion for X , a perfluoroalkanesulfonic acid anion, a nonafluorobutanesulfonic acid anion, and a perfluorooctanesulfonic acid anion having 1 to 8 carbon atoms are particularly preferable.

本発明の一態様において、Xの非求核性アニオンは、一般式(1a)で表されることが好ましい。この場合、発生酸の体積が大きく、酸の拡散が抑制されるために、DOFの改善が一層促進されるものと推測される。

Figure 2013182023
In one embodiment of the present invention, the non-nucleophilic anion X is preferably represented by the general formula (1a). In this case, since the volume of the generated acid is large and the acid diffusion is suppressed, it is presumed that the improvement of DOF is further promoted.
Figure 2013182023

一般式(1a)中
Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、複数存在する場合のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていても良い。
Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
In general formula (1a), Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom.
R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom, and when there are a plurality of R 6 and R 7 , R 6 and R 7 are the same But it can be different.
L represents a divalent linking group, and when there are a plurality of L, L may be the same or different.

Aは、環状構造を含む有機基を表す。
xは、1〜20の整数を表す。yは、0〜10の整数を表す。zは、0〜10の整数を表す。
A represents an organic group containing a cyclic structure.
x represents an integer of 1 to 20. y represents an integer of 0 to 10. z represents an integer of 0 to 10.

一般式(1a)のアニオンについて、更に詳しく説明する。
Xfは、上記の通り、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基であり、フッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましい。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
The anion of the general formula (1a) will be described in more detail.
Xf is a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom as described above, and the alkyl group in the alkyl group substituted with a fluorine atom is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable. The alkyl group substituted with a fluorine atom of Xf is preferably a perfluoroalkyl group.

Xfとして、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、フッ素原子、CF、C、C、C、C11、C13、C15、C17、CHCF、CHCHCF、CH、CHCH、CH、CHCH、CH、CHCHが挙げられ、中でもフッ素原子、CFが好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。 Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specifically, fluorine atom, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3 , CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9, CH 2 CH 2 C 4 F 9 is mentioned, among which fluorine atom and CF 3 are preferable. In particular, it is preferable that both Xf are fluorine atoms.

及びRは、上記の通り、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、アルキル基は、炭素数1〜4のものが好ましい。さらに好ましくは炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。R及びRの少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例としては、CF、C、C、C、C11、C13、C15、C17、CHCF、CHCHCF、CH、CHCH、CH、CHCH、CH、CHCHが挙げられ、中でもCFが好ましい。 R 6 and R 7 represent a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom as described above, and the alkyl group preferably has 1 to 4 carbon atoms. More preferably, it is a C1-C4 perfluoroalkyl group. Specific examples of the alkyl group substituted with at least one fluorine atom of R 6 and R 7 include CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , and C 6 F 13. , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3 , CH 2 CH 2 CF 3 , CH 2 C 2 F 5 , CH 2 CH 2 C 2 F 5 , CH 2 C 3 F 7 , CH 2 CH 2 Examples thereof include C 3 F 7 , CH 2 C 4 F 9 , and CH 2 CH 2 C 4 F 9 , among which CF 3 is preferable.

Lは、2価の連結基を表し、−COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S−、−SO−、−SO−、−N(Ri)−(式中、Riは水素原子又はアルキルを表す)、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜6)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3〜10)、アルケニレン基(好ましくは炭素数2〜6)又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基などが挙げられ、−COO−、−OCO−、−CO−、−SO−、−CON(Ri)−、−SON(Ri)−、−CON(Ri)−アルキレン基−、−N(Ri)CO−アルキレン基−、−COO−アルキレン基−又は−OCO−アルキレン基−であることが好ましく、−COO−、−OCO−、−SO−、−CON(Ri)−又は−SON(Ri)−であることがより好ましい。複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。 L represents a divalent linking group, and represents —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, —N (Ri) — (wherein Ri represents a hydrogen atom or alkyl), an alkylene group (preferably 1 to 6 carbon atoms), a cycloalkylene group (preferably 3 to 10 carbon atoms), an alkenylene group (preferably 2 to 6 carbon atoms), or a plurality of these such divalent linking group formed by combining can be mentioned, -COO -, - OCO -, - CO -, - SO 2 -, - CON (Ri) -, - SO 2 N (Ri) -, - CON (Ri ) - alkylene radical -, - N (Ri) CO- alkylene group -, - is preferably, -COO - - COO- alkylene group - or -OCO- alkylene group, - OCO -, - SO 2 -, - CON (Ri) - or -SO 2 N (Ri) - is that Is more preferable. When there are a plurality of L, they may be the same or different.

Riについてのアルキル基の具体例及び好ましい例としては、R〜Rについてのアルキル基として前述した具体例及び好ましい例と同様のものが挙げられる。 Specific examples and preferred examples of the alkyl group for Ri include those similar to the specific examples and preferred examples described above as the alkyl group for R 1 to R 5 .

Aの環状構造を含む有機基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基(芳香属性を有するものだけでなく、芳香族性を有さないものも含み、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環構造も含む。)等が挙げられる。   The organic group containing the cyclic structure of A is not particularly limited as long as it has a cyclic structure, and is not limited to alicyclic groups, aryl groups, and heterocyclic groups (not only those having an aromatic attribute but also aromaticity). For example, a tetrahydropyran ring and a lactone ring structure are also included.

脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、ノルボルネン−イル基、トリシクロデカニル基(例えば、トリシクロ[5.2.1.0(2,6)]デカニル基)、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。また、ピペリジン基、デカヒドロキノリン基、デカヒドロイソキノリン基等の窒素原子含有脂環基も好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基、デカヒドロキノリン基、デカヒドロイソキノリン基といった炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB(露光後加熱)工程での膜中拡散性を抑制でき、DOF向上の観点から好ましい。   The alicyclic group may be monocyclic or polycyclic, and may be a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a cyclooctyl group, a norbornyl group, a norbornene-yl group, or a tricyclodecanyl group (for example, tricyclo [ 5.2.1.0 (2,6)] decanyl group), tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, adamantyl group and the like are preferable. Also preferred are nitrogen atom-containing alicyclic groups such as piperidine group, decahydroquinoline group, decahydroisoquinoline group. Among them, an alicyclic group having a bulky structure of 7 or more carbon atoms such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, an adamantyl group, a decahydroquinoline group, and a decahydroisoquinoline group. And diffusibility in the film in the PEB (post-exposure heating) step can be suppressed, which is preferable from the viewpoint of improving DOF.

アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。   Examples of the aryl group include a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, and an anthracene ring. Of these, naphthalene having low absorbance is preferred from the viewpoint of light absorbance at 193 nm.

複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環が挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましい。   Examples of the heterocyclic group include a furan ring, a thiophene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a pyridine ring. Of these, a furan ring, a thiophene ring, and a pyridine ring are preferable.

上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基(直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1〜12が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。   The cyclic organic group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group (which may be linear, branched or cyclic, preferably having 1 to 12 carbon atoms), aryl Examples include a group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), a hydroxy group, an alkoxy group, an ester group, an amide group, a urethane group, a ureido group, a thioether group, a sulfonamide group, and a sulfonic acid ester group.

なお、環状構造を含む有機基を構成する炭素(環形成に寄与する炭素)はカルボニル炭素であっても良い。   Note that the carbon constituting the organic group containing a cyclic structure (carbon contributing to ring formation) may be a carbonyl carbon.

xは1〜8が好ましく、1〜4がより好ましく、1が特に好ましい。yは0〜4が好ましく、0又は1がより好ましく、0が更に好ましい。zは0〜8が好ましく、0〜4がより好ましく、1が更に好ましい。   x is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 4, and particularly preferably 1. y is preferably 0 to 4, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0. z is preferably 0 to 8, more preferably 0 to 4, and still more preferably 1.

化合物(B)におけるスルホン酸アニオン構造の好ましい態様を、水素を付加したスルホン酸構造で示した例としては下記一般式(1a’)が挙げられる。なお、式中、Xf、R、R、L、A、y、zは、前記一般式(1a)中の各々と同義である。

Figure 2013182023
The following general formula (1a ′) may be mentioned as an example in which a preferable embodiment of the sulfonate anion structure in the compound (B) is shown by a sulfonate structure to which hydrogen is added. In the formula, Xf, R 6 , R 7 , L, A, y, and z have the same meanings as those in the general formula (1a).
Figure 2013182023

また、本発明の他の態様において、Xの非求核性アニオンは、ジスルホニルイミド酸アニオンであってもよい。
ジスルホニルイミド酸アニオンとしては、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンであることが好ましい。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。
In another embodiment of the present invention, the non-nucleophilic anion X may be a disulfonylimide acid anion.
The disulfonylimidoanion is preferably a bis (alkylsulfonyl) imide anion.
The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおける2つのアルキル基が互いに連結してアルキレン基(好ましくは炭素数2〜4)を成し、イミド基及び2つのスルホニル基とともに環を形成していてもよい。ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンが形成していてもよい上記の環構造としては、5〜7員環であることが好ましく、6員環であることがより好ましい。   Two alkyl groups in the bis (alkylsulfonyl) imide anion may be linked to each other to form an alkylene group (preferably having 2 to 4 carbon atoms), and may form a ring together with the imide group and the two sulfonyl groups. The ring structure that may be formed by the bis (alkylsulfonyl) imide anion is preferably a 5- to 7-membered ring, and more preferably a 6-membered ring.

これらのアルキル基、及び2つのアルキル基が互いに連結して成すアルキレン基が有し得る置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   These alkyl groups and alkylene groups formed by connecting two alkyl groups to each other can have a halogen atom, an alkyl group substituted with a halogen atom, an alkoxy group, an alkylthio group, an alkyloxysulfonyl group, an aryl Examples thereof include an oxysulfonyl group and a cycloalkylaryloxysulfonyl group, and a fluorine atom or an alkyl group substituted with a fluorine atom is preferred.

酸強度の観点からは、発生酸のpKaが−1以下であることが、感度向上のために好ましい。   From the viewpoint of acid strength, the pKa of the generated acid is preferably −1 or less in order to improve sensitivity.

なお、化合物(B)は、一般式(1)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(1)中のRが、もう一つの一般式(1)中のRと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。 The compound (B) may be a compound having a plurality of structures represented by the general formula (1). For example, a compound having a structure in which R 5 in general formula (1) is bonded to R 5 in another general formula (1) through a single bond or a linking group may be used.

一般式(1)で表される化合物(B)の好ましい具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013182023
Although the preferable specific example of a compound (B) represented by General formula (1) is given below, this invention is not limited to these.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
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Figure 2013182023
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Figure 2013182023
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Figure 2013182023
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Figure 2013182023
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Figure 2013182023
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Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

化合物(B)の合成方法について説明する。
一般式(1)におけるスルホン酸アニオン又はその塩は、一般式(1)で表される化合物(B)の合成に用いることができる。化合物(B)の合成に用い得る、一般式(1)におけるスルホン酸アニオン又はその塩(例えば、オニウム塩、金属塩)は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン、アルコール、又はアミド化合物などと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合、あるいはスルホンイミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン、アルコール、又はアミド化合物により開環させる方法により得ることができる。
A method for synthesizing the compound (B) will be described.
The sulfonate anion or a salt thereof in the general formula (1) can be used for the synthesis of the compound (B) represented by the general formula (1). The sulfonate anion or its salt (for example, onium salt, metal salt) in the general formula (1) that can be used for the synthesis of the compound (B) can be obtained by using a general sulfonate esterification reaction or sulfonamidation reaction. Can be synthesized. For example, after selectively reacting one sulfonyl halide portion of a bissulfonyl halide compound with an amine, alcohol, or amide compound to form a sulfonamide bond, a sulfonic acid ester bond, or a sulfonimide bond, It can be obtained by a method of hydrolyzing a sulfonyl halide moiety or a method of opening a cyclic sulfonic anhydride with an amine, alcohol or amide compound.

一般式(1)におけるスルホン酸アニオンの塩としてはスルホン酸の金属塩、スルホン酸オニウム塩などが挙げられる。スルホン酸の金属塩における金属としてはNa、Li、Kなどが挙げられる。スルホン酸オニウム塩におけるオニウムカチオンとしては、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ジアゾニウムカチオンなどが挙げられる。 Examples of the salt of the sulfonic acid anion in the general formula (1) include a metal salt of sulfonic acid and an onium salt of sulfonic acid. Examples of the metal in the metal salt of sulfonic acid include Na + , Li + and K + . Examples of the onium cation in the sulfonic acid onium salt include an ammonium cation, a sulfonium cation, an iodonium cation, a phosphonium cation, and a diazonium cation.

化合物(B)は上記一般式(1)で表されるスルホン酸アニオンを、上記一般式(1)におけるスルホニウムカチオンに相当するスルホニウム塩などの光活性オニウム塩と塩交換する方法により合成できる。   Compound (B) can be synthesized by a method in which the sulfonate anion represented by the general formula (1) is subjected to salt exchange with a photoactive onium salt such as a sulfonium salt corresponding to the sulfonium cation in the general formula (1).

本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物においては、上記化合物(B)を、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。化合物(B)の本発明の組成物中の含有率は、組成物の全固形分を基準として、0.1〜40質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜30質量%、更に好ましくは5〜25質量%である。   In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention, the compound (B) can be used singly or in combination of two or more. The content of the compound (B) in the composition of the present invention is preferably 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.5 to 30% by mass, still more preferably, based on the total solid content of the composition. 5 to 25% by mass.

また、化合物(B)は、化合物(B)以外の酸発生剤(以下、「化合物(B’)」又は「酸発生剤(B’)」ともいう)と組み合わされて使用されても良い。
化合物(B’)としては、特に限定されないが、好ましくは下記一般式(ZI’)、(ZII’)、(ZIII’)で表される化合物を挙げることができる。

Figure 2013182023
The compound (B) may be used in combination with an acid generator other than the compound (B) (hereinafter also referred to as “compound (B ′)” or “acid generator (B ′)”).
Although it does not specifically limit as a compound (B '), Preferably the compound represented by the following general formula (ZI'), (ZII '), (ZIII') can be mentioned.
Figure 2013182023

上記一般式(ZI’)において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
In the general formula (ZI ′), R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1 to 20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include an alkylene group (eg, butylene group, pentylene group).

201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI’−1)における対応する基を挙げることができる。 Examples of the organic group represented by R 201 , R 202 and R 203 include a corresponding group in the compound (ZI′-1) described later.

なお、一般式(ZI’)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI’)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI’)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI ') may be sufficient. For example, at least one of R 201 to R 203 of the compound represented by the general formula (ZI ′) is different from at least one of R 201 to R 203 of the other compound represented by the general formula (ZI ′). It may be a compound having a structure bonded through a bond or a linking group.

は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。 Z represents a non-nucleophilic anion (an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction).

としては、例えば、スルホン酸アニオン(脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど)、カルボン酸アニオン(脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど)、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げられる。 Examples of Z include a sulfonate anion (an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, a camphor sulfonate anion, etc.), a carboxylate anion (an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, an aralkyl carboxylate anion). Etc.), sulfonylimide anion, bis (alkylsulfonyl) imide anion, tris (alkylsulfonyl) methide anion and the like.

脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基が挙げられる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion and the aliphatic carboxylate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a carbon number. 3-30 cycloalkyl groups are mentioned.

芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion and aromatic carboxylate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group mentioned above may have a substituent. Specific examples thereof include nitro groups, halogen atoms such as fluorine atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, cyano groups, alkoxy groups (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl groups (preferably having 3 to 15 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 7), an alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkylsulfonyl group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkyliminosulfonyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), an aryloxysulfonyl group (preferably carbon) Number 6-20), alkylaryloxysulfonyl group (preferably C7-20), cycloalkylary Examples thereof include an oxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), an alkyloxyalkyloxy group (preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. . About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylbutyl group.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methide anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおける2つのアルキル基が互いに連結してアルキレン基(好ましくは炭素数2〜4)を成し、イミド基及び2つのスルホニル基とともに環を形成していてもよい。   Two alkyl groups in the bis (alkylsulfonyl) imide anion may be linked to each other to form an alkylene group (preferably having 2 to 4 carbon atoms), and may form a ring together with the imide group and the two sulfonyl groups.

これらのアルキル基及びビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおける2つのアルキル基が互いに連結して成すアルキレン基が有し得る置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されているアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されているアルキル基が好ましい。   The alkylene group formed by linking two alkyl groups in these alkyl groups and bis (alkylsulfonyl) imide anions may have a halogen atom, an alkyl group substituted with a halogen atom, an alkoxy group, an alkylthio group. Group, an alkyloxysulfonyl group, an aryloxysulfonyl group, a cycloalkylaryloxysulfonyl group, and the like, and a fluorine atom or an alkyl group substituted with a fluorine atom is preferable.

その他のZとしては、例えば、弗素化燐(例えば、PF )、弗素化硼素(例えば、BF )、弗素化アンチモン(例えば、SbF )等を挙げることができる。 Examples of other Z include fluorinated phosphorus (for example, PF 6 ), fluorinated boron (for example, BF 4 ), fluorinated antimony (for example, SbF 6 ), and the like.

