JP2013178370A - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern formation method using said composition, and electronic device manufacturing method and electronic device - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern formation method using said composition, and electronic device manufacturing method and electronic device Download PDF

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知樹 松田
Akinori Shibuya
明規 渋谷
Yoko Tokugawa
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Junichi Ito
純一 伊藤
Shohei Kataoka
祥平 片岡
Toshiaki Fukuhara
敏明 福原
Naohiro Tango
直紘 丹呉
Kaoru Iwato
薫 岩戸
Masahiro Yoshitome
正洋 吉留
Shinichi Sugiyama
真一 杉山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition improved in CDU and roundness and suited even for a liquid immersion process with a line width of 45 nm or less; an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern formation method which use the composition; and an electronic device manufacturing method and an electronic device.SOLUTION: An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a compound (A) represented by the specified general formula (1), and a resin (B) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. (The meaning of each symbol in the general formula (1) is described in the claims.)

Description

本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法に関する。更に詳しくは、本発明は、250nm以下の遠紫外線や電子線などを照射源とする場合に好適な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関するものである。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in semiconductor manufacturing processes such as IC, circuit boards such as liquid crystals and thermal heads, and other photofabrication processes, and the composition. The present invention relates to a pattern forming method. More specifically, the present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable for the case of using an ultraviolet ray of 250 nm or less, an electron beam, or the like as an irradiation source, and an actinic ray-sensitive or sensitization using the composition. The present invention relates to a radiation film, a pattern formation method, an electronic device manufacturing method, and an electronic device.

化学増幅レジスト組成物は、遠紫外線光等の放射線の照射により露光部に酸を発生させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分として使用するため、高感度、高解像度で且つ良好なパターンを形成することができ、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。
The chemically amplified resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction changes the solubility of the active radiation irradiated area and non-irradiated area in the developer. And a pattern forming material for forming a pattern on the substrate.
When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. This is a better system than the conventional naphthoquinonediazide / novolak resin system.

一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため上記化学増幅系でも十分ではなかった。
このため、脂環炭化水素構造を含有する種々のArFエキシマレーザー用レジストが開発されている。また、更に解像力を高める技術として、従来から投影レンズと試料との間を高屈折率の液体(以下、「液浸液」ともいう)で満たす、所謂、液浸法の開発も進んでいる。しかしながら、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、光酸発生剤、添加剤、溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことが極めて困難であるのが実情である。
On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the above chemical amplification system is not sufficient because an aromatic compound essentially shows a large absorption in the 193 nm region. It was.
For this reason, various ArF excimer laser resists containing an alicyclic hydrocarbon structure have been developed. Further, as a technique for further increasing the resolving power, development of a so-called immersion method in which the space between the projection lens and the sample is filled with a liquid having a high refractive index (hereinafter also referred to as “immersion liquid”) has been progressing. However, from the viewpoint of overall performance as a resist, it is actually difficult to find an appropriate combination of resins, photoacid generators, additives, solvents and the like to be used.

このような実情下において、例えば、特許文献1、2には、活性光線又は放射線の照射により分解する特定の化合物を用いることにより、露光から露光後加熱(Post exposure bake ;PEB)までの時間の長さに関係するパターン線幅の変化やパターン形状の歪み等の問題(Post exposure delay;PED)を抑制することや、パターン形状、或いはラインエッジラフネスを改善することが記載されている。   Under such circumstances, for example, Patent Documents 1 and 2 disclose the time from exposure to post-exposure bake (PEB) by using a specific compound that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation. It describes that problems such as a change in pattern line width related to the length and distortion of the pattern shape (post exposure delay; PED) are suppressed, and that the pattern shape or line edge roughness is improved.

しかしながら、特に液浸プロセスが適用された最新の線幅45nm以下のホールパターンを形成する世代においては、上記先行技術では必ずしも充分ではなく、コンタクトホールパターンにおける真円性、ウエハー面内における線幅均一性(Critical Dimension Uniformity;CDU)などの性能において更なる改善が求められている。   However, in the generation of forming the latest hole pattern with a line width of 45 nm or less to which the immersion process is applied, the above prior art is not always sufficient, and the roundness in the contact hole pattern and the line width in the wafer plane are uniform. Further improvements are required in performance such as critical dimension uniformity (CDU).

特開2006−330098号公報JP 2006-330098 A 特開平7―333851号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-333851

本発明は、上記背景技術における問題点に鑑み、CDU及び真円性が改良され、線幅45nm以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することを課題とする。   In view of the above problems in the background art, the present invention uses an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has improved CDU and roundness and is suitable for an immersion process with a line width of 45 nm or less, and the same. It is an object of the present invention to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, a pattern forming method, an electronic device manufacturing method, and an electronic device.

上記課題は下記手段により達成される。
すなわち、本発明は、例えば、以下の構成を有する。
The above object is achieved by the following means.
That is, this invention has the following structures, for example.

〔1〕 下記一般式(1)で表される化合物(A)、及び、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013178370
[1] Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound (A) represented by the following general formula (1) and a resin (B) whose solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid object.
Figure 2013178370

一般式(1)中、
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又は、アリール基を表す。但し、R及びRのうち少なくとも1つはアリール基であり、また、RとRは互いに連結して、縮合環を形成していてもよい。
及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、RとRが互いに連結して環を形成していてもよい。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Rは、RもしくはRと互いに連結して環を形成していてもよい。
In general formula (1),
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. However, at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and R 1 and R 2 may be connected to each other to form a condensed ring.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. R 3 and R 4 may be connected to each other to form a ring.
R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 5 may be bonded to R 3 or R 4 to form a ring.

-は、−W-、又は、−SO3 -、を表す。ここで、Rは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、W及びWは、各々独立に、−SO−又は−CO−を表す。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、−SO−又は−CO−を表す。
nは、0又は1を表す。
Bは、単結合、酸素原子、又は−N(R)R−を表す。ここで、Rは水素原子又は1価の有機基を表し、Rは単結合又は2価の有機基を表す。Rは、Rと結合して環を形成していてもよく、Rと結合して環を形成していてもよい。
は、少なくとも1つの塩基性窒素原子を含有する有機基を表す。
Q represents —W 1 N W 2 R f or —SO 3 . Here, R f represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and W 1 and W 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.
A represents a single bond or a divalent linking group.
X represents —SO 2 — or —CO—.
n represents 0 or 1.
B represents a single bond, an oxygen atom, or —N (R x ) R y —. Here, R x represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R y represents a single bond or a divalent organic group. R x is may form a ring with R y, may form a ring with R N.
R N represents an organic group containing at least one basic nitrogen atom.

〔2〕 一般式(1)におけるQが―W―N―W―Rである、〔1〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 [2] Q in the general formula (1) - is -W 1 -N - a -W 2 -R f, sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [1].

〔3〕 一般式(1)におけるR5がアルコキシ基である、〔1〕又は〔2〕に記載の感活性光線性又は感放射性樹脂組成物。 [3] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [1] or [2], wherein R 5 in the general formula (1) is an alkoxy group.

〔4〕 一般式(1)におけるR及びRが、共にアリール基である、〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射性樹脂組成物。 [4] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [3], wherein R 1 and R 2 in the general formula (1) are both aryl groups.

〔5〕 更に、疎水性樹脂(HR)を含有する、〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [5] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [4], further comprising a hydrophobic resin (HR).

〔6〕 疎水性樹脂(HR)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂である、〔5〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [6] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [5], wherein the hydrophobic resin (HR) is a hydrophobic resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

〔7〕 樹脂(B)がラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有する、〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [7] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the resin (B) contains a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure.

〔8〕 更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有し、前記化合物(C)のカチオン部分の構造が、前記化合物(A)のカチオン部分の構造と同じである、〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [8] Further, it contains a compound (C) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and the structure of the cation moiety of the compound (C) is the same as the structure of the cation moiety of the compound (A). The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [7].

〔9〕 前記化合物(C)の含有率が、組成物の全固形分を基準として0.1〜30質量%である、〔8〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [9] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to [8], wherein the content of the compound (C) is 0.1 to 30% by mass based on the total solid content of the composition.

〔10〕 〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。   [10] An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [9].

〔11〕 〔10〕に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び前記露光した感活性光線性又は感放射線性膜を現像する工程を含むパターン形成方法。
〔12〕 前記露光が液浸露光である、〔11〕に記載のパターン形成方法。
[11] A pattern forming method comprising a step of exposing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film according to [10], and a step of developing the exposed actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film.
[12] The pattern forming method according to [11], wherein the exposure is immersion exposure.

〔13〕 〔11〕又は〔12〕に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔14〕 〔13〕に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
[13] A method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method according to [11] or [12].
[14] An electronic device manufactured by the method for manufacturing an electronic device according to [13].

本発明によれば、CDU及び真円性が改善され、線幅45nm以下の液浸プロセスにも好適に用い得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスが提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, CDU and roundness are improved, the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which can be used suitably also for the immersion process with a line | wire width of 45 nm or less, actinic light using the said composition A radiation-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern forming method, an electronic device manufacturing method, and an electronic device are provided.

以下、本発明を詳細に説明する。
なお、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what has a substituent with what does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

また、本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。   In the present invention, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV light), X-rays, electron beams and the like. In the present invention, light means actinic rays or radiation.

また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表され遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。   In addition, “exposure” in the present specification is represented not only by exposure to deep ultraviolet rays, X-rays, EUV light and the like, but also by particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified, such as mercury lamps and excimer lasers. Drawing is also included in the exposure.

[1]化合物(A)
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式(1)で表される化合物(以下、「化合物(A)」とも呼ぶ)を含有する。

Figure 2013178370
[1] Compound (A)
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains a compound represented by the following general formula (1) (hereinafter also referred to as “compound (A)”).
Figure 2013178370

一般式(1)中、
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又は、アリール基を表す。但し、R及びRのうち少なくとも1つはアリール基であり、また、RとRは互いに連結して、縮合環を形成していてもよい。
及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、RとRが互いに連結して環を形成していてもよい。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Rは、RもしくはRと互いに連結して環を形成していてもよい。
In general formula (1),
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. However, at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and R 1 and R 2 may be connected to each other to form a condensed ring.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. R 3 and R 4 may be connected to each other to form a ring.
R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 5 may be bonded to R 3 or R 4 to form a ring.

-は、−W-、又は、−SO3 -、を表す。ここで、Rは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、W及びWは、各々独立に、−SO−又は−CO−を表す。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、−SO−又は−CO−を表す。
nは、0又は1を表す。
Bは、単結合、酸素原子、又は−N(R)R−を表す。ここで、Rは水素原子又は1価の有機基を表し、Rは単結合又は2価の有機基を表す。Rは、Rと結合して環を形成していてもよく、Rと結合して環を形成していてもよい。
は、少なくとも1つの塩基性窒素原子を含有する有機基を表す。
Q represents —W 1 N W 2 R f or —SO 3 . Here, R f represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and W 1 and W 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.
A represents a single bond or a divalent linking group.
X represents —SO 2 — or —CO—.
n represents 0 or 1.
B represents a single bond, an oxygen atom, or —N (R x ) R y —. Here, R x represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R y represents a single bond or a divalent organic group. R x is may form a ring with R y, may form a ring with R N.
R N represents an organic group containing at least one basic nitrogen atom.

化合物(A)は、活性光線又は放射線の照射により分解し、HQ−A−(X)n−B−Rで表される化合物を発生することができる。後述するが、この化合物は、塩基性基とともに酸性基を有することにより、化合物(A)に比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。
以下、一般式(1)について詳細に説明する。
Compound (A) can be decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, generates an HQ-A- (X) a compound represented by n-B-R N. As will be described later, this compound is a compound in which the basicity is lowered, disappeared, or changed from basic to acidic as compared with the compound (A) by having an acidic group together with the basic group.
Hereinafter, the general formula (1) will be described in detail.

まず、下記一般式(1−1)で表されるアニオン部について詳細に説明する。

Figure 2013178370
First, the anion part represented by the following general formula (1-1) will be described in detail.
Figure 2013178370

一般式(1−1)において、Q-は、上述した通り、−W-、または、−SO3 -を表し、Rは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、W及びWは、各々独立に、−SO−又は−CO−を表す。 In General Formula (1-1), Q represents —W 1 N W 2 R f or —SO 3 as described above, and R f represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. W 1 and W 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.

1及びW2は、少なくとも一方が−SO2−であることが好ましく、双方が−SO2−であることが特に好ましい。
としてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、それぞれ置換基を有していてもよく、好ましくは、炭素数1〜6のフッ素原子を有してもよいアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基である。
Aにおける2価の連結基としては、好ましくは炭素数2〜12の2価の連結基であり、例えば、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいフェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、より好ましい炭素数は2〜6、更に好ましくは炭素数2〜4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。
W 1 and W 2, at least one of -SO 2 - is preferably, both -SO 2 - and particularly preferably.
The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group as R f each may have a substituent, preferably an alkyl group which may have a fluorine atom having 1 to 6 carbon atoms, more preferably. Is a C1-C6 perfluoroalkyl group, More preferably, it is a C1-C3 perfluoroalkyl group.
The divalent linking group in A is preferably a divalent linking group having 2 to 12 carbon atoms, for example, an alkylene group which may have a substituent, or phenylene which may have a substituent. Groups and the like. More preferably, it is an alkylene group having at least one fluorine atom, more preferably 2 to 6 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms. The alkylene chain may have a linking group such as an oxygen atom or a sulfur atom. The alkylene group is particularly preferably an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, and more preferably, the carbon atom bonded to the Q site has a fluorine atom. Further, a perfluoroalkylene group is preferable, and a perfluoroethylene group, a perfluoropropylene group, and a perfluorobutylene group are more preferable.

Bは、上述した通り、単結合、酸素原子、又は−N(R)R−を表し、Rは水素原子又は1価の有機基を表し、Rは単結合又は2価の有機基を表す。Rは、Rと結合して環を形成していてもよく、Rと結合して環を形成していてもよい。 B represents a single bond, an oxygen atom, or —N (R x ) R y —, as described above, R x represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R y represents a single bond or a divalent organic group. Represents a group. R x is may form a ring with R y, may form a ring with R N.

Bが−N(R)R−を表す場合、Rにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数1〜30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。これら基は更に置換基を有していてもよい。 B is -N (R x) R y - when referring to, the monovalent organic group represented by R x, and preferably from 1 to 30 carbon atoms, e.g., alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group And alkenyl groups. These groups may further have a substituent.

におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。 The alkyl group in R x may have a substituent, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and has an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. It may be.

また、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基(例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基など)を挙げることができる。   In addition, examples of the alkyl group having a substituent include groups in which a cycloalkyl group is substituted on a linear or branched alkyl group (for example, an adamantylmethyl group, an adamantylethyl group, a cyclohexylethyl group, a camphor residue, etc.). .

におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。 The cycloalkyl group in R x may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring.

におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14のアリール基である。 The aryl group for R x may have a substituent, and is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.

におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられる。 The aralkyl group in R x may have a substituent, and preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.

におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。 The alkenyl group for R x may have a substituent, and examples thereof include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkyl group exemplified as R x .

Bが−N(R)R−を表す場合、Rにおける2価の有機基としては、好ましくはアルキレン基を挙げることができる。また、この場合、RとRとが互いに結合して形成し得る環構造としては、例えば、窒素原子を含む5〜8員の環、特に好ましくは6員の環が挙げられる。 B is -N (R x) R y - when referring to, the divalent organic group represented by R y, preferably includes an alkylene group. In this case, examples of the ring structure that R x and R y may be bonded to each other include a 5- to 8-membered ring containing a nitrogen atom, particularly preferably a 6-membered ring.

Bが−N(R)R−を表す場合、RとRとが互いに結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4〜20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。 B is -N (R x) R y - when referring to, it is preferable that the R N and R x are bonded to each other to form a ring. By forming the ring structure, the stability is improved, and the storage stability of the composition using the ring structure is improved. The number of carbon atoms forming the ring is preferably 4 to 20, and may be monocyclic or polycyclic, and may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the ring.

単環式構造としては、窒素原子を含む4員環、5員環、6員環、7員環、8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造及び多環式構造の各々は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜15)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜15)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが好ましい。置換基としてのアリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、更に置換基として、アルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。また、置換基としてのアミノアシル基については、更に置換基として、アルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   Examples of the monocyclic structure include a 4-membered ring, a 5-membered ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring, and an 8-membered ring containing a nitrogen atom. Examples of the polycyclic structure include a structure composed of a combination of two or three or more monocyclic structures. Each of the monocyclic structure and the polycyclic structure may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, and a cycloalkyl group (preferably Has 3 to 10 carbon atoms, an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), an acyloxy group (preferably carbon). And preferably an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), and the like. Regarding the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like as a substituent, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 15). Moreover, about the aminoacyl group as a substituent, an alkyl group (preferably C1-C15) can be mentioned as a substituent further.

は、上述した通り、少なくとも1つの塩基性窒素原子を含有する有機基を表す。ここで「塩基性窒素原子」とは、該当する窒素原子の共役酸のpKaが−3以上となるような窒素原子を意味している。このpKaは、−3〜15の範囲内にあることが好ましく、0〜15の範囲内にあることがより好ましい。なお、このpKaは、ACD/ChemSketch(ACD/Labs 8.00 Release Product Version:8.08)により求めた計算値を意味している。 R N is, as described above, represents an organic group containing at least one basic nitrogen atom. Here, “basic nitrogen atom” means a nitrogen atom such that the pKa of the conjugate acid of the corresponding nitrogen atom is −3 or more. This pKa is preferably in the range of -3 to 15, and more preferably in the range of 0 to 15. This pKa means a calculated value obtained by ACD / ChemSketch (ACD / Labs 8.00 Release Product Version: 8.08).

により表される、塩基性窒素原子を含有する有機基としては、1〜3級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子吸引性の官能基(カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子など)が直結していないことが好ましい。 Represented by R N, as the organic group containing a basic nitrogen atom, a structure having a primary to tertiary amino group, or a nitrogen-containing heterocyclic structure is more preferable. In these structures, it is preferable from the viewpoint of improving basicity that all atoms adjacent to the nitrogen atom contained in the structure are carbon atoms or hydrogen atoms. From the viewpoint of improving basicity, it is preferable that an electron-withdrawing functional group (such as a carbonyl group, a sulfonyl group, a cyano group, or a halogen atom) is not directly connected to the nitrogen atom.

により表される有機基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜10)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、更に置換基としてアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)を有していても良い。 The organic groups represented by R N may further have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably 3 to 10 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group. Group (preferably 1 to 10 carbon atoms), acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), aminoacyl group (Preferably having 2 to 20 carbon atoms). About the cyclic structure in an aryl group, a cycloalkyl group, etc., and an aminoacyl group, you may have an alkyl group (preferably C1-C20) as a substituent further.

化合物(1−1)として、特に好ましくは下記一般式(4)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2013178370
As the compound (1-1), a compound represented by the following general formula (4) is particularly preferable.
Figure 2013178370

一般式(4)において、A、X、n、B、R、Rf、W及びWは、一般式(1−1)における各々と同義である。
以下に、一般式(1−1)で表されるアニオン構造の具体例を示す。

Figure 2013178370
In the general formula (4), A, X, n, B, R N, Rf, W 1 and W 2 have the same meanings as those in general formula (1-1).
Specific examples of the anion structure represented by the general formula (1-1) are shown below.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

上記一般式(1)で表される化合物(A)における下記カチオン構造部分について、以下に詳細に説明する。

Figure 2013178370
The following cation structure portion in the compound (A) represented by the general formula (1) will be described in detail below.
Figure 2013178370

及びRは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又は、アリール基を表し、R及びRのうち少なくとも1つがアリール基である。また、RとRは互いに連結して縮合環を形成していてもよい。 R 1 and R 2 are as described above, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group, where at least one aryl group of R 1 and R 2. R 1 and R 2 may be connected to each other to form a condensed ring.

、Rにより表されるアルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数1〜15のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。 The alkyl group represented by R 1 and R 2 is, for example, preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, sec. -Butyl, pentyl, neopentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl Group, eicosyl group and the like.

、Rにより表されるシクロアルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like. Can do.

、Rにより表されるアルケニル基としては、例えば、好ましくは、2〜30のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、及びスチリル基を挙げることができる
、Rにより表されるアリール基としては、例えば、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、フェナンスレニル基、ペナレニル基、フェナントラセニル基、フルオレニル基、アントラセニル基、ピレニル基、ベンゾピレニル基等が挙げられる。好ましくは、フェニル基、ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基である。
Examples of the alkenyl group represented by R 1 and R 2 include preferably 2 to 30 alkenyl groups, such as vinyl group, allyl group, and styryl group.
As the aryl group represented by R 1 and R 2 , for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. Specifically, a phenyl group, a naphthyl group, an azulenyl group, an acenaphthylenyl group, a phenanthrenyl group, a penalenyl group, a phenyl group, Examples thereof include a nantracenyl group, a fluorenyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group, and a benzopyrenyl group. Preferred are a phenyl group and a naphthyl group, and more preferred is a phenyl group.

上述した通り、R及びRの少なくとも一方はアリール基であり、R及びRの双方がアリール基であることが好ましい。モノアリール型に比べ、ジアリール型は193nmに対する吸収(ε)が大きく、その分、露光時の発生酸量が増加する。その結果、より多くの酸により効率的に脱保護できるため、CDU性能が向上する。 As described above, it is preferable that at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and both R 1 and R 2 are aryl groups. Compared to the monoaryl type, the diaryl type has a large absorption (ε) with respect to 193 nm, and the amount of acid generated during exposure increases accordingly. As a result, CDU performance is improved because deprotection can be efficiently performed with more acid.