としては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換されている脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されているビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されているトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン(更に好ましくは炭素数4〜8)、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
酸強度の観点からは、発生酸のpKaが−1以下であることが、感度向上のために好ましい。
Z - The aliphatic sulfonate anion in which at least α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an aromatic sulfonate anion substituted with a group having a fluorine atom or a fluorine atom, an alkyl group with a fluorine atom A substituted bis (alkylsulfonyl) imide anion and a tris (alkylsulfonyl) methide anion in which the alkyl group is substituted with a fluorine atom are preferred. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonate anion (more preferably 4 to 8 carbon atoms), a benzenesulfonate anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonate anion, or perfluorooctane. A sulfonate anion, a pentafluorobenzenesulfonate anion, and a 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonate anion.
From the viewpoint of acid strength, the pKa of the generated acid is preferably −1 or less in order to improve sensitivity.

更に好ましい(ZI’)成分として、以下に説明する化合物(ZI’−1)を挙げることができる。   As a more preferred (ZI ′) component, a compound (ZI′-1) described below can be exemplified.

化合物(ZI’−1)は、上記一般式(ZI’)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI′-1) is an arylsulfonium compound in which at least one of R 201 to R 203 in the general formula (ZI ′) is an aryl group, that is, a compound having arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよいが、R201〜R203の全てがアリール基であることが好ましい。 Arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group or a part of R 201 to R 203 is an aryl group, but the remainder is an alkyl group or a cycloalkyl group, the R 201 to R 203 All are preferably aryl groups.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができ、トリアリールスルホニウム化合物であることが好ましい。   Examples of the arylsulfonium compound include a triarylsulfonium compound, a diarylalkylsulfonium compound, an aryldialkylsulfonium compound, a diarylcycloalkylsulfonium compound, and an aryldicycloalkylsulfonium compound, and a triarylsulfonium compound is preferable. .

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the heterocyclic structure include a pyrrole residue, a furan residue, a thiophene residue, an indole residue, a benzofuran residue, and a benzothiophene residue. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 The aryl group, alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203 are an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms). , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に一般式(ZII’)、(ZIII’)について説明する。
一般式(ZII’)、(ZIII’)中、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Next, general formulas (ZII ′) and (ZIII ′) will be described.
In general formulas (ZII ′) and (ZIII ′),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物(ZI’−1)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 are the same as the aryl group described as the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 201 to R 203 in the aforementioned compound (ZI′-1). It is.

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI’−1)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 may have a substituent. Also as this substituent, what the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 201 to R 203 in the above-mentioned compound (ZI′-1) may have may be mentioned.

は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI’)に於けるZの非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
本発明における酸発生剤と併用し得る酸発生剤(B’)として、更に、下記一般式(ZIV’)、(ZV’)、(ZVI’)で表される化合物も挙げられる。

Figure 2013182023
Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in the general formula (ZI ′).
Examples of the acid generator (B ′) that can be used in combination with the acid generator in the present invention further include compounds represented by the following general formulas (ZIV ′), (ZV ′), and (ZVI ′).
Figure 2013182023

一般式(ZIV’)〜(ZVI’)中、
Ar及びArは、各々独立に、アリール基を表す。
208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ar、Ar、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI’−1)におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
In general formulas (ZIV ′) to (ZVI ′),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.
Specific examples of the aryl group represented by Ar 3 , Ar 4 , R 208 , R 209 and R 210 are the same as the specific examples of the aryl group represented by R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ZI′-1). Can be mentioned.

208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式(ZI’−1)におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。 Specific examples of the alkyl group and the cycloalkyl group represented by R 208 , R 209, and R 210 include an alkyl group and a cycloalkyl group represented by R 201 , R 202, and R 203 in the general formula (ZI′-1), respectively. The thing similar to a specific example can be mentioned.

Aのアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など)を、Aのアルケニレン基としては、炭素数2〜12のアルケニレン基(例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)を、Aのアリーレン基としては、炭素数6〜10のアリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)を、それぞれ挙げることができる。   The alkylene group of A is alkylene having 1 to 12 carbon atoms (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, etc.), and the alkenylene group of A is 2 to 2 carbon atoms. 12 alkenylene groups (for example, ethenylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), and as the arylene group for A, arylene groups having 6 to 10 carbon atoms (for example, phenylene group, tolylene group, naphthylene group, etc.) Can be mentioned.

本発明の酸発生剤と併用し得る酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。

Figure 2013182023
Among acid generators that can be used in combination with the acid generator of the present invention, particularly preferred examples are given below.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

化合物(B)と、化合物(B’)とを併用した場合の酸発生剤の使用量は、質量比(化合物(B)/化合物(B’))で、99/1〜20/80であることが好ましく、99/1〜40/60であることがより好ましく、99/1〜50/50であることが更に好ましい。   The usage-amount of the acid generator at the time of using a compound (B) and a compound (B ') together is 99/1-20/80 by mass ratio (compound (B) / compound (B')). It is preferably 99/1 to 40/60, more preferably 99/1 to 50/50.

〔2〕酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有する低分子化合物
本発明の組成物は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有する低分子化合物(以下において、「低分子化合物(C)」又は「化合物(C)」ともいう)を含有する。
[2] Low molecular weight compound having a group capable of leaving on the nitrogen atom by the action of an acid The composition of the present invention comprises a low molecular weight compound having a group on the nitrogen atom that can be removed by the action of an acid (hereinafter referred to as “low molecular weight compound”). Molecular compound (C) "or" compound (C) ").

酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。   The group capable of leaving by the action of an acid is not particularly limited, but is preferably an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, or a hemiaminal ether group, and a carbamate group or a hemiaminal ether group. It is particularly preferred.

酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(C)の分子量は、100〜1000が好ましく、100〜700がより好ましく、100〜500が特に好ましい。   The molecular weight of the low molecular compound (C) having a group capable of leaving by the action of an acid is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, and particularly preferably 100 to 500.

化合物(C)としては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。   As the compound (C), an amine derivative having a group capable of leaving by the action of an acid on the nitrogen atom is preferable.

化合物(C)は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式(d−1)で表すことができる。

Figure 2013182023
Compound (C) may have a carbamate group having a protecting group on the nitrogen atom. The protecting group constituting the carbamate group can be represented by the following general formula (d-1).
Figure 2013182023

一般式(d−1)において、
Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Rbは相互に連結して環を形成していてもよい。
In general formula (d-1),
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. Rb may be connected to each other to form a ring.

Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。   The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group represented by Rb are substituted with a functional group such as hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, oxo group, alkoxy group, or halogen atom. It may be. The same applies to the alkoxyalkyl group represented by Rb.

前記Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい)としては、
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノルアダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換されている基等が挙げられる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group of Rb (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group may be substituted with the above functional group, alkoxy group, or halogen atom). )as,
For example, a group derived from a linear or branched alkane such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, etc., a group derived from these alkanes, for example, A group substituted with one or more cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group,
Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, noradamantane, groups derived from these cycloalkanes, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group , I-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and other linear or branched alkyl groups substituted by one or more ,
Groups derived from aromatic compounds such as benzene, naphthalene, anthracene, etc., and groups derived from these aromatic compounds are, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2 A group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as -methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, and the like;
Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indoline, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched A group substituted with one or more groups derived from an alkyl group or aromatic compound, a group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a phenyl group, a naphthyl group , A group substituted with one or more groups derived from an aromatic compound such as anthracenyl group or the like, or the above substituent is a hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, oxo And a group substituted with a functional group such as a group.

Rbとして好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。   Rb is preferably a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. More preferably, it is a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group.

2つのRbが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体等が挙げられる。
一般式(d−1)で表される基の具体的な構造を以下に示す。

Figure 2013182023
Examples of the ring formed by connecting two Rb to each other include an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group, or a derivative thereof.
The specific structure of the group represented by general formula (d-1) is shown below.
Figure 2013182023

化合物(C)は、下記一般式(2)で表される構造を有するものであることが特に好ましい。

Figure 2013182023
It is particularly preferable that the compound (C) has a structure represented by the following general formula (2).
Figure 2013182023

一般式(2)において、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。該複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。   In the general formula (2), Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, two Ras may be the same or different, and two Ras may be connected to each other to form a heterocyclic ring together with the nitrogen atom in the formula. The heterocyclic ring may contain a hetero atom other than the nitrogen atom in the formula.

Rbは、前記一般式(d−1)におけるRbと同義であり、好ましい例も同様である。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3を満たす。
Rb has the same meaning as Rb in formula (d-1), and preferred examples are also the same.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and satisfies n + m = 3.

一般式(2)において、Raとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、Rbとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。   In the general formula (2), the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group as Ra are described above as the groups in which the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group as Rb may be substituted. It may be substituted with a group similar to the group.

前記Raのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記基で置換されていてもよい)の具体例としては、Rbについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。   Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group of Ra (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group may be substituted with the above groups) include: The same group as the specific example mentioned above about Rb is mentioned.

また、前記Raが相互に連結して形成する複素環としては、好ましくは炭素数20以下であり、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、1,2,3,6−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5−アザベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1,4,7−トリアザシクロノナン、テトラゾール、7−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2−a]ピリジン、(1S,4S)−(+)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デック−5−エン、インドール、インドリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。   In addition, the heterocyclic ring formed by connecting the Ra to each other preferably has 20 or less carbon atoms. For example, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1,4,5,6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3 , 4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzotriazole, 1H-1,2,3-triazole, 1,4,7 -Triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine, (1S, 4S)-(+)-2,5-diazabicyclo [2.2.1] Heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, indole, indoline, 1,2, , 4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, groups derived from heterocyclic compounds such as 1,5,9-triazacyclododecane, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched alkanes Groups derived from the above, groups derived from cycloalkanes, groups derived from aromatic compounds, groups derived from heterocyclic compounds, hydroxyl groups, cyano groups, amino groups, pyrrolidino groups, piperidino groups, morpholino groups, oxo groups, etc. Examples include groups substituted with one or more functional groups or one or more functional groups.

本発明における特に好ましい化合物(C)を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2013182023
A particularly preferred compound (C) in the present invention is specifically shown, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

一般式(2)で表される化合物は、特開2007−298569号公報、特開2009−199021号公報などに基づき合成することができる。   The compound represented by the general formula (2) can be synthesized based on JP2007-298869A, JP2009-199021A, and the like.

本発明において、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有する低分子化合物(C)は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。   In the present invention, the low molecular compound (C) having a group capable of leaving by the action of an acid on the nitrogen atom can be used singly or in combination of two or more.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物における化合物(C)の含有率は、組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜20質量%、好ましくは0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%である。   The content of the compound (C) in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is usually 0.001 to 20% by mass, preferably 0.001 to 1, based on the total solid content of the composition. It is 10 mass%, More preferably, it is 0.01-5 mass%.

〔3〕酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂(A)」ということもある。)を含有する。
[3] Resin whose solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a resin that decomposes by the action of an acid and increases its solubility in an alkali developer ( Hereinafter, “acid-decomposable resin” or “resin (A)” may also be included.

酸分解性樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する。   The acid-decomposable resin is a group capable of decomposing under the action of an acid into an alkali-soluble group (hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”) on the main chain or side chain of the resin, or both of the main chain and side chain. Have

樹脂(A)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。   The resin (A) is preferably insoluble or hardly soluble in an alkali developer.

酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
The acid-decomposable group preferably has a structure protected with a group capable of decomposing and leaving an alkali-soluble group by the action of an acid.
Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基)、スルホン酸基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol groups), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group in which the hydrogen atom of these alkali-soluble groups is substituted with a group capable of leaving with an acid.
As the acid eliminable group, there can be, for example, -C (R 36) (R 37) (R 38), - C (R 36) (R 37) (OR 39), - C (R 01) (R 02 ) (OR 39 ) and the like.

式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。   The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.

樹脂(A)が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。

Figure 2013182023
The repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (A) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (AI).
Figure 2013182023

一般式(AI)に於いて、
Xaは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx〜Rxの2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent.
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).

Xaにより表される、置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基又は−CH−R11で表される基が挙げられる。R11は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xaは、一態様において、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基等である。 Examples of the alkyl group which may have a substituent represented by Xa 1 include a group represented by a methyl group or —CH 2 —R 11 . R 11 represents a hydroxy group or a monovalent organic group, and examples thereof include an alkyl group having 5 or less carbon atoms and an acyl group having 5 or less carbon atoms, preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and more preferably Is a methyl group. In one embodiment, Xa 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, a hydroxymethyl group or the like.

Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH−基、−(CH−基、−(CH−基がより好ましい。 Rx〜Rxのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group, — (CH 2 ) 2 — group, or — (CH 2 ) 3 — group. Examples of the alkyl group rx 1 to Rx 3, methyl, ethyl, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, an isobutyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as t- butyl group.

Rx〜Rxのシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx〜Rxの2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Examples of the cycloalkyl group represented by Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. Groups are preferred.
Examples of the cycloalkyl group formed by combining two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, an adamantyl group A polycyclic cycloalkyl group such as a group is preferred. A monocyclic cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms is particularly preferable.

Rx〜Rxの2つが結合して形成される前記シクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。 The cycloalkyl group formed by combining two of Rx 1 to Rx 3 is, for example, a group in which one of the methylene groups constituting the ring has a heteroatom such as an oxygen atom or a heteroatom such as a carbonyl group It may be replaced with.

一般式(AI)で表される繰り返し単位は、例えば、Rxがメチル基又はエチル基であり、RxとRxとが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。 The repeating unit represented by the general formula (AI) preferably has, for example, an embodiment in which Rx 1 is a methyl group or an ethyl group, and Rx 2 and Rx 3 are bonded to form the above-described cycloalkyl group.

上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。   Each of the above groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, An alkoxycarbonyl group (C2-C6) etc. are mentioned, C8 or less is preferable.

酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、20〜80mol%であることが好ましく、25〜75mol%であることがより好ましく、30〜70mol%であることが更に好ましい。   The total content of the repeating units having an acid-decomposable group is preferably 20 to 80 mol%, more preferably 25 to 75 mol%, based on all repeating units in the resin (A). More preferably, it is -70 mol%.

好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、Rx、Xaは、水素原子、CH、CF、又はCHOHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式(II−1)におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。

Figure 2013182023
Although the specific example of the repeating unit which has a preferable acid-decomposable group is shown below, this invention is not limited to this.
In specific examples, Rx and Xa 1 represent a hydrogen atom, CH 3 , CF 3 , or CH 2 OH. Rxa and Rxb each represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Z represents a substituent containing a polar group, and when there are a plurality of them, each is independent. p represents 0 or a positive integer. Specific examples and preferred examples of Z are the same as the specific examples and preferred examples of R 10 in formula (II-1) described later.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

樹脂(A)は、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、例えば、一般式(3)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013182023
The resin (A) preferably contains, for example, a repeating unit represented by the general formula (3) as the repeating unit represented by the general formula (AI).
Figure 2013182023

一般式(3)中、
31は、水素原子又はアルキル基を表す。
32は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
33は、R32が結合している炭素原子とともに単環の脂環炭化水素構造を形成するのに必要な原子団を表す。前記脂環炭化水素構造は、環を構成する炭素原子の一部が、ヘテロ原子、又は、ヘテロ原子を有する基で置換されていてもよい。
In general formula (3),
R 31 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R 32 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, or a sec-butyl group.
R 33 represents an atomic group necessary for forming a monocyclic alicyclic hydrocarbon structure together with the carbon atom to which R 32 is bonded. In the alicyclic hydrocarbon structure, a part of carbon atoms constituting the ring may be substituted with a hetero atom or a group having a hetero atom.

31のアルキル基は、置換基を有していてもよく、該置換基としてはフッ素原子、水酸基などが挙げられる。
31は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
The alkyl group for R 31 may have a substituent, and examples of the substituent include a fluorine atom and a hydroxyl group.
R 31 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

32は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、又は、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基、又は、エチル基であることがより好ましい。 R 32 is preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, or an isopropyl group, and more preferably a methyl group or an ethyl group.

33が炭素原子とともに形成する単環の脂環炭化水素構造は、3〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。 The monocyclic alicyclic hydrocarbon structure formed by R 33 together with the carbon atom is preferably a 3- to 8-membered ring, and more preferably a 5- or 6-membered ring.

33が炭素原子とともに形成する単環の脂環炭化水素構造において、環を構成し得るヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子等が挙げられ、ヘテロ原子を有する基としては、カルボニル基等が挙げられる。ただし、ヘテロ原子を有する基は、エステル基(エステル結合)ではないことが好ましい。 In the monocyclic alicyclic hydrocarbon structure formed by R 33 together with the carbon atom, examples of the hetero atom that can form the ring include an oxygen atom and a sulfur atom. Examples of the group having a hetero atom include a carbonyl group and the like. Can be mentioned. However, the group having a hetero atom is preferably not an ester group (ester bond).

33が炭素原子とともに形成する単環の脂環炭化水素構造は、炭素原子と水素原子とのみから形成されることが好ましい。 The monocyclic alicyclic hydrocarbon structure formed by R 33 together with the carbon atom is preferably formed only from the carbon atom and the hydrogen atom.

一般式(3)で表される繰り返し単位は、下記一般式(3’)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2013182023
The repeating unit represented by the general formula (3) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (3 ′).
Figure 2013182023

一般式(3’)中、R31及びR32は、上記一般式(3)における各々と同義である。 In general formula (3 ′), R 31 and R 32 have the same meanings as in general formula (3).

一般式(3)で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013182023
Although the specific example of the repeating unit which has a structure represented by General formula (3) is given below, it is not limited to these.
Figure 2013182023

一般式(3)で表される構造を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して20〜80モル%であることが好ましく、25〜75モル%であることがより好ましく、30〜70モル%であることがさらに好ましい。   The content of the repeating unit having the structure represented by the general formula (3) is preferably 20 to 80 mol% with respect to all repeating units in the resin (A), and preferably 25 to 75 mol%. Is more preferable, and it is further more preferable that it is 30-70 mol%.

樹脂(A)は、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、例えば、一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。

Figure 2013182023
Resin (A) has as a repeating unit represented by general formula (AI) at least any one of the repeating unit represented by general formula (I) and the repeating unit represented by general formula (II), for example. More preferably, it is a resin.
Figure 2013182023

式(I)及び(II)中、
及びRは、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−R11で表される基を表す。R11は1価の有機基を表す。
、R、R及びRは、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、Rが結合する炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
In formulas (I) and (II),
R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 11 . R 11 represents a monovalent organic group.
R 2 , R 4 , R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with the carbon atom to which R 2 is bonded.

及びRは、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R11における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式(AI)のR11で記載したものと同様である。 R 1 and R 3 preferably represent a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group. Specific examples and preferred examples of the monovalent organic group in R 11 are the same as those described for R 11 in formula (AI).

におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。 The alkyl group in R 2 may be linear or branched, and may have a substituent.

におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。
は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のものであり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。
The cycloalkyl group in R 2 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent.
R 2 is preferably an alkyl group, more preferably 1 to 10 carbon atoms, still more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group and an ethyl group.

Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3〜7、より好ましくは5又は6である。
は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom. The alicyclic structure formed by R together with the carbon atom is preferably a monocyclic alicyclic structure, and the carbon number thereof is preferably 3 to 7, more preferably 5 or 6.
R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.

、R、Rにおけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group in R 4 , R 5 , and R 6 may be linear or branched and may have a substituent. As the alkyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and t-butyl group are preferable.

、R、Rにおけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。 The cycloalkyl group in R 4 , R 5 and R 6 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent. The cycloalkyl group is preferably a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group.

一般式(I)により表される繰り返し単位としては、下記一般式(AIII)により表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2013182023
The repeating unit represented by the general formula (I) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (AIII).
Figure 2013182023

上記一般式中、
08及びR09は、それぞれ独立に、アルキル基を表し、n1は1〜6の整数を表す。前記アルキル基としては、炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましく、置換基を有していてもよい。
In the above general formula,
R 08 and R 09 each independently represent an alkyl group, and n1 represents an integer of 1 to 6. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may have a substituent.

n1は1〜3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。   n1 is preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

上記一般式(AIII)中のシクロアルキル基の環を構成するメチレン基の1つが酸素原子で置き換わっていてもよい。   One of the methylene groups constituting the ring of the cycloalkyl group in the general formula (AIII) may be replaced with an oxygen atom.

上記各基が有し得る置換基としては、前記一般式(AI)における各基が有し得る置換基として前述したものと同様の基が挙げられる。   Examples of the substituent that each of the above groups may have include the same groups as those described above as the substituent that each of the groups in the general formula (AI) may have.

一般式(II)で表される繰り返し単位が、以下の一般式(II−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2013182023
The repeating unit represented by the general formula (II) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (II-1).
Figure 2013182023

上記一般式(II−1)中、
〜Rは、各々、一般式(II)におけるものと同義である。
In the general formula (II-1),
R 3 to R 5 are respectively synonymous with those in the general formula (II).

10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。 R 10 represents a substituent containing a polar group. When a plurality of R 10 are present, they may be the same as or different from each other. Examples of the substituent containing a polar group include a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, an alkylamide group or a sulfonamide group itself, or a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having at least one of them. An alkyl group having a hydroxyl group is preferable. More preferably, it is a branched alkyl group having a hydroxyl group. As the branched alkyl group, an isopropyl group is particularly preferable.

pは0〜15の整数を表す。pは好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。   p represents an integer of 0 to 15. p is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

酸分解性樹脂は、一般式(AI)により表される繰り返し単位として、一般式(I)により表される繰り返し単位及び一般式(II)により表される繰り返し単位を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式(AI)により表される繰り返し単位として、一般式(I)により表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。   The acid-decomposable resin is a resin containing a repeating unit represented by the general formula (I) and a repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferred. In another embodiment, a resin containing at least two kinds of repeating units represented by the general formula (I) as the repeating unit represented by the general formula (AI) is more preferable.

樹脂(A)が酸分解性基を有する繰り返し単位は1種であってもよいし2種以上を併用していてもよい。併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。

Figure 2013182023
The resin (A) may have one type of repeating unit having an acid-decomposable group, or two or more types may be used in combination. Preferred examples of the combination used are as follows. In the following formula, each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
Figure 2013182023

樹脂(A)は、一態様において、環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。この環状炭酸エステル構造は、環を構成する原子群として−O−C(=O)−O−で表される結合を含む環を有する構造である。環を構成する原子群として−O−C(=O)−O−で表される結合を含む環は、5〜7員環であることが好ましく、5員環であることが最も好ましい。このような環は、他の環と縮合し、縮合環を形成していてもよい。   In one embodiment, the resin (A) preferably contains a repeating unit having a cyclic carbonate structure. This cyclic carbonate structure is a structure having a ring including a bond represented by —O—C (═O) —O— as an atomic group constituting the ring. The ring containing a bond represented by —O—C (═O) —O— as the atomic group constituting the ring is preferably a 5- to 7-membered ring, and most preferably a 5-membered ring. Such a ring may be condensed with another ring to form a condensed ring.

本発明における樹脂(A)は、環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位として、下記一般式(A−1)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013182023
The resin (A) in the present invention preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (A-1) as a repeating unit having a cyclic carbonate structure.
Figure 2013182023

一般式(A−1)中、R は、水素原子又はアルキル基を表す。
は、nが2以上の場合は各々独立して、置換基を表す。
Aは、単結合、又は2価の連結基を表す。
Zは、式中の−O−C(=O)−O−で表される基と共に単環又は多環構造を形成する原子団を表す。
nは0以上の整数を表す。
In General Formula (A-1), R A 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R A 2 each independently represents a substituent when n is 2 or more.
A represents a single bond or a divalent linking group.
Z represents an atomic group that forms a monocyclic or polycyclic structure together with a group represented by —O—C (═O) —O— in the formula.
n represents an integer of 0 or more.

一般式(A−1)について詳細に説明する。
で表されるアルキル基は、フッ素原子等の置換基を有していてもよい。R は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがより好ましい。
General formula (A-1) is demonstrated in detail.
The alkyl group represented by R A 1 may have a substituent such as a fluorine atom. R A 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and more preferably represents a methyl group.

で表される置換基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基である。好ましくは炭素数1〜5のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1〜5の直鎖状アルキル基;イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基等の炭素数3〜5の分岐状アルキル基等を挙げることができる。アルキル基はヒドロキシル基等の置換基を有していてもよい。 The substituent represented by R A 2 is, for example, an alkyl group, a cycloalkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an amino group, or an alkoxycarbonylamino group. Preferably it is a C1-C5 alkyl group, for example, a C1-C5 linear alkyl group, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group; isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group Examples thereof include branched alkyl groups having 3 to 5 carbon atoms. The alkyl group may have a substituent such as a hydroxyl group.

nは置換基数を表す0以上の整数である。nは、例えば、好ましくは0〜4であり、より好ましくは0である。   n is an integer of 0 or more representing the number of substituents. For example, n is preferably 0 to 4, and more preferably 0.

Aにより表される2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、エステル結合、アミド結合、エーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合、又はその組み合わせ等が挙げられる。アルキレン基としては、炭素数1〜10のアルキレン基が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
本発明の一形態において、Aは、単結合、アルキレン基であることが好ましい。
Examples of the divalent linking group represented by A include an alkylene group, a cycloalkylene group, an ester bond, an amide bond, an ether bond, a urethane bond, a urea bond, or a combination thereof. As an alkylene group, a C1-C10 alkylene group is preferable, A C1-C5 alkylene group is more preferable, For example, a methylene group, ethylene group, a propylene group, etc. are mentioned.
In one embodiment of the present invention, A is preferably a single bond or an alkylene group.

Zにより表される、−O−C(=O)−O−を含む単環としては、例えば、下記一般式(a)で表される環状炭酸エステルにおいて、n=2〜4である5〜7員環が挙げられ、5員環又は6員環(n=2又は3)であることが好ましく、5員環(n=2)であることがより好ましい。 As a monocycle containing -O-C (= O) -O- represented by Z, for example, in the cyclic carbonate represented by the following general formula (a), n A = 2 to 4 5 To 7-membered ring, preferably 5-membered ring or 6-membered ring (n A = 2 or 3), more preferably 5-membered ring (n A = 2).

Zにより表される、−O−C(=O)−O−を含む多環としては、例えば、下記一般式(a)で表される環状炭酸エステルが1又は2以上の他の環構造と共に縮合環を形成している構造や、スピロ環を形成している構造が挙げられる。縮合環又はスピロ環を形成し得る「他の環構造」としては、脂環式炭化水素基であってもよいし、芳香族炭化水素基であってもよいし、複素環であってもよい。

Figure 2013182023
Examples of the polycycle including —O—C (═O) —O— represented by Z include, for example, a cyclic carbonate represented by the following general formula (a) together with one or more other ring structures. Examples include a structure forming a condensed ring and a structure forming a spiro ring. The “other ring structure” that can form a condensed ring or a spiro ring may be an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a heterocyclic ring. .
Figure 2013182023

前記一般式(A−1)で表される繰り返し単位に対応する単量体は、例えば、Tetrahedron Letters,Vol.27,No.32 p.3741(1986)、Organic Letters,Vol.4,No.15 p.2561(2002)等に記載された、従来公知の方法により、合成することができる。   Monomers corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A-1) include, for example, Tetrahedron Letters, Vol. 27, no. 32 p. 3741 (1986), Organic Letters, Vol. 4, no. 15 p. 2561 (2002) and the like, and can be synthesized by a conventionally known method.

樹脂(A)には、一般式(A−1)で表される繰り返し単位のうちの1種が単独で含まれていてもよいし、2種以上が含まれていてもよい。樹脂(A)において、環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位(好ましくは、一般式(A−1)で表される繰り返し単位)の含有率は、樹脂(A)を構成する全繰り返し単位に対して、3〜80モル%であることが好ましく、3〜60モル%であることが更に好ましく、3〜30モル%であることが特に好ましく、10〜15モル%であることが最も好ましい。このような含有率とすることによって、レジストとしての現像性、低欠陥性、低LWR、低PEB温度依存性、プロファイル等を向上させることができる。   In the resin (A), one type of repeating units represented by the general formula (A-1) may be contained alone, or two or more types may be contained. In the resin (A), the content of the repeating unit having a cyclic carbonate structure (preferably, the repeating unit represented by the general formula (A-1)) is based on the total repeating units constituting the resin (A). 3 to 80 mol%, preferably 3 to 60 mol%, more preferably 3 to 30 mol%, and most preferably 10 to 15 mol%. By setting it as such a content rate, the developability as a resist, low defect property, low LWR, low PEB temperature dependence, a profile, etc. can be improved.

以下に、一般式(A−1)で表される繰り返し単位の具体例(繰り返し単位(A−1a)〜(A−1w))を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
なお、以下の具体例中のR は、一般式(A−1)におけるR と同義である。

Figure 2013182023
Specific examples of the repeating unit represented by formula (A-1) (repeating units (A-1a) to (A-1w)) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Incidentally, R A 1 in the following specific examples are the same meaning as R A 1 in the general formula (A-1).
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

樹脂(A)は、ラクトン構造又はスルトン(環状スルホン酸エステル)構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。
ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環のラクトン構造又はスルトン構造であり、5〜7員環のラクトン構造又はスルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)のいずれかで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造又はスルトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−8)であり、(LC1−4)であることがより好ましい。特定のラクトン構造又はスルトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。

Figure 2013182023
The resin (A) preferably contains a repeating unit having a lactone structure or a sultone (cyclic sulfonate ester) structure.
Any lactone group or sultone group can be used as long as it has a lactone structure or sultone structure, but a lactone structure or sultone structure having a 5- to 7-membered ring is preferable, and a lactone having a 5- to 7-membered ring is preferable. A structure in which another ring structure is condensed to form a bicyclo structure or a spiro structure in the structure or sultone structure is preferable. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17), (SL1-1) and (SL1-2). A lactone structure or a sultone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures or sultone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-8), and more preferably (LC1-4). By using a specific lactone structure or sultone structure, LWR and development defects are improved.
Figure 2013182023

ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基(Rb)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure portion or the sultone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .

樹脂(A)は、下記一般式(III)で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013182023
The resin (A) preferably contains a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure represented by the following general formula (III).
Figure 2013182023

式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合

Figure 2013182023
In formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or a combination thereof independently when there are a plurality of R 0 .
Z is independently a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond when there are a plurality of Zs.
Figure 2013182023

又はウレア結合

Figure 2013182023
Or urea bond
Figure 2013182023

を表す。ここで、Rは、各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。 Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group each independently.

は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、0〜2の整数を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure or a sultone structure.
n is the repetition number of the structure represented by -R 0 -Z-, represents an integer of 0 to 2.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.

のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
The alkylene group and cycloalkylene group represented by R 0 may have a substituent.
Z is preferably an ether bond or an ester bond, and particularly preferably an ester bond.

のアルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rのアルキレン基、シクロアルキレン基、Rにおけるアルキル基は、各々、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアセトキシ基が挙げられる。Rは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。 The alkyl group for R 7 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. The alkylene group of R 0 , the cycloalkylene group, and the alkyl group in R 7 may each be substituted. Examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom, a mercapto group, and a hydroxy group. Group, alkoxy group such as methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group and benzyloxy group, and acetoxy group such as acetyloxy group and propionyloxy group. R 7 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1〜10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1〜5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3〜20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。 Preferable chain alkylene group in R 0 is preferably a chain alkylene having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. A preferable cycloalkylene group is a cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a cyclohexylene group, a cyclopentylene group, a norbornylene group, and an adamantylene group. In order to exhibit the effect of the present invention, a chain alkylene group is more preferable, and a methylene group is particularly preferable.

で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造又はスルトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として上述した一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)で表されるラクトン構造又はスルトン構造が挙げられ、これらのうち(LC1−4)で表される構造が特に好ましい。また、(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)におけるnは2以下のものがより好ましい。
また、Rは無置換のラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)又はスルトン構造(シアノスルトン)を有する1価の有機基がより好ましい。
The monovalent organic group having a lactone structure or a sultone structure represented by R 8 is not limited as long as it has a lactone structure or a sultone structure, and the general formula (LC1-1) described above as a specific example A lactone structure or a sultone structure represented by ~ (LC1-17), (SL1-1) and (SL1-2) is exemplified, and a structure represented by (LC1-4) is particularly preferable. Further, n 2 in (LC1-1) to (LC1-17), (SL1-1) and (SL1-2) is more preferably 2 or less.
R 8 is preferably a monovalent organic group having an unsubstituted lactone structure or sultone structure, or a monovalent organic group having a lactone structure or sultone structure having a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group as a substituent. A monovalent organic group having a lactone structure (cyanolactone) or a sultone structure (cyanosultone) having a cyano group as a substituent is more preferable.

本発明の一態様において、樹脂(A)は、一般式(III)で表される繰り返し単位として、下記一般式(III')で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013182023
In one embodiment of the present invention, the resin (A) preferably contains a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (III ′) as the repeating unit represented by the general formula (III).
Figure 2013182023

一般式(III’)中、
、A、R、Zは、一般式(III)中の各々と同義である。
’は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表し、一般式(III)中のRにより表される1価の有機基と同義である。本発明の一態様において、Rは特にラクトン構造を有する1価の有機基であることが好ましい。
In general formula (III ′),
R 7 , A, R 0 and Z have the same meanings as those in General Formula (III).
R 8 ′ represents a monovalent organic group having a lactone structure or a sultone structure, and has the same meaning as the monovalent organic group represented by R 8 in formula (III). In one embodiment of the present invention, R 8 is particularly preferably a monovalent organic group having a lactone structure.

n’は、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1又は2を表す。
以下に一般式(III)で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。
下記式中、Meはメチル基を表す。

Figure 2013182023
n ′ is the number of repetitions of the structure represented by —R 0 —Z—, and represents 1 or 2.
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure or a sultone structure represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.
In the following formulae, Me represents a methyl group.
Figure 2013182023

ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(III−1)又は(III−1’)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 2013182023
As the repeating unit having a lactone structure or a sultone structure, a repeating unit represented by the following general formula (III-1) or (III-1 ′) is more preferable.
Figure 2013182023

一般式(III−1)及び(III−1’)に於いて、
、A、R、Z、及びnは、上記一般式(III)と同義である。
In general formulas (III-1) and (III-1 ′),
R 7 , A, R 0 , Z, and n are as defined in the general formula (III).

’、A’、R’、Z’及びn’は、上記一般式(III)におけるR、A、R、Z及びnとそれぞれ同義である。 R 7 ′, A ′, R 0 ′, Z ′ and n ′ have the same meanings as R 7 , A, R 0 , Z and n in the general formula (III), respectively.

は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのRが結合し、環を形成していてもよい。 R 9 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group when there are a plurality of R 9 s, and when there are a plurality of R 9 s , May be formed.

’は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR’が結合し、環を形成していてもよい。 R 9 ′ independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group, and when there are a plurality of R 9 ′, two R 9 ′ are bonded to each other. , May form a ring.