、Rとしてのアリール基は置換基を有していてもよく、置換基が導入され得る位置と、個数は特に限定されるものではない。導入され得る置換基としては、例えば、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素)、アルキル基又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24の、直鎖、分岐鎖、又は環状のアルキル基で、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−ノルボルニル、1−アダマンチル)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜18のアルケニル基で、例えば、ビニル、アリル、3−ブテン−1−イル)、アリール基(好ましくは炭素数6〜48、より好ましくは炭素数6〜24のアリール基で、例えば、フェニル、ナフチル)、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜18のヘテロ環基で、例えば、2−チエニル、4−ピリジル、2−フリル、2−ピリミジニル、1−ピリジル、2−ベンゾチアゾリル、1−イミダゾリル、1−ピラゾリル、ベンゾトリアゾール−1−イル)、シリル基(好ましくは炭素数3〜38、より好ましくは炭素数3〜18のシリル基で、例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリブチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、t−ヘキシルジメチルシリル)、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、1−ブトキシ、2−ブトキシ、イソプロポキシ、t−ブトキシ、ドデシルオキシ、シクロアルキルオキシ基で、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜48、より好ましくは炭素数6〜24のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、1−ナフトキシ)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜18のヘテロ環オキシ基で、例えば、1−フェニルテトラゾール−5−オキシ、2−テトラヒドロピラニルオキシ)、
シリルオキシ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜18のシリルオキシ基で、例えば、トリメチルシリルオキシ、t−ブチルジメチルシリルオキシ、ジフェニルメチルシリルオキシ)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜24のアシルオキシ基で、例えば、アセトキシ、ピバロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ドデカノイルオキシ)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜24のアルコキシカルボニルオキシ基で、例えば、エトキシカルボニルオキシ、t−ブトキシカルボニルオキシ、シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基で、例えば、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ)、アリールオキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数7〜32、より好ましくは炭素数7〜24のアリールオキシカルボニルオキシ基で、例えば、フェノキシカルボニルオキシ)、カルバモイルオキシ基(好ましくは炭素数1〜48、よりこの好ましくは炭素数1〜24のカルバモイルオキシ基で、例えば、N,N−ジメチルカルバモイルオキシ、N−ブチルカルバモイルオキシ、N−フェニルカルバモイルオキシ、N−エチル−N−フェニルカルバモイルオキシ)、スルファモイルオキシ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜24のスルファモイルオキシ基で、例えば、N,N−ジエチルスルファモイルオキシ、N−プロピルスルファモイルオキシ)、アルキルスルホニルオキシ基(好ましくは炭素数1〜38、より好ましくは炭素数1〜24のアルキルスルホニルオキシ基で、例えば、メチルスルホニルオキシ、ヘキサデシルスルホニルオキシ、シクロヘキシルスルホニルオキシ)、
アリールスルホニルオキシ基(好ましくは炭素数6〜32、より好ましくは炭素数6〜24のアリールスルホニルオキシ基で、例えば、フェニルスルホニルオキシ)、アシル基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアシル基で、例えば、ホルミル、アセチル、ピバロイル、ベンゾイル、テトラデカノイル、シクロヘキサノイル)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜24のアルコキシカルボニル基で、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルシクロヘキシルオキシカルボニル)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜32、より好ましくは炭素数7〜24のアリールオキシカルボニル基で、例えば、フェノキシカルボニル)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のカルバモイル基で、例えば、カルバモイル、N,N−ジエチルカルバモイル、Nーエチル−N−オクチルカルバモイル、N,N−ジブチルカルバモイル、N−プロピルカルバモイル、N−フェニルカルバモイル、N−メチルN−フェニルカルバモイル、N,N−ジシクロへキシルカルバモイル)、アミノ基(好ましくは炭素数32以下、より好ましくは炭素数24以下のアミノ基で、例えば、アミノ、メチルアミノ、N,N−ジブチルアミノ、テトラデシルアミノ、2−エチルへキシルアミノ、シクロヘキシルアミノ)、
アニリノ基(好ましくは炭素数6〜32、より好ましくは6〜24のアニリノ基で、例えば、アニリノ、N−メチルアニリノ)、ヘテロ環アミノ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは1〜18のヘテロ環アミノ基で、例えば、4−ピリジルアミノ)、カルボンアミド基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは2〜24のカルボンアミド基で、例えば、アセトアミド、ベンズアミド、テトラデカンアミド、ピバロイルアミド、シクロヘキサンアミド)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜24のウレイド基で、例えば、ウレイド、N,N−ジメチルウレイド、N−フェニルウレイド)、イミド基(好ましくは炭素数36以下、より好ましくは炭素数24以下のイミド基で、例えば、N−スクシンイミド、N−フタルイミド)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜24のアルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニルアミノ、オクタデシルオキシカルボニルアミノ、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜32、より好ましくは炭素数7〜24のアリールオキシカルボニルアミノ基で、例えば、フェノキシカルボニルアミノ)、スルホンアミド基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のスルホンアミド基で、例えば、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、ヘキサデカンスルホンアミド、シクロヘキサンスルホンアミド)、スルファモイルアミノ基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のスルファモイルアミノ基で、例えば、N、N−ジプロピルスルファモイルアミノ、N−エチル−N−ドデシルスルファモイルアミノ)、アゾ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜24のアゾ基で、例えば、フェニルアゾ、3−ピラゾリルアゾ)、
アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアルキルチオ基で、例えば、メチルチオ、エチルチオ、オクチルチオ、シクロヘキシルチオ)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜48、より好ましくは炭素数6〜24のアリールチオ基で、例えば、フェニルチオ)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜18のヘテロ環チオ基で、例えば、2−ベンゾチアゾリルチオ、2−ピリジルチオ、1−フェニルテトラゾリルチオ)、アルキルスルフィニル基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜24のアルキルスルフィニル基で、例えば、ドデカンスルフィニル)、アリールスルフィニル基(好ましくは炭素数6〜32、より好ましくは炭素数6〜24のアリールスルフィニル基で、例えば、フェニルスルフィニル)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアルキルスルホニル基で、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソプロピルスルホニル、2−エチルヘキシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル、オクチルスルホニル、シクロヘキシルスルホニル)、アリールスルホニル基(好ましくは炭素数6〜48、より好ましくは炭素数6〜24のアリールスルホニル基で、例えば、フェニルスルホニル、1−ナフチルスルホニル)、スルファモイル基(好ましくは炭素数32以下、より好ましくは炭素数24以下のスルファモイル基で、例えば、スルファモイル、N,N−ジプロピルスルファモイル、N−エチル−N−ドデシルスルファモイル、N−エチル−N−フェニルスルファモイル、N−シクロヘキシルスルファモイル)、スルホ基、ホスホニル基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜24のホスホニル基で、例えば、フェノキシホスホニル、オクチルオキシホスホニル、フェニルホスホニル)、ホスフィノイルアミノ基(好ましくは炭素数1〜32、より好ましくは炭素数1〜24のホスフィノイルアミノ基で、例えば、ジエトキシホスフィノイルアミノ、ジオクチルオキシホスフィノイルアミノ)が挙げられる。
The aryl group as R 1 and R 2 may have a substituent, and the position and number where the substituent can be introduced are not particularly limited. Examples of the substituent that can be introduced include a halogen atom (for example, fluorine, chlorine, bromine), an alkyl group or a cycloalkyl group (preferably a straight chain having 1 to 48 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms, Branched or cyclic alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, dodecyl, hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 1 -Norbornyl, 1-adamantyl), an alkenyl group (preferably an alkenyl group having 2 to 48 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, such as vinyl, allyl, 3-buten-1-yl), an aryl group ( Preferably it is an aryl group having 6 to 48 carbon atoms, more preferably 6 to 24 carbon atoms. , Phenyl, naphthyl), a heterocyclic group (preferably a C1-C32, more preferably a C1-C18 heterocyclic group such as 2-thienyl, 4-pyridyl, 2-furyl, 2-pyrimidinyl, 1-pyridyl, 2-benzothiazolyl, 1-imidazolyl, 1-pyrazolyl, benzotriazol-1-yl), a silyl group (preferably a silyl group having 3 to 38 carbon atoms, more preferably 3 to 18 carbon atoms, Trimethylsilyl, triethylsilyl, tributylsilyl, t-butyldimethylsilyl, t-hexyldimethylsilyl), hydroxyl group, cyano group, nitro group, alkoxy group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms). Alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, 1-butoxy, 2-butoxy, isopropoxy, A butoxy, dodecyloxy, cycloalkyloxy group, for example, cyclopentyloxy, cyclohexyloxy), an aryloxy group (preferably an aryloxy group having 6-48 carbon atoms, more preferably 6-24 carbon atoms, for example, phenoxy 1-naphthoxy), a heterocyclic oxy group (preferably a heterocyclic oxy group having 1 to 32 carbon atoms, more preferably 1 to 18 carbon atoms, such as 1-phenyltetrazol-5-oxy and 2-tetrahydropyranyl Oxy),
Silyloxy group (preferably a silyloxy group having 1 to 32 carbon atoms, more preferably 1 to 18 carbon atoms, such as trimethylsilyloxy, t-butyldimethylsilyloxy, diphenylmethylsilyloxy), acyloxy group (preferably having 2 carbon atoms) 48, more preferably an acyloxy group having 2 to 24 carbon atoms, such as acetoxy, pivaloyloxy, benzoyloxy, dodecanoyloxy), an alkoxycarbonyloxy group (preferably having 2 to 48 carbon atoms, more preferably 2 to 2 carbon atoms). 24 alkoxycarbonyloxy groups such as ethoxycarbonyloxy, t-butoxycarbonyloxy, cycloalkyloxycarbonyloxy groups such as cyclohexyloxycarbonyloxy, aryloxycarbonyloxy groups (preferably Is an aryloxycarbonyloxy group having 7 to 32 carbon atoms, more preferably 7 to 24 carbon atoms, such as phenoxycarbonyloxy), a carbamoyloxy group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably 1 to 1 carbon atoms). 24 carbamoyloxy groups, for example, N, N-dimethylcarbamoyloxy, N-butylcarbamoyloxy, N-phenylcarbamoyloxy, N-ethyl-N-phenylcarbamoyloxy), sulfamoyloxy groups (preferably having a carbon number) 1 to 32, more preferably a sulfamoyloxy group having 1 to 24 carbon atoms, such as N, N-diethylsulfamoyloxy, N-propylsulfamoyloxy), an alkylsulfonyloxy group (preferably having a carbon number) 1 to 38, more preferably 1 to 24 carbon In Niruokishi group, e.g., methylsulfonyloxy, hexadecyl sulfonyloxy, cyclohexyl sulfonyloxy)
An arylsulfonyloxy group (preferably an arylsulfonyloxy group having 6 to 32 carbon atoms, more preferably an arylsulfonyloxy group having 6 to 24 carbon atoms, such as phenylsulfonyloxy), an acyl group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably carbon An acyl group having 1 to 24, for example, formyl, acetyl, pivaloyl, benzoyl, tetradecanoyl, cyclohexanoyl), an alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 48 carbon atoms, more preferably an alkoxy having 2 to 24 carbon atoms) Examples of carbonyl groups include methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, octadecyloxycarbonyl, cyclohexyloxycarbonyl, 2,6-di-tert-butyl-4-methylcyclohexyloxycarbonyl), and aryloxycarbonyl groups (preferably having 7 to 32 carbon atoms). , Yo Preferably, it is an aryloxycarbonyl group having 7 to 24 carbon atoms, such as phenoxycarbonyl, and a carbamoyl group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably a carbamoyl group having 1 to 24 carbon atoms, such as carbamoyl, N, N-diethylcarbamoyl, N-ethyl-N-octylcarbamoyl, N, N-dibutylcarbamoyl, N-propylcarbamoyl, N-phenylcarbamoyl, N-methylN-phenylcarbamoyl, N, N-dicyclohexylcarbamoyl), amino group (Preferably an amino group having 32 or less carbon atoms, more preferably 24 or less carbon atoms, such as amino, methylamino, N, N-dibutylamino, tetradecylamino, 2-ethylhexylamino, cyclohexylamino),
Anilino group (preferably an anilino group having 6 to 32 carbon atoms, more preferably 6 to 24 carbon atoms such as anilino and N-methylanilino), a heterocyclic amino group (preferably having 1 to 32 carbon atoms, more preferably 1 to 18 carbon atoms). A heterocyclic amino group such as 4-pyridylamino), a carbonamido group (preferably having a carbon number of 2 to 48, more preferably 2 to 24, such as acetamide, benzamide, tetradecanamide, pivaloylamide, cyclohexane Amide), ureido groups (preferably ureido groups having 1 to 32 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms, such as ureido, N, N-dimethylureido, N-phenylureido), imide groups (preferably carbon An imide group having 36 or less, more preferably 24 or less carbon atoms, for example, N-succi Imide, N-phthalimide), alkoxycarbonylamino group (preferably an alkoxycarbonylamino group having 2 to 48 carbon atoms, more preferably 2 to 24 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino, ethoxycarbonylamino, t-butoxycarbonylamino , Octadecyloxycarbonylamino, cyclohexyloxycarbonylamino), aryloxycarbonylamino group (preferably an aryloxycarbonylamino group having 7 to 32 carbon atoms, more preferably 7 to 24 carbon atoms, such as phenoxycarbonylamino), sulfone An amide group (preferably a sulfonamide group having 1 to 48 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms, such as methanesulfonamide, butanesulfonamide, benzenesulfonamide, hexadecanesulfone; Amide, cyclohexanesulfonamido), a sulfamoylamino group (preferably a sulfamoylamino group having 1 to 48 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms, such as N, N-dipropylsulfamoylamino, N -Ethyl-N-dodecylsulfamoylamino), an azo group (preferably an azo group having 1 to 32 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms, for example, phenylazo, 3-pyrazolylazo),
An alkylthio group (preferably an alkylthio group having 1 to 48 carbon atoms, more preferably an alkylthio group having 1 to 24 carbon atoms, for example, methylthio, ethylthio, octylthio, cyclohexylthio), an arylthio group (preferably having 6 to 48 carbon atoms, more preferably An arylthio group having 6 to 24 carbon atoms, such as phenylthio, and a heterocyclic thio group (preferably having 1 to 32 carbon atoms, more preferably a heterocyclic thio group having 1 to 18 carbon atoms, such as 2-benzothiazoli Ruthio, 2-pyridylthio, 1-phenyltetrazolylthio), an alkylsulfinyl group (preferably an alkylsulfinyl group having 1 to 32 carbon atoms, more preferably an alkylsulfinyl group having 1 to 24 carbon atoms, for example, dodecanesulfinyl group), an arylsulfinyl group ( Preferably it has 6 to 32 carbon atoms, more preferably 6 to 24 carbon atoms. An arylsulfonyl group (for example, phenylsulfinyl), an alkylsulfonyl group (preferably an alkylsulfonyl group having 1 to 48 carbon atoms, more preferably 1 to 24 carbon atoms, such as methylsulfonyl, ethylsulfonyl, propylsulfonyl, butylsulfonyl, Isopropylsulfonyl, 2-ethylhexylsulfonyl, hexadecylsulfonyl, octylsulfonyl, cyclohexylsulfonyl), an arylsulfonyl group (preferably an arylsulfonyl group having 6 to 48 carbon atoms, more preferably 6 to 24 carbon atoms, such as phenylsulfonyl, 1-naphthylsulfonyl), a sulfamoyl group (preferably a sulfamoyl group having 32 or less carbon atoms, more preferably 24 or less carbon atoms, such as sulfamoyl, N, N-dipropylsulfa , N-ethyl-N-dodecylsulfamoyl, N-ethyl-N-phenylsulfamoyl, N-cyclohexylsulfamoyl), sulfo group, phosphonyl group (preferably having 1 to 32 carbon atoms, more preferably carbon A phosphonyl group having 1 to 24 carbon atoms, for example, phenoxyphosphonyl, octyloxyphosphonyl, phenylphosphonyl), phosphinoylamino group (preferably having 1 to 32 carbon atoms, more preferably phosphino having 1 to 24 carbon atoms) Ilylamino group includes, for example, diethoxyphosphinoylamino, dioctyloxyphosphinoylamino).

、Rとしてのアリール基が有していてもよい置換基として、好ましくは、直鎖又は分岐鎖アルキル基又はシクロアルキル基(例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−ノルボルニル、1−アダマンチル)、ヒドロキシル基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、1−ブトキシ、2−ブトキシ、イソプロポキシ、t−ブトキシ、ドデシルオキシ、シクロアルキルオキシ基で、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ)、アミノ基(好ましくは炭素数32以下、より好ましくは炭素数24以下のアミノ基で、例えば、アミノ、メチルアミノ、N,N−ジブチルアミノ、テトラデシルアミノ、2−エチルへキシルアミノ、シクロヘキシルアミノ)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜24のアルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニルアミノ、オクタデシルオキシカルボニルアミノ、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ)が挙げられる。 As the substituent which the aryl group as R 1 and R 2 may have, a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group (for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl) is preferable. , Pentyl, hexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, dodecyl, hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 1-norbornyl, 1-adamantyl), hydroxyl group, alkoxy group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably An alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, for example, methoxy, ethoxy, 1-butoxy, 2-butoxy, isopropoxy, t-butoxy, dodecyloxy, cycloalkyloxy groups, for example, cyclopentyloxy, cyclohexyloxy), amino Group (preferably carbon 32 or less, more preferably an amino group having 24 or less carbon atoms, such as amino, methylamino, N, N-dibutylamino, tetradecylamino, 2-ethylhexylamino, cyclohexylamino), an alkoxycarbonylamino group (preferably An alkoxycarbonylamino group having 2 to 48 carbon atoms, more preferably 2 to 24 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino, ethoxycarbonylamino, t-butoxycarbonylamino, octadecyloxycarbonylamino, and cyclohexyloxycarbonylamino). .

、Rとしてのアリール基が有していてもよい置換基として、より好ましくは、直鎖又は分岐鎖アルキル基又はシクロアルキル基(例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−ノルボルニル、1−アダマンチル)、ヒドロキシル基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、1−ブトキシ、2−ブトキシ、イソプロポキシ、t−ブトキシ、ドデシルオキシ、シクロアルキルオキシ基で、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜48、より好ましくは炭素数2〜24のアルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t−ブトキシカルボニルアミノ、オクタデシルオキシカルボニルアミノ、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ)が挙げられる。 As the substituent that the aryl group as R 1 and R 2 may have, a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group (for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t- Butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, dodecyl, hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 1-norbornyl, 1-adamantyl), hydroxyl group, alkoxy group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably Is an alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, 1-butoxy, 2-butoxy, isopropoxy, t-butoxy, dodecyloxy, cycloalkyloxy groups, such as cyclopentyloxy, cyclohexyloxy), Alkoxycarbonyl Mino group (preferably an alkoxycarbonylamino group having 2 to 48 carbon atoms, more preferably 2 to 24 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino, ethoxycarbonylamino, t-butoxycarbonylamino, octadecyloxycarbonylamino, cyclohexyloxycarbonyl Amino).

、Rとしてのアリール基が有していてもよい置換基として、更に好ましくは、直鎖又は分岐鎖アルキル基又はシクロアルキル基(例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−ノルボルニル、1−アダマンチル)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜48、より好ましくは炭素数1〜24のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、1−ブトキシ、2−ブトキシ、イソプロポキシ、t−ブトキシ、ドデシルオキシ、シクロアルキルオキシ基で、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ)が挙げられる。 As the substituent that the aryl group as R 1 and R 2 may have, a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group (for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t- Butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, dodecyl, hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 1-norbornyl, 1-adamantyl), an alkoxy group (preferably having 1 to 48 carbon atoms, more preferably having 1 to 48 carbon atoms) Examples thereof include 1 to 24 alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, 1-butoxy, 2-butoxy, isopropoxy, t-butoxy, dodecyloxy and cycloalkyloxy groups such as cyclopentyloxy and cyclohexyloxy.

上述したように、RとRは連結していてもよく、例えば、単結合又は2価の連結基を介して連結していることが好ましい。2価の連結基としては、例えば、置換又は無置換のアルキレン基、−O−、−S−、−CO−、−N(R)−(式中、Rは水素原子、アルキル基、アルキルカルボニル基又はアルキルオキシカルボニル基を表す)、又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基などが挙げられる。 As described above, R 1 and R 2 may be linked, and are preferably linked via, for example, a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted alkylene group, —O—, —S—, —CO—, —N (R) — (wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkylcarbonyl group). Group or an alkyloxycarbonyl group), or a divalent linking group in which a plurality of these are combined.

及びRは、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。また、RとRは連結していてもよい。 R 3 and R 4 represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group, as described above. These groups may have a substituent. R 3 and R 4 may be linked.

及びRとしてのアルキル基は、好ましくは炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。置換基を有するアルキル基としては、シアノメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。 The alkyl group as R 3 and R 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group, etc. And a branched alkyl group such as isopropyl group, isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-ethylhexyl group. Examples of the alkyl group having a substituent include a cyanomethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a methoxycarbonylmethyl group, and an ethoxycarbonylmethyl group.

また、R及びRとしてのシクロアルキル基は、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などを挙げることができる。 Further, the cycloalkyl group as R 3 and R 4 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring. Specific examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like.

及びRとしてのアリール基は、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。 The aryl group as R 3 and R 4 is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

及びRとしてのアルケニル基は、好ましくは炭素数2〜20のアルケニル基であり、具体的には、上述したR及びRとしてのアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。 The alkenyl group as R 3 and R 4 is preferably an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. Specifically, the alkenyl group has a double bond at any position of the alkyl group as R 3 and R 4 described above. Groups.