X及びX’は、それぞれ独立にアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
m及びm’は、置換基数であって、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。m及びm’はそれぞれ独立に0又は1であることが好ましい。
X and X ′ each independently represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
m and m ′ are the number of substituents, and each independently represents an integer of 0 to 5. m and m ′ are preferably each independently 0 or 1.

及びR’のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R及びR’はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。 The alkyl group for R 9 and R 9 ′ is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, and a butoxy group. These groups may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group such as a hydroxy group, a methoxy group, and an ethoxy group, and a halogen atom such as a cyano group and a fluorine atom. R 9 and R 9 ′ are more preferably a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and even more preferably a cyano group.

X及びX’のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。X及びX’は酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。   Examples of the alkylene group for X and X ′ include a methylene group and an ethylene group. X and X ′ are preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

m及びm’が1以上である場合、少なくとも1つのR及びR’はラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。 When m and m ′ are 1 or more, at least one of R 9 and R 9 ′ is preferably substituted at the α-position or β-position of the carbonyl group of the lactone, particularly preferably at the α-position.

一般式(III−1)又は(III−1’)で表されるラクトン構造を有する基、又はスルトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。

Figure 2013182023
Specific examples of the group having a lactone structure represented by the general formula (III-1) or (III-1 ′) or the repeating unit having a sultone structure are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

一般式(III)で表される繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜60mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably 15 to 60 mol%, more preferably 20 to 60 mol in total with respect to all repeating units in the resin (A) when plural types are contained. %, More preferably 30 to 50 mol%.

一般式(III)で表される単位は、一態様において、下記一般式(AII’)で表される繰り返し単位であり得る。

Figure 2013182023
In one embodiment, the unit represented by the general formula (III) may be a repeating unit represented by the following general formula (AII ′).
Figure 2013182023

一般式(AII’)中、
Rbは、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rbのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rbのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rbとしては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII ′),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferable substituents that the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Rb 0 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
樹脂(A)は、また、一般式(III)で表される単位以外にも、上述したラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有していてもよい。
V represents a group having a structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-17), (SL1-1), and (SL1-2).
The resin (A) may also contain a repeating unit having the above-mentioned lactone structure or sultone structure in addition to the unit represented by the general formula (III).

ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位の具体例として、上記に挙げた具体例に加え、以下を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013182023
Specific examples of the repeating unit having a lactone group or a sultone group include the following in addition to the specific examples given above, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

上記具体例の中で特に好ましい繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基又はスルトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。

Figure 2013182023
Among the specific examples, particularly preferred repeating units include the following repeating units. By selecting an optimal lactone group or sultone group, the pattern profile and the density dependency are improved.
Figure 2013182023

ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90%以上のものが好ましく、より好ましくは95%以上である。   The repeating unit having a lactone group or a sultone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.

一般式(III)で表される繰り返し単位以外のラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。   The content of the repeating unit having a lactone structure or a sultone structure other than the repeating unit represented by the general formula (III) is 15 to 60 mol% in total with respect to all the repeating units in the resin when a plurality of types are contained. More preferably, it is 20-50 mol%, More preferably, it is 30-50 mol%.

本発明の効果を高めるために、一般式(III)から選ばれる2種以上のラクトン又はスルトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式(III)の内、nが1であるラクトン又はスルトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。   In order to enhance the effect of the present invention, two or more kinds of lactone or sultone repeating units selected from general formula (III) can be used in combination. When using together, it is preferable to select and use 2 or more types from the lactone or sultone repeating unit in which n is 1 in general formula (III).

樹脂(A)は、一般式(AI)及び(III)以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。

Figure 2013182023
The resin (A) preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group other than the general formulas (AI) and (III). This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.
Figure 2013182023

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
c〜Rcは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Rc〜Rcの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Rc〜Rcの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、Rc〜Rcの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013182023
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 2013182023

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、
cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
In the general formulas (AIIa) to (AIId),
R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

c〜Rcは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、Rc〜Rcと同義である。 R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。   The content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (A).

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013182023
Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013182023

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   The resin used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may have a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bissulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron-withdrawing group at the α-position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain. Both are preferable, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、0〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH,CH,CHOH,又はCFを表す。

Figure 2013182023
As for content of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 0-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (A), More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2013182023

本発明の樹脂(A)は、更に極性基(例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等)を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。

Figure 2013182023
The resin (A) of the present invention further has an alicyclic hydrocarbon structure that does not have a polar group (for example, the alkali-soluble group, hydroxyl group, cyano group, etc.) and has a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. it can. Examples of such a repeating unit include a repeating unit represented by the general formula (IV).
Figure 2013182023

上記一般式(IV)中、Rは少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In the general formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic structure and having no polar group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3〜12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3〜12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3〜7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The cyclic structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. The preferred monocyclic hydrocarbon group is a monocyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, more preferably a cyclopentyl group or a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。 The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。 Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent. Preferred examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom. It is done. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The alkyl group described above may further have a substituent, and examples of the substituent that may further include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom. The group can be mentioned.

上記水素原子が置換された基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the group in which the hydrogen atom is substituted include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

樹脂(A)は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、1〜40モル%が好ましく、より好ましくは2〜20モル%である。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。

Figure 2013182023
The resin (A) has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group, and may or may not contain a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. The content of is preferably from 1 to 40 mol%, more preferably from 2 to 20 mol%, based on all repeating units in the resin (A).
Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2013182023

本発明の組成物に用いられる樹脂(A)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   The resin (A) used in the composition of the present invention has a resolving power that is a general necessary characteristic of a resist, in addition to the above repeating structural unit, dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and the like. It can have various repeating structural units for the purpose of adjusting heat resistance, sensitivity and the like.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着性、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。   Thereby, performance required for the resin used in the composition of the present invention, in particular, (1) solubility in coating solvent, (2) film-forming property (glass transition point), (3) alkali developability, (4 Fine adjustments such as () film slippage (selection of hydrophilicity / hydrophobicity, alkali-soluble group), (5) adhesion of unexposed part to substrate, (6) dry etching resistance, etc. are possible.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

本発明の組成物に用いられる樹脂(A)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (A) used in the composition of the present invention, the molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required performance of the resist. It is appropriately set to adjust the resolving power, heat resistance, sensitivity and the like.

本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂(A)は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂(A)の全繰り返し中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の5モル%以下であることが好ましく、3モル%以下であることがより好ましく、理想的には0モル%、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂(A)は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。   When the composition of the present invention is for ArF exposure, it is preferable that the resin (A) used in the composition of the present invention has substantially no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light. . More specifically, the repeating unit having an aromatic group is preferably 5% by mole or less, more preferably 3% by mole or less, and more ideally, during the entire repetition of the resin (A). More preferably, it is 0 mol%, that is, it does not have a repeating unit having an aromatic group. The resin (A) preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure.

なお、樹脂(A)は、後述する第2の樹脂である疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。   In addition, it is preferable that resin (A) does not contain a fluorine atom and a silicon atom from a compatible viewpoint with hydrophobic resin which is 2nd resin mentioned later.

本発明の組成物に用いられる樹脂(A)として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、ラクトン基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位5〜30モル%、更にその他の(メタ)アクリレート系繰り返し単位を0〜20モル%含む共重合ポリマーも好ましい。   The resin (A) used in the composition of the present invention is preferably one in which all of the repeating units are composed of (meth) acrylate-based repeating units. In this case, all of the repeating units are methacrylate repeating units, all of the repeating units are acrylate repeating units, or all of the repeating units are methacrylate repeating units and acrylate repeating units. Although it can be used, the acrylate-based repeating unit is preferably 50 mol% or less of the total repeating units. Moreover, the alicyclic hydrocarbon substituted by the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has an acid-decomposable group, the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has a lactone group, and a hydroxyl group or a cyano group. A copolymer containing 5 to 30 mol% of a (meth) acrylate-based repeating unit having a structure and further containing 0 to 20 mol% of another (meth) acrylate-based repeating unit is also preferred.

本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線(EUVなど)を照射する場合には、樹脂(A)は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。   When the composition of the present invention is irradiated with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray, high energy light beam (EUV, etc.) having a wavelength of 50 nm or less, the resin (A) further has a hydroxystyrene-based repeating unit. It is preferable. More preferably, it has a hydroxystyrene-based repeating unit, a hydroxystyrene-based repeating unit protected with an acid-decomposable group, and an acid-decomposable repeating unit such as a (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester.

ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t−ブトキシカルボニルオキシスチレン、1−アルコキシエトキシスチレン、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート及びジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。   Examples of the repeating unit having a preferred acid-decomposable group based on hydroxystyrene include, for example, t-butoxycarbonyloxystyrene, 1-alkoxyethoxystyrene, a repeating unit of (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester, and the like. More preferred are repeating units of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

本発明における樹脂(A)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   The resin (A) in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C.

本発明の樹脂(A)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜20,000、更により好ましくは3,000〜15,000、特に好ましくは3,000〜11,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。   The weight average molecular weight of the resin (A) of the present invention is preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 20,000, still more preferably 3, as a polystyrene conversion value by GPC method. 000 to 15,000, particularly preferably 3,000 to 11,000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.

分散度(分子量分布)は、通常1.0〜3.0であり、好ましくは1.0〜2.6、更に好ましくは1.0〜2.0、特に好ましくは1.4〜2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (molecular weight distribution) is usually 1.0 to 3.0, preferably 1.0 to 2.6, more preferably 1.0 to 2.0, and particularly preferably 1.4 to 2.0. Those in the range are used. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

本発明において樹脂(A)の組成物全体中の配合率は、全固形分中30〜99質量%が好ましく、より好ましくは60〜95質量%である。
また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
なお、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明における樹脂(A)以外の他の樹脂を併用してもよい。本発明における樹脂(A)以外の他の樹脂としては、前述した樹脂(A)が含有しうる繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。
In the present invention, the blending ratio of the resin (A) in the entire composition is preferably from 30 to 99 mass%, more preferably from 60 to 95 mass%, based on the total solid content.
In addition, the resins of the present invention may be used alone or in combination.
In addition, you may use other resin other than resin (A) in this invention in the range which does not impair the effect of this invention. Examples of the resin other than the resin (A) in the present invention include an acid-decomposable resin that may contain a repeating unit that can be contained in the resin (A), and other known acid-decomposable resins. be able to.

〔3〕疎水性樹脂
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂(以下、「疎水性樹脂(D)」ともいう)を含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂(D)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。
[3] Hydrophobic resin The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a hydrophobic resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (hereinafter referred to as “hydrophobic”), particularly when applied to immersion exposure. (Also referred to as a “resin (D)”). As a result, the hydrophobic resin (D) is unevenly distributed in the film surface layer, and when the immersion medium is water, the static / dynamic contact angle of the resist film surface with water is improved, and the immersion liquid followability is improved. be able to.

疎水性樹脂(D)は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。   The hydrophobic resin (D) is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike the surfactant, it is not always necessary to have a hydrophilic group in the molecule, and the polar / nonpolar substance should be mixed uniformly. It does not have to contribute to

疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂(D)に於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。   The hydrophobic resin typically contains fluorine atoms and / or silicon atoms. The fluorine atom and / or silicon atom in the hydrophobic resin (D) may be contained in the main chain of the resin or may be contained in the side chain.

疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。   When the hydrophobic resin contains a fluorine atom, it may be a resin having an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom as a partial structure having a fluorine atom. preferable.

フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4であり、更に他の置換基を有していてもよい。   The alkyl group having a fluorine atom is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, You may have the substituent of.

フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。   The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.

フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。   Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and the aryl group may further have another substituent.

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2013182023
As the alkyl group having a fluorine atom, the cycloalkyl group having a fluorine atom, or the aryl group having a fluorine atom, a group represented by any one of the following general formulas (F2) to (F4) is preferable. However, the present invention is not limited to this.
Figure 2013182023

一般式(F2)〜(F4)中、
57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ及びR65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
In general formulas (F2) to (F4),
R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (straight or branched). Provided that at least one of R 57 to R 61 , at least one of R 62 to R 64 and at least one of R 65 to R 68 are a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. (Preferably having 1 to 4 carbon atoms).

57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。 R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms. R 62 , R 63 and R 68 are preferably a fluoroalkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), and more preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. When R 62 and R 63 is a perfluoroalkyl group, it is preferred that R 64 is a hydrogen atom. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.

一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。   Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 , 3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorocyclohexyl group and the like. Hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, and hexafluoroisopropyl group and heptafluoroisopropyl group are preferable. Further preferred.

一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CFOH、−C(COH、−C(CF)(CH)OH、−CH(CF)OH等が挙げられ、−C(CFOHが好ましい。 Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, -C (CF 3) 2 OH is preferred.

フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。
フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。

Figure 2013182023
The partial structure containing a fluorine atom may be directly bonded to the main chain, and further from the group consisting of an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond and a ureylene bond. You may couple | bond with the principal chain through the group selected or the group which combined these 2 or more.
Suitable examples of the repeating unit having a fluorine atom include those shown below.
Figure 2013182023

式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。 In the formula, R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.

〜Wは、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。 W 3 to W 6 each independently represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

また、疎水性樹脂は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。

Figure 2013182023
In addition to these, the hydrophobic resin may have a unit as shown below as a repeating unit having a fluorine atom.
Figure 2013182023

式中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。
ただし、R〜Rの少なくとも1つはフッ素原子を表す。RとR若しくはRとRは環を形成していてもよい。
は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
In the formula, R 4 to R 7 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.
However, at least one of R 4 to R 7 represents a fluorine atom. R 4 and R 5 or R 6 and R 7 may form a ring.
W 2 represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R)−(式中、Rは水素原子又はアルキルを表す)、−NHSO−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。 L 2 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R )-(Wherein R represents a hydrogen atom or alkyl), —NHSO 2 — or a divalent linking group in which a plurality of these are combined.

Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。   Q represents an alicyclic structure. The alicyclic structure may have a substituent, may be monocyclic, may be polycyclic, and may be bridged in the case of polycyclic. As the monocyclic type, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, for example, an adamantyl group, norbornyl group, dicyclopentyl group. , Tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group and the like. Note that at least one carbon atom in the cycloalkyl group may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom. Particularly preferred examples of Q include a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and the like.

疎水性樹脂は、珪素原子を含有してもよい。
珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。

Figure 2013182023
The hydrophobic resin may contain a silicon atom.
The partial structure having a silicon atom preferably has an alkylsilyl structure (preferably a trialkylsilyl group) or a cyclic siloxane structure.
Specific examples of the alkylsilyl structure or the cyclic siloxane structure include groups represented by the following general formulas (CS-1) to (CS-3).
Figure 2013182023

一般式(CS−1)〜(CS−3)に於いて、
12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
In general formulas (CS-1) to (CS-3),
R 12 to R 26 each independently represent a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms).

〜Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。 L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. The divalent linking group includes an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, or a group of two or more groups selected from the group consisting of a ureylene bond. A combination is mentioned.

nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。   n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 2 to 4.

フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位は(メタ)アクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。   The repeating unit having at least either a fluorine atom or a silicon atom is preferably a (meth) acrylate-based repeating unit.

以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表し、Xは、−F又は−CFを表す。

Figure 2013182023
Hereinafter, although the specific example of the repeating unit which has at least any one of a fluorine atom and a silicon atom is given, this invention is not limited to this. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 , and X 2 represents —F or —CF 3 .
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

疎水性樹脂は、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)を有することが好ましい。   The hydrophobic resin preferably has a repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z).

(x)アルカリ可溶基
(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基(以下、極性変換基ともいう)
(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基
繰り返し単位(b)としては、以下の類型が挙げられる。
(X) Alkali-soluble group (y) A group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in an alkali developer (hereinafter also referred to as a polar conversion group).
(Z) A group that decomposes by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer. Examples of the repeating unit (b) include the following types.

・1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b’)
・上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(b*)
・1つの側鎖上に上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b”)
疎水性樹脂は、繰り返し単位(b)として繰り返し単位(b’)を有することがより好ましい。すなわち、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。
A repeating unit (b ′) having at least one of a fluorine atom and a silicon atom and at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) on one side chain
A repeating unit (b *) having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) and having no fluorine atom and no silicon atom
A fluorine atom and silicon on one side chain having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) above and on a side chain different from the side chain in the same repeating unit Repeating unit (b ″) having at least one of atoms
It is more preferable that the hydrophobic resin has a repeating unit (b ′) as the repeating unit (b). That is, it is more preferable that the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

なお、疎水性樹脂が、繰り返し単位(b*)を有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(前記繰り返し単位(b’)、(b”)とは異なる繰り返し単位)とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位(b”)における、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式(K1)のような位置関係にあることが好ましい。   When the hydrophobic resin has a repeating unit (b *), a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (a repeating unit different from the repeating units (b ′) and (b ″)) In addition, in the repeating unit (b ″), a side chain having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z), and at least one of a fluorine atom and a silicon atom Are preferably bonded to the same carbon atom in the main chain, that is, in a positional relationship as shown in the following formula (K1).

式中、B1は上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。

Figure 2013182023
In the formula, B1 represents a partial structure having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z), and B2 represents a partial structure having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
Figure 2013182023

上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる基は、好ましくは、(x)アルカリ可溶基又は(y)極性変換基であり、(y)極性変換基であることがより好ましい。   The group selected from the group consisting of the above (x) to (z) is preferably (x) an alkali-soluble group or (y) a polar conversion group, and more preferably (y) a polar conversion group.