これらの基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 Examples of the substituent that these groups may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

また、RとRが互いに連結して形成し得る環構造は、好ましくは5員又は6員の環であり、特に好ましくは6員の環である。 The ring structure that R 3 and R 4 can form together is preferably a 5-membered or 6-membered ring, particularly preferably a 6-membered ring.

又はRは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基又はアリール基であり、RとRが連結していてもよい。
より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基であり、RとRが連結していてもよい。
更に好ましくは、水素原子、アルキル基であり、RとRが連結していてもよい。
R 3 or R 4 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group or an aryl group, and R 3 and R 4 may be linked.
More preferably, they are a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and R 3 and R 4 may be linked.
More preferably, they are a hydrogen atom and an alkyl group, and R 3 and R 4 may be linked.

は、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。また、Rは、RもしくはRと互いに連結して環を形成していてもよい。 R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, an aryl group, or an aralkyl group as described above. These groups may have a substituent. R 5 may be linked to R 3 or R 4 to form a ring.

により表されるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基としては、例えば、上述したR及びRとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、及びアリール基と同様の具体例が挙げられ、これらの基が有してもよい置換基としても同様である。 Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, and aryl group represented by R 5 include the same examples as the alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, and aryl group as R 3 and R 4 described above. The same applies to the substituent that these groups may have.

により表されるアラルキル基としては、例えば、炭素数7〜20のアラルキル基が好ましく、具体的には、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。このアラルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、先に述べたR及びRとしてのアリール基が有してもよい置換基と同様の具体例が挙げられる。 As an aralkyl group represented by R 5 , for example, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms is preferable, and specific examples include a benzyl group and a phenethyl group. Examples of the substituent that the aralkyl group may have include specific examples similar to the substituents that the aryl group as R 1 and R 2 described above may have.

により表されるアルコキシ基は、アルコキシ基におけるアルキル部位が、直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であってもよい。このアルコキシ基の炭素数は、1〜10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が好ましい。 In the alkoxy group represented by R 5 , the alkyl moiety in the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The alkoxy group preferably has 1 to 10 carbon atoms, for example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group. N-pentyloxy group, neopentyloxy group, cyclopentyloxy group, n-hexyloxy group, cyclohexyloxy group, n-heptyloxy group, cycloheptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n -Nonyloxy group, n-decyloxy group, etc. can be mentioned. Of these alkoxy groups, a methoxy group, an ethoxy group, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, and the like are preferable.

また、Rにより表されるアルコキシ基は、アルコキシ基におけるアルキル部位には、例えば、t−ブチル基等の3級アルキル基のように、酸の作用により脱離する基が含まれていてもよい。酸の作用により脱離する基としては、例えば、−C(R11)(R12)(R13)、−C(R11)(R12)(OR14)、−C(R)(R)(OR14)により表される基を挙げることができる。ここで、R11〜R14は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R11とR12とは、互いに結合して環を形成してもよい。R及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。これらの酸の作用により脱離するアルコキシ基のうち、t−ブトキシ基、t−アミロキシ基等が好ましい。 In the alkoxy group represented by R 5 , the alkyl moiety in the alkoxy group may include a group capable of leaving by the action of an acid, such as a tertiary alkyl group such as a t-butyl group. Good. Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include —C (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ), —C (R 11 ) (R 12 ) (OR 14 ), —C (R a ) ( And a group represented by R b ) (OR 14 ). Here, R < 11 > -R < 14 > represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group each independently. R 11 and R 12 may be bonded to each other to form a ring. R a and R b each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group. Of the alkoxy groups eliminated by the action of these acids, t-butoxy groups, t-amyloxy groups, and the like are preferable.

本発明の一態様において、Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基であることが好ましく、アルコキシ基であることが更に好ましい。なお、酸素原子と結合する炭素原子は第1級炭素、第2級炭素、第3級炭素のいずれで有ってもよい。 In one embodiment of the present invention, R 5 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, or an alkoxy group, and more preferably an alkoxy group. Note that the carbon atom bonded to the oxygen atom may be any of primary carbon, secondary carbon, and tertiary carbon.

上述したように、Rは、RもしくはRと連結していてもよく、例えば、連結により5〜7員のラクトン構造を形成していることが好ましい。また、ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していてもよい。 As described above, R 5 may be linked to R 3 or R 4, and for example, it is preferable to form a 5- to 7-membered lactone structure by linkage. In addition, other ring structures may be condensed so as to form a bicyclo structure or a spiro structure in the lactone structure.

以下に、一般式(1)で表される化合物(A)のカチオン構造の好ましい具体例を示す。

Figure 2013178370
Below, the preferable specific example of the cation structure of the compound (A) represented by General formula (1) is shown.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

以下、本発明における化合物(A)の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013178370
Hereinafter, although the specific example of the compound (A) in this invention is shown, it is not limited to these.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

本発明の組成物において、化合物(A)は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
化合物(A)の組成物中の含有率は、組成物中の全固形分を基準として、0.1〜10質量%が好ましく、0.5〜9質量%がより好ましく、1〜8質量%が特に好ましい。
In the composition of this invention, a compound (A) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the compound (A) in the composition is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 9% by mass, and 1 to 8% by mass based on the total solid content in the composition. Is particularly preferred.

化合物(A)は、市販品を用いることもできるし、公知の方法で合成することも出来る。   Compound (A) may be a commercially available product or may be synthesized by a known method.

次に、本発明の化合物(A)及びそれ以外の成分について説明する。
前記化合物(A)は、前述のとおり露光部では活性光線又は放射線の露光により分解し酸を発生するが、分子内に存在する塩基性基が該酸のプロトンを捕捉することで中和されることを特徴とする化合物であり、露光部においても化合物(A)からは実質的に酸は発生しない(化学増幅作用に寄与しない)ことになる。また、化合物(A)は露光部において塩基性(プロトン捕捉能)が低下又は消失するので、このような機能を有さない塩基性化合物を使用する場合と比較して酸分解反応を行うための酸が捕捉されない。これにより、露光部において酸と樹脂との意図する反応をより確実に進行させることができる。従って、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は感度の面で酸発生剤(C)を含有する化学増幅型のレジスト組成物であることが好ましい。また、本発明の組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)を含有するポジ型レジスト組成物であることが好ましい。
Next, the compound (A) of the present invention and other components will be described.
As described above, the compound (A) decomposes upon exposure to actinic rays or radiation to generate an acid in the exposed portion, but is neutralized by capturing a proton of the acid by a basic group present in the molecule. In the exposed portion, the compound (A) does not substantially generate an acid (does not contribute to the chemical amplification action). In addition, since the basicity (proton capturing ability) of the compound (A) is reduced or disappears in the exposed area, the acid decomposition reaction is performed as compared with the case of using a basic compound having no such function. Acid is not trapped. As a result, the intended reaction between the acid and the resin can proceed more reliably in the exposed area. Therefore, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified resist composition containing an acid generator (C) in terms of sensitivity. The composition of the present invention is preferably a positive resist composition containing a resin (B) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid.

[2]酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂(B)」などともいう)を含有する。
[2] Resin (B) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is a resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid (hereinafter also referred to as “acid-decomposable resin” or “resin (B)”). Containing.

酸分解性樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する。
樹脂(B)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
The acid-decomposable resin is a group capable of decomposing under the action of an acid into an alkali-soluble group (hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”) on the main chain or side chain of the resin, or both of the main chain and side chain. Have
The resin (B) is preferably insoluble or hardly soluble in an alkali developer.

酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
The acid-decomposable group preferably has a structure protected with a group capable of decomposing and leaving an alkali-soluble group by the action of an acid.
Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基)、スルホン酸基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol groups), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
A preferable group as the acid-decomposable group is a group in which the hydrogen atom of these alkali-soluble groups is substituted with a group capable of leaving with an acid.
As the acid eliminable group, there can be, for example, -C (R 36) (R 37) (R 38), - C (R 36) (R 37) (OR 39), - C (R 01) (R 02 ) (OR 39 ) and the like.
In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。   The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.

樹脂(B)が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。

Figure 2013178370
The repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (B) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (AI).
Figure 2013178370

一般式(AI)に於いて、
Xaは、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xaは好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
In general formula (AI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group which may have a substituent, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxy group or a monovalent organic group, and examples of the monovalent organic group include an alkyl group having 5 or less carbon atoms and an acyl group having 5 or less carbon atoms, preferably 3 or less carbon atoms. And more preferably a methyl group. Xa 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.

Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx〜Rxの2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
Two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).

Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH−基、−(CH−基、−(CH−基がより好ましい。
Rx〜Rxのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group, — (CH 2 ) 2 — group, or — (CH 2 ) 3 — group.
Examples of the alkyl group rx 1 to Rx 3, methyl, ethyl, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, an isobutyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as t- butyl group.

Rx〜Rxのシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx〜Rxの少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rxがメチル基又はエチル基であり、RxとRxとが結合して上述のシクロアル
キル基を形成している態様が好ましい。
Examples of the cycloalkyl group represented by Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. Groups are preferred.
Examples of the cycloalkyl group formed by combining at least two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, A polycyclic cycloalkyl group such as an adamantyl group is preferred. A monocyclic cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms is particularly preferable.
An embodiment in which Rx 1 is a methyl group or an ethyl group, and Rx 2 and Rx 3 are bonded to form the above-described cycloalkyl group is preferable.

上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。   Each of the above groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, An alkoxycarbonyl group (C2-C6) etc. are mentioned, C8 or less is preferable.

酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20〜70mol%が好ましく、より好ましくは30〜50mol%である。   The total content of repeating units having an acid-decomposable group is preferably from 20 to 70 mol%, more preferably from 30 to 50 mol%, based on all repeating units in the resin.

酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。   Although the preferable specific example of the repeating unit which has an acid-decomposable group is shown below, this invention is not limited to this.

具体例中、Rx、Xaは、水素原子、CH、CF、又はCHOHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式(II−1)におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。

Figure 2013178370
In specific examples, Rx and Xa 1 represent a hydrogen atom, CH 3 , CF 3 , or CH 2 OH. Rxa and Rxb each represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Z represents a substituent containing a polar group, and when there are a plurality of Z, the plurality of Z may be the same as or different from each other. p represents 0 or a positive integer. Specific examples and preferred examples of Z are the same as the specific examples and preferred examples of R 10 in formula (II-1) described later.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

樹脂(B)は、一般式(AI)で表される繰り返し単位として、一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。

Figure 2013178370
The resin (B) is a resin having at least one of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferably.
Figure 2013178370

式(I)及び(II)中、
及びRは、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは水酸基又は1価の有機基を表す。
、R、R、Rは、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
In formulas (I) and (II),
R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted methyl group, or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxyl group or a monovalent organic group.
R 2 , R 4 , R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom.

及びRは、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Rにおける1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式(AI)のRで記載したものと同様である。 R 1 and R 3 preferably represent a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group. Specific examples and preferred examples of the monovalent organic group in R 9 are the same as those described for R 9 in formula (AI).

におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。
におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。
は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のものであり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。
The alkyl group in R 2 may be linear or branched, and may have a substituent.
The cycloalkyl group in R 2 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent.
R 2 is preferably an alkyl group, more preferably 1 to 10 carbon atoms, still more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group and an ethyl group.

Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3〜7、より好ましくは5又は6である。   R represents an atomic group necessary for forming an alicyclic structure together with a carbon atom. The alicyclic structure formed by R together with the carbon atom is preferably a monocyclic alicyclic structure, and the carbon number thereof is preferably 3 to 7, more preferably 5 or 6.

は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。 R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.

、R、Rにおけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group in R 4 , R 5 , and R 6 may be linear or branched and may have a substituent. As the alkyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and t-butyl group are preferable.

、R、Rにおけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。 The cycloalkyl group in R 4 , R 5 and R 6 may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent. The cycloalkyl group is preferably a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group.

一般式(I)により表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式(1−a)により表される繰り返し単位が挙げられる。

Figure 2013178370
As a repeating unit represented by general formula (I), the repeating unit represented by the following general formula (1-a) is mentioned, for example.
Figure 2013178370

式中、R及びRは、一般式(I)における各々と同義である。 In the formula, R 1 and R 2 have the same meanings as those in formula (I).

一般式(II)で表される繰り返し単位が、以下の一般式(II−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2013178370
The repeating unit represented by the general formula (II) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (II-1).
Figure 2013178370

式(II−1)中、
〜Rは、それぞれ、一般式(II)におけるものと同義である。
10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。
pは0〜15の整数を表す。pは好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
In formula (II-1),
R 3 to R 5 are respectively synonymous with those in the general formula (II).
R 10 represents a substituent containing a polar group. When a plurality of R 10 are present, they may be the same as or different from each other. Examples of the substituent containing a polar group include a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, an alkylamide group or a sulfonamide group itself, or a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having at least one of them. An alkyl group having a hydroxyl group is preferable. More preferably, it is a branched alkyl group having a hydroxyl group. As the branched alkyl group, an isopropyl group is particularly preferable.
p represents an integer of 0 to 15. p is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

酸分解性樹脂は、一般式(AI)により表される繰り返し単位として、一般式(I)により表される繰り返し単位及び一般式(II)により表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式(AI)により表される繰り返し単位として、一般式(I)により表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。   The acid-decomposable resin is a resin containing at least one of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (II) as the repeating unit represented by the general formula (AI). More preferably. In another embodiment, a resin containing at least two kinds of repeating units represented by the general formula (I) as the repeating unit represented by the general formula (AI) is more preferable.

樹脂(B)が酸分解性基を有する繰り返し単位は1種であってもよいし2種以上を併用していてもよい。併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。

Figure 2013178370
The resin (B) may have one type of repeating unit having an acid-decomposable group, or two or more types may be used in combination. Preferred examples of the combination used are as follows. In the following formula, each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
Figure 2013178370

樹脂(B)は、更に、ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。ラクトン構造又はスルトン構造としては、好ましくは5〜7員環のラクトン構造又はスルトン構造であり、5〜7員環のラクトン構造又はスルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)のいずれかで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−8)であり、より好ましくは(LC1−4)である。特定のラクトン構造又はスルトン構造を用いることで基板密着性、LWR、現像欠陥などが良好になる。

Figure 2013178370
The resin (B) preferably further contains a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure. The lactone structure or sultone structure is preferably a 5- to 7-membered lactone structure or sultone structure, and other ring structures in the form of forming a bicyclo structure or a spiro structure in the 5- to 7-membered lactone structure or sultone structure. Is preferably a condensed ring. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17), (SL1-1) and (SL1-2). A lactone structure or a sultone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-8), and more preferably (LC1-4). By using a specific lactone structure or sultone structure, substrate adhesion, LWR, development defects, and the like are improved.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基(Rb)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb)同士が結合して環を形成してもよい。
樹脂(B)は、一形態において、ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式(AII’)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013178370
The lactone structure portion or the sultone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .
In one embodiment, the resin (B) preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (AII ′) as a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure.
Figure 2013178370

一般式(AII’)中、
Rbは、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rbのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rbのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rbとしては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII ′),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferable substituents that the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Rb 0 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Vは、ラクトン構造又はスルトン構造を含む1価の有機基を表す。好ましくは先に示した一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
一般式(AII’)で表されるラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
下記式中、Meはメチル基を表す。

Figure 2013178370
V represents a monovalent organic group containing a lactone structure or a sultone structure. Preferably, it represents a group having a structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-17), (SL1-1) and (SL1-2) shown above.
Specific examples of the repeating unit having a lactone group or a sultone group represented by the general formula (AII ′) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In the following formulae, Me represents a methyl group.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

特に好ましい一般式(AII’)で表されるラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基又はスルトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。

Figure 2013178370
As the particularly preferred repeating unit having a lactone group or sultone group represented by the general formula (AII ′), the following repeating units may be mentioned. By selecting an optimal lactone group or sultone group, the pattern profile and the density dependency are improved.
Figure 2013178370

樹脂(B)は、他の形態において、ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式(III)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013178370
In another embodiment, the resin (B) preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (III) as a repeating unit having a lactone structure or a sultone structure.
Figure 2013178370

式(III)中、
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合

Figure 2013178370
In formula (III),
A represents an ester bond (a group represented by —COO—) or an amide bond (a group represented by —CONH—).
R 0 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or a combination thereof independently when there are a plurality of R 0 .
When there are a plurality of Zs, each independently represents an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond.
Figure 2013178370

又はウレア結合

Figure 2013178370
Or urea bond
Figure 2013178370

を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。 Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。 R 8 represents a monovalent organic group having a lactone structure or a sultone structure.

nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表し、1であることが好ましい。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
n is the repeating number of the structure represented by —R 0 —Z—, represents an integer of 1 to 5, and is preferably 1.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.
The alkylene group and cycloalkylene group represented by R 0 may have a substituent.
Z is preferably an ether bond or an ester bond, and particularly preferably an ester bond.

のアルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rのアルキレン基、シクロアルキレン基、Rにおけるアルキル基は、各々、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチル基、プロピオニル基等のアシル基、アセトキシ基が挙げられる。Rは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。 The alkyl group for R 7 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. The alkylene group of R 0 , the cycloalkylene group, and the alkyl group in R 7 may each be substituted. Examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom, a mercapto group, and a hydroxy group. Group, methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group, alkoxy group such as benzyloxy group, acyl group such as acetyl group and propionyl group, and acetoxy group. R 7 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1〜10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1〜5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数3〜20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。 Preferable chain alkylene group in R 0 is preferably a chain alkylene having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. Preferred cycloalkylene is cycloalkylene having 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include cyclohexylene, cyclopentylene, norbornylene, adamantylene and the like. In order to exhibit the effect of the present invention, a chain alkylene group is more preferable, and a methylene group is particularly preferable.

で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する置換基は、ラクトン構造又はスルトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として前述の一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)で表されるラクトン構造又はスルトン構造が挙げられ、これらのうち(LC1−4)で表される構造が特に好ましい。また、(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)におけるnは2以下のものがより好ましい。 The substituent having a lactone structure or sultone structure represented by R 8 is not limited as long as it has a lactone structure or sultone structure. As specific examples, the general formulas (LC1-1) to (LC1) described above are used. -17), lactone structures or sultone structures represented by (SL1-1) and (SL1-2) can be mentioned, and among these, the structure represented by (LC1-4) is particularly preferable. Further, n 2 in (LC1-1) to (LC1-17), (SL1-1) and (SL1-2) is more preferably 2 or less.

また、Rは無置換のラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)又はスルトン構造(シアノスルトン)を有する1価の有機基がより好ましい。 R 8 is preferably a monovalent organic group having an unsubstituted lactone structure or sultone structure, or a monovalent organic group having a lactone structure or sultone structure having a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group as a substituent. A monovalent organic group having a lactone structure (cyanolactone) or a sultone structure (cyanosultone) having a cyano group as a substituent is more preferable.

以下に一般式(III)で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。

Figure 2013178370
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure or a sultone structure represented by the general formula (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.
Figure 2013178370

一般式(III)で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(III−1)又は(III−1’)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 2013178370
As the repeating unit having a lactone structure or a sultone structure represented by the general formula (III), a repeating unit represented by the following general formula (III-1) or (III-1 ′) is more preferable.
Figure 2013178370

一般式(III−1)及び(III−1’)に於いて、
、A、R、Z及びnは、上記一般式(III)と同義である。
In general formulas (III-1) and (III-1 ′),
R 7 , A, R 0 , Z and n have the same meaning as in the general formula (III).

’、A’、R’、Z’及びn’は、上記一般式(III)におけるR、A、R、Z及びnとそれぞれ同義である。 R 7 ′, A ′, R 0 ′, Z ′ and n ′ have the same meanings as R 7 , A, R 0 , Z and n in the general formula (III), respectively.

は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのRが結合し、環を形成していてもよい。 R 9 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group when there are a plurality of R 9 s, and when there are a plurality of R 9 s , May be formed.

’は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR’が結合し、環を形成していてもよい。 R 9 ′ independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group, and when there are a plurality of R 9 ′, two R 9 ′ are bonded to each other. , May form a ring.

X及びX’は、それぞれ独立にアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
m及びm’は、それぞれ独立に置換基数であって、0〜5の整数を表す。m及びm’はそれぞれ独立に0又は1であることが好ましい。
X and X ′ each independently represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
m and m ′ each independently represents the number of substituents and represents an integer of 0 to 5. m and m ′ are preferably each independently 0 or 1.

及びR’のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R及びR’はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。 The alkyl group for R 9 and R 9 ′ is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, and a butoxy group. These groups may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group such as a hydroxy group, a methoxy group, and an ethoxy group, and a halogen atom such as a cyano group and a fluorine atom. R 9 and R 9 ′ are more preferably a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and even more preferably a cyano group.

X及びX’のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。X及びX’は酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。   Examples of the alkylene group for X and X ′ include a methylene group and an ethylene group. X and X ′ are preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

m及びm’が1以上である場合、少なくとも1つのR及びR’はラクトンのカルボニル基、又はスルトンのスルホニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。 When m and m ′ are 1 or more, at least one of R 9 and R 9 ′ is preferably substituted at the α-position or β-position of the carbonyl group of the lactone or the sulfonyl group of sultone, particularly substituted at the α-position. It is preferable.

一般式(III−1)又は(III−1’)で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。

Figure 2013178370
Although the specific example of the repeating unit which has group which has lactone structure or sultone structure represented by general formula (III-1) or (III-1 ') is shown, this invention is not limited to this. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or an acetoxymethyl group.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90%以上のものが好ましく、より好ましくは95%以上である。   The repeating unit having a lactone group or a sultone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.