アルカリ可溶性基(x)としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。   Examples of the alkali-soluble group (x) include phenolic hydroxyl group, carboxylic acid group, fluorinated alcohol group, sulfonic acid group, sulfonamide group, sulfonylimide group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, (alkylsulfonyl) ( Alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) ) And a methylene group.

好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホンイミド基、ビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), sulfonimide groups, and bis (carbonyl) methylene groups.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。   As the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x), a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a linking group is used. Examples include a repeating unit in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain of the resin. Furthermore, a polymerization initiator or a chain transfer agent having an alkali-soluble group can be used at the time of polymerization to be introduced at the end of the polymer chain, Either case is preferred.

繰り返し単位(bx)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bx)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(bx)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bx) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bx) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (bx) is the same as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜20mol%である。   The content of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 35 mol%, still more preferably from 5 to 20 mol, based on all repeating units in the hydrophobic resin. %.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表す。

Figure 2013182023
Specific examples of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

極性変換基(y)としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基(−COO−)、酸無水物基(−C(O)OC(O)−)、酸イミド基(−NHCONH−)、カルボン酸チオエステル基(−COS−)、炭酸エステル基(−OC(O)O−)、硫酸エステル基(−OSOO−)、スルホン酸エステル基(−SOO−)などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。 Examples of the polar conversion group (y) include a lactone group, a carboxylic acid ester group (—COO—), an acid anhydride group (—C (O) OC (O) —), an acid imide group (—NHCONH—), A carboxylic acid thioester group (—COS—), a carbonic acid ester group (—OC (O) O—), a sulfate ester group (—OSO 2 O—), a sulfonic acid ester group (—SO 2 O—), and the like. A lactone group is preferred.

極性変換基(y)は、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基(y)を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。   The polarity converting group (y) is, for example, introduced into the side chain of the resin by being included in a repeating unit of acrylic acid ester or methacrylic acid ester, or a polymerization initiator or chain having the polarity converting group (y). Any form in which a transfer agent is introduced at the end of the polymer chain using the polymerization is preferred.

極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)の具体例としては、後述の式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。   Specific examples of the repeating unit (by) having a polar conversion group (y) include a repeating unit having a lactone structure represented by formulas (KA-1-1) to (KA-1-17) described later. Can do.

更に、極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である(すなわち、前記繰り返し単位(b’)、(b”)に相当する)ことが好ましい。該繰り返し単位(by)を有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。   Further, the repeating unit (by) having the polarity converting group (y) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, the repeating unit (b ′), (b ″) corresponds to the repeating unit (b ′)). The resin having the repeating unit (by) is hydrophobic, but is particularly preferable from the viewpoint of reducing development defects.

繰り返し単位(by)として、例えば、式(K0)で示される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013182023
As the repeating unit (by), for example, a repeating unit represented by the formula (K0) can be given.
Figure 2013182023

式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 In the formula, R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

k2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。 However, at least one of R k1 and R k2 represents a group containing a polarity converting group.

極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。

Figure 2013182023
The polarity converting group represents a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer as described above. The polar conversion group is preferably a group represented by X in the partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1).
Figure 2013182023

一般式(KA−1)又は(KB−1)におけるXは、カルボン酸エステル基:−COO−、酸無水物基:−C(O)OC(O)−、酸イミド基:−NHCONH−、カルボン酸チオエステル基:−COS−、炭酸エステル基:−OC(O)O−、硫酸エステル基:−OSOO−、スルホン酸エステル基:−SOO−を表す。 X in the general formula (KA-1) or (KB-1) is a carboxylic acid ester group: —COO—, an acid anhydride group: —C (O) OC (O) —, an acid imide group: —NHCONH—, Carboxylic acid thioester group: —COS—, carbonate ester group: —OC (O) O—, sulfate ester group: —OSO 2 O—, sulfonate ester group: —SO 2 O—.

及びYは、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。 Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an electron-withdrawing group.

なお、繰り返し単位(by)は、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式(KA−1)で表される部分構造、Y及びYが1価である場合の(KB−1)で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。 The repeating unit (by) has a group that increases the solubility in a preferable alkali developer by having a group having a partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1). Are bonded to each other as in the case of the partial structure represented by the general formula (KA-1) and the partial structure represented by (KB-1) when Y 1 and Y 2 are monovalent When it does not have a hand, the group having the partial structure is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the partial structure.

一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結している。   The partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1) is linked to the main chain of the hydrophobic resin through a substituent at an arbitrary position.

一般式(KA−1)で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。   The partial structure represented by the general formula (KA-1) is a structure that forms a ring structure with the group as X.

一般式(KA−1)におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(即ち、KA−1としてラクトン環構造を形成する場合)、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。   X in the general formula (KA-1) is preferably a carboxylic acid ester group (that is, when a lactone ring structure is formed as KA-1), an acid anhydride group, or a carbonic acid ester group. More preferably, it is a carboxylic acid ester group.

一般式(KA−1)で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。 The ring structure represented by the general formula (KA-1) may have a substituent, for example, may have nka substituents Z ka1 .

ka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。 Z ka1 independently represents a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron-withdrawing group, when there are a plurality of Z ka1 .

ka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。 Z ka1 may be linked to form a ring. Examples of the ring formed by connecting Z ka1 to each other include a cycloalkyl ring and a hetero ring (a cyclic ether ring, a lactone ring, etc.).

nkaは0〜10の整数を表す。好ましくは0〜8の整数、より好ましくは0〜5の整数、更に好ましくは1〜4の整数、最も好ましくは1〜3の整数である。   nka represents an integer of 0 to 10. Preferably it is an integer of 0 to 8, more preferably an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 1 to 4, and most preferably an integer of 1 to 3.

ka1としての電子求引性基は、後述のY及びYとしての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。 The electron withdrawing group as Z ka1 is the same as the electron withdrawing group as Y 1 and Y 2 described later. The electron withdrawing group may be substituted with another electron withdrawing group.

ka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。 Z ka1 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group. In addition, as an ether group, the thing substituted by the alkyl group or the cycloalkyl group, ie, the alkyl ether group, etc. are preferable. The electron withdrawing group has the same meaning as described above.

ka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as Z ka1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

ka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、更に好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、更に好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group as Z ka1 may have a substituent and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl. Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like. C1-C4 things, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, are preferable.

ka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

Figure 2013182023
The cycloalkyl group as Z ka1 may have a substituent, and may be monocyclic or polycyclic. In the case of a polycyclic type, the cycloalkyl group may be a bridged type. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinanyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group. As the cycloalkyl group, the following structure is also preferable. Note that at least one carbon atom in the cycloalkyl group may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom.
Figure 2013182023

上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。   Preferred examples of the alicyclic moiety include adamantyl group, noradamantyl group, decalin group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group. And cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group.

これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等を挙げることができる。   Examples of the substituent of these alicyclic structures include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. Preferred examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group and the alkoxy group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).

また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、アリル基等のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。   Further, the above group may further have a substituent, and examples of the further substituent include a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, the above alkyl group, and a methoxy group. , Ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, alkoxy group such as t-butoxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, Aralkyl group such as benzyl group, phenethyl group, cumyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, acyl group such as valeryl group, acyloxy group such as butyryloxy group, vinyl group, propenyl Group, alkenyl group such as allyl group, vinyloxy group, propenyl Alkoxy group include an allyloxy group, an alkenyloxy group such as a butenyloxy group, a phenyl group, an aryl group such as a naphthyl group, an aryloxy group such as phenoxy group, aryloxycarbonyl group such as benzoyloxy group.

一般式(KA−1)におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式(KA−1)が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5〜7員環ラクトン環であることが好ましい。   X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, and the partial structure represented by the general formula (KA-1) is preferably a lactone ring, and more preferably a 5- to 7-membered lactone ring.

なお、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるように、一般式(KA−1)で表される部分構造としての5〜7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。
一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。
In addition, as in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), a 5- to 7-membered lactone ring as a partial structure represented by the general formula (KA-1) has a bicyclo structure, a spiro It is preferred that other ring structures are condensed in a form that forms the structure.
As for the peripheral ring structure to which the ring structure represented by the general formula (KA-1) may be bonded, for example, those in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), or The thing according to can be mentioned.

一般式(KA−1)が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、(KA−1−1)、(KA−1−4)、(KA−1−5)、(KA−1−6)、(KA−1−13)、(KA−1−14)、(KA−1−17)である。

Figure 2013182023
As a structure containing a lactone ring structure represented by the general formula (KA-1), a structure represented by any one of the following (KA-1-1) to (KA-1-17) is more preferable. The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred structures include (KA-1-1), (KA-1-4), (KA-1-5), (KA-1-6), (KA-1-13), (KA-1- 14) and (KA-1-17).
Figure 2013182023

上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式(KA−1)が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。
一般式(KB−1)のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(−COO−)を挙げることができる。
一般式(KB−1)におけるY及びYは、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。
The structure containing the lactone ring structure may or may not have a substituent. Preferable substituents include those similar to the substituent Z ka1 that the ring structure represented by the general formula (KA-1) may have.
Preferred examples of X in the general formula (KB-1) include a carboxylic acid ester group (—COO—).
Y 1 and Y 2 in formula (KB-1) each independently represent an electron-withdrawing group.

電子求引性基は、下記式(EW)で示す部分構造である。式(EW)における*は(KA−1)に直結している結合手、又は(KB−1)中のXに直結している結合手を表す。

Figure 2013182023
The electron withdrawing group is a partial structure represented by the following formula (EW). * In the formula (EW) represents a bond directly connected to (KA-1) or a bond directly connected to X in (KB-1).
Figure 2013182023

式(EW)中、
ew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
In formula (EW),
R ew1 and R ew2 each independently represent an arbitrary substituent, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

ewは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。 n ew is the repeating number of the linking group represented by —C (R ew1 ) (R ew2 ) — and represents an integer of 0 or 1. When n ew is 0, it represents a single bond, indicating that Y ew1 is directly bonded.

ew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式(EW)で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。

Figure 2013182023
Y ew1 is a halogen atom, a cyano group, a nitrile group, a nitro group, a halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 , an oxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group Examples thereof include a group, a sulfinyl group, and a combination thereof. The electron-withdrawing group may have the following structure, for example. The “halo (cyclo) alkyl group” represents an alkyl group and a cycloalkyl group that are at least partially halogenated, and the “haloaryl group” represents an aryl group that is at least partially halogenated. In the following structural formula, R ew3 and R ew4 each independently represent an arbitrary structure. R ew3 and R ew4 may have any structure, and the partial structure represented by the formula (EW) may have an electron withdrawing property, and may be linked to, for example, the main chain of the resin. An alkyl group and a fluorinated alkyl group;
Figure 2013182023

ew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結していてもよい。 When Y ew1 is a divalent or higher group, the remaining bond forms a bond with an arbitrary atom or substituent. At least one group of Y ew1 , R ew1 , and R ew2 may be connected to the main chain of the hydrophobic resin through a further substituent.

ew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。 Y ew1 is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 .

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。 At least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 may be connected to each other to form a ring.

ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。 Here, R f1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a perhalocycloalkyl group, or a perhaloaryl group, more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, or a perfluorocycloalkyl group, still more preferably a fluorine atom or a trialkyl group. Represents a fluoromethyl group.

f2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。 R f2 and R f3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group, and R f2 and R f3 may be linked to form a ring. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group. More preferably, R f2 represents the same group as R f1 or is linked to R f3 to form a ring.

f1〜Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、(ハロ)シクロアルキル環、(ハロ)アリール環等が挙げられる。
f1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
R f1 to R f3 may be linked to form a ring, and examples of the ring formed include a (halo) cycloalkyl ring and a (halo) aryl ring.
Examples of the (halo) alkyl group in R f1 to R f3 include the alkyl group in Z ka1 described above and a structure in which this is halogenated.

f1〜Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環における(パー)ハロシクロアルキル基及び(パー)ハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは−C(n)(2n−2)Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、−C(n)(n−1)で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5〜13のものが好ましく、6がより好ましい。 Examples of the (per) halocycloalkyl group and the (per) haloaryl group in R f1 to R f3 or in the ring formed by linking R f2 and R f3 include, for example, the aforementioned cycloalkyl group in Z ka1 is a halogen atom. And a perfluoroaryl group represented by -C (n) F (n-1) and more preferably a fluorocycloalkyl group represented by -C (n) F (2n-2) H Can be mentioned. Although carbon number n is not specifically limited here, the thing of 5-13 is preferable and 6 is more preferable.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表される構造が挙げられる。 The ring that may be formed by linking at least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 preferably includes a cycloalkyl group or a heterocyclic group, and the heterocyclic group is preferably a lactone ring group. Examples of the lactone ring include structures represented by the above formulas (KA-1-1) to (KA-1-17).

なお、繰り返し単位(by)中に、一般式(KA−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KB−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KA−1)で表される部分構造と一般式(KB−1)で表される部分構造の両方を有していてもよい。   In the repeating unit (by), a plurality of partial structures represented by the general formula (KA-1), a plurality of partial structures represented by the general formula (KB-1), or a general formula (KA) It may have both a partial structure represented by -1) and a partial structure represented by the general formula (KB-1).

なお、一般式(KA−1)の部分構造の一部又は全部が、一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式(KA−1)のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基として機能することもあり得る。 Note that part or all of the partial structure of the general formula (KA-1) may also serve as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). For example, when X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, the carboxylic acid ester group functions as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). There is also a possibility.

また、繰り返し単位(by)が、上記繰り返し単位(b*)又は繰り返し単位(b”)に該当し、かつ、一般式(KA−1)で表される部分構造を有する場合、一般式(KA−1)で表される部分構造は、極性変換基が、一般式(KA−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造であることがより好ましい。
繰り返し単位(by)は、一般式(KY−0)で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。

Figure 2013182023
In addition, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b *) or the repeating unit (b ″) and has a partial structure represented by the general formula (KA-1), the general formula (KA) As for the partial structure represented by -1), it is more preferable that the polarity conversion group is a partial structure represented by -COO- in the structure represented by the general formula (KA-1).
The repeating unit (by) can be a repeating unit having a partial structure represented by the general formula (KY-0).
Figure 2013182023

一般式(KY−0)に於いて、
は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
In the general formula (KY-0),
R 2 represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of R 2 groups, they may be the same or different.

は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。 R 3 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons are substituted with fluorine atoms.

は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR−C(=O)−若しくはR−C(=O)O−で表される基(Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。)を表す。Rが複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のRが結合し、環を形成していても良い。 R 4 is a halogen atom, cyano group, hydroxy group, amide group, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, phenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, or R—C (═O) — or R—C ( = O) A group represented by O- (R represents an alkyl group or a cycloalkyl group). If R 4 is a plurality may be the same or different, and two or more R 4 are attached, may form a ring.

Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。   X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.

Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。   Z and Za represent a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of them, they may be the same or different.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin.

oは、置換基数であって、1〜7の整数を表す。   o is the number of substituents and represents an integer of 1 to 7.

mは、置換基数であって、0〜7の整数を表す。   m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 7.

nは、繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。   n represents the number of repetitions and represents an integer of 0 to 5.

−R−Z−の構造として好ましくは、−(CH−COO−で表される構造が好ましい(lは1〜5の整数を表す)。 The structure represented by —R 2 —Z— is preferably a structure represented by — (CH 2 ) 1 —COO— (l represents an integer of 1 to 5).

としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式(bb)のZにおける鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。 The preferred carbon number range and specific examples of the chain or cyclic alkylene group as R 2 are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group in Z 2 of the general formula (bb).

としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1〜30、更に好ましくは1〜20であり、分岐状の場合、好ましくは3〜30、更に好ましくは3〜20であり、環状の場合、6〜20である。Rの具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。 The linear, branched or cyclic hydrocarbon group as R 3 has preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and preferably 3 carbon atoms when branched. -30, more preferably 3-20, and in the case of a ring, it is 6-20. Specific examples of R 3 include specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.

及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。 Preferred carbon numbers and specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 4 and R are the same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.

としてのアシル基としては、炭素数1〜6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。 The acyl group as R 4 is preferably one having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, and pivaloyl group.

としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。 Examples of the alkyl moiety in the alkoxy group and alkoxycarbonyl group as R 4 include a linear, branched or cyclic alkyl moiety, and the preferred carbon number of the alkyl moiety and specific examples thereof are those described above for Z ka1. The same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group.

Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、Rとしての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。 Examples of the alkylene group as X include a chain or cyclic alkylene group, and preferred carbon numbers and specific examples thereof are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group as R 2 .

また、繰り返し単位(by)の具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。

Figure 2013182023
Moreover, the repeating unit which has a partial structure shown below as a specific structure of a repeating unit (by) is mentioned.
Figure 2013182023

一般式(rf−1)及び(rf−2)中、
X´は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されているアルキレン基、フッ素原子で置換されているシクロアルキレン基である。
In general formulas (rf-1) and (rf-2),
X ′ represents an electron-attracting substituent, preferably a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an alkylene group substituted with a fluorine atom, or a cycloalkylene group substituted with a fluorine atom.