本発明の効果を高めるために、ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位を2種以上併用することも可能である。この場合、一般式(III)から選ばれる2種以上のラクトン又はスルトン繰り返し単位を併用することが好ましく、特に、一般式(III)の内、nが1であるラクトン又はスルトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。   In order to enhance the effect of the present invention, two or more repeating units having a lactone group or a sultone group may be used in combination. In this case, it is preferable to use two or more kinds of lactone or sultone repeating units selected from general formula (III) in combination, and in particular, two kinds of lactone or sultone repeating units in which n is 1 in general formula (III). The above is preferably selected and used in combination.

ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜60mol%、更に好ましくは30〜60mol%である。   The content of the repeating unit having a lactone structure or a sultone structure is preferably 15 to 60 mol%, more preferably 20 to 60 mol%, based on all repeating units in the resin (B) in the case where a plurality of types are contained. More preferably, it is 30-60 mol%.

樹脂(B)は、一般式(AI)及び(III)以外の繰り返し単位であって、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。

Figure 2013178370
The resin (B) is a repeating unit other than the general formulas (AI) and (III), and preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group. This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.
Figure 2013178370

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
c〜Rcは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Rc〜Rcの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Rc〜Rcの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、Rc〜Rcの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013178370
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 2013178370

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、
cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
In the general formulas (AIIa) to (AIId),
R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

c〜Rcは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、Rc〜Rcと同義である。 R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。   The content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (B).

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013178370
Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013178370

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂(B)は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   The resin (B) used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may have a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bissulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron-withdrawing group at the α-position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain. Both are preferable, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、0〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH,CH,CHOH,又はCFを表す。

Figure 2013178370
As for the content rate of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 0-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (B), More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2013178370

本発明の樹脂(B)は、更に極性基(例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等)を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。

Figure 2013178370
The resin (B) of the present invention further has an alicyclic hydrocarbon structure that does not have a polar group (for example, the alkali-soluble group, hydroxyl group, cyano group, etc.) and has a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. it can. Examples of such a repeating unit include a repeating unit represented by the general formula (IV).
Figure 2013178370

一般式(IV)中、Rは少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素
原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic structure and having no polar group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The cyclic structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. Preferable monocyclic hydrocarbon groups are monocyclic hydrocarbon groups having 3 to 7 carbon atoms, and more preferable examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。 The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。 Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していてもよく、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent. Preferred examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom. It is done. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The alkyl group described above may further have a substituent, and examples of the substituent that may further include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom. The group can be mentioned.

上記水素原子が置換された基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the group in which the hydrogen atom is substituted include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

樹脂(B)は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有率は、樹脂(B)中の全繰り返し単位に対し、1〜40モル%が好ましく、より好ましくは2〜20モル%である。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。

Figure 2013178370
The resin (B) has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group, and may or may not contain a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. The content of is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 2 to 20 mol%, based on all repeating units in the resin (B).
Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2013178370

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   Resin (B) used in the composition of the present invention has, in addition to the above repeating structural units, dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and resolving power which is a general necessary characteristic of resist. It can have various repeating structural units for the purpose of adjusting heat resistance, sensitivity and the like.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着性、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。   Thereby, performance required for the resin used in the composition of the present invention, in particular, (1) solubility in coating solvent, (2) film-forming property (glass transition point), (3) alkali developability, (4 Fine adjustments such as () film slippage (selection of hydrophilicity / hydrophobicity, alkali-soluble group), (5) adhesion of unexposed part to substrate, (6) dry etching resistance, etc. are possible.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (B) used in the composition of the present invention, the molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general resist performance required. It is appropriately set to adjust the resolving power, heat resistance, sensitivity and the like.

本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂(B)は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂(B)の全繰り返し中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の5モル%以下であることが好ましく、3モル%以下であることがより好ましく、理想的には0モル%、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。
また、樹脂(B)は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。
なお、樹脂(B)は、後述する疎水性樹脂(HR)との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。
When the composition of the present invention is used for ArF exposure, the resin (B) used in the composition of the present invention preferably has substantially no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light. . More specifically, the repeating unit having an aromatic group is preferably 5% by mole or less, more preferably 3% by mole or less, and more preferably 3% by mole or less of the entire repeating unit of the resin (B). More preferably, it is 0 mol%, that is, it does not have a repeating unit having an aromatic group.
The resin (B) preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure.
In addition, it is preferable that resin (B) does not contain a fluorine atom and a silicon atom from a compatible viewpoint with the hydrophobic resin (HR) mentioned later.

本発明の組成物に用いられる樹脂(B)として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、ラクトン基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20〜50モル%、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位5〜30モル%、更にその他の(メタ)アクリレート系繰り返し単位を0〜20モル%含む共重合ポリマーも好ましい。   The resin (B) used in the composition of the present invention is preferably one in which all of the repeating units are composed of (meth) acrylate-based repeating units. In this case, all of the repeating units are methacrylate repeating units, all of the repeating units are acrylate repeating units, or all of the repeating units are methacrylate repeating units and acrylate repeating units. Although it can be used, the acrylate-based repeating unit is preferably 50 mol% or less of the total repeating units. Moreover, the alicyclic hydrocarbon substituted by the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has an acid-decomposable group, the (meth) acrylate type repeating unit 20-50 mol% which has a lactone group, and a hydroxyl group or a cyano group. A copolymer containing 5 to 30 mol% of a (meth) acrylate-based repeating unit having a structure and further containing 0 to 20 mol% of another (meth) acrylate-based repeating unit is also preferred.

本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線(EUVなど)を照射する場合には、樹脂(B)は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。   When the composition of the present invention is irradiated with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray, high energy light beam (EUV, etc.) having a wavelength of 50 nm or less, the resin (B) further has a hydroxystyrene-based repeating unit. It is preferable. More preferably, it has a hydroxystyrene-based repeating unit, a hydroxystyrene-based repeating unit protected with an acid-decomposable group, and an acid-decomposable repeating unit such as a (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester.

ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t−ブトキシカルボニルオキシスチレン、1−アルコキシエトキシスチレン、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート及びジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。   Examples of the repeating unit having a preferred acid-decomposable group based on hydroxystyrene include, for example, t-butoxycarbonyloxystyrene, 1-alkoxyethoxystyrene, a repeating unit of (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester, and the like. More preferred are repeating units of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

本発明における樹脂(B)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   The resin (B) in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C.

本発明の樹脂(B)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜20,000、更により好ましくは3,000〜15,000、特に好ましくは3,000〜12,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。   The weight average molecular weight of the resin (B) of the present invention is preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 20,000, still more preferably 3, as a polystyrene conversion value by GPC method. 000 to 15,000, particularly preferably 3,000 to 12,000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.

分散度(分子量分布)は、通常1.0〜3.0であり、好ましくは1.0〜2.6、更に好ましくは1.0〜2.0、特に好ましくは1.4〜2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (molecular weight distribution) is usually 1.0 to 3.0, preferably 1.0 to 2.6, more preferably 1.0 to 2.0, and particularly preferably 1.4 to 2.0. Those in the range are used. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

本発明において樹脂(B)の組成物全体中の含有率は、全固形分中30〜99質量%が好ましく、より好ましくは60〜95質量%である。
また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
In the present invention, the content of the resin (B) in the entire composition is preferably from 30 to 99 mass%, more preferably from 60 to 95 mass%, based on the total solid content.
In addition, the resins of the present invention may be used alone or in combination.

なお、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明における樹脂(B)以外の他の樹脂を併用してもよい。本発明における樹脂(B)以外の他の樹脂としては、前述した樹脂(B)が含有しうる繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。   In addition, you may use other resin other than resin (B) in this invention in the range which does not impair the effect of this invention. Examples of the resin other than the resin (B) in the present invention include an acid-decomposable resin that may contain a repeating unit that can be contained in the resin (B), and other known acid-decomposable resins. be able to.

[3]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」又は「化合物(C)」ともいう)を更に含有することが好ましい。化合物(C)は前述の化合物(A)とは異なるものである。
[3] Compound (C) that generates acid upon irradiation with active light or radiation
The composition of the present invention preferably further contains a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (hereinafter also referred to as “acid generator” or “compound (C)”). Compound (C) is different from the aforementioned compound (A).

酸発生剤としては、公知のものであれば特に限定されないが、好ましくは下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。

Figure 2013178370
Although it will not specifically limit as an acid generator if it is a well-known thing, Preferably the compound represented by the following general formula (ZI), (ZII), (ZIII) can be mentioned.
Figure 2013178370

一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
In general formula (ZI):
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1 to 20.

また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。 Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include an alkylene group (eg, butylene group, pentylene group).

なお、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。
In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, at least one of R 201 to R 203 of the compound represented by the general formula (ZI) is a single bond or at least one of R 201 to R 203 of another compound represented by the general formula (ZI) It may be a compound having a structure bonded through a linking group.
Z represents a non-nucleophilic anion (an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction).

としては、例えば、スルホン酸アニオン(脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど)、カルボン酸アニオン(脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど)、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げられる。 Examples of Z include a sulfonate anion (an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, a camphor sulfonate anion, etc.), a carboxylate anion (an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, an aralkyl carboxylate anion). Etc.), sulfonylimide anion, bis (alkylsulfonyl) imide anion, tris (alkylsulfonyl) methide anion and the like.

脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基が挙げられる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion and the aliphatic carboxylate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a carbon number. 3-30 cycloalkyl groups are mentioned.

芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion and aromatic carboxylate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group mentioned above may have a substituent. Specific examples thereof include nitro groups, halogen atoms such as fluorine atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, cyano groups, alkoxy groups (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl groups (preferably having 3 to 15 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 7), an alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkylsulfonyl group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkyliminosulfonyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), an aryloxysulfonyl group (preferably carbon) Number 6-20), alkylaryloxysulfonyl group (preferably C7-20), cycloalkylary Examples thereof include an oxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), an alkyloxyalkyloxy group (preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. . About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylbutyl group.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methide anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. A fluorine atom or an alkyl group substituted with a fluorine atom is preferred.

その他のZとしては、例えば、弗素化燐(例えば、PF )、弗素化硼素(例えば、BF )、弗素化アンチモン(例えば、SbF )等を挙げることができる。 Examples of other Z include fluorinated phosphorus (for example, PF 6 ), fluorinated boron (for example, BF 4 ), fluorinated antimony (for example, SbF 6 ), and the like.

としては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン(更に好ましくは炭素数4〜8)、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。 Z - The at least α-position by an aliphatic sulfonate anion substituted with a fluorine atom, a fluorine atom or a fluorine atom is substituted with a group having a aromatic sulfonate anion of a sulfonic acid, an alkyl group substituted with a fluorine atom Bis (alkylsulfonyl) imide anions and tris (alkylsulfonyl) methide anions in which the alkyl group is substituted with a fluorine atom are preferred. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonate anion (more preferably 4 to 8 carbon atoms), a benzenesulfonate anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonate anion, or perfluorooctane. A sulfonate anion, a pentafluorobenzenesulfonate anion, and a 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonate anion.

酸強度の観点からは、発生酸のpKaが−1以下であることが、感度向上のために好ましい。   From the viewpoint of acid strength, the pKa of the generated acid is preferably −1 or less in order to improve sensitivity.

201、R202及びR203の有機基としては、アリール基(炭素数6〜15が好ましい)、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜10が好ましい)、シクロアルキル基(炭素数3〜15が好ましい)などが挙げられる。 Examples of the organic group for R 201 , R 202 and R 203 include an aryl group (preferably having 6 to 15 carbon atoms), a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms), and a cycloalkyl group (having 3 carbon atoms). ~ 15 are preferred).

201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。 Of R 201 , R 202 and R 203 , at least one is preferably an aryl group, more preferably all three are aryl groups. As the aryl group, in addition to a phenyl group, a naphthyl group, and the like, a heteroaryl group such as an indole residue and a pyrrole residue can be used.

201、R202及びR203としてのこれらアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 These aryl groups, alkyl groups and cycloalkyl groups as R 201 , R 202 and R 203 may further have a substituent. Examples of the substituent include halogen atoms such as nitro groups and fluorine atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, cyano groups, alkoxy groups (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl groups (preferably having 3 to 15 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 7) and the like, but are not limited thereto.

また、R201、R202及びR203から選ばれる2つが、単結合又は連結基を介して結合していてもよい。連結基としてはアルキレン基(炭素数1〜3が好ましい)、−O−,−S−,−CO−,−SO−などがあげられるが、これらに限定されるものではない。 Two selected from R 201 , R 202 and R 203 may be bonded via a single bond or a linking group. Examples of the linking group include an alkylene group (preferably having 1 to 3 carbon atoms), —O—, —S—, —CO—, —SO 2 — and the like, but are not limited thereto.

201、R202及びR203のうち少なくとも1つがアリール基でない場合の好ましい構造としては、特開2004−233661号公報の段落0046,0047、特開2003−35948号公報の段落0040〜0046、米国特許出願公開第2003/0224288A1号明細書に式(I−1)〜(I−70)として例示されている化合物、米国特許出願公開第2003/0077540A1号明細書に式(IA−1)〜(IA−54)、式(IB−1)〜(IB−24)として例示されている化合物等のカチオン構造を挙げることができる。 Preferred structures when at least one of R 201 , R 202 and R 203 is not an aryl group include paragraphs 0046 and 0047 of JP-A-2004-233661, paragraphs 0040 to 0046 of JP-A-2003-35948, US Compounds exemplified as formulas (I-1) to (I-70) in Patent Publication No. 2003 / 0224288A1, and Formulas (IA-1) to (I) in U.S. Patent Publication No. 2003 / 0077540A1 IA-54) and cation structures such as compounds exemplified as formulas (IB-1) to (IB-24).

特に、R201、R202及びR203のうち少なくとも1つがアリール基でない場合、特に、以下の(1)又は(2)の態様が好ましい。 In particular, when at least one of R 201 , R 202 and R 203 is not an aryl group, the following aspect (1) or (2) is particularly preferable.

(1)R201、R202及びR203のうち少なくとも1つが、Ar−CO−X−で表される構造であり、残りの基が、直鎖若しくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基である場合。このとき、残りの基が2つの場合、2つの直鎖若しくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。 (1) At least one of R 201 , R 202 and R 203 has a structure represented by Ar—CO—X—, and the remaining group is a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. If. At this time, when there are two remaining groups, two linear or branched alkyl groups or cycloalkyl groups may be bonded to each other to form a ring structure.

ここで、Arは置換基を有していてもよいアリール基を表し、具体的には、R201、R202及びR203としてのアリール基と同様である。好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基である。 Here, Ar represents an aryl group which may have a substituent, and is specifically the same as the aryl group as R 201 , R 202 and R 203 . A phenyl group which may have a substituent is preferable.

Xは置換基を有してもよいアルキレン基を表す。具体的には、炭素数1〜6のアルキレン基である。好ましくは炭素数1〜3の直鎖構造又は分岐構造のアルキレン基である。   X represents an alkylene group which may have a substituent. Specifically, it is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Preferably it is a C1-C3 linear or branched alkylene group.

残りの直鎖若しくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基は、好ましくは炭素数1〜6である。これら原子団は更に置換基を有していてもよい。また、残りの基が2つの場合、互いに結合して環構造(好ましくは5〜7員環)を形成していていることが好ましい。   The remaining linear or branched alkyl group or cycloalkyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms. These atomic groups may further have a substituent. Moreover, when the remaining groups are two, it is preferable that they are bonded to each other to form a ring structure (preferably a 5- to 7-membered ring).

(2)R201、R202及びR203のうち1つ又は2つが、置換基を有していてもよいアリール基であり、残りの基が直鎖若しくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基である場合。 (2) One or two of R 201 , R 202 and R 203 are an aryl group which may have a substituent, and the remaining group is a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group If there is.

このとき、上記アリール基としては、具体的には、R201、R202及びR203としてのアリール基と同様であり、フェニル基又はナフチル基が好ましい。また、アリール基は、水酸基、アルコキシ基、アルキル基のいずれかを置換基として有することが好ましい。置換基としより好ましくは炭素数1〜12のアルコキシ基、更に好ましくは炭素数1〜6のアルコキシ基である。 In this case, the aryl group is specifically the same as the aryl group as R 201 , R 202 and R 203 , and is preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group preferably has any one of a hydroxyl group, an alkoxy group, and an alkyl group as a substituent. More preferably, it is a C1-C12 alkoxy group as a substituent, More preferably, it is a C1-C6 alkoxy group.

残りの直鎖若しくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基は、好ましくは炭素数1〜6である。これら原子団は更に置換基を有していてもよい。また、残りの基が2つの場合、2つが互いに結合して環構造を形成していてもよい。   The remaining linear or branched alkyl group or cycloalkyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms. These atomic groups may further have a substituent. When the remaining groups are two, the two may be bonded to each other to form a ring structure.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−3)及び(ZI−4)を挙げることができる。   More preferable examples of the (ZI) component include compounds (ZI-3) and (ZI-4) described below.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

Figure 2013178370
The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.
Figure 2013178370

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c are each independently a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkoxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, cycloalkylcarbonyloxy group, halogen atom, hydroxyl group Represents a nitro group, an alkylthio group or an arylthio group.

6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。 R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an aryl group.

及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。 R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.

1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとR、及びRとRは、それぞれ結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。 Any two or more of R 1c to R 5c , R 5c and R 6c , R 6c and R 7c , R 5c and R x , and R x and R y may be bonded to form a ring structure. In addition, this ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, a ketone group, an ester bond, or an amide bond.

上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3〜10員環を挙げることができる。   Examples of the ring structure include an aromatic or non-aromatic hydrocarbon ring, an aromatic or non-aromatic heterocycle, or a polycyclic fused ring formed by combining two or more of these rings. Examples of the ring structure include 3 to 10 membered rings.

Zcは、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZと同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Zc - represents a non-nucleophilic anion, in the general formula (ZI) Z - and include the same non-nucleophilic anion.

1c〜R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個の直鎖又は分岐アルキル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜10個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。 The alkyl group as R 1c to R 7c may be either linear or branched, and examples thereof include linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Examples of cycloalkyl groups include Examples thereof include a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group).

1c〜R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5〜15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。 The aryl group as R 1c to R 5c preferably has 5 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10の直鎖及び分岐アルコキシ基、炭素数3〜10の環状アルコキシ基を挙げることができる。 The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include linear and branched alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms and cyclic alkoxy groups having 3 to 10 carbon atoms. be able to.

1c〜R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。 Specific examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonyl group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the alkoxy group of R 1c to R 5c.

1c〜R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。 Specific examples of the alkyl group in the alkylcarbonyloxy group and alkylthio group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the alkyl group of R 1c to R 5c.

1c〜R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。 Specific examples of the cycloalkyl group in the cycloalkyl carbonyl group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the cycloalkyl group of R 1c to R 5c.

1c〜R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c〜R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。 Specific examples of the aryl group in the aryloxy group and arylthio group as R 1c to R 5c are the same as specific examples of the aryl group of R 1c to R 5c.

好ましくは、R1c〜R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基である。 Preferably, any of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group.

1c〜R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環が挙げられる。 The ring structure that any two or more of R 1c to R 5c may be bonded to each other is preferably a 5-membered or 6-membered ring.

5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基(メチレン基、エチレン基等)を構成することにより、一般式(ZI−3)中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環(特に好ましくは5〜6員の環)が挙げられる。 The ring structure which may be formed by R 5c and R 6c are bonded to each other, bonded R 5c and R 6c are each other a single bond or an alkylene group (methylene group, ethylene group, etc.) by configuring the generally Examples thereof include a carbonyl carbon atom in formula (ZI-3) and a 4-membered ring (particularly preferably a 5- to 6-membered ring) formed together with the carbon atom.

6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5〜15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。 The aryl group as R 6c and R 7c preferably has 5 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。 As an aspect of R 6c and R 7c , it is preferable that both of them are alkyl groups.

また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。 The ring formed by combining R 6c and R 7c may have a hetero atom such as an oxygen atom in the ring.

及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl group and cycloalkyl group as in R 1c to R 7c .

及びRとしての2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。 Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group as R x and R y include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group and cycloalkyl group as R 1c to R 7c. .

及びRとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1〜12の直鎖のアルキル基を挙げることができる。 As for the alkoxy group in the alkoxycarbonylalkyl group as R x and R y , the same alkoxy group as in R 1c to R 5c can be exemplified, and the alkyl group is, for example, a linear chain having 1 to 12 carbon atoms. An alkyl group can be mentioned.

及びRとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。 The allyl group as R x and R y is not particularly limited, but is preferably an unsubstituted allyl group or an allyl group substituted with a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.

及びRとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。 The vinyl group as R x and R y is not particularly limited, but is preferably an unsubstituted vinyl group or a vinyl group substituted with a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.

5c及びRが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRが互いに結合して単結合又はアルキレン基を構成することにより、一般式(ZI−3)中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環(特に好ましくは5員の環)が挙げられる。 The ring structure which may be formed by R 5c and R x are bonded to each other by R 5c and R x constitutes a bond to a single bond or an alkylene group with one another, formula (ZI-3) in the Examples thereof include a 5-membered ring (particularly preferably a 5-membered ring) formed with a sulfur atom and a carbonyl carbon atom.

及びRが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のR及びRが一般式(ZI−3)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環が挙げられる。 As the ring structure which R x and R y may combine with each other, a 5-membered or 6-membered ring formed by divalent R x and R y together with a sulfur atom in the general formula (ZI-3) Is mentioned.

及びRは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group or a cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms.

1c〜R7c、R及びRは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。 R 1c to R 7c , R x and R y may further have a substituent, and examples of such a substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkyl group, a cyclo group. Alkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, acyl group, arylcarbonyl group, alkoxyalkyl group, aryloxyalkyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, etc. Can be mentioned.

次に、化合物(ZI−4)について説明する。
化合物(ZI−4)は、下記一般式(ZI−4)で表される。

Figure 2013178370
Next, the compound (ZI-4) will be described.
The compound (ZI-4) is represented by the following general formula (ZI-4).
Figure 2013178370

一般式(ZI−4)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
In general formula (ZI-4),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a group having a cycloalkyl group. These groups may have a substituent.

14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。 When there are a plurality of R 14 s, each independently represents a group having a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a cycloalkyl group. Represent. These groups may have a substituent.

15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。 R 15 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a naphthyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring. These groups may have a substituent.

lは0〜2の整数を表す。
rは0〜8の整数を表す。
l represents an integer of 0-2.
r represents an integer of 0 to 8.

は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZと同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Z - represents a non-nucleophilic anion, in the general formula (ZI) Z - and include the same non-nucleophilic anion.

一般式(ZI−4)において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましい。 In General Formula (ZI-4), the alkyl groups represented by R 13 , R 14, and R 15 are linear or branched and preferably have 1 to 10 carbon atoms.

13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基が挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 13 , R 14 and R 15 include a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.

13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましい。 The alkoxy group for R 13 and R 14 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms.

13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2〜11のものが好ましい。 The alkoxycarbonyl group for R 13 and R 14 is linear or branched and preferably has 2 to 11 carbon atoms.

13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有する基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。 Examples of the group having a cycloalkyl group of R 13 and R 14 include a group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group. These groups may further have a substituent.

14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13〜R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。 The alkyl group of the alkyl group of R 14, include the same specific examples as the alkyl group as R 13 to R 15 described above.

14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましい。 The alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group for R 14 are linear, branched, or cyclic, and preferably have 1 to 10 carbon atoms.

上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the substituent that each of the above groups may have include a halogen atom (for example, a fluorine atom), a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonyloxy group. Etc.

2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のR15が一般式(ZI−4)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在してもよく、また、それらが互いに結合して環を形成してもよい。 As a ring structure that two R 15 may be bonded to each other, a 5-membered or 6-membered ring formed by two R 15 together with a sulfur atom in the general formula (ZI-4) is particularly preferable. Includes a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring), and may be condensed with an aryl group or a cycloalkyl group. The divalent R 15 may have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxy group. Examples thereof include a carbonyl group and an alkoxycarbonyloxy group. There may be a plurality of substituents for the ring structure, or they may be bonded to each other to form a ring.

一般式(ZI−4)におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。
13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子(特に、フッ素原子)が好ましい。
R 15 in the general formula (ZI-4) is preferably a methyl group, an ethyl group, a naphthyl group, a divalent group in which two R 15s are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom.
The substituent that R 13 and R 14 may have is preferably a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a halogen atom (particularly a fluorine atom).

lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。
rとしては、0〜2が好ましい。
l is preferably 0 or 1, and more preferably 1.
As r, 0-2 are preferable.

以上説明した化合物(ZI−3)及び(ZI−4)が有するカチオン構造の具体例としては、上述した、特開2004−233661号公報、特開2003−35948号公報、米国特許出願公開第2003/0224288A1号明細書、米国特許出願公開第2003/0077540A1号明細書に例示されている化合物等のカチオン構造の他、例えば、特開2011−53360号公報の段落0046、0047、0072〜0077、0107〜0110に例示されている化学構造等におけるカチオン構造、特開2011−53430号公報の段落0135〜0137、00151、0196〜0199に例示されている化学構造等におけるカチオン構造などが挙げられる。   Specific examples of the cation structure possessed by the compounds (ZI-3) and (ZI-4) described above include the above-mentioned JP-A Nos. 2004-233661, 2003-35948, and US Patent Application Publication No. 2003. In addition to cation structures such as compounds exemplified in the specification of U.S. Pat. No. 0224288A1 and U.S. Patent Application Publication No. 2003 / 0077540A1, for example, paragraphs 0046, 0047, 0072 to 0077, 0107 Cation structure in the chemical structure and the like exemplified in .about.0110, and the cation structure in the chemical structure and the like exemplified in paragraphs 0135 to 0137, 00151, and 0196 to 0199 in JP2011-53430A.

一般式(ZII)、(ZIII)中、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基と同様である。
In general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 are the same as the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 201 to R 203 in the aforementioned compound (ZI).

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 may have a substituent. Even the substituent, an aryl group of R 201 to R 203 in the above compound (ZI), alkyl groups include those which may have a cycloalkyl group.

は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZの非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。 Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物も挙げられる。

Figure 2013178370
Examples of the acid generator further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI).
Figure 2013178370

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar及びArは、各々独立に、アリール基を表す。
208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

Ar、Ar、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI)におけるR201〜R203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。 Specific examples of the aryl group represented by Ar 3 , Ar 4 , R 208 , R 209, and R 210 include the same examples as the specific examples of the aryl group as R 201 to R 203 in the general formula (ZI). it can.

208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式(ZI)におけるR201〜R203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。 Specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group of R 208 , R 209 and R 210 are the same as the specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 201 to R 203 in the general formula (ZI), respectively. Can be mentioned.

Aのアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン基(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など)を、Aのアルケニレン基としては、炭素数2〜12のアルケニレン基(例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)を、Aのアリーレン基としては、炭素数6〜10のアリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)を、それぞれ挙げることができる。   The alkylene group of A is an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, etc.), and the alkenylene group of A is 2 carbon atoms. ˜12 alkenylene groups (for example, vinylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), and as the arylene group for A, arylene groups having 6 to 10 carbon atoms (for example, phenylene group, tolylene group, naphthylene group, etc.) Each can be mentioned.

酸発生剤が下記一般式(I’)で表されることが本発明の好ましい1つの実施態様として挙げられる。下記一般式(I’)で表されることにより露光の膜光透過性が向上し、LWR、DOFの良化に寄与することができる。

Figure 2013178370
One preferred embodiment of the present invention is that the acid generator is represented by the following general formula (I ′). By being represented by the following general formula (I ′), the light transmittance of the exposed film is improved, which can contribute to the improvement of LWR and DOF.
Figure 2013178370

上記一般式(I’)中、
X’は、酸素原子、硫黄原子又は−N(Rx’)−を表す。
In the general formula (I ′),
X ′ represents an oxygen atom, a sulfur atom or —N (Rx ′) —.

’〜R’及びRx’は、各々、前記一般式(I)におけるR〜R及びRxと同義である。 R 1 ′ to R 9 ′ and Rx ′ have the same meanings as R 1 to R 9 and Rx in the general formula (I), respectively.

’及びR’は互いに連結して環を形成していてもよい。また、R’〜R’中のいずれか2つ以上、R’とR’、R’とR’、R’とRx’、R’とRx’は、それぞれ、互いに連結して環を形成していてもよい。 R 1 ′ and R 2 ′ may be connected to each other to form a ring. In addition, any two or more of R 6 ′ to R 9 ′, R 3 ′ and R 9 ′, R 4 ′ and R 5 ′, R 5 ′ and Rx ′, R 6 ′ and Rx ′, They may be connected to each other to form a ring.

また、本発明の組成物においては、酸発生剤のカチオン部分の構造が、化合物(A)のカチオン部分の構造と同じであることが好ましい。このように酸発生剤のカチオン構造が、化合物(A)のカチオン構造と同じとすることにより、意図しないイオン交換反応を防ぐことができる。   Moreover, in the composition of this invention, it is preferable that the structure of the cation part of an acid generator is the same as the structure of the cation part of a compound (A). As described above, by making the cation structure of the acid generator the same as the cation structure of the compound (A), an unintended ion exchange reaction can be prevented.

は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZと同様の非求核性アニオンを挙げることができる。
酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。

Figure 2013178370
Z - represents a non-nucleophilic anion, in the general formula (ZI) Z - and include the same non-nucleophilic anion.
Among acid generators, particularly preferred examples are given below.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
酸発生剤の組成物中の含有率は、組成物中の全固形分を基準として、0.1〜30質量%が好ましく、より好ましくは3〜25質量%、更に好ましくは7〜20質量%である。
An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the acid generator in the composition is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 3 to 25% by mass, and still more preferably 7 to 20% by mass based on the total solid content in the composition. It is.

[4]疎水性樹脂(HR)
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する場合には、疎水性樹脂(以下、「疎水性樹脂(HR)」ともいう)を含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂(HR)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。
[4] Hydrophobic resin (HR)
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain a hydrophobic resin (hereinafter also referred to as “hydrophobic resin (HR)”), particularly when applied to immersion exposure. . As a result, the hydrophobic resin (HR) is unevenly distributed on the surface layer of the film, and when the immersion medium is water, the static / dynamic contact angle of the resist film surface with water is improved, and the immersion liquid followability is improved. be able to.

疎水性樹脂(HR)は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。   Hydrophobic resin (HR) is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike a surfactant, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule, and polar / nonpolar substances should be mixed uniformly. It does not have to contribute to

疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂(HR)に於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。   The hydrophobic resin typically contains fluorine atoms and / or silicon atoms. The fluorine atom and / or silicon atom in the hydrophobic resin (HR) may be contained in the main chain of the resin or may be contained in the side chain.

疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。   When the hydrophobic resin contains a fluorine atom, it may be a resin having an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom as a partial structure having a fluorine atom. preferable.

フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4であり、更に他の置換基を有していてもよい。   The alkyl group having a fluorine atom is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, You may have the substituent of.

フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。   The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.

フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。   Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and the aryl group may further have another substituent.

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2013178370
As the alkyl group having a fluorine atom, the cycloalkyl group having a fluorine atom, or the aryl group having a fluorine atom, a group represented by any one of the following general formulas (F2) to (F4) is preferable. However, the present invention is not limited to this.
Figure 2013178370

一般式(F2)〜(F4)中、
57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ及びR65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
In general formulas (F2) to (F4),
R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (straight or branched). Provided that at least one of R 57 to R 61 , at least one of R 62 to R 64 and at least one of R 65 to R 68 are a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. (Preferably having 1 to 4 carbon atoms).

57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。 R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms. R 62 , R 63 and R 68 are preferably a fluoroalkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), and more preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. When R 62 and R 63 is a perfluoroalkyl group, it is preferred that R 64 is a hydrogen atom. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.

一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。   Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 , 3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorocyclohexyl group and the like. Hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, and hexafluoroisopropyl group and heptafluoroisopropyl group are preferable. Further preferred.

一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CFOH、−C(COH、−C(CF)(CH)OH、−CH(CF)OH等が挙げられ、−C(CFOHが好ましい。 Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, -C (CF 3) 2 OH is preferred.

フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合してもよく、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合してもよい。
フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。

Figure 2013178370
The partial structure containing a fluorine atom may be directly bonded to the main chain, and further from the group consisting of an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond and a ureylene bond. You may couple | bond with a principal chain through the group selected or the group which combined these 2 or more.
Suitable examples of the repeating unit having a fluorine atom include those shown below.
Figure 2013178370

式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。 In the formula, R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.

〜Wは、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。 W 3 to W 6 each independently represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

また、疎水性樹脂は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。

Figure 2013178370
In addition to these, the hydrophobic resin may have a unit as shown below as a repeating unit having a fluorine atom.
Figure 2013178370

式中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。
ただし、R〜Rの少なくとも1つはフッ素原子を表す。RとR若しくはRとRは環を形成していてもよい。
は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
In the formula, R 4 to R 7 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.
However, at least one of R 4 to R 7 represents a fluorine atom. R 4 and R 5 or R 6 and R 7 may form a ring.
W 2 represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R)−(式中、Rは水素原子又はアルキルを表す)、−NHSO−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。 L 2 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R )-(Wherein R represents a hydrogen atom or alkyl), —NHSO 2 — or a divalent linking group in which a plurality of these are combined.

Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。   Q represents an alicyclic structure. The alicyclic structure may have a substituent, may be monocyclic, may be polycyclic, and may be bridged in the case of polycyclic. As the monocyclic type, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, for example, an adamantyl group, norbornyl group, dicyclopentyl group. , Tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group and the like. Note that at least one carbon atom in the cycloalkyl group may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom. Particularly preferred examples of Q include a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and the like.

疎水性樹脂は、珪素原子を含有してもよい。
珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。

Figure 2013178370
The hydrophobic resin may contain a silicon atom.
The partial structure having a silicon atom preferably has an alkylsilyl structure (preferably a trialkylsilyl group) or a cyclic siloxane structure.
Specific examples of the alkylsilyl structure or the cyclic siloxane structure include groups represented by the following general formulas (CS-1) to (CS-3).
Figure 2013178370

一般式(CS−1)〜(CS−3)に於いて、
12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
In general formulas (CS-1) to (CS-3),
R 12 to R 26 each independently represent a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms).

〜Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。 L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. The divalent linking group includes an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, or a group of two or more groups selected from the group consisting of a ureylene bond. A combination is mentioned.

nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。   n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 2 to 4.

フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位は(メタ)アクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。   The repeating unit having at least either a fluorine atom or a silicon atom is preferably a (meth) acrylate-based repeating unit.

以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表し、Xは、−F又は−CFを表す。

Figure 2013178370
Hereinafter, although the specific example of the repeating unit which has at least any one of a fluorine atom and a silicon atom is given, this invention is not limited to this. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 , and X 2 represents —F or —CF 3 .
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

疎水性樹脂は、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)を有することが好ましい。   The hydrophobic resin preferably has a repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z).

(x)アルカリ可溶基
(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基(以下、極性変換基ともいう)
(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基
繰り返し単位(b)としては、以下の類型が挙げられる。
(X) Alkali-soluble group (y) A group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in an alkali developer (hereinafter also referred to as a polar conversion group).
(Z) A group that decomposes by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer. Examples of the repeating unit (b) include the following types.

・1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b’)
・上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(b*)
・1つの側鎖上に上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b”)
疎水性樹脂は、繰り返し単位(b)として繰り返し単位(b’)を有することがより好ましい。すなわち、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。
A repeating unit (b ′) having at least one of a fluorine atom and a silicon atom and at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) on one side chain
A repeating unit (b *) having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) and having no fluorine atom and no silicon atom
A fluorine atom and silicon on one side chain having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) above and on a side chain different from the side chain in the same repeating unit Repeating unit (b ″) having at least one of atoms
It is more preferable that the hydrophobic resin has a repeating unit (b ′) as the repeating unit (b). That is, it is more preferable that the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

なお、疎水性樹脂が、繰り返し単位(b*)を有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(前記繰り返し単位(b’)、(b”)とは異なる繰り返し単位)とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位(b”)における、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式(K1)のような位置関係にあることが好ましい。   When the hydrophobic resin has a repeating unit (b *), a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (a repeating unit different from the repeating units (b ′) and (b ″)) In addition, in the repeating unit (b ″), the side chain having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z), and at least one of a fluorine atom and a silicon atom Are preferably bonded to the same carbon atom in the main chain, that is, in a positional relationship as shown in the following formula (K1).

式中、B1は上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。

Figure 2013178370
In the formula, B1 represents a partial structure having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z), and B2 represents a partial structure having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
Figure 2013178370

上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる基は、好ましくは、(x)アルカリ可溶基又は(y)極性変換基であり、(y)極性変換基であることがより好ましい。   The group selected from the group consisting of the above (x) to (z) is preferably (x) an alkali-soluble group or (y) a polar conversion group, and more preferably (y) a polar conversion group.

アルカリ可溶性基(x)としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。   Examples of the alkali-soluble group (x) include phenolic hydroxyl group, carboxylic acid group, fluorinated alcohol group, sulfonic acid group, sulfonamide group, sulfonylimide group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, (alkylsulfonyl) ( Alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) ) And a methylene group.

好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホンイミド基、ビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), sulfonimide groups, and bis (carbonyl) methylene groups.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。   As the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x), a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a linking group is used. Examples include a repeating unit in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain of the resin. Furthermore, a polymerization initiator or a chain transfer agent having an alkali-soluble group can be used at the time of polymerization to be introduced at the end of the polymer chain, Either case is preferred.

繰り返し単位(bx)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bx)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(bx)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bx) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bx) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (bx) is the same as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜20mol%である。   The content of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 35 mol%, still more preferably from 5 to 20 mol, based on all repeating units in the hydrophobic resin. %.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表す。

Figure 2013178370
Specific examples of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

極性変換基(y)としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基(−COO−)、酸無水物基(−C(O)OC(O)−)、酸イミド基(−NHCONH−)、カルボン酸チオエステル基(−COS−)、炭酸エステル基(−OC(O)O−)、硫酸エステル基(−OSOO−)、スルホン酸エステル基(−SOO−)などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。 Examples of the polar conversion group (y) include a lactone group, a carboxylic acid ester group (—COO—), an acid anhydride group (—C (O) OC (O) —), an acid imide group (—NHCONH—), A carboxylic acid thioester group (—COS—), a carbonic acid ester group (—OC (O) O—), a sulfate ester group (—OSO 2 O—), a sulfonic acid ester group (—SO 2 O—), and the like. A lactone group is preferred.

極性変換基(y)は、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基(y)を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。   The polarity converting group (y) is, for example, introduced into the side chain of the resin by being included in a repeating unit of acrylic acid ester or methacrylic acid ester, or a polymerization initiator or chain having the polarity converting group (y). Any form in which a transfer agent is introduced at the end of the polymer chain using the polymerization is preferred.

極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)の具体例としては、後述の式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。   Specific examples of the repeating unit (by) having a polar conversion group (y) include a repeating unit having a lactone structure represented by formulas (KA-1-1) to (KA-1-17) described later. Can do.

更に、極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である(すなわち、前記繰り返し単位(b’)、(b”)に相当する)ことが好ましい。該繰り返し単位(by)を有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。   Further, the repeating unit (by) having the polarity converting group (y) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, the repeating unit (b ′), (b ″) corresponds to the repeating unit (b ′)). The resin having the repeating unit (by) is hydrophobic, but is particularly preferable from the viewpoint of reducing development defects.

繰り返し単位(by)として、例えば、式(K0)で示される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013178370
As the repeating unit (by), for example, a repeating unit represented by the formula (K0) can be given.
Figure 2013178370

式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 In the formula, R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

k2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。 However, at least one of R k1 and R k2 represents a group containing a polarity converting group.

極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。

Figure 2013178370
The polarity converting group represents a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer as described above. The polar conversion group is preferably a group represented by X in the partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1).
Figure 2013178370

一般式(KA−1)又は(KB−1)におけるXは、カルボン酸エステル基:−COO−、酸無水物基:−C(O)OC(O)−、酸イミド基:−NHCONH−、カルボン酸チオエステル基:−COS−、炭酸エステル基:−OC(O)O−、硫酸エステル基:−OSOO−、スルホン酸エステル基:−SOO−を表す。 X in the general formula (KA-1) or (KB-1) is a carboxylic acid ester group: —COO—, an acid anhydride group: —C (O) OC (O) —, an acid imide group: —NHCONH—, Carboxylic acid thioester group: —COS—, carbonate ester group: —OC (O) O—, sulfate ester group: —OSO 2 O—, sulfonate ester group: —SO 2 O—.

及びYは、それぞれ同一でも異なってもよく、電子求引性基を表す。 Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an electron-withdrawing group.

なお、繰り返し単位(by)は、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式(KA−1)で表される部分構造、Y及びYが1価である場合の(KB−1)で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。 The repeating unit (by) has a group that increases the solubility in a preferable alkali developer by having a group having a partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1). Are bonded to each other as in the case of the partial structure represented by the general formula (KA-1) and the partial structure represented by (KB-1) when Y 1 and Y 2 are monovalent When it does not have a hand, the group having the partial structure is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the partial structure.

一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結している。   The partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1) is linked to the main chain of the hydrophobic resin through a substituent at an arbitrary position.

一般式(KA−1)で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。   The partial structure represented by the general formula (KA-1) is a structure that forms a ring structure with the group as X.

一般式(KA−1)におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(即ち、KA−1としてラクトン環構造を形成する場合)、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。   X in the general formula (KA-1) is preferably a carboxylic acid ester group (that is, when a lactone ring structure is formed as KA-1), an acid anhydride group, or a carbonic acid ester group. More preferably, it is a carboxylic acid ester group.

一般式(KA−1)で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。 The ring structure represented by the general formula (KA-1) may have a substituent, for example, may have nka substituents Z ka1 .

ka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。 Z ka1 independently represents a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron-withdrawing group, when there are a plurality of Z ka1 .

ka1同士が連結して環を形成してもよい。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。 Z ka1 may be linked to form a ring. Examples of the ring formed by connecting Z ka1 to each other include a cycloalkyl ring and a hetero ring (a cyclic ether ring, a lactone ring, etc.).

nkaは0〜10の整数を表す。好ましくは0〜8の整数、より好ましくは0〜5の整数、更に好ましくは1〜4の整数、最も好ましくは1〜3の整数である。   nka represents an integer of 0 to 10. Preferably it is an integer of 0 to 8, more preferably an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 1 to 4, and most preferably an integer of 1 to 3.

ka1としての電子求引性基は、後述のY及びYとしての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。 The electron withdrawing group as Z ka1 is the same as the electron withdrawing group as Y 1 and Y 2 described later. The electron withdrawing group may be substituted with another electron withdrawing group.

ka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。 Z ka1 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group. In addition, as an ether group, the thing substituted by the alkyl group or the cycloalkyl group, ie, the alkyl ether group, etc. are preferable. The electron withdrawing group has the same meaning as described above.

ka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as Z ka1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

ka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、更に好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、更に好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group as Z ka1 may have a substituent and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl. Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like. C1-C4 things, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, are preferable.

ka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

Figure 2013178370
The cycloalkyl group as Z ka1 may have a substituent, and may be monocyclic or polycyclic. In the case of a polycyclic type, the cycloalkyl group may be a bridged type. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinanyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group. As the cycloalkyl group, the following structure is also preferable. Note that at least one carbon atom in the cycloalkyl group may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom.
Figure 2013178370

上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。   Preferred examples of the alicyclic moiety include adamantyl group, noradamantyl group, decalin group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group. And cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group.

これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等を挙げることができる。   Examples of the substituent of these alicyclic structures include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. Preferred examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group and the alkoxy group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).

また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、アリル基等のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。   Further, the above group may further have a substituent, and examples of the further substituent include a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, the above alkyl group, and a methoxy group. , Ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, alkoxy group such as t-butoxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, Aralkyl group such as benzyl group, phenethyl group, cumyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, acyl group such as valeryl group, acyloxy group such as butyryloxy group, vinyl group, propenyl Group, alkenyl group such as allyl group, vinyloxy group, propenyl Alkoxy group include an allyloxy group, an alkenyloxy group such as a butenyloxy group, a phenyl group, an aryl group such as a naphthyl group, an aryloxy group such as phenoxy group, aryloxycarbonyl group such as benzoyloxy group.

一般式(KA−1)におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式(KA−1)が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5〜7員環ラクトン環であることが好ましい。   X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, and the partial structure represented by the general formula (KA-1) is preferably a lactone ring, and more preferably a 5- to 7-membered lactone ring.

なお、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるように、一般式(KA−1)で表される部分構造としての5〜7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。
一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。
In addition, as in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), a 5- to 7-membered lactone ring as a partial structure represented by the general formula (KA-1) has a bicyclo structure, a spiro It is preferred that other ring structures are condensed in a form that forms the structure.
As for the peripheral ring structure to which the ring structure represented by the general formula (KA-1) may be bonded, for example, those in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), or The thing according to can be mentioned.

一般式(KA−1)が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、(KA−1−1)、(KA−1−4)、(KA−1−5)、(KA−1−6)、(KA−1−13)、(KA−1−14)、(KA−1−17)である。

Figure 2013178370
As a structure containing a lactone ring structure represented by the general formula (KA-1), a structure represented by any one of the following (KA-1-1) to (KA-1-17) is more preferable. The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred structures include (KA-1-1), (KA-1-4), (KA-1-5), (KA-1-6), (KA-1-13), (KA-1- 14) and (KA-1-17).
Figure 2013178370

上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式(KA−1)が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。
一般式(KB−1)のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(−COO−)を挙げることができる。
一般式(KB−1)におけるY及びYは、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。
The structure containing the lactone ring structure may or may not have a substituent. Preferable substituents include those similar to the substituent Z ka1 that the ring structure represented by the general formula (KA-1) may have.
Preferred examples of X in the general formula (KB-1) include a carboxylic acid ester group (—COO—).
Y 1 and Y 2 in formula (KB-1) each independently represent an electron-withdrawing group.

電子求引性基は、下記式(EW)で示す部分構造である。式(EW)における*は(KA−1)に直結している結合手、又は(KB−1)中のXに直結している結合手を表す。

Figure 2013178370
The electron withdrawing group is a partial structure represented by the following formula (EW). * In the formula (EW) represents a bond directly connected to (KA-1) or a bond directly connected to X in (KB-1).
Figure 2013178370

式(EW)中、
ewは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。
In formula (EW),
n ew is the repeating number of the linking group represented by —C (R ew1 ) (R ew2 ) — and represents an integer of 0 or 1. When n ew is 0, it represents a single bond, indicating that Y ew1 is directly bonded.

ew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式(EW)で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。

Figure 2013178370
Y ew1 is a halogen atom, a cyano group, a nitrile group, a nitro group, a halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 , an oxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group Examples thereof include a group, a sulfinyl group, and a combination thereof. The electron-withdrawing group may have the following structure, for example. The “halo (cyclo) alkyl group” represents an alkyl group and a cycloalkyl group that are at least partially halogenated, and the “haloaryl group” represents an aryl group that is at least partially halogenated. In the following structural formula, R ew3 and R ew4 each independently represent an arbitrary structure. R ew3 and R ew4 may have any structure, and the partial structure represented by the formula (EW) may have an electron withdrawing property, and may be linked to, for example, the main chain of the resin. An alkyl group and a fluorinated alkyl group;
Figure 2013178370

ew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結していてもよい。 When Y ew1 is a divalent or higher group, the remaining bond forms a bond with an arbitrary atom or substituent. At least one group of Y ew1 , R ew1 , and R ew2 may be connected to the main chain of the hydrophobic resin through a further substituent.

ew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。 Y ew1 is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 .

ew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。 R ew1 and R ew2 each independently represent an arbitrary substituent, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。 At least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 may be connected to each other to form a ring.

ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。 Here, R f1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a perhalocycloalkyl group, or a perhaloaryl group, more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, or a perfluorocycloalkyl group, still more preferably a fluorine atom or a trialkyl group. Represents a fluoromethyl group.

f2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。 R f2 and R f3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group, and R f2 and R f3 may be linked to form a ring. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group. More preferably, R f2 represents the same group as R f1 or is linked to R f3 to form a ring.

f1〜Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、(ハロ)シクロアルキル環、(ハロ)アリール環等が挙げられる。
f1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
R f1 to R f3 may be linked to form a ring, and examples of the ring formed include a (halo) cycloalkyl ring and a (halo) aryl ring.
Examples of the (halo) alkyl group in R f1 to R f3 include the alkyl group in Z ka1 described above and a structure in which this is halogenated.

f1〜Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環における(パー)ハロシクロアルキル基及び(パー)ハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは−C(n)(2n−2)Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、−C(n)(n−1)で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5〜13のものが好ましく、6がより好ましい。 Examples of the (per) halocycloalkyl group and the (per) haloaryl group in R f1 to R f3 or in the ring formed by linking R f2 and R f3 include, for example, the aforementioned cycloalkyl group in Z ka1 is a halogen atom. And a perfluoroaryl group represented by -C (n) F (n-1) and more preferably a fluorocycloalkyl group represented by -C (n) F (2n-2) H Can be mentioned. Although carbon number n is not specifically limited here, the thing of 5-13 is preferable and 6 is more preferable.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表される構造が挙げられる。 The ring that may be formed by linking at least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 preferably includes a cycloalkyl group or a heterocyclic group, and the heterocyclic group is preferably a lactone ring group. Examples of the lactone ring include structures represented by the above formulas (KA-1-1) to (KA-1-17).

なお、繰り返し単位(by)中に、一般式(KA−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KB−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KA−1)で表される部分構造と一般式(KB−1)で表される部分構造の両方を有していてもよい。   In the repeating unit (by), a plurality of partial structures represented by the general formula (KA-1), a plurality of partial structures represented by the general formula (KB-1), or a general formula (KA) It may have both a partial structure represented by -1) and a partial structure represented by the general formula (KB-1).

なお、一般式(KA−1)の部分構造の一部又は全部が、一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式(KA−1)のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基として機能することもあり得る。 Note that part or all of the partial structure of the general formula (KA-1) may also serve as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). For example, when X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, the carboxylic acid ester group functions as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). There is also a possibility.

また、繰り返し単位(by)が、上記繰り返し単位(b*)又は繰り返し単位(b”)に該当し、かつ、一般式(KA−1)で表される部分構造を有する場合、一般式(KA−1)で表される部分構造は、極性変換基が、一般式(KA−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造であることがより好ましい。
繰り返し単位(by)は、一般式(KY−0)で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。

Figure 2013178370
In addition, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b *) or the repeating unit (b ″) and has a partial structure represented by the general formula (KA-1), the general formula (KA) As for the partial structure represented by -1), it is more preferable that the polarity conversion group is a partial structure represented by -COO- in the structure represented by the general formula (KA-1).
The repeating unit (by) can be a repeating unit having a partial structure represented by the general formula (KY-0).
Figure 2013178370

一般式(KY−0)に於いて、
は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
In the general formula (KY-0),
R 2 represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of R 2 groups, they may be the same or different.

は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。 R 3 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons are substituted with fluorine atoms.

は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR−C(=O)−若しくはR−C(=O)O−で表される基(Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。)を表す。Rが複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のRが結合し、環を形成していてもよい。 R 4 is a halogen atom, cyano group, hydroxy group, amide group, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, phenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, or R—C (═O) — or R—C ( = O) A group represented by O- (R represents an alkyl group or a cycloalkyl group). When there are a plurality of R 4 s , they may be the same or different, and two or more R 4 may be bonded to form a ring.

Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。   X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.

Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。   Z and Za represent a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of them, they may be the same or different.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin.

oは、置換基数であって、1〜7の整数を表す。
mは、置換基数であって、0〜7の整数を表す。
nは、繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
o is the number of substituents and represents an integer of 1 to 7.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 7.
n represents the number of repetitions and represents an integer of 0 to 5.

−R−Z−の構造として好ましくは、−(CH−COO−で表される構造が好ましい(lは1〜5の整数を表す)。
としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式(bb)のZにおける鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。
The structure represented by —R 2 —Z— is preferably a structure represented by — (CH 2 ) 1 —COO— (l represents an integer of 1 to 5).
The preferred carbon number range and specific examples of the chain or cyclic alkylene group as R 2 are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group in Z 2 of the general formula (bb).

としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1〜30、更に好ましくは1〜20であり、分岐状の場合、好ましくは3〜30、更に好ましくは3〜20であり、環状の場合、6〜20である。Rの具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。 The linear, branched or cyclic hydrocarbon group as R 3 has preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and preferably 3 carbon atoms when branched. -30, more preferably 3-20, and in the case of a ring, it is 6-20. Specific examples of R 3 include specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.

及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。 Preferred carbon numbers and specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 4 and R are the same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.

としてのアシル基としては、炭素数1〜6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。 The acyl group as R 4 is preferably one having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, and pivaloyl group.

としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。 Examples of the alkyl moiety in the alkoxy group and alkoxycarbonyl group as R 4 include a linear, branched or cyclic alkyl moiety, and the preferred carbon number of the alkyl moiety and specific examples thereof are those described above for Z ka1. The same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group.

Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、Rとしての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。 Examples of the alkylene group as X include a chain or cyclic alkylene group, and preferred carbon numbers and specific examples thereof are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group as R 2 .

また、繰り返し単位(by)の具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。

Figure 2013178370
Moreover, the repeating unit which has a partial structure shown below as a specific structure of a repeating unit (by) is mentioned.
Figure 2013178370

一般式(rf−1)及び(rf−2)中、
X´は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。
In general formulas (rf-1) and (rf-2),
X ′ represents an electron-withdrawing substituent, preferably a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an alkylene group substituted with a fluorine atom, or a cycloalkylene group substituted with a fluorine atom.

Aは、単結合又は−C(Rx)(Ry)−で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6で、フッ素原子等で置換されていてもよい)、又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜12で、フッ素原子等で置換されていてもよい)を表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。   A represents a single bond or a divalent linking group represented by -C (Rx) (Ry)-. Here, Rx and Ry are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms and optionally substituted with a fluorine atom or the like), or a cycloalkyl group (preferably a carbon atom). And may be substituted with a fluorine atom or the like. Rx and Ry are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkyl group substituted with a fluorine atom.

Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY及びYとしての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。 X represents an electron withdrawing group, and specific examples thereof include the above-mentioned electron withdrawing groups as Y 1 and Y 2 , preferably a fluorinated alkyl group or a fluorinated cycloalkyl group. An aryl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, an aralkyl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, a cyano group, or a nitro group.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, it represents a bond that binds to the resin main chain through a single bond or a linking group.

なお、X´がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。   In addition, when X 'is a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group, A is not a single bond.

極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。   When the polarity conversion group is decomposed by the action of the alkali developer and the polarity is changed, the receding contact angle with water of the resist film after alkali development can be lowered. It is preferable from the viewpoint of suppressing development defects that the receding contact angle with water of the film after alkali development is lowered.

アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角は、温度23±3℃、湿度45±5%において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。   The receding contact angle with water of the resist film after alkali development is preferably 50 ° or less at a temperature of 23 ± 3 ° C. and a humidity of 45 ± 5%, more preferably 40 ° or less, still more preferably 35 ° or less. Most preferably, it is 30 ° or less.

後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。   The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.

疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。   The hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / second or more, more preferably 0.01 nm / second or more, still more preferably 0.1 nm / second or more, Most preferably, it is 1 nm / second or more.

ここで疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23℃のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)(2.38質量%)に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。   Here, the hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer was 23 ° C. when TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (2.38 mass%) was used to form the resin film with only the hydrophobic resin. This is the rate at which the film thickness decreases.

また、繰り返し単位(by)は、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。   The repeating unit (by) is more preferably a repeating unit having at least two or more polar conversion groups.

繰り返し単位(by)が少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。

Figure 2013178370
When the repeating unit (by) has at least two polar conversion groups, the repeating unit (by) preferably has a group having a partial structure having two polar conversion groups represented by the following general formula (KY-1). Note that when the structure represented by the general formula (KY-1) does not have a bond, it is a group having a monovalent or higher valent group in which at least one arbitrary hydrogen atom in the structure is removed.
Figure 2013178370

一般式(KY−1)において、
ky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
In general formula (KY-1),
R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl group Represents. Alternatively, R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, R ky1 and R ky4 are bonded to the same oxygen atom to form a part of a carbonyl group (═O). May be formed.

ky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。 R ky2 and R ky3 are each independently an electron withdrawing group, or R ky1 and R ky2 are linked to form a lactone ring and R ky3 is an electron withdrawing group. As the lactone ring to be formed, the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1), and preferably a halogen atom or the aforementioned —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3. A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by the formula: Preferably R ky3 halogen atom, or the -C (R f1) (R f2) is represented by the halo (cyclo) alkyl groups or haloaryl groups -R f3, lactone R ky2 is linked to R ky1 An electron withdrawing group that forms a ring or has no halogen atom.

ky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成してもよい。 R ky1 , R ky2 , and R ky4 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

ky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられる。 As the lactone ring formed by linking R ky1 and R ky2 , the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include those similar to Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1).

一般式(KY−1)で表される構造としては、下記一般式(KY−2)で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。

Figure 2013178370
The structure represented by the general formula (KY-1) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-2). Note that the structure represented by the general formula (KY-2) is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the structure.
Figure 2013178370

式(KY−2)中、
ky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
In formula (KY-2),
R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl. Represents a group.

ky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成してもよい。 Two or more of R ky6 to R ky10 may be linked to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y、Yにおけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。 R ky5 represents an electron withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 , and preferably a halogen atom or a halo (cyclo (cyclo) represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 ) An alkyl group or a haloaryl group.

ky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。

Figure 2013178370
The structure represented by the formula (KY-2) is more preferably a partial structure represented by the following general formula (KY-3).
Figure 2013178370

式(KY−3)中、Zka1、nkaは各々前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。 In formula (KY-3), Z ka1 and nka have the same meanings as those in formula (KA-1). R ky5 has the same meaning as in formula (KY-2).

kyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。 L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

繰り返し単位(b)は、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体(マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等)の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。   The repeating unit (b) is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization, addition condensation, etc., but is a repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond. Preferably there is. Examples include acrylate-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), styrene-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), vinyl ether-based repeating units, norbornene-based Repeating units, maleic acid derivatives (maleic anhydride and derivatives thereof, maleimides, etc.), and the like, acrylate-based repeating units, styrene-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, norbornene-based repeating units Preferred are acrylate repeat units, vinyl ether repeat units, and norbornene repeat units, with acrylate repeat units being most preferred.

繰り返し単位(by)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(by)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   When the repeating unit (by) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (by) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位(by)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜100mol%が好ましく、より好ましくは20〜99mol%、更に好ましくは30〜97mol%、最も好ましくは40〜95mol%である。   The content of the repeating unit (by) in the hydrophobic resin is preferably from 10 to 100 mol%, more preferably from 20 to 99 mol%, still more preferably from 30 to 97 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. Most preferably, it is 40-95 mol%.

アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位(by)の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、前記樹脂(A)の繰り返し単位(a3)の具体例として挙げたものも、繰り返し単位(by)の具体例として挙げることができる。
以下に示す具体例において、Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。

Figure 2013178370
Specific examples of the repeating unit (by) having a group capable of increasing the solubility in an alkali developer are shown below, but are not limited thereto. Moreover, what was mentioned as a specific example of the repeating unit (a3) of the said resin (A) can also be mentioned as a specific example of a repeating unit (by).
In the specific examples shown below, Ra represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

上述したような極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)に対応するモノマーの合成方法としては、例えば、国際公開第2010/067905号、又は国際公開第2010/067905号等に記載の方法を参考にして合成することができる。   Examples of the method for synthesizing the monomer corresponding to the repeating unit (by) having the polar conversion group (y) as described above include the method described in International Publication No. 2010/069705, International Publication No. 2010/069705, or the like. Can be synthesized with reference to

疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)は、樹脂(A)で挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。   In the hydrophobic resin, examples of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid are the same as the repeating unit having an acid-decomposable group listed for the resin (A).

繰り返し単位(bz)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bz)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bz) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bz) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜80mol%が好ましく、より好ましくは10〜80mol%、更に好ましくは20〜60mol%である。   In the hydrophobic resin, the content of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid is preferably 1 to 80 mol%, more preferably based on all repeating units in the hydrophobic resin. It is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-60 mol%.

以上、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)について説明したが、疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位(b)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜98mol%が好ましく、より好ましくは3〜98mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   Hereinabove, the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has been described, but the content of the repeating unit (b) in the hydrophobic resin is hydrophobic. It is preferably 1 to 98 mol%, more preferably 3 to 98 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 95 mol% with respect to all repeating units in the conductive resin.

繰り返し単位(b’)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   The content of the repeating unit (b ′) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 10 mol% with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. 95 mol%.

繰り返し単位(b*)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜90mol%が好ましく、より好ましくは3〜80mol%、更に好ましくは5〜70mol%、最も好ましくは10〜60mol%である。繰り返し単位(b*)と共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜99mol%が好ましく、より好ましくは20〜97mol%、更に好ましくは30〜95mol%、最も好ましくは40〜90mol%である。   The content of the repeating unit (b *) is preferably from 1 to 90 mol%, more preferably from 3 to 80 mol%, still more preferably from 5 to 70 mol%, most preferably from 10 to 10%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. 60 mol%. The content of the repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom used together with the repeating unit (b *) is preferably 10 to 99 mol%, more preferably 20 with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. It is -97 mol%, More preferably, it is 30-95 mol%, Most preferably, it is 40-90 mol%.

繰り返し単位(b”)の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   The content of the repeating unit (b ″) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 10 mol% based on all repeating units in the hydrophobic resin. 95 mol%.

疎水性樹脂は、更に、下記一般式(CIII)で表される繰り返し単位を有していてもよい。

Figure 2013178370
The hydrophobic resin may further have a repeating unit represented by the following general formula (CIII).
Figure 2013178370

一般式(CIII)に於いて、
c31は、水素原子、アルキル基(フッ素原子等で置換されていてもよい)、シアノ基又は−CH−O−Rac基を表す。式中、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (CIII):
R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group (which may be substituted with a fluorine atom or the like), a cyano group, or a —CH 2 —O—Rac 2 group. In the formula, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていてもよい。 R c32 represents a group having an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group or an aryl group. These groups may be substituted with a fluorine atom, a group containing a silicon atom, or the like.

c3は、単結合又は2価の連結基を表す。
一般式(CIII)に於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
L c3 represents a single bond or a divalent linking group.
In general formula (CIII), the alkyl group represented by R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.

シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
アリール基は、炭素数6〜20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The aryl group is preferably a phenyl group or naphthyl group having 6 to 20 carbon atoms, and these may have a substituent.

c32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
c3の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。
R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom.
The divalent linking group of L c3 is preferably an alkylene group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an oxy group, a phenylene group, or an ester bond (a group represented by —COO—).

疎水性樹脂は、更に、下記一般式(BII−AB)で表される繰り返し単位を有することも好ましい。

Figure 2013178370
It is also preferable that the hydrophobic resin further has a repeating unit represented by the following general formula (BII-AB).
Figure 2013178370

式(BII−AB)中、
c11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zc’は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (BII-AB),
R c11 ′ and R c12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.
Zc ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。   When each group in the repeating unit represented by the general formula (III) or (BII-AB) is substituted with a group containing a fluorine atom or a silicon atom, the repeating unit includes at least the fluorine atom and the silicon atom. It corresponds also to the repeating unit which has either.

以下に一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、CF又はCNを表す。なお、RaがCFである場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。

Figure 2013178370
Specific examples of the repeating unit represented by the general formulas (III) and (BII-AB) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, CF 3 or CN. Note that the repeating unit in the case where Ra is CF 3 also corresponds to the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom.
Figure 2013178370

疎水性樹脂は、上述した樹脂(B)と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜3の範囲が好ましく、より好ましくは1〜2、更に好ましくは1〜1.8、最も好ましくは1〜1.5の範囲である。   As with the resin (B) described above, the hydrophobic resin naturally has few impurities such as metals, and the residual monomer or oligomer component is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0. -5 mass%, 0-1 mass% is still more preferable. Thereby, a resist composition having no change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2, and still more preferably, in terms of resolution, resist shape, resist pattern side walls, roughness, and the like. It is in the range of 1 to 1.8, most preferably 1 to 1.5.

疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。   As the hydrophobic resin, various commercially available products can be used, and can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable.

反応溶媒、重合開始剤、反応条件(温度、濃度等)、及び、反応後の精製方法は、上述した樹脂(B)で説明した内容と同様である。   The reaction solvent, the polymerization initiator, the reaction conditions (temperature, concentration, etc.) and the purification method after the reaction are the same as those described for the resin (B) described above.

以下に疎水性樹脂(HR)の具体例を示す。また、下記の表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、分散度を示す。

Figure 2013178370
Specific examples of the hydrophobic resin (HR) are shown below. Table 1 below shows the molar ratio of the repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), the weight average molecular weight, and the degree of dispersion.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の疎水性樹脂を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するベーク後且つ露光前における該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition by containing a hydrophobic hydrophobic resin containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. When the hydrophobic resin is unevenly distributed in the surface layer of the film formed from the material and the immersion medium is water, the receding contact angle of the film surface after baking to water and before exposure is improved, and the immersion liquid followability is improved. Can be made.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において60°〜90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。   After baking the coating film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention and before exposure, the receding contact angle of the film is the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C., humidity 45 ± 5%. 60 ° to 90 °, more preferably 65 ° or more, still more preferably 70 ° or more, and particularly preferably 75 ° or more.

疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。   The hydrophobic resin is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike the surfactant, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule and contributes to uniform mixing of polar / nonpolar substances. It does not have to be.

液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。   In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. In this case, the contact angle of the immersion liquid with respect to the resist film is important, and the resist is required to follow the high-speed scanning of the exposure head without remaining droplets.

疎水性樹脂は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣(スカム)、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣(スカム)、BLOB欠陥性能が改善される。   Hydrophobic resins are hydrophobic, so that development residues (scum) and BLOB defects are likely to deteriorate after alkali development, but they have three or more polymer chains via at least one branch, compared to linear resins. Further, since the alkali dissolution rate is improved, development residue (scum) and BLOB defect performance are improved.

疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜100モル%であることが好ましく、30〜100モル%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin has a fluorine atom, the content of the fluorine atom is preferably 5 to 80% by mass and more preferably 10 to 80% by mass with respect to the weight average molecular weight of the hydrophobic resin. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a fluorine atom is 10-100 mol% with respect to all the repeating units in hydrophobic resin, and it is more preferable that it is 30-100 mol%.

疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、10〜90モル%であることが好ましく、20〜80モル%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin has a silicon atom, the content of the silicon atom is preferably 2 to 50% by mass and more preferably 2 to 30% by mass with respect to the weight average molecular weight of the hydrophobic resin. Moreover, it is preferable that it is 10-90 mol% with respect to all the repeating units of hydrophobic resin, and, as for the repeating unit containing a silicon atom, it is more preferable that it is 20-80 mol%.

疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000、より好ましくは2,000〜50,000、更に好ましくは3,000〜35,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(キャリア:テトラヒドロフラン(THF))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。   The weight average molecular weight of the hydrophobic resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000, and still more preferably 3,000 to 35,000. Here, the weight average molecular weight of the resin indicates a molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (carrier: tetrahydrofuran (THF)).

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の疎水性樹脂の含有量は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜20質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、更に好ましくは0.1〜10質量%であり、特に好ましくは0.2〜8質量%である。
疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
The content of the hydrophobic resin in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be appropriately adjusted and used so that the receding contact angle of the actinic ray or radiation-sensitive resin film falls within the above range. Is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, still more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total solid content of the light-sensitive or radiation-sensitive resin composition. And particularly preferably 0.2 to 8% by mass.
Hydrophobic resins can be used alone or in combination of two or more.

[5]塩基性化合物
本願発明の感活性光線又は放射線性組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
なお、塩基性化合物は化合物(A)とは異なるものである。
[5] Basic compound The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition of the present invention preferably contains a basic compound.
The basic compound is preferably a nitrogen-containing organic basic compound.
The basic compound is different from the compound (A).

使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の(1)〜(4)に分類される化合物が好ましく用いられる。   Although the compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(4) is used preferably.

(1)下記一般式(BS−1)で表される化合物

Figure 2013178370
(1) Compound represented by the following general formula (BS-1)
Figure 2013178370

一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRの全てが水素原子とはならない。
In general formula (BS-1),
Each R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group (straight or branched), a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic), an aryl group, or an aralkyl group. However, not all three Rs are hydrogen atoms.

Rとしてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1〜20、好ましくは1〜12である。
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3〜20、好ましくは5〜15である。
Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, 1-20, Preferably it is 1-12.
Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, 3-20, Preferably it is 5-15.

Rとしてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6〜20、好ましくは6〜10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。
Rとしてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7〜20、好ましくは7〜11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, 6-20, Preferably it is 6-10. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, 7-20, Preferably it is 7-11. Specific examples include a benzyl group.

Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。   In the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group as R, a hydrogen atom may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, and an alkyloxycarbonyl group.

一般式(BS−1)で表される化合物は、3つのRの1つのみが水素原子、あるいは全てのRが水素原子でないことが好ましい。   In the compound represented by the general formula (BS-1), it is preferable that only one of three Rs is a hydrogen atom, or all Rs are not hydrogen atoms.

一般式(BS−1)の化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン、2,6−ジイソプロピルアニリン、2,4,6−トリ(t−ブチル)アニリンなどが挙げられる。   Specific examples of the compound of the general formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexylmethylamine, Tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutylaniline, N, N- Examples include dihexylaniline, 2,6-diisopropylaniline, 2,4,6-tri (t-butyl) aniline.

また、一般式(BS−1)において、少なくとも1つのRが、水酸基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。   In addition, in the general formula (BS-1), a compound in which at least one R is an alkyl group substituted with a hydroxyl group is mentioned as one of preferable embodiments. Specific examples of the compound include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.

また、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては−CHCHO−が好ましい。具体的例としては、トリス(メトキシエトキシエチル)アミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。 The alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain, and an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, —CH 2 CH 2 O— is preferable. Specific examples include tris (methoxyethoxyethyl) amine and compounds exemplified in column 3, line 60 and thereafter of US Pat. No. 6,040,112.

(2)含窒素複素環構造を有する化合物
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
(2) Compound having a nitrogen-containing heterocyclic structure The heterocyclic structure may or may not have aromaticity. Moreover, you may have two or more nitrogen atoms, Furthermore, you may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure (N-hydroxyethylpiperidine, bis (1,2,2,6) , 6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate), compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (such as antipyrine and hydroxyantipyrine).

また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンなどが挙げられる。   A compound having two or more ring structures is also preferably used. Specific examples include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -undec-7-ene.

(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
(3) Amine compound having a phenoxy group An amine compound having a phenoxy group has a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound. The phenoxy group is, for example, a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. You may have.

より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CHCHO−が好ましい。 More preferably, it is a compound having at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3-9, more preferably 4-6. Among the oxyalkylene chains, —CH 2 CH 2 O— is preferable.

具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)などが挙げられる。   Specific examples include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine and US Patent Application Publication No. 2007 / 0224539A1. The compounds (C1-1) to (C3-3) exemplified in paragraph [0066] of the above.

(4)アンモニウム塩
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
(4) Ammonium salt Ammonium salts are also used as appropriate. Preferred is hydroxide or carboxylate. More specifically, tetraalkylammonium hydroxide represented by tetrabutylammonium hydroxide is preferable.

その他、本願の組成物に使用可能なものとして、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物などが挙げられる。   In addition, examples of compounds that can be used in the composition of the present application include compounds synthesized in Examples of JP-A-2002-363146, compounds described in paragraph 0108 of JP-A-2007-298869, and the like.

塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
A basic compound is used individually or in combination of 2 or more types.
The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally on the basis of solid content of a composition, Preferably it is 0.01-5 mass%.

酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。   The molar ratio of acid generator / basic compound is preferably 2.5 to 300. That is, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoints of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to pattern thickening over time until post-exposure heat treatment. This molar ratio is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.

[6]窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物
本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(以下において、「低分子化合物(D)」又は「化合物(D)」ともいう)を含有することができる。
[6] Low molecular weight compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid The composition of the present invention comprises a low molecular weight compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid (hereinafter referred to as “low molecular weight compound”). In this case, it is possible to contain “low molecular compound (D)” or “compound (D)”.

酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。   The group capable of leaving by the action of an acid is not particularly limited, but is preferably an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, or a hemiaminal ether group, and a carbamate group or a hemiaminal ether group. It is particularly preferred.

酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(F)の分子量は、100〜1000が好ましく、100〜700がより好ましく、100〜500が特に好ましい。   The molecular weight of the low molecular compound (F) having a group capable of leaving by the action of an acid is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, and particularly preferably 100 to 500.

化合物(D)としては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。   As the compound (D), an amine derivative having a group capable of leaving by the action of an acid on the nitrogen atom is preferable.

化合物(D)は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式(d−1)で表すことができる。

Figure 2013178370
Compound (D) may have a carbamate group having a protecting group on the nitrogen atom. The protecting group constituting the carbamate group can be represented by the following general formula (d-1).
Figure 2013178370

一般式(d−1)において、
Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Rbは相互に結合して環を形成していてもよい。
In general formula (d-1),
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. Rb may be bonded to each other to form a ring.

Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。   The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group represented by Rb are substituted with a functional group such as hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, oxo group, alkoxy group, or halogen atom. It may be. The same applies to the alkoxyalkyl group represented by Rb.

前記Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい)としては、
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノルアダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換されている基等が挙げられる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group of Rb (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group may be substituted with the above functional group, alkoxy group, or halogen atom). )as,
For example, a group derived from a linear or branched alkane such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, etc., a group derived from these alkanes, for example, A group substituted with one or more cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group,
Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, noradamantane, groups derived from these cycloalkanes, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group , I-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and other linear or branched alkyl groups substituted by one or more ,
Groups derived from aromatic compounds such as benzene, naphthalene, anthracene, etc., and groups derived from these aromatic compounds are, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2 A group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as -methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, and the like;
Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indoline, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched A group substituted with one or more groups derived from an alkyl group or aromatic compound, a group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a phenyl group, a naphthyl group , A group substituted with one or more groups derived from an aromatic compound such as anthracenyl group or the like, or the above substituent is a hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, oxo And a group substituted with a functional group such as a group.

Rbとして好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。   Rb is preferably a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. More preferably, it is a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group.

2つのRbが相互に結合して形成する環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体等が挙げられる。   Examples of the ring formed by bonding two Rb to each other include an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group, or a derivative thereof.

一般式(d−1)で表される基の具体的な構造を以下に示す。

Figure 2013178370
The specific structure of the group represented by general formula (d-1) is shown below.
Figure 2013178370

化合物(D)は、前記塩基性化合物と一般式(d−1)で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。
化合物(D)は、下記一般式(A)で表される構造を有するものであることが特に好ましい。
The compound (D) can also be constituted by arbitrarily combining the basic compound and the structure represented by the general formula (d-1).
The compound (D) particularly preferably has a structure represented by the following general formula (A).

なお、化合物(D)は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物である限り、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。

Figure 2013178370
The compound (D) may correspond to the above basic compound as long as it is a low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid.
Figure 2013178370

一般式(A)において、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)若しくはその誘導体を形成していてもよい。   In the general formula (A), Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras are bonded to each other to form a divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms) or a derivative thereof. May be formed.

Rbは、前記一般式(d−1)におけるRbと同義であり、好ましい例も同様である。但し、−C(Rb)(Rb)(Rb)において、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1−アルコキシアルキル基又はアリール基である。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3である。
Rb has the same meaning as Rb in formula (d-1), and preferred examples are also the same. However, in -C (Rb) (Rb) (Rb), when one or more Rb is a hydrogen atom, at least one of the remaining Rb is a cyclopropyl group, a 1-alkoxyalkyl group or an aryl group.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and n + m = 3.

一般式(A)において、Raが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。   In the general formula (A), the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group represented by Ra are described above as the groups in which the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group represented by Rb may be substituted. It may be substituted with a group similar to the group.

前記Raのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記基で置換されていてもよい)の具体例としては、Rbについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。   Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group of Ra (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group may be substituted with the above groups) include: The same group as the specific example mentioned above about Rb is mentioned.

また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数1〜20)若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、1,2,3,6−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5−アザベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1,4,7−トリアザシクロノナン、テトラゾール、7−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2−a]ピリジン、(1S,4S)−(+)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デック−5−エン、インドール、インドリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。   Examples of the divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a derivative thereof formed by bonding of Ra to each other include, for example, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1, 4, 5 , 6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzotriazole, 1H-1, 2,3-triazole, 1,4,7-triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine, (1S, 4S)-(+)-2 , 5-diazabicyclo [2.2.1] heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene Groups derived from heterocyclic compounds such as indole, indoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, 1,5,9-triazacyclododecane, groups derived from these heterocyclic compounds A group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a group derived from an aromatic compound, a group derived from a heterocyclic compound, a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino And groups substituted with one or more functional groups such as a group, a morpholino group and an oxo group.

本発明における特に好ましい化合物(D)を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2013178370
A particularly preferred compound (D) in the present invention is specifically shown, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

一般式(A)で表される化合物は、特開2007−298569号公報、特開2009−199021号公報などに記載の公知の方法に基づき合成することができる。   The compound represented by the general formula (A) can be synthesized based on known methods described in JP-A-2007-298869, JP-A-2009-199021, and the like.

本発明において、(D)窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。   In the present invention, (D) the low molecular weight compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid can be used singly or in combination of two or more.

本発明の組成物は、(D)窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物(D)の含有率は、上記塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜20質量%、好ましくは0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%である。   The composition of the present invention may or may not contain (D) a low molecular compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid. The rate is usually 0.001 to 20% by mass, preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, based on the total solid content of the composition combined with the basic compound. It is.

酸発生剤と化合物(D)の組成物中の使用割合は、酸発生剤/[化合物(D)+上記塩基性化合物](モル比)=2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/[化合物(D)+上記塩基性化合物](モル比)は、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。   The ratio of the acid generator and the compound (D) used in the composition is preferably acid generator / [compound (D) + the above basic compound] (molar ratio) = 2.5 to 300. In other words, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoint of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to the thickening of the resist pattern over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / [compound (D) + basic compound] (molar ratio) is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.

[7]界面活性剤
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
[7] Surfactant The composition of the present invention may further contain a surfactant. When contained, the surfactant is preferably a fluorine-based and / or silicon-based surfactant.

これらに該当する界面活性剤としては、DIC(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。   As surfactants corresponding to these, Megafac F176, Megafac R08 manufactured by DIC Corporation, PF656, PF6320 manufactured by OMNOVA, Troisol S-366 manufactured by Troy Chemical Co., Ltd., manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd. Fluorado FC430, polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.

また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。   Further, other surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants can also be used. More specific examples include polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.

その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。   In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] et seq. Of US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1.

界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Surfactants may be used alone or in combination of two or more.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量(溶剤を除く全量)に対して、好ましくは0〜2質量%、更に好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may or may not contain a surfactant, but when it is contained, the amount of surfactant used is actinic ray-sensitive or Preferably it is 0-2 mass% with respect to the total solid content (total quantity except a solvent) of a radiation sensitive resin composition, More preferably, it is 0.0001-2 mass%, Most preferably, it is 0.0005-1 mass%. is there.

一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。   On the other hand, it is also preferable that the addition amount of the surfactant is 10 ppm or less or not contained. This increases the uneven distribution of the surface of the hydrophobic resin, whereby the resist film surface can be made more hydrophobic, and the water followability during immersion exposure can be improved.

[8]溶剤
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテルなど)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
[8] Solvent The solvent that can be used in preparing the composition is not particularly limited as long as it can dissolve each component. For example, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate (such as propylene glycol monomethyl ether acetate), alkylene Glycol monoalkyl ether (such as propylene glycol monomethyl ether), alkyl lactate ester (such as ethyl lactate and methyl lactate), cyclic lactone (such as γ-butyrolactone, preferably 4 to 10 carbon atoms), chain or cyclic ketone (2- Heptanone, cyclohexanone, etc., preferably 4 to 10 carbon atoms, alkylene carbonate (ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.), alkyl carboxylate (preferably alkyl acetate such as butyl acetate), alkoxy And alkyl acetate (ethyl ethoxypropionate) and the like. Other usable solvents include, for example, the solvents described in US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1 after [0244].

上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。   Of the above, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate and alkylene glycol monoalkyl ether are preferred.

これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。   These solvents may be used alone or in combination of two or more. When mixing 2 or more types, it is preferable to mix the solvent which has a hydroxyl group, and the solvent which does not have a hydroxyl group. The mass ratio of the solvent having a hydroxyl group and the solvent having no hydroxyl group is from 1/99 to 99/1, preferably from 10/90 to 90/10, and more preferably from 20/80 to 60/40.

水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。   The solvent having a hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether, and the solvent having no hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate.

[9]その他成分
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE,2724,355(1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。
[9] Other components In addition to the components described above, the composition of the present invention includes a carboxylic acid onium salt, a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, as described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996), and acid growth. An agent, a dye, a plasticizer, a photosensitizer, a light absorber, and the like can be appropriately contained.

[パターン形成方法]
本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。
[Pattern formation method]
The pattern forming method of the present invention includes steps of exposing and developing a resist film.

レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。   The resist film is formed from the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention described above, and more specifically, is preferably formed on a substrate. In the pattern forming method of the present invention, the step of forming a film of a resist composition on the substrate, the step of exposing the film, and the developing step can be performed by generally known methods.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30〜200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably used at a film thickness of 30 to 250 nm, more preferably at a film thickness of 30 to 200 nm, from the viewpoint of improving resolution. preferable. By setting the solid content concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition to an appropriate range to have an appropriate viscosity, and improving the coating property and film forming property, such a film thickness is obtained. Can do.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1〜10質量%、より好ましくは1〜8.0質量%、更に好ましくは1.0〜6.0質量%である。   The total solid concentration in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is generally 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8.0% by mass, and still more preferably 1.0 to 6.0% by mass.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。なお、フィルターは、複数種類を直列又は並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。さらに、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is used by dissolving the above components in a solvent, filtering the solution, and applying the solution to a support. The filter is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon having a pore size of 0.1 microns or less, more preferably 0.05 microns or less, and still more preferably 0.03 microns or less. Note that a plurality of types of filters may be connected in series or in parallel. The composition may be filtered multiple times. Furthermore, you may perform a deaeration process etc. with respect to a composition before and after filter filtration.

本発明の組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布することができる。その後乾燥し、感光性のレジスト膜を形成することができる。   The composition of the present invention can be applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used in the manufacture of integrated circuit elements by a suitable application method such as a spinner. Thereafter, it can be dried to form a photosensitive resist film.

当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。   The resist film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained. Note that in electron beam irradiation, drawing (direct drawing) without using a mask is common.

製膜後、露光工程の前に、前加熱工程(PB;Prebake)を含むことも好ましい。   It is also preferable to include a preheating step (PB; Prebake) after the film formation and before the exposure step.

また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程(PEB;Post Exposure Bake)を含むことも好ましい。   It is also preferable to include a post-exposure heating step (PEB; Post Exposure Bake) after the exposure step and before the development step.

加熱温度はPB、PEB共に70〜140℃で行うことが好ましく、80〜135℃で行うことがより好ましい。   The heating temperature is preferably 70 to 140 ° C for both PB and PEB, and more preferably 80 to 135 ° C.

加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。   The heating time is preferably 30 to 300 seconds, more preferably 30 to 180 seconds, and still more preferably 30 to 90 seconds.

加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。   Heating can be performed by means provided in a normal exposure / developing machine, and may be performed using a hot plate or the like.

ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。   The reaction of the exposed part is promoted by baking, and the sensitivity and pattern profile are improved.

活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、EUV光(13nm)、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線が好ましい。   Although it does not specifically limit as actinic light or a radiation, For example, they are a KrF excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), EUV light (13 nm), an electron beam etc., ArF excimer laser, EUV light, and an electron beam are preferable.

現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)に代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1〜3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。   As the alkaline developer in the development step, a quaternary ammonium salt typified by tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is usually used. In addition, inorganic alkali, primary to tertiary amine, alcohol amine, cyclic amine are also used. An alkaline aqueous solution such as can also be used.

更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。   Furthermore, an appropriate amount of alcohol or surfactant may be added to the alkaline developer.

アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。   The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.

アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。   The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

リンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。   As the rinsing liquid, pure water is preferable, and an appropriate amount of a surfactant can be added and used.

なお、感光性のレジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。   Note that an antireflection film may be applied in advance on the substrate before the photosensitive resist film is formed.

反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。   As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体(液浸媒体)を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。   For a resist film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, a liquid (immersion medium) having a refractive index higher than that of air between the film and the lens when irradiated with actinic rays or radiation. You may satisfy | fill and perform exposure (immersion exposure). Thereby, resolution can be improved. As the immersion medium to be used, any liquid can be used as long as it has a higher refractive index than air, but pure water is preferred.

液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。   The immersion liquid used for the immersion exposure will be described below.

液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー(波長;193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。   The immersion liquid is preferably a liquid that is transparent to the exposure wavelength and has a refractive index temperature coefficient as small as possible so as to minimize distortion of the optical image projected onto the resist film. Is an ArF excimer laser (wavelength; 193 nm), it is preferable to use water from the viewpoints of availability and ease of handling in addition to the above-mentioned viewpoints.