Aは、単結合又は−C(Rx)(Ry)−で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6で、フッ素原子等で置換されていてもよい)、又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜12で、フッ素原子等で置換されていてもよい)を表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されているアルキル基である。   A represents a single bond or a divalent linking group represented by -C (Rx) (Ry)-. Here, Rx and Ry are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms and optionally substituted with a fluorine atom or the like), or a cycloalkyl group (preferably a carbon atom). And may be substituted with a fluorine atom or the like. Rx and Ry are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkyl group substituted with a fluorine atom.

Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY及びYとしての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されているアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されているアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。 X represents an electron withdrawing group, and specific examples thereof include the above-mentioned electron withdrawing groups as Y 1 and Y 2 , preferably a fluorinated alkyl group or a fluorinated cycloalkyl group. An aryl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, an aralkyl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, a cyano group, or a nitro group.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, it represents a bond that binds to the resin main chain through a single bond or a linking group.

なお、X´がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。   In addition, when X 'is a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group, A is not a single bond.

極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。   When the polarity conversion group is decomposed by the action of the alkali developer and the polarity is changed, the receding contact angle with water of the resist film after alkali development can be lowered. It is preferable from the viewpoint of suppressing development defects that the receding contact angle with water of the film after alkali development is lowered.

アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角は、温度23±3℃、湿度45±5%において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。   The receding contact angle with water of the resist film after alkali development is preferably 50 ° or less at a temperature of 23 ± 3 ° C. and a humidity of 45 ± 5%, more preferably 40 ° or less, still more preferably 35 ° or less. Most preferably, it is 30 ° or less.

後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。   The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.

疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。   The hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / second or more, more preferably 0.01 nm / second or more, still more preferably 0.1 nm / second or more, Most preferably, it is 1 nm / second or more.

ここで疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23℃のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)(2.38質量%)に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。   Here, the hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer was 23 ° C. when TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (2.38 mass%) was used to form the resin film with only the hydrophobic resin. This is the rate at which the film thickness decreases.

また、繰り返し単位(by)は、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。   The repeating unit (by) is more preferably a repeating unit having at least two or more polar conversion groups.

繰り返し単位(by)が少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。

Figure 2013182023
When the repeating unit (by) has at least two polar conversion groups, the repeating unit (by) preferably has a group having a partial structure having two polar conversion groups represented by the following general formula (KY-1). Note that when the structure represented by the general formula (KY-1) does not have a bond, it is a group having a monovalent or higher valent group in which at least one arbitrary hydrogen atom in the structure is removed.
Figure 2013182023

一般式(KY−1)において、
ky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
In general formula (KY-1),
R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl group Represents. Alternatively, R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, R ky1 and R ky4 are bonded to the same oxygen atom to form a part of a carbonyl group (═O). May be formed.

ky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。 R ky2 and R ky3 are each independently an electron withdrawing group, or R ky1 and R ky2 are linked to form a lactone ring and R ky3 is an electron withdrawing group. As the lactone ring to be formed, the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1), and preferably a halogen atom or the aforementioned —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3. A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by the formula: Preferably R ky3 halogen atom, or the -C (R f1) (R f2) is represented by the halo (cyclo) alkyl groups or haloaryl groups -R f3, lactone R ky2 is linked to R ky1 An electron withdrawing group that forms a ring or has no halogen atom.

ky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。 R ky1 , R ky2 , and R ky4 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

ky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられる。 As the lactone ring formed by linking R ky1 and R ky2 , the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include those similar to Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1).

一般式(KY−1)で表される構造としては、下記一般式(KY−2)で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。

Figure 2013182023
The structure represented by the general formula (KY-1) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-2). Note that the structure represented by the general formula (KY-2) is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the structure.
Figure 2013182023

式(KY−2)中、
ky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
In formula (KY-2),
R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl. Represents a group.

ky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。 Two or more of R ky6 to R ky10 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y、Yにおけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。 R ky5 represents an electron withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 , and preferably a halogen atom or a halo (cyclo (cyclo) represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 ) An alkyl group or a haloaryl group.

ky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。

Figure 2013182023
The structure represented by the formula (KY-2) is more preferably a partial structure represented by the following general formula (KY-3).
Figure 2013182023

式(KY−3)中、Zka1、nkaは各々前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。 In formula (KY-3), Z ka1 and nka have the same meanings as those in formula (KA-1). R ky5 has the same meaning as in formula (KY-2).

kyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。 L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

繰り返し単位(b)は、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体(マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等)の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。   The repeating unit (b) is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization, addition condensation, etc., but is a repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond. Preferably there is. Examples include acrylate-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), styrene-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), vinyl ether-based repeating units, norbornene-based Repeating units, maleic acid derivatives (maleic anhydride and derivatives thereof, maleimides, etc.), and the like, acrylate-based repeating units, styrene-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, norbornene-based repeating units Preferred are acrylate repeat units, vinyl ether repeat units, and norbornene repeat units, with acrylate repeat units being most preferred.

繰り返し単位(by)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(by)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   When the repeating unit (by) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (by) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位(by)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜100mol%が好ましく、より好ましくは20〜99mol%、更に好ましくは30〜97mol%、最も好ましくは40〜95mol%である。   The content of the repeating unit (by) in the hydrophobic resin is preferably from 10 to 100 mol%, more preferably from 20 to 99 mol%, still more preferably from 30 to 97 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. Most preferably, it is 40-95 mol%.

アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位(by)の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、前記樹脂(A)の繰り返し単位(a3)の具体例として挙げたものも、繰り返し単位(by)の具体例として挙げることができる。
以下に示す具体例において、Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。

Figure 2013182023
Specific examples of the repeating unit (by) having a group capable of increasing the solubility in an alkali developer are shown below, but are not limited thereto. Moreover, what was mentioned as a specific example of the repeating unit (a3) of the said resin (A) can also be mentioned as a specific example of a repeating unit (by).
In the specific examples shown below, Ra represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

上述したような極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)に対応するモノマーの合成方法としては、例えば、国際公開第2010/067905号、又は国際公開第2010/067905号等に記載の方法を参考にして合成することができる。   Examples of the method for synthesizing the monomer corresponding to the repeating unit (by) having the polar conversion group (y) as described above include the method described in International Publication No. 2010/069705, International Publication No. 2010/069705, or the like. Can be synthesized with reference to

疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)は、樹脂(A)で挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。   In the hydrophobic resin, examples of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid are the same as the repeating unit having an acid-decomposable group listed for the resin (A).

繰り返し単位(bz)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bz)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bz) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bz) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜80mol%が好ましく、より好ましくは10〜80mol%、更に好ましくは20〜60mol%である。   In the hydrophobic resin, the content of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid is preferably 1 to 80 mol%, more preferably based on all repeating units in the hydrophobic resin. It is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-60 mol%.

以上、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)について説明したが、疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位(b)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜98mol%が好ましく、より好ましくは3〜98mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   Hereinabove, the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has been described, but the content of the repeating unit (b) in the hydrophobic resin is hydrophobic. It is preferably 1 to 98 mol%, more preferably 3 to 98 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 95 mol% with respect to all repeating units in the conductive resin.

繰り返し単位(b’)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   The content of the repeating unit (b ′) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 10 mol% with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. 95 mol%.

繰り返し単位(b*)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜90mol%が好ましく、より好ましくは3〜80mol%、更に好ましくは5〜70mol%、最も好ましくは10〜60mol%である。繰り返し単位(b*)と共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜99mol%が好ましく、より好ましくは20〜97mol%、更に好ましくは30〜95mol%、最も好ましくは40〜90mol%である。   The content of the repeating unit (b *) is preferably from 1 to 90 mol%, more preferably from 3 to 80 mol%, still more preferably from 5 to 70 mol%, most preferably from 10 to 10%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. 60 mol%. The content of the repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom used together with the repeating unit (b *) is preferably 10 to 99 mol%, more preferably 20 with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. It is -97 mol%, More preferably, it is 30-95 mol%, Most preferably, it is 40-90 mol%.

繰り返し単位(b”)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   The content of the repeating unit (b ″) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 10 mol% based on all repeating units in the hydrophobic resin. 95 mol%.

疎水性樹脂は、更に、下記一般式(CIII)で表される繰り返し単位を有していてもよい。

Figure 2013182023
The hydrophobic resin may further have a repeating unit represented by the following general formula (CIII).
Figure 2013182023

一般式(CIII)に於いて、
c31は、水素原子、アルキル基(フッ素原子等で置換されていても良い)、シアノ基又は−CH−O−Rac基を表す。式中、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (CIII):
R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group (which may be substituted with a fluorine atom or the like), a cyano group, or a —CH 2 —O—Rac 2 group. In the formula, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。 R c32 represents a group having an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group or an aryl group. These groups may be substituted with a fluorine atom, a group containing a silicon atom, or the like.

c3は、単結合又は2価の連結基を表す。 L c3 represents a single bond or a divalent linking group.

一般式(CIII)に於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。 In general formula (CIII), the alkyl group represented by R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.

シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。   The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.

アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。   The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.

シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。   The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.

アリール基は、炭素数6〜20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。   The aryl group is preferably a phenyl group or naphthyl group having 6 to 20 carbon atoms, and these may have a substituent.

c32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されているアルキル基が好ましい。 R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom.

c3の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。 The divalent linking group of L c3 is preferably an alkylene group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an oxy group, a phenylene group, or an ester bond (a group represented by —COO—).

疎水性樹脂は、更に、下記一般式(BII−AB)で表される繰り返し単位を有することも好ましい。

Figure 2013182023
It is also preferable that the hydrophobic resin further has a repeating unit represented by the following general formula (BII-AB).
Figure 2013182023

式(BII−AB)中、
c11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
In the formula (BII-AB),
R c11 ′ and R c12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.

Zc’は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。   Zc 'represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C-C).

一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。   When each group in the repeating unit represented by the general formula (III) or (BII-AB) is substituted with a group containing a fluorine atom or a silicon atom, the repeating unit includes at least the fluorine atom and the silicon atom. It corresponds also to the repeating unit which has either.

以下に一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、CF又はCNを表す。なお、RaがCFである場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。

Figure 2013182023
Specific examples of the repeating unit represented by the general formulas (III) and (BII-AB) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, CF 3 or CN. Note that the repeating unit in the case where Ra is CF 3 also corresponds to the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom.
Figure 2013182023

疎水性樹脂は、上述した樹脂(A)と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜3の範囲が好ましく、より好ましくは1〜2、更に好ましくは1〜1.8、最も好ましくは1〜1.5の範囲である。   As in the case of the resin (A) described above, the hydrophobic resin naturally has few impurities such as metals, and the residual monomer or oligomer component is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0. -5 mass%, 0-1 mass% is still more preferable. Thereby, a resist composition having no change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2, and still more preferably, in terms of resolution, resist shape, resist pattern side walls, roughness, and the like. It is in the range of 1 to 1.8, most preferably 1 to 1.5.

疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。   As the hydrophobic resin, various commercially available products can be used, and can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable.

反応溶媒、重合開始剤、反応条件(温度、濃度等)、及び、反応後の精製方法は、上述した樹脂(A)で説明した内容と同様である。   The reaction solvent, the polymerization initiator, the reaction conditions (temperature, concentration, etc.) and the purification method after the reaction are the same as those described for the resin (A) described above.

以下に疎水性樹脂(D)の具体例を示す。また、下記の表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、分散度を示す。

Figure 2013182023
Specific examples of the hydrophobic resin (D) are shown below. Table 1 below shows the molar ratio of the repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), the weight average molecular weight, and the degree of dispersion.
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の疎水性樹脂を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するベーク後、且つ露光前における該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition by containing a hydrophobic hydrophobic resin containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. When the hydrophobic resin is unevenly distributed on the surface layer of the film formed from an object and the immersion medium is water, the receding contact angle of the film surface after baking to water and before exposure is improved, and the immersion liquid followability is improved. Can be improved.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において60°〜90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。   After baking the coating film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention and before exposure, the receding contact angle of the film is the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C., humidity 45 ± 5%. 60 ° to 90 °, more preferably 65 ° or more, still more preferably 70 ° or more, and particularly preferably 75 ° or more.

疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。   The hydrophobic resin is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike the surfactant, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule and contributes to uniform mixing of polar / nonpolar substances. It is not necessary.

液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。   In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. In this case, the contact angle of the immersion liquid with respect to the resist film is important, and the resist is required to follow the high-speed scanning of the exposure head without remaining droplets.

疎水性樹脂は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣(スカム)、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣(スカム)、BLO欠陥性能が改善される。   Hydrophobic resins are hydrophobic, so that development residues (scum) and BLOB defects are likely to deteriorate after alkali development, but they have three or more polymer chains via at least one branch, compared to linear resins. Further, since the alkali dissolution rate is improved, development residue (scum) and BLO defect performance are improved.

疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量に対し、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜100モル%であることが好ましく、30〜100モル%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin has a fluorine atom, the fluorine atom content is preferably 5 to 80% by mass and more preferably 10 to 80% by mass with respect to the molecular weight of the hydrophobic resin. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a fluorine atom is 10-100 mol% with respect to all the repeating units in hydrophobic resin, and it is more preferable that it is 30-100 mol%.

疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、10〜90モル%であることが好ましく、20〜80モル%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin has a silicon atom, the content of the silicon atom is preferably 2 to 50% by mass and more preferably 2 to 30% by mass with respect to the molecular weight of the hydrophobic resin. Moreover, it is preferable that it is 10-90 mol% with respect to all the repeating units of hydrophobic resin, and, as for the repeating unit containing a silicon atom, it is more preferable that it is 20-80 mol%.

疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000、より好ましくは2,000〜50,000、更に好ましくは3,000〜35,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(キャリア:テトラヒドロフラン(THF))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。   The weight average molecular weight of the hydrophobic resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000, and still more preferably 3,000 to 35,000. Here, the weight average molecular weight of the resin indicates a molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (carrier: tetrahydrofuran (THF)).

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の疎水性樹脂の含有量は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜20質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、更に好ましくは0.1〜10質量%であり、特に好ましくは0.2〜8質量%である。
疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
The content of the hydrophobic resin in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be appropriately adjusted and used so that the receding contact angle of the actinic ray or radiation-sensitive resin film falls within the above range. Is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, still more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total solid content of the light-sensitive or radiation-sensitive resin composition. And particularly preferably 0.2 to 8% by mass.
Hydrophobic resins can be used alone or in combination of two or more.

〔4〕塩基性化合物
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物(化合物(C)を除く)を含有することが好ましい。
[4] Basic compound The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains a basic compound (excluding the compound (C)) in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating. It is preferable to do.

塩基性化合物としては、好ましくは、下記式(A)〜(E)で示される構造を有する化合物を挙げることができる。

Figure 2013182023
Preferred examples of the basic compound include compounds having structures represented by the following formulas (A) to (E).
Figure 2013182023

一般式(A)及び(E)中、
200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。
In general formulas (A) and (E),
R 200 , R 201 and R 202 may be the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (having a carbon number). 6-20), wherein R 201 and R 202 may combine with each other to form a ring.

203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1〜20のシアノアルキル基が好ましい。
これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
R 203 , R 204 , R 205 and R 206 may be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
About the said alkyl group, as an alkyl group which has a substituent, a C1-C20 aminoalkyl group, a C1-C20 hydroxyalkyl group, or a C1-C20 cyanoalkyl group is preferable.
The alkyl groups in the general formulas (A) and (E) are more preferably unsubstituted.

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferred compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, piperidine and the like, and more preferred compounds include imidazole structure, diazabicyclo structure, onium hydroxide structure, onium carboxylate Examples thereof include a compound having a structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, and an aniline derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2−フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and 2-phenylbenzimidazole. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0. ] Undec-7-ene etc. are mentioned. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include tetrabutylammonium hydroxide, triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically, triphenylsulfonium hydroxide, tris ( and t-butylphenyl) sulfonium hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, 2-oxopropylthiophenium hydroxide, and the like. As the compound having an onium carboxylate structure, an anion portion of the compound having an onium hydroxide structure is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of the aniline compound include 2,6-diisopropylaniline, N, N-dimethylaniline, N, N-dibutylaniline, N, N-dihexylaniline and the like. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-phenyldiethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。   Preferred examples of the basic compound further include an amine compound having a phenoxy group, an ammonium salt compound having a phenoxy group, an amine compound having a sulfonic acid ester group, and an ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group.

アミン化合物は、1級、2級、3級のアミン化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアミン化合物が好ましい。アミン化合物は、3級アミン化合物であることがより好ましい。アミン化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。アミン化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。 As the amine compound, a primary, secondary or tertiary amine compound can be used, and an amine compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. The amine compound is more preferably a tertiary amine compound. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the amine compound has an cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms). Preferably C6-C12) may be bonded to a nitrogen atom. The amine compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

アンモニウム塩化合物は、1級、2級、3級、4級のアンモニウム塩化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアンモニウム塩化合物が好ましい。アンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜12)が窒素原子に結合していてもよい。アンモニウム塩化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。 As the ammonium salt compound, a primary, secondary, tertiary, or quaternary ammonium salt compound can be used, and an ammonium salt compound in which at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom is preferable. As long as at least one alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom, the ammonium salt compound has a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group in addition to the alkyl group. (Preferably having 6 to 12 carbon atoms) may be bonded to a nitrogen atom. The ammonium salt compound preferably has an oxygen atom in the alkyl chain and an oxyalkylene group is formed. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、フォスフェート等が挙げられるが、中でもハロゲン原子、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、炭素数1〜20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的にはメタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的にはメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。他の置換基としては炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the anion of the ammonium salt compound include halogen atoms, sulfonates, borates, and phosphates. Among them, halogen atoms and sulfonates are preferable. As the halogen atom, chloride, bromide, and iodide are particularly preferable. As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates. The alkyl group of the alkyl sulfonate may have a substituent, and examples of the substituent include fluorine, chlorine, bromine, alkoxy groups, acyl groups, and aryl groups. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate. Examples of the aryl group of the aryl sulfonate include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. The benzene ring, naphthalene ring and anthracene ring may have a substituent, and the substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms. Specific examples of the linear or branched alkyl group and cycloalkyl group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl, cyclohexyl and the like. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.

フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物とは、アミン化合物又はアンモニウム塩化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、置換基を有していてもよい。フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、2〜6位のいずれであってもよい。置換基の数は、1〜5の範囲で何れであってもよい。   The amine compound having a phenoxy group and the ammonium salt compound having a phenoxy group are those having a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound or ammonium salt compound. The phenoxy group may have a substituent. Examples of the substituent of the phenoxy group include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. Etc. The substitution position of the substituent may be any of the 2-6 positions. The number of substituents may be any in the range of 1 to 5.

フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。 It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.

スルホン酸エステル基を有するアミン化合物、スルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物に於ける、スルホン酸エステル基としては、アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキル基スルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルのいずれであっても良く、アルキルスルホン酸エステルの場合にアルキル基は炭素数1〜20、シクロアルキルスルホン酸エステルの場合にシクロアルキル基は炭素数3〜20、アリールスルホン酸エステルの場合にアリール基は炭素数6〜12が好ましい。アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルは置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基が好ましい。   In the amine compound having a sulfonic acid ester group and the ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group, the sulfonic acid ester group may be any of alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl group sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester. In the case of an alkyl sulfonate ester, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. In the case of a cycloalkyl sulfonate ester, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. In the case of an aryl sulfonate ester, the aryl group has 6 carbon atoms. ~ 12 are preferred. Alkyl sulfonic acid ester, cycloalkyl sulfonic acid ester, and aryl sulfonic acid ester may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, and a sulfonic acid. An ester group is preferred.

スルホン酸エステル基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CHCHO−)若しくはオキシプロピレン基(−CH(CH)CHO−若しくは−CHCHCHO−)が好ましく、更に好ましくはオキシエチレン基である。
また、下記化合物も塩基性化合物として好ましい。

Figure 2013182023
It is preferable to have at least one oxyalkylene group between the sulfonate group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene groups is 1 or more, preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6 in the molecule. Among the oxyalkylene groups, an oxyethylene group (—CH 2 CH 2 O—) or an oxypropylene group (—CH (CH 3 ) CH 2 O— or —CH 2 CH 2 CH 2 O—) is preferable, and more preferably oxy Ethylene group.
The following compounds are also preferable as the basic compound.
Figure 2013182023

これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   These basic compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

本発明の組成物は、塩基性化合物を含有してもしなくても良いが、含有する場合、塩基性化合物の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。   The composition of the present invention may or may not contain a basic compound, but when it is contained, the content of the basic compound is based on the solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Usually, it is 0.001-10 mass%, Preferably it is 0.01-5 mass%.

酸発生剤(酸発生剤(B’)を含む)と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物(モル比)=2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物(モル比)は、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。   The use ratio of the acid generator (including the acid generator (B ′)) and the basic compound in the composition is preferably acid generator / basic compound (molar ratio) = 2.5 to 300. In other words, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoint of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to the thickening of the resist pattern over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / basic compound (molar ratio) is more preferably 5.0 to 200, still more preferably 7.0 to 150.

これらの塩基性化合物は下記項目〔5〕に示す低分子化合物(D)に対し、モル比において、低分子化合物(D)/塩基性化合物=100/0〜10/90で用いることが好ましく、100/0〜30/70で用いることがより好ましく、100/0〜50/50で用いることが特に好ましい。   These basic compounds are preferably used in a molar ratio of the low molecular compound (D) / basic compound = 100/0 to 10/90 with respect to the low molecular compound (D) shown in the following item [5]. It is more preferable to use at 100/0 to 30/70, and it is particularly preferable to use at 100/0 to 50/50.

なお、ここでの塩基性化合物は、塩基性化合物でもある場合の化合物(C)を含まない。   In addition, the basic compound here does not include the compound (C) when it is also a basic compound.

〔5〕界面活性剤
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有していてもよいし、含有していなくてもよい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、DIC(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
[5] Surfactant The composition of the present invention may further contain a surfactant or may not contain a surfactant. As the surfactant, fluorine-based and / or silicon-based surfactants are preferable.
As surfactants corresponding to these, Megafac F176, Megafac R08 manufactured by DIC Corporation, PF656, PF6320 manufactured by OMNOVA, Troisol S-366 manufactured by Troy Chemical Co., Ltd., manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd. Fluorado FC430, polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.

また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。
その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。
界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0〜2質量%、更に好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。
Further, other surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants can also be used. More specific examples include polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.
In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] et seq. Of US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1.
Surfactants may be used alone or in combination of two or more.
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may or may not contain a surfactant, but when it is contained, the amount of surfactant used is the total solid content of the composition. Preferably it is 0-2 mass% with respect to a minute, More preferably, it is 0.0001-2 mass%, Most preferably, it is 0.0005-1 mass%.

一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。   On the other hand, it is also preferable that the addition amount of the surfactant is 10 ppm or less or not contained. This increases the uneven distribution of the surface of the hydrophobic resin, whereby the resist film surface can be made more hydrophobic, and the water followability during immersion exposure can be improved.

〔6〕溶剤
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテルなど)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、US2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
[6] Solvent The solvent that can be used in preparing the composition is not particularly limited as long as it dissolves each component. For example, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate (such as propylene glycol monomethyl ether acetate), alkylene Glycol monoalkyl ether (such as propylene glycol monomethyl ether), alkyl lactate ester (such as ethyl lactate and methyl lactate), cyclic lactone (such as γ-butyrolactone, preferably 4 to 10 carbon atoms), chain or cyclic ketone (2- Heptanone, cyclohexanone, etc., preferably 4 to 10 carbon atoms, alkylene carbonate (ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.), alkyl carboxylate (alkyl acetate such as butyl acetate is preferred), alkoxy And alkyl acetate (ethyl ethoxypropionate) and the like. Other usable solvents include, for example, the solvents described in US2008 / 0248425A1 [0244] and thereafter.

上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。
これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
Of the above, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate and alkylene glycol monoalkyl ether are preferred.
These solvents may be used alone or in combination of two or more. When mixing 2 or more types, it is preferable to mix the solvent which has a hydroxyl group, and the solvent which does not have a hydroxyl group. The mass ratio of the solvent having a hydroxyl group and the solvent having no hydroxyl group is from 1/99 to 99/1, preferably from 10/90 to 90/10, and more preferably from 20/80 to 60/40.
The solvent having a hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether, and the solvent having no hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate.

〔7〕その他の成分
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE,2724,355(1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。
[7] Other components In addition to the components described above, the composition of the present invention includes a carboxylic acid onium salt, a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, a dye described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996), and the like. , Plasticizers, photosensitizers, light absorbers and the like can be appropriately contained.

〔8〕パターン形成方法
本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。
[8] Pattern Forming Method The pattern forming method of the present invention includes steps of exposing and developing a resist film.

レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。   The resist film is formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention described above, and more specifically, is preferably formed on a substrate. In the pattern forming method of the present invention, the step of forming a film of a resist composition on the substrate, the step of exposing the film, and the developing step can be performed by generally known methods.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30〜200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably used at a film thickness of 30 to 250 nm, more preferably at a film thickness of 30 to 200 nm, from the viewpoint of improving resolution. preferable. By setting the solid content concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition to an appropriate range to have an appropriate viscosity, and improving the coating property and film forming property, such a film thickness is obtained. Can do.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1〜10質量%、より好ましくは1〜8.0質量%、更に好ましくは1.0〜6.0質量%である。   The total solid concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is generally 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8.0% by mass, and still more preferably 1.0 to 6.0% by mass.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。なお、フィルターは、複数種類を直列又は並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。さらに、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is used by dissolving the above components in a solvent, filtering the solution, and applying the solution to a support. The filter is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon having a pore size of 0.1 μm or less, more preferably 0.05 μm or less, and still more preferably 0.03 μm or less. Note that a plurality of types of filters may be connected in series or in parallel. The composition may be filtered multiple times. Furthermore, you may perform a deaeration process etc. with respect to a composition before and after filter filtration.

組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性のレジスト膜を形成することができる。   The composition is applied by a suitable application method, such as a spinner, onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) as used in the manufacture of integrated circuit devices. Thereafter, it can be dried to form a photosensitive resist film.

当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
製膜後、露光工程の前に、前加熱工程(PB;Prebake)を含むことも好ましい。
The film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained. Note that in electron beam irradiation, drawing (direct drawing) without using a mask is common.
It is also preferable to include a preheating step (PB; Prebake) after the film formation and before the exposure step.

また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程(PEB;Post Exposure Bake)を含むことも好ましい。   It is also preferable to include a post-exposure heating step (PEB; Post Exposure Bake) after the exposure step and before the development step.

加熱温度はPB、PEB共に70〜120℃で行うことが好ましく、80〜110℃で行うことがより好ましい。   The heating temperature is preferably 70 to 120 ° C., more preferably 80 to 110 ° C. for both PB and PEB.

加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。   The heating time is preferably 30 to 300 seconds, more preferably 30 to 180 seconds, and still more preferably 30 to 90 seconds.

加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。   Heating can be performed by means provided in a normal exposure / developing machine, and may be performed using a hot plate or the like.

ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。   The reaction of the exposed part is promoted by baking, and the sensitivity and pattern profile are improved.

活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線が好ましい。   Although it does not specifically limit as actinic light or a radiation, For example, they are a KrF excimer laser, ArF excimer laser, EUV light, an electron beam, etc., ArF excimer laser, EUV light, and an electron beam are preferable.

現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1〜3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。
As the alkali developer in the development step, a quaternary ammonium salt typified by tetramethylammonium hydroxide is usually used. An aqueous solution can also be used.
Furthermore, an appropriate amount of alcohol or surfactant may be added to the alkaline developer.

アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。   As the rinsing liquid, pure water can be used, and an appropriate amount of a surfactant can be added.

現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。   As a developing method, for example, a method in which a substrate is immersed in a tank filled with a developer for a certain period of time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the substrate by surface tension and is left stationary for a certain time (paddle) Method), a method of spraying the developer on the substrate surface (spray method), a method of continuously discharging the developer while scanning the developer discharge nozzle on the substrate rotating at a constant speed (dynamic dispensing method) Etc. can be applied.

また、現像工程又は、リンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。   Moreover, the process which removes the developing solution or rinse liquid adhering on a pattern with a supercritical fluid can be performed after a image development process or a rinse process.

なお、感光性膜(レジスト膜)を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
Before forming the photosensitive film (resist film), an antireflection film may be coated on the substrate in advance.
As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley are also used. it can.

活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体(液浸媒体)を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体として好ましくは水である。水は屈折率の温度係数の小ささ、入手の容易さや取り扱いのしやすさの点でも好適である。
また、屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。
Exposure (immersion exposure) may be performed by filling a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the film and the lens during irradiation with actinic rays or radiation. Thereby, resolution can be improved. The immersion medium used is preferably water. Water is also suitable in terms of a small temperature coefficient of refractive index, ease of availability, and ease of handling.
A medium having a refractive index of 1.5 or more can also be used in that the refractive index can be improved. This medium may be an aqueous solution or an organic solvent.

液浸液として水を用いる場合、屈折率の向上等を目的とする添加剤を僅かな割合で添加しても良い。添加剤の例としてはシーエムシー出版「液浸リソグラフィのプロセスと材料」の第12章に詳しい。一方、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物の存在は、膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等で精製した純水を用いてもよい。純水の電気抵抗は18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。   When water is used as the immersion liquid, an additive for the purpose of improving the refractive index may be added in a small proportion. Examples of additives are detailed in Chapter 12 of CMC Publishing "Processes and Materials for Immersion Lithography". On the other hand, the presence of impurities that are opaque to 193 nm light and impurities whose refractive index is significantly different from that of water causes distortion of the optical image projected on the film, and therefore, distilled water is preferred as the water to be used. Further, pure water purified with an ion exchange filter or the like may be used. The electric resistance of pure water is desirably 18.3 MQcm or more, the TOC (organic substance concentration) is desirably 20 ppb or less, and deaeration treatment is desirably performed.

レジスト膜と液浸液との間には、レジスト膜と液浸液との接触を避けるために、液浸液難溶性膜(以下、「トップコート」ともいう)を設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト膜上への塗布適性、放射線、特には193nmの波長を有した放射線に対する透明性、及び液浸液難溶性が挙げられる。トップコートとしては、レジスト膜と混合せず、レジスト膜上に均一に塗布できるものを用いることが好ましい。   An immersion liquid poorly soluble film (hereinafter also referred to as “top coat”) may be provided between the resist film and the immersion liquid in order to avoid contact between the resist film and the immersion liquid. Functions necessary for the top coat include suitability for application on a resist film, transparency to radiation, particularly radiation having a wavelength of 193 nm, and poor immersion liquid solubility. As the top coat, it is preferable to use a top coat that can be uniformly coated on the resist film without being mixed with the resist film.

トップコートは、193nmにおける透明性という観点からは、芳香族を含有しないポリマーが好ましい。このようなポリマーとしては、例えば、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー及びフッ素含有ポリマーが挙げられる。上述した疎水性樹脂は、トップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染されるため、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は、少ない方が好ましい。   From the viewpoint of transparency at 193 nm, the topcoat is preferably a polymer that does not contain aromatics. Examples of such polymers include hydrocarbon polymers, acrylic ester polymers, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, polyvinyl ether, silicon-containing polymers, and fluorine-containing polymers. The hydrophobic resin described above is also suitable as a top coat. When impurities are eluted from the top coat into the immersion liquid, the optical lens is contaminated. Therefore, it is preferable that the residual monomer component of the polymer contained in the top coat is small.

トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、レジスト膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程がレジストの現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性であることが好ましいが、レジストとの非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。   When peeling the top coat, a developer may be used, or a separate release agent may be used. As the release agent, a solvent having a small penetration into the resist film is preferable. It is preferable that the peeling process can be performed with an alkali developer in that the peeling process can be performed simultaneously with the resist development process. The top coat is preferably acidic from the viewpoint of peeling with an alkali developer, but may be neutral or alkaline from the viewpoint of non-intermixability with the resist.

トップコートと液浸液との間には、屈折率の差がないか又は小さいことが好ましい。この場合、解像力を向上させることが可能となる。露光光源がArFエキシマレーザー(波長:193nm)の場合には、液浸液として水を用いることが好ましいため、ArF液浸露光用トップコートは、水の屈折率(1.44)に近いことが好ましい。   There is preferably no or small difference in refractive index between the top coat and the immersion liquid. In this case, the resolution can be improved. When the exposure light source is an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), it is preferable to use water as the immersion liquid. Therefore, the top coat for ArF immersion exposure is close to the refractive index of water (1.44). preferable.

また、透明性及び屈折率の観点から、トップコートは、薄膜であることが好ましい。トップコートは、レジスト膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。また、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。   Moreover, it is preferable that a topcoat is a thin film from a viewpoint of transparency and a refractive index. The top coat is preferably not mixed with the resist film and further not mixed with the immersion liquid. From this point of view, when the immersion liquid is water, the solvent used in the top coat is hardly soluble in the solvent used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention and is not water-soluble. It is preferable that the medium be a sex medium. Further, when the immersion liquid is an organic solvent, the top coat may be water-soluble or water-insoluble.

また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。   The present invention also relates to an electronic device manufacturing method including the above-described pattern forming method of the present invention, and an electronic device manufactured by this manufacturing method.

本発明の電子デバイスは、電気電子機器(家電、OA・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等)に、好適に、搭載されるものである。   The electronic device of the present invention is suitably mounted on electrical and electronic equipment (home appliances, OA / media related equipment, optical equipment, communication equipment, etc.).

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, the content of this invention is not limited by this.

〔合成例1:化合物B8合成〕
化合物B8を下記スキームに従い合成した。

Figure 2013182023
[Synthesis Example 1: Synthesis of Compound B8]
Compound B8 was synthesized according to the following scheme.
Figure 2013182023

《中間体1の合成》
300ml三口フラスコにトルエンチオール 24.8g(0.2mol)、4−ヨードトルエン43.6g(0.2mol)、ヨウ化銅3.8g(0.02mol)、テトラn−ブチルアンモニウムブロミド6.4g(0.02mol)、水酸化ナトリウム16g(0.4mol)、トルエン100mlを加え、窒素雰囲気下で加熱還流しながら18時間撹拌した。その後、反応液に500mlの水を加え、200mlの酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネシウムを加え脱水し、ろ過後、得られた残渣を減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィー(SiO、ヘキサン)にて目的物を分離し、得られた残渣を減圧濃縮した。その後、メタノール50mlにて再結晶し、中間体1 21.5g(収率:50.2%)を得た。
<< Synthesis of Intermediate 1 >>
In a 300 ml three-necked flask, 24.8 g (0.2 mol) of toluenethiol, 43.6 g (0.2 mol) of 4-iodotoluene, 3.8 g (0.02 mol) of copper iodide, 6.4 g of tetra n-butylammonium bromide ( 0.02 mol), 16 g (0.4 mol) of sodium hydroxide and 100 ml of toluene were added, and the mixture was stirred for 18 hours while heating under reflux in a nitrogen atmosphere. Thereafter, 500 ml of water was added to the reaction solution, extracted with 200 ml of ethyl acetate, dehydrated by adding magnesium sulfate, and filtered, and the resulting residue was concentrated under reduced pressure. Thereafter, the target product was separated by column chromatography (SiO 2 , hexane), and the obtained residue was concentrated under reduced pressure. Then, it recrystallized with 50 ml of methanol, and the intermediate 1 21.5g (yield: 50.2%) was obtained.