また、更に屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。   Further, a medium having a refractive index of 1.5 or more can be used in that the refractive index can be further improved. This medium may be an aqueous solution or an organic solvent.

液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤(液体)を僅かな割合で添加してもよい。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。   When water is used as the immersion liquid, the surface tension of the water is decreased and the surface activity is increased, so that the resist film on the wafer is not dissolved and the influence on the optical coating on the lower surface of the lens element can be ignored. An additive (liquid) may be added in a small proportion. The additive is preferably an aliphatic alcohol having a refractive index substantially equal to that of water, and specifically includes methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol and the like. By adding an alcohol having a refractive index substantially equal to that of water, even if the alcohol component in water evaporates and the content concentration changes, an advantage that the change in the refractive index of the entire liquid can be made extremely small can be obtained. On the other hand, when an opaque material or impurities whose refractive index is significantly different from that of water are mixed with 193 nm light, the optical image projected on the resist film is distorted. . Further, pure water filtered through an ion exchange filter or the like may be used.

水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。   The electrical resistance of water is desirably 18.3 MQcm or more, the TOC (organic substance concentration) is desirably 20 ppb or less, and deaeration treatment is desirably performed.

また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水(DO)を用いてもよい。 Moreover, it is possible to improve lithography performance by increasing the refractive index of the immersion liquid. From such a viewpoint, an additive that increases the refractive index may be added to water, or heavy water (D 2 O) may be used instead of water.

本発明の組成物からなる膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて更に疎水性樹脂(HR)を添加することができることについては前述の通りである。   As described above, when the film made of the composition of the present invention is exposed through an immersion medium, a hydrophobic resin (HR) can be further added as necessary.

本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜(以下、「トップコート」ともいう)を設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適性、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、レジストと混合せず、更にレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。   An immersion liquid poorly soluble film (hereinafter also referred to as “topcoat”) may be provided between the film of the composition of the present invention and the immersion liquid so that the film does not directly contact the immersion liquid. Good. The functions necessary for the top coat are suitability for application to the upper layer of the resist, transparency to radiation, particularly 193 nm, and poor immersion liquid solubility. It is preferable that the top coat is not mixed with the resist and can be uniformly applied to the upper layer of the resist.

トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂(HR)はトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。   From the viewpoint of 193 nm transparency, the top coat is preferably a polymer that does not contain abundant aromatics. Specifically, the polymer contains a hydrocarbon polymer, an acrylate polymer, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, polyvinyl ether, and silicon. Examples thereof include a polymer and a fluorine-containing polymer. The aforementioned hydrophobic resin (HR) is also suitable as a top coat. From the viewpoint of contaminating the optical lens when impurities are eluted from the top coat into the immersion liquid, it is preferable that the residual monomer component of the polymer contained in the top coat is small.

トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。   When peeling the top coat, a developer may be used, or a separate release agent may be used. As the release agent, a solvent having low penetration into the film is preferable. In terms of being able to perform the peeling process simultaneously with the film development process, it is preferable that the peeling process can be performed with an alkaline developer. The top coat is preferably acidic from the viewpoint of peeling with an alkali developer, but may be neutral or alkaline from the viewpoint of non-intermixability with the film.

トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー(波長:193nm)において、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性・屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。   The resolution is improved when there is no difference in refractive index between the top coat and the immersion liquid. In the case of using water as the immersion liquid in an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), the top coat for ArF immersion exposure is preferably close to the refractive index of the immersion liquid. From the viewpoint of making the refractive index close to the immersion liquid, it is preferable to have fluorine atoms in the topcoat. A thin film is more preferable from the viewpoint of transparency and refractive index.

トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。   The topcoat is preferably not mixed with the membrane and further not mixed with the immersion liquid. From this point of view, when the immersion liquid is water, the solvent used for the top coat is preferably a water-insoluble medium that is hardly soluble in the solvent used for the composition of the present invention. Further, when the immersion liquid is an organic solvent, the topcoat may be water-soluble or water-insoluble.

また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。   The present invention also relates to an electronic device manufacturing method including the above-described pattern forming method of the present invention, and an electronic device manufactured by this manufacturing method.

本発明の電子デバイスは、電気電子機器(家電、OA・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等)に、好適に、搭載されるものである。   The electronic device of the present invention is suitably mounted on electrical and electronic equipment (home appliances, OA / media related equipment, optical equipment, communication equipment, etc.).

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
〔合成例1:化合物Aa−1の合成〕

Figure 2013178370
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by this.
[Synthesis Example 1: Synthesis of Compound Aa-1]
Figure 2013178370

《中間体1の合成》
300ml三口フラスコにトルエンチオール 24.8g(0.2mol)、4−ヨードトルエン43.6g(0.2mol)、ヨウ化銅3.8g(0.02mol)、テトラn−ブチルアンモニウムブロミド6.4g(0.02mol)、水酸化ナトリウム16g(0.4mol)、トルエン100mlを加え、窒素雰囲気下で加熱還流しながら18時間撹拌した。その後、反応液に500mlの水を加え、200mlの酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネシウムを加え脱水し、ろ過後、得られた残渣を減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィー(SiO、ヘキサン)にて目的物を分離し、得られた残渣を減圧濃縮した。その後、メタノール50mlにて再結晶し、中間体1を21.5g(収率:50.2%)得た。
<< Synthesis of Intermediate 1 >>
In a 300 ml three-necked flask, 24.8 g (0.2 mol) of toluenethiol, 43.6 g (0.2 mol) of 4-iodotoluene, 3.8 g (0.02 mol) of copper iodide, 6.4 g of tetra n-butylammonium bromide ( 0.02 mol), 16 g (0.4 mol) of sodium hydroxide and 100 ml of toluene were added, and the mixture was stirred for 18 hours while heating under reflux in a nitrogen atmosphere. Thereafter, 500 ml of water was added to the reaction solution, extracted with 200 ml of ethyl acetate, dehydrated by adding magnesium sulfate, and filtered, and the resulting residue was concentrated under reduced pressure. Thereafter, the target product was separated by column chromatography (SiO 2 , hexane), and the obtained residue was concentrated under reduced pressure. Then, it recrystallized with 50 ml of methanol, and 21.5g (yield: 50.2%) of intermediate bodies 1 were obtained.

H−NMR、400MHz、δ(CDCl) ppm:2.31(6H、s)、7.07−7.09(4H,s)、7.21−7.24(4H,s)。 1 H-NMR, 400 MHz, δ (CDCl 3 ) ppm: 2.31 (6H, s), 7.07-7.09 (4H, s), 7.21-7.24 (4H, s).

《中間体2の合成》
化合物(X)をメチルエチルケトン25gに溶解し、α-ブロモ-γ-ラクトン4.2gを加え、均一に溶解後、炭酸カリウム4.7gを加え、80℃で4時間攪拌した。室温まで冷却後、蒸留水45gを加え15分攪拌後、1N塩酸水170gに添加し、室温で1時間攪拌後、ろ過し、中間体2を11.4g得た。
<< Synthesis of Intermediate 2 >>
Compound (X) was dissolved in 25 g of methyl ethyl ketone, and 4.2 g of α-bromo-γ-lactone was added. After homogeneous dissolution, 4.7 g of potassium carbonate was added and stirred at 80 ° C. for 4 hours. After cooling to room temperature, 45 g of distilled water was added and stirred for 15 minutes, then added to 170 g of 1N aqueous hydrochloric acid, stirred at room temperature for 1 hour, and filtered to obtain 11.4 g of Intermediate 2.

《Aa−1の合成》
50mlナスフラスコに、中間体1を1.54g(7.19mmol)、2−ブロモプロピオン酸エチル1.69g(9.34mmol)、テトラフッ化ホウ素銀1.68g(8.62mmol)、クロロホルム5mlを加え、加熱還流しながら19時間撹拌した。その後、9gの中間体2を、アセトニトリル50gと水20gの混合液に溶解した液を添加し、室温で1時間攪拌後、塩化メチレン40gを加え、有機層を蒸留水で4回洗浄した。その後、有機層の溶媒を減圧溜去することで、化合物(Aa−1)を6.2g得た。
<< Synthesis of Aa-1 >>
To a 50 ml eggplant flask, 1.54 g (7.19 mmol) of intermediate 1, 1.69 g (9.34 mmol) of ethyl 2-bromopropionate, 1.68 g (8.62 mmol) of silver boron tetrafluoride and 5 ml of chloroform were added. The mixture was stirred for 19 hours with heating under reflux. Thereafter, 9 g of Intermediate 2 was dissolved in a mixture of 50 g of acetonitrile and 20 g of water, stirred at room temperature for 1 hour, 40 g of methylene chloride was added, and the organic layer was washed 4 times with distilled water. Then, 6.2g of compounds (Aa-1) were obtained by depressurizingly distilling the solvent of an organic layer.

H−NMR、400MHz、δ(CDCl) ppm:1.16(2H、d)、2.28(1H、m)、2.35(1H、m)、2.45(6H、s)、2.62(2H、m)、2.85(2H、m)、3.46(2H、m)、3.65(1H,m)、3.68(1H、m)、4.21(1H、m)、4.41(1H、m)、5.34(2H,s)、4.98(1H、m)、7.50(4H、d)、8.05(4H,d)。 1 H-NMR, 400 MHz, δ (CDCl 3 ) ppm: 1.16 (2H, d), 2.28 (1H, m), 2.35 (1H, m), 2.45 (6H, s), 2.62 (2H, m), 2.85 (2H, m), 3.46 (2H, m), 3.65 (1H, m), 3.68 (1H, m), 4.21 (1H) M), 4.41 (1H, m), 5.34 (2H, s), 4.98 (1H, m), 7.50 (4H, d), 8.05 (4H, d).

合成例1と同様の操作を行い、後掲に示す化合物(Aa−2)〜(Aa−18)を合成した。   The same operations as in Synthesis Example 1 were performed to synthesize compounds (Aa-2) to (Aa-18) shown below.

〔合成例2 樹脂cの合成〕
窒素気流下シクロヘキサノン25.5gを3つ口フラスコに入れ、これを85℃に加熱した。これに下記化合物(モノマー)を左から順に1.24g、4.58g、1.18g、3.19g、1.97g、重合開始剤V−601(和光純薬製、0.743g)をシクロヘキサノン46gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン420g/酢酸エチル180gの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂d8.8gが得られた。NMRから求めたポリマー組成比は10/30/10/35/15であった。得られた樹脂dの重量平均分子量(Mw)は、標準ポリスチレン換算で7900、分散度(Mw/Mn)は、1.52であった。

Figure 2013178370
[Synthesis Example 2 Synthesis of Resin c]
Under a nitrogen stream, 25.5 g of cyclohexanone was placed in a three-necked flask and heated to 85 ° C. To this, the following compounds (monomer) were added in order from the left: 1.24 g, 4.58 g, 1.18 g, 3.19 g, 1.97 g, polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemicals, 0.743 g), 46 g of cyclohexanone. The solution dissolved in was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the reaction was further continued at 85 ° C. for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and then added dropwise to a mixed solution of 420 g of hexane / 180 g of ethyl acetate over 20 minutes, and the precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 8.8 g of a resin d. The polymer composition ratio determined from NMR was 10/30/10/35/15. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained resin d was 7900 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.52.
Figure 2013178370

合成例2と同様の操作を行い、酸分解性樹脂(B)として後掲に示す樹脂a〜c及びe〜gを合成した。   The same operations as in Synthesis Example 2 were performed to synthesize resins a to c and e to g shown below as acid-decomposable resins (B).

<レジスト調製>
後掲の表2及び表3に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表2及び表3に示した。
<Resist preparation>
The components shown in Tables 2 and 3 below are dissolved in a solvent, and a solution with a solid content of 4% by mass is prepared for each, and this is filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.05 μm. Alternatively, a radiation sensitive resin composition was prepared. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition was evaluated by the following method, and the results are shown in Tables 2 and 3.

<レジスト評価>
(露光条件1:ArF液浸露光)
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。これにArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C−Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、ホール部分が45nmであり且つホール間のピッチが75nmである正方配列のハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を用いた。その後、105℃で60秒間加熱(PEB:Post Exposure Bake)した。次いで、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してホールパターンを得た。
<Resist evaluation>
(Exposure condition 1: ArF immersion exposure)
An organic antireflection film ARC29SR (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on a silicon wafer, and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 98 nm. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition prepared thereon was applied and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 120 nm. For this, an ArF excimer laser immersion scanner (SMTL XT1700i, NA 1.20, C-Quad, outer sigma 0.981, inner sigma 0.895, XY deflection) is used. The exposure was performed through a square array halftone mask having a pitch of 75 nm. Ultra pure water was used as the immersion liquid. Then, it heated at 105 degreeC for 60 second (PEB: Post Exposure Bake). Next, the film was developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38% by mass) for 30 seconds, rinsed with pure water, and then spin-dried to obtain a hole pattern.

(露光条件2:ArFドライ露光)
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。これにArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65)を用い、ホール部分が75nmであり且つホール間のピッチが90nmである正方配列のハーフトーンマスクを通して露光した。その後100℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してホールパターンを得た。
(Exposure condition 2: ArF dry exposure)
An organic antireflection film ARC29A (Nissan Chemical Co., Ltd.) was applied on a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an antireflection film having a thickness of 78 nm. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition prepared thereon was applied and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 120 nm. For this, an ArF excimer laser scanner (PAS5500 / 1100, manufactured by ASML, NA0.75, Dipole, σo / σi = 0.89 / 0.65) is used, and the hole portion is 75 nm and the pitch between holes is 90 nm. Exposure was through a square array of halftone masks. Thereafter, the mixture was heated at 100 ° C. for 60 seconds, developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsed with pure water, and spin-dried to obtain a hole pattern.

(CDU評価)〔局所的なパターン寸法の均一性(Local CDU、nm)〕
露光ラチチュード評価における最適露光量で露光された1ショット内において、互いの間隔が1μmの20箇所の領域において、各領域ごとに任意の25個(すなわち、計500個)のホールサイズを測定し、これらの標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。
(CDU evaluation) [Local pattern dimension uniformity (Local CDU, nm)]
In one shot exposed at the optimum exposure amount in the exposure latitude evaluation, arbitrary 25 holes (that is, a total of 500 holes) are measured for each area in 20 areas each having an interval of 1 μm. These standard deviations were obtained and 3σ was calculated. The smaller the value, the smaller the dimensional variation, indicating better performance.

(真円性評価)〔(真円性、nm)〕
露光ラチチュード評価における最適露光量で露光された1ショット内において、互いの間隔が1μmの20箇所の領域において、各領域ごとに任意の25個(すなわち、計500個)のホールサイズを真円近似モードで測定し、ホールパターンの半径を1個のホールにつき32点測定した。測定で得られたホール半径と真円近似したときの半径とのバラツキ(3σ)を算出し、これらの平均値を求め、真円性を算出した。値が小さいほど真円に近く、良好な性能であることを示す。

Figure 2013178370
(Roundness evaluation) [(Roundness, nm)]
In one shot exposed at the optimal exposure amount in exposure latitude evaluation, 20 holes with a distance of 1 μm between each other, and an arbitrary 25 holes (that is, a total of 500 holes) are approximated to a perfect circle. Measurement was performed in the mode, and the radius of the hole pattern was measured at 32 points per hole. The variation (3σ) between the hole radius obtained by measurement and the radius when approximated to a perfect circle was calculated, the average value of these was calculated, and the roundness was calculated. The smaller the value, the closer to a perfect circle, indicating better performance.
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

表中の略号は下記を表す。   Abbreviations in the table represent the following.

〔化合物(A)〕

Figure 2013178370
[Compound (A)]
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

〔比較用化合物(A’)〕

Figure 2013178370
[Comparative Compound (A ′)]
Figure 2013178370

〔酸発生剤〕

Figure 2013178370
[Acid generator]
Figure 2013178370

〔樹脂(B)〕

Figure 2013178370
[Resin (B)]
Figure 2013178370

〔疎水性樹脂HR〕

Figure 2013178370
[Hydrophobic resin HR]
Figure 2013178370

Figure 2013178370
Figure 2013178370

〔塩基性化合物〕
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TEA:トリエタノールアミン
DBA:N,N−ジブチルアニリン
PBI:2−フェニルベンズイミダゾール
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
〔酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(D)(化合物(D))〕

Figure 2013178370
[Basic compounds]
DIA: 2,6-diisopropylaniline TEA: triethanolamine DBA: N, N-dibutylaniline PBI: 2-phenylbenzimidazole PEA: N-phenyldiethanolamine [a low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid (D (Compound (D))]
Figure 2013178370

〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(DIC(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(DIC(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:PF6320(OMNOVA Solutions Inc.製)(フッ素系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)
S2:2−ヘプタノン
S3:シクロヘキサノン
S4:γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;1−メトキシ−2−プロパノール)
S6:乳酸エチル
S7:プロピレンカーボネート
上掲の表2及び表3から明らかなように、本発明の化合物(A)を使用することにより、CDU及び真円性の性能が改善される。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、各種の半導体素子、記録媒体などの電子デバイスの製造におけるリソグラフィープロセスにおいて、好適に用いることができる。
[Surfactant]
W-1: Megafuck F176 (manufactured by DIC Corporation) (fluorine-based)
W-2: Megafuck R08 (manufactured by DIC Corporation) (fluorine and silicon)
W-3: PF6320 (manufactured by OMNOVA Solutions Inc.) (fluorine-based)
W-4: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)
〔solvent〕
S1: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; 1-methoxy-2-acetoxypropane)
S2: 2-Heptanone S3: Cyclohexanone S4: γ-Butyrolactone S5: Propylene glycol monomethyl ether (PGME; 1-methoxy-2-propanol)
S6: Ethyl lactate S7: Propylene carbonate As is apparent from Table 2 and Table 3 above, the use of the compound (A) of the present invention improves the performance of CDU and roundness.
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention can be suitably used in a lithography process in the production of electronic devices such as various semiconductor elements and recording media.

Claims (14)

下記一般式(1)で表される化合物(A)、及び、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013178370
一般式(1)中、
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又は、アリール基を表す。但し、R及びRのうち少なくとも1つはアリール基であり、また、RとRは互いに連結して、縮合環を形成していてもよい。
及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、RとRが互いに連結して環を形成していてもよい。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Rは、RもしくはRと互いに連結して環を形成していてもよい。
-は、−W-、又は、−SO3 -、を表す。ここで、Rは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、W及びWは、各々独立に、−SO−又は−CO−を表す。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、−SO−又は−CO−を表す。
nは、0又は1を表す。
Bは、単結合、酸素原子、又は−N(R)R−を表す。ここで、Rは水素原子又は1価の有機基を表し、Rは単結合又は2価の有機基を表す。Rは、Rと結合して環を形成していてもよく、Rと結合して環を形成していてもよい。
は、少なくとも1つの塩基性窒素原子を含有する有機基を表す。
An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound (A) represented by the following general formula (1) and a resin (B) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid.
Figure 2013178370
In general formula (1),
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. However, at least one of R 1 and R 2 is an aryl group, and R 1 and R 2 may be connected to each other to form a condensed ring.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or an aryl group. R 3 and R 4 may be connected to each other to form a ring.
R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 5 may be bonded to R 3 or R 4 to form a ring.
Q represents —W 1 N W 2 R f or —SO 3 . Here, R f represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and W 1 and W 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.
A represents a single bond or a divalent linking group.
X represents —SO 2 — or —CO—.
n represents 0 or 1.
B represents a single bond, an oxygen atom, or —N (R x ) R y —. Here, R x represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R y represents a single bond or a divalent organic group. R x is may form a ring with R y, may form a ring with R N.
R N represents an organic group containing at least one basic nitrogen atom.
一般式(1)におけるQが―W―N―W―Rである、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 Q in the general formula (1) - is -W 1 -N - -W is 2 -R f, sensitive or radiation-sensitive resin composition of claim 1. 一般式(1)におけるR5がアルコキシ基である、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射性樹脂組成物。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein R 5 in the general formula (1) is an alkoxy group. 一般式(1)におけるR及びRが、共にアリール基である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射性樹脂組成物。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein R 1 and R 2 in the general formula (1) are both aryl groups. 更に、疎水性樹脂(HR)を含有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   Furthermore, the actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-4 containing hydrophobic resin (HR). 疎水性樹脂(HR)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂である、請求項5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 5, wherein the hydrophobic resin (HR) is a hydrophobic resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom. 樹脂(B)がラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-6 in which resin (B) contains the repeating unit which has a lactone structure or a sultone structure. 更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有し、前記化合物(C)のカチオン部分の構造が、前記化合物(A)のカチオン部分の構造と同じである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   Furthermore, it contains a compound (C) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and the structure of the cation moiety of the compound (C) is the same as the structure of the cation moiety of the compound (A). The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of 1 to 7. 前記化合物(C)の含有率が、組成物の全固形分を基準として0.1〜30質量%である、請求項8に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic-ray sensitive or radiation sensitive resin composition of Claim 8 whose content rate of the said compound (C) is 0.1-30 mass% on the basis of the total solid of a composition. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。   An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9. 請求項10に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び前記露光した感活性光線性又は感放射線性膜を現像する工程を含むパターン形成方法。   The pattern formation method including the process of exposing the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive film of Claim 10, and developing the said exposed actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive film. 前記露光が液浸露光である、請求項11に記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to claim 11, wherein the exposure is immersion exposure. 請求項11又は12に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。   The manufacturing method of an electronic device containing the pattern formation method of Claim 11 or 12. 請求項13に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。   An electronic device manufactured by the method for manufacturing an electronic device according to claim 13.
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