H−NMR、400MHz、δ(CDCl) ppm:2.31(6H、s)、7.07−7.09(4H,s)、7.21−7.24(4H,s)。 1 H-NMR, 400 MHz, δ (CDCl 3 ) ppm: 2.31 (6H, s), 7.07-7.09 (4H, s), 7.21-7.24 (4H, s).

《中間体2の合成》
50mlナスフラスコに、中間体1を1.54g(7.19mmol)、2−ブロモプロピオン酸エチル1.69g(9.34mmol)、テトラフッ化ホウ素銀1.68g(8.62mmol)、クロロホルム5mlを加え、加熱還流しながら19時間撹拌した。その後、不溶物をろ別し、水150mlを加え、酢酸エチル50mlで抽出した。残渣を減圧乾燥した後、ジイソプロピルエーテル20mlにて洗浄し、ヘキサン15ml、酢酸エチル5mlの混合溶媒にて洗浄し、減圧乾燥することで中間体2 2.0g(収率:76.1%)を得た。
<< Synthesis of Intermediate 2 >>
To a 50 ml eggplant flask, 1.54 g (7.19 mmol) of intermediate 1, 1.69 g (9.34 mmol) of ethyl 2-bromopropionate, 1.68 g (8.62 mmol) of silver boron tetrafluoride and 5 ml of chloroform were added. The mixture was stirred for 19 hours with heating under reflux. Thereafter, insoluble matters were filtered off, 150 ml of water was added, and the mixture was extracted with 50 ml of ethyl acetate. The residue was dried under reduced pressure, washed with 20 ml of diisopropyl ether, washed with a mixed solvent of 15 ml of hexane and 5 ml of ethyl acetate, and dried under reduced pressure to obtain 2.0 g of intermediate 2 (yield: 76.1%). Obtained.

H−NMR、400MHz、δ(CDCl) ppm:1.13−1.17(3H,t)、1.62−1.65(3H,d)、2.42−2.44(6H,d)、4.12−4.22(2H,q)、5.79−5.83(1H,q)、7.42−7.56(4H,m)、7.94−8.02(4H,m)。 1 H-NMR, 400 MHz, δ (CDCl 3 ) ppm: 1.13-1.17 (3H, t), 1.62-1.65 (3H, d), 2.42-2.44 (6H, d) 4.12-4.22 (2H, q), 5.79-5.83 (1H, q), 7.42-7.56 (4H, m), 7.94-8.02 ( 4H, m).

《化合物B8の合成》
50mlナスフラスコに中間体2を2.2g(5.47mmol)、n−ノナフレートブタンスルホン酸カリウム3.65g(10.8mmol)、アセトニトリル10ml、水10mlを加え室温にて1.5時間撹拌した。その後、不溶物をろ別し、反応液に水100mlを加え、酢酸エチル50mlにて抽出した。残渣を減圧乾燥した後、ジイソプロピルエーテル20mlにて洗浄し、ヘキサン15ml、酢酸エチル5mlの混合溶媒にて洗浄し、減圧乾燥することで化合物B8 3.3g(収率:98.2%)を得た。
<< Synthesis of Compound B8 >>
To a 50 ml eggplant flask were added 2.2 g (5.47 mmol) of intermediate 2, 3.65 g (10.8 mmol) of potassium n-nonaflate butanesulfonate, 10 ml of acetonitrile and 10 ml of water, and the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours. . Thereafter, insoluble matters were filtered off, 100 ml of water was added to the reaction solution, and the mixture was extracted with 50 ml of ethyl acetate. The residue was dried under reduced pressure, washed with 20 ml of diisopropyl ether, washed with a mixed solvent of 15 ml of hexane and 5 ml of ethyl acetate, and dried under reduced pressure to obtain 3.3 g of Compound B8 (yield: 98.2%). It was.

H−NMR、400MHz、δ(CDCl) ppm:1.13−1.17(3H,t)、1.62−1.65(3H,d)、2.42−2.44(6H,d)、4.12−4.22(2H,q)、6.13−6.22(1H,q)、7.44−7.56(4H,m)、8.01−8.09(4H,m)。
上記化合物B8と同様の合成方法で後掲の化合物B1〜B7、及び、化合物B9〜B12を合成した。
1 H-NMR, 400 MHz, δ (CDCl 3 ) ppm: 1.13-1.17 (3H, t), 1.62-1.65 (3H, d), 2.42-2.44 (6H, d) 4.12-4.22 (2H, q), 6.13-6.22 (1H, q), 7.44-7.56 (4H, m), 8.01-8.09 ( 4H, m).
The following compounds B1 to B7 and compounds B9 to B12 were synthesized by the same synthesis method as the above compound B8.

<レジスト調製>
後掲の表2に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物(ポジ型レジスト組成物)を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を同表に示した。
なお、表2における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。
<Resist preparation>
The components shown in Table 2 below are dissolved in a solvent, and a solution with a solid content of 4% by mass is prepared for each, and this is filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.05 μm. A resin composition (positive resist composition) was prepared. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition was evaluated by the following method, and the results are shown in the same table.
In addition, about each component in Table 2, the ratio at the time of using multiple is a mass ratio.

<レジスト評価>
12インチのシリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。トップコートを用いる場合は、更にトップコート用樹脂をデカン/オクタノール(質量比9/1)に溶解させた3質量%の溶液を前述で得られた膜上に塗布し、85℃で、60秒間ベークを行い、膜厚50nmのトップコート層を形成した。これにArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C−Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後100℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間パドルして現像し、純水でパドルしてリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを形成した。なお、表2に於いて、感活性光線性又は感放射性樹脂組成物が疎水性樹脂(D)を含有せず、膜を形成後、その上層に疎水性樹脂(D)を含有するトップコート保護膜を形成させた場合、その使用形態を「TC」と表記した。
<Resist evaluation>
An organic antireflection film ARC29SR (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 98 nm. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition prepared thereon was applied and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 120 nm. In the case of using a top coat, a 3% by mass solution obtained by further dissolving a resin for top coat in decane / octanol (mass ratio 9/1) is applied on the film obtained above, and at 85 ° C. for 60 seconds. Baking was performed to form a 50 nm thick top coat layer. An ArF excimer laser immersion scanner (XTML1700i, NA1.20, C-Quad, outer sigma 0.981, inner sigma 0.895, XY deflection, manufactured by ASML) was used, and a 1: 1 line and space with a line width of 48 nm. The pattern was exposed through a 6% halftone mask. Ultra pure water was used as the immersion liquid. After heating at 100 ° C. for 60 seconds, paddle development with tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (2.38 mass%) for 30 seconds, paddle with pure water, rinse, spin dry, and resist pattern. Formed. In Table 2, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition does not contain the hydrophobic resin (D), and after forming a film, the top coat protection containing the hydrophobic resin (D) in the upper layer When a film was formed, the usage pattern was indicated as “TC”.

(LWR評価)
得られた線幅48nmのライン/スペース=1/1のラインパターンについて走査型顕微鏡(日立社製S9380)で観察し、ラインパターンの長手方向のエッジ2μmの範囲について、線幅を50ポイント測定し、その測定ばらつきについて標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
(LWR evaluation)
The obtained line pattern with a line width of 48 nm / space = 1/1 was observed with a scanning microscope (S9380 manufactured by Hitachi, Ltd.), and the line width was measured at 50 points in the range of 2 μm in the longitudinal edge of the line pattern. The standard deviation was obtained for the measurement variation, and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance.

(DOF評価)
48.0nmの線幅が得られる露光量において48nm±10%の線幅を再現する焦点深度幅を走査型顕微鏡(日立社製S9380)で観測した。この値が大きいほうが、焦点ズレの許容度が大きく望ましい。
(DOF evaluation)
The depth of focus at which the line width of 48 nm ± 10% was reproduced with an exposure amount that could obtain a line width of 48.0 nm was observed with a scanning microscope (S9380 manufactured by Hitachi, Ltd.). A larger value is desirable because the tolerance for defocus is large.

(レジストの経時安定性)
レジストの経時安定性は、レジストの性能が変動しない保証期間により判断され、下記の線幅の経時安定性試験により評価した。
40℃、50℃および60℃で、30日間経時させたレジストと、0℃で30日間経時させたレジスト(基準レジスト)との線幅差にて評価した。
(Stability of resist over time)
The temporal stability of the resist was judged by a guarantee period during which the resist performance did not vary, and was evaluated by the temporal stability test of the following line width.
Evaluation was made based on a line width difference between a resist that was aged for 30 days at 40 ° C., 50 ° C., and 60 ° C., and a resist that was aged for 30 days at 0 ° C. (reference resist).

具体的には、まず、0℃で30日間経時させたレジストについて、45nm(ライン/スペース=1/1)のマスクパターンを再現する露光量Eを求めた。次いで、加温して30日間経時させた3種のレジスト膜にE分の露光を行った。得られたパターンの線幅を走査型電子顕微鏡(日立社製S9260)にて測定し、基準レジストで得られた線幅(45nm)に対するパターン線幅の変動値を求めた。 Specifically, first, an exposure dose E 1 for reproducing a mask pattern of 45 nm (line / space = 1/1) was obtained for a resist that was aged for 30 days at 0 ° C. Next, the three types of resist films heated for 30 days were exposed for E 1 minute. The line width of the obtained pattern was measured with a scanning electron microscope (S9260 manufactured by Hitachi, Ltd.), and the variation value of the pattern line width with respect to the line width (45 nm) obtained with the reference resist was obtained.

得られた3点のデータに基づき、X軸に経時温度(摂氏をケルビンに換算したもの)の逆数、Y軸に一日あたりの線幅変動値(即ち、得られた線幅変動値を30で割った値)の逆数、を片対数グラフにプロットし、直線で近似した。この得られた直線において、経時温度=25℃に対応するX座標におけるY座標の値を読み取った。この読み取られたY座標の値を、室温条件下(25℃)における1nm線幅保証日数とした。   Based on the obtained three points of data, the X-axis represents the reciprocal of the temperature over time (degrees Celsius converted to Kelvin), and the Y-axis represents the line width fluctuation value per day (ie, the obtained line width fluctuation value is 30 The reciprocal of (the value divided by) was plotted on a semilogarithmic graph and approximated by a straight line. In the obtained straight line, the value of the Y coordinate in the X coordinate corresponding to the time-lapse temperature = 25 ° C. was read. The value of the read Y coordinate was defined as the number of days with a guaranteed line width of 1 nm under room temperature conditions (25 ° C.).

評価結果を表2に示す。

Figure 2013182023
The evaluation results are shown in Table 2.
Figure 2013182023

表中の略号は、下記を表す。   The abbreviations in the table represent the following.

〔樹脂(A)〕
樹脂A1〜A16の構造を、NMRから求めた組成比(モル比)、重量平均分子量(Mw:標準ポリスチレン換算)、及び、分散度(Mw/Mn)と共に示す。

Figure 2013182023
[Resin (A)]
The structure of resin A1-A16 is shown with the composition ratio (molar ratio) calculated | required from NMR, the weight average molecular weight (Mw: standard polystyrene conversion), and dispersion degree (Mw / Mn).
Figure 2013182023

Figure 2013182023
Figure 2013182023

〔化合物(B)〕

Figure 2013182023
[Compound (B)]
Figure 2013182023

〔その他酸発生剤〕
S1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
S2:N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド
〔化合物(C)〕

Figure 2013182023
[Other acid generators]
S1: Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate S2: N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide [Compound (C)]
Figure 2013182023

〔樹脂(D)〕

Figure 2013182023
[Resin (D)]
Figure 2013182023

〔溶剤(E)〕
E1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
E2:シクロヘキサノン
E3:2−へプタン
E4:γ−ブチロラクトン
〔塩基性化合物(F)〕
F1:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
F2:トリ−n−オクチルアミン
F3:1,8−ジアゾビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン
〔界面活性剤(W)〕
W1:メガファックF176(DIC(株)製、フッ素系)
W2:メガファックR08(DIC(株)製、フッ素及びシリコン系
W3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製、シリコン系)
W4:PF656(OMNOVA社製、フッ素系)
W5:PF6320(OMNOVA社製、フッ素系)
表2に示した結果から明らかなように、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジストパターンは、DOF及びラフネス特性に優れ、更にレジストの経時安定性も優れていることがわかる。
[Solvent (E)]
E1: Propylene glycol monomethyl ether acetate
E2: Cyclohexanone
E3: 2-heptane E4: γ-butyrolactone [basic compound (F)]
F1: 2,4,5-triphenylimidazole F2: Tri-n-octylamine F3: 1,8-diazobicyclo [4.3.0] non-5-ene [Surfactant (W)]
W1: Megafuck F176 (manufactured by DIC Corporation, fluorine-based)
W2: Megafuck R08 (manufactured by DIC Corporation, fluorine and silicon-based) W3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., silicon-based)
W4: PF656 (manufactured by OMNOVA, fluorine-based)
W5: PF6320 (manufactured by OMNOVA, fluorine-based)
As is clear from the results shown in Table 2, the resist pattern formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is excellent in DOF and roughness characteristics, and also has a temporal stability of the resist. It turns out that it is excellent.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、各種の半導体素子、記録媒体などの電子デバイスの製造におけるリソグラフィープロセスにおいて、好適に用いることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention can be suitably used in a lithography process in the production of electronic devices such as various semiconductor elements and recording media.

Claims (11)

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、
(B)下記一般式(1)で表される活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
(C)酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有する低分子化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013182023
一般式(1)中、
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又は、アリール基を表す。但し、R及びRのうち少なくとも1つはアリール基であり、また、RとRが連結して縮合環を形成していてもよい。
及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、RとRが連結していてもよい。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はアルキルカルボニル基を表す。Rは、RもしくはRと連結していてもよい。
-は非求核性アニオンを表す。
(A) a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid;
(B) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation represented by the following general formula (1), and (C) a low molecular compound having a group on the nitrogen atom that is eliminated by the action of an acid. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
Figure 2013182023
In general formula (1),
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. However, at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and R 1 and R 2 may be linked to form a condensed ring.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. R 3 and R 4 may be linked.
R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group or an alkylcarbonyl group. R 5 may be linked to R 3 or R 4 .
X represents a non-nucleophilic anion.
化合物(C)が、下記一般式(2)で表されることを特徴とする、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013182023
一般式(2)中、
Raは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、また、2つのRaが相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。
Rbはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルコキシアルキル基を表す。複数のRbは、相互に連結して環を形成していてもよい。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3を満たす。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the compound (C) is represented by the following general formula (2).
Figure 2013182023
In general formula (2),
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras may be connected to each other to form a heterocyclic ring together with the nitrogen atom in the formula.
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkoxyalkyl group. A plurality of Rb may be connected to each other to form a ring.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and satisfies n + m = 3.
樹脂(A)が、一般式(3)で表される繰り返し単位を有する、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013182023
一般式(3)中、
31は、水素原子又はアルキル基を表す。
32は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
33は、R32が結合している炭素原子とともに単環の脂環炭化水素構造を形成するのに必要な原子団を表す。前記脂環炭化水素構造は、環を構成する炭素原子の一部が、ヘテロ原子、又は、ヘテロ原子を有する基で置換されていてもよい。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the resin (A) has a repeating unit represented by the general formula (3).
Figure 2013182023
In general formula (3),
R 31 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R 32 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, or a sec-butyl group.
R 33 represents an atomic group necessary for forming a monocyclic alicyclic hydrocarbon structure together with the carbon atom to which R 32 is bonded. In the alicyclic hydrocarbon structure, a part of carbon atoms constituting the ring may be substituted with a hetero atom or a group having a hetero atom.
樹脂(A)が、ラクトン基を含む繰り返し単位を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-3 in which resin (A) has a repeating unit containing a lactone group. 一般式(1)におけるRがアルコキシ基であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein R 5 in the general formula (1) is an alkoxy group. 一般式(1)におけるR及びRが、共にアリール基であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein R 1 and R 2 in the general formula (1) are both aryl groups. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる感活性光線性又は感放射線性膜。   An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1. 請求項7に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、活性光線又は放射線を照射して前記膜を露光する工程、露光した前記膜を現像する工程を含むパターン形成方法。   A pattern forming method comprising a step of forming an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film according to claim 7, a step of exposing the film by irradiation with actinic rays or radiation, and a step of developing the exposed film. 露光方法が液浸露光である、請求項8に記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to claim 8, wherein the exposure method is immersion exposure. 請求項8または9に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。   The manufacturing method of an electronic device containing the pattern formation method of Claim 8 or 9. 請求項10に記載の電子デバイスの製造方法によって製造された電子デバイス。   An electronic device manufactured by the method for manufacturing an electronic device according to claim 10.
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